KR102384866B1

KR102384866B1 - Receiver, Wireless Terminal, Operating Method of Wireless Terminal

Info

Publication number: KR102384866B1
Application number: KR1020150115411A
Authority: KR
Inventors: 김영민; 장필성; 조병학; 허승찬
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2015-01-13
Filing date: 2015-08-17
Publication date: 2022-04-08
Also published as: KR20160087329A

Abstract

수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법이 제공된다. 일 실시예에 따른 수신기는, 제1 RF 입력 신호(Radio Frequency input signal)를 수신 및 증폭하여, 제1 주파수 대역에 포함되는 제1 반송파에 대응되는 RF 출력 신호로 출력하는 제1 증폭기; 및 모드 신호(mode signal)가 제1 모드를 나타내는 때에, 상기 제1 증폭기로부터 제1 내부 신호를 수신하고 증폭하여, 상기 제1 주파수 대역에 포함되는 제2 반송파에 대응되는 RF 출력 신호로 출력하는 제1 서브 증폭기(sub amplifier)를 포함한다. A receiver, a wireless terminal, and a method of operating the wireless terminal are provided. A receiver according to an embodiment includes: a first amplifier that receives and amplifies a first RF input signal and outputs an RF output signal corresponding to a first carrier wave included in a first frequency band; and receiving and amplifying a first internal signal from the first amplifier when a mode signal indicates a first mode, and outputting it as an RF output signal corresponding to a second carrier wave included in the first frequency band and a first sub amplifier.

Description

Receiver, wireless terminal and operating method of wireless terminal {Receiver, Wireless Terminal, Operating Method of Wireless Terminal}

본 개시는 수신기, 무선 통신망을 통한 신호의 수신 시, 효율적으로 신호를 처리할 수 있는 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a receiver, a wireless terminal capable of efficiently processing a signal when receiving a signal through a wireless communication network, and an operating method of the wireless terminal.

무선 단말의 송신기는 데이터를 RF 반송파 신호(Radio Frequency carrier signal)에 실어 RF 신호로 변조하고, 변조된 RF 신호를 증폭하여 무선 통신망으로 전송한다. 무선 단말의 수신기는 무선 통신망으로부터 RF 신호를 수신하여 증폭하여 복조한다. 좀더 많은 데이터의 송수신을 위해, 무선 단말은 반송파 집적 기능, 즉 다중 반송파로 변조된 RF 반송파 신호의 송수신을 지원한다. 반송파 집적 기능을 적용하더라도 잡음 특성(noise feature) 또는 게인 특성(gain feature)의 저하는 방지되어야 하며, 각 RF 반송파 신호간의 독립적인 수신기의 이득 조절이 가능해야 한다. The transmitter of the wireless terminal loads data on an RF carrier signal, modulates it into an RF signal, amplifies the modulated RF signal, and transmits it to the wireless communication network. The receiver of the wireless terminal receives the RF signal from the wireless communication network, amplifies it and demodulates it. In order to transmit/receive more data, the wireless terminal supports a carrier aggregation function, that is, transmission/reception of an RF carrier signal modulated by a multi-carrier. Even if the carrier aggregation function is applied, deterioration of noise or gain characteristics should be prevented, and independent receiver gain adjustment between each RF carrier signal should be possible.

효율적으로 수신된 신호를 처리할 수 있는 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법이 제공된다. A receiver capable of efficiently processing a received signal, a wireless terminal, and an operating method of the wireless terminal are provided.

일 실시예에 따른 수신기는, 제1 RF 입력 신호(Radio Frequency input signal)를 수신 및 증폭하여, 제1 주파수 대역에 포함되는 제1 반송파에 대응되는 RF 출력 신호로 출력하는 제1 증폭기; 및 모드 신호(mode signal)가 제1 모드를 나타내는 때에, 상기 제1 증폭기로부터 제1 내부 신호를 수신하고 증폭하여, 상기 제1 주파수 대역에 포함되는 제2 반송파에 대응되는 RF 출력 신호로 출력하는 제1 서브 증폭기(sub amplifier)를 포함한다. A receiver according to an embodiment includes: a first amplifier that receives and amplifies a first RF input signal and outputs an RF output signal corresponding to a first carrier wave included in a first frequency band; and receiving and amplifying a first internal signal from the first amplifier when a mode signal indicates a first mode, and outputting it as an RF output signal corresponding to a second carrier wave included in the first frequency band and a first sub amplifier.

일 실시예에 따른 무선 단말은, 수신 신호가 제1 주파수 대역으로 필터링(filtering)된 제1 수신 신호에 대해 임피던스 매칭(impedance matching)을 수행하여 제1 RF 입력 신호(Radio Frequency input signal)로 출력하는 제1 입력부; 인터-밴드 CA 모드(Inter-Band Carrier Aggregation mode) 및 인트라-밴드 CA 모드(Intra-Band Carrier Aggregation mode)에서 모두, 하나의 제1 입력 단을 통해 수신된 상기 제1 RF 입력 신호를 증폭하여, 적어도 하나 이상의 제1 RF 출력 신호로 출력하는 제1 증폭부; 및 상기 적어도 하나 이상의 제1 RF 출력 신호 중 적어도 하나 이상을 기저대역으로 다운-컨버팅(down-converting)하는 제1 출력부를 포함하는, 제1 수신기를 포함한다. The wireless terminal according to an embodiment performs impedance matching on a first received signal in which the received signal is filtered to a first frequency band and outputs it as a first RF input signal (Radio Frequency input signal) a first input unit; In both the inter-band CA mode (Inter-Band Carrier Aggregation mode) and the intra-band CA mode (Intra-Band Carrier Aggregation mode), by amplifying the first RF input signal received through one first input terminal, a first amplifier outputting at least one or more first RF output signals; and a first receiver comprising a first output unit for down-converting at least one of the at least one or more first RF output signals to a baseband.

다른 실시예에 따른 무선 단말은, LTE-A(Long Term Evolution Advanced) 통신망을 통해 전송되는 수신 신호를 수신하는 안테나(antenna); 상기 수신 신호를 각 주파수 대역으로 필터링(filtering)하는 필터(filter); 및 상기 필터에 의해 각 주파수 대역으로 필터링된 수신 신호를 처리하여 기저대역 신호로 처리하는 다수의 수신기를 포함하고, 상기 다수의 수신기 중 적어도 하나는, 제1 노드(node) 및 제2 노드 사이에 연결되고, 상기 필터링된 수신 신호에 대해 임피던스 매칭(impedance matching)을 수행한 RF 입력 신호가 게이트(gate)로 인가되고 제1 트랜지스터(transistor), 및 상기 제1 트랜지스터보다 작고, 소스(source)가 상기 제1 노드에서 상기 제1 트랜지스터의 드레인(drain)과 연결되고, 제1 출력 노드에 드레인이 연결되어 제1 반송파에 대응되는 RF 출력 신호를 출력하는 제2 트랜지스터를 포함하는 제1 증폭기; 및 인트라-밴드 CA 모드(Intra-Band Carrier Aggregation mode)에서 활성화 되고, 제3 노드 및 제4 노드 사이에 연결되고, 상기 제1 노드로부터 인가되는 제1 내부 신호에 의해 게이팅되는 제3 트랜지스터, 및 소스가 상기 제3 노드에서 상기 제3 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 제2 출력 노드에 드레인이 연결되어, 상기 제1 반송파와 동일한 주파수 대역의 제2 반송파에 대응되는 RF 출력 신호를 출력하는 제4 트랜지스터를 포함하는 제1 서브 증폭기를 구비한다. A wireless terminal according to another embodiment includes an antenna for receiving a reception signal transmitted through a Long Term Evolution Advanced (LTE-A) communication network; a filter for filtering the received signal into each frequency band; and a plurality of receivers for processing the received signal filtered to each frequency band by the filter and processing it as a baseband signal, wherein at least one of the plurality of receivers is disposed between a first node and a second node. connected, an RF input signal that has performed impedance matching on the filtered received signal is applied to a gate and is smaller than a first transistor and the first transistor, and a source is a first amplifier including a second transistor connected to a drain of the first transistor at the first node and a drain connected to a first output node to output an RF output signal corresponding to the first carrier; and a third transistor activated in an intra-band CA mode (Intra-Band Carrier Aggregation mode), connected between the third node and the fourth node, and gated by a first internal signal applied from the first node, and a fourth source having a source connected to a drain of the third transistor at the third node, and a drain connected to a second output node to output an RF output signal corresponding to a second carrier in the same frequency band as that of the first carrier and a first sub-amplifier including a transistor.

본 개시의 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 의하면, 다중 반송파가 각각 상이한 주파수 대역에 포함되는 경우, 각각의 반송파를 포함하는 RF 입력 신호를 수신하는 증폭기들을 통해 RF 출력 신호를 출력하고, 다중 반송파가 동일한 주파수 대역에 포함되는 경우 하나의 반송파에 대한 RF 출력 신호는 해당 반송파를 포함하는 RF 입력 신호를 수신하는 증폭기를 통해 출력하는 한편, 다른 반송파에 대한 RF 출력 신호는 증폭기로부터 인가되는 신호를 처리하는 서브 증폭기를 통해 출력함으로써, 다중 반송파가 서로 상이한 주파수 대역에 포함되거나 동일한 주파수 대역에 포함되는지 무관하게, 수신기의 입력 임피던스(input impedance)가 동일할 수 있다. 이에 따라, 각각의 동작 모드(mode)에 따라 임피던스 매칭 조건이 달라짐으로써 야기될 수 있는 손실을 방지할 수 있다. 그리고, 이에 따라, 잡음 특성 또는 이득 특성이 저하되지 아니함으로써, 수신기 또는 수신기를 포함하는 무선 단말의 전력 소모를 줄일 수 있고, 정확하게 수신된 신호를 처리할 수 있다. According to the operating method of the receiver, the wireless terminal and the wireless terminal of the present disclosure, when multiple carriers are included in different frequency bands, respectively, outputting an RF output signal through amplifiers that receive an RF input signal including each carrier, When multiple carriers are included in the same frequency band, the RF output signal for one carrier is output through an amplifier that receives the RF input signal including the carrier, while the RF output signal for the other carrier is a signal applied from the amplifier. By outputting through a sub-amplifier that processes , the input impedance of the receiver may be the same regardless of whether the multi-carriers are included in different frequency bands or are included in the same frequency band. Accordingly, it is possible to prevent loss that may be caused by the impedance matching condition being changed according to each operation mode. Accordingly, since the noise characteristic or the gain characteristic is not deteriorated, power consumption of a receiver or a wireless terminal including the receiver can be reduced, and a received signal can be accurately processed.

본 개시의 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 의하면, 하나의 증폭기의 전압 이득에 의해 증폭된 신호를 다른 증폭기에 전달하여, 동일한 주파수 대역의 다중 반송파로 변조된 RF 반송파 신호를 증폭함으로써, 전력 소모를 줄일 수 있고, 잡음 특성 또는 이득 특성을 유지할 수 있다. 따라서, 무선 단말에서의 신호 수신 감도가 향상되고, 무선 단말의 신뢰성이 향상될 수 있다. According to the operating method of the receiver, the wireless terminal and the wireless terminal of the present disclosure, by transmitting a signal amplified by the voltage gain of one amplifier to another amplifier, and amplifying the RF carrier signal modulated with a multi-carrier of the same frequency band, Power consumption may be reduced, and noise characteristics or gain characteristics may be maintained. Accordingly, signal reception sensitivity in the wireless terminal can be improved, and reliability of the wireless terminal can be improved.

따라서, 본 개시의 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 의하면, 효율적으로 수신된 신호를 처리할 수 있다. Therefore, according to the receiver, the wireless terminal, and the operation method of the wireless terminal of the present disclosure, it is possible to efficiently process a received signal.

도 1은 일 실시예에 따른 제1 수신기를 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 4는 각각, 일 실시예에 따른 반송파 집적 기술을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 각각, 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 각각, 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 각각, 도 6a의 무선 단말이 각각, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드로 동작하는 예를 설명하는 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 각각, 도 8의 무선 단말이 각각, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드로 동작하는 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 8의 제1 증폭부 및 제2 증폭부의 예를 나타내는 도면이다.
도 11a 내지 도 11c는 각각, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드에서의 도 10의 제1 증폭부 및 제2 증폭부가 동작하는 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 인트라-밴드 CA 모드에서의 도 10의 제1 증폭부 및 제2 증폭부가 동작하는 예를 나타내는 도면이다.
도 13 내지 도 17은 각각, 도 8의 제1 증폭부 및 제2 증폭부의 예를 나타내는 도면이다.
도 18은 일 실시예에 따른 제1 수신기를 나타내는 도면이다.
도 19는 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다.
도 20은 일 실시예에 따른 제1 수신기를 나타내는 도면이다.
도 21은 일 실시예에 따른 LNA(Low Noise Amplifier)를 나타내는 도면이다.
도 22는 일 실시예에 따른 컴퓨팅 시스템(computing system)을 나타내는 도면이다.
도 23은 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a first receiver according to an embodiment.
2 to 4 are diagrams for explaining a carrier aggregation technique according to an embodiment, respectively.
5A and 5B are diagrams illustrating a wireless terminal according to an embodiment, respectively.
6A and 6B are diagrams illustrating a wireless terminal according to an embodiment, respectively.
7A to 7C are diagrams for explaining an example in which the wireless terminal of FIG. 6A operates in a non-CA mode, an inter-band CA mode, and an intra-band CA mode, respectively.
8 is a diagram illustrating a wireless terminal according to an embodiment.
9A to 9C are diagrams illustrating examples in which the wireless terminal of FIG. 8 operates in a non-CA mode, an inter-band CA mode, and an intra-band CA mode, respectively.
10 is a diagram illustrating an example of the first amplifying unit and the second amplifying unit of FIG. 8 .
11A to 11C are diagrams illustrating examples in which the first amplifier and the second amplifier of FIG. 10 operate in the non-CA mode, the inter-band CA mode, and the intra-band CA mode, respectively.
12 is a diagram illustrating an example in which the first amplifier and the second amplifier of FIG. 10 operate in the intra-band CA mode.
13 to 17 are views each showing examples of the first amplifying unit and the second amplifying unit of FIG. 8 .
18 is a diagram illustrating a first receiver according to an embodiment.
19 is a diagram illustrating a wireless terminal according to an embodiment.
20 is a diagram illustrating a first receiver according to an embodiment.
21 is a diagram illustrating a low noise amplifier (LNA) according to an embodiment.
22 is a diagram illustrating a computing system according to an embodiment.
23 is a diagram illustrating a wireless terminal according to an embodiment.

본 명세서에 제시되는 본 발명의 사상에 따른 실시예들은 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에 제시되는 실시예들은 여러 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 본 명세서에 제시되는 실시예들로 한정되지 않는다. 본 발명의 범위는 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments according to the spirit of the present invention presented herein are provided to more completely explain the spirit of the present invention to those of ordinary skill in the art. The embodiments presented herein may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments presented herein. It should be understood that the scope of the present invention includes all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

첨부된 도면들을 설명하면서 유사한 구성요소에 대해 유사한 참조 부호를 사용한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시될 수 있다.Like reference numerals are used for like elements in describing the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures may be enlarged or reduced than the actual size to help a clear understanding of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 오로지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것이며, 본 발명을 한정하려는 의도로 사용된 것이 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백히 다른 경우를 제외하고는 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 나열된 특징들의 존재를 특정하는 것이지, 하나 이상의 다른 특징들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서, 용어 "및/또는"은 열거된 특징들 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합들을 포함하기 위해 사용된다. 본 명세서에서, "제1", "제2" 등의 용어가 다양한 특징들을 설명하기 위하여 하나의 특징을 다른 특징과 구별하기 위한 의도로만 사용되며, 이러한 특징들은 이들 용어에 의해 한정되지 않는다. 아래의 설명에서 제1 특징이 제2 특징과 연결, 결합 또는 접속된다고 기재되는 경우, 이는 제1 특징과 제2 특징 사이에 제3 특징이 개재될 수 있다는 것을 배제하지 않는다.The terminology used herein is used only to describe specific embodiments, and is not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, it should be understood that terms such as "comprise" or "have" specify the existence of the listed features, and do not preclude the possibility of the presence or addition of one or more other features. As used herein, the term “and/or” is used to include any one and all combinations of one or more of the listed features. In this specification, terms such as “first” and “second” are used only for the purpose of distinguishing one characteristic from another in order to describe various characteristics, and these characteristics are not limited by these terms. Where it is described in the following description that a first feature is connected, coupled or connected with a second feature, this does not exclude that a third feature may be interposed between the first feature and the second feature.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

이하, 첨부한 도면을 참조하여 실시예를 설명한다. Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 제1 수신기를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는 제1 증폭부(12)를 포함하고, 제1 증폭부(12)는 제1 증폭기(12a) 및 제1 서브 증폭기(12b)를 포함한다. 제1 증폭기(12a)는 제1 모드(mode)에서, 동일한 주파수 대역의 적어도 둘 이상의 반송파에 의해 변조된 제1 RF 입력 신호(Radio Frequency input signal, RFIN1)를 수신 및 증폭하여, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로 출력한다. 제1 서브 증폭기(12b)는, 제1 증폭기(12a)로부터 인가되는 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여, 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)로 출력한다. 도 1에서, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)의 2개의 반송파에 의해 변조된 예가 도시된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는 도 2 등에서 예시되는 바와 같이, 두 개 이상의 반송파에 의해 변조된 제1 RF 입력 신호(RFIN1) 등을 처리할 수도 있다. 1 is a diagram illustrating a first receiver according to an embodiment. Referring to FIG. 1 , a first receiver RCV1 according to an exemplary embodiment includes a first amplifier 12 , and the first amplifier 12 includes a first amplifier 12a and a first sub-amplifier 12b. ) is included. The first amplifier 12a receives and amplifies a first RF input signal (RFIN1) modulated by at least two or more carriers of the same frequency band in a first mode, and amplifies the first RF output It is output as a signal (RFOUT11). The first sub-amplifier 12b amplifies the first internal signal XINT1 applied from the first amplifier 12a and outputs it as a first RF output signal RFOUT12. In FIG. 1 , an example in which a first RF input signal RFIN1 is modulated by two carriers of a first carrier wave ω1 and a second carrier wave ω2 is illustrated. However, the present invention is not limited thereto, and the first receiver RCV1 according to an embodiment may process the first RF input signal RFIN1 modulated by two or more carriers as illustrated in FIG. 2 and the like. .

도 2 내지 도 4는 각각, 일 실시예에 따른 반송파 집적 기술을 설명하기 위한 도면이다. 먼저, 도 2를 참조하면, 증가된 비트 레이트(bit rate)에 대한 요구를 충족시키고자, 하나 이상의 기지국에서 여러 개의 주파수 대역을 결합하여 운용하는, 반송파 집적(Carrier Aggregation)에 대한 기술이 등장했다. 무선 통신망(mobile network)의 하나인 LTE(Long Term Evolution)는 100Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 무선 환경에서 대용량 동영상도 원할하게 송수신될 수 있다. LTE 표준에 의하면, 지역별 데이터 트래픽 혼잡도 등을 고려해 여러 개의 주파수 중 하나를 선택하여 사용자에게 최적의 통신 품질을 제공하는 다중 반송파 기술(multi-carrier technology)이 지원된다. 다중 반송파 기술에 의해, 많은 사용자가 사용하는 주파수를 다른 주파수로 분산시킴으로써, 한쪽 주파수로의 데이터 집중을 해소할 수 있다. 예를 들어, 다중 반송파 기술에 의해, 800MHz 주파수를 사용하는 사용자가 많을 경우, 1.8GHz 주파수로 데이터를 자동 분산시킬 수 있다. 2 to 4 are diagrams for explaining a carrier aggregation technique according to an embodiment, respectively. First, referring to Figure 2, in order to meet the demand for increased bit rate, one or more base stations combine and operate several frequency bands, and a technology for carrier aggregation has appeared. . Long Term Evolution (LTE), which is one of the wireless communication networks, can implement a data transmission rate of 100 Mbps, so that large-capacity video can be transmitted and received smoothly in a wireless environment. According to the LTE standard, a multi-carrier technology that provides optimal communication quality to users by selecting one of several frequencies in consideration of regional data traffic congestion, etc. is supported. With the multi-carrier technology, by dispersing the frequencies used by many users to other frequencies, the concentration of data on one frequency can be eliminated. For example, by multi-carrier technology, if there are many users using the 800 MHz frequency, data can be automatically distributed to the 1.8 GHz frequency.

그런데, LTE 표준 상의 다중 반송파 기술만으로는, 체감 전송 속도는 증가하더라도 실제 전송 속도를 빨라지지는 않는다. 이에, 보다 빠른 데이터 전송 속도로 구현될 수 있는 LTE-A(LTE-Advanced) 기술이 개발되었다. 반송파 집적 기술은, 하나의 기지국에서 여러 개의 주파수 대역을 결합하여 운용하는 주파수 확장 기술이다. 도 2는 반송파 집적 기술에 의해 LTE 표준 상의 5개의 주파수 대역을 결합함으로써, 데이터 전송 속도를 5배까지 증가시킬 수 있는 예를 도시하고 있다. 도 2의 각 반송파(carrier 1 ~ carrier 5)가 LTE에서 정의된 반송파이고, LTE 표준에서 하나의 주파수 대역폭이 최대 20MHz까지 정의되어 있으므로, 일 실시예에 다른 무선 단말(200)은, 최대 100MHz의 대역폭으로 데이터율(data rate)를 향상시킬 수 있다. LTE에서 정의된 반송파는 요소 반송파(component carrier)로 지칭될 수 있다. However, only the multi-carrier technology on the LTE standard does not increase the actual transmission speed even if the perceived transmission speed increases. Accordingly, LTE-A (LTE-Advanced) technology that can be implemented at a faster data rate has been developed. Carrier aggregation technology is a frequency extension technology that combines and operates several frequency bands in one base station. FIG. 2 shows an example in which the data transmission rate can be increased by 5 times by combining the five frequency bands on the LTE standard by carrier aggregation technology. Since each carrier (carrier 1 to carrier 5) of FIG. 2 is a carrier defined in LTE, and one frequency bandwidth is defined up to a maximum of 20 MHz in the LTE standard, another wireless terminal 200 according to an embodiment has a maximum of 100 MHz. The bandwidth can improve the data rate. A carrier defined in LTE may be referred to as a component carrier.

도 2는 LTE에서 정의된 반송파만으로 결합되는 예를 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 3에 도시되는 바와 같이, 서로 다른 무선 통신망의 반송파끼리도 결합될 수 있다. 도 3을 참조하면, 반송파 집적 기술에 의해 주파수 대역이 결합됨에 있어, LTE 뿐 아니라, 3G 및 Wi-fi 표준 상의 주파수 대역도 함께 결합될 수 있다. 이렇듯, LTE-A는 반송파 집적 기술을 채택함으로써, 보다 빠른 데이터 전송을 수행할 수 있다. 도 2 및 도 3에서 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 무선 단말(200)은 다수의 반송파가 결합된 입력을 수신할 수 있으나, 이하에서는 설명의 편의를 위해, 별도로 언급되지 아니하는 한, 두 개의 반송파가 결합된 입력으로 동작하는 예로 기술된다. 2 illustrates an example in which only a carrier defined in LTE is combined, but is not limited thereto. As shown in FIG. 3 , carriers of different wireless communication networks may also be combined. Referring to FIG. 3 , in combining frequency bands by carrier aggregation technology, not only LTE, but also frequency bands on 3G and Wi-fi standards may be combined together. As such, LTE-A can perform faster data transmission by adopting carrier aggregation technology. 2 and 3, the wireless terminal 200 according to an embodiment may receive an input in which a plurality of carriers are combined, but hereinafter, for convenience of explanation, unless otherwise specified, It is described as an example in which two carriers operate as a combined input.

다음으로 도 1 및 도 4를 참조하면, 무선 통신망을 통해 수신되는 신호의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)는 주파수 대역이 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 반송파(ω1)는 제1 주파수 대역(BA)의 주파수로, 제2 반송파(ω2)는 제2 주파수 대역(BB)의 주파수로 설정될 수 있다(도 4의 (a)). 제1 주파수 대역(BA)은 제1 주파수(f1)부터 제2 주파수(f2)까지의 주파수 대역이고, 제2 주파수 대역(BB)은 제3 주파수(f3)부터 제4 주파수(f4)까지의 주파수 대역이다. 예를 들어, 제1 반송파(ω1)는 800MHz의 반송파이고, 제2 반송파(ω2)는 1.8GHz의 반송파일 수 있다. Next, referring to FIGS. 1 and 4 , a first carrier wave ω1 and a second carrier wave ω2 of a signal received through a wireless communication network may have the same or different frequency bands. For example, the first carrier wave ω1 may be set as a frequency of the first frequency band BA, and the second carrier wave ω2 may be set as a frequency of the second frequency band BB (FIG. 4(a)). ). The first frequency band BA is a frequency band from the first frequency f1 to the second frequency f2, and the second frequency band BB is from the third frequency f3 to the fourth frequency f4. is the frequency band. For example, the first carrier wave ω1 may be a carrier of 800 MHz, and the second carrier wave ω2 may be a carrier of 1.8 GHz.

또는, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2) 모두 제1 주파수 대역(BA)의 주파수로 설정될 수 있다(도 4의 (b) 및 (c)). 이때, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 같은 주파수 대역에서 연속(contiguous)되거나(도 4의 (b)), 같은 주파수 대역에서 불연속(non-contiguous)될 수 있다(도 4의 (c)).Alternatively, both the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 may be set to frequencies of the first frequency band BA ( FIGS. 4B and 4C ). At this time, the first carrier (ω1) and the second carrier (ω2) may be continuous (contiguous) in the same frequency band (FIG. 4 (b)), or may be non-contiguous in the same frequency band (FIG. 4) of (c)).

도 4는 제1 주파수 대역(BA) 및 제2 주파수 대역(BB)이 서로 다른 대역폭으로 설정된 예를 도시한다. 예를 들어, 제1 주파수 대역(BA)는 20MHz의 대역폭으로, 제2 주파수 대역(BB)은 10MHz의 대역폭으로 설정될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 주파수 대역(BA) 및 제2 주파수 대역(BB)의 대역폭은 동일한 대역폭으로 설정될 수도 있다. 예를 들어, 제1 주파수 대역(BA) 및 제2 주파수 대역(BB) 모두, 20MHz의 대역폭으로 설정될 수 있다. 4 illustrates an example in which the first frequency band BA and the second frequency band BB are set to different bandwidths. For example, the first frequency band BA may be set to a bandwidth of 20 MHz, and the second frequency band BB may be set to a bandwidth of 10 MHz. However, the present invention is not limited thereto. The bandwidths of the first frequency band BA and the second frequency band BB may be set to the same bandwidth. For example, both the first frequency band BA and the second frequency band BB may be set to a bandwidth of 20 MHz.

제1 수신기(RCV1)는 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 동일한 주파수 대역에 존재하는지 아니면 서로 다른 주파수 대역에 존재하는지에 따라, 서로 다른 모드로 동작할 수 있다. 도 4의 (a)와 같이, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 서로 다른 주파수 대역에 존재하는 경우, 제1 수신기(RCV1)는 인터-밴드 CA 모드(inter-band Carrier Aggregation mode)로 동작한다. 반면, 도 4의 (b) 및 (c)와 같이, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 같은 주파수 대역에 존재하는 경우, 제1 수신기(RCV1)는 인트라-밴드 CA 모드(intra-band Carrier Aggregation mode)로 동작한다. 전술된 제1 모드는 인트라-밴드 모드를 나타낼 수 있다. 그 밖에, 제1 수신기(RCV1)는 반송파 집적 기술이 적용되지 아니한 비-CA 모드(non-CA mode)로 동작할 수도 있다. The first receiver RCV1 may operate in different modes depending on whether the first carrier ω1 and the second carrier ω2 exist in the same frequency band or in different frequency bands. As shown in (a) of Figure 4, when the first carrier (ω1) and the second carrier (ω2) exist in different frequency bands, the first receiver (RCV1) inter-band CA mode (inter-band carrier aggregation) mode). On the other hand, as shown in (b) and (c) of Figure 4, when the first carrier (ω1) and the second carrier (ω2) exist in the same frequency band, the first receiver (RCV1) intra-band CA mode ( It operates in intra-band carrier aggregation mode). The above-described first mode may represent an intra-band mode. In addition, the first receiver RCV1 may operate in a non-CA mode to which the carrier aggregation technology is not applied.

일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는, 하나의 구조에 의해 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드를 모두 지원할 수 있다. 그리고, 일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는, 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드에서는 제1 증폭기(12a)를 통해 제1 반송파(ω1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 출력하고, 인트라-밴드 CA 모드에서는 제1 증폭기(12a)를 통해 제1 반송파(ω1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 출력하는 한편, 제1 증폭기(12a)의 임의의 노드(node)의 전압(제1 내부 신호(XINT1))을 증폭하여 제2 반송파(ω2)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)로 처리한다. 따라서, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드에서의 제1 수신기(RCV1)의 입력 임피던스(input impedance)가 동일할 수 있다. 각 모드에서의 입력 임피던스가 동일하므로, 모드의 변환 시마다 새로이 입력 임피던스 매칭(matching)을 수행할 필요가 없어, 그에 따른 손실(loss)를 줄일 수 있다.The first receiver RCV1 according to an embodiment may support all of the non-CA mode, the inter-band CA mode, and the intra-band CA mode by one structure. In addition, the first receiver RCV1 according to an embodiment has a first RF output signal RFOUT11 for the first carrier wave ω1 through the first amplifier 12a in the non-CA mode and the inter-band CA mode. In the intra-band CA mode, the first RF output signal RFOUT11 for the first carrier wave ω1 is outputted through the first amplifier 12a, while at any node of the first amplifier 12a ( node) amplified (the first internal signal XINT1) and processed as the first RF output signal RFOUT12 for the second carrier wave ω2. Accordingly, the input impedance of the first receiver RCV1 in the non-CA mode, the inter-band CA mode, and the intra-band CA mode may be the same. Since the input impedance in each mode is the same, it is not necessary to newly perform input impedance matching every time the mode is changed, thereby reducing loss.

이렇듯, 일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는 보다 안정적으로 동작하거나, 보다 정확하게 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 처리하거나, 전력 소모를 줄일 수 있다. 이에 대하여 좀더 자세히 설명한다. 참고로, 이하에서 기술되는 제1 주파수 대역 및 제2 주파수 대역은 각각, 도 4의 제1 주파수 대역(BA) 및 제2 주파수 대역(BB)를 지칭할 수 있다. As such, the first receiver RCV1 according to an embodiment may operate more stably, process the first RF input signal RFIN1 more accurately, or reduce power consumption. This will be described in more detail. For reference, the first frequency band and the second frequency band described below may refer to the first frequency band BA and the second frequency band BB of FIG. 4 , respectively.

도 5a 및 도 5b는 각각, 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다. 도 5a를 참조하면, 무선 단말(500a)은 안테나(antenna, ATN), 다수의 기능 블록(function block, FB), 송신기(TRM) 및 수신기(RCV)를 포함할 수 있다. 다수의 기능 블록(FB)은 각각 설정된 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 다수의 기능 블록(FB) 중 하나는 무선 단말(500a)의 동작을 제어하는 CPU(Central Processing Unit), 아날로그 신호를 디지털 신호로 고속 변환하는 DSP(Digital Signal Processor) 등일 수 있다. 5A and 5B are diagrams illustrating a wireless terminal according to an embodiment, respectively. Referring to FIG. 5A , a wireless terminal 500a may include an antenna (ATN), a plurality of function blocks (FB), a transmitter (TRM), and a receiver (RCV). Each of the plurality of functional blocks FB may perform a set operation. For example, one of the plurality of functional blocks FB may be a central processing unit (CPU) that controls the operation of the wireless terminal 500a, a digital signal processor (DSP) that converts analog signals into digital signals at high speed, and the like.

송신기(TRM)는, 다수의 기능 블록(FB)에서 처리된 정보 또는 데이터에 대한 증폭, 필터링(filtering) 및 주파수 업-컨버팅(up-converting) 등을 수행하고, 무선 통신망으로 전송 가능한 아날로그 신호로 변환할 수 있다. 송신기(TRM)는 다수로 구비되어, 각 주파수 대역에 대해 별도로 상기의 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 송신기(TRM) 중 하나는 도 4의 제1 주파수 대역(BA)의 신호를 처리하고, 다른 하나는 제2 주파수 대역(BB)의 신호를 처리할 수 있다. The transmitter (TRM) performs amplification, filtering, and frequency up-converting on information or data processed in a plurality of functional blocks (FB), and converts it to an analog signal that can be transmitted to a wireless communication network. can be converted A plurality of transmitters (TRM) may be provided to perform the above operation separately for each frequency band. For example, one of the transmitters TRM may process a signal of the first frequency band BA of FIG. 4 , and the other may process a signal of the second frequency band BB of FIG. 4 .

송신기(TRM)에서 처리된 신호는 안테나(ATN)를 통해 무선 단말(500a)로부터 기지국(미도시)으로 출력된다. 안테나(ATN)는 기지국으로부터 신호를 수신할 수도 있다. 도 5a는 무선 단말(500a)에 하나의 안테나(ATN)가 포함되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 안테나(ATN)는 다수로 구비될 수도 있다. 또한, 안테나(ATN)는 신호의 송신만을 수행하거나 신호의 수신만을 수행할 수도 있다. 도 5a는 설명의 편의를 위해, 안테나(ATN)가 무선 단말(500a)의 외부에 구비되는 것으로 도시되었으나, 안테나(ATN)는 무선 단말(500a)의 내부에 집적될 수도 있다. The signal processed by the transmitter TRM is output from the wireless terminal 500a to the base station (not shown) through the antenna ATN. An antenna (ATN) may receive a signal from a base station. Although FIG. 5A illustrates that one antenna (ATN) is included in the wireless terminal 500a, the present invention is not limited thereto, and a plurality of antennas (ATN) may be provided. Also, the antenna ATN may perform only signal transmission or only signal reception. 5A shows that the antenna ATN is provided outside the wireless terminal 500a for convenience of explanation, but the antenna ATN may be integrated inside the wireless terminal 500a.

안테나(ATN)로부터 수신된 신호는, 주파수 대역에 따라, 다수의 수신기(RCV) 중 대응되는 수신기(RCV)로 공급된다. 예를 들어, 수신기(RCV) 중 하나는 도 4의 제1 주파수 대역(BA)의 신호를 처리하고, 다른 하나는 제2 주파수 대역(BB)의 신호를 처리할 수 있다. 수신기(RCV)는 안테나(ATN)를 통해 수신되는 신호를 임피던스 매칭, 필터링, 증폭 및 기저 대역으로의 주파수 다운-컨버팅(down-converting) 등을 수행한다. A signal received from the antenna ATN is supplied to a corresponding receiver RCV among a plurality of receivers RCV according to a frequency band. For example, one of the receivers RCV may process a signal of the first frequency band BA of FIG. 4 , and the other may process a signal of the second frequency band BB of FIG. 4 . The receiver RCV performs impedance matching, filtering, amplification, and frequency down-converting of a signal received through the antenna ATN to a baseband.

도 5a는 무선 단말(500a)의 송신기(TRM) 및 수신기(RCV)가 분리되어 구비되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 5b와 같이, 무선 단말(500b)은 송신기(TRM) 및 수신기(RCV)를 분리하여 구비하는 대신, 송신기(TRM)와 수신기(RCV)가 결합된 송수신기(transceiver, TRC)를 포함할 수 있다. 이 경우, 송수신기(TRC) 또는 송수신기(TRC)의 일부 구성은 하나의 모듈(module)으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 송수신기(TRC)에 포함될 수 있는 증폭부(예를 들어, 도 6a의 620), 출력부(예를 들어, 도 6a의 630) 및 송신 회로(송신하고자 하는 신호의 증폭, 필터링 및 주파수 업-컨버팅 등을 수행하는 회로) 등은 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)와 같이 하나의 칩(chip)으로 구현될 수 있다. 나아가, 도시되지는 아니하였으나, 일 실시예에 따른 무선 단말(500a, 500b)은 송수신기(TRC)와 함께, 별도의 송신기(TRM) 또는 수신기(RCV)를 더 포함할 수도 있다. 도 5a 및 도 5b의 다수의 수신기(RCV) 중 적어도 하나는 도 1의 제1 수신기(RCV)로 구현될 수 있다. 5A illustrates that the transmitter (TRM) and the receiver (RCV) of the wireless terminal 500a are separately provided, but the present invention is not limited thereto. As shown in FIG. 5b , the wireless terminal 500b may include a transceiver (TRC) in which a transmitter (TRM) and a receiver (RCV) are combined, instead of having a transmitter (TRM) and a receiver (RCV) separately. . In this case, the transceiver (TRC) or some components of the transceiver (TRC) may be configured as one module. For example, an amplifier (eg, 620 of FIG. 6A ), an output unit (eg, 630 of FIG. 6A ) that may be included in the transceiver (TRC), and a transmission circuit (amplification, filtering and A circuit that performs frequency up-converting, etc.) may be implemented as a single chip, such as a Radio Frequency Integrated Circuit (RFIC). Furthermore, although not shown, the wireless terminals 500a and 500b according to an embodiment may further include a separate transmitter (TRM) or a receiver (RCV) together with the transceiver (TRC). At least one of the plurality of receivers (RCV) of FIGS. 5A and 5B may be implemented as the first receiver (RCV) of FIG. 1 .

도 6a 및 도 6b는 각각, 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다. 도 6a 및 도 6b는 설명의 편의 상, 수신 동작 시에 동작하는 구성에 한하여 도시한다. 6A and 6B are diagrams illustrating a wireless terminal according to an embodiment, respectively. 6A and 6B show only the configuration operated during the reception operation for convenience of explanation.

도 6a를 참조하면, 무선 단말(600a)은, 안테나(ATN)를 통해 무선 단말(600a)로 입력되는 수신 신호(RSIG)를 처리하기 위해, 필터(FT) 및 제1 수신기(RCV1)를 포함할 수 있다. 필터(FT)는 안테나(ATN)를 통해 입력되는 수신 신호(RSIG)를 대응되는 주파수 대역으로 필터링 한다. 예를 들어, 필터(FT)는 제1 수신기(RCV1)에 대응되는 주파수 대역으로 필터링 된 제1 수신 신호(RSIG1)를 제1 수신기(RCV1)로 공급한다. 예를 들어, 필터(FT)는 제1 주파수 대역(BA)의 제1 수신 신호(RSIG1)를 제1 수신기(RCV1)로 전송할 수 있다. 도 6b의 무선 단말(600b)과 같이, 제1 수신기(RCV1)가 송수신기(TRC)에 포함하는 경우, 송신 동작 시에는 송신 출력으로부터 제1 수신기(RCV1)를 보호하고, 수신 동작 시에는 수신 출력으로부터 송신기(도 5b의 TRM)를 보호하기 위해, 필터(FT)가 송수신 전환부(duplexer)로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 6A , the wireless terminal 600a includes a filter FT and a first receiver RCV1 to process a received signal RSIG input to the wireless terminal 600a through an antenna ATN. can do. The filter FT filters the received signal RSIG input through the antenna ATN into a corresponding frequency band. For example, the filter FT supplies the first reception signal RSIG1 filtered to the frequency band corresponding to the first receiver RCV1 to the first receiver RCV1 . For example, the filter FT may transmit the first reception signal RSIG1 of the first frequency band BA to the first receiver RCV1 . As in the wireless terminal 600b of FIG. 6B , when the first receiver RCV1 is included in the transceiver TRC, the first receiver RCV1 is protected from the transmission output during the transmission operation, and the reception output during the reception operation In order to protect the transmitter (TRM in FIG. 5B ) from

제1 수신기(RCV1)는 제1 입력부(610), 제1 증폭부(620) 및 제1 출력부(630)를 포함할 수 있다. 제1 입력부(610)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해, 필터(FT) 및 제1 증폭부(620) 사이의 임피던스 매칭 등의 RF 매칭을 수행하여, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)로, 제1 증폭부(620)에 공급할 수 있다. 일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는 제1 입력부(610)가 다양한 모드에 대해서도 하나의 값으로 임피던스 매칭을 수행하도록 설정됨으로써, 동작 효율을 높일 수 있다. The first receiver RCV1 may include a first input unit 610 , a first amplifier 620 , and a first output unit 630 . The first input unit 610 performs RF matching such as impedance matching between the filter FT and the first amplifier 620 with respect to the first received signal RSIG1 to obtain the first RF input signal RFIN1. , may be supplied to the first amplifier 620 . In the first receiver RCV1 according to an embodiment, since the first input unit 610 is set to perform impedance matching with a single value for various modes, operation efficiency may be increased.

제1 증폭부(620)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 수신하고 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT11, RFOUT12)로 출력한다. 제1 증폭부(620)는 제1 증폭기(620a) 및 제1 서브 증폭기(620b)를 포함할 수 있다. 제1 증폭부(620)는 LNA(Low Noise Amplifier)로 구현될 수 있다. 제1 증폭기(620a) 및 제1 서브 증폭기(620b)는 모드 신호(XMOD)에 응답하여, 함께 활성화 되거나, 제1 증폭기(620a)만이 활성화 될 수 있다. 제1 증폭기(620a) 및 제1 서브 증폭기(620b)가 모두 활성화 되는 경우, 두 개의 제1 RF 출력 신호(RFOUT11, RFOUT12)가 모두 생성된다. 반면, 제1 증폭기(620a)만이 활성화 되는 경우, 하나의 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)만이 생성된다. The first amplifier 620 receives and amplifies the first RF input signal RFIN1 and outputs the first RF output signals RFOUT11 and RFOUT12. The first amplifier 620 may include a first amplifier 620a and a first sub-amplifier 620b. The first amplifier 620 may be implemented as a low noise amplifier (LNA). The first amplifier 620a and the first sub-amplifier 620b may be activated together in response to the mode signal XMOD, or only the first amplifier 620a may be activated. When both the first amplifier 620a and the first sub-amplifier 620b are activated, both of the two first RF output signals RFOUT11 and RFOUT12 are generated. On the other hand, when only the first amplifier 620a is activated, only one first RF output signal RFOUT11 is generated.

제1 출력부(630)는 제1 증폭부(620)로부터 인가되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11, RFOUT12)를 기저 영역으로 다운-컨버팅하여 제1 기저대역 신호(XBAS11, XBAS12)로 출력한다. 제1 기저대역 신호(XBAS11, XBAS12)는 예를 들어, 데이터 처리기(미도시) 등으로 전달될 수 있다. 제1 출력부(630)는 제1 출력 회로(630a) 및 제1 서브 출력 회로(630b)를 포함할 수 있다. 제1 출력 회로(630a)는 제1 증폭기(620a)로부터 인가되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 처리하여 제1 반송파(ω1)에 대한 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력한다. 제1 서브 출력 회로(630b)는 제1 서브 증폭기(620b)로부터 인가되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 처리하여 제2 반송파(ω2)에 대한 제1 기저대역 신호(XBAS12)로 출력한다. The first output unit 630 down-converts the first RF output signals RFOUT11 and RFOUT12 applied from the first amplifier 620 to a base region, and outputs the down-converted first baseband signals XBAS11 and XBAS12 . The first baseband signals XBAS11 and XBAS12 may be transmitted to, for example, a data processor (not shown). The first output unit 630 may include a first output circuit 630a and a first sub output circuit 630b. The first output circuit 630a processes the first RF output signal RFOUT11 applied from the first amplifier 620a and outputs it as a first baseband signal XBAS11 for the first carrier wave ω1. The first sub-output circuit 630b processes the first RF output signal RFOUT12 applied from the first sub-amplifier 620b and outputs it as the first baseband signal XBAS12 for the second carrier wave ω2.

도 7a 내지 도 7c는 각각, 도 6a의 무선 단말이 각각, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드로 동작하는 예를 설명하는 도면이다. 다만, 이하에서 설명되는 사항은 도 6a의 무선 단말(600a) 이외에, 다른 무선 단말에도 적용될 수 있다. 먼저, 도 7a를 참조하여, 비-CA 모드, 즉 반송파 집적 기술이 적용되지 아니하여, 수신 신호(RSIG)가 하나의 반송파(제1 반송파(ω1))만을 포함하는 경우에 대하여 알아본다. 비-CA 모드에서, 모드 신호(XMOD)는 제1 값(VAL1)으로 인가될 수 있다. 필터(FT)는 제1 주파수 대역(BA)으로 필터링 된 제1 수신 신호(RSIG1)를 제1 수신기(RCV1)에 공급한다. 제1 수신기(RCV1)의 제1 입력부(610)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행한 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 제1 증폭부(620)에 공급한다. 제1 증폭부(620)의 제1 증폭기(620a)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로 출력한다. 제1 내부 신호(XINT1)는 후술되는 바와 같이, 제1 증폭기(620a)의 임의의 노드의 노드 전압일 수 있다. 제1 출력부(630)의 제1 출력 회로(630a)는 제1 증폭기(620a)로부터 전송된 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력한다. 제1 값(VAL1)의 모드 신호(XMOD)에 응답하여 제1 서브 증폭기(620b) 및 제1 서브 출력 회로(630b)는 비활성화될 수 있다.7A to 7C are diagrams for explaining an example in which the wireless terminal of FIG. 6A operates in a non-CA mode, an inter-band CA mode, and an intra-band CA mode, respectively. However, the matters described below may be applied to other wireless terminals in addition to the wireless terminal 600a of FIG. 6A . First, with reference to FIG. 7A , a case in which the received signal RSIG includes only one carrier (the first carrier ω 1 ) will be described with reference to the non-CA mode, that is, the carrier aggregation technique is not applied. In the non-CA mode, the mode signal XMOD may be applied as the first value VAL1. The filter FT supplies the first reception signal RSIG1 filtered to the first frequency band BA to the first receiver RCV1. The first input unit 610 of the first receiver RCV1 supplies the first RF input signal RFIN1 obtained by performing impedance matching on the first reception signal RSIG1 to the first amplifier 620 . The first amplifier 620a of the first amplifier 620 amplifies the first RF input signal RFIN1 and outputs the amplified first RF output signal RFOUT11. The first internal signal XINT1 may be a node voltage of an arbitrary node of the first amplifier 620a, as will be described later. The first output circuit 630a of the first output unit 630 down-converts the first RF output signal RFOUT11 transmitted from the first amplifier 620a to a baseband to correspond to the first carrier wave ω1 . output as the first baseband signal XBAS11. In response to the mode signal XMOD of the first value VAL1 , the first sub-amplifier 620b and the first sub-output circuit 630b may be deactivated.

다음으로, 도 7b를 참조하여, 인터-밴드 CA 모드, 즉 서로 다른 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 결합된 수신 신호(RSIG)가 입력되는 경우의 동작에 대해 설명한다. 인터-밴드 CA 모드에서, 모드 신호(XMOD)는 제2 값(VAL2)으로 인가될 수 있다. 필터(FT)는 수신 신호(RSIG)를 각 주파수 대역으로 필터링하여, 제1 주파수 대역(BA)의 제1 반송파(ω1)를 포함하는 제1 수신 신호(RSIG1)를 제1 수신기(RCV1)에 공급할 수 있다. 필터(FT)는 제2 반송파(BB)를 포함하는 수신 신호는 다른 수신기(미도시)로 전송할 수 있다. 단, 제2 반송파(ω2)를 포함하는 수신 신호를 처리하는 수신기는, 제1 수신기(RCV1)가 제1 반송파(ω1)의 제1 수신 신호(RSIG1)를 처리하는 것과 동일한 방식으로 동작할 수 있다. Next, with reference to FIG. 7B , the inter-band CA mode, that is, the operation when the reception signal RSIG in which the first carrier wave 1 and the second carrier wave ω2 of different frequency bands are combined is input Explain. In the inter-band CA mode, the mode signal XMOD may be applied as the second value VAL2. The filter FT filters the received signal RSIG into each frequency band, and transmits the first received signal RSIG1 including the first carrier ω1 of the first frequency band BA to the first receiver RCV1. can supply The filter FT may transmit a received signal including the second carrier BB to another receiver (not shown). However, the receiver that processes the received signal including the second carrier wave ω2 may operate in the same way as the first receiver RCV1 processes the first received signal RSIG1 of the first carrier wave ω1. there is.

제1 수신기(RCV1)의 제1 입력부(610)는 제1 반송파(ω1)의 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행한 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 제1 증폭부(620)에 공급한다. 제1 증폭부(620)의 제1 증폭기(620a)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로 출력한다. 제1 출력 회로(630a)는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력할 수 있다. 제2 값(VAL2)의 모드 신호(XMOD)에 응답하여 제1 서브 증폭기(620b) 및 제1 서브 출력 회로(630b)는 비활성화될 수 있다. 제2 값(VAL2)은 제1 값(VAL1)과 동일하거나 상이할 수 있다. The first input unit 610 of the first receiver RCV1 receives the first RF input signal RFIN1 obtained by performing impedance matching on the first reception signal RSIG1 of the first carrier wave ω1 to the first amplifier unit ( 620) is supplied. The first amplifier 620a of the first amplifier 620 amplifies the first RF input signal RFIN1 and outputs the amplified first RF output signal RFOUT11. The first output circuit 630a may down-convert the first RF output signal RFOUT11 to a baseband and output it as a first baseband signal XBAS11 corresponding to the first carrier wave ω1 . In response to the mode signal XMOD of the second value VAL2 , the first sub-amplifier 620b and the first sub-output circuit 630b may be deactivated. The second value VAL2 may be the same as or different from the first value VAL1 .

다음으로, 도 7c를 참조하여, 인트라 밴드 CA 모드, 즉 동일한 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 결합된 수신 신호(RSIG)가 입력되는 경우의 동작에 대해 설명한다. 인트라-밴드 CA 모드에서, 모드 신호(XMOD)는 제3 값(VAL3)으로 인가될 수 있다. 필터(FT)는 수신 신호(RSIG)를 필터링하여, 예를 들어, 제1 주파수 대역(BA)에 포함되는 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)의 제1 수신 신호(RSIG1)를, 제1 수신기(RCV1)에 공급할 수 있다. Next, with reference to FIG. 7C , an operation in the intra-band CA mode, that is, when a reception signal RSIG in which a first carrier wave ω1 and a second carrier wave ω2 of the same frequency band are combined is input, will be described. . In the intra-band CA mode, the mode signal XMOD may be applied as a third value VAL3. The filter FT filters the received signal RSIG, for example, the first received signal RSIG1 of the first carrier ω1 and the second carrier ω2 included in the first frequency band BA. , can be supplied to the first receiver (RCV1).

제1 수신기(RCV1)의 제1 입력부(610)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행한 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 제1 증폭부(620)에 공급한다. 제1 증폭부(620)의 제1 증폭기(620a)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로 출력한다. 제1 증폭부(620)의 제1 서브 증폭기(620b)는 제1 증폭기(620a)로부터 인가되는 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)로 출력한다. 제1 내부 신호(XINT1)는 후술되는 바와 같이, 제1 증폭기(620a)의 임의의 노드의 노드 전압일 수 있다. 제1 출력부(630)의 제1 출력 회로(630a)는 제1 증폭기(620a)로부터 전달되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력할 수 있다. 제1 출력부(630)의 제1 서브 출력 회로(630b)는 제1 서브 증폭기(620b)로부터 출력되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여, 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS12)로 출력할 수 있다. The first input unit 610 of the first receiver RCV1 supplies the first RF input signal RFIN1 obtained by performing impedance matching on the first reception signal RSIG1 to the first amplifier 620 . The first amplifier 620a of the first amplifier 620 amplifies the first RF input signal RFIN1 and outputs the amplified first RF output signal RFOUT11. The first sub-amplifier 620b of the first amplifier 620 amplifies the first internal signal XINT1 applied from the first amplifier 620a and outputs the amplified first RF output signal RFOUT12. The first internal signal XINT1 may be a node voltage of an arbitrary node of the first amplifier 620a, as will be described later. The first output circuit 630a of the first output unit 630 down-converts the first RF output signal RFOUT11 transmitted from the first amplifier 620a to a baseband to correspond to the first carrier wave ω1 . may be output as the first baseband signal XBAS11. The first sub-output circuit 630b of the first output unit 630 down-converts the first RF output signal RFOUT12 output from the first sub-amplifier 620b to a baseband, and a second carrier wave ω2 may be output as the first baseband signal XBAS12 corresponding to .

도 8은 다른 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다. 도 8을 참조하면, 무선 단말(800)은 안테나(ATN), 필터(FT), 제1 수신기(RCV1) 및 제2 수신기(RCV2)를 포함할 수 있다. 도 8도 설명의 편의 상, 수신 동작 시에 동작하는 구성에 한하여 도시한다. 그리고, 도 8의 무선 단말(800)은 제1 수신기(RCV1) 및 제2 수신기(RCV2) 이외의 적어도 하나 이상의 다른 수신기를 더 포함할 수 있고, 다른 수신기 중 적어도 하나는 제1 수신기(RCV1) 또는 제2 수신기(RCV2)와 동일하게 동작할 수 있다. 8 is a diagram illustrating a wireless terminal according to another embodiment. Referring to FIG. 8 , the wireless terminal 800 may include an antenna (ATN), a filter (FT), a first receiver (RCV1), and a second receiver (RCV2). For convenience of explanation, FIG. 8 also shows only the configuration operated during the reception operation. In addition, the wireless terminal 800 of FIG. 8 may further include at least one other receiver other than the first receiver RCV1 and the second receiver RCV2, and at least one of the other receivers is a first receiver RCV1. Alternatively, it may operate in the same manner as the second receiver RCV2.

안테나(ATN)는 무선 통신망을 통해 전달되는 수신 신호(RSIG)를 수신한다. 필터(FT)는 수신 신호(RSIG)를 각 주파수 대역으로 필터링하여 각 주파수 대역에 대해 할당된 수신기로 전달한다. 예를 들어, 필터(FT)는 수신 신호(RSIG)를 필터링하여 제1 주파수 대역(BA)의 제1 수신 신호(RSIG1)는 제1 수신기(RCV1)에 전달하고, 제2 주파수 대역(BB)의 제2 수신 신호(RSIG2)는 제2 수신기(RCV2)에 전달할 수 있다. 필터(FT)는 각각, 수신 신호(RSIG)를 담당하는 주파수 대역으로 필터링하는 서브 필터(sub)들을 포함할 수 있다. The antenna ATN receives a reception signal RSIG transmitted through a wireless communication network. The filter FT filters the received signal RSIG into each frequency band and transmits it to a receiver allocated for each frequency band. For example, the filter FT filters the received signal RSIG to transmit the first received signal RSIG1 of the first frequency band BA to the first receiver RCV1, and the second frequency band BB. The second reception signal RSIG2 may be transmitted to the second receiver RCV2. Each of the filters FT may include sub-filters for filtering the received signal RSIG in a frequency band.

제1 수신기(RCV1)는 제1 입력부(810_1) 및 제1 증폭부(820_1) 를 포함할 수 있다. 제1 입력부(810_1)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행하여, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)로, 제1 증폭부(820_1)에 공급할 수 있다. 제1 증폭부(820_1)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 수신하고 증폭할 수 있다. 제1 증폭부(820_1)는 제1 증폭기(820_1a) 및 제1 서브 증폭기(820_1b)를 포함할 수 있고, LNA로 구현될 수 있다. The first receiver RCV1 may include a first input unit 810_1 and a first amplifier 820_1 . The first input unit 810_1 may perform impedance matching or the like on the first reception signal RSIG1 to supply the first RF input signal RFIN1 to the first amplifier 820_1 . The first amplifier 820_1 may receive and amplify the first RF input signal RFIN1. The first amplifier 820_1 may include a first amplifier 820_1a and a first sub-amplifier 820_1b, and may be implemented as an LNA.

제2 수신기(RCV2)도 제1 수신기(RCV1)와 동일한 구조로 구현되어, 제2 입력부(810_2) 및 제2 증폭부(820_2)를 포함할 수 있다. 제2 입력부(810_2)는 제2 수신 신호(RSIG2)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행하여, 제2 RF 입력 신호(RFIN2)로, 제2 증폭부(820_2)에 공급할 수 있다. 제2 증폭부(820_2)는 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 수신하고 증폭할 수 있다. 제2 증폭부(820_2)는 제2 증폭기(820_2a) 및 제2 서브 증폭기(820_2b)를 포함할 수 있고, LNA로 구현될 수 있다. The second receiver RCV2 may also be implemented in the same structure as the first receiver RCV1 , and may include a second input unit 810_2 and a second amplifier 820_2 . The second input unit 810_2 may perform impedance matching on the second reception signal RSIG2 , and may supply the second RF input signal RFIN2 to the second amplifier 820_2 . The second amplifier 820_2 may receive and amplify the second RF input signal RFIN2. The second amplifier 820_2 may include a second amplifier 820_2a and a second sub-amplifier 820_2b, and may be implemented as an LNA.

제1 수신기(RCV1) 및 제2 수신기(RCV2)는 각각, 제1 출력부(830_1) 및 제2 출력부(830_2)를 더 포함할 수 있다. 제1 출력부(830_1)는 제1 증폭기(820_1a)로부터 전송되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 영역으로 다운-컨버팅하여, 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력한다. 제1 출력부(830_1)는 또한, 제2 서브 증폭기(820_2b)로부터 전송되는 제2 RF 출력 신호(RFOUT22)를 기저 영역으로 다운-컨버팅하여, 제2 기저대역 신호(XBAS22)로 출력한다. 마찬가지로, 제2 출력부(830_2)는 제2 증폭기(820_2a)로부터 전송되는 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)를 기저 영역으로 다운-컨버팅하여, 제2 기저대역 신호(XBAS21)로 출력한다. 또한, 제1 서브 증폭기(820_1b)로부터 전송되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 기저 영역으로 다운-컨버팅하여, 제1 기저대역 신호(XBAS12)로 출력한다. The first receiver RCV1 and the second receiver RCV2 may further include a first output unit 830_1 and a second output unit 830_2, respectively. The first output unit 830_1 down-converts the first RF output signal RFOUT11 transmitted from the first amplifier 820_1a to the base region, and outputs the down-converted signal as the first baseband signal XBAS11. The first output unit 830_1 also down-converts the second RF output signal RFOUT22 transmitted from the second sub-amplifier 820_2b to a base region, and outputs it as a second baseband signal XBAS22. Similarly, the second output unit 830_2 down-converts the second RF output signal RFOUT21 transmitted from the second amplifier 820_2a to a base region, and outputs the second baseband signal XBAS21. In addition, the first RF output signal RFOUT12 transmitted from the first sub-amplifier 820_1b is down-converted to the base region, and is output as the first baseband signal XBAS12.

도 9a 내지 도 9c는 각각, 도 8의 무선 단말이 각각, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드로 동작하는 예를 나타내는 도면이다. 다만, 이하에서 설명되는 사항은 도 8의 무선 단말(800) 이외의 다른 무선 단말에도 적용될 수 있다. 먼저, 도 9a를 참조하여, 비-CA 모드, 즉 반송파 집적 기술이 적용되지 아니하여, 수신 신호(RSIG)가 하나의 반송파(제1 반송파(ω1))만을 포함하는 경우에 대하여 알아본다. 비-CA 모드에서, 모드 신호(XMOD)는 제1 값(VAL1)으로 인가될 수 있다. 필터(FT)는 수신 신호(RSIG)를 필터링하여, 제1 반송파(ω1)에 대해 할당된 제1 수신기(RCV1)에, 제1 수신 신호(RSIG1)로 공급할 수 있다. 9A to 9C are diagrams illustrating examples in which the wireless terminal of FIG. 8 operates in a non-CA mode, an inter-band CA mode, and an intra-band CA mode, respectively. However, the matters described below may be applied to other wireless terminals other than the wireless terminal 800 of FIG. 8 . First, with reference to FIG. 9A , a case in which the received signal RSIG includes only one carrier (the first carrier ω1 ) will be described with reference to the non-CA mode, that is, the carrier aggregation technique is not applied. In the non-CA mode, the mode signal XMOD may be applied as the first value VAL1. The filter FT may filter the reception signal RSIG and supply it to the first receiver RCV1 allocated to the first carrier wave ω1 as the first reception signal RSIG1 .

제1 수신기(RCV1)의 제1 입력부(810_1)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행한 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 제1 증폭부(820_1)에 공급한다. 제1 증폭부(820_1)의 제1 증폭기(820_1a)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로 출력한다. 제1 출력부(830_1)는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력한다. 이 경우, 제1 수신기(RCV1)의 제1 서브 증폭기(820_1b) 및 제2 수신기(RCV2)는 제1 값(VAL1)의 모드 신호(XMOD)에 응답하여 비활성화 될 수 있다. 다만, 제2 수신기(RCV2)는 비-CA 모드에서, 제1 수신기(RCV1)로 제1 수신 신호(RSIG1)가 인가되는 시점과 다른 시점에서, 제2 수신기(RCV2)로 인가되는 제2 수신 신호(RSIG2)를 처리할 수도 있다. The first input unit 810_1 of the first receiver RCV1 supplies the first RF input signal RFIN1 obtained by performing impedance matching on the first reception signal RSIG1 to the first amplifier 820_1 . The first amplifier 820_1a of the first amplifier 820_1 amplifies the first RF input signal RFIN1 and outputs the amplified first RF output signal RFOUT11. The first output unit 830_1 down-converts the first RF output signal RFOUT11 to a baseband and outputs it as a first baseband signal XBAS11 corresponding to the first carrier wave ω1 . In this case, the first sub-amplifier 820_1b and the second receiver RCV2 of the first receiver RCV1 may be deactivated in response to the mode signal XMOD of the first value VAL1. However, in the non-CA mode, the second receiver RCV2 receives the second reception applied to the second receiver RCV2 at a time different from the time point at which the first reception signal RSIG1 is applied to the first receiver RCV1 Signal RSIG2 may be processed.

다음으로, 도 9b를 참조하여, 인터-밴드 CA 모드, 즉 서로 다른 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 결합된 수신 신호(RSIG)가 입력되는 경우의 동작에 대해 설명한다. 인터-밴드 CA 모드에서, 모드 신호(XMOD)는 제2 값(VAL2)으로 인가될 수 있다. 필터(FT)는 수신 신호(RSIG)를 각 주파수 대역으로 필터링하여, 제1 주파수 대역(BA)의 제1 반송파(ω1)의 제1 수신 신호(RSIG1)를 제1 수신기(RCV1)에 공급하고, 제2 주파수 대역의 제2 반송파(ω2)의 제2 수신 신호(RSIG2)를 제2 수신기(RCV2)에 공급할 수 있다. Next, with reference to FIG. 9b, the inter-band CA mode, that is, the operation when the reception signal RSIG in which the first carrier wave (ω1) and the second carrier wave (ω2) of different frequency bands are combined is input Explain. In the inter-band CA mode, the mode signal XMOD may be applied as the second value VAL2. The filter FT filters the received signal RSIG into each frequency band, and supplies the first received signal RSIG1 of the first carrier ω1 of the first frequency band BA to the first receiver RCV1, , the second reception signal RSIG2 of the second carrier wave ω2 of the second frequency band may be supplied to the second receiver RCV2.

제1 수신기(RCV1)의 제1 입력부(810_1) 및 제2 수신기(RCV2)의 제2 입력부(810_2)는 각각, 제1 수신 신호(RSIG1) 및 제2 수신 신호(RSIG2)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행한 제1 RF 입력 신호(RFIN1) 및 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를, 제1 증폭기(820_1a) 및 제2 증폭기(820_2a)에 공급한다. 제1 증폭기(820_1a) 및 제2 증폭기(820_2a)는 각각, 제1 RF 입력 신호(RFIN1) 및 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 증폭하여, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11) 및 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)로 출력한다. 제1 출력부(830_1) 및 제2 출력부(830_2)는 각각, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11) 및 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11) 및 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제2 기저대역 신호(XBAS21)로 출력한다. 이 경우, 제1 수신기(RCV1)의 제1 서브 증폭기(820_1b) 및 제2 수신기(RCV2)의 제2 서브 증폭기(820_2b)는 제2 값(VAL2)의 모드 신호(XMOD)에 응답하여 비활성화 될 수 있다.The first input unit 810_1 of the first receiver RCV1 and the second input unit 810_2 of the second receiver RCV2 perform impedance matching with respect to the first reception signal RSIG1 and the second reception signal RSIG2, respectively. The first RF input signal RFIN1 and the second RF input signal RFIN2 that have been performed are supplied to the first amplifier 820_1a and the second amplifier 820_2a. The first amplifier 820_1a and the second amplifier 820_2a amplify the first RF input signal RFIN1 and the second RF input signal RFIN2, respectively, and output the first RF output signal RFOUT11 and the second RF output signal. It is output as a signal RFOUT21. The first output unit 830_1 and the second output unit 830_2 down-convert the first RF output signal RFOUT11 and the second RF output signal RFOUT21 to a baseband, respectively, to obtain a first carrier wave ω1 , respectively. The first baseband signal XBAS11 corresponding to , and the second baseband signal XBAS21 corresponding to the second carrier wave ω2 are output. In this case, the first sub-amplifier 820_1b of the first receiver RCV1 and the second sub-amplifier 820_2b of the second receiver RCV2 are to be deactivated in response to the mode signal XMOD of the second value VAL2. can

다음으로, 도 9c를 참조하여, 인트라-밴드 CA 모드, 즉 동일한 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 결합되어 수신 신호(RSIG)가 입력되는 경우의 동작에 대해 설명한다. 인트라-밴드 CA 모드에서, 모드 신호(XMOD)는 제3 값(VAL3)으로 인가될 수 있다. 필터(FT)는 제1 주파수 대역(BA)의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)로 변조된 수신 신호(RSIG)를 필터링하여, 제1 수신 신호(RSIG1)로, 제1 수신기(RCV1)에 공급한다. Next, with reference to FIG. 9C , an operation in the intra-band CA mode, that is, when the reception signal RSIG is input by combining the first carrier ω1 and the second carrier ω2 of the same frequency band will be described. do. In the intra-band CA mode, the mode signal XMOD may be applied as a third value VAL3. The filter FT filters the received signal RSIG modulated with the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 of the first frequency band BA, the first received signal RSIG1, and the first receiver (RCV1) is supplied.

제1 수신기(RCV1)의 제1 입력부(810_1)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭 등을 수행한 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 제1 증폭기(820_1a)에 공급한다. 제1 입력부(810_1)는 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드와 동일한 설정 값으로, 제1 수신 신호(RSIG1)에 대해 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.The first input unit 810_1 of the first receiver RCV1 supplies the first RF input signal RFIN1 obtained by performing impedance matching on the first reception signal RSIG1 to the first amplifier 820_1a. The first input unit 810_1 may perform impedance matching on the first reception signal RSIG1 with the same set value as in the non-CA mode and the inter-band CA mode.

제1 증폭기(820_1a)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로서 제1 출력부(830_1)로 전달한다. 제1 출력부(830_1)는 제1 증폭기(820_1a)로부터 전송된 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 출력한다. 그리고, 제1 증폭기(820_1a)로부터 제1 내부 신호(XINT1)가 제1 서브 증폭기(820_1b)에 전달된다. 제1 서브 증폭기(820_1b)는 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여 제1 RF 출력 신호(RFOUT1)로서 제2 출력부(830_2)로 출력한다. 제2 출력부(830_2)는 제1 서브 증폭기(820_1b)로부터 전송된 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 기저 대역으로 다운-컨버팅하여, 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS12)로 출력한다. 제2 수신기(RCV2)의 제2 입력부(810_2) 및 제2 증폭부(820_2)는 제3 값(VAL3)의 모드 신호(XMOD)에 응답하여 비활성화될 수 있다. The first amplifier 820_1a amplifies the first RF input signal RFIN1 and transmits it to the first output unit 830_1 as the first RF output signal RFOUT11. The first output unit 830_1 down-converts the first RF output signal RFOUT11 transmitted from the first amplifier 820_1a to a baseband, and the first baseband signal XBAS11 corresponding to the first carrier wave ω1 ) is output. Then, the first internal signal XINT1 is transmitted from the first amplifier 820_1a to the first sub-amplifier 820_1b. The first sub-amplifier 820_1b amplifies the first internal signal XINT1 and outputs it to the second output unit 830_2 as the first RF output signal RFOUT1 . The second output unit 830_2 down-converts the first RF output signal RFOUT11 transmitted from the first sub-amplifier 820_1b to a baseband, and a first baseband signal corresponding to the second carrier wave ω2 ( Output to XBAS12). The second input unit 810_2 and the second amplifier 820_2 of the second receiver RCV2 may be deactivated in response to the mode signal XMOD of the third value VAL3.

도 10은 도 8의 제1 증폭부 및 제2 증폭부의 예를 나타내는 도면이다. 도 10을 참조하면, 제1 증폭부(1020_1)는 제1 증폭기(1020_1a) 및 제1 서브 증폭기(1020_1b)를 포함할 수 있고, 제2 증폭부(1020_2)는 제2 증폭기(1020_2a) 및 제2 서브 증폭기(1020_2b)를 포함할 수 있다. 10 is a diagram illustrating an example of the first amplifying unit and the second amplifying unit of FIG. 8 . Referring to FIG. 10 , the first amplifier 1020_1 may include a first amplifier 1020_1a and a first sub-amplifier 1020_1b, and the second amplifier 1020_2 includes a second amplifier 1020_2a and a second amplifier 1020_2a. 2 sub amplifiers 1020_2b may be included.

제1 증폭기(1020_1a)는 제1 트랜지스터(transistor, CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)를 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(CT1)는 제1 노드(node, NA1) 및 제2 노드(ND2) 사이에 연결되고 모드 신호(XMOD)가 논리 하이(H)로 인가되는 때에, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 게이트(gate)로 인가된다. 제2 트랜지스터(CT2)는 제1 노드(ND1) 및 제1 출력 노드(NO1) 사이에 연결되고, 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가될 수 있다. 제2 트랜지스터(CT2)의 소스(source)는 제1 노드(ND1)에서 제1 트랜지스터(CT1)의 드레인(drain)과 연결된다. 제2 트랜지스터(CT2)의 드레인이 연결되는 제1 출력 노드(NO1)로부터, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 증폭된 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)가 출력된다. The first amplifier 1020_1a may include a first transistor CT1 and a second transistor CT2. The first transistor CT1 is connected between the first node NA1 and the second node ND2 and when the mode signal XMOD is applied as a logic high H, the first RF input signal RFIN1 is applied to the gate. The second transistor CT2 is connected between the first node ND1 and the first output node NO1 , and the mode signal XMOD may be applied to the gate. A source of the second transistor CT2 is connected to a drain of the first transistor CT1 at a first node ND1 . The first RF output signal RFOUT11 in which the first RF input signal RFIN1 is amplified is output from the first output node NO1 to which the drain of the second transistor CT2 is connected.

제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)는 각각 캐스코드 트랜지스터(casecode transistor)로 구현될 수 있다. 즉, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)가 직렬로 연결되고, 제1 트랜지스터(CT1)가 입력단으로서 공통 소스 증폭기(common source amplifier)로 동작하고, 제2 트랜지스터(CT2)가 출력단으로서 공통 게이트 증폭기(common gate amplifier)로 동작하는, 캐스코드 증폭기로 구현된다. Each of the first transistor CT1 and the second transistor CT2 may be implemented as a casecode transistor. That is, the first transistor CT1 and the second transistor CT2 are connected in series, the first transistor CT1 operates as an input terminal as a common source amplifier, and the second transistor CT2 has an output terminal. As a common gate amplifier (common gate amplifier), it is implemented as a cascode amplifier.

제1 노드(ND1)의 노드 전압(node voltage)이 제1 서브 증폭기(1020_1b)로 공급된다. 전술한 바와 같이, 제1 내부 신호(XINT1)는 제1 노드(ND1)의 노드 전압일 수 있다. 제1 서브 증폭기(1020_1b)는 제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)를 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(CT3)는 제3 노드(ND3) 및 제4 노드(ND4) 사이에 연결되고 제1 내부 신호(XINT1)가 게이트로 인가될 수 있다. 제4 트랜지스터(CT4)는 제3 노드(ND3) 및 제2 출력 노드(NO2) 사이에 연결되고, 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가될 수 있다. 제4 트랜지스터(CT4)의 소스는 제3 노드(ND3)에서 제3 트랜지스터(CT3)의 드레인과 연결된다. 제4 트랜지스터(CT4)의 드레인이 연결되는 제2 출력 노드(NO2)로부터, 제1 내부 신호(XINT1)가 증폭된 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)가 출력된다. A node voltage of the first node ND1 is supplied to the first sub-amplifier 1020_1b. As described above, the first internal signal XINT1 may be the node voltage of the first node ND1 . The first sub-amplifier 1020_1b may include a third transistor CT3 and a fourth transistor CT4 . The third transistor CT3 is connected between the third node ND3 and the fourth node ND4 , and the first internal signal XINT1 may be applied to the gate. The fourth transistor CT4 is connected between the third node ND3 and the second output node NO2 , and the mode signal XMOD may be applied to the gate. The source of the fourth transistor CT4 is connected to the drain of the third transistor CT3 at the third node ND3 . The first RF output signal RFOUT12 in which the first internal signal XINT1 is amplified is output from the second output node NO2 to which the drain of the fourth transistor CT4 is connected.

제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)도 각각 캐스코드 트랜지스터로 구현될 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)가 직렬로 연결되고, 제3 트랜지스터(CT3)가 입력단으로서 제 공통 소스 증폭기로 동작하고, 제4 트랜지스터(CT4)가 출력단으로서 공통 게이트 증폭기로 동작하는, 캐스코드 증폭기로 구현된다. The third transistor CT3 and the fourth transistor CT4 may also be implemented as cascode transistors, respectively. That is, the third transistor CT3 and the fourth transistor CT4 are connected in series, the third transistor CT3 operates as the first common source amplifier as the input terminal, and the fourth transistor CT4 serves as the output terminal of the common gate amplifier It is implemented as a cascode amplifier, which operates as

제1 서브 증폭기(1020_1b)가 제1 증폭기(1020_1a)의 제1 노드(ND1)와 연결되므로, 즉, 모드와 무관하게 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 하나의 입력단(CT3)로만 인가되므로, 제1 증폭부(1020_1)의 입력단에서 바라본 임피던스(Zin1)는 제1 트랜지스터(CT1)에 의해서만 영향을 받는다(Zin1=1/gm1, gm1은 제1 트랜지스터(CT1)의 전달 컨덕턴스(transconductance)). 따라서, 제1 증폭부(1020_1)의 입력단에서 바라본 임피던스(Zin1)는 제1 서브 증폭기(1020_1b)의 활성화와 무관하게 일정할 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 서브 증폭기(1020_1b)는 인터라-밴드 모드에서만 활성화 되고, 다른 모드에서는 활성화 되지 아니한다. 이렇듯, 각 모드와 무관하게, 제1 증폭부(1020_1)의 입력단에서 바라본 임피던스(Zin1)가 동일하므로, 각 모드에 따른 임피던스 매칭에 소요되는 손실을 줄일 수 있다. Since the first sub-amplifier 1020_1b is connected to the first node ND1 of the first amplifier 1020_1a, that is, regardless of the mode, the first RF input signal RFIN1 is applied to only one input terminal CT3, The impedance Zin1 viewed from the input terminal of the first amplifier 1020_1 is affected only by the first transistor CT1 (Zin1=1/gm1, gm1 is the transconductance of the first transistor CT1). Accordingly, the impedance Zin1 viewed from the input terminal of the first amplifier 1020_1 may be constant regardless of the activation of the first sub amplifier 1020_1b. As described above, the first sub-amplifier 1020_1b is activated only in the inter-band mode, and is not activated in other modes. As such, regardless of each mode, since the impedance Zin1 viewed from the input terminal of the first amplifier 1020_1 is the same, loss required for impedance matching according to each mode can be reduced.

그리고, 제1 트랜지스터(CT1)는 제2 트랜지스터(CT2)보다 크게 구비될 수 있다. 따라서, 제1 노드(ND1)에서의 전압 이득의 절대값은 1 이상이다. 제1 노드(ND1)에서의 전압 이득 Av는 -gm1/gm2으로 나타내고, gm1 및 gm2는 각각, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)의 전달 컨덕턴스를 나타낸다. 그러므로, 제1 서브 증폭기(1020_1b)로 인가되는 제1 내부 신호(XINT1)는 제1 노드(ND1)에서의 전압 이득에 의해, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)보다 전압이 높다. 즉, 제1 서브 증폭기(1020_1b)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)보다 높은 제1 내부 신호(XINT1)를 수신하여 증폭함으로써, DC 전류를 덜 소모하더라도 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)과 동일한 크기의 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 출력할 수 있다. 따라서, 전력 소모가 줄어들 수 있다. In addition, the first transistor CT1 may be larger than the second transistor CT2 . Accordingly, the absolute value of the voltage gain at the first node ND1 is 1 or more. The voltage gain Av at the first node ND1 is represented by -gm1/gm2, and gm1 and gm2 represent the transfer conductances of the first transistor CT1 and the second transistor CT2, respectively. Therefore, the first internal signal XINT1 applied to the first sub-amplifier 1020_1b has a higher voltage than the first RF input signal RFIN1 due to the voltage gain at the first node ND1 . That is, the first sub-amplifier 1020_1b receives and amplifies the first internal signal XINT1 that is higher than the first RF input signal RFIN1, and thus consumes less DC current, but has the same magnitude as the first RF output signal RFOUT11. of the first RF output signal RFOUT12 may be output. Accordingly, power consumption can be reduced.

또한, 전압 이득에 의해, 잡음 특성이 향상될 수 있다. 제1 증폭부(1020_1)에서의 잡음 성분은, 제1 트랜지스터(CT1)에 의한 잡음 성분(NS1)에, 제3 트랜지스터(CT3)의 잡음 성분(NS3)을 전압 이득(Av)으로 나눈 값(NS3/Av)이 합산된다(NS1 + NS3/Av). 따라서, 전압 이득에 커짐에 따라, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)가 생성되는 신호 경로 상의 잡음 특성과 대비하여, 제1 증폭부(1020_1)로부터 제2 출력 노드(NO2)로의 잡음 특성을 유지할 수 있다. Also, the noise characteristic may be improved by the voltage gain. The noise component in the first amplifier 1020_1 is obtained by dividing the noise component NS1 by the first transistor CT1 and the noise component NS3 of the third transistor CT3 by the voltage gain Av NS3/Av) are summed (NS1 + NS3/Av). Therefore, as the voltage gain increases, the noise characteristic from the first amplifier 1020_1 to the second output node NO2 can be maintained in comparison with the noise characteristic on the signal path in which the first RF output signal RFOUT11 is generated. there is.

그리고, 제1 트랜지스터(CT1)는 제2 트랜지스터(CT2)보다 크게 구비됨으로써, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2) 사이의 제1 노드(ND1)에서 전압 이득을 얻을 수 있다. 그리고, 제2 트랜지스터(CT2)의 소스 입력 임피던스(Zin2)보다 제3 트랜지스터(CT3)의 게이트 입력 임피던스(Zin3)가 훨씬 커서, 제1 노드(ND1)으로부터 제3 트랜지스터(CT3)의 게이트 방향으로의 전류 누설이 발생되지 아니한다. 이에 따라, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 생성하는 신호 경로의 전압 이득이 손실되지 아니한다. Also, since the first transistor CT1 is larger than the second transistor CT2 , a voltage gain may be obtained at the first node ND1 between the first transistor CT1 and the second transistor CT2 . In addition, the gate input impedance Zin3 of the third transistor CT3 is much larger than the source input impedance Zin2 of the second transistor CT2 , so that the gate input impedance Zin3 of the third transistor CT3 moves from the first node ND1 to the gate direction of the third transistor CT3. no current leakage. Accordingly, the voltage gain of the signal path generating the first RF output signal RFOUT11 is not lost.

즉, 제1 노드(ND1)로부터 제3 트랜지스터(CT3)로 전류가 누설되지 아니한다. 따라서, 제1 반송파(ω1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 출력하는 패스(path)에서 누설 전류가 발생하지 않아, 정확한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)가 생성될 수 있다. 제2 증폭기(1020_2a)는 제1 증폭기(1020_1a)와 동일한 구조로 구비될 수 있다. 제2 증폭기(1020_2a)는 제5 트랜지스터(CT5) 및 제6 트랜지스터(CT6)를 포함할 수 있다. 제5 트랜지스터(CT5)는 제5 노드(NA5) 및 제6 노드(ND6) 사이에 연결되고 모드 신호(XMOD)가 논리 하이(H)로 인가되는 때에, 제2 RF 입력 신호(RFIN2)가 게이트로 인가될 수 있다. 제6 트랜지스터(CT6)는 제5 노드(ND5) 및 제2 출력 노드(NO2) 사이에 연결되고, 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가될 수 있다. 제6 트랜지스터(CT6)의 소스는 제5 노드(ND5)에서 제5 트랜지스터(CT5)의 드레인과 연결된다. 제6 트랜지스터(CT6)의 드레인이 연결되는 제2 출력 노드(NO2)로부터, 제2 RF 입력 신호(RFIN2)가 증폭된 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)가 출력된다. That is, current does not leak from the first node ND1 to the third transistor CT3 . Accordingly, a leakage current does not occur in a path for outputting the first RF output signal RFOUT11 for the first carrier wave ω1 , so that an accurate first RF output signal RFOUT11 may be generated. The second amplifier 1020_2a may have the same structure as the first amplifier 1020_1a. The second amplifier 1020_2a may include a fifth transistor CT5 and a sixth transistor CT6 . The fifth transistor CT5 is connected between the fifth node NA5 and the sixth node ND6 , and when the mode signal XMOD is applied as a logic high (H), the second RF input signal RFIN2 is gated may be authorized as The sixth transistor CT6 is connected between the fifth node ND5 and the second output node NO2 , and the mode signal XMOD may be applied to the gate. The source of the sixth transistor CT6 is connected to the drain of the fifth transistor CT5 at the fifth node ND5 . The second RF output signal RFOUT21 in which the second RF input signal RFIN2 is amplified is output from the second output node NO2 to which the drain of the sixth transistor CT6 is connected.

제5 트랜지스터(CT5) 및 제6 트랜지스터(CT6)는 각각 캐스코드 트랜지스터로 구현될 수 있다. 즉, 제5 트랜지스터(CT5) 및 제6 트랜지스터(CT6)가 직렬로 연결되고, 제5 트랜지스터(CT5)가 입력단으로서 공통 소스 증폭기로 동작하고, 제6 트랜지스터(CT6)가 출력단으로서 공통 게이트 증폭기로 동작하는, 캐스코드 증폭기로 구현된다. Each of the fifth transistor CT5 and the sixth transistor CT6 may be implemented as a cascode transistor. That is, the fifth transistor CT5 and the sixth transistor CT6 are connected in series, the fifth transistor CT5 operates as an input terminal as a common source amplifier, and the sixth transistor CT6 serves as an output terminal as a common gate amplifier. It is implemented as a working, cascode amplifier.

제5 노드(ND5)의 노드 전압이 제2 서브 증폭기(1020_2b)로 공급된다. 제5 노드(ND5)의 노드 전압은 제2 내부 신호(XINT2)로 지칭될 수 있다. 제2 서브 증폭기(1020_2b)는 제1 서브 증폭기(1020_1b)와 동일한 구조로 구비될 수 있다. 제2 서브 증폭기(1020_2b)는 제7 트랜지스터(CT7) 및 제8 트랜지스터(CT8)를 포함할 수 있다. 제7 트랜지스터(CT7)는 제7 노드(ND7) 및 제8 노드(ND8) 사이에 연결되고 제2 내부 신호(XINT2)가 게이트로 인가될 수 있다. 제8 트랜지스터(CT8)는 제7 노드(ND7) 및 제1 출력 노드(NO1) 사이에 연결되고, 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가될 수 있다. 제8 트랜지스터(CT8)의 소스는 제7 노드(ND7)에서 제7 트랜지스터(CT7)의 드레인과 연결된다. 제8 트랜지스터(CT8)의 드레인이 연결되는 제1 출력 노드(NO1)로부터, 제2 내부 신호(XINT2)가 증폭된 제2 RF 출력 신호(RFOUT22)가 출력된다. The node voltage of the fifth node ND5 is supplied to the second sub-amplifier 1020_2b. The node voltage of the fifth node ND5 may be referred to as a second internal signal XINT2 . The second sub-amplifier 1020_2b may have the same structure as the first sub-amplifier 1020_1b. The second sub-amplifier 1020_2b may include a seventh transistor CT7 and an eighth transistor CT8. The seventh transistor CT7 is connected between the seventh node ND7 and the eighth node ND8 , and the second internal signal XINT2 may be applied to the gate. The eighth transistor CT8 is connected between the seventh node ND7 and the first output node NO1 , and the mode signal XMOD may be applied to the gate. The source of the eighth transistor CT8 is connected to the drain of the seventh transistor CT7 at the seventh node ND7 . The second RF output signal RFOUT22 in which the second internal signal XINT2 is amplified is output from the first output node NO1 to which the drain of the eighth transistor CT8 is connected.

제7 트랜지스터(CT7) 및 제8 트랜지스터(CT8)도 각각 캐스코드 트랜지스터로 구현될 수 있다. 즉, 제7 트랜지스터(CT7) 및 제8 트랜지스터(CT8)가 직렬로 연결되고, 제7 트랜지스터(CT7)가 입력단으로서 공통 소스 증폭기로 동작하고, 제8 트랜지스터(CT8)가 출력단으로서 공통 게이트 증폭기로 동작하는, 캐스코드 증폭기로 구현된다. The seventh transistor CT7 and the eighth transistor CT8 may also be implemented as cascode transistors, respectively. That is, the seventh transistor CT7 and the eighth transistor CT8 are connected in series, the seventh transistor CT7 operates as an input terminal as a common source amplifier, and the eighth transistor CT8 serves as an output terminal as a common gate amplifier. It is implemented as a working, cascode amplifier.

제1 증폭부(1020_1)와 마찬가지로, 제2 증폭부(1020_2)의 입력단에서 바라본 임피던스는 각 모드에 대해 일정하고, 제2 증폭기(1020_2a)의 제5 트랜지스터(CT5)는 제6 트랜지스터(CT6)보다 크게 구비될 수 있어 전력 소모를 줄이거나 잡음 특성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 제1 트랜지스터(CT1), 제3 트랜지스터(CT3), 제5 트랜지스터(CT5) 및 제7 트랜지스터(CT7)의 크기가 동일하고, 제2 트랜지스터(CT2), 제4 트랜지스터(CT4), 제6 트랜지스터(CT6) 및 제8 트랜지스터(CT8)의 크기가 동일할 수 있다. Like the first amplifier 1020_1 , the impedance viewed from the input terminal of the second amplifier 1020_2 is constant for each mode, and the fifth transistor CT5 of the second amplifier 1020_2a is the sixth transistor CT6 Since it may be provided in a larger size, power consumption may be reduced or noise characteristics may be improved. Further, the first transistor CT1 , the third transistor CT3 , the fifth transistor CT5 , and the seventh transistor CT7 have the same size, and the second transistor CT2 , the fourth transistor CT4 , The size of the sixth transistor CT6 and the eighth transistor CT8 may be the same.

제1 증폭부(1520_1) 및 제2 증폭부(1520_2)는 입력단의 게이트 바이어싱(gate biasing)을 위해, 제1 트랜지스터(CT1), 제3 트랜지스터(CT3), 제5 트랜지스터(CT5) 및 제7 트랜지스터(CT7)의 게이트에 각각 연결되는 제1 커패시터(capacitor, C1) 내지 제4 커패시터(C4)를 더 포함할 수 있다. The first amplifier 1520_1 and the second amplifier 1520_2 include a first transistor CT1, a third transistor CT3, a fifth transistor CT5, and a second amplifier for gate biasing of the input terminal. A first capacitor C1 to a fourth capacitor C4 respectively connected to the gate of the 7 transistor CT7 may be further included.

도 10 및 이하에서 설명되는 도면에서, 각 트랜지스터(CT1~CT7)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 동일하게 도시되나, 서로 같거나 다른 논리 레벨로, 각 트랜지스터(CT1~CT7)에 인가될 수 있다. In FIG. 10 and the drawings described below, the mode signal XMOD applied to each of the transistors CT1 to CT7 is shown as the same, but may be applied to each of the transistors CT1 to CT7 at the same or different logic level. there is.

도 11a 내지 도 11c는 각각, 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드에서의 도 10의 제1 증폭부 및 제2 증폭부가 동작하는 예를 나타내는 도면이다. 먼저 도 11a를 참조하면, 비-CA 모드에서, 반송파 집적 기술이 적용되지 아니한, 제1 반송파(ω1)를 포함하는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 제1 증폭기(1020_1a)의 제1 트랜지스터(CT1)로 전달된다. 비-CA 모드에서, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 하이(H)로, 제4 트랜지스터(CT4), 제5 트랜지스터(CT5), 제6 트랜지스터(CT6) 및 제8 트랜지스터(CT8)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 로우(L)로 설정될 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)만 턴-온 되고, 나머지 트랜지스터들(CT3~CT8)은 턴-오프된다. 제1 RF 입력 신호(RFIN1)는 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)에 의해 증폭되어, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로서 제1 출력 노드(NO1)로 출력된다. 11A to 11C are diagrams illustrating examples of operation of the first amplifier and the second amplifier of FIG. 10 in the non-CA mode, the inter-band CA mode, and the intra-band CA mode, respectively. Referring first to FIG. 11A , in the non-CA mode, the first RF input signal RFIN1 including the first carrier wave ω1 to which the carrier integration technique is not applied is transmitted to the first transistor ( RFIN1 ) of the first amplifier 1020_1a. CT1). In the non-CA mode, the mode signal XMOD applied to the first transistor CT1 and the second transistor CT2 is logic high (H), and the fourth transistor CT4, the fifth transistor CT5, The mode signal XMOD applied to the sixth transistor CT6 and the eighth transistor CT8 may be set to a logic low (L). Accordingly, only the first transistor CT1 and the second transistor CT2 are turned on, and the remaining transistors CT3 to CT8 are turned off. The first RF input signal RFIN1 is amplified by the first transistor CT1 and the second transistor CT2 , and is output to the first output node NO1 as the first RF output signal RFOUT11 .

다음으로, 도 11b를 참조하면, 인터-밴드 CA 모드에서, 서로 다른 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2) 중 제1 반송파(ω1)를 포함하는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 제1 증폭기(1020_1a)의 제1 트랜지스터(CT1)에 전달되고, 제2 반송파(ω2)를 포함하는 제2 RF 입력 신호(RFIN2)가 제2 증폭기(1020_2a)의 제5 트랜지스터(CT5)에 전달될 수 있다. 제1 수신기(RCV1)의 제1 인터-밴드 CA 모드에서, 제1 트랜지스터(CT1), 제2 트랜지스터(CT2), 제5 트랜지스터(CT5), 및 제6 트랜지스터(CT6)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 하이(H)로, 제4 트랜지스터(CT4) 및 제8 트랜지스터(CT8)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 로우(L)로 설정될 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(CT1), 제2 트랜지스터(CT2), 제5 트랜지스터(CT5) 및 제6 트랜지스터(CT6)만 턴-온 되고, 나머지 트랜지스터들(CT3, CT4, CT7, CT8)은 턴-오프된다. 제1 RF 입력 신호(RFIN1)는 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)에 의해 증폭되어, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로서 제1 출력 노드(NO1)로 출력된다. 제2 RF 입력 신호(RFIN2)는 제5 트랜지스터(CT5) 및 제6 트랜지스터(CT6)에 의해 증폭되어, 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)로서 제2 출력 노드(NO2)로 출력된다. Next, referring to FIG. 11B, in the inter-band CA mode, a first RF input signal including a first carrier wave (ω1) among a first carrier wave (ω1) and a second carrier wave (ω2) of different frequency bands ( RFIN1 is transmitted to the first transistor CT1 of the first amplifier 1020_1a, and the second RF input signal RFIN2 including the second carrier wave ω2 is transmitted to the fifth transistor CT5 of the second amplifier 1020_2a ) can be transferred to In the first inter-band CA mode of the first receiver RCV1, the mode signal applied to the first transistor CT1, the second transistor CT2, the fifth transistor CT5, and the sixth transistor CT6 XMOD) may be set to a logic high (H), and the mode signal XMOD applied to the fourth transistor CT4 and the eighth transistor CT8 may be set to a logic low (L). Accordingly, only the first transistor CT1 , the second transistor CT2 , the fifth transistor CT5 , and the sixth transistor CT6 are turned on, and the remaining transistors CT3 , CT4 , CT7 , and CT8 are turned on. turns off The first RF input signal RFIN1 is amplified by the first transistor CT1 and the second transistor CT2 , and is output to the first output node NO1 as the first RF output signal RFOUT11 . The second RF input signal RFIN2 is amplified by the fifth transistor CT5 and the sixth transistor CT6 , and is output to the second output node NO2 as the second RF output signal RFOUT21 .

비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드에서, 제1 증폭부(1020_1)의 입력단에서 바라본 임피던스(Zin1)는 전술한 바와 같이, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제5 트랜지스터(CT5)의 크기가 같을 수 있으므로, 인터-밴드 CA 모드에서, 제2 증폭부(1020_2)의 입력단에서 바라본 임피던스(Zin5)와 동일할 수 있다. In the non-CA mode and the inter-band CA mode, the impedance Zin1 viewed from the input terminal of the first amplifier 1020_1 is the same as that of the first transistor CT1 and the fifth transistor CT5 as described above. Therefore, in the inter-band CA mode, the impedance Zin5 viewed from the input terminal of the second amplifier 1020_2 may be the same.

다음으로, 도 11c를 참조하면, 인트라-밴드 CA 모드에서, 같은 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)를 포함하는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 제1 증폭기(1020_1a)의 제1 트랜지스터(CT1)로 전달될 수 있다. 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 트랜지스터(CT1), 제2 트랜지스터(CT2) 및 제4 트랜지스터(CT4)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 하이(H)로, 제5 트랜지스터(CT5), 제6 트랜지스터(CT6) 및 제8 트랜지스터(CT8)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 로우(L)로 설정될 수 있다. 그리고, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)를 포함한 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 전압 이득에 의해 증폭된 제1 노드(ND1)의 노드 전압은 제1 내부 신호(XINT1)로서 제3 트랜지스터(CT3)에 인가된다. 따라서, 제1 트랜지스터(CT1), 제2 트랜지스터(CT2), 제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)는 턴-온 되고, 나머지 트랜지스터들(CT5~CT8)은 턴-오프된다. Next, referring to FIG. 11C , in the intra-band CA mode, the first RF input signal RFIN1 including the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 of the same frequency band is transmitted to the first amplifier 1020_1a ) to the first transistor CT1. In the intra-band CA mode, the mode signal XMOD applied to the first transistor CT1, the second transistor CT2, and the fourth transistor CT4 has a logic high (H), the fifth transistor CT5, The mode signal XMOD applied to the sixth transistor CT6 and the eighth transistor CT8 may be set to a logic low (L). And, the node voltage of the first node ND1 in which the first RF input signal RFIN1 including the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 is amplified by the voltage gain is the first internal signal XINT1. It is applied to the third transistor CT3. Accordingly, the first transistor CT1 , the second transistor CT2 , the third transistor CT3 , and the fourth transistor CT4 are turned on, and the remaining transistors CT5 to CT8 are turned off.

제1 RF 입력 신호(RFIN1)는 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)에 의해 증폭되어 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로서 제1 출력 노드(NO1)로 출력되고, 제1 내부 신호(XINT1)는 제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)에 의해 증폭되어 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)로서 제2 출력 노드(NO2)로 출력된다. 제1 RF 입력 신호(RFIN1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 형성하는 제1 반송파(ω1)에 대한 RF 출력 신호이다. 제1 RF 입력 신호(RFIN1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 형성하는 제2 반송파(ω2)에 대한 RF 출력 신호이다.The first RF input signal RFIN1 is amplified by the first transistor CT1 and the second transistor CT2 and is output as the first RF output signal RFOUT11 to the first output node NO1, and a first internal signal (XINT1) is amplified by the third transistor CT3 and the fourth transistor CT4 and is output to the second output node NO2 as the first RF output signal RFOUT12. The first RF output signal RFOUT11 with respect to the first RF input signal RFIN1 is an RF output signal with respect to the first carrier wave ω1 forming the first RF input signal RFIN1. The first RF output signal RFOUT12 with respect to the first RF input signal RFIN1 is an RF output signal with respect to the second carrier wave ω2 forming the first RF input signal RFIN1.

인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 증폭부(1020_1)의 입력단에서 바라본 임피던스(Zin1)는 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드의 경우와 동일하다. 그리고, 전술한 바와 같이, 제1 트랜지스터(CT1)가 제2 트랜지스터(CT2)보다 크게 형성됨으로써, 제1 반송파(ω1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 출력하는 패스(제1 패스)에서 누설 전류가 발생하지 않을 수 있다. 또한, 제2 반송파(ω2)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 출력하는 패스(제2 패스)는 제1 패스보다 전압 레벨이 높은 입력(제1 내부 신호(XINT1))으로 동작함으로써, 전력 소모를 줄이고 잡음 특성을 향상시킬 수 있다. In the intra-band CA mode, the impedance Zin1 viewed from the input terminal of the first amplifier 1020_1 is the same as in the case of the non-CA mode and the inter-band CA mode. And, as described above, since the first transistor CT1 is formed to be larger than the second transistor CT2 , a path for outputting the first RF output signal RFOUT11 for the first carrier wave ω1 (first pass) leakage current may not occur. In addition, the pass (second pass) for outputting the first RF output signal RFOUT12 for the second carrier wave ω2 operates as an input (first internal signal XINT1) having a higher voltage level than the first pass, It can reduce power consumption and improve noise characteristics.

이상에서는 비-CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 수신기(RCV1)가 동작하는 예에 한하여 설명하였다. 그러나, 이에 한정하는 것은 아니다. 도 8의 안테나(ATN)로 수신되는, 같은 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파를 포함하는 수신 신호(RSIG)가, 필터(FT)를 통해, 제1 수신기(RCV1)가 아닌, 제2 수신 신호(RSIG2)로 제2 수신기(RCV2)에 전달될 수 있다. In the above description, only an example in which the first receiver RCV1 operates in the non-CA mode and the intra-band CA mode has been described. However, the present invention is not limited thereto. The reception signal RSIG including the first carrier ω1 and the second carrier of the same frequency band received by the antenna ATN of FIG. 8 is not the first receiver RCV1 through the filter FT , may be transmitted to the second receiver RCV2 as the second reception signal RSIG2 .

이 경우, 인트라-밴드 CA 모드에서의 도 10의 제1 증폭부 및 제2 증폭부가 동작하는 다른 예를 나타내는 도 12를 참조하면, 제2 RF 입력 신호(RFIN2)는 제5 트랜지스터(CT5)로 인가된다. 그리고, 제5 트랜지스터(CT5), 제6 트랜지스터(CT6) 및 제8 트랜지스터(CT8)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 하이(H)로, 제1 트랜지스터(CT1), 제2 트랜지스터(CT2) 및 제4 트랜지스터(CT4)로 인가되는 모드 신호(XMOD)는 논리 로우(L)로 설정될 수 있다. 그리고, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)를 포함한 제2 RF 입력 신호(RFIN2)가 전압 이득에 의해 증폭된 제5 노드(ND5)의 노드 전압은 제2 내부 신호(XINT2)로서 제7 트랜지스터(CT7)로 인가된다. 따라서, 제5 트랜지스터(CT5), 제6 트랜지스터(CT6), 제7 트랜지스터(CT7) 및 제8 트랜지스터(CT8)는 턴-온 되고, 나머지 트랜지스터들(CT1~CT4)은 턴-오프된다. In this case, referring to FIG. 12 showing another example in which the first and second amplifiers of FIG. 10 operate in the intra-band CA mode, the second RF input signal RFIN2 is transmitted to the fifth transistor CT5. is authorized In addition, the mode signal XMOD applied to the fifth transistor CT5 , the sixth transistor CT6 , and the eighth transistor CT8 has a logic high (H), and the first transistor CT1 and the second transistor CT2 ) and the mode signal XMOD applied to the fourth transistor CT4 may be set to a logic low (L). And, the node voltage of the fifth node ND5 in which the second RF input signal RFIN2 including the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 is amplified by the voltage gain is the second internal signal XINT2. It is applied to the seventh transistor CT7. Accordingly, the fifth transistor CT5 , the sixth transistor CT6 , the seventh transistor CT7 , and the eighth transistor CT8 are turned on, and the remaining transistors CT1 to CT4 are turned off.

제2 RF 입력 신호(RFIN2)는 제5 트랜지스터(CT5) 및 제6 트랜지스터(CT6)에 의해 증폭되어 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)로서 제2 출력 노드(NO2)로 출력되고, 제2 내부 신호(XINT2)는 제7 트랜지스터(CT7) 및 제8 트랜지스터(CT8)에 의해 증폭되어 제2 RF 출력 신호(RFOUT22)로서 제1 출력 노드(NO1)로 출력된다. 제2 RF 입력 신호(RFIN2)에 대한 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)는 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 형성하는 제1 반송파(ω1)에 대한 RF 출력 신호이다. 제2 RF 입력 신호(RFIN2)에 대한 제2 RF 출력 신호(RFOUT22)는 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 형성하는 제2 반송파(ω2)에 대한 RF 출력 신호이다.The second RF input signal RFIN2 is amplified by the fifth transistor CT5 and the sixth transistor CT6 and output as the second RF output signal RFOUT21 to the second output node NO2, and a second internal signal (XINT2) is amplified by the seventh transistor CT7 and the eighth transistor CT8 and is output to the first output node NO1 as the second RF output signal RFOUT22. The second RF output signal RFOUT21 with respect to the second RF input signal RFIN2 is an RF output signal with respect to the first carrier wave ω1 forming the second RF input signal RFIN2. The second RF output signal RFOUT22 with respect to the second RF input signal RFIN2 is an RF output signal with respect to the second carrier wave ω2 forming the second RF input signal RFIN2.

도 13 내지 도 17은 각각, 도 8의 제1 증폭부 및 제2 증폭부의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 13을 참조하면, 제1 증폭부(1320_1)는 제1 증폭기(1320_1a) 및 제1 서브 증폭기(1320_1b)를 포함할 수 있고, 제2 증폭부(1320_2)는 제2 증폭기(1320_2a) 및 제2 서브 증폭기(1320_2b)를 포함할 수 있다. 제1 증폭부(1320_1) 및 제2 증폭부(1320_2)는 전술된 도 10과 마찬가지로, 제1 트랜지스터(CT1) 내지 제8 트랜지스터(CT8)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 증폭부(1520_1) 및 제2 증폭부(1520_2)는 입력단의 게이트 바이어싱을 위해, 제1 트랜지스터(CT1), 제3 트랜지스터(CT3), 제5 트랜지스터(CT5) 및 제7 트랜지스터(CT7)의 게이트에 각각 연결되는 제1 커패시터(C1) 내지 제4 커패시터(C4)를 더 포함할 수 있다. 13 to 17 are views each showing another example of the first amplifying unit and the second amplifying unit of FIG. 8 . Referring to FIG. 13 , the first amplifier 1320_1 may include a first amplifier 1320_1a and a first sub-amplifier 1320_1b, and the second amplifier 1320_2 includes a second amplifier 1320_2a and a second amplifier 1320_1b. Two sub-amplifiers 1320_2b may be included. The first amplifying unit 1320_1 and the second amplifying unit 1320_2 may include the first transistors CT1 to the eighth transistors CT8, as in FIG. 10 described above. In addition, the first amplifying unit 1520_1 and the second amplifying unit 1520_2 are for gate biasing of the input terminal, the first transistor CT1 , the third transistor CT3 , the fifth transistor CT5 , and the seventh transistor A first capacitor C1 to a fourth capacitor C4 respectively connected to the gate of CT7 may be further included.

나아가, 제1 증폭부(1320_1) 및 제2 증폭부(1320_2)는 각각, 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)를 더 포함할 수 있다. 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 소스 디제너레이션 인덕터(source degeneration inductor)로, 각각, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제5 트랜지스터(CT5)의 소스 및 접지 단자 사이에 연결될 수 있다. 제1 인덕터(L1)는 제1 증폭기(1320_1a)의 잡음 특성이 향상되도록 임피던스 매칭을 할 수 있게 해주며, 나아가 제1 인덕터(L1)는 제1 증폭기(1320_1a)의 증폭 동작의 선형성을 향상시킬 수 있다. 제2 인덕터(L2)도 마찬가지로, 제2 증폭기(1320_2a)와 제2 서브 증폭기(1320_2b) 사이의 상호 작용을 감소 시키고, 잡음 특성의 저하를 방지할 수 있으며, 제2 증폭기(1320_2a)의 증폭 동작의 선형성을 향상시킬 수 있다. 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 증폭기(1320_1a)와 제1 서브 증폭기(1320_1b) 사이의 상호 작용과, 제2 증폭기(1320_2a)와 제2 서브 증폭기(1320_2b) 사이의 상호 작용이 동일하다면, 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 동일한 값으로 구비될 수 있다. Furthermore, the first amplifying unit 1320_1 and the second amplifying unit 1320_2 may further include a first inductor L1 and a second inductor L2, respectively. The first inductor L1 and the second inductor L2 are source degeneration inductors, and may be connected between the source and ground terminals of the first transistor CT1 and the fifth transistor CT5, respectively. . The first inductor L1 enables impedance matching to improve the noise characteristic of the first amplifier 1320_1a, and the first inductor L1 further improves the linearity of the amplification operation of the first amplifier 1320_1a. can Similarly, the second inductor L2 can reduce the interaction between the second amplifier 1320_2a and the second sub-amplifier 1320_2b, and can prevent deterioration of noise characteristics, and the amplification operation of the second amplifier 1320_2a can improve the linearity of The first inductor L1 and the second inductor L2 may be the same as or different from each other. For example, if the interaction between the first amplifier 1320_1a and the first sub-amplifier 1320_1b and the interaction between the second amplifier 1320_2a and the second sub-amplifier 1320_2b are the same, the first inductor ( L1) and the second inductor L2 may have the same value.

도 14를 참조하면, 제1 증폭부(1420_1)는 제1 증폭기(1420_1a) 및 제1 서브 증폭기(1420_1b)를 포함할 수 있고, 제2 증폭부(1420_2)는 제2 증폭기(1420_2a) 및 제2 서브 증폭기(1420_2b)를 포함할 수 있다. 제1 증폭부(1420_1) 및 제2 증폭부(1420_2)는 도 10의 제1 증폭부(1020_1) 및 제2 증폭부(1020_2)와 마찬가지로, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제5 트랜지스터(CT5)와 접지 단자 사이에, 제1 인덕터(L1)와 제2 인덕터(L2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 증폭부(1520_1) 및 제2 증폭부(1520_2)는 입력단의 게이트 바이어싱을 위해, 제1 트랜지스터(CT1), 제3 트랜지스터(CT3), 제5 트랜지스터(CT5) 및 제7 트랜지스터(CT7)의 게이트에 각각 연결되는 제1 커패시터(C1) 내지 제4 커패시터(C4)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14 , the first amplifier 1420_1 may include a first amplifier 1420_1a and a first sub-amplifier 1420_1b, and the second amplifier 1420_2 includes a second amplifier 1420_2a and a second amplifier 1420_2a. Two sub-amplifiers 1420_2b may be included. The first amplifier 1420_1 and the second amplifier 1420_2 have a first transistor CT1 and a fifth transistor CT5 like the first amplifier 1020_1 and the second amplifier 1020_2 of FIG. 10 . A first inductor L1 and a second inductor L2 may be included between the and the ground terminal. In addition, the first amplifying unit 1520_1 and the second amplifying unit 1520_2 are for gate biasing of the input terminal, the first transistor CT1 , the third transistor CT3 , the fifth transistor CT5 , and the seventh transistor A first capacitor C1 to a fourth capacitor C4 respectively connected to the gate of CT7 may be further included.

나아가, 제1 증폭부(1420_1)는 제1 인덕터(L1)와 함께, 제1 저항(R1)을 더 포함할 수 있다. 제1 인덕터(L1)는 제1 증폭기(1420_1a)의 제1 트랜지스터(CT1)와 접지 전압 사이에 연결되고, 제1 저항(R1)은 제1 서브 증폭기(1420_1b)의 제3 트랜지스터(CT3)와 접지 단자 사이에 연결될 수 있다. 제2 인덕터(L2)는 제2 증폭기(1420_2a)의 제5 트랜지스터(CT5)와 접지 전압 사이에 연결되고, 제2 저항(R2)은 제2 서브 증폭기(1420_2b)의 제7 트랜지스터(CT7)와 접지 단자 사이에 연결될 수 있다. 제제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)에 의해 제1 증폭부(1420_1) 및 제2 증폭부(1420_2)의 이득이 제어될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에 따른 제1 서브 증폭기(1420_1b)및 제2 서브 증폭기(1420_2b)는 각각, 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2) 대신, 각각, 제5 트랜지스터(CT5) 및 제7 트랜지스터(CT7)와 접지 단자 사이에 인덕터를 포함할 수도 있다. Furthermore, the first amplifier 1420_1 may further include a first resistor R1 together with the first inductor L1 . The first inductor L1 is connected between the first transistor CT1 of the first amplifier 1420_1a and the ground voltage, and the first resistor R1 is connected to the third transistor CT3 of the first sub-amplifier 1420_1b and It can be connected between the ground terminals. The second inductor L2 is connected between the fifth transistor CT5 of the second amplifier 1420_2a and the ground voltage, and the second resistor R2 is connected to the seventh transistor CT7 of the second sub-amplifier 1420_2b and It can be connected between the ground terminals. The gains of the first amplifier 1420_1 and the second amplifier 1420_2 may be controlled by the first resistor R1 and the second resistor R2 . However, the present invention is not limited thereto. The first sub-amplifier 1420_1b and the second sub-amplifier 1420_2b according to an exemplary embodiment are, respectively, a fifth transistor CT5 and a seventh transistor instead of the first resistor R1 and the second resistor R2, respectively. An inductor may be included between (CT7) and the ground terminal.

도 15를 참조하면, 제1 증폭부(1520_1)는 제1 증폭기(1520_1a) 및 제1 서브 증폭기(1520_1b)를 포함할 수 있고, 제2 증폭부(1520_2)는 제2 증폭기(1520_2a) 및 제2 서브 증폭기(1520_2b)를 포함할 수 있다. 제1 증폭부(1520_1) 및 제2 증폭부(1520_2)는 도 10의 제1 증폭부(1020_1) 및 제2 증폭부(1020_2)와 마찬가지로, 제1 트랜지스터(CT1) 내지 제8 트랜지스터(CT8)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 증폭부(1520_1) 및 제2 증폭부(1520_2)는 입력단의 게이트 바이어싱을 위해, 제1 트랜지스터(CT1), 제3 트랜지스터(CT3), 제5 트랜지스터(CT5) 및 제7 트랜지스터(CT7)의 게이트에 각각 연결되는 제1 커패시터(C1) 내지 제4 커패시터(C4)를 더 포함할 수 있다. 나아가, 제1 증폭부(1520_1) 및 제2 증폭부(1520_2)는 제1 트랜지스터(CT1) 내지 제8 트랜지스터(CT8)는 접지 단자 사이에, 각각, 인덕터(L1~L4)를 포함할 수 있다.15 , the first amplifier 1520_1 may include a first amplifier 1520_1a and a first sub-amplifier 1520_1b, and the second amplifier 1520_2 includes a second amplifier 1520_2a and a second amplifier 1520_1b. 2 sub-amplifiers 1520_2b may be included. The first amplifying unit 1520_1 and the second amplifying unit 1520_2 have the first to eighth transistors CT8, similarly to the first amplifying unit 1020_1 and the second amplifying unit 1020_2 of FIG. 10 . may include. In addition, the first amplifying unit 1520_1 and the second amplifying unit 1520_2 are for gate biasing of the input terminal, the first transistor CT1 , the third transistor CT3 , the fifth transistor CT5 , and the seventh transistor A first capacitor C1 to a fourth capacitor C4 respectively connected to the gate of CT7 may be further included. Furthermore, the first amplifying unit 1520_1 and the second amplifying unit 1520_2 may include inductors L1 to L4, respectively, between the first and eighth transistors CT1 to CT8 ground terminals. .

도 16을 참조하면, 제1 증폭부(1620_1)는 제1 증폭기(1620_1a) 및 제1 서브 증폭기(1620_1b)를 포함할 수 있고, 제2 증폭부(1620_2)는 제2 증폭기(1620_2a) 및 제2 서브 증폭기(1620_2b)를 포함할 수 있다. 제1 증폭부(1620_1) 및 제2 증폭부(1620_2)는 도 14의 제1 증폭부(1420_1) 및 제2 증폭부(1420_2)와 마찬가지로, 제1 트랜지스터(CT1) 내지 제8 트랜지스터(CT8)와 접지 단자 사이에, 각각, 인덕터(L1, L2) 또는 저항(R1, R2)를 포함할 수 있다. 나아가, 제1 증폭부(1620_1)는 제1 노드(ND1)와 제2 출력 노드(NO2) 사이에 직렬로 연결되는 제3 저항(R3) 및 제5 커패시터(C5)를 포함하고, 제2 증폭부(1620_2)는 제2 노드(ND2)와 제1 출력 노드(NO1) 사이에 직렬로 연결되는 제4 저항(R4) 및 제6 커패시터(C6)를 더 포함할 수 있다. 도 16의 각 출력 노드(NO1, NO2)로부터 내부의 노드(N1, N5)로의 패스(피드백 회로)는, 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)과 마찬가지로, 각 출력 노드(NO1, NO2)에서의 전류를 조절하여, 제1 증폭부(1620_1) 및 제2 증폭부(1620_2)의 이득을 제어하기 위해 구비될 수 있다. Referring to FIG. 16 , the first amplifier 1620_1 may include a first amplifier 1620_1a and a first sub-amplifier 1620_1b, and the second amplifier 1620_2 includes a second amplifier 1620_2a and a second amplifier 1620_2a and a second amplifier 1620_1b. 2 sub amplifiers 1620_2b may be included. The first amplifying unit 1620_1 and the second amplifying unit 1620_2 include the first transistors CT1 to the eighth transistors CT8, similarly to the first amplifying unit 1420_1 and the second amplifying unit 1420_2 of FIG. 14 . and the ground terminal, respectively, may include inductors L1 and L2 or resistors R1 and R2. Furthermore, the first amplifier 1620_1 includes a third resistor R3 and a fifth capacitor C5 connected in series between the first node ND1 and the second output node NO2, and the second amplification The unit 1620_2 may further include a fourth resistor R4 and a sixth capacitor C6 connected in series between the second node ND2 and the first output node NO1 . A path (feedback circuit) from each of the output nodes NO1 and NO2 in FIG. 16 to the internal nodes N1 and N5 is, like the first resistor R1 and the second resistor R2, each output node NO1, NO2) may be provided to control the gains of the first amplifying unit 1620_1 and the second amplifying unit 1620_2 by adjusting the current.

도 17은 다른 실시예에 따른 제1 수신기를 나타내는 도면이다. 도 17을 참조하면, 제1 수신기(RCV1)는 제1 입력부(1710_1), 제1 증폭부(1720_1) 및 제1 출력부(1730_1)를 포함할 수 있다. 제1 입력부(1710_1)는 제1 수신 신호(RSIG1)를 수신한다. 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 수신 신호(RSIG1)는 동일한 주파수 대역의 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)를 포함할 수 있다. 제1 입력부(1710_1)는 제1 수신 신호(RSIG1)에 대한 임피던스 매칭 등을 수행하여, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)로, 제1 증폭부(1720_1)에 전달한다. 17 is a diagram illustrating a first receiver according to another embodiment. Referring to FIG. 17 , the first receiver RCV1 may include a first input unit 1710_1 , a first amplifier 1720_1 , and a first output unit 1730_1 . The first input unit 1710_1 receives the first reception signal RSIG1. In the intra-band CA mode, the first reception signal RSIG1 may include a first carrier wave ω1 and a second carrier wave ω2 of the same frequency band. The first input unit 1710_1 performs impedance matching on the first reception signal RSIG1 and transmits the first RF input signal RFIN1 to the first amplifier 1720_1 .

제1 증폭부(1720_1)는 제1 증폭기(1720_1a) 및 제1 서브 증폭기(1720_1b)를 포함한다. 제1 증폭기(1720_1a)는 제1 트랜지스터(CT1), 제2 트랜지스터(CT2) 및 제1 인덕터(L1)를 포함할 수 있다. 제1 서브 증폭기(1720_1b)는 제3 트랜지스터(CT3), 제4 트랜지스터(CT4) 및 제1 저항(R1)을 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(CT1) 내지 제4 트랜지스터(CT4), 제1 인덕터(L1) 및 제1 저항(R1)의 동작은 전술한 바와 같으므로, 더 자세한 설명은 생략한다. 다만, 제2 트랜지스터(CT2)의 소스는 제1 노드(ND1)가 아닌, 제9 노드(ND9)에 연결된다. 그리고, 제1 노드(ND1) 및 제9 노드(ND9) 사이에 연결되는 제9 트랜지스터(CT9), 및 소스가 제9 노드(ND9)에 연결되는 제10 트랜지스터(CT10)가 적어도 하나 더 포함된다. 도 17에서는 비록 제9 트랜지스터(CT9) 및 제10 트랜지스터(CT10)가 함께 포함되는 예를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The first amplifier 1720_1 includes a first amplifier 1720_1a and a first sub-amplifier 1720_1b. The first amplifier 1720_1a may include a first transistor CT1 , a second transistor CT2 , and a first inductor L1 . The first sub-amplifier 1720_1b may include a third transistor CT3 , a fourth transistor CT4 , and a first resistor R1 . Since the operations of the first transistors CT1 to the fourth transistors CT4 , the first inductor L1 , and the first resistor R1 are the same as described above, a detailed description thereof will be omitted. However, the source of the second transistor CT2 is not connected to the first node ND1 but to the ninth node ND9 . In addition, at least one ninth transistor CT9 connected between the first node ND1 and the ninth node ND9 and at least one tenth transistor CT10 having a source connected to the ninth node ND9 are further included. . Although FIG. 17 illustrates an example in which the ninth transistor CT9 and the tenth transistor CT10 are included together, the present invention is not limited thereto.

제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)는 서로 다른 기지국으로부터 전송된 경우, 제1 반송파(ω1) 및 제2 반송파(ω2)가 집적된 제1 수신 신호(RSIG1)를 증폭하는 경우, 제1 증폭부(1720_1)에 대한 이득 제어가 요구될 수 있다. 예를 들어, 제1 반송파(ω1)가 제1 수신기(RCV1)를 포함하는 무선 단말에 가까이 위치하는 기지국으로부터 수신된 신호이면, 제1 반송파(ω1)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)의 이득, 즉 크기를 줄여야 할 수 있다. When the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 are transmitted from different base stations, the first carrier wave ω1 and the second carrier wave ω2 amplify the integrated first reception signal RSIG1, Gain control for the first amplifier 1720_1 may be required. For example, if the first carrier wave (ω1) is a signal received from a base station located close to the wireless terminal including the first receiver (RCV1), the first RF output signal (RFOUT11) for the first carrier wave (ω1) It may be necessary to reduce the gain, ie the size.

이 경우, 이득 제어 신호(XCON)가 논리 하이(H)로 인가되어 제10 트랜지스터(CT10)가 턴-온될 수 있다. 이에, 제1 출력 노드(NO1)로부터 제1 출력부(1730_1)로 공급되는 전류(i11)가 줄어들어, 이득이 제어될 수 있다. 그런데, 고주파수의 RF 입력 신호를 처리하는 경우, 제2 트랜지스터(CT2)의 소스 및 드레인 사이에 기생 커패시턴스의 영향으로 제9 노드(ND9)에서의 전압 이득이 변경될 수 있다. 그러나, 제9 트랜지스터(CT9)가 제1 노드(ND1)와 제9 노드(ND9) 사이에 위치하여 버퍼(buffer)의 기능을 수행하므로, 제1 노드(ND1)에서의 전압 이득은 일정하게 유지될 수 있다. 즉, 제1 증폭기(1720_1a)를 통한 제1 출력 노드(NO1)로의 제1 전류 패스의 이득을 제어하더라도, 제1 노드(ND1)의 전압 이득이 유지되어 제1 서브 증폭기(1720_1b)에 영향을 미치지 아니할 수 있다. 따라서, 제2 출력 노드(NO2)로 공급되는 제2 전류(i12)는 일정하게 유지될 수 있다. 제1 서브 증폭기(1720_1b)의 동작은 전술한 바와 같을 수 있어, 더 자세한 설명은 생략한다. In this case, the gain control signal XCON may be applied as a logic high (H) to turn on the tenth transistor CT10 . Accordingly, the current i11 supplied from the first output node NO1 to the first output unit 1730_1 is reduced, so that the gain can be controlled. However, when processing a high frequency RF input signal, the voltage gain at the ninth node ND9 may be changed due to the effect of parasitic capacitance between the source and drain of the second transistor CT2 . However, since the ninth transistor CT9 is positioned between the first node ND1 and the ninth node ND9 to function as a buffer, the voltage gain at the first node ND1 is maintained constant. can be That is, even when the gain of the first current path to the first output node NO1 through the first amplifier 1720_1a is controlled, the voltage gain of the first node ND1 is maintained to affect the first sub-amplifier 1720_1b. may not reach Accordingly, the second current i12 supplied to the second output node NO2 may be constantly maintained. The operation of the first sub-amplifier 1720_1b may be the same as described above, and a detailed description thereof will be omitted.

제1 출력부(1730_1)는 제1 변환기(X1), 제1 커패시터 뱅크(capacitor bank, CB1), 제1 믹서(mixer, MIX1) 및 제1 기저대역 필터(FT1)를 포함할 수 있다. 제1 변환기(X1)는 제1 출력 노드(NO1)에서 인가되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로부터 서로 다른 신호를 생성하고, 각 출력은 제1 커패시터 뱅크(CB1)에 의해 요구되는 RF 주파수(제1 반송파)에 대한 공진 값을 제공하여 다른 신호를 차단한다. 제1 믹서(MIX1)는 제1 변환기(X1)와 연결되어, 제1 변환기(X1)로부터 전달되는 신호를 다운-컨버팅 한다. 제1 기저대역 필터(FT1)는 다운-컨버팅 된 신호를 제1 기저대역 신호(XBAS11)로 필터링한다. 제2 수신기(RCV2)에 포함될 수 있는 제2 출력부(1730_2)도 제1 수신기(RCV1)의 제1 출력부(1730_1)와 동일한 구조로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제2 출력부(1730_2)는 제2 변환기(X2), 제2 커패시터 뱅크(CB2), 제1 믹서(MIX2) 및 제2 기저대역 필터(FT2)를 포함하여, 제2 출력 노드(NO2)로부터 공급되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 제1 기저대역 신호(XBAS12)로 출력할 수 있다. The first output unit 1730_1 may include a first converter X1 , a first capacitor bank CB1 , a first mixer MIX1 , and a first baseband filter FT1 . The first converter X1 generates different signals from the first RF output signal RFOUT11 applied from the first output node NO1, and each output has an RF frequency ( ) required by the first capacitor bank CB1. It provides a resonance value for the first carrier) to block other signals. The first mixer MIX1 is connected to the first converter X1 to down-convert a signal transmitted from the first converter X1 . The first baseband filter FT1 filters the down-converted signal into the first baseband signal XBAS11. The second output unit 1730_2 included in the second receiver RCV2 may also have the same structure as the first output unit 1730_1 of the first receiver RCV1 . For example, the second output unit 1730_2 includes a second converter X2 , a second capacitor bank CB2 , a first mixer MIX2 and a second baseband filter FT2 , and a second output node The first RF output signal RFOUT12 supplied from NO2 may be output as the first baseband signal XBAS12.

제1 증폭부(1720_1)는 나아가, 각각, 제1 트랜지스터(CT1) 및 제3 트랜지스터(CT3)에 대한 게이트 바이어싱을 수행하는 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2를 더 포함할 수 있다. The first amplifier 1720_1 may further include a first capacitor C1 and a second capacitor C2 for performing gate biasing of the first transistor CT1 and the third transistor CT3, respectively. there is.

도 18 및 도 19는 각각, 다른 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다. 먼저 도 18을 참조하면, 무선 단말(1800)은 안테나(ATN)를 통해 무선 단말(1800)로 입력되는 수신 신호(RSIG)를 처리하기 위해, 필터(FT), 입력부들(1810_1~1810_N), LNA(1820) 및 출력부들(1830_1~1830_N)을 포함할 수 있다. 도 19는 무선 단말(1800)에 포함되는 다수의 구성 중 수신 신호(RSIG)를 처리하는데 요구되는 구성을 중심으로 도시한다. 18 and 19 are diagrams illustrating a wireless terminal according to another embodiment, respectively. First, referring to FIG. 18, the wireless terminal 1800 includes a filter FT, input units 1810_1 to 1810_N, in order to process a reception signal RSIG input to the wireless terminal 1800 through an antenna ATN. It may include an LNA 1820 and output units 1830_1 to 1830_N. FIG. 19 shows a configuration required for processing a received signal (RSIG) among a plurality of configurations included in the wireless terminal 1800 .

필터(FT)는 안테나(ATN)를 통해 입력되는 수신 신호(RSIG)를 대응되는 주파수 대역으로 필터링 한다. 예를 들어, 필터(FT)는 수신 신호(RSIG) 중 제1 주파수 대역(BA)의 신호를 제1 수신 신호(RSIG1)로 제1 입력부(1810_1)에 전달하고, 제2 주파수 대역(BB)의 신호를 제2 수신 신호(RSIG2)로 제2 입력부(1810_2)에 전달할 수 있다. 마찬가지로, 필터(FT)는 수신 신호(RSIG) 중 제N 주파수 대역(미도시)의 신호를 제N 수신 신호(RSIGN)로 제N 입력부(1810_N)에 전달할 수 있다. N은 3 이상의 정수이다. 필터(FT)는 송수신 전환부(duplexer)로 구현될 수 있다. The filter FT filters the received signal RSIG input through the antenna ATN into a corresponding frequency band. For example, the filter FT transfers a signal of a first frequency band BA among the reception signals RSIG to the first input unit 1810_1 as a first reception signal RSIG1 and a second frequency band BB. may be transmitted to the second input unit 1810_2 as the second reception signal RSIG2. Similarly, the filter FT may transmit a signal of an N-th frequency band (not shown) among the reception signals RSIG to the N-th input unit 1810_N as an N-th reception signal RSIGN. N is an integer greater than or equal to 3; The filter FT may be implemented as a transmission/reception switching unit (duplexer).

입력부들(1810_1~1810_N)은 각각, 필터(FT)로부터 인가되는 수신 신호들(RSIG1~RSIGN)과 LNA(1820) 사이의 임피던스 매칭 등의 RF 매칭을 수행하여, LNA(1820)로 전달한다. 예를 들어, 제1 입력부(1810_1)는 제1 수신 신호(RSIG1)를 처리하여 제1 RF 입력 신호(RFIN1)로 LNA(1820)에 전달하고, 제2 입력부(1810_2)는 제2 수신 신호(RSIG2)를 처리하여 LNA(1820)에 전달할 수 있다. 마찬가지로, 제N 입력부(1810_N)는 제N 수신 신호(RSIGN)를 처리하여 제N RF 입력 신호(RFINN)로 LNA(1820)에 전달할 수 있다. Each of the input units 1810_1 to 1810_N performs RF matching, such as impedance matching, between the received signals RSIG1 to RSIGN applied from the filter FT and the LNA 1820, and transmits it to the LNA 1820 . For example, the first input unit 1810_1 processes the first reception signal RSIG1 and transmits it to the LNA 1820 as the first RF input signal RFIN1, and the second input unit 1810_2 receives the second reception signal (RSIG1). RSIG2) may be processed and delivered to the LNA 1820. Similarly, the N-th input unit 1810_N may process the N-th reception signal RSIGN and transmit it to the LNA 1820 as the N-th RF input signal RFINN.

LNA(1820)는 RF 입력 신호들(RFIN1~RFINN)을 RF 출력 신호들(RFOUT11~RFOUT(N-1)2)로 증폭한다. 예를 들어, LNA(1820)는 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 제1 RF 출력 신호들(RFOUT11, RFOUT12)로 증폭하고, 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 제2 RF 출력 신호들(RFOUT21, RFOUT22)로 증폭할 수 있다. 마찬가지로, LNA(1820)는 인트라-밴드 CA 모드에서, 제N RF 입력 신호(RFINN)를 제N RF 출력 신호들로 증폭할 수 있다. LNA(1820)는 처리하는 다수의 증폭부들(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, LNA(1820)는 제1 RF 입력 신호(RFIN1) 및 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 처리하기 위한 도 8의 제1 증폭부(820_1) 및 제2 증폭부(820_2)를 포함할 수 있다. LNA(1820)는 다른 RF 입력 신호(예를 들어, 제N RF 입력 신호(RFINN))를 처리하는, 도 8의 제1 증폭부(820_1) 또는 제2 증폭부(820_2)와 동일한 구조로 구현되는 다른 증폭부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 무선 단말(1800)은 LNA(1820)는 도 8 등의 제1 증폭부(820_1) 또는 제2 증폭부(820_2)와 동일한 기능을 수행하는 증폭부들을 포함함으로써, 다양한 모드에 대해서도 하나의 값으로 임피던스 매칭을 수행할 수 있어, 동작 효율을 높일 수 있다. The LNA 1820 amplifies the RF input signals RFIN1 to RFINN into the RF output signals RFOUT11 to RFOUT(N-1)2. For example, the LNA 1820 amplifies the first RF input signal RFIN1 into the first RF output signals RFOUT11 and RFOUT12 in the intra-band CA mode, and outputs the second RF input signal RFIN2 It can be amplified with 2 RF output signals RFOUT21 and RFOUT22. Similarly, the LNA 1820 may amplify the N-th RF input signal RFINN into the N-th RF output signals in the intra-band CA mode. The LNA 1820 may include a plurality of amplification units (not shown) for processing. For example, the LNA 1820 includes the first amplifier 820_1 and the second amplifier 820_2 of FIG. 8 for processing the first RF input signal RFIN1 and the second RF input signal RFIN2. can do. The LNA 1820 is implemented with the same structure as the first amplifier 820_1 or the second amplifier 820_2 of FIG. 8 for processing another RF input signal (eg, the N-th RF input signal RFINN). It may further include another amplifying unit (not shown). In the wireless terminal 1800 according to an embodiment, the LNA 1820 includes amplification units performing the same function as the first amplifying unit 820_1 or the second amplifying unit 820_2 of FIG. Also, impedance matching can be performed with a single value, so that operation efficiency can be increased.

출력부들(1830_1~1830_N)은 LNA (1820)로부터 전달되는 RF 출력 신호들(RFOUT11~RFOUT(N-1)2)을 다운-컨버팅하여 기저대역 신호들(XBAS11~XBAS(N-1)2)로 출력한다. 예를 들어, 인트라-밴드 CA 모드에서, 도 9c에서 설명된 바와 같이, 제1 RF 출력 신호들(RFOUT11, RFOUT12) 중 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)는 제1 출력부(1830_1)에 의해 다운-컨버팅되고, 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS12)는 제2 출력부(1830_2)에 의해 다운-컨버팅 될 수 있다. 또는, 인트라-밴드 CA 모드에서 제2 RF 출력 신호들(RFOUT21, RFOUT22) 중 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제2 기저대역 신호(XBAS21)는 제2 출력부(1830_2)에 의해 다운-컨버팅되고, 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제2 기저대역 신호(XBAS22)는 제1 출력부(1830_1)에 의해 다운-컨버팅 될 수 있다. The output units 1830_1 to 1830_N down-convert the RF output signals RFOUT11 to RFOUT(N-1)2 transmitted from the LNA 1820 to obtain baseband signals XBAS11 to XBAS(N-1)2). output as For example, in the intra-band CA mode, as described in FIG. 9C , the first baseband signal XBAS11 corresponding to the first carrier wave ω1 among the first RF output signals RFOUT11 and RFOUT12 is the first The first baseband signal XBAS12 that is down-converted by the first output unit 1830_1 and corresponding to the second carrier wave ω2 may be down-converted by the second output unit 1830_2 . Alternatively, in the intra-band CA mode, the second baseband signal XBAS21 corresponding to the first carrier wave ω1 among the second RF output signals RFOUT21 and RFOUT22 is down-converted by the second output unit 1830_2. and the second baseband signal XBAS22 corresponding to the second carrier wave ω2 may be down-converted by the first output unit 1830_1 .

이렇듯, 제1 출력부(1830_1)와 제2 출력부(1830_2)는 쌍을 이루어 동작할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 RF 출력 신호들(RFOUT11, RFOUT12) 중 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS11)는 제1 출력부(1830_1)에 의해 다운-컨버팅되고, 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제1 기저대역 신호(XBAS12)는 제2 출력부(1830_2)가 아닌 다른 출력부에 의해 다운-컨버팅 될 수도 있다. 마찬가지로, 제N 출력부(1830_N)는 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제N RF 출력 신호(RFOUTN1) 또는 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제N-1 RF 출력 신호(RFOUT(N-1)2)를 다운-컨버팅할 수 있다. As such, the first output unit 1830_1 and the second output unit 1830_2 may operate in pairs. However, the present invention is not limited thereto. For example, the first baseband signal XBAS11 corresponding to the first carrier wave ω1 among the first RF output signals RFOUT11 and RFOUT12 is down-converted by the first output unit 1830_1, and the second The first baseband signal XBAS12 corresponding to the carrier wave ω2 may be down-converted by an output unit other than the second output unit 1830_2 . Similarly, in the intra-band CA mode, the N-th output unit 1830_N outputs the N-1th RF output signal RFOUTN1 corresponding to the first carrier wave ω1 or the N-1th RF output signal corresponding to the second carrier wave ω2. The signal RFOUT(N-1)2 may be down-converted.

다음으로 도 19를 참조하면, 도 19의 무선 단말(1900)은 도 18과 마찬가지로, 안테나(ATN)를 통해 무선 단말(1900)로 입력되는 수신 신호(RSIG)를 처리하기 위해, 필터(FT), 입력부들(1910_1~1910_M), LNA(1920) 및 출력부들(1930_1~1930_M)을 포함할 수 있다. 다만, 도 19의 무선 단말(1900)은 M개의 반송파가 집적된 수신 신호(RISG)를 처리할 수 있다. 예를 들어, M개의 반송파가 제1 주파수 대역(BA)에 포함되는 경우, 제1 주파수 대역(BA)을 담당하는 제1 입력부(1910_1)에 의해 처리된 제1 RF 입력 신호(RFIN1)는 LNA(1920)의 M개의 증폭기에 의해 각각 증폭되어 M개의 제1 RF 출력 신호(RFOUT11~RFOUT1M)로 출력된다. 그리고, 출력부들(1930_1~1930_M)은 각각, 제1 RF 출력 신호(RFOUT11~RFOUT1M)를 주파수 다운 컨버팅하여 M개의 반송파 중 대응되는 반송파에 대한 M개의 기저 대역 신호(XBAS11~ XBAS1M)를 출력한다. 다른 주파수 대역의 M개의 반송파에 대한 처리도 동일하게 수행될 수 있다. 이해를 돕기 위해, 이하에서는 M이 3인 예에 대하여 보다 자세히 설명한다. Next, referring to FIG. 19 , the wireless terminal 1900 of FIG. 19 processes the received signal RSIG input to the wireless terminal 1900 through the antenna (ATN) as in FIG. 18, a filter (FT) , input units 1910_1 to 1910_M, an LNA 1920, and output units 1930_1 to 1930_M. However, the wireless terminal 1900 of FIG. 19 may process the received signal RISG in which M carriers are integrated. For example, when M carriers are included in the first frequency band BA, the first RF input signal RFIN1 processed by the first input unit 1910_1 in charge of the first frequency band BA is LNA Each of the M amplifiers of 1920 is amplified and output as M first RF output signals RFOUT11 to RFOUT1M. In addition, the output units 1930_1 to 1930_M respectively frequency down-convert the first RF output signals RFOUT11 to RFOUT1M to output M baseband signals XBAS11 to XBAS1M for a corresponding carrier among the M carriers. Processing of M carriers of different frequency bands may be performed in the same manner. For better understanding, an example in which M is 3 will be described in more detail below.

도 20은 다른 실시예에 따른 제1 수신기를 나타내는 도면이다. 도 20을 참조하면, 일 실시예에 따른 제1 수신기(RCV1)는 제1 증폭부(2020)를 포함하고, 제1 증폭부(2020)는 제1 증폭기(2020a), 제1-1 서브 증폭기(2020b) 및 제1-2 서브 증폭기(2020c)를 포함할 수 있다. 제1 증폭기(2020a)는 인트라-밴드 CA 모드에서, 동일한 주파수 대역의 적어도 셋 이상의 반송파에 의해 변조된 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 수신 및 증폭하여, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)로 출력할 수 있다. 도 20에서, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 제1 반송파(ω1), 제2 반송파(ω2) 및 제3 반송파(ω3)의 3개의 반송파에 의해 변조된 예가 도시된다. 제1-1 서브 증폭기(2020b)는, 제1 증폭기(2020a)로부터 인가되는 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여, 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)로 출력할 수 있다. 마찬가지로, 제1-2 서브 증폭기(2020c)는, 제1 증폭기(2020a)로부터 인가되는 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여, 제3 반송파(ω3)에 대응되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT13)로 출력할 수 있다. 20 is a diagram illustrating a first receiver according to another embodiment. Referring to FIG. 20 , a first receiver RCV1 according to an embodiment includes a first amplifier 2020, and the first amplifier 2020 includes a first amplifier 2020a and a 1-1 sub-amplifier. (2020b) and a 1-2-th sub-amplifier 2020c may be included. The first amplifier 2020a receives and amplifies the first RF input signal RFIN1 modulated by at least three or more carriers of the same frequency band in the intra-band CA mode, and amplifies the first RF input signal RFIN1 corresponding to the first carrier wave ω1. 1 It can be output as an RF output signal (RFOUT11). In FIG. 20 , an example in which the first RF input signal RFIN1 is modulated by three carriers of a first carrier wave ω1 , a second carrier wave ω2 and a third carrier wave ω3 is illustrated. The 1-1 sub-amplifier 2020b amplifies the first internal signal XINT1 applied from the first amplifier 2020a and outputs it as a first RF output signal RFOUT12 corresponding to the second carrier wave ω2. can do. Similarly, the 1-2 sub-amplifier 2020c amplifies the first internal signal XINT1 applied from the first amplifier 2020a, and the first RF output signal RFOUT13 corresponding to the third carrier wave ω3 can be output as

도 20의 제1 수신기(RCV1)는 인트라-밴드 CA 모드에서, 동일한 주파수 대역의 적어도 셋 이상의 반송파에 의해 변조된 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 수신 및 증폭함에 있어, 제1-1 서브 증폭기(2020b) 및 제1-2 서브 증폭기(2020c)가 각각, 제1 증폭기(2020a)의 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여 제2 반송파(ω2) 및 제3 반송파(ω3)에 대한 제1 RF 출력 신호들(RFOUT12, RFOUT13)을 생성함으로써, 제1-1 서브 증폭기(2020b) 및 제1-2 서브 증폭기(2020c)가 비활성화 되는 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드, 및 제1-1 서브 증폭기(2020b) 및 제1-2 서브 증폭기(2020c)가 활성화 되는 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 증폭부(2020)의 입력 임피던스가 모두 동일할 수 있다. The first receiver RCV1 of FIG. 20 receives and amplifies the first RF input signal RFIN1 modulated by at least three or more carriers of the same frequency band in the intra-band CA mode, the 1-1 sub-amplifier (2020b) and the 1-2-th sub-amplifier 2020c amplify the first internal signal XINT1 of the first amplifier 2020a, respectively, and respectively, the first for the second carrier wave ω2 and the third carrier wave ω3 By generating the RF output signals RFOUT12 and RFOUT13, the non-CA mode and the inter-band CA mode in which the 1-1 sub-amplifier 2020b and the 1-2-th sub-amplifier 2020c are deactivated, and the 1-th sub-amplifier 2020b In the intra-band CA mode in which the first sub-amplifier 2020b and the 1-2-th sub-amplifier 2020c are activated, the input impedances of the first amplifier 2020 may all be the same.

도 21은 일 실시예에 따른 LNA(Low Noise Amplifier)를 나타내는 도면이다. 도 21을 참조하면, 일 실시예에 따른 LNA는 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하는 제1 증폭부(2010_1), 제2 RF 입력 신호(RFIN2)를 증폭하는 제2 증폭부(2120_2) 및 제3 RF 입력 신호(RFIN3)를 증폭하는 제3 증폭부(2120_3)를 포함할 수 있다. 제1 RF 입력 신호(RFIN1)는 제1 주파수 대역(BA)의 신호이고, 제2 RF 입력 신호(RFIN2)는 제2 주파수 대역(BB)의 신호이며, 제3 RF 입력 신호(RFIN3)는 제3 주파수 대역(미도시)의 신호임을 전제한다. 21 is a diagram illustrating a low noise amplifier (LNA) according to an embodiment. Referring to FIG. 21 , the LNA according to an embodiment includes a first amplifier 2010_1 amplifying a first RF input signal RFIN1 and a second amplifier 2120_2 amplifying a second RF input signal RFIN2. and a third amplifier 2120_3 amplifying the third RF input signal RFIN3. The first RF input signal RFIN1 is a signal of the first frequency band BA, the second RF input signal RFIN2 is a signal of the second frequency band BB, and the third RF input signal RFIN3 is a signal of the first frequency band BA. 3 It is assumed that the signal is of a frequency band (not shown).

제1 증폭부(2120_1)는 제1 증폭기(2120_1a), 제1-1 서브 증폭기(2120_1b) 및 제1-2 서브 증폭기(2120_1c)를 포함할 수 있다. The first amplifier 2120_1 may include a first amplifier 2120_1a, a 1-1 sub-amplifier 2120_1b, and a 1-2-th sub-amplifier 2120_1c.

제1 증폭기(2120_1a)는 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드에서, 각각, 제1 주파수 대역(BA)의 제1 반송파(ω1)로 변조된 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여, 제1 출력 노드(NO1)를 통해, 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 출력할 수 있다. 그리고, 제1 증폭기(2120_1a)는 인트라-밴드 CA 모드에서 각각, 제1 주파수 대역(BA)의 제1 반송파(ω1), 제2 반송파(ω2) 및 제3 반송파(ω3)가 집적된 제1 RF 입력 신호(RFIN1)를 증폭하여, 제1 출력 노드(NO1)를 통해, 제1 주파수 대역(BA)의 제1 반송파(ω1)에 대응되는 제1 RF 출력 신호(RFOUT11)를 출력할 수 있다. 제1 증폭기(2120_1a)는 이를 위해 트랜지스터 CT11 및 CT12를 포함할 수 있고, 트랜지스터 CT11 및 CT12는 도 10의 제1 트랜지스터(CT1) 및 제2 트랜지스터(CT2)와 동일하게 동작할 수 있다. 즉, 트랜지스터 CT11 및 CT12는 함께 캐스코드 증폭기로 동작하고, 트랜지스터 CT12는 트랜지스터 CT11보다 크게 구현될 수 있다. 또한, 트랜지스터 CT11은 모드 신호(XMOD)가 논리 하이(H)로 인가되는 때에, 제1 RF 입력 신호(RFIN1)가 게이트로 인가되고, 트랜지스터 CT12는 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가된다. The first amplifier 2120_1a amplifies the first RF input signal RFIN1 modulated with the first carrier wave ω1 of the first frequency band BA, respectively, in the non-CA mode and the inter-band CA mode, The first RF output signal RFOUT11 corresponding to the first carrier wave ω1 may be output through the first output node NO1 . And, in the intra-band CA mode, the first amplifier 2120_1a is a first carrier wave (ω1), a second carrier wave (ω2), and a third carrier wave (ω3) of the first frequency band (BA) are integrated, respectively. The RF input signal RFIN1 may be amplified and the first RF output signal RFOUT11 corresponding to the first carrier wave ω1 of the first frequency band BA may be output through the first output node NO1 . . The first amplifier 2120_1a may include transistors CT11 and CT12 for this purpose, and the transistors CT11 and CT12 may operate in the same manner as the first transistor CT1 and the second transistor CT2 of FIG. 10 . That is, the transistors CT11 and CT12 together operate as a cascode amplifier, and the transistor CT12 can be implemented to be larger than the transistor CT11. In addition, when the mode signal XMOD is applied as a logic high (H) to the transistor CT11, the first RF input signal RFIN1 is applied to the gate, and the mode signal XMOD is applied to the gate of the transistor CT12.

제1-1 서브 증폭기(2120_1b)는 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드에서 비활성화 되고, 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 증폭기(2010_1a)의 노드 ND11의 노드 전압인 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여, 제2 출력 노드(NO2)를 통해, 제1 주파수 대역(BA)의 제2 반송파(ω2)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT12)를 출력할 수 있다. 제1-1 서브 증폭기(2120_1b)는 이를 위해 트랜지스터 CT13 및 CT14를 포함할 수 있고, 트랜지스터 CT13 및 CT14는 도 10의 제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)와 동일하게 동할 수 있다. 트랜지스터 CT13 및 CT14는 함께 캐스코드 증폭기로 동작하고, 트랜지스터 CT13은 제1 내부 신호(XINT1)가 게이트로 인가되고, 트랜지스터 CT14는 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가된다.The 1-1 sub amplifier 2120_1b is deactivated in the non-CA mode and the inter-band CA mode, and in the intra-band CA mode, the first internal signal XINT1 that is the node voltage of the node ND11 of the first amplifier 2010_1a ) may be amplified to output the first RF output signal RFOUT12 for the second carrier wave ω2 of the first frequency band BA through the second output node NO2 . For this purpose, the 1-1 sub-amplifier 2120_1b may include transistors CT13 and CT14, and the transistors CT13 and CT14 may be identical to the third transistor CT3 and the fourth transistor CT4 of FIG. 10 . The transistors CT13 and CT14 together operate as a cascode amplifier, the transistor CT13 receives the first internal signal XINT1 as a gate, and the transistor CT14 receives the mode signal XMOD as a gate.

제1-2 서브 증폭기(2120_1c)는 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드에서 비활성화 되고, 인트라-밴드 CA 모드에서, 제1 증폭기(2120_1a)의 노드 ND11의 노드 전압인 제1 내부 신호(XINT1)를 증폭하여, 제3 출력 노드(NO3)를 통해, 제1 주파수 대역(BA)의 제3 반송파(ω3)에 대한 제1 RF 출력 신호(RFOUT13)를 출력할 수 있다. 제1-2 서브 증폭기(2120_1c)는 이를 위해 트랜지스터 CT15 및 CT16을 포함할 수 있고, 트랜지스터 CT13 및 CT14는 도 10의 제3 트랜지스터(CT3) 및 제4 트랜지스터(CT4)와 동일하게 동작할 수 있다. 트랜지스터 CT15 및 CT16은 함께 캐스코드 증폭기로 동작하고, 트랜지스터 CT15은 제1 내부 신호(XINT1)가 게이트로 인가되고, 트랜지스터 CT16은 모드 신호(XMOD)가 게이트로 인가된다. 다만, 트랜지스터 CT16의 일 단은 제3 출력 노드(NO3)와 연결될 수 있다. The 1-2th sub-amplifier 2120_1c is deactivated in the non-CA mode and the inter-band CA mode, and in the intra-band CA mode, the first internal signal XINT1 that is the node voltage of the node ND11 of the first amplifier 2120_1a ) may be amplified to output the first RF output signal RFOUT13 for the third carrier wave ω3 of the first frequency band BA through the third output node NO3 . For this purpose, the 1-2 th sub-amplifier 2120_1c may include transistors CT15 and CT16, and the transistors CT13 and CT14 may operate in the same manner as the third transistor CT3 and the fourth transistor CT4 of FIG. 10 . . The transistors CT15 and CT16 together operate as a cascode amplifier, the transistor CT15 receives the first internal signal XINT1 as a gate, and the transistor CT16 receives the mode signal XMOD as a gate. However, one end of the transistor CT16 may be connected to the third output node NO3.

제2 증폭부(2120_2) 및 제3 증폭부(2120_3)는 제1 증폭부(2120_1)와 유사하게 구현될 수 있다. 즉, 제2 증폭부(2120_2)는 제2 증폭기(2120_2a), 제2-1 서브 증폭기(2120_2b) 및 제2-2 서브 증폭기(2120_2c)를 포함할 수 있고, 제3 증폭부(2120_3)는 제3 증폭기(2120_3a), 제3-1 서브 증폭기(2120_3b) 및 제3-2 서브 증폭기(2120_3c)를 포함할 수 있다. 제2-1 서브 증폭기(2120_2b) 및 제2-2 서브 증폭기(2120_2c), 그리고 제3-1 서브 증폭기(2120_3b) 및 제3-2 서브 증폭기(2120_3c)는 각각, 비-CA 모드 및 인터-밴드 CA 모드에서 비활성화 될 수 있다. The second amplifying unit 2120_2 and the third amplifying unit 2120_3 may be implemented similarly to the first amplifying unit 2120_1 . That is, the second amplifier 2120_2 may include a second amplifier 2120_2a, a 2-1 sub-amplifier 2120_2b, and a 2-2 sub-amplifier 2120_2c, and the third amplifier 2120_3 may It may include a third amplifier 2120_3a, a 3-1 th sub-amplifier 2120_3b, and a 3-2 th sub-amplifier 2120_3c. The 2-1 th sub-amplifier 2120_2b and the 2-2 th sub-amplifier 2120_2c, and the 3-1 th sub-amplifier 2120_3b and the 3-2 th sub-amplifier 2120_3c are respectively non-CA mode and inter- Can be deactivated in band CA mode.

제2 증폭기(2120_2a)는 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드에서 각각, 제2 출력 노드(NO2)를 통해, 제2 주파수 대역(BB)의 제2 반송파(ω2)에 대응되는 제2 RF 출력 신호(RFOUT22)를 출력할 수 있다. 제2 증폭기(2120_2a)는 트랜지스터 CT21 및 CT22를 포함할 수 있다. 인트라-밴드 CA 모드에서, 제2-1 서브 증폭기(2120_2b) 및 제2-2 서브 증폭기(2120_2c)는 각각, 제2 증폭기(2120_2a)의 노드 ND21의 노드 전압인 제2 내부 신호(XINT2)를 증폭한다. 제2-1 서브 증폭기(2120_2b)는 증폭된 제2 내부 신호(XINT2)를 제1 출력 노드(NO1)를 통해, 제2 주파수 대역(BB)에 포함되는 제1 반송파(ω1)에 대한 제2 RF 출력 신호(RFOUT21)로 출력한다. 제2-2 서브 증폭기(2120_2c)는 증폭된 제2 내부 신호(XINT2)를 제3 출력 노드(NO3)를 통해, 제2 주파수 대역(BB)에 포함되는 제3 반송파(ω3)에 대한 제2 RF 출력 신호(RFOUT23)로 출력한다. The second amplifier 2120_2a has a second carrier wave ω2 of the second frequency band BB through the second output node NO2 in the non-CA mode, the inter-band CA mode, and the intra-band CA mode, respectively. A second RF output signal RFOUT22 corresponding to may be output. The second amplifier 2120_2a may include transistors CT21 and CT22. In the intra-band CA mode, the 2-1 th sub-amplifier 2120_2b and the 2-2 th sub-amplifier 2120_2c receive the second internal signal XINT2 that is the node voltage of the node ND21 of the second amplifier 2120_2a, respectively. amplify The 2-1-th sub-amplifier 2120_2b transmits the amplified second internal signal XINT2 to the first carrier wave ω1 included in the second frequency band BB through the first output node NO1. It is output as an RF output signal RFOUT21. The 2-2 sub-amplifier 2120_2c transmits the amplified second internal signal XINT2 to the third carrier wave ω3 included in the second frequency band BB through the third output node NO3. It is output as an RF output signal (RFOUT23).

제3 증폭기(2120_3a)는 비-CA 모드, 인터-밴드 CA 모드 및 인트라-밴드 CA 모드에서 각각, 제3 출력 노드(NO2)를 통해, 제3 주파수 대역(미도시)의 제3 반송파(ω3)에 대응되는 제3 RF 출력 신호(RFOUT33)를 출력할 수 있다. 제3 증폭기(2120_3a)는 트랜지스터 CT31 및 CT32를 포함할 수 있다. 인트라-밴드 CA 모드에서, 제3-1 서브 증폭기(2120_3b) 및 제3-2 서브 증폭기(2120_3c)는 각각, 제3 증폭기(2120_3a)의 노드 ND31의 노드 전압인 제3 내부 신호(XINT3)를 증폭한다. 제3-1 서브 증폭기(2120_3b)는 증폭된 제3 내부 신호(XINT3)를 제1 출력 노드(NO1)를 통해, 제3 주파수 대역(미도시)에 포함되는 제1 반송파(ω1)에 대한 제3 RF 출력 신호(RFOUT31)로 출력한다. 제3-2 서브 증폭기(2120_3c)는 증폭된 제3 내부 신호(XINT3)를 제2 출력 노드(NO2)를 통해, 제3 주파수 대역(미도시)에 포함되는 제2 반송파(ω2)에 대한 제3 RF 출력 신호(RFOUT32)로 출력한다. The third amplifier 2120_3a has a third carrier wave ω3 of a third frequency band (not shown) through the third output node NO2 in the non-CA mode, the inter-band CA mode, and the intra-band CA mode, respectively. ) corresponding to the third RF output signal RFOUT33 may be output. The third amplifier 2120_3a may include transistors CT31 and CT32. In the intra-band CA mode, the 3-1 th sub-amplifier 2120_3b and the 3-2 th sub-amplifier 2120_3c receive the third internal signal XINT3 that is the node voltage of the node ND31 of the third amplifier 2120_3a, respectively. amplify The 3-1 sub-amplifier 2120_3b transmits the amplified third internal signal XINT3 to the first carrier wave ω1 included in the third frequency band (not shown) through the first output node NO1. 3 Outputs the RF output signal (RFOUT31). The 3-2 sub-amplifier 2120_3c transmits the amplified third internal signal XINT3 through the second output node NO2 to the second carrier wave ω2 included in the third frequency band (not shown). 3 Outputs the RF output signal (RFOUT32).

도 21의 트랜지스터 CT11, CT13, CT15, CT21, CT23, CT25, CT31, CT33 및 CT35의 게이트에는 각각, 게이트 바이어싱을 위한 커패시터가 연결된다. 도 21에 도시하지는 아니하였으나, 도 21의 트랜지스터 CT11, CT13, CT15, CT21, CT23, CT25, CT31, CT33 및 CT35의 게이트에는 도 10 등과 마찬가지로 모드 신호(XMOD)가 인가될 수 있다. A capacitor for gate biasing is connected to the gates of the transistors CT11, CT13, CT15, CT21, CT23, CT25, CT31, CT33, and CT35 of FIG. 21 , respectively. Although not shown in FIG. 21 , the mode signal XMOD may be applied to the gates of the transistors CT11, CT13, CT15, CT21, CT23, CT25, CT31, CT33, and CT35 of FIG. 21 as in FIG. 10 .

이렇듯, 일 실시예에 따른 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 의하면, 다중 반송파가 각각 상이한 주파수 대역에 포함되는 경우, 각각의 반송파를 포함하는 RF 입력 신호를 수신하는 하는 증폭기들을 통해 RF 출력 신호를 출력하고, 다중 반송파가 동일한 주파수 대역에 포함되는 경우 하나의 반송파에 대한 RF 출력 신호는 해당 반송파를 포함하는 RF 입력 신호를 수신하는 증폭기를 통해 출력하는 한편, 다른 반송파에 대한 RF 출력 신호는 증폭기로부터 인가되는 신호를 처리하는 서브 증폭기를 통해 출력함으로써, 다중 반송파가 서로 상이한 주파수 대역에 포함되거나 동일한 주파수 대역에 포함되는지 무관하게, 수신기의 입력 임피던스가 동일할 수 있다. 이에 따라, 각각의 동작 모드(mode)에 따라 임피던스 매칭을 달리함으로써 야기될 수 있는 손실을 방지할 수 있다. 그리고, 이에 따라, 잡음 특성 또는 이득 특성이 저하되지 아니함으로써, 수신기 또는 수신기를 포함하는 무선 단말의 전력 소모를 줄일 수 있고, 정확하게 수신된 신호를 처리할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 의하면, 하나의 증폭기의 전압 이득에 의해 증폭된 신호를 다른 증폭기에 전달하여, 동일한 주파수 대역의 다중 반송파로 변조된 RF 반송파 신호를 증폭함으로써, 전력 소모를 줄일 수 있고, 잡음 특성 또는 이득 특성을 유지할 수 있다. 따라서, 무선 단말에서의 신호 수신 감도가 향상되고, 무선 단말의 신뢰성이 향상될 수 있다. 따라서, 일 실시예에 따른 수신기, 무선 단말 및 무선 단말의 동작 방법에 의하면, 효율적으로 수신된 신호를 처리할 수 있다. As such, according to the method of operation of the receiver, the wireless terminal and the wireless terminal according to an embodiment, when multiple carriers are included in different frequency bands, RF output through amplifiers for receiving an RF input signal including each carrier When outputting a signal and multiple carriers are included in the same frequency band, the RF output signal for one carrier is output through an amplifier that receives the RF input signal including the corresponding carrier, while the RF output signal for the other carrier is By outputting the signal through the sub-amplifier that processes the signal applied from the amplifier, the input impedance of the receiver may be the same regardless of whether the multi-carriers are included in different frequency bands or are included in the same frequency band. Accordingly, it is possible to prevent loss that may be caused by varying impedance matching according to each operation mode. Accordingly, since the noise characteristic or the gain characteristic is not deteriorated, power consumption of a receiver or a wireless terminal including the receiver can be reduced, and a received signal can be accurately processed. In addition, according to the operating method of the receiver, the wireless terminal, and the wireless terminal according to an embodiment, the signal amplified by the voltage gain of one amplifier is transferred to the other amplifier, and the RF carrier signal is modulated to a multi-carrier of the same frequency band. By amplifying , power consumption can be reduced and noise characteristics or gain characteristics can be maintained. Accordingly, signal reception sensitivity in the wireless terminal can be improved, and reliability of the wireless terminal can be improved. Accordingly, according to the receiver, the wireless terminal, and the operation method of the wireless terminal according to an embodiment, it is possible to efficiently process a received signal.

도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 컴퓨팅 시스템(computing system)을 나타내는 도면이다. 도 22을 참조하면, 무선 기기(mobile device), 데스크탑 컴퓨터(desktop computer) 또는 서버(server)와 같은 컴퓨팅 시스템(2200)에서 시스템 온 칩(2210), 메모리 장치(2220), 입출력 장치(2230) 및 디스플레이 장치(2240)을 더 포함할 수 있으며, 이들 구성요소들은 각각 버스(2250)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 22의 입출력 장치(2230)는 전술된 도 1의 제1 수신기(RCV1)를 포함할 수 있다. 22 is a diagram illustrating a computing system according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 22 , a system on chip 2210 , a memory device 2220 , and an input/output device 2230 in a computing system 2200 such as a wireless device, a desktop computer, or a server. and a display device 2240 , each of which may be electrically connected to the bus 2250 . The input/output device 2230 of FIG. 22 may include the above-described first receiver RCV1 of FIG. 1 .

도 23은 일 실시예에 따른 무선 단말을 나타내는 도면이다. 도 23을 참조하면, 무선 단말(2300)은 시스템 온 칩으로 구현되는 어플리케이션 프로세서(2310), 커뮤니케이션 프로세서(2320), 카메라(2330), 디스플레이(2340), 커뮤니케이션 RF(communication Radio Frequency, 2350) 및 메모리들(2360, 2370)을 포함할 수 있다. 무선 단말(2300)에서 어플리케이션 프로세서(2310)에 의해 어플리케이션(application)이 실행될 수 있다. 예를 들어, 카메라(2330)를 통해 영상이 촬영되면, 어플리케이션 프로세서(2310)는 촬영된 영상을 제2 메모리(2370)에 저장하고, 디스플레이(2340)에 디스플레이할 수 있다. 촬영된 영상은 커뮤니케이션 프로세서(2320)의 제어에 따라 커뮤니케이션 RF(2350)를 통해 외부로 전송될 수 있다. 이때, 커뮤니케이션 프로세서(2320)는 영상을 전송하기 위해 임시적으로 영상을 제1 메모리(2360)에 저장할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(2320)는 그 밖에, 통화, 데이터 송수신을 위한 통신을 제어할 수 있다. 커뮤니케이션 RF(2350)는 전술된 도 1의 제1 수신기(RCV1)를 포함할 수 있다. 23 is a diagram illustrating a wireless terminal according to an embodiment. Referring to FIG. 23 , the wireless terminal 2300 includes an application processor 2310 , a communication processor 2320 , a camera 2330 , a display 2340 , a communication radio frequency (RF) 2350 implemented as a system-on-chip, and may include memories 2360 and 2370 . An application may be executed by the application processor 2310 in the wireless terminal 2300 . For example, when an image is captured through the camera 2330 , the application processor 2310 may store the captured image in the second memory 2370 and display it on the display 2340 . The captured image may be transmitted to the outside through the communication RF 2350 under the control of the communication processor 2320 . In this case, the communication processor 2320 may temporarily store the image in the first memory 2360 to transmit the image. In addition, the communication processor 2320 may control communication for communication and data transmission/reception. The communication RF 2350 may include the above-described first receiver RCV1 of FIG. 1 .

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 게시되었다. 여기서 설정한 용어들이었으나, 이는 단지 실시예들을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 예를 들어, 이상에서는 무선 네크워크가 LTE-A인 예를 중심으로 기술되었으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 다른 CDMA(Code Division Multiple Access), GSM(Global System M), WLAN(Wireless LAN) 등 다양한 무선 네크워크에 대하여도 일 실시예에 따른 수신기 및 무선 단말이 동작할 수 있다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 각 실시예에 의한 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the best embodiment has been published in the drawings and the specification. Although the terms set here, these are used only for the purpose of describing the embodiments, and are not used to limit the meaning or the scope described in the claims. For example, in the above, the wireless network has been described mainly for the example in which the wireless network is LTE-A, but is not limited thereto, and various wireless networks such as other CDMA (Code Division Multiple Access), GSM (Global System M), WLAN (Wireless LAN), etc. A receiver and a wireless terminal according to an embodiment may operate on a network as well. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. The true technical protection scope according to each embodiment should be determined by the technical spirit of the appended claims.

RCV1: 제1 수신기
12: 제1 증폭부
12a: 제1 증폭기
12b: 제1 서브 증폭기
RFIN: 제1 RF 입력 신호
XINT1: 제1 내부 신호
RFOUT11: 제1 반송파에 대한 제1 RF 출력 신호
RFOUT12: 제2 반송파에 대한 제1 RF 출력 신호
ω1: 제1 반송파
ω2: 제2 반송파RCV1: first receiver
12: first amplification unit
12a: first amplifier
12b: first sub amplifier
RFIN: first RF input signal
XINT1: first internal signal
RFOUT11: first RF output signal for the first carrier wave
RFOUT12: first RF output signal to the second carrier
ω1: first carrier
ω2: second carrier

Claims

a first amplifier that receives and amplifies a first RF input signal and outputs an RF output signal corresponding to a first carrier wave included in a first frequency band; and
When a mode signal indicates the first mode, the first internal signal is received from the first amplifier, amplified, and outputted as an RF output signal corresponding to a second carrier wave included in the first frequency band. 1 Receiver including a sub amplifier.

According to claim 1,
The first mode is
The first RF input signal is an intra-band CA mode (Intra-Band Carrier Aggregation mode) in which the first carrier and the second carrier included in the first frequency band are integrated.

According to claim 1,
The first internal signal is
wherein the first RF input signal is a signal amplified by a first gain.

According to claim 1,
The first amplifier and the first sub-amplifier are included in a first amplifier,
The input impedance of the first amplification unit is,
The same receiver in the first mode and in a second mode different from the first mode.

According to claim 1,
The first amplifier,
a first transistor connected between a first node and a second node to which the first RF input signal is applied to a gate; and
a second second transistor smaller than the first transistor, having a source connected to a drain of the first transistor at the first node, a drain connected to a first output node, and to which the mode signal is applied to a gate comprising a transistor;
The first sub-amplifier,
a third transistor connected between a third node and a fourth node and to which the first internal signal is applied to a gate from the first node; and
and a fourth transistor having a source connected to a drain of the third transistor at the third node, a drain connected to a second output node, and a gate to which the mode signal is applied.

6. The method of claim 5,
The first amplifier,
Further comprising a source degeneration inductor (source degeneration inductor) connected between the second node and the ground terminal,
The first sub-amplifier,
The receiver further comprising a serial feedback resistor connected between the fourth node and the ground terminal.

6. The method of claim 5,
The first amplifier,
Operates as a cascode amplifier (cascode amplifier) including the first transistor and the second transistor,
The first sub-amplifier,
A receiver operating as a cascode amplifier including the third transistor and the fourth transistor.

According to claim 1,
The receiver is
a first output circuit for down-converting and outputting the RF output signal amplified by the first amplifier to a baseband corresponding to the first carrier; and
and a second output circuit for down-converting and outputting the RF output signal amplified by the first sub-amplifier to a baseband corresponding to the second carrier wave.

According to claim 1,
a second amplifier for receiving and amplifying the second RF input signal and outputting it as an RF output signal corresponding to a third carrier wave included in a second frequency band; and
In the first mode, the receiver further includes a second sub-amplifier for receiving and amplifying a second internal signal from the second amplifier and outputting an RF output signal corresponding to a fourth carrier wave included in the second frequency band. .

10. The method of claim 9,
The receiver is
a first output unit for down-converting and outputting a selected signal among the RF output signals amplified by the first amplifier and the second sub-amplifier to a baseband; and
and a second output unit for down-converting and outputting a selected signal among the RF output signals amplified by the second amplifier and the first sub-amplifier to a baseband.

a first input unit for performing impedance matching on a first received signal in which the received signal is filtered to a first frequency band and outputting it as a first RF input signal;
In an intra-band CA mode (Intra-Band Carrier Aggregation mode), the first RF input signal is amplified to output a first RF output signal corresponding to a first carrier included in the first frequency band, and the first a first amplifier for amplifying a first internal signal generated from an RF input signal and outputting a second RF output signal corresponding to a second carrier included in the first frequency band; and
and a first output unit for down-converting the first RF output signal to baseband.

12. The method of claim 11,
The wireless terminal,
a second input unit for performing impedance matching on a second received signal in which the received signal is filtered to a second frequency band and outputting it as a second RF input signal;
In the intra-band CA mode, the second RF input signal is amplified to output a third RF output signal corresponding to a third carrier wave included in the second frequency band, and the second RF input signal generated from the second RF input signal is output. 2 a second amplifier for amplifying an internal signal and outputting a fourth RF output signal corresponding to a fourth carrier included in the second frequency band; and
The wireless terminal further comprising a second receiver, comprising a second output for down-converting the third RF output signal to baseband.

13. The method of claim 12,
In an inter-band CA mode in which the received signal is modulated and received by the first carrier of the first frequency band and the third carrier of the second frequency band,
The first amplifying unit amplifies the first RF input signal to the first RF output signal corresponding to the first carrier,
The second amplifier may be configured to amplify the second RF input signal into the third RF output signal corresponding to the third carrier wave.

13. The method of claim 12,
In the intra-band CA mode in which the received signal is modulated and received by the first carrier and the second carrier of the first frequency band,
The first internal signal is a wireless terminal generated by amplifying the first RF input signal with a first gain.

15. The method of claim 14,
The first amplification unit,
a first amplifier, and a first sub-amplifier activated in the intra-band CA mode;
The first amplifier,
a first transistor connected between a first node and a second node to which the first RF input signal is applied to a gate; and
a second transistor having a source connected to a drain of the first transistor at the first node and outputting the first RF output signal corresponding to the first carrier to a first output node do,
The first sub-amplifier,
a third transistor connected between a third node and a fourth node and to which the first internal signal is applied to a gate from the first node; and
a fourth transistor having a source connected to a drain of the third transistor at the third node and a drain connected to a second output node to output the second RF output signal corresponding to the second carrier wave wireless terminal.

16. The method of claim 15,
the first RF output signal output from the second transistor is down-converted by the first output unit;
The second RF output signal output from the fourth transistor is down-converted by the second output unit.

a first receiver comprising a first input unit, a first amplifier unit, and a first output unit; and
a second receiver including a second output;
The first input unit performs impedance matching on the first received signal in which the received signal is filtered to a first frequency band and outputs it as a first RF input signal (Radio Frequency input signal),
The first amplifier may amplify the first RF input signal to generate at least one first RF output signal,
in the intra-band CA mode, the at least one first RF output signal comprises a first RF signal and a second RF signal, the first amplifier providing the first RF signal to the first output; and providing the second RF signal to the second output unit.

18. The method of claim 17,
the first RF signal is down-converted at the first output;
The second RF signal is down-converted at the second output unit.

18. The method of claim 17,
The second receiver,
a second input unit for performing impedance matching on a second received signal in which the received signal is filtered to a second frequency band and outputting it as a second RF input signal; and
The wireless terminal of claim 1, further comprising: a second amplifier configured to amplify the second RF input signal to generate at least one second RF output signal.

20. The method of claim 19,
In the intra-band CA mode,
The at least one second RF output signal includes a third RF signal and a fourth RF signal, the second amplifying unit provides the third RF signal to the second output unit, and provides the fourth RF signal to the second output unit. provided to the first output,
the third RF signal is down-converted at the second output;
The fourth RF signal is down-converted at the first output unit.