KR102373855B1 - Radiation-sensitive resin composition, insulating film and manufacturing method therefor, and organic el element - Google Patents

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Abstract

(과제) 폴리이미드계 중합체를 포함하는 감방사선성 수지 조성물에 있어서, 용제로서 N-메틸-2-피롤리돈 이외의 다른 용제를 사용한 감방사선성 수지 조성물을 제공한다.
(해결 수단) (A) 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 및, 상기 폴리이미드의 전구체로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체와, (B) 감방사선성 산발생제와, (G1) 식 (G1-1)로 나타나는 화합물 및, 식 (G1-2)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 함유하는 감방사선성 수지 조성물:

Figure 112015042277024-pat00027

[식 (A1) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이고, X는 4가의 유기기임];
Figure 112015042277024-pat00028

[식 (G1-1) 중, RG1은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄화수소기 등이고, RG2는 카보닐기 등이고, RG3은 수소 원자, 탄화수소기이고, RG4는 알킬기, 알콕시알킬기이고; 식 (G1-2) 중, XG1은 C-H, 질소 원자이고, 적어도 1개의 XG1은 질소 원자이고, XG2는 수소 원자, 탄화수소기, 알콕시알킬기임].(Project) To provide a radiation-sensitive resin composition containing a polyimide-based polymer, wherein a solvent other than N-methyl-2-pyrrolidone is used as the solvent.
(Solution means) (A) Polyimide having a structural unit represented by Formula (A1), and at least one polymer selected from precursors of the polyimide, (B) a radiation-sensitive acid generator, (G1) The radiation-sensitive resin composition containing the compound represented by Formula (G1-1), and the at least 1 sort(s) of solvent chosen from the compound represented by Formula (G1-2):
Figure 112015042277024-pat00027

[in formula (A1), R 1 is a divalent group having a hydroxyl group, and X is a tetravalent organic group];
Figure 112015042277024-pat00028

[In formula (G1-1), R G1 is each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group, etc., R G2 is a carbonyl group or the like, R G3 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R G4 is an alkyl group or an alkoxyalkyl group; In formula (G1-2), X G1 is CH, a nitrogen atom, at least one X G1 is a nitrogen atom, and X G2 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group, or an alkoxyalkyl group].

Description

감방사선성 수지 조성물, 절연막 및 그의 제조 방법, 그리고 유기 EL 소자 {RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INSULATING FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ORGANIC EL ELEMENT}Radiation-sensitive resin composition, insulating film, manufacturing method thereof, and organic EL element

본 발명은, 감방사선성 수지 조성물, 절연막 및 그의 제조 방법, 그리고 유기 EL 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 유기 EL 소자용의 절연막을 형성하는 경우에 적합하게 이용되는, 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, an insulating film, a method for manufacturing the same, and an organic EL device. In more detail, it is related with the radiation-sensitive resin composition used suitably when forming the insulating film for organic electroluminescent elements.

플랫 패널 디스플레이로서, 비(非)발광형인 액정 디스플레이(LCD)가 보급되고 있다. 또한, 최근에는 자발광형 디스플레이인 전계 발광 디스플레이(ELD)가 알려져 있다. 특히 유기 화합물에 의한 전계 발광을 이용한 유기 일렉트로루미네센스(EL) 소자는, 디스플레이에 설치되는 발광 소자 외, 차세대의 조명 장치에 설치되는 발광 소자로서도 기대되고 있다.As a flat panel display, a liquid crystal display (LCD) of a non-light emitting type is prevalent. Moreover, in recent years, the electroluminescent display (ELD) which is a self-luminous display is known. In particular, organic electroluminescence (EL) elements using electroluminescence with organic compounds are expected not only as light-emitting elements provided in displays, but also light-emitting elements provided in next-generation lighting devices.

예를 들면 유기 EL 표시 또는 조명 장치는, 평탄화막, 화소(발광 소자)를 구획하는 격벽 등의 절연막을 갖고 있다. 이러한 절연막은, 일반적으로 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 및 2 참조).For example, an organic EL display or lighting device has an insulating film such as a planarization film and a barrier rib that partitions a pixel (light emitting element). Such an insulating film is generally formed using a radiation-sensitive resin composition (for example, refer patent documents 1 and 2).

일본공개특허공보 2011-107476호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-107476 일본공개특허공보 2010-237310호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-237310

종래의 유기 EL용 절연막의 형성에 사용되는 감방사선성 수지 조성물에서는, 중합체로서 폴리이미드계 중합체를 사용하는 경우, 폴리이미드계 중합체의 용해성의 관점에서, 용제로서 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 사용하는 경우가 많다. 그러나, NMP는 생체로의 영향이 우려되는 점에서, 다른 용제를 사용한 감방사선성 수지 조성물이 바람직하다.In the conventional radiation-sensitive resin composition used for forming an insulating film for organic EL, when a polyimide-based polymer is used as a polymer, from the viewpoint of solubility of the polyimide-based polymer, N-methyl-2-pyrrolidone as a solvent (NMP) is often used. However, the radiation-sensitive resin composition using another solvent is preferable at the point that NMP is concerned about the influence on a living body.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 행했다. 그러나, NMP 이외의 용제인, 예를 들면 γ-부티로락톤 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용한 경우, 도막에 줄무늬 형상의 도포 불균일이 발생하거나, 도막 상에 폴리이미드계 중합체가 석출되어 형성된 이물이 발생하거나, 감도 및 해상도 등이 저하되거나 하는 등의 문제가 발생하는 것이 판명되었다. 이 점에 대해서 더욱 검토한 결과, 이하의 구성을 채용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은, 예를 들면 이하의 [1]∼[12]에 관한 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors earnestly examined in order to solve the said subject. However, when solvents other than NMP, such as γ-butyrolactone and propylene glycol monomethyl ether acetate, are used, striped coating unevenness occurs on the coating film, or foreign substances formed by precipitation of a polyimide-based polymer on the coating film It became clear that problems, such as this generation|occurrence|production, a sensitivity, a resolution, etc. falling, arise. As a result of further examining this point, it discovered that the said subject could be solved by employ|adopting the following structures, and came to complete this invention. The present invention relates to, for example, the following [1] to [12].

[1] (A) 후술하는 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 및, 상기 폴리이미드의 전구체로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체와, (B) 감방사선성 산발생제와, (G1) 후술하는 식 (G1-1)로 나타나는 화합물 및, 후술하는 식 (G1-2)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 함유하는 감방사선성 수지 조성물.[1] (A) at least one polymer selected from a polyimide having a structural unit represented by formula (A1) to be described later and a precursor of the polyimide, (B) a radiation-sensitive acid generator, (G1 ) The radiation-sensitive resin composition containing the at least 1 sort(s) of solvent chosen from the compound represented by Formula (G1-1) mentioned later, and the compound represented by Formula (G1-2) mentioned later.

[2] 식 (A1)에 있어서의 R1이, 후술하는 식 (a1)로 나타나는 2가의 기인 상기 [1]에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[2] The radiation-sensitive resin composition according to [1], wherein R 1 in the formula (A1) is a divalent group represented by the formula (a1) described later.

[3] 상기 용제 (G1)이, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-헥실옥시-N,N-디메틸프로판아미드, 이소프로폭시-N-이소프로필-프로피온아미드, n-부톡시-N-이소프로필-프로피온아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, N-(n-프로필)-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-(n-부틸)-2-피롤리돈, N-(t-부틸)-2-피롤리돈, N-(n-펜틸)-2-피롤리돈, N-메톡시프로필-2-피롤리돈, N-에톡시에틸-2-피롤리돈 및 N-메톡시부틸-2-피롤리돈으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[3] The solvent (G1) is N,N,2-trimethylpropionamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-hexylox Cy-N,N-dimethylpropanamide, isopropoxy-N-isopropyl-propionamide, n-butoxy-N-isopropyl-propionamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N- Ethyl-2-pyrrolidone, N-(n-propyl)-2-pyrrolidone, N-isopropyl-2-pyrrolidone, N-(n-butyl)-2-pyrrolidone, N-( t-Butyl)-2-pyrrolidone, N-(n-pentyl)-2-pyrrolidone, N-methoxypropyl-2-pyrrolidone, N-ethoxyethyl-2-pyrrolidone and N The radiation-sensitive resin composition according to the above [1] or [2], comprising at least one solvent selected from -methoxybutyl-2-pyrrolidone.

[4] (G2) 글리콜계 용제를 추가로 함유하는 상기 [1]∼[3] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[4] (G2) The radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [3], further comprising a glycol solvent.

[5] 글리콜계 용제 (G2)가, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트 및, 트리에틸렌글리콜디알킬에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 상기 [1]∼[4] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[5] The glycol-based solvent (G2) is diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl According to any one of [1] to [4] above, comprising at least one solvent selected from ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether propionate, and triethylene glycol dialkyl ether. A radiation-sensitive resin composition.

[6] (C) 노볼락 수지를 추가로 함유하는 상기 [1]∼[5] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[6] The radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [5], further comprising (C) a novolak resin.

[7] 노볼락 수지 (C)가, 페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족기를 갖는 구조 단위를 포함하는 수지인 상기 [1]∼[6] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[7] The radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the novolak resin (C) is a resin comprising a structural unit having a condensed polycyclic aromatic group having a phenolic hydroxyl group.

[8] 노볼락 수지 (C)가, 후술하는 식 (C2-1)로 나타나는 구조 단위 및 후술하는 식 (C2-2)로 나타나는 구조 단위로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 수지인 상기 [1]∼[7] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물.[8] The above [1] wherein the novolak resin (C) is a resin having at least one selected from a structural unit represented by the formula (C2-1) to be described later and a structural unit represented by the formula (C2-2) to be described later. The radiation-sensitive resin composition according to any one of to [7].

[9] (D) 가교제를 추가로 함유하는 상기 [1]∼[8] 중 어느 1항에 기개된 감방사선성 수지 조성물.[9] The radiation-sensitive resin composition according to any one of the above [1] to [8], further comprising (D) a crosslinking agent.

[10] 상기 [1]∼[9] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는, 유기 EL 소자용 절연막.[10] An insulating film for an organic EL device formed from the radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [9].

[11] 상기 [1]∼[9] 중 어느 1항에 기재된 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, 상기 현상된 도막을 가열하는 공정을 갖는, 유기 EL 소자용 절연막의 제조 방법.[11] A step of forming a coating film on a substrate using the radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [9] above, a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation, and the irradiation of the radiation A method for manufacturing an insulating film for an organic EL device, comprising a step of developing the developed coating film and a step of heating the developed coating film.

[12] 상기 [10]에 기재된 절연막을 구비하는 유기 EL 소자.[12] An organic EL device comprising the insulating film according to [10] above.

본 발명에 의하면, NMP를 사용하는 일 없이, 감도 및 해상도가 우수한 수지 조성물로써, 도포 불균일이 작고, 또한 이물 함량이 저감된 절연막을 형성하는 것이 가능한, 감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is a resin composition excellent in sensitivity and resolution, and it can provide the radiation-sensitive resin composition which can form the insulating film with small application|coating nonuniformity and the foreign material content reduced without using NMP.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for implementing the invention)

이하, 본 발명에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated.

〔감방사선성 수지 조성물〕[Radiation-sensitive resin composition]

본 발명의 감방사선성 수지 조성물은, (A) 폴리이미드계의 중합체와, (B) 감방사선성 산발생제와, 후술하는 특정의 용제 (G1)을 함유한다. 용제 (G1)을 이용함으로써, 감방사선성이 우수한 수지 조성물을 얻을 수 있고, 또한 도포 불균일이 작고, 또한 이물 함량이 저감된 절연막을 형성할 수 있다.The radiation-sensitive resin composition of the present invention contains (A) a polyimide-based polymer, (B) a radiation-sensitive acid generator, and a specific solvent (G1) described later. By using the solvent (G1), a resin composition excellent in radiation sensitivity can be obtained, and an insulating film having a small coating unevenness and a reduced foreign matter content can be formed.

이하, 각 성분에 대해서 상술한다.Hereinafter, each component is described in detail.

[중합체 (A)][Polymer (A)]

중합체 (A)는, 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 (A1) 및, 상기 폴리이미드의 전구체 (A2)로부터 선택되는 적어도 1종이다. 이하, 상기 폴리이미드를 「폴리이미드 (A1)」이라고도 하고, 상기 전구체를 「폴리이미드 전구체 (A2)」라고도 한다. 폴리이미드 (A1) 및/또는 그의 전구체 (A2)로부터 형성되는 절연막은, 내열성이 우수하다.A polymer (A) is at least 1 sort(s) chosen from the polyimide (A1) which has a structural unit represented by Formula (A1), and the precursor (A2) of the said polyimide. Hereinafter, the said polyimide is also called "polyimide (A1)", and the said precursor is also called "polyimide precursor (A2)." The insulating film formed from polyimide (A1) and/or its precursor (A2) is excellent in heat resistance.

중합체 (A)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 값에 있어서, 2,000∼500,000이 바람직하고, 3,000∼100,000이 보다 바람직하고, 4,000∼50,000이 더욱 바람직하다. Mw가 상기 범위의 하한값 이상이면, 충분한 기계적 특성을 갖는 절연막이 얻어지는 경향이 있다. Mw가 상기 범위의 상한값 이하이면, 용제나 현상액에 대한 중합체 (A)의 용해성이 우수한 경향이 있다.The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of the polymer (A) is a value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. WHEREIN: 2,000-500,000 are preferable, 3,000-100,000 are more preferable, 4,000-50,000 This is more preferable. When Mw is equal to or more than the lower limit of the above range, an insulating film having sufficient mechanical properties tends to be obtained. If Mw is below the upper limit of the said range, there exists a tendency excellent in the solubility of the polymer (A) with respect to a solvent or a developing solution.

중합체 (A)의 함유량은, 감방사선성 수지 조성물 중의 전체 고형분 100질량%에 대하여, 10∼90질량%가 바람직하고, 20∼80질량%가 보다 바람직하고, 30∼75질량%가 더욱 바람직하다.10-90 mass % is preferable with respect to 100 mass % of total solids in the radiation-sensitive resin composition, as for content of a polymer (A), 20-80 mass % is more preferable, 30-75 mass % is still more preferable .

《폴리이미드 (A1)》《Polyimide (A1)》

폴리이미드 (A1)은, 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는다.Polyimide (A1) has a structural unit represented by Formula (A1).

Figure 112015042277024-pat00001
Figure 112015042277024-pat00001

식 (A1) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이고, X는 4가의 유기기이다.In formula (A1), R< 1 > is a divalent group which has a hydroxyl group, and X is a tetravalent organic group.

R1로서는, 예를 들면, 식 (a1)로 나타나는 2가의 기를 들 수 있다.As R< 1 >, the divalent group represented by Formula (a1) is mentioned, for example.

Figure 112015042277024-pat00002
Figure 112015042277024-pat00002

식 (a1) 중, R2는, 단결합, 산소 원자, 황 원자, 술포닐기, 카보닐기, 메틸렌기, 디메틸메틸렌기 또는 비스(트리플루오로메틸)메틸렌기이고; R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 포르밀기, 아실기 또는 알킬기이다. 단, R3의 적어도 1개는 수소 원자이다. n1 및 n2는, 각각 독립적으로 0∼2의 정수이다. 단, n1 및 n2의 적어도 한쪽은 1 또는 2이다. n1과 n2와의 합계가 2 이상인 경우, 복수의 R3은 동일해도 상이해도 좋다.In formula (a1), R 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfonyl group, a carbonyl group, a methylene group, a dimethylmethylene group, or a bis(trifluoromethyl)methylene group; R 3 is each independently a hydrogen atom, a formyl group, an acyl group, or an alkyl group. However, at least 1 of R< 3 > is a hydrogen atom. n1 and n2 are each independently an integer of 0-2. However, at least one of n1 and n2 is 1 or 2. When the sum total of n1 and n2 is 2 or more, some R< 3 > may be same or different.

R3에 있어서, 아실기로서는, 예를 들면, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기 등의 탄소수 2∼20의 기를 들 수 있고; 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기 등의 탄소수 1∼20의 기를 들 수 있다.Examples of the acyl group for R 3 include groups having 2 to 20 carbon atoms such as an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group and an isobutyryl group; Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, etc. and a group having 1 to 20 carbon atoms.

식 (a1)로 나타나는 2가의 기로서는, 1개∼4개의 수산기를 갖는 2가의 기가 바람직하고, 2개의 수산기를 갖는 2가의 기가 더욱 바람직하다. 식 (a1)로 나타나는, 1개∼4개의 수산기를 갖는 2가의 기로서는, 예를 들면, 하기식으로 나타나는 2가의 기를 들 수 있다. 또한, 하기식에 있어서, 방향환으로부터 신장되는 2개의 「-」은, 결합손을 나타낸다.As divalent group represented by Formula (a1), the divalent group which has 1-4 hydroxyl groups is preferable, and the divalent group which has two hydroxyl groups is more preferable. Examples of the divalent group represented by the formula (a1) and having 1 to 4 hydroxyl groups include a divalent group represented by the following formula. In addition, in the following formula, two "-" extended from an aromatic ring represents a bond.

Figure 112015042277024-pat00003
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Figure 112015042277024-pat00004
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X로 나타나는 4가의 유기기로서는, 예를 들면, 4가의 지방족 탄화수소기, 4가의 방향족 탄화수소기, 하기식 (1)로 나타나는 기를 들 수 있다. X는, 테트라카본산 2무수물에 유래하는 4가의 유기기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도 하기식 (1)로 나타나는 기가 바람직하다.Examples of the tetravalent organic group represented by X include a tetravalent aliphatic hydrocarbon group, a tetravalent aromatic hydrocarbon group, and a group represented by the following formula (1). It is preferable that X is a tetravalent organic group derived from tetracarboxylic dianhydride. Among these, the group represented by following formula (1) is preferable.

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상기식 (1) 중, Ar은 각각 독립적으로 3가의 방향족 탄화수소기이고, A는 직접 결합 또는 2가의 기이다. 상기 2가의 기로서는, 예를 들면, 산소 원자, 황 원자, 술포닐기, 카보닐기, 메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 비스(트리플루오로메틸)메틸렌기를 들 수 있다.In the formula (1), Ar is each independently a trivalent aromatic hydrocarbon group, and A is a direct bond or a divalent group. Examples of the divalent group include an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfonyl group, a carbonyl group, a methylene group, a dimethylmethylene group, and a bis(trifluoromethyl)methylene group.

4가의 지방족 탄화수소기의 탄소수는, 통상 4∼30이고, 바람직하게는 8∼24이다. 4가의 방향족 탄화수소기 및 상기식 (1) 중의 3가의 방향족 탄화수소기의 탄소수는, 통상 6∼30이고, 바람직하게는 6∼24이다.Carbon number of a tetravalent aliphatic hydrocarbon group is 4-30 normally, Preferably it is 8-24. Carbon number of the tetravalent aromatic hydrocarbon group and the trivalent aromatic hydrocarbon group in said formula (1) is 6-30 normally, Preferably it is 6-24.

4가의 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 쇄상 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 분자 구조 중의 적어도 일부에 방향족환을 포함하는 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the tetravalent aliphatic hydrocarbon group include a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aliphatic hydrocarbon group having an aromatic ring in at least a part of its molecular structure.

4가의 쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들면, n-부탄, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-데칸, n-도데칸 등의 쇄상 탄화수소에 유래하는 4가의 기를 들 수 있다.Examples of the tetravalent chain hydrocarbon group include tetravalent groups derived from chain hydrocarbons such as n-butane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-decane and n-dodecane. can

4가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로부탄, 사이클로펜탄, 사이클로펜텐, 메틸사이클로펜탄, 사이클로헥산, 사이클로헥센, 사이클로옥탄 등의 단환식 탄화수소; 바이사이클로[2.2.1]헵탄, 바이사이클로[3.1.1]헵탄, 바이사이클로[3.1.1]헵토-2-엔, 바이사이클로[2.2.2]옥탄, 바이사이클로[2.2.2]옥타-5-엔 등의 2 환식 탄화수소; 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데카-4-엔, 아다만탄, 테트라사이클로[6.2.1.13,6.02,7]도데칸 등의 3환식 이상의 탄화수소 등에 유래하는 4가의 기를 들 수 있다.Examples of the tetravalent alicyclic hydrocarbon group include monocyclic hydrocarbons such as cyclobutane, cyclopentane, cyclopentene, methylcyclopentane, cyclohexane, cyclohexene and cyclooctane; Bicyclo[2.2.1]heptane, bicyclo[3.1.1]heptane, bicyclo[3.1.1]hepto-2-ene, bicyclo[2.2.2]octane, bicyclo[2.2.2]octa-5 -bicyclic hydrocarbons such as ene; Tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decane, tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]deca-4-ene, adamantane, tetracyclo[6.2.1.1 3,6.0 2,7 ]dodecane, etc. and a tetravalent group derived from a tricyclic or higher hydrocarbon of

분자 구조 중의 적어도 일부에 방향족환을 포함하는 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 상기 기 중에 포함되는 벤젠핵의 수가, 3 이하인 것이 바람직하고, 1개인 것이 특히 바람직하다. 보다 구체적으로는, 1-에틸-6-메틸-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌, 1-에틸-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌 등에 유래하는 4가의 기를 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group which contains an aromatic ring in at least one part of molecular structure, it is preferable that the number of benzene nuclei contained in the said group is three or less, and it is especially preferable that it is one. More specifically, a tetravalent group derived from 1-ethyl-6-methyl-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, 1-ethyl-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, and the like is exemplified.

상기 설명에 있어서, 전술한 탄화수소에 유래하는 4가의 기는, 전술한 탄화수소로부터 4개의 수소 원자를 제외하고 형성된 4가의 기이다. 4개의 수소 원자의 제외 개소는, 당해 4개의 수소 원자를 4개의 카복실기로 치환한 경우에, 테트라카본산 2무수물 구조를 형성할 수 있는 개소이다.In the above description, the tetravalent group derived from the above-mentioned hydrocarbon is a tetravalent group formed by excluding four hydrogen atoms from the above-mentioned hydrocarbon. The excluded location of four hydrogen atoms is a location which can form a tetracarboxylic dianhydride structure, when the said four hydrogen atoms are substituted with four carboxyl groups.

4가의 지방족 탄화수소기로서는, 하기식으로 나타나는 4가의 기가 바람직하다. 또한, 하기식에 있어서, 쇄상 탄화수소기 및 지환으로부터 신장되는 4개의 「-」은, 결합손을 나타낸다.As the tetravalent aliphatic hydrocarbon group, a tetravalent group represented by the following formula is preferable. In addition, in the following formula, four "-" extended from a chain hydrocarbon group and an alicyclic group represent a bond.

Figure 112015042277024-pat00008
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4가의 방향족 탄화수소기 및 상기식 (1)로 나타나는 기로서는, 예를 들면, 하기식으로 나타나는 4가의 기를 들 수 있다. 또한, 하기식에 있어서, 방향환으로부터 신장되는 4개의 「-」은, 결합손을 나타낸다.As a tetravalent aromatic hydrocarbon group and group represented by said Formula (1), the tetravalent group represented by a following formula is mentioned, for example. In addition, in the following formula, four "-" extended from an aromatic ring represents a bond.

Figure 112015042277024-pat00009
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폴리이미드 (A1)은, 이하에 설명하는 폴리이미드 전구체 (A2)의 이미드화에 의해 얻을 수 있다. 여기에서의 이미드화는 완전하게 진행해도 좋고, 부분적으로 진행해도 좋다. 즉 이미드화율은 100%가 아니라도 좋다. 이 때문에, 폴리이미드 (A1)은, 이하에 설명하는, 식 (A2-1)로 나타나는 구조 단위 및 식 (A2-2)로 나타나는 구조 단위로부터 선택되는 적어도 1종을 추가로 가져도 좋다.A polyimide (A1) can be obtained by imidation of the polyimide precursor (A2) demonstrated below. Imidization here may proceed completely or may proceed partially. That is, the imidation ratio may not be 100%. For this reason, polyimide (A1) may further have at least 1 sort(s) chosen from the structural unit represented by Formula (A2-1) and the structural unit represented by Formula (A2-2) which are demonstrated below.

폴리이미드 (A1)에 있어서, 이미드화율은, 바람직하게는 5% 이상, 보다 바람직하게는 7.5% 이상, 더욱 바람직하게는 10% 이상이다. 이미드화율의 상한값은, 바람직하게는 50%, 보다 바람직하게는 30%이다. 이미드화율이 상기 범위에 있으면, 내열성 및 노광 부분의 현상액에 대한 용해성의 점에서 바람직하다. 이미드화율은, 실시예 기재의 조건에 의해 측정할 수 있다.In polyimide (A1), the imidation ratio becomes like this. Preferably it is 5 % or more, More preferably, it is 7.5 % or more, More preferably, it is 10 % or more. The upper limit of the imidation ratio is preferably 50%, more preferably 30%. When the imidation ratio exists in the said range, it is preferable at the point of heat resistance and the solubility with respect to the developing solution of an exposure part. The imidation ratio can be measured according to the conditions described in Examples.

폴리이미드 (A1)에 있어서, 식 (A1), 식 (A2-1), 식 (A2-2)로 나타나는 구조 단위의 합계 함유량은, 통상 50질량% 이상, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 80질량% 이상이다.In the polyimide (A1), the total content of the structural units represented by the formulas (A1), (A2-1) and (A2-2) is usually 50 mass% or more, preferably 60 mass% or more, more Preferably it is 70 mass % or more, Especially preferably, it is 80 mass % or more.

《폴리이미드 전구체 (A2)》《Polyimide Precursor (A2)》

폴리이미드 전구체 (A2)는, 탈수·환화(이미드화)에 의해, 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 (A1)을 생성할 수 있는 화합물이다. 폴리이미드 전구체 (A2)로서는, 예를 들면, 폴리암산 및 폴리암산 유도체를 들 수 있다.A polyimide precursor (A2) is a compound which can produce|generate the polyimide (A1) which has a structural unit represented by Formula (A1) by dehydration and cyclization (imidization). Examples of the polyimide precursor (A2) include polyamic acid and polyamic acid derivatives.

(폴리암산) (polyamic acid)

폴리암산은, 식 (A2-1)로 나타나는 구조 단위를 갖는다.Polyamic acid has a structural unit represented by Formula (A2-1).

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식 (A2-1) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이고, X는 4가의 유기기이다.In formula (A2-1), R< 1 > is a divalent group which has a hydroxyl group, and X is a tetravalent organic group.

R1로 나타나는 수산기를 갖는 2가의 기 및 X로 나타나는 4가의 유기기로서는, 각각 식 (A1) 중의 R1 및 X로서 예시한 기와 동일한 것을 들 수 있다.As a divalent group which has a hydroxyl group represented by R< 1 >, and a tetravalent organic group represented by X, the thing similar to the group illustrated as R< 1 > and X in Formula (A1), respectively is mentioned.

폴리암산에 있어서, 식 (A2-1)로 나타나는 구조 단위의 함유량은, 통상 50질량% 이상, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 80질량% 이상이다.Polyamic acid WHEREIN: Content of the structural unit represented by Formula (A2-1) is 50 mass % or more normally, Preferably it is 60 mass % or more, More preferably, it is 70 mass % or more, Especially preferably, it is 80 mass % or more. am.

(폴리암산 유도체) (polyamic acid derivative)

폴리암산 유도체는, 폴리암산의 에스테르화 등에 의해 합성되는 유도체이다. 폴리암산 유도체로서는, 예를 들면, 폴리암산이 갖는 식 (A2-1)로 나타나는 구조 단위 중의 카복실기의 수소 원자를 다른 기로 치환한 중합체를 들 수 있고, 폴리암산 에스테르가 바람직하다.A polyamic acid derivative is a derivative synthesize|combined by esterification of polyamic acid, etc. As a polyamic acid derivative, the polymer which substituted the hydrogen atom of the carboxyl group in the structural unit represented by Formula (A2-1) which polyamic acid has is mentioned, for example by another group, Polyamic acid ester is preferable.

폴리암산 에스테르는, 폴리암산이 갖는 카복실기의 적어도 일부가 에스테르화된 중합체이다. 폴리암산 에스테르로서는, 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 (A1)을 생성할 수 있는, 식 (A2-2)로 나타나는 구조 단위를 갖는 중합체를 들 수 있다.Polyamic acid ester is a polymer in which at least a part of the carboxyl group which polyamic acid has was esterified. As polyamic acid ester, the polymer which has a structural unit represented by Formula (A2-2) which can produce|generate the polyimide (A1) which has a structural unit represented by Formula (A1) is mentioned.

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식 (A2-2) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이고, X는 4가의 유기기이고, R4는 각각 독립적으로 탄소수 1∼5의 알킬기이다. R1로 나타나는 수산기를 갖는 2가의 기 및 X로 나타나는 4가의 유기기로서는, 각각 식 (A1) 중의 R1 및 X로서 예시한 기와 동일한 것을 들 수 있다. R4로 나타나는 탄소수 1∼5의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기를 들 수 있다.In formula (A2-2), R 1 is a divalent group having a hydroxyl group, X is a tetravalent organic group, and R 4 is each independently an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. As a divalent group which has a hydroxyl group represented by R< 1 >, and a tetravalent organic group represented by X, the thing similar to the group illustrated as R< 1 > and X in Formula (A1), respectively is mentioned. As a C1-C5 alkyl group represented by R< 4 >, a methyl group, an ethyl group, and a propyl group are mentioned, for example.

폴리암산 에스테르에 있어서, 식 (A2-2)로 나타나는 구조 단위의 함유량은, 통상 50질량% 이상, 바람직하게는 60질량% 이상, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 특히 바람직하게는 80질량% 이상이다.Polyamic acid ester WHEREIN: Content of the structural unit represented by Formula (A2-2) is 50 mass % or more normally, Preferably it is 60 mass % or more, More preferably, it is 70 mass % or more, Especially preferably, 80 mass %. More than that.

《폴리이미드 (A1) 및 폴리이미드 전구체 (A2)의 합성 방법》<<The synthesis method of polyimide (A1) and polyimide precursor (A2)>>

폴리이미드 전구체 (A2)인 폴리암산은, 예를 들면, 테트라카본산 2무수물과, 수산기를 갖는 디아민 및 필요에 따라서 기타 디아민을 포함하는 디아민을 중합시킴으로써, 얻을 수 있다. 이들의 사용 비율은, 예를 들면 상기 테트라카본산 2무수물 1몰에 대하여 상기 전체 디아민을 0.3∼4몰, 바람직하게는 대략 등(等)몰이다. 상기 중합에 있어서, 상기 테트라카본산 2무수물 및 상기 전체 디아민의 혼합 용액을 50℃∼200℃, 1시간∼24시간 가열하는 것이 바람직하다.The polyamic acid which is a polyimide precursor (A2) can be obtained by polymerizing the diamine containing tetracarboxylic dianhydride, the diamine which has a hydroxyl group, and other diamine as needed, for example. Their usage ratio is, for example, 0.3 to 4 moles, preferably approximately equimolar, of the total diamine relative to 1 mole of the tetracarboxylic acid dianhydride. The polymerization WHEREIN: It is preferable to heat the mixed solution of the said tetracarboxylic dianhydride and the said all diamine at 50 degreeC - 200 degreeC, 1 hour - 24 hours.

이하, 상기 테트라카본산 2무수물 및 상기 수산기를 갖는 디아민을, 각각 「산 2무수물 (A1-1)」 및 「디아민 (A1-2)」라고도 하고, 상기 기타 디아민을 「기타 디아민 (A1-2')」라고도 한다.Hereinafter, the tetracarboxylic dianhydride and the diamine having a hydroxyl group are also referred to as "acid dianhydride (A1-1)" and "diamine (A1-2)", respectively, and the other diamines are referred to as "other diamines (A1-2)" Also called ')'.

폴리암산의 합성은, 디아민 (A1-2)를 중합 용제에 용해시킨 후, 디아민 (A1-2)와 산 2무수물 (A1-1)을 반응시킴으로써 행해도 좋고, 산 2무수물 (A1-1)을 중합 용제에 용해시킨 후, 산 2무수물 (A1-1)과 디아민 (A1-2)를 반응시킴으로써 행해도 좋다.The synthesis of polyamic acid may be performed by dissolving diamine (A1-2) in a polymerization solvent, then reacting diamine (A1-2) with acid dianhydride (A1-1), or acid dianhydride (A1-1) After dissolving in the polymerization solvent, you may carry out by making acid dianhydride (A1-1) and diamine (A1-2) react.

폴리이미드 전구체 (A2)인 폴리암산 유도체는, 상기 폴리암산의 카복실기를 에스테르화하는 등 하여 합성할 수 있다. 에스테르화의 방법으로서는, 특별히 한정은 없고, 공지의 방법을 적용할 수 있다.The polyamic acid derivative which is a polyimide precursor (A2) can be synthesize|combined by esterifying the carboxyl group of the said polyamic acid, etc. There is no limitation in particular as a method of esterification, A well-known method is applicable.

폴리이미드 (A1)은, 예를 들면, 상기 방법으로 폴리암산을 합성한 후, 이 폴리암산을 탈수·환화(이미드화)함으로써 합성할 수 있고; 또한, 상기 방법으로 폴리암산 유도체를 합성한 후, 이 폴리암산 유도체를 이미드화함으로써 합성할 수도 있다.The polyimide (A1) can be synthesized, for example, by synthesizing polyamic acid by the above method and then dehydrating and cyclizing (imidating) the polyamic acid; In addition, after synthesizing the polyamic acid derivative by the above method, it can also be synthesized by imidizing the polyamic acid derivative.

폴리암산 및 폴리암산 유도체의 이미드화 반응으로서는, 가열 이미드화 반응이나 화학 이미드화 반응 등의 공지의 방법의 적용이 가능하다. 가열 이미드화 반응의 경우, 폴리암산 및/또는 폴리암산 유도체를 포함하는 용액을 120℃∼210℃, 1시간∼16시간 가열하는 것이 바람직하다. 이미드화 반응은, 필요에 따라서, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등의 공비 용제를 사용하여 계 내의 물을 제거하면서 행해도 좋다.As the imidation reaction of polyamic acid and polyamic acid derivative, well-known methods, such as heating imidation reaction and chemical imidation reaction, can be applied. In the case of heating imidization reaction, it is preferable to heat the solution containing polyamic acid and/or polyamic acid derivative at 120 degreeC - 210 degreeC, 1 hour - 16 hours. The imidation reaction may be performed, if necessary, using an azeotropic solvent such as toluene, xylene, or mesitylene, while removing water in the system.

또한, 테트라카본산 2무수물에 대하여 디아민을 과잉으로 이용한 경우는, 폴리이미드, 폴리암산 및 폴리암산 유도체의 말단기를 봉지하는 말단 봉지제로서, 예를 들면, 무수 말레산 등의 디카본산 무수물을 이용해도 좋다.In addition, when diamine is used excessively with respect to tetracarboxylic dianhydride, as a terminal blocker for sealing the terminal groups of polyimide, polyamic acid and polyamic acid derivatives, for example, dicarboxylic acid anhydride such as maleic anhydride is used. You can use it.

산 2무수물 (A1-1)은, 식 (a2)로 나타나는 산 2무수물이다.Acid dianhydride (A1-1) is an acid dianhydride represented by Formula (a2).

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식 (a2) 중, X는 4가의 유기기이다. X로 나타나는 4가의 유기기로서는, 식 (A1) 중의 X로서 예시한 기와 동일한 것을 들 수 있다.In formula (a2), X is a tetravalent organic group. As a tetravalent organic group represented by X, the thing similar to the group illustrated as X in Formula (A1) is mentioned.

디아민 (A1-2)는, 식 (a3)으로 나타나는 디아민이다.Diamine (A1-2) is a diamine represented by Formula (a3).

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식 (a3) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이다. R1로 나타나는 수산기를 갖는 2가의 기로서는, 식 (A1) 중의 R1로서 예시한 기와 동일한 것을 들 수 있다.In formula (a3), R< 1 > is a divalent group which has a hydroxyl group. As a divalent group which has a hydroxyl group represented by R< 1 >, the thing similar to the group illustrated as R< 1 > in Formula (A1) is mentioned.

디아민 (A1-2)와 함께, 당해 디아민 (A1-2) 이외의 기타 디아민 (A1-2')를 이용해도 좋다. 기타 디아민 (A1-2')로서는, 예를 들면, 수산기를 갖지 않는, 방향족 디아민 및 지방족 디아민으로부터 선택되는 적어도 1종의 디아민을 들 수 있다.You may use other diamines (A1-2') other than the said diamine (A1-2) with diamine (A1-2). As another diamine (A1-2'), the at least 1 sort(s) of diamine chosen from aromatic diamine and aliphatic diamine which does not have a hydroxyl group is mentioned, for example.

폴리이미드 (A1)은, 식 (A1), (A2-1) 및 (A2-2) 중의 R1을, 상기 기타 디아민 (A1-2')의 잔기로 바꾼 구조 단위를 추가로 갖고 있어도 좋다. 마찬가지로, 폴리이미드 전구체 (A2)는, 식 (A2-1) 및 (A2-2) 중의 R1을, 상기 기타 디아민 (A1-2')의 잔기로 바꾼 구조 단위를 추가로 갖고 있어도 좋다.The polyimide (A1) may further have a structural unit in which R 1 in formulas (A1), (A2-1), and (A2-2) is replaced with a residue of the other diamine (A1-2'). Similarly, the polyimide precursor (A2) may further have the structural unit which replaced R< 1 > in Formula (A2-1) and (A2-2) with the residue of the said other diamine (A1-2').

폴리이미드 (A1) 및 폴리이미드 전구체 (A2)의 합성에 이용하는 중합 용제로서는, 이들의 합성용의 원료나, 상기 폴리이미드 (A1) 및 폴리이미드 전구체 (A2)를 용해시킬 수 있는 용제가 바람직하다. 중합 용제로서는, 후술하는 용제 (G)로서 예시한 용제와 동일한 용제를 사용할 수 있다.As the polymerization solvent used for synthesis of the polyimide (A1) and the polyimide precursor (A2), a solvent capable of dissolving the raw material for their synthesis and the polyimide (A1) and the polyimide precursor (A2) is preferable. . As a polymerization solvent, the solvent similar to the solvent illustrated as a solvent (G) mentioned later can be used.

중합 용제로서 용제 (G)와 동일한 용제를 사용함으로써, 폴리이미드 (A1) 또는 폴리이미드 전구체 (A2)를 합성한 후에 이들 중합체를 단리하는 공정, 단리 후에 다른 용제에 재용해시키는 공정을 필요로 하지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 수지 조성물의 생산성을 향상시킬 수 있다.By using the same solvent as the solvent (G) as the polymerization solvent, a step of isolating these polymers after synthesizing the polyimide (A1) or the polyimide precursor (A2), and re-dissolving in another solvent after isolation is not required. it may not be Thereby, the productivity of the resin composition of this invention can be improved.

폴리이미드 (A1) 및 폴리이미드 전구체 (A2)는, 수산기를 갖는 상기 특정 구조에 의해, 후술하는 용제 (G)로의 우수한 용해성을 갖는다. 이 때문에, 이들 중합체는, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 이외의 용제, 예를 들면 후술하는 용제 (G1)에도 용해된다. 그 결과, 중합체 (A)를 얻기 위한 중합 용제로서 NMP 이외의 용제를 사용해도, 감방사선성 수지 조성물을 용이하게 조제하는 것이 가능해진다. 특히, 용제 (G1)을 이용함으로써, 감방사선성이 우수한 수지 조성물을 조제할 수 있고, 또한, 도포 불균일이 작고, 또한 이물 함량이 저감된 절연막을 형성할 수 있다.Polyimide (A1) and polyimide precursor (A2) have the outstanding solubility to the solvent (G) mentioned later by the said specific structure which has a hydroxyl group. For this reason, these polymers are also soluble in solvents other than N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), for example, the solvent (G1) mentioned later. As a result, even if it uses solvents other than NMP as a polymerization solvent for obtaining a polymer (A), it becomes possible to prepare a radiation-sensitive resin composition easily. In particular, by using the solvent (G1), a resin composition excellent in radiation sensitivity can be prepared, and an insulating film having a small coating unevenness and a reduced foreign matter content can be formed.

[감방사선성 산발생제 (B)][Radiation-sensitive acid generator (B)]

감방사선성 산발생제 (B)는, 방사선의 조사를 포함하는 처리에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 방사선으로서는, 예를 들면, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선을 들 수 있다. 감방사선성 수지 조성물은, 감방사선성 산발생제 (B)를 함유함으로써, 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있고, 또한 양호한 방사선 감도를 가질 수 있다.The radiation-sensitive acid generator (B) is a compound that generates an acid by treatment including irradiation with radiation. As a radiation, a visible light ray, an ultraviolet-ray, a deep ultraviolet ray, X-ray, and a charged particle beam are mentioned, for example. By containing the radiation-sensitive acid generator (B), the radiation-sensitive resin composition can exhibit positive radiation-sensitive characteristics and can have favorable radiation sensitivity.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 감방사선성 산발생제 (B)의 함유량은, 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 통상 5∼100질량부이고, 바람직하게는 10∼70질량부, 보다 바람직하게는 15∼60질량부이다. 감방사선성 산발생제 (B)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액이 되는 알칼리 수용액 등에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분과의 용해도의 차를 크게 하여, 패터닝 성능을 향상시킬 수 있다.Content of the radiation-sensitive acid generator (B) in the radiation-sensitive resin composition of this invention is 5-100 mass parts normally with respect to 100 mass parts of polymer (A), Preferably it is 10-70 mass parts. , More preferably, it is 15-60 mass parts. By making the content of the radiation-sensitive acid generator (B) into the above range, the difference in solubility between the radiation-irradiated portion and the non-irradiated portion with respect to an aqueous alkali solution or the like serving as a developer can be increased, and the patterning performance can be improved.

감방사선성 산발생제 (B)로서는, 예를 들면, 퀴논디아지드 화합물, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, N-술포닐옥시이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조 메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르 화합물, 카본산 에스테르 화합물을 들 수 있다.Examples of the radiation-sensitive acid generator (B) include a quinonediazide compound, an oximesulfonate compound, an onium salt, an N-sulfonyloxyimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, and a sulfonic acid. An ester compound and a carbonic acid ester compound are mentioned.

감방사선성 산발생제 (B)로서는, 퀴논디아지드 화합물, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰산 에스테르 화합물이 바람직하고, 퀴논디아지드 화합물, 옥심술포네이트 화합물이 보다 바람직하고, 퀴논디아지드 화합물이 특히 바람직하다.As a radiation-sensitive acid generator (B), a quinonediazide compound, an oxime sulfonate compound, an onium salt, and a sulfonic acid ester compound are preferable, A quinonediazide compound and an oxime sulfonate compound are more preferable, Quinonediazide Compounds are particularly preferred.

감방사선성 산발생제 (B)는, 단독으로 사용해도 2종류 이상을 병용해도 좋다.A radiation-sensitive acid generator (B) may be used independently or may use 2 or more types together.

《퀴논디아지드 화합물》<< quinonediazide compound >>

퀴논디아지드 화합물은, 방사선의 조사 및 알칼리 수용액을 이용한 현상을 포함하는 처리에 의해 카본산을 발생한다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 예를 들면, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하 「모핵」이라고도 함)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물을 들 수 있다.A quinonediazide compound generate|occur|produces a carbonic acid by the process including irradiation of a radiation and image development using aqueous alkali solution. Examples of the quinonediazide compound include a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as a "parent nucleus") and a 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide.

모핵으로서는, 예를 들면, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 펜타하이드록시벤조페논, 헥사하이드록시벤조페논, 폴리(하이드록시페닐)알칸, 그 외의 모핵을 들 수 있다.Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, poly(hydroxyphenyl)alkane, and other mother nucleus.

트리하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논을 들 수 있다.Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone.

테트라하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라하이드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시-3'-메톡시벤조페논을 들 수 있다.Examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4' -tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone there is.

펜타하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,3,4,2',6'-펜타하이드록시벤조페논을 들 수 있다.As pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2',6'-pentahydroxybenzophenone is mentioned, for example.

헥사하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면, 2,4,6,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논을 들 수 있다.As hexahydroxybenzophenone, for example, 2,4,6,3',4',5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3',4',5'-hexahydroxy Benzophenone is mentioned.

폴리(하이드록시페닐)알칸으로서는, 예를 들면, 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(p-하이드록시페닐)메탄, 트리스(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(p-하이드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-{4-(1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸)페닐}에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리하이드록시플라반을 들 수 있다.Examples of the poly(hydroxyphenyl)alkane include bis(2,4-dihydroxyphenyl)methane, bis(p-hydroxyphenyl)methane, tris(p-hydroxyphenyl)methane, 1,1, 1-tris(p-hydroxyphenyl)ethane, bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)methane, 2,2-bis(2,3,4-trihydroxyphenyl)propane, 1,1, 3-tris(2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-3-phenylpropane, 4,4'-[1-{4-(1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl)phenyl }ethylidene]bisphenol, bis(2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3',3'-tetramethyl-1,1'-spirobindene- 5,6,7,5',6',7'-hexanol and 2,2,4-trimethyl-7,2',4'-trihydroxyflavan are mentioned.

그 외의 모핵으로서는, 예를 들면, 2-메틸-2-(2,4-디하이드록시페닐)-4-(4-하이드록시페닐)-7-하이드록시크로만, 1-[1-{3-(1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸)-4,6-디하이드록시페닐}-1-메틸에틸]-3-[1-{3-(1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸)-4,6-디하이드록시페닐}-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디하이드록시벤젠을 들 수 있다.As other parental nuclei, for example, 2-methyl-2-(2,4-dihydroxyphenyl)-4-(4-hydroxyphenyl)-7-hydroxychroman, 1-[1-{3 -(1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl)-4,6-dihydroxyphenyl}-1-methylethyl]-3-[1-{3-(1-[4-hydroxyl phenyl]-1-methylethyl)-4,6-dihydroxyphenyl}-1-methylethyl]benzene, 4,6-bis{1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl}-1, 3-dihydroxybenzene is mentioned.

이들 모핵 중, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 1,1,1-트리스(p-하이드록시페닐)에탄, 4,4'-[1-{4-(1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸)페닐}에틸리덴]비스페놀이 바람직하다.Among these parent nuclei, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tris(p-hydroxyphenyl)ethane, 4,4'-[1-{4-(1-[ 4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl)phenyl}ethylidene]bisphenol is preferred.

1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드가 바람직하다. 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드로서는, 예를 들면, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드를 들 수 있고, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드가 바람직하다.As 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride is preferable. Examples of the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride, , 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferred.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(모핵)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합 반응에 있어서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기 수에 대하여, 바람직하게는 30∼85몰%, 보다 바람직하게는 50∼70몰%에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드를 이용할 수 있다. 축합 반응은, 공지의 방법에 따라 실시할 수 있다.In the condensation reaction of a phenolic compound or alcoholic compound (parent nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, preferably 30 to 85 mol% with respect to the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. , More preferably, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide corresponding to 50 to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out according to a known method.

퀴논디아지드 화합물로서는, 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 아미드류, 예를 들면, 2,3,4-트리아미노벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 아미드 등도 적합하게 사용된다.Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the parent nucleus is replaced with an amide bond, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2- Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide and the like are also suitably used.

《그 외의 예》《Other examples》

옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2011-227106호, 일본공개특허공보 2012-234148호, 일본공개특허공보 2013-054125호 등의 공보에 기재된 화합물을 들 수 있다. 오늄염의 구체예로서는, 예를 들면, 일본특허공보 제5208573호, 일본특허공보 제5397152호, 일본특허공보 제5413124호, 일본공개특허공보 2004-2110525호, 일본공개특허공보 2008-129423호, 일본공개특허공보 2010-215616호 및 일본공개특허공보 2013-228526호 등의 공보에 기재된 화합물을 들 수 있다. 그 외의 산발생제의 구체예로서는, 예를 들면, 일본특허공보 제4924256호, 일본공개특허공보 2011-064770호, 일본공개특허공보 2011-232648호, 일본공개특허공보 2012-185430호, 일본공개특허공보 2013-242540호 등의 공보에 기재된 화합물을 들 수 있다.As a specific example of an oxime sulfonate compound, the compound described in publications, such as Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-227106, Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-234148, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-054125, is mentioned, for example. As a specific example of an onium salt, Unexamined-Japanese-Patent No. 5208573, Unexamined-Japanese-Patent No. 5397152, Unexamined-Japanese-Patent No. 5413124, Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-2110525, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-129423, Unexamined-Japanese-Patent No. The compound described in publications, such as Patent Publication 2010-215616 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-228526, is mentioned. As a specific example of another acid generator, Unexamined-Japanese-Patent No. 4924256, Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-064770, Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-232648, Unexamined-Japanese-Patent No. 2012-185430, Unexamined-Japanese-Patent No. The compound described in publications, such as publication 2013-242540, is mentioned.

[그 외의 성분][Other ingredients]

감방사선성 수지 조성물은, 상기 성분에 더하여, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 노볼락 수지 (C), 가교제 (D), 밀착조제 (E) 및 계면 활성제 (F)로부터 선택되는 적어도 1종의 다른 성분을 함유해도 좋다. 그 외의 성분은, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The radiation-sensitive resin composition, in addition to the above components, is a novolak resin (C), a cross-linking agent (D), an adhesion aid (E) and a surfactant (F), if necessary, within a range that does not impair the effects of the present invention It may contain at least 1 sort(s) of other component selected from. Other components may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

《노볼락 수지 (C)》《Novolac resin (C)》

노볼락 수지 (C)로서는, 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 벤젠환 및, 페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족기로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 구조 단위를 포함하는 노볼락 수지를 들 수 있다. 이들 중에서도, 현상성이나 내열성의 관점에서, 페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족기를 갖는 구조 단위를 포함하는 노볼락 수지가 바람직하다.Examples of the novolak resin (C) include a novolak resin comprising a structural unit having at least one selected from a benzene ring having a phenolic hydroxyl group and a condensed polycyclic aromatic group having a phenolic hydroxyl group. there is. Among these, from a viewpoint of developability and heat resistance, the novolak resin containing the structural unit which has a condensed polycyclic aromatic group which has a phenolic hydroxyl group is preferable.

페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족기는, 예를 들면, 축합 다환식 방향족 탄화수소기에 포함되는, 방향환 탄소에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부를, 수산기로 치환한 기이다. 축합 다환식 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환을 들 수 있다.The condensed polycyclic aromatic group having a phenolic hydroxyl group is, for example, a group in which some or all of the hydrogen atoms bonded to aromatic ring carbon contained in the condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group are substituted with hydroxyl groups. Examples of the condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group include a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring.

노볼락 수지 (C)로서는, 예를 들면, 식 (C1)로 나타나는 구조 단위, 식 (C2-1)로 나타나는 구조 단위, 식 (C2-2)로 나타나는 구조 단위 및, 식 (C3)으로 나타나는 구조 단위로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 수지를 들 수 있다.As the novolak resin (C), for example, a structural unit represented by the formula (C1), a structural unit represented by the formula (C2-1), a structural unit represented by the formula (C2-2), and a structural unit represented by the formula (C3) Resin which has at least 1 sort(s) chosen from structural unit is mentioned.

Figure 112015042277024-pat00014
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식 (C1)∼식 (C3) 중, R1은, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 1∼20의 알콕시기이고; R2는, 메틸렌기, 탄소수 2∼30의 알킬렌기, 탄소수 4∼30의 2가의 지환식 탄화수소기, 탄소수 7∼30의 아르알킬렌기 또는 -R3-Ar-R3-로 나타나는 기(Ar은 2가의 방향족기이고, R3은 각각 독립적으로 메틸렌기 또는 탄소수 2∼20의 알킬렌기임)이고; n1은 1∼4의 정수이고, n2는 0∼3의 정수이고, n1+n2≤4이고, a∼c, e, g 및 h는, 각각 독립적으로 0∼3의 정수이고, d 및 f는, 각각 독립적으로 0∼2의 정수이고, 단, a 및 b가 모두 0인 경우는 없고, c∼e 모두가 0인 경우는 없고, f∼h 모두가 0인 경우는 없다. a+b, c+d+e, f+g+h는, 각각, 바람직하게는 1∼3의 정수이다.In formulas (C1) to (C3), R 1 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; R 2 is a methylene group, an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 30 carbon atoms, an aralkylene group having 7 to 30 carbon atoms, or a group represented by -R 3 -Ar-R 3 - (Ar is a divalent aromatic group, and R 3 is each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms); n1 is an integer from 1 to 4, n2 is an integer from 0 to 3, n1+n2≤4, a to c, e, g and h are each independently an integer from 0 to 3, d and f are each It is an integer of 0 to 2 independently, provided that a and b are not both 0, c to e are not both 0, and f to h are not all 0. a+b, c+d+e, and f+g+h are each preferably an integer of 1-3.

식 (C1)∼식 (C3)에 있어서, -OH, -R1 및 -R2-의 결합 위치는 특별히 한정되지 않는다. 또한 상기 반복 구조를 구성하는 R2는, 상이한 벤젠핵에 결합되어 있어도 좋고(예를 들면 하기 (1)), 동일한 벤젠핵에 결합되어 있어도 좋다(예를 들면 하기 (2)). 식 중, *는 결합손이다. 하기 (1), (2)식은 식 (C2-1)에 대한 구체예이지만, 식 (C2-2) 및 식 (C3)에 있어서도 동일하다.In formulas (C1) to (C3), the bonding positions of -OH, -R 1 and -R 2 - are not particularly limited. Further, R 2 constituting the repeating structure may be bonded to different benzene nuclei (for example, (1) below) or may be bonded to the same benzene nucleus (eg (2) below). In the formula, * is a bond. Although the following formulas (1) and (2) are specific examples about Formula (C2-1), it is the same also in Formula (C2-2) and Formula (C3).

Figure 112015042277024-pat00015
Figure 112015042277024-pat00015

R2에 있어서 탄소수 2∼30의 알킬렌기로서는, 예를 들면, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 운데실렌기, 도데실렌기, 테트라데실렌기, 헥사데실렌기, 옥타데실렌기, 노나데실렌기, 에이코실렌기, 헨에이코실렌기, 도코실렌기, 트리코실렌기, 테트라코실렌기, 펜타코실렌기, 헥사코실렌기, 헵타코실렌기, 옥타코실렌기, 노나코실렌기, 트리아콘틸렌기를 들 수 있다.Examples of the alkylene group having 2 to 30 carbon atoms for R 2 include an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, an octylene group, a nonylene group, a decylene group, an undecylene group, and a dodecylene group. , tetradecylene group, hexadecylene group, octadecylene group, nonadecylene group, eicosylene group, heneicoxylene group, docosylene group, tricosylene group, tetracosylene group, pentacosylene group, hexaco and a silene group, a heptacosylene group, an octacosylene group, a nonacosylene group, and a triacontylene group.

R2에 있어서 탄소수 4∼30의 2가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로부탄디일기, 사이클로펜탄디일기, 사이클로헥산디일기, 사이클로옥탄디일기를 들 수 있다.Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 30 carbon atoms for R 2 include a cyclobutanediyl group, a cyclopentanediyl group, a cyclohexanediyl group, and a cyclooctanediyl group.

R2에 있어서 탄소수 7∼30의 아르알킬렌기로서는, 예를 들면, 벤질렌기, 펜에틸렌기, 벤질프로필렌기, 나프틸렌메틸렌기를 들 수 있다.Examples of the aralkylene group having 7 to 30 carbon atoms for R 2 include a benzylene group, a phenethylene group, a benzylpropylene group, and a naphthylenemethylene group.

R2에 있어서 -R3-Ar-R3-로 나타나는 기로서는, 예를 들면, -CH2-Ph-CH2-로 나타나는 기(Ph는 페닐렌기임)를 들 수 있다.Examples of the group represented by -R 3 -Ar-R 3 - for R 2 include a group represented by —CH 2 -Ph-CH 2 — (Ph is a phenylene group).

상기 예시의 노볼락 수지 (C)는, 양호한 알칼리 가용성을 갖는 점에서 바람직하다. 감방사선성 수지 조성물에 알칼리 가용성의 노볼락 수지 (C)를 함유시킴으로써, 해상성이 양호한 감방사선성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The novolak resin (C) of the said example is preferable at the point which has favorable alkali solubility. By containing the alkali-soluble novolak resin (C) in the radiation-sensitive resin composition, a radiation-sensitive resin composition with good resolution can be obtained.

노볼락 수지 (C)는, 예를 들면 페놀류 또는 페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족 화합물류와, 알데히드류를, 산 촉매의 존재하에서 축합시키고, 필요에 따라 미반응의 성분을 증류제거함으로써 얻을 수 있다. 예를 들면, 일본공고특허공보 소47-15111호, 일본공개특허공보 소63-238129호 등에 기재된 방법을 참고로 할 수 있다.The novolak resin (C) can be obtained by condensing, for example, phenols or condensed polycyclic aromatic compounds having a phenolic hydroxyl group and aldehydes in the presence of an acid catalyst, and optionally distilling off unreacted components. can For example, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 47-15111, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-238129, etc. can be referred to.

페놀류로서는, 예를 들면, 페놀, 오르토크레졸, 메타크레졸, 파라크레졸, 2,3-디메틸페놀, 2,5-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, 3,5-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 2,6-디메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2,3,6-트리메틸페놀, 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 4-t-부틸페놀, 2-메틸레졸시놀, 4-메틸레졸시놀, 5-메틸레졸시놀, 4-t-부틸카테콜, 2-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 2-프로필페놀, 3-프로필페놀, 4-프로필페놀, 2-이소프로필페놀, 2-메톡시-5-메틸페놀, 2-t-부틸-5-메틸페놀, 티몰(thymol), 이소티몰을 들 수 있다.Examples of phenols include phenol, orthocresol, methacresol, paracresol, 2,3-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 2,4- Dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2,3,6-trimethylphenol, 2-t-butylphenol, 3-t-butylphenol, 4-t-butylphenol, 2 -Methylresorcinol, 4-methylresorcinol, 5-methylresorcinol, 4-t-butylcatechol, 2-methoxyphenol, 3-methoxyphenol, 2-propylphenol, 3-propylphenol, 4-propylphenol, 2-isopropylphenol, 2-methoxy-5-methylphenol, 2-t-butyl-5-methylphenol, thymol, and isothymol are mentioned.

페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족 화합물류로서는, 예를 들면 수산기수가 1∼6이고, 바람직하게는 1∼3이고, 또한 환 수가 2∼3인 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는 1-나프톨, 2-나프톨 등의 모노하이드록시나프탈렌; 1,2-디하이드록시나프탈렌, 1,3-디하이드록시나프탈렌, 1,4-디하이드록시나프탈렌, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 1,7-디하이드록시나프탈렌, 1,8-디하이드록시나프탈렌, 2,3-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 2,7-디하이드록시나프탈렌 등의 디하이드록시나프탈렌; 1-하이드록시안트라센, 2-하이드록시안트라센, 9-하이드록시안트라센 등의 모노하이드록시안트라센; 1,4-디하이드록시안트라센, 9,10-디하이드록시안트라센 등의 디하이드록시안트라센; 1,2,10-트리하이드록시안트라센, 1,8,9-트리하이드록시안트라센, 1,2,7-트리하이드록시안트라센 등의 트리하이드록시안트라센; 1-하이드록시페난트렌 등의 하이드록시페난트렌을 들 수 있다.Examples of the condensed polycyclic aromatic compounds having a phenolic hydroxyl group include compounds having 1 to 6 hydroxyl groups, preferably 1 to 3, and 2 to 3 rings, specifically 1-naphthol. , monohydroxynaphthalene such as 2-naphthol; 1,2-dihydroxynaphthalene, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,7-di dihydroxynaphthalenes such as hydroxynaphthalene, 1,8-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, and 2,7-dihydroxynaphthalene; monohydroxyanthracene such as 1-hydroxyanthracene, 2-hydroxyanthracene and 9-hydroxyanthracene; dihydroxyanthracene such as 1,4-dihydroxyanthracene and 9,10-dihydroxyanthracene; trihydroxyanthracene such as 1,2,10-trihydroxyanthracene, 1,8,9-trihydroxyanthracene, and 1,2,7-trihydroxyanthracene; Hydroxyphenanthrene, such as 1-hydroxyphenanthrene, is mentioned.

알데히드류로서는, 예를 들면, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 테레프탈알데히드를 들 수 있다.Examples of the aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, and terephthalaldehyde.

노볼락 수지 (C)의 합성에 있어서, 페놀류 또는 페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족 화합물류의 사용량은, 알데히드류 1몰에 대하여, 통상 0.5몰 이상이고, 바람직하게는 0.8∼3.0몰이다. 산 촉매로서는, 예를 들면, 염산, 파라톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산을 들 수 있다.In the synthesis of the novolac resin (C), the amount of phenols or condensed polycyclic aromatic compounds having a phenolic hydroxyl group to be used is usually 0.5 mol or more, preferably 0.8 to 3.0 mol, with respect to 1 mol of the aldehydes. Examples of the acid catalyst include hydrochloric acid, para-toluenesulfonic acid, and trifluoromethanesulfonic acid.

노볼락 수지 (C)의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 통상 500∼50000이고, 바람직하게는 700∼5000, 보다 바람직하게는 800∼3000이다. Mw가 상기 범위에 있는 노볼락 수지 (C)는, 해상도의 점에서 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the novolak resin (C) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) is usually 500 to 50000, preferably 700 to 5000, and more preferably 800 to 3000. The novolac resin (C) whose Mw is in the said range is preferable at the point of resolution.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서, 노볼락 수지 (C)의 함유량은, 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 통상 100질량부 이하이고, 바람직하게는 5∼95질량부, 보다 바람직하게는 10∼90질량부, 더욱 바람직하게는 20∼90질량부이다. 노볼락 수지 (C)의 함유량이 상기 범위의 하한값 이상이면, 노볼락 수지 (C)에 기초하는 현상성이 발휘되기 쉽다. 노볼락 수지 (C)의 함유량이 상기 범위의 상한값 이하이면, 절연막의 흡수성이 커지거나, 내열성이 저하하거나 할 우려가 작다.In the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the content of the novolac resin (C) is usually 100 parts by mass or less, preferably 5 to 95 parts by mass, more preferably based on 100 parts by mass of the polymer (A). is 10-90 parts by mass, more preferably 20-90 parts by mass. When the content of the novolac resin (C) is at least the lower limit of the above range, the developability based on the novolac resin (C) is likely to be exhibited. When the content of the novolac resin (C) is equal to or less than the upper limit of the above range, there is little possibility that the absorbency of the insulating film increases or the heat resistance decreases.

《가교제 (D)》《Crosslinking agent (D)》

가교제 (D)는, 가교성 관능기를 갖는 화합물이다. 가교제 (D)로서는, 예를 들면, 1분자 중에 2개 이상의 가교성 관능기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 유기 EL 소자에서는, 유기 발광층이 수분과 접촉하면 열화되는 점에서, 가교제 (D)를 이용하여 절연막의 흡수성을 작게 하는 것이 바람직하다.A crosslinking agent (D) is a compound which has a crosslinkable functional group. As a crosslinking agent (D), the compound which has two or more crosslinkable functional groups in 1 molecule is mentioned, for example. In an organic EL element, since the organic light emitting layer deteriorates when it comes into contact with moisture, it is preferable to use a crosslinking agent (D) to reduce the absorbency of the insulating film.

가교성 관능기로서는, 예를 들면, 이소시아네이트기 및 블록 이소시아네이트기, 옥세타닐기, 글리시딜에테르기, 글리시딜에스테르기, 글리시딜아미노기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 벤질옥시메틸기, 아세톡시메틸기, 벤조일옥시메틸기, 포르밀기, 아세틸기, 디메틸아미노메틸기, 디에틸아미노메틸기, 디메틸올아미노메틸기, 디에틸올아미노메틸기, 모르폴리노메틸기; 비닐기, 비닐리덴기, (메타)아크릴로일기 등의 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.Examples of the crosslinkable functional group include an isocyanate group, a blocked isocyanate group, an oxetanyl group, a glycidyl ether group, a glycidyl ester group, a glycidylamino group, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a benzyloxymethyl group, and an acetonitrile group. oxymethyl group, benzoyloxymethyl group, formyl group, acetyl group, dimethylaminomethyl group, diethylaminomethyl group, dimethylolaminomethyl group, diethylolaminomethyl group, morpholinomethyl group; and groups having a polymerizable carbon-carbon double bond, such as a vinyl group, a vinylidene group, and a (meth)acryloyl group.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서, 가교제 (D)의 함유량은, 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 통상 1∼210질량부이고, 바람직하게는 10∼150질량부, 보다 바람직하게는 15∼100질량부이다. 가교제 (D)의 함유량이 상기 범위의 하한값 이상이면, 절연막의 저흡수성이 향상되는 경향이 있다. 가교제 (D)의 함유량이 상기 범위의 상한값 이하이면, 절연막의 내열성이 향상되는 경향이 있다.The radiation-sensitive resin composition of this invention WHEREIN: Content of a crosslinking agent (D) is 1-210 mass parts normally with respect to 100 mass parts of polymer (A), Preferably it is 10-150 mass parts, More preferably It is 15-100 mass parts. When content of a crosslinking agent (D) is more than the lower limit of the said range, there exists a tendency for the low water absorption of an insulating film to improve. There exists a tendency for the heat resistance of an insulating film to improve that content of a crosslinking agent (D) is below the upper limit of the said range.

〈블록 이소시아네이트 화합물 (D1)〉<Blocked isocyanate compound (D1)>

가교제 (D)로서는, 이소시아네이트기가 보호기에 의해 블록된 기를 갖는 화합물 (D1)을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 화합물 (D1)을 「블록 이소시아네이트 화합물 (D1)」이라고도 한다. 이소시아네이트기가 보호기에 의해 블록된 기를 「블록 이소시아네이트기」라고도 한다.As a crosslinking agent (D), it is preferable to use the compound (D1) which has the group in which the isocyanate group was blocked by the protecting group. The said compound (D1) is also called "block isocyanate compound (D1)." The group in which the isocyanate group was blocked by the protecting group is also called a "blocked isocyanate group."

성분 (D1)은, 열경화시의 고온 처리에 의해, 블록 이소시아네이트기가 탈블록화되어(보호기가 떨어짐), 활성인 이소시아네이트기를 재생한다. 재생 반응의 일례를, 이하에 나타낸다. 이 때문에, 성분 (D1)의 탈블록화가 일어나지 않는 온도로 프리베이킹을 행하고, 당해 탈블록화가 일어나는 온도에서 포스트베이킹을 행함으로써, 포스트베이킹시에 예를 들면 상기 이소시아네이트기와, 중합체 (A)나 노볼락 수지 (C) 등에 포함되는 페놀성 수산기와의 사이에서 반응이 진행하여, 저흡수성, 내열성이 우수한 절연막을 얻을 수 있다.In the component (D1), blocked isocyanate groups are deblocked (protective groups are dropped) by high-temperature treatment during thermosetting, thereby regenerating active isocyanate groups. An example of the regeneration reaction is shown below. For this reason, prebaking is performed at a temperature at which deblocking of component (D1) does not occur, and post-baking is performed at a temperature at which deblocking occurs. The reaction proceeds between the phenolic hydroxyl groups contained in the rock resin (C) or the like, and an insulating film excellent in low water absorption and heat resistance can be obtained.

Figure 112015042277024-pat00016
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상기식 중의 Block은, 보호기를 나타낸다.Block in the above formula represents a protecting group.

성분 (D1)에 있어서, 블록 이소시아네이트기 수는, 통상 1 이상, 바람직하게는 1∼2, 보다 바람직하게는 1이다. 블록 이소시아네이트기 수가 상기 범위에 있는 성분 (D1)을 이용하면, 보존 안정성의 점에서 바람직하다.Component (D1) WHEREIN: The number of blocked isocyanate groups is 1 or more normally, Preferably it is 1-2, More preferably, it is 1. When the number of blocked isocyanate groups uses the component (D1) in the said range, it is preferable at the point of storage stability.

성분 (D1)은, 식 (D-1)로 나타나는 기를 갖는 화합물 및, 식 (D-2)로 나타나는 기를 갖는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 식 (D-1)로 나타나는 기를 1개 갖는 화합물 및, 식 (D-2)로 나타나는 기를 1개 갖는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that component (D1) is at least 1 sort(s) chosen from the compound which has group represented by Formula (D-1), and the compound which has group represented by Formula (D-2), Group represented by Formula (D-1) is 1 It is more preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from the compound which has one, and the compound which has one group represented by Formula (D-2).

Figure 112015042277024-pat00017
Figure 112015042277024-pat00017

식 (D-1) 중, RD1은, 탄소수 1∼20의 알콕시기 또는 그 유도체기, 탄소수 3∼20의 사이클로알콕시기, 탄소수 6∼30의 아릴옥시기, 탄소수 1∼15의 티오알콕시기, 탄소수 3∼15의 티오사이클로알콕시기 또는 탄소수 3∼20의 복소환식기이다. RD1은, 바람직하게는 5원환 이상의 복소환식기이고, 보다 바람직하게는 5∼18원환의 복소환식기이다. RD1에 있어서의 탄소수는 3∼15인 것이 보다 바람직하다.In the formula (D-1), R D1 is an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, a cycloalkoxy group having 3 to 20 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, or a thioalkoxy group having 1 to 15 carbon atoms. , a thiocycloalkoxy group having 3 to 15 carbon atoms or a heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms. R D1 is preferably a 5-membered ring or more heterocyclic group, more preferably a 5- to 18-membered ring heterocyclic group. As for carbon number in R D1 , it is more preferable that it is 3-15.

알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 2-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, 2-메틸부톡시기, 3-메틸부톡시기, 2,2-디메틸프로폭시기, n-헥실옥시기, 2-메틸펜틸옥시기, 3-메틸펜틸옥시기, 4-메틸펜틸옥시기, 5-메틸펜틸옥시기를 들 수 있다. 사이클로알콕시기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸옥시기, 사이클로헥실옥시기를 들 수 있다. 알콕시기의 유도체기로서는, 예를 들면, 메톡시기가 갖는 수소 원자의 1이상을, 사이클로알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 적어도 1종으로 치환한 기를 들 수 있고, 구체적으로는, 디사이클로펜틸메톡시기, 디사이클로헥실메톡시기, 트리사이클로펜틸메톡시기, 트리사이클로헥실메톡시기, 페닐메톡시기, 디페닐메톡시기, 트리페닐메톡시기를 들 수 있다. 아릴옥시기로서는, 예를 들면, 페녹시기, 나프틸옥시기를 들 수 있다. 티오알콕시기로서는, 예를 들면, 티오메톡시기, 티오에톡시기, 티오프로폭시기, 티오부톡시기, 티오펜틸옥시기를 들 수 있고, 티오사이클로알콕시기로서는, 예를 들면, 티오사이클로펜틸옥시기, 티오사이클로헥실옥시기를 들 수 있다. 복소환식기로서는, 예를 들면, 1-피라졸릴기, 3-메틸-1-피라졸릴기, 3,5-디메틸-1-피라졸릴기, N-ε-카프로락탐기, 피리디닐기, 트리아질릴기, 피롤릴기, 이미다졸릴기, 인돌릴기, 티아디아졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리미디닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group include a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, 2-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, 2-methylbutoxy group, 3-methylbutoxy group, 2,2-dimethylpropoxy group, n-hexyloxy group, 2-methylpentyloxy group, 3-methylpentyloxy group, 4-methylpentyloxy group, 5- A methylpentyloxy group is mentioned. As a cycloalkoxy group, a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group are mentioned, for example. Examples of the derivative group of the alkoxy group include a group in which one or more of the hydrogen atoms of the methoxy group are substituted with at least one selected from a cycloalkyl group and an aryl group, and specifically, a dicyclopentylmethoxy group , a dicyclohexyl methoxy group, a tricyclopentyl methoxy group, a tricyclohexyl methoxy group, a phenyl methoxy group, a diphenyl methoxy group, and a triphenyl methoxy group. As an aryloxy group, a phenoxy group and a naphthyloxy group are mentioned, for example. Examples of the thioalkoxy group include a thiomethoxy group, a thioethoxy group, a thiopropoxy group, a thiobutoxy group, and a thiopentyloxy group. Examples of the thiocycloalkoxy group include thiocyclophene. A tyloxy group and a thiocyclohexyloxy group are mentioned. As the heterocyclic group, for example, 1-pyrazolyl group, 3-methyl-1-pyrazolyl group, 3,5-dimethyl-1-pyrazolyl group, N-ε-caprolactam group, pyridinyl group, tria and zylyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, indolyl group, thiadiazolyl group, oxadiazolyl group and pyrimidinyl group.

식 (D-2) 중, RD2 및 RD3은 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기이고, RD2 및 RD3은 상호 결합하여 각각이 결합되어 있는 탄소 원자와 함께 환을 형성해도 좋다. 식 (D-2)에 있어서, -O-N=C(RD2)(RD3)은, 아세톤옥심, 메틸에틸케톤옥심, 메틸이소부틸케톤옥심, 사이클로헥산온옥심, 아세토페논옥심, 벤조페논옥심 등의 옥심류 유래의 기인 것이 바람직하다.In the formula (D-2), R D2 and R D3 are each independently an alkyl group or an aryl group, and R D2 and R D3 may be bonded to each other to form a ring together with the carbon atom to which they are each bonded. In formula (D-2), -ON=C(R D2 )(R D3 ) is acetone oxime, methyl ethyl ketone oxime, methyl isobutyl ketone oxime, cyclohexanone oxime, acetophenone oxime, benzophenone oxime, etc. It is preferably a group derived from oximes of

알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1∼18의 알킬기를 들 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기 등의 탄소수 6∼18의 아릴기를 들 수 있다. RD2 및 RD3이 서로 결합하여 형성되는 환으로서는, 예를 들면, 사이클로헥산환 등의 탄소수 6∼18의 지방족환을 들 수 있다.As an alkyl group, C1-C18 alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, are mentioned, for example. As an aryl group, C6-C18 aryl groups, such as a phenyl group, are mentioned, for example. Examples of the ring formed by bonding R D2 and R D3 to each other include an aliphatic ring having 6 to 18 carbon atoms, such as a cyclohexane ring.

성분 (D1)로서는, 내열성의 관점에서, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 1개 갖는 화합물이 바람직하다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기로서는, 예를 들면, 비닐기, 비닐리덴기, (메타)아크릴로일기를 들 수 있다. 특히, 식 (D-11)로 나타나는 화합물 및, 식 (D-21)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.As a component (D1), the compound which has one polymerizable carbon-carbon double bond from a heat resistant viewpoint is preferable. Examples of the group having a polymerizable carbon-carbon double bond include a vinyl group, a vinylidene group, and a (meth)acryloyl group. In particular, at least one selected from the compound represented by the formula (D-11) and the compound represented by the formula (D-21) is preferable.

Figure 112015042277024-pat00018
Figure 112015042277024-pat00018

식 (D-11) 및 (D-21) 중, RD1, RD2 및 RD3은 각각 식 (D-1) 및 (D-2) 중의 동일 기호와 동일한 의미이고; RD4는 수소 원자 또는 메틸기이고; A는 메틸렌기 또는 탄소수 2∼12의 알킬렌기이다.In formulas (D-11) and (D-21), R D1 , R D2 and R D3 have the same meaning as the same symbol in formulas (D-1) and (D-2), respectively; R D4 is a hydrogen atom or a methyl group; A is a methylene group or an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms.

성분 (D1)의 구체예로서는, 2-[(3,5-디메틸피라졸릴)카보닐아미노]에틸(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산 2-(0-[1'-메틸프로필리덴아미노]카복시아미노)에틸을 들 수 있다.Specific examples of component (D1) include 2-[(3,5-dimethylpyrazolyl)carbonylamino]ethyl(meth)acrylate, (meth)acrylic acid 2-(0-[1'-methylpropylideneamino]carboxy amino) ethyl.

성분 (D1)은 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 이용해도 좋다.A component (D1) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서, 가교제 (D)로서 성분 (D1)을 이용하는 경우, 성분 (D1)의 함유량은, 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 통상 10∼90질량부이고, 바람직하게는 15∼80질량부, 보다 바람직하게는 20∼70질량부이다. 성분 (D1)의 함유량이 상기 범위의 하한값 이상이면, 저흡수성 및 경화성의 점에서 바람직하다. 성분 (D1)의 함유량이 상기 범위의 상한값 이하이면, 해상도의 점에서 바람직하다.The radiation-sensitive resin composition of the present invention WHEREIN: When using component (D1) as a crosslinking agent (D), content of component (D1) is 10-90 mass parts normally with respect to 100 mass parts of polymer (A), Preferably it is 15-80 mass parts, More preferably, it is 20-70 mass parts. When content of component (D1) is more than the lower limit of the said range, it is preferable at the point of low water absorption and sclerosis|hardenability. It is preferable from a point of resolution that content of a component (D1) is below the upper limit of the said range.

〈기타 가교제 (D2)〉<Other crosslinking agents (D2)>

가교제 (D)로서는, 예를 들면, 옥세타닐기 함유 화합물, 비스페놀 A계 에폭시 화합물, 비스페놀 F계 에폭시 화합물, 비스페놀 S계 에폭시 화합물, 노볼락 수지계 에폭시 화합물, 레졸 수지계 에폭시 화합물, 폴리(하이드록시스티렌)계 에폭시 화합물, 메톡시메틸기 함유 페놀 화합물, 메틸올기 함유 멜라민 화합물, 메틸올기 함유 벤조구아나민 화합물, 메틸올기 함유 우레아 화합물, 메틸올기 함유 페놀 화합물, 알콕시알킬기 함유 멜라민 화합물, 알콕시알킬기 함유 벤조구아나민 화합물, 알콕시알킬기 함유 우레아 화합물, 알콕시알킬기 함유 페놀 화합물, 카복시메틸기 함유 멜라민 수지, 카복시메틸기 함유 벤조구아나민 수지, 카복시메틸기 함유 우레아 수지, 카복시메틸기 함유 페놀 수지, 카복시메틸기 함유 멜라민 화합물, 카복시메틸기 함유 벤조구아나민 화합물, 카복시메틸기 함유 우레아 화합물, 카복시메틸기 함유 페놀 화합물 등의 기타 가교제 (D2)를 들 수도 있다.Examples of the crosslinking agent (D) include an oxetanyl group-containing compound, a bisphenol A-based epoxy compound, a bisphenol F-based epoxy compound, a bisphenol S-based epoxy compound, a novolac resin-based epoxy compound, a resol resin-based epoxy compound, and a poly(hydroxystyrene). )-based epoxy compound, methoxymethyl group-containing phenolic compound, methylol group-containing melamine compound, methylol group-containing benzoguanamine compound, methylol group-containing urea compound, methylol group-containing phenolic compound, alkoxyalkyl group-containing melamine compound, alkoxyalkyl group-containing benzoguanamine A compound, an alkoxyalkyl group-containing urea compound, an alkoxyalkyl group-containing phenol compound, a carboxymethyl group-containing melamine resin, a carboxymethyl group-containing benzoguanamine resin, a carboxymethyl group-containing urea resin, a carboxymethyl group-containing phenol resin, a carboxymethyl group-containing melamine compound, a carboxymethyl group-containing benzo Other crosslinking agents (D2), such as a guanamine compound, a carboxymethyl group containing urea compound, and a carboxymethyl group containing phenol compound, can also be mentioned.

《밀착조제 (E)》《Adhesive Aid (E)》

밀착조제 (E)는, 기판 등의 막 형성 대상물과 절연막과의 접착성을 향상시키는 성분이다. 밀착조제 (E)는, 특히 무기물의 기판과 절연막과의 접착성을 향상시키기 위해 유용하다. 무기물로서는, 예를 들면, 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물; 금, 구리, 알루미늄 등의 금속을 들 수 있다.The adhesion aid (E) is a component which improves the adhesiveness between the film-forming object, such as a board|substrate, and an insulating film. The adhesion aid (E) is particularly useful in order to improve the adhesion between the inorganic substrate and the insulating film. Examples of the inorganic material include silicon compounds such as silicon, silicon oxide, and silicon nitride; Metals, such as gold|metal|money, copper, and aluminum, are mentioned.

밀착조제 (E)로서는, 관능성 실란커플링제가 바람직하다. 관능성 실란커플링제로서는, 예를 들면, 카복시기, 할로겐 원자, 비닐기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기, 옥세타닐기, 아미노기, 티올기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란커플링제를 들 수 있다.As the adhesion aid (E), a functional silane coupling agent is preferable. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxy group, a halogen atom, a vinyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group, an oxetanyl group, an amino group, and a thiol group. there is.

관능성 실란커플링제로서는, 예를 들면, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란을 들 수 있다. 이들 중에서도, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 바람직하다.As the functional silane coupling agent, for example, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethyl Toxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane , β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane. Among these, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl Trimethoxysilane and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferable.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 밀착조제 (E)의 함유량은, 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 20질량부 이하이다. 밀착조제 (E)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 절연막과 기판과의 밀착성이 보다 개선된다.To [ content of the adhesion aid (E) in the radiation-sensitive resin composition of this invention / 100 mass parts of polymers (A)), Preferably it is 20 mass parts or less. By setting the content of the adhesion aid (E) in the above range, the adhesion between the formed insulating film and the substrate is further improved.

《계면 활성제 (F)》《Surfactant (F)》

계면 활성제 (F)는, 감방사선성 수지 조성물의 도막 형성성을 높이는 성분이다. 감방사선성 수지 조성물은, 계면 활성제 (F)를 함유함으로써, 도막의 표면 평활성을 향상시킬 수 있고, 그 결과, 절연막의 막두께 균일성을 보다 향상시킬 수 있다. 계면 활성제 (F)로서는, 예를 들면, 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제를 들 수 있다.Surfactant (F) is a component which improves the coating-film formation property of a radiation-sensitive resin composition. When the radiation-sensitive resin composition contains the surfactant (F), the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the film thickness uniformity of the insulating film can be further improved. As surfactant (F), a fluorochemical surfactant and silicone type surfactant are mentioned, for example.

계면 활성제 (F)로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2003-015278호 및, 일본공개특허공보 2013-231869호에 기재된 구체예를 들 수 있다.As surfactant (F), the specific example of Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-015278 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-231869 is mentioned, for example.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 계면 활성제 (F)의 함유량은, 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 10질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.01∼7.5질량부, 더욱 바람직하게는 0.05∼5질량부이다. 계면 활성제 (F)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 도막의 막두께 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.To [ content of surfactant (F) in the radiation-sensitive resin composition of this invention / 100 mass parts of polymer (A)), Preferably it is 10 mass parts or less, More preferably, it is 0.01-7.5 mass parts, More preferably Preferably it is 0.05-5 mass parts. By making content of surfactant (F) into the said range, the film-thickness uniformity of the coating film formed can be improved more.

[용제 (G)][Solvent (G)]

용제 (G)는, 감방사선성 수지 조성물을 액상으로 하기 위해 사용할 수 있다.The solvent (G) can be used in order to make a radiation-sensitive resin composition liquid.

본 발명의 감방사선성 수지 조성물에 있어서, 용제 (G)의 함유량은, 상기 조성물 중의 고형분 농도가 통상 5∼60질량%, 바람직하게는 10∼55질량%, 보다 바람직하게는 15∼50질량%가 되는 양이다. 여기에서 고형분이란, 용제 (G) 이외의 전체 성분을 말한다. 용제 (G)의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상성을 손상시키는 일 없이, 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 절연막의 도포 불균일이 작아지고, 또한 이물 함량이 저감되는 경향이 있다.The radiation-sensitive resin composition of this invention WHEREIN: As for content of the solvent (G), solid content concentration in the said composition is 5-60 mass % normally, Preferably it is 10-55 mass %, More preferably, it is 15-50 mass %. is the amount to be Here, solid content means all components other than a solvent (G). By making the content of the solvent (G) within the above range, the coating unevenness of the insulating film formed from the radiation-sensitive resin composition is reduced without impairing developability, and the foreign matter content tends to be reduced.

《용제 (G1)》《Solvent (G1)》

본 발명에서는, 용제 (G)로서, 식 (G1-1)로 나타나는 화합물 및, 식 (G1-2)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 용제 (G1)이, 적어도 이용된다.In the present invention, at least one solvent (G1) selected from the compound represented by the formula (G1-1) and the compound represented by the formula (G1-2) is used as the solvent (G) at least.

용제 (G1)을 이용함으로써, 형성되는 절연막의 도포 불균일이 작아지고, 또한 이물 함량을 저감할 수 있다. 또한, 용제 (G1)을 이용함으로써, 얻어지는 수지 조성물의, 감도 및 해상도 등의 감방사선성이 향상된다. 감방사선성이 향상되는 이유는, 프리베이킹시의 가열에서는 도막 중에 용제 (G1)이 일부 잔존하고, 용제 (G1)이 잔존한 상태에서 도막에 대하여 노광·현상 처리를 행함으로써, 현상액으로의 노광부의 용해가 빨라지기 때문이라고 추정된다.By using the solvent (G1), the coating unevenness of the insulating film to be formed becomes small, and the content of foreign substances can be reduced. Moreover, by using a solvent (G1), radiation sensitivity, such as a sensitivity and resolution, of the resin composition obtained improves. The reason that the radiation sensitivity is improved is that during heating at the time of pre-baking, a part of the solvent (G1) remains in the coating film, and exposure and development are performed on the coating film in a state in which the solvent (G1) remains, thereby exposure to a developer. It is presumed that this is because the dissolution of wealth is accelerated.

Figure 112015042277024-pat00019
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식 (G1-1) 중, RG1은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼18의 탄화수소기 또는 상기 탄화수소기에 있어서의 적어도 1개의 탄소-탄소 결합 간에 -O-를 삽입하여 이루어지는 기이고, 2개의 RG1은 서로 결합하여 질소 원자와 함께 환을 형성해도 좋고, RG2는 메틸렌기 또는 카보닐기이고, RG3은 수소 원자 또는 탄소수 1∼18의 탄화수소기이고, RG4는 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 2∼10의 알콕시알킬기이다.In formula (G1-1), R G1 is each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or a group formed by inserting -O- between at least one carbon-carbon bond in the hydrocarbon group, and two R G1 may be bonded to each other to form a ring together with a nitrogen atom, R G2 is a methylene group or a carbonyl group, R G3 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and R G4 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms.

RG1에 있어서의 탄화수소기의 탄소수는, 1∼6인 것이 바람직하다. 상기 탄화수소기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼6의 직쇄상 또는 분기상의 탄화수소기, 탄소수 3∼6의 지환식 탄화수소기, 탄소수 6의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 알킬기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 3-부테닐기 등의 알케닐기; 에티닐기, 2-프로피닐기, 2-부티닐기 등의 알키닐기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 사이클로알킬기; 페닐기 등의 아릴기를 들 수 있다.It is preferable that carbon number of the hydrocarbon group in R G1 is 1-6. As said hydrocarbon group, a C1-C6 linear or branched hydrocarbon group, a C3-C6 alicyclic hydrocarbon group, and a C6 aromatic hydrocarbon group are mentioned, for example. Specifically, Alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group; Alkenyl groups, such as a vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, and 3-butenyl group; alkynyl groups such as an ethynyl group, a 2-propynyl group, and a 2-butynyl group; cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; Aryl groups, such as a phenyl group, are mentioned.

RG1에 있어서, 상기 탄화수소기에 있어서의 적어도 1개의 탄소-탄소 결합 간에 -O-를 삽입하여 이루어지는 기로서는, 예를 들면, 탄소수 2∼8의 알콕시알킬기를 들 수 있다. 구체적으로는, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 헥실옥시메틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시프로필기, 메톡시부틸기를 들 수 있다.In R G1 , examples of the group formed by inserting -O- between at least one carbon-carbon bond in the hydrocarbon group include an alkoxyalkyl group having 2 to 8 carbon atoms. Specifically, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group, a hexyloxymethyl group, a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, a methoxypropyl group, and a methoxybutyl group are mentioned.

2개의 RG1은 서로 결합하여 질소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 좋다. 상기 환으로서는, 예를 들면, 피롤리딘환, 피페리딘환을 들 수 있다. 이들 환에는, 알킬기 등의 직쇄상 또는 분기상의 탄화수소기가 결합되어 있어도 좋다.Two R G1 may be bonded to each other to form a ring together with the nitrogen atom. As said ring, a pyrrolidine ring and a piperidine ring are mentioned, for example. A linear or branched hydrocarbon group, such as an alkyl group, may couple|bond with these rings.

RG1은, 각각 독립적으로, 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.R G1 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and still more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

RG2는, 바람직하게는 카보닐기이다.R G2 is preferably a carbonyl group.

RG3에 있어서의 탄화수소기로서는, RG1에 있어서의 탄화수소기와 동일한 기를 들 수 있다. RG3은, 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자 또는 탄소수 1∼3의 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.Examples of the hydrocarbon group for R G3 include the same groups as the hydrocarbon group for R G1 . R G3 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, still more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

RG4에 있어서의 알킬기의 탄소수는, 1∼6인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼3, 특히 바람직하게는 1이다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기를 들 수 있다.It is preferable that carbon number of the alkyl group in R G4 is 1-6, More preferably, it is 1-3, Especially preferably, it is 1. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group are mentioned.

RG4에 있어서의 알콕시알킬기로서는, 예를 들면, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 헥실옥시메틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시프로필기, 메톡시부틸기, 메톡시헥실기, 에톡시헥실기, 메톡시옥틸기, 에톡시옥틸기를 들 수 있다.Examples of the alkoxyalkyl group for R G4 include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group, a hexyloxymethyl group, a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, a methoxypropyl group, and a methoxybutyl group. , a methoxyhexyl group, an ethoxyhexyl group, a methoxyoctyl group, and an ethoxyoctyl group.

식 (G1-1)로 나타나는 화합물로서는, RG1이 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이고, RG2가 카보닐기이고, RG3이 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이고, RG4가 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 2∼10의 알콕시알킬기인 화합물이 바람직하다. 예를 들면, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-헥실옥시-N,N-디메틸프로판아미드, 이소프로폭시-N-이소프로필-프로피온아미드, n-부톡시-N-이소프로필-프로피온아미드를 들 수 있다.As the compound represented by formula (G1-1), R G1 is each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R G2 is a carbonyl group, R G3 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R A compound in which G4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms is preferable. For example, N,N,2-trimethylpropionamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-hexyloxy-N,N- dimethylpropanamide, isopropoxy-N-isopropyl-propionamide, and n-butoxy-N-isopropyl-propionamide.

Figure 112015042277024-pat00020
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식 (G1-2) 중, XG1은 각각 독립적으로 C-H 또는 질소 원자이고, 단 적어도 1개의 XG1은 질소 원자이고, XG2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼18의 탄화수소기 또는 탄소수 2∼18의 알콕시알킬기이다. 단 「2개의 XG1이 각각 C-H 및 N 원자이고, N 원자에 결합한 XG2가 메틸기이고, 탄소 원자에 결합한 XG2가 수소 원자인 경우」(N-메틸-2-피롤리돈)을 제외한다.In the formula (G1-2), each X G1 is independently CH or a nitrogen atom, provided that at least one X G1 is a nitrogen atom, and each X G2 is independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or 2 carbon atoms. -18 is an alkoxyalkyl group. However, "when two X G1 are CH and N atoms, respectively, X G2 bonded to an N atom is a methyl group, and X G2 bonded to a carbon atom is a hydrogen atom" (N-methyl-2-pyrrolidone) is excluded. .

또한, XG1이 C-H인 경우, XG2는 상기 탄소 원자 C에 결합하는 것으로 한다.In addition, when X G1 is CH, it is assumed that X G2 is bonded to the carbon atom C.

XG2에 있어서의 탄화수소기로서는, 식 (G1-1) 중의 RG1에 있어서의 탄화수소기와 동일한 기를 들 수 있다. XG2에 있어서의 알콕시알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 2∼10이고, 보다 바람직하게는 2∼6이다. 구체적으로는, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기, 헥실옥시메틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, 메톡시프로필기, 메톡시부틸기를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group for X G2 include the same groups as the hydrocarbon group for R G1 in formula (G1-1). Carbon number of the alkoxyalkyl group in X G2 becomes like this. Preferably it is 2-10, More preferably, it is 2-6. Specifically, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group, a hexyloxymethyl group, a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, a methoxypropyl group, and a methoxybutyl group are mentioned.

XG2로서는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 2∼18의 알킬기 또는 탄소수 2∼18의 알콕시알킬기가 바람직하다. 또한, 질소 원자에 결합하는 XG2는, 2개의 XG1이 모두 질소 원자인 경우는 탄소수 1∼5의 알킬기가 바람직하고, 2개의 XG1의 한쪽이 질소 원자이고, 다른 한쪽이 C-H인 경우는 탄소수 2∼5의 알킬기 또는 탄소수 2∼10의 알콕시알킬기가 바람직하다.X G2 is each independently preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 2 to 18 carbon atoms, or an alkoxyalkyl group having 2 to 18 carbon atoms. X G2 bonded to a nitrogen atom is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms when both X G1 are nitrogen atoms, and when one of the two X G1 is a nitrogen atom and the other is CH A C2-C5 alkyl group or a C2-C10 alkoxyalkyl group is preferable.

식 (G1-2)로 나타나는 화합물로서는, 예를 들면, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, N-(n-프로필)-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-(n-부틸)-2-피롤리돈, N-(t-부틸)-2-피롤리돈, N-(n-펜틸)-2-피롤리돈, N-메톡시프로필-2-피롤리돈, N-에톡시에틸-2-피롤리돈, N-메톡시부틸-2-피롤리돈을 들 수 있다.Examples of the compound represented by the formula (G1-2) include 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidone, and N-(n-propyl)-2-pyrrolidone. Don, N-isopropyl-2-pyrrolidone, N-(n-butyl)-2-pyrrolidone, N-(t-butyl)-2-pyrrolidone, N-(n-pentyl)-2 -pyrrolidone, N-methoxypropyl-2-pyrrolidone, N-ethoxyethyl-2-pyrrolidone, and N-methoxybutyl-2-pyrrolidone are mentioned.

용제 (G1)는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.A solvent (G1) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

전체 용제 (G) 중에 있어서의 용제 (G1)의 양은, 5질량% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10∼80질량%, 더욱 바람직하게는 20∼70질량%, 특히 바람직하게는 30∼60질량%이다. 용제 (G1)의 사용량이 상기 범위에 있으면, 도포성의 점에서 바람직하다.It is preferable that the quantity of the solvent (G1) in all the solvents (G) is 5 mass % or more, More preferably, it is 10-80 mass %, More preferably, it is 20-70 mass %, Especially preferably, 30-60 mass %. mass%. When the usage-amount of a solvent (G1) exists in the said range, it is preferable at the point of applicability|paintability.

《글리콜계 용제 (G2)》《Glycol solvent (G2)》

용제 (G)로서는, 도막 형성시에 발생하는 튐을 억제하는 관점에서, 용제 (G1)과 함께, 글리콜계 용제 (G2)를 이용하는 것이 바람직하다. 글리콜계 용제 (G2)란, -O-A-O-로 나타나는 구조 단위를 갖고, 질소 원자를 갖지 않는 유기 용제를 말한다. 상기 A는, 탄소수 2∼10의 알킬렌기이다.As a solvent (G), it is preferable to use the glycol-type solvent (G2) together with a solvent (G1) from a viewpoint of suppressing the splash which generate|occur|produces at the time of coating film formation. The glycol-based solvent (G2) refers to an organic solvent having a structural unit represented by -O-A-O- and not having a nitrogen atom. Said A is a C2-C10 alkylene group.

글리콜계 용제 (G2)로서는, 예를 들면, R-(O-A)n-OR로 나타나는 용제를 들 수 있다. 상기식 중, A는 탄소수 2∼10, 바람직하게는 탄소수 2∼3의 알킬렌기이고, n은 1∼4의 정수, 바람직하게는 1∼3의 정수이고, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6, 바람직하게는 탄소수 1∼4의 알킬기, 또는 탄소수 2∼4, 바람직하게는 탄소수 2∼3의 아실기이다.As a glycol-type solvent (G2), the solvent represented by R-(OA) n -OR is mentioned, for example. In the formula, A is an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, preferably an alkylene group having 2 to 3 carbon atoms, n is an integer of 1 to 4, preferably an integer of 1 to 3, R is each independently a hydrogen atom or a carbon number An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, preferably having 2 to 3 carbon atoms.

글리콜계 용제 (G2)로서는, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 트리에틸렌글리콜디알킬에테르가 바람직하다.Examples of the glycol-based solvent (G2) include diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether acetate, Propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether propionate, and triethylene glycol dialkyl ether are preferable.

디에틸렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르를 들 수 있다.As diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether are mentioned, for example.

디에틸렌글리콜디알킬에테르로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 들 수 있다.As diethylene glycol dialkyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol methyl ethyl ether are mentioned, for example.

에틸렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르를 들 수 있다.As ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether are mentioned, for example.

에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트를 들 수 있다.Examples of the ethylene glycol monoalkyl ether acetate include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and ethylene glycol monobutyl ether acetate.

디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트를 들 수 있다.Examples of the diethylene glycol monoalkyl ether acetate include diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether acetate.

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트를 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate.

프로필렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르를 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether.

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트를 들 수 있다.Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, and propylene glycol monobutyl ether propionate. can be heard

트리에틸렌글리콜디알킬에테르로서는, 예를 들면, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르를 들 수 있다.As triethylene glycol dialkyl ether, triethylene glycol dimethyl ether is mentioned, for example.

글리콜계 용제 (G2)로서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르가 특히 바람직하다.As the glycol-based solvent (G2), propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether are particularly preferred. desirable.

글리콜계 용제 (G2)는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. A glycol-type solvent (G2) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

용제 (G1)과 글리콜계 용제 (G2)를 병용하는 경우에 있어서, 이들의 양비(量比)는 이하와 같다. (G1) 및 (G2)의 합계 100질량% 중, 용제 (G1)의 양이 10∼80질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20∼70질량%, 더욱 바람직하게는 30∼60질량%이다. 양비가 상기 범위에 있으면, 기판에 수지 조성물을 도포했을 때에 튐튐 일어나기 어렵다는 점에서 바람직하다.When using a solvent (G1) and a glycol-type solvent (G2) together, these ratios are as follows. It is preferable that the quantity of the solvent (G1) is 10-80 mass % in a total of 100 mass % of (G1) and (G2), More preferably, it is 20-70 mass %, More preferably, it is 30-60 mass %. am. When the ratio is in the above range, when the resin composition is applied to the substrate, it is preferable at the point that splashing does not occur easily.

《그 외의 용제 (G3)》《Other solvents (G3)》

용제 (G)로서는, 상기 예시한 용제 이외에, 그 외의 용제 (G3)을 병용해도 좋다. 용제 (G3)으로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올 용제; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다.As a solvent (G), you may use together other solvents (G3) other than the solvent illustrated above. As a solvent (G3), For example, Alcohol solvents, such as methanol, ethanol, a propanol, and a butanol; Aromatic hydrocarbon solvents, such as toluene and xylene, are mentioned.

그 외의 용제 (G3)은 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Other solvents (G3) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

[감방사선성 수지 조성물의 조제 방법][Method for preparing radiation-sensitive resin composition]

감방사선성 수지 조성물은, 예를 들면 용제 (G1)을 포함하는 용제 (G)에, 중합체 (A), 감방사선성 산발생제 (B) 등의 필수 성분, 그 외의 임의 성분을 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또한, 이물질를 제거하기 위해, 각 성분을 균일하게 혼합한 후, 얻어진 혼합물을 필터 등으로 여과해도 좋다.A radiation-sensitive resin composition is prepared by mixing essential components, such as a polymer (A) and a radiation-sensitive acid generator (B), and other arbitrary components with the solvent (G) containing, for example, a solvent (G1). can do. Moreover, in order to remove a foreign material, after mixing each component uniformly, you may filter the obtained mixture with a filter etc.

[감방사선성 수지 조성물을 이용한 절연막의 형성 방법][Method of forming insulating film using radiation-sensitive resin composition]

절연막의 형성 방법은, 전술한 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정 1, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정 2, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 3 및, 상기 현상된 도막을 가열하는 공정 4를 갖는다.The method of forming the insulating film includes a step 1 of forming a coating film on a substrate using the radiation-sensitive resin composition described above, a step 2 of irradiating at least a part of the coating film with radiation, and a step 3 of developing the coating film irradiated with the radiation. and step 4 of heating the developed coating film.

상기 절연막의 형성 방법에 의하면, 도포 불균일이 작고, 또한 이물 함량이 저감된 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 전술한 감방사선성 수지 조성물은 감방사선성이 우수한 점에서, 당해 특성을 이용한 노광, 현상, 가열에 의해 패턴을 형성함으로써, 용이하게 미세하고 또한 정교한 패턴을 갖는 절연막을 형성할 수 있다.According to the method of forming the insulating film, it is possible to form an insulating film having a small coating unevenness and a reduced foreign matter content. In addition, since the radiation-sensitive resin composition described above has excellent radiation sensitivity, it is possible to easily form an insulating film having a fine and elaborate pattern by forming a pattern by exposure, development, and heating using the characteristic.

《공정 1》《Process 1》

공정 1에서는, 감방사선성 수지 조성물을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행하여, 도막을 형성한다. 상기 도막의 막두께로서는, 프리베이킹 후의 값으로서, 통상 0.3∼25㎛, 바람직하게는 0.5∼20㎛로 할 수 있다.In the process 1, a radiation-sensitive resin composition is apply|coated to the board|substrate surface, Preferably it prebaking is performed and a coating film is formed. As a film thickness of the said coating film, it is 0.3-25 micrometers normally as a value after prebaking, Preferably it can be set as 0.5-20 micrometers.

기판으로서는, 예를 들면, 수지 기판, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼를 들 수 있다. 기판으로서는 또한, 제조 도중의 유기 EL 소자에 있어서, 예를 들면 TFT나 그 배선이 형성된, TFT 기판이나 배선 기판을 들 수 있다.As a board|substrate, a resin substrate, a glass substrate, and a silicon wafer are mentioned, for example. As a board|substrate, in the organic electroluminescent element in the middle of manufacture, for example, a TFT board|substrate and a wiring board in which TFT and its wiring were formed are mentioned.

감방사선성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법을 들 수 있다. 이들 도포 방법 중에서도, 스핀 코팅법 및 슬릿 다이 도포법이 바람직하다.As a coating method of a radiation-sensitive resin composition, the spray method, the roll coating method, the spin coating method, the slit-die coating method, the bar coating method, and the inkjet method are mentioned, for example. Among these coating methods, the spin coating method and the slit die coating method are preferable.

프리베이킹의 조건으로서는, 감방사선성 수지 조성물의 조성 등에 따라서도 상이하지만, 예를 들면, 가열 온도가 60∼130℃, 가열 시간을 30초간∼15분간 정도가 된다. 프리베이킹은, 블록 이소시아네이트 화합물 (D1)을 이용하는 경우에 있어서는, 보호기의 열해리가 진행되지 않는 온도에서 행하는 것이 바람직하다.As conditions for prebaking, although it changes also with the composition of a radiation-sensitive resin composition, etc., for example, a heating temperature will be 60-130 degreeC, and a heating time will be about 30 second - 15 minutes. When using a blocked isocyanate compound (D1), it is preferable to perform prebaking at the temperature to which thermal dissociation of a protecting group does not advance.

《공정 2》《Process 2》

공정 2에서는, 공정 1에서 형성된 도막에, 소정의 패턴을 갖는 마스크를 개재하여, 방사선을 조사한다. 이때에 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선을 들 수 있다. 가시광선으로서는, 예를 들면, g선(파장 436㎚), h선(파장 405㎚)을 들 수 있다. 자외선으로서는, 예를 들면, i선(파장 365㎚)을 들 수 있다. 원자외선으로서는, 예를 들면, KrF 엑시머 레이저에 의한 레이저광을 들 수 있다. X선으로서는, 예를 들면, 싱크로트론 방사선을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는, 예를 들면, 전자선을 들 수 있다.In step 2, the coating film formed in step 1 is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. As a radiation used at this time, a visible light ray, an ultraviolet-ray, a deep ultraviolet-ray, X-ray, and a charged particle beam is mentioned, for example. Examples of visible light include g-line (wavelength 436 nm) and h-line (wavelength 405 nm). As an ultraviolet-ray, i-line|wire (wavelength 365 nm) is mentioned, for example. As far ultraviolet rays, for example, a laser beam by a KrF excimer laser is exemplified. Examples of X-rays include synchrotron radiation. As a charged particle beam, an electron beam is mentioned, for example.

이들 방사선 중에서도, 가시광선 및 자외선이 바람직하고, 가시광선 및 자외선 중에서도 g선 및/또는 i선을 포함하는 방사선이 특히 바람직하다. 노광량으로서는, 6000mJ/㎠ 이하가 바람직하고, 20∼2000mJ/㎠가 바람직하다. 이 노광량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI Optical Associates사의 「OAI model 356」)에 의해 측정한 값이다.Among these radiations, visible rays and ultraviolet rays are preferable, and among visible rays and ultraviolet rays, radiation containing g-rays and/or i-rays is particularly preferable. As an exposure amount, 6000 mJ/cm<2> or less is preferable, and 20-2000 mJ/cm<2> is preferable. This exposure amount is the value measured by the intensity|strength in wavelength 365nm of radiation by the illuminometer ("OAI model 356" by OAI Optical Associates).

《공정 3》《Process 3》

공정 3에서는, 공정 2에서 방사선을 조사한 도막의 현상을 행한다. 이에 따라, 방사선의 조사 부분을 제거하여, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다. 현상 처리에 이용되는 현상액으로서는, 알칼리 수용액이 바람직하다.In step 3, the coating film irradiated with radiation in step 2 is developed. Thereby, the radiation-irradiated portion can be removed to form a desired pattern. As a developing solution used for a developing process, aqueous alkali solution is preferable.

알칼리 수용액에 포함되는 알칼리성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자바이사이클로[4.3.0]-5-노난을 들 수 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리성 화합물의 농도로서는, 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1질량% 이상 5질량% 이하가 바람직하다.Examples of the alkaline compound contained in the aqueous alkali solution include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, di- n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo[5.4 .0]-7-undecene and 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonane. As a density|concentration of the alkaline compound in aqueous alkali solution, 0.1 mass % or more and 5 mass % or less are preferable from a viewpoint of obtaining moderate developability.

현상액으로서는, 알칼리 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액, 또는 알칼리 수용액에 감방사선성 수지 조성물을 용해하는 각종 유기 용제를 소량 첨가한 수용액을 사용할 수도 있다. 후자의 수용액에 있어서의 유기 용제로서는, 용제 (G)와 동일한 용제를 사용할 수 있다.As the developer, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to an aqueous alkali solution, or an aqueous solution obtained by adding a small amount of various organic solvents for dissolving the radiation-sensitive resin composition to an aqueous alkali solution may be used. As the organic solvent in the latter aqueous solution, the same solvent as that of the solvent (G) can be used.

현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법을 들 수 있다. 현상 시간은, 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라 상이하지만, 통상 10초∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30초∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다.As a developing method, the puddle method, the dipping method, the rocking|fluctuation immersion method, and the shower method are mentioned, for example. Although development time changes with the composition of the radiation-sensitive resin composition, it is about 10 second - 180 second normally. A desired pattern can be formed by performing, for example, running-water washing|cleaning for 30 second - 90 second following such a developing process, for example by air-drying with compressed air or compressed nitrogen.

《공정 4》《Process 4》

공정 4에서는, 공정 3 후에, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 도막에 대한 가열 처리(포스트베이킹 처리)에 의해 도막의 경화 처리를 행함으로써 절연막을 얻는다. 이 가열 처리에 있어서의 가열 온도는, 예를 들면, 130℃를 초과 300℃ 이하이고, 가열 시간은, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분간∼30분간, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간∼90분간이다. 이때에, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이킹법 등을 이용할 수도 있다.In process 4, an insulating film is obtained by performing hardening process of a coating film by heat processing (post-baking process) with respect to a coating film using heating apparatuses, such as a hotplate and oven, after process 3. The heating temperature in this heat treatment is, for example, more than 130° C. and 300° C. or less, and the heat time varies depending on the type of heating equipment. For example, when heat treatment is performed on a hot plate, 5 Minute - 30 minutes, when heat-processing in oven, it is 30 minutes - 90 minutes. At this time, the step baking method etc. which perform a heating process twice or more can also be used.

이와 같이 하여, 목적으로 하는 패턴의 절연막을 기판 상에 형성할 수 있다.In this way, the insulating film of the target pattern can be formed on the board|substrate.

공정 4에 있어서, 도막의 가열 전에, 패터닝된 도막에 대하여 린스 처리나 분해 처리를 행해도 좋다. 린스 처리에서는, 용제 (G)로서 든 용제를 이용하여, 도막을 세정하는 것이 바람직하다. 분해 처리에서는, 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체면에 조사(후 노광)함으로써, 도막 중에 잔존하는 퀴논디아지드 화합물 등의 감방사선성 산발생제 (B)를 분해할 수 있다. 이 후 노광에 있어서의 노광량은, 바람직하게는 1000∼5000mJ/㎠ 정도이다.In step 4, before heating the coating film, a rinse treatment or a decomposition treatment may be performed on the patterned coating film. In the rinse process, it is preferable to wash|clean a coating film using the solvent mentioned as solvent (G). In the decomposition treatment, the radiation-sensitive acid generator (B) such as a quinonediazide compound remaining in the coating film can be decomposed by irradiating the entire surface with radiation from a high-pressure mercury lamp (post-exposure). The exposure amount in the subsequent exposure is preferably about 1000 to 5000 mJ/cm 2 .

이와 같이 하여 얻어진 절연막은, 도포 불균일이 작고, 또한 이물 함량이 저감되어 있음과 동시에, 내열성, 패터닝성, 방사선 감도, 해상도 등의 점에 있어서, 양호한 특성을 나타낸다. 또한, 구성 재료가 저흡수 구조를 구비하는 점에서 저흡수성이고, 제조 공정에 있어서도, 저흡수성의 화합물을 이용한 처리가 가능하다. 이 때문에, 상기 절연막은, 예를 들면 유기 EL 소자 등이 갖는 격벽으로서의 절연막 외에, 보호막이나 평탄화막으로서의 절연막으로서, 적합하게 이용할 수 있다.The insulating film thus obtained exhibits favorable characteristics in terms of heat resistance, patternability, radiation sensitivity, resolution, and the like, while exhibiting a small coating unevenness and a reduced foreign matter content. In addition, since the constituent material has a low water absorption structure, it has low water absorption, and also in the manufacturing process, treatment using a low water absorption compound is possible. For this reason, the said insulating film can be used suitably as an insulating film as a protective film or a planarization film other than the insulating film as a partition which organic electroluminescent element etc. have, for example.

상기 절연막의 막두께는, 통상 0.3∼25㎛, 바람직하게는 0.5∼20㎛이다.The film thickness of the said insulating film is 0.3-25 micrometers normally, Preferably it is 0.5-20 micrometers.

본 발명의 절연막은, 유기 EL 소자가 갖는 절연막, 구체적으로는 평탄화막, 화소(발광 소자)를 구획하는 격벽 등의 절연막으로서, 적합하게 이용할 수 있다. 절연막은, 예를 들면, TFT(박막 트랜지스터) 기판의 면 상을 복수의 영역으로 구획하는 격벽이다.The insulating film of the present invention can be suitably used as an insulating film of an organic EL element, specifically, a planarization film, an insulating film such as a barrier rib partitioning a pixel (light emitting element). The insulating film is, for example, a barrier rib that divides the surface of the TFT (thin film transistor) substrate into a plurality of regions.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 이하의 실시예 등의 기재에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한, 「부」는 「질량부」를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In description of Examples etc. below, unless otherwise indicated, "part" represents "part by mass".

[GPC 분석][GPC analysis]

중합체 (A) 및 노볼락 수지 (C)의 중량 평균 분자량(Mw) 및 분자량 분포(Mw/Mn)는, 겔 투과 크로마토그래피(GPC, 토소(주) 제조, 상품명: HLC-8020)법을 이용하고, 테트라하이드로푸란(THF) 용제의 조건하, 폴리스티렌 환산으로 측정했다.The weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw/Mn) of the polymer (A) and the novolak resin (C) were gel permeation chromatography (GPC, manufactured by Tosoh Corporation, trade name: HLC-8020) method. and measured in terms of polystyrene under the conditions of a tetrahydrofuran (THF) solvent.

·측정 방법: 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법・Measuring method: gel permeation chromatography (GPC) method

·표준 물질: 폴리스티렌 환산・Standard material: polystyrene equivalent

·장치: 토소(주) 제조, 상품명: HLC-8020· Apparatus: manufactured by Toso Co., Ltd., product name: HLC-8020

·칼럼: 토소(주) 제조 가드 칼럼 HXL-H, TSK gel G7000HXL, TSK gel GMHXL 2개, TSK gel G2000HXL을 순차 연결한 것·Column: Tosoh Co., Ltd. guard column H XL -H, TSK gel G7000H XL , TSK gel GMH XL 2ea, TSK gel G2000H XL sequentially connected

·용제: 테트라하이드로푸란· Solvent: tetrahydrofuran

·샘플 농도: 0.7질량%・Sample concentration: 0.7% by mass

·주입량: 70μL・Injection amount: 70μL

·유속: 1mL/분Flow rate: 1 mL/min

<중합체 (A)의 이미드화율><Imidation rate of polymer (A)>

우선, 폴리이미드의 적외 흡수 스펙트럼(장치명: 써모(thermo) 일렉트론사 제조 NICOLET 6700 FT-IR)을 측정하여, 폴리이미드에 기인하는 이미드 구조의 흡수 피크(1780㎝-1 부근, 1377㎝-1 부근)의 존재를 확인했다. 다음으로, 그 폴리이미드에 대해서, 350℃에서 1시간 열처리한 후, 재차, 적외 흡수 스펙트럼을 측정하여, 열처리 전과 열처리 후의 1377㎝-1 부근의 피크 강도를 비교했다. 열처리 후의 폴리이미드의 이미드화율을 100%로 하여, 열처리 전의 폴리이미드의 이미드화율={열처리 전의 1377㎝-1 부근의 피크 강도/열처리 후의 1377㎝-1 부근의 피크 강도}×100(%)를 구했다.First, the infrared absorption spectrum of the polyimide (device name: NICOLET 6700 FT-IR manufactured by Thermo Electron Corporation) was measured, and the absorption peak of the imide structure resulting from the polyimide (1780 cm -1 vicinity, 1377 cm -1 ) vicinity) was confirmed. Next, about this polyimide, after heat-processing at 350 degreeC for 1 hour, the infrared absorption spectrum was measured again, and the peak intensity of 1377 cm -1 vicinity after heat processing before and after heat processing was compared. Assuming that the imidization rate of the polyimide after heat treatment is 100%, the imidization rate of the polyimide before heat treatment = {Peak intensity near 1377 cm -1 before heat treatment / Peak intensity near 1377 cm -1 after heat treatment} x 100 (% ) was saved.

<중합체 (A)의 합성><Synthesis of Polymer (A)>

[합성예 A1] 중합체 (A-1)의 합성[Synthesis Example A1] Synthesis of Polymer (A-1)

3구 플라스크에 중합 용제로서의 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드 340g을 더한 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 50g을 더하여, 디아민 화합물로서의 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 120g을 중합 용제 중에 더했다. 디아민 화합물을 중합 용제에 용해시킨 후, 산 2무수물로서의 4,4'-옥시디프탈산 2무수물을 71g 투입했다. 그 후, 60℃에서 1시간 반응시킨 후, 말단 봉지제로서 무수 말레산을 19g 더하고, 60℃에서 추가로 1시간 반응시킨 후, 승온하여 180℃에서 4시간 반응시켰다. 이에 따라, 고형분 농도 35질량%의, 중합체 (A-1)을 포함하는 용액을 약 600g 얻었다. 얻어진 중합체 (A-1)의 Mw는 8000이었다. 얻어진 중합체 (A-1)의 이미드화율은 10%였다.After adding 340 g of 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide as a polymerization solvent to a three-neck flask, 50 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was added, and 2,2'-bis(3-amino-4- as a diamine compound) 120 g of hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added to the polymerization solvent. After dissolving the diamine compound in the polymerization solvent, 71 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride as acid dianhydride was prepared. Then, after making it react at 60 degreeC for 1 hour, 19g of maleic anhydride was added as a terminal blocker, and after making it react at 60 degreeC for 1 hour, it heated up and made it react at 180 degreeC for 4 hours. Thereby, about 600 g of solutions containing a polymer (A-1) with a solid content concentration of 35 mass % were obtained. Mw of the obtained polymer (A-1) was 8000. The imidation rate of the obtained polymer (A-1) was 10 %.

[합성예 A2][Synthesis Example A2]

3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드를 N,N,2-트리메틸프로피온아미드로 변경한 것 이외는 합성예 A1과 동일하게 행하여, 중합체 (A-2)를 포함하는, 고형분 농도 35질량%의 폴리이미드 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 (A-2)의 Mw는 9200, 이미드화율은 15%였다.The same procedure as in Synthesis Example A1 was carried out except that 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide was changed to N,N,2-trimethylpropionamide, and the polymer (A-2) was included in the solid content concentration of 35 mass. % polyimide solution was obtained. Mw of the obtained polymer (A-2) was 9200, and the imidation rate was 15 %.

[합성예 A3][Synthesis Example A3]

3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드를 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논으로 변경한 것 이외는 합성예 A1과 동일하게 행하여, 중합체 (A-3)을 포함하는, 고형분 농도 35질량%의 폴리이미드 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 (A-3)의 Mw는 7500, 이미드화율은 20%였다.In the same manner as in Synthesis Example A1 except that 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide was changed to 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, the solid content containing the polymer (A-3) The polyimide solution with a density|concentration of 35 mass % was obtained. Mw of the obtained polymer (A-3) was 7500, and the imidation rate was 20 %.

[합성예 A4][Synthesis Example A4]

3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드를 γ-부티로락톤으로 변경한 것 이외는 합성예 A1과 동일하게 행하여, 중합체 (A-4)를 포함하는, 고형분 농도 35질량%의 폴리이미드 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 (A-4)의 Mw는 9000, 이미드화율은 20%였다.Polyimide having a solid content concentration of 35% by mass containing the polymer (A-4) in the same manner as in Synthesis Example A1 except that 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide was changed to γ-butyrolactone. A solution was obtained. Mw of the obtained polymer (A-4) was 9000, and the imidation rate was 20 %.

[합성예 A5][Synthesis Example A5]

3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드를 N-메틸-2-피롤리돈으로 변경한 것 이외는 합성예 A1과 동일하게 행하여, 중합체 (A-5)를 포함하는, 고형분 농도 35질량%의 폴리이미드 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 (A-5)의 Mw는 8500, 이미드화율은 20%였다.The same procedure as in Synthesis Example A1 was carried out except that 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide was changed to N-methyl-2-pyrrolidone, and the polymer (A-5) was included, with a solid content concentration of 35 mass. % polyimide solution was obtained. Mw of the obtained polymer (A-5) was 8500, and the imidation rate was 20 %.

<노볼락 수지 (C)의 합성> <Synthesis of novolac resin (C)>

[합성예 C1] 노볼락 수지 (C-1)의 합성 [Synthesis Example C1] Synthesis of novolak resin (C-1)

온도계, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에, 1-나프톨 144.2g(1.0몰), 메틸이소부틸케톤 400g, 물 96g 및 92질량% 파라포름알데히드 32.6g(포름알데히드 환산으로 1.0몰)을 넣었다. 계속해서 교반하면서 파라톨루엔술폰산 3.4g을 더했다. 그 후, 100℃에서 8시간 반응시켰다. 반응 종료 후에 순수 200g을 더하고, 계 내의 용액을 분액 로트로 옮겨 수층을 유기층으로부터 분리 제거했다. 이어서 세정수가 중성을 나타낼 때까지 물세정 후, 유기층으로부터 용제를 가열 감압하로 제거하여, 하기식으로 나타나는 구조 단위로 이루어지는 노볼락 수지 (C-1)을 140g 얻었다. 얻어진 노볼락 수지 (C-1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 2000이었다.To a flask equipped with a thermometer, a cooling tube, a separator tube, and a stirrer, 144.2 g (1.0 mol) of 1-naphthol, 400 g of methyl isobutyl ketone, 96 g of water, and 32.6 g of 92% by mass paraformaldehyde (1.0 mol in terms of formaldehyde) put in 3.4 g of para-toluenesulfonic acid was added, stirring continuously. Then, it was made to react at 100 degreeC for 8 hours. After completion of the reaction, 200 g of pure water was added, the solution in the system was transferred to a separation funnel, and the aqueous layer was separated and removed from the organic layer. Subsequently, after washing with water until the washing water became neutral, the solvent was removed from the organic layer under heating and reduced pressure to obtain 140 g of a novolak resin (C-1) composed of a structural unit represented by the following formula. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained novolak resin (C-1) was 2000.

Figure 112015042277024-pat00021
Figure 112015042277024-pat00021

푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR)에 의한 측정 차트로부터, 원료와 비교하여 메티렌 결합에 의한 신축(伸縮) 유래의 흡수(2800∼3000㎝-1)를 확인할 수 있고, 또한, 방향족 에테르 유래의 흡수(1000∼1200㎝-1)는 발견할 수 없었다. 이들 결과로부터, 본 합성예에서는 수산기끼리의 탈수 에테르화 반응(수산기가 소실)은 발생하지 않고, 메티렌 결합을 갖는 노볼락 수지가 얻어졌다고 동정(同定)했다. From the measurement chart by a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), compared with the raw material, absorption (2800-3000 cm -1 ) derived from stretching due to a methylene bond can be confirmed, and also derived from aromatic ether No absorption (1000-1200 cm -1 ) was found. From these results, it was identified that in this synthesis example, dehydration etherification reaction (disappearance of hydroxyl groups) between hydroxyl groups did not occur and a novolak resin having a methylene bond was obtained.

<감방사선성 수지 조성물의 조제><Preparation of radiation-sensitive resin composition>

감방사선성 수지 조성물의 조제에 이용한 각 성분은, 이하와 같다.Each component used for preparation of the radiation-sensitive resin composition is as follows.

·중합체 (A)・Polymer (A)

A-1: 합성예 A1의 중합체A-1: Polymer of Synthesis Example A1

A-2: 합성예 A2의 중합체A-2: Polymer of Synthesis Example A2

A-3: 합성예 A3의 중합체A-3: Polymer of Synthesis Example A3

A-4: 합성예 A4의 중합체A-4: Polymer of Synthesis Example A4

A-5: 합성예 A5의 중합체A-5: Polymer of Synthesis Example A5

·감방사선성 산발생제 (B)・Radiation-sensitive acid generator (B)

B-1: 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드(2.0몰)의 축합물(토요고세이코교(주) 제조)B-1: 4,4'-[1-[4-[1-[4-hydroxyphenyl]-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonedia Condensate of zid-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) (manufactured by Toyogo Seiko Co., Ltd.)

·노볼락 수지 (C)・Novolac resin (C)

C-1: 합성예 C1의 노볼락 수지C-1: Novolak resin of Synthesis Example C1

·가교제 (D) (블록 이소시아네이트 화합물)Crosslinking agent (D) (block isocyanate compound)

D-1: 쇼와덴코(주) 제조의 「카렌즈(Karenz) MOI-BP」D-1: "Karenz MOI-BP" manufactured by Showa Denko Co., Ltd.

2-[(3,5-디메틸피라졸릴)카보닐아미노]에틸메타크릴레이트2-[(3,5-dimethylpyrazolyl)carbonylamino]ethyl methacrylate

·밀착조제 (E)・Adhesive agent (E)

E-1: 신에츠카가쿠코교(주) 제조의 「KBM-403」E-1: "KBM-403" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

3-글리시독시프로필트리메톡시실란3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane

·계면 활성제 (F)・Surfactant (F)

F-1: 토레다우코닝실리콘사 제조의 실리콘계 계면 활성제 「SH8400」F-1: Silicone surfactant "SH8400" manufactured by Toledow Corning Silicone

[실시예 1][Example 1]

합성예 A1의 중합체 (A-1)을 포함하는 중합체 용액 200부(고형분 농도 35질량%; 중합체 (A-1) 70부(고형분)에 상당하는 양)에, 감방사선성 산발생제 (B)로서 (B-1) 20부, 노볼락 수지 (C)로서 (C-1) 30부, 가교제 (D)로서 블록 이소시아네이트 화합물 (D-1) 20부, 밀착조제 (E)로서 (E-1) 5부, 계면 활성제(F) 로서 (F-1) 0.2부 및, 용제 (G)로서 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드와 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 이루어지는 혼합 용제(질량비 10:25)를 혼합하고, 고형분 농도가 25질량%가 되도록 함과 동시에, 구경(口徑) 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다.To 200 parts of a polymer solution containing the polymer (A-1) of Synthesis Example A1 (solid content concentration of 35% by mass; an amount equivalent to 70 parts (solid content) of the polymer (A-1)), a radiation-sensitive acid generator (B) ) as (B-1) 20 parts, as novolak resin (C) (C-1) 30 parts, as a crosslinking agent (D) 20 parts of a block isocyanate compound (D-1), as an adhesion aid (E) (E- 1) 5 parts, 0.2 parts of (F-1) as a surfactant (F), and a mixed solvent consisting of 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide and propylene glycol monomethyl ether acetate as the solvent (G) (mass ratio) 10:25), and while making it so that solid content concentration might be 25 mass %, it filtered with the membrane filter with a diameter of 0.2 micrometer, and the radiation-sensitive resin composition was prepared.

[실시예 2∼14, 비교예 1∼4][Examples 2-14, Comparative Examples 1-4]

표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 이용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 표 1에 있어서, 용제 (G)의 양으로서, 중합체 용액 유래의 용제량과, 별도 첨가한 용제량을, 각각 나타냈다.Except having used each component of the kind and compounding quantity shown in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and prepared the radiation-sensitive resin composition. In Table 1, as the amount of the solvent (G), the amount of the solvent derived from the polymer solution and the amount of the solvent added separately were respectively shown.

[평가][evaluation]

실시예·비교예에서 얻어진 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 이하에 설명하는 방법에 의해 절연막을 제작했다. 상기 조성물의 도포성, 방사선 감도, 해상도 및 LWR, 그리고 흡수성을, 각각 하기 방법으로 평가했다.An insulating film was produced by the method demonstrated below using the radiation-sensitive resin composition obtained by the Example and the comparative example. The coating properties, radiation sensitivity, resolution and LWR of the composition, and absorption properties were evaluated by the following methods, respectively.

(1) 도포 불균일 (1) Non-uniformity of application

슬릿 간극이 50㎛, 도포 유효 폭이 200㎜의 슬릿 헤드를 구비한 슬릿 도포 장치를 이용하여, 건조 후의 막두께가 3.0㎛가 되도록 슬릿과 기판 간과의 간극을 조절하여, 50㎜/초의 도포 스피드로 각 실시예·비교예에서 얻어진 감방사선성 수지 조성물의 도포액을, 폭 300㎜, 길이 300㎜, 두께 0.7㎜의 직사각 형상 유리 기판 상에 도포하여, 길이 250㎜의 도포면을 얻었다. 도포 후, 핫 플레이트에서, 90℃, 120초간 프리베이킹하여, 도막을 얻었다. 그 후, 도포면을 육안으로 관찰하여 줄무늬 형상의 불균일의 갯수를 카운트하여, 하기 기준으로 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.Using a slit coating device having a slit head having a slit gap of 50 μm and a coating effective width of 200 mm, the gap between the slit and the substrate is adjusted so that the film thickness after drying is 3.0 μm, and the coating speed is 50 mm/sec. The coating liquid of the radiation-sensitive resin composition obtained in each Example and the comparative example was apply|coated on the rectangular glass substrate of width 300mm, length 300mm, and thickness 0.7mm, and the coating surface of length 250mm was obtained. After application|coating, it prebaked with the hotplate for 90 degreeC for 120 second, and obtained the coating film. Then, the coated surface was visually observed, the number of stripe-shaped nonuniformity was counted, and the following reference|standard evaluated. The results are shown in Table 1.

·AA: 도포면에 줄무늬 형상의 불균일이 전혀 없다.-AA: There is no stripe-shaped nonuniformity at all on the coated surface.

·BB: 줄무늬 형상의 불균일이 1∼5개 보인다.-BB: 1-5 pieces of stripe-shaped nonuniformity are seen.

·CC: 줄무늬 형상의 불균일이 6개 이상 보인다.-CC: Six or more stripe-shaped nonuniformities are seen.

(2) 도막 상의 이물 발생의 평가 (2) Evaluation of the occurrence of foreign matter on the coating film

상기 「(1) 도포 불균일」의 평가에서 얻어진 상기 도막을 육안으로 관찰하여, 이물의 발생 상황을 다음의 기준으로 평가했다.The said coating film obtained by evaluation of the said "(1) application|coating nonuniformity" was visually observed, and the following reference|standard evaluated the generation|occurrence|production of a foreign material.

·AA: 이물이 확인되지 않는다.·AA: No foreign matter was observed.

·BB: 약간 이물 발생이 확인된다(1∼10개).-BB: The generation of a foreign material was confirmed slightly (1-10 pieces).

·CC: 현저하게 이물 발생이 확인된다(11개 이상).·CC: Remarkably, foreign matter was observed (11 or more).

(3) 방사선 감도 (3) radiation sensitivity

스피너 또는 슬릿다이 코터를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 실시예·비교예에서 얻어진 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 120℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 도막에 대하여, 노광기(캐논사의 「MPA-6000」)를 이용하여, 소정의 패턴을 갖는 패턴 마스크를 개재하여 노광량을 변화시켜 노광했다. 그 후, 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 25℃, 80초간 퍼들법으로 현상하고, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 건조시켜, 실리콘 기판 상에 직경 20.0㎛의 복수의 스루홀을 갖는 절연 패턴을 형성했다. 20.0㎛의 스루홀의 패턴을 완전하게 용해시키기 위해 필요한 노광량을 측정하고, 이때의 노광량을 방사선 감도(노광 감도)로 했다. 방사선 감도는, 100mJ/㎠ 이하인 경우에 「양호」, 100mJ/㎠를 초과할 때에 「불량」으로 했다. 노광량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI Optical Associates사의 「OAI model 356」)에 의해 측정한 값이다.Using a spinner or a slit-die coater, the radiation-sensitive resin composition obtained in each Example and Comparative Example was applied on a silicon substrate, and then prebaked on a hot plate at 120° C. for 2 minutes, and a coating film having a thickness of 3.0 μm was applied. formed This coating film was exposed by changing the exposure amount through the pattern mask which has a predetermined|prescribed pattern using the exposure machine ("MPA-6000" by Canon Corporation). Thereafter, development was performed by a puddle method at 25° C. for 80 seconds in a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, washed in running water for 1 minute with ultrapure water, dried, and a plurality of through-holes having a diameter of 20.0 μm were formed on a silicon substrate. An insulating pattern with The exposure dose required for completely dissolving the 20.0 µm through-hole pattern was measured, and the exposure dose at this time was defined as the radiation sensitivity (exposure sensitivity). Radiation sensitivity was set to "good" when it was 100 mJ/cm<2> or less, and "bad" when it exceeded 100 mJ/cm<2>. An exposure amount is the value measured by the intensity|strength in wavelength 365nm of radiation by the illuminometer ("OAI model 356" by OAI Optical Associates).

(4) 해상도 (4) Resolution

스피너 또는 슬릿다이 코터를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 실시예·비교예에서 얻어진 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 120℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 도막에 대하여, 노광기(캐논사의 「MPA-6000」)를 이용하여, 홀 패턴의 직경 폭 3㎛∼50㎛를 갖는 패턴 마스크를 개재하여 파장 365㎚에 있어서의 노광량 100mJ/㎠로 노광했다. 노광량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI Optical Associates사의 「OAI model 356」)에 의해 측정한 값이다. 그 후, 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 25℃, 80초간 퍼들법으로 현상하고, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 복수의 스루홀의 라인과 직교하는 방향의 수직 단면 형상을 SEM(히타치하이테크놀로지사의 「SU3500」)로 관찰하여, 상기 단면에 있어서 그의 저변 폭을 측정했다. 해상도는, 저변 폭이 작을수록 양호하다라고 할 수 있다. 홀 패턴이 10㎛ 이하이고 또한 현상 잔사가 없는 경우에 「양호」, 홀 패턴이 10㎛를 초과하는 경우에 「불량」으로 했다.Using a spinner or a slit-die coater, the radiation-sensitive resin composition obtained in each Example and Comparative Example was applied on a silicon substrate, and then prebaked on a hot plate at 120° C. for 2 minutes, and a coating film having a thickness of 3.0 μm was applied. formed This coating film was exposed using an exposure machine ("MPA-6000" by Canon Corporation) through a pattern mask having a hole pattern diameter of 3 µm to 50 µm and an exposure amount of 100 mJ/cm 2 at a wavelength of 365 nm. The exposure dose is a value obtained by measuring the intensity of radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (“OAI model 356” by OAI Optical Associates). Thereafter, development was performed by the puddle method at 25° C. for 80 seconds in a 2.38 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, washed in running water for 1 minute with ultrapure water, and the vertical cross-sectional shape in the direction orthogonal to the lines of the plurality of through-holes was measured by SEM ( It observed with Hitachi High-Technologies' "SU3500"), and the base width was measured in the said cross section. It can be said that the resolution is so favorable that the base width is small. When a hole pattern was 10 micrometers or less and there was no development residue, it was set as "good", and when a hole pattern exceeded 10 micrometers, it was set as "bad".

(5) LWR(5) LWR

스피너 또는 슬릿다이 코터를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 실시예·비교예에서 얻어진 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 120℃에서 2분간 핫 플레이트상에서 프리베이킹하여, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 도막에 대하여, 노광기(캐논사의 「MPA-6000」)를 이용하여, 선 폭 5㎛의 스퀘어 패턴을 갖는 패턴 마스크를 개재하여 파장 365㎚에 있어서의 노광량 100mJ/㎠로 노광했다. 노광량은, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를 조도계(OAI Optical Associates사의 「OAI model 356」)에 의해 측정한 값이다. 그 후, 2.38질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 25℃, 80초간 퍼들법으로 현상하고, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 복수의 스퀘어 패턴을 형성했다. 주사형 전자 현미경(히타치하이테크놀로지사의 「SU3500」)을 이용하여, 패턴 상부에서 관찰하여, 임의의 10점에 있어서 선 폭을 측정했다. 선 폭의 측정값의 3시그마값(편차)을 LWR(㎛)로 했다. 이 LWR의 값이 0.5㎛ 이하인 경우에는 「양호」로 하고, 0.5㎛를 초과하는 경우에는 「불량」으로 했다.Using a spinner or a slit die coater, the radiation-sensitive resin composition obtained in each Example and Comparative Example was applied on a silicon substrate, and then prebaked on a hot plate at 120° C. for 2 minutes, and a coating film having a thickness of 3.0 μm was applied. formed This coating film was exposed using an exposure machine ("MPA-6000" by Canon Corporation) through a pattern mask having a square pattern with a line width of 5 µm at an exposure amount of 100 mJ/cm 2 at a wavelength of 365 nm. An exposure amount is the value measured by the intensity|strength in wavelength 365nm of radiation by the illuminometer ("OAI model 356" by OAI Optical Associates). Then, it developed by the puddle method for 80 second at 25 degreeC in 2.38 mass % tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, running water washing was performed for 1 minute with ultrapure water, and several square patterns were formed. Using a scanning electron microscope ("SU3500" by Hitachi High-Technologies Corporation), it observed from the pattern upper part, and measured the line|wire width in 10 arbitrary points|pieces. The 3-sigma value (deviation) of the measured value of line|wire width was made into LWR (micrometer). When the value of this LWR was 0.5 micrometer or less, it was set as "good", and when it exceeded 0.5 micrometer, it was set as "poor".

(6) 흡수성 (6) absorbency

스피너 또는 슬릿다이 코터를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 실시예·비교예에서 얻어진 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 120℃에서 2분간 핫 플레이트상에서 프리베이킹 후, 클린 오븐 중에서 250℃로 45분간 포스트베이킹하여, 막두께 3.0㎛를 갖는 절연막을 형성했다. 이 절연막에 대하여 승온 탈리 가스 분광법(Thermal Desorption Spectroscopy)(ESCO사의 「TDS1200」)을 이용하여 진공도 1.0×10-9Pa에서, 상온으로부터 200℃로 승온했을(30℃/min) 때의 시료 표면 및 시료로부터 이탈하는 가스를 질량 분석계(아질렌트 테크놀로지(Agilent Technologies)사의 「5973N」)로 물의 피크(M/z=18)의 검출값을 측정했다. 60℃∼200℃의 토털의 피크 강도의 적분값[A·sec]을 취하여, 흡수성을 평가했다. 흡수성은, 상기 적분값이 3.0×10-8[A·sec] 이하인 경우에 양호하다고 판단했다.After applying the radiation-sensitive resin composition obtained in each Example and Comparative Example on a silicon substrate using a spinner or a slit-die coater, pre-baking on a hot plate at 120° C. for 2 minutes, and then in a clean oven at 250° C. 45 Minutes were post-baked to form the insulating film which has a film thickness of 3.0 micrometers. With respect to this insulating film, the sample surface when the temperature was raised from room temperature to 200°C (30°C/min) at a vacuum degree of 1.0×10 -9 Pa using thermal desorption spectroscopy (“TDS1200” manufactured by ESCO Corporation) and The detected value of the water peak (M/z=18) was measured for the gas which escaped from a sample with the mass spectrometer ("5973N" by Agilent Technologies). Water absorption was evaluated by taking the integral value [A·sec] of the total peak intensity at 60°C to 200°C. Water absorption was judged to be favorable when the said integral value was 3.0 x 10 -8 [A·sec] or less.

Figure 112015042277024-pat00022
Figure 112015042277024-pat00022

Claims (12)

(A) 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 및, 상기 폴리이미드의 전구체로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체와,
(B) 감방사선성 산발생제와,
(G1) 식 (G1-1)로 나타나는 화합물 및, 식 (G1-2)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 용제와,
(G2) 글리콜계 용제
를 함유하는 감방사선성 수지 조성물:
Figure 112021137809386-pat00023

[식 (A1) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이고, X는 4가의 유기기임];
Figure 112021137809386-pat00024

[식 (G1-1) 중, RG1은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼18의 탄화수소기 또는 상기 탄화수소기에 있어서의 적어도 1개의 탄소-탄소 결합 간에 -O-를 삽입하여 이루어지는 기이고, 2개의 RG1은 서로 결합하여 질소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 좋고, RG2는 메틸렌기 또는 카보닐기이고, RG3은 수소 원자 또는 탄소수 1∼18의 탄화수소기이고, RG4는 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 2∼10의 알콕시알킬기이고;
식 (G1-2) 중, XG1은 각각 독립적으로 C-H 또는 질소 원자이고, 단 적어도 1개의 XG1은 질소 원자이고, XG2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼18의 탄화수소기 또는 탄소수 2∼18의 알콕시알킬기이고, 단 「2개의 XG1이 각각 C-H 및 N 원자이고, N 원자에 결합한 XG2가 메틸기이고, 탄소 원자에 결합한 XG2가 수소 원자인 경우」를 제외함].
(A) at least 1 sort(s) of polymer chosen from the polyimide which has a structural unit represented by Formula (A1), and the said polyimide precursor;
(B) a radiation-sensitive acid generator;
(G1) at least one solvent selected from the compound represented by the formula (G1-1) and the compound represented by the formula (G1-2);
(G2) glycol-based solvents
A radiation-sensitive resin composition containing:
Figure 112021137809386-pat00023

[in formula (A1), R 1 is a divalent group having a hydroxyl group, and X is a tetravalent organic group];
Figure 112021137809386-pat00024

[In formula (G1-1), R G1 is each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or a group formed by inserting -O- between at least one carbon-carbon bond in the hydrocarbon group, 2 R G1 may be bonded to each other to form a ring together with a nitrogen atom, R G2 is a methylene group or a carbonyl group, R G3 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and R G4 is a ring having 1 to 12 carbon atoms an alkyl group or an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms;
In the formula (G1-2), each X G1 is independently CH or a nitrogen atom, provided that at least one X G1 is a nitrogen atom, and each X G2 is independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or 2 carbon atoms. to 18 alkoxyalkyl group, with the proviso that "when two X G1 are CH and N atoms, respectively, X G2 bonded to an N atom is a methyl group, and X G2 bonded to a carbon atom is a hydrogen atom"].
제1항에 있어서,
식 (A1)에 있어서의 R1이, 식 (a1)로 나타나는 2가의 기인 감방사선성 수지 조성물:
Figure 112015042277024-pat00025

[식 (a1) 중, R2는, 단결합, 산소 원자, 황 원자, 술포닐기, 카보닐기, 메틸렌기, 디메틸메틸렌기 또는 비스(트리플루오로메틸)메틸렌기이고; R3은, 각각 독립적으로 수소 원자, 포르밀기, 아실기 또는 알킬기이고, 단, R3의 적어도 1개는 수소 원자이고; n1 및 n2는, 각각 독립적으로 0∼2의 정수이고, 단, n1 및 n2의 적어도 한쪽은 1 또는 2이고; n1과 n2와의 합계가 2 이상인 경우, 복수의 R3은 동일해도 상이해도 좋음].
According to claim 1,
Radiation-sensitive resin composition in which R 1 in Formula (A1) is a divalent group represented by Formula (a1):
Figure 112015042277024-pat00025

[In formula (a1), R 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfonyl group, a carbonyl group, a methylene group, a dimethylmethylene group, or a bis(trifluoromethyl)methylene group; R 3 is each independently a hydrogen atom, a formyl group, an acyl group or an alkyl group, provided that at least one of R 3 is a hydrogen atom; n1 and n2 are each independently an integer of 0 to 2, provided that at least one of n1 and n2 is 1 or 2; When the sum of n1 and n2 is 2 or more, a plurality of R 3 may be the same or different].
제1항에 있어서,
상기 용제 (G1)이, N,N,2-트리메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-헥실옥시-N,N-디메틸프로판아미드, 이소프로폭시-N-이소프로필-프로피온아미드, n-부톡시-N-이소프로필-프로피온아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, N-(n-프로필)-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-(n-부틸)-2-피롤리돈, N-(t-부틸)-2-피롤리돈, N-(n-펜틸)-2-피롤리돈, N-메톡시프로필-2-피롤리돈, N-에톡시에틸-2-피롤리돈 및 N-메톡시부틸-2-피롤리돈으로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물.
According to claim 1,
The solvent (G1) is N,N,2-trimethylpropionamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-hexyloxy-N ,N-dimethylpropanamide, isopropoxy-N-isopropyl-propionamide, n-butoxy-N-isopropyl-propionamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2 -pyrrolidone, N-(n-propyl)-2-pyrrolidone, N-isopropyl-2-pyrrolidone, N-(n-butyl)-2-pyrrolidone, N-(t-butyl )-2-pyrrolidone, N-(n-pentyl)-2-pyrrolidone, N-methoxypropyl-2-pyrrolidone, N-ethoxyethyl-2-pyrrolidone and N-methoxy A radiation-sensitive resin composition comprising at least one solvent selected from butyl-2-pyrrolidone.
제1항에 있어서,
글리콜계 용제 (G2)가, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트 및, 트리에틸렌글리콜디알킬에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물.
According to claim 1,
The glycol-based solvent (G2) is diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether acetate, A radiation-sensitive resin composition comprising at least one solvent selected from propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether propionate, and triethylene glycol dialkyl ether.
제1항에 있어서,
(C) 노볼락 수지를 추가로 함유하는 감방사선성 수지 조성물
According to claim 1,
(C) radiation-sensitive resin composition further containing novolac resin
(A) 식 (A1)로 나타나는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 및, 상기 폴리이미드의 전구체로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체와,
(B) 감방사선성 산발생제와,
(G1) 식 (G1-1)로 나타나는 화합물 및, 식 (G1-2)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 용제와,
(C) 노볼락 수지
를 함유하는 감방사선성 수지 조성물:
Figure 112021137809386-pat00029

[식 (A1) 중, R1은 수산기를 갖는 2가의 기이고, X는 4가의 유기기임];
Figure 112021137809386-pat00030

[식 (G1-1) 중, RG1은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼18의 탄화수소기 또는 상기 탄화수소기에 있어서의 적어도 1개의 탄소-탄소 결합 간에 -O-를 삽입하여 이루어지는 기이고, 2개의 RG1은 서로 결합하여 질소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 좋고, RG2는 메틸렌기 또는 카보닐기이고, RG3은 수소 원자 또는 탄소수 1∼18의 탄화수소기이고, RG4는 탄소수 1∼12의 알킬기 또는 탄소수 2∼10의 알콕시알킬기이고;
식 (G1-2) 중, XG1은 각각 독립적으로 C-H 또는 질소 원자이고, 단 적어도 1개의 XG1은 질소 원자이고, XG2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼18의 탄화수소기 또는 탄소수 2∼18의 알콕시알킬기이고, 단 「2개의 XG1이 각각 C-H 및 N 원자이고, N 원자에 결합한 XG2가 메틸기이고, 탄소 원자에 결합한 XG2가 수소 원자인 경우」를 제외함].
(A) at least 1 sort(s) of polymer chosen from the polyimide which has a structural unit represented by Formula (A1), and the said polyimide precursor;
(B) a radiation-sensitive acid generator;
(G1) at least one solvent selected from the compound represented by the formula (G1-1) and the compound represented by the formula (G1-2);
(C) novolac resin
A radiation-sensitive resin composition containing:
Figure 112021137809386-pat00029

[in formula (A1), R 1 is a divalent group having a hydroxyl group, and X is a tetravalent organic group];
Figure 112021137809386-pat00030

[In formula (G1-1), R G1 is each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or a group formed by inserting -O- between at least one carbon-carbon bond in the hydrocarbon group, 2 R G1 may be bonded to each other to form a ring together with a nitrogen atom, R G2 is a methylene group or a carbonyl group, R G3 is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, and R G4 is a ring having 1 to 12 carbon atoms an alkyl group or an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms;
In the formula (G1-2), each X G1 is independently CH or a nitrogen atom, provided that at least one X G1 is a nitrogen atom, and each X G2 is independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, or 2 carbon atoms. to 18 alkoxyalkyl group, with the proviso that "when two X G1 are CH and N atoms, respectively, X G2 bonded to an N atom is a methyl group, and X G2 bonded to a carbon atom is a hydrogen atom"].
제6항에 있어서,
노볼락 수지 (C)가, 페놀성 수산기를 갖는 축합 다환식 방향족기를 갖는 구조 단위를 포함하는 수지인 감방사선성 수지 조성물.
7. The method of claim 6,
The radiation-sensitive resin composition wherein the novolac resin (C) is a resin comprising a structural unit having a condensed polycyclic aromatic group having a phenolic hydroxyl group.
제7항에 있어서,
노볼락 수지 (C)가, 식 (C2-1)로 나타나는 구조 단위 및 식 (C2-2)로 나타나는 구조 단위로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 수지인 감방사선성 수지 조성물:
Figure 112015042277024-pat00026

[식 (C2-1)∼식 (C2-2) 중, R2는, 메틸렌기, 탄소수 2∼30의 알킬렌기, 탄소수 4∼30의 2가의 지환식 탄화수소기, 탄소수 7∼30의 아르알킬렌기 또는 -R3-Ar-R3-로 나타나는 기(Ar은 2가의 방향족기이고, R3은 각각 독립적으로 메틸렌기 또는 탄소수 2∼20의 알킬렌기임)이고; a, b, c 및 e는 각각 독립적으로 0∼3의 정수이고, d는 0∼2의 정수이고, 단, a 및 b가 모두 0인 경우는 없고, c∼e 모두가 0인 경우는 없음].
8. The method of claim 7,
A radiation-sensitive resin composition wherein the novolak resin (C) is a resin having at least one selected from the structural unit represented by the formula (C2-1) and the structural unit represented by the formula (C2-2):
Figure 112015042277024-pat00026

[In formulas (C2-1) to (C2-2), R 2 is a methylene group, an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 30 carbon atoms, or aralkyl having 7 to 30 carbon atoms. a ene group or a group represented by -R 3 -Ar-R 3 - (Ar is a divalent aromatic group, and R 3 is each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms); a, b, c and e are each independently an integer of 0 to 3, d is an integer of 0 to 2, provided that a and b are not both 0, and c to e are not all 0 ].
제1항에 있어서,
(D) 가교제를 추가로 함유하는 감방사선성 수지 조성물.
According to claim 1,
(D) The radiation-sensitive resin composition further containing a crosslinking agent.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 유기 EL 소자용 절연막.The insulating film for organic electroluminescent elements formed from the radiation-sensitive resin composition in any one of Claims 1-9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, 상기 현상된 도막을 가열하는 공정을 갖는 유기 EL 소자용 절연막의 제조 방법.A process of forming a coating film on a substrate using the radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9, a process of irradiating at least a part of the coating film with radiation, and developing the radiation-irradiated coating film A method for manufacturing an insulating film for an organic EL device, comprising the steps of: and heating the developed coating film. 제10항에 기재된 절연막을 구비하는 유기 EL 소자.The organic EL element provided with the insulating film of Claim 10.
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