KR102363304B1 - Plasma focus ring connection structure of semiconductor etching apparatus - Google Patents

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KR102363304B1
KR102363304B1 KR1020200128161A KR20200128161A KR102363304B1 KR 102363304 B1 KR102363304 B1 KR 102363304B1 KR 1020200128161 A KR1020200128161 A KR 1020200128161A KR 20200128161 A KR20200128161 A KR 20200128161A KR 102363304 B1 KR102363304 B1 KR 102363304B1
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focus ring
plasma
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ring
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김기상
이원규
전재홍
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Abstract

The present invention relates to a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching device capable of preventing loosening of a plasma focus ring divided into multiple pieces and assembled by bolts and improving conductivity, wherein the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching device comprises: an upper part focus ring that is placed outside the upper part of an electrostatic chuck and formed with a plurality of fastening grooves on a lower part rim; a lower part focus ring wherein a plurality of slots are formed in close contact with the lower part of the upper part focus ring to induce a flow of gas, and formed with a coupling groove communicating with the fastening groove at an edge; a ground strap inserted between the upper part focus ring and the lower part focus ring; and a fastening bolt fastened through a fastening groove and a coupling groove to couple the upper part focus ring and the lower part focus ring, avoiding direct exposure to a plasma gas.

Description

반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조{PLASMA FOCUS RING CONNECTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS}Plasma focus ring connection structure of semiconductor etching apparatus {PLASMA FOCUS RING CONNECTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS}

본 발명은 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수개로 나누어져 볼트 조립되는 플라즈마 포커스 링의 풀림을 방지하고 전도성을 향상시킬 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus, and more particularly, a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus that can prevent loosening of a plasma focus ring divided into a plurality and assembled by bolts and improve conductivity is about

일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판(즉, 실리콘 웨이퍼)상에 반도체성 박막, 도전성 박막 또는 절연성의 박막을 형성하고, 이들의 일부를 식각하여 제작한다.In general, a semiconductor device is manufactured by forming a semiconductor thin film, a conductive thin film, or an insulating thin film on a semiconductor substrate (ie, a silicon wafer), and etching a part of them.

최근 들어, 박막의 형성 공정과 식각 공정시 플라즈마 기술을 이용하여 공정 효율을 증대시키고 있다.In recent years, plasma technology has been used to increase process efficiency in a thin film formation process and an etching process.

식각 공정을 예를 들면, 플라즈마 식각 챔버에 반응 가스를 공급하고, 챔버에 고주파 전원을 인가하여 반응 가스를 여기된 플라즈마 상태가 되도록 한다.In the etching process, for example, a reaction gas is supplied to a plasma etching chamber, and a high-frequency power is applied to the chamber so that the reaction gas is in an excited plasma state.

이와 같이, 반응 가스를 플라즈마화시켜 웨이퍼 상의 박막들과의 반응성을 높일 뿐만 아니라, 플라즈마화된 반응 가스의 물리적인 충돌에 의해 박막이 제거됨으로 인해 박막의 제거 성능을 향상시킬 수 있다.In this way, the reactive gas is converted into plasma to increase the reactivity with the thin films on the wafer, and the thin film is removed by the physical collision of the plasmaized reactive gas, thereby improving the thin film removal performance.

플라즈마 처리 장치의 경우 웨이퍼 상부에 형성되는 플라즈마의 분포가 균일하게 유지되어야 하는 문제가 있다.In the case of a plasma processing apparatus, there is a problem in that the distribution of plasma formed on the wafer must be uniformly maintained.

따라서, 웨이퍼의 가장자리 부위에 원형의 링을 배치시켜 웨이퍼 상의 플라즈마 분포의 균일도를 향상시켰다.Therefore, the uniformity of plasma distribution on the wafer was improved by arranging a circular ring at the edge of the wafer.

즉, 플라즈마를 웨이퍼의 외측까지 확대시켜 웨이퍼 상측의 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있었다.That is, the plasma was expanded to the outer side of the wafer to improve the plasma uniformity on the upper side of the wafer.

대한민국 공개특허공보 제10-2005-0091854호(이하, '특허문헌 1' 이라 함)의 "반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링"에 의한 포커스 링의 구조를 살펴보면, 포커스 링은 외측 링과 내측 링으로 분할 형성되되 외측 링과 내측 링이 서로 수직 형태로 분리되며, 웨이퍼는 내측 링의 상단에만 접촉된다.Looking at the structure of the focus ring according to the "focus ring of semiconductor wafer manufacturing apparatus" in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2005-0091854 (hereinafter referred to as 'Patent Document 1'), the focus ring is composed of an outer ring and an inner ring. It is dividedly formed so that the outer ring and the inner ring are vertically separated from each other, and the wafer is in contact only with the upper end of the inner ring.

또한, 상기 외측 링은 웨이퍼를 중심으로 바깥 쪽에 위치하여 내커버 링의 안쪽과 접촉 결합되며, 내측 링은 외측 링의 안쪽에 결합된다.In addition, the outer ring is positioned outside the wafer as a center and is coupled to the inside of the inner cover ring, the inner ring is coupled to the inside of the outer ring.

이러한 종래의 특허문헌 1에 의한 포커스 링이 외측 링과 내측 링으로 수직 방향으로 분리 조립함으로써 분리 조립된 부분에 갭(gap)이 발생되고 갭에 의해 내측와 외측의 온도 전달율에 차이가 발생하게 되며, 외측 링과 내측 링 사이의 갭에 의해 폴리머가 도포되면 아킹(arcing)이 발생되는 문제점이 있었다.By separating and assembling the focus ring according to the prior art Patent Document 1 into the outer ring and the inner ring in the vertical direction, a gap is generated in the separated and assembled portion, and a difference in the temperature transfer rate between the inner and the outer side occurs due to the gap, When a polymer is applied by the gap between the outer ring and the inner ring, there is a problem in that arcing occurs.

또한, 외측 링과 내측 링의 분리된 갭의 발생에 의해 플라즈마 전위차가 발생하여 플라즈마 시스의 변화에 의해 웨이퍼 엣지 수율에 문제를 유발하게 된다.In addition, a plasma potential difference is generated due to the generation of the separated gap between the outer ring and the inner ring, which causes a problem in the yield of the wafer edge due to the change in the plasma sheath.

대한민국 공개실용신안공보 제20-2018-0003064호(이하, '특허문헌 2' 라 함)의 "플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링"의 구조를 살펴보면, 상부링과 하부링으로 각각 구성되되, 상부링은 중앙부의 둘레를 따라 관통되는 다수의 슬롯이 형성되며 하부에는 가장자리에 근접되게 둘레를 따라 다수의 홈부가 일정간격 이격되게 형성되고, 하부링이 가장자리에 근접되되 홈부와 대응되는 위치에 관통홀이 형성되어, 결합부재를 이용하여 관통홀과 홈부에 순차적으로 각각 결합된다.Looking at the structure of the "separate type limiting ring for plasma etching apparatus" of Republic of Korea Utility Model Publication No. 20-2018-0003064 (hereinafter referred to as 'Patent Document 2'), it is composed of an upper ring and a lower ring, respectively, the upper The ring has a plurality of slots penetrating along the periphery of the central part, and a plurality of grooves are formed along the periphery to be close to the edge and spaced apart from each other by a certain distance in the lower part, and the lower ring is close to the edge and has a through hole at a position corresponding to the groove part. This is formed and sequentially coupled to the through hole and the groove portion using a coupling member, respectively.

이러한 종래의 특허문헌 2에 따르면 반도체 에칭공정에서 챔버의 내부에 구성되는 척의 상부에 한정 링이 설치될 때 상부링이 하부에 위치되고 하부링이 상부로 위치되어 실질적으로 상부링의 슬롯으로 플라즈마 가스가 최종적으로 배출되는데, 이때 챔버의 내부에서 플라즈마 가스의 지속적인 노출에 따라 상부링과 하부링을 연결하는 결합부재가 녹아내리는 등 변형이 발생되어 제품성이 떨어지고 교체 주기가 빨라 유지보수 비용이 과다하게 소요되는 문제점이 있다.According to this conventional patent document 2, when the confinement ring is installed on the upper part of the chuck configured in the interior of the chamber in the semiconductor etching process, the upper ring is positioned at the lower part and the lower ring is positioned at the upper part, so that the plasma gas is substantially introduced into the slot of the upper ring. is finally discharged. At this time, due to the continuous exposure of plasma gas inside the chamber, deformation occurs such as melting of the coupling member connecting the upper ring and the lower ring, resulting in poor product quality and a fast replacement cycle, resulting in excessive maintenance costs There is a problem that takes.

또한, 종래에는 상부링과 하부링이 결합부재로 결합됨으로써 플라즈마 가스의 지속적인 노출에 따라 결합부재가 풀리게 되고 그에 따라 상부링과 하부링 사이에 틈새가 발생되어 전도성이 떨어지는 문제점이 있다.In addition, in the prior art, since the upper ring and the lower ring are coupled by a coupling member, the coupling member is released according to continuous exposure to plasma gas, and accordingly, a gap is generated between the upper ring and the lower ring, thereby reducing conductivity.

대한민국 공개특허공보 제10-2005-0091854호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2005-0091854 대한민국 공개실용신안공보 제20-2018-0003064호Republic of Korea Public Utility Model Publication No. 20-2018-0003064

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 그 목적은 포커스 링을 복수개로 분리 하여 체결부재로 조립하되 상,하부 포커스 링 사이에 탄성의 접지스트랩을 삽입한 다음 체결부재를 조립함으로써 플라즈마 가스의 지속적인 노출에도 접지스트랩이 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 유동을 방지하여 체결부재가 풀리지 않게 되어 제품의 견고성을 최대화하고 접지스트랩이 상,하부 포커스 링에 접촉되어 전도성을 높일 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the above problem, and its purpose is to separate a plurality of focus rings and assemble them as a fastening member, by inserting an elastic grounding strap between the upper and lower focus rings and then assembling the fastening member. The grounding strap prevents the flow of the upper focus ring and the lower focus ring despite continuous exposure to plasma gas, so that the fastening member does not come loose, maximizing the product's robustness, and the grounding strap is in contact with the upper and lower focus rings to increase conductivity. An object of the present invention is to provide a plasma focus ring connection structure of an etching apparatus.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조는 정전 척의 상부 외측에 놓여지며 하부 테두리에 복수개의 체결홈이 형성된 상부 포커스 링과, 상기 상부 포커스 링의 하부에 밀착되어 가스의 흐름을 유도하도록 다수개의 슬롯이 형성되며 테두리에 체결홈과 연통되는 결합홈이 형성된 하부 포커스 링과, 상기 상부 포커스 링과 하부 포커스 링 사이에 삽입되는 접지스트랩과, 상기 상부 포커스 링과 하부 포커스 링을 결합하되 플라즈마 가스에 직접적으로 노출되지 않게 체결홈과 결합홈을 통해 체결되는 체결볼트를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus according to an embodiment of the present invention includes an upper focus ring disposed outside an upper portion of an electrostatic chuck and having a plurality of fastening grooves formed on a lower edge thereof, and the upper focus ring. a lower focus ring having a plurality of slots formed in close contact with the lower portion to induce a flow of gas and having a coupling groove communicating with the fastening groove at an edge thereof; a grounding strap inserted between the upper focus ring and the lower focus ring; A fastening bolt coupled through the fastening groove and the coupling groove to couple the focus ring and the lower focus ring without being directly exposed to the plasma gas may be included.

상기 상부 포커스 링의 하부면에는 접지스트랩의 일부가 삽입될 수 있도록 제1삽입홈이 형성되며, 상기 하부 포커스 링의 상부면에는 접지스트랩의 나머지 일부가 삽입될 수 있도록 제2삽입홈이 형성될 수 있다.A first insertion groove may be formed in the lower surface of the upper focus ring so that a part of the ground strap can be inserted, and a second insertion groove may be formed in the upper surface of the lower focus ring so that the remaining part of the ground strap can be inserted. can

상기 제1삽입홈과 제2삽입홈은 상,하부 포커스 링에 복수개로 형성될 수 있다.A plurality of the first insertion groove and the second insertion groove may be formed in the upper and lower focus rings.

상기 접지스트랩은 제1삽입홈과 제2삽입홈 내에 장입되되 탄성체로 형성되어 체결볼트의 풀림을 방지할 수 있도록 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 유동을 최소화할 수 있다.The ground strap is inserted into the first insertion groove and the second insertion groove and is formed of an elastic body, so that the flow of the upper focus ring and the lower focus ring can be minimized to prevent loosening of the fastening bolt.

상기 접지스트랩은 제1삽입홈과 제2삽입홈에 삽입되면서 상,하부가 각각 상부 포커스 링과 하부 포커스 링에 접촉되어 플라즈마 가스의 전도 효율을 높일 수 있다.As the ground strap is inserted into the first insertion groove and the second insertion groove, upper and lower portions of the ground strap are in contact with the upper focus ring and the lower focus ring, respectively, to increase the plasma gas conduction efficiency.

상기 접지스트랩은 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 전도효율을 높일 수 있도록 전도성 세라믹 소재로 이루어질 수 있다.The ground strap may be made of a conductive ceramic material to increase the conduction efficiency of the upper focus ring and the lower focus ring.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조에 의하면, 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 사이에 탄성의 접지스트랩을 삽입한 다음 전도성 세라믹 소재로 이루어진 체결볼트로 조립함으로써 플라즈마 가스의 지속적인 배출에도 탄성의 접지스트랩이 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 유동을 최소화할 수 있어 체결볼트의 풀림을 방지하고 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 이격에도 접지스트랩이 상,하부 포커스 링에 접촉되어 전도 효율을 높여 제품의 견고성 및 제품 효율을 극대화할 수 있다.As described above, according to the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching apparatus according to the present invention, an elastic grounding strap is inserted between the upper focus ring and the lower focus ring, and then the plasma is assembled with a fastening bolt made of a conductive ceramic material. The elastic grounding strap minimizes the movement of the upper focus ring and the lower focus ring even when the gas is continuously discharged, preventing loosening of the fastening bolt. It is possible to maximize the product's robustness and product efficiency by increasing the conduction efficiency.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조를 도시한 결합사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조의 접지스트랩의 결합 전 상태를 도시한 절단면도이다.
도 4는 도 3에 따른 접지스트랩의 결합상태를 도시한 절단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조의 체결볼트의 결합 전 상태를 도시한 절단면도이다.
도 6은 도 5에 따른 체결볼트의 결합상태를 도시한 절단면도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.
2 is a combined perspective view illustrating a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a state before coupling of a ground strap of a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the coupling state of the ground strap according to FIG.
5 is a cross-sectional view illustrating a state before coupling of the fastening bolts of the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching apparatus according to the present invention.
6 is a cross-sectional view showing the coupling state of the fastening bolts according to FIG.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

도면들에 있어서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니며 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 권리 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.In the drawings, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown and are exaggerated for clarity. Although specific terms have been used herein, they are used for the purpose of describing the present invention, and are not used to limit the meaning or scope of the present invention described in the claims.

본 명세서에서 '및/또는'이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 또한, '연결되는/결합되는'이란 표현은 다른 구성요소와 직접적으로 연결되거나 다른 구성요소를 통해 간접적으로 연결되는 것을 포함하는 의미로 사용된다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 또한, 명세서에서 사용되는 '포함한다' 또는 '포함하는'으로 언급된 구성요소, 단계, 동작 및 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및 소자의 존재 또는 추가를 의미한다.In the present specification, the expression 'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after. In addition, the expression 'connected/coupled' is used in a sense including being directly connected to another element or indirectly connected through another element. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. Also, as used herein, a component, step, operation, and element referred to as 'comprises' or 'comprising' refers to the presence or addition of one or more other components, steps, operation and element.

또한, '제1, 제2' 등과 같은 표현은, 복수의 구성들을 구분하기 위한 용도로만 사용된 표현으로써, 구성들 사이의 순서나 기타 특징들을 한정하지 않는다.In addition, expressions such as 'first, second', etc. are used only for the purpose of distinguishing a plurality of components, and do not limit the order or other characteristics between the components.

실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 측(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure is “on” or “under/under” the substrate, each side (film), region, pad or patterns. The description of "formed on" includes all those formed directly or through another layer. The standards for the upper/above or lower/lower layers of each layer will be described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조를 도시한 분해사시도이며, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조를 도시한 결합사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조의 접지스트랩의 결합 전 상태를 도시한 절단면도이며, 도 4는 도 3에 따른 접지스트랩의 결합상태를 도시한 절단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조의 체결볼트의 결합 전 상태를 도시한 절단면도이며, 도 6은 도 5에 따른 체결볼트의 결합상태를 도시한 절단면도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a combined perspective view illustrating a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is the present invention It is a cross-sectional view showing the state before coupling of the ground strap of the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching apparatus according to the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view showing the coupling state of the ground strap according to FIG. 3; A cross-sectional view showing a state before coupling of the fastening bolts of the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching apparatus according to FIG. 6 is a cross-sectional view showing the coupling state of the fastening bolts according to FIG.

도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조는 상부 포커스 링(100)과, 하부 포커스 링(200)과, 접지스트랩(300)과, 체결볼트(400)를 포함할 수 있다.1 to 6 , the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching apparatus according to the present invention includes an upper focus ring 100 , a lower focus ring 200 , a grounding strap 300 , and a fastening bolt. (400).

상기 상부 포커스 링(100)은 반도체 식각장치의 정전 척 상부 외측에 놓여지게 된다.The upper focus ring 100 is placed outside the upper portion of the electrostatic chuck of the semiconductor etching apparatus.

또한, 상기 상부 포커스 링(100)의 하부 테두리에는 체결볼트(400)가 체결될 수 있도록 체결홈(110)이 형성될 수 있다.In addition, a fastening groove 110 may be formed in the lower edge of the upper focus ring 100 so that the fastening bolt 400 can be fastened.

상기 체결홈(110)은 일정 간격을 두고 복수개로 형성되며, 체결볼트(400)가 볼팅 체결될 수 있도록 나사 방식으로 형성될 수 있다.The fastening grooves 110 are formed in plurality at regular intervals, and may be formed in a screw type so that the fastening bolts 400 can be bolted to each other.

한편, 도시하지는 않았지만 상기 상부 포커스 링(100)은 원판 형태의 가공물을 가공물 고정 척에 올려놓고 고정한 상태에서 가공기를 이용하여 흔들림 없이 안정적으로 가공할 수 있다.On the other hand, although not shown, the upper focus ring 100 can be stably processed without shaking by using a processing machine in a state where the workpiece in the form of a disk is placed on the workpiece fixing chuck and fixed.

상기 상부 포커스 링(100)의 하부면에는 체결홈(110)과 별도로 하기에 설명된 접지스트랩(300)의 일부가 삽입될 수 있도록 제1삽입홈(120)이 형성될 수 있다.A first insertion groove 120 may be formed in the lower surface of the upper focus ring 100 so that a part of the ground strap 300 described below can be inserted separately from the fastening groove 110 .

또한, 상기 제1삽입홈(120)은 각각의 체결홈(110) 사이에 형성될 수 있다.In addition, the first insertion groove 120 may be formed between each fastening groove (110).

상기 하부 포커스 링(200)은 상부 포커스 링(100)과 별도로 분리하여 가공되며, 상기 상부 포커스 링(100)의 하부에 밀착되어 연결될 수 있다.The lower focus ring 200 may be processed separately from the upper focus ring 100 , and may be closely connected to a lower portion of the upper focus ring 100 .

또한, 상기 하부 포커스 링(200)에는 가스의 흐름을 유도할 수 있도록 다수개의 슬롯(210)이 형성될 수 있다.In addition, a plurality of slots 210 may be formed in the lower focus ring 200 to induce a gas flow.

상기 하부 포커스 링(200)의 테두리에는 상,하를 관통하여 체결볼트(400)가 결합될 수 있도록 결합홈(220)이 형성될 수 있다.A coupling groove 220 may be formed in the rim of the lower focus ring 200 so that the fastening bolt 400 can be coupled through the upper and lower portions.

상기 결합홈(220)은 체결볼트(400)가 삽입되어 체결될 수 있도록 체결홈(110)과 서로 연통되게 형성될 수 있다.The coupling groove 220 may be formed to communicate with the fastening groove 110 so that the fastening bolt 400 can be inserted and fastened.

상기 하부 포커스 링(200)의 상부면에는 결합홈(220)과 별도로 제1삽입홈(120)과 연통되게 형성되어 접지스트랩(300)의 나머지 일부가 삽입될 수 있도록 제2삽입홈(230)이 형성될 수 있다.A second insertion groove 230 is formed in the upper surface of the lower focus ring 200 to communicate with the first insertion groove 120 separately from the coupling groove 220 so that the remaining part of the ground strap 300 can be inserted. can be formed.

또한, 상기 제2삽입홈(230)은 각각의 결합홈(220) 사이에 형성될 수 있다.In addition, the second insertion groove 230 may be formed between each coupling groove 220 .

이때, 상기 제2삽입홈(230)은 하부 포커스 링(200)의 상,하를 관통되지 않게 형성됨이 바람직하다.In this case, the second insertion groove 230 is preferably formed so as not to penetrate the upper and lower portions of the lower focus ring 200 .

도 3 내지 도 4에서와 같이, 상기 접지스트랩(300)은 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200) 사이에 삽입되어 체결볼트(400)로 연결되는 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 서로 바깥쪽으로 당겨주어 플라즈마 가스의 지속적인 노출에도 상,하부 포커스 링(100,200)의 유동을 최소화할 수 있다.3 to 4 , the ground strap 300 is inserted between the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 and connected to the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 by a fastening bolt 400 . By pulling the rings 200 outward from each other, the flow of the upper and lower focus rings 100 and 200 can be minimized even when the plasma gas is continuously exposed.

또한, 상기 접지스트랩(300)은 제1삽입홈(120)과 제2삽입홈(230) 내에 장입되며, 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 서로 바깥쪽으로 당겨줄 수 있도록 탄성체로 형성되어 상,하부 포커스 링(100,200)의 유동을 최소화하여 체결볼트(400)의 풀림을 방지할 수 있다.In addition, the ground strap 300 is inserted into the first insertion groove 120 and the second insertion groove 230 so that the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 can be pulled outward from each other. Since it is formed of an elastic body, it is possible to prevent loosening of the fastening bolt 400 by minimizing the flow of the upper and lower focus rings 100 and 200 .

그리고, 상기 접지스트랩(300)은 제1삽입홈(120)과 제2삽입홈(230)에 삽입되되 플라즈마 가스의 전도 효율을 높일 수 있도록 상,하부가 각각 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)에 접촉될 수 있다.In addition, the ground strap 300 is inserted into the first insertion groove 120 and the second insertion groove 230 so that the upper and lower parts of the upper and lower focus rings 100 and the lower focus can increase the plasma gas conduction efficiency, respectively. It may be in contact with the ring 200 .

또한, 상기 접지스트랩(300)은 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)의 전도 효율을 높일 수 있도록 전도성 세라믹 소재로 이루어질 수 있다.In addition, the ground strap 300 may be made of a conductive ceramic material to increase the conduction efficiency of the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 .

도 5 내지 도 6에서와 같이, 상기 체결볼트(400)는 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 결합할 수 있다.5 to 6 , the fastening bolt 400 may couple the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 .

이때, 상기 체결볼트(400)는 플라즈마 가스에 직접적으로 노출되지 않게 결합홈(220)을 통해 체결홈(110)에 체결될 수 있다.At this time, the fastening bolt 400 may be fastened to the fastening groove 110 through the coupling groove 220 so as not to be directly exposed to the plasma gas.

즉, 상기 체결홈(110)과 결합홈(220)이 서로 연통된 상태에서 상기 체결볼트(400)를 결합홈으로 삽입하여 상기 체결홈(110)에 체결함으로써 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 서로 연결시키거나 쉽게 분리할 수 있다.That is, in a state in which the fastening groove 110 and the coupling groove 220 are in communication with each other, the upper focus ring 100 and the lower part are inserted by inserting the fastening bolt 400 into the coupling groove and fastened to the fastening groove 110 . The focus rings 200 may be connected to each other or may be easily separated.

상기와 같은 구조로 이루어진 본 발명의 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조에 따른 작용상태를 살펴보면 아래와 같다.An operation state according to the plasma focus ring connection structure of the semiconductor etching apparatus of the present invention having the structure as described above is as follows.

상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)의 복수로 분리하여 가공하고 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 체결볼트(400)로 착탈 가능하게 연결함으로써 어느 한 부분에 이상 발생시 전체를 교체할 필요 없이 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 분리하여 해당 부품만 교체할 수 있다.The upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 are separated and processed into a plurality of parts, and the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 are detachably connected with a fastening bolt 400 to connect any one part. In the event of an abnormality, only the corresponding part can be replaced by separating the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 without having to replace the whole.

그리고, 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 체결볼트(400)로 연결하기 전에 상기 상부 포커스 링(100)의 제1삽입홈(120)과 하부 포커스 링(200)의 제2삽입홈(230)에 탄성의 접지스트랩(300)을 삽입한 다음 상기 체결볼트(400)로 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 연결함으로써 탄성이 부여된 접지스트랩(300)이 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 바깥쪽으로 밀어주게 된다.In addition, before connecting the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 with the fastening bolt 400 , the first insertion groove 120 of the upper focus ring 100 and the first insertion groove 120 of the lower focus ring 200 are 2 The elastic grounding strap 300 is provided by inserting the elastic grounding strap 300 into the insertion groove 230 and connecting the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 with the fastening bolt 400 . The upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 are pushed outward.

이와 같이, 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)의 제1삽입홈(120)과 제2삽입홈(230)에 탄성체로 형성된 접지스트랩(300)이 삽입되어 상기 체결볼트(400)로 연결되는 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)을 서로 밀어줄 수 있어 플라즈마 가스의 지속적인 노출에도 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)이 유동되지 않아 상기 상,하부 포커스 링(100,200)을 연결시키는 체결볼트(400)의 풀림을 방지할 수 있다.As described above, the ground strap 300 formed of an elastic material is inserted into the first insertion groove 120 and the second insertion groove 230 of the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 to thereby insert the fastening bolt 400 . ), the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 can be pushed to each other, so that the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 do not flow even when the plasma gas is continuously exposed. Loosening of the fastening bolt 400 connecting the lower focus rings 100 and 200 can be prevented.

또한, 상기 제1삽입홈(120)과 제2삽입홈(230)에 삽입되는 접지스트랩(300)이 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)에 접촉됨으로써 상기 상부 포커스 링(100)과 하부 포커스 링(200)이 이격되어도 상기 접지스트랩(300)에 의해 상,하부 포커스 링(100,200)이 항상 접촉 상태를 유지하여 전도 효율을 높일 수 있다.In addition, the ground strap 300 inserted into the first insertion groove 120 and the second insertion groove 230 is in contact with the upper focus ring 100 and the lower focus ring 200 , so that the upper focus ring 100 . Even when the lower focus ring 200 and the upper focus ring 200 are spaced apart, the upper and lower focus rings 100 and 200 always maintain a contact state by the ground strap 300 , thereby increasing conduction efficiency.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.As described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and any person with ordinary skill in the art to which the invention pertains can variously Of course, modifications are possible, and such modifications are intended to be within the scope of the claims.

100 : 상부 포커스 링
110 : 체결홈
120 : 제1삽입홈
200 : 하부 포커스 링
210 : 슬롯
220 : 결합홈
230 : 제2삽입홈
300 : 접지스트랩
400 : 체결볼트100: upper focus ring
110: fastening groove
120: first insertion groove
200: lower focus ring
210: slot
220: coupling groove
230: second insertion groove
300: ground strap
400: fastening bolt

Claims (6)

정전 척의 상부 외측에 놓여지며 하부 테두리에 복수개의 체결홈이 형성된 상부 포커스 링;
상기 상부 포커스 링의 하부에 밀착되어 가스의 흐름을 유도하도록 다수개의 슬롯이 형성되며 테두리에 체결홈과 연통되는 결합홈이 형성된 하부 포커스 링;
상기 상부 포커스 링과 하부 포커스 링 사이에 삽입되는 접지스트랩; 및
상기 상부 포커스 링과 하부 포커스 링을 결합하되 플라즈마 가스에 직접적으로 노출되지 않게 체결홈과 결합홈을 통해 체결되는 체결볼트;를 포함하며,
상기 접지스트랩은 제1삽입홈과 제2삽입홈 내에 장입되되 탄성체로 형성되어 체결볼트의 풀림을 방지할 수 있도록 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 유동을 최소화하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조.an upper focus ring placed outside the upper portion of the electrostatic chuck and having a plurality of fastening grooves formed on a lower edge thereof;
a lower focus ring having a plurality of slots formed in close contact with a lower portion of the upper focus ring to induce a gas flow, and having a coupling groove formed at an edge thereof to communicate with the fastening groove;
a ground strap inserted between the upper focus ring and the lower focus ring; and
and a fastening bolt coupled to the upper focus ring and the lower focus ring through a fastening groove and a coupling groove so as not to be directly exposed to the plasma gas;
The ground strap is inserted into the first insertion groove and the second insertion groove, and is formed of an elastic body to minimize the flow of the upper focus ring and the lower focus ring to prevent loosening of the fastening bolt. Plasma focus ring connection structure. 제 1 항에 있어서,
상기 상부 포커스 링의 하부면에는 접지스트랩의 일부가 삽입될 수 있도록 제1삽입홈이 형성되며, 상기 하부 포커스 링의 상부면에는 접지스트랩의 나머지 일부가 삽입될 수 있도록 제2삽입홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조.The method of claim 1,
A first insertion groove is formed in the lower surface of the upper focus ring so that a part of the grounding strap can be inserted, and a second insertion groove is formed in the upper surface of the lower focus ring so that the remaining part of the grounding strap can be inserted. Plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus, characterized in that. 제 2 항에 있어서,
상기 제1삽입홈과 제2삽입홈은 상부 포커스 링과 하부 포커스 링에 복수개로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조.3. The method of claim 2,
The plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus, wherein a plurality of the first insertion groove and the second insertion groove are formed in the upper focus ring and the lower focus ring. 삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 접지스트랩은 제1삽입홈과 제2삽입홈에 삽입되면서 상,하부가 각각 상부 포커스 링과 하부 포커스 링에 접촉되어 플라즈마 가스의 전도 효율을 높일 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조.3. The method of claim 1 or 2,
Plasma focus of a semiconductor etching apparatus, characterized in that the ground strap is inserted into the first insertion groove and the second insertion groove, and the upper and lower portions are in contact with the upper focus ring and the lower focus ring, respectively, to increase the plasma gas conduction efficiency ring connection structure. 제 1 항에 있어서,
상기 접지스트랩은 상부 포커스 링과 하부 포커스 링의 전도효율을 높일 수 있도록 전도성 세라믹 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 연결구조.The method of claim 1,
The ground strap is a plasma focus ring connection structure of a semiconductor etching apparatus, characterized in that made of a conductive ceramic material to increase the conduction efficiency of the upper focus ring and the lower focus ring.
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