KR102359596B1 - A seal cap and a semiconductor manufacturing equipment comprising thereof - Google Patents

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KR102359596B1
KR102359596B1 KR1020210051581A KR20210051581A KR102359596B1 KR 102359596 B1 KR102359596 B1 KR 102359596B1 KR 1020210051581 A KR1020210051581 A KR 1020210051581A KR 20210051581 A KR20210051581 A KR 20210051581A KR 102359596 B1 KR102359596 B1 KR 102359596B1
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임태화
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Abstract

The present invention relates to a seal cap and a semiconductor production facility including the same which comprise: a body capable of ascending and descending and blocking an open hole; a heat generating unit disposed inside the body; a first heat transfer unit disposed on an upper surface of the heat generating unit to transfer heat of the heat generating unit to the inside of a reactor; and a support unit coupled to the body to support the heat generating unit. The seal cap opens and closes the open hole of the reactor for applying heat to an inputted wafer.

Description

실캡 및 이를 포함하는 반도체 생산 설비{A seal cap and a semiconductor manufacturing equipment comprising thereof}A seal cap and a semiconductor manufacturing equipment comprising the same

본 발명은 실캡 및 이를 포함하는 반도체 생산 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a seal cap and a semiconductor production facility including the same.

반도체 공정은 나날이 정교해지고 있으며, 이에 따라 반도체의 불량률을 낮추기 위해 반도체 공정 환경 또한 정교함이 요구되고 있다.The semiconductor process is becoming more sophisticated day by day, and accordingly, the semiconductor process environment is also required to be sophisticated in order to lower the defect rate of the semiconductor.

반도체 공정은 650℃ 이상의 고온을 유지하는 반응로 내에서 실리콘으로 이루어진 웨이퍼를 가공하여 이루어진다. 반응로 내에 투입된 실리콘 웨이퍼는 화학적 기상증착법(Chemical vapor deposition; CVD), 물리적 기상증착법(Physical vapor deposition; PVD) 등과 같은 방법으로 이루어진다. 화학적 기상증착법은 실리콘 웨이퍼에 기체 형태의 입자들을 분사하여 화학 반응을 일으켜 회로를 형성시키는 방법이고, 물리적 기상증착법은 실리콘 웨이퍼에 금속 박막을 증착시키는 방식이다.The semiconductor process is made by processing a wafer made of silicon in a reactor that maintains a high temperature of 650° C. or higher. The silicon wafer introduced into the reactor is formed by a method such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD). The chemical vapor deposition method is a method of forming a circuit by causing a chemical reaction by spraying gaseous particles on a silicon wafer, and the physical vapor deposition method is a method of depositing a metal thin film on a silicon wafer.

기상증착법이 이루어지는 반응로의 온도는 반도체 공정에서 중요한 요소이다. 한정된 온도 범위를 벗어난 채 실리콘 웨이퍼를 가공하면 불량률이 증가하고, 설계한 회로가 형성되지 않을 수 있다. 이를 해결하기 위해 반응로의 외측면에 배치되는 발열기와 같은 기술이 발명되었지만, 여전히 반응로의 내부 중심에서 멀어질수록 온도 편차가 존재한다.The temperature of the reactor in which the vapor deposition method is performed is an important factor in the semiconductor process. If the silicon wafer is processed outside the limited temperature range, the defect rate increases and the designed circuit may not be formed. In order to solve this problem, a technology such as a heat generator disposed on the outer surface of the reactor has been invented, but there is still a temperature deviation as it goes away from the inner center of the reactor.

대한민국 공개특허공보 제10-2011-0101365호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0101365

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 위치에 따른 반응로 내의 온도 편차를 최소화하여 양질의 반도체를 제조할 수 있는 기술을 제공한다.The problem to be solved by the present invention is to provide a technology capable of manufacturing high-quality semiconductors by minimizing the temperature deviation in the reactor according to the location.

본 발명의 한 실시예에 따른 실캡은 투입된 웨이퍼에 열을 가하는 반응로의 개방홀에 배치된 것으로, 승강할 수 있고 상기 개방홀을 개폐할 수 있는 몸체, 상기 몸체의 내부에 배치되어 있는 발열부, 상기 발열부의 상면에 배치되어 상기 발열부의 열을 상기 반응로의 내부로 전달할 수 있는 제1 열전달부 및 상기 몸체에 결합되어 상기 발열부를 지지하는 지지부를 포함한다.The seal cap according to an embodiment of the present invention is disposed in an open hole of a reactor for applying heat to the input wafer, a body capable of ascending and descending and opening and closing the open hole, and a heating unit disposed inside the body , a first heat transfer unit disposed on an upper surface of the heat generating unit to transfer the heat of the heat generating unit to the inside of the reactor, and a support unit coupled to the body to support the heat generating unit.

상기 발열부는 미카 히터(Mica Heater)일 수 있다.The heating unit may be a mica heater.

상기 발열부는 100 내지 200℃의 열을 발생시킬 수 있다.The heating unit may generate heat of 100 to 200°C.

상기 실캡은 상기 발열부의 하면에 배치되어 있는 제2 열전달부를 더 포함할 수 있다.The seal cap may further include a second heat transfer unit disposed on a lower surface of the heat generating unit.

상기 제1 열전달부 및 상기 제2 열전달부는 알루미늄(Al)일 수 있다.The first heat transfer part and the second heat transfer part may be made of aluminum (Al).

상기 제1 열전달부의 두께는 2.85 내지 3.15mm이고, 상기 제2 열전달부의 두께는 2.85 내지 3.15mm일 수 있다.The thickness of the first heat transfer part may be 2.85 to 3.15 mm, and the thickness of the second heat transfer part may be 2.85 to 3.15 mm.

상기 실캡은 상기 몸체에 배치되어 있고 상기 웨이퍼가 놓을 수 있으며 상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 구동부를 더 포함할 수 있다.The seal cap may further include a driving unit disposed on the body and capable of placing the wafer and rotating the wafer.

상기 구동부는 상기 몸체에 배치되어 상기 웨이퍼를 지지할 수 있는 회전판, 상기 몸체와 상기 회전판의 사이에 배치된 밀폐부재 및 상기 회전판과 동력 연결되어 상기 회전판을 회전시킬 수 있는 구동부재를 포함할 수 있다.The driving unit may include a rotating plate disposed on the body to support the wafer, a sealing member disposed between the body and the rotating plate, and a driving member connected to the power to rotate the rotating plate by power connection with the rotating plate. .

본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 생산 설비는 본 발명의 어느 한 실시예에 따른 실캡, 그리고 일측에 형성된 개방홀을 통해 내부로 웨이퍼가 유입될 수 있고 상기 웨이퍼에 열을 가할 수 있는 반응로를 포함하며, 상기 실캡은 상기 개방홀을 개폐할 수 있다.A semiconductor production facility according to an embodiment of the present invention includes a reactor capable of introducing a wafer into the inside through the seal cap according to an embodiment of the present invention and an open hole formed on one side and applying heat to the wafer. and the seal cap may open and close the opening hole.

본 발명의 실시예에 따르면, 실캡은 반응로의 내부 둘레에 배치된 히터와 함께 웨이퍼로 열을 가하므로 반응로 내부의 온도 편차가 발생하지 않는다. 이에 반응로의 내부의 온도는 전체적으로 균일하여 웨이퍼 가열에 따른 불량이 발생하지 않아 반도체 제조 효율이 향상된다.According to an embodiment of the present invention, since the seal cap applies heat to the wafer together with a heater disposed around the inside of the reactor, a temperature deviation inside the reactor does not occur. Accordingly, since the temperature inside the reactor is uniform as a whole, defects due to wafer heating do not occur, thereby improving semiconductor manufacturing efficiency.

본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 생산 설비는 반응로 내부의 온도 편차가 최소화되기에 불량률이 현저히 감소한다. 이에 따라 반도체 제조 효율이 상승된다.According to an embodiment of the present invention, the defect rate is significantly reduced in the semiconductor production facility because the temperature deviation inside the reactor is minimized. Accordingly, the semiconductor manufacturing efficiency is increased.

본 발명의 실시예에 따르면, 실캡은 반응로의 하부에서 반응로를 가열하고, 열은 위로 상승하려는 성질을 가지고 있기에, 반응로의 온도를 신속하게 상승시킬 수 있다. 이에 따라 전력 효율이 향상된다.According to an embodiment of the present invention, since the seal cap heats the reactor from the lower part of the reactor, and heat tends to rise upward, the temperature of the reactor can be quickly increased. Accordingly, power efficiency is improved.

본 발명의 실시예에 따르면, 제1 열전달부 및 제2 열전달부는 알루미늄이기에 전체적으로 균일한 온도를 유지하므로 반응로 내부로 동일한 온도의 열을 전달할 수 있다. 이에 따라 실캡 상면에 온도편차가 발생하지 않아 최적의 반도체 제조 환경을 형성하는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, since the first heat transfer part and the second heat transfer part are aluminum, the overall temperature is maintained uniformly, so that heat of the same temperature can be transferred into the reactor. Accordingly, a temperature deviation does not occur on the upper surface of the seal cap, thereby forming an optimal semiconductor manufacturing environment.

본 발명의 실시예에 따르면, 실캡은 상용되고 있는 반도체 생산 설비의 실캡과 규격이 동일하여 실캡을 사용하기 위한 반도체 생산 설비의 신규 제작이 불필요하다. 이에 따라 효율적인 반도체 생산이 가능하다.According to an embodiment of the present invention, since the seal cap has the same standard as a seal cap of a commercially available semiconductor production facility, new manufacturing of a semiconductor production facility using the seal cap is unnecessary. Accordingly, efficient semiconductor production is possible.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 실캡을 나타낸 사시도.
도 2는 도 1을 II-II선을 따라 자른 단면도.
도 3은 도 1의 분해도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡을 나타낸 분해도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡을 나타낸 사시도.
도 6은 도 5를 VI-VI선을 따라 자른 단면도.
도 7은 도 5의 분해도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡을 나타낸 분해도.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 생산 설비를 나타낸 단면도.
도 10은 제1 열전달부의 온도 측정 위치를 나타낸 사진.
도 11의 a)는 실시예의 측정값을 나타낸 그래프이고, 11의 b)는 비교예의 측정값을 나타낸 그래프.1 is a perspective view showing a seal cap according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of Figure 1;
Figure 3 is an exploded view of Figure 1;
4 is an exploded view showing a seal cap according to another embodiment of the present invention.
5 is a perspective view showing a seal cap according to another embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of Fig. 5;
7 is an exploded view of FIG. 5 ;
8 is an exploded view showing a seal cap according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing a semiconductor production facility according to an embodiment of the present invention.
10 is a photograph showing a temperature measurement position of a first heat transfer unit.
11 a) is a graph showing the measured values of the Example, and 11 b) is a graph showing the measured values of the comparative example.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 또한, 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. Throughout the specification, like reference numerals are assigned to similar parts. Also, terms such as first, second, etc. are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 실캡에 대하여 도 1 내지 도 3을 참고하여 설명한다.Then, a seal cap according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 .

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 실캡을 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 단면도이며, 도 3은 도 1의 분해도이다.1 is a perspective view showing a seal cap according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 , and FIG. 3 is an exploded view of FIG. 1 .

도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 실캡(100)은 몸체(110), 발열부(120), 제1 열전달부(130) 및 지지부(150)를 포함한다.1 to 3 , the seal cap 100 according to the present embodiment includes a body 110 , a heating unit 120 , a first heat transfer unit 130 , and a support unit 150 .

몸체(110)는 원판으로 형성되어 있으나, 결합하고자 하는 반응로의 개방홀의 주변부 형태에 따라 달라질 수 있다. 몸체(110)의 상면 가장자리는 개방홀의 주변부에 밀착된다.The body 110 is formed as a disk, but may vary depending on the shape of the periphery of the open hole of the reactor to be combined. The upper edge of the body 110 is in close contact with the periphery of the open hole.

몸체(110)의 상면 가장자리에는 몸체(110)의 중심을 기준으로 원주 방향을 따라 밀착홈(115)이 형성되어 있다. 밀착홈(115)에는 오링(O-ring)(도시하지 않음)이 배치될 수 있다. 오링은 반응로와 실캡(100)의 차단력을 높여 기밀성을 높인다. 또한 몸체(110)에는 구동부 체결홀(112)과 복수의 결합홀(111)이 형성되어 있다.A close contact groove 115 is formed on the edge of the upper surface of the body 110 in the circumferential direction with respect to the center of the body 110 . An O-ring (not shown) may be disposed in the contact groove 115 . The O-ring increases airtightness by increasing the blocking force between the reactor and the seal cap 100 . In addition, the body 110 has a driving unit fastening hole 112 and a plurality of coupling holes 111 are formed.

구동부 체결홀(112)은 몸체(110)의 중심에서 상하 관통되어 있다. 복수의 결합홀(111)은 구동부 체결홀(112)과 구분되어 몸체(110)를 상하 관통하고 있다. 복수의 결합홀(111)은 몸체(110)의 중심을 기준으로 원주 방향을 따라 간격을 두고 복수 형성되어 있다.The driving unit fastening hole 112 penetrates vertically from the center of the body 110 . The plurality of coupling holes 111 are separated from the driving unit fastening holes 112 and vertically penetrate the body 110 . A plurality of coupling holes 111 are formed at intervals along the circumferential direction with respect to the center of the body 110 .

몸체(110)의 하면 가장자리에는 홈(113)이 형성되어 있다. 홈(113)은 몸체(110)의 중심을 기준으로 원주 방향을 따라 형성되어 있다. 돌출부(116)는 홈(113)과 몸체(110)의 사이에 중심을 기준으로 원주 방향으로 배치되어 있다. 이에 따라 몸체(110)의 하면과 돌출부(116)로 발열공간(190)이 형성된다. 또한, 몸체(110)의 하면에서 몸체(110)의 중심과 홈(113)의 사이 부분에는 결합홈(114)이 형성되어 있다. 결합홈(114)은 몸체(110)의 중심을 기준으로 원주 방향을 따라 복수 형성되어 있다.A groove 113 is formed in the lower edge of the body 110 . The groove 113 is formed along the circumferential direction with respect to the center of the body 110 . The protrusion 116 is disposed between the groove 113 and the body 110 in the circumferential direction with respect to the center. Accordingly, a heating space 190 is formed by the lower surface of the body 110 and the protrusion 116 . In addition, a coupling groove 114 is formed in a portion between the center of the body 110 and the groove 113 on the lower surface of the body 110 . A plurality of coupling grooves 114 are formed along the circumferential direction with respect to the center of the body 110 .

지지부(150)는 몸체(110)의 하면에 배치되어 있으며 가장자리가 몸체(110)의 방향으로 구부러져 몸체(110)의 홈(113)에 삽입되어 있다. 지지부(150)의 구부러진 부분의 길이는 지지부(150)의 밑면을 기준으로 홈(113)의 깊이보다 길다. 이에 지지부(150)는 몸체(110) 하면에 돌출부(116)로 형성된 발열공간(190)을 개폐할 수 있다.The support 150 is disposed on the lower surface of the body 110 , the edge is bent in the direction of the body 110 , and is inserted into the groove 113 of the body 110 . The length of the bent portion of the support part 150 is longer than the depth of the groove 113 with respect to the bottom surface of the support part 150 . Accordingly, the support 150 may open and close the heating space 190 formed with the protrusion 116 on the lower surface of the body 110 .

지지부(150)는 지지부(150)를 관통하여 결합홈(114)에 체결된 체결수단(180)으로 고정되어 있다. 이에 따라 지지부(150)는 몸체(110)와 유격 없이 결합될 수 있다.The support part 150 is fixed by the fastening means 180 that penetrates the support part 150 and is fastened to the coupling groove 114 . Accordingly, the support 150 may be coupled to the body 110 without play.

또한 지지부의 밑면에는 복수의 결합홀(151, 153)이 형성되어 있으며, 중앙에는 구동부 체결홀(152)이 형성되어 있다.In addition, a plurality of coupling holes 151 and 153 are formed on the bottom surface of the support part, and a driving part coupling hole 152 is formed in the center.

지지부(150)는 실캡(100)의 이중벽으로 이루어질 수도 있으며, 이중벽의 사이는 진공 처리될 수 있다. 이에 따라 지지부(150)는 실캡(100)에서 발생되는 열이 외부로 손실되는 것을 방지할 수 있다.The support 150 may be formed of double walls of the seal cap 100 , and a vacuum may be applied between the double walls. Accordingly, the support 150 may prevent heat generated from the seal cap 100 from being lost to the outside.

발열부(120)는 발열공간(190)에 배치되어 있으며 미카 히터(Mica Heater)를 포함할 수 있다. 여기서 미카 히터는 판형의 발열기로써 전력을 이용하여 열을 발생시킨다. 미카 히터는 통상의 코일 히터에 비해 두께가 얇기에 공간 효율이 높으며, 절연 성능이 우수하고, 가벼우며 다양한 모양으로 디자인이 가능하다.The heating unit 120 is disposed in the heating space 190 and may include a Mica heater. Here, the mica heater is a plate-type heat generator and generates heat using electric power. Mica heater is thinner than a conventional coil heater, so space efficiency is high, insulation performance is excellent, it is light, and it can be designed in various shapes.

발열부(120)에는 체결수단(180)이 관통하는 결합홀(121, 123)이 복수 형성되어 있으며, 중앙에는 구동부 체결홀(122)이 형성되어 있다.A plurality of coupling holes 121 and 123 through which the fastening means 180 pass are formed in the heat generating unit 120 , and a driving unit fastening hole 122 is formed in the center.

발열부(120)는 100 내지 200℃ 온도의 열을 발생시킬 수 있다. 발열부(120)의 온도가 100℃ 미만이면, 반응로의 내부를 가열할 수 없고, 발열부(120)의 온도가 200℃를 초과하면 반도체 공정을 위한 기상증착이 원활히 이루어질 수 없다.The heat generating unit 120 may generate heat at a temperature of 100 to 200°C. If the temperature of the heating unit 120 is less than 100 ℃, the inside of the reaction furnace cannot be heated, and when the temperature of the heating unit 120 exceeds 200 ℃, vapor deposition for a semiconductor process cannot be smoothly performed.

이와 같은 발열부(120)의 세부적인 구성은 공지된 미카 히터(Mica heater)와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.Since the detailed configuration of the heating unit 120 is the same as that of the known Mica heater, a detailed description thereof will be omitted.

제1 열전달부(130)는 발열공간(190)에서 발열부(120)와 몸체(110)의 사이에 배치되어 있다. 제1 열전달부(130)에는 체결수단(180)이 관통하는 결합홀(131, 133)이 복수 형성되어 있다.The first heat transfer unit 130 is disposed between the heat generating unit 120 and the body 110 in the heating space 190 . A plurality of coupling holes 131 and 133 through which the fastening means 180 pass are formed in the first heat transfer unit 130 .

지지부(150), 발열부(120), 제1 열전달부(130) 및 몸체(110)는 체결수단(180)에를 의해 서로 결합되어 있다. 체결수단(180)은 일단이 지지부(150), 발열부(120) 및 제1 열전달부(130)를 관통하여 몸체(110)와 체결된다.The support part 150 , the heat generating part 120 , the first heat transfer part 130 , and the body 110 are coupled to each other by a fastening means 180 . One end of the fastening means 180 passes through the support 150 , the heating part 120 , and the first heat transfer part 130 to be fastened to the body 110 .

제1 열전달부(130)의 두께는 2.85 내지 3.15mm이다. 두께가 2.85mm 미만이면, 제1 열전달부의 표면에서 균일하게 온도가 분포되지 않는 문제점이 발생할 수 있고, 두께가 3.15mm를 초과하면 발열부에서 발생시킨 열이 전달되지 못하는 문제점이 발생할 수 있다.The thickness of the first heat transfer unit 130 is 2.85 to 3.15 mm. If the thickness is less than 2.85 mm, a problem may occur that the temperature is not uniformly distributed on the surface of the first heat transfer unit, and if the thickness exceeds 3.15 mm, a problem may occur that the heat generated by the heat generating unit cannot be transferred.

이와 같은 제1 열전달부(130)는 알루미늄(Aluminum; Al)로 제조될 수 있다. 알루미늄은 열전도율이 196kcal/℃로, 발열부(120)에서 발생된 열을 반응로의 내부로 균일하게 전달하기에 가장 용이하다.The first heat transfer unit 130 may be made of aluminum (Al). Aluminum has a thermal conductivity of 196 kcal/° C., and is the easiest to uniformly transfer the heat generated from the heating unit 120 to the inside of the reactor.

이어서 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡에 대하여 도 4를 참고하여 설명한다.Next, a seal cap according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 .

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡을 나타낸 분해도이다.4 is an exploded view showing a seal cap according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, 실캡(100a)은 도 1 내지 도 3의 실시예의 구성요소를 포함하면서 제2 열전달부(140)를 더 포함한다.Referring to FIG. 4 , the seal cap 100a further includes the second heat transfer unit 140 while including the components of the embodiments of FIGS. 1 to 3 .

제2 열전달부(140)는 발열공간(190)에서 발열부(120)와 지지부(150)의 사이에 배치되어 있다. 제2 열전달부(140)에도 체결수단(180)이 관통하는 결합홀(141, 143)이 형성되어 있으며, 중앙에는 구동부 체결홀(142)이 형성되어 있다. 제2 열전달부(140)는 발열부(120)의 하부에서 발생되는 열을 균일하게 분포시킬 수 있어 발열부(120)가 모든 위치에서 동일한 온도를 발생시킬 수 있도록 보조할 수 있다.The second heat transfer unit 140 is disposed between the heat generating unit 120 and the support unit 150 in the heating space 190 . Coupling holes 141 and 143 through which the fastening means 180 penetrate are also formed in the second heat transfer unit 140 , and a driving unit fastening hole 142 is formed in the center. The second heat transfer unit 140 may uniformly distribute heat generated from the lower portion of the heat generating unit 120 , thereby assisting the heat generating unit 120 to generate the same temperature at all locations.

발열부(120)는 제1 열전달부(130)와 제2 열전달부(140)의 사이에 배치되어 있고 관통하는 체결수단(180)에 의해 견고히 고정되어 움직임이 발생하지 않는다. 이에 따라 발열부(120)는 실캡의 정 중앙을 벗어나지 않아 실캡(100a) 표면에서의 온도 편차를 예방하는 효과가 발생할 수 있다.The heat generating unit 120 is disposed between the first heat transfer unit 130 and the second heat transfer unit 140 and is firmly fixed by the penetrating fastening means 180 so that no movement occurs. Accordingly, since the heat generating part 120 does not deviate from the center of the seal cap, an effect of preventing a temperature deviation on the surface of the seal cap 100a may occur.

이외 다른 구성은 도 1 내지 도 3의 실시예의 구성이 그대로 적용될 수 있다.For other configurations, the configuration of the embodiment of FIGS. 1 to 3 may be applied as it is.

본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡에 대하여 도 5 내지 도 7을 참고하여 설명한다.A seal cap according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7 .

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡을 나타낸 사시도이고, 도 6은 도 5를 VI-VI선을 따라 자른 단면도이며, 도 7은 도 5의 분해도이다.5 is a perspective view showing a seal cap according to another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. 5, and FIG. 7 is an exploded view of FIG.

도 5 내지 도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 실캡(100b)은 도 1 내지 도 3의 실시예의 구성요소를 포함하면서 구동부(160)를 더 포함한다. 구동부(160)는 구동부재(161), 제1 밀폐부재(162), 제2 밀폐부재(163) 및 회전판(164)을 포함한다.5 to 7 , the seal cap 100b according to the present embodiment further includes a driving unit 160 while including the components of the embodiments of FIGS. 1 to 3 . The driving unit 160 includes a driving member 161 , a first sealing member 162 , a second sealing member 163 , and a rotating plate 164 .

구동부재(161)는 하우징(166) 및 축(165)을 포함하며 지지부(150)의 하부에 배치되어 회전력을 발생시킨다.The driving member 161 includes a housing 166 and a shaft 165 and is disposed under the support 150 to generate a rotational force.

하우징(166)의 상단부는 직경을 달리하여 다단 형태로 형성되어 있으며, 다단의 하단(166b)은 구동부 체결홀(122, 132, 152)을 관통하고, 다단의 상단(166a)은 구동부 체결홀(112)을 관통하여 몸체(110)의 상면에 위치하고 있다. 축(165)은 하우징에서 상부로 돌출되어 있다.The upper end of the housing 166 is formed in a multi-stage shape with different diameters, the lower end 166b of the multi-stage passes through the driving unit fastening holes 122, 132, and 152, and the upper end 166a of the multi-stage is connected to the driving unit fastening hole ( It is located on the upper surface of the body 110 through the 112). A shaft 165 projects upwardly from the housing.

이와 같은 구동부재(161)의 세부적인 구성은 공지된 자성유체실(Magnetic fluid seal)과 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.Since the detailed configuration of the driving member 161 is the same as that of a known magnetic fluid seal, a detailed description thereof will be omitted.

제1 밀폐부재(162)는 다단 형태로 형성되어 몸체(110)의 상면에서 다단의 상단(166a)과 결합되어 있다. 제1 밀폐부재(162)의 중앙에는 축(165)이 관통하는 구동부 체결홀(162a)이 형성되어 있다.The first sealing member 162 is formed in a multi-stage shape and is coupled to the multi-stage upper end 166a on the upper surface of the body 110 . In the center of the first sealing member 162, a driving part fastening hole 162a through which the shaft 165 passes is formed.

체결수단(180)이 제1 밀폐부재(162), 그리고 몸체(110)의 결합홀(111)을 관통하여 구동부재(161) 다단의 하단(166b)에 체결되면서 몸체(110)와 고정되어 있다.The fastening means 180 passes through the coupling hole 111 of the first sealing member 162 and the body 110 and is fixed to the body 110 while being fastened to the lower end 166b of the multiple stages of the driving member 161. .

제2 밀폐부재(163)는 제1 밀폐부재(162)의 상면에 배치되어 있고 중앙에는 축(165)이 관통하는 구동부 체결홀(162a)이 형성되어 있다. 제2 밀폐부재(163)에는 결합홀(163a)이 형성되어 있다.The second sealing member 163 is disposed on the upper surface of the first sealing member 162, and a driving unit fastening hole 162a through which the shaft 165 passes is formed in the center. A coupling hole 163a is formed in the second sealing member 163 .

제2 밀폐부재(163)와 축(165)은 서로 키 결합되어 있다. 이에 축(165)의 회전으로 제2 밀폐부재(163)는 회전할 수 있다.The second sealing member 163 and the shaft 165 are keyed to each other. Accordingly, the second sealing member 163 may rotate by the rotation of the shaft 165 .

제1 밀폐부재(162)와 제2 밀폐부재(163)는 서로 결합되어 하나의 밀폐부재로 형성될 수도 있다.The first sealing member 162 and the second sealing member 163 may be coupled to each other to form a single sealing member.

이와 같은 제1 밀폐부재(162), 그리고 제2 밀폐부재(163)의 세부적인 구성은 공지된 레버린스 씰(Labyrinth seal)과 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.Since the detailed configuration of the first sealing member 162 and the second sealing member 163 is the same as that of a known labyrinth seal, a detailed description thereof will be omitted.

회전판(164)은 제2 밀폐부재(162)와 접하도록 배치되며, 제2 밀폐부재(163)와 일치하는 복수의 결합홀이 형성되어 있어 결합 수단으로 제2 밀폐부재(163)와 연결되어 있다. 또한 회전판(164)에는 중심을 기준으로 원주 방향으로 홀(164a)이 형성되어 있어 회전판(164) 외부 둘레의 길이를 유지하면서도 무게를 감소시킬 수 있어 회전판(164)을 구동시키기 위한 힘을 최소화시킬 수 있다.The rotating plate 164 is arranged to be in contact with the second sealing member 162, and a plurality of coupling holes coincident with the second sealing member 163 are formed, so that it is connected to the second sealing member 163 by a coupling means. . In addition, the rotation plate 164 has a hole 164a formed in the circumferential direction with respect to the center, so that the weight can be reduced while maintaining the length of the outer circumference of the rotation plate 164, thereby minimizing the force for driving the rotation plate 164. can

이와 같은 제2 밀폐부재(163)와 결합된 회전판(164)은 구동부재(161)로부터 동력을 전달받아 회전할 수 있다.The rotating plate 164 coupled to the second sealing member 163 may be rotated by receiving power from the driving member 161 .

이외 다른 구성은 도 1 내지 도 4의 실시예의 구성이 그대로 적용될 수 있다.For other configurations, the configuration of the embodiment of FIGS. 1 to 4 may be applied as it is.

본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡에 대하여 도 8을 참고하여 설명한다.A seal cap according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8 .

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실캡을 나타낸 분해도이다.8 is an exploded view showing a seal cap according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참고하면, 본 실시예에 따른 실캡(100c)은 도 4의 실시예의 구성요소를 포함하면서 제2 열전달부(140)를 더 포함한다.Referring to FIG. 8 , the seal cap 100c according to the present embodiment further includes the second heat transfer unit 140 while including the components of the embodiment of FIG. 4 .

제2 열전달부(140)는 몸체(110)와 지지부(150)로 형성된 공간에 배치되어 있다. 제2 열전달부(140)는 구동부재(161)의 회전운동 시 발생되는 열을 전달할 수 있어 실캡(100c)의 가열 효율을 높일 수 있으며, 발열부(120)를 지지하여 발열부(120)가 제 위치에서 벗어나 반응로를 불균일하게 가열하는 것을 방지한다.The second heat transfer unit 140 is disposed in a space formed by the body 110 and the support unit 150 . The second heat transfer unit 140 can transmit heat generated during the rotational movement of the driving member 161 to increase the heating efficiency of the seal cap 100c, and support the heat generating unit 120 to prevent the heat generating unit 120 from moving. Prevents out-of-situation and uneven heating of the reactor.

이외 다른 구성은 도 1 내지 도 7의 실시예의 구성이 그대로 적용될 수 있다.For other configurations, the configuration of the embodiment of FIGS. 1 to 7 may be applied as it is.

본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 생산 설비에 대하여 도 9를 참고하여 설명한다.A semiconductor production facility according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9 .

도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체 생산 설비를 나타낸 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor production facility according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참고하면, 반도체 생산 설비(400)는 실캡(100c), 그리고 반응로(200)를 포함한다.Referring to FIG. 9 , the semiconductor production facility 400 includes a seal cap 100c and a reactor 200 .

실캡(100c)은 하기에 설명되는 바와 저촉되지 아니하는 한도 내에서 도 1 내지 도 8의 실시예에 따른 실캡과 동일하므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.Since the seal cap 100c is the same as the seal cap according to the embodiment of FIGS. 1 to 8 within the limit not in conflict with the description below, a duplicate description will be omitted.

반응로(200)는 실리콘으로 제조된 웨이퍼(300)를 공정하는 곳으로, 본체부(210) 및 히터(220)를 포함한다.The reactor 200 processes the wafer 300 made of silicon, and includes a body 210 and a heater 220 .

본체부(210)는 반구 및 원기둥이 결합된 형태이지만, 공정하고자 하는 웨이퍼(300)의 모양에 따라 형태가 변경될 수 있다. 본체부(210) 내부에는 공정 공간(211)이 형성되어 있으며 하면에는 공정 공간(211)을 개방을 개방한 개방홀(214)이 형성되어 있다.The main body 210 is a combined shape of a hemisphere and a cylinder, but the shape may be changed according to the shape of the wafer 300 to be processed. A process space 211 is formed inside the main body 210 , and an open hole 214 for opening the process space 211 is formed on the lower surface of the main body 210 .

본체부(210)의 하단 외부 둘레의 끝에는 유입홀(212) 및 배출홀(213)이 형성되어 있다. 그러나 유입홀(212) 및 배출홀(213)은 본체부(210)의 밑면에 형성될 수도 있다.An inlet hole 212 and an outlet hole 213 are formed at the end of the outer periphery of the lower end of the main body 210 . However, the inlet hole 212 and the outlet hole 213 may be formed on the bottom surface of the main body 210 .

웨이퍼(300)는 공정 공간(211)에 배치되어 기상증착이 이루어지고, 기상증착에 사용되는 기체는 유입홀(212)을 통해 주입되며, 기상증착 이후 배출홀(213)을 통해 배출될 수 있다.The wafer 300 is disposed in the process space 211 to perform vapor deposition, and a gas used for vapor deposition is injected through the inlet hole 212, and can be discharged through the exhaust hole 213 after vapor deposition. .

히터(220)는 본체부(210) 외부의 공정 공간(211)을 감싸도록 배치되어 있다. 히터(220)는 공정 공간(211)의 온도를 상승시킬 수 있으며, 기상증착 방식에 따라 목표 온도 범위는 달라질 수 있다. 일례로, 화학적 기상증착법은 600 내지 700℃에서 이루어질 때 양질의 반도체가 생산될 수 있기에, 700℃ 부근의 온도로 가열하는 것이 바람직하다.The heater 220 is disposed to surround the process space 211 outside the main body 210 . The heater 220 may increase the temperature of the process space 211 , and the target temperature range may vary according to a vapor deposition method. For example, since the chemical vapor deposition method can produce a good quality semiconductor when made at 600 to 700 ℃, it is preferable to heat to a temperature of around 700 ℃.

실캡(100c)은 본체부(210)의 개방홀(214) 주변에 배치되어 있다. 실캡(100c)은 웨이퍼(300)를 지지하고 회전시켜 반도체 공정을 보조할 수 있다. 회전판(164)에 웨이퍼(300)가 놓이는 플랫폼(도시하지 않음)이 배치되어 웨이퍼(300)의 높이 또한 조절할 수 있다. 또한 실캡(100c)은 반응로(200) 외측에 배치된 승강기(도시하지 않음)와 연결되어 높이를 조절할 수 있다.The seal cap 100c is disposed around the opening hole 214 of the main body 210 . The seal cap 100c may support and rotate the wafer 300 to assist in the semiconductor process. A platform (not shown) on which the wafer 300 is placed is disposed on the rotating plate 164 so that the height of the wafer 300 can also be adjusted. In addition, the seal cap 100c may be connected to an elevator (not shown) disposed outside the reactor 200 to adjust the height thereof.

실캡 및 이를 포함하는 반도체 생산 설비의 작용에 대하여 설명한다.The operation of the seal cap and semiconductor production equipment including the same will be described.

발열부(120)를 작동시키면 100 내지 200℃의 온도가 발생되고, 발열부(120)의 열은 제1 열전달부(130)으로 이동한다. 제1 열전달부(130)는 알루미늄으로 이루어져 있고, 알루미늄은 열전도율이 높기에 제1 열전달부(130)의 상면에 열이 균일하게 분포된다.When the heating unit 120 is operated, a temperature of 100 to 200° C. is generated, and the heat of the heating unit 120 moves to the first heat transfer unit 130 . The first heat transfer unit 130 is made of aluminum, and since aluminum has high thermal conductivity, heat is uniformly distributed on the upper surface of the first heat transfer unit 130 .

제1 열전달부(130)의 열은 몸체(110)를 거쳐 공정 공간(211)으로 전도되어, 공정 공간(211) 하부의 온도를 상승시킨다. 이에 따라 공정 공간(211)의 하부에서 손실되는 열의 양이 줄어들고, 공정 공간(211)의 하부와 상부의 온도는 균일해질 수 있다. 공정 공간(211)의 균일한 온도 분포는 최적의 기상증착이 이루어질 수 있는 환경이기에, 양질의 반도체 생산이 가능해질 수 있다.The heat of the first heat transfer unit 130 is conducted to the process space 211 through the body 110 to increase the temperature of the lower part of the process space 211 . Accordingly, the amount of heat lost in the lower part of the process space 211 may be reduced, and the temperature of the lower part and the upper part of the process space 211 may be uniform. Since the uniform temperature distribution in the process space 211 is an environment in which optimum vapor deposition can be achieved, high-quality semiconductor production may be possible.

축(165)이 회전함에 따라 구동부재(161)에서도 열이 발생되게 되는데, 이때 제2 열전달부(140)는 구동부재(161)의 열을 분산시킬 수 있어, 실캡(100c) 중앙 부분이 과열되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 열전달부(140)로 전도된 열은 발열부(120)의 발열 속도를 가속시킬 수 있다.As the shaft 165 rotates, heat is also generated in the driving member 161 . At this time, the second heat transfer unit 140 may dissipate the heat of the driving member 161 , so that the central portion of the seal cap 100c is overheated. can be prevented from becoming In addition, the heat conducted to the second heat transfer unit 140 may accelerate the heating rate of the heat generating unit 120 .

이와 같은 실캡(100c)은 공정 공간(211)에서 기상증착 방식으로 웨이퍼(300)를 공정하는 동안, 실캡(100c)은 열을 발생시켜 공정 공간(211) 하부의 온도가 상부와 균일하도록 유지시킨다.The seal cap 100c generates heat while the wafer 300 is processed in the process space 211 by vapor deposition in the process space 211 so that the lower part of the process space 211 maintains the same temperature as the upper part. .

또한, 반도체 생산을 시작할 때 히터(220)와 실캡(100c)이 동시에 공정 공간(211)을 가열하기에, 웨이퍼(300) 가공을 위한 목표 온도에 더욱 신속히 도달할 수 있다. 이에 따라 반도체 생산 효율이 더욱 상승될 수 있다.In addition, since the heater 220 and the seal cap 100c simultaneously heat the process space 211 when semiconductor production is started, the target temperature for processing the wafer 300 may be reached more quickly. Accordingly, semiconductor production efficiency may be further increased.

이하, 본 발명의 한 실시예에 따른 실캡의 효과에 대하여 도 10 및 도 11을 참고하여 설명한다.Hereinafter, the effect of the seal cap according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11 .

실시예 1Example 1

지지부(150)의 위에 발열부(120)를 배치하였고, 발열부(120)의 위에 두께가 5mm이고 알루미늄으로 제조된 제1 열전달부(130)를 배치하였으며, 몸체(110)를 지지부(150)와 결합하여 실캡을 제조하였다.The heating part 120 was disposed on the support part 150 , and the first heat transfer part 130 having a thickness of 5 mm and made of aluminum was disposed on the heating part 120 , and the body 110 was disposed on the support part 150 . and to prepare a seal cap.

실시예 2Example 2

실시예 1과 동일하게 제조하되 두께가 2.9mm이고 알루미늄으로 제조된 제1 열전달부를 배치하였다.It was prepared in the same manner as in Example 1, but had a thickness of 2.9 mm and a first heat transfer part made of aluminum was disposed.

실시예 3Example 3

실시예 1과 동일하게 제조하되 두께가 3.1mm이고 알루미늄으로 제조된 제1 열전달부를 배치하였다.It was prepared in the same manner as in Example 1, but had a thickness of 3.1 mm and a first heat transfer part made of aluminum was disposed.

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1과 동일하게 제조하되 두께가 5mm이고 스테인리스로 제조된 제1 열전달부를 배치하였다.It was prepared in the same manner as in Example 1, but had a thickness of 5 mm and a first heat transfer unit made of stainless steel was disposed.

비교예 2Comparative Example 2

실시예 1과 동일하게 제조하되 두께가 3mm이고 스테인리스로 제조된 제1 열전달부를 배치하였다.It was prepared in the same manner as in Example 1, but had a thickness of 3 mm and a first heat transfer unit made of stainless steel was disposed.

비교예 3Comparative Example 3

실시예 1과 동일하게 제조하되 두께가 2mm이고 스테인리스로 제조된 제1 열전달부를 배치하였다.It was prepared in the same manner as in Example 1, but had a thickness of 2 mm and a first heat transfer unit made of stainless steel was disposed.

실험예 1Experimental Example 1

몸체(110)의 상면에서의 온도 분포를 측정하였으며, 그 결과는 하기의 표 1 내지 3, 그리고 도 8에 기재하였다.The temperature distribution on the upper surface of the body 110 was measured, and the results are shown in Tables 1 to 3 and FIG. 8 below.

측정방법How to measure

제1 열전달부의 표면 열한 곳에 온도 센서를 부착하여 발열부(120)가 작동될 때 각 위치에서 발생되는 온도를 측정하였으며, 발열부는 120℃의 온도를 발생시키는 것으로 설정되었다(도 10 참조).A temperature sensor was attached to eleven places on the surface of the first heat transfer unit to measure the temperature generated at each position when the heat generating unit 120 was operated, and the heat generating unit was set to generate a temperature of 120 °C (see FIG. 10 ).

실시예1(℃)Example 1 (℃) 실시예2(℃)Example 2 (℃) 실시예3(℃)Example 3 (℃) 1One 115.8115.8 116.2116.2 108.2108.2 22 114.2114.2 115.3115.3 109.4109.4 33 116.1116.1 112.1112.1 109.1109.1 44 110.6110.6 110.9110.9 113.5113.5 55 116.9116.9 117.4117.4 112.4112.4 66 115.2115.2 113.2113.2 115.7115.7 77 116.1116.1 112.5112.5 118.5118.5 88 112.1112.1 109.0109.0 113.2113.2 99 113.7113.7 112.9112.9 115.6115.6 1010 114.2114.2 113.5113.5 111.7111.7 1111 116.8116.8 111.7111.7 112.9112.9

비교예1(℃)Comparative Example 1 (℃) 비교예2(℃)Comparative Example 2 (℃) 비교예3(℃)Comparative Example 3 (℃) 1One 134.8134.8 139.9139.9 144.4144.4 22 130.9130.9 134.4134.4 139.8139.8 33 116.7116.7 125.4125.4 135.3135.3 44 119.6119.6 117.9117.9 129.8129.8 55 125.7125.7 127.7127.7 135.4135.4 66 115.7115.7 125.4125.4 139.2139.2 77 118.7118.7 127.6127.6 139.1139.1 88 131.2131.2 118.2118.2 125.9125.9 99 126.9126.9 125.9125.9 132.1132.1 1010 128.7128.7 131.8131.8 138138 1111 120.9120.9 137.1137.1 142.3142.3

표 1은 실시예 1 내지 실시예 3에서 각 센서의 위치에서 측정된 온도를 나타낸 것이고, 표 2는 비교예 1 내지 비교예 3에서 각 센서의 위치에서 측정된 온도를 나타낸 것이며, 도 11 a)는 실시예의 측정값을 나타낸 그래프이고, b)는 비교예의 측정값을 나타낸 그래프이다.Table 1 shows the temperature measured at the position of each sensor in Examples 1 to 3, Table 2 shows the temperature measured at the position of each sensor in Comparative Examples 1 to 3, and Fig. 11a) is a graph showing the measured values of Examples, and b) is a graph showing the measured values of Comparative Examples.

표 1 및 도 11을 참고하면, 온도 분포는 범위가 좁을수록, 즉 최고값과 최저값의 차이가 낮을수록 성능이 우수하고, 온도 분포는 표준편차가 4 이하여야 한다. 표 1 및 도 11에서 확인할 수 있듯이, 실시예 1의 온도 분포의 표준 편차는 1.99로써 몸체의 상면 전반에 걸쳐 균일한 온도를 전달하고 있다. 실시예 2의 표준 편차는 2.41이고, 실시예 3의 표준 편차는 3.11이다.Referring to Table 1 and FIG. 11, the narrower the temperature distribution range, that is, the lower the difference between the highest value and the lowest value, the better the performance, and the temperature distribution should have a standard deviation of 4 or less. As can be seen in Table 1 and FIG. 11, the standard deviation of the temperature distribution of Example 1 is 1.99, which delivers a uniform temperature over the entire upper surface of the body. The standard deviation of Example 2 is 2.41, and the standard deviation of Example 3 is 3.11.

비교예 1에서 온도 분포의 표준편차는 6.52이고, 비교예 2의 경우 온도 분포의 표준편차가 7.04이며, 비교예 3의 경우 온도 분포의 표준편차가 5.50이다. 비교예1 내지 비교예 3의 경우 열이 특정 부분이 집중되어 그렇지 않은 부분과 온도 편차가 발생되었다.In Comparative Example 1, the standard deviation of the temperature distribution is 6.52, in the case of Comparative Example 2, the standard deviation of the temperature distribution is 7.04, and in the case of Comparative Example 3, the standard deviation of the temperature distribution is 5.50. In the case of Comparative Examples 1 to 3, a specific portion of heat was concentrated, and a temperature deviation was generated from the portion in which the heat was not concentrated.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 실캡은 알루미늄으로 제조되지 않은 제1 열전달부를 포함하는 실캡, 그리고 한정된 두께를 벗어나는 제1 열전달부를 포함하는 실캡에 비해 월등한 성능을 발휘한다.Therefore, the seal cap according to the embodiment of the present invention exhibits superior performance compared to the seal cap including the first heat transfer part not made of aluminum, and the seal cap including the first heat transfer part out of the limited thickness.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims are also provided. is within the scope of the

100: 실캡 100a: 실캡
100b: 실캡 100c: 실캡
110: 몸체 111: 결합홀
112: 구동부 체결홀 113: 홈
114: 결합홈 115: 밀착홈
116: 돌출부 120: 발열부
121, 123: 결합홀 122: 구동부 체결홀
130: 제1 열전달부 131, 133: 결합홀
132: 구동부 체결홀 140: 제2 열전달부
142: 구동부 체결홀 141, 143: 결합홀
151, 153: 결합홀 150: 지지부
152: 구동부 체결홀 160: 구동부
161: 구동부재 162: 제1 밀폐부재
162a: 구동부 체결홀 163: 제2 밀폐부재
163a: 결합홀 163b: 구동부 체결홀
164: 회전판 164a: 홀
165: 축 166: 하우징
166a: 상단 166b: 하단
180: 체결수단 190: 발열공간
200: 반응로 210: 본체부
211: 공정 공간 212: 유입홀
213: 배출홀 214: 개방홀
220: 히터 300: 웨이퍼
400: 반도체 생산 설비100: seal cap 100a: seal cap
100b: seal cap 100c: seal cap
110: body 111: coupling hole
112: driving part fastening hole 113: groove
114: coupling groove 115: close contact groove
116: protrusion 120: heating part
121, 123: coupling hole 122: driving unit fastening hole
130: first heat transfer unit 131, 133: coupling hole
132: driving unit fastening hole 140: second heat transfer unit
142: driving unit fastening hole 141, 143: coupling hole
151, 153: coupling hole 150: support
152: driving unit fastening hole 160: driving unit
161: driving member 162: first sealing member
162a: driving unit fastening hole 163: second sealing member
163a: coupling hole 163b: driving unit fastening hole
164: rotating plate 164a: hole
165: shaft 166: housing
166a: top 166b: bottom
180: fastening means 190: heating space
200: reactor 210: body part
211: process space 212: inlet hole
213: discharge hole 214: open hole
220: heater 300: wafer
400: semiconductor production equipment

Claims (9)

투입된 웨이퍼에 열을 가하는 반응로의 개방홀에 배치된 것으로,
승강할 수 있고 상기 개방홀을 개폐할 수 있으며, 돌출부를 포함하는 몸체;
상기 몸체에 결합되는 지지부- 상기 몸체, 상기 돌출부 및 상기 지지부에 의해 발열공간이 정의됨-;
상기 발열공간에 배치되는 발열부; 및
상기 발열공간에 배치되고, 상기 발열부와 상기 몸체 사이에 배치되어 상기 발열부의 열을 상기 반응로의 내부로 전달할 수 있는 제1 열전달부를 포함하고,
상기 발열부, 제1 열전달부 및 지지부의 각각의 중앙영역에는 상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전력을 발생시키는 구동부재를 수용하기 위한 구동부 체결홀이 형성된
실캡.It is disposed in the open hole of the reactor that applies heat to the input wafer,
a body capable of ascending and descending and capable of opening and closing the opening hole, the body including a protrusion;
a support portion coupled to the body, wherein a heating space is defined by the body, the protrusion and the support portion;
a heating unit disposed in the heating space; and
and a first heat transfer part disposed in the heating space and disposed between the heating part and the body to transfer the heat of the heating part to the inside of the reactor,
A driving unit fastening hole for accommodating a driving member generating a rotational force for rotating the wafer is formed in the central region of each of the heat generating unit, the first heat transfer unit, and the support unit.
seal cap. 제1항에서,
상기 발열부는 미카 히터(Mica Heater)인 실캡.In claim 1,
The heat generating part is a seal cap that is a Mica Heater. 제2항에서,
상기 발열부는 상기 반응로의 내부를 가열시키기 위해 100 내지 200℃ 온도의 열을 발생시키는 실캡.In claim 2,
The heat generating unit is a seal cap for generating heat at a temperature of 100 to 200 ℃ to heat the inside of the reactor. 제1항에서,
상기 발열부의 하면에 배치되어 있는 제2 열전달부를 더 포함하는 실캡.In claim 1,
The seal cap further includes a second heat transfer unit disposed on a lower surface of the heat generating unit. 제4항에서,
상기 제1 열전달부 및 상기 제2 열전달부는 알루미늄(Al)으로 형성되는 실캡.In claim 4,
The first heat transfer part and the second heat transfer part are seal caps formed of aluminum (Al). 제4항에서, 상기 제1 열전달부의 두께는 2.85 내지 3.15mm이고, 상기 제2 열전달부의 두께는 2.85 내지 3.15mm인 실캡.The seal cap of claim 4 , wherein the thickness of the first heat transfer part is 2.85 to 3.15 mm, and the thickness of the second heat transfer part is 2.85 to 3.15 mm. 제1항에서,
상기 몸체에 배치되어 있고 상기 웨이퍼를 놓을 수 있으며 상기 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 구동부를 더 포함하는 실캡.In claim 1,
The seal cap is disposed on the body, and further comprising a driving unit capable of placing the wafer and rotating the wafer. 제7항에서,
상기 구동부는
상기 몸체에 배치되어 상기 웨이퍼를 지지할 수 있는 회전판,
상기 몸체와 상기 회전판의 사이에 배치된 밀폐부재 및
상기 회전판과 동력 연결되어 상기 회전판을 회전시킬 수 있는 상기 구동부재
를 포함하는
실캡.In claim 7,
the driving unit
a rotating plate disposed on the body to support the wafer;
a sealing member disposed between the body and the rotating plate; and
The driving member that is power-connected to the rotating plate to rotate the rotating plate
containing
seal cap. 제1 내지 제8항 중 선택된 어느 한 항에 정의되어 있는 실캡, 그리고
일측에 형성된 개방홀을 통해 내부로 웨이퍼가 유입될 수 있고 상기 웨이퍼에 열을 가할 수 있는 반응로
를 포함하며,
상기 실캡은 상기 개방홀을 개폐하는
반도체 생산 설비.A seal cap as defined in any one of claims 1 to 8, and
A reactor capable of introducing a wafer into the inside through an open hole formed on one side and applying heat to the wafer
includes,
The seal cap is configured to open and close the opening hole.
semiconductor production equipment.
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