KR102341422B1 - Scrubber for semiconductor with scale remover - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하단의 일측에 가스가 유입되는 유입라인과, 상단에 세정처리 된 처리가스가 배출되는 배출라인과, 하단의 타측에 세정처리수를 배출하는 처리수배출라인과, 내부에 세정수를 토출하는 토출수단을 포함하는 스크라바조; 상기 스크라바조 내부에 전해수를 공급하는 세척라인과 연결되는 전기분해조;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바에 관한 것이다. The present invention provides an inlet line through which gas is introduced to one side of the lower end, a discharge line through which the treated gas is discharged at the upper end, a treated water discharge line for discharging the washing treatment water to the other side of the lower end, and washing water inside a scraper including a discharging means for discharging; It relates to a scraper for semiconductors equipped with a scale removal device comprising a; an electrolysis tank connected to a washing line for supplying electrolyzed water to the inside of the scraper tank.

Description

스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바{Scrubber for semiconductor with scale remover}Scrubber for semiconductor with scale remover

본 발명은 반도체 공정 등에서 생성되는 오염가스를 정화처리 하고 정화처리 중에 생성되는 설비 내 스케일 등에 대한 세척공정이 수행될 수 있는 스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바에 관한 것이다.The present invention relates to a scraper for semiconductors equipped with a scale removal device capable of purifying polluting gas generated in a semiconductor process, etc. and performing a cleaning process for scale in facilities generated during the purification process.

반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정 중에 발생하는 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정공정이 필요하다. 특히, 고집적화 된 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정공정은 매우 중요하다.When a semiconductor wafer is manufactured as an integrated circuit, a cleaning process for cleaning the semiconductor wafer is required in order to remove contaminants generated during various manufacturing processes. In particular, when manufacturing a highly integrated integrated circuit, a cleaning process that removes minute contaminants attached to the surface of a semiconductor wafer is very important.

상기 반도체 웨이퍼의 습식 세정공정은 화학액 처리공정(약액 처리공정)과, 수세공정, 그리고 건조공정으로 나눌 수 있다. 상기 화학액 처리공정은 고순도 및 고농도의 화학약품을 이하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정이며, 수세공정은 화학액 처리된 반도체 웨이퍼를 순수로 세척하는 공정이며, 상기 건조공정은 수세 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 공정이다.The wet cleaning process of the semiconductor wafer may be divided into a chemical solution treatment process (chemical solution treatment process), a water washing process, and a drying process. The chemical liquid treatment process is a process of treating a semiconductor wafer with high purity and high concentration of chemicals, the water washing process is a process of washing the chemical liquid-treated semiconductor wafer with pure water, and the drying process is the washing process of the semiconductor wafer drying process.

한편, 상기에서 언급한 반도체 공정 중에 발생되는 독성가스의 처리는 습식(wetting)과 연소(burning) 방식으로 나눌 수 있다.On the other hand, the treatment of the toxic gas generated during the semiconductor process mentioned above can be divided into a wet (wetting) and combustion (burning) method.

습식 스크라바는 물(또는 세정액)을 이용하여 배기가스를 세정하는 구조로서, 비교적 간단한 구성을 가지므로 제작이 용이하고 대용량화할 수 있다는 장점이 있다. The wet scrubber is a structure that cleans exhaust gas using water (or cleaning liquid), and has a relatively simple configuration, so it is easy to manufacture and has the advantage of being able to increase the capacity.

연소식 스크라바는 수소버너 등의 버너 속을 배가가스가 통과되도록 하여 직접 연소시키거나, 또는 열원을 이용하여 고온의 체임버를 형성하고 그 속으로 배기가스가 통과되도록 하여 간접적으로 연소시키는 구조를 갖는다. The combustion type scraper has a structure in which exhaust gas passes through a burner, such as a hydrogen burner, to directly burn, or a high-temperature chamber is formed using a heat source and exhaust gas passes through it to burn indirectly. .

이중 습식 스크라바의 예로 대한민국 특허등록 제10-1550990호에서는 체임버, 상기 체임버의 하부에 형성된 가스유입구, 상기 체임버의 상부에 형성된 액적분리장치 및 상기 체임버의 가스유입구 높이와 상기 액적분리장치 높이 사이에 설치되어 세정액이 공급되는 세정액공급장치를 포함하여 이루어지는 습식 가스스크러버에 있어서, 상기 액적분리장치는: 실린더; 상기 실린더의 내부 중간에 설치되어, 상기 실린더를 하부의 제1단과, 상부의 제2단으로 나누어주는 중간격막으로서, 상기 중간격막의 가운데에는 통풍구를 갖는 도넛형상의 중간격막; 상기 실린더의 제1단 측면 전체에 일정 간격을 두고 복수 개 설치되어 습윤가스가 유입되는 유입구; 상기 실린더의 제2단 상부에 설치되는 유출구; 상기 중간격막의 통풍구 주위에서 수직방향으로 설치되는 바(bar) 형상의 홀더; 및 상기 홀더에 끼움결합 되는 대응되는 홀더공을 가지며, 상기 중간격막의 통풍구를 지나 상승하는 습윤가스의 힘에 의하여 승강을 하는 방해판;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식 가스스크러버를 제시하고 있다. As an example of a double wet scrubber, in Korean Patent Registration No. 10-1550990, a chamber, a gas inlet formed at the lower part of the chamber, a droplet separator formed on the upper part of the chamber, and a height of the gas inlet of the chamber and the height of the droplet separator are provided. A wet gas scrubber comprising a cleaning liquid supply device installed and supplied with a cleaning liquid, the droplet separator comprising: a cylinder; an intermediate diaphragm installed in the middle of the cylinder to divide the cylinder into a first end at a lower portion and a second end at an upper portion, a donut-shaped intermediate diaphragm having a ventilation hole in the middle of the intermediate diaphragm; an inlet through which a wet gas is introduced by installing a plurality of inlets at regular intervals on the entire first end side of the cylinder; an outlet installed above the second end of the cylinder; a bar-shaped holder installed in a vertical direction around the ventilation hole of the intermediate diaphragm; and a baffle plate having a corresponding holder hole fitted to the holder and lifting and lowering by the force of the wet gas rising through the ventilation hole of the intermediate diaphragm; .

그러나 상기 기술의 경우 설비운영 과정에서 설비내에 스케일 및 슬라임 성분 등이 침적되어 공정효율이 저하되는 경우 인력을 통한 세척 혹은 별도의 장치를 설치하여 세척을 하여야 하는 번거로움이 있으며, 산화제 등 약품을 과다로 사용하는 경우 2차 오염의 문제가 야기될 수 있고, 설비내를 사람이 직접 청소하는 경우 안전사고의 문제가 있다. However, in the case of the above technology, if the process efficiency is reduced due to the deposition of scale and slime components in the facility during the operation of the facility, there is a cumbersome cleaning by manpower or by installing a separate device to clean, and there is an excessive amount of chemicals such as an oxidizing agent If it is used as an air conditioner, a problem of secondary contamination may occur, and if a person directly cleans the inside of the facility, there is a problem of a safety accident.

대한민국 특허등록 제10-1550990호Korean Patent Registration No. 10-1550990

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 세정공정과 세척공정이 1 장치에 의해 구현될 수 있고, 전해수를 사용하여 스케일 및 슬라임 성분들의 부착을 지연시키고 부착된 스케일 성분들이 용해되어 나올 수 있게 하여 스크라바내 차압이 높게 유지되지 않도록 관리함으로써 설비 세정을 위한 설비내 인력투입을 줄여 안전사고를 방지할 수 있고, 설비 유지보수 횟수를 줄여 연속적인 조업이 가능하도록 하고자 함이다.Therefore, the present invention is to solve the above problems, and the cleaning process and the cleaning process can be implemented by one device, and by using electrolyzed water, the adhesion of scale and slime components is delayed and the attached scale components are dissolved. This is to prevent safety accidents by reducing the input of manpower in the facility for cleaning the facility by managing so that the differential pressure in the scraper is not maintained high, and to enable continuous operation by reducing the number of facility maintenance.

본 발명의 해결하고자 하는 과제에 의한 스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바(이하 "본 발명의 스크라바"라함)는, 하단의 일측에 가스가 유입되는 유입라인과, 상단에 세정처리 된 처리가스가 배출되는 배출라인과, 하단의 타측에 세정처리수를 배출하는 처리수배출라인과, 내부에 세정수를 토출하는 토출수단을 포함하는 스크라바조; 상기 스크라바조 내부에 전해수를 공급하는 세척라인과 연결되는 전기분해조;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The scraper for semiconductors equipped with a scale removal device according to the problem to be solved by the present invention (hereinafter referred to as "the scraper of the present invention") has an inlet line through which gas flows into one side of the lower end, and a cleaning treatment at the upper end a scraper tank including a discharge line through which gas is discharged, a treatment water discharge line for discharging the cleaning treatment water to the other side of the lower end, and discharge means for discharging the cleaning water therein; and an electrolysis tank connected to a washing line for supplying electrolyzed water to the inside of the scraper tank.

하나의 예로 상기 스크라바조에 있어 하나 이상의 개소에 압력을 측정하는 하나 이상의 압력계와, 상기 압력계에서 측정되는 압력값에 연동하여 상기 밸브를 제어함으로써 상기 스크라바조의 세정모드와 세척모드를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. As an example, one or more pressure gauges for measuring pressure at one or more locations in the scuba tank, and a control unit for controlling the cleaning mode and the cleaning mode of the scraper tank by controlling the valve in conjunction with the pressure value measured by the pressure gauge characterized by including.

하나의 예로 상기 세척라인과 밸브에 의해 연결되어 상기 스크라바조 내부에 약품을 공급하는 약품공급라인과 연결되는 약품저장조를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. As an example, it characterized in that it further comprises a chemical storage tank connected to the cleaning line and the valve connected to the chemical supply line for supplying the inside of the scraper tank.

하나의 예로 상기 배출라인에는 후처리장치가 구성되되, 상기 후처리장치는 하단에 상기 배출라인이 연통하며 상단에 이물질이 제거된 가스가 배출되는 후배출라인이 형성되고 내부에 전해액이 충진된 하우징과, 상기 하우징의 내부에 다공을 형성하는 양극과, 상기 양극에 이격을 형성하는 음극과, 상기 하우징 외부에서 상기 양극 및 음극에 전원을 인가하는 전원부가 포함되는 것을 특징으로 한다. As an example, a post-processing device is configured in the discharge line, and the post-treatment device has a housing in which the discharge line communicates with the lower end and a post-discharge line through which the gas from which foreign substances are removed is discharged is formed at the upper end, and the electrolyte is filled therein And, an anode forming pores inside the housing, a cathode spaced apart from the anode, and a power supply for applying power to the anode and the cathode from the outside of the housing.

하나의 예로 상기 하우징의 하단에는 슬러지배출라인이 형성되며, 상기 배출라인은 상기 하우징 내부에서 상기 양극의 하면과 대향하는 가스토출노즐과 연통하는 것을 특징으로 한다. As an example, a sludge discharge line is formed at the lower end of the housing, and the discharge line communicates with a gas discharge nozzle facing the lower surface of the anode inside the housing.

하나의 예로 상기 양극의 하면에는 밀폐면을 형성하도록 격벽이 형성되며 상기 격벽 내부에 상기 가스토출노즐이 구성되는 것을 특징으로 한다. As an example, a barrier rib is formed on a lower surface of the anode to form a sealing surface, and the gas discharge nozzle is configured inside the barrier rib.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 스크라바는 운전중에 설비내부에 스케일, 미생물 등 이물질이 침적되어 운전효율이 저하되는 경우 전해수를 이용하여 침적된 이물질을 세척할 수 있어 유지 및 관리가 용이한 장점이 있다. As described above, the scraper of the present invention has the advantage of being easy to maintain and manage since it is possible to wash the deposited foreign substances using electrolyzed water when the operating efficiency is lowered due to the deposition of foreign substances such as scale and microorganisms inside the facility during operation. have.

또한 본 발명의 스크라바는 반도체 공정 등에서 생성되는 가스의 정화효율을 높이는 것은 물론 스케일, 미생물 등 이물질 침적물이 스크라바에 부착되어 운전효율이 저감되는 것을 방지하여 추가 세척공정이 불필요하게 함으로써 안전사고의 발생을 제어토록 하는 장점이 있다. In addition, the scraper of the present invention not only increases the purification efficiency of gas generated in the semiconductor process, etc., but also prevents foreign material deposits such as scale and microorganisms from adhering to the scraper, thereby reducing the operating efficiency, thereby eliminating the need for an additional cleaning process. It has the advantage of controlling the occurrence.

도 1은 본 발명의 스크라바를 나타내는 개략도.
도 2는 본 발명의 스크라바의 작동상태의 일 예를 나타내는 블록.
도 3은 본 발명의 스크라바의 다른 실시예를 나타내는 개략도.1 is a schematic diagram showing a scrabble of the present invention.
Figure 2 is a block showing an example of the operating state of the scrabble of the present invention.
3 is a schematic diagram showing another embodiment of the scrabble of the present invention.

이하 본 발명의 실시 예을 첨부되는 도면을 통해 보다 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 스크라바(1)는 도 1에서 보는 바와 같이, 하단의 일측에 가스가 유입되는 유입라인(21)과, 상단에 세정처리 된 처리가스가 배출되는 배출라인(22)과, 하단의 타측에 세정처리수를 배출하는 처리수배출라인(23)과, 내부에 세정수를 토출하는 토출수단(24)을 포함하는 스크라바조(2); 상기 스크라바조(2) 내부에 전해수를 공급하는 세척라인(41)과 연결되는 전기분해조(4);를 포함하는 것을 특징으로 한다. As shown in FIG. 1, the scraper 1 of the present invention has an inlet line 21 through which gas flows into one side of the lower end, an outlet line 22 through which the cleaned process gas is discharged at the upper end, and a scraper tank (2) including a treated water discharge line (23) for discharging the washing water to the other side, and a discharging means (24) for discharging the washing water therein; and an electrolysis tank (4) connected to a washing line (41) for supplying electrolyzed water to the inside of the scraper tank (2).

즉 본 발명의 스크라바(1)는 반도체 공정 등에서 생성되는 가스를 세정에 의한 정화처리 하는 종래의 스크라바의 기능에 더하여 운전중에 설비내부의 패킹볼, 데미스터 등에 스케일, 미생물 등의 이물질이 침적되어 운전효율이 저하되는 경우에 전해수에 의한 세척이 가능하도록 하는 것이다. In other words, the scraper 1 of the present invention has a function of cleaning the gas generated in the semiconductor process, etc., in addition to the function of the conventional scraper, and during operation, foreign substances such as scale and microorganisms are deposited on packing balls and demisters inside the facility. This makes it possible to wash with electrolyzed water when the operating efficiency is reduced.

상기 스크라바조(2)는 하단의 일측에 가스가 유입되는 유입라인(21)과, 상단에 세정처리 된 처리가스가 배출되는 배출라인(22)과, 하단의 타측에 세정처리수를 배출하는 처리수배출라인(23)과, 내부에 세정수를 토출하는 토출수단(24)을 포함하는 것을 특징으로 한다. The scraper tank 2 has an inlet line 21 through which gas is introduced to one side of the lower end, a discharge line 22 through which the cleaned treatment gas is discharged at the upper end, and the other side of the lower end for discharging the cleaning water. It is characterized in that it includes a treated water discharge line 23 and a discharge means 24 for discharging the washing water therein.

상기 유입라인(21)으로 반도체 공정 등에서 생성되는 가스가 유입되는 것으로 이러한 가스에는 각종 오염물질이 혼입된 상태로 상기 스크라바조(2)에서는 이렇게 유입라인(21)으로 유입된 가스가 스크라바조(2) 내부에서 상향하는 과정에서 상기 토출수단(24)에서 하방향으로 토출하는 세정수와 충돌하도록 하여 가스에 혼입된 각종 오염물질이 세정수에 의해 걸러져 상기 스크라바조(2) 하단부에 오염물질이 포함된 세정처리수가 저장되도록 하는 것이며, 이러한 세정처리수는 상기 처리수배출라인(23)을 통해 외부로 배출되도록 하는 것이다. Gas generated from a semiconductor process, etc. is introduced into the inlet line 21, and various contaminants are mixed in the gas. (2) The various contaminants mixed in the gas are filtered by the washing water to collide with the washing water discharged downward from the discharging means 24 in the process of ascending from the inside, thereby contaminating the lower end of the scuba tank (2). The washing treatment water containing the substance is stored, and the washing treatment water is discharged to the outside through the treated water discharge line 23 .

이렇게 세정처리 된 처리가스는 상기 배출라인(22)을 통해 외부로 배출되도록 하는 것이다. The process gas cleaned in this way is discharged to the outside through the discharge line 22 .

이와 같은 스크라바조(2)의 기능은 종래 공지기술로서 다양하게 존재하고 있는 바, 그 상세 설명은 생략한다. The functions of such a scravator 2 are variously present as conventionally known techniques, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 전기분해조(4)는 상기 스크라바조(2) 내부에 전해수를 공급하는 세척라인(41)과 연결되는 구성에 해당한다. 상기 전기분해조(4)에는 당연히 공지의 구성으로서 양극 및 음극과 전해질 등이 구성되어 전기의 인가에 의해 산성수 또는 알카리수가 생성되도록 하는 것으로 이러한 전기분해조(4)에서 전해수를 생성하는 작용기작의 경우도 다양한 공지기술이 존재하므로 그 상세 설명은 생략한다. The electrolysis tank 4 corresponds to a configuration connected to the washing line 41 for supplying electrolyzed water to the inside of the scuba tank 2 . Of course, the electrolysis tank 4 has an anode, a cathode, an electrolyte, etc. as a known configuration, so that acidic or alkaline water is generated by the application of electricity. The mechanism of action of generating electrolyzed water in the electrolysis tank 4 In the case of , since various known technologies exist, a detailed description thereof will be omitted.

이렇게 스크라바조(2)의 세척을 위해 전해수를 사용하는 이유는 난분해성 유기오염물질 등의 축적에 의해 형성되는 스케일의 경우 전해수의 차아염소산(HOCl)이나 히드록시라디칼(OH-)에 의해 설비에 침적되어 부착된 스케일을 분리 및 분해토록 하는 것이다. 즉 화학약품의 사용을 제어하거나 줄임으로써 친환경적으로 세척이 이루어지도록 하는 것이다. The reason why electrolyzed water is used for cleaning the scraper (2) is that in the case of a scale formed by the accumulation of difficult-to-decompose organic pollutants, it is equipped with hypochlorous acid (HOCl) or hydroxy radicals (OH-) It is to separate and disassemble the scale that is deposited and attached to it. That is, by controlling or reducing the use of chemicals, cleaning is done in an environmentally friendly way.

또한 본 발명의 스크라바(1)에는 상기 세척라인(41)과 밸브(82)에 의해 연결되어 상기 스크라바조(2) 내부에 약품을 공급하는 약품공급라인(81)과 연결되는 약품저장조(8)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, in the scraper 1 of the present invention, the cleaning line 41 and the valve 82 are connected to each other, and the chemical storage tank ( 8) is characterized in that it further comprises.

상기 밸브(82)의 작동에 기해 상기 약품저장조(8)로부터 상기 약품공급라인(81) 및 상기 세척수공급라인(41)을 통해 약품이 상기 스크라바조(2)로 공급되도록 하는 것이다. 이러한 약품은 세정과정에서 세정수와 함께 스크라바조(2)로 공급되도록 할 수 있으며, 세척과정에서 전해수와 함께 스크라바조(2)로 공급되도록 할 수 있다. Based on the operation of the valve 82 , the chemical is supplied from the chemical storage tank 8 to the scraper tank 2 through the chemical supply line 81 and the washing water supply line 41 . Such a chemical may be supplied to the scraper tank 2 together with the washing water in the cleaning process, and may be supplied to the scraper tank 2 together with the electrolyzed water in the washing process.

세척과정에서 전해수와 함께 공급되는 일 예로 약품으로서 염화나트륨성분이 첨가되도록 하여 스케일의 경우 전해수에 의한 분리 및 분해가 이루어지도록 하고 염화나트륨 성분에 의해 미생물의 제거가 이루어지도록 할 수 있다. As an example, sodium chloride component is added as a chemical to be supplied together with electrolyzed water in the washing process, so that the scale can be separated and decomposed by electrolyzed water, and microorganisms can be removed by sodium chloride component.

또한 본 발명에서는 도 2에서 보는 바와 같이 상기 스크라바조(2)에 있어 하나 이상의 개소에 압력을 측정하는 하나 이상의 압력계(5)가 구성되도록 하고, 상기 압력계(5)에서 측정되는 압력값에 연동하여 상기 밸브(82)를 제어함으로써 상기 스크라바조(2)의 세정모드(61)와 세척모드(62)를 제어하는 제어부(6)를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, as shown in FIG. 2 , one or more pressure gauges 5 for measuring pressure at one or more locations in the scraper tank 2 are configured, and interlocking with the pressure value measured by the pressure gauge 5 . and a control unit 6 for controlling the cleaning mode 61 and the cleaning mode 62 of the scraper tank 2 by controlling the valve 82 .

즉 제어부(6)는 각 압력계(5)에서 측정되는 압력값이 설정된 임계치 이상인 경우에 설비가 스케일 등의 침적으로 공정효율이 저하되는 것으로 판단하여 밸브(82) 및 도면에 도시된 바는 없으나 펌프를 제어하여 스크라바조(2)를 세척모드(62)로 전환시키도록 하는 것이다. That is, when the pressure value measured by each pressure gauge 5 is greater than or equal to a set threshold, the control unit 6 determines that the process efficiency is reduced due to deposition of scale, etc. is to control the scrubber (2) to switch to the washing mode (62).

상기 세정모드(61)는 상기에서 언급한 바와 같이 스크라바조(2)로 세정수가 공급되도록 하여 유입가스를 정화처리 하는 공정인 것이며, 상기 세척모드(62)는 상기에서 언급한 바와 같이 스크라바조(2)로 전해수 또는 약품이 공급되도록 하여 세척이 이루어지는 공정인 것이다. The cleaning mode 61 is a process of purifying the inflow gas by supplying the cleaning water to the scraper tank 2 as mentioned above, and the cleaning mode 62 is the scraper tank 2 as mentioned above. It is a process in which electrolyzed water or chemicals are supplied to the tank (2) to perform washing.

한편 본 발명은 상기 세정모드(61)에 있어 상기 배출라인(22)으로 배출되는 처리가스가 후처리장치(7)를 더 거치도록 하여 정화효율을 더욱 배가시키도록 하는 실시 예를 도 3에서 제시하고 있다. On the other hand, in the present invention, an embodiment in which the processing gas discharged to the discharge line 22 in the cleaning mode 61 is further passed through the post-treatment device 7 to further double the purification efficiency is presented in FIG. 3 . are doing

본 실시 예의 후처리장치(7)는 도 3에서 보는 바와 같이 하단에 상기 배출라인(22)이 연통하며 상단에 이물질이 제거된 가스가 배출되는 후배출라인(711)이 형성되고 내부에 전해액(712)이 충진된 하우징(71)과, 상기 하우징(71)의 내부에 다공을 형성하는 양극(72)과, 상기 양극(72)에 이격을 형성하는 음극(73)과, 상기 하우징(71) 외부에서 상기 양극(72) 및 음극(73)에 전원을 인가하는 전원부(74)가 포함되는 것을 특징으로 한다. As shown in FIG. 3, in the post-treatment device 7 of this embodiment, the discharge line 22 communicates at the lower end, and the post discharge line 711 through which the gas from which foreign substances are removed is discharged is formed at the upper end, and the electrolyte ( A housing 71 filled with 712), an anode 72 forming pores inside the housing 71, a cathode 73 forming a spaced apart from the anode 72, and the housing 71 A power supply unit 74 for applying power to the positive electrode 72 and the negative electrode 73 from the outside is included.

상기 하우징(71)의 하부로 상기 배출라인(22)을 통해 1차적으로 상기 스크라바조(2)에서 정화처리 된 가스가 유입되는 것이며, 이렇게 유입된 가스는 내부에 다공을 형성하는 양극(72)을 통과하면서 가스에 혼입된 이물질이 양극(72)의 다공에 의해 흡착에 의한 여과가 이루어지도록 하는 것이며, 이렇게 양극(72)에 의해 여과가 이루어진 가스는 후배출라인(711)을 통해 외부로 배출되도록 하는 것이다. The gas purified in the scraper tank 2 is primarily introduced into the lower part of the housing 71 through the discharge line 22, and the gas introduced in this way is the anode 72 forming pores therein. ), the foreign substances mixed in the gas are filtered by adsorption by the pores of the anode 72, and the gas filtered by the anode 72 in this way is discharged to the outside through the after-discharge line 711. to be expelled.

이를 위해서 도면에서 보는 바와 같이 상기 배출라인(22)에 의해 상기 하우징(71) 내부로 유입되는 가스는 배출라인(22)의 위치와 대향하도록 형성되는 양극(72)으로 유입되도록 하여 다공을 형성하는 양극(72)에서 가스에 혼입된 이물질이 걸러지도록 하는 것이다. To this end, as shown in the drawings, the gas introduced into the housing 71 through the discharge line 22 flows into the anode 72 formed to face the position of the discharge line 22 to form pores. The anode 72 is to filter out foreign substances mixed in the gas.

이러한 기능이 더욱 극대화 되도록 하기 위해 상기 배출라인(22)은 상기 하우징(71) 내부에서 상기 양극(72)의 하면과 대향하는 가스토출노즐(713)과 연통하도록 구성되는데, 배출라인(22)을 통해 유동하는 가스가 상기 하우징(71) 내부에서 상기 양극(72)의 하면과 대향하는 가스토출노즐(713)을 통해 상기 양극(72) 방향으로 가스가 토출되도록 하는 것이며, 이에 더하여 상기 양극(72)의 하면에는 밀폐면을 형성하도록 격벽(75)이 형성되며 상기 격벽(75) 내부에 상기 가스토출노즐(713)이 구성되도록 하여 가스토출노즐(713)을 통해 하우징(71) 내부로 토출되는 가스는 상기 양극(72)을 통해서만 전해액(712)으로 유출되도록 하여 유입되는 가스 전체가 양극(72)을 통과하도록 하는 것이다. 상기 격벽(75)은 도면에서 보는 바와 같이 상기 양극(72)의 하면과 격벽(75) 및 하우징(71)에 의해 밀폐된 공간이 형성되도록 하는 것이다. In order to further maximize this function, the discharge line 22 is configured to communicate with the gas discharge nozzle 713 opposite to the lower surface of the anode 72 inside the housing 71, the discharge line 22 The gas flowing through the housing 71 causes the gas to be discharged in the direction of the anode 72 through the gas discharge nozzle 713 opposite to the lower surface of the anode 72 inside the housing 71. In addition, the anode 72 ), a partition wall 75 is formed to form a sealing surface, and the gas discharge nozzle 713 is configured inside the partition wall 75 to be discharged into the housing 71 through the gas discharge nozzle 713 The gas flows out to the electrolyte 712 only through the anode 72 so that the entire inflow gas passes through the anode 72 . As shown in the drawings, the partition wall 75 is to form a closed space by the lower surface of the anode 72 , the partition wall 75 , and the housing 71 .

이렇게 다공을 형성하는 양극(72)은 탄소재질 등 다양한 공지의 재질이 사용될 수 있음은 당연하다. It is natural that various well-known materials such as carbon material may be used for the anode 72 forming the pores in this way.

이러한 양극(72)을 통한 여과과정이 진행되면 상기 양극(72)이 폐색될 수 있는데, 본 실시예에서는 이 경우 상기 전원부(74)가 양극(72) 및 음극(73)에 전원을 인가하여 상기 하우징(71) 내부에서 전기분해가 이루어지도록 한다. 이렇게 하우징(71) 내부에서 전기분해가 이루지면 전기분해에 의한 열에 의해 양극(72)에 흡착된 이물질이 탈착이 이루어지게 되는 것이며, 이렇게 탈착이 된 이물질은 양극(72)에서 발생되는 전해수(산성수)에 의해 분해가 이루어진다. 이러한 세척과정에서 하우징(71)의 하부에 침적되는 이물질은 상기 하우징(71)의 하단에 슬러지배출라인을 통해 외부로 배출시키는 것이다. When the filtration process through the anode 72 proceeds, the anode 72 may be blocked. In this embodiment, the power supply unit 74 applies power to the anode 72 and the cathode 73 to Electrolysis is performed inside the housing 71 . When the electrolysis is performed inside the housing 71 in this way, the foreign substances adsorbed to the anode 72 by the heat caused by the electrolysis are desorbed. number) is decomposed. In this washing process, foreign substances deposited on the lower portion of the housing 71 are discharged to the outside through a sludge discharge line at the lower end of the housing 71 .

즉 본 실시 예의 후처리장치(7)의 경우도 필터링 공정과 세척공정이 1 장치에 의해 수행되어지도록 하는 것이며, 세척공정에서 전해수가 사용되어 화학약품에 의한 2차 오염의 문제 등이 제어될 수 있도록 하는 것이다. That is, in the case of the post-treatment device 7 of this embodiment, the filtering process and the washing process are performed by one device, and the electrolyzed water is used in the washing process, so that the problem of secondary contamination by chemicals can be controlled. is to make it

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the content described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

1 : 본 발명의 스크라바 2 : 스크라바조
4 : 전기분해조1: Scrabble of the present invention 2: Scrabble
4: electrolysis tank

Claims (6)

하단의 일측에 가스가 유입되는 유입라인과, 상단에 세정처리 된 처리가스가 배출되는 배출라인과, 하단의 타측에 세정처리수를 배출하는 처리수배출라인과, 내부에 세정수를 토출하는 토출수단을 포함하는 스크라바조; 및
상기 스크라바조 내부에 전해수를 공급하는 세척라인과 연결되는 전기분해조;를 포함하며,
상기 배출라인과 연통하여 배출라인을 통해 배출되는 처리가스가 유입되는 후처리장치;를 더 포함하되,
상기 후처리장치는,
하단에 상기 배출라인이 연통하며 상단에 이물질이 제거된 가스가 배출되는 후배출라인이 형성되며 내부에 전해액이 충진된 하우징과, 상기 하우징의 내부에서 다공을 형성하고 가스에 혼입된 이물질을 흡착 처리하는 양극과, 상기 양극에 이격을 형성하는 음극과, 상기 하우징 외부에서 상기 양극 및 음극에 전원을 인가하는 전원부를 포함하고,
상기 하우징의 하단에는 슬러지배출라인이 형성되며, 상기 배출라인은 상기 하우징 내부에서 상기 양극의 하면과 대향하는 가스토출노즐과 연통하여 배출라인을 통해 유동하는 가스가 상기 하우징 내부에서 상기 양극을 향하는 방향으로 토출되게 하며,
상기 양극의 하면에는 상기 하우징과 밀폐면을 형성하도록 격벽이 형성되며 상기 격벽에 의해 밀폐되는 공간으로 상기 가스토출노즐이 구성되어, 가스토출노즐을 통해 하우징 내부로 토출되는 가스가 상기 양극을 통과해서 전해액으로 유출되게 하는 것을 특징으로 하는 스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바.
An inlet line through which gas flows into one side of the lower end, a discharge line through which the treated gas is discharged at the upper end, a treated water discharge line through which the washing treatment water is discharged on the other side of the lower end, and a discharge line through which the washing water is discharged scavaggio including means; and
It includes a;
Further comprising; a post-processing device communicating with the discharge line to receive the processing gas discharged through the discharge line;
The post-processing device,
The discharge line communicates at the lower end, and a post discharge line through which the gas from which foreign substances are removed is discharged is formed at the upper end, and a housing filled with an electrolyte solution therein, pores are formed in the housing, and foreign substances mixed in the gas are adsorbed and a power supply unit for applying power to the positive electrode and the negative electrode from the outside of the housing, the positive electrode and the negative electrode spaced apart from the positive electrode,
A sludge discharge line is formed at the lower end of the housing, and the discharge line communicates with a gas discharge nozzle opposite to the lower surface of the anode inside the housing so that the gas flowing through the discharge line is directed toward the anode inside the housing to be discharged with
A partition wall is formed on the lower surface of the anode to form a sealing surface with the housing, and the gas discharge nozzle is configured as a space closed by the partition wall, and the gas discharged into the housing through the gas discharge nozzle passes through the anode A scraper for semiconductors equipped with a scale removal device, characterized in that it flows into the electrolyte.
 제 1항에 있어서,
상기 스크라바조에 있어 하나 이상의 개소에 압력을 측정하는 하나 이상의 압력계와, 상기 압력계에서 측정되는 압력값에 연동하여 밸브를 제어함으로써 상기 스크라바조의 세정모드와 세척모드를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바.
The method of claim 1,
One or more pressure gauges for measuring pressure at one or more points in the scraper tank, and a control unit for controlling a cleaning mode and a cleaning mode of the scraper tank by controlling a valve in association with the pressure value measured by the pressure gauge A scraper for semiconductors equipped with a scale removing device.
 제 1항에 있어서,
상기 세척라인과 밸브에 의해 연결되어 상기 스크라바조 내부에 약품을 공급하는 약품공급라인과 연결되는 약품저장조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스케일 제거장치가 구비된 반도체용 스크라바. The method of claim 1,
The scraper for semiconductor with a scale removal device, characterized in that it further comprises a chemical storage tank connected to the cleaning line and the valve by a valve and connected to a chemical supply line for supplying a chemical to the inside of the scraper tank. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007083139A (en) * 2005-09-21 2007-04-05 Seiko Epson Corp Apparatus and method for treating waste gas
US20120234763A1 (en) * 2011-03-14 2012-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Regenerable Filter Unit, Regenerable Filter System Including The Same, And Method Of Operating Regenerable Filter System

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08187419A (en) * 1995-01-06 1996-07-23 Toshiba Corp Waste gas treatment and device therefor
JPH11179194A (en) * 1997-12-24 1999-07-06 Canon Inc Organic compound decomposition method, apparatus to be employed therefor, waste gas purification method, and apparatus to be employed therefor
KR101550990B1 (en) 2013-12-04 2015-09-07 지에스건설 주식회사 Wet gas scrubber

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007083139A (en) * 2005-09-21 2007-04-05 Seiko Epson Corp Apparatus and method for treating waste gas
US20120234763A1 (en) * 2011-03-14 2012-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Regenerable Filter Unit, Regenerable Filter System Including The Same, And Method Of Operating Regenerable Filter System

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