KR102336495B1 - Apparatus For Manufacturing Semiconductor Device With Clean FOUP and Method of Driving The Same - Google Patents
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Abstract
클린 풉을 구비한 반도체 제조 장치 및 그 구동 방법에 관한 기술이다. 본 실시예의 반도체 제조 장치는, 웨이퍼 이송 장치의 로드 포트상에 장착되는 클린 풉을 포함한다. 상기 클린 풉은 덮개부, 상기 덮개부에 위치되며 상기 로드 포트의 개구부에 설치된 콘택부와 마주하도록 설치되는 클리닝부, 및 상기 클리닝부와 기계적 및 전기적으로 연결되어 상기 클리닝부에 진공 흡입력을 제공한다.A semiconductor manufacturing apparatus having a clean FOOP and a method of driving the same. The semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment includes a clean FOOP mounted on a load port of a wafer transfer apparatus. The clean poop includes a cover part, a cleaning part positioned on the cover part and installed to face a contact part installed in an opening of the load port, and mechanically and electrically connected to the cleaning part to provide a vacuum suction force to the cleaning part .
Description
본 발명은 반도체 제조 장치 및 그 구동방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 클린 풉을 구비한 반도체 제조 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a driving method thereof, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a clean FOOP and a driving method thereof.
반도체 소자는 웨이퍼상에 복수의 제조 공정을 진행하여 제작될 수 있다. 복수의 제조 공정을 진행하기 위해, 웨이퍼는 FOUP(front Opening Unified Pod)와 같은 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)에 로딩되고, 상기 웨이퍼 캐리어는 EFEM(equipment front end module)과 같은 웨이퍼 이송 장치에 탑재되어, 각 제조 공정 장치로 이송된다. A semiconductor device may be manufactured by performing a plurality of manufacturing processes on a wafer. In order to perform a plurality of manufacturing processes, a wafer is loaded on a wafer carrier such as a front opening unified pod (FOUP), and the wafer carrier is mounted on a wafer transfer device such as an equipment front end module (EFEM), It is transferred to each manufacturing process unit.
도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 웨이퍼가 로딩되는 FOUP(10)는 웨이퍼 이송 장치(20)의 로딩부(20a)에 얼라인될 수 있다. 로딩부(20a)의 측벽에 위치하는 콘택부(30)를 통해, FOUP(10)는 상기 웨이퍼 이송 장치(20)의 로딩부(20a)에 진공 척킹될 수 있다. As shown in FIG. 1 , the
그런데, 반도체 제조 장치의 자동화가 진행됨에 따라, 복수의 FOUP(10)들이 연속적으로 상기 웨이퍼 이송 장치(20)에 척킹(chucking) 및 디척킹(dechucking)이 반복됨에 따라, 상기 콘택부(30) 표면에 마모가 일어나, 콘택부(30) 표면에 마모 오염물들이 잔류될 수 있다.However, as the automation of the semiconductor manufacturing apparatus proceeds, the plurality of
이러한 오염 잔류물들은 FOUP(10)내에 유입되어, 웨이퍼 상에 부착되어 공정 에러의 요인이 될 수 있다. These contaminant residues may enter the
본 발명은 웨이퍼 오염을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing wafer contamination.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 웨이퍼 이송 장치의 로드 포트상에 장착되는 클린 풉을 포함한다. 상기 클린 풉은 덮개부, 상기 덮개부에 위치되며 상기 로드 포트의 개구부에 설치된 콘택부와 마주하도록 설치되는 클리닝부, 및 상기 클리닝부와 기계적 및 전기적으로 연결되어 상기 클리닝부에 진공 흡입력을 제공한다. A semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a clean FOOP mounted on a load port of a wafer transfer apparatus. The clean poop includes a cover part, a cleaning part positioned on the cover part and installed to face a contact part installed in an opening of the load port, and mechanically and electrically connected to the cleaning part to provide a vacuum suction force to the cleaning part .
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구동 방법은 다음과 같다. 먼저, 웨이퍼 이송 장치의 로드 포트 상에 복수의 웨이퍼가 수용된 풉(FOUP)을 장착하는 단계를 복수 회 진행한다. 상기 풉들이 복수 회 장착되고 난 후, 상기 로드 포트 상에 클린 풉을 장착한다. 상기 클린 풉과 접촉되는 상기 로드 포트의 접촉면을 클리닝한다. A method of driving a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention is as follows. First, a step of mounting a FOUP in which a plurality of wafers is accommodated on a load port of the wafer transfer apparatus is performed a plurality of times. After the FOOPs are mounted a plurality of times, a clean FOOP is mounted on the load port. A contact surface of the load port in contact with the clean poop is cleaned.
복수의 웨이퍼를 수용하는 복수의 풉(FOUP)들이 일정 회 이상 웨이퍼 이송 장치 상에 장착되고 난 후, 클린 풉을 웨이퍼 이송 장치상에 장착하여, 풉과 웨이퍼 이송 장치의 접촉면을 세정한다. 이에 따라, 풉과의 접촉면에서 발생되는 오염물들이 풉 내부의 웨이퍼로 유입되는 것을 사전에 방지할 수 있다. After a plurality of FOUPs accommodating a plurality of wafers are mounted on the wafer transfer device more than a predetermined number of times, the clean FOUP is mounted on the wafer transfer device to clean a contact surface between the FOUP and the wafer transfer device. Accordingly, it is possible to prevent contaminants generated on the contact surface with the FOOP from flowing into the wafer inside the FOOP in advance.
도 1은 일반적인 웨이퍼 이송 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 반도체 제조 장치의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 클린 풉의 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a general wafer transfer apparatus.
2 is a perspective view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a clean FOOP according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Sizes and relative sizes of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of description. Like reference numerals refer to like elements throughout.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 단면도이다. 2 is a perspective view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 제조 장치(100)는 로드 포트(110), 국소 환경 공간(120), 반송 로봇(130), 팬 필터 유닛(140), 반송 챔버(150), 각종 프로세스 챔버(160) 및 로드락 챔버(170)를 포함할 수 있다. 2 and 3 , the
국소 환경 공간(120)은 상기 프레임(120a)과, 상기 프레임(120a)에 고정되어 외부 분위기와 분리하기 위한 벽면(도시되지 않음)과, 프레임(120a) 상측에 설치된 팬 필터 유닛(140)에 의한 폐쇄 공간이 한정될 수 있다. 팬 필터 유닛(140)은 국소 환경 공간(120)의 천정부에 설치되어 외부로부터의 공기를 고청정의 공기로 청정화한 후, 하향의 국소 환경 공간(120)에 고청정 공기를 도입할 수 있다. The local
반송 로봇(130)은 FOUP(13)내의 웨이퍼(w)를 프로세스 챔버(160)로 이송시킨다. The
FOUP(200)이 장착될 로드 포트(110)은 국소 환경 공간(120)을 형성하는 프레임(120a)의 소정의 위치, 예를 들어 외측벽에 적어도 하나 이상 고정되어 있다. At least one
로드 포트(110) 상에 FOUP(200)를 소정의 위치에 적재하기 위한 스테이지(112), 및 웨이퍼(w)가 통과 가능한 면적을 갖는 포트 개구부(114)를 포함할 수 있다. It may include a
FOUP(200)은 스테이지(112) 상에 배치된 핀(도시되지 않음)에 의해 소정 위치에 적재된다. 스테이지 구동부(도시되지 않음)에 의해 FOUP(200)는 그것의 덮개부(210)와 포트 개구부(114)가 맞닿도록 전진된다. The FOUP 200 is loaded at a predetermined position by pins (not shown) disposed on the
포트 개구부(114)에는 FOUP(200) 덮개부(210)와 흡착되는 콘택부(116)를 구비할 수 있다. 콘택부(116)는 상기 포트 개구부(114)에 적어도 하나가 구비될 수 있다. 이와 같은 콘택부(116)는 FOUP(200)의 위치를 결정하기 위한 일종의 위치 지정 핀(registration pin)일 수 있다. The port opening 114 may include a
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 클린 풉의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of a clean FOOP according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 클린 풉(200)은 덮개부(210), 클리닝부(220), 진공 처리부(230) 및 필터부(240)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the
덮개부(210)는 상기 포트 개구부(114)와 마주하는 위치에 구비될 수 있다.The
클리닝부(220)는 적어도 하나의 브러쉬(222)를 포함할 수 있다. 상기 클리닝부(220)는 상기 포트 개구부(114)의 콘택부(116)와 대응되는 위치에 위치될 수 있으며, 하나의 콘택부(116)당 적어도 하나의 브러시(222)가 대응될 수 있다. 또한, 상기 덮개부(210)는 상기 브러시(222)들이 관통될 수 있는 홀(H)을 포함할 수 있으며, 상기 홀(H)을 통해 상기 브러시(222)가 돌출되어, 대응되는 상기 콘택부(116)의 잔류 불순물 또는 마모 불순물들을 떨어낼 수 있다. 또한, 상기 클리닝부(220)는 상기 진공 처리부(230)와 연결된 모터(도시되지 않음)로부터 회전력을 제공받을 수 있어, 회전하면서 상기 콘택부(116) 표면을 클리닝할 수 있다. The
상기 클리닝부(220)는 진공 처리부(230)와 기계적, 전기적으로 연결된다. 클리닝부(220)에 의해 콘택부(116)로부터 이탈된 오염물들은 상기 진공 처리부(230)로 흡입될 수 있다. 진공 처리부(230)는 흡입된 오염물을 필터부(240)를 통해 외부로 배출한다. The
상기 필터부(240)는 클린 풉(200)의 바닥부에 설치되어, 일정 크기 이하의 오염물을 필터링하여 클린 풉(200) 외부로 배출시킬 수 있다. 이때, 일정 크기 이상의 오염물은 진공 처리부(230)에 수집되었다가 일시에 수동 작업에 의해 배출시킬 수 있다. The
이와 같은 클린 풉(200)은 복수의 FOUP들을 처리하고 난 후, 웨이퍼 이송 장치 상에 장착시킨다. 그 후, 웨이퍼 이송 장치와 풉의 접촉면, 예를 들어, 포트 개구부(114)의 콘택부(116)를 상기 클린 풉(200)에 의해 클리닝하므로써, 콘택부(116) 표면에 발생되는 오염물들을 제거할 수 있다. 이에 따라, 이후 오염물들이 웨이퍼를 수용하는 풉 내에 유입되는 문제를 해결할 수 있으며, 콘택부(116)의 사용 주기를 연장할 수 있다. Such a
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.Although the present invention has been described in detail with reference to a preferred embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical spirit of the present invention. do.
100 : 반도체 제조 장치 110 : 로드 포트
114 : 포트 개구부 116 : 콘택부
200 : 클린 풉 210 : 덮개부
220 : 클리닝부 230 : 진공 처리부
240 : 필터부100: semiconductor manufacturing device 110: load port
114: port opening 116: contact portion
200: clean poop 210: cover part
220: cleaning unit 230: vacuum processing unit
240: filter unit
Claims (10)
덮개부;
상기 덮개부에 위치되며, 상기 로드 포트의 개구부에 설치된 콘택부와 마주하도록 설치되는 클리닝부; 및
상기 클리닝부와 기계적 및 전기적으로 연결되어, 상기 클리닝부에 진공 흡입력을 제공하는 진공 처리부를 포함하는 반도체 제조 장치. A clean FOUP mounted on a load port of a wafer transfer device, comprising:
cover part;
a cleaning unit located in the cover unit and installed to face the contact unit installed in the opening of the load port; and
and a vacuum processing unit mechanically and electrically connected to the cleaning unit to provide a vacuum suction force to the cleaning unit.
상기 클리닝부는 적어도 하나의 브러쉬부를 포함하는 반도체 제조 장치.The method of claim 1,
The cleaning unit includes at least one brush unit.
상기 브러쉬부는 하나의 콘택부당 적어도 하나가 배치되는 반도체 제조 장치.3. The method of claim 2,
The semiconductor manufacturing apparatus in which at least one brush part is disposed per one contact part.
상기 덮개부는 상기 브러쉬부를 수용할 수 있는 홀을 구비하며,
상기 브러쉬부는 상기 홀을 관통하여, 상기 콘택부와 접촉되는 반도체 제조 장치. 3. The method of claim 2,
The cover part has a hole for accommodating the brush part,
The brush part penetrates the hole and is in contact with the contact part.
상기 브러쉬부는 상기 콘택부와 접촉시 회전하면서 상기 콘택부의 오염물을 이탈시켜 상기 진공 흡입부 내부로 전달하도록 구성되는 반도체 제조 장치. 3. The method of claim 2,
The brush unit is configured to rotate when in contact with the contact unit to release contaminants from the contact unit and deliver the contaminants to the inside of the vacuum suction unit.
상기 클린 풉의 바닥부에 위치되며, 상기 진공 처리부에 유입된 오염물을 필터링하여 외부로 배출시키도록 구성되는 필터부를 포함하는 반도체 제조 장치. The method of claim 1,
and a filter unit located at the bottom of the clean FOOP and configured to filter and discharge contaminants introduced into the vacuum processing unit to the outside.
상기 풉들이 복수 회 장착되고 난 후, 상기 로드 포트 상에 클린 풉을 장착하는 단계; 및
상기 클린 풉과 접촉되는 상기 로드 포트의 접촉면을 클리닝하는 단계를 포함하는 반도체 제조 장치의 구동방법. performing the step of mounting a FOUP in which a plurality of wafers are accommodated on a load port of the wafer transfer apparatus a plurality of times;
After the FOOPs are mounted a plurality of times, mounting a clean FOOP on the load port; and
and cleaning a contact surface of the load port that is in contact with the clean poop.
상기 로드 포트의 접촉면은 포트 개구부를 포함하며,
상기 포트 개구부에 상기 풉 및 상기 클린 풉과 척킹되는 콘택부가 위치되는 반도체 제조 장치의 구동방법. 8. The method of claim 7,
The contact surface of the load port includes a port opening,
A method of driving a semiconductor manufacturing apparatus in which a contact portion chucked with the FOOP and the clean FOOP is positioned in the port opening.
상기 클린 풉은 상기 포트 개구부와 마주하는 덮개부 및 상기 덮개부에 위치한 클리닝부를 포함하며,
상기 클리닝부는 상기 콘택부와 접촉되어, 상기 콘택부 표면을 클리닝하도록 구성되는 반도체 제조 장치의 구동방법. 9. The method of claim 8,
The clean poop includes a cover portion facing the port opening and a cleaning portion located in the cover portion,
and the cleaning unit is in contact with the contact unit to clean a surface of the contact unit.
상기 클린 풉은 상기 클리닝부에 진공 흡입력을 제공하는 진공 처리부를 포함하여,
상기 진공 처리부는 상기 클리닝부에 의해 상기 콘택부 표면으로부터 유입되는 오염물을 흡입하는 반도체 제조 장치의 구동방법.10. The method of claim 9,
The clean poop includes a vacuum processing unit that provides a vacuum suction force to the cleaning unit,
The vacuum processing unit sucks the contaminants introduced from the surface of the contact unit by the cleaning unit.
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