KR102332885B1 - Electrostatic precipitator and processing liquid supply apparatus - Google Patents

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다이키 시바타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

서로 대향하고 또한 그 사이가 처리액의 유로로서 구성된 제 1 전극 및 제 2 전극을 구비한 전기 집진 장치에 있어서, 사용 가능한 전극의 재질의 자유도를 높게 하는 것이다. 상기의 제 1 전극 및 제 2 전극과, 당해 제 1 전극 및 제 2 전극과 함께 상기 유로를 구획하고 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 각 주연부의 사이에 개재되는 절연성의 지지 부재와, 상기 유로를 향하도록 마련된 처리액의 유입 포트 및 유출 포트와, 상기 제 1 전극의 외면측 및 상기 제 2 전극의 외면측에 각각 적층되고 전원부와 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 각각 전기적으로 접속하기 위한 제 1 도전로용의 면상체 및 제 2 도전로용의 면상체를 구비하도록 장치를 구성한다. 그에 따라, 전극과 도전로와의 접촉 면적이 비교적 커져 접촉 저항을 작게 할 수 있으므로, 전기장 강도가 확보되어, 전극의 재질의 선택의 자유도가 높아진다.In the electrostatic precipitator provided with the first electrode and the second electrode opposite to each other and configured as a flow path for the treatment liquid, the degree of freedom in the material of the electrode that can be used is increased. the first electrode and the second electrode, and an insulating support member that partitions the flow path together with the first electrode and the second electrode and is interposed between respective peripheral portions of the first electrode and the second electrode; an inlet port and an outlet port of the treatment liquid provided to face the The apparatus is configured to include a planar body for the first conductive path and a planar body for the second conductive path. Accordingly, the contact area between the electrode and the conductive path is relatively large, so that the contact resistance can be reduced, so that the electric field strength is secured and the degree of freedom in selecting the material of the electrode is increased.

Figure R1020170046664
Figure R1020170046664

Description

전기 집진 장치 및 처리액 공급 장치 {ELECTROSTATIC PRECIPITATOR AND PROCESSING LIQUID SUPPLY APPARATUS}ELECTROSTATIC PRECIPITATOR AND PROCESSING LIQUID SUPPLY APPARATUS

본 발명은 처리액의 유로를 형성하고 또한 서로 대향하는 전극을 구비한 전기 집진 장치 및 처리액 공급 장치에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to an electrostatic precipitator and a processing liquid supply device having electrodes that form a flow path for a processing liquid and which face each other.

기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 레지스트 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정에서는, 처리액 공급 장치에 있어서 노즐로부터 당해 웨이퍼에 처리액이 토출되어 처리가 행해지고, 레지스트 패턴에 결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여 처리액 중에 포함되는 이물을 집진하여 제거하는 것이 요구되고 있다. 이 이물을 집진함에 있어서, 처리액의 저류조 내에 전극을 마련하여 이물이 가지는 전하에 의해 당해 이물을 이 전극으로 끌어당겨 집진하는 것이 고려된다.In the photolithography process of forming a resist pattern on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate, the processing is performed by discharging the processing liquid to the wafer from a nozzle in the processing liquid supply device, and defects occur in the resist pattern. In order to prevent this, it is required to remove the foreign matter contained in the treatment liquid by dust collection. In collecting this foreign material, it is considered that an electrode is provided in the storage tank of the treatment liquid, and the foreign material is attracted to the electrode by the electric charge of the foreign material to collect the dust.

그러나, 이러한 저류조는 용량이 비교적 크기 때문에, 충분한 집진을 행하기 위해서는 많은 전극을 마련하거나 전극의 구조가 복잡화됨으로써, 장치의 제조 코스트가 증가할 우려가 있다. 또한, 웨이퍼에 대한 이물의 공급을 확실히 방지하기 위해서는 노즐에 가까운 위치에서 집진을 행하는 것이 바람직하다. 따라서 특허 문헌 1에 기재되는 바와 같이, 저류조와 노즐을 접속하는 처리액의 공급로를 구성하는 한 쌍의 전극을 구비하는 전기 집진 모듈을 장치에 마련하고, 처리액이 당해 공급로를 유통하는 동안에 직류 전원으로부터 당해 전극에 직류 전압을 인가하여 이 공급로에 있어서 이물을 집진하는 것이 검토되고 있다.However, since such a storage tank has a relatively large capacity, there is a fear that many electrodes are provided or the structure of the electrode is complicated in order to perform sufficient dust collection, thereby increasing the manufacturing cost of the device. In addition, in order to reliably prevent the supply of foreign substances to the wafer, it is preferable to perform dust collection at a position close to the nozzle. Therefore, as described in Patent Document 1, an electrostatic precipitation module including a pair of electrodes constituting a supply path for a processing liquid connecting the storage tank and the nozzle is provided in the apparatus, and while the processing liquid flows through the supply path, Applying a DC voltage to the electrode from a DC power supply and collecting foreign matter in this supply path has been studied.

일본특허공개공보 2012-222238호Japanese Patent Laid-Open No. 2012-222238

그런데, 직류 전원과 상기의 처리액의 공급로를 형성하는 전극을 접속하는 도전로로서는, 예를 들면 비교적 저항이 낮은 구리 등의 금속이 이용된다. 그러나, 전극으로서는 처리액의 금속 오염이 일어나지 않도록 상기의 도전로와는 상이한 재질을 이용하여 구성하는 것이 요구된다. 이와 같이 서로 재질이 상이함에 따라, 전극과 도전로 간의 접촉 저항이 비교적 높아진다. 한편, 이물의 집진을 충분히 행할 수 있도록 전극 간에서는 충분한 강도의 전계를 확보할 필요가 있다. 이러한 이유에서 전극으로서 이용되는 재질은 한정되는데, 장치의 제조 코스트를 저하시키거나 설계의 자유도를 높게 하기 위하여 다양한 재질을 전극으로서 사용 가능하게 하는 것이 요구되고 있다.By the way, as a conductive path for connecting the DC power supply and the electrode forming the supply path of the processing liquid, a metal having a relatively low resistance, such as copper, is used, for example. However, as the electrode, it is required to use a material different from that of the conductive path to prevent metal contamination of the treatment liquid. As the materials are different from each other as described above, the contact resistance between the electrode and the conductive path is relatively high. On the other hand, it is necessary to secure an electric field of sufficient strength between the electrodes so that the dust can be sufficiently collected. For this reason, materials used as electrodes are limited, but it is required to enable various materials to be used as electrodes in order to reduce the manufacturing cost of the device or increase the degree of freedom in design.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 서로 대향하고 또한 그 사이가 처리액의 유로로서 구성된 제 1 전극 및 제 2 전극을 구비한 전기 집진 장치에 있어서, 사용 가능한 전극의 재질의 선택의 자유도를 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an electrostatic precipitator having a first electrode and a second electrode opposite to each other and configured as a flow path for a treatment liquid therebetween. It is to provide technology that can increase the degree of freedom of choice.

본 발명의 전기 집진 장치는, 처리액의 공급원으로부터 피처리체의 처리부로 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급로에 개재하여 마련되는 전기 집진 장치에 있어서,The electrostatic precipitator of the present invention is an electrostatic precipitator provided via a processing liquid supply path for supplying a processing liquid from a supply source of a processing liquid to a processing unit of an object to be processed,

서로 대향하고 또한 각각 면상체로 이루어지며 그 사이가 처리액의 유로를 형성하는 제 1 전극 및 제 2 전극과,A first electrode and a second electrode facing each other and each made of a planar body and forming a flow path for the treatment liquid therebetween;

상기 제 1 전극 및 제 2 전극과 함께 상기 유로를 구획하고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 각 주연부의 사이에 개재되는 절연성의 지지 부재와,an insulating support member that partitions the flow path together with the first electrode and the second electrode and is interposed between peripheral portions of the first electrode and the second electrode;

상기 유로를 향하도록 마련된 처리액의 유입 포트 및 유출 포트와,an inlet port and an outlet port of the treatment liquid provided to face the flow path;

상기 제 1 전극의 외면측 및 상기 제 2 전극의 외면측에 각각 적층되고, 전원부와 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 각각 전기적으로 접속하기 위한 제 1 도전로용의 면상체 및 제 2 도전로용의 면상체A planar body for a first conductive path and a second conductive path laminated on the outer surface side of the first electrode and the outer surface side of the second electrode, respectively, for electrically connecting the power supply unit and the first electrode and the second electrode, respectively dragon face

를 구비한 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is provided with.

본 발명의 처리액 공급 장치는, 처리액의 공급원과,A processing liquid supply apparatus of the present invention comprises: a supply source of the processing liquid;

피처리체를 배치하여 처리하기 위한 처리부와,a processing unit for arranging and processing the object;

상기 공급원으로부터 처리액 공급로를 유통하여 공급된 상기 처리액을 상기 처리부로 공급하여 상기 피처리체를 처리하는 노즐과,a nozzle for supplying the processing liquid supplied through the processing liquid supply path from the supply source to the processing unit to process the object;

서로 대향하고 또한 각각 면상체로 이루어지며 그 사이가 상기 처리액 공급로를 이루는 유로를 형성하는 제 1 전극 및 제 2 전극과,A first electrode and a second electrode facing each other and each made of a planar body, the first electrode and the second electrode forming a flow path forming the processing liquid supply path therebetween;

상기 제 1 전극 및 제 2 전극과 함께 상기 유로를 구획하고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 각 주연부의 사이에 개재하는 절연성의 지지 부재와,an insulating support member that partitions the flow path together with the first electrode and the second electrode and is interposed between peripheral portions of the first electrode and the second electrode;

상기 유로를 향하도록 마련된 처리액의 유입 포트 및 유출 포트와,an inlet port and an outlet port of the treatment liquid provided to face the flow path;

상기 제 1 전극의 외면측 및 상기 제 2 전극의 외면측에 각각 적층되고, 전원부와 상기 제 1 전극 및 제 2 전극을 각각 전기적으로 접속하기 위한 제 1 도전로용의 면상체 및 제 2 도전로용의 면상체A planar body for a first conductive path and a second conductive path laminated on the outer surface side of the first electrode and the outer surface side of the second electrode, respectively, for electrically connecting the power supply unit and the first electrode and the second electrode, respectively dragon face

를 구비한 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is provided with.

본 발명에 따르면, 서로 대향하고 또한 각각 면상체로 이루어지는 제 1 전극 및 제 2 전극과, 제 1 전극 및 제 2 전극의 각 주연부의 사이에 개재되는 절연성의 지지 부재에 의해 처리액의 유로가 형성되고, 제 1 전극의 외면측 및 제 2 전극의 외면측에 각각 적층되고 전원부와 제 1 전극 및 제 2 전극을 각각 전기적으로 접속하기 위한 제 1 도전로용의 면상체 및 제 2 도전로용의 면상체가 마련되어 있다. 이러한 구성에 의해, 전극과 도전로의 접촉 면적을 비교적 크게 할 수 있으므로, 이들 전극과 도전로와의 접촉 저항을 억제할 수 있다. 결과적으로, 전극 간에 충분한 전계를 형성할 수 있으므로, 전극을 구성하는 재질의 선택의 자유도를 높게 할 수 있다.According to the present invention, the flow path of the processing liquid is formed by the first and second electrodes facing each other and made of planar bodies, respectively, and the insulating support member interposed between the respective peripheral portions of the first and second electrodes. The planar body for the first conductive path and the planar body for the second conductive path are respectively laminated on the outer surface side of the first electrode and the outer surface side of the second electrode and electrically connect the power supply unit and the first electrode and the second electrode, respectively. A facet is provided. With this configuration, the contact area between the electrode and the conductive path can be relatively increased, so that the contact resistance between the electrode and the conductive path can be suppressed. As a result, since a sufficient electric field can be formed between the electrodes, the degree of freedom in the selection of materials constituting the electrodes can be increased.

도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 레지스트 도포 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포 장치를 구성하는 배관의 구성도이다.
도 3은 상기 배관에 마련되는 전기 집진 모듈의 사시도이다.
도 4는 상기 전기 집진 모듈의 분해 사시도이다.
도 5는 상기 전기 집진 모듈의 종단 측면도이다.
도 6은 상기 전기 집진 모듈의 측면도이다.
도 7은 상기 전기 집진 모듈을 구성하는 전극판의 모식도이다.
도 8은 상기 전기 집진 모듈의 전기적인 등가 회로를 나타내는 회로도이다.
도 9는 전기 전극판에 의해 이물이 집진되는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 10은 전기 전극판에 의해 이물이 집진되는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 11은 전기 전극판으로부터 이물이 제거되는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 12는 전기 전극판으로부터 이물이 제거되는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 13은 상기 전기 집진 모듈을 구성하는 프레임체의 평면도이다.
도 14는 다른 구성의 전기 집진 모듈의 전기적인 등가 회로를 나타내는 회로도이다.
도 15는 또 다른 구성의 전기 집진 모듈의 개략 분해 사시도이다.
도 16은 다른 구성의 전기 집진 모듈을 구성하는 프레임체 및 도전판의 평면도이다.
도 17은 또 다른 구성의 전기 집진 모듈의 횡단 평면도이다.
도 18은 또 다른 구성의 전기 집진 모듈을 나타내는 개략 횡단 평면도이다.
도 19는 또 다른 구성의 전기 집진 모듈을 나타내는 개략 종단 측면도이다.
도 20은 전기 집진 모듈에 마련되는 포트의 배치를 나타내기 위한 평면도이다.
도 21은 전기 집진 모듈에 마련되는 전극판 및 도전판의 크기의 관계를 나타내기 위한 평면도이다.
도 22는 본 발명에 따른 평가 시험의 결과를 나타내는 설명도이다.
도 23은 본 발명에 따른 평가 시험의 결과를 나타내는 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal side view of the resist coating apparatus which concerns on embodiment of this invention.
Fig. 2 is a configuration diagram of piping constituting the resist coating device.
3 is a perspective view of an electric dust collecting module provided in the pipe.
4 is an exploded perspective view of the electrostatic precipitation module.
5 is a longitudinal side view of the electrostatic precipitation module.
6 is a side view of the electrostatic precipitation module.
7 is a schematic diagram of an electrode plate constituting the electrostatic precipitation module.
8 is a circuit diagram illustrating an electrically equivalent circuit of the electrostatic precipitation module.
9 is an explanatory view showing a state in which foreign matter is collected by an electric electrode plate.
10 is an explanatory view showing a state in which foreign matter is collected by an electric electrode plate.
11 is an explanatory view showing a state in which a foreign material is removed from an electric electrode plate.
12 is an explanatory view showing a state in which foreign matter is removed from an electric electrode plate.
13 is a plan view of a frame constituting the electrostatic precipitation module.
14 is a circuit diagram illustrating an electrically equivalent circuit of an electrostatic precipitation module having another configuration.
15 is a schematic exploded perspective view of an electrostatic precipitation module of another configuration.
16 is a plan view of a frame body and a conductive plate constituting an electrostatic precipitation module of another configuration.
17 is a cross-sectional plan view of an electrostatic precipitation module of another configuration.
18 is a schematic cross-sectional plan view showing an electrostatic precipitation module of another configuration.
19 is a schematic longitudinal side view showing an electrostatic precipitation module of another configuration.
20 is a plan view illustrating the arrangement of ports provided in the electrostatic precipitation module.
21 is a plan view illustrating a relationship between sizes of an electrode plate and a conductive plate provided in an electric dust collecting module.
It is explanatory drawing which shows the result of the evaluation test which concerns on this invention.
It is explanatory drawing which shows the result of the evaluation test which concerns on this invention.

본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 일실시 형태인 레지스트 도포 장치(1)에 대하여, 도 1의 종단 측면도를 참조하여 설명한다. 레지스트 도포 장치(1)는 피처리체인 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성한다. 또한 레지스트 도포 장치(1)는, 이 레지스트의 공급을 행하기 전의 웨이퍼(W)의 표면에, 레지스트의 습윤성을 높이기 위한 처리액으로서 유기용제인 시너를 공급하는 프리웨트 처리를 행한다. 레지스트 도포 장치(1)에는 이 시너 중의 이물을 전기적으로 집진하는 전기 집진 장치가 모듈로서 탑재되어 있다.A resist coating apparatus 1 as an embodiment of a processing liquid supply apparatus according to the present invention will be described with reference to a longitudinal side view of FIG. 1 . The resist coating apparatus 1 supplies a resist to the surface of a wafer W as a target object to form a resist film. In addition, the resist coating apparatus 1 performs a pre-wetting process in which a thinner, which is an organic solvent, as a treatment liquid for enhancing the wettability of the resist is applied to the surface of the wafer W before the resist is supplied. In the resist coating device 1, an electrostatic precipitator for electrically collecting foreign substances in the thinner is mounted as a module.

도면 중 11은 처리부를 이루는 스핀 척이며, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여 당해 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 12는 회전 기구이며, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이 스핀 척(11)과 도시하지 않은 반송 기구와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위하여 승강하는 3 개의 승강 핀(13)(도면에서는 2 개만 표시하고 있음)이 마련되어 있다.In the figure, reference numeral 11 denotes a spin chuck constituting a processing unit, and holds the wafer W horizontally by sucking the central portion of the back surface thereof. Reference numeral 12 denotes a rotation mechanism, which rotates the wafer W held by the spin chuck 11 around a vertical axis. Three lifting pins 13 (only two are shown in the figure) are provided for lifting and lowering the wafer W between the spin chuck 11 and a transfer mechanism (not shown).

도면 중 14는 컵이며, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 마련되어 있다. 컵(14)의 저면에는 배액구(15)가 개구되어 있고, 웨이퍼(W)로부터 컵(14) 내로 흘러 넘친 레지스트 및 시너는 당해 배액구(15)로부터 제거된다. 또한, 배기관(16)이 컵의 저면으로부터 상방으로 돌출되도록 마련되어 있고, 컵(14) 내를 배기한다.In the drawing, reference numeral 14 denotes a cup, and is provided so as to surround the wafer W held by the spin chuck 11 . A drain port 15 is opened at the bottom of the cup 14 , and the resist and thinner overflowed from the wafer W into the cup 14 are removed from the drain port 15 . Moreover, the exhaust pipe 16 is provided so that it may protrude upward from the bottom surface of the cup, and the inside of the cup 14 is exhausted.

도면 중 17은 레지스트 토출 노즐이며, 연직 하방으로 레지스트를 토출한다. 도면 중 18은 시너 토출 노즐이며, 연직 하방으로 시너를 토출한다. 레지스트 토출 노즐(17), 시너 토출 노즐(18)은 도시하지 않은 구동 기구에 의해 컵(14) 내에 배치된 웨이퍼(W)의 중심부 상과 컵(14)의 평면에서 봤을 때 외측에 마련되는 대기 영역과의 사이를 이동 가능하게 구성되어 있다. 레지스트 토출 노즐(17)은 당해 노즐(17)에 레지스트를 공급하기 위한 레지스트 공급 기구(19)에 접속되어 있다. 또한, 시너 토출 노즐(18)은 당해 노즐(18)로 시너를 공급하기 위한 시너 공급 기구(2)에 접속되어 있다.Reference numeral 17 in the figure denotes a resist discharge nozzle, which discharges the resist vertically downward. Reference numeral 18 in the drawing denotes a thinner discharge nozzle, which discharges the thinner vertically downward. The resist discharge nozzle 17 and the thinner discharge nozzle 18 are air provided on the center of the wafer W disposed in the cup 14 by a driving mechanism not shown and outside the cup 14 in plan view. It is configured to be movable between regions. The resist discharge nozzle 17 is connected to a resist supply mechanism 19 for supplying resist to the nozzle 17 . Further, the thinner discharge nozzle 18 is connected to a thinner supply mechanism 2 for supplying the thinner to the nozzle 18 .

이하, 도 2를 참조하여 시너 공급 기구(2)에 대하여 설명한다. 시너 공급 기구(2)는 시너가 저류되는 처리액의 공급원인 시너 저류조(21)를 구비하고 있다. 저류조(21)에는 시너의 공급로를 이루는 시너 공급관(22)의 상류단이 접속되고, 시너 공급관(22)의 하류단은 상기의 시너 토출 노즐(18)에 접속되어 있다. 시너 저류조(21)로부터 하류측을 향해 시너 공급관(22)에는 중간 탱크(23), 펌프(24), 필터(25), 밸브(V1), 전기 집진 모듈(3), 밸브(V2)가 이 순으로 개재 마련되어 있다. 또한, 시너 공급관(22)에 대하여 더 설명하면, 밸브(V1)의 하류측에서 2 개로 분기하여, 전기 집진 모듈(3)에 접속되어 있고, 전기 집진 모듈(3)의 하류측에서는 분기한 2 개의 관이 합류하여 밸브(V2)에 접속되어 있다.Hereinafter, the thinner supply mechanism 2 is demonstrated with reference to FIG. The thinner supply mechanism 2 is provided with a thinner storage tank 21 that is a supply source of the processing liquid in which the thinner is stored. An upstream end of a thinner supply pipe 22 constituting a thinner supply path is connected to the storage tank 21 , and a downstream end of the thinner supply pipe 22 is connected to the above-described thinner discharge nozzle 18 . An intermediate tank 23, a pump 24, a filter 25, a valve V1, an electrostatic precipitation module 3, and a valve V2 are provided in the thinner supply pipe 22 toward the downstream side from the thinner storage tank 21. They are listed in order. In addition, when the thinner supply pipe 22 is further described, it branches into two on the downstream side of the valve V1, is connected to the electrostatic precipitation module 3, and on the downstream side of the electrostatic precipitation module 3, two branches branched. The pipes join and are connected to the valve V2.

중간 탱크(23)는 시너 저류조(21)로부터 하류측으로 공급된 시너를 일단 저류하는 버퍼 탱크로서의 역할을 가지고 있어, 시너 저류조(21)로부터 공급되는 시너가 없어진 경우라도 중간 탱크(23) 내에 저류되어 있는 시너를 시너 토출 노즐(18)에 공급할 수 있다. 도면 중 26은, 중간 탱크(23) 내의 분위기를 배기하기 위하여 당해 중간 탱크(23)의 상부에 마련되는 벤트용의 배기관이다.The intermediate tank 23 has a role as a buffer tank for temporarily storing the thinner supplied from the thinner storage tank 21 to the downstream side. The present thinner may be supplied to the thinner discharge nozzle 18 . In the figure, reference numeral 26 denotes an exhaust pipe for a vent provided above the intermediate tank 23 in order to exhaust the atmosphere in the intermediate tank 23 .

펌프(24)는 시너 저류조(21)로부터 시너 토출 노즐(18) 또는 후술하는 폐액관(27)으로 시너를 압송한다. 필터(25)는 당해 필터(25)의 상류측으로부터 하류측으로 흐르는 시너를 여과함으로써, 당해 시너로부터 이물을 제거한다. 전기 집진 모듈(3)은 하류측을 향하는 시너에 포함되는 이물을 전기적으로 제거한다. 즉, 필터(25)에 의해 완전히 제거할 수 없었던 이물이 이 전기 집진 모듈(3)에 의해 집진되고, 공급관(22)을 유통하는 시너로부터 제거된다.The pump 24 pumps the thinner from the thinner storage tank 21 to the thinner discharge nozzle 18 or a waste liquid pipe 27 to be described later. The filter 25 filters the thinner flowing from the upstream side to the downstream side of the filter 25 to remove foreign matter from the thinner. The electrostatic precipitation module 3 electrically removes foreign substances included in the thinner facing downstream. That is, foreign matter that could not be completely removed by the filter 25 is collected by the electric dust collecting module 3 and removed from the thinner flowing through the supply pipe 22 .

밸브(V2)의 전단(前段)에 있어서 상기와 같이 1 개로 합류한 시너 공급관(22)에 폐액관(27)의 상류단이 접속되어 있다. 폐액관(27)의 하류단은 폐액부(28)에 개구되고, 폐액관(27)에는 밸브(V3)가 개재 마련되어 있다. 웨이퍼(W)의 처리 중에 전기 집진 모듈(3)로 집진된 이물은 이 폐액관(27)으로부터 폐액부(28)로 흘러 제거된다. 또한, 상기의 레지스트 공급 기구(19)에 대해서도 보충하여 설명해 두면, 상기의 전기 집진 모듈(3) 및 폐액관(27)이 마련되어 있지 않은 것, 및 저류조(21)에는 시너 대신 레지스트가 저류되는 것을 제외하고, 이 시너 공급 기구(2)와 마찬가지로 구성되어 있다.At the front end of the valve V2, the upstream end of the waste liquid pipe 27 is connected to the thinner supply pipe 22 joined as one as described above. The downstream end of the waste liquid pipe 27 is opened to the waste liquid part 28 , and a valve V3 is interposed in the waste liquid pipe 27 . Foreign matter collected by the electrostatic precipitation module 3 during processing of the wafer W flows from the waste liquid pipe 27 to the waste liquid unit 28 and is removed. In addition, if the above-mentioned resist supply mechanism 19 is also supplementedly explained, the above-mentioned electrostatic precipitation module 3 and waste liquid pipe 27 are not provided, and resist is stored in the storage tank 21 instead of thinner. Except for this, it is configured similarly to the thinner supply mechanism 2 .

이어서, 전기 집진 모듈(3)의 구성에 대하여, 도 3의 사시도, 도 4의 분해 사시도, 도 5의 종단 측면도 및 도 6의 개략 종단 측면도를 참조하여 설명한다. 도 3, 도 5 및 도 6에서는 시너의 흐름 방향을 화살표로 나타내고 있다. 전기 집진 모듈(3)은, 기립한 사각형으로 횡방향으로 길이가 긴 프레임체(31)를 구비하고 있고, 이 프레임체(31)는 절연체에 의해 구성되고, 구체적으로 예를 들면 PTFE(폴리 테트라 플루오르 에틸렌) 등의 수지에 의해 구성되어 있다. 또한, 이 프레임체(31)는 길이 방향을 좌우 방향으로 했을 때, 상하 대칭 또한 좌우 대칭으로 구성되어 있다.Next, the structure of the electrostatic precipitation module 3 is demonstrated with reference to the perspective view of FIG. 3, the exploded perspective view of FIG. 4, the longitudinal side view of FIG. 5, and the schematic longitudinal side view of FIG. 3, 5, and 6, the flow direction of the thinner is indicated by an arrow. The electrostatic precipitation module 3 is provided with a frame 31 elongated in the transverse direction in an upright quadrangle, and this frame body 31 is made of an insulator, specifically, for example, PTFE (polytetrafluoroethylene). fluoroethylene) and the like. Moreover, when this frame body 31 makes a longitudinal direction a left-right direction, it is comprised by up-down symmetry and left-right symmetry.

프레임체(31)로 둘러싸인 개구부의 주연은, 프레임체(31)의 외연을 대략 따르도록 형성되어 있다. 따라서, 이 개구부는 횡으로 길고 또한 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다. 이 개구부는, 후술하는 1 쌍의 전극판(52)에 의해 프레임체(31)의 외측으로부터 구획되고, 시너가 유통하는 유로이며, 또한 전계가 형성됨으로써 이물의 집진이 행해지는 편평한 집진 영역(30)으로서 구성된다.The periphery of the opening surrounded by the frame body 31 is formed so as to substantially follow the outer edge of the frame body 31 . Therefore, this opening part is formed in a horizontally long and substantially rectangular shape. This opening is partitioned from the outside of the frame body 31 by a pair of electrode plates 52, which will be described later, and serves as a flow path for the thinner to flow, and a flat dust collecting area 30 in which foreign matter is collected by forming an electric field. ) is composed of

상기의 프레임체(31)의 두께 방향(개구부의 개구 방향)에 있어서의 일면측 및 타면측은 서로 동일하게 구성되어 있고, 개구부를 둘러싸는 개구 가장자리부에 부호(32)를 부여하고 있다. 이 개구 가장자리부(32)의 외측은, 당해 개구 가장자리부(32)를 둘러싸고 또한 후술하는 보강판(56)을 장착하기 위한 접속 영역(33)으로서 구성된다. 개구 가장자리부(32)와 접속 영역(33)과는 단차에 의해 구획되고, 개구 가장자리부(32)는 접속 영역(33)보다 낮게 형성되어 있다. 접속 영역(33)에는, 프레임체(31)의 두께 방향으로 형성된 관통홀(34)이 마련되어 있다. 관통홀(34)은 집진 영역(30)을 따라 다수 배치되어 있다.The one surface side and the other surface side in the thickness direction (opening direction of an opening part) of the said frame body 31 are mutually comprised similarly, and the code|symbol 32 is attached|subjected to the opening edge part surrounding an opening part. The outer side of this opening edge part 32 is comprised as the connection area|region 33 for surrounding the said opening edge part 32, and for attaching the reinforcement plate 56 mentioned later. The opening edge part 32 and the connection area|region 33 are partitioned by the level|step difference, and the opening edge part 32 is formed lower than the connection area|region 33. As shown in FIG. The connection region 33 is provided with a through hole 34 formed in the thickness direction of the frame body 31 . A plurality of through holes 34 are disposed along the dust collecting area 30 .

프레임체(31)의 길이 방향에 있어서의 일방측의 측단면에는, 2 개의 개구부가 상하 방향으로 서로 떨어져 형성되어 있다. 각 개구부는 프레임체(31)의 길이 방향을 따라 형성되고, 집진 영역(30)을 향하고 있다. 이들 개구부는 시너의 유입 포트(35)로서 구성되고, 프레임체(31)의 외측에 마련된 이음새(36)를 개재하여 도 2에서 설명한 시너 공급관(22)에 접속되어 있다.In the side end face of one side in the longitudinal direction of the frame body 31, two openings are formed apart from each other in an up-down direction. Each opening is formed along the longitudinal direction of the frame body 31 and faces the dust collecting area 30 . These openings are configured as thinner inflow ports 35 and are connected to the thinner supply pipe 22 described in FIG. 2 through a joint 36 provided on the outside of the frame body 31 .

프레임체(31)의 길이 방향에 있어서의 타방측의 측단면에는, 상기의 유입 포트(35)에 대응하는 2 개의 개구부가 상하 방향으로 서로 떨어져 마련되고, 시너의 유출 포트(37)로서 구성되어 있다. 프레임체(31)는 기술한 바와 같은 대칭성을 가지므로, 유출 포트(37)는 유입 포트(35)와 마찬가지로 프레임체(31)의 길이 방향을 따라 형성되어 집진 영역(30)을 향하고, 유입 포트(35)와 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 이와 같이 프레임체(31)의 길이 방향의 일단부, 타단부에 유입 포트(35), 유출 포트(37)가 각각 마련되기 때문에, 프레임체(31)의 길이 방향, 즉 집진 영역(30)의 길이 방향이 시너의 흐름 방향이 된다. 유출 포트(37)는 유입 포트(35)와 마찬가지로 이음새(38)를 개재하여 시너 공급관(22)에 접속되어 있다.On the side end face of the other side in the longitudinal direction of the frame body 31, two openings corresponding to the inlet port 35 are provided vertically apart from each other, and are configured as a thinner outlet port 37, have. Since the frame body 31 has the symmetry as described above, the outlet port 37 is formed along the longitudinal direction of the frame body 31 like the inlet port 35 and faces the dust collecting area 30, and the inlet port 37 It is arranged to face (35). In addition, since the inflow port 35 and the outflow port 37 are respectively provided at one end and the other end in the longitudinal direction of the frame body 31 in this way, in the longitudinal direction of the frame body 31 , that is, the dust collection area 30 . ) is the flow direction of the thinner. The outflow port 37 is connected to the thinner supply pipe 22 via a joint 38 like the inflow port 35 .

상기의 유입 포트(35)를 유로의 길이 방향 및 상기의 전극판(52)의 배열 방향(프레임체(31)의 개구 방향)에 각각 직교하는 상하 방향으로 2 개 마련하고 있는 이유를 설명한다. 유입 포트(35)에서 봤을 때 집진 영역(30)은 비교적 상하로 크므로, 시너의 흐름 방향으로 봤을 때 유로가 확대되어 있게 된다. 따라서, 유입 포트(35)와 집진 영역(30)과의 사이에는 압력 손실이 발생하게 된다. 이 유입 포트(35)에서 본 유로의 확대가 너무 크면 상기의 압력 손실이 커져, 집진 영역(30)에 있어서 유입 포트(35) 부근에서 시너의 와류가 형성되어 버린다. 와류가 형성되면 시너가 흐르기 어려운 영역이 발생하게 되어, 이 집진 영역(30)에 있어서의 이물의 집진 효과가 저하될 우려가 있다. 따라서, 상하 방향으로 유입 포트(35)를 2 개 마련하고, 1 개의 유입 포트(35)로부터 상하 방향으로 확산되는 시너의 영역을 억제하도록 하고 있다. 즉 유입 포트(35)에서 본 유로의 확대를 억제함으로써, 와류의 형성을 억제하고 있다. 또한, 유입 포트(35)는 3 개 이상 마련해도 된다.The reason why the two inflow ports 35 are provided in the vertical direction orthogonal to the longitudinal direction of the flow path and the arrangement direction of the electrode plates 52 (opening direction of the frame body 31 ), respectively, will be explained. When viewed from the inlet port 35, the dust collecting area 30 is relatively large up and down, so that the flow path is enlarged when viewed in the flow direction of the thinner. Accordingly, a pressure loss occurs between the inlet port 35 and the dust collecting area 30 . When the expansion of the flow path viewed from the inflow port 35 is too large, the above-mentioned pressure loss becomes large, and a vortex of the thinner is formed in the vicinity of the inflow port 35 in the dust collecting area 30 . When a vortex is formed, a region in which the thinner hardly flows is generated, and there is a fear that the dust collecting effect of the foreign matter in the dust collecting region 30 may be lowered. Accordingly, two inflow ports 35 are provided in the vertical direction to suppress the area of thinner diffused in the vertical direction from one inflow port 35 . That is, by suppressing the expansion of the flow path seen from the inflow port 35, the formation of a vortex is suppressed. In addition, you may provide three or more inflow ports 35.

또한, 집진 영역(30)으로부터 유출 포트(37)를 봤을 때, 상하 방향의 유로의 축소 정도가 비교적 크다. 그처럼 유로가 축소되어 있기 때문에, 이 유출 포트(37)와 집진 영역(30)과의 사이에도 압력 손실이 발생하게 되어, 상기의 축소 정도가 너무 크면, 집진 영역(30)에 있어서 유출 포트(37) 부근에서 시너의 와류가 형성되어 버린다. 따라서, 유출 포트(37)를 상하 방향으로 복수 마련하고, 1 개의 유출 포트(37)로 흘러드는 시너가 유통하는 집진 영역(30)의 상하의 범위를 작게 억제, 즉 집진 영역(30)에서 본 유로의 축소를 억제함으로써, 와류의 형성을 억제하고 있다. 또한, 유출 포트(37)에 대해서도 3 개 이상 마련할 수 있다.Moreover, when the outflow port 37 is seen from the dust collecting area 30, the degree of contraction of the flow path in an up-down direction is comparatively large. Since the flow path is reduced in this way, a pressure loss also occurs between the outlet port 37 and the dust collecting area 30 , and if the degree of reduction is too large, the outlet port 37 in the dust collecting area 30 is ) in the vicinity of the thinner vortex. Accordingly, a plurality of outflow ports 37 are provided in the vertical direction, and the upper and lower ranges of the dust collection area 30 in which the thinner flows into one outflow port 37 are kept small, that is, the flow path viewed from the dust collection area 30 . By suppressing the shrinkage of the vortex, the formation of a vortex is suppressed. Moreover, three or more can be provided also about the outflow port 37. As shown in FIG.

프레임체(31)의 상부에는, 집진 영역(30)의 길이 방향의 일단측(유입 포트(35)가 마련되는 측) 부근에 개구되도록 가스 배기용의 홀(41)이 상하 방향으로 형성되어 있고, 홀(41)에는 프레임체(31)의 상방에 마련된 이음새(42)를 개재하여 벤트용의 배관(43)이 접속되어 있다. 배관(43)에는 밸브(V4)가 마련되어 있다. 밸브(V4)는 웨이퍼(W)에 처리를 행할 때는 폐쇄되어 있지만, 웨이퍼(W)에 처리를 행하고 있지 않은 적절한 타이밍에 개방되고, 도 2에서 나타내는 밸브(V1, V1)가 닫힌 상태로 집진 영역(30)에 시너가 공급되어, 벤트가 행해진다. 또한, 이 벤트를 효율적으로 행하기 위하여, 프레임체(31)는 도 6에 나타내는 수평인 바닥면(44) 상에, 집진 영역(30)의 길이 방향의 일단측이, 집진 영역(30)의 길이 방향의 타단측보다 높게 되도록 경사져 설치된다.In the upper part of the frame body 31, a hole 41 for gas exhaust is formed in the vertical direction so as to be opened near one end side (the side where the inlet port 35 is provided) in the longitudinal direction of the dust collecting area 30, , a vent pipe 43 is connected to the hole 41 via a joint 42 provided above the frame body 31 . The pipe 43 is provided with a valve V4. The valve V4 is closed when the processing is performed on the wafer W, but is opened at an appropriate timing when the processing is not performed on the wafer W, and the valves V1 and V1 shown in FIG. 2 are closed in the dust collection area. Thinner is supplied to 30, and venting is performed. In addition, in order to perform the event efficiently, the frame 31 has one end in the longitudinal direction of the dust collecting area 30 on the horizontal bottom surface 44 shown in FIG. 6 , of the dust collecting area 30 . It is installed inclined so that it may become higher than the other end side in the longitudinal direction.

프레임체(31)의 일면측 및 타면측에는 각각, 씰 부재(51), 전극판(52), 도전판(53), 도전판(54), 절연 시트(55), 보강판(56)이 하측(프레임체(31)에 가까운 측)으로부터 상측을 향해, 이 순으로 적층되도록 당해 프레임체(31)에 마련되어 있다. 즉, 씰 부재(51), 전극판(52), 도전판(53), 도전판(54), 절연 시트(55) 및 보강판(56)을 1 개의 부재의 조로 하면, 프레임체(31)는 2 개의 조에 개재되어 있다. 또한, 프레임체(31)의 일면측의 각 판(52, 53, 54, 56)과 타면측의 각 판(52, 53, 54, 56)은 서로 대향하고 또한 평행이 되도록 프레임체(31)에 마련되어 있다.A sealing member 51 , an electrode plate 52 , a conductive plate 53 , a conductive plate 54 , an insulating sheet 55 , and a reinforcing plate 56 are respectively provided on one side and the other side of the frame body 31 on the lower side. It is provided in the said frame body 31 so that it may be laminated|stacked in this order from (the side close to the frame body 31) toward upper side. That is, when the seal member 51 , the electrode plate 52 , the conductive plate 53 , the conductive plate 54 , the insulating sheet 55 , and the reinforcing plate 56 are a set of one member, the frame body 31 . is included in two articles. Further, each of the plates 52, 53, 54, 56 on the one side of the frame 31 and the respective plates 52, 53, 54, and 56 on the other side of the frame 31 face each other and are parallel to each other. is provided in

프레임체(31)에 마련되는 상기의 각 부재에 대하여 설명하면, 씰 부재(51)는 사각형 링 형상의 탄성체이며, 상기의 개구 가장자리부(32)에 중첩되고 또한 집진 영역(30)을 둘러싸도록 마련된다. 이 씰 부재(51)는, 프레임체(31)와 전극판(52)에 밀착하여, 집진 영역(30)으로부터의 액 누출을 방지하는 역할을 가진다.When explaining each member provided in the frame body 31 , the seal member 51 is a rectangular ring-shaped elastic body, overlaps the opening edge 32 and surrounds the dust collection area 30 . will be prepared This seal member 51 closely adheres to the frame body 31 and the electrode plate 52 , and has a role of preventing liquid leakage from the dust collecting region 30 .

면상체인 전극판(52)에 대해서는, 그 주연부가 프레임체(31)의 개구 가장자리부(32)를 따르도록 직사각형 형상으로 구성되고, 당해 개구 가장자리부(32) 상에 마련된다. 즉, 프레임체(31)는, 일방의 전극판(52)(제 1 전극)의 주연부와 타방의 전극판(52)(제 2 전극)의 주연부와의 사이에 개재되고, 이들 2 매의 전극판(52)을 서로 이간한 상태로 지지하는 지지 부재로서 구성한다. 전극판(52)에는 후술하는 바와 같이 직류 전압이 인가되고, 일방의 전극판(52)이 양극, 타방의 전극판(52)이 음극이 되어, 이들 전극판(52)이 평행 평판 전극으로서 기능하고, 집진 영역(30)에 전계가 형성된다. 전극판(52)에 의해 프레임체(31)의 개구부가 폐색되어, 상기의 집진 영역(30)이 형성되므로, 전극판(52) 및 프레임체(31)는 시너의 유로를 형성하는 유로 형성 부재의 역할도 가진다. 전극판(52)은 시너에 대한 금속 오염의 우려가 없는 도전체, 예를 들면 실리콘에 의해 구성되어 있다.About the planar electrode plate 52, it is comprised in the rectangular shape so that the peripheral part may follow the opening edge part 32 of the frame body 31, and it is provided on the said opening edge part 32. As shown in FIG. That is, the frame body 31 is interposed between the periphery of one electrode plate 52 (first electrode) and the periphery of the other electrode plate 52 (second electrode), and the two electrodes The plate 52 is constituted as a support member that supports the plate 52 in a state spaced apart from each other. A DC voltage is applied to the electrode plate 52 as described later, one electrode plate 52 serves as an anode and the other electrode plate 52 serves as a cathode, and these electrode plates 52 function as parallel plate electrodes. and an electric field is formed in the dust collecting area 30 . Since the opening of the frame body 31 is blocked by the electrode plate 52 to form the dust collecting region 30 , the electrode plate 52 and the frame body 31 are flow path forming members forming a thinner flow path. also has a role of The electrode plate 52 is made of a conductor that does not cause metal contamination with thinner, for example, silicon.

예를 들면 전극판(52)은 프레임체(31)에 장착되기 전에, 암모니아수 등을 포함하는 알칼리성의 세정액에 의해 세정됨으로써, 도 7의 개략 측면도에 나타내는 바와 같이, 집진 영역(30)을 향하는 표면에 요철이 형성되어 있다. 이러한 요철의 형성 처리가 행해지는 이유를 설명하면, 전극판(52)은 콘덴서를 구성하고, 이 콘덴서의 정전 용량, 즉 2 개의 전극판(52) 간의 전계의 크기는 전극판(52)의 표면적이 클수록 커진다. 즉, 상기와 같이 요철을 형성하여 전극의 표면적을 크게 함으로써, 흡착 가능한 이물의 양을 많게 하여 후술하는 전극판(52)으로부터의 이물의 제거 처리를 행하는 빈도를 적게 할 수 있다. 또한, 전극판(52)의 표면을 거칠게 하여 요철을 형성할 수 있으면 표면적을 크게 할 수 있기 때문에, 상기의 세정 처리 대신에 샌드블래스트 등의 처리를 행하도록 해도 된다.For example, the electrode plate 52 is cleaned with an alkaline cleaning solution containing ammonia water or the like before being mounted on the frame body 31, so that, as shown in the schematic side view of FIG. 7 , the surface facing the dust collecting area 30 . An unevenness is formed in the When explaining the reason why the process for forming the irregularities is performed, the electrode plate 52 constitutes a capacitor, and the capacitance of the capacitor, that is, the magnitude of the electric field between the two electrode plates 52 is determined by the surface area of the electrode plate 52 . The bigger it is, the bigger it gets. That is, by increasing the surface area of the electrode by forming the unevenness as described above, it is possible to increase the amount of the adsorbable foreign material and to reduce the frequency of performing the foreign material removal process from the electrode plate 52, which will be described later. In addition, since the surface area can be increased if the surface of the electrode plate 52 can be roughened to form irregularities, a process such as sand blasting may be performed instead of the cleaning process described above.

이어서 도전판(53)에 대하여 설명한다. 도전판(53)은 예를 들면 평면에서 봤을 때, 전극판(52)과 동일한 형상으로 구성되어 있다. 그리고, 도전판(53)은 그 주연부가 전극판(52)의 주연부에 중첩되도록, 프레임체(31)의 개구 가장자리부(32) 상에 마련된다. 도전판(54)도 예를 들면 전극판(52)과 대략 동일한 형상으로 구성되고, 그 주연부가 도전판(53)의 주연부에 중첩되도록 마련되어 있다. 도전판(54)에 있어서의 도전판(53)과의 차이점으로서는, 도전판(54)의 상측의 측면의 일부가, 상방을 향하도록 연장되고, 후술하는 직류 전원(64)에 접속되는 접속부(57)를 구성하고 있는 것을 들 수 있다. 이 접속부(57)에 대하여 더 설명하면, 상기와 같이 도전판(53)에 적층된 도전판(54)은 개구 가장자리부(32)와 접속 영역(33) 간의 단차보다 높은 위치에 위치하고, 당해 접속부(57)는 프레임체(31)의 외측으로 돌출되기 때문에, 이 접속부(57)를 개재하여 전극판(52)을 직류 전원(64)에 접속할 수 있다.Next, the conductive plate 53 will be described. The conductive plate 53 is configured in the same shape as the electrode plate 52 in plan view, for example. And the conductive plate 53 is provided on the opening edge part 32 of the frame body 31 so that the peripheral part may overlap with the peripheral part of the electrode plate 52. As shown in FIG. The conductive plate 54 is also configured, for example, in substantially the same shape as the electrode plate 52 , and its periphery is provided so as to overlap the periphery of the conductive plate 53 . The difference between the conductive plate 54 and the conductive plate 53 is that a part of the upper side of the conductive plate 54 extends upward, and a connection portion ( 57) can be mentioned. The connection part 57 is further described. As described above, the conductive plate 54 laminated on the conductive plate 53 is located at a position higher than the level difference between the opening edge part 32 and the connection area 33, and the connection part Since the reference numeral 57 protrudes to the outside of the frame body 31 , the electrode plate 52 can be connected to the DC power supply 64 via this connection portion 57 .

이와 같이 도전판(53, 54)은, 전극판(52)에 대하여, 집진 영역(30)의 외면측으로부터 적층되고, 또한 직류 전원(64)과 전극판(52)을 전기적으로 접속하는 도전로용의 면상체로서 구성되어 있으며, 프레임체(31)의 일면측의 도전판(53, 54)이 제 1 도전로를, 타면측의 도전판(53, 54)이 제 2 도전로를 각각 구성한다. 또한, 도전판(53, 54)은 전극판(52)을 구성하는 재질과는 상이한 재질, 예를 들면 구리에 의해 구성되어 있다. 또한, 구리 이외의 도전체, 예를 들면 알루미늄 등의 금속에 의해 도전판(53, 54)을 구성해도 된다. 또한, 도전판(53, 54)은 도전로로서의 역할 외에, 전극판(52)에 접함으로써 집진 영역(30)을 흐르는 시너의 응력에 의해 전극판(52)의 파손 또는 변형을 억제하는 역할을 가진다.In this way, the conductive plates 53 and 54 are laminated from the outer surface side of the dust collecting region 30 with respect to the electrode plate 52 , and a conductive path for electrically connecting the DC power supply 64 and the electrode plate 52 . It is configured as a dragon's planar body, and the conductive plates 53 and 54 on one side of the frame 31 constitute a first conductive path, and the conductive plates 53 and 54 on the other side of the frame 31 constitute a second conductive path, respectively. do. In addition, the conductive plates 53 and 54 are made of a material different from the material constituting the electrode plate 52 , for example, copper. Further, the conductive plates 53 and 54 may be formed of a conductor other than copper, for example, a metal such as aluminum. In addition, the conductive plates 53 and 54 play a role of suppressing damage or deformation of the electrode plate 52 due to the stress of the thinner flowing through the dust collecting region 30 by contacting the electrode plate 52 in addition to the role of the conductive path. have

절연 시트(55)는 도전판(54)과 보강판(56)을 절연하는 역할을 가지고, 예를 들면 PTFE(폴리테트라 플루오르 에틸렌)에 의해 구성되어 있다. 절연 시트(55)에 대해서는, 그 주연부가 프레임체(31)의 접속 영역(33)을 따르도록 직사각형으로 구성되어 있고, 당해 접속 영역(33) 상에 마련되어 있다. 보강판(56)은, 평면에서 봤을 때 절연 시트(55)와 동일한 형상으로 구성되어 있고, 그 주연부가 접속 영역(33) 상에 마련되어 있다. 이 보강판(56)은, 예를 들면 SUS(스테인리스 스틸)에 의해 구성되어 있고, 집진 영역(30)을 유통하는 시너에 의해 전극판(52) 및 도전판(53, 54)이 눌려 변형됨으로써, 시너가 집진 영역(30)으로부터 누출되는 것을 방지하는 역할을 가진다.The insulating sheet 55 serves to insulate the conductive plate 54 and the reinforcing plate 56, and is made of, for example, PTFE (polytetrafluoroethylene). About the insulating sheet 55, the periphery is comprised in the rectangle so that the periphery may follow the connection area|region 33 of the frame body 31, and it is provided on the said connection area|region 33. The reinforcing plate 56 is comprised in the same shape as the insulating sheet 55 in planar view, and the peripheral part is provided on the connection area|region 33. As shown in FIG. The reinforcing plate 56 is made of, for example, SUS (stainless steel), and the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 are pressed and deformed by the thinner that flows through the dust collecting area 30 . , serves to prevent the thinner from leaking from the dust collecting area 30 .

그런데, 도 4에서는 표시를 생략하고 있지만, 절연 시트(55) 및 보강판(56)에는 프레임체(31)의 관통홀(34)에 대응하는 위치에 각각 관통홀이 형성되어 있고, 이들 관통홀에는 예를 들면 금속으로 이루어지는 수나사(61)가 삽입된다. 예를 들면 보강판(56)의 관통홀의 내주에는 수나사(61)에 대응하는 암나사가 형성되어 있고, 이들 나사가 나사 결합함으로써 2 개의 보강판(56)이 프레임체(31)에 고정된다. 또한, 그와 같이 보강판(56)이 고정되었을 때, 프레임체(31)의 일면측 및 타면측에 있어서, 씰 부재(51)는 눌린 상태가 되고 또한 복원력에 의해 전극판(52), 도전판(53, 54) 및 절연 시트(55)를 당해 씰 부재(51)를 누르고 있는 보강판(56)을 향해 누른다. 그에 따라, 씰 부재(51)가 전극판(52) 및 프레임체(31)에 밀착하고, 또한 전극판(52), 도전판(53, 54) 및 절연 시트(55)의 위치가 고정된다.By the way, although not indicated in FIG. 4 , through-holes are formed in the insulating sheet 55 and the reinforcing plate 56 at positions corresponding to the through-holes 34 of the frame body 31, respectively, and these through-holes A male screw 61 made of, for example, metal is inserted into the. For example, a female screw corresponding to the male screw 61 is formed on the inner periphery of the through hole of the reinforcing plate 56 , and the two reinforcing plates 56 are fixed to the frame body 31 by screwing these screws together. In addition, when the reinforcing plate 56 is fixed in this way, on one side and the other side of the frame body 31, the sealing member 51 is in a pressed state, and the electrode plate 52, conductive The plates 53 and 54 and the insulating sheet 55 are pressed toward the reinforcing plate 56 holding the sealing member 51 in question. As a result, the sealing member 51 is in close contact with the electrode plate 52 and the frame body 31 , and the positions of the electrode plate 52 , the conductive plates 53 , 54 , and the insulating sheet 55 are fixed.

또한, 그와 같이 고정이 행해졌을 때, 전극판(52) 및 도전판(53)에 대해서는, 프레임체(31)의 개구 가장자리부(32)와 접속 영역(33) 간의 단차로 둘러싸임으로써 위치가 규제되어 있으므로, 보강판(56)의 면내에 있어서의 위치 어긋남은 일어나지 않는다. 또한, 도전판(53, 54), 절연 시트(55), 보강판(56)에는 서로 대응하는 위치에 관통홀이 마련되어 있고, 보강판(56)의 외측(집진 영역(30)을 향하는 측과 반대측)으로부터 이들 관통홀에 PEEK(폴리에테르 에테르 케톤) 등의 수지에 의해 구성된 나사(62)가 삽입됨으로써, 보강판(56)의 면내에 있어서의 도전판(53, 54) 및 절연 시트(55)의 위치 어긋남이 일어나지 않도록 되어 있다. 즉, 전극판(52) 및 도전판(53, 54)의 위치 어긋남에 의한 수나사(61)에 대한 접촉 및 그에 따른 수나사(61)에 대한 통전이 일어나지 않는 구성으로 되어 있다.Further, when the fixing is performed in this way, the electrode plate 52 and the conductive plate 53 are positioned by being surrounded by the step difference between the opening edge portion 32 of the frame body 31 and the connection region 33 . is regulated, so positional shift in the surface of the reinforcing plate 56 does not occur. In addition, the conductive plates 53 and 54, the insulating sheet 55, and the reinforcing plate 56 are provided with through holes at positions corresponding to each other, and the outer side of the reinforcing plate 56 (the side facing the dust collecting area 30) The conductive plates 53 and 54 and the insulating sheet 55 in the surface of the reinforcing plate 56 by inserting a screw 62 made of a resin such as PEEK (polyether ether ketone) into these through holes from the opposite side). ) so that there is no position shift. That is, the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 have a configuration in which contact with the male screw 61 due to the displacement of the electrode plate 52 and the conductive plates 53 , 54 and energization of the male screw 61 do not occur.

이어서, 집진 영역(30)의 각 부의 치수에 대하여 설명한다. 도 6에서 집진 영역(30)에 있어서의 시너의 유통 방향을 따른 길이를 L1으로 하고, 도 5에서 2 개의 전극판(52)의 이간 거리(집진 영역(30)의 폭)를 L2로서 나타내고 있다. 유통 방향을 따른 길이(L1)에 대해서는, 시너의 유통 방향을 따라 전계가 형성되는 영역을 크게 하고 시너가 집진 영역(30)을 유통 중에 확실하게 이물이 포집되도록 하기 위하여, 클수록 바람직하다.Next, the dimension of each part of the dust collection area|region 30 is demonstrated. In Fig. 6, the length along the flow direction of the thinner in the dust collecting region 30 is L1, and in Fig. 5, the distance between the two electrode plates 52 (the width of the dust collecting region 30) is denoted by L2. . As for the length L1 along the distribution direction, it is preferable to increase the area in which the electric field is formed along the distribution direction of the thinner and to ensure that foreign materials are collected during the distribution of the thinner dust collecting area 30 .

또한, 2 개의 전극판(52)의 이간 거리(L2)에 대해서는, 집진 영역(30)의 전계를 크게 하기 위하여, 시너의 유통을 방해하지 않는 범위에서 작게 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기와 같이 프레임체(31)는 수지이며 전극판(52)을 구성하는 실리콘에 비하면 열화되기 쉬운 점에서, 2 매의 전극판(52)이 집진 영역(30)에 접촉하는 면적에 비해 프레임체(31)가 집진 영역(30)에 접촉하는 면적을 작게 하는 것이 바람직하다. 이러한 관점으로부터, 시너의 유통 방향을 따른 길이(L1) > 2 개의 전극판(52)의 이간 거리(L2)가 되도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, the distance L2 between the two electrode plates 52 is preferably made small in a range that does not impede the flow of the thinner in order to increase the electric field in the dust collecting region 30 . In addition, as described above, since the frame 31 is made of resin and is easily deteriorated compared to the silicon constituting the electrode plate 52 , compared with the area in which the two electrode plates 52 are in contact with the dust collecting region 30 , It is preferable to make the area in which the frame body 31 contacts the dust collection area 30 small. From this point of view, it is preferable to configure so that the length L1 along the flow direction of the thinner > the distance L2 between the two electrode plates 52 .

또한, 집진 영역(30)에 있어서 시너의 유통 방향에 직교하는 방향을 따른, 집진 영역(30)의 높이를 도 6에서 L3로서 나타내고 있다. 높이(L3)가 클수록, 시너의 흐름 방향을 따라 배열된 각 수나사(61)의 위치, 즉 보강판(56)을 체결한 위치와 집진 영역(30)의 상하의 중심 위치와의 거리가 커지고, 보강판(56), 전극판(52), 도전판(53, 54) 등의 각 부가 시너로부터 받는 응력이 커져, 이들 각 부재가 휘기 쉬워져 버린다.In addition, in the dust collection area|region 30, the height of the dust collection area|region 30 along the direction orthogonal to the circulation direction of the thinner is shown as L3 in FIG. As the height L3 increases, the distance between the position of each male screw 61 arranged along the flow direction of the thinner, that is, the position where the reinforcing plate 56 is fastened, and the upper and lower center position of the dust collection area 30 increases, and reinforcement The stress received from the thinner by each part of the plate 56 , the electrode plate 52 , the conductive plates 53 , 54 and the like increases, so that each of these members is liable to bend.

이와 같이 각 부재의 강도를 확보하는 관점에서는, 높이(L3)는 작게 하는 것이 바람직하지만, 기술한 바와 같이 2 개의 전극판(52)의 이간 거리(L2)를 비교적 작게 할 필요가 있으므로, 집진 영역(30)을 유통하는 시너의 유량을 충분히 확보하는 관점에서는 높이(L3)는 크게 하는 것이 바람직하다. 이러한 이유로 치수에 대해서는, L1 > L3 > L2가 되도록 구성하는 것이 바람직하다. 구체적으로, L1은 예를 들면 260 mm, L2는 예를 들면 5 mm, L3는 예를 들면 80 mm이다.In this way, from the viewpoint of securing the strength of each member, it is preferable to make the height L3 small, but as described above, it is necessary to make the separation distance L2 between the two electrode plates 52 relatively small. From the viewpoint of sufficiently securing the flow rate of the thinner flowing through (30), it is preferable to increase the height (L3). For this reason, it is preferable to configure the dimensions so that L1 > L3 > L2. Specifically, L1 is, for example, 260 mm, L2 is, for example, 5 mm, and L3 is, for example, 80 mm.

도 3에 나타내는 바와 같이, 상기의 각 도전판(54)의 접속부(57)에는 도전판(54)과 마찬가지로 구리 등의 금속으로 이루어지는 전선(63)의 일단이 접속되고, 전선(63)의 타단은 직류 전원(64)에 접속되어 있다. 직류 전원(64)에 의해, 전선(63) 및 도전판(54, 53)을 개재하여 전극판(52)에 직류 전압이 인가된다. 또한, 직류 전원(64)으로부터 전극판(52)으로 공급하는 전류의 방향은 전환할 수 있다. 따라서, 각 전극판(52)의 극성을 반전시킬 수 있다.As shown in FIG. 3 , one end of an electric wire 63 made of a metal such as copper is connected to the connecting portion 57 of each conductive plate 54 , similarly to the conductive plate 54 , and the other end of the electric wire 63 . is connected to the DC power supply 64 . A DC voltage is applied to the electrode plate 52 via the electric wire 63 and the conductive plates 54 and 53 by the DC power supply 64 . In addition, the direction of the current supplied from the DC power source 64 to the electrode plate 52 can be switched. Accordingly, the polarity of each electrode plate 52 can be reversed.

여기서, 도전판(53, 54)을 개재하여 전극판(52)과 직류 전원(64)을 접속하고 있는 이유에 대하여, 전기 집진 모듈(3)의 전기적인 등가 회로를 나타낸 도 8을 이용하여 설명한다. Rsi가 전극판(52)에 의한 저항, Rc가 직류 전원(64)과 전극판(52)을 접속하는 도전로의 저항, Rlq는 시너에 의한 저항을 나타내고 있다. 이 Rsi는 하기 식 1로 나타낼 수 있다. 식 중의 A는 전극판(52)에 있어서 상기의 도전로와의 접속 개소로부터 포집 영역(30)에 있어서의 시너에 이르기까지의 거리(cm), 즉 전극판(52)에 있어서 전류가 흐르는 방향의 길이이다. B는 전극판(52)과 도전로와의 접촉 면적(cm2)이다.Here, the reason why the electrode plate 52 and the DC power supply 64 are connected via the conductive plates 53 and 54 will be explained using FIG. 8 showing an electrically equivalent circuit of the electrostatic precipitation module 3 . do. R si is the resistance of the electrode plate 52 , R c is the resistance of a conductive path connecting the DC power supply 64 and the electrode plate 52 , and R lq is the resistance of the thinner. This R si can be represented by the following formula (1). A in the formula is the distance (cm) from the connection point with the conductive path in the electrode plate 52 to the thinner in the collection region 30 , that is, the direction in which current flows in the electrode plate 52 . is the length of B is the contact area (cm 2 ) between the electrode plate 52 and the conductive path.

Rsi(Ω) = 전극판(52)을 구성하는 실리콘의 전기 저항률ρ(Ω·cm) × (A / B) ··· 식 1R si (Ω) = Electrical resistivity of silicon constituting the electrode plate 52 ρ (Ω cm) × (A / B) ... Equation 1

기술한 바와 같이 도전로인 도전판(53, 54)에 대하여 전극판(52)이 오버랩되어 적층되어 있기 때문에, 전류는 전극판(52)의 두께 방향으로 흐르므로, 식 1 중의 A는 전극판(52)의 두께에 상당한다. 가령, 전극판(52)의 두께가 0.1 cm이며 전극판(52)과 도전판(53)과의 접촉 면적이 100 cm2라고 하면, 상기의 식 1의 A / B는 (0.1 cm / 100 cm2)가 된다. 또한 비교를 위하여, 전기 집진 모듈(3)에 있어서 도전판(53, 54)을 마련하지 않는 대신에 전극판(52)을 프레임체(31)의 외방으로 인출하여 도전판(54)의 접속부(57)에 상당하는 접속부를 마련하고, 이 접속부와 전선(63)의 단부를 접속한 구성을 상정하는 것으로 한다. 그와 같이 구성된 경우, 상기의 A는 이 접속부로부터 집진 영역(30)까지의 길이가 되고, B는 전선(63)의 단부의 단면적이 된다. 상기의 접속부로부터 집진 영역(30)까지의 길이가 10 cm, 전선(63)의 단부의 단면적이 0.1 cm2라 하면, A / B는 (10 cm / 0.1 cm2)이 되므로, 도전판(53, 54)을 마련한 경우, 전극판(52)의 저항(Rsi(Ω))은, 도전판(53, 54)을 마련하지 않은 경우에 비해 이론상 {(0.1 cm / 100 cm2) / (10 cm / 0.1 cm2)} = 1 / 105가 된다.As described above, since the electrode plates 52 are overlapped and stacked with respect to the conductive plates 53 and 54, which are conductive paths, current flows in the thickness direction of the electrode plate 52, so A in Equation 1 is the electrode plate. It corresponds to the thickness of (52). For example, if the thickness of the electrode plate 52 is 0.1 cm and the contact area between the electrode plate 52 and the conductive plate 53 is 100 cm 2 , A / B of Equation 1 above is (0.1 cm / 100 cm) 2 ) becomes. For comparison, instead of providing the conductive plates 53 and 54 in the electrostatic precipitation module 3, the electrode plate 52 is drawn out of the frame 31 to connect the conductive plate 54 ( 57) is provided, and a configuration in which the connecting portion and the end of the electric wire 63 are connected is assumed. In the case of such a configuration, A is the length from this connection portion to the dust collecting area 30 , and B is the cross-sectional area of the end of the electric wire 63 . If the length from the connection part to the dust collecting area 30 is 10 cm and the cross-sectional area of the end of the electric wire 63 is 0.1 cm 2 , A / B is (10 cm / 0.1 cm 2 ), so that the conductive plate 53 , 54), the resistance (R si (Ω)) of the electrode plate 52 is theoretically {(0.1 cm / 100 cm 2 ) / (10) compared to the case where the conductive plates 53 and 54 are not provided. cm / 0.1 cm 2 )} = 1 / 10 5 .

즉, 기술한 바와 같이 도전판(53, 54)을 마련하여 직류 전원(64)과 전극판(52)의 접속을 행함으로써, Rsi가 매우 작아진다. 이와 같이 Rsi가 작아지는 것은 전극판(52)과 도전판(53, 54)과의 접촉 저항이 작아지고, 또한 전극판(52)과 도전판(53, 54) 간의 전압 손실이 작아지는 것이다. 또한, 전극판(52)의 두께인 0.1 cm, 전극판(52)과 도전판(53)과의 접촉 면적인 100 cm2라고 하는 수치는, 도전판(53, 54)의 효과를 설명하기 위하여 편의상 예시한 것이며, 당해 전극판(52)의 두께 및 당해 접촉 면적은 이러한 수치에 한정되지 않는다.That is, by providing the conductive plates 53 and 54 and connecting the DC power supply 64 and the electrode plate 52 as described above, R si becomes very small. The decrease in R si in this way means that the contact resistance between the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 is reduced, and the voltage loss between the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 is also reduced. . In addition, the numerical values of 0.1 cm, which is the thickness of the electrode plate 52 , and 100 cm 2 , which is the contact area between the electrode plate 52 and the conductive plate 53 , are in order to explain the effect of the conductive plates 53 and 54 . It is an illustration for convenience, and the thickness of the said electrode plate 52 and the said contact area are not limited to these numerical values.

상기와 같이 전극판(52)의 저항(Rsi)이 작아지게 됨으로써, 집진 영역(30)에 이물을 흡착할 수 있는 충분한 강도의 전계를 확보하면서, 전극판(52)으로서 선택 가능한 재질을 많게 할 수 있다. 이 전극판(52)은 도전성이며, 또한 집진 영역(30)을 유통하는 처리액이 금속 오염되지 않는 재질에 의해 구성할 수 있다. 구체적으로 당해 재질로서 Si(실리콘) 외에는, 예를 들면 표면이 금 도금 또는 플라티나 도금된 금속판, 유리상 탄소, 도전성 글라스, 도전성 수지 등을 이용할 수 있다. 또한 실리콘으로서는, 예를 들면 솔러 그레이드 실리콘(solar grade silicon)을 이용할 수 있다.As described above, the resistance (R si ) of the electrode plate 52 is reduced, thereby securing an electric field of sufficient strength to adsorb foreign substances to the dust collecting area 30 , while increasing the number of selectable materials for the electrode plate 52 . can do. The electrode plate 52 is conductive and can be made of a material that does not cause metal contamination of the processing liquid flowing through the dust collecting region 30 . Specifically, as the material, other than Si (silicon), for example, a metal plate having a surface plated with gold or platinum, glassy carbon, conductive glass, conductive resin, and the like can be used. In addition, as silicon, for example, solar grade silicon can be used.

도 2에 나타내는 바와 같이 레지스트 도포 장치(1)에는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(10)가 마련되어 있고, 제어부(10)에는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램에 대해서는, 레지스트 도포 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신하여 각 부의 동작을 제어하고, 프리웨트 처리, 레지스트막의 성막 처리, 시너 중의 이물의 제거 처리, 집진한 이물의 집진 영역(30)으로부터의 제거 처리가 실행되도록 단계군이 짜여 있다. 구체적으로, 각 밸브(V)의 개폐, 직류 전원(64)으로부터의 전극판(52)으로의 전압의 인가 및 전류의 방향의 반전, 각 노즐의 이동, 스핀 척(11)에 의한 웨이퍼(W)의 회전 등의 각 동작이 프로그램에 의해 제어된다. 이 프로그램은 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광학 자기 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체로부터 제어부(10)에 인스톨된다.As shown in FIG. 2, the resist coating apparatus 1 is provided with the control part 10 which consists of a computer, and the control part 10 stores a program. For this program, a control signal is transmitted to each unit of the resist coating device 1 to control the operation of each unit, and the pre-wet process, resist film formation process, foreign matter removal process in thinner, dust collection area ( 30), the step group is structured so that the removal process is carried out. Specifically, opening and closing of each valve V, application of a voltage from the DC power supply 64 to the electrode plate 52 and reversing the direction of the current, movement of each nozzle, and the wafer W by the spin chuck 11 ), each operation such as rotation is controlled by the program. This program is installed in the control unit 10 from a storage medium such as a hard disk, a compact disk, an optical magnetic disk, and a memory card.

이어서, 레지스트 도포 장치(1)의 동작에 대하여, 전극판(52)의 상태와 시너 중의 이물(P)의 상태를 모식적으로 나타내는 도 9 ~ 도 12를 참조하여 설명한다. 직류 전원(64)에 의해 도전판(53, 54)을 거쳐 전극판(52)에 직류 전류가 공급되고, 2 매의 전극판(52) 중 일방이 양극, 타방이 음극이 되고 또한 전기 집진 모듈(3)의 집진 영역(30)의 시너에 전압이 인가되어 전계가 형성된다. 도 2에서 설명한 시너 공급관(22)의 밸브(V1, V2) 및 폐액관(27)의 밸브(V3)는 닫혀 있다.Next, the operation of the resist coating device 1 will be described with reference to Figs. 9 to 12 schematically showing the state of the electrode plate 52 and the state of the foreign material P in the thinner. A DC current is supplied to the electrode plate 52 via the conductive plates 53 and 54 by the DC power supply 64, and one of the two electrode plates 52 becomes an anode and the other serves as a cathode, and the electrostatic precipitation module A voltage is applied to the thinner in the dust collecting area 30 of (3) to form an electric field. The valves V1 and V2 of the thinner supply pipe 22 and the valve V3 of the waste liquid pipe 27 described in FIG. 2 are closed.

그리고, 웨이퍼(W)가 스핀 척(11)에 배치되어 회전하고, 또한 시너 토출 노즐(18)이 컵(14)의 외측의 대기 영역으로부터 웨이퍼(W)의 중심부 상으로 이동한다. 한편, 펌프(24)에 의한 흡인이 행해지고, 시너 저류조(21)에 저류되는 시너가 중간 탱크(23)를 통과하여 당해 펌프(24)를 향한다. 이 후, 시너 공급관(22)의 밸브(V1, V2)가 개방되고, 펌프(24)에 의해 시너가 하류측으로 압송된다. 압송된 시너는 필터(25)를 거쳐 전기 집진 모듈(3)의 집진 영역(30)으로 유입되고(도 9), 시너 중에 포함되는 양의 전하를 가지는 이물(P)은 음극이 되어 있는 전극판(52)에, 음의 전하를 가지는 이물(P)은 양극이 되어 있는 전극판(52)에 정전력에 의해 흡인되어 집진된다(도 10).Then, the wafer W is placed on the spin chuck 11 and rotates, and the thinner discharge nozzle 18 moves from the standby area outside the cup 14 onto the center of the wafer W. On the other hand, suction by the pump 24 is performed, and the thinner stored in the thinner storage tank 21 passes through the intermediate tank 23 toward the pump 24 . Thereafter, the valves V1 and V2 of the thinner supply pipe 22 are opened, and the thinner is pumped downstream by the pump 24 . The pressure-feed thinner flows through the filter 25 into the dust collection region 30 of the electrostatic precipitation module 3 (FIG. 9), and the foreign material P having a positive charge contained in the thinner is an electrode plate serving as a cathode. At 52, the foreign material P having a negative charge is attracted by an electrostatic force to the electrode plate 52 serving as the anode and is collected (FIG. 10).

이와 같이 이물(P)이 집진되어 제거된 시너가 집진 영역(30)으로부터 토출 노즐(18)을 향하고, 토출 노즐(18)로부터 웨이퍼(W)의 중심부로 공급된다. 이 시너는 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부로 확산되고, 웨이퍼(W)의 표면 전체로 공급되어, 프리웨트가 행해진다. 이 후, 펌프(24)에 의한 시너의 압송이 정지되고 또한 밸브(V1, V2)가 닫히고, 웨이퍼(W)에 대한 시너의 공급이 정지된다. 이 후, 프리웨트가 행해진 웨이퍼(W)의 중심부에 레지스트 토출 노즐(17)로부터 레지스트가 공급되어, 당해 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 확산되고 웨이퍼(W)의 표면 전체로 공급되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 레지스트막이 형성된다.As described above, the thinner that the foreign matter P is collected and removed is directed from the dust collection area 30 toward the discharge nozzle 18 , and is supplied from the discharge nozzle 18 to the center of the wafer W . This thinner is diffused from the center to the periphery of the wafer W by the centrifugal force of rotation of the wafer W, and is supplied to the entire surface of the wafer W, and pre-wetting is performed. After this, the pressure feeding of the thinner by the pump 24 is stopped, and the valves V1 and V2 are closed, and the supply of the thinner to the wafer W is stopped. After that, the resist is supplied from the resist ejection nozzle 17 to the center of the pre-wetted wafer W, and is diffused to the periphery of the wafer W by the centrifugal force of the rotation of the wafer W and spreads to the wafer W. A resist film is formed over the entire surface of the wafer W.

예를 들면 정해진 매수의 웨이퍼(W)에 프리웨트와 레지스트막의 형성이 행해진 후, 밸브(V1 및 V2)가 닫힌 상태에서, 각 전극판(52)의 극성이 반전된다. 즉, 2 매의 전극판(52) 중 타방이 양극, 일방이 음극이 된다. 그에 따라 전극판(52)에 흡착되어 있던 이물(P)이 그때까지 흡착되어 있던 전극판(52)과 반발하여, 집진 영역(30)의 시너 중에 유리된다(도 11). 이어서, 노즐(18)로 시너를 공급하는 경우와 마찬가지로, 펌프(24)에 의해 시너가 집진 영역(30)으로 압송되고 또한 밸브(V3)가 개방된다. 그에 따라, 전극판(52)으로부터 유리된 이물(P)은 시너와 함께 집진 영역(30)으로부터 밀려(도 12), 폐액부(28)로 유입되어 제거된다.For example, after pre-wet and resist films are formed on a predetermined number of wafers W, the polarities of the respective electrode plates 52 are reversed with the valves V1 and V2 closed. That is, one of the two electrode plates 52 serves as an anode and one as a cathode. As a result, the foreign material P adsorbed to the electrode plate 52 repels the electrode plate 52 adsorbed until then, and is released in the thinner in the dust collecting area 30 ( FIG. 11 ). Next, as in the case of supplying the thinner to the nozzle 18 , the thinner is pumped to the dust collecting area 30 by the pump 24 , and the valve V3 is opened. Accordingly, the foreign material P released from the electrode plate 52 is pushed from the dust collecting area 30 together with the thinner ( FIG. 12 ), and is introduced into the waste liquid unit 28 and removed.

이 레지스트 도포 장치(1)를 구성하는 전기 집진 모듈(3)에 의하면, 직류 전원(64)과 전극판(52)과의 사이에 있어서 전극판(52)에 적층되도록 마련된 도전로를 이루는 도전판(53, 54)에 의해, 전극판(52)과 도전판(53, 54)의 접촉 저항을 비교적 작게 할 수 있다. 그에 따라, 전극판(52)의 사이의 집진 영역(30)의 전계를 이물(P)의 집진을 행할 수 있는 강도로 하면서, 전극판(52)의 재질에 대한 선택의 자유도를 높게 할 수 있다.According to the electrostatic precipitation module 3 constituting the resist coating device 1 , a conductive plate forming a conductive path provided to be laminated on the electrode plate 52 between the DC power supply 64 and the electrode plate 52 . By (53, 54), the contact resistance between the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 can be made relatively small. Accordingly, the degree of freedom in selecting the material of the electrode plate 52 can be increased while the electric field in the dust collecting region 30 between the electrode plates 52 has a strength capable of collecting the foreign matter P. .

또한, 이 전기 집진 모듈(3)은 토출 노즐(18)에 시너가 유통할 때마다, 당해 시너 중의 이물을 제거하도록 공급관(22)에 마련된다. 따라서, 비교적 적은 용적의 시너로부터 이물을 제거하기 때문에, 저류조(21)에서 집진을 행할 경우에 비해 전극을 마련하는 수를 억제하거나 전극의 구조의 복잡화를 피할 수 있으므로, 모듈의 제조 코스트를 억제할 수 있다.Moreover, this electrostatic precipitation module 3 is provided in the supply pipe 22 so that every time thinner flows through the discharge nozzle 18, the foreign material in the said thinner may be removed. Therefore, since foreign matter is removed from the thinner with a relatively small volume, compared to the case of collecting dust in the storage tank 21, it is possible to reduce the number of electrodes to be provided or to avoid complicating the structure of the electrode, thereby reducing the manufacturing cost of the module. can

한편, 프레임체는 상기와 같은 형상의 집진 영역(30)을 형성하도록 구성되는 것에 한정되지 않는다. 도 13에는, 프레임체(31)와는 상이한 형상의 집진 영역(30)을 형성하는 프레임체(71)의 종단 평면도를 나타내고 있다. 이하, 프레임체(71)에 대하여, 프레임체(31)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 프레임체(71)의 집진 영역(30)의 상류측(유입 포트(35)측)은, 2 개의 유입 포트(35)로부터 하류측(유출 포트(37)측)을 향함에 따라 점차 확대되는 평면에서 봤을 때 쐐기형의 2 개의 유로로서 구성되어 있다. 쇄선의 화살표의 앞의 쇄선의 원 내에, 이 쐐기형의 유로를 확대하여 나타내고 있다. 이와 같이 유로를 쐐기형으로 함으로써, 유입 포트(35)에서 본 유로의 급격한 확대를 억제하고, 유입 포트(35) 부근에 있어서의 기술한 와류의 형성을 방지하고 있다. 그와 같이 와류를 확실히 방지하기 위하여, 도면 중 θ1로 나타내는 쐐기의 선단부의 각도는 작을수록 바람직하며, 예를 들면 15˚ 이하로 한다. 이러한 쐐기형의 2 개의 유로는, 집진 영역(30)의 하류측을 향하는 도중에 평면에서 봤을 때, 상하 방향으로 확대되고, 또한 하류측을 향하면 서로 합류하고 있다.On the other hand, the frame body is not limited to being configured to form the dust collecting area 30 of the above shape. 13, the longitudinal plan view of the frame body 71 which forms the dust collection area|region 30 of the shape different from the frame body 31 is shown. Hereinafter, the frame body 71 is demonstrated centering on the difference with the frame body 31. As shown in FIG. The upstream side (inlet port 35 side) of the dust collecting area 30 of the frame body 71 is a plane that gradually expands from the two inflow ports 35 toward the downstream side (outlet port 37 side) It is composed of two flow passages of a wedge shape when viewed from the This wedge-shaped flow path is enlarged and shown in the circle of the chain line in front of the arrow of the chain line. By making the flow path wedge-shaped in this way, the rapid expansion of the flow path viewed from the inflow port 35 is suppressed, and formation of the described vortex in the vicinity of the inflow port 35 is prevented. In order to reliably prevent such a vortex, the angle of the tip of the wedge indicated by θ1 in the drawing is preferably smaller, for example, 15° or less. These wedge-shaped two flow paths expand in the up-down direction in plan view on the way to the downstream side of the dust collection area 30, and are joined to each other when they go downstream.

또한, 이 프레임체(71)에 대해서도 프레임체(31)와 마찬가지로, 그 형상에 대하여 상하 및 좌우에 대칭성을 가지고 있다. 따라서, 프레임체(71)의 집진 영역(30)의 하류측(유출 포트(37)측)은, 2 개의 유출 포트(37)를 향함에 따라 점차 축소되는 평면에서 봤을 때 쐐기형의 2 개의 유로로서 구성되어 있다. 이 쐐기형의 2 개의 유로는 상류측을 향해 보면, 도중에 상하 방향으로 확대되고, 또한 상류측을 향하면 서로 합류하고 있다. 이와 같이 유출 포트(37)의 부근에 있어서도 집진 영역(30)을 구성하는 유로가 쐐기형으로 구성되어 있는 것은, 상기와 같이 유로가 급격하게 좁아지면 와류가 형성되므로, 그것을 방지하기 위함이다.In addition, this frame body 71 also has symmetry with respect to the top and bottom and left and right with respect to the shape similarly to the frame body 31. As shown in FIG. Accordingly, the downstream side (outflow port 37 side) of the dust collecting area 30 of the frame body 71 is a wedge-shaped two flow passages in plan view that are gradually reduced toward the two outflow ports 37 . is composed as The two wedge-shaped flow passages expand in the up-and-down direction on the way when viewed toward the upstream side, and merge with each other toward the upstream side. The reason that the flow path constituting the dust collecting area 30 is wedge-shaped even in the vicinity of the outlet port 37 as described above is to prevent the formation of a vortex when the flow path is abruptly narrowed as described above.

상기의 2 개의 도전판(54)의 접속부(57)에 직류 전원(64)과는 상이한 예비의 직류 전원(72)을 당해 직류 전원(64)과 병렬로 접속해도 된다. 도 14는 그와 같이 직류 전원(64, 72)이 접속된 전기 집진 모듈(3)에 대하여, 도 8과 마찬가지로 등가 회로로서 나타낸 것이다. 직류 전원(72)은 UPS 장치(UPS)에 의해 구성되어 있다. 예를 들면 직류 전원(64)에 이상이 없을 때는 당해 직류 전원(64)으로부터 도전판(54)으로 전류가 공급되고, 직류 전원(72)으로부터 도전판(54)으로는 전류가 공급되지 않는다.A spare DC power supply 72 different from the DC power supply 64 may be connected to the connection portion 57 of the two conductive plates 54 in parallel with the DC power supply 64 . Fig. 14 shows the electrostatic precipitation module 3 to which the DC power supplies 64 and 72 are connected in this way as an equivalent circuit as in Fig. 8 . The DC power supply 72 is constituted by a UPS device (UPS). For example, when there is no abnormality in the DC power supply 64 , current is supplied from the DC power supply 64 to the conductive plate 54 , and no current is supplied from the DC power supply 72 to the conductive plate 54 .

그러나, 정전 등의 트러블이 생겨 직류 전원(64)이 사용 불가가 되었을 때, 직류 전원(72)으로부터 도전판(54)으로 전류가 공급된다. 그에 따라, 전극판(52)에 집진된 이물(P)이 집진 영역(30)의 시너에 방출되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 레지스트 도포 장치(1)에 의한 처리의 도중에 레지스트 도포 장치(1)에의 정전이 일어나, 정전으로부터 복구되어 웨이퍼(W)의 처리를 재개함에 있어서, 이물(P)은 전극판(52)에 흡착된 상태이므로, 당해 이물(P)이 시너 토출 노즐(18)로부터 웨이퍼(W)로 공급되는 것을 방지할 수 있다. 레지스트 도포 장치(1)의 각 부에 전력을 공급하는 전력 공급 기기 상태를 감시하여, 정전의 유무를 감시해도 되고, 직류 전원(64)과 전극판(52)을 접속하는 전선(63)에 전류계를 마련하여, 이 전류계의 검출치에 따라 정전의 유무를 감시해도 된다.However, when a trouble such as a power failure occurs and the DC power supply 64 becomes unusable, current is supplied from the DC power supply 72 to the conductive plate 54 . Accordingly, it is possible to prevent the foreign matter P collected on the electrode plate 52 from being discharged to the thinner of the dust collecting area 30 . Therefore, in the middle of processing by the resist coating device 1, a power failure occurs in the resist coating device 1, and when recovering from the power failure and resuming processing of the wafer W, the foreign material P is deposited on the electrode plate 52. Since it is in the adsorbed state, it is possible to prevent the foreign material P from being supplied to the wafer W from the thinner discharge nozzle 18 . The state of the electric power supply device for supplying electric power to each part of the resist coating device 1 may be monitored to monitor the presence or absence of a power failure, and an ammeter is connected to the electric wire 63 connecting the DC power supply 64 and the electrode plate 52 . may be provided, and the presence or absence of a power failure may be monitored according to the detection value of this ammeter.

도 15에는 전기 집진 모듈(3)의 변형예인 전기 집진 모듈(7)의 분해 사시도에 대하여 나타내고 있고, 이하, 이 전기 집진 모듈(7)에 대하여, 전기 집진 모듈(3)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 전기 집진 모듈(7)을 구성하는 프레임체(73)는, 상기의 프레임체(31)와 달리, 일면측 및 타면측에 개구 가장자리부(32)와 접속 영역(33)을 구획하는 단차를 구비하고 있지 않다. 또한, 유로 방향의 일단 및 타단에 있어서, 프레임체(31)의 상하의 중심부에는 당해 프레임체(31)의 외측으로 길이 방향을 따라 돌출되는 돌출부(74, 75)가 형성되고, 이 돌출부(74, 75)에 유입 포트(35), 유출 포트(37)가 각각 마련되어 있다. 점선의 화살표로 나타내는 점선의 범위 내에 돌출부(74)를 확대하여 나타내고 있다. 또한, 도 15에서는 유출 포트(37)의 도시는 생략하고 있다. 또한, 도면 중에서의 식별을 용이하게 하기 위하여, 씰 부재(51)에 대해서는 그레이 스케일로 표시하고 있다.15 is an exploded perspective view of an electrostatic precipitation module 7 that is a modified example of the electrostatic precipitation module 3 . Hereinafter, the electrostatic precipitation module 7 is focused on differences from the electrostatic precipitation module 3 . Explain. Unlike the frame body 31 described above, the frame body 73 constituting the electrostatic precipitation module 7 has a step that divides the opening edge portion 32 and the connection region 33 on one side and the other side. not available Further, at one end and the other end in the flow path direction, protrusions 74 and 75 protruding along the longitudinal direction to the outside of the frame body 31 are formed in the upper and lower central portions of the frame body 31, and the protrusions 74, An inlet port 35 and an outlet port 37 are provided at 75 , respectively. The projection 74 is enlarged and shown within the range of the dotted line indicated by the dotted arrow. In addition, illustration of the outflow port 37 is abbreviate|omitted in FIG. In addition, in order to make identification in a figure easy, the seal member 51 is displayed in gray scale.

이 전기 집진 모듈(7)에는 도전판(54)이 마련되어 있지 않고, 도전판(53)만 마련되어 있다. 이 도전판(53)의 길이 방향의 크기는 전극판(52)의 길이 방향의 크기보다 길고, 도전판(53)이 프레임체(73)에 장착되었을 시에는, 당해 도전판(53)의 길이 방향의 단부는 프레임체(31)의 외측에 위치하기 때문에, 당해 단부에 전선(63)의 단부를 접속할 수 있다. 이 전기 집진 모듈(7)에서도 보강판(56)의 관통홀의 암나사와 수나사(61)가 나사 결합하는 것 및 씰 부재(51)의 복원력에 의해 각 부가 고정되지만, 이 예에서는 수나사(61)는 프레임체(73)를 관통하지 않고, 프레임체(73)의 외측에서 나사 결합된다. 이러한 전기 집진 모듈(7)에 대해서도, 전기 집진 모듈(3)과 마찬가지로 전극판(52)으로서 다양한 재질을 선택할 수 있다.In this electrostatic precipitation module 7, the conductive plate 54 is not provided, but only the conductive plate 53 is provided. The length of the conductive plate 53 is longer than the length of the electrode plate 52 , and when the conductive plate 53 is attached to the frame 73 , the length of the conductive plate 53 is longer. Since the edge part of the direction is located outside the frame body 31, the edge part of the electric wire 63 can be connected to the said edge part. Even in this electrostatic precipitation module 7, each part is fixed by the screwing between the female screw and the male screw 61 of the through hole of the reinforcing plate 56 and the restoring force of the seal member 51. In this example, the male screw 61 is It is screwed together from the outside of the frame body 73 without passing through the frame body 73 . Also for such an electrostatic precipitation module 7, various materials can be selected as the electrode plate 52 similarly to the electrostatic precipitation module 3 .

이어서, 3 개의 레지스트 도포 장치(1)에 적용할 수 있도록 구성된 전기 집진 모듈(8)에 대하여, 도 17의 횡단 평면도를 참조하여 설명한다. 이 전기 집진 모듈(8)에는 3 개의 프레임체(73)가 서로의 개구부가 중첩되도록 배열되어 마련되어 있고, 당해 3 개의 프레임체(73)를 배열순으로 프레임체(73A, 73B, 73C)로서 나타내고 있다. 또한 이들 프레임체(73A, 73B, 73C)에 의해 형성되는 집진 영역을 30A, 30B, 30C로서 나타내고 있다. 또한, 이 도 17에서도 화살표로 시너의 흐름 방향을 나타내고 있다.Next, the electrostatic precipitation module 8 configured to be applicable to the three resist coating devices 1 will be described with reference to the transverse plan view of FIG. 17 . In this electrostatic precipitation module 8, three frames 73 are arranged so that their openings overlap each other, and the three frames 73 are shown as frames 73A, 73B, and 73C in the order of arrangement. have. Moreover, the dust collection area|region formed by these frame bodies 73A, 73B, 73C is shown as 30A, 30B, and 30C. In addition, in this FIG. 17, the flow direction of the thinner is also shown by an arrow.

프레임체(73A)의 일면측(프레임체(73C)와는 반대측)에는, 전기 집진 모듈(7)과 마찬가지로 집진 영역(30A)을 형성하는 전극판(52), 도전판(53)(편의상, 53A라 함), 절연 시트(55), 보강판(56)이 프레임체(73C)와는 반대측을 향해 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 프레임체(73A)의 타면측에는, 프레임체(73B)를 향해 집진 영역(30A)을 형성하는 전극판(52), 도전판(53)(편의상, 53B라 함), 집진 영역(30B)을 형성하는 전극판(52)이 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 프레임체(73B)의 타면측에는 프레임체(73C)를 향해, 집진 영역(30B)을 형성하는 전극판(52), 도전판(53)(편의상, 53C라 함), 집진 영역(30C)을 형성하는 전극판(52)이 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 프레임체(73C)의 타면측에는 프레임체(73B)와는 반대측을 향해, 집진 영역(30C)을 형성하는 전극판(52), 도전판(53)(편의상, 53D라 함), 절연 시트(55), 보강판(56)이 이 순으로 적층되어 마련되어 있다. 도전판(53A, 53C)은 전선(63)을 개재하여 직류 전원(64)의 양의 단자에 대하여 병렬로 접속되고, 도전판(53B, 53D)은 전선(63)을 개재하여 직류 전원(64)의 음의 단자에 대하여 병렬로 접속되어 있다.On one side (opposite side to the frame body 73C) of the frame body 73A, an electrode plate 52 and a conductive plate 53 (for convenience, 53A) which form a dust collecting area 30A similarly to the electrostatic precipitation module 7 are provided. ), the insulating sheet 55, and the reinforcing plate 56 are stacked in this order toward the side opposite to the frame body 73C. On the other side of the frame 73A, an electrode plate 52, a conductive plate 53 (referred to as 53B for convenience), and a dust collecting region 30B, which form a dust collecting region 30A toward the frame 73B are formed. The electrode plates 52 to be stacked in this order are provided. On the other side of the frame 73B, an electrode plate 52, a conductive plate 53 (referred to as 53C for convenience), and a dust collecting region 30C, which form a dust collecting region 30B, are formed toward the frame 73C. The electrode plates 52 to be stacked in this order are provided. On the other side of the frame body 73C, toward the opposite side to the frame body 73B, an electrode plate 52, a conductive plate 53 (referred to as 53D for convenience), an insulating sheet 55 for forming the dust collecting region 30C. , reinforcing plates 56 are stacked in this order. The conductive plates 53A and 53C are connected in parallel to the positive terminal of the DC power supply 64 via an electric wire 63, and the conductive plates 53B and 53D are connected to the DC power supply 64 via the electric wire 63. ) is connected in parallel to the negative terminal.

이와 같이 전기 집진 모듈(8)에 있어서는, 3 개의 집진 영역(30)에 2 매의 보강판(56) 및 2 매의 절연 시트(55)가 공용화된 구성으로 되어 있다. 또한, 도전판(53B)은 집진 영역(30A)(제 1 공급로), 집진 영역(30B)(제 2 공급로)에 대하여 공용화되고, 도전판(53C)이 집진 영역(30B, 30C)에 대하여 공용되어 있다. 따라서, 기술한 전기 집진 모듈(3)을 3 개 마련하는 것보다도, 구성 부품이 삭감된 전기 집진 모듈(8)을 마련함으로써, 모듈에 의한 장치 내의 점유 스페이스를 작게 할 수 있는 이점이 있다.In this way, in the electric dust collecting module 8 , two reinforcing plates 56 and two insulating sheets 55 are shared in three dust collecting regions 30 . Further, the conductive plate 53B is shared with the dust collection region 30A (first supply path) and the dust collection region 30B (second supply path), and the conductive plate 53C is connected to the dust collection regions 30B and 30C. is shared for Therefore, there is an advantage that the space occupied by the module in the device can be reduced by providing the electrostatic precipitation module 8 with fewer components than providing three electrostatic precipitation modules 3 described above.

그런데 본 발명자의 검증에 의해, 상기의 전기 집진 모듈(3)을 사용 개시한 직후는, 집진 영역(30)을 통과한 액 중에 이물(P)이 많이 포함되는 것이 확인되고 있다. 이는 전극판(52)을 형성하는 제조 공정에 있어서 당해 전극판(52)에 이물이 부착되어 있고, 전극판(52)에 부착된 이물 중, 양의 전하를 가지는 이물은 당해 이물이 부착된 전극판(52)이 양극이 됨으로써 집진 영역(30)으로 방출되고, 음의 전하를 가지는 이물은 당해 이물이 부착된 전극판이 음극이 됨으로써 집진 영역(30)으로 방출된 것이라고 상정된다. 따라서, 전극판(52)을 제조 후, 사용하기 전에, 당해 전극판(52)에 직류 전압 또는 교류 전압을 인가함으로써, 부착되어 있는 이물을 방출시킨다. 즉, 전극판(52)의 에이징을 행한다. 적절한 시간, 이 에이징을 행한 후, 기술한 바와 같이 이물의 집진을 행하기 위하여 전극판(52)을 장착한 전기 집진 모듈(3)을 사용하도록 한다. 그에 따라, 시너 토출 노즐(18)에 이물을 포함한 시너가 공급되는 것을 방지할 수 있다.However, by verification by the present inventor, it is confirmed that a large amount of foreign matter P is contained in the liquid that has passed through the dust collecting area 30 immediately after the use of the electric dust collecting module 3 is started. In this case, in the manufacturing process of forming the electrode plate 52 , foreign matter adheres to the electrode plate 52 , and among the foreign substances adhering to the electrode plate 52 , the foreign material having a positive charge is the electrode to which the foreign matter is adhered. It is assumed that the plate 52 is discharged to the dust collecting region 30 when it becomes an anode, and a foreign material having a negative charge is discharged to the dust collecting region 30 when the electrode plate to which the foreign material is attached becomes a cathode. Accordingly, after the electrode plate 52 is manufactured and before use, a DC voltage or an AC voltage is applied to the electrode plate 52 to release the adhering foreign matter. That is, the electrode plate 52 is aged. After performing this aging for an appropriate time, the electric dust collecting module 3 equipped with the electrode plate 52 is used to collect foreign matter as described above. Accordingly, it is possible to prevent the thinner including foreign substances from being supplied to the thinner discharge nozzle 18 .

또한, 상기와 같이 전극판(52)을 실리콘에 의해 구성하는 경우, 실리콘 웨이퍼의 세정액으로서 이용되는 SC1(암모니아수와 과산화수소와 물과의 혼합액), DHF(불산과 물과의 혼합액), SC2(염산과 과산화수소와 물과의 혼합액), SPM(황산과 과산화수소와 물과의 혼합액), SPS(황산과 과산화수소와의 혼합액) 등에 의한 세정을 행함으로써, 전극판(52)을 사용하기 전에 전극판(52)에 부착된 이물을 제거하는 것도 유효하다. 이러한 세정 처리 및 상기의 에이징 중, 일방을 행해도 되고, 양방을 행해도 된다.In addition, when the electrode plate 52 is made of silicon as described above, SC1 (mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide, and water), DHF (mixed solution of hydrofluoric acid and water), SC2 (hydrochloric acid) used as a cleaning solution for silicon wafers Before using the electrode plate 52, by performing cleaning with a mixture of hydrogen peroxide and water), SPM (a mixture of sulfuric acid, hydrogen peroxide, and water), SPS (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide), etc. ), it is also effective to remove foreign substances attached to the One of these washing processes and said aging may be performed, and both may be performed.

상기의 전기 집진 모듈(3)을 시너 공급관(22)의 상류측, 하류측에 각각 마련하여, 보다 확실히 이물을 집진할 수 있도록 해도 된다. 즉, 전기 집진 모듈(3)은 시너 공급관(22)에 복수 마련되어 있어도 된다. 또한, 전기 집진 모듈(3)을 마련하는 위치는, 도 2에 나타내는 위치에는 한정되지 않고, 필터(25)의 상류측에 마련해도 된다. 단, 그와 같이 배치하면, 1 회의 프리웨트 처리로 전극판(52)에 많은 이물이 부착되게 된다. 전극판(52)에 부착되는 이물이 많아지면, 시너와 함께 집진 영역(30)을 흐르는 이물에 대한 흡착력이 작아짐으로써, 도 11, 도 12에서 설명한 전극판(52)으로부터의 이물(P)의 제거 처리를 행하는 빈도가 높아진다. 즉, 웨이퍼(W)의 처리를 중단하는 빈도가 높아지기 때문에, 도 2에 나타낸 바와 같이, 필터(25)의 하류측에 전기 집진 모듈(3)을 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 도 2에 나타낸 바와 같이 공급관(22)의 하류측에 향해 필터(25), 전기 집진 모듈(3)을 이 순으로 마련한 다음, 당해 전기 집진 모듈(3)의 하류측에 필터(25)를 더 마련해도 된다.The above-mentioned electric dust collecting module 3 may be provided on the upstream side and the downstream side of the thinner supply pipe 22, respectively, so that foreign matter can be collected more reliably. That is, a plurality of the electrostatic precipitation modules 3 may be provided in the thinner supply pipe 22 . In addition, the position in which the electrostatic precipitation module 3 is provided is not limited to the position shown in FIG. 2, You may provide in the upstream of the filter 25. However, with such an arrangement, a large amount of foreign matter adheres to the electrode plate 52 by one pre-wet treatment. When the amount of foreign matter adhering to the electrode plate 52 increases, the adsorption force with respect to the foreign matter flowing through the dust collecting area 30 together with the thinner decreases, so that the foreign matter P from the electrode plate 52 described in FIGS. 11 and 12 is removed. The frequency of performing the removal process increases. That is, since the frequency of interrupting the processing of the wafer W increases, as shown in FIG. 2 , it is preferable to provide the electrostatic precipitation module 3 on the downstream side of the filter 25 . In addition, as shown in FIG. 2, the filter 25 and the electrostatic precipitation module 3 are provided in this order toward the downstream side of the supply pipe 22, and then the filter 25 is provided downstream of the electrostatic precipitation module 3 may provide more.

또한 집진 영역(30)을 형성하기 위한 전극은 당해 집진 영역(30)에 면하는 면상체를 구비하고 있으면 되며, 판 형상인 것에 한정되지 않는다. 도 18의 개략 횡단 평면도에서는, 전극판(52) 대신에 비교적 두께가 큰 블록 형상의 전극(76)에 의해 집진 영역(30)을 형성한 전기 집진 모듈(3)의 예를 나타내고 있다. 도전판(53, 54)에 대해서도, 예를 들면 이 전극(76)과 같은 블록 형상의 도전체로 변경할 수 있다. 또한, 도 19에 나타내는 바와 같이 좁고 긴 전극판(52)의 길이 방향의 2 변을 따르도록 형성된 2 개의 봉 형상체(77)에 당해 전극판(52)의 주연부 및 도전판(53, 54)의 주연부를 장착하여 집진 영역(30)을 형성해도 된다. 이 경우, 2 개의 봉 형상체(77)의 사이의 공간의 일단 및 타단이 유입 포트(35) 및 유출 포트(37)가 된다. 이와 같이, 2 개의 서로 대향하는 전극을 지지하는 지지 부재로서는 프레임체에 한정되지 않는다.Moreover, the electrode for forming the dust collection area|region 30 just needs to be equipped with the planar body which faces the said dust collection area|region 30, and is not limited to a plate-shaped thing. In the schematic transverse plan view of FIG. 18, the example of the electrostatic precipitation module 3 in which the dust collection area|region 30 was formed with the block-shaped electrode 76 with a comparatively large thickness instead of the electrode plate 52 is shown. The conductive plates 53 and 54 can also be changed to, for example, a block-shaped conductor similar to the electrode 76 . Further, as shown in FIG. 19 , the periphery of the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 are attached to two rod-shaped bodies 77 formed along two sides of the long and narrow electrode plate 52 in the longitudinal direction. The dust collecting area 30 may be formed by attaching the periphery of the . In this case, one end and the other end of the space between the two rod-shaped bodies 77 become the inflow port 35 and the outflow port 37 . As described above, the supporting member for supporting the two mutually opposing electrodes is not limited to the frame body.

또한, 유입 포트(35) 및 유출 포트(37)로서는, 프레임체(31)에 마련하는 것, 즉 2 개의 전극판(52)의 사이에 마련하는 것에는 한정되지 않는다. 도 20에서는, 전기 집진 모듈(3)에 있어서, 유입 포트(35) 및 유출 포트(37)를 프레임체(31)의 일면측에 마련된 전극판(52), 도전판(53, 54)을 관통하여 집진 영역(30)을 향하는 관통홀로서 형성한 예를 나타내고 있다. 또한, 이와 같이 포트(35, 37)를 형성한 경우는, 프레임체(31)의 일면측의 절연 시트(55) 및 보강판(56)에도 이 유입 포트(35), 유출 포트(37)에 대응하는 위치에 관통홀을 마련하고, 보강판(56)의 외측으로부터 집진 영역(30)에 대하여 처리액의 공급 및 처리액의 배출을 행할 수 있도록 한다.In addition, as the inflow port 35 and the outflow port 37, what is provided in the frame body 31, ie, what is provided between the two electrode plates 52, is not limited. In FIG. 20 , in the electrostatic precipitation module 3 , the inlet port 35 and the outlet port 37 pass through the electrode plate 52 and the conductive plates 53 and 54 provided on one surface side of the frame body 31 . Thus, an example formed as a through hole facing the dust collecting area 30 is shown. In addition, when the ports 35 and 37 are formed in this way, the insulating sheet 55 and the reinforcing plate 56 on one side of the frame body 31 are also connected to the inflow port 35 and the outflow port 37 . A through hole is provided at a corresponding position so that the treatment liquid can be supplied and the treatment liquid is discharged from the outside of the reinforcing plate 56 to the dust collecting area 30 .

그런데, 상기의 전기 집진 모듈(3)에서는, 평면에서 봤을 때, 도전판(53)을 전극판(52)과 동일한 크기로 구성하고, 도전판(53)과 전극판(52)이 중첩되는 영역(이하, 중복 영역이라 함)의 면적이 평면에서 본 전극판(52)의 면적(이하, 단순히 전극판(52)의 면적이라 함)과 동일해지도록 구성되어 있는데, 도 21에 나타내는 바와 같이 중복 영역의 면적이 전극판(52)의 면적보다 작아지도록 도전판(53)을 형성해도 된다. 전극판(52)의 면적에 대하여 중복 영역의 면적이 커질수록 전극판(52)을 면내 방향으로 전류가 흐를 필요가 없어져, 전류가 전극판(52)을 두께 방향으로 흐른다. 즉, 기술한 식 1에서 설명한 전극판(52)에 있어서 전류가 흐르는 방향의 길이가 짧아진다. 따라서, 전극판(52)에 있어서의 저항이 작아진다. 따라서, 프레임체(31)의 일면측 및 타면측에 있어서, 전극판(52)의 면적에 대한 중복 영역의 면적의 비율, 예를 들면 70% 이상으로 하는 것이 바람직하다.However, in the electrostatic precipitation module 3 , the conductive plate 53 is configured to have the same size as the electrode plate 52 in plan view, and the region where the conductive plate 53 and the electrode plate 52 overlap. It is configured such that the area of (hereinafter referred to as an overlapping region) is equal to the area of the electrode plate 52 (hereinafter simply referred to as an area of the electrode plate 52) in a planar view, but overlap as shown in FIG. 21 . The conductive plate 53 may be formed so that the area of the region is smaller than the area of the electrode plate 52 . As the area of the overlapping region increases with respect to the area of the electrode plate 52 , there is no need for current to flow through the electrode plate 52 in the in-plane direction, and the current flows through the electrode plate 52 in the thickness direction. That is, in the electrode plate 52 described in Expression 1, the length in the direction in which the current flows is shortened. Therefore, the resistance in the electrode plate 52 becomes small. Therefore, it is preferable that the ratio of the area of the overlapping region to the area of the electrode plate 52 on one side and the other side of the frame body 31 is, for example, 70% or more.

또한, 본 발명은 처리액으로서 시너에만 이용하는 것에는 한정되지 않지만, 집진 영역(30)에서 전리가 일어나기 어려운 것에 이용하는 것이 바람직하다. 시너 이외에는, 예를 들면 네거티브형 레지스트를 현상하기 위한 유기용제에 의해 구성되는 현상액 또는 예를 들면 현상 후에 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 순수 등에 의해 구성되는 세정액을 처리액으로서 이용하는 것이 바람직하다. 또한 기술한 각 구성예는 적절히 조합하거나 변경할 수 있다. 구체적으로 예를 들면, 도 15의 프레임체(73)의 집진 영역(30)에 대하여, 도 13에서 나타내는 바와 같이 쐐기형의 유로를 구비하도록 구성해도 된다. In addition, although this invention is not limited to using only for a thinner as a process liquid, It is preferable to use for the thing which ionization does not occur easily in the dust collection area|region 30. In addition to the thinner, for example, it is preferable to use a developing solution composed of an organic solvent for developing a negative resist, or a washing solution composed of, for example, pure water for washing the wafer W after development, as the treatment solution. In addition, each described structural example can be combined or changed suitably. Specifically, for example, as shown in FIG. 13, you may comprise so that the dust collection area|region 30 of the frame body 73 of FIG. 15 may be provided with a wedge-shaped flow path.

(평가 시험)(evaluation test)

본 발명에 관련하여 행해진 평가 시험 1에 대하여 설명한다. 평가 시험 1-1로서, 실리콘인 웨이퍼(W)에 대하여 100 V의 직류 전압을 1 시간 인가하여 에이징을 행했다. 이 후, 이 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 직경이 20 nm 이상인 크기의 이물의 부착 상태를 조사했다. 그 결과가, 도 22의 사진이며, 사진 중에서는 이물에 대하여 이물이 부착되어 있지 않은 영역보다 밝은 점으로 나타내고 있다. 이 사진에 나타나는 바와 같이 평가 시험 1-1에서는 많은 이물이 웨이퍼(W) 표면에 잔류하고 있었다. 평가 시험 1-2로서, 평가 시험 1-1과 마찬가지로 에이징 후, 상기의 SC1로 웨이퍼(W)의 표면을 세정한 후 직경 20 nm 이상의 이물의 부착 상태에 대하여 조사했다. 그 결과가 도 23에 나타내는 사진이다. 이와 같이 부착되어 있는 이물은 매우 적었다. 따라서, 상기의 세정액에 의해 전극판(52)을 세정하고 나서 전극판(52)을 사용하는 것이 프리웨트 처리를 행하는 웨이퍼(W)에 대하여 이물이 부착되는 것을 방지하기 위하여 유효하다는 것을 알 수 있다.The evaluation test 1 performed in connection with this invention is demonstrated. As the evaluation test 1-1, the silicon wafer W was aged by applying a DC voltage of 100 V for 1 hour. Thereafter, on the surface of the wafer W, the state of adhesion of foreign substances having a diameter of 20 nm or more was examined. The result is the photograph of Fig. 22, and in the photograph, it is indicated by a point brighter than the area where the foreign material is not attached to the foreign material. As shown in this photograph, in the evaluation test 1-1, many foreign substances remained on the surface of the wafer W. As the evaluation test 1-2, after aging in the same manner as in the evaluation test 1-1, the surface of the wafer W was washed with the above-described SC1, and then the adhesion state of foreign substances having a diameter of 20 nm or more was investigated. The result is a photograph shown in FIG. There were very few foreign substances adhered in this way. Therefore, it can be seen that using the electrode plate 52 after cleaning the electrode plate 52 with the cleaning liquid is effective in preventing foreign matter from adhering to the wafer W subjected to the pre-wet treatment. .

1 : 레지스트 도포 장치
10 : 제어부
18 : 시너 토출 노즐
2 : 시너 공급 기구
21 : 시너 저류조
30 : 집진 영역
31 : 프레임체
52 : 전극판
53, 54 : 도전판
64 : 직류 전원1: resist coating device
10: control unit
18: thinner discharge nozzle
2: Thinner supply mechanism
21: thinner reservoir
30: dust collection area
31: frame body
52: electrode plate
53, 54: conductive plate
64: DC power

Claims (10)

처리액의 공급원으로부터 피처리체의 처리부로 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급로에 개재하여 마련되는 전기 집진 장치에 있어서,
서로 대향하고 또한 각각 면상체로 이루어지며 그 사이가 처리액 공급로의 일부를 이루는 유로를 형성하는 제 1 전극 및 제 2 전극과,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극과 함께 상기 유로를 구획하고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 각 주연부의 사이에 개재되는 절연성의 지지 부재와,
상기 유로를 향하도록 마련된 처리액의 유입 포트 및 유출 포트와,
상기 제 1 전극의 외면에 접하여 적층되고, 상기 제 1 전극과 재질이 다르고, 전원부와 상기 제 1 전극을 연결함과 동시에 제 1 도전로를 형성하는 제 1 면상체와,
상기 제 2 전극의 외면에 접하여 적층되고, 상기 제 2 전극과 재질이 다르고, 상기 전원부와 상기 제 2 전극을 연결하는 제 2 도전로를 형성하고, 상기 유로에 전계를 형성하기 위한 제 2 면상체
를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.An electrostatic precipitator provided through a processing liquid supply path for supplying a processing liquid from a supply source of a processing liquid to a processing unit of an object to be processed, the electrostatic precipitator comprising:
A first electrode and a second electrode facing each other and each made of a planar body, the first electrode and the second electrode forming a flow path forming a part of the processing liquid supply path therebetween;
an insulating support member that partitions the flow path together with the first electrode and the second electrode and is interposed between peripheral portions of the first electrode and the second electrode;
an inlet port and an outlet port of the treatment liquid provided to face the flow path;
a first planar body stacked in contact with the outer surface of the first electrode, different in material from the first electrode, and forming a first conductive path while connecting the power supply unit and the first electrode;
A second planar body stacked in contact with the outer surface of the second electrode, having a different material from the second electrode, forming a second conductive path connecting the power supply unit and the second electrode, and forming an electric field in the flow path
An electric dust collector comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 각각 처리액에 대한 금속 오염의 우려가 없는 재질에 의해 구성되고,
상기 제 1 면상체 및 제 2 면상체는 각각 금속에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.The method of claim 1,
The first electrode and the second electrode are each made of a material that does not have a risk of metal contamination with the treatment liquid,
The first planar body and the second planar body are each made of metal. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리액의 유입 포트 및 유출 포트는 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 사이에 각각 마련된 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
An inlet port and an outlet port of the treatment liquid are respectively provided between the first electrode and the second electrode. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유로에 있어서의 처리액의 유통 방향을 따른 길이 치수는, 상기 유로에 있어서의 처리액의 유통 방향 및 제 1 전극과 제 2 전극과의 배열 방향의 각각과 직교하는 방향을 따른 길이 치수, 그리고 제 1 전극 및 제 2 전극의 사이의 이간 치수 중 어느 것 보다도 큰 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The length dimension along the flow direction of the processing liquid in the flow path is a length dimension along a direction orthogonal to each of the flow direction of the processing liquid in the flow path and the arrangement direction of the first electrode and the second electrode, and An electric dust collector, characterized in that it is larger than any of the distance between the first electrode and the second electrode. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 사이의 이간 치수는, 상기 유로에 있어서의 처리액의 유통 방향을 따른 길이 치수, 그리고 상기 유로에 있어서의 처리액의 유통 방향 및 제 1 전극과 제 2 전극과의 배열 방향의 각각과 직교하는 방향을 따른 길이 치수 중 어느 것보다도 작은 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The distance between the first electrode and the second electrode is a length along the flow direction of the processing liquid in the flow path, the flow direction of the processing liquid in the flow path, and the first electrode and the second electrode An electrostatic precipitator, characterized in that it is smaller than any of the length dimensions along a direction orthogonal to each of the arrangement directions. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 면상체와 상기 제 1 전극이 중첩되는 중복 영역의 면적은 상기 제 1 전극의 면적에 대하여 70% 이상이며,
상기 제 2 면상체와 상기 제 2 전극이 중첩되는 중복 영역의 면적은 상기 제 2 전극의 면적에 대하여 70% 이상인 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The area of the overlapping region where the first planar body and the first electrode overlap is 70% or more with respect to the area of the first electrode,
An area of an overlapping region where the second planar body and the second electrode overlap is 70% or more of the area of the second electrode. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 공급로는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 의해 각각 형성되는 제 1 공급로 및 제 2 공급로를 포함하고,
상기 제 1 도전로 및 제 2 도전로 중 일방은 상기 제 1 공급로 및 상기 제 2 공급로에 각각 마련되고,
상기 제 1 도전로 및 제 2 도전로 중 타방은 상기 제 1 공급로 및 상기 제 2 공급로에 공용되는 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The supply path includes a first supply path and a second supply path respectively formed by the first electrode and the second electrode,
one of the first conductive path and the second conductive path is provided in the first supply path and the second supply path, respectively;
The other of the first conductive path and the second conductive path is shared by the first supply path and the second supply path. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유로는 상기 유입 포트로부터 하류측을 향함에 따라 확대되고, 또한 상기 유출 포트로부터 상류측을 향함에 따라 확대되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전기 집진 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The electric dust collector according to claim 1, wherein the flow path expands from the inlet port toward the downstream side and expands toward the upstream side from the outlet port. 처리액의 공급원과,
피처리체를 배치하여 처리하기 위한 처리부와,
상기 공급원으로부터 처리액 공급로를 유통하여 공급된 상기 처리액을 상기 처리부로 공급하여 상기 피처리체를 처리하는 노즐과,
서로 대향하고 또한 각각 면상체로 이루어지며 그 사이가 상기 처리액 공급로의 일부를 이루는 유로를 형성하는 제 1 전극 및 제 2 전극과,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극과 함께 상기 유로를 구획하고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 각 주연부의 사이에 개재되는 절연성의 지지 부재와,
상기 유로를 향하도록 마련된 처리액의 유입 포트 및 유출 포트와,
상기 제 1 전극의 외면에 접하여 적층되고, 상기 제 1 전극과 재질이 다르고, 전원부와 상기 제 1 전극을 연결함과 동시에 제 1 도전로를 형성하는 제 1 면상체와,
상기 제 2 전극의 외면에 접하여 적층되고, 상기 제 2 전극과 재질이 다르고, 상기 전원부와 상기 제 2 전극을 연결하는 제 2 도전로를 형성하고, 상기 유로에 전계를 형성하기 위한 제 2 면상체
를 구비한 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.a supply source of the treatment liquid;
a processing unit for arranging and processing the object;
a nozzle for supplying the processing liquid supplied through the processing liquid supply path from the supply source to the processing unit to process the object;
A first electrode and a second electrode facing each other and each made of a planar body, the first electrode and the second electrode forming a flow path forming a part of the processing liquid supply path therebetween;
an insulating support member that partitions the flow path together with the first electrode and the second electrode and is interposed between peripheral portions of the first electrode and the second electrode;
an inlet port and an outlet port of the treatment liquid provided to face the flow path;
a first planar body stacked in contact with the outer surface of the first electrode, different in material from the first electrode, and forming a first conductive path while connecting the power supply unit and the first electrode;
A second planar body stacked in contact with the outer surface of the second electrode, having a different material from the second electrode, forming a second conductive path connecting the power supply unit and the second electrode, and forming an electric field in the flow path
A processing liquid supply device, characterized in that it is provided with. 제 9 항에 있어서,
상기 처리액 공급로에는 이물을 여과하여 제거하기 위한 필터가 마련되고,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 상기 필터의 하류측에 마련되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.10. The method of claim 9,
A filter for filtering and removing foreign substances is provided in the treatment liquid supply path,
The processing liquid supply apparatus, characterized in that the first electrode and the second electrode are provided on the downstream side of the filter.
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