KR102331040B1 - Organic light emitting diode display panel and drving method thereof - Google Patents

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KR102331040B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시패널은, 표시패널의 수직 방향으로 배치된 서브 화소들 중에서 n번째 서브 화소의 센싱 스위치는 n번째 서브 화소의 이전 단인 n-1번째 서브 화소의 스캔 스위치에 연결된 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 제어될 수 있다. 이와 같이 수직 라인 상의 인접한 서브 화소의 게이트라인을 센싱 스위치를 구동하기 위한 라인으로 이용함으로써 라인 감소에 따른 개구율을 증가시킬 수 있다.In an organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention, the sensing switch of the n-th sub-pixel among the sub-pixels arranged in the vertical direction of the display panel is a scan switch of the n-1 th sub-pixel that is the previous stage of the n-th sub-pixel It can be controlled by a scan pulse on the gate line connected to As described above, by using the gate line of the adjacent sub-pixel on the vertical line as a line for driving the sensing switch, the aperture ratio according to the decrease in the line can be increased.

Description

유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY PANEL AND DRVING METHOD THEREOF}Organic light emitting diode display panel and its driving method

본 발명은 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display panel and a driving method thereof.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display: 이하"LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.Recently, various flat panel displays (FPDs) capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes, have been developed. Such flat panel displays include a liquid crystal display (hereinafter referred to as "LCD"), a field emission display (FED), a plasma display panel (hereinafter referred to as "PDP"), and an electric field. There is a light emitting device (Electroluminescence Device) and the like.

PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목 받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하 "TFT" 라 함)가 적용된 TFT LCD는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 발광소자이기 때문에 시야 각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 이에 비하여, 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기발광 다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야 각이 큰 장점이 있다.Because PDP has a simple structure and manufacturing process, it is attracting attention as the most advantageous display device for light, thin, and large screen. TFT LCD to which a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") is applied as a switching device is the most widely used flat panel display device, but since it is a light emitting device, it has a narrow viewing angle and low response speed. In contrast, the electroluminescent device is roughly classified into an inorganic light emitting diode display device and an organic light emitting diode display device according to the material of the light emitting layer. Brightness and viewing angle are great advantages.

유기발광다이오드 표시장치는 구동 트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압을 제어하여 구동 트랜지스터의 드레인에서 소스로 흐르는 전류를 제어한다. The organic light emitting diode display controls the current flowing from the drain to the source of the driving transistor by controlling the voltage between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor.

구동 트랜지스터의 드레인에서 소스로 흐르는 전류는 유기발광다이오드로 흐르면서 발광을 하게 되고, 전류의 양을 조절하여 발광 정도를 조절할 수 있다.The current flowing from the drain to the source of the driving transistor emits light while flowing to the organic light emitting diode, and the degree of light emission can be controlled by controlling the amount of current.

이 때 유기발광다이오드의 전류는 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth) 및 이동도(Mobility; k)에 크게 영향을 받으므로 문턱전압(Vth)과 이동도(k)를 정확히 측정하여 이를 보상해 주어야 할 필요성이 커졌다.At this time, since the current of the organic light emitting diode is greatly affected by the threshold voltage (Vth) and the mobility (k) of the driving transistor, it is necessary to accurately measure the threshold voltage (Vth) and the mobility (k) to compensate for these. the need has grown

이를 위해 내부 보상 방식과 외부 보상 방식에 대한 연구가 많이 진행되었다. 그러나, 내부 보상 방식은 보상 성능 확보를 위해 화소를 구성하는 소자의 수가 증가하여 개구율을 확보하는데 문제가 되었다. To this end, a lot of research has been done on the internal compensation method and the external compensation method. However, in the internal compensation method, the number of elements constituting a pixel increases in order to secure compensation performance, and thus, there is a problem in securing the aperture ratio.

또한 외부 보상 방식의 경우 실시간 보상이 어려워 구동 트랜지스터의 잔상에 취약한 문제가 있었다.In addition, in the case of the external compensation method, real-time compensation is difficult, so there is a problem that the driving transistor is vulnerable to afterimage.

본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 검출하여 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 정확히 제어할 수 있는 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides an organic light emitting diode display panel capable of accurately controlling a current flowing through an organic light emitting diode by detecting a threshold voltage of a driving transistor and a driving method thereof.

또한 본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 이동도를 검출하여 보상의 정확도를 높일 수 있는 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법을 제공할 수도 있다. In addition, an embodiment of the present invention may provide an organic light emitting diode display panel capable of increasing the accuracy of compensation by detecting the mobility of a driving transistor and a driving method thereof.

또한 본 발명에 따른 실시예는 인접한 화소간에 게이트 라인과 센싱 제어 라인을 공유하는 화소 구조를 이용하여 개구율을 확보하는 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법을 제공할 수도 있다. In addition, the embodiment according to the present invention may provide an organic light emitting diode display panel and a driving method thereof for securing an aperture ratio by using a pixel structure in which a gate line and a sensing control line are shared between adjacent pixels.

또한 본 발명에 따른 실시예는 외부 보상 방식과 내부 보상 방식을 병행하여 보상 성능을 확보할 수 있는 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법을 제공할 수도 있다. In addition, the embodiment according to the present invention may provide an organic light emitting diode display panel capable of securing compensation performance by using an external compensation method and an internal compensation method in parallel, and a driving method thereof.

또한 본 발명에 따른 실시예는 문턱 전압을 외부 보상 방식으로 진행하고 이동도에 대한 보상을 내부 보상 방식을 적용하여 실시간 구동 시 구동 전류 편차에 큰 영향을 주는 이동도에 대한 보상을 실시간으로 진행할 수 있는 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법을 제공할 수도 있다.In addition, in the embodiment according to the present invention, when the threshold voltage is externally compensated and the mobility is compensated for by the internal compensation scheme, compensation for mobility, which has a great influence on the driving current deviation during real-time driving, can be performed in real time. It is also possible to provide an organic light emitting diode display panel and a driving method thereof.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시패널은 수직 라인 상의 인접한 서브 화소의 게이트라인을 센싱 스위치를 구동하기 위한 라인으로 이용함으로써 라인 감소에 따른 개구율을 증가시킬 수 있다.In the organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention, an aperture ratio according to a reduction in lines can be increased by using a gate line of an adjacent sub-pixel on a vertical line as a line for driving a sensing switch.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시패널의 구동 방법은 재 초기화 단계를 더 포함하여 각 서브 화소 별로 보상 시점 직전에 재 초기화를 수행할 수 있어 보상의 정확도를 높일 수 있다.The method of driving an organic light emitting diode display panel according to an embodiment of the present invention further includes a re-initialization step, so that re-initialization can be performed for each sub-pixel immediately before the compensation time, thereby increasing the accuracy of compensation.

본 발명에 따른 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 검출하여 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 정확히 제어할 수 있고, 구동 트랜지스터의 이동도를 검출하여 보상의 정확도를 높일 수 있고 인접한 화소간에 게이트 라인과 센싱 제어 라인을 공유하는 화소 구조를 이용하여 개구율을 확보할 수 있으며, 외부 보상 방식과 내부 보상 방식을 병행하여 보상 성능을 확보할 수 있는 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법을 제공할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, the current flowing through the organic light emitting diode can be accurately controlled by detecting the threshold voltage of the driving transistor, the accuracy of compensation can be improved by detecting the mobility of the driving transistor, and the gate line and sensing between adjacent pixels It is possible to provide an organic light emitting diode display panel capable of securing an aperture ratio by using a pixel structure sharing a control line and securing compensation performance by using an external compensation method and an internal compensation method in parallel, and a driving method thereof.

도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소 구조를 나타낸 도면이다.
도 5는 이동도를 보상하는 방법에 따른 서브 화소의 신호들의 파형도이다.
도 6은 이동도를 보상하는 방법에 따른 제1 내지 제3 서브 화소의 신호들의 파형도이다.
도 7은 구동 스위치의 문턱 전압 및 이동도를 함께 보상하는 방식에 있어서 신호 파형도를 나타낸 도면이다.
1 is a view showing the structure of an organic light emitting diode.
2 is a circuit diagram equivalently showing one pixel in an organic light emitting diode display of an active matrix type.
3 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a pixel structure according to an embodiment of the present invention.
5 is a waveform diagram of signals of sub-pixels according to a method of compensating for mobility.
6 is a waveform diagram of signals of first to third sub-pixels according to a method of compensating for mobility.
7 is a diagram illustrating signal waveforms in a method of compensating for both a threshold voltage and mobility of a driving switch.

이하, 본 발명의 실시 예에 의한 유기발광다이오드 표시패널과 그 구동방법의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, an organic light emitting diode display panel and a driving method thereof according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numbers refer to like elements throughout.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.Advantages and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout. The sizes and relative sizes of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of description.

소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.Reference to an element or layer to another element or “on” or “on” includes not only directly on the other element or layer, but also with other layers or other elements interposed therebetween. do. On the other hand, reference to an element "directly on" or "directly on" indicates that there are no intervening elements or layers.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부 (lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해 되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함 할 수 있다.Spatially relative terms "below, beneath", "lower", "above", "upper", etc. are one element or component as shown in the drawings. and can be used to easily describe the correlation with other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, if an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다 (comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/ 또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments, and thus is not intended to limit the present invention. As used herein, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprise” and/or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations, and/or elements mentioned. or addition is not excluded.

<유기발광다이오드의 구조><Structure of organic light emitting diode>

도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view showing the structure of an organic light emitting diode.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같이 유기발광다이오드를 가질 수 있다. 상기 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비할 수 있다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. 유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 스캔펄스에 의해 선택된 화소들의 밝기를 디지털 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과, 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 이 중 액티브 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storgage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display may include an organic light emitting diode as shown in FIG. 1 . The organic light emitting diode may include an organic compound layer (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between the anode electrode and the cathode electrode. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection layer, EIL) may be included. When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are moved to the light emitting layer (EML) to form excitons, and as a result, the light emitting layer (EML) is produces visible light. In the organic light emitting diode display, pixels including such organic light emitting diodes are arranged in a matrix form, and the brightness of the pixels selected by a scan pulse is controlled according to the gradation of digital video data. Such an organic light emitting diode display is divided into a passive matrix method and an active matrix method using a TFT as a switching element. Among them, the active matrix method selects a pixel by selectively turning on the TFT, which is an active element, and maintains the light emission of the pixel with a voltage maintained in a storage capacitor.

<액티브 매트릭스 방식의 화소의 등가 회로도><Equivalent circuit diagram of active matrix type pixel>

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram equivalently showing one pixel in an organic light emitting diode display of an active matrix type.

도 2를 참조하면, 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(D) 및 게이트라인(G), 데이터를 화소에 순차적으로 전달하기 위한 스캔 스위치(SW), 구동 스위치(DR), 및 데이터를 저장하여 일정 시간 동안 유지하기 위한 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 스캔 스위치 (SW)와 구동 스위치 (DR)는 N-타입 MOS-FET으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 두 개의 트랜지스터(SW, DR)와 한 개의 커패시터(Cst)로 구성된 구조를 간단히 2T-1C 구조라고 할 수 있다. 스캔 스위치 (SW)는 게이트라인(G)으로부터의 스캔펄스(SP)에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 이 스캔 스위치(SW)의 온 타임 기간 동안 데이터라인(D)으로부터의 데이터전압은 스캔 스위치(SW)의 소스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 스위치(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다. 구동 스위치(DR)는 자신의 게이트전극과 소스전극 간의 차 전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 자신의 일 측 전극에 인가된 데이터전압을 저장함으로써 구동 스위치(DR)의 게이트전극에 공급되는 전압을 한 프레임 기간 동안 일정하게 유지시킨다. 도 1과 같은 구조로 구현되는 유기발광다이오드(OLED)는 구동 스위치(DR)의 소스전극과 저전위 구동전압원(VSS) 사이에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 화소의 밝기에 비례하고, 이것은 구동 스위치(DR)의 게이트-소스 간 전압에 의해 결정된다. 도 2와 같은 화소의 밝기는 아래의 수학식 1과 같이 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류에 비례한다.Referring to FIG. 2 , the pixels of the active matrix organic light emitting diode display device include an organic light emitting diode (OLED), a data line (D) and a gate line (G) crossing each other, and a scan for sequentially transferring data to the pixel A switch SW, a driving switch DR, and a storage capacitor Cst for storing and maintaining data for a predetermined time are provided. The scan switch SW and the driving switch DR may be formed of an N-type MOS-FET. As described above, a structure composed of two transistors SW and DR and one capacitor Cst can be simply referred to as a 2T-1C structure. The scan switch SW is turned on in response to the scan pulse SP from the gate line G, thereby conducting a current path between its source electrode and the drain electrode. During the on-time period of the scan switch SW, the data voltage from the data line D is applied to the gate electrode and the storage capacitor Cst of the driving switch DR via the source electrode and the drain electrode of the scan switch SW. is authorized The driving switch DR controls the current flowing through the organic light emitting diode OLED according to the difference voltage Vgs between its gate electrode and the source electrode. The storage capacitor Cst maintains the voltage supplied to the gate electrode of the driving switch DR constant for one frame period by storing the data voltage applied to one electrode of the storage capacitor Cst. The organic light emitting diode OLED implemented with the structure shown in FIG. 1 is connected between the source electrode of the driving switch DR and the low potential driving voltage source VSS. The current flowing through the organic light emitting diode (OLED) is proportional to the brightness of the pixel, which is determined by the gate-source voltage of the driving switch (DR). The brightness of the pixel shown in FIG. 2 is proportional to the current flowing through the organic light emitting diode (OLED) as shown in Equation 1 below.

수학식 1Equation 1

Figure 112014119988634-pat00001
Figure 112014119988634-pat00001

여기서, 'Vgs'는 구동 스위치(DR)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs) 사이의 차 전압, 'Vdata'는 데이터전압, 'Vinit'는 초기화 전압, 'Ioled'는 구동전류, 'Vth'는 구동 스위치(DR)의 문턱전압, 'k'는 구동 스위치(DR)의 이동도 및 기생용량에 의해 결정되는 상수값을 각각 의미한다.Here, 'Vgs' is the difference voltage between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving switch DR, 'Vdata' is the data voltage, 'Vinit' is the initialization voltage, 'Ioled' is the driving current, ' Vth' denotes a threshold voltage of the driving switch DR, and 'k' denotes a constant value determined by mobility and parasitic capacitance of the driving switch DR, respectively.

수학식 1과 같이, 유기발광다이오드(OLED)의 전류(Ioled)는 구동 스위치(DR)의 문턱전압(Vth) 및 이동도(k)에 크게 영향 받는다는 것을 알 수 있다. 따라서 전체 영상 이미지의 균일도는 구동 스위치(DR)의 특성 편차, 즉 이동도(k)와 문턱전압(Vth)의 편차에 의해 좌우된다. 한편 유기발광다이오드 표시장치를 위한 구동 스위치(DR)는 비정질 실리콘(s-Si) 또는 저온 다결정 실리콘(LTPS) 기반에서 제작할 수 있다. 비정질 실리콘 구동 스위치는 특성이 매우 균일하지만 문턱전압 이동 등의 안정성의 문제가 있다. 그리고 이동도가 낮아서 구동 회로를 패널 위에 직접 하기가 어렵다. 이에 반해 저온 다결정 실리콘 구동 스위치는 상대적으로 안정성이 높고 이동도가 높지만, 드레인 경계의 불규칙성으로 인해 문턱전압과 이동도 특성에 대한 화소 간 편차가 크다.As shown in Equation 1, it can be seen that the current Ioled of the organic light emitting diode OLED is greatly affected by the threshold voltage Vth and the mobility k of the driving switch DR. Accordingly, the uniformity of the entire video image is affected by the characteristic deviation of the driving switch DR, that is, the deviation between the mobility k and the threshold voltage Vth. Meanwhile, the driving switch DR for the organic light emitting diode display may be manufactured based on amorphous silicon (s-Si) or low-temperature polycrystalline silicon (LTPS). Although the amorphous silicon driving switch has very uniform characteristics, there is a problem in stability such as threshold voltage shift. And it is difficult to directly build the driving circuit on the panel due to the low mobility. On the other hand, low-temperature polycrystalline silicon driving switches have relatively high stability and high mobility, but there is a large deviation between pixels in threshold voltage and mobility characteristics due to the irregularity of the drain boundary.

<유기발광다이오드 표시장치의 블록도><Block diagram of organic light emitting diode display device>

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.3 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시패널(116), 게이트 구동회로(118), 데이터 구동회로(120) 및 타이밍 콘트롤러(124)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the organic light emitting diode display according to the embodiment of the present invention may include a display panel 116 , a gate driving circuit 118 , a data driving circuit 120 , and a timing controller 124 .

표시패널(116)은 서로 일대일로 대응되어 m개의 쌍을 이루는 m개의 데이터라인들(D1 내지 Dm), k 개의 센싱 라인(S1 내지 Sk) 및 n개의 게이트라인들(G1 내지 Gn)의 교차 영역에 형성된 m×n 개의 화소들(122)을 구비할 수 있다. 또한 상기 표시패널(116)은 j개의 센싱 제어 라인(SC1 내지 SCj)를 포함할 수 있고, 상기 센싱 제어 라인(SC1 내지 SCj) 중에서 제1 센싱 제어 라인(SC1)의 경우에는 게이트 구동회로(118)와 첫번째 수평 라인 상의 화소들을 서로 연결시키고 있으나, 나머지 센싱 제어 라인(SC2 내지 SCj)의 경우에는 게이트 라인들(G1 내지 Gn)과 나머지 화소들을 서로 연결시킬 수 있다.The display panel 116 has an intersection region of m data lines D1 to Dm, k sensing lines S1 to Sk, and n gate lines G1 to Gn, which correspond to each other on a one-to-one basis to form m pairs. It may include m×n pixels 122 formed in . Also, the display panel 116 may include j number of sensing control lines SC1 to SCj, and in the case of the first sensing control line SC1 among the sensing control lines SC1 to SCj, the gate driving circuit 118 ) and the pixels on the first horizontal line are connected to each other, but in the case of the remaining sensing control lines SC2 to SCj, the gate lines G1 to Gn and the remaining pixels may be connected to each other.

즉, 인접한 화소들 간의 게이트 라인과 센싱 제어 라인은 서로 연결될 수 있다.That is, the gate line and the sensing control line between adjacent pixels may be connected to each other.

이러한 표시패널(116)에는 각각의 화소들(122)에 제1 구동 전원(Vdd)을 공급하는 신호배선들, 제2 구동 전원(Vss)을 공급하는 신호배선들이 형성될 수 있다. 여기서, 제1 구동 전원(Vdd) 및 제2 구동 전원(Vss)은 각각 고전위 구동전압원(VDD) 및 저전위 구동전압원(VSS)로부터 발생될 수 있다.Signal wirings supplying the first driving power Vdd and the signal wirings supplying the second driving power Vss to each of the pixels 122 may be formed on the display panel 116 . Here, the first driving power Vdd and the second driving power Vss may be generated from the high potential driving voltage source VDD and the low potential driving voltage source VSS, respectively.

게이트 구동회로(118)는 타이밍 콘트롤러(124)로부터의 게이트 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔펄스(SP)를 발생하여 게이트라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 공급할 수 있다.The gate driving circuit 118 may generate a scan pulse SP in response to the gate control signal GDC from the timing controller 124 and sequentially supply the scan pulses SP to the gate lines G1 to Gn.

또한 게이트 구동회로(118)는 타이밍 콘트롤러(124)로부터의 제어되어 제1 센싱 제어 라인(SC1)에 센싱 제어 신호(SCS)를 출력할 수 있고, 상기 센싱 제어 신호(SCS)에 의하여 제1 수평 라인 상의 화소 내의 센싱 스위치가 제어될 수 있다. 그리고 상기 제1 수평 라인 상의 화소를 제외한 나머지 화소들의 센싱 스위치는 게이트 구동회로(118)의 게이트 라인으로부터 제공되는 스캔 펄스에 의하여 제어될 수 있다.In addition, the gate driving circuit 118 may be controlled by the timing controller 124 to output the sensing control signal SCS to the first sensing control line SC1 , and by the sensing control signal SCS, the first horizontal A sensing switch in the pixel on the line can be controlled. In addition, sensing switches of pixels other than the pixel on the first horizontal line may be controlled by a scan pulse provided from a gate line of the gate driving circuit 118 .

이와 같이 표시패널(116)의 최 상단에 위치하는 제1 수평 라인 상의 서브 화소는 이전 서브 화소가 존재하지 않으므로 이들의 센싱 스위치를 구동시키기 위한 제어 라인으로써 게이트 구동회로(118)는 하나의 센싱 제어 라인(SC1)만을 구비할 수 있으므로, 라인 수 감소에 따른 개구율을 확보할 수 있다.As described above, since the sub-pixels on the first horizontal line positioned at the top of the display panel 116 do not have previous sub-pixels, as a control line for driving their sensing switches, the gate driving circuit 118 performs one sensing control. Since only the line SC1 may be provided, an aperture ratio according to a decrease in the number of lines may be secured.

상기 게이트 구동회로(118)가 스캔펄스(SP)와 센싱 제어 신호(SCS)를 모두 출력하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 타이밍 콘트롤러(124)에 의하여 제어되어 센싱 제어 신호(SCS)를 출력할 수 있는 별로의 센싱 스위치 제어 드라이버를 구비할 수도 있다.It has been described that the gate driving circuit 118 outputs both the scan pulse SP and the sensing control signal SCS, but is not limited thereto, and is controlled by the timing controller 124 to generate the sensing control signal SCS. A separate sensing switch control driver capable of outputting may be provided.

데이터 구동회로(120)는 타이밍 콘트롤러(124)로부터 데이터 제어신호(DDC)에 의하여 제어될 수 있고, 데이터 라인(D1 내지 Dm)으로 데이터 전압과 센싱 라인(S1 내지 Sk)으로 센싱 전압을 출력할 수 있다.The data driving circuit 120 may be controlled by a data control signal DDC from the timing controller 124 and output a data voltage to the data lines D1 to Dm and a sensing voltage to the sensing lines S1 to Sk. can

각 데이터 라인(D1 내지 Dm)은 각 화소(122)에 각각 연결되어 화소(122) 각각에 데이터 전압을 인가할 수 있다.Each of the data lines D1 to Dm may be respectively connected to each pixel 122 to apply a data voltage to each of the pixels 122 .

각 센싱 라인(S1 내지 Sk)은 화소(122)에 연결되어 센싱 전압을 공급할 수 있고, 센싱 라인(S1 내지 Sk) 상의 센싱 전압을 측정할 수 있다. 구체적으로 하나의 센싱 라인(S1 내지 Sk)을 이용하여 초기화 전압을 공급함으로써 초기화 전압으로 충전과 플로팅(floating)을 이용한 센싱 전압을 검출을 할 수 있다.Each of the sensing lines S1 to Sk may be connected to the pixel 122 to supply a sensing voltage and measure the sensing voltage on the sensing lines S1 to Sk. Specifically, by supplying an initialization voltage using one sensing line S1 to Sk, a sensing voltage using charging and floating can be detected as the initialization voltage.

상기 데이터 구동회로(120)가 데이터 전압과 센싱 전압을 출력 또는 검출할 수 있는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 센싱 전압을 출력하거나 검출할 수 있는 별도의 드라이버를 구비할 수도 있다.Although it has been described that the data driving circuit 120 can output or detect the data voltage and the sensing voltage, the present invention is not limited thereto, and a separate driver capable of outputting or detecting the sensing voltage may be provided.

<화소 구조><Pixel structure>

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소 구조를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a pixel structure according to an embodiment of the present invention.

본 발명에서 설명하는 화소(122)는 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue), 화이트(White) 중 어느 하나의 화소를 지칭할 수 있으며, 이를 별도로 서브 화소라고 지칭할 수 있다. The pixel 122 described in the present invention may refer to any one of red, green, blue, and white pixels, and this may be separately referred to as a sub-pixel.

또한 제1 게이트 라인(G1)에 연결된 서브 화소들을 제1 수평라인 상의 서브 화소들이라고 지칭하면, 제n 게이트 라인(Gn)에 연결된 서브 화소들을 제n 수평라인 상의 서브 화소들이라고 지칭할 수 있다. 그리고 제1 데이터 라인(D1)에 연결된 서브 화소들을 제1 수직라인 상의 서브 화소들이라고 지칭하면, 제m 데이터 라인(Dm)에 연결된 서브 화소들을 제m 수직라인 상의 서브 화소들이라고 지칭할 수 있다.Also, when sub-pixels connected to the first gate line G1 are referred to as sub-pixels on the first horizontal line, sub-pixels connected to the n-th gate line Gn may be referred to as sub-pixels on the n-th horizontal line. . In addition, when sub-pixels connected to the first data line D1 are referred to as sub-pixels on the first vertical line, sub-pixels connected to the m-th data line Dm may be referred to as sub-pixels on the m-th vertical line. .

도 4를 참조하면, 표시패널(116)의 영역에서 수직 라인 상에 순차적으로 위치한 제1 내지 제3 서브 화소(122n-1, 122n, 122n+1)를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 화소(122n-1, 122n, 122n+1)는 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue) 그리고 화이트(White) 중 어느 하나의 화소가 될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the display panel 116 may include first to third sub-pixels 122n-1, 122n, and 122n+1 sequentially positioned on a vertical line. The first to third sub-pixels 122n-1, 122n, and 122n+1 may be any one of red, green, blue, and white pixels.

상기 제1 서브 화소(122n-1)는 제1 스캔 스위치(SWn-1), 제1 구동 스위치(DRn-1), 제1 센싱 스위치(SEWn-1) 그리고 유기발광다이오드(OLED)와 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.The first sub-pixel 122n-1 includes a first scan switch SWn-1, a first driving switch DRn-1, a first sensing switch SEWn-1, an organic light emitting diode (OLED), and a storage capacitor. (Cst) may be included.

제1 스캔 스위치(SWn-1)는 상기 제1 스캔 라인(Gn-1)라인 상의 스캔 펄스(SP)에 의해 제어되고 데이터 라인(Dm) 상의 데이터를 제1 서브 화소(122n-1)에 공급하기 위한 트랜지스터로써 데이터 라인(Dm)과 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다.The first scan switch SWn-1 is controlled by the scan pulse SP on the first scan line Gn-1 and supplies data on the data line Dm to the first sub-pixel 122n-1. This transistor may be connected between the data line Dm and the first node N1.

상기 제1 구동 스위치(DRn-1)는 자신의 게이트-소스인 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 조절하는 트랜지스터로써, 게이트 단자가 제1 노드(N1)에 연결되고, 소스 단자가 제2 노드(N2)에 연결되고, 드레인 단자가 제1 구동 전원(Vdd)에 연결될 수 있다.The first driving switch DRn-1 is a transistor that controls the current flowing through the organic light emitting diode OLED by the voltage between the first node N1 and the second node N2, which is its gate-source, The gate terminal may be connected to the first node N1 , the source terminal may be connected to the second node N2 , and the drain terminal may be connected to the first driving power source Vdd.

상기 제1 센싱 스위치(SEWn-1)는 제2 노드(N2)을 초기화 및 센싱 라인(Sk)을 통해 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압을 검출할 수 있도록 제어하는 트랜지스터로써, 이전 서브 화소(122n-2)의 게이트라인(Gn-2) 상의 스캔 펄스(SP)에 의해 제어되고 제2 및 제3 노드(N2, N3) 사이에 연결될 수 있다.The first sensing switch SEWn-1 is a transistor that initializes the second node N2 and controls the threshold voltage of the first driving switch DRn-1 to be detected through the sensing line Sk. It is controlled by the scan pulse SP on the gate line Gn-2 of the sub-pixel 122n-2 and may be connected between the second and third nodes N2 and N3.

상기 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 단자는 제2 노드(N2)에 연결되고, 캐소드 단자는 제2 구동 전원(Vss)에 연결될 수 있다.The anode terminal of the organic light emitting diode OLED may be connected to the second node N2 , and the cathode terminal may be connected to the second driving power source Vss.

상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 및 제2 노드(N1, N2) 사이, 즉 제1 구동 스위치(DRn-1)의 게이트 및 소스 단자 사이에 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be connected between the first and second nodes N1 and N2 , that is, between the gate and the source terminal of the first driving switch DRn-1.

상기 제2 서브 화소(122n)는 제2 스캔 스위치(SWn), 제2 구동 스위치(DRn), 제2 센싱 스위치(SEWn) 그리고 유기발광다이오드(OLED)와 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.The second sub-pixel 122n may include a second scan switch SWn, a second driving switch DRn, a second sensing switch SEWn, an organic light emitting diode OLED, and a storage capacitor Cst. .

제2 스캔 스위치(SWn)는 상기 제2 스캔 라인(Gn)라인 상의 스캔 펄스(SP)에 의해 제어되고 데이터 라인(Dm) 상의 데이터를 제2 서브 화소(122n)에 공급하기 위한 트랜지스터로써 데이터 라인(Dm)과 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다.The second scan switch SWn is a transistor controlled by the scan pulse SP on the second scan line Gn and supplies data on the data line Dm to the second sub-pixel 122n. It may be connected between (Dm) and the first node (N1).

상기 제2 구동 스위치(DRn)는 자신의 게이트-소스인 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 조절하는 트랜지스터로써, 게이트 단자가 제1 노드(N1)에 연결되고, 소스 단자가 제2 노드(N2)에 연결되고, 드레인 단자가 제1 구동 전원(Vdd)에 연결될 수 있다.The second driving switch DRn is a transistor that controls the current flowing through the organic light emitting diode OLED by the voltage between the first node N1 and the second node N2, which are its gate-source, and has a gate terminal. may be connected to the first node N1 , a source terminal may be connected to the second node N2 , and a drain terminal may be connected to the first driving power source Vdd.

상기 제2 센싱 스위치(SEWn)는 제2 노드(N2)을 초기화 및 센싱 라인(Sk)을 통해 제2 구동 스위치(DRn)의 문턱 전압을 검출할 수 있도록 제어하는 트랜지스터로써, 수직 라인 상의 이전 서브 화소(122n-1)의 게이트라인(Gn-1) 상의 스캔 펄스(SP)에 의해 제어되고 제2 및 제3 노드(N2, N3) 사이에 연결될 수 있다.The second sensing switch SEWn is a transistor that initializes the second node N2 and controls the threshold voltage of the second driving switch DRn through the sensing line Sk to be detected. It is controlled by the scan pulse SP on the gate line Gn-1 of the pixel 122n-1 and may be connected between the second and third nodes N2 and N3.

상기 제3 서브 화소(122n+1)는 제3 스캔 스위치(SWn+1), 제3 구동 스위치(DRn+1), 제3 센싱 스위치(SEWn+1) 그리고 유기발광다이오드(OLED)와 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.The third sub-pixel 122n+1 includes a third scan switch SWn+1, a third driving switch DRn+1, a third sensing switch SEWn+1, an organic light emitting diode (OLED), and a storage capacitor. (Cst) may be included.

제3 스캔 스위치(SWn+1)는 상기 제3 스캔 라인(Gn+1)라인 상의 스캔 펄스(SP)에 의해 제어되고 데이터 라인(Dm) 상의 데이터를 제3 서브 화소(122n+1)에 공급하기 위한 트랜지스터로써 데이터 라인(Dm)과 제1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다.The third scan switch SWn+1 is controlled by the scan pulse SP on the third scan line Gn+1 and supplies data on the data line Dm to the third sub-pixel 122n+1. This transistor may be connected between the data line Dm and the first node N1.

상기 제3 구동 스위치(DRn+1)는 자신의 게이트-소스인 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압에 의해 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 조절하는 트랜지스터로써, 게이트 단자가 제1 노드(N1)에 연결되고, 소스 단자가 제2 노드(N2)에 연결되고, 드레인 단자가 제1 구동 전원(Vdd)에 연결될 수 있다.The third driving switch DRn+1 is a transistor that regulates the current flowing through the organic light emitting diode OLED by the voltage between the first node N1 and the second node N2, which is its gate-source, The gate terminal may be connected to the first node N1 , the source terminal may be connected to the second node N2 , and the drain terminal may be connected to the first driving power source Vdd.

상기 제3 센싱 스위치(SEWn+1)는 제2 노드(N2)을 초기화 및 센싱 라인(Sk)을 통해 제3 구동 스위치(DRn+1)의 문턱 전압을 검출할 수 있도록 제어하는 트랜지스터로써, 수직 라인 상의 이전 서브 화소(122n)의 게이트라인(Gn) 상의 스캔 펄스(SP)에 의해 제어되고 제2 및 제3 노드(N2, N3) 사이에 연결될 수 있다.The third sensing switch SEWn+1 is a transistor that controls the second node N2 to detect the threshold voltage of the third driving switch DRn+1 through the initialization and sensing line Sk. It may be controlled by the scan pulse SP on the gate line Gn of the previous sub-pixel 122n on the line and may be connected between the second and third nodes N2 and N3.

전술한 바와 같이 수직 라인 상의 n번째 서브 화소(122n)의 센싱 스위치(SEWn)는 이전 서브 화소(122n-1)의 게이트 라인(Gn-1)에 연결될 수 있다. 그리하여 이전 서브 화소(122n-1)의 게이트 라인(Gn-1) 상의 스캔 펄스에 의하여 이전 서브 화소(122n-1)의 스캔 스위치(SWn-1) 및 n번째 서브 화소(122n)의 센싱 스위치(SEWn)가 함께 구동할 수 있다. 이와 같이 수직 라인 상의 인접한 서브 화소(122)의 게이트라인(G)을 센싱 스위치(SEW)를 구동하기 위한 센싱 라인(SC)으로 이용함으로써 라인 감소에 따른 개구율을 증가시킬 수 있다.As described above, the sensing switch SEWn of the n-th sub-pixel 122n on the vertical line may be connected to the gate line Gn-1 of the previous sub-pixel 122n-1. Thus, by the scan pulse on the gate line Gn-1 of the previous sub-pixel 122n-1, the scan switch SWn-1 of the previous sub-pixel 122n-1 and the sensing switch (SWn-1) of the n-th sub-pixel 122n SEWn) can be driven together. As described above, by using the gate line G of the adjacent sub-pixel 122 on the vertical line as the sensing line SC for driving the sensing switch SEW, the aperture ratio according to the line reduction can be increased.

한편 도 4에서 제2 서브 화소(122n)의 제1 내지 제3 노드(N1~N3)를 제4 내지 제6 노드(N4~N6)로 지칭할 수 있고, 제3 서브 화소(122n+1)의 제1 내지 제3 노드(N1~N3)를 제7 내지 제9 노드(N7~N9)로 지칭할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 4 , the first to third nodes N1 to N3 of the second sub-pixel 122n may be referred to as fourth to sixth nodes N4 to N6 , and the third sub-pixel 122n+1 The first to third nodes N1 to N3 of may be referred to as seventh to ninth nodes N7 to N9.

<문턱 전압의 외부 보상 방식><External compensation method of threshold voltage>

문턱 전압을 외부 보상 방식으로 진행하는 경우, 서브 화소(122)내의 구동 스위치(DR)의 게이트 단자에 문턱 전압의 보상을 위한 데이터 신호가 인가된다. 그리고 플로팅(floating) 상태인 제2 노드(N2) 상의 전압이 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류에 의하여 상승하고, 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류는 상기 구동 스위치(DR)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압이 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth)이 되는 경우 흐름이 중단된다. 이때 센싱 라인(Sk)을 통해 제2 노드(N2) 상의 전압을 검출하여 이를 입력한 데이터 신호와 비교하면 Vg(=Vdata)-Vs(N2노드 전압)=Vth에 의하여 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth)을 검출할 수 있다. 이와 같이 문턱 전압은 외부 보상 방식을 이용하여 보상할 수 있고, 이러한 외부 보상 방식을 이용한 문턱 전압은 유기발광다이오드 표시장치의 초기 구동 단계에서 수행될 수 있다.When the threshold voltage is externally compensated, a data signal for compensating the threshold voltage is applied to the gate terminal of the driving switch DR in the sub-pixel 122 . And the voltage on the second node N2 in the floating state rises by the current flowing in the driving switch DR, and the current flowing in the driving switch DR is the gate terminal and the source terminal of the driving switch DR. When the voltage between them becomes the threshold voltage Vth of the driving switch DR, the flow is stopped. At this time, when the voltage on the second node N2 is detected through the sensing line Sk and compared with the input data signal, the threshold of the driving switch DR is Vg(=Vdata)-Vs(N2 node voltage)=Vth. The voltage Vth can be detected. As described above, the threshold voltage may be compensated using an external compensation method, and the threshold voltage using the external compensation method may be performed in the initial driving stage of the organic light emitting diode display device.

< 이동도 보상 방법>< How to compensate for mobility>

도 5는 이동도를 보상하는 방법에 따른 서브 화소의 신호들의 파형도이다.5 is a waveform diagram of signals of sub-pixels according to a method of compensating for mobility.

이하 설명할 이동도는 내부 보상 방식으로 보상할 수 있다. 이러한 내부 보상 방식은 유기발광다이오드 표시장치의 구동 단계에서 실시간으로 진행할 수 있다.Mobility, which will be described below, may be compensated for using an internal compensation method. This internal compensation method may be performed in real time in the driving stage of the organic light emitting diode display.

도 5를 참조하여, n번째 서브 화소(122n)을 기준으로 설명하면, 초기화구간(Tin)에 모든 스캔 스위치(SW)에 하이 논리의 스캔 펄스(SP)가 공급되므로, 모든 서브 화소(122)의 구동 스위치(DR)의 게이트 및 소스 단자인 제1 및 제2 노드(N1, N2)가 각각 초기화된다. 그 후 n번째 서브 화소(122n)에서 제2 구동 스위치(DRn)의 소스 단자인 제2 노드(N2)는 n-1번째 서브 화소(122n-1)의 제1 스캔 스위치(SWn-1)에 하이 논리의 스캔 펄스(SP)가 공급될 때 다시 한번 초기화되고 n번째 서브 화소(122n)의 제2 구동 스위치(DRn)의 게이트 단자인 제1 노드(N1)는 제2 스캔 스위치(SWn)의 턴온에 의하여 데이터 라인(Dm)상의 영상 표시를 위한 데이터 전압이 라이팅(Writing) 되며, 라이팅(Writing) 되는 동시에 제2 구동 스위치(DRn)의 전류 능력에 따라 제2 노드(N2) 상의 전압의 상승 정도가 달라지면서 이동도(k)가 보상된다. Referring to FIG. 5 , if the n-th sub-pixel 122n is described as a reference, high logic scan pulses SP are supplied to all the scan switches SW in the initialization period Tin, so all the sub-pixels 122 The first and second nodes N1 and N2, which are gate and source terminals of the driving switch DR of , are initialized, respectively. Thereafter, in the n-th sub-pixel 122n, the second node N2, which is the source terminal of the second driving switch DRn, is connected to the first scan switch SWn-1 of the n-th sub-pixel 122n-1. When the high logic scan pulse SP is supplied, the first node N1 is initialized once again and is the gate terminal of the second driving switch DRn of the n-th sub-pixel 122n. The data voltage for image display on the data line Dm is written by turning on, and the voltage on the second node N2 is increased according to the current capability of the second driving switch DRn while being written. As the degree changes, the mobility (k) is compensated.

도 6은 이동도를 보상하는 방법에 따른 제1 내지 제3 서브 화소의 신호들의 파형도이다.6 is a waveform diagram of signals of first to third sub-pixels according to a method of compensating for mobility.

도 6을 참조하여, 표시패널(116)의 수직 라인 상의 제1 내지 제3 서브 화소(122n-1, 122n, 122n+1)의 이동도를 보상하는 방법에 대해서 설명한다.A method of compensating for mobility of the first to third sub-pixels 122n-1, 122n, and 122n+1 on a vertical line of the display panel 116 will be described with reference to FIG. 6 .

<제1 시구간(T1)><First time period (T1)>

제1 시구간(T1) 동안 모든 게이트 라인(Gn-1, Gn, Gn+1)으로 하이 논리의 스캔 펄스(SP)가 공급됨으로써 모든 스캔 스위치(SWn-1, SWn, SWn+1) 및 모든 센싱 스위치(SEWn-1, SEWn, SEWn+1)가 턴온됨으로써 모든 구동 스위치(DRn-1, DRn, DRn+1)의 게이트 및 소스 노드인 제1 및 제2 노드(N1, N2)가 초기화된다. During the first time period T1, a high logic scan pulse SP is supplied to all the gate lines Gn-1, Gn, and Gn+1, so that all the scan switches SWn-1, SWn, SWn+1 and all the scan switches SWn-1, SWn, SWn+1 and all When the sensing switches SEWn-1, SEWn, and SEWn+1 are turned on, the first and second nodes N1 and N2 that are gate and source nodes of all the driving switches DRn-1, DRn, and DRn+1 are initialized. .

이 때 상기 제1 노드(N1)는 데이터 라인(Dm) 상의 전압에 의해 초기화되고, 상기 제2 노드(N2)는 센싱 라인(Sk) 상의 전압에 의해 초기화된다.At this time, the first node N1 is initialized by the voltage on the data line Dm, and the second node N2 is initialized by the voltage on the sensing line Sk.

<제2 시구간(T2)><Second time period (T2)>

제2 시구간(T2) 동안 제1 스캔 스위치(SWn-1)상에 인가되는 하이 논리의 스캔 펄스(SP)에 의하여 상기 제1 스캔 스위치(SWn-1) 및 제2 서브 화소(122n)상의 제2 센싱 스위치(SEWn)이 턴온될 수 있다. 제1 서브 화소(122n-1)의 제1 노드(N1)는 상기 제1 스캔 스위치(SWn-1)가 턴온됨에 따라 데이터 라인(Dm) 상의 데이터 전압에 의해 재 초기화되고, 제2 서브 화소(122n) 상의 제2 노드(N2)는 제2 센싱 스위치(SEWn)가 턴온됨에 따라 센싱 라인(Sk) 상의 초기화 전압에 의하여 재 초기화 될 수 있다.During the second time period T2, the first scan switch SWn-1 and the second sub-pixel 122n are formed by the high logic scan pulse SP applied to the first scan switch SWn-1. The second sensing switch SEWn may be turned on. The first node N1 of the first sub-pixel 122n-1 is re-initialized by the data voltage on the data line Dm as the first scan switch SWn-1 is turned on, and the second sub-pixel ( The second node N2 on 122n may be re-initialized by the initialization voltage on the sensing line Sk as the second sensing switch SEWn is turned on.

또한 데이터 라인(Dm) 상으로 재 초기화를 위한 전압으로부터 변동된 영상 표시를 위한 데이터 신호(도면에서는 하이 논리 신호로 표현)가 들어오면, 제1 서브 화소(122n-1)의 제1 노드(N1)의 전압은 상승하고, 플로팅(floating) 상태인 제1 서브 화소(122n-1)의 제2 노드(N2)의 전압 또한 제1 서브 화소(122n-1)의 제1 구동 스위치(DRn-1)에 흐르는 전류에 의하여 상승한다. 이 때 상기 제1 서브 화소(122n-1)의 제2 노드(N2) 상의 전압의 증가량은 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)의 특성, 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)의 이동도에 따라서 달라질 수 있다.Also, when a data signal (expressed as a high logic signal in the drawing) for displaying an image changed from a voltage for re-initialization is received on the data line Dm, the first node N1 of the first sub-pixel 122n-1 ) increases, and the voltage of the second node N2 of the first sub-pixel 122n-1 in a floating state also increases the first driving switch DRn-1 of the first sub-pixel 122n-1. ) rises by the current flowing through it. In this case, the amount of increase in the voltage on the second node N2 of the first sub-pixel 122n-1 depends on the characteristics of the first driving switch DRn-1 and the mobility of the first driving switch DRn-1. may vary depending on

<제3 시구간(T3)><Third time period (T3)>

제2 시구간(T2) 이후 제1 서브 화소(122n-1)는 발광 구간으로 들어갈 수 있고, 제3 시구간(T3) 동안 제2 스캔 스위치(SWn)상에 인가되는 하이 논리의 스캔 펄스(SP)에 의하여 상기 제2 스캔 스위치(SWn) 및 제3 서브 화소(122n+1)상의 제3 센싱 스위치(SEWn+1)이 턴온될 수 있다. 제2 서브 화소(122n)의 제1 노드(N1)는 상기 제2 스캔 스위치(SWn)가 턴온됨에 따라 데이터 라인(Dm) 상의 데이터 전압에 의해 재 초기화되고, 제3 서브 화소(122n+1) 상의 제2 노드(N2)는 제3 센싱 스위치(SEWn+1)가 턴온됨에 따라 센싱라인(Sk) 상의 초기화 전압에 의하여 재 초기화 될 수 있다.After the second time period T2, the first sub-pixel 122n-1 may enter the emission period, and during the third time period T3, a high logic scan pulse (SWn) applied on the second scan switch SWn SP) may turn on the second scan switch SWn and the third sensing switch SEWn+1 on the third sub-pixel 122n+1. The first node N1 of the second sub-pixel 122n is re-initialized by the data voltage on the data line Dm as the second scan switch SWn is turned on, and the third sub-pixel 122n+1 The second node N2 of the phase may be re-initialized by the initialization voltage on the sensing line Sk as the third sensing switch SEWn+1 is turned on.

또한 데이터 라인(Dm) 상으로 재 초기화를 위한 전압으로부터 변동된 데이터 신호(도면에서는 하이 논리 신호로 표현)가 들어오면, 제2 서브 화소(122n)의 제1 노드(N1)의 전압은 상승하고, 플로팅(floating) 상태인 제2 서브 화소(122n)의 제2 노드(N2)의 전압 또한 제2 서브 화소(122n)의 제2 구동 스위치(DRn)에 흐르는 전류에 의하여 상승한다. 이 때 상기 제2 서브 화소(122n)의 제2 노드(N2) 상의 전압의 상승량은 상기 제2 구동 스위치(DRn)의 이동도에 따라서 달라질 수 있다.Also, when a data signal (expressed as a high logic signal in the drawing) changed from a voltage for re-initialization is received on the data line Dm, the voltage of the first node N1 of the second sub-pixel 122n rises and , the voltage of the second node N2 of the second sub-pixel 122n in the floating state also increases by the current flowing through the second driving switch DRn of the second sub-pixel 122n. In this case, the amount of increase of the voltage on the second node N2 of the second sub-pixel 122n may vary according to the mobility of the second driving switch DRn.

<제4 시구간(T4)><4th time period (T4)>

제4 시구간(T4) 동안 제3 서브 화소(122n+1)는 전술한 제3 시구간(T3) 동안 제2 서브 화소(122n)가 동작한 방식과 동일한 방식으로 동작할 수 있다. During the fourth time period T4 , the third sub-pixel 122n+1 may operate in the same manner as that of the second sub-pixel 122n during the aforementioned third time period T3 .

전술한 이동도 보상 방식에 따라서 모든 서브 화소(122)의 구동 스위치(DR)의 이동도는 보상될 수 있다. 수학식 2를 참조하면, 이동도(k)가 큰 구동 스위치(DR)의 경우 제2 노드(N2) 상의 전압의 상승이 빨라 구동 스위치(DR)의 게이트 및 소스 사이의 전압(Vgs)은 작아진다. According to the aforementioned mobility compensation scheme, the mobility of the driving switches DR of all sub-pixels 122 may be compensated. Referring to Equation 2, in the case of the driving switch DR having a large mobility k, the voltage on the second node N2 rises quickly and the voltage Vgs between the gate and the source of the driving switch DR is small. lose

수학식 2 Equation 2

Figure 112014119988634-pat00002
Figure 112014119988634-pat00002

즉, 상기 수학식 2에서 이동도(k)와 구동 스위치(DR)의 게이트 및 소스 사이의 전압(Vgs)은 반비례하게 되어 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류(Ioled)의 이동도(k)에 대한 영향을 줄일 수 있다.That is, in Equation 2, the mobility k and the voltage Vgs between the gate and the source of the driving switch DR are in inverse proportion to the mobility k of the current Ioled flowing through the driving switch DR. can reduce the impact on

<문턱 전압 및 이동도 보상 방법><Threshold voltage and mobility compensation method>

도 7은 구동 스위치의 문턱 전압 및 이동도를 함께 보상하는 방식에 있어서 신호 파형도를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating signal waveforms in a method of compensating for both a threshold voltage and mobility of a driving switch.

도 7을 참조하면, 내부보상방식으로 모든 서브 화소(122)의 구동 스위치(DR)의 문턱 전압과 이동도를 함께 보상할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the threshold voltage and mobility of the driving switches DR of all sub-pixels 122 may be compensated for together using the internal compensation method.

<제1 시구간(T1)><First time period (T1)>

제1 시구간(T1) 동안 모든 게이트 라인(Gn-1, Gn, Gn+1)으로 하이 논리의 스캔 펄스(SP)가 공급됨으로써 모든 스캔 스위치(SWn-1, SWn, SWn+1) 및 모든 센싱 스위치(SEWn-1, SEWn, SEWn+1)가 턴온됨으로써 모든 구동 스위치(DRn-1, DRn, DRn+1)의 게이트 및 소스 노드인 제1 및 제2 노드(N1, N2)가 초기화된다.During the first time period T1, a high logic scan pulse SP is supplied to all the gate lines Gn-1, Gn, and Gn+1, so that all the scan switches SWn-1, SWn, SWn+1 and all the scan switches SWn-1, SWn, SWn+1 and all When the sensing switches SEWn-1, SEWn, and SEWn+1 are turned on, the first and second nodes N1 and N2 that are gate and source nodes of all the driving switches DRn-1, DRn, and DRn+1 are initialized. .

이와 같이 보상의 정확도를 높이기 위한 모든 서브 화소(122)의 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 및 소스 단자(N1, N2)를 한번에 초기화할 수 있다.As described above, the gate and source terminals N1 and N2 of the driving transistors DR of all sub-pixels 122 may be initialized at once to increase the accuracy of compensation.

<제2 시구간(T2)><Second time period (T2)>

제2 시구간(T2) 동안 제1 스캔 스위치(SWn-1)상에 인가되는 하이 논리의 스캔 펄스(SP)에 의하여 상기 제1 스캔 스위치(SWn-1) 및 제2 서브 화소(122n)상의 제2 센싱 스위치(SEWn)이 턴온될 수 있다. 제1 서브 화소(122n-1)의 제1 노드(N1)에는 상기 제1 스캔 스위치(SWn-1)가 턴온됨에 따라 데이터 라인(Dm) 상의 문턱 전압 보상을 위한 제1 데이터 전압이 인가되고, 제2 서브 화소(122n) 상의 제2 노드(N2)는 제2 센싱 스위치(SEWn)가 턴온됨에 따라 센싱라인(Sk) 상의 초기화 전압에 의하여 재 초기화 될 수 있다.During the second time period T2, the first scan switch SWn-1 and the second sub-pixel 122n are formed by the high logic scan pulse SP applied to the first scan switch SWn-1. The second sensing switch SEWn may be turned on. A first data voltage for compensating a threshold voltage on the data line Dm is applied to the first node N1 of the first sub-pixel 122n-1 as the first scan switch SWn-1 is turned on; The second node N2 on the second sub-pixel 122n may be re-initialized by the initialization voltage on the sensing line Sk as the second sensing switch SEWn is turned on.

또한 데이터 라인(Dm) 상으로 변동된 제1 데이터 신호(도면에서는 하이 논리 신호로 표현)가 들어오면, 제1 서브 화소(122n-1)의 제1 노드(N1)의 전압은 상승하고, 플로팅(floating) 상태인 제1 서브 화소(122n-1)의 제2 노드(N2)의 전압 또한 제1 서브 화소(122n-1)의 제1 구동 스위치(DRn-1)에 흐르는 전류에 의하여 상승한다. 이 때 상기 제1 서브 화소(122n-1)의 제2 노드(N2) 상의 전압은 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압(Vth)에 의하여 Vg-Vth 만큼 상승할 수 있다. 그리고 이러한 과정은 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)에 거의 전류가 흐르지 않을 때까지 계속되며, 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)가 턴 오프될 때 동작을 마무리한다. 그리고 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압(Vth)은 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된다. 이 때 상기 제1 서브 화소(122n-1)의 제2 노드(N2) 상의 전압은 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압(Vth)에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압(Vth)이 큰 경우에는 제2 노드(N2) 상의 전압의 상승량은 적다. 그리고 상기 제2 노드(N2) 상의 전압의 상승량이 적기 때문에 제1 구동 스위치(DRn-1)의 게이트 및 소스 단자 사이의 전압인 Vgs는 크게 된다. 따라서 상기 수학식 2에 따라 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압(Vth)이 큰 경우, 상기 제1 구동 스위치(DRn-1)의 게이트 및 소스 단자 사이의 전압인 Vgs도 크게 되므로 수학식 2에 의해 이들 각각의 증가량이 차분 되므로 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류(Ioled)의 문턱 전압(Vth)에 대한 영향을 보상할 수 있다.Also, when a changed first data signal (represented as a high logic signal in the drawing) is input on the data line Dm, the voltage of the first node N1 of the first sub-pixel 122n-1 increases and floats. The voltage of the second node N2 of the first sub-pixel 122n-1 in the (floating) state also increases by the current flowing through the first driving switch DRn-1 of the first sub-pixel 122n-1. . In this case, the voltage on the second node N2 of the first sub-pixel 122n-1 may increase by Vg-Vth by the threshold voltage Vth of the first driving switch DRn-1. And this process is continued until little current flows in the first driving switch DRn-1, and the operation is finished when the first driving switch DRn-1 is turned off. And the threshold voltage Vth of the first driving switch DRn-1 is stored in the storage capacitor Cst. In this case, the voltage on the second node N2 of the first sub-pixel 122n-1 may vary according to the threshold voltage Vth of the first driving switch DRn-1. For example, when the threshold voltage Vth of the first driving switch DRn-1 is large, the amount of increase of the voltage on the second node N2 is small. In addition, since the amount of increase of the voltage on the second node N2 is small, the voltage Vgs between the gate and the source terminal of the first driving switch DRn-1 becomes large. Therefore, according to Equation 2, when the threshold voltage Vth of the first driving switch DRn-1 is large, the voltage Vgs between the gate and the source terminal of the first driving switch DRn-1 is also large. Since the respective increments are differentiated by Equation 2, the influence of the current Ioled flowing through the driving switch DR on the threshold voltage Vth can be compensated.

<제3 시구간(T3)><Third time period (T3)>

제3 시구간(T3) 동안 제1 스캔 스위치(SWn-1)상에 인가되는 하이 논리의 스캔 펄스(SP)에 의하여 상기 제1 스캔 스위치(SWn-1) 및 제2 서브 화소(122n)상의 제2 센싱 스위치(SEWn)이 턴온되고 있고, 데이터 라인(Dm) 상의 영상 표시를 위한 데이터 전압으로써 제2 데이터 전압(영상 데이터로써 도면에는 제1 데이터 전압보다 높은 전압 하이 논리의 전압으로 표현)은 제1 노드(N1) 상에 전달되고, 제1 구동 스위치(DRn-1)에는 전류가 다시 흐르기 시작한다. 그리하여 제2 노드(N2) 전압은 상승한다. 이 경우 제2 시구간(T2)에서처럼 제1 구동 스위치(DRn-1)의 문턱 전압(Vth)이 보상되지만, 제3 시구간(T3)을 짧게 함으로써 이동도 보상을 수행할 수 있다. 이때 상기 제2 노드(N2) 상승 전압은 구동 스위치(DRn-1)의 이동도(k)에 따라 달라지지만, 수학식 2 에서 설명한 바와 같이 이동도(k)와 구동 스위치(DR)의 게이트 및 소스 사이의 전압(Vgs)은 반비례하게 되어 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류(Ioled)의 이동도(k)에 대한 영향을 줄일 수 있다.During the third time period T3, the first scan switch SWn-1 and the second sub-pixel 122n are formed by the high logic scan pulse SP applied to the first scan switch SWn-1. The second sensing switch SEWn is turned on, and as a data voltage for displaying an image on the data line Dm, the second data voltage (represented as a voltage of a high logic voltage higher than the first data voltage in the drawing as image data) is The current is transferred to the first node N1 , and the current starts flowing through the first driving switch DRn-1 again. Thus, the voltage of the second node N2 increases. In this case, the threshold voltage Vth of the first driving switch DRn-1 is compensated as in the second time period T2, but mobility compensation may be performed by shortening the third time period T3. At this time, the rising voltage of the second node N2 varies depending on the mobility k of the driving switch DRn-1, but as described in Equation 2, the mobility k and the gate and Since the voltage Vgs between the sources is inversely proportional, the influence of the current Ioled flowing through the driving switch DR on the mobility k may be reduced.

전술한 문턱 전압 및 이동도를 보상하는 방법은 나머지 서브 화소에도 동일하게 설명될 수 있다.The above-described method of compensating for the threshold voltage and mobility may be equally described for the remaining sub-pixels.

한편 제3 구간(T3) 이후로 제1 구동 스위치(DRn-1)의 드레인-소스간의 구동 전류(IDS)에 의해 충전된 제2 노드(N2) 상의 전압이 유기발광다이오드(OLED)의 문턱 전압 이상이 되면서 상기 유기발광다이오드(OLED)는 보상된 구동 전류(Ioled)에 의하여 발광할 수 있다. 그리고, 상기 구동 전류(Ioled)에 의하여 제2 노드(N2) 상의 전압이 상승함과 동시에 제1 스캔 스위치(SWn-1)의 턴오프로 인하여 스토리지 커패시터(Cst)의 커플링 작용에 따른 제1 노드(N1) 상의 전압도 함께 상승을 한다. 그리고 스토리지 커패시터(Cst) 양단의 전압, 즉 제1 및 제2 노드(N1, N2) 상의 전위차만큼의 충전 전압을 유지하므로, 한 프레임 동안 유기발광다이오드(OLED)에 일정한 구동 전류(Ioled)가 흐르므로 한 프레임 동안 화소의 밝기가 유지될 수 있다.Meanwhile, after the third period T3 , the voltage on the second node N2 charged by the driving current IDS between the drain and the source of the first driving switch DRn-1 becomes the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED. As an abnormality, the organic light emitting diode OLED may emit light by the compensated driving current Ioled. In addition, the voltage on the second node N2 is increased by the driving current Ioled, and at the same time, the first scan switch SWn-1 is turned off due to the coupling action of the storage capacitor Cst. The voltage on the node N1 also rises. In addition, since the voltage across the storage capacitor Cst, that is, the charging voltage equal to the potential difference between the first and second nodes N1 and N2 is maintained, a constant driving current Ioled flows through the organic light emitting diode OLED during one frame. Therefore, the brightness of the pixel can be maintained for one frame.

전술한 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(k) 보상을 단계별로 요약하면 다음과 같다.A step-by-step summary of the threshold voltage Vth and mobility k compensation of the driving switch DR is as follows.

제1 단계로써 모든 서브 화소의 구동 스위치(122)의 게이트 및 소스 단자인 제1 및 제2 노드(N1, N2)를 초기화할 수 있다. 제2 단계로써 제1 노드(N1) 상에 문턱 전압 보상을 위한 제1 데이터 전압이 인가되고, 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류에 의하여 플로팅 상태인 제2 노드(N2) 상의 전압이 상승한다. 이 때 제2 노드(N2) 상의 전압이 구동 스위치(DR)의 게이트 단자인 제1 노드(N1) 상의 제1 데이터 전압과 제2 노드(N2)의 전압의 차이가 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth)이 될 때까지 상승한다. 그리고 구동 스위치(DR)의 게이트 단자인 제1 노드(N1) 상의 제1 데이터 전압과 제2 노드(N2)의 전압의 차이가 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth)이 될 때 상기 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류는 멈추면서 상기 구동 스위치(DR)는 턴 오프된다. 따라서 제2 단계를 수행하여 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth)을 보상하는데 필요한 시간은 최소한 상기 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류는 멈출 때까지 소요되는 시간이 될 수 있다. 한편 상기 제1 데이터 전압은 문턱 전압 보상용 데이터 전압이므로 유기발광다이오드(OLED)가 턴온되지 않을 정도의 전압으로 설정될 수 있다. 그리고 이와 함께 인접한 서브 화소의 구동 스위치(DR)의 소스 단자인 제2 노드(N2)는 재 초기화 된다.As a first step, the first and second nodes N1 and N2 that are gate and source terminals of the driving switches 122 of all sub-pixels may be initialized. As a second step, a first data voltage for threshold voltage compensation is applied to the first node N1 , and the voltage on the floating second node N2 is increased by a current flowing through the driving switch DR. At this time, the difference between the first data voltage on the first node N1 where the voltage on the second node N2 is the gate terminal of the driving switch DR and the voltage on the second node N2 is the threshold of the driving switch DR. It rises until the voltage (Vth) is reached. And when the difference between the first data voltage on the first node N1 that is the gate terminal of the driving switch DR and the voltage of the second node N2 becomes the threshold voltage Vth of the driving switch DR, the driving switch The driving switch DR is turned off while the current flowing through DR is stopped. Therefore, the time required to compensate the threshold voltage Vth of the driving switch DR by performing the second step may be at least a time required until the current flowing through the driving switch DR stops. Meanwhile, since the first data voltage is a data voltage for threshold voltage compensation, the first data voltage may be set to a voltage that does not turn on the organic light emitting diode (OLED). In addition, the second node N2, which is the source terminal of the driving switch DR of the adjacent sub-pixel, is re-initialized.

제3 단계로써 제1 노드(N1) 상에 영상 표시를 위한 데이터 전압인 제2 데이터 전압이 인가되면 제1 노드(N1) 상의 전압이 상승하고, 구동 스위치(DR)에 흐르는 전류에 의하여 플로팅된 제2 노드(N2) 상의 전압이 상승한다. 이때 구동 스위치(DR)의 전류 능력, 즉 이동도(K)에 따라서 상기 제2 노드(N2) 상의 전압의 상승 정도가 달라진다. 그리고, 제4 단계에서 스캔 스위치(SW)가 턴 오프되면, 제1 노드(N1)는 플로팅 상태가 되고, 제2 노드(N2) 전압 상승 시 스토리지 커패시터(Cst)의 커플링 현상에 따라 제2 노드(N2) 상승량만큼 제1 노드(N1)의 전압도 상승하게 되어, 구동 스위치(DR)의 게이트 및 소스 단자 사이의 전압이 일정하게 유지되어 한 프레임 동안 구동 스위치(DR)의 이동도(k)가 보상된 일정한 전류가 흐르면서 유기발광다이오드(OLED)는 균일한 휘도를 유지하며 발광할 수 있다.As a third step, when a second data voltage, which is a data voltage for image display, is applied to the first node N1 , the voltage on the first node N1 rises, and the voltage on the first node N1 rises and is floated by the current flowing through the driving switch DR. The voltage on the second node N2 rises. At this time, the degree of increase of the voltage on the second node N2 varies according to the current capability of the driving switch DR, that is, the mobility K. In addition, when the scan switch SW is turned off in the fourth step, the first node N1 is in a floating state, and when the voltage of the second node N2 is increased, the second node N1 is coupled according to the coupling phenomenon of the storage capacitor Cst The voltage of the first node N1 is also increased by the amount of the node N2 rising, so that the voltage between the gate and the source terminal of the driving switch DR is kept constant, so that the mobility k of the driving switch DR during one frame ) as a compensated constant current flows, the organic light emitting diode (OLED) can emit light while maintaining uniform luminance.

유기발광다이오드(OLED)의 전류(Ioled)는 구동 스위치(DR)의 문턱전압(Vth) 및 이동도(k)에 크게 영향 받으므로, 전술한 보상 방식을 통해서 구동 스위치(DR)의 특성을 보상하여 전체 영상 이미지의 균일도를 향상시킬 수 있다. Since the current Ioled of the organic light emitting diode OLED is greatly affected by the threshold voltage Vth and the mobility k of the driving switch DR, the characteristics of the driving switch DR are compensated through the above-described compensation method. Thus, the uniformity of the entire video image can be improved.

또한 구동 스위치(DR)의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(k)를 센싱하여 보상된 영상 데이터를 인가하는 외부 보상 방식으로 유기발광다이오드 표시패널의 보상을 수행하여 보상의 정밀도를 높일 수 있을 뿐만 아니라, 내부 보상 방식을 이용하여 유기발광다이오드 표시패널의 구동 중에 실시간으로 보상을 수행함으로써 외부 환경, 패널 내부 온도 변화에 따른 유기발광다이오드(OLED) 및 스위치 역할을 하는 트랜지스터의 특성 변화를 보상하여 화상의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한 서브 화소의 센싱 스위치를 제어하는 제어 신호는 수직 라인 상의 인접한 다른 서브 화소의 게이트 라인의 스캔 펄스가 됨으로써 높은 개구율을 확보할 수 있고, 라인 수 감소에 따른 비용을 절감할 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display panel is compensated by an external compensation method that senses the threshold voltage Vth and the mobility k of the driving switch DR and applies the compensated image data to increase the accuracy of compensation. Instead, by using an internal compensation method to compensate in real time while the organic light emitting diode display panel is being driven, it compensates for changes in the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) and the transistor serving as a switch according to changes in the external environment and temperature inside the panel. can improve the quality of In addition, the control signal for controlling the sensing switch of the sub-pixel becomes a scan pulse of the gate line of another adjacent sub-pixel on the vertical line, thereby securing a high aperture ratio and reducing the cost due to a reduction in the number of lines.

또한 표시패널(116)의 수직 라인 상에 배치된 서브 화소들 간에 센싱 스위치(SEW)의 제어 라인을 이전 단의 서브 화소에 배치된 스캔 스위치(SW)를 제어하는 게이트 라인으로 대체함으로써, 하나의 수평 라인 상의 서브 화소들의 구동 스위치(DR)를 보상할 때 다음 수평 라인 상의 서브 화소들을 다시 한번 더 초기화함으로써 보상의 정밀도를 높일 수 있다.In addition, by replacing the control line of the sensing switch SEW between the sub-pixels disposed on the vertical line of the display panel 116 with the gate line controlling the scan switch SW disposed in the sub-pixel of the previous stage, one When the driving switch DR of the sub-pixels on the horizontal line is compensated, the accuracy of compensation may be increased by initializing the sub-pixels on the next horizontal line once again.

또한 각 서브 화소 별로 보상 시점 직전에 재 초기화를 수행함으로써 보상의 정확도를 높일 수 있다.Also, by performing re-initialization for each sub-pixel immediately before the compensation time, it is possible to increase the accuracy of compensation.

이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술할 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.In the detailed description of the present invention described above, it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, but those skilled in the art or those having ordinary knowledge in the technical field of the present invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations of the present invention can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

116 표시 패널
118 게이트 구동 회로
120 데이터 구동 회로
122 화소
122n-1 제1 서브 화소
122n 제2 서브 화소
122n+1 제3 서브 화소
124 타이밍 콘트롤러
116 display panel
118 gate drive circuit
120 data drive circuit
122 pixels
122n-1 first sub-pixel
122n second sub-pixel
122n+1 third sub-pixel
124 timing controller

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 복수개의 게이트 라인 중 n(n은 2 이상의 자연수)-1 번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 제어되고 데이터 라인과 제1 노드 사이에 연결된 제1 스캔 스위치; 상기 제1 노드 상의 전압에 의해 제어되고 제1 전원 단자와 제2 노드 사이에 연결된 제1 구동 스위치; 상기 제2 노드와 센싱 라인 사이에 연결되는 제1 센싱 스위치; 및 상기 제2 노드와 제2 전원 단자 사이에 연결된 제1 유기발광다이오드로 이루어진 제1 서브 화소; 및
상기 복수개의 게이트 라인 중 n번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 제어되고 데이터 라인과 제4 노드 사이에 연결된 제2 스캔 스위치; 상기 제4 노드 상의 전압에 의해 제어되고 상기 제1 전원 단자와 제5 노드 사이에 연결된 제2 구동 스위치; 상기 제5 노드와 상기 센싱 라인 사이에 연결되고 상기 n-1번째 게이트 라인의 스캔 펄스에 의해 제어되는 제2 센싱 스위치; 및 상기 제5 노드와 상기 제2 전원 단자 사이에 연결된 제2 유기발광다이오드로 이루어진 제2 서브 화소;를 포함하는 유기발광다이오드 표시패널의 구동 방법은 순차적으로 초기화 단계, 재 초기화 단계 및 보상 단계를 포함하고,
상기 초기화 단계에서,
상기 n-1 번째 및 n번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스는 모두 하이 논리이고,
상기 n-1 번째 및 n번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 상기 제1 및 제2 스캔 스위치가 동작하여 상기 제1 및 제4 노드가 상기 데이터 라인 상의 제1 초기화 전압에 의해 초기화되고,
상기 n-1번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 상기 제2 센싱 스위치가 동작하여 상기 제5 노드가 상기 센싱 라인 상의 제2 초기화 전압에 의해 초기화되고
상기 재 초기화 단계에서,
상기 n-1 번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스는 하이 논리이고, 상기 n 번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스는 로우 논리고,
상기 n-1번째 게이트 라인 상의 제2 스캔 펄스에 의해 상기 제2 센싱 스위치가 동작하여 상기 제5 노드가 상기 센싱 라인 상의 상기 제2 초기화 전압에 의해 재 초기화되는 유기발광다이오드 표시패널의 구동 방법.
a first scan switch controlled by a scan pulse on an n (n is a natural number greater than or equal to 2)-1th gate line among the plurality of gate lines and connected between the data line and the first node; a first driving switch controlled by the voltage on the first node and connected between a first power terminal and a second node; a first sensing switch connected between the second node and a sensing line; and a first sub-pixel including a first organic light emitting diode connected between the second node and a second power terminal; and
a second scan switch controlled by a scan pulse on an nth gate line among the plurality of gate lines and connected between a data line and a fourth node; a second driving switch controlled by a voltage on the fourth node and connected between the first power terminal and a fifth node; a second sensing switch connected between the fifth node and the sensing line and controlled by a scan pulse of the n-1 th gate line; and a second sub-pixel formed of a second organic light emitting diode connected between the fifth node and the second power terminal. including,
In the initialization step,
The scan pulses on the n-1 th and n th gate lines are both high logic,
The first and second scan switches are operated by the scan pulses on the n-1 th and n th gate lines so that the first and fourth nodes are initialized by the first initialization voltage on the data line;
The second sensing switch is operated by a scan pulse on the n-1 th gate line, so that the fifth node is initialized by a second initialization voltage on the sensing line;
In the re-initialization step,
a scan pulse on the n-1 th gate line is logic high, and a scan pulse on the n th gate line is logic low;
A method of driving an organic light emitting diode display panel in which the second sensing switch is operated by the second scan pulse on the n-1 th gate line, and the fifth node is reinitialized by the second initialization voltage on the sensing line.
제4 항에 있어서,
상기 보상 단계는 문턱 전압 보상 단계이고,
상기 문턱 전압 보상 단계에서,
상기 n-1번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 상기 제1 스캔 스위치가 동작하여 상기 제1 노드 상에 상기 데이터 라인 상의 문턱 전압 보상을 위한 제1 데이터 전압을 공급하고, 상기 제1 및 제2 노드 상의 전압의 차이가 상기 제1 구동 스위치의 문턱 전압이 될 때까지 플로팅(floating)된 상기 제2 노드 상의 전압을 증가시켜 상기 제1 구동 스위치의 문턱 전압을 보상하는 유기발광다이오드 표시패널의 구동 방법.
5. The method of claim 4,
The compensation step is a threshold voltage compensation step,
In the threshold voltage compensation step,
The first scan switch is operated by a scan pulse on the n−1th gate line to supply a first data voltage for compensating a threshold voltage on the data line to the first node, and the first and second nodes A method of driving an organic light emitting diode display panel for compensating for the threshold voltage of the first driving switch by increasing the voltage on the floating second node until the difference in phase voltage becomes the threshold voltage of the first driving switch .
제4 항에 있어서,
상기 보상 단계는 이동도 보상 단계이고,
상기 이동도 보상 단계에서,
상기 n-1번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 의해 상기 제1 스캔 스위치가 동작하여 상기 제1 노드 상에 상기 데이터 라인 상의 영상 표시를 위한 제2 데이터 전압을 공급하고, 플로팅(floating)된 상기 제2 노드의 전압을 상승시켜 상기 제1 구동 스위치의 이동도를 보상하는 유기발광다이오드 표시패널의 구동 방법.
5. The method of claim 4,
The compensation step is a mobility compensation step,
In the mobility compensation step,
The first scan switch is operated by a scan pulse on the n−1th gate line to supply a second data voltage for displaying an image on the data line to the first node, and the floating second A method of driving an organic light emitting diode display panel for compensating for mobility of the first driving switch by increasing a voltage of a node.
제4 항에 있어서,
상기 보상 단계는 문턱 전압 및 이동도 보상 단계이고,
상기 문턱 전압 및 이동도 보상 단계는,
상기 n-1번째 게이트 라인 상의 스캔 펄스에 따라 상기 제1 스캔 스위치를 동작 시키고 상기 제2 노드를 플로팅(floating) 시키는 제1 단계;
제1 노드 상에 상기 데이터 라인 상의 문턱 전압 보상을 위한 제1 데이터 전압을 공급하고, 상기 제1 및 제2 노드 상의 전압의 차이가 상기 제1 구동 스위치의 문턱 전압이 될 때까지 플로팅(floating)된 상기 제2 노드 상의 전압을 증가시켜 상기 제1 구동 스위치의 문턱 전압을 보상하는 제2 단계; 및
상기 제1 노드 상에 상기 데이터 라인 상의 영상 표시를 위한 제2 데이터 전압을 공급하여 상기 제1 구동 스위치의 이동도를 보상하는 제3 단계;를 포함하는 유기발광다이오드 표시패널의 구동 방법.
5. The method of claim 4,
The compensation step is a threshold voltage and mobility compensation step,
The threshold voltage and mobility compensation step,
a first step of operating the first scan switch according to a scan pulse on the n-1 th gate line and floating the second node;
supplying a first data voltage for compensating a threshold voltage on the data line to a first node, and floating until a difference between voltages on the first and second nodes becomes a threshold voltage of the first driving switch a second step of compensating for a threshold voltage of the first driving switch by increasing the voltage on the second node; and
and a third step of compensating for mobility of the first driving switch by supplying a second data voltage for displaying an image on the data line to the first node.
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