KR102324932B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유전체관의 내부를 통과하는 공기가 방전영역에서 효율적으로 플라즈마처리됨으로써 플라즈마발생에 필요한 에너지의 효율적 사용이 가능한 구조의 플라즈마 처리장치를 제공한다. 본 발명은, 유전체관과, 유전체관의 내주면에 접촉하도록 삽입된 방전극을 포함하되, 상기 방전극은, 막대형상의 길이방향을 따라 연장되어 공기가 진행하고 외표면을 감아돌아 나선궤적을 형성하며 소정깊이로 연속적인 골의 형상을 이루는 공기유동로와, 상기 길이방향을 따라 절단된 단면을 기준으로 공기유동로의 전측벽에, 유전체관의 내주면과 예각을 이루어 그 사이에서 방전이 발생하도록 형성된 경사방전면를 포함한다.

Description

플라즈마 처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 발생영역에 공기를 통과시켜 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외면을 나선형으로 감아 도는 공기유동골을 가진 방전극을 유전체관에 삽입하고 공기유동골을 통과하는 공기의 플라즈마 처리효율을 높인 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
오폐수를 플라즈마에 의해 정화처리하기 위한 플라즈마 처리장치가 활발히 개발되고 있다.
도 1은 공개특허공보 제2001-0047773호에 기재된 것으로서, 폐수처리를 위한 플라즈마 수질정화장치의 구성을 도시하고 있다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 수질정화장치는 공기를 플라즈마처리하는 플라즈마처리장치(1)와, 플라즈마처리장치(1)와 연결된 호스(3)와, 호스(3)의 단부에서 폐수의 수중에 공기를 버블로 변환시켜 분사하는 산기장치(4)를 포함한다.
플라즈마처리장치(1)에서 공기가 플라즈마처리되어 오존, 이온물질이 생성된 후, 호스(3) 및 산기장치(4)를 거쳐 폐수 중에 분산되면, 폐수의 오염물질을 산화, 분해시켜 정화처리가 이루어진다.
상기 플라즈마처리장치(1)는 파이프형상의 유전체관(5), 유전체관의 외면에 도금되어 있는 외부전극(7), 유전체관(5) 내에 배치된 코일형상의 방전극(6), 및 외부전극과 방전극간에 고주파저전압 전원을 인가하여 유전체 내에 플라즈마를 발생시키는 전원공급장치(2)를 포함한다.
유전체관(5) 내로 공기가 공급되면, 내부의 방전극(6)에서 발생되는 플라즈마에 의해 공기가 플라즈마처리되어 오존, 라디컬 물질 등이 다량 발생한다.
상기 유전체관(5) 내에 플라즈마를 발생시키기 위해 설치되는 방전극(6)은, 코일형상으로 이루어져 유전체관(5)의 내주면에 밀착된다.
유전체관(5)의 내주면에 밀착된 방전극(6)은 유전체관(5)의 내주면을 따라 연면방전을 발생시킴으로써 공기를 플라즈마처리한다.
유전체관(5) 내부를 유동하는 공기는 연면방전영역을 따라 플라즈마와 반응하고 그 연면방전영역이 유전체관(5)의 길이방향을 따라 연속됨으로써 공기가 유전체관(5)을 통과하는 동안 플라즈마 반응이 발생할 수 있다.
전술한 종래의 플라즈마 발생장치는 유전체관(5)의 내주면에 접촉한 코일형상 방전극(6)의 주위에서 공기의 진행방향에 상관없이 전후측에서 동일한 플라즈마영역이 발생하여 공기를 플라즈마처리한다.
그러나, 공기가 부딪히는 코일형상 방전극(6) 주위에서 공기밀도가 상이하게 되나, 공기밀도가 낮은 영역에서도 동일한 플라즈마를 생성시키고 있어, 에너지효율 및 플라즈마 처리효율의 저하 문제가 발생한다.
즉, 도 7에서 도시하는 코일형상 방전극(75)에서 공기의 진행방향을 기준으로 후측(67)은 공기가 부딪히는 부분이므로 공기밀도가 높고, 전측(68)은 공기가 방전극(75)을 타고 지나가는 영역이므로 공기밀도가 낮음에도 불구하고, 양측에 동일한 플라즈마를 발생시켜 공기를 플라즈마처리함에 따라, 공급되는 에너지의 비효율적 사용의 문제가 있다.
한편, 종래 플라즈마처리장치에서는 플라즈마영역을 공기가 통과하는 중에, 공기압이 수시로 변화하므로, 공기압이 높거나 전압이 낮은 부분에서는 방전극의 주변에서 부분적으로 플라즈마의 소실이 발생하여 공기처리의 비효율 및 불균일을 초래하는 문제도 있다.
본 발명은 상기와 같은 관점에서 도출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유전체관의 내부를 통과하는 공기가 방전영역에서 효율적으로 플라즈마처리됨으로써 플라즈마발생에 필요한 에너지의 효율적 사용이 가능한 구조의 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마의 안정적인 발생이 가능한 구조의 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 중공관 형상의 유전체관과, 막대형상이고 상기 유전체관의 내주면에 접촉하도록 삽입된 방전극을 포함하여, 상기 유전체관의 내부를 통과하는 공기를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 방전극은, 상기 막대형상의 길이방향을 따라 연장되어 공기가 진행하는 통로로서 외표면을 감아돌아 나선궤적을 형성하고 소정깊이로 연속적인 골의 형상을 이루는 공기유동로와, 상기 길이방향을 따라 절단된 단면을 기준으로, 상기 공기유동로의 전측벽 및 후측벽 중, 전측벽에 포함되되, 상기 유전체관의 내주면과 예각을 이루어 그 사이에서 방전이 발생하고 상기 공기유동로를 따라 연속적으로 형성된 경사방전면를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 상기 예각은 5~50°범위의 각도를 형성하고, 상기 공기유동로의 상기 후측벽이, 상기 유전체관의 내주면과의 사이에 상기 예각보다 큰 각도를 형성하는 것을 다른 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 상기 공기유동로의 상기 후측벽이, 상기 유전체관의 내주면과의 사이에 70~150°범위의 각도를 형성하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 상기 방전극이 도전 금속재의 원형봉이고, 상기 공기유동로 사이사이에 위치하는 외주면은, 상기 유전체관의 내주면에 면접촉 상태로 밀착된 것을 또 다른 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 상기 경사방전면이 상기 전측벽 전체를 형성하는 것을 또 다른 특징으로 한다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는, 방전극의 경사방전면과 유전체관의 내주면이 예각으로 만나도록 구성함으로써, 내측으로 갈수록 경사방전면과 유전체관 사이의 간격이 점차 가까워지는 구조를 형성한다. 이에 따라, 공기유입속도의 급속한 변화가 있더라도 플라즈마가 소거되는 상황이 발생하지 않고 그 플라즈마 방전영역의 성장과 축소가 발생할 뿐, 플라즈마가 소실없이 항상 안정적으로 발생할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 구성에 의해, 유전체관의 내부에 먼지, 이물질 등의 부착, 침작이 우려되는 상황에서는 공기의 유동속도를 높여 배출시킬 수 있고, 그 상황에서도 발생되던 플라즈마의 소실없이 안정적 발생상태를 유지할 수 있다.
또한, 본 발명은 나선궤적인 공기유동로를 따라 진행하는 공기는 공기유동로 내에서 전측과 후측에서 공기밀도에 차이가 발생하고 전측벽에 경사방전면이 형성되어 플라즈마를 발생시킨다. 이에 따라, 공기밀도가 높은 전측 영역에서 상대적으로 큰 플라즈마방전영역이 발생하도록 하고 보다 많은 에너지가 사용되도록 함으로써, 에너지 사용효율과 공기의 플라즈마처리효율을 높일 수 있다.
도 1는 종래 플라즈마 처리장치의 구성을 도시하는 구성설명도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 분해한 구성을 도시하는 분해사시도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치가 조립된 상태의 단면구조를 도시하는 단면구성도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에서 유전체관의 내부에 방전극이 삽입된 구성을 길이방향으로 절단하여 도시하는 단면구성도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에서 공기유동로 및 경사방전면의 구성 및 작용을 설명하는 구성 및 작용설명도
도 6은 유전체관의 내주면과 방전극이 접촉하는 부분에서의 각도에 따라 발생되는 플라즈마방전영역의 상태를 설명하는 설명도
도 7은 종래 코일형 방전극이 유전체관의 내주면에 나선궤적으로 밀착한 구조에서 연면방전의 발생상태 및 공기처리효율을 설명하는 설명도
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에서 공기유동로 및 경사방전면의 구성 및 작용을 설명하는 구성 및 작용설명도
이하, 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는, 중공관 형상의 유전체관(10)과, 막대형상이고 유전체관(10)의 내주면(12)에 접촉하도록 삽입된 방전극(20)을 포함하여, 상기 유전체관(10)의 내부를 통과하는 공기를 플라즈마 처리한다.
상기 유전체관(10)은 중공관 형상으로 내부공간을 가지되, 양단이 개방되어 내부를 공기가 통과한다.
유전체관(10)의 내부에서는 막대형상의 방전극(20)이 삽입되고 막대형상의 방전극(20)에 형성된 공기유동로(30)와 유전체관(10)의 내면 사이에서 플라즈마가 발생함으로써 통과하는 공기가 플라즈마처리된다.
공기가 플라즈마 발생영역을 통과하면서 플라즈마처리되어 공기 중에 오존, 활성라디컬 물질이 발생하고, 이를 수중에 분사하여 수중의 오염물질을 산화, 분해시켜 정화할 수 있다.
상기 유전체관(10)은 석영관이 가장 바람직하고, 세라믹관 또는 유리관도 가능하다.
상기 유전체관(10)의 일단부는 헤드(55)가 끼워져 유전체관(10)과 결합된 상태에서 방전극(20)이 헤드(55)에 고정될 수 있으며, 유전체관(10)의 타단부는 지지부재(57)가 둘레를 감싸 파지된다.
상기 헤드(55)와 지지부재(57)는 원통형상인 냉각자켓(50)의 일단의 중심공과 타단의 중심공에 각각 끼워져 고정됨으로써, 유전체관(10)이 냉각자켓(50)의 중심부를 관통한 상태로 배치된다.
유전체관(10)의 일단부는 헤드(55)의 공기공급로(56)와 연통되되, 실질적으로는 유전체관(10)에 삽입된 방전극(20)의 공기유동로(30)와 헤드(55)의 공기공급로(56)가 연통되도록 설치되어 방전극(20)의 공기유동로(30)로 공기가 유동한다.
상기 방전극(20)은, 외표면을 나선궤적으로 감아도는 공기유동로(30)가 형성되어 공기유동로(30)에 방전에 의한 플라즈마영역을 형성하여 유동하는 공기를 플라즈마처리한다.
즉, 방전극(20)의 공기유동로(30)는, 막대형상인 방전극(20)의 길이방향을 따라 연장되어 공기가 진행하는 통로를 형성하는 것으로서, 외표면을 감아돌아 나선궤적을 형성하고 소정깊이로 연속적인 골의 형상을 이룬다.
도 2 내지 도 4에 도시된 실시예에서는, 원형봉 형상인 방전극(20)의 외표면에 2개의 공기유동로(30)가 서로 균일한 간격을 두고 나선궤적으로 감아 도는 구성을 도시하고 있다.
방전극(20)의 외표면에 형성되는 공기유동로(30)는 1개 또는 3~4개로 형성할 수 있음은 물론이다.
방전극(20)은 도전 금속재의 원형봉이고, 공기유동로(30) 사이사이에 위치하는 외주면(45)은, 유전체관(10)의 내주면(12)에 면접촉 상태로 밀착되도록 설치한다. 이는 후술하는 경사방전면(41)에서 플라즈마방전이 집중되도록 하고, 유전체관(10)의 내주면(12)과 방전극(20)의 외주면(45) 사이의 틈으로 방전이 발생하지 않도록 하여, 공기의 처리효율이 낮은 영역의 방전 및 에너지 소모를 억제하기 위한 것이다.
본 실시예에서 방전극(20)은 공기유동로(30)의 전측벽(42)에 플라즈마가 발생하는 경사방전면(41)을 형성하여 공기를 플라즈마 처리한다.
보다 상세히 설명하면, 방전극(20)의 외면에 형성된 나선궤적의 공기유동로(30)는, 막대형상을 감아돌아 나선궤적을 따르는 연속적인 골의 형상을 가지고, 골을 이루는 양쪽벽이 포함된다.
본 실시예에서 방전극(20)의 길이방향 중 공기가 진행해 나가는 방향을 전방으로 설정할 때, 공기유동로(30)가 나선궤적으로 방전극(20)의 길이방향으로 연장되어 있으므로, 공기유동로(30)의 양쪽벽은 전측벽(42)과 후측벽(43)으로 구분될 수 있다.
이러한 전측벽(42)과 후측벽(43)은 도 4 및 도 5와 같이 막대형상인 방전극(20)을 길이방향을 따라 절단한 단면에서 명확히 나타나는 것으로서, 공기유동로(30)를 형성하는 양측벽은 공기가 통과하는 공간을 기준으로 전방측에 위치하는 전측벽(42)과 후방측에 위치하는 후측벽(43)으로 구분될 수 있다.
상기 경사방전면(41)은 공기유동로(30)의 상기 전측벽(42)에 형성되고, 공기유동로(30)가 연속적으로 나선궤적으로 연장되므로 경사방전면(41)도 전측벽(42)에서 공기유동로(30)를 따라 나선궤적으로 연속적으로 형성된다.
경사방전면(41)은 유전체관(10)의 내주면(12)과 예각(α)을 이루어 그 사이에서 방전이 발생함으로써, 공기유동로(30)를 유동해 전방으로 진행하는 공기가 플라즈마영역과 접촉 또는 통과하면서 플라즈마처리되어 공기 중에 오존, 활성라디컬 물질이 생성될 수 있다.
상기 예각(α)은 5~50°범위의 각도를 형성하는 것이 바람직하고, 20~40°범위의 각도가 가장 바람직하다.
공기유동로(30)의 후측벽(43)은, 유전체관(10)의 내주면(12)과의 사이에 상기 예각(α)보다 큰 각도를 형성한다.
이는 유전체관(10)과의 사이에서 방전극(20)의 표면이 접근한 상태가 플라즈마 방전에 보다 유리하므로, 후측벽(43)에서 약한 상태의 플라즈마방전이 발생하고 전측벽(42)에서 강하고 폭넓은 플라즈마방전이 발생하도록 유도하여 공기밀도가 높은 전측벽(42) 측에서 많은 양의 공기에 대한 플라즈마처리가 이루어지도록 한다.
상기 공기유동로(30)의 후측벽(43)은, 유전체관(10)의 내주면(12)과의 사이에 70~150°범위의 각도(β)를 형성시킨다.
상기 예각(α) 및 각도(β)를 측정하는 기준 단면은 도 2에서 A-A'로 표시된 방향, 즉 공기유동로의 연장방향에 대하여 직각인 단면으로 한다.
도 5는 방전극(20)의 경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12)과의 사이에 방전이 발생한 상태를 도시하고 있다.
도 5를 참조하면, 플라즈마방전은 유전체관(10)의 내주면(12)과 보다 가깝게 접근한 부분에서 용이하게 발생하고 안정적으로 유지되므로, 경사방전면(41)과 유전체관(10)이 만나는 지점에 가까울수록 보다 강하고 안정적인 방전이 발생하고, 외측으로 갈수록 그 방전의 강도는 약해진다.
경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12) 사이의 방전은 스트리머방전과 같이 전계 집중이 높은 연면방전으로서, 공기압이 낮아지면 경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12) 사이에서 외측으로 플라즈마영역이 성장하여 진출하게 되고 공기압이 높아지면 경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12) 사이의 공간으로 축소해 들어간다.
공기유동로(30)로 공기의 유동이 계속되면 유동하는 공기는 공기압의 변동이 있으므로, 경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12) 사이의 플라즈마영역이 외측으로 성장해 나오거나 축소해 들어가는 과정이 계속 반복되면서 공기와의 접촉이 이루어진다.
경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12)이 예각(α)으로 만나고 있으므로 내측으로 갈수록 경사방전면(41)과 유전체관(10) 사이의 간격이 점차 가까워지는 구조인 바, 공기유입속도의 급속한 변화가 있더라도 플라즈마가 소거되는 상황이 발생하지 않고 그 플라즈마 방전영역의 성장과 축소가 발생할 뿐이므로, 플라즈마는 소실없이 항상 안정적으로 발생하고 있는 상태를 유지한다.
따라서, 본 발명의 실시예의 구조에서는 내부에 먼지, 이물질 등의 부착, 침작이 우려되는 상황에서 공기의 유동속도를 빠르게 하여 배출될 수 있고, 그 상황에서도 발생되던 플라즈마가 소실되지 않고 경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12) 사이의 내측 공간에서 여전히 안정적 플라즈마 상태를 유지할 수 있다.
위와 같은 본 발명의 구조는 낮은 전압에서도 플라즈마가 빠르게 발생하고 유지될 수 있도록 한다.
한편, 본 실시예에서 나선궤적인 공기유동로(30)를 따라 진행하는 공기는 공기유동로(30) 내에서도 전측영역(F영역)과 후측영역(B영역)에서 공기밀도에 차이가 발생한다.
즉, 도 5를 참고하면, 공기가 공기유동로(30)의 나선궤적을 따라 진행하는 과정에서 공기압을 받아 전방으로 진행하려는 공기는 전측벽(42)에 부딪히면서 나선궤적인 전측벽(42)을 따라 미끄러지면서 전방을 향해 진행하고 있다.
이에 따라, 공기는 전측벽(42)의 근방에서 약간 압축되어 공기밀도가 높은 상태이고, 후측벽(43) 부근에는 상대적으로 공기밀도가 낮은 상태이다.
이에, 전측벽(42)에 경사방전면(41)을 형성하고, 공기밀도가 높은 전측벽(42) 부근(F영역)에서 공급되는 에너지의 대부분이 소모되도록 플라즈마방전을 발생시킴으로써, 상대적으로 많은 양의 공기가 플라즈마영역을 통과하면서 처리되도록 한 것이다.
이에 반해, 후측면에서는 그 근방영역(B영역)이 공기밀도가 낮아 플라즈마방전에 소요되는 에너지를 절감할 필요가 있으므로, 유전체관(10)과 만나는 부분이 유전체관(10)의 내주면(12)과 이루는 각도(β)를 크게 하고 연면방전의 발생을 감소시켜 방전에 소모되는 에너지를 최소화시킨다.
도 6은 유전체관(10)의 내주면(12)과 방전극(20)이 접촉하는 부분에서의 각도에 따라 발생되는 플라즈마방전영역의 상태를 설명하고 있다.
도 6의 (a)와 같이 경사방전면(41)이 형성되어 예각(α)을 이루는 경우, 상대적으로 플라즈마 방전이 낮은 전압에서도 이루어지기 쉽고 넓은 영역으로 플라즈마가 성장할 수 있으나, (b) 및 (c)와 같이 방전극(20)과 유전체관(10)의 내주면(12)이 큰 각도로 만나는 영역에서는 플라즈마방전영역이 감소하고 방전의 유지도 용이하지 않음을 보여주고 있다.
도 7은 종래의 코일형 방전극(20)이 유전체관(10)의 내주면(12)에 밀착하도록 나선형으로 감긴 구조에서 유전체관(10)의 내주면(12)에 발생하는 연면방전을 도시하고 있다.
도 7을 참조하면, 코일형 방전극(75)이 유전체관(10)의 내주면(12)에 접촉하는 부분에서 방전이 발생하고 있으나, 공기의 진행방향을 기준으로 코일형 방전극(75)의 후측(67)과 전측(68)에 모두 동일한 방전이 발생한다.
이때, 유동하는 공기는 코일형 방전극(75)에 부딪히는 코일형 방전극(75)의 후측(67)에서 공기밀도가 높고 코일형 방전극(75)의 전측(68)에서는 공기밀도가 낮은 상태이나, 양측에서 균일한 플라즈마가 발생하므로 공급되는 에너지의 낭비가 있고 공기에 대한 플라즈마처리효율도 낮다.
본 발명은 그러한 문제점을 해소하고 있는 것으로서, 공기밀도가 높은 영역에 공급되는 에너지의 사용을 높이고 상대적으로 큰 플라즈마방전영역이 발생하도록 하여 에너지의 사용효율과 공기의 플라즈마처리효율을 높인 것이다.
한편, 도 8은 공기유동로(30)의 구조를 변경한 다른 실시예를 도시하고 있다.
도 8을 참고하면, 경사방전면(41)이 공기유동로(30)의 전측벽(42) 전체를 형성하도록 구조를 변경한 것으로서, 플라즈마가 발생하는 영역이 제한받지 않도록 공기유동로(30) 내에 경사방전면(41)을 보다 넓힌 구조이다.
이에 따라, 공기압이 낮고 전압이 높은 시점에는 경사방전면(41)과 유전체관(10)의 내주면(12) 사이에서 플라즈마영역이 공기유동로(30) 내에서 폭넓게 성장하고, 공기압이 높고 전압이 낮은 시점에서는 플라즈마영역이 내측으로 축소되어 들어가는 과정이, 공기가 유동하는 동안 반복되면서 공기에 대한 플라즈마처리가 효율적으로 이루어진다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 상기의 실시예는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 있는 일 실시예에 불과하며, 동업계의 통상의 기술자에 있어서는, 본 발명의 기술적인 사상 내에서 다른 변형된 실시가 가능함은 물론이다.
10; 유전체관 12; 내주면(유전체관)
20; 방전극 30; 공기유동로
41; 경사방전면 42; 전측벽
43; 후측벽 45; 외주면(방전극)
50; 냉각자켓 55; 헤드
56; 공기공급로 57; 지지부재
67; 후측 68; 전측
75; 코일형 방전극

Claims (5)

  1. 중공관 형상의 유전체관(10)과,
    막대형상이고 상기 유전체관(10)의 내주면(12)에 접촉하도록 삽입된 방전극(20)을 포함하여, 상기 유전체관(10)의 내부를 통과하는 공기를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 방전극(20)은,
    상기 막대형상의 길이방향을 따라 연장되어 공기가 진행하는 통로로서 외표면을 감아돌아 나선궤적을 형성하고 소정깊이로 연속적인 골의 형상을 이루는 공기유동로(30)와,
    상기 길이방향을 따라 절단된 단면을 기준으로, 상기 공기유동로(30)의 전측벽(42) 및 후측벽(43) 중 전측벽(42)에 포함되되, 상기 유전체관(10)의 내주면(12)과 예각(α)을 이루어 그 사이에서 방전이 발생하고 상기 공기유동로(30)를 따라 연속적으로 형성된 경사방전면(41)을 포함하며,
    상기 예각(α)은 5~50°범위의 각도를 형성하고,
    상기 공기유동로(30)의 상기 후측벽(43)은, 상기 유전체관(10)의 내주면(12)과의 사이에 상기 예각(α)보다 큰 각도를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공기유동로(30)의 상기 후측벽(43)은, 상기 유전체관(10)의 내주면(12)과의 사이에 70~150°범위의 각도를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 방전극(20)은 도전 금속재의 원형봉이고,
    상기 공기유동로(30) 사이사이에 위치하는 외주면(45)은, 상기 유전체관(10)의 내주면(12)에 면접촉 상태로 밀착된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 경사방전면(41)이 상기 전측벽(42) 전체를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
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