KR102323292B1 - AMOLED pixel driving circuit and driving method thereof - Google Patents

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Abstract

AMOLED 픽셀 구동 회로 및 그 구동 방법으로서, 6T1C 구조의 픽셀 구동 회로를 채용하고, 또한 특정 구동 타이밍과 매칭시킴으로써, 박막 트랜지스터(T6)를 구동하는 문턱 전압(Vth)을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드(D)에 흐르는 전류를 안정시켜, 유기 발광 다이오드(D)의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있음과 함께, N형 박막 트랜지스터와 P형 박막 트랜지스터의 매칭에 의해, 박막 트랜지스터 및 스캔 제어 신호의 수를 감소시키고, 그것에 의해 픽셀 구동 회로의 구조를 간소화하여, 유효 발광 면적을 증가시킨다.As an AMOLED pixel driving circuit and its driving method, a pixel driving circuit having a 6T1C structure is adopted and matched with a specific driving timing to effectively correct the threshold voltage (Vth) for driving the thin film transistor (T6), so that the organic light emitting diode ( By stabilizing the current flowing in D), the uniformity of the emission luminance of the organic light emitting diode (D) can be secured, and the screen display effect can be improved, and by matching the N-type thin film transistor and the P-type thin film transistor , reducing the number of thin film transistors and scan control signals, thereby simplifying the structure of the pixel driving circuit, and increasing the effective light emitting area.

Description

AMOLED 픽셀 구동 회로 및 그 구동 방법AMOLED pixel driving circuit and driving method thereof

본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것으로, 특히 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 그 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of display technology, and more particularly, to an AMOLED pixel driving circuit and a driving method thereof.

유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Display, OLED) 디스플레이 장치는 자발광(self-luminous)이고, 구동 전압이 낮으며, 발광 효율이 높고, 응답 시간이 짧으며, 해상도 및 콘트라스트가 높고, 시야각이 180° 에 가까우며, 사용 온도 범위가 넓기 때문에, 플렉시블 디스플레이 및 대면적 풀 컬러 디스플레이를 실현할 수 있는 등의 많은 이점을 가져, 업계에서는 가장 개발 포텐셜이 높은 디스플레이 장치로 생각되고 있다.Organic Light Emitting Display (OLED) display devices are self-luminous, have low driving voltage, high luminous efficiency, short response time, high resolution and contrast, and 180° viewing angle. Because it is close to , and the operating temperature range is wide, it has many advantages, such as being able to realize a flexible display and a large-area full-color display, and is considered as a display device with the highest development potential in the industry.

OLED 디스플레이 장치는 구동 방식에 따라 패시브 매트릭스형 OLED(Passive Matrix OLED, PMOLED) 및 액티브 매트릭스형 OLED(Active Matrix OLED, AMOLED)의 2종류, 즉, 직접 어드레싱 및 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 매트릭스 어드레싱의 2종류로 크게 나눌 수 있다. 그 중에서, AMOLED는 어레이식으로 배열된 픽셀을 갖고, 액티브 디스플레이 타입에 속하며, 발광 효율이 높아, 통상, 고해상도의 대형 디스플레이 장치로서 사용된다.There are two types of OLED display devices, namely, direct addressing and a thin film transistor (TFT) matrix, of a passive matrix OLED (Passive Matrix OLED, PMOLED) and an active matrix OLED (AMOLED) depending on the driving method. Addressing can be broadly divided into two types. Among them, AMOLED has pixels arranged in an array, belongs to an active display type, has high luminous efficiency, and is usually used as a high-resolution large-scale display device.

AMOLED는 전류 구동 디바이스로서, 전류가 유기 발광 다이오드에 흐르면 유기 발광 다이오드가 발광하고, 또한 발광 휘도가 유기 발광 다이오드 자체에 흐르는 전류에 따라서 결정된다. 기존의 집적 회로(Integrated Circuit, IC)의 대부분은 전압 신호만을 전송하기 때문에, AMOLED의 픽셀 구동 회로는 전압 신호를 전류 신호로 변환하는 태스크를 실행할 필요가 있다. 종래의 AMOLED 픽셀 구동 회로는 통상 2T1C, 즉, 2개의 박막 트랜지스터에 하나의 콘덴서를 추가한 구조이며, 전압을 전류로 변환한다. 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압이 드리프트됨에 따라서, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류의 변화가 매우 크고, 그 결과, 유기 발광 다이오드의 발광이 매우 불안정하고, 휘도가 매우 불균일하여, 화면의 디스플레이 효과에 중대한 영향을 주게 된다. 상기 과제를 해결하기 위해서는, 각 픽셀에 보정 회로를 추가할 필요가 있는데, 보정이란 각 픽셀 중의 모든 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 보정하여, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 문턱 전압과는 무관계하게 변화하도록 해야만 함을 의미한다.AMOLED is a current-driven device, and when a current flows through the organic light-emitting diode, the organic light-emitting diode emits light, and the luminance of light emission is determined according to the current flowing through the organic light-emitting diode itself. Since most of the existing integrated circuits (ICs) transmit only voltage signals, the pixel driving circuit of AMOLED needs to perform the task of converting voltage signals into current signals. A conventional AMOLED pixel driving circuit is generally 2T1C, that is, has a structure in which one capacitor is added to two thin film transistors, and converts voltage into current. As the threshold voltage driving the thin film transistor drifts, the change in current flowing through the organic light emitting diode is very large. will give In order to solve the above problem, it is necessary to add a correction circuit to each pixel. The correction is to correct the threshold voltage for driving all thin film transistors in each pixel, and change the current flowing through the organic light emitting diode regardless of the threshold voltage. means you have to do it.

도 1에 도시한 바와 같이, 7T2C 구조의 AMOLED 픽셀 구동 회로는, 7개의 박막 트랜지스터 및 2개의 콘덴서를 포함하고, 각각 제1 박막 트랜지스터 T10, 제2 박막 트랜지스터 T20, 제3 박막 트랜지스터 T30, 제4 박막 트랜지스터 T40, 제5 박막 트랜지스터 T50, 제6 박막 트랜지스터 T60, 제7 박막 트랜지스터 T70, 제1 콘덴서 C10 및 제2 콘덴서 C20이다. 상기 픽셀 구동 회로는 각각 제1 스캔 제어 신호 S10, 제2 스캔 제어 신호 S20, 제3 스캔 제어 신호 S30 및 제4 스캔 제어 신호 S40인 4개의 스캔 제어 신호에 의해 제어될 필요가 있다. 상기 회로의 동작 타이밍도는 도 2에 도시된 바와 같, 상기 회로의 동작 프로세스는 제1 단계 10, 제2 단계 20 및 제3 단계 30을 포함하는데, 그 중에서 제2 단계 20에서는, 상기 제2 스캔 제어 신호 S20가 고전위를 공급한 후, 저전위를 공급하고, 이때 상기 제2 스캔 제어 신호 S20이 저전위를 공급할 때, 제1 콘덴서 C1의 작용에 의해, 제1 콘덴서 C1과 제2 콘덴서 C2의 접속점에서의 전위가 불안정해진다. 또한 상기 픽셀 구동 회로는 7개의 박막 트랜지스터 및 2개의 콘덴서가 필요하여, 구조가 복잡하고, 픽셀의 유효 발광 면적이 비교적 낮으며, 스캔 제어 신호의 수가 비교적 많아, 타이밍 컨트롤러 또한 비교적 복잡하게 한다.As shown in FIG. 1 , the AMOLED pixel driving circuit of the 7T2C structure includes seven thin film transistors and two capacitors, respectively, a first thin film transistor T10, a second thin film transistor T20, a third thin film transistor T30, and a fourth thin film transistor T30, respectively. The thin film transistor T40, the fifth thin film transistor T50, the sixth thin film transistor T60, the seventh thin film transistor T70, the first capacitor C10, and the second capacitor C20. The pixel driving circuit needs to be controlled by four scan control signals, each of which is a first scan control signal S10, a second scan control signal S20, a third scan control signal S30, and a fourth scan control signal S40. The operation timing diagram of the circuit is as shown in FIG. 2 , the operation process of the circuit includes a first step 10, a second step 20 and a third step 30, among which, in the second step 20, the second step After the scan control signal S20 supplies a high potential, a low potential is supplied. At this time, when the second scan control signal S20 supplies a low potential, by the action of the first capacitor C1, the first capacitor C1 and the second capacitor The potential at the junction of C2 becomes unstable. In addition, the pixel driving circuit requires 7 thin film transistors and 2 capacitors, so the structure is complicated, the effective light emitting area of the pixel is relatively low, the number of scan control signals is relatively large, and the timing controller is also relatively complicated.

본 발명의 목적은, 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 픽셀 구동 회로의 구조를 간소화하여, 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있는 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하는 것에 있다.An aspect of the present invention is an AMOLED pixel capable of effectively correcting a threshold voltage for driving a thin film transistor, ensuring uniformity of emission luminance of an organic light emitting diode, simplifying the structure of a pixel driving circuit, and increasing an effective light emitting area It is to provide a driving circuit.

본 발명의 목적은 또한, 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 안정시켜, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있는 AMOLED 픽셀 구동 방법을 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to effectively correct the threshold voltage for driving the thin film transistor, stabilize the current flowing in the organic light emitting diode, secure the uniformity of the emission luminance of the organic light emitting diode, and improve the display effect of the screen. It is to provide an AMOLED pixel driving method.

상기 목적을 실현하기 위해, 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로는 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 콘덴서 및 유기 발광 다이오드를 포함하되;In order to achieve the above object, the present invention provides an AMOLED pixel driving circuit, wherein the AMOLED pixel driving circuit comprises a first thin film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, and a second thin film transistor. 6 including thin film transistors, capacitors and organic light emitting diodes;

상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트가 제2 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 데이터 신호에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제1 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the first thin film transistor accesses a second scan control signal, a source electrically connected to a data signal, and a drain electrically connected to a first node;

상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제1 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the second thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a first node, and a drain electrically connected to a second node;

상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제2 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제3 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the third thin film transistor accesses a first scan control signal, a source electrically connected to a second node, and a drain electrically connected to a third node;

상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 유기 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 접속되고;a gate of the fourth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a third node, and a drain electrically connected to an anode of the organic light emitting diode;

상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 기준 전압에 액세스하며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the fifth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source accesses a reference voltage, and a drain electrically connected to a second node;

상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 노드에 전기적으로 접속되고, 드레인이 전원 고전압에 액세스하며, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the sixth thin film transistor is electrically connected to a first node, a drain accesses a power supply high voltage, and a source is electrically connected to a third node;

상기 콘덴서의 일단이 제2 노드에 전기적으로 접속되고, 타단이 제3 노드에 전기적으로 접속되며;one end of the capacitor is electrically connected to a second node, and the other end is electrically connected to a third node;

상기 유기 발광 다이오드의 음극이 전원 저전압에 액세스하고;the cathode of the organic light emitting diode accesses a power supply low voltage;

상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 한쪽이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 제5 박막 트랜지스터와 다른, 나머지 한쪽이다.The fifth thin film transistor is one of an N-type thin film transistor and a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors. and a different one from the fifth thin film transistor among the P-type thin film transistors.

상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호를 서로 조합하여, 차례로 데이터 전압 기억 단계, 문턱 전압 보정 단계 및 디스플레이 발광 단계에 대응시키고, 또한 상기 유기 발광 다이오드가 데이터 전압 기억 단계 및 문턱 전압 보정 단계에서 발광하지 않도록 제어한다.The first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are combined with each other to sequentially correspond to the data voltage storage step, the threshold voltage correction step, and the display light emitting step, and the organic light emitting diode stores the data voltage Controlled so as not to emit light in the step and threshold voltage correction step.

상기 데이터 전압 기억 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고;In the data voltage storage step, the first scan control signal supplies a first potential, the second scan control signal supplies a first potential, and the third scan control signal generates a second potential different from the first potential. supply, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned on, and the second thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off;

문턱 전압 보정 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터가 온으로 된 후에 오프로 되며;In the threshold voltage correction step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies the first potential, and then supplies the second potential, and the third scan control signal supplies the second potential is supplied, the fifth thin film transistor is turned on, the second thin film transistor, the third thin film transistor, and the fourth thin film transistor are turned off, and the first thin film transistor is turned off after being turned on;

디스플레이 발광 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 오프로 된다.In the display light-emitting step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a second potential, a third scan control signal supplies a first potential, and the second thin film The transistor and the fourth thin film transistor are turned on, and the first thin film transistor, the third thin film transistor, and the fifth thin film transistor are turned off.

상기 제5 박막 트랜지스터는 P형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이다.The fifth thin film transistor is a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors.

상기 제1 전위는 고전위이고, 상기 제2 전위는 저전위이다.The first potential is a high potential, and the second potential is a low potential.

상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터이다.The fifth thin film transistor is an N-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all P-type thin film transistors.

상기 제1 전위는 저전위이고, 상기 제2 전위는 고전위이다.The first potential is a low potential, and the second potential is a high potential.

상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러를 통하여 공급된다.The first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are all supplied through an external timing controller.

상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터이다.The first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, the fifth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all low-temperature polysilicon thin film transistors, oxide semiconductor thin film transistors, or amorphous silicon thin film transistors.

본 발명은 또한 AMOLED 픽셀 구동 방법을 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 방법은 상술한 AMOLED 픽셀 구동 회로에 응용되며, The present invention also provides an AMOLED pixel driving method, wherein the AMOLED pixel driving method is applied to the above-described AMOLED pixel driving circuit,

단계 S001로서, 데이터 전압 기억 단계에 진입하여;As step S001, the data voltage storage step is entered;

상기 제1 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 데이터 신호가 제1 노드에 기입되며, 기준 전압이 제2 노드 및 제3 노드에 기입되는 단계 S001;The first scan control signal supplies a first potential, the second scan control signal supplies a first potential, the third scan control signal supplies a second potential different from the first potential, and the first thin film The transistor, the third thin film transistor, and the fifth thin film transistor are turned on, the second thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off, a data signal is written to the first node, and the reference voltage is set at the second node and the third node Step S001 written to the node;

단계 S002로서, 문턱 전압 보정 단계에 진입하여;As step S002, the threshold voltage correction step is entered;

상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 우선 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터가 온으로 된 후에 오프로 되며;the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal first supplies a first potential and then supplies a second potential, a third scan control signal supplies a second potential, and a fifth thin film transistor is turned on, the second thin film transistor, the third thin film transistor, and the fourth thin film transistor are turned off, and after the first thin film transistor is turned on, it is turned off;

상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위일 때, 제3 노드가 제6 박막 트랜지스터에 의해 방전되어, 제3 노드의 전위를 Vdata-Vth로 변경하되, 여기서, Vdata는 데이터 신호의 전압이고, Vth는 제6 박막 트랜지스터의 문턱 전압이며;When the second scan control signal is at the first potential, the third node is discharged by the sixth thin film transistor to change the potential of the third node to Vdata-Vth, where Vdata is the voltage of the data signal, and Vth is the threshold voltage of the sixth thin film transistor;

상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위일 때, 제1 노드의 전압이 제로로 되어, 제2 노드의 전압이 기준 전압으로 유지되고, 제3 노드의 전압이 Vdata-Vth로 유지되는 단계 S002;when the second scan control signal is at a second potential, the voltage of the first node becomes zero, the voltage of the second node is maintained as a reference voltage, and the voltage of the third node is maintained at Vdata-Vth;

단계 S003로서, 디스플레이 발광 단계에 진입하여;As step S003, the display light-emitting step is entered;

상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 오프로 되어, 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계 S003을 포함한다.The first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a second potential, a third scan control signal supplies a first potential, and the second thin film transistor and the fourth thin film transistor and a step S003 in which the transistor is turned on, the first thin film transistor, the third thin film transistor, and the fifth thin film transistor are turned off, so that the organic light emitting diode emits light.

본 발명은 또한 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하고, 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 콘덴서 및 유기 발광 다이오드를 포함하되;The present invention also provides an AMOLED pixel driving circuit, comprising a first thin film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, a sixth thin film transistor, a capacitor and an organic light emitting diode; ;

상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트가 제2 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 데이터 신호에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제1 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the first thin film transistor accesses a second scan control signal, a source electrically connected to a data signal, and a drain electrically connected to a first node;

상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제1 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the second thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a first node, and a drain electrically connected to a second node;

상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제2 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제3 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the third thin film transistor accesses a first scan control signal, a source electrically connected to a second node, and a drain electrically connected to a third node;

상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 유기 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 접속되고;a gate of the fourth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a third node, and a drain electrically connected to an anode of the organic light emitting diode;

상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 기준 전압에 액세스하며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되며;a gate of the fifth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source accesses a reference voltage, and a drain electrically connected to a second node;

상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 노드에 전기적으로 접속되고, 드레인이 전원 고전압에 액세스하며, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되고;a gate of the sixth thin film transistor is electrically connected to a first node, a drain accesses a power supply high voltage, and a source is electrically connected to a third node;

상기 콘덴서의 일단이 제2 노드에 전기적으로 접속되고, 타단이 제3 노드에 전기적으로 접속되며;one end of the capacitor is electrically connected to a second node, and the other end is electrically connected to a third node;

상기 유기 발광 다이오드의 음극이 전원 저전압에 액세스하고;the cathode of the organic light emitting diode accesses a power supply low voltage;

상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 한쪽이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 제5 박막 트랜지스터와 다른, 나머지 한쪽이며;The fifth thin film transistor is one of an N-type thin film transistor and a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors. and a different one from the fifth thin film transistor among the P-type thin film transistors;

상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호를 서로 조합하여, 차례로 데이터 전압 기억 단계, 문턱 전압 보정 단계 및 디스플레이 발광 단계에 대응시키고, 또한 상기 유기 발광 다이오드가 데이터 전압 기억 단계 및 문턱 전압 보정 단계에서 발광하지 않도록 제어하며;The first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are combined with each other to sequentially correspond to the data voltage storage step, the threshold voltage correction step, and the display light emitting step, and the organic light emitting diode stores the data voltage control not to emit light in the step and the threshold voltage correction step;

상기 데이터 전압 기억 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고;In the data voltage storage step, the first scan control signal supplies a first potential, the second scan control signal supplies a first potential, and the third scan control signal generates a second potential different from the first potential. supply, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned on, and the second thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off;

상기 문턱 전압 보정 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터가 온으로 된 후에 오프로 되며;In the threshold voltage correction step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies the first potential, and then supplies a second potential, and the third scan control signal supplies the second potential. supply a potential, the fifth thin film transistor is turned on, the second thin film transistor, the third thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off, and the first thin film transistor is turned off after being turned on;

상기 디스플레이 발광 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 오프로 되고;In the display light-emitting step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a second potential, a third scan control signal supplies a first potential, and the second the thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned on, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned off;

상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러를 통하여 공급되고;the first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are all supplied through an external timing controller;

상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터이다.The first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, the fifth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all low-temperature polysilicon thin film transistors, oxide semiconductor thin film transistors, or amorphous silicon thin film transistors.

본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다. 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로는 6T1C 구조의 픽셀 구동 회로를 채용하고, 또한 특정 구동 타이밍과 매칭시킴으로써, 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 안정시켜, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있는 동시에, N형 박막 트랜지스터와 P형 박막 트랜지스터의 매칭을 통하여, 박막 트랜지스터 및 스캔 제어 신호의 수를 감소시키고, 이로부터 픽셀 구동 회로의 구조를 간소화하여, 유효 발광 면적을 증가시킨다. 본 발명은 또한 AMOLED 픽셀 구동 방법을 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 방법은 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 안정시켜, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있다.The beneficial effects of the present invention are as follows. The present invention provides an AMOLED pixel driving circuit, wherein the AMOLED pixel driving circuit adopts a 6T1C structure pixel driving circuit, and by matching with a specific driving timing, effectively corrects a threshold voltage for driving a thin film transistor, and an organic light emitting diode By stabilizing the current flowing through the device, it is possible to secure the uniformity of the emission luminance of the organic light emitting diode and improve the display effect of the screen. The number of signals is reduced, thereby simplifying the structure of the pixel driving circuit, thereby increasing the effective light emitting area. The present invention also provides a method for driving an AMOLED pixel, wherein the AMOLED pixel driving method effectively corrects a threshold voltage for driving a thin film transistor to stabilize the current flowing through the organic light emitting diode, thereby improving the uniformity of the emission luminance of the organic light emitting diode. and improve the display effect of the screen.

본 발명의 특징 및 기술 내용을 한층 더 이해할 수 있도록, 이하의 본 발명의 상세한 설명 및 도면을 참조하기 바라며, 다만 도면은 단지 참고 및 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하기 위한 것이 결코 아니다.
도면 중에서,
도 1은 종래의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 AMOLED 픽셀 구동 회로의 타이밍도이다.
도 3은 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 타이밍도이다.
도 5는 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법의 단계 S001의 모식도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법의 단계 S002의 모식도이다.
도 8은 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법의 단계 S003의 모식도이다.
도 9는 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법의 흐름도이다.In order to further understand the characteristics and technical contents of the present invention, reference is made to the following detailed description and drawings of the present invention, but the drawings are for reference and explanation only, and are not intended to limit the present invention.
in the drawing,
1 is a circuit diagram of a conventional AMOLED pixel driving circuit.
FIG. 2 is a timing diagram of the AMOLED pixel driving circuit shown in FIG. 1 .
3 is a circuit diagram of an AMOLED pixel driving circuit of the present invention.
4 is a timing diagram of an AMOLED pixel driving circuit of the present invention.
5 is a schematic diagram of step S001 of the AMOLED pixel driving method of the present invention.
6 and 7 are schematic diagrams of step S002 of the AMOLED pixel driving method of the present invention.
8 is a schematic diagram of step S003 of the AMOLED pixel driving method of the present invention.
9 is a flowchart of an AMOLED pixel driving method of the present invention.

본 발명이 채용하는 기술적 수단 및 그 효과를 한층 더 설명하기 위해, 이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 도면을 결합하여 상세하게 설명한다.In order to further explain the technical means employed by the present invention and its effects, a preferred embodiment of the present invention and its drawings are combined and described in detail below.

도 3을 참조하면, 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로는, 제1 박막 트랜지스터 T1, 제2 박막 트랜지스터 T2, 제3 박막 트랜지스터 T3, 제4 박막 트랜지스터 T4, 제5 박막 트랜지스터 T5, 제6 박막 트랜지스터 T6, 콘덴서 C1 및 유기 발광 다이오드 D를 포함하되;Referring to FIG. 3 , the present invention provides an AMOLED pixel driving circuit, wherein the AMOLED pixel driving circuit includes a first thin film transistor T1, a second thin film transistor T2, a third thin film transistor T3, a fourth thin film transistor T4, and a fifth a thin film transistor T5, a sixth thin film transistor T6, a capacitor C1, and an organic light emitting diode D;

상기 제1 박막 트랜지스터 T1의 게이트가 제2 스캔 제어 신호 S2에 액세스하고, 소스가 데이터 신호 Data에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제1 노드 A에 전기적으로 접속되고;a gate of the first thin film transistor T1 accesses a second scan control signal S2, a source electrically connected to the data signal Data, and a drain electrically connected to the first node A;

상기 제2 박막 트랜지스터 T2의 게이트가 제3 스캔 제어 신호 S3에 액세스하고, 소스가 제1 노드 A에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제2 노드 B에 전기적으로 접속되고;a gate of the second thin film transistor T2 accesses a third scan control signal S3, a source electrically connected to a first node A, and a drain electrically connected to a second node B;

상기 제3 박막 트랜지스터 T3의 게이트가 제1 스캔 제어 신호 S1에 액세스하고, 소스가 제2 노드 B에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제3 노드 C에 전기적으로 접속되고;a gate of the third thin film transistor T3 accesses a first scan control signal S1, a source electrically connected to a second node B, and a drain electrically connected to a third node C;

상기 제4 박막 트랜지스터 T4의 게이트가 제3 스캔 제어 신호 S3에 액세스하고, 소스가 제3 노드 C에 전기적으로 접속되며, 드레인이 유기 발광 다이오드 D의 양극에 전기적으로 접속되고;a gate of the fourth thin film transistor T4 accesses a third scan control signal S3, a source electrically connected to a third node C, and a drain electrically connected to the anode of the organic light emitting diode D;

상기 제5 박막 트랜지스터 T5의 게이트가 제3 스캔 제어 신호 S3에 액세스하고, 소스가 기준 전압 Vref에 액세스하며, 드레인이 제2 노드 B에 전기적으로 접속되고;a gate of the fifth thin film transistor T5 accesses a third scan control signal S3, a source accesses a reference voltage Vref, and a drain electrically connected to a second node B;

상기 제6 박막 트랜지스터 T6의 게이트가 제1 노드 A에 전기적으로 접속되고, 드레인이 전원 고전압 OVDD에 액세스하며, 소스가 제3 노드 C에 전기적으로 접속되고;a gate of the sixth thin film transistor T6 is electrically connected to a first node A, a drain accesses a power supply high voltage OVDD, and a source is electrically connected to a third node C;

상기 콘덴서 C1의 일단이 제2 노드 B에 전기적으로 접속되고, 타단이 제3 노드 C에 전기적으로 접속되며;one end of the capacitor C1 is electrically connected to the second node B, and the other end is electrically connected to the third node C;

상기 유기 발광 다이오드 D의 음극이 전원 저전압 OVSS에 액세스한다.The cathode of the organic light emitting diode D accesses the power supply low voltage OVSS.

여기서, 상기 제5 박막 트랜지스터 T5는 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 한쪽이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터 T1, T2, T3, T4, T6은 모두 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 제5 박막 트랜지스터 T5와 다른, 나머지 한쪽이다.Here, the fifth thin film transistor T5 is one of an N-type thin film transistor and a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistors T1 and T2 , T3, T4, and T6 are all different from the fifth thin film transistor T5 among the N-type thin film transistor and the P-type thin film transistor, and are the other one.

구체적으로는, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 동작 프로세스는, 상기 제1 스캔 제어 신호 S1, 제2 스캔 제어 신호 S2 및 제3 스캔 제어 신호 S3을 서로 조합하여, 차례로 데이터 전압 기억 단계(1), 문턱 전압 보정 단계(2), 및 디스플레이 발광 단계(3)에 대응시키고, 또한 상기 유기 발광 다이오드 D가 데이터 전압 기억 단계(1) 및 문턱 전압 보정 단계(2)에서 발광하지 않도록 제어한다.Specifically, as shown in FIG. 4, the operation process of the AMOLED pixel driving circuit of the present invention combines the first scan control signal S1, the second scan control signal S2, and the third scan control signal S3 with each other, Corresponding to the data voltage storage step (1), the threshold voltage correction step (2), and the display light-emitting step (3) in turn, the organic light emitting diode D is the data voltage storage step (1) and the threshold voltage correction step (2) control so that it does not emit light.

여기서, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 전압 기억 단계(1)에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호 S1이 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호 S3이 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1, 제3 박막 트랜지스터 T3 및 제5 박막 트랜지스터 T5가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 T2 및 제4 박막 트랜지스터 T4가 오프로 되고, 데이터 신호 Data가 제1 노드 A에 기입되며, 기준 전압 Vref가 제2 노드 B 및 제3 노드 C에 기입되고, 제1 노드 A의 전압이 데이터 신호의 전압 Vdata와 동등하며, 제2 노드 B 및 제3 노드 C의 전압이 기준 전압 Vref와 동등하다.Here, as shown in FIG. 5 , in the data voltage storage step (1), the first scan control signal S1 supplies a first potential, and the second scan control signal S2 supplies a first potential, A third scan control signal S3 supplies a second potential different from the first potential, and the first thin film transistor T1, the third thin film transistor T3, and the fifth thin film transistor T5 are turned on, and the second thin film transistor T2 and the second thin film transistor T5 are turned on. 4 The thin film transistor T4 is turned off, the data signal Data is written to the first node A, the reference voltage Vref is written to the second node B and the third node C, and the voltage of the first node A is the voltage Vdata of the data signal is equal to, and the voltages of the second node B and the third node C are equal to the reference voltage Vref.

나아가, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 문턱 전압 보정 단계(2)에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호 S1이 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호 S3이 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터 T5가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 T2, 제3 박막 트랜지스터 T3 및 제4 박막 트랜지스터 T4가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1이 온으로 된 후에 오프로 된다.Furthermore, as shown in FIGS. 6 and 7 , in the threshold voltage correction step (2), the first scan control signal S1 supplies a second potential, and the second scan control signal S2 supplies a first potential. A second potential is supplied, a third scan control signal S3 supplies a second potential, the fifth thin film transistor T5 is turned on, and the second thin film transistor T2, the third thin film transistor T3, and the fourth thin film transistor T3 are turned on. The transistor T4 is turned off, and after the first thin film transistor T1 is turned on, it is turned off.

구체적으로는, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제1 전위일 때, 제6 박막 트랜지스터 T6이 컷오프로 될 때까지, 제3 노드 C가 제6 박막 트랜지스터 T6에 의해 방전되어, 제3 노드 C의 전위를 Vdata-Vth로 변경하고, 콘덴서 C1의 전압차가 Vref-(Vdata-Vth)이다. 여기서, Vdata는 데이터 신호 Data의 전압이고, Vth는 제6 박막 트랜지스터 T6의 문턱 전압이며, 제1 노드 A의 전압은 데이터 신호의 전압 Vdata로 유지되고, 제2 노드 B의 전압은 기준 전압 Vref로 유지된다. 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제2 전위일 때, 제1 노드 A의 전압이 제로로 되어, 콘덴서 C1의 전압차가 변화되지 않기 때문에, 제2 노드 B의 전압은 기준 전압 Vref로 유지되고, 제3 노드 C의 전압은 Vdata-Vth로 유지된다.Specifically, as shown in FIG. 6 , when the second scan control signal S2 is at the first potential, the third node C is controlled by the sixth thin film transistor T6 until the sixth thin film transistor T6 is cut off. discharged, the potential of the third node C is changed to Vdata-Vth, and the voltage difference of the capacitor C1 is Vref-(Vdata-Vth). Here, Vdata is the voltage of the data signal Data, Vth is the threshold voltage of the sixth thin film transistor T6, the voltage of the first node A is maintained as the voltage Vdata of the data signal, and the voltage of the second node B is the reference voltage Vref. maintain. As shown in FIG. 7 , when the second scan control signal S2 is at the second potential, the voltage at the first node A becomes zero and the voltage difference between the capacitor C1 does not change, so the voltage at the second node B is The reference voltage Vref is maintained, and the voltage of the third node C is maintained at Vdata-Vth.

나아가, 도 8에 도시한 바와 같이, 디스플레이 발광 단계(3)에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호 S1이 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호 S3이 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 T2 및 제4 박막 트랜지스터 T4가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1, 제3 박막 트랜지스터 T3 및 제5 박막 트랜지스터 T5가 오프로 되어, 상기 유기 발광 다이오드 D가 발광하고, 유기 발광 다이오드 D에 흐르는 전류 Ioled가 Ioled=k(Vgs-Vth)2=k(Vref-Vdata+Vth-Vth)2=k(Vref-Vdata)2과 동등하다. 여기서, k는 박막 트랜지스터, 즉 제6 박막 트랜지스터 T6을 구동하는 구조 파라미터이고, Vgs는 제6 박막 트랜지스터 T6의 게이트 소스 전압차이며, 동일한 구조의 박막 트랜지스터는, K값이 상대적으로 안정되기 때문에, 이로부터, 유기 발광 다이오드 D의 발광 시, 상기 유기 발광 다이오드 D에 흐르는 전류가 제6 박막 트랜지스터 T6의 문턱 전압과는 무관계하고, 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압 드리프트에 의해, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류가 불안정하다는 과제를 해결하여, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도를 균일하게 하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있다.Furthermore, as shown in FIG. 8 , in the display light-emitting step 3 , the first scan control signal S1 supplies a second potential, the second scan control signal S2 supplies a second potential, and the third The scan control signal S3 supplies a first potential, the second thin film transistor T2 and the fourth thin film transistor T4 are turned on, and the first thin film transistor T1, the third thin film transistor T3, and the fifth thin film transistor T5 are turned off. Thus, the organic light emitting diode D emits light, and the current Ioled flowing through the organic light emitting diode D is Ioled=k(Vgs-Vth) 2 =k(Vref-Vdata+Vth-Vth) 2 =k(Vref-Vdata) 2 and equal Here, k is a structural parameter for driving the thin film transistor, that is, the sixth thin film transistor T6, Vgs is the gate-source voltage difference of the sixth thin film transistor T6, and since the thin film transistor of the same structure has a relatively stable K value, From this, when the organic light emitting diode D emits light, the current flowing through the organic light emitting diode D is independent of the threshold voltage of the sixth thin film transistor T6, and the current flowing through the organic light emitting diode due to the threshold voltage drift driving the thin film transistor By solving the problem of instability, it is possible to make the emission luminance of the organic light emitting diode uniform and to improve the display effect of the screen.

바람직하게는, 본 발명의 제1 실시예에서는, 상기 제5 박막 트랜지스터 T5는 P형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터 T1, T2, T3, T4, T6은 모두 N형 박막 트랜지스터이다. 상기 제1 전위는 고전위이고, 상기 제2 전위는 저전위이다.Preferably, in the first embodiment of the present invention, the fifth thin film transistor T5 is a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor Transistors T1, T2, T3, T4, and T6 are all N-type thin film transistors. The first potential is a high potential, and the second potential is a low potential.

바람직하게는, 본 발명의 제2 실시예에서는, 상기 제5 박막 트랜지스터 T5는 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터 T1, T2, T3, T4, T6은 모두 P형 박막 트랜지스터이다. 상기 제1 전위는 저전위이고, 상기 제2 전위는 고전위이다.Preferably, in the second embodiment of the present invention, the fifth thin film transistor T5 is an N-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor Transistors T1, T2, T3, T4, and T6 are all P-type thin film transistors. The first potential is a low potential, and the second potential is a high potential.

구체적으로는, 상기 제1 스캔 제어 신호 S1, 제2 스캔 제어 신호 S2 및 제3 스캔 제어 신호 S3은 모두 외부 타이밍 컨트롤러를 통하여 공급된다.Specifically, the first scan control signal S1, the second scan control signal S2, and the third scan control signal S3 are all supplied through an external timing controller.

구체적으로는, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1, 제2 박막 트랜지스터 T2, 제3 박막 트랜지스터 T3, 제4 박막 트랜지스터 T4, 제5 박막 트랜지스터 T5 및 제6 박막 트랜지스터 T6은 모두 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터이다.Specifically, the first thin film transistor T1, the second thin film transistor T2, the third thin film transistor T3, the fourth thin film transistor T4, the fifth thin film transistor T5, and the sixth thin film transistor T6 are all low-temperature polysilicon thin film transistors and oxide semiconductors. a thin film transistor, or an amorphous silicon thin film transistor.

도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법은, 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로에 응용되고, 이하의 단계 S001 내지 S003을 포함한다.As shown in Fig. 9, the AMOLED pixel driving method of the present invention is applied to the AMOLED pixel driving circuit, and includes the following steps S001 to S003.

단계 S001에서는, 도 5를 참조하면, 데이터 전압 기억 단계(1)에 진입하여,In step S001, referring to FIG. 5, the data voltage storage step (1) is entered,

상기 제1 스캔 제어 신호 S1이 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호 S3이 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1, 제3 박막 트랜지스터 T3 및 제5 박막 트랜지스터 T5가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 T2 및 제4 박막 트랜지스터 T4가 오프로 되고, 데이터 신호 Data가 제1 노드 A에 기입되며, 기준 전압 Vref가 제2 노드 B 및 제3 노드 C에 기입된다.the first scan control signal S1 supplies a first potential, the second scan control signal S2 supplies a first potential, and the third scan control signal S3 supplies a second potential different from the first potential; The first thin film transistor T1, the third thin film transistor T3, and the fifth thin film transistor T5 are turned on, the second thin film transistor T2 and the fourth thin film transistor T4 are turned off, and the data signal Data is written to the first node A; , the reference voltage Vref is written to the second node B and the third node C.

구체적으로는, 단계 S001에서는, 제1 노드 A의 전압이 데이터 신호의 전압 Vdata와 동등하고, 제2 노드 B 및 제3 노드 C의 전압이 기준 전압 Vref와 동등하다.Specifically, in step S001, the voltage of the first node A is equal to the voltage Vdata of the data signal, and the voltages of the second node B and the third node C are equal to the reference voltage Vref.

단계 S002에서는, 도 6 내지 도 7을 참조하면, 문턱 전압 보정 단계(2)에 진입하여,In step S002, referring to FIGS. 6 to 7, the threshold voltage correction step (2) is entered,

상기 제1 스캔 제어 신호 S1이 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 우선 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호 S3이 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터 T5가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 T2, 제3 박막 트랜지스터 T3 및 제4 박막 트랜지스터 T4가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1이 온으로 된 후에 오프로 된다.The first scan control signal S1 supplies a second potential, the second scan control signal S2 first supplies a first potential and then supplies a second potential, and a third scan control signal S3 supplies a second potential and the fifth thin film transistor T5 is turned on, the second thin film transistor T2, the third thin film transistor T3, and the fourth thin film transistor T4 are turned off, and after the first thin film transistor T1 is turned on, it is turned off. .

구체적으로는, 단계 S002에서는, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제1 전위일 때, 제6 박막 트랜지스터 T6이 컷오프로 될 때까지, 제3 노드 C가 제6 박막 트랜지스터 T6에 의해 방전되어, 제3 노드 C의 전위를 Vdata-Vth로 변경하고, 콘덴서 C1의 전압차가 Vref-(Vdata-Vth)이다. 여기서, Vdata는 데이터 신호 Data의 전압이고, Vth는 제6 박막 트랜지스터 T6의 문턱 전압이며, 제1 노드 A의 전압은 데이터 신호의 전압 Vdata로 유지되고, 제2 노드 B의 전압은 기준 전압 Vref로 유지된다.Specifically, in step S002, when the second scan control signal S2 is at the first potential, the third node C is discharged by the sixth thin film transistor T6 until the sixth thin film transistor T6 is cut off, 3 The potential of the node C is changed to Vdata-Vth, and the voltage difference of the capacitor C1 is Vref-(Vdata-Vth). Here, Vdata is the voltage of the data signal Data, Vth is the threshold voltage of the sixth thin film transistor T6, the voltage of the first node A is maintained as the voltage Vdata of the data signal, and the voltage of the second node B is the reference voltage Vref. maintain.

또한, 단계 S002에서는, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제2 전위일 때, 제1 노드 A의 전압이 제로로 되어, 콘덴서 C1의 전압차가 변화되지 않기 때문에, 제2 노드 B의 전압은 기준 전압 Vref로 유지되고, 제3 노드 C의 전압은 Vdata-Vth로 유지된다.Further, in step S002, when the second scan control signal S2 is at the second potential, the voltage of the first node A becomes zero and the voltage difference of the capacitor C1 does not change, so the voltage of the second node B is the reference voltage. Vref is maintained, and the voltage of the third node C is maintained at Vdata-Vth.

단계 S003에서는, 도 8을 참조하면, 디스플레이 발광 단계(3)에 진입하여,In step S003, referring to FIG. 8, entering the display light-emitting step (3),

상기 제1 스캔 제어 신호 S1이 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호 S2가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호 S3이 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 T2 및 제4 박막 트랜지스터 T4가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터 T1, 제3 박막 트랜지스터 T3 및 제5 박막 트랜지스터 T5가 오프로 되어, 유기 발광 다이오드 D가 발광한다.The first scan control signal S1 supplies a second potential, the second scan control signal S2 supplies a second potential, a third scan control signal S3 supplies a first potential, and the second thin film transistor T2 and the fourth thin film transistor T4 is turned on, the first thin film transistor T1, the third thin film transistor T3, and the fifth thin film transistor T5 are turned off, and the organic light emitting diode D emits light.

구체적으로는, 상기 단계 S003에서는, 유기 발광 다이오드 D에 흐르는 전류 Ioled가 Ioled=k(Vgs-Vth)2=k(Vref-Vdata+Vth-Vth)2=k(Vref-Vdata)2과 동등하다. 여기서, k는 박막 트랜지스터, 즉 제6 박막 트랜지스터 T6을 구동하는 구조 파라미터이고, Vgs는 제6 박막 트랜지스터 T6의 게이트 소스 전압차이며, 동일한 구조의 박막 트랜지스터는, K값이 상대적으로 안정되기 때문에, 이로부터, 유기 발광 다이오드 D의 발광 시, 상기 유기 발광 다이오드 D에 흐르는 전류가 제6 박막 트랜지스터 T6의 문턱 전압과는 무관계하고, 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압 드리프트에 의해, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류가 불안정하다는 과제를 해결하여, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도를 균일하게 하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있다.Specifically, in step S003, the current Ioled flowing through the organic light emitting diode D is equal to Ioled=k(Vgs-Vth) 2 =k(Vref-Vdata+Vth-Vth) 2 =k(Vref-Vdata) 2 . . Here, k is a structural parameter for driving the thin film transistor, that is, the sixth thin film transistor T6, Vgs is the gate-source voltage difference of the sixth thin film transistor T6, and since the thin film transistor of the same structure has a relatively stable K value, From this, when the organic light emitting diode D emits light, the current flowing through the organic light emitting diode D is independent of the threshold voltage of the sixth thin film transistor T6, and the current flowing through the organic light emitting diode due to the threshold voltage drift driving the thin film transistor By solving the problem of instability, it is possible to make the emission luminance of the organic light emitting diode uniform and to improve the display effect of the screen.

이상과 같이, 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로는, 6T1C 구조의 픽셀 구동 회로를 채용하고, 또한 특정 구동 타이밍과 매칭시킴으로써, 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 안정시켜, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있는 동시에, N형 박막 트랜지스터와 P형 박막 트랜지스터의 매칭을 통하여, 박막 트랜지스터 및 스캔 제어 신호의 수를 감소시키고, 이로부터 픽셀 구동 회로의 구조를 간소화하여, 유효 발광 면적을 증가시킨다. 본 발명은 또한 AMOLED 픽셀 구동 방법을 제공하고, 상기 AMOLED 픽셀 구동 방법은 박막 트랜지스터를 구동하는 문턱 전압을 효과적으로 보정하여, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 안정시켜, 유기 발광 다이오드의 발광 휘도의 균일성을 확보하고, 화면의 디스플레이 효과를 개선할 수 있다.As described above, the present invention provides an AMOLED pixel driving circuit, wherein the AMOLED pixel driving circuit employs a 6T1C structure pixel driving circuit and matches a specific driving timing to effectively correct a threshold voltage for driving a thin film transistor Thus, it is possible to stabilize the current flowing through the organic light emitting diode, ensure the uniformity of the emission luminance of the organic light emitting diode, and improve the display effect of the screen. The number of thin film transistors and scan control signals is reduced, thereby simplifying the structure of the pixel driving circuit, thereby increasing the effective light emitting area. The present invention also provides a method for driving an AMOLED pixel, wherein the method for driving an AMOLED pixel effectively corrects a threshold voltage for driving a thin film transistor to stabilize the current flowing through the organic light emitting diode, thereby improving the uniformity of emission luminance of the organic light emitting diode. and improve the display effect of the screen.

이상과 같이, 당업자에게 있어서는, 본 발명의 기술적 방안 및 기술적 개념에 기초하여 다른 대응하는 다양한 변경이나 변형을 행할 수 있고, 이들 변경이나 변형은 모두 본 발명의 청구범위의 보호 범위에 속한다.As described above, those skilled in the art can make other corresponding various changes and modifications based on the technical solutions and technical concepts of the present invention, and all these changes and modifications fall within the protection scope of the claims of the present invention.

Claims (15)

AMOLED 픽셀 구동 회로로서,
제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 콘덴서 및 유기 발광 다이오드를 포함하되;
상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트가 제2 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 데이터 신호에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제1 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제1 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제2 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제3 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 유기 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 접속되고;
상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 기준 전압에 액세스하며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 노드에 전기적으로 접속되고, 드레인이 전원 고전압에 액세스하며, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 콘덴서의 일단이 제2 노드에 전기적으로 접속되고, 타단이 제3 노드에 전기적으로 접속되며;
상기 유기 발광 다이오드의 음극이 전원 저전압에 액세스하고;
상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 한쪽이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 제5 박막 트랜지스터와 다른, 나머지 한쪽이고,
상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호를 서로 조합하여, 차례로 데이터 전압 기억 단계, 문턱 전압 보정 단계 및 디스플레이 발광 단계에 대응시키고, 또한 상기 유기 발광 다이오드가 데이터 전압 기억 단계 및 문턱 전압 보정 단계에서 발광하지 않도록 제어하는, AMOLED 픽셀 구동 회로.An AMOLED pixel driving circuit comprising:
a first thin film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, a sixth thin film transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode;
a gate of the first thin film transistor accesses a second scan control signal, a source electrically connected to a data signal, and a drain electrically connected to a first node;
a gate of the second thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a first node, and a drain electrically connected to a second node;
a gate of the third thin film transistor accesses a first scan control signal, a source electrically connected to a second node, and a drain electrically connected to a third node;
a gate of the fourth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a third node, and a drain electrically connected to an anode of the organic light emitting diode;
a gate of the fifth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source accesses a reference voltage, and a drain electrically connected to a second node;
a gate of the sixth thin film transistor is electrically connected to a first node, a drain accesses a power supply high voltage, and a source is electrically connected to a third node;
one end of the capacitor is electrically connected to a second node, and the other end is electrically connected to a third node;
the cathode of the organic light emitting diode accesses a power supply low voltage;
The fifth thin film transistor is one of an N-type thin film transistor and a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors. and the fifth thin film transistor and the other one of the P-type thin film transistors,
The first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are combined with each other to sequentially correspond to the data voltage storage step, the threshold voltage correction step, and the display light emitting step, and the organic light emitting diode stores the data voltage An AMOLED pixel driving circuit that controls not to emit light in the step and the threshold voltage correction step. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 데이터 전압 기억 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고;
상기 문턱 전압 보정 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터가 온으로 된 후에 오프로 되며;
상기 디스플레이 발광 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 오프로 되는, AMOLED 픽셀 구동 회로.According to claim 1,
In the data voltage storage step, the first scan control signal supplies a first potential, the second scan control signal supplies a first potential, and the third scan control signal generates a second potential different from the first potential. supply, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned on, and the second thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off;
In the threshold voltage correction step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies the first potential, and then supplies a second potential, and the third scan control signal supplies the second potential. supply a potential, the fifth thin film transistor is turned on, the second thin film transistor, the third thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off, and the first thin film transistor is turned off after being turned on;
In the display light-emitting step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a second potential, a third scan control signal supplies a first potential, and the second An AMOLED pixel driving circuit, wherein the thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned on, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned off. 제3항에 있어서,
상기 제5 박막 트랜지스터는 P형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터인, AMOLED 픽셀 구동 회로.4. The method of claim 3,
The fifth thin film transistor is a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors. 제4항에 있어서,
상기 제1 전위는 고전위이고, 상기 제2 전위는 저전위인, AMOLED 픽셀 구동 회로.5. The method of claim 4,
wherein the first potential is a high potential and the second potential is a low potential. 제3항에 있어서,
상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터인, AMOLED 픽셀 구동 회로.4. The method of claim 3,
The fifth thin film transistor is an N-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all P-type thin film transistors. 제6항에 있어서,
상기 제1 전위는 저전위이고, 상기 제2 전위는 고전위인, AMOLED 픽셀 구동 회로.7. The method of claim 6,
wherein the first potential is a low potential and the second potential is a high potential. 제1항에 있어서,
상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러를 통하여 공급되는, AMOLED 픽셀 구동 회로.According to claim 1,
and the first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are all supplied through an external timing controller. 제1항에 있어서,
상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터인, AMOLED 픽셀 구동 회로.According to claim 1,
The first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, the fifth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all low-temperature polysilicon thin film transistors, oxide semiconductor thin film transistors, or amorphous silicon thin film transistors, AMOLED pixel driving circuit. AMOLED 픽셀 구동 방법으로서,
제1항에 기재된 AMOLED 픽셀 구동 회로에 응용되고,
단계 S001로서, 데이터 전압 기억 단계에 진입하여;
상기 제1 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 데이터 신호가 제1 노드에 기입되며, 기준 전압이 제2 노드 및 제3 노드에 기입되는 단계 S001;
단계 S002로서, 문턱 전압 보정 단계에 진입하여;
상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 우선 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터가 온으로 된 후에 오프로 되며;
상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위일 때, 제3 노드가 제6 박막 트랜지스터에 의해 방전되어, 제3 노드의 전위를 Vdata-Vth로 변경하되, Vdata는 데이터 신호의 전압이고, Vth는 제6 박막 트랜지스터의 문턱 전압이며;
상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위일 때, 제1 노드의 전압이 제로로 되어, 제2 노드의 전압이 기준 전압으로 유지되고, 제3 노드의 전압이 Vdata-Vth로 유지되는 단계S002;
단계 S003로서, 디스플레이 발광 단계에 진입하여;
상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 오프로 되어, 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계 S003
을 포함하는, AMOLED 픽셀 구동 방법.A method for driving an AMOLED pixel, comprising:
Applied to the AMOLED pixel driving circuit according to claim 1,
As step S001, the data voltage storage step is entered;
The first scan control signal supplies a first potential, the second scan control signal supplies a first potential, the third scan control signal supplies a second potential different from the first potential, and the first thin film The transistor, the third thin film transistor, and the fifth thin film transistor are turned on, the second thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off, a data signal is written to the first node, and the reference voltage is set at the second node and the third node Step S001 written to the node;
As step S002, the threshold voltage correction step is entered;
the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal first supplies a first potential and then supplies a second potential, a third scan control signal supplies a second potential, and a fifth thin film transistor is turned on, the second thin film transistor, the third thin film transistor, and the fourth thin film transistor are turned off, and after the first thin film transistor is turned on, it is turned off;
When the second scan control signal is the first potential, the third node is discharged by the sixth thin film transistor to change the potential of the third node to Vdata-Vth, where Vdata is the voltage of the data signal, and Vth is the second 6 is the threshold voltage of the thin film transistor;
when the second scan control signal has a second potential, the voltage of the first node becomes zero, the voltage of the second node is maintained as a reference voltage, and the voltage of the third node is maintained at Vdata-Vth;
As step S003, the display light-emitting step is entered;
The first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a second potential, a third scan control signal supplies a first potential, and the second thin film transistor and the fourth thin film transistor Step S003 that the transistor is turned on, the first thin film transistor, the third thin film transistor, and the fifth thin film transistor are turned off, so that the organic light emitting diode emits light
Including, AMOLED pixel driving method. AMOLED 픽셀 구동 회로로서,
제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 콘덴서 및 유기 발광 다이오드를 포함하되;
상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트가 제2 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 데이터 신호에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제1 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제1 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제2 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 제3 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되며, 드레인이 유기 발광 다이오드의 양극에 전기적으로 접속되고;
상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트가 제3 스캔 제어 신호에 액세스하고, 소스가 기준 전압에 액세스하며, 드레인이 제2 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 노드에 전기적으로 접속되고, 드레인이 전원 고전압에 액세스하며, 소스가 제3 노드에 전기적으로 접속되고;
상기 콘덴서의 일단이 제2 노드에 전기적으로 접속되고, 타단이 제3 노드에 전기적으로 접속되며;
상기 유기 발광 다이오드의 음극이 전원 저전압에 액세스하고;
상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 한쪽이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터 및 P형 박막 트랜지스터 중 제5 박막 트랜지스터와 다른, 나머지 한쪽이며;
상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호를 서로 조합하여, 차례로 데이터 전압 기억 단계, 문턱 전압 보정 단계, 및 디스플레이 발광 단계에 대응시키고, 또한 상기 유기 발광 다이오드가 데이터 전압 기억 단계 및 문턱 전압 보정 단계에서 발광하지 않도록 제어하며;
상기 데이터 전압 기억 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위와 다른 제2 전위를 공급하고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고;
상기 문턱 전압 보정 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급한 후에 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제5 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 오프로 되고, 상기 제1 박막 트랜지스터가 온으로 된 후에 오프로 되며;
상기 디스플레이 발광 단계에서는, 상기 제1 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하고, 상기 제2 스캔 제어 신호가 제2 전위를 공급하며, 제3 스캔 제어 신호가 제1 전위를 공급하고, 상기 제2 박막 트랜지스터 및 제4 박막 트랜지스터가 온으로 되며, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터 및 제5 박막 트랜지스터가 오프로 되고;
상기 제1 스캔 제어 신호, 제2 스캔 제어 신호 및 제3 스캔 제어 신호는 모두 외부 타이밍 컨트롤러를 통하여 공급되고;
상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 또는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터인, AMOLED 픽셀 구동 회로.An AMOLED pixel driving circuit comprising:
a first thin film transistor, a second thin film transistor, a third thin film transistor, a fourth thin film transistor, a fifth thin film transistor, a sixth thin film transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode;
a gate of the first thin film transistor accesses a second scan control signal, a source electrically connected to a data signal, and a drain electrically connected to a first node;
a gate of the second thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a first node, and a drain electrically connected to a second node;
a gate of the third thin film transistor accesses a first scan control signal, a source electrically connected to a second node, and a drain electrically connected to a third node;
a gate of the fourth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source electrically connected to a third node, and a drain electrically connected to an anode of the organic light emitting diode;
a gate of the fifth thin film transistor accesses a third scan control signal, a source accesses a reference voltage, and a drain electrically connected to a second node;
a gate of the sixth thin film transistor is electrically connected to a first node, a drain accesses a power supply high voltage, and a source is electrically connected to a third node;
one end of the capacitor is electrically connected to a second node, and the other end is electrically connected to a third node;
the cathode of the organic light emitting diode accesses a power supply low voltage;
The fifth thin film transistor is one of an N-type thin film transistor and a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors. and a different one from the fifth thin film transistor among the P-type thin film transistors;
The first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are combined with each other to sequentially correspond to the data voltage storage step, the threshold voltage correction step, and the display light emitting step, and the organic light emitting diode generates a data voltage control not to emit light in the storage step and the threshold voltage correction step;
In the data voltage storage step, the first scan control signal supplies a first potential, the second scan control signal supplies a first potential, and the third scan control signal generates a second potential different from the first potential. supply, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned on, and the second thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off;
In the threshold voltage correction step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a first potential, and then supplies a second potential, and a third scan control signal supplies a second potential. supply a potential, the fifth thin film transistor is turned on, the second thin film transistor, the third thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned off, and the first thin film transistor is turned off after being turned on;
In the display light-emitting step, the first scan control signal supplies a second potential, the second scan control signal supplies a second potential, a third scan control signal supplies a first potential, and the second the thin film transistor and the fourth thin film transistor are turned on, and the first thin film transistor, the third thin film transistor and the fifth thin film transistor are turned off;
the first scan control signal, the second scan control signal, and the third scan control signal are all supplied through an external timing controller;
The first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, the fifth thin film transistor and the sixth thin film transistor are all low-temperature polysilicon thin film transistors, oxide semiconductor thin film transistors, or amorphous silicon thin film transistors, AMOLED pixel driving circuit. 제11항에 있어서,
상기 제5 박막 트랜지스터는 P형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터인, AMOLED 픽셀 구동 회로.12. The method of claim 11,
The fifth thin film transistor is a P-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all N-type thin film transistors. 제12항에 있어서,
상기 제1 전위는 고전위이고, 상기 제2 전위는 저전위인, AMOLED 픽셀 구동 회로.13. The method of claim 12,
wherein the first potential is a high potential and the second potential is a low potential. 제11항에 있어서,
상기 제5 박막 트랜지스터는 N형 박막 트랜지스터이고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터 및 제6 박막 트랜지스터는 모두 P형 박막 트랜지스터인, AMOLED 픽셀 구동 회로.12. The method of claim 11,
The fifth thin film transistor is an N-type thin film transistor, and the first thin film transistor, the second thin film transistor, the third thin film transistor, the fourth thin film transistor, and the sixth thin film transistor are all P-type thin film transistors. 제14항에 있어서,
상기 제1 전위는 저전위이고, 상기 제2 전위는 고전위인, AMOLED 픽셀 구동 회로.15. The method of claim 14,
wherein the first potential is a low potential and the second potential is a high potential.
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