KR102320874B1 - Thickness measuring method using Ultra-violet for SiC grown by crystal growth method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치 및 측정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 현미경의 광원이 설치되는 위치에 하나의 광원이 더 병행 설치되며, 상기 병행 설치되는 하나의 광원은 자외선 발생장치인 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치를 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 높은 밴드갭을 가지고 있는 SiC가 자외선에 의하여 발광이 되는 것을 착안하여 현미경의 광원과 함께 자외선 발생장치를 병설함으로써, 측정 속도를 제고하고, Photoluminescence 현상으로 인하여 경계층의 뚜렷한 영상을 획득하며, 고가의 장비를 별도로 구축할 필요가 없는 효과를 기대할 수 있다. The present invention relates to an apparatus and a method for measuring thickness using ultraviolet rays of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, and more particularly, a light source is installed in parallel at a position where a light source of a microscope is installed, and the parallel installation One light source to be provided is an apparatus for measuring thickness using ultraviolet rays of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that it is an ultraviolet generator.
According to the present invention as described above, focusing on the fact that SiC having a high bandgap emits light by ultraviolet rays, by installing the ultraviolet generator together with the light source of the microscope, the measurement speed is improved, and the boundary layer is clearly defined due to the photoluminescence phenomenon. It acquires an image and can expect the effect of not needing to build expensive equipment separately.
Description
본 발명은 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치 및 측정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 현미경의 광원이 설치되는 위치에 하나의 광원이 더 병행 설치되며, 상기 병행 설치되는 하나의 광원은 자외선 발생장치인 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치를 제공한다. The present invention relates to an apparatus and method for measuring thickness using ultraviolet rays of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, and more particularly, a light source is installed in parallel at a position where a light source of a microscope is installed, and the parallel installation One light source to be provided is an apparatus for measuring thickness using ultraviolet rays of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that it is an ultraviolet generator.
반도체 소자로 사용되는 Conductive SiC의 두께 측정을 위한 기존의 방법으로는 FE-SEM과 광학현미경을 이용하는 방법이 사용되어 왔다. 예를 들어 Wafer상에 성장된 SiC 단결정의 경우, 시간당 성장 두께가 수백㎛ ~ 수십mm이므로, 단면(Cross-section)으로 분석을 할 경우, FE-SEM 또는 광학현미경을 통해서 관찰을 하는 경우가 대다수이나, 기존의 FE-SEM이나, 광학현미경의 경우 성장면의 기준이 모호하므로, 즉 성장면이 평탄하지 않고 어느 지점을 기준점으로 삼아야 하는지 명확치 않으므로 두께 측정에 어려움이 있다. 이런 경우에는 측정자의 기준에 따르게 되며, 따라서 측정자의 기준에 따라서 상이한 수치가 도출될 가능성이 높다. As a conventional method for measuring the thickness of conductive SiC used as a semiconductor device, a method using FE-SEM and an optical microscope has been used. For example, in the case of a SiC single crystal grown on a wafer, the growth thickness per hour is several hundred μm to several tens of mm. Therefore, when analyzing by cross-section, observation through FE-SEM or optical microscope is the majority. However, in the case of the conventional FE-SEM or optical microscope, since the standard of the growth plane is ambiguous, that is, the growth plane is not flat and it is not clear which point should be used as the reference point, so it is difficult to measure the thickness. In this case, it is based on the measurer's standards, so there is a high possibility that different values will be derived according to the measurer's standards.
또한, 일반적인 FE-SEM의 경우 10-3Pa 이상의 진공 중에 놓여진 시료표면을 1~100nm정도의 미세한 전자선으로 x-y의 이차원방향으로 주사하여 시료표면에서 발생하는 2차전자, 반사전자, 투과전자, 가시광, 적외선, X선, 내부기전력 등의 신호를 검출하여 음극선과(브라운관) 화면상에 확대화상을 표시하거나 기록하여 시료의 형태, 미세구조의 관찰 구성원소의 분포 정성, 정량 등의 분석을 행하는데, 이때 장비의 진공을 발생시키기 위한 시간이 오래 걸리며, 장비마다 상이하나, 평균 약 3~4시간이 소요되는 문제점도 있다.In addition, in the case of general FE-SEM, secondary electrons, reflected electrons, transmitted electrons, and visible light are generated from the sample surface by scanning the sample surface placed in a vacuum of 10 -3 Pa or more in the two-dimensional direction of xy with a fine electron beam of about 1 to 100 nm. , infrared, X-ray, internal electromotive force, etc. are detected and an enlarged image is displayed or recorded on the cathode ray and (CRT) screen to analyze the shape and microstructure of the sample, the distribution of qualitative and quantitative elements, etc. , At this time, it takes a long time to generate a vacuum of the equipment, and although it is different for each equipment, there is also a problem that it takes about 3 to 4 hours on average.
이러한 어려움 및 문제점을 감안하여 현미경을 이용하지 않고 반도체 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있는 장치로서, 대한민국등록특허 제0634763호에서는 "반도체 웨이퍼 두께측정장치"를 개시하고 있는데, 동 선행기술은 고정체와 디지털 마이크로미터의 측정체가 대향 되도록 구성하고, 웨이퍼의 중심이 각각의 전극에 위치하도록 웨이퍼를 상, 하로 자유로이 움직이는 높이조절부 및 상기 측정체 및 고정체가 이격되어 웨이퍼가 위치되는 공간을 형성하도록 두께를 측정하는 두께 측정기를 좌, 우로 자유롭게 이동시키는 측정 이송부를 형성하여, 직경 200 mm 이하의 웨이퍼에 대한 두께 정밀 측정뿐만 아니라 다양한 크기의 두께 측정장치로도 적용 가능한 반도체 웨이퍼 두께 측정장치에 관한 것이다.In consideration of these difficulties and problems, as a device capable of measuring the thickness of a semiconductor wafer without using a microscope, Korean Patent No. 0634763 discloses a "semiconductor wafer thickness measuring device", the prior art of which is a fixed body and The measuring body of the digital micrometer is configured to face each other, and the height adjusting part that freely moves the wafer up and down so that the center of the wafer is located on each electrode, and the measuring body and the fixing body are spaced apart to form a space in which the wafer is located It relates to a semiconductor wafer thickness measuring device that can be applied as a thickness measuring device of various sizes as well as a precise thickness measurement for a wafer with a diameter of 200 mm or less by forming a measuring transfer part that freely moves the thickness measuring device for measuring the thickness left and right.
그러나, 위 선행기술의 경우 두께를 측정할 수 있는 두께 측정기를 별도로 구성하여야 하므로, 물리적 공간이 많이 필요하고 설비의 구축이 이루어져야 하는 문제점이 있다.However, in the case of the above prior art, since it is necessary to separately configure a thickness measuring device capable of measuring the thickness, there is a problem that a lot of physical space is required and a facility must be constructed.
도 1은 기존의 두께 측정 장비를 나타낸 것인데, 이를 사용하면 두께를 측정할 수 있는 것이 아닌 편면의 Polytype만 측정할 수 있었다.Figure 1 shows the existing thickness measuring equipment, using this, it was possible to measure only the polytype of one side, not the thickness can be measured.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 높은 밴드갭을 가지고 있는 SiC가 자외선에 의하여 발광이 되는 것을 착안하여 현미경의 광원과 함께 자외선 발생장치를 병설함으로써, 측정 속도를 제고하고, 경계층의 뚜렷한 영상을 획득하며, 고가의 장비를 별도로 구축할 필요가 없는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 1미리미터 이하의 두께를 가지는 탄화규소의 두께를 측정하는데 유리하다. The present invention has been devised to solve the above problems, and by installing an ultraviolet generator together with a light source of a microscope, focusing on the fact that SiC having a high bandgap emits light by ultraviolet rays, the measurement speed is improved, and the boundary layer An object of the present invention is to provide a method for measuring thickness using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method that acquires a clear image of In particular, it is advantageous for measuring the thickness of silicon carbide having a thickness of 1 mm or less.
본 발명에 따르면 측정대상 시료(SiC 웨이퍼)에 카본코팅 또는 Pt코팅을 생략하여도 선명한 영상을 획득할 수 있으므로 시료 전처리 비용을 절감할 수 있는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. According to the present invention, a clear image can be obtained even if carbon coating or Pt coating is omitted on the sample to be measured (SiC wafer), so the thickness using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method that can reduce sample pretreatment cost Another purpose is to provide a measurement method.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 현미경의 일측 또는 인접한 영역에, 현미경의 제1광원과 함께 피조사체에 조사되도록 제2광원이 병행 설치되며, 상기 제2광원은 자외선 발생장치인 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that a second light source is installed on one side or an adjacent area of a microscope so as to be irradiated to an object together with a first light source of the microscope, and the second light source is an ultraviolet generator. To provide a thickness measuring device using ultraviolet rays of silicon carbide manufactured by the crystal growth method.
상기 제1광원은 할로겐 광원인 것이 바람직하다.The first light source is preferably a halogen light source.
상기 현미경은 피측정대상을 적어도 50배 확대할 수 있는 기능의 현미경인 것이 바람직하다.The microscope is preferably a microscope capable of magnifying the target object by at least 50 times.
상기 제2광원의 조사영역은 제1광원의 조사영역과 일치되는 것이 바람직하다. Preferably, the irradiation area of the second light source coincides with the irradiation area of the first light source.
상기 제2광원은 적어도 2개 설치되며, 현미경을 중심으로 서로 대칭의 지점에 위치되도록 설치되는 것이 바람직하다.At least two of the second light sources are installed, and it is preferable that they are installed so as to be located at points symmetrical to each other with respect to the microscope.
또한, 본 발명은 현미경의 시료 거치대에 탄화규소 시료를 거치하는 단계; 상기 거치된 탄화규소 시료에 제1광원을 조사하는 단계; 상기 제1광원과 동시에 또는 순차적으로 제2광원을 상기 거치된 탄화규소 시료에 조사하는 단계; 및 제1광원과 제2광원이 조사된 상태에서 탄화규소 시료의 두께를 측정하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of mounting a silicon carbide sample on a sample holder of a microscope; irradiating a first light source to the mounted silicon carbide sample; irradiating a second light source simultaneously or sequentially with the first light source to the mounted silicon carbide sample; and measuring the thickness of the silicon carbide sample in a state in which the first light source and the second light source are irradiated; provides a thickness measurement method using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that it comprises a do.
상기 제2광원의 조사영역은 제1광원의 조사영역과 일치되는 것이 바람직하다. Preferably, the irradiation area of the second light source coincides with the irradiation area of the first light source.
상기 탄화규소 시료를 거치하기 이전에 상기 탄화규소 시료는 평면 가공되는 것이 바람직하다. It is preferable that the silicon carbide sample be plane-processed before the silicon carbide sample is mounted.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 높은 밴드갭을 가지고 있는 SiC가 자외선에 의하여 발광이 되는 것을 착안하여 현미경의 광원과 함께 자외선 발생장치를 병설함으로써, 측정 속도를 제고하고, Photoluminescence 현상으로 인하여 경계층의 뚜렷한 영상을 획득하며, 고가의 장비를 별도로 구축할 필요가 없는 효과를 기대할 수 있다. 특히, 1미리미터 이하의 두께를 가지는 탄화규소의 두께를 측정하는데 유리하다. According to the present invention as described above, focusing on the fact that SiC having a high bandgap emits light by ultraviolet rays, by installing an ultraviolet generator together with the light source of the microscope, the measurement speed is improved, and the boundary layer is clearly defined due to the photoluminescence phenomenon. It acquires an image and can expect the effect of not needing to build expensive equipment separately. In particular, it is advantageous for measuring the thickness of silicon carbide having a thickness of 1 mm or less.
또한, 본 발명에 따르면 측정대상 시료(SiC 웨이퍼)에 카본코팅 또는 Pt코팅을 생략하여도 선명한 영상을 획득할 수 있으므로 시료 전처리 비용을 절감하는 효과가 기대된다. In addition, according to the present invention, since a clear image can be obtained even if carbon coating or Pt coating is omitted on the measurement target sample (SiC wafer), the effect of reducing sample pretreatment cost is expected.
도 1은 기존의 웨이퍼 두께 측정 장비를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 두께 측정 장치의 모식도이다.
도 3a는 기존의 방법에 의하여 두께가 측정된 SiC 성장층을 나타내는 사진이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 두께가 측정된 SiC 성장층을 나타내는 사진이다. 1 is a view showing a conventional wafer thickness measuring equipment.
2 is a schematic diagram of a wafer thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A is a photograph showing a SiC growth layer whose thickness is measured by a conventional method.
Figure 3b is a photograph showing the thickness of the SiC growth layer is measured according to an embodiment of the present invention.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명하도록 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 발명을 설명함에 있어서, 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의 내려진 것으로, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing the present invention, defined terms are defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intentions or customs of those of ordinary skill in the art, so the definitions are based on the content throughout this specification will have to be taken down
SiC 단결정은 가시광 영역의 광자 에너지보다 높은 에너지를 밴드갭으로 가지는 Wide bandgap 소자이다. 따라서 가시광이 조사될 경우 Photoluminiscence 현상은 관찰되지 않는다. 그러나 bandgap 보다 큰 자외선(UV)이 조사될 경우 Valence band의 전자가 여기되어 conduction band로 이동한 후, Phonon 산란에 의하여 열로 발산되어 conduction band 끝으로 이동한 후 다시 Valence band로 자발적 방출을 통하여 Photoluminiscence가 발생한다. 따라서 이를 이용하여 보다 뚜렷한 경계층을 살펴볼 수 있으므로 이를 기존 현미경에 접목하여 보다 정확한 두께측정을 하고자 함이다. The SiC single crystal is a wide bandgap device having an energy higher than the photon energy in the visible region as a bandgap. Therefore, when visible light is irradiated, the photoluminiscence phenomenon is not observed. However, when ultraviolet (UV) larger than the bandgap is irradiated, electrons in the Valence band are excited and move to the conduction band, then radiated as heat by phonon scattering and moved to the end of the conduction band. Occurs. Therefore, since a clearer boundary layer can be examined using this, it is intended to be grafted onto the existing microscope to measure the thickness more accurately.
본 발명에서는 이를 위하여 현미경의 가시광원인 할로겐 램프와 같이 자외선 발생장치를 현미경에 병행 설치하고, 이를 이용하여 피검체(여기서는 탄화규소 웨이퍼)에 투과시킬 경우, 보다 뚜렷한 영상을 획득할 수 있고, 기존의 방법 보다 측정시간을 대폭 감소시킬 수 있다. 다만, 보다 정확한 측정을 위해서 시료의 평면가공은 반드시 이루어져야 한다. 두께 측정의 기준을 명확히 하기 위함이다.For this purpose, in the present invention, when an ultraviolet generating device like a halogen lamp, which is a visible light source of a microscope, is installed in parallel to the microscope and transmitted through the subject (here, a silicon carbide wafer) using this, a clearer image can be obtained, and the existing The measurement time can be significantly reduced compared to this method. However, for more accurate measurement, flat processing of the sample must be performed. This is to clarify the standard for thickness measurement.
한편, 자외선 발생장치와 가시광원인 할로겐 램프가 조사하는 영역은 서로 동일한 것이 바람직하다. 이는 가시광원이 조사되는 전 영역에 있어서 photoluminescence 현상을 발생시킬 수 있고, 따라서 보다 넓은 영역에서의 두께 측정이 가능하기 때문이다. On the other hand, it is preferable that the regions irradiated by the ultraviolet generating device and the halogen lamp, which is a visible light source, are identical to each other. This is because the photoluminescence phenomenon can occur in the entire area irradiated with the visible light source, and thus the thickness can be measured in a wider area.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 두께 측정 장치의 모식도이며, 도 3a는 기존의 방법에 의하여 두께가 측정된 SiC 성장층을 나타내는 사진이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 두께가 측정된 SiC 성장층을 나타내는 사진이다. 2 is a schematic diagram of an apparatus for measuring the thickness of a wafer according to an embodiment of the present invention, FIG. 3a is a photograph showing a SiC growth layer whose thickness is measured by a conventional method, and FIG. 3b is an embodiment of the present invention It is a photograph showing the SiC growth layer whose thickness was measured.
도 2와 같이 기존의 Ultra violet Photoluminiscence의 방법을 현미경에 접목하여 할로겐 lamp를 같이 사용하여 광량을 극대화 시켜 성장한 SiC가 Valence band의 전자가 여기 되어 conduction band로 이동한 후, 포논(Phonon) 산란에 의하여 열로 발산되어 conduction band 끝으로 이동한 후 다시 Valence band로 자발적 방출을 통하여 Photoluminiscence가 발생될 때의 두께를 측정할 수 있어 보다 뚜렷한 경계층의 두께가 측정된다. As shown in FIG. 2, SiC grown by maximizing the amount of light by grafting the conventional ultra violet photoluminiscence method to a microscope and using a halogen lamp together is excited by electrons in the Valence band and moves to the conduction band, then by phonon scattering After dissipating as heat and moving to the end of the conduction band, it is possible to measure the thickness when photoluminiscence occurs through spontaneous emission back to the Valence band, so that the thickness of the boundary layer is more distinct.
그리고 기존방법으로 측정할 때 시료에 카본코팅 또는 Pt코팅을 하여야 하는데 이를 생략할 수 있으므로 시료 전처리 비용을 줄일 수 있다. In addition, when measuring by the conventional method, carbon coating or Pt coating should be applied to the sample, but this can be omitted, thereby reducing the cost of sample pretreatment.
도 2에서는 자외선 조사장치가 붉은색 화살표로 표시한 것과 같이 현미경의 일측에 현미경을 중심으로 4개가 서로 대칭되는 지점에 위치되도록 병행 설치된다. 상기 자외선 조사장치에 의하여 조사되는 자외선은 제2광원으로 명명될 수 있으며, 기존의 현미경이 보유하고 있는 제1광원과는 구분된다. 제2광원인 자외선 조사장치는 현미경의 일측 또는 인접한 영역에 현미경을 중심으로 적어도 2개가 대칭되는 지점에 설치될 수 있다.In FIG. 2, as indicated by the red arrow, the ultraviolet irradiator is installed in parallel so that four are positioned at symmetrical points with respect to the microscope on one side of the microscope. The ultraviolet ray irradiated by the ultraviolet irradiation device may be referred to as a second light source, and is distinguished from the first light source possessed by an existing microscope. The second light source, the ultraviolet irradiation device, may be installed at a point where at least two are symmetrical with respect to the microscope on one side or an adjacent area of the microscope.
제1광원과 제2광원은 서로 조사되는 영역이 동일할 수 있으며, 적어도 피조사체에 제1광원과 제2광원이 동일하게 조사된다.The first light source and the second light source may have the same area irradiated with each other, and at least the first light source and the second light source are equally irradiated to the object to be irradiated.
또한, 도 3a, 도 3b에서 도시된 바와 같이, 본 발명에 의하여 촬상된 사진은 기존의 사진에 비하여 성장층의 뚜렷한 경계층을 나타냄을 알 수 있다. 여기서 도 3a는 기존의 자외선 조사장치가 없이 촬영된 사진이고, 도 3b는 자외선 조사장치에 의하여 자외선을 시료에 조사한 후 촬영한 사진이다.In addition, as shown in FIGS. 3A and 3B , it can be seen that the photograph taken by the present invention shows a clear boundary layer of the growth layer compared to the conventional photograph. Here, FIG. 3A is a photograph taken without a conventional ultraviolet irradiation device, and FIG. 3B is a photograph taken after irradiating the sample with ultraviolet rays by the ultraviolet irradiation device.
이상에서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것이 아니고 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 안정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the present invention has been described in more detail with reference to examples above, the present invention is not necessarily limited to these examples, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are for explanation rather than limiting the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not stabilized by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.
Claims (8)
상기 제2광원은 자외선 발생장치이고,
상기 제2광원의 조사영역은 제1광원의 조사영역과 일치되도록 함으로써, 가시광원이 조사되는 전 영역에 있어서 포토루미네슨스(photoluminescence) 현상을 발생시킬 수 있고, 보다 넓은 영역에서의 두께 측정이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치.A second light source is installed on one side or an adjacent area of the microscope so as to be irradiated to the object together with the first light source of the microscope,
The second light source is an ultraviolet generator,
By making the irradiation area of the second light source coincide with the irradiation area of the first light source, a photoluminescence phenomenon can be generated in the entire area irradiated by the visible light source, and thickness measurement in a wider area is reduced. Thickness measuring apparatus using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that it enables.
상기 제1광원은 할로겐 광원인 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치.According to claim 1,
The first light source is a thickness measuring device using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that the halogen light source.
상기 현미경은 피측정대상을 적어도 50배 확대할 수 있는 기능의 현미경인 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치.According to claim 1,
The microscope is a thickness measuring apparatus using ultraviolet rays of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that the microscope is capable of magnifying the target object at least 50 times.
상기 제2광원은 적어도 2개 설치되며, 현미경을 중심으로 서로 대칭의 지점에 위치되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치.According to claim 1,
At least two of the second light sources are installed, and the thickness measuring device using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that it is installed to be positioned at a point symmetrical to each other with respect to the microscope.
상기 거치된 탄화규소 시료에 제1광원을 조사하는 단계;
상기 제1광원과 동시에 또는 순차적으로 제2광원을 상기 거치된 탄화규소 시료에 조사하는 단계; 및
제1광원과 제2광원이 조사된 상태에서 탄화규소 시료의 두께를 측정하는 단계;
를 포함하여 구성되되,
상기 제2광원의 조사영역은 제1광원의 조사영역과 일치되도록 함으로써, 가시광원이 조사되는 전 영역에 있어서 포토루미네슨스(photoluminescence) 현상을 발생시킬 수 있고, 보다 넓은 영역에서의 두께 측정이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 방법.Placing a silicon carbide sample on a sample holder of a microscope;
irradiating a first light source to the mounted silicon carbide sample;
irradiating a second light source simultaneously or sequentially with the first light source to the mounted silicon carbide sample; and
measuring the thickness of the silicon carbide sample in a state in which the first light source and the second light source are irradiated;
Consists of including,
By making the irradiation area of the second light source coincide with the irradiation area of the first light source, a photoluminescence phenomenon can be generated in the entire area irradiated by the visible light source, and thickness measurement in a wider area is reduced. Thickness measurement method using ultraviolet light of silicon carbide manufactured by a crystal growth method, characterized in that it enables.
상기 탄화규소 시료를 거치하기 이전에 상기 탄화규소 시료는 평면 가공되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 방법.
7. The method of claim 6,
A thickness measurement method using ultraviolet light of silicon carbide prepared by a crystal growth method, characterized in that the silicon carbide sample is plane-processed before the silicon carbide sample is mounted.
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