KR102317821B1 - Organic light emitting device - Google Patents

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KR102317821B1 KR1020150107111A KR20150107111A KR102317821B1 KR 102317821 B1 KR102317821 B1 KR 102317821B1 KR 1020150107111 A KR1020150107111 A KR 1020150107111A KR 20150107111 A KR20150107111 A KR 20150107111A KR 102317821 B1 KR102317821 B1 KR 102317821B1
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송동우
최호원
도의두
김대희
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    • H01L2924/12044—OLED

Abstract

본 발명은 기판 상에 위치하는 제1전극, 제1전극 상에 위치하며 이물보상층, 이물보상층 상에 위치한 유기층, 유기층 상에 위치하는 제2전극을 포함하며, 이물이 유기층과 전극 사이 또는 제2전극 상에 위치한 경우 제1전극과 제2전극은 이물보상층에 의해 전기적으로 접촉하지 않는 유기발광소자를 제공한다.The present invention includes a first electrode positioned on a substrate, a foreign matter compensation layer positioned on the first electrode, an organic layer positioned on the foreign substance compensation layer, and a second electrode positioned on the organic layer, wherein a foreign substance is disposed between the organic layer and the electrode or When positioned on the second electrode, the first electrode and the second electrode are not electrically contacted by the foreign material compensation layer to provide an organic light emitting device.

Description

유기발광소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}Organic light emitting device {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 빛을 발광하는 유기발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device that emits light.

유기발광소자는 양 전극 사이로 전류가 흐를 때, 전극 사이에 위치한 유기화합물이 발광하는 전계발광 현상을 이용하여 빛을 발산하는 소자이다. 그리고, 이러한 유기화합물로 흐르는 전류의 양을 제어하여 발산되는 빛의 양을 조절함으로써 영상을 표시하는 장치가 유기발광 표시장치이다.An organic light emitting device is a device that emits light using an electroluminescence phenomenon in which an organic compound located between the electrodes emits light when a current flows between the electrodes. In addition, an organic light emitting display device displays an image by controlling the amount of current flowing through the organic compound to control the amount of emitted light.

유기발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 유기화합물로 발광하기 때문에 경량화 및 박막화가 가능하다는 장점이 있다.Since the organic light emitting display device emits light with a thin organic compound between electrodes, it is possible to reduce the weight and reduce the thickness.

한편 유기발광표시소자를 제조하는 과정에서 미세한 입자(particle)가 유기발광소자 내에 인입될 수 있다. 이러한 입자를 이물(foreign body)이라고 한다. 절연된 상태를 유지해야 하는 전극들 사이에 이물이 존재할 경우 전극들 사이에 쇼트(short)가 발생할 수 있다. 이는 특정한 화소의 불량을 야기하는 문제가 있다. Meanwhile, in the process of manufacturing the organic light emitting display device, fine particles may be introduced into the organic light emitting device. These particles are called foreign bodies. When a foreign material exists between the electrodes to be insulated, a short may occur between the electrodes. This has a problem in that a specific pixel is defective.

따라서, 유기발광소자 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하기 위해 쇼트 발생 가능한 영역에 두꺼운 두께의 물질을 도포할 수 있다. 그러나 이러한 물질을 도포하는 것은 유기발광소자의 시감성을 떨어드릴 수 있으며, 유기발광소자를 구동하는 구동전압이 증가할 수 있다. Therefore, in order to prevent a short circuit caused by a foreign material in the organic light emitting diode, a thick material may be applied to a region where a short circuit may occur. However, applying such a material may decrease visibility of the organic light emitting diode, and a driving voltage for driving the organic light emitting diode may increase.

한편 유기발광소자의 시감성을 향상시키고 구동전압을 낮추기 위해 쇼트 발생 가능한 영역에 얇은 두께의 물질을 도포할 경우 유기발광 소내 에에 이물에 의한 쇼트를 충분히 방지할 수 없는 문제점이 있다. On the other hand, when a thin material is applied to a region where a short circuit can occur in order to improve the visibility of the organic light emitting device and lower the driving voltage, there is a problem in that short circuit caused by foreign substances cannot be sufficiently prevented in the organic light emitting device.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은 유기발광소자 내에 이물로 인한 불량을 감소시키는데 있다.Against this background, an object of the present invention is to reduce defects caused by foreign substances in an organic light emitting diode.

또한, 본 발명의 목적은 유기발광소자 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하기 위해 쇼트 발생 가능한 영역에 얇은 두께의 물질을 도포하는 데 있다.In addition, an object of the present invention is to apply a material of a thin thickness to a region where a short circuit can occur in order to prevent a short circuit caused by a foreign material in an organic light emitting device.

또한 본 발명의 목적은 유기발광소자 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하면서 유기발광소자의 시감성을 향상시키고 구동전압을 낮추는 데 있다. Another object of the present invention is to improve the visibility of the organic light emitting diode while preventing a short circuit due to foreign matter in the organic light emitting diode and to lower the driving voltage.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은 기판 상에 위치하는 제1전극, 제1전극 상에 위치하며 이물보상층, 이물보상층 상에 위치한 유기층, 유기층 상에 위치하는 제2전극을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.In order to achieve the above object, in one aspect, the present invention provides a first electrode positioned on a substrate, a foreign material compensation layer positioned on the first electrode, an organic layer positioned on the foreign substance compensation layer, and a second electrode positioned on the organic layer An organic light emitting device including an electrode is provided.

이때 이물이 유기층과 전극 사이 또는 제2전극 상에 위치한 경우 제1전극과 제2전극은 이물보상층에 의해 전기적으로 접촉하지 않는다. At this time, when the foreign material is located between the organic layer and the electrode or on the second electrode, the first electrode and the second electrode do not electrically contact the foreign material compensation layer.

본 발명은 유기발광소자 내에 이물로 인한 불량을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of reducing defects due to foreign substances in the organic light emitting device.

또한, 본 발명은 유기발광소자 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하기 위해 쇼트 발생 가능한 영역에 얇은 두께의 물질을 도포할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has an effect of coating a material of a thin thickness in a region where a short circuit can occur in order to prevent a short circuit due to a foreign material in the organic light emitting device.

또한, 본 발명은 유기발광소자 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하면서 유기발광소자의 시감성을 향상시키고 구동전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of improving the visibility of the organic light emitting device while preventing a short circuit due to foreign matter in the organic light emitting device and lowering the driving voltage.

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 제1전극, 이물보상층 및 뱅크의 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 다른 예들로, 도 2a의 제1전극, 이물보상층 및 뱅크의 평면도이다.
도 4a는 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 4b는 도 4a의 제1전극, 이물보상층 및 뱅크의 평면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 6a 및 6b는 도 5의 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 일 제조공정 단면도들이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.
도 8은 실시예들에 따른 유기발광소자에서 제1전극 상에 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다.
도 9a는 비교예1에 따른 유기발광소자에서 제1전극 상에 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다.
도 9b는 비교예2에 따른 유기발광소자에서 제1전극상에 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device to which embodiments are applied.
2A is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment.
FIG. 2B is a plan view of the first electrode, the foreign material compensation layer, and the bank of FIG. 2A.
3A and 3B are plan views of the first electrode, the foreign material compensation layer, and the bank of FIG. 2A as other examples.
4A is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment.
4B is a plan view of the first electrode, the foreign material compensation layer, and the bank of FIG. 4A.
5 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment.
6A and 6B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to another embodiment of FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment.
8 illustrates a case in which a foreign material is generated on the first electrode during a manufacturing process in the organic light emitting diode according to the embodiments.
FIG. 9A illustrates a case in which a foreign material is generated on the first electrode during a manufacturing process in the organic light emitting diode according to Comparative Example 1. Referring to FIG.
FIG. 9B illustrates a case in which a foreign material is generated on the first electrode during a manufacturing process in the organic light emitting diode according to Comparative Example 2. Referring to FIG.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the essence, order, or order of the component is not limited by the term. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It should be understood that elements may be “connected,” “coupled,” or “connected.” In the same vein, when it is described that a component is formed "on" or "below" another component, the component is both formed directly or indirectly through another component on the other component. should be understood as including

도 1은 실시예들이 적용되는 유기발광 표시장치의 시스템 구성도이다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device to which embodiments are applied.

도 1을 참조하면, 유기발광 표시장치(100)는 타이밍 제어부(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130) 및 표시패널(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the organic light emitting display device 100 may include a timing controller 110 , a data driver 120 , a gate driver 130 , and a display panel 140 .

도 1을 참조하면, 제 1 기판(110)에는 일방향으로 형성되는 다수의 데이터 라인(DL: Data Line, DL1~DLn)과 다수의 데이터 라인과 교차하는 타방향으로 형성되는 다수의 게이트 라인(GL: Gate Line, GL1~GLm)의 교차 영역마다 화소(P: Pixel)가 정의된다.Referring to FIG. 1 , on the first substrate 110 , a plurality of data lines (DL1 to DLn) formed in one direction and a plurality of gate lines (GL) formed in the other direction crossing the plurality of data lines are provided. : A pixel (P: Pixel) is defined for each intersection area of the Gate Line, GL1 to GLm).

표시패널(140) 상의 각 화소는 제 1 전극, 제 2 전극 및 유기층을 포함하는 적어도 하나의 유기발광소자를 포함할 수 있다. 각 유기발광소자에 포함된 유기층은 적색, 녹색, 청색 및 백색용 유기층 중 적어도 하나 이상의 유기층 또는 백색 유기층을 포함할 수 있다. Each pixel on the display panel 140 may include at least one organic light emitting diode including a first electrode, a second electrode, and an organic layer. The organic layer included in each organic light emitting device may include at least one organic layer among red, green, blue, and white organic layers or a white organic layer.

각 화소는 유기층을 1차적으로 수분과 산소로부터 보호하는 패시베이션층을 포함할 수 있다. Each pixel may include a passivation layer that primarily protects the organic layer from moisture and oxygen.

이하에서는, 전술한 유기발광 표시장치에 포함되는 유기발광소자에 대하여 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode included in the above-described organic light emitting display will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2a는 일 실시예에 따른 유기발광소자의 개략적인 단면도이다. 도 2b는 도 2a의 제1전극, 이물보상층 및 뱅크의 평면도이다.2A is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment. FIG. 2B is a plan view of the first electrode, the foreign material compensation layer, and the bank of FIG. 2A.

도 2a를 참조하면, 일실시예에 따른 유기발광소자(300)는, 기판(310), 기판(310) 상에 위치하는 제1전극(331), 제1전극(331) 상에 위치하며 이물보상층(332), 이물보상층(332) 상에 위치한 유기층(335), 유기층(335) 상에 위치하는 제2전극(337)을 포함한다.Referring to FIG. 2A , the organic light emitting device 300 according to an exemplary embodiment includes a substrate 310 , a first electrode 331 positioned on the substrate 310 , and a foreign material positioned on the first electrode 331 . It includes a compensation layer 332 , an organic layer 335 positioned on the foreign material compensation layer 332 , and a second electrode 337 positioned on the organic layer 335 .

이물이 유기층(335)과 제1전극(331) 사이 또는 제2전극(337) 상에 위치한 경우 제1전극(331)과 제2전극(337)은 이물보상층(332)에 의해 전기적으로 접촉하지 않을 수 있다. When the foreign material is located between the organic layer 335 and the first electrode 331 or on the second electrode 337 , the first electrode 331 and the second electrode 337 are electrically contacted by the foreign material compensation layer 332 . may not

제 1 전극(231)과 이물보상층(332) 상에는 뱅크(333)가 배치되고, 뱅크(333)에는 제 1 전극(231)과 이물보상층(332)이 뱅크(333)로부터 노출되도록 개구부가 구비된다. 다시 말해 제1전극(331)과 이물보상층(231)의 면적이 적어도 뱅크(333)의 개구부의 면적보다 넓다. A bank 333 is disposed on the first electrode 231 and the foreign material compensation layer 332 , and an opening is provided in the bank 333 so that the first electrode 231 and the foreign material compensation layer 332 are exposed from the bank 333 . provided In other words, the area of the first electrode 331 and the foreign material compensation layer 231 is at least larger than the area of the opening of the bank 333 .

일 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 유기발광다이오드(230) 상에 배치된 패시베이션층(passivation layer, 240)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode 300 according to an embodiment may include a passivation layer 240 disposed on the organic light emitting diode 230 .

도 2b를 참조하면, 제1전극(331)은 평면상으로 특정형상, 예를 들어 사각형상을 가질 수 있다. 이때 이물보상층(332)은 제1전극(331)과 동일한 형상일 수 있으나, 다른 형상일 수도 있다. Referring to FIG. 2B , the first electrode 331 may have a specific shape in plan view, for example, a rectangular shape. In this case, the foreign material compensation layer 332 may have the same shape as the first electrode 331 , but may have a different shape.

이물보상층(332)은 제1전극(331)과 동일한 형상으로 도 2a에 도시한 바와 같이 제1전극(331)과 수직방향으로 동일한 단면으로 제1전극(331) 상에 배치될 수 있다. 다시 말해 이물보상층(332)는 평면상으로 도 2b에 도시한 바와 같이 제1전극(331)과 동일한 면적을 가질 수 있다. The foreign material compensation layer 332 may have the same shape as the first electrode 331 and may be disposed on the first electrode 331 with the same cross section in the vertical direction as the first electrode 331 as shown in FIG. 2A . In other words, the foreign material compensation layer 332 may have the same area as the first electrode 331 in plan view as shown in FIG. 2B .

한편 이물보상층(332)은 제1전극(331)과 동일한 형상으로 도 3a 에 도시한 바와 같이 제1전극(331)보다 면적이 넓어, 이물보상층(332)의 외각부분이 제1전극(331)의 테두리를 덮을 수 있다. 반대로 이물보상층(332)은 제1전극(331)과 동일한 형상으로 도 3b에 도시한 바와 같이 제1전극(331)보다 면적이 좁아 제1전극(331)의 테두리가 이물보상층(332)의 외부로 노출될 수 있다. Meanwhile, the foreign material compensation layer 332 has the same shape as the first electrode 331 and has a larger area than the first electrode 331 as shown in FIG. 331) can be covered. Conversely, the foreign material compensation layer 332 has the same shape as the first electrode 331 and has a smaller area than the first electrode 331 as shown in FIG. may be exposed outside of

제1전극(331)은 평면상으로 특정형상, 예를 들어 사각형상을 가지지만 이물보상층(332)은 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이 기판(310)의 전면에 존재할 수도 있다. 이물보상층(332)을 기판(310)의 전면에 위치하므로 이물보상층(332)을 별도로 패터닝하지 않으므로 제조공정 횟수를 줄일 수 있다. The first electrode 331 has a specific shape, for example, a quadrangular shape in plan view, but the foreign material compensation layer 332 may be present on the entire surface of the substrate 310 as shown in FIGS. 4A and 4B . Since the foreign material compensation layer 332 is positioned on the front surface of the substrate 310 , the number of manufacturing processes can be reduced because the foreign material compensation layer 332 is not separately patterned.

한편, 도 2a 내지 도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이 제1전극(331)과 이물보상층(332)이 동일한 형상으로 기판(310)의 일부에 형성하므로 유기발광소자(300)의 전체 두께를 줄일 수 있다. Meanwhile, as described with reference to FIGS. 2A to 3B , since the first electrode 331 and the foreign material compensation layer 332 are formed on a part of the substrate 310 in the same shape, the overall thickness of the organic light emitting device 300 is reduced. can

후술하는 바와 같이 이물보상층(332)의 두께를 얇게 하더라도 이물에 의해 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 쇼트되는 것을 방지할 수 있으므로 이물보상층(332)을 어떤 물질로 구성하더라도 이물보상층(332)은 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 전압이 인가되었을 때 터널링 효과에 의해 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 전자나 정공과 같은 전하가 이동하여 구동전류를 발생할 수 있다.As will be described later, even if the thickness of the foreign material compensation layer 332 is thin, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 331 and the second electrode 337 due to foreign matter, so that the foreign material compensation layer 332 is made of any material. Even if the foreign material compensation layer 332 is formed between the first electrode 331 and the second electrode 337 due to the tunneling effect when a voltage is applied between the first electrode 331 and the second electrode 337, The electric charge may move to generate a driving current.

이물보상층(332)은 절연물질(insulator)로 이루어질 수 있다. 이물보상층(332)은 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 전압이 인가되었을 때 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 전하가 이동하는 두께를 가질 수 있다. 예를 들어 이물보상층(332)의 두께는 1~10nm일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. The foreign material compensation layer 332 may be formed of an insulating material. The foreign material compensation layer 332 may have a thickness through which charges move between the first electrode 331 and the second electrode 337 when a voltage is applied between the first electrode 331 and the second electrode 337 . For example, the thickness of the foreign material compensation layer 332 may be 1 to 10 nm, but is not limited thereto.

절연물질은 AlxOyx(x, y는 0보다 큰 실수, 예를 들어 x는 2, y=3), SiO2, SiNz(z는 0보다 큰 실수, 예를 들어 Z=2)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상일 수 있다. The insulating material is selected from the group consisting of AlxOyx (x, y is a real number greater than 0, for example, x is 2, y=3), SiO 2 , SiNz (z is a real number greater than 0, for example, Z=2) It may be one or more than one.

이물보상층(332)은, 반도체 물질을 포함할 수 있다. 일반적으로 제1전극(331)이 양극이고 제2전극(337)이 음극인 유기발광소자를 노멀 유기발광소자(normal organic light emitting device)라고 하고, 제1전극(331)이 음극이고 제2전극(337)이 양극인 유기발광보사를 인버티드 유기발광소자라고 부른다.The foreign material compensation layer 332 may include a semiconductor material. In general, an organic light emitting device in which the first electrode 331 is an anode and the second electrode 337 is a cathode is referred to as a normal organic light emitting device, wherein the first electrode 331 is a cathode and the second electrode An organic light emitting device in which (337) is an anode is called an inverted organic light emitting device.

예를 들어 이물보상층(332)은, 제1전극(331)이 양극인 경우 P-타입 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이물보상층(332)은, 제1전극(331)이 음극인 경우 N-타입 반도체 물질을 포함할 수 있다. P-타입 반도체 물질은, NiO, Cu2O, Cu2S, SnO, SnO2, SnS, Cr2O3로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. N-타입 반도체 물질은 ZnO, TiO2, Nb2O5, MoO3, MoO2, WO3, V2O5, CdSe, ZnSe, InGaZnO 중 로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. For example, the foreign material compensation layer 332 may include a P-type semiconductor material when the first electrode 331 is an anode. The foreign material compensation layer 332 may include an N-type semiconductor material when the first electrode 331 is a cathode. The P-type semiconductor material may be one or more selected from the group consisting of NiO, Cu2O, Cu2S, SnO, SnO2, SnS, and Cr2O3, but is not limited thereto. The N-type semiconductor material may be one or more selected from the group consisting of ZnO, TiO2, Nb2O5, MoO3, MoO2, WO3, V2O5, CdSe, ZnSe, and InGaZnO, but is not limited thereto.

이물보상층(332)은, 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 전압이 인가되었을 때 제1전극(331)과 제2전극(337) 사이 전하가 이동할 수 있는 비저항 및 두께를 가질 수 있다. The foreign material compensation layer 332 has a specific resistance and thickness through which charges can move between the first electrode 331 and the second electrode 337 when a voltage is applied between the first electrode 331 and the second electrode 337 . can have

이물보상층(332)을 이물 크기와 모양에 무관하게 평탄화된 층으로 성막할 수 있으므로 이물보상층(332)의 두께를 줄일 수 있다. 이에 따라 이물보상층(332)을 포함하더라고 유기발광소자의 구동전압이 거의 증가하지 않을 수 있다. Since the foreign material compensation layer 332 may be formed as a flattened layer regardless of the size and shape of the foreign material, the thickness of the foreign material compensation layer 332 may be reduced. Accordingly, even if the foreign material compensation layer 332 is included, the driving voltage of the organic light emitting diode may hardly increase.

예를 들어 이물보상층(332)을 포함하는 유기발광소자의 구동전압 증가폭(Vbuffer)은 아래 수학식 1로 표현할 수 있다. For example, the driving voltage increase Vbuffer of the organic light emitting diode including the foreign material compensation layer 332 may be expressed by Equation 1 below.

이물보상층(332)을 포함하는 유기발광소자의 구동전압 증가폭(Vbuffer)은 이물보상층의 비저항과 전류밀도, 두께에 의해 결정된다. 따라서, 이물보상층의 비저항과 전류밀도가 동일할 경우 이물보상층(332)을 포함하는 유기발광소자의 구동전압 증가폭(Vbuffer)은 이물보상층의 두께에 의해서 결정된다. The driving voltage increase Vbuffer of the organic light emitting diode including the foreign material compensation layer 332 is determined by the specific resistance, current density, and thickness of the foreign material compensation layer. Accordingly, when the resistivity and current density of the foreign material compensation layer are the same, the driving voltage increase Vbuffer of the organic light emitting device including the foreign material compensation layer 332 is determined by the thickness of the foreign material compensation layer.

표 1과 같이, 실시예들에 따른 유기발광소자의 이물보상층과 비교예에 따른 이물보상층의 구성물질이 동일하여 비저항과 전류밀도가 동일할 경우, 실시예들에 따른 유기발광소자의 이물보상층(332)의 두께는 비교예에 따른 이물보상층의 두께보다 작기 때문에 결과적으로 실시예들에 따른 유기발광소자의 구동전압을 낮출 수 있다. As shown in Table 1, when the foreign material compensation layer of the organic light emitting device according to the embodiments and the foreign material compensation layer according to the comparative example have the same specific resistance and the same current density, the foreign material of the organic light emitting device according to the embodiments is the same. Since the thickness of the compensation layer 332 is smaller than the thickness of the foreign material compensation layer according to the comparative example, as a result, the driving voltage of the organic light emitting diodes according to the embodiments may be lowered.

[수학식 1][Equation 1]

VBuffer=IR=ρdJVBuffer=IR=ρdJ

수학식 1에서 VBuffer은 이물보상층의 전압 증가분 또는 증가폭을 의미하고, I는 전류를 의미하고, R은 저항을 의미하고, ρ는 이물보상층의 비정항을 의미하고, d는 이물보상층의 두께를 의미하고, J는 전류밀도를 의미한다.In Equation 1, VBuffer means the voltage increment or increment of the foreign material compensation layer, I means the current, R means the resistance, ρ means the non-constant of the foreign material compensation layer, and d is the foreign material compensation layer. Means thickness, and J means current density.

전술한 일 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 제1전극(331)을 구동하는 박막 트랜지스터를 추가로 포함할 수 있다. 이때 박막 트랜지스터는 도 5를 참조하여 아래에서 설명하는 바와 같이 게이트전극이 소스/드레인 전극의 하부에 형성되는 바텀게이트(bottom gate) 방식이거나, 도 7을 참조하여 아래에서 설명하는 바와 같이 게이트전극이 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 방식일 수 있다The organic light emitting diode 300 according to the above-described exemplary embodiment may further include a thin film transistor for driving the first electrode 331 . In this case, the thin film transistor is a bottom gate type in which the gate electrode is formed under the source/drain electrodes as described below with reference to FIG. 5, or the gate electrode is It may be a top gate method formed on the top

도 5는 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 화소 영역이 정의된 제 1 기판(310) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor, 320), 박막 트랜지스터(320) 상에 배치된 유기발광다이오드(330), 유기발광다이오드(330) 상에 배치된 패시베이션층(passivation layer, 340)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 , an organic light emitting diode 300 according to another exemplary embodiment includes an oxide thin film transistor 320 and a thin film transistor 320 positioned on a first substrate 310 in which a pixel area is defined. The organic light emitting diode 330 disposed thereon may include a passivation layer 340 disposed on the organic light emitting diode 330 .

유기발광다이오드(330)에서 발광하는 빛이 제 2 전극(337)으로 외부로 방출되는 상부발광(top emission) 유기발광소자이다. 상부발광 유기발광소자는 트랜지스터들이 구성된 제1기판과 반대방향으로 발광하므로 개구율이 높고 회로 설계의 자유도가 높은 장점을 가지고 있다.It is a top emission organic light emitting device in which light emitted from the organic light emitting diode 330 is emitted to the outside through the second electrode 337 . The top light emitting organic light emitting device emits light in a direction opposite to that of the first substrate on which the transistors are configured, and thus has a high aperture ratio and a high degree of freedom in circuit design.

다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 패시베이션층(340) 상에 형성된 접착층(350) 및 접착층(350) 상에 배치된 컬러필터층(370), 컬러필터층(370) 상에 위치하는 제 2 기판(360)을 포함한다. The organic light emitting device 300 according to another embodiment includes an adhesive layer 350 formed on the passivation layer 340 , a color filter layer 370 disposed on the adhesive layer 350 , and a second layer positioned on the color filter layer 370 . and a substrate 360 .

제 1 기판(310) 상에 박막 트랜지스터(320)가 위치한다. 박막 트랜지스터(320)는 게이트 전극(321), 게이트 전극(321) 상에 위치하고 제 1 기판(310)을 덮도록 형성되는 게이트 절연막(323), 게이트 절연막(323) 상에 위치하고 산화물로 형성된 액티브층(active layer, 325), 액티브층(325) 상에 형성되고, 제 1 전극(331)에 연결되는 소스/드레인 전극(327), 액티브층(325) 상에 위치하고 소스 전극과 드레인 전극(327) 사이에 형성되는 에치 스토퍼(etch stopper, 326)를 포함한다. The thin film transistor 320 is positioned on the first substrate 310 . The thin film transistor 320 includes a gate electrode 321 , a gate insulating layer 323 disposed on the gate electrode 321 and formed to cover the first substrate 310 , an active layer disposed on the gate insulating layer 323 and formed of an oxide (active layer, 325 ) is formed on the active layer 325 and is connected to the first electrode 331 , and is positioned on the source/drain electrode 327 , the active layer 325 , and includes a source electrode and a drain electrode 327 . and an etch stopper 326 formed therebetween.

제 1 기판(310)은 글래스(Glass) 기판뿐만 아니라, PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등을 포함하는 플라스틱 기판 등일 수 있다. 또한, 제 1 기판(310) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The first substrate 310 may be not only a glass substrate, but also a plastic substrate including polyethylen terephthalate (PET), polyethylen naphthalate (PEN), polyimide, or the like. In addition, a buffering layer for blocking penetration of impurity elements may be further provided on the first substrate 310 . The buffer layer may be formed of, for example, a single layer or multiple layers of silicon nitride or silicon oxide.

제 1 기판(310) 상에 형성되는 게이트전극(321)은 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 적어도 하나 이상의 금속 또는 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 321 formed on the first substrate 310 may include at least one of Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, and Cu. The above metals or alloys may be formed in a single layer or in multiple layers.

한편, 게이트 전극(321)이 형성된 제 1 기판(310) 상에 게이트 절연막(323)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(323)은 SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT와 같은 무기절연물질 또는 예를 들어 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, a gate insulating layer 323 is formed on the first substrate 310 on which the gate electrode 321 is formed. The gate insulating layer 323 may be formed of an inorganic insulating material such as SiOx, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, and PZT or, for example, benzocyclobutene (BCB) and an acryl-based resin. It may be made of an organic insulating material comprising a, or a combination thereof.

게이트 절연막(323) 상에는, 산화물로 이루어진 반도체층 또는 액티브층(active layer, 325)이 배치된다. 액티브층(325)은 비정질 실리콘, 다결정실리콘, 및 산화물 반도체일 수 있다. 산화물 반도체는 예를 들어 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide) 중 어느 하나의 징크옥사이드계 산화물일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. A semiconductor layer or an active layer 325 made of an oxide is disposed on the gate insulating layer 323 . The active layer 325 may be formed of amorphous silicon, polysilicon, or an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may be, for example, a zinc oxide-based oxide of any one of Indium Galium Zinc Oxide (IGZO), Zinc Tin Oxide (ZTO), and Zinc Indium Oxide (ZIO), but is not limited thereto.

액티브층(325) 상에 위치하고, 제 1 전극(331)에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극(327)은 예를 들어 Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, Mo, Ti, W, Cu 중 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로, 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다. 특히 소스/드레인전극(327)은 크롬(Cr) 또는 탄탈륨(Ta) 등과 같은 고융점 금속으로 형성될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.The source/drain electrode 327 positioned on the active layer 325 and electrically connected to the first electrode 331 is, for example, Al, Pt, Pd, Ag, Mg, Au, Ni, Nd, Ir, Cr. , Li, Ca, Mo, Ti, W, any one of Cu, or an alloy thereof, may be formed as a single layer or multiple layers. In particular, the source/drain electrode 327 may be formed of a high-melting-point metal such as chromium (Cr) or tantalum (Ta), but is not limited thereto.

액티브층(325) 상에는, 소스/드레인 전극(327) 사이에 위치하는 에치 스토퍼(326)이 형성되는데, 이는 박막 트랜지스터(320)의 포토리쏘그래피에 의한 패터닝 공정을 수행할 때, 액티브층(325)이 에칭 용액에 의해 식각되는 것을 방지한다. 다만 에치 스토퍼(326)은 에칭 용액에 따라 생략될 수 있다.On the active layer 325 , an etch stopper 326 positioned between the source/drain electrodes 327 is formed, which is the active layer 325 when the thin film transistor 320 is patterned by photolithography. ) from being etched by the etching solution. However, the etch stopper 326 may be omitted depending on the etching solution.

한편, 소스/드레인 전극(327) 상에는 소스/드레인 전극(327)과 게이트 절연막(323)을 덮도록 평탄화층(329)이 형성된다. 평탄화층(329)은 기계적 강도, 내투습성, 성막 용이성, 생산성 등을 고려하여, 소수성의 성질을 갖고, 수소함유 무기막으로서, 예를 들어 SiON, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx), 산화알루미늄(AlOx) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. Meanwhile, a planarization layer 329 is formed on the source/drain electrode 327 to cover the source/drain electrode 327 and the gate insulating layer 323 . The planarization layer 329 has a hydrophobic property in consideration of mechanical strength, moisture permeability, film formation easiness, productivity, etc., and is a hydrogen-containing inorganic film, for example, SiON, silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), It may be formed of any one of aluminum oxide (AlOx).

이러한 평탄화층(329) 상에는 유기발광다이오드(330)가 형성되는데, 유기발광다이오드(330)는 제 1 전극(331), 뱅크(333), 유기층(335), 제 2 전극(337)을 포함할 수 있다. An organic light emitting diode 330 is formed on the planarization layer 329 . The organic light emitting diode 330 may include a first electrode 331 , a bank 333 , an organic layer 335 , and a second electrode 337 . can

평탄화층(329) 상에는 제 1 전극(331)이 위치한다. 제 1 전극(331)은, 평탄화층(329)에 형성된 비아 홀(328)을 통해 소스/드레인 전극(327)과 전기적으로 접촉된다.A first electrode 331 is positioned on the planarization layer 329 . The first electrode 331 is in electrical contact with the source/drain electrode 327 through the via hole 328 formed in the planarization layer 329 .

제 1 전극(331)은 반사효율이 우수한 금속물질, 예를 들면 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 이루어질 수 있다. The first electrode 331 may be made of a metal material having excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or silver (Ag).

제 1 전극(331)은, 투명한 도전성 물질로 이루어지고 상/하부에 반사효율이 우수한 금속을 보조전극으로 포함할 수도 있다. 투명한 도전성 물질은 예를 들면 ITO 또는 IZO와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한, 제 1 전극(331)은 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 등일 수도 있다. The first electrode 331 may be made of a transparent conductive material and may include, as an auxiliary electrode, a metal having excellent reflective efficiency at upper and lower portions. Transparent conductive materials include, for example, metal oxides such as ITO or IZO, mixtures of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO2:Sb, poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1, 2-dioxy)thiophene] (PEDT), a conductive polymer such as polypyrrole and polyaniline, but is not limited thereto. In addition, the first electrode 331 may be a carbon nanotube, graphene, silver nanowire, or the like.

제1전극(331) 상에는 이물보상층(332)이 위치할 수 있다. 이물보상층(332)의 재료나 형상, 두께, 비저항은 도 2a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 일실시예에 따른 유기발광소자(300)에 포함되는 이물보상층(332)와 동일할 수 있다.A foreign material compensation layer 332 may be positioned on the first electrode 331 . The material, shape, thickness, and resistivity of the foreign material compensation layer 332 may be the same as that of the foreign material compensation layer 332 included in the organic light emitting diode 300 according to the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 2A to 4B .

제1전극(331)과 이물보상층(332)은 평탄화층(329) 상에 위치하며, 이물보상층(332)은 평탄할 수 있다. 따라서 이물보상층(332)은 박막트랜지스(320)를 포함하는 TFT 기판 제작시 제1전극(331) 상에 성막이 가능하므로 평탄화된 이물보상층(332) 형성이 용이하여, 후술하는 바와 같이 유기발광다이오드(330)을 증착한 후 적용하는 이물 보상 구조에 비해 발광 불량 개선 효과가 클 수 있다.The first electrode 331 and the foreign material compensation layer 332 are positioned on the planarization layer 329 , and the foreign material compensation layer 332 may be flat. Therefore, since the foreign material compensation layer 332 can be formed on the first electrode 331 when the TFT substrate including the thin film transistor 320 is manufactured, it is easy to form the flattened foreign material compensation layer 332, as will be described later. Compared to a foreign material compensation structure applied after depositing the organic light emitting diode 330 , the effect of improving light emission may be greater.

한편, 제 1 전극(331)과 이물보상층(332)에는 뱅크(333)가 형성되고, 뱅크(333)에는 제 1 전극(331)이 노출되도록 개구부가 구비된다. Meanwhile, a bank 333 is formed in the first electrode 331 and the foreign material compensation layer 332 , and an opening is provided in the bank 333 to expose the first electrode 331 .

이러한 뱅크(333)는 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx)과 같은 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 아크릴 수지(acrylic resin)와 같은 유기절연물질, 이들의 조합으로 이루어질 수 있으나 이에 제한되지 않는다.The bank 333 may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or an organic insulating material such as benzocyclobutene or acrylic resin, or a combination thereof. not limited

노출된 제 1 전극(331) 상에는 유기층(335)이 형성되는데, 이러한 유기층(335)에는, 정공과 전자가 원활히 수송되어 엑시톤(exciton)을 형성할 수 있도록, 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 유기발광층(Emitting Layer, EL), 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL) 등이 차례로 적층되어 포함될 수 있다. An organic layer 335 is formed on the exposed first electrode 331 . In the organic layer 335 , holes and electrons are smoothly transported to form excitons, so that a hole injection layer (HIL) is formed. ), a hole transport layer (HTL), an organic light emitting layer (Emitting Layer, EL), an electron transport layer (Electron Transfer Layer, ETL), an electron injection layer (Electron Injection Layer, EIL), etc. may be stacked in sequence.

유기층(335) 상에는 제 2 전극(337)이 배치된다. 제 2 전극(337)은 유기층(335)에서 발광한 빛이 제 2 기판으로 방출하도록 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 투명한 도전성 물질은 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Galium Zinc Oxide)와 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 혼합물, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 또한, 제 2 전극(336)은 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 등일 수도 있다. 특히 전극층(337a)은 전술한 금속 산화물로 이루어질 수 있다.A second electrode 337 is disposed on the organic layer 335 . The second electrode 337 may be made of a transparent conductive material so that light emitted from the organic layer 335 is emitted to the second substrate. The transparent conductive material is, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), IGZO (Indium Galium Zinc Oxide), a mixture of a metal and an oxide such as ZnO:Al or SnO2:Sb, poly( 3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDT), polypyrrole and conductive polymers such as polyaniline, but is not limited thereto. In addition, the second electrode 336 may be a carbon nanotube, graphene, silver nanowire, or the like. In particular, the electrode layer 337a may be formed of the aforementioned metal oxide.

제2전극(337)은 각각 단일층 또는 다층일 수 있다. 유기발광다이오드(330) 상에는 제 2 전극(337)의 상면 전체를 덮도록 패시베이션층(passivation layer, 340)이 형성된다. Each of the second electrodes 337 may be a single layer or a multilayer. A passivation layer 340 is formed on the organic light emitting diode 330 to cover the entire top surface of the second electrode 337 .

필름 타입의 패시베이션층(340)은 수분이나 산소의 침투를 더디게 함으로써, 수분과 산소에 민감한 유기층(335)이 수분과 접촉되는 것이 방지될 수 있다.The film-type passivation layer 340 slows the penetration of moisture or oxygen, thereby preventing the organic layer 335 sensitive to moisture and oxygen from coming into contact with moisture.

다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)는 패시베이션층(340) 상에 컬러필터층(미도시), 컬러필터층 상에 위치하는 제 2 기판(미도시)을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode 300 according to another embodiment may include a color filter layer (not shown) on the passivation layer 340 and a second substrate (not shown) positioned on the color filter layer.

이상에서 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)를 설명하였고, 이하에서 또다른 실시예들에 따른 유기발광소자의 제조 공정에 대해 설명한다. The organic light emitting device 300 according to another embodiment has been described above, and below, a manufacturing process of the organic light emitting device according to other embodiments will be described.

도 6a 및 6b는 도 5의 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 일 제조공정 단면도들이다.6A and 6B are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of FIG. 5 .

우선 도 6a를 참조하면, 제 1 기판(310)이 준비되고, 제 1 기판(310)의 세정 단계를 거친 후, 박막 트랜지스터(320)가 형성된다. 제 1 기판(310) 세정 단계에서는 표면 개선을 위해 플라즈마 처리(plasma treatment)가 수반될 수 있다.First, referring to FIG. 6A , the first substrate 310 is prepared, and after the cleaning step of the first substrate 310 is performed, the thin film transistor 320 is formed. In the cleaning of the first substrate 310 , plasma treatment may be performed to improve the surface.

제 1 기판(310)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. The first substrate 310 may be a material for forming a device, and may be selected from a material having excellent mechanical strength or dimensional stability.

한편, 제 1 기판(310) 상에는 불순원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(buffering layer)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 질화실리콘 또는 산화실리콘의 단일층 또는 다수층으로 형성될 수 있다.Meanwhile, a buffering layer may be further formed on the first substrate 310 to block penetration of impurity elements. The buffer layer may be formed of, for example, a single layer or multiple layers of silicon nitride or silicon oxide.

이러한 제 1 기판(310) 상에는 박막 트랜지스터(320)가 형성된다.A thin film transistor 320 is formed on the first substrate 310 .

박막 트랜지스터(320)는 절연물질로 이루어진 제 1 기판(310) 상에 알루미늄, 구리 등과 같이 전기적 저항이 작고 인장 응력(tensil stress)을 가지는 도전성 금속으로 이루어진 게이트 전극(321)이 형성된다. In the thin film transistor 320 , a gate electrode 321 made of a conductive metal having low electrical resistance and tensile stress, such as aluminum or copper, is formed on a first substrate 310 made of an insulating material.

액티브층(325) 상에 소스/드레인 전극(327)이 형성되어 있다. Source/drain electrodes 327 are formed on the active layer 325 .

다음 단계로서, 게이트 절연막(323) 상에 소스/드레인전극(327)과 액티브층(325)의 노출된 부분을 덮도록 평탄화층(329)을 형성한다. 이후 평탄화층(329)을 패터닝하여 드레인전극(327)을 노출시키는 비아홀(328)을 형성한다.As a next step, a planarization layer 329 is formed on the gate insulating layer 323 to cover the exposed portions of the source/drain electrodes 327 and the active layer 325 . Thereafter, the planarization layer 329 is patterned to form a via hole 328 exposing the drain electrode 327 .

제 1 전극(331)이 평탄화층(329) 상에 형성된다. 제 1 전극(331)은 각 화소 영역별로 형성되는데, 비아홀(328)을 통해 드레인 전극(327)과 전기적으로 접촉되고, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 재료로 패터닝될 수 있다. 포토레지스트(photoresist)를 스핀 코팅한 후, 프리 베이킹(pre-baking), 노광, 현상, 포스트 베이킹(post-baking), 에칭(etching) 과정을 거쳐 포토레지스트를 벗겨내는, 포토리쏘그래피 과정을 통해 패터닝된다. A first electrode 331 is formed on the planarization layer 329 . The first electrode 331 is formed for each pixel area, is in electrical contact with the drain electrode 327 through the via hole 328 , and may be patterned with a transparent material such as indium tin oxide (ITO). After spin-coating a photoresist, pre-baking, exposure, development, post-baking, and etching are followed to peel off the photoresist through a photolithography process. patterned.

도 6a에 도시한 바와 같이 제1전극(331) 상에 이물보상층(332)을 형성한다. 예를 들어 이물보상층(332)이 Al2O3인 경우, 스퍼터링 공정, 예를 들어 Ar, O2 분위기에서 Al 타켓의 반응성 스퍼터링 공정(Reactive Sputtering Process)으로 이물보상층(332)을 증착할 수 있다. As shown in FIG. 6A , a foreign material compensation layer 332 is formed on the first electrode 331 . For example, when the foreign material compensation layer 332 is Al2O3, the foreign material compensation layer 332 may be deposited by a sputtering process, for example, a reactive sputtering process of an Al target in an Ar or O2 atmosphere.

도 6b에 도시한 바와 같이 이후 제 1 전극(331)과 이물보상층(332)에 형성되어 제 1 전극(331)의 일부분을 노출시키는 개구부가 형성된 뱅크(333)가 형성된다. As shown in FIG. 6B , a bank 333 is formed on the first electrode 331 and the foreign material compensation layer 332 to have an opening exposing a portion of the first electrode 331 .

노출된 제 1 전극(331)과 뱅크(333) 상에는 유기층(335)이 형성된다. 보다 구체적으로는 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EL), 전자수송층(ETL), 전자주입층(HIL)이 순차적으로 적층된다. 정공과 전자가 발광층에서 만나 여기자(Exciton)을 형성하고, 여기자가 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으켜 화상을 표시하게 된다. An organic layer 335 is formed on the exposed first electrode 331 and the bank 333 . More specifically, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (HIL) are sequentially stacked. Holes and electrons meet in the light emitting layer to form excitons, and the excitons fall from an excited state to a ground state to emit light, thereby displaying an image.

이러한 유기층(335)을 화학기상증착, 물리기상증착, 용액 공정 등의 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 유기층은, 미세형상 금속마스크(Fine Metal Mask, FMM)를 이용하여 RGB 발광 물질을 증착하거나, LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 방법 또는 스핀 코팅(spin coating)등의 용액 공정이 수행될 수 있다. LITI 방식은 레이저 빔을 도너 필름(donor film) 위에서 선택적으로 조사하여, 방출되는 열에 의해 박막이 선택적으로 전사(transfer)되는 방식이다. The organic layer 335 may be formed by a method such as chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or a solution process. For example, the organic layer may be formed by depositing an RGB light emitting material using a fine metal mask (FMM), or by performing a solution process such as LITI (Laser Induced Thermal Imaging) method or spin coating. can The LITI method is a method in which a thin film is selectively transferred by heat emitted by selectively irradiating a laser beam on a donor film.

이어서, 유기층(335) 상에는 열증착 또는 이온 빔 증착을 통해, 제2전극(337)이 형성된다. 제2전극(337)은 금속산화물, 전도성 고분자, 탄소나노튜브, 그래핀, 은나노와이어 중 하나로 전체 화소 영역에 형성한다.Next, the second electrode 337 is formed on the organic layer 335 through thermal deposition or ion beam deposition. The second electrode 337 is formed in the entire pixel area with one of metal oxide, conductive polymer, carbon nanotube, graphene, and silver nanowire.

이어서 유기발광다이오드(330) 상에 패시베이션층(340)을 형성한다. 패시베이션층(340)은 유기발광다이오드(330)를 수분과 불순물로부터 1차적으로 보호하는 역할을 한다. 이를 통해 다른 실시예에 따른 유기발광소자(300)가 완성된다.Next, a passivation layer 340 is formed on the organic light emitting diode 330 . The passivation layer 340 serves to primarily protect the organic light emitting diode 330 from moisture and impurities. Through this, the organic light emitting device 300 according to another embodiment is completed.

이상 도 5 내지 도 6b를 참조하여 게이트전극이 소스/드레인 전극의 하부에 형성되는 바텀게이트(bottom gate) 방식의 박막트랜지스터(320)을 포함하는 유기발광소자(300)의 구조 및 제조방법을 설명하였으나, 이하에서 도 도 7 내지 도 8b을 참조하여 게이트전극이 상부에 형성되는 탑게이트(top gate) 방식의 박막트랜지스를 포함하는 유기발광소자의 구조 및 제조방법을 설명한다. The structure and manufacturing method of the organic light emitting device 300 including the bottom gate type thin film transistor 320 in which the gate electrode is formed under the source/drain electrode with reference to FIGS. 5 to 6B above will be described. However, the structure and manufacturing method of an organic light emitting diode including a top gate type thin film transistor on which a gate electrode is formed will be described below with reference to FIGS. 7 to 8B .

도 7은 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to another embodiment.

도 7을 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 유기발광소자는 화소 영역이 정의된 제 1 기판(410) 상에 위치하는 박막 트랜지스터(Oxide Thin Film Transistor, 420), 박막 트랜지스터(420) 상에 배치된 유기발광다이오드(430), 유기발광다이오드(430) 상에 배치된 패시베이션층(passivation layer, 440)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7 , an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment is disposed on an oxide thin film transistor 420 and a thin film transistor 420 positioned on a first substrate 410 in which a pixel area is defined. The organic light emitting diode 430 may include an organic light emitting diode 430 and a passivation layer 440 disposed on the organic light emitting diode 430 .

다른 실시예에 따른 유기발광소자는 패시베이션층(440) 상에 컬러필터층(미도시), 컬러필터층 상에 위치하는 제 2 기판(미도시)을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode according to another embodiment may include a color filter layer (not shown) on the passivation layer 440 and a second substrate (not shown) positioned on the color filter layer.

제 1 기판(410) 상에 박막 트랜지스터(420)가 위치한다. 박막 트랜지스터(420)는 기판(410) 상에 전면에 위치하는 버퍼층(422), 버퍼층(422) 상에 위치하는 액티브층(425), 액티브층(425) 상에 위치하는 게이트 절연막(423), 게이트 절연막(423) 상에 위치하는 게이트 전극(421)을 포함한다. A thin film transistor 420 is positioned on the first substrate 410 . The thin film transistor 420 includes a buffer layer 422 positioned on the front surface of the substrate 410 , an active layer 425 positioned on the buffer layer 422 , a gate insulating film 423 positioned on the active layer 425 , A gate electrode 421 disposed on the gate insulating layer 423 is included.

다른 실시예에 따른 유기발광소자는 게이트 전극(421) 상에 전면에 위치하는 제1절연층(425a), 제1절연층(425a) 상에 위치하는 소스/드레인 전극(327), 소스/드레인(327) 상에 전면에 위치하는 제2절연층(425b)을 포함한다. 이때 소스/드레인 전극(327)은 각각 액티브층(425)의 양단과 제1절연층(425a)의 두개의 소스/드레인용 컨텍홀들을 통해 전기적으로 연결되어 있다. An organic light emitting diode according to another exemplary embodiment includes a first insulating layer 425a positioned on the entire surface of the gate electrode 421 , source/drain electrodes 327 positioned on the first insulating layer 425a , and source/drain A second insulating layer 425b positioned on the front surface of the 327 is included. In this case, the source/drain electrodes 327 are electrically connected to both ends of the active layer 425 and two source/drain contact holes of the first insulating layer 425a, respectively.

제2절연층(425b) 상에 연결전극용 컨텍홀을 포함하는 제1평탄화층(429a)이 위치할 수 있다. 제1평탄화층(429a) 상에 위치하는 연결전극(528)이 연결전극용 컨텍홀을 통해 소스/드레인 중 하나와 전기적으로 연결되어 있다. A first planarization layer 429a including a contact hole for a connection electrode may be positioned on the second insulating layer 425b. The connection electrode 528 positioned on the first planarization layer 429a is electrically connected to one of the source/drain through the contact hole for the connection electrode.

연결전극(428) 상에 제2평탄화층(429b)가 전면에 위치한다. 제1전극(431)과 이물보상층(432)은 제2평탄화층(429b) 상에 위치하며, 이물보상층(432)은 평탄할 수 있다. 이물보상층(432)의 재료나 형상, 두께, 비저항은 도 2a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 일실시예에 따른 유기발광소자(300)에 포함되는 이물보상층(332)와 동일할 수 있다.A second planarization layer 429b is disposed on the front surface of the connection electrode 428 . The first electrode 431 and the foreign material compensation layer 432 are positioned on the second planarization layer 429b, and the foreign material compensation layer 432 may be flat. The material, shape, thickness, and resistivity of the foreign material compensation layer 432 may be the same as the foreign material compensation layer 332 included in the organic light emitting diode 300 according to the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 2A to 4B .

한편, 제 1 전극(431)과 이물보상층(432)에는 뱅크(433)가 형성되고, 뱅크(433)에는 제 1 전극(431)이 노출되도록 개구부가 구비된다. Meanwhile, a bank 433 is formed in the first electrode 431 and the foreign material compensation layer 432 , and an opening is provided in the bank 433 to expose the first electrode 431 .

노출된 이물보상층(432) 상에는 유기층(435)이 위치한다. 이러한 유기층(435)에는, 정공과 전자가 원활히 수송되어 엑시톤(exciton)을 형성할 수 있도록, 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL), 유기발광층(Emitting Layer, EL), 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL) 등이 차례로 적층되어 포함될 수 있다. An organic layer 435 is positioned on the exposed foreign material compensation layer 432 . In the organic layer 435, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an organic light emitting layer (Emitting Layer), so that holes and electrons are smoothly transported to form excitons , EL), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), etc. may be sequentially stacked and included.

유기층(435) 상에는 제 2 전극(437)이 배치된다. 유기발광다이오드(430) 상에는 제 2 전극(437)의 상면 전체를 덮도록 패시베이션층이 형성된다. A second electrode 437 is disposed on the organic layer 435 . A passivation layer is formed on the organic light emitting diode 430 to cover the entire top surface of the second electrode 437 .

도 8은 실시예들에 따른 유기발광소자에서 제1전극 상에 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다. 8 illustrates a case in which a foreign material is generated on the first electrode during a manufacturing process in the organic light emitting diode according to the embodiments.

도 9a는 비교예1에 따른 유기발광소자에서 제1전극 상에 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다. 도 9b는 비교예2에 따른 유기발광소자에서 제1전극상에 제조공정 중에 이물이 발생한 경우를 도시하고 있다. FIG. 9A illustrates a case in which a foreign material is generated on the first electrode during a manufacturing process in the organic light emitting diode according to Comparative Example 1. Referring to FIG. FIG. 9B illustrates a case in which a foreign material is generated on the first electrode during a manufacturing process in the organic light emitting diode according to Comparative Example 2. Referring to FIG.

도 8에 도시한 유기발광소자(500)는 도 2 내지 도 7을 참조하여 설명한 실시예들에 따른 유기발광소자들 중 하나에서 일 수 있다. 도 8에는 유기발광소자에서 제1전극(531)과 제1전극(531) 상에 위치하는 이물보상층(532), 이물보상층(532) 상에 위치하는 유기층(535), 제2전극(537)만을 도시하였다. The organic light emitting device 500 shown in FIG. 8 may be one of the organic light emitting devices according to the embodiments described with reference to FIGS. 2 to 7 . 8 shows the first electrode 531 and the foreign material compensation layer 532 positioned on the first electrode 531, the organic layer 535 positioned on the foreign material compensation layer 532, and the second electrode ( 537) is shown.

도 9a에 도시한 비교예1에 따른 유기발광소자(600)는 제1전극(631) 상에 유기층(635)과 제2전극(637)을 포함하나 이물보상층을 포함하지 않는다. 도 9b에 도시한 비교예2에 따른 유기발광소자(600)는 제1전극(631) 상에 유기층(635), 이물보상층(632)과 제2전극(637)을 포함한다. 다시 말해 비교예2에 따른 유기발광소자(600)에서 이물보상층(632)이 유기층(635) 상이 위치한다. 아울러 비교예2에 따른 유기발광소자(600)의 이물보상층(632)의 두께(t2)는 도 8을 참조하여 설명한 또다른 실시예에 따른 유기발광소자(500)의 이물보상층(532)의 두께(t1)보다 두껍다.The organic light emitting device 600 according to Comparative Example 1 shown in FIG. 9A includes an organic layer 635 and a second electrode 637 on the first electrode 631, but does not include a foreign material compensation layer. The organic light emitting device 600 according to Comparative Example 2 illustrated in FIG. 9B includes an organic layer 635 , a foreign material compensation layer 632 , and a second electrode 637 on a first electrode 631 . In other words, in the organic light emitting device 600 according to Comparative Example 2, the foreign material compensation layer 632 is positioned on the organic layer 635 . In addition, the thickness t2 of the foreign material compensation layer 632 of the organic light emitting device 600 according to Comparative Example 2 is the foreign material compensation layer 532 of the organic light emitting device 500 according to another embodiment described with reference to FIG. 8 . thicker than the thickness (t1) of

도 9a에 도시한 바와 같이, 유기발광소자(600)에서 제1전극(631) 상에 이물이 발생할 때 제1전극(631)과 제2전극(637) 사이 직접적 접촉으로 인해 쇼트가 발생할 수 있다. 이물에 의한 쇼트 발생을 방지하기 위해 도9b에 도시한 바와 같이 두꺼운 이물보상층(632)을 유기층(635) 상에 증착할 수 있다.As shown in FIG. 9A , when a foreign material is generated on the first electrode 631 in the organic light emitting device 600 , a short circuit may occur due to direct contact between the first electrode 631 and the second electrode 637 . . In order to prevent short circuit caused by foreign matter, a thick foreign material compensating layer 632 may be deposited on the organic layer 635 as shown in FIG. 9B .

구체적으로 유기발광소자(600)의 제조 과정에서 제1전극(631)까지 증착한 후에 유기층(635)을 증착하는 제조장치로 이송한다. 이러한 제조공정에서 이물이 생기는 부분은 유기층(635)과 제2전극(637)을 증착한 후 유기발광소자(600)를 구동할 때 제1전극(631)과 제2전극(637) 사이의 직접적인 접촉(Contact)으로 인한 쇼트가 발생할 수 있다. 따라서 도 9b에 도시한 바와 같이 유기층(635) 상에 이물보상층(632)을 특정 두께로 증착하여 제1전극(631)과 제2전극(637) 사이의 직접적인 접촉을 방지해야 한다. Specifically, in the manufacturing process of the organic light emitting device 600 , the first electrode 631 is deposited and then transferred to a manufacturing apparatus for depositing the organic layer 635 . In this manufacturing process, the portion where the foreign material is generated is directly between the first electrode 631 and the second electrode 637 when the organic light emitting device 600 is driven after the organic layer 635 and the second electrode 637 are deposited. Short circuits may occur due to contact. Accordingly, direct contact between the first electrode 631 and the second electrode 637 should be prevented by depositing the foreign material compensation layer 632 on the organic layer 635 to a specific thickness, as shown in FIG. 9B .

비교예2에 따른 유기발광소자(600)에서 이물보상층(632)의 경우 이물의 크기와 모양에 따라 이물보상층(632)이 제1전극(631)과 제2전극(637) 사이 쇼트를 방지할 만큼 충분히 커버하지 못하는 경우도 발생할 수 있다. 이러한 경우 발광 불량 개선 효과가 떨어지게 된다.In the case of the foreign material compensation layer 632 in the organic light emitting device 600 according to Comparative Example 2, the foreign material compensation layer 632 may cause a short circuit between the first electrode 631 and the second electrode 637 according to the size and shape of the foreign material. There may be cases where the coverage is not sufficient to prevent it. In this case, the effect of improving light emitting defects is reduced.

유기발광소자(600)의 제조공정에서 불가피하게 형성되는 이물의 크기와 모양이 다르기 때문에, 유기층(635)의 증착 커버리지를 고려하여 이물보상층(632)의 두께를 조절 및 최적화해야 한다. 예를 들어 아래 표 1과 같이 이물보상층(632)의 두께(t2)는 100~5000nm일 수 있다. Since the size and shape of the foreign material unavoidably formed in the manufacturing process of the organic light emitting device 600 is different, the thickness of the foreign material compensation layer 632 should be adjusted and optimized in consideration of the deposition coverage of the organic layer 635 . For example, as shown in Table 1 below, the thickness t2 of the foreign material compensation layer 632 may be 100 to 5000 nm.

Figure 112015073695268-pat00001
Figure 112015073695268-pat00001

수um~수십um의 큰 이물이나 굴곡이 심한 이물을 보상하기 위해서는 그에 상응하는 두께(t2)의 두꺼운 이물보상층(632)을 요구하므로, 이에 따른 유기발광소자(600)의 구동전압 증가가 발생하게 된다.In order to compensate for a large foreign material of several um to several tens of um or a foreign material with severe curvature, a thick foreign material compensation layer 632 of a corresponding thickness t2 is required, thereby increasing the driving voltage of the organic light emitting device 600. will do

또한, 초기에 이물보상층(632)의 적용으로 발광 불량이 발생하지 않은 구조라 하더라도, 도 5 및 도 7에 도시한 바와 같이 뱅크 등이 존재하는 평탄하지 않은 구조의 특성상 유기발광소자(600)의 구동 중 제1전극(631)과 제2전극(637) 사이 쇼트가 추가로 발생하는 진행성 휘/암점 불량이 발생할 가능성이 크다.In addition, even in a structure in which light emitting failure does not occur due to the application of the foreign material compensation layer 632 in the initial stage, as shown in FIGS. There is a high possibility that a progressive bright/dark spot defect that an additional short circuit occurs between the first electrode 631 and the second electrode 637 during driving occurs.

유기층(635)과 제2전극(637) 사이에 이물보상층(632)을 삽입할 경우 이물의 형상을 따라가면서 이물보상층(632)이 성막되므로 제1전극(631)과 제2전극(637) 사이 쇼트 경로를 충분히 커버하는데 어려움이 있다. 뿐만 아니라 이물이 이물보상층(632)과 제1전극(631) 사이, 제1전극(631)과 유기층(635) 사이 또는 제2전극(637) 상에 위치한 경우 제1전극(631)과 제2전극(637)은 이물보상층(632)에 의해 전기적으로 접촉하지 않아, 이들 사이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.When the foreign material compensation layer 632 is inserted between the organic layer 635 and the second electrode 637 , the foreign material compensation layer 632 is formed while following the shape of the foreign material, so that the first electrode 631 and the second electrode 637 are formed. ), there is a difficulty in sufficiently covering the short path between In addition, when the foreign material is located between the foreign material compensation layer 632 and the first electrode 631 , between the first electrode 631 and the organic layer 635 , or on the second electrode 637 , the first electrode 631 and the second electrode 631 . The two electrodes 637 are not electrically contacted by the foreign material compensation layer 632 , so that a short circuit between them can be prevented.

비교예2에 따른 유기발광소자(600)에서 이물보상층(632)의 물질, 예를 들어 ZnO와 같은 Oxide계 물질은 RF 전력을 이용한 스퍼터링을 통해 증착시키는데, 수백nm~수천nm의 두꺼운 이물보상층(632)을 오랜 시간 동안 증착시켜야 하므로 양산시, 요구하는 생산목표를 달성하기 위하여, 제품 하나를 생산하는데 필요한 시간인 택트타임(Tact Time)이 길어질 수 있다. 즉 두꺼운 이물보상층을 증착할 때 오랜 시간이 소요되므로 택트타임 증가에 의한 양산성 저하가 발생한다.In the organic light emitting device 600 according to Comparative Example 2, the material of the foreign material compensation layer 632, for example, an oxide-based material such as ZnO is deposited through sputtering using RF power, and a thick foreign material compensation of several hundred nm to several thousand nm Since the layer 632 has to be deposited for a long time, the tact time, which is the time required to produce one product, may be lengthened in order to achieve a required production target during mass production. That is, since it takes a long time to deposit a thick foreign material compensation layer, a decrease in mass productivity occurs due to an increase in tact time.

또한 수백nm~수천nm의 두꺼운 이물보상층(632)을 증착시켜야 하므로 양산 시 스퍼터링 공정에서 사용되는 타켓 교체 주기 단축으로 인한 타켓 비용이 상승할 수 있다. In addition, since it is necessary to deposit a thick foreign material compensation layer 632 of several hundred nm to several thousand nm, the target cost may increase due to the shortening of the target replacement cycle used in the sputtering process during mass production.

반면 실시예에 따른 유기발광소자(500)는 이물보상층(532)을 이물 형성 전에 도 5 및 도 7과 같이 평탄화층(329, 429b)상에 위치하므로 평탄층으로 형성할 수 있어 이물에 의한 발광 불량을 크게 개선할 수 있다.On the other hand, in the organic light emitting device 500 according to the embodiment, since the foreign material compensation layer 532 is positioned on the planarization layers 329 and 429b as shown in FIGS. 5 and 7 before the foreign material is formed, it can be formed as a flat layer. It is possible to greatly improve light emission defects.

실시예에 따른 유기발광소자(500)는 유기발광소자(500) 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하기 위해 쇼트 발생 가능한 영역에 얇은 두께(t1)의 이물보상층(532)을 도포할 수 있는 효과가 있다. The organic light emitting device 500 according to the embodiment has an effect of applying a foreign material compensation layer 532 of a thin thickness (t1) to a region where a short circuit can occur in order to prevent a short circuit caused by a foreign material in the organic light emitting device 500 . have.

또한, 실시예에 따른 유기발광소자(500)는 이물이 유기층과 제1전극 사이 또는 제2전극 상에 위치한 경우 제1전극과 제2전극은 이물보상층에 의해 전기적으로 접촉하지 않을 수 있다. In addition, in the organic light emitting device 500 according to the embodiment, when a foreign material is located between the organic layer and the first electrode or on the second electrode, the first electrode and the second electrode may not be in electrical contact with the foreign material compensation layer.

또한, 실시예에 따른 유기발광소자(500)는 얇은 두께(t1)의 이물보상층(532)을 도포하므로 유기발광소자(500) 내에 이물에 의한 쇼트를 방지하면서 유기발광소자(500)의 시감성을 향상시키고 구동전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.In addition, since the organic light emitting device 500 according to the embodiment applies a foreign material compensation layer 532 of a thin thickness t1, a short circuit caused by a foreign material in the organic light emitting device 500 is prevented while visual perception of the organic light emitting device 500 is applied. It has the effect of improving performance and lowering the driving voltage.

전술한 실시예들에 따르면, 유기발광소자는 유기발광소자 내에 이물로 인한 불량을 감소시킬 수 있다According to the above-described embodiments, the organic light emitting device may reduce defects due to foreign matter in the organic light emitting device.

이상 도면을 참조하여 실시예들을 설명하였으나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.The embodiments have been described above with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as "include", "compose" or "have" described above mean that the corresponding component may be embedded unless otherwise stated, so it does not exclude other components. It should be construed as being able to further include other components. All terms, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined. Terms commonly used, such as those defined in the dictionary, should be interpreted as being consistent with the meaning in the context of the related art, and are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present invention.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (9)

기판 상에 위치하는 평탄화층;
상기 평탄화층 상에 배치된 제1전극;
상기 제1전극 상에 위치하는 이물보상층;
상기 이물보상층 의 일부에 배치되고, 상기 제1 전극과 이격된 이물;
상기 이물보상층 및 이물 상에 위치하고, 발광층을 포함하는 유기층;
상기 유기층 상에 위치하는 제2전극; 및
상기 제1 전극 및 상기 이물보상층 상에 배치되고 상기 제1 전극과 상기 이물보상층의 일부를 노출하는 개구부를 구비한 뱅크를 포함하며,
상기 뱅크의 상기 개구부와 대응되는 영역에서, 상기 제1 전극과 상기 유기층은 서로 이격되되 상기 이물보상층의 일면은 상기 유기층의 일면과 접촉되고 상기 이물보상층의 타면은 상기 제1 전극의 일면과 접촉되고,
상기 이물보상층의 비저항은 106 Ω cm이고, 두께는 10nm 내지 100nm이며, 상기 이물보상층을 포함하는 유기발광소자의 전류밀도가 10mA/cm2일 때 상기 유기발광소자의 전압 증가 폭은 0.01V 내지 0.1V인 유기발광소자.
a planarization layer positioned on the substrate;
a first electrode disposed on the planarization layer;
a foreign material compensation layer positioned on the first electrode;
a foreign material disposed on a portion of the foreign material compensation layer and spaced apart from the first electrode;
an organic layer disposed on the foreign material compensation layer and the foreign material, and including a light emitting layer;
a second electrode positioned on the organic layer; and
a bank disposed on the first electrode and the foreign material compensation layer and having an opening exposing a portion of the first electrode and the foreign material compensation layer;
In a region corresponding to the opening of the bank, the first electrode and the organic layer are spaced apart from each other, one surface of the foreign material compensation layer is in contact with one surface of the organic layer, and the other surface of the foreign material compensation layer is one surface of the first electrode contacted,
The resistivity of the foreign material compensation layer is 106 Ω cm, the thickness is 10 nm to 100 nm, and when the current density of the organic light emitting device including the foreign material compensation layer is 10 mA/cm 2 , the voltage increase width of the organic light emitting device is 0.01V to 0.1V organic light emitting device.
 제 1항에 있어서,
상기 제1전극은 평면상으로 특정형상을 가지며,
상기 이물보상층은 상기 제1전극과 동일한 형상인 유기발광소자.
The method of claim 1,
The first electrode has a specific shape on a plane,
The foreign material compensation layer is an organic light emitting device having the same shape as the first electrode.
 제 1항에 있어서,
상기 이물보상층은 상기 제1전극이 양극인 경우 P-타입 반도체 물질을 포함하며, 상기 제1전극이 음극인 경우 상기 이물보상층은 N-타입 반도체 물질을 포함하는 유기발광소자.
The method of claim 1,
The foreign material compensation layer includes a P-type semiconductor material when the first electrode is an anode, and the foreign material compensation layer includes an N-type semiconductor material when the first electrode is a cathode.
 제 3항에 있어서,
상기 P-타입 반도체 물질은, NiO, Cu2O, Cu2S, SnO, SnO2, SnS, Cr2O3로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상이고, 상기 N-타입 반도체 물질은 ZnO, TiO2, Nb2O5, MoO3, MoO2, WO3, V2O5, CdSe, ZnSe, InGaZnO 로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상인 유기발광소자.
4. The method of claim 3,
The P-type semiconductor material is one or more selected from the group consisting of NiO, Cu 2 O, Cu 2 S, SnO, SnO 2 , SnS, Cr 2 O 3 , and the N-type semiconductor material is ZnO, TiO 2 , Nb 2 O 5 , MoO 3 , MoO 2 , WO 3 , V 2 O 5 , CdSe, ZnSe, and one or more organic light emitting diodes selected from the group consisting of InGaZnO.
 제 3항에 있어서,
상기 이물보상층은, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이 전압이 인가되었을 때 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이 전하가 이동하는 유기발광소자.
4. The method of claim 3,
In the foreign material compensation layer, when a voltage between the first electrode and the second electrode is applied, the charge moves between the first electrode and the second electrode.
 제 1항에 있어서,
상기 이물보상층은 절연물질로 이루어지며, 상기 이물보상층은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이 전압이 인가되었을 때 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이 전하가 이동하는 두께를 갖는 유기발광소자.
The method of claim 1,
The foreign material compensation layer is made of an insulating material, and the foreign material compensation layer is an organic light emitting layer having a thickness in which charges move between the first electrode and the second electrode when a voltage between the first electrode and the second electrode is applied. device.
 제 6항에 있어서,
상기 절연물질은 AlxOy(x, y는 0보다 큰 실수), SiO2, SiNz(z는 0보다 큰 실수)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 하나 이상이며,
상기 이물보상층의 두께는 1~10nm인 유기발광소자.
7. The method of claim 6,
The insulating material is one or more selected from the group consisting of Al x O y (x, y is a real number greater than 0) , SiO 2 , SiN z (z is a real number greater than 0),
The thickness of the foreign material compensation layer is 1 ~ 10nm organic light emitting device.
 제 1항에 있어서,
상기 이물보상층은 평탄화층 상에 위치하며, 상기 이물보상층은 평탄한 유기발광소자.
The method of claim 1,
The foreign material compensation layer is located on the planarization layer, and the foreign material compensation layer is a flat organic light emitting device.
 제 1항에 있어서,
이물이 상기 이물보상층과 상기 제1전극 사이, 상기 제1전극과 유기층 사이 또는 상기 제2전극 상에 위치한 경우 상기 제1전극과 상기 제2전극은 상기 이물보상층에 의해 전기적으로 접촉하지 않는 유기발광소자.The method of claim 1,
When a foreign material is located between the foreign material compensation layer and the first electrode, between the first electrode and the organic layer, or on the second electrode, the first electrode and the second electrode are not in electrical contact with the foreign material compensation layer. organic light emitting device.
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