KR102308377B1 - Imprint apparatus and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

[과제] 스루풋과 정확한 패턴 형성의 양립에 유리한 임프린트 장치를 제공하는 것.
[해결 수단] 기판 위의 임프린트재에 형을 접촉시켜 상기 기판 위에 패턴을 형성하는 임프린트 장치는, 제1 공급구를 포함하고, 상기 기판 위의 상기 임프린트재와 상기 형 사이의 공간에 상기 제1 공급구로부터 제1 기체를 공급하는 제1 공급부와, 제2 공급구를 포함하고, 상기 공간에 상기 제2 공급구로부터 제2 기체를 공급하는 제2 공급부와, 상기 공간 내에서 상기 제1 기체와 상기 제2 기체의 혼합이 행해지도록, 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부를 제어하는 제어부를 갖는다.
[Problem] To provide an imprint apparatus advantageous for both throughput and accurate pattern formation.
[Solution Means] An imprint apparatus for forming a pattern on the substrate by contacting a mold to an imprint material on a substrate includes a first supply port, and includes the first supply port in a space between the imprint material on the substrate and the mold. A first supply unit for supplying a first gas from a supply port, a second supply unit including a second supply port, the second supply unit for supplying a second gas from the second supply port to the space, and the first gas in the space and a control unit for controlling the first supply unit and the second supply unit so that the second gas is mixed with each other.

Figure R1020180051062
Figure R1020180051062

Description

임프린트 장치 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}Imprint apparatus and article manufacturing method

본 발명은 임프린트 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint apparatus and a method of manufacturing an article.

반도체 디바이스 등의 물품을 제조하기 위한 리소그래피 기술의 하나로서, 임프린트 기술이 점점 실용화되고 있다. 임프린트 처리에서는, 기판 위의 임프린트재에 형을 접촉시킬 때 형과 임프린트재 사이에 기포가 갇히기 쉽다. 기포가 잔류된 채 임프린트재를 경화시키면, 형성된 패턴에 미충전 결함이 발생할 수 있다. 미충전 결함을 억제하기 위해서는, 갇힌 대기가 샷의 밖으로 확산되는 것을 기다리거나, 임프린트재 중에 용해되는 것을 기다리거나 하여, 충전 시간을 길게 설정하는 것을 생각할 수 있지만, 스루풋이 저하된다. 이와 같이, 충전 시간이 길어지는 것에 의한 스루풋의 저하는, 임프린트 기술의 큰 과제의 하나이다.As one of the lithography techniques for manufacturing articles, such as semiconductor devices, the imprint technique is gradually being put to practical use. In the imprint process, air bubbles are likely to be trapped between the mold and the imprint material when the mold is brought into contact with the imprint material on the substrate. If the imprint material is cured while air bubbles remain, an unfilled defect may occur in the formed pattern. In order to suppress unfilled defects, it is conceivable to set the filling time longer by waiting for the trapped air to diffuse out of the shot or to dissolve in the imprint material, but the throughput is lowered. As described above, the decrease in throughput due to the lengthening of the charging time is one of the major problems of the imprint technology.

미충전 결함의 저감이나 충전 시간의 단축을 실현하기 위한 해결책으로서, 특허문헌 1에서는 분자 확산 속도가 빠른 헬륨이나 임프린트재 중에 용해되기 쉬운 이산화탄소를 도입하는 것이 제안되어 있다. 특허문헌 2에서는, 기판 전체를 포함하는 공간이나 임프린트를 실시하는 영역을 응축성 기체로 폭로하는 구성이 제안되어 있다. 형과 임프린트재 사이에 갇힌 가스를 응축시킴으로써, 충전 시간을 단축함과 함께, 미충전 결함을 억제하는 것이 가능하다. 비특허문헌 1에서는, 응축성 기체의 1종인 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판(이하 「펜타플루오로프로판」이라고 한다)을 사용함으로써, 경화시킨 임프린트재로부터 형을 분리하는 힘(이하 「이형력」이라고 한다)을 낮출 수 있음이 보고되어 있다. 이형력을 저감시킴으로써, 형에 대한 임프린트재의 부착을 억제하여, 전사 결함을 적게 할 수 있다. 또한, 비특허문헌 2에서는, 펜타플루오로프로판에 의해 임프린트재의 점성이 저하되는 현상이 보고되어 있다. 임프린트재의 점성이 낮을수록, 임프린트재가 기판 위에서 퍼지기 쉬워지기 때문에, 충전 시간을 단축하는 것이 가능하다. 또한, 특허문헌 3에서는, 응축성 기체와 헬륨의 혼합 기체를 임프린트 장치에 공급하여, 임프린트재의 충전 시간을 단축, 혹은, 패턴 결손을 저감시킴과 함께, 임프린트재의 표면 조도를 저감시키는 구성이 제안되어 있다.As a solution for realizing the reduction of unfilled defects and shortening of the filling time, Patent Document 1 proposes to introduce helium, which has a high molecular diffusion rate, or carbon dioxide, which is easily soluble in the imprint material. In Patent Document 2, a configuration in which a space including the entire substrate or a region to be imprinted is exposed with a condensable gas is proposed. By condensing the gas trapped between the mold and the imprint material, it is possible to shorten the filling time and suppress unfilled defects. In Non-Patent Document 1, a mold is separated from a cured imprint material by using 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (hereinafter referred to as “pentafluoropropane”), which is one type of condensable gas. It has been reported that the force (hereinafter referred to as "release force") can be lowered. By reducing the release force, adhesion of the imprint material to the mold can be suppressed, and transfer defects can be reduced. Further, in Non-Patent Document 2, a phenomenon in which the viscosity of the imprint material is lowered by pentafluoropropane is reported. The lower the viscosity of the imprint material, the easier the imprint material spreads on the substrate, so that it is possible to shorten the filling time. In addition, in Patent Document 3, a configuration is proposed in which a mixed gas of condensable gas and helium is supplied to the imprint apparatus to shorten the filling time of the imprint material or reduce pattern defects and reduce the surface roughness of the imprint material. have.

일본 특허 공표 제2011-514658호 공보Japanese Patent Publication No. 2011-514658 일본 특허 제3700001호 공보Japanese Patent No. 3700001 Publication 일본 특허 공개 제2013-168645호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-168645

Hiroshima, Journal of Vacuum Science and Technology, B27(6)2009, 2862-2865Hiroshima, Journal of Vacuum Science and Technology, B27(6)2009, 2862-2865 Hiroshima, Journal of Photopolymer Science and Technology, Volume23, Number1, 2010, 45-50Hiroshima, Journal of Photopolymer Science and Technology, Volume 23, Number 1, 2010, 45-50

증기압이 낮은 펜타플루오로프로판은 통상, 용기에 액체 상태로 충전되어, 용기 내에서 기화된 펜타플루오로프로판이 임프린트 장치에 반송된다. 용기 내에서 기화된 응축성 기체를 임프린트 장치에 반송시키기 위한 에너지는, 펜타플루오로프로판의 증기압이라는 매우 낮은 압력 에너지뿐이며, 펌프 등의 외부 에너지는 통상 사용되지 않는다.Pentafluoropropane having a low vapor pressure is usually filled in a liquid state in a container, and pentafluoropropane vaporized in the container is returned to the imprint apparatus. The energy for conveying the condensable gas vaporized in the container to the imprint apparatus is only a very low pressure energy called the vapor pressure of pentafluoropropane, and external energy such as a pump is not normally used.

펜타플루오로프로판과 헬륨을 혼합시키는 데 통상 생각되는 구성은, 펜타플루오로프로판의 공급 배관과 헬륨의 공급 배관을 T자 조인트 등으로 합류시켜 미리 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체를 만드는 구성이다. 이 혼합 기체가 임프린트 장치에 공급된다. 그러나, 헬륨의 공급압이 통상 500㎪ 정도인 것에 비하여, 펜타플루오로프로판의 실온에서의 공급압은 50㎪ 정도이다. 그로 인해, 단순히 T자 조인트 등으로 합류시켜 혼합하는 방법으로는, 헬륨의 공급압차에 의해, 펜타플루오로프로판이 흐르기 어려워진다. 펜타플루오로프로판의 온도를 높임으로써 펜타플루오로프로판의 공급압을 높일 수는 있다. 구체적으로는, 펜타플루오로프로판을 약 70℃로 가열할 수 있으면, 펜타플루오로프로판의 공급압을 500㎪로 할 수 있다. 그러나 이것을 실현하기 위해서는, 펜타플루오로프로판의 용기나 배관 등을 약 70℃로 가열할 필요가 있기 때문에, 장치 구성이 복잡화된다. 또한, 70℃ 정도로까지 가열된 가스가 형과 기판 사이에 공급된 경우, 형 및 기판의 열 변형 등에 대처할 필요도 있다.A configuration generally considered for mixing pentafluoropropane and helium is a configuration in which a pentafluoropropane supply pipe and a helium supply pipe are joined together with a T-joint or the like to make a mixed gas of pentafluoropropane and helium in advance. . This mixed gas is supplied to the imprint apparatus. However, while the supply pressure of helium is usually about 500 kPa, the supply pressure of pentafluoropropane at room temperature is about 50 kPa. Therefore, in the method of simply mixing with a T-joint or the like, the flow of pentafluoropropane becomes difficult due to the difference in the supply pressure of helium. It is possible to increase the supply pressure of pentafluoropropane by increasing the temperature of the pentafluoropropane. Specifically, if pentafluoropropane can be heated to about 70°C, the supply pressure of pentafluoropropane can be set to 500 kPa. However, in order to realize this, since it is necessary to heat the pentafluoropropane container, piping, etc. to about 70 degreeC, the apparatus structure becomes complicated. In addition, when gas heated to about 70 DEG C is supplied between the mold and the substrate, it is also necessary to cope with the thermal deformation of the mold and the substrate.

본 발명은 예를 들어 스루풋과 정확한 패턴 형성의 양립에 유리한 임프린트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an imprint apparatus advantageous for coexistence of, for example, throughput and accurate pattern formation.

본 발명의 일 측면에 의하면, 기판 위의 임프린트재에 형을 접촉시켜 상기 기판 위에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 제1 공급구를 포함하고, 상기 기판 위의 상기 임프린트재와 상기 형 사이의 공간에 상기 제1 공급구로부터 제1 기체를 공급하는 제1 공급부와, 제2 공급구를 포함하고, 상기 공간에 상기 제2 공급구로부터 제2 기체를 공급하는 제2 공급부와, 상기 공간 내에서 상기 제1 기체와 상기 제2 기체의 혼합이 행해지도록, 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided an imprint apparatus for forming a pattern on the substrate by contacting a mold with an imprint material on a substrate, comprising a first supply port, and a space between the imprint material on the substrate and the mold a first supply unit for supplying a first gas from the first supply port to the air conditioner; a second supply unit including a second supply port; and a second supply unit for supplying a second gas from the second supply port to the space; An imprint apparatus is provided, comprising a control unit for controlling the first supply unit and the second supply unit so that mixing of the first gas and the second gas is performed.

본 발명에 따르면, 예를 들어 스루풋과 정확한 패턴 형성의 양립에 유리한 임프린트 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an imprint apparatus advantageous for coexistence of, for example, throughput and accurate pattern formation.

도 1은 실시 형태에 있어서의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 실시 형태에 있어서의 기체 공급부의 구성을 예시하는 도면.
도 3은 실시 형태에 있어서의 기체 공급부의 동작의 예를 설명하는 도면.
도 4는 실시 형태에 있어서의 기체 공급부의 동작의 다른 예를 설명하는 도면.
도 5는 실시 형태에 있어서의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 6은 실시 형태에 있어서의 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 7은 실시 형태에 있어서의 물품 제조 방법을 설명하는 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment.
It is a figure which illustrates the structure of the gas supply part in embodiment.
It is a figure explaining the example of the operation|movement of the gas supply part in embodiment.
It is a figure explaining another example of the operation|movement of the gas supply part in embodiment.
Fig. 5 is a diagram showing a configuration of an imprint apparatus according to the embodiment;
Fig. 6 is a diagram showing a configuration of an imprint apparatus according to the embodiment;
It is a figure explaining the article manufacturing method in embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 본 발명의 실시 구체예를 나타내는 것에 지나지 않는 것이며, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시 형태 중에서 설명되고 있는 특징의 조합 모두가 본 발명의 과제 해결을 위하여 필수적인 것만은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. In addition, the following embodiment only shows the Example of this invention, and this invention is not limited to the following embodiment. In addition, not all combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.

<제1 실시 형태><First embodiment>

먼저, 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 개요에 대하여 설명한다. 임프린트 장치는, 기판 위에 공급된 임프린트재를 형과 접촉시켜, 임프린트재에 경화용의 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다.First, an outline of the imprint apparatus according to the embodiment will be described. The imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product onto which the concavo-convex pattern of the die is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with a die and applying energy for curing to the imprint material.

임프린트재로서는, 경화용의 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고 칭하는 경우도 있다)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자파는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위로부터 선택되는 광, 예를 들어 적외선, 가시광선, 자외선 등일 수 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 중 광의 조사에 의해 경화되는 광 경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광 중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 폴리머 성분 등의 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다. 임프린트재는, 임프린트재 공급 장치(후술하는 도 1의 임프린트재 공급부(33)에 대응)에 의해, 액적 형상, 혹은 복수의 액적이 연결되어 생긴 섬 형상 또는 막 형상으로 되어 기판 위에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에 있어서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하일 수 있다. 기판의 재료로서는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판과는 다른 재료를 포함하는 부재가 설치되어도 된다. 기판은, 예를 들어 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판, 석영 유리이다.As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that is cured by applying the energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave may be, for example, light whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less, such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays. The curable composition may be a composition that is cured by irradiation with light or by heating. Among these, the photocurable composition hardened|cured by irradiation of light contains a polymeric compound and a photoinitiator at least, and may contain a nonpolymerizable compound or a solvent further as needed. The nonpolymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal addition type mold release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material may be disposed on the substrate in a droplet shape or an island shape or a film shape formed by connecting a plurality of droplets by an imprint material supply device (corresponding to the imprint material supply unit 33 in FIG. 1 to be described later). The viscosity (viscosity in 25 degreeC) of the imprint material may be 1 mPa*s or more and 100 mPa*s or less, for example. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin and the like can be used. If necessary, a member made of a material different from that of the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon substrate, a compound semiconductor substrate, or quartz glass.

도 1은 본 실시 형태에 관한 임프린트 장치(10)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(10)는, 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용되고, 기판(21)(웨이퍼) 위에 공급된 임프린트재(31)를 형(41)으로 성형하여, 기판(21) 위에 임프린트재의 패턴을 형성한다. 또한, 여기에서는 광 경화법을 채용한 임프린트 장치를 예시하지만, 열 경화법을 채용해도 된다. 또한, 이하의 도면에 있어서는, 기판(21) 위의 임프린트재(31)에 대하여 조사되는 자외선(53)의 광축과 평행으로 XYZ 좌표계에 있어서의 Z축을 취하고, Z축에 수직인 평면 내에 서로 직교하는 방향으로 X축 및 Y축을 취한다.1 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus 10 according to the present embodiment. The imprint apparatus 10 is used for manufacturing a device such as a semiconductor device, and forms an imprint material 31 supplied on a substrate 21 (wafer) into a mold 41 , and forms a pattern of the imprint material on the substrate 21 . to form In addition, although the imprint apparatus employ|adopted the photocuring method is illustrated here, you may employ|adopt the thermosetting method. In addition, in the following drawings, the Z axis in the XYZ coordinate system is taken parallel to the optical axis of the ultraviolet light 53 irradiated to the imprint material 31 on the substrate 21, and is orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z axis. Take the X-axis and Y-axis in the direction of

광 조사부(50)는, 임프린트 처리 시, 특히 기판(21) 위의 임프린트재(31)를 경화시킬 때에, 형(41)에 대하여 자외선(53)을 조사한다. 광 조사부(50)는, 광원(51)과, 광원(51)으로부터 발해진 자외선(53)을, 임프린트에 적절한 광으로 조정하여, 형(41)에 조사하는 조명 광학계(52)를 포함할 수 있다. 광원(51)은, 할로겐 램프 등의 램프류를 채용 가능하지만, 형(41)을 투과하고, 또한 자외선(53)의 조사에 의해 임프린트재(31)가 경화되는 파장의 광을 발하는 광원이면, 특별히 한정하는 것은 아니다. 조명 광학계(52)는, 도시하지 않았지만, 렌즈, 미러, 애퍼쳐 또는 조사와 차광을 전환하기 위한 셔터 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 광 경화법을 채용하기 위하여 광 조사부(50)를 설치하고 있지만, 예를 들어 열 경화법을 채용하는 경우에는, 이 광 조사부(50) 대신에, 열 경화성 수지를 경화시키기 위한 열원부를 설치하게 된다.The light irradiation unit 50 irradiates the mold 41 with ultraviolet rays 53 during the imprint process, particularly when curing the imprint material 31 on the substrate 21 . The light irradiation unit 50 may include a light source 51 and an illumination optical system 52 that irradiates the mold 41 by adjusting the ultraviolet rays 53 emitted from the light source 51 to light suitable for imprinting. have. The light source 51 can employ lamps such as a halogen lamp, but if it is a light source that transmits the mold 41 and emits light of a wavelength at which the imprint material 31 is cured by irradiation with ultraviolet rays 53 , in particular, It is not limiting. Although not shown, the illumination optical system 52 may include a lens, a mirror, an aperture, or a shutter for switching between irradiation and light blocking. In addition, in this embodiment, although the light irradiation part 50 is provided in order to employ|adopt the photocuring method, for example, when employ|adopting the thermosetting method, instead of this light irradiation part 50, a thermosetting resin is hardened. A heat source is installed for this purpose.

형(41)은, 외주 형상이 직사각형이며, 기판(21)에 대향하는 면에는, 예를 들어 회로 패턴 등의 전사해야 할 패턴이 형성된 패턴부(41a)를 포함한다. 또한, 형(41)의 재질은, 자외선(53)을 투과시키는 것이 가능한 재질(예를 들어 석영)로 한다. 또한, 형(41)은, 자외선(53)이 조사되는 면에, 평면 형상이 원형이고, 또한, 어느 정도의 깊이 캐비티(44)(오목부)를 갖는 경우도 있다.The mold 41 has a rectangular outer peripheral shape, and includes a pattern portion 41a in which a pattern to be transferred, such as a circuit pattern, is formed on a surface opposite to the substrate 21 . In addition, let the material of the mold 41 be a material (for example, quartz) which can transmit the ultraviolet-ray 53. As shown in FIG. In addition, the mold 41 may have a circular planar shape on the surface to which the ultraviolet-ray 53 is irradiated, and may have the cavity 44 (recessed part) to some extent depth.

형 보유 지지부(40)는, 형(41)을 보유 지지하는 형 척(42)과, 형 척(42)을 이동 가능하게 보유 지지하는 형 구동 기구(43)와, 형(41)(패턴부(41a))의 형상을 보정하는 배율 보정 기구(46)를 포함할 수 있다. 형 척(42)은, 형(41)에 있어서의 자외선(53)의 조사면의 외주 영역을 진공 흡착력이나 정전력으로 끌어당김으로써 형(41)을 보유 지지할 수 있다. 예를 들어, 형 척(42)은, 진공 흡착력에 의해 형(41)을 보유 지지하는 경우, 외부에 설치된 도시하지 않은 진공 펌프에 접속되고, 이 진공 펌프의 배기에 의한 흡착압을 적절히 조정함으로써, 형(41)에 대한 흡착력(보유 지지력)을 조정할 수 있다. 형 구동 기구(43)는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 접촉 또는 분리를 선택적으로 행하도록, 형(41)을 이동시킨다. 이 형 구동 기구(43)에 채용 가능한 동력원으로서는, 예를 들어 리니어 모터나 에어 실린더가 있다. 또한, 형 구동 기구(43)는, 형(41)의 고정밀도의 위치 결정에 대응하기 위하여, 조동 구동계나 미동 구동계 등의 복수의 구동계를 갖고 있어도 된다. 또한, 형 구동 기구(43)는, Z축 방향뿐만 아니라, X축 방향이나 Y축 방향 또는 Z축 주위의 회전 방향인 θ 방향의 위치 조정 기능이나, 형(41)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 갖는 구성도 있을 수 있다. 또한, 임프린트 장치(10)에 있어서의 접촉 및 분리의 각 동작은, 형(41)을 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현해도 되지만, 기판 보유 지지부(20)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현해도 되고, 또는 그 양쪽을 상대적으로 이동시켜도 된다. 배율 보정 기구(46)는, 형 척(42)에 있어서의 형(41)의 보유 지지측에 설치되고, 형(41)의 측면에 대하여 외력 또는 변위를 기계적으로 부여함으로써 형(41)(패턴부(41a))의 형상을 보정한다.The mold holding part 40 includes a mold chuck 42 for holding the mold 41, a mold drive mechanism 43 for movably holding the mold chuck 42, and a mold 41 (pattern part). and a magnification correction mechanism 46 for correcting the shape of (41a)). The mold chuck 42 can hold the mold 41 by attracting the outer peripheral region of the irradiated surface of the ultraviolet rays 53 in the mold 41 with a vacuum suction force or an electrostatic force. For example, the mold chuck 42 is connected to a vacuum pump (not shown) provided externally when holding the mold 41 by the vacuum suction force, and by appropriately adjusting the suction pressure by the exhaust of the vacuum pump. , it is possible to adjust the adsorption force (retention holding force) to the mold 41 . The mold drive mechanism 43 moves the mold 41 so as to selectively contact or separate the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 . As a motive power source employable for this type|mold drive mechanism 43, there exist a linear motor and an air cylinder, for example. Moreover, the die drive mechanism 43 may have several drive systems, such as a coarse motion drive system and a fine motion drive system, in order to respond to high-precision positioning of the die 41. In addition, the mold drive mechanism 43 has a position adjustment function in the Z-axis direction as well as the X-axis direction, the Y-axis direction, or the θ direction, which is a rotational direction around the Z-axis, and a tilt for correcting the inclination of the mold 41 . There may also be a configuration having a function or the like. In addition, each operation of contact and separation in the imprint apparatus 10 may be realized by moving the mold 41 in the Z-axis direction, but may be realized by moving the substrate holding unit 20 in the Z-axis direction, Alternatively, both of them may be relatively moved. The magnification correction mechanism 46 is provided on the holding side of the die 41 in the die chuck 42, and mechanically applies an external force or displacement to the side surface of the die 41 (pattern portion). The shape of (41a)) is corrected.

기판(21)은, 예를 들어 단결정 실리콘 기판이나 SOI(Silicon on Insulator) 기판이다. 이 기판(21) 위의 복수의 샷 영역(패턴 형성 영역)에는, 패턴부(41a)에 의해 임프린트재(31)의 패턴(패턴을 포함하는 층)이 성형된다. 또한, 일반적으로는 기판(21)이 임프린트 장치(10)에 반입되기 전에, 미리 복수의 샷 영역 위에는 전공정에서 패턴(이하 「기판측 패턴」이라고 한다)이 형성되어 있다.The substrate 21 is, for example, a single crystal silicon substrate or a silicon on insulator (SOI) substrate. In the plurality of shot regions (pattern formation regions) on the substrate 21 , a pattern (layer including the pattern) of the imprint material 31 is formed by the pattern portion 41a. In general, before the substrate 21 is loaded into the imprint apparatus 10 , a pattern (hereinafter referred to as a “substrate-side pattern”) is previously formed on the plurality of shot regions in a pre-process.

임프린트재 공급부(33)는, 형 보유 지지부(40)의 근방에 설치되고, 기판(21) 위의 샷 영역(기판측 패턴) 위에 임프린트재(31)를 공급(배치 또는 도포)한다. 또한, 임프린트재(31)는, 예를 들어 자외선(53)을 수광함으로써 경화되는 성질을 갖는 자외선 경화 수지이며, 반도체 디바이스 제조 공정 등의 각종 조건에 의해 적절히 선택된다. 임프린트재 공급부(33)는, 임프린트재의 공급 방식으로서 잉크젯 방식을 채용하고, 미경화 상태의 임프린트재(31)를 수용하는 용기(32)를 포함한다. 임프린트재 공급부(33)는, 예를 들어 피에조 타입의 토출 기구(잉크젯 헤드)를 갖는다. 임프린트재(31)의 공급량(토출량)은, 0.1 내지 10pL/적의 범위에서 조정 가능하고, 통상, 약 2pL/적으로 사용하는 경우가 많다. 또한, 임프린트재(31)의 전체 공급량은, 패턴부(41a)의 밀도 및 설계 상의 잔막 두께에 의해 결정된다. 임프린트재 공급부(33)는, 제어부(15)로부터의 동작 명령에 기초하여, 공급 위치나 공급량 등을 제어한다.The imprint material supply unit 33 is provided in the vicinity of the mold holder 40 , and supplies (places or applies) the imprint material 31 onto the shot region (substrate side pattern) on the substrate 21 . The imprint material 31 is, for example, an ultraviolet curable resin having a property of being cured by receiving ultraviolet rays 53 , and is appropriately selected depending on various conditions such as a semiconductor device manufacturing process. The imprint material supply unit 33 employs an inkjet method as a supply method of the imprint material, and includes a container 32 accommodating the imprint material 31 in an uncured state. The imprint material supply unit 33 has, for example, a piezo-type discharge mechanism (inkjet head). The supply amount (discharge amount) of the imprint material 31 can be adjusted in the range of 0.1 to 10 pL/drop, and is usually used in many cases about 2 pL/drop. In addition, the total supply amount of the imprint material 31 is determined by the density of the pattern part 41a and the remaining film thickness in design. The imprint material supply unit 33 controls a supply position, a supply amount, and the like, based on an operation command from the control unit 15 .

기판 보유 지지부(20)는, 기판(21)을 보유 지지하고, 가동의 보유 지지부이다. 예를 들어, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 접촉 시에, 기판 보유 지지부(20)에 의해 기판(21)을 이동시킴으로써, 패턴부(41a)와 샷 영역의 기판측 패턴의 위치 정렬이 행하여진다. 이 기판 보유 지지부(20)는, 기판(21)을 흡착력에 의해 보유 지지하는 기판 척(22)과, 기판 척(22)을 기계적으로 보유 지지하여 각 축방향으로 이동 가능하게 하는 기판 스테이지(23)를 갖는다. 기판 스테이지(23)는, 정반(11) 위를 이동함으로써 기판을 이동시키는 이동 기구(23a)를 포함한다. 이동 기구(23a)는, 임프린트재 공급 위치(제1 위치)와 임프린트 위치(제2 위치) 사이의 경로를 따라, 기판을 이동시킬 수 있다. 여기서, 임프린트재 공급 위치(제1 위치)란, 임프린트재 공급부(33)에 의한 임프린트재의 공급이 행하여지는 위치이며, 임프린트재를 토출하는 노즐 등의 임프린트재의 공급구와 대향하는 위치를 의미한다. 또한, 임프린트 위치(제2 위치)란, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 접촉이 행하여지는 위치를 의미한다. 이동 기구(23a)는, 임프린트를 실행할 때, 기판(21)(의 샷 영역)을 임프린트재 공급 위치로 이동시켜, 임프린트재 공급부(33)에 의해 임프린트재(31)가 공급된다. 이동 기구(23a)에 채용 가능한 동력원으로서는, 예를 들어 리니어 모터나 평면 모터 등이 있다. 이동 기구(23a), X축 및 Y축의 각 방향에 대하여, 조동 구동계나 미동 구동계 등의 복수의 구동계를 포함할 수 있다. 또한, Z축 방향의 위치 조정을 위한 구동계나, 기판(21)의 θ 방향의 위치 조정 기능 또는 기판(21)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 갖는 구성도 있을 수 있다.The substrate holding unit 20 holds the substrate 21 and is a movable holding unit. For example, when the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 come into contact, by moving the substrate 21 by the substrate holding portion 20 , the pattern portion 41a and the shot region are separated. Position alignment of the substrate side pattern is performed. The substrate holding unit 20 includes a substrate chuck 22 for holding the substrate 21 by an attraction force, and a substrate stage 23 for mechanically holding the substrate chuck 22 and moving it in each axial direction. ) has The substrate stage 23 includes a moving mechanism 23a that moves the substrate by moving on the surface plate 11 . The moving mechanism 23a can move the substrate along a path between the imprint material supply position (first position) and the imprint position (second position). Here, the imprint material supply position (first position) is a position at which the imprint material is supplied by the imprint material supply unit 33 , and means a position opposite to an imprint material supply port such as a nozzle for discharging the imprint material. In addition, the imprint position (second position) means a position where the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 are brought into contact. The moving mechanism 23a moves the substrate 21 (shot region of) to the imprint material supply position when performing imprint, and the imprint material 31 is supplied by the imprint material supply unit 33 . As a power source employable for the moving mechanism 23a, there exist a linear motor, a planar motor, etc., for example. A plurality of drive systems, such as a coarse motion drive system and a fine motion drive system, can be included with respect to each direction of the movement mechanism 23a, an X-axis, and a Y-axis. In addition, there may be a configuration having a drive system for position adjustment in the Z-axis direction, a position adjustment function in the θ direction of the substrate 21 , or a tilt function for correcting the inclination of the substrate 21 .

기판 보유 지지부(20)는, 그 측면에, X, Y, Z, ωx, ωy, ωz의 각 방향에 대응한 복수의 참조 미러(71)(반사부)를 구비한다. 여기서, ωx, ωy, ωz는 각각 X축, Y축, Z축 주위의 회전 방향을 나타낸다. 이에 반하여, 임프린트 장치(10)는, 이들 참조 미러(71)에 각각 빔(72)을 조사함으로써, 기판 스테이지(23)의 위치를 측정하는 복수의 레이저 간섭계(73)(측장기)를 구비한다. 또한, 도 1에서는, 참조 미러(71)와 레이저 간섭계(73)의 한 세트만 도시되어 있다. 레이저 간섭계(73)는, 기판(21)의 위치를 실시간으로 계측하고, 후술하는 제어부(15)는, 이때의 계측값에 기초하여 기판(21)(기판 스테이지(23))의 위치 결정 제어를 실행한다. 또한, 이러한 위치 계측 기구로서는, 상기한 레이저 간섭계(73) 대신 반도체 레이저를 사용한 인코더 등을 채용해도 된다.The substrate holding unit 20 is provided with a plurality of reference mirrors 71 (reflectors) corresponding to the respective directions of X, Y, Z, ωx, ωy, and ωz on the side surface thereof. Here, ωx, ωy, and ωz represent rotation directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis, respectively. On the other hand, the imprint apparatus 10 is provided with a plurality of laser interferometers 73 (length measuring instruments) for measuring the position of the substrate stage 23 by irradiating the beams 72 to each of these reference mirrors 71 . . Also, in Fig. 1, only one set of the reference mirror 71 and the laser interferometer 73 is shown. The laser interferometer 73 measures the position of the substrate 21 in real time, and the control unit 15 described later performs positioning control of the substrate 21 (substrate stage 23 ) based on the measured value at this time. run In addition, as such a position measuring mechanism, an encoder using a semiconductor laser or the like may be employed instead of the above-described laser interferometer 73 .

제어부(15)는, 임프린트 장치(10)의 각 구성 요소의 동작 및 조정 등을 제어할 수 있다. 제어부(15)는, 예를 들어 컴퓨터에 의해 구성되고, 임프린트 장치(10)의 각 구성 요소에 회선을 통하여 접속되고, 프로그램 등에 따라 각 구성 요소의 제어를 실행할 수 있다. 또한, 제어부(15)는, 임프린트 장치(10)의 다른 부분과 일체로(공통된 하우징 내에) 구성해도 되고, 임프린트 장치(10)의 다른 부분과는 별체로(다른 하우징 내에) 구성해도 된다.The control unit 15 may control the operation and adjustment of each component of the imprint apparatus 10 . The control unit 15 is configured by, for example, a computer, is connected to each component of the imprint apparatus 10 through a line, and can execute control of each component according to a program or the like. In addition, the control part 15 may be comprised integrally with the other part of the imprint apparatus 10 (in a common housing), and may be comprised separately from the other part of the imprint apparatus 10 (in another housing).

정반(11)은, 임프린트 장치(10) 전체를 지지함과 함께 기판 스테이지(23)의 이동의 기준 평면을 형성하고 있다. 제진기(12)는, 정반(11)과 프레임(13) 사이에 설치되고, 바닥으로부터의 진동을 제거하는 기능을 갖는다. 프레임(13)은, 기판(21)보다 상방에 위치하는 구성 부분의 광원(51)부터 형(41)까지를 지지한다. 얼라인먼트 스코프(14)는, 기판(21) 위의 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 제어부(15)는, 얼라인먼트 스코프(14)에서 얻어진 화상에 기초하여 얼라인먼트 마크의 위치를 계측하고, 그 결과에 기초하여 기판 스테이지(23)의 위치 결정을 행한다.The surface plate 11 supports the entire imprint apparatus 10 and forms a reference plane for movement of the substrate stage 23 . The vibration damper 12 is provided between the surface plate 11 and the frame 13 and has a function of removing vibration from the floor. The frame 13 supports from the light source 51 to the mold 41 of the structural part located above the board|substrate 21. As shown in FIG. The alignment scope 14 images the alignment mark on the substrate 21 . The control part 15 measures the position of an alignment mark based on the image obtained with the alignment scope 14, and positions the substrate stage 23 based on the result.

형 척(42) 및 형 구동 기구(43)는, 평면 방향의 중심부(내측)에, 광 조사부(50)로부터 조사된 자외선(53)이 기판(21)을 향하여 통과 가능하게 하는 개구 영역(47)을 갖는다. 여기서, 형 척(42)(또는 형 구동 기구(43))은, 개구 영역(47)의 일부와 형(41)으로 둘러싸이는 캐비티(44)를 밀폐 공간으로 하는 광 투과 부재(예를 들어 유리판)(45)를 구비하는 경우도 있다. 이 경우, 캐비티(44) 내의 압력은, 진공 펌프 등을 포함하는, 도시하지 않은 압력 조정 장치에 의해 조정된다. 이 압력 조정 장치는, 예를 들어 형(41)과 임프린트재(31)의 접촉 시에, 캐비티(44) 내의 압력을 그 외부보다도 높게 설정함으로써, 패턴부(41a)를 기판(21)을 향하여 볼록형으로 휘게 한다. 이에 의해, 임프린트재(31)에 대하여 패턴부(41a)의 중심부로부터 접촉시킬 수 있어, 패턴부(41a)의 요철 패턴에 임프린트재(31)를 구석구석까지 충전시킬 수 있다.The mold chuck 42 and the mold drive mechanism 43 have an opening region 47 that allows the ultraviolet rays 53 irradiated from the light irradiation unit 50 to pass toward the substrate 21 in the central portion (inside) in the planar direction. ) has Here, the mold chuck 42 (or the mold drive mechanism 43 ) is a light transmitting member (eg, a glass plate) in which a part of the opening region 47 and the cavity 44 surrounded by the mold 41 are enclosed spaces. ) (45) may be provided. In this case, the pressure in the cavity 44 is adjusted by a pressure adjusting device (not shown) including a vacuum pump or the like. This pressure adjusting device directs the pattern portion 41a toward the substrate 21 by, for example, setting the pressure in the cavity 44 higher than the outside thereof when the mold 41 and the imprint material 31 come into contact with each other. bend it into a convex shape. Thereby, the imprint material 31 can be brought into contact from the central portion of the pattern portion 41a, and the concave-convex pattern of the pattern portion 41a can be filled with the imprint material 31 to every corner.

그러나 이것만으로는, 기포를 가두지 않고 요철 패턴의 내부에 확실하게 임프린트재(31)를 충전시키기에는 불충분하다. 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 접촉 시에, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이에 기포(대기)가 존재하면, 임프린트재(31)의 경화 후, 형성된 패턴에 미충전 결함이 발생할 수 있다. 이러한 미충전 결함의 발생을 방지하기 위해서는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 기체를, 적어도 임프린트재(31)에 대하여 고가용성 또는 고확산성의 어느 한쪽의 성질을 갖는 기체와 치환시키면 된다. 이러한 성질을 갖는 기체로서는, 헬륨 등이 있다.However, this alone is insufficient to reliably fill the imprint material 31 inside the concave-convex pattern without confining the air bubbles. When the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 come into contact, if air bubbles (atmosphere) exist between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21, the imprint material ( 31), unfilled defects may occur in the formed pattern. In order to prevent the occurrence of such unfilled defects, the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 has at least one property of high solubility or high diffusivity with respect to the imprint material 31 . It can be substituted with a gas having Examples of the gas having such properties include helium and the like.

기체의 치환 방법으로서, 적어도 형(41)의 근방에 배치된 기체 공급부(60)로부터 헬륨 등의 기체를 분출하여, 형(41) 주변의 기체 농도를 높이는 방법을 생각할 수 있다. 기체를 일정 기간 계속하여 분출함으로써, 기체 자신이 갖는 확산 효과에 의해, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이를 그 기체로 치환할 수 있다. 그러나, 이와 같은 치환 방식에서는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극의 기체 농도가 충분히 높아질 때까지 일정한 대기 시간이 필요해진다. 일반적인 임프린트 장치에 있어서는, 수십초 이상의 대기 시간이 상정된다. 그러한 대기 시간은 생산성에 악영향을 주기 때문에, 최대한 이 대기 시간을 단축시킬 필요가 있다. 대기 시간을 단축하는 방책으로서는, 예를 들어 기판 스테이지(23)의 구동을 이용한 기체의 흐름, 즉 코안다 효과를 이용한 치환 방식이 유효하다.As a method of replacing the gas, a method of increasing the gas concentration around the die 41 by blowing a gas such as helium from at least the gas supply unit 60 disposed in the vicinity of the die 41 can be considered. By continuously blowing the gas for a certain period of time, it is possible to substitute the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 by the diffusion effect of the gas itself. However, in such a substitution method, a certain waiting time is required until the gas concentration in the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 becomes sufficiently high. In a general imprint apparatus, a waiting time of several tens of seconds or more is assumed. Since such a waiting time adversely affects productivity, it is necessary to shorten this waiting time as much as possible. As a measure to shorten the waiting time, for example, a gas flow using the drive of the substrate stage 23, that is, a substitution method using the Coanda effect is effective.

이어서, 본 실시 형태에 있어서의, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 기체를, 제1 기체와 제2 기체의 혼합 기체로 치환하는 방법을 설명한다. 도 2의 (a), (b)는, 상면으로부터 본 기체 공급부(60)를 도시한 도면이다. 기체 공급부(60)는, 형(41)을 둘러싸도록 배치되고 기체를 공급하는 복수의 공급구를 갖는다.Next, a method of replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with a mixed gas of the first gas and the second gas according to the present embodiment will be described. 2A and 2B are views showing the gas supply unit 60 seen from the upper surface. The gas supply unit 60 is arranged to surround the mold 41 and has a plurality of supply ports for supplying gas.

도 2의 (a)의 예에서는, 기체 공급부(60)는, 형(41)의 사방을 둘러싸도록 배치되고 제1 기체를 제1 공급구(61a)로부터 공급하는 제1 공급부(61)를 포함한다. 기체 공급부(60)는, 형(41)에 관하여 제1 공급구(61a)의 외측에 배치된 제2 공급구(62a)로부터 제1 기체와는 다른 기체인 제2 기체를 공급하는 제2 공급부(62)를 더 포함한다. 제1 공급부(61)는, 제1 공급구(61a)와, 제1 기체를 저장하는 도시하지 않은 제1 탱크와, 제1 탱크와 제1 공급구(61a)를 접속하는 도시하지 않은 배관을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 제2 공급부(62)는, 제2 공급구(62a)와, 제2 기체를 저장하는 도시하지 않은 제2 탱크와, 제2 탱크와 제2 공급구(62a)를 접속하는 도시하지 않은 배관을 포함할 수 있다.In the example of FIG. 2A , the gas supply unit 60 includes a first supply unit 61 disposed to surround the mold 41 and supplying the first gas from the first supply port 61a. do. The gas supply unit 60 is a second supply unit that supplies a second gas, which is a gas different from the first gas, from a second supply port 62a disposed outside the first supply port 61a with respect to the mold 41 . (62). The first supply unit 61 includes a first supply port 61a, a first tank (not shown) storing the first gas, and a pipe (not shown) connecting the first tank and the first supply port 61a. may include Similarly, the 2nd supply part 62 includes the 2nd supply port 62a, the 2nd tank (not shown) which stores 2nd gas, and the 2nd tank and the 2nd supply port 62a which connect the 2nd supply port 62a similarly. It may include piping.

여기서, 제1 기체는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 접촉에 의해 액화되는 응축성 기체를 포함하고, 제2 기체는 임프린트재(31), 형(41) 및 기판(21) 중 적어도 하나를 투과하는 투과성 기체를 포함할 수 있다. 응축성 기체란, 형(41)을 임프린트재(31)에 접촉시킬 때, 패턴부(41a)의 오목부에 임프린트재(31)가 진입하여 오목부에 갇힌 기체가 압축될 때, 그 압력 상승에 의해 액화되는 기체를 의미한다. 그러한 응축성 기체로서는 예를 들어 펜타플루오로프로판이 사용된다. 또한, 제2 기체에 포함되는 투과성 기체로서, 예를 들어 헬륨, 질소, 이산화탄소, 수소, 크세논 등이 채용될 수 있다. 이하의 설명에서는, 제1 기체로서 펜타플루오로프로판을, 제2 기체로서 헬륨을 사용하는 것으로 한다.Here, the first gas includes a condensable gas that is liquefied by contact between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 , and the second gas includes the imprint material 31 and the mold 41 . and a permeable gas passing through at least one of the substrates 21 . The condensable gas refers to a pressure increase when the imprint material 31 enters the concave portion of the pattern portion 41a and the gas trapped in the concave portion is compressed when the mold 41 is brought into contact with the imprint material 31 . gas that is liquefied by As such a condensable gas, for example, pentafluoropropane is used. In addition, as the permeable gas included in the second gas, for example, helium, nitrogen, carbon dioxide, hydrogen, xenon, etc. may be employed. In the following description, it is assumed that pentafluoropropane is used as the first gas and helium is used as the second gas.

도 2의 (b)의 예에서는, 기체 공급부(60)는, 형(41)의 측면을 따라 배치된 복수개 공급구를 포함하고, 펜타플루오로프로판을 공급하는 제1 공급구(63)와 헬륨을 공급하는 제2 공급구(64)가 교대로 배치된다. 펜타플루오로프로판은, 도시하지 않은 제1 탱크에 저장되어 있고, 배관(65)을 통하여 제1 공급구(63)에 공급된다. 이와 같이, 이들 제1 탱크와 배관(65)과 제1 공급구(63)에 의해, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 공간 내에 제1 기체를 공급하는 제1 공급부가 구성된다. 헬륨은, 도시하지 않은 제2 탱크에 저장되어 있고, 배관(66)을 통하여 제2 공급구(64)에 공급된다. 이와 같이, 이들 제2 탱크와 배관(66)과 제2 공급구(64)에 의해, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 공간 내에 제2 기체를 공급하는 제2 공급부가 구성된다. 제1 공급부에 의한 제1 기체의 공급 및 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급은 제어부(15)에 의해 제어된다.In the example of FIG. 2B , the gas supply unit 60 includes a plurality of supply ports disposed along the side surface of the mold 41 , and includes a first supply port 63 for supplying pentafluoropropane and helium. The second supply ports 64 for supplying are alternately arranged. Pentafluoropropane is stored in a first tank (not shown), and is supplied to the first supply port 63 through a pipe 65 . In this way, the first gas is supplied into the space between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 through the first tank, the pipe 65 and the first supply port 63 . 1 The supply is configured. Helium is stored in a second tank (not shown), and is supplied to the second supply port 64 through a pipe 66 . In this way, the second gas is supplied into the space between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 through the second tank, the pipe 66 and the second supply port 64 . 2 supplies are configured. The supply of the first gas by the first supply unit and the supply of the second gas by the second supply unit are controlled by the control unit 15 .

제1 공급구(63)로부터 공급된 펜타플루오로프로판과 제2 공급구(64)로부터 공급된 헬륨이, 형(41)과 기판(21) 사이의 공간에서 효율적으로 혼합되도록, 제1 공급구(63)와 제2 공급구(64)가 배향되면 된다. 예를 들어, 서로 인접하는 제1 공급구(63)와 제2 공급구(64)의 세트에 있어서, 제1 공급구(63)로부터 공급된 펜타플루오로프로판과 제2 공급구(64)로부터 공급된 헬륨이 교착되도록 배향된다.The first supply port so that pentafluoropropane supplied from the first supply port 63 and the helium supplied from the second supply port 64 are efficiently mixed in the space between the mold 41 and the substrate 21 . (63) and the second supply port 64 may be oriented. For example, in the set of the first supply ports 63 and the second supply ports 64 adjacent to each other, pentafluoropropane supplied from the first supply port 63 and the second supply port 64 are The supplied helium is oriented to agglutinate.

펜타플루오로프로판을 계속하여 공급하면, 기화열에 의해 공급 배관 등의 온도가 낮아져, 펜타플루오로프로판을 공급하는 것이 곤란해질 수 있다. 그로 인해, 펜타플루오로프로판의 공급 배관 등에 온도 조절 기구를 설치해도 된다.If pentafluoropropane is continuously supplied, the temperature of the supply pipe or the like may be lowered by the heat of vaporization, making it difficult to supply pentafluoropropane. Therefore, you may provide a temperature control mechanism in the supply piping of pentafluoropropane etc.

펜타플루오로프로판의 비점은 대략 -10 내지 23℃, 포화 증기압은 0.1 내지0.4㎫이기 때문에, 배관 등의 압력 손실에 의해 펜타플루오로프로판이 액화될 가능성이 있다. 그로 인해, 펜타플루오로프로판의 배관 직경이나 제1 공급구(63)의 구경을, 헬륨의 배관 직경이나 제2 공급구(64)의 구경보다도 크게 해 두면 된다.Since the boiling point of pentafluoropropane is approximately -10 to 23°C and the saturated vapor pressure is 0.1 to 0.4 MPa, there is a possibility that pentafluoropropane may be liquefied due to pressure loss in piping or the like. Therefore, the pipe diameter of pentafluoropropane and the diameter of the first supply port 63 may be made larger than the pipe diameter of helium or the diameter of the second supply port 64 .

제어부(15)는, 기판 위의 임프린트재(31)와 형(41) 사이의 공간 내에서 제1 기체와 제2 기체의 혼합이 행해지도록, 제1 공급부 및 제2 공급부를 제어한다. 예를 들어, 제어부(15)는, 임프린트재 공급 위치와 임프린트 위치 사이의 이동 경로에 있어서의 기판(21)의 위치에 따라, 제1 공급부에 의한 제1 기체의 공급 및 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급을 제어한다. 이하, 도 3을 참조하여, 제어부(15)의 제어 하에서, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 기체를 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체로 치환하는 방법을 설명한다. 도 3의 (a)는, 임프린트 처리에 있어서의, 형(41) 및 기체 공급부(60)에 대한 기판 스테이지(23)의 위치와, 기체 공급부(60)로부터의 기체의 공급 타이밍을 나타낸 것이다. 또한, 기체 공급부(60)에는 도 2의 (a)의 구성을 채용하고 있다. 도 3의 (b)는, 도 3의 (a)에 대응하는 흐름도이다.The control unit 15 controls the first supply unit and the second supply unit so that mixing of the first gas and the second gas is performed in the space between the imprint material 31 and the mold 41 on the substrate. For example, the control unit 15 controls the supply of the first gas by the first supply unit and the second supply by the second supply unit according to the position of the substrate 21 in the movement path between the imprint material supply position and the imprint position. 2 Control the gas supply. Hereinafter, with reference to FIG. 3 , a method of substituting a gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with a mixed gas of pentafluoropropane and helium under the control of the controller 15 is described. Explain. FIG. 3A shows the positions of the substrate stage 23 with respect to the mold 41 and the gas supply unit 60 and the timing of supplying the gas from the gas supply unit 60 in the imprint process. In addition, the structure of FIG. 2(a) is employ|adopted for the gas supply part 60. As shown in FIG. Fig. 3(b) is a flowchart corresponding to Fig. 3(a).

S11에서, 제어부(15)는, 임프린트재 공급부(33)를 제어하여, 임프린트를 행하는 샷 영역에 임프린트재(31)를 공급한다(F11).In S11 , the control unit 15 controls the imprint material supply unit 33 to supply the imprint material 31 to the shot region to be imprinted (F11).

S12에서, 제어부(15)는, 기체 공급부(60)를 제어하여, 제1 공급부(61)로부터 펜타플루오로프로판을 공급한다. 이 시점에서는, 제2 공급부(62)로부터의 헬륨의 공급은 행하지 않는다(F12).In S12 , the control unit 15 controls the gas supply unit 60 to supply pentafluoropropane from the first supply unit 61 . At this time, the supply of helium from the second supply unit 62 is not performed (F12).

S13에서, 제어부(15)는, 이동 기구(23a)를 제어하여, 임프린트재(31)가 배치된 샷 영역이 형(41) 아래에 오도록 기판 스테이지(23)의 이동을 개시한다. 이것과 동시에, S14에서, 제어부(15)는, 제2 공급부(62)로부터의 헬륨의 공급을 개시한다(F13). 기판 스테이지(23)에 관하여, 도 3의 예에서는, 일 방향으로의 구동으로 하고 있지만, 예를 들어 직사각형이나 지그재그 등 복수 방향의 구동으로 해도 된다. 복수 방향의 구동에 의해, 펜타플루오로프로판과 헬륨을 더 효과적으로 혼합시킬 수 있다. 또한, 제어부(15)는, 기판(21)을 이동 기구(23a)에 의해 임프린트재 공급 위치로부터 임프린트 위치로 이동시키고 있는 동안에, 펜타플루오로프로판과 헬륨을 시간적으로 교대로 공급함으로써 혼합을 촉진시켜도 된다.In S13 , the control unit 15 controls the moving mechanism 23a to start the movement of the substrate stage 23 so that the shot region on which the imprint material 31 is disposed is under the mold 41 . Simultaneously with this, in S14, the control unit 15 starts the supply of helium from the second supply unit 62 (F13). Regarding the substrate stage 23 , in the example of FIG. 3 , driving is performed in one direction, but for example, driving in a plurality of directions such as a rectangle or a zigzag may be used. By driving in multiple directions, pentafluoropropane and helium can be mixed more effectively. Further, the control unit 15 may promote mixing by alternately supplying pentafluoropropane and helium in time while moving the substrate 21 from the imprint material supply position to the imprint position by the moving mechanism 23a. do.

샷 영역이 형(41)의 바로 아래에 온 시점에, 제어부(15)는, S15에서, 기판 스테이지(23)의 이동을 정지시킴과 함께, S16에서, 펜타플루오로프로판 및 헬륨의 공급을 정지시킨다(F14). 그 후, S17에서, 제어부(15)는, 접촉·분리의 동작을 실행한다. 이상의 S11 내지 S17의 일련의 처리가, 샷 영역마다 반복하여 행하여진다.When the shot region comes directly under the mold 41 , the control unit 15 stops the movement of the substrate stage 23 at S15 and stops the supply of pentafluoropropane and helium at S16 . Make it (F14). Thereafter, in S17, the control unit 15 executes an operation of contacting/separating. The above series of processes S11 to S17 are repeatedly performed for each shot area.

S12에서 공급되는 펜타플루오로프로판은, S13에서의 기판 스테이지(23)의 이동에 수반하여, S14에서 공급되는 헬륨과 혼합된다. S15에서는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극은, 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체로 채워진다. 또한, 펜타플루오로프로판과 헬륨의 공급량을 각각 바꿈으로써, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극의 펜타플루오로프로판 농도를 임의로 변경하는 것이 가능하다.The pentafluoropropane supplied at S12 is mixed with the helium supplied at S14 with the movement of the substrate stage 23 at S13. In S15, the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is filled with a mixed gas of pentafluoropropane and helium. Also, by changing the supply amounts of pentafluoropropane and helium, respectively, it is possible to arbitrarily change the pentafluoropropane concentration in the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 .

이상과 같이 본 실시 형태에서는, 사전에 펜타플루오로프로판과 헬륨을 혼합하고 나서 공급하는 것이 아니라, 따로따로 공급한 후, 혼합시키는 방식이다. 이로 인해, 펜타플루오로프로판을 헬륨의 증기압과 동일하게 하기 위하여 가열할 필요가 없다.As described above, in the present embodiment, pentafluoropropane and helium are not mixed and then supplied, but separately supplied and then mixed. This eliminates the need to heat the pentafluoropropane to make it equal to the vapor pressure of helium.

또한, 본 실시 형태에서는, 제2 공급구(62a)가, 형(41)에 관하여 제1 공급구(61a)의 외측에 배치되어 있지만(도 2의 (a)), 제1 공급구(61a)와 제2 공급구(62a)의 위치 관계가 반대로 되어도 된다.In addition, in this embodiment, although the 2nd supply port 62a is arrange|positioned on the outer side of the 1st supply port 61a with respect to the die 41 (FIG.2(a)), the 1st supply port 61a ) and the positional relationship of the second supply port 62a may be reversed.

기체 공급부(60)가 도 2의 (b)에 도시한 구성인 경우의 처리는 이하와 같이 된다.The process in the case where the gas supply part 60 has the structure shown in FIG.2(b) becomes as follows.

제어부(15)는, S11에서, 임프린트재 공급부(33)를 제어하여, 임프린트재(31)를 공급하고, S12에서, 기체 공급부(60)의 제1 공급구(63)로부터 펜타플루오로프로판을 공급한다. 이 시점에서는, 기체 공급부(60)의 제2 공급구(64)로부터의 헬륨의 공급은 행하지 않는다.The control unit 15 controls the imprint material supply unit 33 to supply the imprint material 31 in S11, and pentafluoropropane from the first supply port 63 of the gas supply unit 60 in S12. supply At this time, helium is not supplied from the second supply port 64 of the gas supply unit 60 .

S13에서, 제어부(15)는, 임프린트재(31)가 배치된 샷 영역이 형(41) 아래에 오도록 기판 스테이지(23)의 이동을 개시한다. 이와 동시에, S14에서, 제어부(15)는, 기체 공급부(60)의 제2 공급구(64)로부터의 헬륨의 공급을 개시한다.In S13 , the control unit 15 starts the movement of the substrate stage 23 so that the shot region on which the imprint material 31 is disposed is under the mold 41 . At the same time, in S14 , the control unit 15 starts supply of helium from the second supply port 64 of the gas supply unit 60 .

샷 영역이 형(41)의 바로 아래에 온 시점에, 제어부(15)는, S15에서 기판 스테이지(23)의 이동을 정지시킴과 함께, S16에서 펜타플루오로프로판 및 헬륨의 공급을 정지시킨다. 그 후, S17에서, 제어부(15)는, 접촉·분리의 동작을 실행한다. 이상의 S11 내지 S17의 일련의 처리가, 샷 영역마다 반복하여 행하여진다.When the shot region comes directly under the mold 41 , the control unit 15 stops the movement of the substrate stage 23 at S15 and stops the supply of pentafluoropropane and helium at S16 . Thereafter, in S17, the control unit 15 executes an operation of contacting/separating. The above series of processes S11 to S17 are repeatedly performed for each shot area.

S12에서 공급된 펜타플루오로프로판은, S13에서의 기판 스테이지(23)의 이동에 수반하여, S14에서 공급된 헬륨과 혼합된다. S15에서는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극은, 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체로 채워진다. 상기한 바와 같이, 예를 들어 서로 인접하는 제1 공급구(63)와 제2 공급구(64)의 조에 있어서, 제1 공급구(63)와 제2 공급구(64)는 각각 펜타플루오로프로판의 분사 방향과 헬륨의 분사 방향이 교착되도록 배향된다. 그로 인해, 효율적으로 펜타플루오로프로판과 헬륨이 혼합된다. 또한, 제어부(15)는, 기판(21)의 샷 영역의 임프린트재 공급 위치와 임프린트 위치 사이의 이동 동안, 펜타플루오로프로판과 헬륨의 공급을 시간적으로 교대로 행함으로써, 혼합을 촉진시켜도 된다.The pentafluoropropane supplied at S12 is mixed with the helium supplied at S14 with the movement of the substrate stage 23 at S13. In S15, the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is filled with a mixed gas of pentafluoropropane and helium. As described above, for example, in the pair of the first supply ports 63 and the second supply ports 64 adjacent to each other, the first supply ports 63 and the second supply ports 64 are each formed of pentafluoro It is oriented so that the injection direction of propane and the injection direction of helium intersect. Therefore, pentafluoropropane and helium are efficiently mixed. Further, the control unit 15 may promote mixing by temporally alternately supplying pentafluoropropane and helium during movement between the imprint material supply position and the imprint position of the shot region of the substrate 21 .

이상의 도 3에 도시된 처리를 정리하면 다음과 같다. 제어부(15)는, 임프린트재 공급 위치와 임프린트 위치 사이의 경로를 따른 샷 영역이 개시되기 전에 제1 공급부에 의한 제1 기체의 공급을 개시한다. 그 후, 제어부(15)는, 상기 경로를 따른 샷 영역의 이동에 수반하여 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급을 개시한다. 그리고, 제어부(15)는, 기판(21)의 임프린트 위치로의 이동의 완료에 수반하여 제1 공급부에 의한 제1 기체의 공급 및 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급을 정지시킨다.The processing shown in FIG. 3 is summarized as follows. The control unit 15 starts the supply of the first gas by the first supply unit before the shot region along the path between the imprint material supply position and the imprint position is started. Thereafter, the control unit 15 starts the supply of the second gas by the second supply unit along with the movement of the shot region along the path. Then, the control unit 15 stops the supply of the first gas by the first supply unit and the supply of the second gas by the second supply unit with completion of the movement of the substrate 21 to the imprint position.

이상의 실시 형태에 따르면, 동일한 온도에서는 증기압이 상이한 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체를, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극에 효율적으로 공급할 수 있다.According to the above embodiment, the mixed gas of pentafluoropropane and helium having different vapor pressures at the same temperature can be efficiently supplied to the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 .

<제2 실시 형태><Second embodiment>

이하의 제2 실시 형태에서는, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 기체를 헬륨으로 치환한 후에, 펜타플루오로프로판을 공급한다. 이하, 도 4를 참조하여, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 기체를 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체로 치환하는 방법을 설명한다. 도 4의 (a)는 임프린트 처리에 있어서의, 형(41) 및 기체 공급부(60)에 대한 기판 스테이지(23)의 위치와, 기체 공급부(60)로부터의 기체의 공급 타이밍을 나타낸 것이다. 도 4의 (b)는, 도 4의 (a)에 대응하는 흐름도이다.In the following second embodiment, after replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with helium, pentafluoropropane is supplied. Hereinafter, a method of replacing the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 with a mixed gas of pentafluoropropane and helium will be described with reference to FIG. 4 . 4A shows the positions of the substrate stage 23 with respect to the mold 41 and the gas supply unit 60 and the timing of supplying the gas from the gas supply unit 60 in the imprint process. Fig. 4(b) is a flowchart corresponding to Fig. 4(a).

S21에서, 제어부(15)는, 임프린트재 공급부(33)를 제어하여, 임프린트를 행하는 샷 영역에 임프린트재(31)를 공급한다(F21).In S21 , the control unit 15 controls the imprint material supply unit 33 to supply the imprint material 31 to the shot region to be imprinted (F21).

S22에서, 제어부(15)는, 기체 공급부(60)를 제어하여, 제2 공급부(62)로부터 헬륨을 공급한다. 이 시점에서는, 제1 공급부(61)로부터의 펜타플루오로프로판의 공급은 행하지 않는다(F22).In S22 , the control unit 15 controls the gas supply unit 60 to supply helium from the second supply unit 62 . At this point, pentafluoropropane is not supplied from the first supply unit 61 (F22).

S23에서, 제어부(15)는, 이동 기구(23a)를 제어하여, 임프린트재(31)가 배치된 샷 영역이 형(41) 아래에 오도록 기판 스테이지(23)의 이동을 개시한다. 이때, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31) 사이의 기체는 일단 헬륨으로 치환된다.In S23 , the control unit 15 controls the moving mechanism 23a to start the movement of the substrate stage 23 so that the shot region on which the imprint material 31 is disposed is under the mold 41 . At this time, the gas between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is once replaced with helium.

그 후, S24에서, 제어부(15)는, 제2 공급부(62)로부터의 헬륨의 공급을 정지시키고, 제1 공급부(61)로부터의 펜타플루오로프로판의 공급을 개시한다(F23). 샷 영역이 형(41)의 바로 아래에 온 시점에, 제어부(15)는, S25에서, 기판 스테이지(23)의 이동을 정지시킴과 함께, S26에서, 펜타플루오로프로판의 공급을 정지시킨다(F24). 그 후, S27에서, 제어부(15)는, 접촉·분리의 동작을 실행한다. 이상의S21 내지 S27의 일련의 처리가, 샷 영역마다 반복하여 행하여진다.Thereafter, in S24 , the control unit 15 stops the supply of helium from the second supply unit 62 and starts the supply of pentafluoropropane from the first supply unit 61 (F23). When the shot region comes directly under the mold 41, the control unit 15 stops the movement of the substrate stage 23 at S25 and stops the supply of pentafluoropropane at S26 ( F24). Thereafter, in S27, the control unit 15 executes the operation of contacting/separating. The above series of processes S21 to S27 are repeatedly performed for each shot area.

S22에서 공급되는 헬륨의 공급량은, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극을 고농도의 헬륨으로 채워지는 양으로 한다. S24의 펜타플루오로프로판의 공급량을 변화시킴으로써 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극의 펜타플루오로프로판 농도를 임의로 변경하는 것이 가능하다.The amount of helium supplied in S22 is such that the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 is filled with a high concentration of helium. It is possible to arbitrarily change the pentafluoropropane concentration in the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 by changing the supply amount of pentafluoropropane in S24.

이상과 같이 본 실시 형태에서는, 사전에 펜타플루오로프로판과 헬륨을 혼합하고 나서 공급하는 것이 아니라, 따로따로 공급한 후, 혼합시키는 방식이다. 이로 인해, 펜타플루오로프로판을 헬륨의 증기압과 동일하게 하기 위하여 가열할 필요가 없다.As described above, in the present embodiment, pentafluoropropane and helium are not mixed and then supplied, but separately supplied and then mixed. This eliminates the need to heat the pentafluoropropane to make it equal to the vapor pressure of helium.

이상의 도 4에 도시된 처리를 정리하면 다음과 같다. 제어부(15)는, 임프린트재 공급부(33)에 의해 샷 영역에 임프린트재(31)가 공급된 기판(21)을 이동 기구(23a)에 의해 임프린트 위치로 이동시키기 전에 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급을 개시한다. 그 후에, 제어부(15)는, 기판(21)의 임프린트 위치로의 이동의 개시에 수반하여 제1 공급부에 의한 제1 기체의 공급을 개시한다. 이때 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급은 정지시켜도 된다. 그리고, 제어부(15)는, 기판(21)의 임프린트 위치로의 이동의 완료에 수반하여 제1 공급부에 의한 제1 기체의 공급 및 제2 공급부에 의한 제2 기체의 공급을 정지시킨다.The processing shown in FIG. 4 is summarized as follows. The control unit 15 controls the second supply unit by the second supply unit before moving the substrate 21 supplied with the imprint material 31 to the shot region by the imprint material supply unit 33 to the imprint position by the moving mechanism 23a. Start supplying gas. Thereafter, the control unit 15 starts the supply of the first gas by the first supply unit with the start of the movement of the substrate 21 to the imprint position. At this time, you may stop supply of the 2nd gas by a 2nd supply part. Then, the control unit 15 stops the supply of the first gas by the first supply unit and the supply of the second gas by the second supply unit with completion of the movement of the substrate 21 to the imprint position.

이상의 실시 형태에 의해, 동일한 온도에서 증기압이 상이한 펜타플루오로프로판과 헬륨의 혼합 기체를, 형(41)과 기판(21) 위의 임프린트재(31)의 간극에 효율적으로 공급할 수 있다.According to the above embodiment, a mixed gas of pentafluoropropane and helium having different vapor pressures at the same temperature can be efficiently supplied to the gap between the mold 41 and the imprint material 31 on the substrate 21 .

<제3 실시 형태><Third embodiment>

응축성 기체는 비점이 낮기(증기압이 낮기) 때문에, 기체로 공급하는 경우에는 가압하면 액화되어 버리는 문제가 있다. 예를 들어 하이드로플루오로카본(1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판)의 경우, 공급압은 실온에서 50㎪가 된다.Since condensable gas has a low boiling point (low vapor pressure), when supplied as a gas, there is a problem in that it becomes liquefied when pressurized. For example, in the case of hydrofluorocarbon (1,1,1,3,3-pentafluoropropane), the supply pressure becomes 50 kPa at room temperature.

배관의 배치 경로가 긴 경우나 유량이 많아 압력 손실이 큰 경우, 가압하면 액화되어 버리기 때문에, 배관의 막힘이 발생하고, 이것이 기체의 상태로 공급하는 데 장해가 될 수 있다. 이로 인해, 예를 들어 배관에 히터를 감아 가열하여, 배관 내부의 응축성의 가스의 온도를 높여 증기압을 높이는 등의 조치가 필요하게 된다.In the case where the arrangement path of the pipe is long or when the pressure loss is large due to the large flow rate, since it liquefies when pressurized, clogging of the pipe occurs, which may be an obstacle to supplying the gas in a gaseous state. For this reason, for example, it heats by winding a heater around a pipe, and measures, such as raising the temperature of condensable gas inside a pipe, and raising a vapor pressure, are needed.

배관 내의 응축성 기체는 항상 가압 상태에서 유지되고 있기 때문에, 배관의 가열도 항상 행할 필요가 있어, 소비 전력이 증대되는 문제가 있다. 또한, 장치의 전원을 오프한 경우, 장치에 대한 급전이 중단된 경우, 혹은, 배관에 감은 히터가 고장난 경우, 배관의 온도가 낮아지고, 동시에 응축성 기체의 온도도 낮아져, 가압된 상태의 응축성 기체가 액화되어 배관이 막혀 버린다는 문제가 있다.Since the condensable gas in the pipe is always maintained in a pressurized state, it is also necessary to always heat the pipe, and there is a problem that power consumption increases. In addition, when the power of the device is turned off, when the power supply to the device is stopped, or when the heater wound around the pipe breaks down, the temperature of the pipe is lowered and the temperature of the condensable gas is also lowered at the same time, so that condensation in the pressurized state There is a problem that the sex gas is liquefied and the pipe is clogged.

이하에서는, 이러한 과제를 감안하여, 배관의 가열을 상시 행하지 않아도, 배관 내의 응축성 기체의 액화를 방지하여, 응축성 기체의 공급을 가능하게 하는 기술에 대하여 설명한다.Hereinafter, in view of such a subject, a technique which prevents liquefaction of the condensable gas in a pipe|tube and enables supply of a condensable gas, even if it does not perform heating of a pipe|tube constantly, is demonstrated.

도 5는 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(100)는, 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서 사용되는 리소그래피 장치이며, 기판 위에 형의 패턴을 전사한다. 임프린트 장치(100)는, 본 실시 형태에서는, 임프린트재의 경화법으로서, 자외선의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광 경화법을 채용한다.5 is a diagram showing the configuration of the imprint apparatus 100 of the present embodiment. The imprint apparatus 100 is a lithographic apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, and transfers a pattern of a mold onto a substrate. In the present embodiment, the imprint apparatus 100 employs a photo-curing method of curing the imprint material by irradiation with ultraviolet rays as a curing method of the imprint material.

임프린트 장치(100)는, 형(103)을 보유 지지하는 형 헤드(104)와, 기판(106)을 보유 지지하는 스테이지(107)와, 임프린트재 공급부(33)를 갖는다. 임프린트 장치(100)는, 압력에 의해 응축되는 기체(응축성 기체)를 공급하는 기체 공급부(120)와, 형(103)과 기판(106) 사이의 공간을 배기하는 배기 경로(130)와, 제어부(140)를 더 갖는다.The imprint apparatus 100 includes a die head 104 holding a die 103 , a stage 107 holding a substrate 106 , and an imprint material supply unit 33 . The imprint apparatus 100 includes a gas supply unit 120 for supplying a gas (condensable gas) condensed by pressure, an exhaust path 130 for exhausting a space between the mold 103 and the substrate 106 ; It further has a control unit 140 .

형(103)은, 기판(106)에 대향하는 면에, 기판(106)(에 공급된 수지)에 전사해야 할 패턴이 형성된 패턴부(103a)를 갖는다. 형(103)은, 예를 들어 직사각형 형상의 외형을 갖고, 석영 등의 자외선을 투과하는 재료로 구성된다.The mold 103 has, on a surface opposite to the substrate 106 , a pattern portion 103a in which a pattern to be transferred to the substrate 106 (resin supplied to) is formed. The mold 103 has a rectangular shape, for example, and is made of a material that transmits ultraviolet rays such as quartz.

형 헤드(104)는, 형(103)을 진공 흡인력 또는 정전기력에 의해 보유 지지(고정)한다. 형 헤드(104)는, 형(103)을 z축 방향으로 구동하는 구동 기구를 포함하고, 기판(106) 위의 임프린트재(미경화 수지)에 형(103)을 적절한 힘으로 접촉시켜, 기판(106) 위의 임프린트재(경화 수지)로부터 형(103)을 박리하는 기능을 갖는다.The mold head 104 holds (fixes) the mold 103 by a vacuum suction force or an electrostatic force. The mold head 104 includes a drive mechanism for driving the mold 103 in the z-axis direction, and brings the mold 103 into contact with an imprint material (uncured resin) on the substrate 106 with an appropriate force, thereby forming a substrate. (106) It has a function of peeling the mold 103 from the imprint material (cured resin) above.

기판(106)은, 형(103)의 패턴이 전사되는 기판이며, 예를 들어 단결정 실리콘 기판이나 SOI(Silicon on Insulator) 기판 등을 포함한다.The substrate 106 is a substrate to which the pattern of the mold 103 is transferred, and includes, for example, a single crystal silicon substrate, a silicon on insulator (SOI) substrate, or the like.

스테이지(107)는, 기판(106)을 보유 지지하는 기판 척과, 형(103)과 기판(106)의 위치 정렬(얼라인먼트)을 행하기 위한 구동 기구를 포함한다. 이러한 구동 기구는, 예를 들어 조동 구동계와 미동 구동계로 구성되고, x축 방향 및 y축 방향으로 기판(106)을 구동한다. 또한, 이러한 구동 기구는, x축 방향 및 y축 방향뿐만 아니라, z축 방향 및 θ(z축 주위의 회전) 방향으로 기판(106)을 구동하는 기능이나 기판(106)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능을 구비하고 있어도 된다.The stage 107 includes a substrate chuck for holding the substrate 106 , and a drive mechanism for performing position alignment (alignment) between the mold 103 and the substrate 106 . Such a drive mechanism is comprised from, for example, a coarse motion drive system and a fine motion drive system, and drives the board|substrate 106 in an x-axis direction and a y-axis direction. In addition, such a driving mechanism is a function of driving the substrate 106 in the x-axis direction and the y-axis direction, as well as the z-axis direction and the θ (rotation around the z-axis) direction, or for correcting the inclination of the substrate 106 . A tilt function may be provided.

임프린트재 공급부(33)는, 액체 상태의 광 경화형의 임프린트재를 기판(106) 위에 공급(도포)함으로써, 기판(106) 위에 수지층 RL을 형성한다. 기체 공급부(120)는, 형(103)과 기판(106)(수지층 RL) 사이의 공간에, 형(103)을 기판(106) 위의 임프린트재에 접촉시켰을 때의 압력에 의해 응축되는 기체(응축성 기체)를 공급한다. 바꾸어 말하면, 기체 공급부(120)는, 형(103)과 기판(106) 사이의 공간에 있어서의 기체를 응축성 기체로 치환한다. 기체 공급부(120)는, 제어부(140)의 제어 하에 있어서, 형(103)을 기판(106) 위의 임프린트재에 접촉시켰을 때의 압력에 의해 충분히 응축되도록(즉, 미충전 결함의 발생을 충분히 방지하도록), 응축성 기체를 공급한다. 기체 공급부(120)는, 본 실시 형태에서는, 형(103)과 기판(106) 사이의 공간 근방에 배치된 공급구(125)를 통하여, 응축성 기체를 공급한다. 단, 응축성 기체의 공급 방법은, 당업계에서 주지의 어떠한 방법도 적용하는 것이 가능한데, 예를 들어 응축성 기체를 공급하기 위한 공급구를 형(103)에 형성해도 된다. 또한, 기체 공급부(120)는, 형(103)과 기판(106) 사이의 공간뿐만 아니라, 장치 전체 분위기(즉, 임프린트 장치(100)의 각 부를 수납하는 챔버 내)의 기체를 응축성 기체로 치환해도 된다. 또한, 기체 공급부(120)로부터 공급되는 기체는 투과성이 높은 기체(예를 들어 헬륨)와 응축성 기체를 혼합한 기체를 공급해도 된다. 이 투과성 가스는 형(103), 기판(106) 또는 임프린트재의 적어도 하나에 대하여 용해 또는 확산되는 성질을 갖는다. 기체 공급부(120)의 구체적인 구성이나 기능에 대해서는, 나중에 상세하게 설명한다.The imprint material supply unit 33 forms a resin layer RL on the substrate 106 by supplying (applying) a liquid photocurable imprint material onto the substrate 106 . In the space between the mold 103 and the substrate 106 (resin layer RL), the gas supply unit 120 is a gas condensed by the pressure when the mold 103 is brought into contact with the imprint material on the substrate 106 . (condensable gas) is supplied. In other words, the gas supply unit 120 replaces the gas in the space between the mold 103 and the substrate 106 with the condensable gas. The gas supply unit 120, under the control of the control unit 140, is sufficiently condensed by the pressure when the mold 103 is brought into contact with the imprint material on the substrate 106 (that is, the occurrence of unfilled defects is sufficiently suppressed). to prevent), supply a condensable gas. The gas supply part 120 supplies a condensable gas through the supply port 125 arrange|positioned in the space vicinity between the mold|die 103 and the board|substrate 106 in this embodiment. However, as the supply method of the condensable gas, any method well known in the art can be applied. For example, a supply port for supplying the condensable gas may be formed in the mold 103 . In addition, the gas supply unit 120 converts not only the space between the mold 103 and the substrate 106 , but also the gas in the entire atmosphere of the apparatus (that is, in the chamber accommodating each part of the imprint apparatus 100 ) as a condensable gas. may be substituted. In addition, the gas supplied from the gas supply part 120 may supply the gas which mixed the gas with high permeability (for example, helium) and the condensable gas. This permeable gas has a property of being dissolved or diffused with respect to at least one of the mold 103 , the substrate 106 , or the imprint material. The specific configuration and function of the gas supply unit 120 will be described in detail later.

배기 경로(130)는, 형(103)과 기판(106) 사이의 공간에 기체 공급부(120)로부터 공급된 응축성 기체를 배기한다. 예를 들어, 응축성 기체 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판은 지구 온난화 계수가 950(CO2=1)으로 높고, 공급된 응축성 기체가 대기 중에 누설되지 않도록 할 필요가 있다. 배기 경로는 임프린트 장치(100)와는 별도로 설치된 도시하지 않은 정제 장치에 접속되고, 정제 장치에서 응축성 기체를 취출하여, 재이용한다.The exhaust path 130 exhausts the condensable gas supplied from the gas supply unit 120 to the space between the mold 103 and the substrate 106 . For example, the condensable gas 1,1,1,3,3-pentafluoropropane has a high global warming coefficient of 950 (CO 2 =1), and it is necessary to prevent the supplied condensable gas from leaking into the atmosphere. have. The exhaust path is connected to a purification apparatus (not shown) installed separately from the imprint apparatus 100, and the condensable gas is taken out from the purification apparatus and reused.

제어부(140)는, CPU와 메모리 등을 포함하고, 임프린트 장치(100)의 전체(동작)를 제어한다. 제어부(140)는, 본 실시 형태에서는, 임프린트 장치(100)의 각 부를 제어하여, 임프린트 처리를 행하는 처리부로서 기능한다. 임프린트 처리란, 기판(106)에 공급된 임프린트재에 형(103)을 접촉시킨 상태로 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재로부터 형(103)을 박리함으로써 기판(106) 위에 형(103)의 패턴을 전사하는 처리를 의미한다.The controller 140 includes a CPU and a memory, and controls the entire (operation) of the imprint apparatus 100 . The control unit 140 functions as a processing unit that controls each unit of the imprint apparatus 100 to perform an imprint process in the present embodiment. In the imprint process, the imprint material is cured in a state in which the die 103 is brought into contact with the imprint material supplied to the substrate 106 , and the die 103 is peeled from the cured imprint material, whereby the die 103 is placed on the substrate 106 . It means the process of transferring the pattern of

여기서, 임프린트재 공급부(33)의 구체적인 구성이나 기능에 대하여 설명한다. 임프린트재 공급부(33)는, 임프린트재를 수납하는 임프린트재 용기(111)와, 임프린트재를 공급하기 위한 디스펜서(113)를 포함한다. 임프린트재 공급부(33)로부터 임프린트재를 공급하면서 스테이지(107)를 이동(스캔 이동이나 스텝 이동)시킴으로써, 기판(106)(의 샷 영역) 위에 임프린트재를 공급하는 것이 가능해진다.Here, the specific configuration and function of the imprint material supply unit 33 will be described. The imprint material supply unit 33 includes an imprint material container 111 for accommodating the imprint material, and a dispenser 113 for supplying the imprint material. By moving the stage 107 (scan movement or step movement) while supplying the imprint material from the imprint material supply unit 33 , it becomes possible to supply the imprint material onto the substrate 106 (the shot region of the substrate 106 ).

임프린트재 용기(111)는, 배관(112)을 통하여, 임프린트재를 디스펜서(113)에 공급한다. 디스펜서(113)는, 예를 들어 노즐을 라인 형상으로 배열한 라인 노즐을 포함하고, 피에조 제트 방식이나 마이크로 솔레노이드 방식 등에 의해 기판(106)에 1피코리터 정도의 액적을 균일하게 적하한다.The imprint material container 111 supplies the imprint material to the dispenser 113 through the pipe 112 . The dispenser 113 includes, for example, line nozzles in which nozzles are arranged in a line shape, and uniformly drops droplets of about 1 picoliter onto the substrate 106 by a piezo jet method, a micro solenoid method, or the like.

본 실시 형태에서는, 응축성 기체는, 임프린트 장치(100)의 내부의 환경 하(온도 및 압력)에 있어서, 통상 시에 기체로서 존재하고, 임프린트 처리 시에(즉, 형(103)을 임프린트재에 접촉시켰을 때의 압력에 의해) 응축되는 특성을 갖는다.In the present embodiment, the condensable gas is normally present as a gas in the internal environment (temperature and pressure) of the imprint apparatus 100 , and during the imprint process (that is, the mold 103 is applied to the imprint material). It has a property of condensing (by the pressure when it is brought into contact with).

또한, 실온(23℃)에 있어서의 응축성 기체의 증기압이 0.05㎫보다도 낮은 경우에는, 예를 들어 배관에 발생하는 작은 압력차에 의해 응축성 기체가 응축되어, 응축성 기체의 공급량을 제어하는 것이 곤란해진다. 한편, 실온(23℃)에 있어서의 응축성 기체의 증기압이 1㎫보다도 높은 경우에는, 실온에서 임프린트 처리를 행할 때에, 응축성 기체를 응축시키기 위하여 필요한 압력이 커지기 때문에, 내압력성을 갖는 장치가 필요해져, 장치가 대규모로 되어 버린다. 따라서, 응축성 기체의 증기압은, 임프린트 처리를 행하는 온도에 있어서, 0.05㎫보다도 높고, 또한 1㎫보다도 낮은 것이 좋다. 또한, 응축성 기체의 증기압은, 대기압(0.1㎫) 부근이면 더 좋기 때문에, 0.1㎫보다도 높고, 또한 1㎫보다도 낮으면 좋다.In addition, when the vapor pressure of the condensable gas at room temperature (23 ° C.) is lower than 0.05 MPa, for example, the condensable gas is condensed by a small pressure difference generated in the pipe to control the supply amount of the condensable gas. things get difficult On the other hand, when the vapor pressure of the condensable gas at room temperature (23° C.) is higher than 1 MPa, when the imprint process is performed at room temperature, the pressure required for condensing the condensable gas becomes large, so an apparatus having pressure resistance is required, and the device becomes large-scale. Therefore, the vapor pressure of the condensable gas is preferably higher than 0.05 MPa and lower than 1 MPa at the temperature at which the imprint process is performed. In addition, since the vapor pressure of condensable gas is more preferable in it being near atmospheric pressure (0.1 MPa), it is good to be higher than 0.1 MPa and to be lower than 1 MPa.

또한, 응축성 기체는, 대기압(0.1㎫)에 있어서, 실온(23℃) 부근에서 응축되는 것이 좋다. 따라서, 응축성 기체의 비점은, 15℃ 이상 30℃ 이하이면 좋다. 응축성 기체의 비점이 15℃보다도 낮은 경우에는, 임프린트 장치(100)의 내부 온도를 제어하는 온도 제어 기구가 대규모로 되어 버린다. 한편, 응축성 기체의 비점이 30℃보다도 높은 경우, 응축성 기체를 응축시키기 위하여, 임프린트 장치(100)의 내부의 압력을 대기압으로부터 감압하거나, 혹은 임프린트 장치(100)의 내부 온도를 높이는 것이 필요해져, 장치가 대규모로 되어 버린다.In addition, it is good that condensable gas is condensed at room temperature (23 degreeC) vicinity in atmospheric pressure (0.1 MPa). Therefore, the boiling point of the condensable gas should just be 15 degreeC or more and 30 degrees C or less. When the boiling point of the condensable gas is lower than 15°C, the temperature control mechanism for controlling the internal temperature of the imprint apparatus 100 becomes large. On the other hand, when the boiling point of the condensable gas is higher than 30° C., in order to condense the condensable gas, it is necessary to reduce the pressure inside the imprint apparatus 100 from atmospheric pressure or to increase the internal temperature of the imprint apparatus 100 . , and the device becomes large-scale.

이러한 응축성 기체로서는, 예를 들어 다음과 같은 것이 있다.Examples of such condensable gas include the following.

·실온(23℃)에서의 증기압이 0.1056㎫인 트리클로로플루오로메탄(비점(24℃)Trichlorofluoromethane having a vapor pressure of 0.1056 MPa at room temperature (23 ° C) (boiling point (24 ° C))

·실온(23℃)에서의 증기압이 0.14㎫인 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판(비점(15℃)1,1,1,3,3-pentafluoropropane with a vapor pressure of 0.14 MPa at room temperature (23 ° C) (boiling point (15 ° C))

또한, 본 실시 형태에 있어서의 광 경화형의 임프린트재는, 응축성 기체가 용해되는 임프린트재일 필요가 있다. 예를 들어, 아크릴 수지를 베이스로 하는 일반적인 임프린트용의 임프린트재에는, 응축성 기체의 일례인 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판이 용해된다.In addition, the photocurable imprint material in this embodiment needs to be an imprint material in which a condensable gas melt|dissolves. For example, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane, which is an example of a condensable gas, is dissolved in a general imprint material for imprint based on an acrylic resin.

예를 들어, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판은 실온(23℃)에서의 증기압이 0.14㎫로 되어 있지만, 기체 공급부(120) 내에 있어서, 규정의 유량을 흘리기 위해서는, 가압할 필요가 있다. 그러나, 배관이나 밸브 등의 기기의 압력 손실에 의해, 증기압을 초과하면 액화되어 배관 내가 막혀 버리기 때문에, 흘릴 수 없다는 문제가 발생한다. 응축성 기체를 액화시키지 않고 규정의 유량을 흐르게 하는 방법에 대하여, 기체 공급부(120)의 구체적인 구성이나 기능과 아울러 설명한다.For example, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane has a vapor pressure of 0.14 MPa at room temperature (23°C). Needs to be. However, since it liquefies and clogs the inside of a pipe when vapor pressure is exceeded by a pressure loss of apparatuses, such as piping and a valve, the problem that it cannot flow arises. A method of flowing a prescribed flow rate without liquefying the condensable gas will be described together with the specific configuration and function of the gas supply unit 120 .

응축성 기체 용기(121)에는 응축성 기체가 가압되어 액체의 상태로 보관되어 있다. 본 실시 형태에서는 임프린트 장치(100) 내에 응축성 기체 용기(121)를 구성하고 있지만, 공장 설비로부터 기체 상태로 응축성 기체를 공급해도 된다. 또한, 임프린트 장치(100) 밖에 응축성 기체 용기(121)를 설치하여, 공급해도 된다.In the condensable gas container 121, the condensable gas is pressurized and stored in a liquid state. Although the condensable gas container 121 is configured in the imprint apparatus 100 in the present embodiment, the condensable gas may be supplied from factory equipment in a gaseous state. In addition, the condensable gas container 121 may be provided outside the imprint apparatus 100 and may be supplied.

응축성 기체 용기(121)로부터 기화된 응축성 기체는 밸브 VL1, 배관(122)을 통하여 매스 플로우 콘트롤러(질량 유량계)(123)에 공급된다. 매스 플로우 콘트롤러(123)는 제어부(140)에서 제어되어, 규정 유량이 흐르도록 유량을 제어한다. 응축성 기체는 매스 플로우 콘트롤러(123)로부터 배관(122)을 통하여, 공급구(125)로부터 형(103)과 기판(106)의 공간에 공급된다.The condensable gas vaporized from the condensable gas container 121 is supplied to the mass flow controller (mass flow meter) 123 through the valve VL1 and the pipe 122 . The mass flow controller 123 is controlled by the controller 140 to control the flow rate so that a prescribed flow rate flows. The condensable gas is supplied from the mass flow controller 123 to the space between the mold 103 and the substrate 106 from the supply port 125 through the pipe 122 .

배관(122)은 온도 조정부(124)에 의해 덮여 있어서, 배관(122)을 소정의 온도로 유지할 수 있다. 배관(122)을 소정의 온도로 유지함으로써, 응축성 기체의 온도도 소정의 온도로 유지할 수 있다. 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판을 실온(23℃)보다 높임으로써, 증기압을 0.14㎫보다 높일 수 있고, 기체 상태로 소정의 유량을 흐르게 하는 것이 가능해진다.The pipe 122 is covered by the temperature adjusting unit 124 , so that the pipe 122 can be maintained at a predetermined temperature. By maintaining the pipe 122 at a predetermined temperature, the temperature of the condensable gas can also be maintained at a predetermined temperature. By raising the 1,1,1,3,3-pentafluoropropane to room temperature (23°C), the vapor pressure can be higher than 0.14 MPa, and it becomes possible to flow a predetermined flow rate in a gaseous state.

온도 조정부(124)는 배관(122)의 전체를 덮어도 되고, 일부를 덮어도 된다. 또한, 매스 플로우 콘트롤러(123)나 밸브 VL1, 공급구(125)의 각 기기를 덮어도 된다. 온도 조정부(124)는 응축성 기체가 액화되는 개소를 선택하여 덮는 것이 가능하다.The temperature adjusting part 124 may cover the whole piping 122, and may cover a part. Moreover, you may cover each apparatus of the mass flow controller 123, valve VL1, and the supply port 125. As shown in FIG. The temperature control unit 124 can select and cover a location where the condensable gas is liquefied.

임프린트 처리를 행하고 있지 않은 상태에 있어서, 응축성 기체는 가압된 채 그대로, 배관(122) 내에 머무르게 된다. 이미 설명한 바와 같이, 임프린트 처리를 행하고 있지 않은 상태에 있어서도 항상 온도 조정부(124)는 배관(122)을 계속하여 가열할 필요가 있어, 소비 전력이 증대된다는 문제가 있다. 또한, 장치의 전원을 오프한 경우, 장치에 대한 급전이 중단된 경우, 혹은 온도 조정부(124)가 고장난 경우에 있어서는, 배관(122)의 온도가 낮아지고, 동시에 응축성 기체의 온도도 낮아져, 가압된 상태의 응축성 기체는 액화되어 버린다는 문제가 있다.In the state in which the imprint process is not performed, the condensable gas remains in the pipe 122 as it is pressurized. As described above, even in a state where the imprint process is not performed, the temperature adjusting unit 124 always needs to continuously heat the pipe 122 , so there is a problem that power consumption increases. In addition, when the power of the device is turned off, when the power supply to the device is stopped, or when the temperature adjusting unit 124 fails, the temperature of the pipe 122 is lowered, and the temperature of the condensable gas is also lowered, There is a problem that the condensable gas in a pressurized state becomes liquefied.

임프린트 처리를 행하고 있을 때는, 밸브 VL1은 개방되고, 밸브 VL2와 밸브 VL3은 폐쇄되어 있어, 응축성 기체 용기(121)로부터 응축성 기체가 배관(122)을 통하여 매스 플로우 콘트롤러(123)에 공급된다. 임프린트 처리를 행하고 있지 않을 때는, 매스 플로우 콘트롤러(123) 내의 밸브가 폐쇄되어, 배관(122) 내는 가압 상태로 된다. 이때, 밸브 VL1을 폐쇄하고, 밸브 VL3을 개방함으로써, 배관(122) 내의 응축성 기체는 압력 조정기(127), 배관(128)을 통하여 배기 경로(130)로 배출된다.When the imprint process is being performed, the valve VL1 is opened, the valve VL2 and the valve VL3 are closed, and the condensable gas is supplied from the condensable gas container 121 to the mass flow controller 123 through the pipe 122 . . When the imprint process is not being performed, the valve in the mass flow controller 123 is closed, and the inside of the pipe 122 is in a pressurized state. At this time, by closing the valve VL1 and opening the valve VL3 , the condensable gas in the pipe 122 is discharged to the exhaust path 130 through the pressure regulator 127 and the pipe 128 .

예를 들어, 장치 내의 온도가 실온(23℃)과 동일한 경우, 압력 조정기(127)의 설정 압력을, 대기압 0.10㎫ 내지 0.14㎫ 사이로 설정하면, 배관(122) 내의 압력은 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판의 증기압(0.14㎫)보다 낮아진다. 그로 인해, 온도 조정부(124)에 의해 배관(122)의 가열을 행하지 않아도, 배관(122) 내의 응축성 기체는 액화되지 않는다. 온도 조정부(124)의 가열을 행하지 않기 때문에, 장치(100)의 소비 전력을 억제할 수 있다.For example, when the temperature in the device is the same as room temperature (23° C.), if the set pressure of the pressure regulator 127 is set between atmospheric pressure 0.10 MPa and 0.14 MPa, the pressure in the pipe 122 is 1,1,1, It is lower than the vapor pressure of 3,3-pentafluoropropane (0.14 MPa). Therefore, even if it does not heat the piping 122 by the temperature adjustment part 124, the condensable gas in the piping 122 does not liquefy. Since the temperature adjusting unit 124 is not heated, power consumption of the apparatus 100 can be suppressed.

압력 조정기(127)의 설정 압력은 대기압 0.10㎫ 내지 0.14㎫ 사이로 설정한다고 설명했지만, 배관(122) 내에 대기가 들어가, 대기에 의한 오염을 방지하는 관점에서는 압력 조정기(127)의 설정 압력은 대기압 0.10㎫보다 약간 높이는 것이 바람직하다.Although it has been described that the set pressure of the pressure regulator 127 is set to between 0.10 MPa and 0.14 MPa of atmospheric pressure, from the viewpoint of preventing contamination by atmospheric air entering the pipe 122, the set pressure of the pressure regulator 127 is 0.10 atmospheric pressure. It is preferable to raise it slightly above MPa.

장치 전원을 오프한 경우나, 장치에 대한 급전이 중단된 경우, 밸브 VL3을 비통전 시에 개방하는 기구로 되어 있는 경우, 배관(122) 내의 압력은 압력 조정기(127)의 설정 압력이 되어, 배관(122) 내의 응축성 기체의 액화를 방지할 수 있다. 압력 조정기(127)는 설정 압력을 일정하게 해도 되고, 임의로 바꿀 수 있는 기구를 가져도 된다. 또한, 제어부(140)가 장치(100) 내의 온도나 배관(122) 내의 압력으로부터 설정 압력을 바꾸어도 된다. 압력 조정기(127)는, 당업계에서 주지된 어떠한 방법이든 적용하는 것이 가능하며, 대표적인 것으로서, 스프링의 힘으로 밸브가 개폐되는 압력을 조정하는 릴리프 밸브가 있다.When the device power supply is turned off, when power supply to the device is stopped, or when the valve VL3 is opened when de-energized, the pressure in the pipe 122 becomes the set pressure of the pressure regulator 127, It is possible to prevent liquefaction of the condensable gas in the pipe 122 . The pressure regulator 127 may make a set pressure constant, and may have a mechanism which can be changed arbitrarily. In addition, the control unit 140 may change the set pressure from the temperature in the apparatus 100 or the pressure in the pipe 122 . The pressure regulator 127, any method well known in the art can be applied, and as a representative example, there is a relief valve that adjusts the pressure at which the valve is opened and closed by the force of a spring.

다른 방법으로서, 배관(122)을 질소 등의 불활성 가스로 퍼지하는 방법에 대하여 설명한다. 임프린트 처리를 행하지 않을 때나, 장치의 전원을 끄는 경우, 밸브 VL1과 밸브 VL3을 폐쇄하고, 밸브 VL2를 개방한다. 이에 의해, 퍼지 기체 공급부(126)로부터 질소 등의 불활성 가스를 공급하여, 배관(122) 내를 응축성 기체로부터 불활성 가스로 치환할 수 있다. 퍼지 기체 공급부(126)로부터 공급된 퍼지 가스는, 배관(122)을 통하여 매스 플로우 콘트롤러(123)에 공급된다. 매스 플로우 콘트롤러(123)는 제어부(140)에서 제어되어, 규정 유량이 흐르도록 유량을 제어한다. 퍼지 가스는 매스 플로우 콘트롤러(123)로부터 배관(122)을 통하여, 공급구(125)로부터 배출된다. 여기서, 퍼지 가스는 매스 플로우 콘트롤러(123)의 유량을 제로로 하고, 밸브 VL3을 개방하여, 압력 조정기(127)를 통하여, 배기 경로(130)에 배출되도록 해도 된다.As another method, a method of purging the pipe 122 with an inert gas such as nitrogen will be described. When the imprint process is not performed or when the power to the apparatus is turned off, the valves VL1 and VL3 are closed, and the valve VL2 is opened. Thereby, an inert gas, such as nitrogen, can be supplied from the purge gas supply part 126, and the inside of the piping 122 can be replaced with an inert gas from the condensable gas. The purge gas supplied from the purge gas supply unit 126 is supplied to the mass flow controller 123 through the pipe 122 . The mass flow controller 123 is controlled by the controller 140 to control the flow rate so that a prescribed flow rate flows. The purge gas is discharged from the mass flow controller 123 through the pipe 122 and the supply port 125 . Here, the purge gas may be discharged to the exhaust path 130 through the pressure regulator 127 by making the flow rate of the mass flow controller 123 zero, opening the valve VL3.

퍼지 가스는 질소 등의 불활성 가스여도 되고, CDA(클린 드라이 에어)로 해도 된다.The purge gas may be an inert gas such as nitrogen, or may be CDA (clean dry air).

이미 설명한 배관(122) 내를 감압하는 방법과 퍼지하는 방법은, 유로 전환부(밸브 VL1, 밸브 VL2, 밸브 VL3)에서 전환하는 것보다, 장치의 가동 상태에 따라 임의로 선택할 수 있다. 또한, 장치(100) 내의 온도나 배관(122) 내의 압력, 장치의 가동 상태로부터 제어부(140) 하에서, 자동으로 전환하도록 해도 된다.The method of depressurizing the inside of the pipe 122 and the method of purging which have already been described can be arbitrarily selected according to the operating state of the apparatus rather than switching by the flow path switching unit (valve VL1, valve VL2, valve VL3). Moreover, you may make it switch automatically under the control part 140 from the temperature in the apparatus 100, the pressure in the piping 122, and the operating state of the apparatus.

배관(122) 내를 감압하는 방법과 퍼지하는 방법에 있어서는, 배관(122)이 대기에 접촉하는 일이 없기 때문에, 클린도가 유지될 수 있다. 또한, 매스 플로우 콘트롤러(123)는 유량을 제어함과 함께 비통전 시에 내부의 밸브를 닫는 기능을 갖고 있다. 매스 플로우 콘트롤러(123)는 전원의 공급이 없는 경우에도 내부의 밸브를 폐쇄하고 있기 때문에, 공급구(125)로부터의 대기의 유입을 방지하여, 배관(122)의 밀폐성을 유지하기 때문에, 배관(122)의 클린도를 유지할 수 있다.In the method of depressurizing the inside of the pipe 122 and the method of purging, since the pipe 122 does not come into contact with the atmosphere, cleanliness can be maintained. Moreover, while controlling the flow rate, the mass flow controller 123 has a function of closing an internal valve at the time of de-energization. Since the mass flow controller 123 closes the internal valve even when there is no power supply, the inflow of the atmosphere from the supply port 125 is prevented, and the airtightness of the pipe 122 is maintained, so that the pipe ( 122) can be maintained.

임프린트 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 임프린트재는 임프린트재 용기(111)로부터 배관(112)을 통하여, 임프린트재를 디스펜서(113)에 공급한다. 기판(106) 위의 대상 샷 영역(이것으로부터 형(103)의 패턴을 전사하는 샷 영역)이 디스펜서(113) 하에 위치하도록 스테이지(107)를 이동시켜, 기판(106) 위의 대상 샷 영역에 임프린트재를 공급한다. 이에 의해, 기판(106) 위에는 임프린트재에 의한 수지층 RL이 형성된다.An operation of the imprint apparatus 100 will be described. The imprint material is supplied from the imprint material container 111 through the pipe 112 to the dispenser 113 . The stage 107 is moved so that the target shot region on the substrate 106 (the shot region from which the pattern of the mold 103 is transferred) is located under the dispenser 113, so that the target shot region on the substrate 106 is placed on the target shot region. We supply imprint materials. As a result, the resin layer RL made of the imprint material is formed on the substrate 106 .

이어서, 기판(106) 위의 대상 샷 영역이 형(103) 하에 위치하도록 스테이지(107)를 이동시켜, 대상 샷 영역에 공급된 임프린트재에 형(103)을 접촉시킨다. 이때, 형(103)과 기판(106)(임프린트재) 사이의 공간에는, 기체 공급부(120)로부터 응축성 기체가 공급되어 있다. 따라서, 형(103)과 기판(106) 사이의 공간이 응축성 기체로 치환된 환경 하에 있어서, 형(103)이 대상 샷 영역에 공급된 임프린트재가 접촉되게 된다.Next, the stage 107 is moved so that the target shot region on the substrate 106 is positioned under the mold 103 , and the mold 103 is brought into contact with the imprint material supplied to the target shot region. At this time, the condensable gas is supplied from the gas supply unit 120 to the space between the mold 103 and the substrate 106 (imprint material). Accordingly, in an environment in which the space between the mold 103 and the substrate 106 is replaced with a condensable gas, the imprint material supplied to the target shot region of the mold 103 comes into contact.

이어서, 기판(106) 위의 임프린트재와 형(103)이 접촉된 상태에 있어서, 형(103)을 개재하여, 기판(106) 위의 임프린트재에 자외선을 조사하여 임프린트재를 경화시킨다. 이어서, 기판(106) 위의 경화된 임프린트재로부터 형(103)을 박리한다. 이에 의해, 기판(106) 위의 대상 샷 영역에 형(103)의 패턴이 전사된다.Next, in a state in which the imprint material on the substrate 106 and the mold 103 are in contact, the imprint material on the substrate 106 is irradiated with ultraviolet rays through the mold 103 to cure the imprint material. Then, the mold 103 is peeled from the cured imprint material on the substrate 106 . Thereby, the pattern of the mold 103 is transferred to the target shot region on the substrate 106 .

이와 같이, 본 실시 형태의 임프린트 장치(100)에 의하면, 응축성 기체가 배관(122) 내에서 액화되는 것을 방지하여, 장치의 소비 전력을 억제할 수 있다. 또한, 배관(122) 내의 클린도를 유지할 수 있다.In this way, according to the imprint apparatus 100 of the present embodiment, it is possible to prevent the condensable gas from being liquefied in the pipe 122 and to suppress the power consumption of the apparatus. In addition, the degree of cleanliness in the pipe 122 can be maintained.

<제4 실시 형태><Fourth embodiment>

이어서, 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 임프린트 장치에 대하여 설명한다. 도 6은 본 실시 형태의 임프린트 장치(101)의 구성을 도시하는 도면이다.Next, an imprint apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described. 6 is a diagram showing the configuration of the imprint apparatus 101 of the present embodiment.

본 실시 형태의 특징은, 퍼지 기체 공급부(126)로부터의 공급 경로에 히터(129)를 설치하는 것, 퍼지 기체 공급부(126), 히터(129), 밸브 VL2, 밸브 VL3이 UPS(무정전 전원 장치)에 접속되는 것이다. 또한, 본 실시 형태의 임프린트 장치(101)의 구성은, 제3 실시 형태에 관한 임프린트 장치(100)(도 5)와 마찬가지이기 때문에, 각 구성 요소의 부호는, 임프린트 장치(100)와 동일하게 하고, 설명을 생략한다.The feature of this embodiment is that the heater 129 is provided in the supply path from the purge gas supply unit 126 , the purge gas supply unit 126 , the heater 129 , the valve VL2 , and the valve VL3 are UPS (uninterruptible power supply) ) is connected to In addition, since the structure of the imprint apparatus 101 of this embodiment is the same as that of the imprint apparatus 100 (FIG. 5) according to the third embodiment, the code of each component is the same as that of the imprint apparatus 100 . and the description is omitted.

본 실시 형태에 관한 임프린트 장치(101)의 동작에 대하여 설명한다. 장치의 전원을 오프한 경우, 장치에 대한 급전이 중단된 경우, 혹은 온도 조정부(124)가 고장난 경우, 배관(122)이 가열되지 않기 때문에, 배관(122) 내의 응축성 기체가 액화될 가능성이 있다. UPS(무정전 전원 장치)에 접속된 밸브 VL3을 개방함으로써, 배관(122) 내의 응축성 기체는 압력 조정기(127)를 통하여, 배출되어 배관(122) 내의 압력을 압력 조정기의 설정 압력까지 낮출 수 있다.An operation of the imprint apparatus 101 according to the present embodiment will be described. When the power of the device is turned off, when the power supply to the device is stopped, or when the temperature control unit 124 fails, since the pipe 122 is not heated, there is a possibility that the condensable gas in the pipe 122 is liquefied. have. By opening the valve VL3 connected to the UPS (uninterruptible power supply), the condensable gas in the pipe 122 can be discharged through the pressure regulator 127 to lower the pressure in the pipe 122 to the set pressure of the pressure regulator. .

다른 방법으로서, UPS(무정전 전원 장치)에 접속된 퍼지 기체 공급부(126)로부터 퍼지 가스를 공급하여, 히터(129)에서 퍼지 가스를 가열하고, 밸브 VL2를 개방함으로써 배관(122)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다. 퍼지 가스를 히터(129)에서 가열함으로써, 배관(122) 내에서 응축성 기체가 액화된 경우에도, 액화된 응축성 기체의 기화를 촉진시켜, 배관(122) 내의 막힘을 제거할 수 있다.As another method, the purge gas is supplied from the purge gas supply unit 126 connected to the UPS (uninterruptible power supply), the purge gas is heated in the heater 129, and the purge gas is supplied to the pipe 122 by opening the valve VL2. can supply By heating the purge gas by the heater 129 , even when the condensable gas is liquefied in the pipe 122 , vaporization of the liquefied condensable gas is promoted, and clogging in the pipe 122 can be eliminated.

장치의 전원을 오프한 경우, 장치에 대한 급전이 중단된 경우, 혹은 온도 조정부(124)가 고장난 경우에도, 배관(122) 내의 응축성 기체가 액화를 방지하거나, 혹은 액화된 응축성 기체를 제거할 수 있다. 또한, 장치 복구 후, 단시간에 응축성 기체를 공급할 수 있기 때문에, 장치의 가동률을 높일 수 있다.When the power of the device is turned off, when the power supply to the device is stopped, or even when the temperature control unit 124 fails, the condensable gas in the pipe 122 is prevented from liquefying, or the liquefied condensable gas is removed can do. Moreover, since the condensable gas can be supplied in a short time after apparatus restoration, the operation rate of an apparatus can be raised.

본 실시 형태에서는, 장치의 전원을 오프한 경우, 장치에 대한 급전이 중단된 경우, 혹은 온도 조정부(124)가 고장난 경우에 대하여 기재했지만, 배관(122) 내에서 응축성 기체가 액화된 경우의 제거 방법으로서 활용할 수 있다.In this embodiment, the case where the power supply of the device is turned off, the power supply to the device is interrupted, or the case where the temperature adjusting unit 124 fails has been described. It can be utilized as a removal method.

임프린트 처리를 행하고 있을 때나 임프린트 처리를 행하지 않을 때의 양쪽에 있어서, 퍼지 기체 공급부(126)로부터의 퍼지 가스를 히터(129)에서 가열하여, 배관(122) 내에 공급하는 것이 가능하다. 히터(129)에서 가열된 퍼지 가스는 배관(122), 매스 플로우 콘트롤러(123)를 통하여, 공급구(125)로부터 배출할 수 있다. 또한, 밸브 VL3, 압력 조정기(127), 배관(128)을 통하여 배기 경로(130)로 배출할 수 있다.The purge gas from the purge gas supply unit 126 can be heated by the heater 129 and supplied into the pipe 122 both when the imprint process is being performed and when the imprint process is not performed. The purge gas heated by the heater 129 may be discharged from the supply port 125 through the pipe 122 and the mass flow controller 123 . In addition, it may be discharged to the exhaust path 130 through the valve VL3, the pressure regulator 127, and the pipe 128.

이에 의해, 각 부의 액화된 응축성 기체의 기화를 촉진하여, 단시간에 액화된 응축성 기체를 제거할 수 있다.Thereby, vaporization of the liquefied condensable gas of each part can be accelerated|stimulated, and the liquefied condensable gas can be removed in a short time.

<물품 제조 방법의 실시 형태><Embodiment of article manufacturing method>

임프린트 장치를 사용하여 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용의 형 등을 들 수 있다.The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus is permanently used in at least a part of various articles or temporarily when various articles are manufactured. The article is an electric circuit element, an optical element, MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include a mold for imprinting.

경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

이어서, 물품 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 기판 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속하여, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상이 된 임프린트재(3z)가 기판 위에 부여된 모습을 나타내고 있다.Next, the article manufacturing method will be described. As shown in Fig. 7(a), a substrate 1z such as a silicon substrate on which a material to be processed such as an insulator 2z is formed on the surface is prepared, and then, the material to be processed 2z is formed by an inkjet method or the like. An imprint material 3z is applied to the surface. Here, the state in which the imprint material 3z which became a several droplet shape was provided on the board|substrate is shown.

도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 임프린트용의 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 위의 임프린트재(3z)를 향하여, 대향시킨다. 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용의 에너지로서 광을 형(4z)을 개재시켜 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.As shown in Fig. 7(b), the imprint die 4z is made to face the side on which the concave-convex pattern is formed toward the imprint material 3z on the substrate. As shown in FIG.7(c), the board|substrate 1z to which the imprint material 3z was provided and the mold|die 4z are brought into contact, and a pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the material to be processed 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

도 7의 (d)에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있으며, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.As shown in Fig. 7(d), after curing the imprint material 3z, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of the cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. is formed The pattern of the cured product is such that the concave portion of the mold has a shape corresponding to the convex portion of the cured product and the convex portion of the mold corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the concave-convex pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. do.

도 7의 (e)에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 형으로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)이 된다. 도 7의 (f)에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.As shown in Fig. 7(e), when etching is performed by setting the pattern of the cured product to an etch-resistant type, the portion of the surface of the material to be processed 2z without the cured product or remaining thin is removed, and the groove 5z becomes this As shown in FIG.7(f), when the pattern of hardened|cured material is removed, the article in which the groove|channel 5z was formed in the surface of the to-be-processed material 2z can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may not be removed even after processing, and may be used, for example, as a film for interlayer insulation included in a semiconductor element or the like, that is, as a constituent member of an article.

10: 임프린트 장치
20: 기판 보유 지지부
21: 기판
23: 기판 스테이지
33: 임프린트재 공급부
33, 40: 형 보유 지지부
41: 형
50: 광 조사부
52: 조명 광학계
10: imprint device
20: substrate holding part
21: substrate
23: substrate stage
33: imprint material supply unit
33, 40: mold holding part
41: older brother
50: light irradiation unit
52: illumination optical system

Claims (11)

기판 위에 임프린트재를 공급하는 공급 공정과, 상기 공급 공정 후, 상기 임프린트재와 형을 접촉시키는 접촉 공정을 포함하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치이며,
제1 공급구를 포함하고, 상기 기판 위의 상기 임프린트재와 상기 형 사이의 공간에 상기 제1 공급구로부터 상기 접촉에 의해 액화되는 응축성 기체를 포함하는 제1 기체를 공급하는 제1 공급부와,
제2 공급구를 포함하고, 상기 공간에 상기 제2 공급구로부터 상기 임프린트재, 상기 형 및 상기 기판 중 적어도 하나를 투과하는 투과성 기체를 포함하는 제2 기체를 공급하는 제2 공급부와,
상기 공급 공정 후 상기 접촉 공정 전에, 상기 공간 내에서 상기 제1 기체와 상기 제2 기체의 혼합이 행해지도록, 상기 제1 공급부 및 상기 제2 공급부를 제어하는 제어부
를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
An imprint apparatus for performing an imprint process comprising a supplying step of supplying an imprint material onto a substrate, and a contacting step of bringing the imprint material and a mold into contact after the supplying step,
a first supply unit including a first supply port and supplying a first gas including a condensable gas liquefied by the contact from the first supply port to a space between the imprint material and the mold on the substrate; ,
a second supply unit including a second supply port and supplying a second gas containing a permeable gas passing through at least one of the imprint material, the mold, and the substrate from the second supply port to the space;
A control unit configured to control the first supply unit and the second supply unit so that the first gas and the second gas are mixed in the space after the supplying process and before the contacting process
Imprint apparatus, characterized in that it has.
제1항에 있어서, 상기 기판의 샷 영역에 상기 임프린트재를 공급하는 임프린트재 공급부와,
상기 기판을 보유 지지하고, 상기 임프린트재 공급부에 의해 상기 임프린트재의 공급이 행하여지는 제1 위치와 상기 접촉이 행하여지는 제2 위치 사이의 경로를 따라 상기 샷 영역이 이동하도록 가동의 보유 지지부
를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 경로를 따라 상기 샷 영역이 이동하는 경우의 상기 보유 지지부의 위치에 따라, 상기 제1 공급부에 의한 상기 제1 기체의 공급 및 상기 제2 공급부에 의한 상기 제2 기체의 공급을 제어하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The method of claim 1 , further comprising: an imprint material supply unit supplying the imprint material to a shot region of the substrate;
A movable holding portion holding the substrate and moving the shot region along a path between the first position at which the imprint material is supplied and the second position at which the contact is made by the imprint material supply unit.
including,
The control unit may control supply of the first gas by the first supply unit and supply of the second gas by the second supply unit according to a position of the holding unit when the shot region moves along the path. to control
Imprint apparatus, characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 경로를 따른 상기 샷 영역의 이동이 개시되기 전에 상기 제1 공급부에 의한 상기 제1 기체의 공급을 개시하고, 상기 경로를 따른 상기 샷 영역의 이동에 수반하여 상기 제2 공급부에 의한 상기 제2 기체의 공급을 개시하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
The control unit may start the supply of the first gas by the first supply unit before the movement of the shot region along the path starts, and may be configured to start supplying the first gas to the second supply unit according to the movement of the shot region along the path. to start the supply of the second gas by
Imprint apparatus, characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 경로를 따른 상기 샷 영역의 이동이 개시되기 전에 상기 제2 공급부에 의한 상기 제2 기체의 공급을 개시하고, 상기 경로를 따른 상기 샷 영역의 이동에 수반하여 상기 제1 공급부에 의한 상기 제1 기체의 공급을 개시하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
The control unit may start the supply of the second gas by the second supply unit before the movement of the shot region along the path is started, and may be configured to start supplying the second gas to the first supply unit according to the movement of the shot region along the path. to start the supply of the first gas by
Imprint apparatus, characterized in that.
제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 경로를 따른 상기 샷 영역의 이동 동안, 상기 제1 공급부에 의한 상기 제1 기체의 공급과 상기 제2 공급부에 의한 상기 제2 기체의 공급을 교대로 행하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. The method of claim 2,
The control unit is configured to alternately supply the first gas by the first supply unit and supply the second gas by the second supply unit during movement of the shot region along the path.
Imprint apparatus, characterized in that.
제1항에 있어서, 상기 응축성 기체는, 펜타플루오로프로판을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The imprint apparatus according to claim 1, wherein the condensable gas includes pentafluoropropane. 제1항에 있어서, 상기 투과성 기체는, 헬륨, 질소, 이산화탄소, 수소, 크세논을 포함하는 복수의 기체 중에서 선택된 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The apparatus of claim 1 , wherein the permeable gas includes a gas selected from a plurality of gases including helium, nitrogen, carbon dioxide, hydrogen, and xenon. 제1항에 있어서, 상기 제2 공급구는, 상기 형에 관하여 상기 제1 공급구의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The imprint apparatus according to claim 1, wherein the second supply port is disposed outside the first supply port with respect to the mold. 제1항에 있어서, 상기 제1 공급구와 상기 제2 공급구는, 상기 형의 측면을 따라 교대로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The imprint apparatus according to claim 1, wherein the first supply port and the second supply port are alternately arranged along a side surface of the mold. 제9항에 있어서, 상기 제1 공급구와 상기 제2 공급구는, 상기 제1 공급구로부터 공급된 상기 제1 기체와 상기 제2 공급구로부터 공급된 상기 제2 기체가 교착되도록 배향되어 있는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The method according to claim 9, wherein the first supply port and the second supply port are oriented such that the first gas supplied from the first supply port and the second gas supplied from the second supply port cross each other. Imprint device with 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 기판 위에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 공정
을 갖고, 상기 처리가 행하여진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
A step of forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 10;
Process of processing the substrate on which the pattern is formed
and manufacturing an article from the substrate on which the process has been performed.
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