KR102302101B1 - 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반 - Google Patents
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Abstract
변류기 2차측 단자의 전압을 감압한 전압에 대응하여 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하여 변류기 2차측 단자의 개방 여부를 판단하는 신호의 신뢰성을 높일 수 있는 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반이 개시된다. 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반은, 변류기의 2차측 제1 단자에 연결되어 상기 변류기의 2차측 단자 전압을 감압하여 감압 전압을 출력하는 감압부; 캐소드를 통해 상기 감압부의 출력단에 연결된 다이오드; 상기 다이오드의 애노드에 연결되어 상기 감압 전압에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하여 복사 전류를 발생하는 커런트 미러; 상기 커런트 미러에서 출력되는 상기 복사 전류에 대응하는 센싱전압과 기준전압을 비교하여 상기 센싱전압이 상기 기준전압보다 크면 비교신호를 출력하는 비교부; 양단이 상기 변류기의 2차측 단자에 연결된 단락 스위치를 폐쇄하여 상기 변류기의 2차측 단자를 단락시키는 단락 회로부; 및 상기 비교신호가 제공되면 상기 변류기의 2차측 단자가 개방 상태인 것으로 판단하여 상기 단락 스위치를 폐쇄하도록 제어 신호를 상기 단락 회로부에 출력하는 제어부를 포함한다.
Description
본 발명은 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반에 관한 것으로, 보다 상세하게는 변류기 2차측 단자의 전압을 감압한 전압에 대응하여 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하여 변류기 2차측 단자의 개방 여부를 판단하는 신호의 신뢰성을 높일 수 있는 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반에 관한 것이다.
일반적으로, 변류기(Current Transformer, CT)는 큰 교류 전류에서 그것에 비례하는 작은 전류를 얻는 장치로서, 상기 변류기의 주요부는 변압기와 같은 성층 철심에 권선수가 적은 1차 코일과 권선수가 많은 2차 코일을 감은 것으로, 상기 2차 코일에는 전류계나, 전력계, 계전기 등이 설치된다.
상기 변류기의 1차 및 2차의 전류비는 각기 코일 권선수의 반비(反比)와 비슷하다. 1차 전류의 정격값은 수십 A에서 수천 A까지 여러 가지가 있으나, 2차 전류의 정격값은 대부분이 5A이다.
한편, 상기 변류기의 2차측 단자를 단락(Short)시키는 것은 안전하지만, 변류기의 2차측 단자를 개방시키는 것은 매우 위험하다. 왜냐하면, 변류기의 1차 코일에 전류가 흐르는 상태에서 2차 코일이 개방되면, 1차측 전류가 모든 철심을 자화시켜 철심이 포화됨에 따라 발열될 수 있고, 이로 인해 철심에 감긴 코일이 손상되거나 폭발할 위험성도 있기 때문이다.
따라서, 상기 변류기의 2차측 코일에 연결된 전류계나, 전력계 등의 계측기 내부 회로가 개방되거나 기타 사유로 인해 변류기의 2차 코일이 개방(Open)되었을 때 이를 즉시 감지하여 개방 사실을 중앙 관제소로 전송하거나 개방된 2차측 단자를 즉시 단락시킬 수 있는 장치가 필요한 실정이다.
이러한 점을 착안하여 변류기의 2차측 단자가 개방(open)되었을 때 개방 사실을 중앙 관제소로 전송함과 동시에 변류기의 2차측 단자를 단락(short)시켜 변류기의 폭발 사고나 감전사고를 미연에 방지할 수 있도록 구성된 변류기 2차측 개방 감시 수배전반이 제안되었다.
하지만, 이러한 변류기의 2차측 단자가 개방되었는지를 감시하기 위해 다수의 저항들이나 다수의 다이오드들, 제너 다이오드, 연산증폭기 등이 구비되는데, 온도의 가변에 따라 개방 여부를 모니터링하는데 있어서 영향을 받을 수 밖에 없다.
예를 들어, 저항의 경우 온도의 상승에 따라 저항값도 증가하는 온도 계수를 가지므로 온도가 가변됨에 따라 변류기의 2차측 단자의 개방 여부를 모니터링하는데 센싱에 따른 전류도 영향을 받게되는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 변류기 2차측 단자의 전압을 감압한 전압에 대응하여 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하여 변류기 2차측 단자의 개방 여부를 판단하는 신호의 신뢰성을 높일 수 있는 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여 일실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반은, 변류기의 2차측 제1 단자에 연결되어 상기 변류기의 2차측 단자 전압을 감압하여 감압 전압을 출력하는 감압부; 캐소드를 통해 상기 감압부의 출력단에 연결된 다이오드; 상기 다이오드의 애노드에 연결되어 상기 감압 전압에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하여 복사 전류를 발생하는 커런트 미러; 상기 커런트 미러에서 출력되는 상기 복사 전류에 대응하는 센싱전압과 기준전압을 비교하여 상기 센싱전압이 상기 기준전압보다 크면 비교신호를 출력하는 비교부; 양단이 상기 변류기의 2차측 단자에 연결된 단락 스위치를 폐쇄하여 상기 변류기의 2차측 단자를 단락시키는 단락 회로부; 및 상기 비교신호가 제공되면 상기 변류기의 2차측 단자가 개방 상태인 것으로 판단하여 상기 단락 스위치를 폐쇄하도록 제어 신호를 상기 단락 회로부에 출력하는 제어부를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 커런트 미러는, 제1 전극을 통해 제1 전원선에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 상기 다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되어 상기 기준 전류를 출력하는 제2 트랜지스터; 제1 전극을 통해 상기 제1 전원선에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 상기 다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되어 상기 기준 전류를 출력하는 제3 트랜지스터; 및 제1 전극을 통해 상기 제1 전원선에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 상기 비교부에 전기적으로 연결되어 복사 전류를 출력하고, 게이트 전극을 통해 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터 각각의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제3 트랜지스터를 포함하여, 상기 복사 전류가 상기 기준 전류의 1/2이 되도록 조정할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지터, 및 상기 제4 트랜지스터 각각은 PMOS를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 감압부는, 일측이 상기 변류기의 2차측 제1 단자에 연결된 1차측 권선과 일측이 상기 다이오드의 캐소드에 연결된 2차측 권선을 갖는 트랜스포머를 포함하고, 상기 1차측 권선의 타측은 어스 접지에 연결되고, 상기 2차측 권선의 타측은 시스템 접지에 연결될 수 있다.
이러한 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반에 의하면, 스위칭 트랜지스터의 제1 제어전극에 커런트 미러를 배치하고 상기 스위칭 트랜지스터의 턴-온/턴-오프에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하는 복사 전류를 비교부에 제공하고, 비교부는 복사 전류에 대응하는 센싱 전압과 임계 전압을 비교하여 센싱 전압이 임계 전압을 초과하는 경우 변류기 2차측 단자 개방을 통지할 수 있다.
또한 커런트 미러의 배치를 통해 변류기 2차측 단자의 전압을 감압한 전압에 대응하여 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하여 변류기 2차측 단자의 개방 여부를 판단하는 신호의 신뢰성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(100)을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(100)은 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 스위칭 트랜지스터(Q1), 커런트 미러(130), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 유무선통신부(170) 및 경보부(180)를 포함하여 구성될 수 있다. 과전압 보호부(110)는 변류기(10)의 2차측 단자를 통해 출력되는 과전압을 차단한다.
감압부(120)는 일측이 변류기(10)의 2차측 제1 단자에 연결된 1차측 권선과 일측이 스위칭 트랜지스터(Q1)의 게이트에 연결된 2차측 권선을 갖는 트랜스포머를 포함하고, 변류기(10)의 2차측 제1 단자에 연결되어 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압하고 감암된 전압을 스위칭 트랜지스터(Q1)에 제공한다. 여기서, 트랜스포머의 1차측 권선의 타측은 어스 접지에 연결되고, 2차측 권선의 타측은 시스템 접지에 연결된다. 이처럼, 트랜스포머의 1차측 권선과 2차측 권선이 서로 다른 접지에 연결되므로 1차측 권선과 2차측 권선은 서로 절연 상태일 수 있다.
본 실시예에서, 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압하기 위해 감압부(120)를 배치하였으나, 비교부(140)에서 사용되는 전원전압(Vcc) 보다 낮은 전압이 변류기(10)의 2차측 단자 전압이라면 감압부(120)는 생략될 수도 있다.
제1 저항(R1)은 일단이 접지되고 타단이 상기 트랜스포머의 2차측 권선과 스위칭 트랜지스터(Q1)는 게이트 전극에 공통 연결된다.
스위칭 트랜지스터(Q1)는 게이트 전극을 통해 감압부(120)의 출력단에 연결된다. 스위칭 트랜지스터(Q1)는 NMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다. 이에 따라, 스위칭 트랜지스터(Q1)의 게이트 전극에 예를 들어 하이 레벨의 전압이 인가되면 턴-온된다.
커런트 미러(130)는 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 제어전극에 연결되어 스위칭 트랜지스터(Q1)의 턴-온/턴-오프에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하여 복사 전류를 발생하고 발생된 복사 전류를 비교부(140)에 제공한다.
구체적으로, 커런트 미러(130)는 비교부(140)에 전기적으로 연결되어, 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온되었을 때 스위칭 트랜지스터(Q1)를 통해서 전류를 전달받는다. 커런트 미러(130)는 제2 트랜지스터(Q2)와 제3 트랜지스터(Q3)를 포함한다. 제2 트랜지스터(Q2)와 제3 트랜지스터(Q3)는 PMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다.
제2 트랜지스터(Q2)는 제1 전극(S2, 소스 또는 드레인)과 제2 전극(D2, 드레인 또는 소스) 및 게이트 전극(G4)을 포함한다. 제2 트랜지스터(Q2)는 제1 전극(S2)이 제1 전원선(VCC)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(D2)이 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 전극(S1)에 전기적으로 연결되며, 게이트 전극(G2)이 제3 트랜지스터(Q3)의 게이트 전극(G3)에 전기적으로 연결된다. 제2 트랜지스터(Q2)의 제2 전극(D2)과 게이트 전극(G2)은 서로 전기적으로 연결되어 다이오드 연결 구조를 갖는다.
제2 트랜지스터(Q2)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온되면, 제2 전극(D2)에 제3 전류(I3)가 흐른다. 제2 트랜지스터(Q2)의 제2 전극(D2)과 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 전극(S1)이 전기적으로 연결되므로 제3 전류(I3)는 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 전극(S3)에도 흐른다. 그러므로 제3 전류(I3)와 제2 전류(I2)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온 되면 실질적으로 동일하다.
제2 트랜지스터(Q2)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-오프되면, 제2 전류(I2)가 차단되므로 제3 전류(I3)가 흐르지 않는다. 그러므로 제2 트랜지스터(Q2)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온 되었을 때만 제2 전류(I2)를 인가받아 동작한다.
제3 트랜지스터(Q3)는 제1 전극(S3, 소스 또는 드레인)과 제2 전극(D3, 드레인 또는 소스) 및 게이트 전극(G3)을 포함한다. 제3 트랜지스터(Q3)는 제1 전극(S3)이 제1 전원선(VCC)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(D3)이 비교부(230)에 전기적으로 연결되며, 게이트 전극(G3)이 제2 트랜지스터(Q2)의 제2 전극(D2)과 게이트 전극(G2)에 전기적으로 연결된다.
제3 트랜지스터(Q3)의 제2 전극(D3)에는 제4 전류(I4)가 흐른다. 제2 트랜지스터(Q2)와 제3 트랜지스터(Q3)는 커런트 미러를 정의하므로, 제2 트랜지스터(Q2)의 제2 전극(D2)에 흐르는 제3 전류(I3)와 제3 트랜지스터(Q3)의 제2 전극(D3)에 흐르는 제4 전류(I4)는 실질적으로 동일하다.
한편, 제2 트랜지스터(Q2)의 W/L 비를 제3 트랜지스터(Q3)의 W/L 비를 제어하므로써, 제3 전류(I3)와 제4 전류(I4)의 크기를 서로 다르게 설정할 수도 있다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(Q3)의 W/L 비를 제2 트랜지스터(Q2)의 W/L 비에 비해 1/2 축소하는 방식으로 제4 전류(I4)를 제3 전류(I3)에 비해 1/2로 축소시킬 수 있다. 물론, 그 역도 가능하다.
이처럼, 커런트 미러(130)에 구비되어 기준 전류를 생성하는 제3 트랜지스터(Q3)의 W/L 비를 복사 전류를 생성하는 제2 트랜지스터(Q2)의 W/L 비에 비해 1/2 축소시켜 복사 전류인 제4 전류(I4)를 기준 전류인 제3 전류(I3)에 비해 1/2로 축소시킬 수 있으므로 감압부(120)에서 감압된 감압 전압에 대응하는 전류를 추가적으로 줄여 미소 전류만으로도 변류기(10)의 2차측 단자의 개방을 감시할 수 있다.
본 실시예에서, 다이오드 연결 구조를 갖는 제2 트랜지스터(Q2)와 제3 트랜지스터(Q3)로 이루어진 커런트 미러(220)는 센싱 전압에 대응하는 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지할 수 있다. 이를 설명하면 아래와 같다.
감압부(120)에서 출력되는 제1 전류(I1)에 응답하여 제1 트랜지스터(Q1)는 턴-온되어 제2 전류(I1)가 흐르고, 제2 전류(I1)가 흐름에 따라 제3 전류(I3)는 제2 트랜지스터(Q2)를 통해 흐른다.
제2 트랜지스터(Q2)를 통해 흐르는 제3 전류(I3)(또는 기준 전류)는 아래의 수식 1과 같다.
여기서, μp은 PMOS 트랜지스터로 형성되는 제2 트랜지스터(Q2)에 형성되는 채널에서의 전자 이동도(electron mobility)이고, Cox는 PMOS 트랜지스터로 형성되는 제2 트랜지스터(Q2)의 산화막(oxide layer)에서의 단위 면적당 축적 전하량(oxide capacitance)이다. μpCox는 PMOS 트랜지스터의 제작 공정의 조건에 따라 결정되는 상수(constant)이다. 또한, W는 제2 트랜지스터(Q2)의 채널폭(channel width)이고, L은 제2 트랜지스터(Q2)의 채널길이(channel length), VGS는 제2 트랜지스터(Q2)의 게이트-소스간 전압이고, VTH는 제2 트랜지스터(Q2)의 임계전압이다.
제3 트랜지스터(Q3)를 통해 흐르는 제4 전류(I4)(또는 복사 전류)는 아래의 수식 2와 같다.
여기서, μp은 PMOS 트랜지스터로 형성되는 제3 트랜지스터(Q3)에 형성되는 채널에서의 전자 이동도이고, Cox는 PMOS 트랜지스터로 형성되는 제3 트랜지스터(Q3)의 산화막에서의 단위 면적당 축적 전하량이다. 또한 W는 제3 트랜지스터(Q3)의 채널폭이고, L은 제3 트랜지스터(Q3)의 채널길이, VGS는 제3 트랜지스터(Q3)의 게이트-소스간 전압이고, VTH는 제3 트랜지스터(Q3)의 임계전압이다.
제2 트랜지스터(Q2)와 제3 트랜지스터(Q3)는 커런트 미러(220)를 정의하므로 제4 전류(I4)는 제3 전류(I3)와 실질적으로 동일하므로 아래의 수식 3과 같이 정리될 수 있다.
커런트 미러(130)에 형성되는 제2 트랜지스터(Q2)와 제3 트랜지스터(Q3)를 동일한 특성의 트랜지스터로 구성하면 상기한 수식 3은 아래의 수식 4와 같이 정리될 수 있다.
또한 상기한 수식 4에서, 제3 트랜지스터(Q3)를 통해 흐르는 제4 전류(I4)는 제2 트랜지스터(Q2) 및 제3 트랜지스터(Q3) 각각의 채널폭 및 채널길이에 따라 가변될 뿐 온도 변화나 전압 변화에는 독립적임을 확인할 수 있다.
한편, 비교부(140)는 출력단이 제어부(150)에 연결된 연산증폭기(OP-AMP), 일단이 커런트 미러(130)의 제3 트랜지스터의 제2 전극(D3) 및 연산증폭기(OP-AMP)의 부극성 입력단에 각각 연결되고 타단이 접지된 제2 저항(R2), 제2 저항(R2)에 병렬 연결된 제1 커패시터(C1), 및 일단이 연산증폭기(OP-AMP)의 정극성 입력단에 각각 연결되고 타단이 접지된 제2 커패시터(C2)를 포함하고, 커런트 미러(130)에 의해 출력되는 복사 전류(또는 제4 전류(I4))에 따라 비교신호를 제어부(150)에 출력한다. 본 실시예에서, 연산증폭기(OP-AMP)는 두 개의 입력 전압과 출력전압을 갖고서 비교기의 기능을 수행한다. 기준 전압(Vref)은 변류기(10)의 2차측 단자의 개방을 사용자에게 알리는 기준으로 사용된다. 즉, 센싱 전압(Vs)이 기준 전압(Vref)을 초과하는 경우 변류기(10)의 2차측 단자는 개방되었음을 사용자에게 알릴 수 있다. 센싱 전압(Vs)이 기준 전압(Vref)보다 조금이라도 크거나 작으면 연산증폭기(OP-AMP)의 출력 전압은 하이 레벨을 갖는다.
제어부(150)은 비교부(140)로부터 상기 비교신호가 제공되면 변류기(10)의 2차측 단자가 개방 상태인 것으로 판단하여 제어 신호를 유무선통신부(170) 및 경보부(180)에 출력한다.
단락 회로부(160)는 제어부(150)로부터 상기 제어 신호가 입력되면 양단이 변류기(10)의 2차측 단자에 연결된 단락 스위치(162)를 폐쇄하여 변류기(10)의 2차측 단자를 단락시킨다.
유무선통신부(170)는 제어부(150)로부터 상기 제어 신호가 제공되면 변류기(10)의 2차측이 개방 상태임을 알리는 신호를 유/무선 통신을 통해 중앙 관제소로 전송한다.
유무선통신부(170)는 유선 통신을 통해 중앙 관제소에 연결된 유선 통신부와, RF 무선 통신을 통해 중앙관제소로 전송하는 무선통신부를 포함하여 구성될 수 있다. 무선통신부는 IF 국부 발진기, IF 대역 상향 변환 혼합기, IF 증폭기, 채널 선택 필터, RF 상향 변환 혼합기, RF 국부 발진기, 위상 고정 루프(PLL: Phase Locked Loop), 이미지 제거 필터, 구동 증폭기, 1차 대역 통과 필터, 전력 증폭기, 아이솔레이터, 2차 대역 통과 필터, 및 안테나를 포함하여 구성될 수 있다.
구체적으로, 상기 IF 국부 발진기는 변류기(10)의 2차측 단자에 대한 개방 데이터가 담긴 베이스(Base) 밴드 주파수를 중간 주파수(IF: Intermediate Frequency)로 변환하기 위해 IF 대역 상향 변환 혼합기에 베이스 밴드 주파수와 혼합되는 주파수를 공급한다. 상기 IF 대역 상향 변환 혼합기는 상기 베이스 밴드 주파수와 IF 국부 발진기로부터 공급된 주파수를 합성하여 베이스 밴드 주파수를 중간 주파수로 상향 변환한다. 상기 IF 증폭기는 상기 IF 대역 상향 변환 혼합기로부터 출력되는 신호를 증폭한다. 상기 채널 선택 필터는 상기 IF 증폭기로부터 출력된 신호 중 IF 대역 상향 변환 혼합기에 의해 발생된 원하지 않는 채널 주파수의 신호를 제거하고 RF 수신기에 송신하고자 하는 채널 주파수의 신호만 통과시킨다. 상기 RF 상향 변환 혼합기는 상기 채널 선택 필터로부터 출력되는 중간 주파수와 RF 국부 발진기로부터 출력되는 주파수를 RF 주파수로 상향 변환한다. 상기 RF 국부발진기는 상기 RF 상향 변환 혼합기에 합성 주파수를 공급한다. 상기 위상 고정 루프(PLL)는 상기 RF 국부 발진기로부터 출력되는 주파수가 흔들리지 않고 일정하게 출력되도록 잡아준다. 상기 이미지 제거 필터는 상기 RF 상향 변환 혼합기로부터 출력되는 신호 중에 포함된 이미지 주파수(Image Frequency)를 제거한다. 상기 구동 증폭기는 상기 이미지 제거 필터로부터 출력된 신호를 소정 이득(Gain)으로 증폭시킨다. 상기 1차 대역 통과 필터는 상기 구동 증폭기로부터 출력되는 불필요한 주파수 성분을 감쇄한다. 상기 전력 증폭기는 상기 1차 대역 통과 필터로부터 출력되는 신호를 전력 증폭하여 출력한다. 상기 아이솔레이터는 안테나를 통해 신호가 역으로 수신됨을 방지하면서 전력 증폭기로부터 출력된 신호를 2차 대역 통과 필터로 내보낸다. 상기 2차 대역 통과 필터는 상기 아이솔레이터로부터 출력되는 비선형적인 스퓨리어스(Spurious) 주파수 성분들을 잘라내고 원하는 주파수 대역만 출력한다. 상기 안테나는 상기 2차 대역 통과 필터로부터 출력되는 전기 신호를 공기 중의 전자기파로 복사(Radiation)시킨다. 경보부(180)는 제어부(150)로부터 상기 제어 신호가 제공되면 변류기(10)의 2차측이 개방 상태임을 경보 처리한다.
그러면, 이상에서 설명된 본 발명의 일 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(100)의 동작을 아래와 같이 간략히 설명한다.
먼저, 변압기(120)에 의해 감압된 전압이 하이 레벨이면 스위칭 트랜지스터(Q1)는 턴-온된다. 스위칭 트랜지스터(Q1)의 턴-온에 따라 커런트 미러(130)의 제2 트랜지스터(Q2)를 통해 전류가 흐르고 제2 트랜지스터(Q2)를 통해 흐르는 전류에 비례하여 제3 트랜지스터(Q3)를 통해 전류가 흐른다.
제3 트랜지스터(Q3)의 전류는 제2 저항(R2)의 전위를 변경한다. 제2 저항(R2)의 변경된 전위는 연산증폭기(OP-AMP)에 의해 기준전압과 비교되어 하이 레벨의 출력신호를 제어부(150)에 출력한다.
제어부(150)는 비교부(140)의 연산증폭기(OP-AMP)에서 하이 레벨의 출력신호가 입력되면 과전류로 판단하여 단락 회로부(160)의 동작을 제어하고, 단락 회로부(160)는 변류기(10)의 2차측을 단락(클로즈)시켜 변압기의 폭발 사고나 감전사고를 미연에 방지한다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압부, 스위칭 트랜지스터, 커런트 미러 및 비교부를 이용하여 실시간으로 감지하고, 변류기(10)의 2차측 단자가 설정된 전압 레벨을 초과하였을 때 변류기(10)의 2차측 단자가 개방되었다고 판단하여 변류기(10)의 2차측 단자를 단락시킴과 동시에 변류기(10)의 2차측 단자에 대한 개방 사실을 중앙 관제소로 전송하여 신속한 조치가 이루어질 수 있도록 한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 변류기(10)의 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(100)은 변류기(10)의 2차측 단자 개방으로 인한 변류기(10)의 폭발 사고나 감전 사고를 미연에 방지할 수 있다.
또한 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압부를 통해 1차적으로 감압 처리하고 추가적으로 커런트 미러를 통해 감압 전압보다 낮은 전압에 대응하도록 복사 전류를 생성하므로써 고전압인 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 미세 전류를 통해 변류기(10)의 2차측 단자의 개방 여부를 판단할 수 있으므로 회로에서 소비되는 전력을 줄일 수 있다.
또한 변류기의 2차측 개방 감시 기능을 갖는 수배전반에 커런트 미러를 채용하여 감압부에 의해 감압된 센싱 전압에 대응하는 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하면서 변류기(10)의 2차측 단자 개방 여부를 판단할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(200)을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(200)은 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 스위칭 트랜지스터(Q1), 커런트 미러(230), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 유무선통신부(170) 및 경보부(180)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 2에서, 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 스위칭 트랜지스터(Q1), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 및 유무선통신부(170)는 도 1에서 설명된 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 스위칭 트랜지스터(Q1), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 및 유무선통신부(170)와 동일하므로 동일한 도면부호를 부여하고 그 상세한 설명은 생략한다.
커런트 미러(230)는 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 제어전극에 연결되어 스위칭 트랜지스터(Q1)의 턴-온/턴-오프에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하여 복사 전류를 발생하고 발생된 복사 전류를 비교부(140)에 제공한다.
구체적으로, 커런트 미러(230)는 비교부(140)에 전기적으로 연결되어, 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온되었을 때 스위칭 트랜지스터(Q1)를 통해서 전류를 전달받는다. 커런트 미러(230)는 제2 트랜지스터(Q21), 제3 트랜지스터(Q22), 및 제4 트랜지스터(Q23)를 포함한다. 제2 트랜지스터(Q21), 제3 트랜지스터(Q22), 및 제4 트랜지스터(Q23)는 PMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다.
제2 트랜지스터(Q21)는 제1 전극(소스 또는 드레인)과 제2 전극(드레인 또는 소스) 및 게이트 전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(Q21)는 제1 전극이 제1 전원선(VCC)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극이 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 전극에 전기적으로 연결되며, 게이트 전극이 제3 트랜지스터(Q22)의 게이트 전극에 전기적으로 연결된다. 제2 트랜지스터(Q21)의 제2 전극과 게이트 전극은 서로 전기적으로 연결되어 다이오드 연결 구조를 갖는다.
제2 트랜지스터(Q21)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온되면, 제2 전극에 제3 전류(I3)가 흐른다. 제2 트랜지스터(Q21)의 제2 전극과 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 전극이 전기적으로 연결되므로 제3 전류(I3)는 스위칭 트랜지스터(Q1)의 제1 전극에도 흐른다.
제2 트랜지스터(Q21)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-오프되면, 제3 전류(I3)는 흐르지 않는다. 그러므로 제2 트랜지스터(Q21)는 스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴-온 되었을 때만 제2 전류(I2)를 인가받아 동작한다.
제3 트랜지스터(Q22)는 제1 전극을 통해 제1 전원선(VCC)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 제4 트랜지스터(Q23)의 제1 전극에 연결되고, 게이트 전극을 통해 제4 트랜지스터(Q23)의 게이트 전극에 연결된다.
제4 트랜지스터(Q23)는 제1 전극을 통해 제3 트랜지스터(Q22)의 제2 전극에 연결되고, 게이트 전극을 통해 제3 트랜지스터(Q22)의 게이트 전극에 연결되며, 제2 전극을 통해 비교부(230)에 전기적으로 연결된다.
제4 트랜지스터(Q23)의 제2 전극에는 제4 전류(I4)가 흐른다. 제2 트랜지스터(Q21), 제3 트랜지스터(Q22), 및 제4 트랜지스터(Q23)는 커런트 미러를 정의하므로, 제4 트랜지스터(Q23)의 제2 전극에 흐르는 복사 전류인 제4 전류(I4)는 제2 트랜지스터(Q21)의 제2 전극에 흐르는 기주 전류인 제3 전류(I3)의 1/2이다.
이처럼, 제4 전류(I4)를 제3 전류(I3)에 비해 축소시킬 수 있으므로 감압부(120)에서 감압된 감압 전압에 대응하는 전류를 추가적으로 줄여 미소 전류만으로도 변류기(10)의 2차측 단자의 개방을 감시할 수 있다.
본 실시예에서, 기준 전류를 생성하는 제2 트랜지스터(Q21)와 복사 전류를 생성하는 직렬 연결된 제3 트랜지스터(Q22) 및 제4 트랜지스터(Q23)로 이루어진 커런트 미러(220)는 센싱 전압에 대응하는 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(200)의 동작을 아래와 같이 간략히 설명한다.
먼저, 변압기(120)에 의해 감압된 전압이 하이 레벨이면 스위칭 트랜지스터(Q1)는 턴-온된다. 스위칭 트랜지스터(Q1)의 턴-온에 따라 커런트 미러(230)의 제2 트랜지스터(Q21)를 통해 전류가 흐르고 제2 트랜지스터(Q21)를 통해 흐르는 전류에 비례하여 제4 트랜지스터(Q23)를 통해 전류가 흐른다.
제4 트랜지스터(Q23)의 전류는 제2 저항(R2)의 전위를 변경한다. 제2 저항(R2)의 변경된 전위는 연산증폭기(OP-AMP)에 의해 기준전압과 비교되어 하이 레벨의 출력신호를 제어부(150)에 출력한다.
제어부(150)는 비교부(140)의 연산증폭기(OP-AMP)에서 하이 레벨의 출력신호가 입력되면 과전류로 판단하여 단락 회로부(160)의 동작을 제어하고, 단락 회로부(160)는 변류기(10)의 2차측을 단락(클로즈)시켜 변압기의 폭발 사고나 감전사고를 미연에 방지한다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압부, 스위칭 트랜지스터, 커런트 미러 및 비교부를 이용하여 실시간으로 감지하고, 변류기(10)의 2차측 단자가 설정된 전압 레벨을 초과하였을 때 변류기(10)의 2차측 단자가 개방되었다고 판단하여 변류기(10)의 2차측 단자를 단락시킴과 동시에 변류기(10)의 2차측 단자에 대한 개방 사실을 중앙 관제소로 전송하여 신속한 조치가 이루어질 수 있도록 한다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 변류기의 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(200)은 변류기(10)의 2차측 단자 개방으로 인한 변류기(10)의 폭발 사고나 감전 사고를 미연에 방지할 수 있다.
또한 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압부를 통해 1차적으로 감압 처리하고 추가적으로 커런트 미러를 통해 감압 전압보다 낮은 전압에 대응하도록 복사 전류를 생성하므로써 고전압인 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 미세 전류를 통해 변류기(10)의 2차측 단자의 개방 여부를 판단할 수 있으므로 회로에서 소비되는 전력을 줄일 수 있다.
또한 변류기의 2차측 개방 감시 기능을 갖는 수배전반에 커런트 미러를 채용하여 감압부에 의해 감압된 센싱 전압에 대응하는 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하면서 변류기(10)의 2차측 단자 개방 여부를 판단할 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(300)을 개략적으로 설명하기 위한 블록도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(300)은 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 다이오드(D1), 커런트 미러(330), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 유무선통신부(170) 및 경보부(180)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 3에서, 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 및 유무선통신부(170)는 도 1에서 설명된 과전압 보호부(110), 감압부(120), 제1 저항(R1), 비교부(140), 제어부(150), 단락 회로부(160), 및 유무선통신부(170)와 동일하므로 동일한 도면부호를 부여하고 그 상세한 설명은 생략한다.
다이오드(D1)는 캐소드를 감압부(120)의 출력단 및 제1 저항(R1)의 타단에 공통 연결된다. 본 실시예에서, 다이오드(D1)는 감압부(120)에서 커런트 미러(330)로 역전류가 흐르는 것을 차단하기 위해 배치된다.
커런트 미러(330)는 다이오드(D1)의 애노드에 연결되어 감압부(120), 즉 트랜스포머의 2차 권선의 감압 전압에 대응하는 감압 전류(I1)에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하여 복사 전류를 발생하고 발생된 복사 전류를 비교부(140)에 제공한다.
구체적으로, 커런트 미러(330)는 제1 트랜지스터(Q31), 제2 트랜지스터(Q32), 및 제3 트랜지스터(Q33)를 포함한다. 제1 트랜지스터(Q31), 제2 트랜지스터(Q32), 및 제3 트랜지스터(Q33)는 PMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다.
제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32)는 서로 병렬 연결된다. 제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32) 각각은 제1 전극을 통해 제1 전원선(VCC)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 다이오드(D1)의 애노드에 전기적으로 연결되며, 게이트 전극을 통해 제3 트랜지스터(Q33)의 게이트 전극에 전기적으로 연결된다. 제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32) 각각의 제2 전극과 게이트 전극은 서로 전기적으로 연결되어 다이오드 연결 구조를 갖는다.
제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32)는 다이오드(D1)의 캐소드에 감압 전압이 인가되면, 제2 전극에 제3 전류(I3)가 흐른다.
제3 트랜지스터(Q33)는 제1 전극을 통해 제1 전원선(VCC)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 비교부(140)에 전기적으로 연결되며, 게이트 전극을 통해 제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32) 각각의 제2 전극과 게이트 전극에 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서, 기준 전류를 생성하는 제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32)가 병렬 연결되고 복사 전류를 생성하는 제3 트랜지스터(Q33)에 의해 커런트 미러가 정의된다. 이때, 제1 트랜지스터(Q31), 제2 트랜지스터(Q32), 및 제3 트랜지스터(Q33)가 동일한 크기를 갖는다면, 복사 전류인 제4 전류(I4)는 기준 전류인 제3 전류(I3)의 1/2이다. 만일, 제1 트랜지스터(Q31), 및 제2 트랜지스터(Q32)에 병렬로 동일한 크기의 트랜지스터가 1개 더 추가된다면, 복사 전류인 제4 전류(I4)는 기준 전류인 제3 전류(I3)의 1/3이다.
이처럼, 복사 전류인 제4 전류(I4)를 기준 전류인 제3 전류(I3)에 비해 축소시킬 수 있으므로 감압부(120)에서 감압된 감압 전압에 대응하는 전류를 추가적으로 줄여 미소 전류만으로도 변류기(10)의 2차측 단자의 개방을 감시할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 트랜지스터(Q31), 제2 트랜지스터(Q32), 및 제3 트랜지스터(Q33)로 이루어진 커런트 미러(220)는 센싱 전압에 대응하는 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(300)의 동작을 아래와 같이 간략히 설명한다.
먼저, 변압기(120)에 의해 감압된 전압에 의해 제1 저항(R1)의 전위가 변경되면, 커런트 미러(330)의 제1 트랜지스터(Q31) 및 제2 트랜지스터(Q32)를 통해 기준 전류가 다이오드(D1)를 통해 흐르고 기준 전류에 비례하여 제3 트랜지스터(Q33)를 통해 복사 전류가 흐른다.
제3 트랜지스터(Q33)의 전류는 제2 저항(R2)의 전위를 변경한다. 변경된 전위는 센싱전압(Vs)이다. 제2 저항(R2)의 변경된 전위는 연산증폭기(OP-AMP)에 의해 기준전압(Vref)과 비교되어 하이 레벨의 출력신호를 제어부(150)에 출력한다.
제어부(150)는 비교부(140)의 연산증폭기(OP-AMP)에서 하이 레벨의 출력신호가 입력되면 과전류로 판단하여 단락 회로부(160)의 동작을 제어하고, 단락 회로부(160)는 변류기(10)의 2차측을 단락(클로즈)시켜 변압기의 폭발 사고나 감전사고를 미연에 방지한다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압부, 제1 저항, 다이오드, 커런트 미러 및 비교부를 이용하여 실시간으로 감지하고, 변류기(10)의 2차측 단자가 설정된 전압 레벨을 초과하였을 때 변류기(10)의 2차측 단자가 개방되었다고 판단하여 변류기(10)의 2차측 단자를 단락시킴과 동시에 변류기(10)의 2차측 단자에 대한 개방 사실을 중앙 관제소로 전송하여 신속한 조치가 이루어질 수 있도록 한다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 변류기의 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반(300)은 변류기(10)의 2차측 단자 개방으로 인한 변류기(10)의 폭발 사고나 감전 사고를 미연에 방지할 수 있다.
또한 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 감압부를 통해 1차적으로 감압 처리하고 추가적으로 커런트 미러를 통해 감압 전압보다 낮은 전압에 대응하도록 복사 전류를 생성하므로써 고전압인 변류기(10)의 2차측 단자 전압을 미세 전류를 통해 변류기(10)의 2차측 단자의 개방 여부를 판단할 수 있으므로 회로에서 소비되는 전력을 줄일 수 있다.
또한 변류기의 2차측 개방 감시 기능을 갖는 수배전반에 커런트 미러를 채용하여 감압부에 의해 감압된 센싱 전압에 대응하는 전류 값이 온도 변화에 따라 가변되는 것을 방지하면서 변류기(10)의 2차측 단자 개방 여부를 판단할 수 있다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 : 과전압 보호부 120 : 감압부
Q1 : 스위칭 트랜지스터 130, 230, 330 : 커런트 미러
140 : 비교부 150 : 제어부
160 : 단락 회로부 170 : 유무선통신부
180 : 경보부
Q1 : 스위칭 트랜지스터 130, 230, 330 : 커런트 미러
140 : 비교부 150 : 제어부
160 : 단락 회로부 170 : 유무선통신부
180 : 경보부
Claims (4)
- 변류기의 2차측 제1 단자에 연결되어 상기 변류기의 2차측 단자 전압을 감압하여 감압 전압을 출력하는 감압부;
일단이 상기 감압부의 출력단에 연결되고 타단이 시스템 접지에 연결된 제1 저항;
캐소드를 통해 상기 감압부의 출력단 및 상기 제1 저항의 일단에 공통 연결된 다이오드;
상기 다이오드의 애노드에 직접적으로 연결되어 상기 감압 전압에 따라 발생되는 기준 전류에 대응하여 복사 전류를 발생하는 커런트 미러;
상기 커런트 미러에서 출력되는 상기 복사 전류에 대응하는 센싱전압과 기준전압을 비교하여 상기 센싱전압이 상기 기준전압보다 크면 비교신호를 출력하는 비교부;
양단이 상기 변류기의 2차측 단자에 연결된 단락 스위치를 폐쇄하여 상기 변류기의 2차측 단자를 단락시키는 단락 회로부; 및
상기 비교신호가 제공되면 상기 변류기의 2차측 단자가 개방 상태인 것으로 판단하여 상기 단락 스위치를 폐쇄하도록 제어 신호를 상기 단락 회로부에 출력하는 제어부를 포함하되,
상기 감압부는, 일측이 상기 변류기의 2차측 제1 단자에 연결된 1차측 권선과 일측이 상기 다이오드의 캐소드에 연결된 2차측 권선을 갖는 트랜스포머를 포함하고, 상기 1차측 권선의 타측은 어스 접지되고 상기 2차측 권선의 타측은 시스템 접지에 연결되어 상기 1차측 권선과 상기 2차측 권선은 서로 절연 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 변류기의 2차측 개방 감시 기능을 갖는 수배전반. - 제1항에 있어서, 상기 커런트 미러는,
제1 전극을 통해 제1 전원선에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 상기 다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되어 상기 기준 전류를 출력하는 제2 트랜지스터;
제1 전극을 통해 상기 제1 전원선에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 상기 다이오드의 애노드에 전기적으로 연결되어 상기 기준 전류를 출력하는 제3 트랜지스터; 및
제1 전극을 통해 상기 제1 전원선에 전기적으로 연결되고, 제2 전극을 통해 상기 비교부에 전기적으로 연결되어 복사 전류를 출력하고, 게이트 전극을 통해 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터 각각의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제4 트랜지스터를 포함하여, 상기 복사 전류가 상기 기준 전류의 1/2이 되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반. - 제2항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 및 상기 제4 트랜지스터 각각은 PMOS를 포함하는 것을 특징으로 하는 변류기 2차측 단자 개방 감시 기능을 갖는 수배전반.
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