KR102299155B1 - Organic Light Emitting Diode - Google Patents

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KR102299155B1
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유준호
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Abstract

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드, 고전위전압원으로부터 제공받는 고전위전압을 드레인전극으로 입력받아서 유기발광다이오드에 제공되는 구동전류를 제어하는 구동트랜지스터, 구동트랜지스터의 드레인전극과 고전위전압원 사이에 위치하며 게이트전극으로 제공받는 발광제어신호에 응답하여 고전위전압원과 구동트랜지스터의 드레인전극을 연결하는 제1 트랜지스터 및 발광제어신호를 출력하는 스테이지를 포함한다. 스테이지는 스캔신호 생성부 및 발광제어신호 생성부를 포함한다. 발광제어신호 생성부는 전원 입력 이후부터 영상표시기간 이전까지 저전위전압을 유지하는 가변전압을 가변전압단자로 입력받고 에미션클럭에 응답하여 가변전압을 출력한다.As a means for solving the above problems, the organic light emitting diode display device of the present invention includes a driving transistor and a driving transistor for controlling a driving current provided to the organic light emitting diode by receiving a high potential voltage received from an organic light emitting diode and a high potential voltage source as a drain electrode. a first transistor positioned between the drain electrode and the high potential voltage source and connecting the high potential voltage source and the drain electrode of the driving transistor in response to the emission control signal provided to the gate electrode; and a stage outputting the emission control signal. The stage includes a scan signal generator and a light emission control signal generator. The light emission control signal generator receives a variable voltage that maintains a low potential voltage from after power input to before the image display period through the variable voltage terminal, and outputs the variable voltage in response to the emission clock.

Description

유기발광다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode}Organic light emitting diode display {Organic Light Emitting Diode}

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display.

평판 표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터 뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, PDA 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED) 및 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; 이하, OLED) 등이 있다. Flat panel displays (FPDs) are widely used in portable computers such as notebook computers and PDAs, mobile phone terminals, etc. as well as monitors of desktop computers due to their advantages in miniaturization and weight reduction. Such a flat panel display device is a liquid crystal display device; LCD), Plasma Display Panel (PDP), Field Emission Display; FED) and an organic light emitting diode display (OLED).

이 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 일반적으로 유기발광다이오드 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 스토리지 커패시터에 충전한다. 그리고 발광제어신호를 이용하여 스토리지 커패시터에 충전된 데이터전압을 출력함으로써 유기발광다이오드를 발광시킨다. Among them, the organic light emitting diode display has advantages of fast response speed, high luminance efficiency, and a large viewing angle. In general, an organic light emitting diode display applies a data voltage to a gate electrode of a driving transistor using a transistor turned on by a scan signal, and charges the data voltage supplied to the driving transistor to a storage capacitor. Then, the organic light emitting diode emits light by outputting the data voltage charged in the storage capacitor using the light emission control signal.

파워-오프(power-off) 상태에서, 유기발광다이오드 표시장치의 구동트랜지스터 및 유기발광다이오드들의 초기 상태는 서로 다를 수 있다. 임의의 화소들은 파워-온(power on)이 되는 순간에 정상적인 데이터가 제공되기 이전에도 구동트랜지스터가 동작하여 유기발광다이오드 표시장치가 원치않게 발광하는 경우가 발생할 수 있다. 따라서, 표시패널이 정상적인 영상을 표시하기 이전에, 패널에 부분적으로 깜박거림이 발생하기도 한다.
In a power-off state, the driving transistor of the organic light emitting diode display and the initial state of the organic light emitting diodes may be different from each other. At the moment when the pixels are powered on, the driving transistor operates even before normal data is provided, so that the organic light emitting diode display device may undesirably emit light. Therefore, before the display panel displays a normal image, the panel may partially flicker.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 정상적인 영상 표시 이전에 화면에 깜박거림이 발생하는 것을 개선하기 위한 유기발광다이오드 표시장치를 제공하기 위한 것이다.
The present invention for solving the problems of the above-described background art is to provide an organic light emitting diode display device for improving the occurrence of flickering on the screen before the normal image display.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 유기발광다이오드, 고전위전압원으로부터 제공받는 고전위전압을 드레인전극으로 입력받아서 유기발광다이오드에 제공되는 구동전류를 제어하는 구동트랜지스터, 구동트랜지스터의 드레인전극과 고전위전압원 사이에 위치하며 게이트전극으로 제공받는 발광제어신호에 응답하여 고전위전압원과 구동트랜지스터의 드레인전극을 연결하는 제1 트랜지스터 및 발광제어신호를 출력하는 스테이지를 포함한다. 스테이지는 스캔신호 생성부 및 발광제어신호 생성부를 포함한다. 발광제어신호 생성부는 전원 입력 이후부터 영상표시기간 이전까지 저전위전압을 유지하는 가변전압을 가변전압단자로 입력받고 에미션클럭에 응답하여 가변전압을 출력한다.
As a means for solving the above problems, the organic light emitting diode display device of the present invention includes a driving transistor and a driving transistor for controlling a driving current provided to the organic light emitting diode by receiving a high potential voltage provided from an organic light emitting diode and a high potential voltage source as a drain electrode. a first transistor positioned between the drain electrode and the high potential voltage source and connecting the high potential voltage source and the drain electrode of the driving transistor in response to the emission control signal provided to the gate electrode; and a stage outputting the emission control signal. The stage includes a scan signal generator and a light emission control signal generator. The light emission control signal generator receives a variable voltage maintaining a low potential voltage from after power input to before the image display period through the variable voltage terminal, and outputs the variable voltage in response to the emission clock.

본 발명은 전원이 공급된 이후부터 영상표시기간 이전까지 발광제어신호를 저전위레벨로 유지하여, 구동트랜지스터가 동작할지라도 유기발광다이오드가 발광하는 것을 방지할 수 있다.
The present invention can prevent the organic light emitting diode from emitting light even when the driving transistor operates by maintaining the light emission control signal at a low potential level from after power is supplied to before the image display period.

도 1은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 화소구조의 일례를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 의한 파워 온 시퀀스를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 의한 파워 오프 시퀀스를 나타내는 도면.
도 5는 도 2에 도시된 화소를 구동하기 위한 스캔신호 및 발광제어신호의 타이밍을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명에 의한 제i 스테이지의 회로 구성도.
도 7은 도 6에 도시된 제i 스테이지의 동작 타이밍도.
1 is a view showing the configuration of an organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 2 is a view showing an example of the pixel structure shown in FIG. 1;
3 is a diagram illustrating a power-on sequence according to the present invention;
4 is a diagram showing a power-off sequence according to the present invention;
FIG. 5 is a diagram illustrating timings of a scan signal and an emission control signal for driving the pixel shown in FIG. 2;
6 is a circuit configuration diagram of an i-th stage according to the present invention.
FIG. 7 is an operation timing diagram of an i-th stage shown in FIG. 6 ;

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명에 의한 표시장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 1 is a block diagram showing the configuration of a display device according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 표시장치는 표시패널(100), 타이밍 콘트롤러(110), 데이터 구동부(120) 및 스캔 구동부(130,140)가 포함된다.Referring to FIG. 1 , the display device according to the present invention includes a display panel 100 , a timing controller 110 , a data driver 120 , and scan drivers 130 and 140 .

표시패널(10)은 서브 픽셀들이 형성되는 표시영역(100A)과 표시영역(100A)의 외측으로 각종 신호라인들이나 패드 등이 형성되는 비표시영역(100B)을 포함한다. 표시영역(100A)은 복수 개의 화소(P)를 포함하고, 각각의 화소(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시한다. 화소(P)들은 수평라인들 각각에 복수 개가 매트릭스 형태로 배치된다. 각각의 화소(P)들은 서로 직교하는 데이터라인부(DL) 및 게이트라인부(GL)와 접속한다. 각 화소(P)에 접속하는 데이터라인부(DL)는 초기화라인(14a) 및 데이터라인(14b)을 포함하고, 게이트라인부(GL)는 이전단 게이트라인(15a), 현재단 게이트라인(15b) 및 에미션라인(15c)을 포함한다. 화소(P)들 각각은 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT) 및 제1 내지 제3 트랜지스터(T1,T2,T3), 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조커패시터(Csub) 포함한다. 구동트랜지스터(DT) 및 제1 내지 제3 트랜지스터(T1,T2,T3)는 산화물 반도체층을 포함한 산화물 박막트랜지스터(Thin Film Transitor;이하, TFT)로 구현될 수 있다. The display panel 10 includes a display area 100A in which sub-pixels are formed and a non-display area 100B in which various signal lines or pads are formed outside the display area 100A. The display area 100A includes a plurality of pixels P, and displays an image based on a gray level displayed by each pixel P. A plurality of pixels P are arranged in a matrix form on each of the horizontal lines. Each of the pixels P is connected to the data line part DL and the gate line part GL orthogonal to each other. The data line part DL connected to each pixel P includes an initialization line 14a and a data line 14b, and the gate line part GL includes a previous gate line 15a and a current gate line 14a. 15b) and an emission line 15c. Each of the pixels P includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, first to third transistors T1, T2, and T3, a storage capacitor Cst, and an auxiliary capacitor Csub. The driving transistor DT and the first to third transistors T1, T2, and T3 may be implemented as an oxide thin film transistor (hereinafter, TFT) including an oxide semiconductor layer.

타이밍 콘트롤러(110)는 영상보드에 연결된 LVDS 또는 MIPI 인터페이스 수신회로 등을 통해 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 도트 클럭(DLCK) 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(T110)는 입력된 타이밍신호를 기준으로 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터제어신호(DDC) 및 스캔구동부(130,140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트제어신호(GDC)를 생성한다.The timing controller 110 provides timing signals such as a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), a data enable signal (DE), and a dot clock (DLCK) through an LVDS or MIPI interface receiving circuit connected to the image board. is input. The timing controller T110 includes a data control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 120 based on the input timing signal and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 130 and 140 . create

데이터 구동부(120)는 다수의 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들은 타이밍 콘트롤러(110)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)과 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 공급받는다. 소스 드라이브 IC들은 소스 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마전압으로 변환하여 데이터전압을 생성하고, 데이터전압을 표시패널(100)의 데이터 라인들(DL)을 통해 공급한다. The data driver 120 includes a plurality of source drive integrated circuits (ICs). The source drive ICs receive digital video data RGB and a source timing control signal DDC from the timing controller 110 . The source drive ICs generate a data voltage by converting the digital video data RGB into a gamma voltage in response to the source timing control signal DDC, and transmit the data voltage through the data lines DL of the display panel 100 . supply

스캔 구동부(130,140)는 레벨 시프터(130) 및 쉬프트 레지스터(140)를 포함한다. 스캔 구동부(130)는 레벨 시프터(130)와 쉬프트 레지스터(140)가 구분되고, 쉬프트 레지스터(140)가 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에 형성되는 게이트-인-패널(Gate In Panel; 이하 GIP) 방식으로 형성된다. The scan drivers 130 and 140 include a level shifter 130 and a shift register 140 . In the scan driver 130 , the level shifter 130 and the shift register 140 are separated, and the shift register 140 is formed in the non-display area 100B of the display panel 100 . Panel; hereinafter GIP) is formed.

레벨 시프터(130)는 레벨 시프터(130)는 IC 형태로 표시패널(100)에 접속되는 인쇄회로기판(미도시)에 형성된다. 레벨 시프터(130)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 클럭신호들(CLK) 및 스타트신호(VST)를 레벨 쉬프팅한 후 쉬프트 레지스터(140)에 공급한다. 쉬프트 레지스터(140)는 GIP 방식에 의해 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에서 다수의 박막 트랜지스터(이하 TFT)조합으로 형성된다. 쉬프트 레지스터(140)는 클럭신호들(CLK) 및 스타트신호(VST)에 대응하여 스캔 신호를 시프트하고 출력하는 스테이지들로 구성된다. 쉬프트 레지스터(140)에 포함된 스테이지들은 출력단들을 통해 스캔 신호(Scan) 및 발광제어신호(EM)를 순차적으로 출력한다.The level shifter 130 is formed on a printed circuit board (not shown) connected to the display panel 100 in the form of an IC. The level shifter 130 level-shifts the clock signals CLK and the start signal VST under the control of the timing controller 11 , and then supplies them to the shift register 140 . The shift register 140 is formed by a combination of a plurality of thin film transistors (hereinafter, TFTs) in the non-display area 100B of the display panel 100 by the GIP method. The shift register 140 includes stages that shift and output the scan signal in response to the clock signals CLK and the start signal VST. The stages included in the shift register 140 sequentially output the scan signal Scan and the emission control signal EM through output terminals.

도 2는 도 1에 도시된 화소(P)의 일례를 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the pixel P shown in FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동트랜지스터(DT), 제1 내지 제3 트랜지스터(T1~T3), 스토리지 커패시터(Cst) 및 보조 커패시터(Csub)를 구비한다. Referring to FIG. 2 , a pixel P according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor DT, first to third transistors T1 to T3, a storage capacitor Cst, and An auxiliary capacitor Csub is provided.

유기발광다이오드(OLED)는 구동트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 접속되고, 캐소드전극은 접지단(VSS)에 연결된다.The organic light emitting diode OLED emits light by a driving current supplied from the driving transistor DT. A multi-layered organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection layer, EIL). The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the source electrode of the driving transistor DT, and the cathode electrode is connected to the ground terminal VSS.

구동트랜지스터(DT)는 자신의 게이트-소스 간의 전압으로 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 구동전류를 제어한다. 이를 위해서 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극은 데이터전압(Vdata)의 입력단에 연결되고, 드레인전극은 구동전압(VDD)의 입력단에 연결되며, 소스전극은 저전압구동전압(VSS)과 연결된다.The driving transistor DT controls a driving current applied to the organic light emitting diode OLED by its gate-source voltage. To this end, the gate electrode of the driving transistor DT is connected to the input terminal of the data voltage Vdata, the drain electrode is connected to the input terminal of the driving voltage VDD, and the source electrode is connected to the low voltage driving voltage VSS.

제1 트랜지스터(T1)는 발광제어신호(EM)에 응답하여, 구동전압(VDD) 입력단과 구동트랜지스터(DT) 간의 전류 경로를 제어한다. 이를 위해서 제1 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극은 에미션라인(EL)에, 드레인전극은 구동전압(VDD) 입력단에, 소스전극은 구동트랜지스터(DT)에 연결된다. The first transistor T1 controls a current path between the driving voltage VDD input terminal and the driving transistor DT in response to the emission control signal EM. To this end, the gate electrode of the first transistor ST1 is connected to the emission line EL, the drain electrode is connected to the driving voltage VDD input terminal, and the source electrode is connected to the driving transistor DT.

제2 트랜지스터(T2)는 이전단 스캔신호(Scan(n-1))에 응답하여, 초기화라인(14a)으로부터 제공받는 초기화전압(Vini)을 제2 노드(n2)로 제공한다. 이를 위해서 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 이전단 게이트라인(GL[n-1])에, 드레인전극은 초기화라인(14a)에 소스전극은 제2 노드(n2)에 연결된다. The second transistor T2 provides the initialization voltage Vini received from the initialization line 14a to the second node n2 in response to the previous stage scan signal Scan(n-1). To this end, the gate electrode of the second transistor T2 is connected to the previous gate line GL[n-1], the drain electrode is connected to the initialization line 14a, and the source electrode is connected to the second node n2.

제3 트랜지스터(1T3)는 현재단 스캔신호(Scan(n))에 응답하여, 데이터라인(14b)으로부터 제공받는 기준전압(Vref) 또는 데이터전압(Vdata)을 구동트랜지스터(DT)에 제공한다. 이를 위해서, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 현재단 게이트라인(GLn)에, 드레인전극은 데이터라인(14b)에, 소스전극은 구동트랜지스터(DT)에 연결된다.The third transistor 1T3 provides the reference voltage Vref or the data voltage Vdata received from the data line 14b to the driving transistor DT in response to the current stage scan signal Scan(n). To this end, the gate electrode of the third transistor T3 is connected to the current gate line GLn, the drain electrode is connected to the data line 14b, and the source electrode is connected to the driving transistor DT.

스토리지 커패시터(Cst)는 데이터라인(14b)으로부터 제공받는 데이터전압(Vdata)을 한 프레임동안 유지하여 구동트랜지스터(DT)가 일정한 전압을 유지하도록 한다. 이를 위해서 스토리지 커패시터(Cst)는 구동트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극에 연결된다. 보조커패시터(Csub)는 제2 노드(n2)에서 스토리지 커패시터(Cst)와 직렬로 연결되어, 데이터전압(Vdata)의 효율을 높여준다.The storage capacitor Cst maintains the data voltage Vdata received from the data line 14b for one frame so that the driving transistor DT maintains a constant voltage. To this end, the storage capacitor Cst is connected to the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. The auxiliary capacitor Csub is connected in series with the storage capacitor Cst at the second node n2 to increase the efficiency of the data voltage Vdata.

도 3은 본 발명에 의한 파워-온 시퀀스(Power On Sequence)를 나타내는 도면이다. 3 is a diagram illustrating a power-on sequence according to the present invention.

도 3을 참조하면, 유기발광다이오드 표시장치의 기준전압(Vref)은 파워-온(power on)이 된 이후에 구동준비기간 동안에 기저전압(GND)을 유지한다. 그리고 기준전압(Vref)은 영상표시기간 동안에는 기준전압레벨을 유지한다. 기준전압레벨은 패널에 따라서 달라질 수 있고, 일례로 3V의 전압레벨일 수 있다. Referring to FIG. 3 , the reference voltage Vref of the organic light emitting diode display maintains the ground voltage GND during the driving preparation period after being powered on. And the reference voltage Vref maintains the reference voltage level during the image display period. The reference voltage level may vary depending on the panel, and may be, for example, a voltage level of 3V.

초기화전압(Vini)은 구동준비기간 동안에 기저전압(GND)을 유지한다. 그리고 초기화전압(Vini)은 영상표시기간 동안에는 초기화전압레벨을 유지한다. 초기화전압레벨은 네거티브(-) 바이어스 전압일 수 있다. The initialization voltage Vini maintains the base voltage GND during the driving preparation period. In addition, the initialization voltage Vini maintains the initialization voltage level during the image display period. The initialization voltage level may be a negative (-) bias voltage.

데이터 구동부(120)는 구동준비기간 동안에는 데이터전압(Data)을 출력하지 않고, 영상표시기간 동안에 데이터전압(Data)을 출력한다. The data driver 120 does not output the data voltage Data during the driving preparation period, but outputs the data voltage Data during the image display period.

스캔신호(SCAN)는 구동준비기간 동안에 출력되지 않고, 영상표시기간 내에서 출력된다. 스캔신호(SCAN)는 각 영상 프레임의 초기에서 스캔기간에 출력될 수 있다.The scan signal SCAN is not output during the driving preparation period, but is output during the image display period. The scan signal SCAN may be output during the scan period at the beginning of each image frame.

발광제어신호(EM)는 구동준비기간 동안에 출력되지 않고, 영상표시기간 내에서 출력된다. 발광제어신호(EM)는 각 영상 프레임의 발광기간 동안에 출력되어서 도 2에 도시된 제1 트랜지스터(T1)의 게이트전극에 제공된다. The light emission control signal EM is not output during the driving preparation period, but is output during the image display period. The emission control signal EM is output during the emission period of each image frame and provided to the gate electrode of the first transistor T1 shown in FIG. 2 .

발광제어신호(EM)는 구동준비기간 동안에 출력되지 않기 때문에, 도 2에 도시된 구동트랜지스터(DT)의 드레인전극은 구동준비기간 동안에 고전위전압(VDD)을 제공받지 못한다. 이에 따라서 구동준비기간 동안에는, 구동트랜지스터(DT)가 의도치 않게 동작한다고 할지라도 고전위전압(VDD)을 유기발광다이오드(OLED)에 제공하지 않는다. 즉, 구동준비기간 동안에는 구동트랜지스터(DT)의 동작 유무에 상관없이 유기발광다이오드(OLED)가 발광하지 않기 때문에, 영상표시기간 이전에 표시패널에 깜박거림이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Since the emission control signal EM is not output during the driving preparation period, the drain electrode of the driving transistor DT shown in FIG. 2 does not receive the high potential voltage VDD during the driving preparation period. Accordingly, during the driving preparation period, even if the driving transistor DT operates unintentionally, the high potential voltage VDD is not provided to the organic light emitting diode OLED. That is, since the organic light emitting diode OLED does not emit light regardless of whether the driving transistor DT is in operation during the driving preparation period, it is possible to prevent flickering in the display panel before the image display period.

구동준비기간 동안에 발광제어신호(EM)가 출력되는 것을 방지하기 위해서, 발광제어신호(EM)를 출력하는 스테이지는 구동준비기간 동안에 저전위전압을 제공받는다. 구동준비기간 동안에 스테이지에 제공되는 가변전압(VAC)에 대해서는 후술하기로 한다. In order to prevent the emission control signal EM from being output during the driving preparation period, the stage outputting the emission control signal EM is provided with a low potential voltage during the driving preparation period. The variable voltage VAC provided to the stage during the driving preparation period will be described later.

도 4는 본 발명에 의한 파워-오프 시퀀스(Power Off Sequence)를 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating a power-off sequence according to the present invention.

본 발명에 의한 파워-오프 시퀀스에 의하면, 기준전압(Vref) 및 초기화전압(Vini)은 파워-오프(Power off)가 될 때 기저전압(GND)으로 낮아진다. 기준전압(Vref) 및 초기화전압(Vini)은 Display Off 신호 또는 Sleep In State 신호에 동기되거나, Display Off 신호 또는 Sleep In State 신호가 인가되고 일정기간 경과 후에 낮아질 수 있다. According to the power-off sequence according to the present invention, the reference voltage Vref and the initialization voltage Vini are lowered to the ground voltage GND when the power is turned off. The reference voltage Vref and the initialization voltage Vini may be synchronized with the Display Off signal or the Sleep In State signal, or may be lowered after a predetermined period of time after the Display Off signal or the Sleep In State signal is applied.

파워-오프(Power off)가 될 때 발광제어신호(EM)는 일정기간 경과 후에 저전위전압레벨로 낮아진다. 발광제어신호는 슬립모드제어신호(sleep in state)와 동기하여 전압레벨이 낮아질 수 있다. When the power is turned off, the emission control signal EM is lowered to a low potential voltage level after a certain period of time has elapsed. A voltage level of the emission control signal may be lowered in synchronization with a sleep mode control signal (sleep in state).

데이터 구동부(120)는 파워-오프 이후에 일정기간, 예컨대 1프레임 이상 블랙데이터전압(Black data) 전압을 출력하고, 스캔 구동부(130,140)는 블랙데이터전압이 출력되는 동안에 화소(P)에 제공된다. 이에 따라서 파워-오프 이후에 일정기간 동안, 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극(n1)은 초기화된다. The data driver 120 outputs a black data voltage for a predetermined period after power-off, for example, one frame or more, and the scan drivers 130 and 140 are provided to the pixel P while the black data voltage is output. . Accordingly, for a predetermined period after power-off, the gate electrode n1 of the driving transistor DT is initialized.

이와 같은 유기발광다이오드 표시장치에서 영상표시기간 동안의 화소(P) 동작을 살펴보면 다음과 같다. 도 5는 도 2의 화소(P)에 인가되는 신호들(EM,SCAN,INIT,DATA)과, 그에 따른 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 소스전극의 전위변화를 나타내는 파형도이다. The operation of the pixel P during the image display period in such an organic light emitting diode display device is as follows. FIG. 5 is a waveform diagram illustrating signals EM, SCAN, INIT, and DATA applied to the pixel P of FIG. 2 and potential changes of the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT accordingly.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 화소(P)의 동작은 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 전위를 특정 전압으로 초기화하는 초기화기간(Ti), 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 검출 및 저장하는 샘플링기간(Ts), 데이터전압(Vdata)을 인가하는 라이팅 기간(Tw), 문턱전압과 데이터전압(Vdata)을 이용하여 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 구동 전류를 문턱전압과 무관하게 보상하여 발광하는 발광기간(Te)을 포함한다. Referring to FIG. 5 , the operation of the pixel P according to the present invention includes an initialization period Ti in which the gate-source potential of the driving transistor DT is initialized to a specific voltage, and the threshold voltage of the driving transistor DT is detected and The sampling period (Ts) for storing, the writing period (Tw) for applying the data voltage (Vdata), and the driving current applied to the organic light emitting diode (OLED) using the threshold voltage and the data voltage (Vdata) are irrespective of the threshold voltage. It includes a light emission period Te for compensating for light emission.

초기화기간(Ti) 동안에 제2 트랜지스터(T2)는 이전단 스캔신호(Scan[n-1])에 응답하여 초기화라인(14a)으로부터 제공받는 초기화전압(Vini)을 제2 노드(n2)에 공급한다. 따라서, 제2 노드(n2)의 전압인 구동트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)은 초기화전압(Vini)의 전위를 갖는다. 그리고 제3 트랜지스터(T3)는 현재단 스캔신호(Scan[n])에 응답하여 데이터라인(14b)으로부터 제공받는 기준전압(Vref)을 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극의 제1 노드(n1)에 공급한다. 따라서, 제1 노드(n1)의 전압인 구동트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)은 기준전압(Vref)의 전위를 갖는다. During the initialization period Ti, the second transistor T2 supplies the initialization voltage Vini received from the initialization line 14a to the second node n2 in response to the previous stage scan signal Scan[n-1]. do. Accordingly, the source voltage Vs of the driving transistor DT, which is the voltage of the second node n2, has a potential of the initialization voltage Vini. In addition, the third transistor T3 applies the reference voltage Vref received from the data line 14b in response to the current stage scan signal Scan[n] to the first node n1 of the gate electrode of the driving transistor DT. supply to Accordingly, the gate voltage Vg of the driving transistor DT, which is the voltage of the first node n1, has a potential of the reference voltage Vref.

초기화기간(Ti)에서 제2 노드(n2)에 공급되는 초기화전압(Vini)은 화소(P)를 일정 수준으로 초기화하기 위한 것으로서, 이때 초기화전압(Vini)의 크기는 유기발광다이오드(OLED)가 발광하지 않도록 유기발광다이오드(OLED)의 동작전압 보다 작은 전압값으로 설정된다. 예컨대, 초기화전압(Vini)은 -1 내지 +1(V)의 크기를 갖는 전압으로 설정할 수 있다.The initialization voltage Vini supplied to the second node n2 in the initialization period Ti is to initialize the pixel P to a certain level, and in this case, the magnitude of the initialization voltage Vini is determined by the organic light emitting diode OLED. It is set to a voltage value smaller than the operating voltage of the organic light emitting diode (OLED) so as not to emit light. For example, the initialization voltage Vini may be set to a voltage having a magnitude of -1 to +1 (V).

샘플링기간(Ts) 동안에, 제3 트랜지스터(T3)는 현재단 스캔신호(Scan[n])에 응답하여 데이터라인(14b)으로부터 제공받는 기준전압(Vref)을 제1 노드(n1)로 공급한다. 그리고 제1 트랜지스터(T1)는 발광제어신호(EM)에 응답하여 구동전압(EVDD)을 구동트랜지스터(DT)로 공급한다. 이때, 구동트랜지스터 게이트전극전압(Vg)은 기준전압(Vref)를 유지한다. 그리고 제2 노드(n2)가 플로팅(floating) 상태임에 따라서, 제2 노드(n2)의 전압은 구동전압(EVDD)에서 제1 트랜지스터(T1)와 구동트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류가 축적된다. 샘플링기간(Ts)을 통해서 상승한 전압은 기준전압(Vref)과 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 간의 차이에 해당하는 크기를 갖는 전압으로 포화(saturation)된다. 즉, 샘플링 기간(Ts)을 통해서, 구동트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간의 전위차는 문턱전압(Vth)의 크기가 된다. During the sampling period Ts, the third transistor T3 supplies the reference voltage Vref received from the data line 14b to the first node n1 in response to the current stage scan signal Scan[n]. . In addition, the first transistor T1 supplies the driving voltage EVDD to the driving transistor DT in response to the emission control signal EM. At this time, the driving transistor gate electrode voltage Vg maintains the reference voltage Vref. In addition, as the second node n2 is in a floating state, the voltage of the second node n2 accumulates current flowing through the first transistor T1 and the driving transistor DT from the driving voltage EVDD. do. The voltage increased through the sampling period Ts is saturated with a voltage having a magnitude corresponding to the difference between the reference voltage Vref and the threshold voltage Vth of the driving transistor DT. That is, through the sampling period Ts, the potential difference between the gate and the source of the driving transistor DT becomes the threshold voltage Vth.

라이팅 기간(Tw) 동안에 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)는 턴-오프 된다. 그리고 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온 되면서 데이터라인(14b)으로부터 제공받는 데이터전압(Vdata)을 제1 노드(n1)로 공급한다. 이때, 플로팅(floating) 상태인 제2 노드(n2) 전압은 스토리지 커패시터(Cs) 및 보조커패시터(Csub)의 비율에 의해서 커플링(Coupling)되어서 상승하거나 하강한다.During the writing period Tw, the first and second transistors T1 and T2 are turned off. Then, the third transistor T3 is turned on and supplies the data voltage Vdata received from the data line 14b to the first node n1. At this time, the voltage of the second node n2 in the floating state is coupled by the ratio of the storage capacitor Cs and the auxiliary capacitor Csub to rise or fall.

발광기간(Te) 동안에 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 상태를 유지하고, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-오프되며, 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온된다. 발광기간 동안에 스토리지 커패시터(Cs)에 저장된 데이터전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)로 공급되고, 이에 따라서 유기발광다이오드(OLED)는 데이터전압(Vdata)에 비례하는 밝기로 발광한다. 이때, 라이팅 기간(Tw)에서 결정된 제1 노드(n1) 및 제2 노드(2)의 전압에 의해서 구동트랜지스터(DT)에 전류가 흐르게 되어 유기발광다이오드(OLED)로 원하는 전류가 공급되고, 이에 따라서 유기발광다이오드(OLED)는 데이터전압(Vdata)에 의해 밝기를 조절할 수 있다.During the light emission period Te, the second transistor T2 is turned off, the third transistor T3 is turned off, and the first transistor T1 is turned on. During the light emission period, the data voltage Vdata stored in the storage capacitor Cs is supplied to the organic light emitting diode OLED, and accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light with a brightness proportional to the data voltage Vdata. At this time, a current flows in the driving transistor DT by the voltages of the first node n1 and the second node 2 determined in the writing period Tw, and a desired current is supplied to the organic light emitting diode (OLED). Therefore, the organic light emitting diode (OLED) can adjust the brightness by the data voltage (Vdata).

도 6은 본 발명에 따른 제i 스테이지의 회로 구성도이다. 6 is a circuit configuration diagram of an i-th stage according to the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명에 의한 쉬프트 레지스터(140)는 다수의 스테이지들(STG[1]~STG[i])을 포함한다. 각 스테이지들(STG[1] ~ STG[i])은 5상의 게이트클록들(GCLK1 ~ GCLK5), 5상의 에미션클록들(ECLK1 ~ ECLK5), 저전위전압 및 스타트신호(VST)를 이용하여 스캔신호(Scan) 및 발광제어신호(EM)를 출력한다. Referring to FIG. 6 , the shift register 140 according to the present invention includes a plurality of stages STG[1] to STG[i]. Each of the stages STG[1] to STG[i] uses five-phase gate clocks GCLK1 to GCLK5, five-phase emission clocks ECLK1 to ECLK5, a low potential voltage and a start signal VST. A scan signal Scan and an emission control signal EM are output.

제i 스테이지(STG[i])의 스캔신호 생성부(140a)는 스타트신호(VST or G[i-1]) 및 제i 게이트클럭(GCLKi), 제(i+2) 게이트클럭(GCLK[i+2]) 및 제(i+3) 게이트클럭(GCLK[i+3])을 이용하여 제i 스캔신호(Scani)를 생성한다. The scan signal generator 140a of the ith stage STG[i] includes a start signal VST or G[i-1], an ith gate clock GCLKi, and a (i+2)th gate clock GCLK[ i+2]) and the (i+3)th gate clock GCLK[i+3] to generate the i-th scan signal Scani.

제i 스테이지(STG[i])에 입력되는 제i 게이트클럭(GCLKi)은 제i 스캔신호(Scani)의 출력기간을 결정한다. 제(i+2) 게이트클럭(GCLK[i+2])은 제i 스캔신호(Scani)의 종료시점을 결정하고, 제(i+4) 게이트클럭(GCLK[i+4])은 제i 스캔신호(Scani)의 출력 이전에 제1 Q노드(Q)를 충전시키는 동작을 수행한다.The ith gate clock GCLKi input to the ith stage STG[i] determines the output period of the ith scan signal Scani. The (i+2)th gate clock GCLK[i+2] determines the end time of the i-th scan signal Scani, and the (i+4)th gate clock GCLK[i+4]) An operation of charging the first Q node Q is performed before the output of the scan signal Scani.

제i 스테이지(STG[i])의 발광제어신호 생성부(140b)는 제i 스캔신호(Scani), 제i 에미션클럭(ECLKi), 제(i+2) 에미션클럭(ECLK[i+2]), 제(i+1) 에미션클럭(ECLK[i+1]) 및 제(i+4) 에미션클럭(ECLK[i+4])을 이용하여 제i 발광제어신호(EMi)를 생성한다.The emission control signal generator 140b of the ith stage STG[i] generates an ith scan signal Scani, an ith emission clock ECLKi, and an (i+2)th emission clock ECLK[i+. 2]), the ith emission control signal EMi using the (i+1)th emission clock ECLK[i+1] and the (i+4)th emission clock ECLK[i+4]. create

제i 스테이지(STG[i])에 입력되는 제i 에미션클럭(ECLKi)은 제i 발광제어신호(EMi)의 출력 타이밍을 결정한다. 제(i+2) 에미션클럭(ECLK[i+2])은 이전 프레임에 출력되던 발광제어신호(EM)의 종료시점을 결정한다. 제(i+1) 에미션클럭(ECLK[i+1]) 및 제(i+4) 에미션클럭(ECLK[i+4])은 제i 발광제어신호(EMi)가 하이레벨을 유지하도록 제어한다. The ith emission clock ECLKi input to the ith stage STG[i] determines the output timing of the ith emission control signal EMi. The (i+2)th emission clock ECLK[i+2] determines the end time of the emission control signal EM output in the previous frame. The (i+1)th emission clock ECLK[i+1] and the (i+4)th emission clock ECLK[i+4] are configured so that the i-th emission control signal EMi maintains a high level. Control.

본 발명의 실시 예에서 게이트클럭(GCLK) 및 에미션클럭(ECLK)은 5상으로 구현되고, 각 클럭신호들은 연속적이다. 따라서, (i+k)(k는 1<k<5인 자연수)가 5보다 큰 클럭신호는 5를 감산한 서수의 클럭신호를 이용한다. 예컨대, 제3 스테이지(STG3)에서 제(i+4) 게이트클럭(GCLK[i+4])은 제2 게이트클럭(GCLK2)에 해당한다. In an embodiment of the present invention, the gate clock GCLK and the emission clock ECLK are implemented in five phases, and each clock signal is continuous. Accordingly, a clock signal having (i+k) (k is a natural number 1<k<5) greater than 5 uses an ordinal clock signal obtained by subtracting 5. For example, in the third stage STG3 , the (i+4)th gate clock GCLK[i+4] corresponds to the second gate clock GCLK2.

이와 같은 규칙성에 의해서, 제1 스테이지(STG1)의 스캔신호 생성부(140a)는 스타트신호(VST), 제1 게이트클럭(GCLK1), 제3 게이트클럭(GCLK3) 및 제5 게이트클럭(GCLK5)을 이용하여 제1 스캔신호(Scan1)를 출력한다. 그리고 제1 스테이지(STG1)의 발광제어신호 생성부(140b)는 제1 스캔신호(Scan1), 제1 에미션클럭(ECLK1), 제2 에미션클럭(ECLK2), 제3 에미션클럭(ECLK3) 및 제5 에미션클럭(ECLK5)을 이용하여 제1 발광제어신호(EM1)를 출력한다. 또한, 제1 스테이지(STG1)의 발광제어신호 생성부(140b)는 에미션리셋(ERST)을 이용하여 제1 발광제어신호(EM1)를 초기화한다. Due to this regularity, the scan signal generator 140a of the first stage STG1 generates the start signal VST, the first gate clock GCLK1, the third gate clock GCLK3, and the fifth gate clock GCLK5. is used to output the first scan signal Scan1. In addition, the emission control signal generator 140b of the first stage STG1 generates a first scan signal Scan1, a first emission clock ECLK1, a second emission clock ECLK2, and a third emission clock ECLK3. ) and the fifth emission clock ECLK5 to output the first emission control signal EM1. Also, the emission control signal generator 140b of the first stage STG1 initializes the first emission control signal EM1 using the emission reset ERST.

다수의 스테이지들(STG[1] ~ STG[i])은 전단의 출력단으로부터 출력되는 스캔 신호를 후단이 이용하도록 종속적으로 접속된다. 예컨대, 제i 스테이지(STG[i])로부터 출력되는 스캔 신호(G[i])는 제(i+1) 스테이지(STG[i+1])의 스타트신호(VST) 입력단자에 공급된다. The plurality of stages STG[1] to STG[i] are dependently connected so that the rear end uses the scan signal output from the output end of the previous stage. For example, the scan signal G[i] output from the i-th stage STG[i] is supplied to the input terminal of the start signal VST of the (i+1)-th stage STG[i+1].

제i 스테이지(STG[i])의 세부적인 회로 구성을 살펴보면 다음과 같다. 도 6에서 고전위전압(VDD)에 의해서 항시 턴-온 상태를 유지하는 보조트랜지스터(Tbv)들은 회로의 안정화를 위한 것으로, 보조트랜지스터(Tbv)들은 항상 턴-온 상태를 유지하기 때문에 등가회로적으로 쇼트 상태인 것으로 간주하여 설명하기로 한다.A detailed circuit configuration of the i-th stage STG[i] is as follows. In FIG. 6 , the auxiliary transistors Tbv, which always maintain the turn-on state by the high potential voltage VDD, are for circuit stabilization, and since the auxiliary transistors Tbv always maintain the turn-on state, the equivalent circuit is It will be described as a short-circuit condition.

제i 스테이지(STG[i])의 스캔신호 생성부(140a)는 제1 내지 제4 단자(4)를 통해서 입력받는 클럭신호들을 이용하여 제i 스캔신호(Scani)로 출력하기 위한 제1 내지 제8 트랜지스터(T101~T108)를 포함한다.The scan signal generator 140a of the i-th stage STG[i] uses the clock signals input through the first to fourth terminals 4 to output the first to fourth scan signals Scani as the i-th scan signal Scani. and eighth transistors T101 to T108.

제1 트랜지스터(T101)의 제1 전극은 고전위전압원(VDD)과 연결되고, 제2 전극은 제2 트랜지스터(T102)의 제1 전극과 연결되며, 게이트전극은 제1 단자(1)와 연결된다. 제2 트랜지스터(T102)의 제2 전극은 제1 Q노드(Q1)와 연결되고, 게이트전극은 제4 단자(4)와 연결된다. 제1 및 제2 트랜지스터(T102)는 서로 직렬로 연결되기 때문에, 제1 및 제2 트랜지스터(T102)는 동시에 턴-온 될 때, 고전위전압(VDD)을 제1 Q노드(Q1)에 충전한다. 즉, 제1 및 제2 트랜지스터(T102)는 스타트신호(VST)(또는 제(i-1) 스캔신호(Scan[i-1])) 및 제(i+4) 게이트클럭(GCLK[i+4])이 동기될 때에 제1 Q노드(Q1)를 충전한다. The first electrode of the first transistor T101 is connected to the high potential voltage source VDD, the second electrode is connected to the first electrode of the second transistor T102, and the gate electrode is connected to the first terminal 1 . do. The second electrode of the second transistor T102 is connected to the first Q node Q1 , and the gate electrode is connected to the fourth terminal 4 . Since the first and second transistors T102 are connected in series with each other, when the first and second transistors T102 are simultaneously turned on, the high potential voltage VDD is charged to the first Q node Q1. do. That is, the first and second transistors T102 have a start signal VST (or an (i-1)th scan signal Scan[i-1]) and an (i+4)th gate clock GCLK[i+ 4]) is synchronized to charge the first Q node Q1.

제3 트랜지스터(T103)의 제1 전극은 제1 Q노드(Q1)와 연결되고, 제2 전극은 저전위전압(VSS)과 연결되며, 게이트전극은 제1 QB노드(QB1)에 연결된다. 따라서, 제3 트랜지스터(T103)는 제1 QB노드(QB1)의 전위에 대응하여 Q노드의 전위를 저전위전압(VSS)으로 방전한다. The first electrode of the third transistor T103 is connected to the first Q node Q1 , the second electrode is connected to the low potential voltage VSS, and the gate electrode is connected to the first QB node QB1 . Accordingly, the third transistor T103 discharges the potential of the Q node to the low potential voltage VSS in response to the potential of the first QB node QB1 .

제4 트랜지스터(T104)는 제1 전극을 통해서 고전위전압(VDD)을 제공받고, 제2 전극은 제1 QB노드(QB1)와 연결되며, 게이트전극은 제(i+2) 게이트클럭(GCLK[i+2])과 연결된다. 이에 따라서, 제4 트랜지스터(T104)는 제(i+2) 게이트클럭(GCLK[i+2])에 응답하여, 제1 QB노드(QB1)를 충전한다. 즉, 제4 트랜지스터(T104)는 제(i+2) 게이트클럭(GCLK[i+2])에 응답하여, 제1 출력단(n11)을 방전시켜서, 저전위레벨의 제i 스캔신호(Scani)를 출력한다. The fourth transistor T104 receives the high potential voltage VDD through the first electrode, the second electrode is connected to the first QB node QB1, and the gate electrode is the (i+2)th gate clock GCLK [i+2]). Accordingly, the fourth transistor T104 charges the first QB node QB1 in response to the (i+2)th gate clock GCLK[i+2]. That is, the fourth transistor T104 discharges the first output terminal n11 in response to the (i+2)th gate clock GCLK[i+2], thereby generating the i-th scan signal Scani of the low potential level. to output

제5 트랜지스터(T105)의 제1 전극은 제1 QB노드(QB1)에 연결되고, 제2 전극은 저전위전압(VSS)에 연결되며, 게이트전극은 제1 단자(1)를 통해서 스타트신호를 입력받는다. 제5 트랜지스터(T105)는 스타트신호(VST) 또는 제(i-1) 스캔신호(Scan[i+1])에 응답하여 제1 QB노드(QB1)를 저전위전압으로 충전한다. The first electrode of the fifth transistor T105 is connected to the first QB node QB1 , the second electrode is connected to the low potential voltage VSS, and the gate electrode receives a start signal through the first terminal 1 . get input The fifth transistor T105 charges the first QB node QB1 to a low potential voltage in response to the start signal VST or the (i-1)th scan signal Scan[i+1].

제6 트랜지스터(T106)의 게이트전극은 제1 Q노드(Q)에 연결되고, 제1 전극이 제2 단자(2)에 연결되며, 제2 전극이 제1 출력단(n11)에 연결된다. 이에 따라서, 제6 트랜지스터(T106)는 제1 Q노드(Q1)의 전위에 대응하여 제i 게이트클럭(GCLKi)을 출력한다.The gate electrode of the sixth transistor T106 is connected to the first Q node Q, the first electrode is connected to the second terminal 2, and the second electrode is connected to the first output terminal n11. Accordingly, the sixth transistor T106 outputs the i-th gate clock GCLKi in response to the potential of the first Q node Q1.

제7 트랜지스터(T107)는 제1 QB노드(QB)에 게이트전극이 연결되고 제1 전극을 통해서 저전위전압(VSS)을 제공받으며, 제2 전극이 제1 출력단(n11)에 연결된다. 이에 따라서, 제7 트랜지스터(T107)는 제1 QB노드(QB1)의 전위에 대응하여 제1 출력단(n11)의 전위를 저전위전압(VSS)으로 방전한다. The seventh transistor T107 has a gate electrode connected to the first QB node QB, a low potential voltage VSS is provided through the first electrode, and a second electrode connected to the first output terminal n11. Accordingly, the seventh transistor T107 discharges the potential of the first output terminal n11 to the low potential voltage VSS in response to the potential of the first QB node QB1 .

제8 트랜지스터(T108)는 제1 전극이 제1 QB노드(QB1)에 연결되고, 제2 전극이 저전위전압(VSS)에 연결되며, 게이트전극이 제1 Q노드(Q1)에 연결된다. 이에 따라서, 제8 트랜지스터(T108)는 제1 Q노드(Q1)의 전위에 대응하여 제1 Q노드(Q1)의 전위를 저전위전압(VSS)으로 방전한다. The eighth transistor T108 has a first electrode connected to the first QB node QB1 , a second electrode connected to the low potential voltage VSS, and a gate electrode connected to the first Q node Q1 . Accordingly, the eighth transistor T108 discharges the potential of the first Q node Q1 to the low potential voltage VSS in response to the potential of the first Q node Q1.

제i 스테이지(STG[i])의 발광제어신호 생성부(140b)는 제5 내지 제9 단자(9)를 통해서 입력받는 클럭신호들을 이용하여 제i 발광제어신호(EMi)를 출력하기 위한 제9 내지 제14 트랜지스터(T9~T14)를 포함한다. The emission control signal generator 140b of the i-th stage STG[i] is configured to output the ith emission control signal EMi using clock signals input through the fifth to ninth terminals 9 . 9 to 14 transistors T9 to T14 are included.

클럭 응답 트랜지스터(T109)의 제1 전극은 고전위전압(VDD)에 연결되고, 제2 전극은 제2 Q노드(Q2)에 연결되며, 게이트전극은 제i 에미션클럭(ECLKi)에 연결된다. 이에 따라서, 클럭 응답 트랜지스터(T109)는 제i 에미션클럭(ECLKi)에 응답하여, 제2 Q노드(Q2)를 충전한다. The first electrode of the clock response transistor T109 is connected to the high potential voltage VDD, the second electrode is connected to the second Q node Q2, and the gate electrode is connected to the ith emission clock ECLKi. . Accordingly, the clock response transistor T109 charges the second Q node Q2 in response to the ith emission clock ECLKi.

제10 트랜지스터(T110)의 제1 전극은 제2 Q노드(Q2)에 연결되고 제2 전극은 저전위전압(VSS)에 연결되며, 게이트전극은 제2 QB노드(QB2)에 연결된다. 이에 따라서, 제10 트랜지스터(T110)는 제2 QB노드(QB2)의 전위에 대응하여, 제2 Q노드(Q2)의 전위를 저전위전압(VSS)으로 방전한다. The first electrode of the tenth transistor T110 is connected to the second Q node Q2 , the second electrode is connected to the low potential voltage VSS, and the gate electrode is connected to the second QB node QB2 . Accordingly, the tenth transistor T110 discharges the potential of the second Q node Q2 to the low potential voltage VSS in response to the potential of the second QB node QB2 .

제11 트랜지스터(T11)의 제1 전극은 고전위전압(VDD)에 연결되고, 제2 전극은 제13 트랜지스터(T11)의 제2 전극에 연결되며, 게이트전극은 제2 출력단(n12)에 연결된다. The first electrode of the eleventh transistor T11 is connected to the high potential voltage VDD, the second electrode is connected with the second electrode of the thirteenth transistor T11, and the gate electrode is connected to the second output terminal n12. do.

풀업 트랜지스터(T112)의 제1 전극은 고전위전압(VDD)에 연결되고, 제2 전극은 제2 출력단(n12)에 연결되며, 게이트전극은 제2 Q노드(Q2)에 연결된다. 이에 따라서, 풀업 트랜지스터(T112)는 제2 Q노드(Q2)의 전위에 대응하여, 제2 출력단(n12)으로 고전위전압(VDD)에 대응하는 제i 발광제어신호(EMi)를 출력한다. A first electrode of the pull-up transistor T112 is connected to the high potential voltage VDD, a second electrode is connected to the second output terminal n12 , and a gate electrode is connected to the second Q node Q2 . Accordingly, the pull-up transistor T112 outputs the ith emission control signal EMi corresponding to the high potential voltage VDD to the second output terminal n12 in response to the potential of the second Q node Q2 .

풀다운 트랜지스터들인 제13 및 제14 트랜지스터(T114)들은 서로 직렬로 연결되며, 제13 및 제14 트랜지스터(T114)들 각각의 게이트전극은 제2 QB노드(QB2)에 연결되고, 제13 트랜지스터(T113)의 제1 전극은 제2 출력단(n12)에 연결되며, 제14 트랜지스터(T114)의 제2 전극은 저전위전압(VSS)에 연결된다. 이에 따라서, 제13 및 제14 트랜지스터(T114)는 제2 QB노드(QB2)의 전위에 대응하여, 제2 출력단(n12)의 전위를 저전위전압(VSS)으로 방전한다. The thirteenth and fourteenth transistors T114 that are pull-down transistors are connected in series with each other, the gate electrode of each of the thirteenth and fourteenth transistors T114 is connected with the second QB node QB2 , and the thirteenth transistor T113 . ) is connected to the second output terminal n12 , and the second electrode of the fourteenth transistor T114 is connected to the low potential voltage VSS. Accordingly, the thirteenth and fourteenth transistors T114 discharge the potential of the second output terminal n12 to the low potential voltage VSS in response to the potential of the second QB node QB2 .

도 7은 도 6에 도시된 스테이지의 동작 타이밍도이다. 스테이지(STG1)의 동작 과정을 도 5 내지 도 7을 참조하여 살펴보면 다음과 같다. FIG. 7 is an operation timing diagram of the stage shown in FIG. 6 . An operation process of the stage STG1 will be described with reference to FIGS. 5 to 7 .

먼저, 스캔신호 생성부(140a)가 제1 스캔신호(Scan1)를 출력하는 과정을 살펴보면 다음과 같다. First, a process in which the scan signal generator 140a outputs the first scan signal Scan1 will be described as follows.

스타트신호(VST)는 제1 내지 제5 게이트클럭(GCLK1~GCLK5)과 동일한 위상을 갖는다. 제1 기간(t1) 동안에, 제1 및 제2 트랜지스터(T102)는 각각 하이레벨의 스타트신호(VST) 및 제5 게이트클럭(GCLK5)에 응답하여 턴-온되어서, 제1 Q노드(Q1)를 충전한다. The start signal VST has the same phase as the first to fifth gate clocks GCLK1 to GCLK5. During the first period t1, the first and second transistors T102 are turned on in response to the high-level start signal VST and the fifth gate clock GCLK5, respectively, and the first Q node Q1 to charge

제1 과도기 기간(t2) 이후에 제3 및 제4 기간(t4) 동안에, 제1 및 제2 트랜지스터(T102)는 다시 턴-온되고, 제1 Q노드(Q1)는 다시 충전된다. 제1 Q노드(Q1)는 제1 기간(t1)에 이어서 제3 및 제4 기간(t4) 동안에 충분히 충전되어서, 제3 게이트클럭(GCLK3)에 의해서 제1 Q노드(Q1)가 방전되기 이전까지 제6 트랜지스터(T106)는 턴-온 상태를 유지한다. 따라서 제6 트랜지스터(T106)는 제6 기간(t6) 이전까지 제1 게이트클럭(GCLK1)을 제1 출력단(n11)으로 출력한다. 제1 게이트클럭(GCLK1)은 제3 기간(t3), 제5 및 제6 기간(t6) 동안 하이레벨을 유지하고, 이에 따라서 제3 기간(t3), 제5 및 제6 기간(t6) 동안 제1 스캔신호(Scan1)는 하이레벨을 유지한다. During the third and fourth period t4 after the first transition period t2, the first and second transistors T102 are turned on again, and the first Q node Q1 is charged again. The first Q node Q1 is sufficiently charged during the third and fourth periods t4 following the first period t1 before the first Q node Q1 is discharged by the third gate clock GCLK3 Until the sixth transistor T106 is turned on. Accordingly, the sixth transistor T106 outputs the first gate clock GCLK1 to the first output terminal n11 before the sixth period t6. The first gate clock GCLK1 maintains a high level during the third period t3, the fifth and sixth periods t6, and accordingly, during the third period t3, the fifth and sixth periods t6. The first scan signal Scan1 maintains a high level.

제3 기간(t3)은 제1 게이트라인(GL1)의 초기화 기간(Ti)이고, 제5 기간(t5)은 제1 게이트라인(GL1)의 샘플링 기간(Ts)이며, 제6 기간(t6)은 제1 게이트라인(GL1)의 데이터기입 기간(Tw)이다. The third period t3 is the initialization period Ti of the first gate line GL1 , the fifth period t5 is the sampling period Ts of the first gate line GL1 , and the sixth period t6 is is the data writing period Tw of the first gate line GL1.

제6 기간(t6) 이후에, 제3 게이트클럭(GCLK3)은 하이레벨의 전위로 스윙되어서, 제4 트랜지스터(T104)는 턴-온된다. 따라서 제4 트랜지스터(T104)는 고전위전압(VDD)을 제1 QB노드(QB1)로 제공한다. 제1 QB노드(QB1)가 충전되어서 제7 트랜지스터(T107)는 턴-온되고, 제1 출력단(n11)의 전압은 저전위전압(VSS)으로 방전된다. 즉, 제7 기간(t7) 동안에 제1 출력단(n11)은 저전위전압(VSS)의 제1 스캔신호(Scan1)를 출력한다. 제7 기간(t7)은 제1 게이트라인(GL1)의 발광기간(Te)이다. After the sixth period t6, the third gate clock GCLK3 swings to a high level potential, so that the fourth transistor T104 is turned on. Accordingly, the fourth transistor T104 provides the high potential voltage VDD to the first QB node QB1. As the first QB node QB1 is charged, the seventh transistor T107 is turned on, and the voltage of the first output terminal n11 is discharged to the low potential voltage VSS. That is, during the seventh period t7 , the first output terminal n11 outputs the first scan signal Scan1 of the low potential voltage VSS. The seventh period t7 is the light emission period Te of the first gate line GL1 .

발광제어신호 생성부(140b)가 제1 발광제어신호(EM1)를 출력하는 과정을 살펴보면 다음과 같다. A process in which the light emission control signal generator 140b outputs the first light emission control signal EM1 is as follows.

제1 기간(t1) 동안에, 제11 트랜지스터(T111)는 제3 에미션클럭(ECLK3)에 의해서 턴-온되어서 스타트신호(VST)를 제13 및 제14 트랜지스터(T114)에 제공한다. 제1 기간(t1) 동안에 스타트신호(VST)는 하이레벨을 유지하기 때문에, 제13 및 제14 트랜지스터(T114)는 턴-온된다. 즉, 이전 프레임 기간의 발광기간(Te) 동안에 하이레벨을 유지하던 제2 출력단(n12)이 전위는 저전위전압(VSS)으로 방전된다. 따라서, 제j 프레임의 시작인 제1 기간(t1) 동안에는 저전위전압의 제1 발광제어신호(EM1)가 출력된다. During the first period t1 , the eleventh transistor T111 is turned on by the third emission clock ECLK3 to provide the start signal VST to the thirteenth and fourteenth transistors T114 . Since the start signal VST maintains a high level during the first period t1, the thirteenth and fourteenth transistors T114 are turned on. That is, the potential of the second output terminal n12 maintained at the high level during the light emission period Te of the previous frame period is discharged to the low potential voltage VSS. Accordingly, during the first period t1, which is the start of the j-th frame, the first emission control signal EM1 of the low potential voltage is output.

제1 과도기 기간(t2)이 이후에 제3 기간(t3) 동안에 제17 트랜지스터(T117)는 제5 에미션클럭(ECLK5)에 응답하여 턴-온되고, 제17 트랜지스터(T117)가 턴-온되어서 제2 QB노드(QB2)는 저전위전압(VSS)이 유지된다. During the third period t3 after the first transition period t2, the seventeenth transistor T117 is turned on in response to the fifth emission clock ECLK5, and the seventeenth transistor T117 is turned on. Thus, the second QB node QB2 maintains the low potential voltage VSS.

제5 기간(t5) 동안에, 제9 트랜지스터(T109)는 제1 에미션클럭(ECLK1)에 의해서 턴-온된다. 즉, 제9 트랜지스터(T109)는 하이레벨의 제1 에미션클럭(ECLK1)에 응답하여 고전위전압(VDD)을 제공받아서 제2 Q노드(Q2)를 충전한다. 제2 Q노드(Q2)가 충전됨에 따라서, 제12 트랜지스터(T112)는 턴-온되고, 고전위전압(VDD)은 제12 트랜지스터(T112)를 경유하여 제2 출력단(n12)으로 출력된다. 즉, 제5 기간(t5) 동안에 제2 출력단(n12)은 고전위전압(VDD)의 전압레벨을 갖는 제1 발광제어신호(EM1)를 출력한다. During the fifth period t5 , the ninth transistor T109 is turned on by the first emission clock ECLK1 . That is, the ninth transistor T109 receives the high potential voltage VDD in response to the high-level first emission clock ECLK1 to charge the second Q node Q2 . As the second Q node Q2 is charged, the twelfth transistor T112 is turned on, and the high potential voltage VDD is output to the second output terminal n12 via the twelfth transistor T112. That is, during the fifth period t5 , the second output terminal n12 outputs the first emission control signal EM1 having a voltage level of the high potential voltage VDD.

제6 기간(t6) 동안에, 제15 및 스캔동기화 트랜지스터(T115,T116) 각각은 에미션리셋(ERST) 및 고전위의 제1 스캔신호(Scan1)에 응답하여 턴-온된다. 따라서, 제2 QB노드(QB2)는 충전되고, 이에 따라서 제13 및 제14 트랜지스터(T113,T114)는 턴-온된다. 제13 및 제14 트랜지스터(T113,T114)가 턴-온 되어서, 제5 기간(t5) 동안에 고전위전압(VDD)의 전압레벨을 출력하던 제2 출력단(n12)은 저전위전압(VSS)으로 방전된다. 즉, 제6 기간(t6) 동안에, 고전위의 에미션리셋(ERST) 및 고전위의 제1 스캔신호(Scan1)는 제1 발광제어신호(EM1)를 저전위로 방전하면서, 제2 출력단(n12)을 초기화한다.During the sixth period t6, each of the fifteenth and scan synchronization transistors T115 and T116 is turned on in response to the emission reset ERST and the first scan signal Scan1 having a high potential. Accordingly, the second QB node QB2 is charged, and accordingly, the thirteenth and fourteenth transistors T113 and T114 are turned on. As the thirteenth and fourteenth transistors T113 and T114 are turned on, the second output terminal n12, which outputs the voltage level of the high potential voltage VDD during the fifth period t5, is converted to the low potential voltage VSS. discharged That is, during the sixth period t6, the high potential emission reset ERST and the high potential first scan signal Scan1 discharge the first emission control signal EM1 to a low potential, while the second output terminal n12 ) is initialized.

제7 기간(t7) 동안에, 제9 트랜지스터(T109)는 다시 고전위 전압레벨의 제1 에미션클럭(ECLK1)에 응답하여 고전위전압(VDD)을 제2 출력단(n12)으로 출력한다. During the seventh period t7, the ninth transistor T109 again outputs the high potential voltage VDD to the second output terminal n12 in response to the first emission clock ECLK1 having the high potential voltage level.

또한, 제7 기간(t7) 동안에, 제19 트랜지스터(T119)는 고전위 전압레벨의 제2 에미션클럭(ECLK2)에 응답하여 턴-온되고 제2 QB노드(QB2)를 저전위로 유지한다. 즉, 제7 기간(t7) 동안에 제19 트랜지스터(T119)는 제13 및 제14 트랜지스터(T114)를 턴-오프 상태로 유지시킨다. Also, during the seventh period t7, the nineteenth transistor T119 is turned on in response to the second emission clock ECLK2 having a high potential voltage level and maintains the second QB node QB2 at a low potential. That is, during the seventh period t7, the nineteenth transistor T119 maintains the thirteenth and fourteenth transistors T114 in the turned-off state.

그리고 발광기간(Te동안에 제6 단자(6) 및 제8 단자(8)는 각각 일정한 간격으로 제2 에미션클럭(ECLK2) 및 제5 에미션클럭(ECLK5)을 입력받는다. 즉, 발광기간(Te) 동안에 제17 트랜지스터(T117) 및 제19 트랜지스터(T119)는 교번적으로 턴-온되어서, 제2 QB노드(QB2)를 저전위전압으로 유지하고, 이에 따라서 제13 및 제14 트랜지스터(T114)가 턴-온되는 것을 억제한다. 즉, 제2 및 제5 에미션클럭(ECLK2,ECLK5)은 발광기간(Te) 동안에 제2 출력단(n12)을 통해서 안정적으로 고전위의 제1 발광제어신호(EM1)가 출력되도록 한다. In addition, during the light emission period Te, the sixth terminal 6 and the eighth terminal 8 receive the second emission clock ECLK2 and the fifth emission clock ECLK5 at regular intervals, respectively. That is, the light emission period ( During Te), the seventeenth transistor T117 and the nineteenth transistor T119 are alternately turned on to maintain the second QB node QB2 at a low potential voltage, and accordingly, the thirteenth and fourteenth transistors T114 . (EM1) is output.

발광기간(Te) 동안에 제1 스캔신호(Scan1)는 저전위를 유지하기 때문에 제2 QB노드(QB2)는 플로팅(floating) 상태가 된다. 따라서 발광기간(Te) 동안에 제2 QB노드(QB2)의 전위는 불안정한 상태일 수 있는데, 제1 실시 예의 쉬프트 레지스터(140)는 제2 및 제5 에미션클럭(ECLK2~ECLK5)을 이용하여 발광기간(Te) 동안에 제2 QB노드(QB2)의 전위를 안정화시킬 수 있다. 따라서, 제1 실시 예의 쉬프트 레지스터(140)는 발광기간(Te) 동안에 제2 출력단(n12)을 통해서 안정적으로 고전위의 제1 발광제어신호(EM1)를 출력한다.Since the first scan signal Scan1 maintains a low potential during the light emission period Te, the second QB node QB2 is in a floating state. Therefore, during the light emission period Te, the potential of the second QB node QB2 may be in an unstable state. The shift register 140 of the first embodiment emits light using the second and fifth emission clocks ECLK2 to ECLK5. During the period Te, the potential of the second QB node QB2 may be stabilized. Accordingly, the shift register 140 according to the first embodiment stably outputs the first emission control signal EM1 having a high potential through the second output terminal n12 during the emission period Te.

상술한 바와 같이 발광제어신호 생성부(140b)의 제2 풀업 트랜지스터(T112)는 가변전압단자(6)를 통해서 가변전압(VAC)을 출력단(n12)으로 출력한다. 가변전압(VAC)은 도 3에 도시된 바와 같이 영상표시기간 이전에는 저전위상태를 유지한다. 일례로 전원이 공급되는 시점에는 기저전압(GND)을 유지하며, 일정기간 이후에는 네거티브 바이어스(negative bias)를 유지한다. As described above, the second pull-up transistor T112 of the emission control signal generator 140b outputs the variable voltage VAC to the output terminal n12 through the variable voltage terminal 6 . The variable voltage VAC maintains a low potential state before the image display period as shown in FIG. 3 . For example, the ground voltage GND is maintained when power is supplied, and a negative bias is maintained after a certain period of time.

영상표시기간 이전에는 제2 풀업 트랜지스터(T112) 및 클럭 응답 트랜지스터(T109)는 동작하지 않는 상태를 유지하여야 한다. 하지만, 트랜지스터의 게이트-소스 전위는 불특정 상태이기 때문에 의도치 않게 동작할 수 있다. 영상표시기간 이전에 클럭 응답 트랜지스터(T109)가 동작하면, 제2 Q노드(Q2)는 가변전압을 제공받는다. 따라서 가변전압이 하이레벨전압이면 영상표시기간에도 제2 Q노드(Q2)가 충전될 수 있다. 제2 Q노드(Q2)가 충전되면 제2 풀업 트랜지스터(T112) 역시 동작하여 가변전압(VAC)을 제2 출력단(n12)으로 출력한다. 즉, 가변전압(VAC)이 하이레벨의 전압이면, 클럭 응답 트랜지스터(T109)의 오동작에 의해서 하이레벨의 발광제어신호(EM)가 출력될 수 있다. 그리고 발광제어신호(EM)가 하이레벨로 출력되는 동안에 구동트랜지스터(DT) 역시 오동작을 일으키면 유기발광다이오드(OLED)가 동작하여 발광한다. 즉, 영상표시기간 이전에 화소(P)가 발광하여 깜박거림 현상이 발생할 수 있다. Before the image display period, the second pull-up transistor T112 and the clock response transistor T109 must remain in a non-operational state. However, since the gate-source potential of the transistor is in an unspecified state, it may operate unintentionally. When the clock response transistor T109 operates before the image display period, the second Q node Q2 receives the variable voltage. Therefore, if the variable voltage is a high level voltage, the second Q node Q2 may be charged even during the image display period. When the second Q node Q2 is charged, the second pull-up transistor T112 also operates to output the variable voltage VAC to the second output terminal n12 . That is, when the variable voltage VAC is a high level voltage, a high level light emission control signal EM may be output due to a malfunction of the clock response transistor T109 . In addition, if the driving transistor DT also malfunctions while the emission control signal EM is output at a high level, the organic light emitting diode OLED operates and emits light. That is, the pixel P emits light before the image display period, and flickering may occur.

하지만, 본 발명은 영상표시기간 이전에는 가변전압(VAC)의 전위를 저전위전압으로 유지한다. 특히, 일정기간 이상 네거티브 바이어스를 유지하기 때문에 클럭 응답 트랜지스터(T109)가 오동작한다고 할지라도 제2 Q노드(Q2)는 충전되지 않는다. 제2 Q노드(Q2)가 충전되지 않기 때문에 제2 풀업 트랜지스터(T112)는 동작하지 않아서, 제2 출력단(n12)은 발광제어신호(EM)를 출력하지 않는다. 또한, 제2 풀업 트랜지스터(T112)가 오동작한다고 할지라도 영상표시기간 이전에는 가변전압(VAC)이 저전위전압이기 때문에 제2 출력단(n12)은 하이레벨의 발광제어신호(EM)를 출력하지 않는다. However, in the present invention, the potential of the variable voltage VAC is maintained as a low potential voltage before the image display period. In particular, even if the clock response transistor T109 malfunctions because the negative bias is maintained for more than a predetermined period, the second Q node Q2 is not charged. Since the second Q node Q2 is not charged, the second pull-up transistor T112 does not operate, and thus the second output terminal n12 does not output the emission control signal EM. Also, even if the second pull-up transistor T112 malfunctions, the second output terminal n12 does not output the high-level light emission control signal EM because the variable voltage VAC is a low potential voltage before the image display period. .

이와 같이, 본 발명은 영상표시기간 이전에 발광제어신호(EM)가 출력되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 도 2에 도시된 고전위전압(VDD)과 구동트랜지스터(DT) 간의 전류 경로를 확실하게 차단할 수 있다. 따라서, 영상표시기간 이전에 유기발광다이오드(OLED)가 발광하여 깜빡거림 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, since the present invention can prevent the emission control signal EM from being output before the image display period, the current path between the high potential voltage VDD and the driving transistor DT shown in FIG. can be blocked Accordingly, it is possible to prevent the organic light emitting diode (OLED) from emitting light before the image display period and causing the flickering phenomenon to occur.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention can be changed to other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that this may be practiced. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the above detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (6)

유기발광다이오드;
고전위전압원으로부터 제공받는 고전위전압을 드레인전극으로 입력받아서 상기 유기발광다이오드에 제공되는 구동전류를 제어하는 구동트랜지스터;
상기 구동트랜지스터의 드레인전극과 고전위전압원 사이에 위치하며, 게이트전극으로 제공받는 발광제어신호에 응답하여 상기 고전위전압원과 상기 구동트랜지스터의 드레인전극을 연결하는 제1 트랜지스터; 및
상기 발광제어신호를 출력하는 스테이지를 포함하고,
상기 스테이지는
스캔신호 생성부; 및
전원 입력 이후부터 영상표시기간 이전까지 저전위전압을 유지하는 가변전압을 가변전압단자로 입력받고, 에미션클럭에 응답하여 상기 가변전압을 출력하는 발광제어신호 생성부를 포함하고,
상기 발광제어신호 생성부는
게이트전극으로 에미션클럭을 제공받고, 제1 전극이 상기 가변전압단자에 연결되며, 제2 전극이 Q노드에 연결되는 클럭응답 트랜지스터;
게이트전극이 상기 Q노드에 연결되고, 제1 전극이 상기 가변전압단자에 연결되며, 제2 전극이 출력단에 연결되는 풀업 트랜지스터; 및
게이트전극으로 상기 스캔신호 생성부의 출력을 제공받고, 제1 전극이 상기 출력단에 연결되며, 제2 전극이 저전위전압원에 연결되는 풀다운 트랜지스터를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
organic light emitting diode;
a driving transistor receiving a high potential voltage provided from a high potential voltage source to a drain electrode and controlling a driving current provided to the organic light emitting diode;
a first transistor positioned between the drain electrode of the driving transistor and the high potential voltage source and connecting the high potential voltage source and the drain electrode of the driving transistor in response to a light emission control signal provided to the gate electrode; and
a stage for outputting the light emission control signal;
the stage is
scan signal generator; and
and a light emission control signal generator configured to receive a variable voltage maintaining a low potential voltage from a power input to before an image display period through a variable voltage terminal and output the variable voltage in response to an emission clock,
The light emission control signal generating unit
a clock response transistor receiving an emission clock to a gate electrode, a first electrode connected to the variable voltage terminal, and a second electrode connected to a Q node;
a pull-up transistor having a gate electrode connected to the Q node, a first electrode connected to the variable voltage terminal, and a second electrode connected to an output terminal; and
and a pull-down transistor receiving an output of the scan signal generator as a gate electrode, a first electrode connected to the output terminal, and a second electrode connected to a low potential voltage source.
제 1 항에 있어서,
상기 가변전압은 영상표시기간 이전까지 적어도 일정기간 동안 네거티브 바이어스를 유지하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The variable voltage maintains a negative bias for at least a predetermined period before an image display period.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 유기발광다이오드 표시장치는
게이트전극을 통해서 제(n-1) 스캔신호를 입력받고, 제1 전극이 초기화라인에 연결되며, 제2 전극이 상기 구동트랜지스터의 소스전극에 연결되는 제2 트랜지스터; 및
게이트전극을 통해서 제n 스캔신호를 입력받고, 제1 전극이 데이터라인에 연결되며, 제2 전극이 상기 구동트랜지스터의 게이트전극에 연결되는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device
a second transistor receiving a (n-1)th scan signal through a gate electrode, a first electrode connected to an initialization line, and a second electrode connected to a source electrode of the driving transistor; and
The organic light emitting diode display further comprising a third transistor receiving an nth scan signal through a gate electrode, a first electrode connected to a data line, and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor.
제 4 항에 있어서,
상기 초기화라인은 영상표시기간 이전까지 기저전압을 제공하는 유기발광다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
The initialization line is an organic light emitting diode display that provides a base voltage before an image display period.
제 4 항에 있어서,
상기 데이터라인은 영상표시기간 이전까지 기저전압을 제공하는 유기발광다이오드 표시장치.
5. The method of claim 4,
The data line is an organic light emitting diode display that provides a base voltage before an image display period.
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