KR102298428B1 - 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법 - Google Patents

하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102298428B1
KR102298428B1 KR1020190086102A KR20190086102A KR102298428B1 KR 102298428 B1 KR102298428 B1 KR 102298428B1 KR 1020190086102 A KR1020190086102 A KR 1020190086102A KR 20190086102 A KR20190086102 A KR 20190086102A KR 102298428 B1 KR102298428 B1 KR 102298428B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
beamlet
charged particle
blanking
particle beam
blanking deflector
Prior art date
Application number
KR1020190086102A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200008971A (ko
Inventor
벤자민 존 쿡
디터 윙클러
Original Assignee
아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 filed Critical 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하
Publication of KR20200008971A publication Critical patent/KR20200008971A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102298428B1 publication Critical patent/KR102298428B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448—Secondary particle detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2801—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

다중-빔 하전 입자 빔 디바이스가 설명된다. 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스는, 1차 하전 입자 빔을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원; 1차 하전 입자 빔의 적어도 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 생성하도록 구성된 개구부들을 갖는 애퍼쳐 배열체; 및 블랭킹 디바이스를 포함하고, 블랭킹 디바이스는, 적어도, 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기; 및 제1 블랭킹 편향기를 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는 제1 차폐 요소를 갖는 차폐 조립체를 포함한다.

Description

하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법{CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, MULTI-BEAM BLANKER FOR A CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING A CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE}
본 개시내용의 실시예들은 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 특히, 다중-빔 단일 컬럼 하전 입자 빔 디바이스의 빔렛 당 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 전자 빔 검사(EBI)에 관한 것이다.
하전 입자 빔 디바이스는, 전자 빔 검사(EBI), 제조 동안 반도체 디바이스들의 임계 치수(CD) 측정들, 제조 동안의 반도체 디바이스들의 결함 검토(DR), 리소그래피를 위한 노광 시스템들, 검출 디바이스 및 시험 시스템들을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 복수의 산업 분야들에서 많은 기능들을 갖는다. 따라서, 마이크로미터 및 나노미터 규모 내의 시료들을 구조화, 시험 및 검사하는 것에 대한 요구가 높다. 마이크로미터 및 나노미터 규모의 프로세스 제어, 검사 또는 구조화는, 하전 입자 빔 디바이스들, 예컨대, 전자 현미경들에서 생성되고 집속되는 하전 입자 빔들, 예를 들어, 전자 빔들을 이용하여 행해질 수 있다. 하전 입자 빔들은, 짧은 파장들로 인해, 예를 들어, 광자 빔들과 비교하여 우수한 공간 분해능을 제공한다.
높은 처리량의 전자 빔 검사(EBI) 시스템들은, 하전 입자 빔 디바이스의 단일 컬럼 내부에 다수의 1차 하전 입자 빔들을 생성, 집속 및 주사할 수 있는 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스들, 예컨대, 전자 현미경들을 활용할 수 있다. 샘플은 집속된 1차 하전 입자 빔들 또는 빔렛들의 어레이에 의해 주사될 수 있으며, 이는 차례로, 다수의 신호 하전 입자 빔들을 생성한다. 개별적인 신호 하전 입자 빔들은 검출 요소들 상에 맵핑될 수 있다.
높은 분해능의 단일 빔 전자 검사의 처리량이 한계에 도달하고 있다. 다수의 전자 빔들에 의해 해결책이 제공될 수 있다. 일반적으로, 상이한 접근법들, 즉, 다수의 단일-빔 컬럼들, 다수의 하전 입자 빔렛들을 갖는 단일 컬럼, 또는 다수의 하전 입자 빔렛들을 갖는 다수의 컬럼들을 제공하는 접근법들이 존재한다.
하전 입자 검사 시스템들은 샘플 또는 시료 상의 비전도성 영역들을 하전시키는 경향이 있다. 비전도성 영역들의 하전은 주위 전도성 영역들에 대한 이미지화 특성들의 이미지 열화를 야기할 수 있다. 게다가, 민감한 영역들은 전자 빔 조사에 의해 손상될 수 있다.
상기 내용을 고려하여, 관련 기술분야의 문제점들 중 적어도 일부를 극복하는, 개선된 하전 입자 빔 디바이스들 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 개선된 방법들이 유리하다.
상기 내용을 고려하여, 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다수의 빔들을 위한 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가의 양상들, 이익들, 및 특징들은 청구항들, 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
본 개시내용의 양상에 따르면, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스가 제공된다. 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스는, 1차 하전 입자 빔을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원; 1차 하전 입자 빔의 적어도 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 생성하도록 구성된 개구부들을 갖는 애퍼쳐 배열체; 및 블랭킹 디바이스를 포함하고, 블랭킹 디바이스는, 적어도, 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기; 및 제1 블랭킹 편향기를 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는 제1 차폐 요소를 갖는 차폐 조립체를 포함한다.
본 개시내용의 양상에 따르면, 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 1차 하전 입자 빔을 생성하는 단계; 1차 하전 입자 빔으로부터 제1 빔렛을 그리고 1차 하전 입자 빔으로부터 제2 빔렛을 생성하는 단계; 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 시료에 걸쳐 주사하는 단계; 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드를 이용하여 제1 빔렛을 블랭킹하는 단계; 및 제2 빔렛으로의 누화를 감소시키기 위해 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드를 차폐하는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고 이하에 설명된다:
도 1a는 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 1b는 본원에 설명된 실시예들에 따른 추가의 하전 입자 빔 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른 차폐 조립체를 갖는 블랭킹 디바이스의 개략도를 도시하고, 여기서 빔 분할기 및 블랭킹 디바이스가 제공되며;
도 3a는 본원에 설명된 실시예들에 따른 차폐 조립체를 갖는 블랭킹 디바이스의 개략도를 도시하고, 여기서 빔 분할기 및 블랭킹 디바이스의 추가의 배열체가 제공되며;
도 3b는 본원에 설명된 실시예들에 따른 차폐 조립체를 갖는 블랭킹 디바이스의 개략도를 도시하고, 여기서 빔 분할기 및 블랭킹 디바이스의 추가의 배열체가 제공되며;
도 3c는 본원에 설명된 실시예들에 따른 차폐 조립체를 갖는 블랭킹 디바이스의 개략도를 도시하고, 여기서 블랭킹 디바이스의 더 추가의 배열체가 제공되며;
도 4는 본원에 설명된 실시예들에 따른 블랭킹 편향기의 개략도를 도시하고;
도 5a 및 5b는 본원에 설명된 실시예들에 따른 정전 다중극자 디바이스, 예컨대, 블랭킹 편향기의 개략도들을 도시하고;
도 6은, 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법의 흐름도를 도시하고;
도 7a 및 7b는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스와 함께 사용될 수 있는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 빔 덤프의 개략도들을 도시한다.
본 개시내용의 다양한 실시예들에 대한 참조가 이제부터 상세히 이루어질 것이고, 그의 하나 이상의 예가 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 지칭한다. 개별 실시예들에 대한 차이점들만이 설명된다. 본 개시내용의 각각의 예는 설명으로서 제공되며, 본 개시내용의 제한을 의미하지 않는다. 또한, 일 실시예의 일부로서 예시 또는 설명된 특징들은, 더 추가의 실시예를 생성하기 위해, 다른 실시예들에 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것이 의도된다.
본 출원의 보호 범위를 제한하지 않고, 이하에서 하전 입자 빔 디바이스 또는 그의 구성요소들은 예시적으로, 전자들을 하전 입자들로서 사용하는 하전 입자 빔 디바이스로 지칭될 것이다. 그러나, 다른 유형들의 1차 하전 입자들, 예를 들어, 이온들이 사용될 수 있다. 하전 입자 빔(또한, "1차 하전 입자 빔"으로 지칭됨)에 의한 시료 또는 샘플의 조사 시에, 신호 하전 입자들, 예컨대, 2차 전자들(SE)이 생성되는데, 신호 하전 입자들은, 샘플의 토포그래피, 화학적 구성성분들 및/또는 정전기 전위 등에 관한 정보를 운반할 수 있다. 신호 전자들은 2차 전자들, 후방산란된 전자들 및 오제(Auger) 전자들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 신호 하전 입자들은 수집되고, 센서, 예를 들어, 신틸레이터, 핀 다이오드 등으로 안내될 수 있다.
본원에 설명된 실시예들에 따르면, 샘플 또는 시료 상의 비전도성 영역들의 하전은 전자 빔 이미지화 장치, 예를 들어, 전자 빔 검사 장치에 제공될 수 있다. 다중-빔 블랭커가 제공되고, 여기서 1차 하전 입자 빔들 또는 빔렛들은 개별적으로 블랭킹될 수 있다. 빔 블랭킹 디바이스는 전자 빔(들)을 블랭킹 및 블랭킹해제할 수 있다. 각각의 빔렛은 처리량을 최대화하기 위해 개별적으로 제어가능할 수 있다. 예를 들어, 리소그래피를 위한 빔 블랭커들과 비교하여, 디바이스는 고속이어야 하는데, 즉, 마이크로초 범위로, 즉, 단일 라인을 주사하기 위한 시간 규모 미만인 범위로 빔들을 블랭킹해야 한다. 또한, 하나의 빔렛을 블랭킹하는 것은 다른 빔렛들에 의해 획득된 이미지들에 영향을 미치지 않아야 하는데, 즉, 빔 블랭킹 요소들 간에 누화가 없어야 한다.
본 개시내용의 실시예들에 따르면, 공급원, 즉, 단일 공급원을 갖는 하전 입자 빔 컬럼이 제공된다. 복수의 하전 입자 빔렛들, 즉, 1차 하전 입자 빔렛들은, 하전 입자 빔 컬럼, 예를 들어, 다수의 빔렛들을 갖는 단일 컬럼 내에 생성된다. 복수의 하전 입자 빔렛들은 시료에 걸쳐 주사된다. 특히, 절연체와 검사될 영역 사이의 경계의 영역의 주사 시에, 복수의 빔렛들 중 하나가 절연체에 걸쳐 주사될 수 있고, 그러는 동안 복수의 빔렛들 중 다른 빔렛은 검사될 영역에 걸쳐 주사된다. 절연체, 예를 들어, 강한 절연체에 걸쳐 주사하면, 시료의 하전이 발생할 수 있다. 시료의 하전은, 제공될 이미지에 하전 인공물들을 야기할 수 있다. 이에 따라, 절연체에 걸쳐 주사되는 빔렛들 중 하나 이상이 블랭킹될 수 있다. 다른 빔들의 주사가 제공될 수 있다.
실시예에 따르면, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스가 제공된다. 디바이스는, 1차 하전 입자 빔을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원; 1차 하전 입자 빔의 적어도 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 생성하도록 구성된 개구부들을 갖는 애퍼쳐 배열체; 및 블랭킹 디바이스를 포함하고, 블랭킹 디바이스는; 적어도, 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기; 및 제1 블랭킹 편향기를 적어도 부분적으로 둘러싸는 제1 차폐 요소를 갖는 차폐 조립체를 포함한다. 차폐 조립체는 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기로부터 제2 빔렛, 즉, 제1 빔렛과 상이한 빔렛으로의 누화를 감소시키도록 구성된다.
도 1a는 본원에 설명된 실시예들에 따른 하전 입자 빔 디바이스(100)의 개략도를 도시한다. 하전 입자 빔 디바이스(100)는 전자 현미경, 예컨대, 주사 전자 현미경(SEM)일 수 있다. 하전 입자 빔 디바이스(100)는 컬럼 하우징(101)을 갖는 컬럼을 포함한다.
하전 입자 빔 디바이스(100)는, (1차) 하전 입자 빔(14)을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원(20), 집속 렌즈 배열체(110), 1차 하전 입자 빔(14)의 2개 이상의 빔렛들(14A, 14B, 14C)을 생성하도록 구성된 애퍼쳐 배열체(120), 및 2개 이상의 빔렛들(14A, 14B, 14C)에 대해 작용하도록, 특히, 제1 빔렛 및 제2 빔렛에 대해 개별적으로 작용하도록 구성된 다중극자 배열체(130)를 포함한다. 애퍼쳐 배열체(120)는 복수의 개구부들(122)을 포함한다. 다중극자 배열체(130)는 2개 이상의 빔렛들에 대해 작용하도록 구성될 수 있다. 집속 렌즈 배열체(110)는 자기 집속 렌즈 또는 정전 집속 렌즈, 또는 조합된 자기 정전 자석 집속 렌즈를 포함할 수 있다. 빔렛들의 확대 및/또는 전류는 집속 렌즈 배열체에 의해 제어될 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 집속 렌즈 배열체는 하나 이상의 집속 렌즈, 예컨대, 단일 집속 렌즈 또는 둘 이상의 집속 렌즈들을 포함한다. 집속 렌즈 배열체는 교차가 있는 빔 경로 및/또는 교차가 없는 빔 경로를 제공하도록 구성될 수 있다. 집속 렌즈 배열체(110)는 초점 거리를 변경하는 것 및 애퍼쳐 배열체(120)의 조명 각도를 변경하는 것 중 적어도 하나를 위한 조정가능한 렌즈 여기를 가질 수 있다. 예를 들어, 집속 렌즈 배열체에는 가변 공급원 확대 및/또는 축소를 가능하게 하는 초점 거리 변화를 위한 제어가능한 렌즈 여기가 제공될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 집속 렌즈 배열체에는 애퍼쳐 배열체 및/또는 다중극자 배열체(예를 들어, 편향기 어레이)의 조명 각도를 제어하기 위해 제어가능한 렌즈 여기가 제공될 수 있다. 일부 구현들에서, 집속 렌즈 배열체(110)는 애퍼쳐 배열체(120)의 본질적으로 평행한 조명을 제공할 수 있다.
애퍼쳐 어레이(120)는 하전 입자 공급원에 의해 방출된 1차 빔을 1차 빔렛들로 분리한다. 애퍼쳐 어레이는 빔 분할기의 일부로서 간주될 수 있고, 예를 들어, 접지 전위에 있을 수 있다. 빔 분할기는 "주" 빔을 다수의 빔렛들로 분리한다. 다중극자 배열체(130)는 빔렛들을 대물 렌즈의 코마없는 평면으로 지향시킬 수 있다. 애퍼쳐 배열체(120)의 개구부, 그리고 따라서, 빔렛들은 어레이 형태 또는 링 형태로 배열될 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 하나의 단일 하전 입자 공급원이 제공될 수 있다. 하전 입자 공급원(20)은 고휘도 건일 수 있다. 예를 들어, 하전 입자 공급원(20)은, 콜드 필드 방출기(CFE), 쇼트키(Schottky) 방출기, TFE 또는 다른 고휘도 e-빔 공급원을 포함하는 군으로부터 선택될 수 있다. 공급원은 - 30 kV의 전위에 있을 수 있고, 방출된 전자들은 접지에 유지된 애노드 및 추출기 전극에 의해 30 keV의 에너지까지 가속된다. 공급원은, 예를 들어, 30 kV 추출 전압에서, ~ 40 mrad의 각도까지 균일한 조명을 제공하도록 구성될 수 있다.
집속 렌즈 배열체(110)는 (1차) 하전 입자 빔(14), 예컨대, 전자 빔을 이용하여 애퍼쳐 배열체(120)를 조명한다. 결과로 생성된 2개 이상의 빔렛들(14A, 14B, 및 14C)은, 2개 이상의 빔렛들(14A, 14B, 및 14C)이, 상이한 공급원들로부터 나오는 것으로 보이도록, 다중극자 배열체(130)의 편향기들(6A, 6B 및 6C)을 사용하여 편향될 수 있다. 예를 들어, 빔렛들의 전자들은, 광학 축(4)에 수직인, 하전 입자 공급원(20)의 평면(21)에서의 상이한 위치들로부터 방출되는 것으로 보인다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 공급원에 의해 제공된 전자들은 가상의 공급원들로부터 나오는 것으로 보인다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 빔 분리기(114), 즉, 1차 빔렛들을 신호 빔렛들로부터 분리하는 분리기는 자기 편향기들, 또는 자기 편향기와 정전 편향기의 조합, 예를 들어, 빈(Wien) 필터에 의해 제공될 수 있다. 주사 편향기(12)는 빔 또는 빔렛들을 샘플(8)의 표면에 걸쳐 주사할 수 있다. 1차 빔렛들, 즉, 2개 이상의 빔렛들은 공통 대물 렌즈를 사용하여 시료 또는 샘플(8) 상에 집속된다. 1차 빔렛들은 대물 렌즈(10)의 하나의 개구부를 통과할 수 있다. 샘플(8)은, 샘플(8)을 광학 축(4)에 수직인 적어도 하나의 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있는 샘플 스테이지(7) 상에 제공된다. 편향기들(6A-6C), 예를 들어, 정전 다중극자 디바이스들, 및 대물 렌즈(10)의 조합된 효과들로 인해, 각각이 빔렛들 중 하나에 대응하는 다수의 스폿들(빔 공급원(2)의 이미지들)이 시료 또는 샘플(8) 상에 생성된다.
본원에 언급되는 바와 같은 "샘플" 또는 "시료"는 반도체 웨이퍼들, 반도체 작업물들, 및 다른 작업물들, 예컨대, 메모리 디스크들 등을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 본 개시내용의 실시예들은, 물질이 증착된 임의의 작업물 또는 구조화된 임의의 작업물에 적용될 수 있다. 전자 빔에 의한 샘플(8)의 조사 시에, 신호 하전 입자들, 예컨대, 2차 전자들(SE)이 생성되는데, 신호 하전 입자들은, 샘플의 토포그래피, 화학적 구성성분들 및/또는 정전기 전위 등에 관한 정보를 운반할 수 있다. 신호 하전 입자들은 수집되고 검출기 디바이스로 안내될 수 있는데, 검출기 디바이스는 센서, 예를 들어, 신틸레이터, 핀 다이오드 등일 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 대물 렌즈(10)는, 특히, 컬럼 내의 에너지를 컬럼 내의 높은 에너지로부터 더 낮은 랜딩 에너지로 감소시키는 정전 렌즈를 갖는 정전 자기 복합 렌즈일 수 있다. 컬럼 에너지로부터 랜딩 에너지로의 에너지 감소는 적어도 10배, 예를 들어, 적어도 30배일 수 있다.
일부 구현들에서, 샘플(8)에 제공된 전위를 포함하는 지연 필드가 제공될 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가의 구현들에 따르면, 컬럼이 접지 전위에 있고 하전 입자 공급원(20) 및 샘플(8)이 고전위에 있는 구성이 제공될 수 있다. 예를 들어, 컬럼 구성요소들 중 대부분 또는 전부가 접지 전위에 제공될 수 있다.
예를 들어, 도 1a에 도시된 바와 같이, 복수의 또는 모든 1차 빔렛들이 공통 주사 편향기를 사용하여 샘플(8)의 표면에 걸쳐 주사될 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 주사 편향기(12)는 대물 렌즈(10) 내에 있거나 대물 렌즈(10)에 가까울 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 주사 편향기(12)는 정전 및/또는 자기 팔중극자일 수 있다.
도 1a에 도시된 하전 입자 빔 디바이스(100)는 신호 전자 광학계를 포함한다. 샘플(8)로부터 방출되거나 샘플(8)로부터 후방산란된 입자들은, 샘플(8)에 관한 정보를 운반하는 신호 빔렛들을 형성한다. 정보는 샘플(8)의 토포그래피, 화학적 구성성분들, 정전기 전위 등에 관한 정보를 포함할 수 있다. 신호 빔렛들은 빔 분리기(114)를 사용하여 1차 빔렛들로부터 분리된다. 빔 만곡기(도시되지 않음)가 선택적으로 제공될 수 있다. 빔 분리기는, 예를 들어, 적어도 하나의 자기 편향기, 빈 필터, 또는 임의의 다른 디바이스들을 포함할 수 있고, 여기서 전자들은, 예를 들어, 로렌츠 힘에 따른 속도로 인해 1차 빔으로부터 멀어지는 방향으로 지향된다.
도 1b는, 1차 빔렛들과 신호 빔렛들 사이의 빔 분리를 포함하는, 컬럼의 다른 빔 경로를 도시한다. 빔 분리기(114)는 자기 편향기로서 제공될 수 있다. 추가의 자기 편향기(115)가 제공된다. 2개의 자기 편향기들은 빔렛들을 반대 방향들로 편향시킨다. 빔렛들은 제1 자기 편향기(115)에 의해 경사질 수 있고 제2 자기 편향기에 의해 대물 렌즈의 광학 축(4)(예를 들어, 도 1a 및 1b에서 수직)과 정렬될 수 있다. 신호 빔렛들은, 대물 렌즈를 통해, 신호 빔렛들을 1차 빔렛들로부터 분리시키는 빔 분리기(114)까지 복귀한다.
신호 빔렛들은 집속 렌즈(172)에 의해 집속될 수 있다. 집속 렌즈(172)는 신호 빔렛들을 검출기 조립체(170)의 검출기 요소들, 예컨대, 센서들, 신틸레이터들, 핀 다이오드들 등 상에 집속한다. 예를 들어, 검출기 조립체는 제1 빔렛에 의해 생성된 제1 신호 빔렛을 검출하기 위한 제1 센서 및 제2 빔렛에 의해 생성된 제2 신호 빔렛을 검출하기 위한 제2 센서를 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 2차 빔렛들의 집속은 확대 및 회전의 교정을 가능하게 하는 렌즈 시스템에 의해 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 하나 이상의 편향기(174, 176)가 신호 빔렛들의 경로를 따라 제공된다.
본원에 설명된 실시예들에 따르면, 다중-빔렛 컬럼에는, 다수의 빔들, 예컨대, 2개 이상, 또는 5개 이상, 또는 8개 이상, 일부 예들에 따르면 최대 200개의 빔들이 제공된다. 다중-빔렛 컬럼은, 다중-빔렛 컬럼이 다중-컬럼 시스템에 또한 배열될 수 있도록 구성된다.
본원에 설명된 실시예들에 따르면, 시료, 예를 들어, 웨이퍼 상의 피치, 즉, 시료 상의 2개의 1차 빔렛들 사이의 최소 거리는 10 ㎛ 이상, 예를 들어, 40 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다. 이에 따라, 실시예들은, 하나의 전자 광학 컬럼 내에 합리적인 개수의 1차 전자 빔렛들을 생성하는 다중-빔 디바이스를 제공하고, 여기서 컬럼을 통한 이동 시의 빔렛들 사이의 누화가 감소된다.
본 개시내용의 실시예들에 따르면, 다중-빔 블랭커가 제공된다. 도 1a는 블랭킹 디바이스(150)를 도시한다. 블랭킹 디바이스(150)는 개별 빔렛들을 블랭킹할 수 있다. 예를 들어, 도 1a는 빔렛들(14A, 14B 및 14C)을 도시하고, 여기서 빔렛(14B)은 블랭킹되며 다른 빔렛들은 블랭킹해제된다. 도 1a는, 애퍼쳐 배열체(120)의 하류에, 예를 들어, 직후에 있는 블랭킹 디바이스(150)를 도시한다. 블랭킹 디바이스(150)는 복수의 블랭커들을 포함한다. 도 1a는 블랭커들(15A, 15B, 15C)을 예시적으로 도시한다. 예를 들어, 블랭커들은 어레이 또는 링 상에 배열될 수 있다. 어레이 형태 또는 링 형태는 애퍼쳐 배열체(120)의 개구부들(122)의 어레이 형태 또는 링 형태(또는 다른 형태)에 대응한다. 블랭커들은 각각의 빔렛을 켜고 끌 수 있다. 빔이 블랭킹되면, 빔은 방사상 외측으로 빔 정지부(160)를 향해 편향될 수 있다. 빔 정지부는 하나 이상의 빔 덤프를 가질 수 있다.
본 개시내용의 실시예들에 따르면, 블랭킹 디바이스는 차폐 조립체(155)를 포함한다. 차폐 조립체는 누화를 감소시키거나 회피한다. 하나의 빔의 블랭커는, 다른 빔렛, 예를 들어, 이웃하는 빔렛에 대한 영향 또는 다른 빔렛의 편향이 감소되었거나 실질적으로 없다(<104 자릿수 감소되었다). 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 블랭킹 디바이스의 블랭커들은 고속이고, 이미지화 시스템, 예컨대, EBI 시스템에서 활용되기 위해, 블랭커에 의해 생성된 필드들의 영향은 강하게 억제된다. 이에 따라, 예를 들어, 블랭커들의 현저히 감소된 누화를 갖지 않는 리소그래피 시스템들의 블랭킹 디바이스들은 EBI에 적합하지 않을 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 특히, 개별 빔렛 블랭킹을 갖는, EBI 다중-빔 시스템을 위한 블랭킹 디바이스는 빔렛의 고속 블랭킹을 제공한다. 예를 들어, 빔렛은 10 ㎲ 이하 내에 블랭킹될 수 있다. 예를 들어, 블랭킹 편향기, 예를 들어, 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기는 복수의 라인들에 의해 편향기 요소들, 예를 들어, 전극들에 제공된 신호들을 이용하여 제어될 수 있다. 라인들은 전기 신호들을 편향기 요소들에 제공한다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 라인들은 높은 전도성 및 낮은 커패시턴스 라인들일 수 있다. 예를 들어, 라인들 및 편향기 요소, 즉, 편향기 전극의 조합의 커패시턴스는 100 pF 이하일 수 있다. 라인들(또는 전도체들)의 저항은 200 옴 이하일 수 있다. 더 추가의 실시예들에 따르면, 과도 신호들은 ㎲ 영역 내에 있는 것으로 범위가 정해질 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및/또는 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기는 낮은 저항 및 낮은 커패시턴스를 갖는 전도체들 또는 라인들에 의해 제어된다.
본 개시내용의 실시예들은 다중-빔 검사 컬럼을 제공하고, 여기서 빔렛들은 개별적으로 켜고 꺼질 수 있다. 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 블랭킹 디바이스(150)의 마이크로 블랭커들이 제공될 수 있다. 각각의 마이크로 블랭커는 빔렛 당 정전 쌍극자 필드를 생성하도록 구성된다. 활성화될 때, 정전 쌍극자 필드들은, 블랭킹된 빔렛이 웨이퍼에 더 이상 도달하지 않도록 빔렛을 블랭킹하는데, 즉, 빔렛을 주요 경로로부터 빔 덤프 또는 애퍼쳐 내로 조향한다. 본 개시내용의 실시예들에 따른 차폐 조립체를 포함하는 것은, 블랭킹 작동이, 블랭킹되지 않은 빔렛들에 의해 생성된 이미지에 영향을 미치지 않는 것을 허용한다. 블랭킹되지 않은 빔렛들은 그들의 원래 경로 상에 남는다.
본 개시내용의 실시예들에 따르면, 그리고 도 1a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 블랭킹 디바이스(150)는 (빔 분할기의 길이의 5배 내지 15배 내에 (예를 들어, 10배, 예컨대, 0.5*10= 5 mm) 가깝게 위치될 수 있다. 빔 분할기와 블랭킹 디바이스 사이의 작은 거리는 정렬 어려움들을 감소시키고, 2개의 요소들 사이의 정렬 편향기들을 제거할 수 있다.
더 추가의 실시예들에 따르면, 블랭킹 디바이스는 빔 분할기로서 광학 축을 따라 동일한 위치에 제공될 수 있다. 예를 들어, 다중극자 요소가 제공될 수 있고, 다수의 전극들이 빔렛들 위치 주위에 제공된다. 각각, 전극들 중 일부는 빔 블랭킹을 위해 역할을 할 수 있고, 전극들 중 일부는 빔 분할, 즉, 시료 상의 다수의 하전 입자 스폿들의 생성 또는 2개 이상의 가상 하전 입자 공급원들의 생성을 위해 역할을 할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가의 실시예들에 따르면, 블랭킹 편향기, 예를 들어, 제1 블랭킹 편향기는 제1 빔렛을 제2 빔렛으로부터 분할하고 제1 빔렛을 블랭킹하기 위한 다중극자 디바이스를 포함한다. 더 추가의 추가적인 또는 대안적인 수정들에 따르면, 다중극자 디바이스는, 예를 들어, 육중극자 필드들의 보정을 위해 또는 비점수차의 보정을 위해 수차 보정 필드들을 추가적으로 생성하도록 제어될 수 있다. 본원에 설명된 실시예들 중 임의의 실시예와 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 다중극자 디바이스에 의한 제1 빔렛 및 제2 빔렛의 분할은, 광학 축에 수직인 평면에서의 제1 빔렛 및 제2 빔렛의 가상 공급원들 또는 시료 상의 개별 빔렛 위치들 중 적어도 하나를 제공한다.
애퍼쳐 조립체 및 블랭킹 디바이스를 포함하는 배열체의 예시적인 실시예가 도 2에 도시된다. 빔 분할기, 예를 들어, 애퍼쳐 배열체 및 편향기는 제1 웨이퍼(201)에 의해 제공될 수 있다. 예를 들어, 빔 블랭커의 정전 편향기들을 포함하는 능동 부분은 웨이퍼(203)에 의해 제공될 수 있다. 웨이퍼(203)는 웨이퍼(202)에 의해 빔 분할기에 연결될 수 있는데, 예를 들어, 물리적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 빔렛 당 하나의 보어(222)가 제공될 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제4 웨이퍼(204)가 제공될 수 있다. 제4 웨이퍼(204)는 또한, 빔렛 당 추가의 보어(242)를 가질 수 있다. 4개의 웨이퍼들은, 예를 들어, 웨이퍼 당 < 5 미크론의 횡방향 정확도로 함께 정확하게 위치되고 접합될 수 있다. 웨이퍼(202)의 보어들(222) 및 웨이퍼(204)의 보어들(242)은 전도성 물질을 포함할 수 있거나 전도성 물질로 구성될 수 있다. 웨이퍼들(202 및 204)은 접지될 수 있다. 전도성 물질은 블랭킹된 빔과 이웃한 빔들 사이의 정전 누화에 대한 장벽으로서 작용할 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 블랭킹 디바이스는 제1 웨이퍼 상에 제공될 수 있고, 차폐 요소, 예컨대, 제2 (추가의) 차폐 요소는 제2 웨이퍼 상에 또는 제2 웨이퍼에 의해 제공될 수 있다. 제2 차폐 요소 및/또는 제3 차폐 요소는 제1 보어 직경을 가질 수 있고, 빔렛, 예를 들어, 제1 빔렛을 위한, 제1 보어 직경과 상이한 제1 애퍼쳐 직경을 갖는 하나 이상의 제1 애퍼쳐를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 따르면, 웨이퍼(202) 및/또는 웨이퍼(204)는 능동 블랭킹 요소와 동일한 길이(웨이퍼 두께)를 가질 수 있고, 규소 웨이퍼로 만들어질 수 있다. 이는 더 용이한 제조를 초래할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 그리고 제4 웨이퍼(204)에 대해 예시적으로 도시된 바와 같이, 애퍼쳐(244)가 제공될 수 있다. 애퍼쳐(244)는, 예를 들어, 보어(242)에 추가적으로 제공된다. 도 2는 웨이퍼(204)의 상부 측(일 측)에 있는 애퍼쳐(244)를 도시한다. 애퍼쳐들(244)은 제1 측, 제2 측, 또는 양쪽 측들에 제공될 수 있다. 애퍼쳐들은 누화를 더 감소시키도록 구성된다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 애퍼쳐는 웨이퍼의 애퍼쳐를 한정하는 빔보다 적어도 1.5배 더 클 수 있다.
도 2는 편향기들(211) 및 애퍼쳐들(214)을 갖는 제1 웨이퍼(201)를 도시한다. 웨이퍼(202)의 보어들(222) 및 웨이퍼(204)의 보어들(242)은 누화를 감소시키기 위해 차폐 조립체(155)의 차폐 요소들(245)을 제공한다. 웨이퍼(203)는 블랭킹 디바이스의 하류에 있는 빔 덤프를 향해 빔을 편향시키기 위한 블랭킹 편향기들(231)을 포함한다. 또한, 차폐 요소들(255)이 제공된다.
동적 및 정적 전기 신호들을 분리하는 것이 유리하다. 이에 따라, 빔 분할기의 편향기들(211) 및 블랭킹 디바이스의 블랭킹 편향기들(231)이 본 개시내용의 일부 실시예들에 따라 제공될 수 있다. 편향기(211) 상의 전압들은 일정할 수 있고, 블랭킹 편향기들은 빔렛을 빔 덤프로 조향하는 데에 사용될 수 있다. 예를 들어, 블랭커는 빔 분할기와 비교하여 더 강한 편향 필드를 가질 수 있다. 예를 들어, 빔렛들에 가까운 영역의 오염 및/또는 하전을 피하기 위해, 빔 덤프가 1차 빔렛들로부터 충분히 멀리 위치될 수 있기 때문에, 더 강한 블랭킹 편향기를 갖는 것이 유리하다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 블랭킹 편향기(231)의 블랭커 전극들은 편향기(211)의 전극들과 비교하여 함께 더 가까울 수 있다. 예를 들어, 본원에 설명된 실시예들은 블랭킹 편향기의 전극들 사이에 1 mm 이하, 예컨대, 0.5 mm 이하, 특히, 0.25 mm 이하의 개구부를 가질 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 블랭킹 디바이스는 더 큰 전압들을 활용할 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가의 실시예들에 따르면, 빔 분할기 및 블랭킹 디바이스의 배열체는 도 2와 관련하여 설명된 예로부터 벗어날 수 있다. 예를 들어, 제2 웨이퍼(202)는 제공되지 않을 수 있고 웨이퍼(201) 및 웨이퍼(203)는 서로 직접 접합될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 웨이퍼들은 비부착될(접합되지 않을) 수 있고, 인접 웨이퍼들 사이에 진공이 제공될 수 있다.
도 3a는 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예를 도시하며, 여기서 블랭킹 디바이스(150)는 빔 분할기(330)의 상류에 있다. 추가의 빔 제한 애퍼쳐들(344)이 제공될 수 있다. 빔 제한 애퍼쳐들은 블랭킹 편향기들(231) 상에 떨어지는 미주 전자들을 감소시키거나 방지할 수 있다.
본원에 설명된 실시예들에 따르면, 블랭킹 편향기들 및 빔 분할기의 편향기들이 빔렛마다 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 3a는 블랭킹 편향기들(231)을 도시한다. 블랭킹 편향기들은, 하류에 제공될 수 있는 빔 정지부 또는 빔 덤프를 향해 빔렛들을 조향하기 위해 쌍극자 필드를 생성하는 전극들을 포함한다(예를 들어, 도 1a 참고). 블랭킹 편향기들의 오염 및/또는 하전을 감소시키기 위해 빔 제한 애퍼쳐들(344)이 제공된다. 차폐 요소들(255)에 보어(242)가 제공된다. 차폐 요소들(255)은 빔렛들 사이의 누화를 감소시킨다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 블랭킹 편향기들은 차폐 요소들 사이에 제공되고/되거나 차폐 요소들에 의해 둘러싸일 수 있다. 예를 들어, 블랭킹 편향기들은 차폐 요소들에 제공된 보어에 제공될 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 예를 들어, 하전 입자 공급원의 방출기 팁이 시료 상에 이미지화되는 동안, 빔 분할기는 시료의 평면에 빔렛들을 분리할 수 있다. 다시 말해서, 가상 공급원들이 하전 입자 공급원의 평면에 생성될 수 있다. 더 추가로, 다양한 구현들에 따르면, 빔 분할기는 컬럼의 빔렛들에 대해 개별적으로 작용하는 복수의 다중극자 배열체에 의해, 빔렛들에 대해 작용하는 렌즈에 의해, 또는 다중극자 배열체와 렌즈의 조합에 의해 제공될 수 있다. 예를 들어, 렌즈는 1차 하전 입자 빔렛들의 초점 평면에 배열될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 렌즈는 가속 렌즈일 수 있다.
블랭킹 디바이스의 다른 예는 도 3b와 관련하여 설명될 수 있다. 블랭킹 편향기들(231) 및 빔 분할기의 편향기들(211)은 차폐 요소들(255)에 의해 둘러싸여 제공될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 빔 분할기의 편향기들 및 블랭킹 편향기들은 서로 전기적으로 격리될 수 있고/거나 상이한 물리적 실체들을 제공할 수 있다. 더 추가로, 빔 분할기의 편향기들은 블랭킹 디바이스의 일부를 형성할 수 있다. 예를 들어, 전극들은 빔 분할기의 편향기의 일부로서 그리고 블랭킹 편향기들(231)의 일부로서 활용될 수 있다. 블랭킹에 의해 누화가 생성되는 경우, 누화는 다중극자 분석에 의해 표현될 수 있다. 전형적으로, 가장 큰 성분들은 쌍극자 또는 사중극자(무수차화) 누화일 것이다. 이는, 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같은 편향기 전극들이 팔중극자들로서 제공되는 경우 보정될 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 블랭킹 디바이스는 빔 분할기의 일부일 수 있다. 편향기들(211)은 빔 분할을 위해 작동될 수 있거나, 빔렛들의 블랭킹을 위해, 특히, 빔렛들의 개별 블랭킹을 위해 블랭킹 편향기들(231)과 함께 활성화될 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 블랭킹 디바이스는 빔 분할기로서 광학 축(동일한 z 위치)을 따라 동일한 위치에 있을 수 있다. 편향기들은 빔 분할을 위해 작동될 수 있거나, 빔렛들의 블랭킹을 위해, 특히, 빔렛들의 개별 블랭킹을 위해 블랭킹 편향기들(231)로서 활성화될 수 있다. 블랭킹 및 분할을 위한 필드들은 중첩될 수 있다. 추가로, z 위치에서 동일 평면에 다양한 위치들을 갖는 상이한 편향기들이 활용될 수 있다. 편향기들 중 일부는 블랭킹 편향기들로서 작용할 수 있고, 편향기들 중 일부는 빔 분할 편향기들로서 작용할 수 있다. 예를 들어, 차폐 요소들을 갖는 다중극자 디바이스가 제공될 수 있다. 더 추가의 추가적인 또는 대안적인 수정들에 따르면, 다중극자 디바이스는, 예를 들어, 육중극자 필드들의 보정을 위해 또는 비점수차의 보정을 위해 수차 보정 필드들을 추가적으로 생성하도록 제어될 수 있다.
블랭킹 편향기(231)의 전극들의 배열이 도 4에 개략적으로 도시된다. 도 4는 빔렛의 광학 축을 따른 도를 도시한다. 블랭커 전극(412)은, 반대 전위들로 바이어스되도록 제어기에 연결될 수 있다. 예를 들어, 상부 블랭커 전극(412)은 약 + 100 V의 전압을 가질 수 있고, 하부 블랭커 전극(412)은 약 - 100 V의 전압을 가질 수 있다. 반대칭 전압 분포가 제공된다. 단일 전극을 갖는 블랭킹 편향기와 비교하여, 이는 반대칭 배열이, 블랭킹된 빔에 더 적은 비점수차를 생성하기 때문에 유리할 수 있다. 따라서, 빔 덤프 또는 빔 정지부에 대한 크기가 감소될 수 있다. 추가로, 양 및 음의 전압은, 예를 들어, 접지에 대한 기준을 갖는 단일 전극과 비교하여 전체 전압을 감소시킨다. 이에 따라, 빔 블랭킹에 대한 유사한 편향 각도는, 아크의 위험을 감소시키고/거나 더 쉬운 진공 피드스루들을 제공하는 감소된 절대 전압들을 이용하여 실현될 수 있다. 블랭킹 편향기(231)는 조정 전극들(414)을 더 포함할 수 있다. 조정 전극들은 블랭킹 또는 이미지화 동안 빔 조정을 허용할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 블랭킹 편향기 및/또는 조정 편향기 사이에 제공되거나 블랭킹 편향기 및/또는 조정 편향기를 지지하도록 제공되는 절연체들은 탄소의 얇은 층으로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 층의 두께는 100 nm 이하 및/또는 5 nm 이상, 특히, 50 nm 이하일 수 있다. 탄소의 얇은 층은 고저항 층을 제공하고 절연체들 상의 전하 축적의 감소를 허용한다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 블랭킹 디바이스는 탄소 코팅을 갖는 절연체들을 포함한다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 블랭커 전극(412)은 약 120 °의 원호를 형성할 수 있다. 예를 들어, 원호는 적어도 100 ° 및/또는 최대 140 °일 수 있다. 대응하는 쌍극자 필드는 감소된 육중극자 성분을 갖거나, 육중극자 성분을 갖지 않는다. 이는 블랭킹 빔에 대한 빔 프로파일의 크기를 더 감소시킬 수 있고 빔 덤프 또는 빔 정지부의 크기를 감소시키는 것을 허용한다.
본 개시내용의 실시예들은, 블랭킹 편향기들을 둘러싸는 차폐 요소들, 블랭킹 편향기들의 상류 및/또는 하류의 차폐 요소들, 및 차폐 애퍼쳐들, 즉, 차폐 요소들의 보어들과 비교하여 감소된 개구부 직경을 갖는 애퍼쳐들 중 하나 이상을 갖는 차폐 조립체를 포함한다. 예를 들어, 제1 차폐 요소는 제1 빔렛의 블랭킹 편향기를 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있고, 차폐 조립체는 제1 블랭킹 편향기의 상류(및/또는 하류)의 적어도 제2 차폐 요소, 예를 들어, 제2 차폐 요소 또는 제2 및 제3 차폐 요소를 더 포함할 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가의 실시예들에 따르면, 블랭킹 디바이스는, 250 ㎛ 이상, 예를 들어, 400 ㎛ 이상의, 광학 축을 따른 길이를 가질 수 있다. 차폐 조립체를 갖는 블랭킹 디바이스의 길이는 감소된 누화를 더 개선한다.
이에 따라, 누화는 알려진 블랭커들과 비교하여 적어도 1 자릿수만큼 감소될 수 있고, 0.1% 미만 또는 심지어 0.01% 미만일 수 있다. 이에 따라, 하나의 빔렛의 블랭킹은 이웃하는 빔렛에 영향을 미치지 않는다. 추가로, 본원에 도시된 정전 편향기들은 고속이다. 양쪽 장점들 모두는, 하나의 컬럼 내의 복수의 빔렛들을 이용한 시료 또는 샘플의 이미지화가 제공되는 전자 빔 검사 시스템들에 특히 유용하다.
도 5a는 본원에 설명된 실시예들에서 사용될 수 있는 정전 다중극자 디바이스(500)를 도시한다. 정전 다중극자 디바이스(500)는 블랭킹 디바이스(150)의 일부일 수 있고 빔렛을 위한 블랭킹 편향기(231)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 정전 다중극자 디바이스(500)는 팔중극자 디바이스로서 제공될 수 있다. 그러나, 일부 실시예들에서, 다중극자 디바이스(500)는 8개 미만 또는 초과의 전극들을 가질 수 있다.
다중극자 디바이스(500)는 고저항 층(510)으로 적어도 부분적으로 코팅된 지지 디바이스(505)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 지지 디바이스(505)의, 광학 축을 향하는 표면만이 고저항 층으로 코팅된다. 일부 실시예들에서, 지지 디바이스(505)의, 광학 축에 수직으로 연장될 수 있는 하나 이상의 측 표면들이 고저항 물질로 코팅된다. 일부 실시예들에서, 지지 디바이스(505)의 전체 외측 표면이 고저항 물질로 코팅될 수 있고, 이에 의해, 다중극자 디바이스 표면 상의 표면 전하들의 축적이 감소되거나 완전히 회피될 수 있다.
본원에 설명된 실시예들을 위해 선택적으로 제공될 수 있는 더 추가의 구현들에 따르면, 블랭킹 편향기들은, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 예컨대, 100 nm 이하, 예컨대, 약 20 nm의 두께를 갖는, 탄소의 얇은 층으로 코팅될 수 있다. 탄소의 얇은 층은, 블랭킹을 위한 전압이 유지되는 것을 허용하고 바람직하지 않은 전하들(미주 전자들로부터의 우발 전류들)이 제거되는 것을 더 허용하는 고저항을 갖는다. 예를 들어, 지지 디바이스의 외측 표면은 고저항 물질, 예컨대, 탄소의 얇은 층으로 완전히 덮힐 수 있고, 여기서 층 두께는 5 nm 내지 100 nm 범위에 있을 수 있다. 대안적으로, 고저항 층은 50 nm 이하일 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 지지 디바이스(505)는 규소 웨이퍼 및/또는 절연 물질로 이루어진 베이스 판을 포함한다. 일부 실시예들에서, 지지 디바이스(505)는 절연 물질로 적어도 부분적으로 코팅되고, 이는 고저항 층으로 적어도 부분적으로 코팅될 수 있다. 특히, 고저항 층은 절연 표면 상에 코팅될 수 있다. 그러한 배열은, 개별 전기 접촉들 사이의 미리 결정된 저항이 고저항 층을 통해 제공되는 것을 보장할 수 있다.
도 5a에 도시된 실시예에서, 지지 디바이스(505)는 하전 입자 빔을 위한 개구부를 포함하고, 여기서 개구부의 적어도 원통형 내측 표면은 고저항 층(510)으로 코팅된다. 따라서, 고저항 층(510)의 주 표면(540)은 광학 축(A)에 평행하게 연장되고, 원주 방향을 따라 어떠한 갭들 또는 불연속부들 없이, 광학 축(A)을 완전히 둘러쌀 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에서, 개구부의 원통형 내측 표면은 광학 축(A)의 방향으로 0.2 mm 초과 및/또는 5 mm 미만에 걸쳐, 특히, 0.5 mm 초과 및/또는 2 mm 미만에 걸쳐 연장된다. 다시 말해서, 고저항 층(510)은 광학 축에 평행하게, 0.2 mm 초과 및/또는 5 mm 미만에 걸쳐 연장될 수 있다. 따라서, 전파 방향으로 본질적으로 균일한 다중극자 전기장이, 0.2 mm 초과의 거리에 걸쳐 하전 입자 빔에 대해 작용할 수 있다. 개구부의 입구에 그리고 출구에 존재할 수 있는 프린지 필드들의 영향은, 개구부 내에 긴 전파 거리를 제공함으로써 감소될 수 있다.
도 5a에 도시된 정전 팔중극자 디바이스는 8개의 전기 접촉들을 포함하고, 여기서 각각의 전기 접촉들은 연관된 원주 위치에서 고저항 층(510)과 접촉한다. 원주 위치들은 45°의 규칙적인 간격들로 이격될 수 있다. 전기 접촉들 중 적어도 하나, 예를 들어, 제1 전기 접촉(521) 및/또는 제2 전기 접촉(522)은 고전도성 층의 최상부 상에 또는 최상부를 향해 방사상 방향으로 연장되는 전도성 라인으로서 제공될 수 있다.
일부 실시예들에서, 전기 접촉들(521, 522)은 지지 디바이스(505)의 적어도 하나의 측 표면 상에, 예를 들어, 개구부의 입구 측(도 5b 참고)을 향해 지향되는 표면 및/또는 개구부의 출구 측(154)(도 5b 참고)을 향해 지향되는 표면 상에 제공될 수 있다. 측 표면은 고저항 물질로 이전에 코팅되었을 수 있다.
도 5b의 단면도에서 볼 수 있는 바와 같이, 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 전기 접촉은 원통형 개구부의 입구 측(상류 측)에서 방사상으로 연장되는 제1 전도성 라인(551) 및 대응하는 각위치에서 원통형 개구부의 출구 측(154)(하류 측)에서 방사상으로 연장되는 제2 전도성 라인(553)을 포함한다. 제1 전도성 라인 및 제2 전도성 라인 양쪽 모두는 제1 원주 위치(531)에서 고저항 층(510)과 접촉할 수 있다. 작동 동안, 제1 전도성 라인 및 제2 전도성 라인은 제1 전위(P1)에 연결될 수 있다. 고저항 층과 접촉하는 2개의 전도성 라인들을 개구부의 대향 측들에 갖는 제1 전기 접촉(521)을 제공함으로써, 고저항 층(510)의 주 표면(540)은 제1 원주 위치(531)에서 입구 측으로부터 출구 측까지 본질적으로 일정한 전위(P1)로 유지될 수 있다. 제2 전위(P2)는 제2 원주 위치(532)에 제공될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 일부 실시예들에 따르면, 제1 전위(P1) 및 제2 전위(P2)는 반대칭일 수 있다.
본 개시내용의 실시예들에 따르면, 하전 입자 빔들을 개별적으로 블랭킹함으로써 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스들에 대한 전하 제어가 제공될 수 있다. 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스들에 대한 개별 블랭킹은, 특히 전자 빔 검사, 즉, 웨이퍼의 검사에 대한 처리량을 증가시킨다.
하전 입자 빔렛들의 블랭킹은, 블랭킹 디바이스에 의해, 그리고 특히, 빔 덤프와 조합한 블랭킹 디바이스에 의해 제공될 수 있다. 빔 덤프는 하전 입자 빔렛들에 대한 트랩을 제공할 수 있고, 유리하게, 1차 빔렛의 전자들을 포획한다. 추가로, 1차 빔렛의 탈출하는 전자들뿐만 아니라, 탈출하는 2차 전자들 또는 후방산란된 전자들의 개수를 감소시키는 것은 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스의 성능을 개선한다.
공통 빔 덤프들의 예들은 패러데이 컵을 포함할 수 있다. 패러데이 컵은 패러데이 컵에 진입하는 전류를 측정하는 데에 사용될 수 있다. 그러나, 패러데이 컵은 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스를 위한 빔 덤프로서 유용하지 않을 수 있다.
본 개시내용의 실시예들에 따른 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스를 위한 하전 입자 빔 덤프는 1차 하전 입자 빔렛들의 침입을 위한 개방 환상체를 한정하는 내측 둘레 벽을 갖는 환형 형상 몸체를 포함하고, 환형 형상 몸체는 외측 둘레 벽 및 바닥 벽을 갖는다. 추가로, 환형 형상 몸체 위에 부분적으로 제공된 환형 형상 전극이 제공된다. 환형 형상 전극은 내측 둘레 측 및 외측 둘레 측을 갖고, 여기서 내측 둘레 측은 환형 형상 몸체의 내측 둘레 벽의 반경의 외부에 있다.
도 7a 및 7b에 도시된 빔 덤프(160)는 환형 형상 몸체를 포함한다. 내측 둘레 벽(640)은 중앙 개구부를 제공한다. 블랭킹해제된 빔렛들, 예를 들어, 빔렛(14A)은 중앙 개구부를 통과할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 개별 빔렛들을 위한 개구부들을 갖는 애퍼쳐 판이 중앙 개구부에 제공될 수 있다. 블랭킹된 빔렛, 예를 들어, 빔렛(14B)은 링 형상 개구부에 진입한다. 링 형상 개구부는 환형 몸체의 내측 둘레 벽(640)과 환형 형상 전극(610)의 내측 둘레 측 사이에 제공될 수 있다. 환형 형상 전극(610)은 내측 둘레 측 및 내측 둘레 측에 대향하는 외측 둘레 측(612)을 포함할 수 있다. 환형 개구부, 즉, 직경들(642)과 직경(618) 사이에 제공된 개구부는 빔 덤프(160)의 길이, 예를 들어, 광학 축을 따른 길이와 비교하여 작을 수 있다. 예를 들어, 빔 덤프(160) 또는 환형 몸체의 길이는, 각각, 환형 개구부의 폭의 적어도 5배일 수 있다((직경(618)-직경(642)) 곱하기 0.5).
본 개시내용의 실시예들에 따르면, "환형" 및/또는 "환상체"라는 용어들은 원형 구조들을 설명하는 것으로 범위가 정해지지 않는다. 기하형상은 또한, 약간 타원형 또는 다각형 형상, 예를 들어, 육각형 또는 정사각형일 수 있다. 환형 구조는 링 형상으로 설명될 수 있고, 여기서 몸체는 구조의 개구부를 한정하는 내측 둘레 벽 및 외측 둘레 벽을 갖는다. 전형적으로, 회전 대칭 형상이 유리할 수 있다. 이로써, 원형 형상이 바람직할 수 있는데, 이는 원형 형상이 가장 고차의 회전 대칭을 제공하기 때문이다.
일부 실시예들에 따르면, 환형 몸체는 내측 둘레 벽(640), 외측 둘레 벽(620), 및 바닥 벽(630)을 갖는다. 바닥 벽은 환형 형상 몸체를 각형상 몸체의 바닥 측에서 폐쇄할 수 있다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 바닥 벽은 경사진 표면을 갖는다. 경사진 표면은 방사상 외측으로 경사질 수 있다. 빔 덤프의 바닥이 경사진 것, 즉, 특별히 각을 이룬 것은, 후방산란된 전자들 또는 2차 전자들이 빔 덤프를 빠져나가는 것을 방지하기 위해 후방산란된 전자들 또는 2차 전자들을 방사상 외측으로 지향시키는 역할을 할 수 있다.
도 7a 및 7b에 도시된 바와 같이, 환형 형상 전극(610)의 외측 둘레 측(612)은 각형상 몸체의 외측 둘레 벽의 반경을 넘어 연장된다. 대안적으로, 환형 형상 몸체의 외측 둘레 측은 각형상 몸체의 외측 둘레 벽의 반경까지 연장될 수 있다. 환형 형상 전극은, 예를 들어, 하전 입자들을 빔 덤프에 포획하기 위해 각형상 몸체의 상부 측을 부분적으로 폐쇄한다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 전극(650)이 각형상 몸체 내에 제공된다. 전극은 환형 형상, 즉, 원통형 또는 링 형상일 수 있다. 전극은 환형 형상 전극 아래에 부분적으로 또는 완전히 제공될 수 있다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 전극(650)은 전력 공급부(652)에 연결된다. 전력 공급부는 전극을 양의 전위, 예를 들어, 400 V 이하, 예컨대, 약 200 V로 바이어스하도록 구성된다. 전극, 예컨대, 링 전극은 전자들을 편향시키는 전기장을 생성함으로써, 전자들, 예컨대, 2차 또는 후방산란된 전자들을 수집하는 것을 보조한다. 전극(650)의 전기장은 각형상 몸체의 벽들 및 환형 형상 전극(610)에 의해 외부에 대해 차폐될 수 있다.
블랭킹된 빔은 각형상 몸체에 한정되고 높은 에너지를 갖기 때문에, 블랭킹된 빔은 측벽을 타격하지 않고 환형 형상 몸체의 바닥으로 이동한다. 빔 덤프의 바닥, 예를 들어, 경사진 부분(632)을 가질 수 있는 바닥 벽(630)에서, 1차 빔렛은 물질과 상호작용하고 2차 및/또는 후방산란된 전자들을 종종 0 eV보다 더 큰 에너지 및 0 ° 내지 90 °의 각도들로 생성한다. 빔 덤프의 길고 협소한 기하형상은 낮은 방사상 각도들을 갖는 전자들만이 탈출하는 것을 허용한다. 위에서 설명된 바와 같이, 경사진 부분(632)은 방사상 각도들을 증가시킬 수 있다. 빔 덤프를 빠져나가는 전자들의 개수를 감소시키기 위해, 전극(650)에 의해 생성된 전기장이 제공된다. 기하형상과 전극(650)의 조합은 수 kV까지 전자들을 포획하는 것을 허용한다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 적어도 바닥 벽(630), 또는 예를 들어, 바닥 벽 및 내측 둘레 벽(640)은 절연 지지부에 의해 지지될 수 있다. 절연 지지부들은 바닥 벽 또는, 각각, 바닥 벽 및 내측 둘레 벽(640) 상에 충돌하는 빔렛의 빔 전류를 측정하는 것을 허용한다. 빔 전류의 측정은 하전 입자 빔 디바이스의 정렬에 특히 유리할 수 있다. 빔렛 전류가 측정되는 동안 빔렛은 빔 덤프 내로 편향될 수 있다. 빔렛 전류는 빔렛이, 예를 들어, 바닥 벽에 충돌하는지 여부를 결정하기 위해 평가될 수 있다. 예를 들어, 빔렛의 편향 각도는 빔렛이 바닥 벽에 충돌하는지 여부를 검증함으로써 조정될 수 있다. 이에 따라, 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법은, 1차 하전 입자 빔을 생성하는 단계; 1차 하전 입자 빔으로부터 제1 빔렛 및 1차 하전 입자 빔으로부터 제2 빔렛을 생성하는 단계; 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 시료에 걸쳐 주사하는 단계; 및 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드를 이용하여 제1 빔렛을 하전 입자 빔 덤프의 환형 형상 몸체 내로 안내하는 단계를 포함할 수 있다. 추가로, 방법은 빔 덤프에서의 제1 빔렛의 전류를 측정함으로써 빔 덤프에서의 제1 빔렛을 안내하기 위해 편향 각도를 교정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 개시내용의 실시예들에 따르면, 빔 덤프의 환형 형상 및/또는 빔 덤프의 상부 측에서의 개구부의 환형 형상은, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스의 상이한 빔렛들의, 빔 덤프 내로의 용이한 편향을 가능하게 한다. 추가로, 환형 형상 몸체의 링 형상 전극은 다중-빔 응용들을 위해 환형 형상 몸체에서의 전자들의 수집을 용이하게 한다. 본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 각형상은 링 상에 제공된 개구부들, 즉, 링 상에 제공되는 상이한 빔렛들을 갖는 애퍼쳐 배열체들에 대해 특히 유리할 수 있다.
본원에 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 깊은 빔 덤프는 애퍼쳐 배열체 및/또는 빔 분할기의 하류에 제공될 수 있다. 예를 들어, 빔 덤프는, 계획되지 않은 빔렛들 및 블랭킹된 빔렛들이 단지 수 mrad(예를 들어, 10 mrad 이하)의 편향을 갖도록, 광학 축을 따른 위치에 제공될 수 있다. 더 추가로, 추가적으로 또는 대안적으로 빔 덤프는 계획되지 않은 빔렛들의 공통 교차의 위치 또는 계획되지 않은 빔렛들이 함께 가까운 위치에 있을 수 있다.
더 추가의 선택적인 실시예들에 따르면, 환형 형상 몸체의 내측 표면은 후방산란된 또는 2차 입자들의 생성을 감소시키는 물질로 코팅될 수 있다. 빔 덤프를 탈출할 수 있는 입자들의 산출량이 감소될 수 있다.
더 추가로, 본원에 설명된 바와 같은 빔 덤프는 본원에 설명된 바와 같은 차폐 조립체를 갖는 블랭킹 디바이스와 조합될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 빔 덤프는 또한, 단일 하전 입자 빔, 예를 들어, 시료에 걸쳐 주사된 단일 하전 입자 빔을 갖는 단일 빔 응용들, 예컨대, SEM에 제공될 수 있다.
차폐 조립체 및/또는 빔 덤프를 갖는 블랭킹 디바이스를 포함하는 본 개시내용의 일부 실시예들은, 다중-빔 응용들 또는 다중-빔렛 응용들을 지칭할 수 있고, 여기서 2개 이상의 하전 입자 빔들, 예컨대, 전자 빔들은 하나의 컬럼에서 안내된다. 다수의 빔들 또는 빔렛들은 시료에 걸쳐 주사될 수 있다. 시료는, 예를 들어, 반도체 제조 동안의 웨이퍼일 수 있다. 개별 빔들 또는 빔렛들이 블랭킹될 수 있다. 응용들은: 전자 빔 검사(EBI), 핫 스폿(HS) 검사, 임계 치수(CD) 응용들, 결함 검토(DR) 응용들, 마스크 검사, 및 리소그래피의 군으로부터의 하나 이상의 응용을 포함할 수 있다. 리소그래피는 신호 빔렛들의 검출을 갖지 않거나 덜 정교한 검출을 가질 수 있다. 그러나, 개별 빔렛들에 대한 빔 블랭킹은 또한, 그러한 다른 응용들, 예를 들어, 리소그래피에 적용될 수 있다. 더 추가로, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스들의 응용들은 생물의학 및 생물학 응용들을 포함할 수 있다.
본 개시내용의 실시예들은 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법에 더 관련될 수 있다. 방법은, 1차 하전 입자 빔을 생성하는 단계; 1차 하전 입자 빔으로부터 제1 빔렛 및 1차 하전 입자 빔으로부터 제2 빔렛을 생성하는 단계; 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 시료에 걸쳐 주사하는 단계; 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드를 이용하여 제1 빔렛을 하전 입자 빔 덤프, 특히, 본 개시내용의 실시예들에 따른 하전 입자 빔 덤프의 환형 형상 몸체 내로 안내하는 단계를 포함한다. 전자들은 빔 덤프의 환형 형상 몸체의 전극(650)을 향해 이끌릴 수 있다. 추가로, 하전 입자 빔 디바이스들은 본원에 설명된 양상들, 세부사항들 및 수정들에 따라 포획될 수 있다.
높은 처리량의 전자 빔 검사(EBI) 시스템들은, 하전 입자 빔 디바이스의 단일 컬럼 내부에 다수의 1차 하전 입자 빔들 또는 빔렛들을 생성, 집속 및 주사할 수 있는 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스들, 예컨대, 전자 현미경들을 활용할 수 있다. 샘플은 집속된 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이에 의해 주사될 수 있으며, 이는 차례로, 다수의 신호 하전 입자 빔들 또는 빔렛들을 생성한다. 개별적인 신호 하전 입자 빔렛들은 하나 이상의 검출 요소 상에 맵핑될 수 있다. 예를 들어, 신호 하전 입자 빔렛들은 축상 검출될 수 있거나, 도 1a에 예시된 바와 같이, 축외 검출될 수 있다. 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 차폐 조립체(155)를 갖는 블랭킹 디바이스(150)(도 1a 참고)가 제공된다. 차폐 조립체는 블랭킹된 빔렛으로부터 이웃하는 빔렛으로의 누화를 감소시킨다. 추가로, 편향기 또는 다중극자 디바이스(예를 들어, 도 4, 5a 및 5b 참고)는 정전식일 수 있고 고속 블랭킹을 위해 설계될 수 있다.
빔렛들의 블랭킹, 즉, 복수의 빔렛들의 하나 이상의 빔렛의 개별 블랭킹이, 도 6에 예시적으로 예시된 바와 같이 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법들의 실시예들에 따라 제공될 수 있다. 예를 들어, 하전 입자 공급원(20)(도 1a 참고)을 이용하여 1차 하전 입자 빔이 생성된다(박스(602) 참고). 복수의 빔렛들이 애퍼쳐 배열체(120)에 의해 생성된다. 예를 들어, 박스(604)에 의해 예시된 바와 같이, 제1 빔렛은 1차 하전 입자 빔으로부터 생성되고 제2 빔렛은 1차 하전 입자 빔으로부터 생성된다. 제1 빔렛 및 제2 빔렛은 시료에 걸쳐 주사된다(박스(606) 참고). 예를 들어, 제1 빔렛 및 제2 빔렛은 도 1a에 도시된 주사 편향기(12)에 의해 동기화된 방식으로 주사될 수 있다. 빔렛은 블랭킹되는데, 예를 들어, 빔 덤프에 편향된다. 박스(608)에 의해 예시된 바와 같이, 제1 빔렛은 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드를 이용하여 편향되거나 블랭킹될 수 있다. 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드는 제2 빔렛으로의 누화를 감소시키기 위해 차폐된다(박스(610) 참고). 이에 따라, 절연체에 걸쳐 주사되는 빔렛들 중 하나 이상이 블랭킹될 수 있다. 다른 빔들의 주사가 제공될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 일부 구현들에 따르면, 제1 편향 필드는 제1 블랭킹 편향기에 인가된 반대칭 전위들에 의해 생성된다.
전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (22)

  1. 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스로서,
    1차 하전 입자 빔을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원;
    상기 1차 하전 입자 빔의 적어도 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 생성하도록 구성된 개구부들을 갖는 애퍼쳐 배열체; 및
    블랭킹 디바이스
    포함하고, 상기 블랭킹 디바이스는:
    적어도, 상기 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 상기 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기; 및
    상기 제1 블랭킹 편향기를 완전히 둘러싸는 제1 차폐 요소를 갖는 차폐 조립체 - 상기 제1 블랭킹 편향기는 상기 제1 차폐 요소의 보어 내에 제공됨 -
    를 포함하고,
    상기 차폐 조립체는:
    상기 제1 블랭킹 편향기의 하류에 있는 상기 제1 빔렛을 위한 제3 차폐 요소를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차폐 조립체는 상기 제1 블랭킹 편향기로부터 상기 제2 빔렛으로의 누화를 감소시키도록 구성된, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 차폐 조립체는:
    상기 제1 블랭킹 편향기의 상류에 있는 상기 제1 빔렛을 위한 제2 차폐 요소 를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 블랭킹 디바이스는 제1 웨이퍼 상에 제공되고 상기 제2 차폐 요소는 제2 웨이퍼 상에 또는 제2 웨이퍼에 의해 제공되는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 차폐 요소는 제1 보어 직경을 갖고, 상기 제1 보어 직경과 상이한 제1 애퍼쳐 직경을 갖는, 상기 제1 빔렛을 위한 하나 이상의 제1 애퍼쳐를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제3 차폐 요소는 제2 보어 직경을 갖고, 상기 제2 보어 직경과 상이한 제2 애퍼쳐 직경을 갖는, 상기 제1 빔렛을 위한 하나 이상의 제2 애퍼쳐를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 블랭킹 편향기는 상기 제1 빔렛을 상기 제2 빔렛으로부터 분할하기 위한 다중극자 디바이스를 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 빔렛과 상기 제2 빔렛의 분할은 광학 축에 수직인 평면에서의 상기 제1 빔렛 및 상기 제2 빔렛의 가상 공급원들 또는 시료 상의 개별 빔렛 위치들 중 적어도 하나를 제공하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 빔렛 및 상기 제2 빔렛에 대해 개별적으로 작용하도록 구성된 다중극자 배열체를 더 포함하는 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 블랭킹 디바이스는 제1 웨이퍼 상에 제공되고, 상기 다중극자 배열체는 제3 웨이퍼 상에 제공되고, 상기 제1 웨이퍼와 상기 제3 웨이퍼는 임의의 순서로 서로의 최상부 상에 적층되는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 다중극자 배열체 및 상기 블랭킹 디바이스는 제1 웨이퍼 상에 제공되는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 제1 빔렛 및 상기 제2 빔렛에 대해 개별적으로 작용하도록 구성된 다중극자 배열체를 더 포함하고, 상기 다중극자 배열체는 제3 웨이퍼 상에 제공되고, 상기 제1 웨이퍼, 상기 제2 웨이퍼 및 상기 제3 웨이퍼는 임의의 순서로 서로의 최상부 상에 적층되는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 블랭킹 디바이스는 광학 축을 따라 250 ㎛ 이상의 길이를 갖는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  15. 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스로서,
    1차 하전 입자 빔을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원;
    상기 1차 하전 입자 빔의 적어도 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 생성하도록 구성된 개구부들을 갖는 애퍼쳐 배열체; 및
    블랭킹 디바이스
    포함하고, 상기 블랭킹 디바이스는:
    적어도, 상기 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 상기 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기; 및
    상기 제1 블랭킹 편향기를 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는 제1 차폐 요소를 갖는 차폐 조립체 - 상기 제1 블랭킹 편향기는 100° 이상의 원호를 갖는 전극을 포함함 -
    를 포함하고,
    상기 차폐 조립체는:
    상기 제1 블랭킹 편향기의 하류에 있는 상기 제1 빔렛을 위한 제3 차폐 요소를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1 빔렛 및 상기 제2 빔렛을 위한 빔 덤프를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제1 빔렛에 의해 생성된 제1 신호 빔렛을 검출하기 위한 제1 센서 및 상기 제2 빔렛에 의해 생성된 제2 신호 빔렛을 검출하기 위한 제2 센서를 갖는 검출기 조립체를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  18. 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스로서,
    1차 하전 입자 빔을 방출하도록 구성된 하전 입자 공급원;
    상기 1차 하전 입자 빔의 적어도 제1 빔렛 및 제2 빔렛을 생성하도록 구성된 개구부들을 갖는 애퍼쳐 배열체; 및
    블랭킹 디바이스
    포함하고, 상기 블랭킹 디바이스는:
    적어도, 상기 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기 및 상기 제2 빔렛을 위한 제2 블랭킹 편향기; 및
    차폐 조립체
    포함하고, 상기 차폐 조립체는:
    상기 제1 블랭킹 편향기를 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는 제1 차폐 요소, 상기 제2 빔렛을 위한 그리고 상기 제2 블랭킹 편향기를 부분적으로 또는 완전히 둘러싸는 추가의 제1 차폐 요소, 상기 제2 빔렛을 위한 그리고 상기 추가의 제1 블랭킹 편향기의 상류에 있는 추가의 제2 차폐 요소, 및 상기 제2 빔렛을 위한 그리고 상기 추가의 제1 블랭킹 편향기의 하류에 있는 추가의 제3 차폐 요소를 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  19. 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법으로서,
    1차 하전 입자 빔을 생성하는 단계;
    상기 1차 하전 입자 빔으로부터 제1 빔렛을 그리고 상기 1차 하전 입자 빔으로부터 제2 빔렛을 생성하는 단계;
    상기 제1 빔렛 및 상기 제2 빔렛을 시료에 걸쳐 주사하는 단계;
    상기 제1 빔렛을 위한 제1 블랭킹 편향기의 제1 편향 필드를 이용하여 상기 제1 빔렛을 블랭킹하는 단계; 및
    상기 제2 빔렛으로의 누화를 감소시키기 위해 상기 제1 블랭킹 편향기의 상기 제1 편향 필드를 차폐하는 단계 - 상기 제1 블랭킹 편향기는 제1 차폐 요소에 의해 완전히 둘러싸이고, 상기 제1 차폐 요소의 보어 내에 제공됨 -
    를 포함하고,
    상기 제1 편향 필드는 상기 제1 블랭킹 편향기에 인가되는 반대칭 전위들에 의해 생성되는, 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법.
  20. 삭제
  21. 제1항에 있어서,
    상기 차폐 조립체는:
    상기 제1 블랭킹 편향기의 상류에 있는 상기 제1 빔렛을 위한 제2 차폐 요소, 및 상기 제1 블랭킹 편향기의 하류에 있는 상기 제1 빔렛을 위한 제3 차폐 요소를 더 포함하는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차폐 요소는 상기 제1 블랭킹 편향기의 평면에서 상기 제1 블랭킹 편향기를 완전히 둘러싸는, 다중-빔 하전 입자 빔 디바이스.
KR1020190086102A 2018-07-17 2019-07-17 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법 KR102298428B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/037,842 2018-07-17
US16/037,842 US10593509B2 (en) 2018-07-17 2018-07-17 Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200008971A KR20200008971A (ko) 2020-01-29
KR102298428B1 true KR102298428B1 (ko) 2021-09-07

Family

ID=69162519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190086102A KR102298428B1 (ko) 2018-07-17 2019-07-17 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10593509B2 (ko)
JP (1) JP6845900B2 (ko)
KR (1) KR102298428B1 (ko)
CN (2) CN210743909U (ko)
TW (1) TWI720546B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10593509B2 (en) * 2018-07-17 2020-03-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
DE102019005362A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
US11257657B2 (en) * 2020-02-18 2022-02-22 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device with interferometer for height measurement
JP7359050B2 (ja) * 2020-03-18 2023-10-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US11615939B2 (en) * 2021-03-24 2023-03-28 Kla Corporation Shaped aperture set for multi-beam array configurations
CN113296372B (zh) * 2021-05-24 2022-01-28 北京大学 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004282038A (ja) * 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置
JP4401614B2 (ja) * 2000-04-04 2010-01-20 株式会社アドバンテスト 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100437882C (zh) 2002-10-30 2008-11-26 迈普尔平版印刷Ip有限公司 电子束曝光系统
GB2413694A (en) 2004-04-30 2005-11-02 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-beam exposure apparatus
US7868300B2 (en) 2005-09-15 2011-01-11 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, sensor and measuring method
WO2007112465A1 (en) 2006-04-03 2007-10-11 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
JP5491704B2 (ja) 2007-05-14 2014-05-14 イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー 対向電極アレイ板を有するパターン定義装置
WO2009147202A1 (en) 2008-06-04 2009-12-10 Mapper Lithography Ip B.V. Writing strategy
NL2003304C2 (en) 2008-08-07 2010-09-14 Ims Nanofabrication Ag Compensation of dose inhomogeneity and image distortion.
ATE527678T1 (de) 2008-11-17 2011-10-15 Ims Nanofabrication Ag Verfahren zur maskenlosen teilchenstrahlbelichtung
TWI497557B (zh) 2009-04-29 2015-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統
EP2433294B1 (en) 2009-05-20 2016-07-27 Mapper Lithography IP B.V. Method of generating a two-level pattern for lithographic processing and pattern generator using the same
WO2010134018A2 (en) 2009-05-20 2010-11-25 Mapper Lithography Ip B.V. Pattern data conversion for lithography system
US8884255B2 (en) 2010-11-13 2014-11-11 Mapper Lithography Ip B.V. Data path for lithography apparatus
EP2638559B1 (en) 2010-11-13 2016-07-20 Mapper Lithography IP B.V. Charged particle beam modulator
US9305747B2 (en) 2010-11-13 2016-04-05 Mapper Lithography Ip B.V. Data path for lithography apparatus
US8362425B2 (en) * 2011-03-23 2013-01-29 Kla-Tencor Corporation Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
US8610082B2 (en) * 2011-03-25 2013-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Drawing apparatus and method of manufacturing article
WO2012144905A2 (en) 2011-04-22 2012-10-26 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
WO2012158025A2 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
KR102042212B1 (ko) 2012-10-26 2019-11-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피에서 기판의 위치 결정
NL2010760C2 (en) 2013-05-03 2014-11-04 Mapper Lithography Ip Bv Beam grid layout.
JP6209369B2 (ja) * 2013-06-13 2017-10-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
EP2816585A1 (en) 2013-06-17 2014-12-24 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam system and method of operating thereof
US9460260B2 (en) 2014-02-21 2016-10-04 Mapper Lithography Ip B.V. Enhanced stitching by overlap dose and feature reduction
EP3358599B1 (en) 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
US10096450B2 (en) 2015-12-28 2018-10-09 Mapper Lithography Ip B.V. Control system and method for lithography apparatus
JP6709109B2 (ja) * 2016-05-31 2020-06-10 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US20190066972A1 (en) 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
US10593509B2 (en) * 2018-07-17 2020-03-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4401614B2 (ja) * 2000-04-04 2010-01-20 株式会社アドバンテスト 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法
JP2004282038A (ja) * 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202020917A (zh) 2020-06-01
CN110729163A (zh) 2020-01-24
TWI720546B (zh) 2021-03-01
CN110729163B (zh) 2021-08-10
US10593509B2 (en) 2020-03-17
JP2020038826A (ja) 2020-03-12
JP6845900B2 (ja) 2021-03-24
KR20200008971A (ko) 2020-01-29
US20200027687A1 (en) 2020-01-23
CN210743909U (zh) 2020-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102298428B1 (ko) 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법
US11217423B2 (en) Apparatus of plural charged-particle beams
KR102130512B1 (ko) 하전 입자 빔 디바이스, 하전 입자 빔 디바이스를 위한 다중-빔 블랭커, 및 하전 입자 빔 디바이스를 작동시키기 위한 방법
KR102214294B1 (ko) 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스
KR102179897B1 (ko) 시료를 검사하기 위한 방법 및 하전 입자 다중-빔 디바이스
EP3457426A1 (en) Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
US8378299B2 (en) Twin beam charged particle column and method of operating thereof
US9754759B2 (en) Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device
US7544937B2 (en) Charged particle beam device for high spatial resolution and multiple perspective imaging
US9953805B2 (en) System for imaging a secondary charged particle beam with adaptive secondary charged particle optics
KR20190091318A (ko) 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 검사하기 위한 방법, 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스, 및 시료의 검사를 위한 다중-컬럼 현미경
KR102207766B1 (ko) 이차 전자 광학계 ＆ 검출 디바이스
US8530837B2 (en) Arrangement and method for the contrast improvement in a charged particle beam device for inspecting a specimen
US9620329B1 (en) Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device
US9620328B1 (en) Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of operating an electrostatic multipole device
US7233008B1 (en) Multiple electrode lens arrangement and a method for inspecting an object
KR20230113319A (ko) 하전 입자 도구, 캘리브레이션 방법, 검사 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant