KR102297454B1 - 광학 상호접속 시스템, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스 및 이를 생성하기 위한 방법 - Google Patents

광학 상호접속 시스템, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스 및 이를 생성하기 위한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102297454B1
KR102297454B1 KR1020190098709A KR20190098709A KR102297454B1 KR 102297454 B1 KR102297454 B1 KR 102297454B1 KR 1020190098709 A KR1020190098709 A KR 1020190098709A KR 20190098709 A KR20190098709 A KR 20190098709A KR 102297454 B1 KR102297454 B1 KR 102297454B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pdie
switch asic
substrate
integrated switch
attached
Prior art date
Application number
KR1020190098709A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200019831A (ko
Inventor
라비울 이슬람
스테판 루수
닉 삼라
Original Assignee
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 filed Critical 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20200019831A publication Critical patent/KR20200019831A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102297454B1 publication Critical patent/KR102297454B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/424—Mounting of the optical light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4268—Cooling
    • G02B6/4269—Cooling with heat sinks or radiation fins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

상호접속 패키지는 포토닉 다이, 전자 다이, 및 스위치 ASIC을 하나의 패키지로 집적한다. 집적 스위치 ASIC를 생성하기 위해, 예를 들어 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로, 트랜시버, 클로킹 회로부, 및/또는 제어 회로부 등의 전자 다이 내의 콤포넌트 중 적어도 일부가 스위치 ASIC으로 집적된다. 포토닉 다이는 집적 스위치 ASIC에 부착되고 전기적으로 접속된다.

Description

광학 상호접속 시스템, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스 및 이를 생성하기 위한 방법{OPTICAL INTERCONNECT SYSTEM, INTERCONNECT DEVICE FOR OPTICAL COMMUNICATIONS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
[본원과 관련된 상호 참조 문헌]
본 출원은, 전체 내용이 참조에 의해 여기에 통합된, 발명의 명칭이 "Silicon Photonics Package Integration"이며, 2018년 8월 15일에 출원된, 미국 가출원 No. 62/754,710에 대한 우선권을 주장한다.
컴퓨팅 디바이스들 간의 데이터 송신을 위해 사용되는 광학 상호접속 시스템은 일반적으로 구리 배선과 같은 전기 상호접속부보다 더 높은 대역폭을 제공한다. 그러나, 일부 광학 상호접속 시스템들은 각각의 개별 레인(individual lane)에 대하여 불연속 전자 다이(discrete electronic die; eDie) 및 불연속 포토닉 다이(discrete photonic die; pDie)를 사용하고, eDie 상의 콤포넌트들은 적어도 부분적으로 pDie로부터 송신된 신호 및 pDie에 의해 수신된 신호를 프로세싱 및/또는 제어한다. 2개의 불연속 다이의 사용은 전력 소모 및 총 불연속 다이의 수를 제공하는데 필요한 면적의 양 측면에서 비싸고 비효율적일 수 있다.
추가적으로, 일부 구현예에서, 불연속 eDie 및 불연속 pDie의 사용은, 상당한 거리만큼 스위치 ASIC로부터 분리된 eDie를 초래할 수 있다. 이 거리는 광학 상호접속 시스템의 성능을 감소시켜서 더 높은 레이턴시를 초래할 수 있다. 또한 거리 때문에 스위치 ASIC에 데이터를 전송하기 위해 대형 시리얼라이저 /디시리얼라이저(serializer/deserializer; serdes) 회로가 필요할 수 있다. serdes 회로는, 제한된 입력/출력을 보상하기 위해 사용되는 시리얼라이저 및 디시리얼라이저를 포함한다. serdes 회로는 병렬 데이터를 직렬 데이터로(반대의 경우도) 변환하여 데이터의 전송을 용이하게 한다. serdes 회로는 또한, 통신 시스템의 비용을 증가시킬 수 있다.
상호접속 패키지는 포토닉 다이, 전자 다이, 및 스위치 ASIC을 하나의 패키지로 집적한다. 집적 스위치 ASIC를 생성하기 위해, 예를 들어 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로, 트랜시버, 클로킹 회로부, 및/또는 제어 회로부 등의 전자 다이 내의 콤포넌트 중 적어도 일부가 스위치 ASIC으로 집적된다. 포토닉 다이는 집적 스위치 ASIC에 부착되고 전기적으로 접속된다.
본 개시의 양태는 첨부 도면을 참조하여 이하의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 이 산업에서의 표준 관행(standard practice)에 따라 다양한 피쳐(feature)들은 비례적으로 도시되어 있지 않다는 것을 언급한다. 실제로, 다양한 피쳐의 치수는 논의의 명확성을 위해 임의로 증가 또는 감소될 수 있다.
도 1은 일부 실시형태에 따른 광학 통신 시스템의 블록 다이어그램을 도시한다.
도 2a는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제1 실시예의 블록 다이어그램을 도시한다.
도 2b는, 도 2a에 도시된 상호접속 패키지의 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다.
도 2c는, 기판에 부착되고 광학 상호접속부에 광학적으로 접속된 상호접속 패키지를 가진, 도 2a에 도시된 상호접속 패키지의 부분의 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다.
도 2d는 일부 실시형태에 따른 광원을 공유하는 것을 도시한다.
도 3은 일부 실시형태에 따른 기판에 부착된 상호접속 패키지의 제2 실시예의 사시도를 도시한다.
도 4a는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제3 실시예의 블록 다이어그램을 도시한다.
도 4b는, 기판에 부착된 상호접속 패키지를 가진, 도 4a에 도시된 상호접속 패키지의 부분의 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다.
도 5는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제4 실시예의 단면도를 도시한다.
도 6은 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제5 실시예의 단면도를 도시한다.
도 7은 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 형성을 위한 제1 실시예 방법의 플로우차트이다.
도 8은 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 형성을 위한 제2 실시예 방법의 플로우차트이다.
도 9는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 형성을 위한 제3 실시예 방법의 플로우차트이다.
이하의 설명은 제공된 본 발명의 주제(subject matter)의 상이한 피쳐를 구현하기 위한 다수의 상이한 실시형태 또는 실시예를 제공한다. 본 개시를 간략화하기 위해 콤포넌트 및 어레인지먼트의 특정 실시예가 이하 개시된다. 물론, 이것은 단지 예시이며, 한정을 의도하지 않는다. 예를 들어, 이어지는 설명에 있어서 제2 피쳐 상에서 또는 그 위에서의 제1 피쳐의 형성은, 제1 및 제2 피쳐가 형성되어 직접 접촉하는 실시형태를 포함할 수 있고, 제1 및 제2 피쳐가 직접 접촉하지 않도록 제1 및 제2 피쳐 사이에 추가 피쳐가 형성될 수 있는 실시형태를 포함할 수도 있다. 또한, 본 개시는 다양한 실시예에서 도면부호 및/또는 문자가 반복될 수 있다. 이러한 반복은 간략함 및 명확함을 위한 것이고, 그 자체가 다양한 실시형태 및/또는 논의되는 구성 사이의 관계를 나타내는 것은 아니다.
또한, 여기서 "아래", "밑에", "낮은", "높은", "상부의" 등의 공간 관련 용어는 도면에 예시된 바와 같이, 하나의 엘리먼트 또는 다른 엘리먼트에 대한 피쳐(feature)의 관계를 나타내기 위한 설명의 편의를 위해 사용될 수 있다. 공간 관련 용어는 도면에 도시된 배향(orientation)에 대한 사용 또는 동작에 있어서 디바이스의 상이한 배향을 포함하는 것을 의도하고 있다. 장치는 다르게 배향(90도 회전 또는 다른 배향)될 수 있고, 이에 따라 여기서 사용되는 공간 관련 기술어(descriptor)도 마찬가지로 해석될 수 있다.
여기에서 설명하는 실시형태는, 포토닉 다이(pDie), 전자 다이(eDie), 및 스위치 ASIC을 하나의 패키지로 집적하는 광학 상호접속부를 개시한다. 또한, eDie 내의 적어도 일부의 콤포넌트는 스위치 ASIC으로 집적된다. 일부 양태들에서, 다수의 불연속 포토닉 다이들은 스위치 ASIC 또는 상호접속 패키지의 하나 이상의 측 상의 검출기들의 하나 이상의 클러스터(및 선택적으로 광원)로 결합된다. 이것은, 각 광원이 다중 도파관 또는 광학 상호접속부에 광을 제공할 수 있도록 광원을 결합하는 것을 용이하게 한다.
도 1은 일부 실시형태에 따른 광학 통신 시스템의 블록 다이어그램을 도시한다. 광학 통신 시스템(100)은, 광학 상호접속부(106)를 통해, 광학 신호를 제2 컴퓨팅 디바이스(104)로부터 수신하고 제2 컴퓨팅 디바이스(104)로 송신하는 제1 컴퓨팅 디바이스를 포함한다. 예를 들어, 광학 상호접속부(106)는 광 도파관(예를 들어, 단일 모드 또는 다중 모드 광 섬유) 및/또는 자유 공간 광학 통신을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 컴퓨팅 디바이스(102, 104)는 임의의 타입의 컴퓨팅 디바이스로서 구현될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스의 일 실시예는 서버이다. 도 1에 도시되진 않았지만, 제2 컴퓨팅 디바이스(104)는 제1 컴퓨팅 디바이스(102)에서 도시된 콤포넌트의 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 제1 컴퓨팅 디바이스(102)는 하나 이상의 광원(광원(110)이라 칭함)에 동작 가능하게 접속된 하나 이상의 프로세싱 유닛(프로세싱 유닛(108)이라 칭함)을 포함한다. 임의의 적합한 타입의 광원이 사용될 수 있다. 예를 들어, 광원(110)은 레이저(예를 들어, 다중 파장 레이저)가 될 수 있다.
데이터가 제1 컴퓨팅 디바이스(102)로부터 제2 컴퓨팅 디바이스(104)로 송신될 때, 광원(110)에 의해 방출된 광은 광원(110)으로부터 방출된 광을 변조하는 광 변조기(112)에 의해 수신된다. 광 변조기(112)는 진폭 변조, 위상 변조, 및 편광 변조를 포함하는 임의의 적합한 타입의 변조를 수행할 수 있다. 변조된 광(114)은 스위치 ASIC(116)에 의해 수신된다. 스위치 ASIC(116)은 광(114)을 광학 상호접속부(106)로 라우팅하는 하나 이상의 스위치(117)를 포함한다. 광(114)은 광학 상호접속부(106)를 통해 제2 컴퓨팅 디바이스(104)로 전파된다(propagate).
제2 컴퓨팅 디바이스(104)로부터 제1 컴퓨팅 디바이스(102)로 데이터가 송신될 때, 변조된 광(118)은 제2 컴퓨팅 디바이스(104)로부터 광학 상호접속부(106)를 통해 스위치 ASIC(116)로 송신된다. 변조된 광(118)은 하나 이상의 검출기(검출기(120)이라 칭함))에 의해 검출된다. 검출기(120)는 광을 전기 신호로 변환한다. 전기 신호는 하나 이상의 수신기(수신기(122)라 칭함)에 의해 수신되고 프로세싱 유닛(108)에 의해 프로세싱될 수 있다.
변조기(112), 광원(110), 프로세싱 유닛(108), 수신기(122), 및 검출기(120)에 회로부(124)가 동작 가능하게 접속될 수 있다. 회로부(124)는 변조기(112), 광원(110), 프로세싱 유닛(108), 수신기(122), 및 검출기(120)에 제어, 논리, 및 전력 신호를 제공하기 위해 사용되는 회로부를 포함할 수 있다. 회로부(124)는 변조기(112), 광원(110), 프로세싱 유닛(108), 수신기(122), 및 검출기(120)에 제공되는 신호 그리고/또는 변조기(112), 광원(110), 프로세싱 유닛(108), 수신기(122), 및 검출기(120)로부터 수신되는 신호를 프로세싱하기 위해 사용되는 회로부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 회로부(124)는 하나 이상의 serdes, 하나 이상의 트랜시버, 클로킹 회로부, 및 제어 로직 및 회로부를 포함할 수 있다.
여기에 개시된 바와 같이, 포토닉 다이(pDie), 전자 다이(eDie), 및 스위치 ASIC는 하나의 상호접속 패키지로 집적된다. 또한, eDie 상의 콤포넌트 중 적어도 일부는, 집적 스위치 ASIC를 생산하기 위해 스위치 ASIC와 통합된다. eDie의 콤포넌트는, 하나 이상의 serdes, 하나 이상의 트랜시버, 클로킹 회로부, 및 제어 로직 및 회로부 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 스위치 ASIC와의 eDie의 집적은 serdes와 스위치 로직 사이의 거리를 감소시킬 수 있고, 이는 차례로 serdes의 사이즈 및 전력 소비를 감소시킬 수 있다. 비 제한적 실시예에서, serdes의 사이즈는 약 25 %만큼 감소될 수 있고, 그리고/또는 전력 소모는 약 22 %만큼 감소될 수 있다. 일부의 경우에, 다수의 콤포넌트를 전기적으로 접속하기 위해 집적 스위치 ASIC 및/또는 제1 기판에 관통 실리콘 비아가 필요하지 않다.
도 2a는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제1 실시예의 블록 다이어그램을 도시한다. 상호접속 패키지(200)는 집적 스위치 ASIC(202) 및 pDie(204)를 포함한다. 집적 스위치 ASIC(202)는 스위치 ASIC(208)와 eDie(206) 상의 콤포넌트 중 적어도 일부를 집적한다. 스위치 ASIC(208)의 serdes(210), 트랜시버(212), 클로킹 회로(214), 및/또는 제어 로직(216)과 같은 회로부는 하나의 평면 디자인(floorplanned design)으로서 스위치 ASIC(208)과 물리적으로 집적된다. 스위치 ASIC(208), serdes 회로부(210), 트랜시버 회로부(212), 클로킹 회로부(214), 및/또는 제어 로직 회로부(216)는 임의의 적합한 구성으로 집적 스위치 ASIC(202)로 배열될 수 있다. 일 실시형태에서, serdes 회로부(210), 트랜시버 회로부(212), 클로킹 회로부(214), 및/또는 제어 로직 회로부(216)는 스위치 ASIC(208)의 엣지(edge) 또는 둘레를 따라 배치된다.
도시된 실시형태에서, pDie(204)는 광원(218), 검출기(220), 및 변조기(도 1에서 112)를 포함한다. 광원 및 검출기는 광원(218)과 검출기(220)의 쌍(222)의 하나 이상의 클러스터로 배열될 수 있다. 도 2a에서, pDie(204)는 광원(218)과 검출기(220)의 8개 쌍(222)의 8개 클러스터(224, 226, 228, 230, 232, 234, 236, 238)로 도시된다. 다른 실시형태는, 상호접속 패키지(200) 또는 집적 스위치 ASIC(202)의 2개 이상의 측들 상의 하나 이상의 클러스터 - 각각의 클러스터는 광원(218)과 검출기(220)의 하나 이상의 쌍(222)을 포함함 - 를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 광원(218)과 검출기(220)의 하나의 쌍(222)을 포함하는 클러스터는 상호접속 패키지(200) 또는 집적 스위치 ASIC(202)의 2개의 측 상에 배치될 수 있다. 다른 실시형태는, 상호접속 패키지(200) 또는 집적 스위치 ASIC(202)의 측 상에 광원(218)과 검출기(220)의 쌍(들)(222)을 배치하는 것에 한정되지 않는다. 광원(218)과 검출기(220)의 쌍(들)(222)은 상호접속 패키지(200) 내의 임의의 적합한 위치에 배치될 수 있다.
도 2b는, 도 2a에 도시된 상호접속 패키지의 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다. 집적 스위치 ASIC(202) 내의 eDie(206)는 pDie(204)에 그리고 제1 기판(240)에 전기적으로 접속된다. 도시된 실시형태에서, pDie(204)는 제1 기판(240) 내에 형성된 컷아웃(cutout) 또는 선반(shelf)(239) 내에 배치된다. 임의의 적합한 부착 기술을 사용하여 제2 기판(242)(도 2c 참조)에 제1 기판(240)이 부착(그리고 선택적으로 전기적으로 접속)된다. 예를 들어, 제1 기판(240)을 제2 기판(242)에 부착하는데 패키지 범프(244)가 사용될 수 있다. 일 실시형태에서, 제1 기판(240)은 인터포저(interposer)이고, 제2 기판은 인쇄 회로 보드(예를 들어, 마더보드)이다.
일부 양태들에서, eDie(206)는 아래로 향하게 배치되고 pDie(204)에 전기적으로 접속된다. eDie(206)를 pDie(204)에 전기적으로 접속하기 위해 임의의 적합한 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제어된 붕괴 칩 접속(controlled collapse chip connection) (C4) 범프들과 같은 도전성 범프(246)는 eDie(206)를 pDie(204)에 전기적으로 접속하기 위해 사용된다. 도전성 범프(246)는 또한, 집적 스위치 ASIC(202)를 pDie(204)에 그리고 제1 기판(240)에 부착한다. 일부 실시형태에서, 열 확산기(248)는 상호접속 패키지(200) 위에 배치되어 제1 기판(240), 제2 기판(242), 또는 다른 기판 또는 콤포넌트에 부착될 수 있다.
도 2c는, 기판에 부착되고 광학 상호접속부에 광학적으로 접속된 상호접속 패키지를 가진, 도 2a에 도시된 상호접속 패키지의 부분의 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다. 일부 실시형태에서, pDie(204)는, 다이빙 보드 구조(diving-board configuration)으 집적 스위치 ASIC(202)(예를 들어, eDie(206))와 면-대-면 하이브리드 집적된 SOI(silicon-on-insulator) 칩이다. 다이빙 보드 구성에서, pDie(204)의 일부는 집적 스위치 ASIC(202)의 엣지를 넘어서 연장된다. 다이빙 보드 구성은 하나 이상의 다른 콤포넌트들에 대한 용이한 액세스 및 부착을 위한 물리적 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 광원(218) 및 광 섬유에 대한 광학 커플러(예를 들어, 렌즈)는 pDie(204)의 노출 표면(250)에 부착될 수 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 제2 기판(242)에 하나 이상의 도파관(도파관(252)라 칭함)이 매립된다. 제1 기판(240)에서의 개구 내에 하나 이상의 렌즈(렌즈(254)라 칭함)가 형성된다. 렌즈(254)는, 매립된 도파관(252)과 정렬되고, pDie(204) 내의 하나 이상의 광원을 매립된 도파관(252)과 광학적으로 커플링(광학적으로 정렬됨)한다. 임의의 적합한 타입의 렌즈가 사용될 수 있다. 예를 들어, 도시된 실시형태에서, 렌즈(254)는 폴리머 렌즈이다. 일부의 경우에, 렌즈(254)는 범프와 유사하게 기능하는 렌즈 어레이이다.
다른 실시형태는 개구 내에 렌즈를 배치하는 것에 한정되지 않는다. pDie(204)로 그리고 pDie(204)로부터 광을 지향시키거나 가이드하는 임의의 적합한 광학 엘리먼트가 개구 내에(또는 주위에) 배치될 수 있다. 일부의 경우에, pDie(204)로 그리고 pDie(204)로부터 광을 지향시키기 위한 개구 내에, 위에, 그리고/또는 아래에 하나 이상의 광학 엘리먼트가 배치될 수 있다.
pDie(204) 상의 하나 이상의 광원에 의해 방출된 광은 렌즈(254)를 통과하여 매립된 도파관(252)으로 지향된다. 광은 매립된 도파관(252)을 통해 광학 상호접속부(256)(예를 들어, 광섬유)로 전파된다. 광학 상호접속부(256)는 커넥터(258)를 통해 매립된 도파관(252)에 광학적으로 커플링된다.
일부 실시형태에서, pDie(204)의 클러스터 내의 광원(218)은 2개 이상의 매립된 도파관에 광학적으로 커플링될 수 있고, 이것은 pDie(204) 상의 광원의 수를 감소시킬 수 있다. 도 2d는 일부 실시형태에 따른 2개의 도파관에 광학적으로 커플링된 광원을 도시한다. 도시된 실시형태에서, 광원(218)은 다중 파장 광원(multi-wavelength light source)이 될 수 있다. 광원(218)에 의해 방출된 광(260)은 광학 엘리먼트(262) 상에 충돌한다. 광학 엘리먼트(262)는 매립된 도파관(252A, 252B)에 의해 광이 수신되게 한다. 일부의 경우에, 매립된 도파관(252A, 252B)을 통해 상이한 데이터를 나타내는 광학 신호를 송신하기 위해 광의 하나 이상의 파라미터가 조작되도록, 광(260)이 변조된다.
도 3은 일부 실시형태에 따른 기판에 부착된 상호접속 패키지의 제2 실시예의 사시도를 도시한다. 전술한 바와 같이, pDie(204)는 광원(218)과 검출기(220)의 하나 이상의 쌍을 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 광원(218)에 의해 방출된 광(264)은 각각의 렌즈 (254)를 통해 각각의 매립된 도파관(252)으로 통과한다. 광(264)은 매립된 도파관(252)을 통해 각각의 광학 상호접속부(256)(예를 들어, 광섬유)로 전파된다. 도 3에서, 광(264)은, 광원(218) 주변의 스타버스트(starburst), 매립된 도파관(252)으로의 화살표 입력, 및 광학 상호접속부(256)로부터의 화살표 출력에 의해, 개략적으로 표시된다.
광(266)이 각각의 광학 상호접속부(256)로부터 수신될 때, 광은 각각의 매립된 도파관(252) 및 각각의 렌즈(254)를 통해 전파되어 검출기(220)에 의해 검출된다. 도 3에서, 광(266)은, 광학 상호접속부(256)로의 라인 입력(line input), 매립된 도파관(252)에서의 화살표, 및 렌즈(254)로부터의 화살표 출력에 의해 표시된다. 일부 실시형태에서, 미러(mirror)와 같은 하나 이상의 광학 엘리먼트(268)는, 매립된 도파관(252)으로 광(264)을 지향시키거나 검출기(220)로 광(266)을 지향시키기 위해, 렌즈(254)와 매립된 도파관(252) 사이에 배치될 수 있다.
도 4a는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제3 실시예의 블록 다이어그램을 도시한다. 도 4b는, 기판에 부착된 상호접속 패키지를 가진, 도 4a에 도시된 상호접속 패키지의 부분의 라인 B-B를 따른 단면도를 도시한다. 도시된 실시형태에서, 상호접속 패키지(400)는, 광원(218)이 pDie(402) 상에 있지 않은 것을 제외하고, 도 2a 내지 도 3에서의 상호접속 패키지와 유사하다. 대신에, 광원(218)은 검출기(220) 및 변조기(예를 들어, 도 1의 112)가 pDie(402) 상에 유지되는 동안 pDie(402)로부터 제2 기판(404)으로 이동된다. 광원(218)은, 광원(218)에 전력 및 제어 신호를 제공하기 위해 제2 기판(404) 내에 입력 또는 커넥터(306)를 갖는다.
광이 상호접속 패키지(400)로부터 송신될 때, 광은 광원(218)에 의해 방출되고 매립된 도파관(408)을 통해 제1 기판(412)(예를 들어, 인터포저)의 개구 내에 형성된 렌즈(410)로 전파된다. 렌즈(410)는 광을 변조기(예를 들어, 도 1에서 112) 및 집적 스위치 ASIC(202)로 지향시킨다. 이어서, 변조된 광은 렌즈(410)(또는 다른 렌즈(예를 들어, 도 2c에서 254))를 통해 매립된 도파관으로 그리고 광학 상호접속부(예를 들어 도 2c에서 256) 상으로 통과한다.
광이 상호접속 패키지(400)에 의해 수신될 때, 광은 광학 상호접속부(예를 들어, 도 2c에서 256)로부터 수신되고, 매립된 도파관을 통해 제1 기판(412)의 개구 내에 형성된 렌즈(예를 들어, 렌즈(254 또는 410))로 전파된다. 렌즈는 pDie(402) 내의 검출기(220)으로 광을 지향시킨다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 실시형태에 대한 하나의 장점은 광원(218)이 오작동하거나 작동하지 않을 때 전체 상호접속 패키지(400)가 폐기될 필요가 없다는 것이다. 대신, 광원(218)이 수리되거나 교체될 수 있다. 상호접속 패키지(400)가 다수의 광원을 포함할 때, 각각의 광원은 다른 광원들, pDie(402), 또는 상호접속 패키지(400)에 영향을 주지 않고 개별적으로 수리되거나 교체될 수 있다.
도 5는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제4 실시예의 단면도를 도시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상호접속 패키지(500)는 pDie(504)의 표면에 부착된 하나 이상의 광학 엘리먼트(광학 엘리먼트(502)라 지칭됨)를 포함한다. 예를 들어, 도시된 실시형태에서, 광학 엘리먼트(502)는 pDie(504)의 노출 표면(250)(도 2 참조)에 부착된다. 임의의 적합한 타입의 광학 엘리먼트가 사용될 수 있다. 광학 엘리먼트의 일 실시예는 렌즈이다.
pDie(504)는, pDie(504) 상에 광원(218) 및 검출기(220)가 있는 점에서, pDie(204)로서 구현될 수 있다. 대안적으로, pDie(504)는 제2 기판 내에 하나 이상의 광원이 매립된 pDie(402)로서 구현될 수 있다. 도시된 실시형태에서, pDie(504)는 기판(507)(예를 들어, 제1 기판) 내에 형성된 리세스 또는 컷아웃(cutout)(505) 내에 배치된다.
광섬유와 같은 하나 이상의 광학 상호접속부(광학 상호접속부(506)으로 지칭됨)는 열 확산기(510) 내에 형성된 커넥터(508)를 통과한다. 광학 도파관(506)은 광학 엘리먼트(502)에 부착되고 광학적으로 커플링된다. 상호접속 패키지(500)로부터 광이 송신될 때, pDie(504) 상의 광원(예를 들어, 도 2a에서 218)에 의해 방출된 광은 광학 엘리먼트(502)를 통과하거나 광학 엘리먼트(502)에 의해 조작되고(manipulated) 광학 상호접속부(506)로 지향된다. 상호접속 패키지(500)에 의해 광이 수신될 때, 광학 상호접속부(506)를 통해 전파된 광은 광학 엘리먼트(502)에 의해 수신되거나 조작되고, pDie(504) 내의 검출기(예를 들어, 도 2a에서의 검출기(220))에 의해 검출된다.
도 6은 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 제5 실시예의 단면도를 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상호접속 패키지(600)는 pDie(604)의 표면에 부착된 하나 이상의 광학 엘리먼트(광학 엘리먼트(602)라 지칭됨)를 포함한다. 예를 들어, 도시된 실시형태에서, 광학 엘리먼트(602)는 pDie(604)의 노출 표면(250)(도 2 참조)에 부착된 렌즈를 포함한다. 임의의 적합한 타입의 광학 엘리먼트가 사용될 수 있다. 예를 들어, 광학 엘리먼트(602)는 90도 렌즈(ninety degree lens)가 될 수 있다.
pDie(604)는, pDie(604) 상에 광원(218) 및 검출기(220)가 있는 점에서, pDie(204)로서 구현될 수 있다. 대안적으로, pDie(604)는 제2 기판 내에 하나 이상의 광원이 매립된 pDie(402)로서 구현될 수 있다. 도시된 실시형태에서, pDie(604)는 기판(607)(예를 들어, 제1 기판) 내에 형성된 리세스 또는 컷아웃(cutout)(605) 내에 배치된다.
광섬유와 같은 하나 이상의 광학 상호접속부(광학 상호접속부(606)으로 지칭됨)는 열 확산기(610) 내에 형성된 커넥터(608)를 통해 연장된다. 광학 상호접속부(606)는 광학 엘리먼트(602)에 부착되고 광학적으로 커플링된다. 상호접속 패키지(600)로부터 광이 송신될 때, pDie(604) 상의 광원(예를 들어, 도 2a에서 218)에 의해 방출된 광은 광학 엘리먼트(602)를 통과하거나 광학 엘리먼트(502)에 의해 조작되고(manipulated) 광학 상호접속부(606)로 지향된다. 상호접속 패키지(600)에 의해 광이 수신될 때, 광학 상호접속부(606)를 통해 전파된 광은 광학 엘리먼트(602)에 의해 수신되거나 조작되고, pDie(604) 내의 검출기(예를 들어, 도 2a에서의 검출기(220))에 의해 검출된다.
도 5 및 도 6에 오직 하나의 광학 엘리먼트 및 하나의 커넥터가 도시되었지만, 다른 실시형태는 이 구조에 한정되지 않는다. 다른 실시형태에서 임의의 적합한 수의 광학 엘리먼트 및/또는 커넥터가 사용될 수 있다.
도 7은 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 형성을 위한 제1 실시예 방법의 플로우차트이다. 일 실시형태에서, 도 7의 프로세스는 도 2a 내지 도 3에 도시된 상호접속 패키지를 구성하는데 사용될 수 있다. 우선, 블록 700에서, 하나 이상의 포토닉 다이(204)가 집적 스위치 ASIC(202)에 부착된다. 전술한 바와 같이, 하나 이상의 포토닉 다이(204)는 집적 스위치 ASIC(202)에 부착되고, eDie(206)의 콤포넌트(예를 들어, serdes, 제어 회로부, 트랜시버, 및/또는 클로킹 회로부)에 적어도 전기적으로 접속된다. 집적 스위치 ASIC에 포토닉 다이(들)를 부착하기 위해 임의의 적합한 기술이 사용될 수 있다. 예를 들어, 집적 스위치 ASIC에 pDie를 부착하기 위해 도전성 범프가 사용될 수 있다.
이어서, 블록 702에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 도파관(252)이 인쇄 회로 보드와 같은 제2 기판(242) 내에 형성된다. 하나 이상의 도파관은 임의의 적합한 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 도파관(들)은 제2 기판에 에칭될 수 있다.
이어서, 제1 기판(240) 내에 하나 이상의 개구가 형성되고, 각각의 개구 내에 렌즈(254)가 형성된다(블록 704, 706). 제1 기판 내의 개구를 드릴링하는 것과 같은 임의의 적합한 기술을 사용하여 제1 기판(240) 내에 개구가 형성될 수 있다. 마찬가지로, 임의의 적합한 기술을 사용하여 각각의 렌즈(254)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 렌즈의 물질은 개구(들) 내에 성막될 수 있고, 열적으로 프로세싱될 수 있다.
각각의 포토닉 다이(204)는 렌즈(254)와 광학적으로 정렬되고(aligned), 적어도 집적 스위치 ASIC(202)는 제1 기판(240)에 부착된다(블록 708). 이어서, 블록 710에 도시된 바와 같이, 렌즈(들)(254)는 매립된 도파관(들)(252)과 광학적으로 정렬되고, 제1 기판(240)은 제2 기판(242)에 부착된다. 제1 기판을 제2 기판에 부착하기 위해 임의의 적합한 기술이 사용될 수 있다. 부착 기술의 일 실시예는 솔더 또는 플립 칩 범프(solder or flip chip bump)이다.
블록 712에서, 열 확산기(248)는 상호접속 패키지 위에 배치되고 기판(예를 들어, 제1 기판, 제2 기판, 또는 다른 기판)에 부착된다. 열 확산기를 기판에 부착하기 위해 임의의 적합한 기술이 사용될 수 있다. 예를 들어, 열 확산기는 접착제를 사용하여 기판에 부착될 수 있다.
도 8은 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 형성을 위한 제2 실시예 방법의 플로우차트이다. 일 실시형태에서, 도 8의 프로세스는 도 4a 및 도 4b에 도시된 상호접속 패키지를 구성하는데 사용될 수 있다. 몇몇 동작들은 도 7에 도시된 동작들과 유사하며, 도 8의 설명에서 간결함을 위해 상세히 논의되지 않는다.
우선, 블록 700에서, 하나 이상의 포토닉 다이(402)가 집적 스위치 ASIC(202)에 부착된다. 이어서, 블록 800에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 도파관들(408)이 제2 기판(404) 내에 형성되고, 하나 이상의 광원들(218)이 제2 기판(404) 내에 배치 또는 매립된다. 각 광원(218)은, 제2 기판(404) 내에 배치될 때, 하나 이상의 도파관들(408)과 광학적으로 정렬될 수 있다.
이어서, 제1 기판(412) 내에 하나 이상의 개구가 형성되고, 각각의 개구 내에 렌즈(410)가 형성된다(블록 704, 706). 각각의 포토닉 다이(402)는 렌즈(410)와 광학적으로 정렬되고, 상호접속 패키지는 제1 기판(412)에 부착된다(블록 708). 이어서, 블록 710에 도시된 바와 같이, 각 렌즈(410)는 하나 이상의 매립된 도파관들(408)과 광학적으로 정렬되고, 제1 기판(412)이 제2 기판(404)에 부착되어 상호접속 패키지를 생성한다. 열 확산기(예를 들어, 도 2b에서 248)는 상호접속 패키지 위에 배치되고 기판에 부착될 수 있다(블록 712).
도 9는 일부 실시형태에 따른 상호접속 패키지의 형성을 위한 제3 실시예 방법의 플로우차트이다. 일 실시형태에서, 도 9의 프로세스는 도 5 및 도 6에 도시된 상호접속 패키지를 구성하는데 사용될 수 있다. 몇몇 동작들은 도 7에 도시된 동작들과 유사하며, 도 9의 설명에서 간결함을 위해 상세히 논의되지 않는다.
우선, 블록 700에서, 하나 이상의 포토닉 다이(504, 604)가 집적 스위치 ASIC(예를 들어 도 2a에서 202)에 부착된다. 이어서, 블록 900에 도시된 바와 같이, 상호접속 패키지는 임의의 적합한 기술을 사용하여 제1 기판(507, 607)에 부착된다. 하나 이상의 광학 엘리먼트(502, 602)는 포토닉 다이(504, 604)의 하나 이상의 표면 상에 형성될 수 있고(블록 902), 제1 기판(507, 607)은 제2 기판(예를 들어, 도 2c에서 242)에 부착된다(블록 904).
이어서, 블록 906에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 개구가 열 확산기(510, 610) 내에 형성되고, 열 확산기는 기판(예를 들어, 제1 기판(507, 607))에 부착된다. 열 확산기 내에 개구(들)를 형성하기 위해 에칭 또는 드릴링 등의 임의의 적합한 기술이 사용될 수 있다. 선택적으로, 블록 908에서 각각의 개구 내에 커넥터(508, 608)가 배치될 수 있다. 열 확산기가 기판에 부착되기 전 또는 후에, 커넥터(들)가 배치될 수 있다. 광섬유와 같은 광학 상호접속부(506, 606)는 각각의 개구 또는 커넥터(508, 608) 내에 배치되고 광학 엘리먼트(502, 602)에 부착 및 광학적으로 커플링된다.
도 7 내지 도 9에서 블록들이 특정 순서로 도시되었지만, 다른 실시형태에서, 상기 블록들의 순서는 상이하게 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 7에서, 블록 702, 704, 및 706은 블록 700 전에 수행될 수 있다. 추가적으로, 상기 방법에 새로운 블록이 추가되거나, 블록들이 상기 방법으로부터 삭제될 수 있다. 예를 들어, 일부의 경우에, 블록 704 및 706이 생략될 수 있다.
일 실시형태에서, 상호접속 패키지는 하나의 패키지로 집적된 pDie 및 집적 스위치 ASIC를 포함한다. pDie는 검출기를 포함한다. 집적 스위치 ASIC는 eDie의 하나 이상의 콤포넌트 및 하나 이상의 스위치를 포함하는 스위치 ASIC를 포함한다. eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 적어도 하나의 시리얼라이저 /디시리얼라이저 회로부 또는 제어 회로부를 포함할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 pDie에 전기적으로 접속된다.
다른 실시형태에서, 디바이스는 기판 및 기판에 부착된 상호접속 패키지를 포함한다. 상호접속 패키지는 하나의 패키지로 집적된 pDie 및 집적 스위치 ASIC를 포함한다. 집적 스위치 ASIC는, 제어, 시리얼라이저/디시리얼라이저, 및 스위치 기능을 위해 구성된다. pDie는 복수의 검출기를 포함하고 집적 스위치 ASIC에 부착 및 전기적으로 접속된다.
일부 실시형태에서, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스를 생성하기 위한 방법은 상호접속 패키지를 생성하기 위해 집적 스위치 ASIC에 pDie를 부착하는 단계를 포함한다. pDie는 검출기를 포함하고, 집적 스위치 ASIC는 하나 이상의 스위치, 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부, 및 제어 회로부를 포함한다. 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부 및 제어 회로부는 pDie에 전기적으로 접속된다. 렌즈는 기반의 개구 내에 배치되고, 상호접속 패키지는 기판에 부착된다. 렌즈는 pDie 내의 검출기와 광학적으로 정렬된다.
1) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지는, 하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(photonic die; pDie)와 집적 스위치 ASIC를 포함하고, 상기 pDie는 검출기를 포함하고, 상기 집적 스위치 ASIC는, 상기 pDie에 부착되며, 하나 이상의 스위치를 포함하는 스위치 ASIC; 및 전자 다이(electronic die; eDie)의 하나 이상의 콤포넌트를 포함하고, 상기 eDie는 시리얼라이저/디시리얼라이저(serializer/deserializer) 회로부 또는 제어 회로부 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 상기 pDie에 전기적으로 접속된다.
2) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 집적 스위치 ASIC는 제1 기판에 부착된다.
3) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 pDie는 광원을 더 포함한다.
4) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지는, 상기 제1 기판 내의 개구 내에 형성되고 상기 광원과 광학적으로 정렬되는(aligned) 렌즈를 더 포함한다.
5) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 제1 기판은 제2 기판에 부착되고, 상기 제2 기판은 상기 렌즈와 광학적으로 정렬되는 매립된 도파관을 포함한다.
6) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 집적 스위치 ASIC 및 상기 pDie는, 상기 pDie의 부분이 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지(edge)를 넘어 연장되고 광학 엘리먼트가 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지를 넘어 연장되는 상기 pDie의 부분에 부착되도록, 다이빙 보드(diving-board) 구조로 배열되고, 상기 광학 엘리먼트는 광원과 광학적으로 정렬된다.
7) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 상호접속 패키지 위에 열 확산기가 배치되고, 상기 열 확산기는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 중 하나에 부착되고, 상기 열 확산기는 커넥터를 포함하고, 상기 커넥터를 통해 광학 상호접속부가 연장되어 상기 광학 엘리먼트에 접속된다.
8) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 제1 기판은 제2 기판에 부착되고, 상기 제2 기판 내에 광원이 배치되고, 상기 광원은 상기 제2 기판 내의 제1 매립된 도파관과 광학적으로 정렬된다.
9) 본 개시의 실시형태에 따른 상호접속 패키지에 있어서, 상기 제1 기판 내의 제1 개구 내에 제1 렌즈가 배치되고, 상기 제1 매립된 도파관은 상기 제1 렌즈와 광학적으로 정렬되고; 상기 제2 기판 내에 제2 매립된 도파관이 배치되고, 상기 제2 매립된 도파관은 상기 검출기와 광학적으로 정렬되고; 상기 제1 기판 내의 제2 개구 내에 제2 렌즈가 배치되고, 상기 제2 매립된 도파관은 상기 제2 렌즈와 광학적으로 정렬된다.
10) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스는, 기판; 및 상기 기판에 접속된 상호접속 패키지를 포함하고, 상기 상호접속 패키지는 하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(pDie)와 집적 스위치 ASIC를 포함하고, 상기 집적 스위치 ASIC는 제어, 시리얼라이저/디시리얼라이저(serializer/deserializer), 및 스위치 기능을 위해 구성되고; 상기 포토닉 다이(pDie)는 복수의 검출기를 포함하며 상기 집적 스위치 ASIC에 부착 및 전기적으로 접속된다.
11) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 기판은 제1 기판을 포함하고; 상기 pDie는 복수의 광원을 더 포함하고; 상기 디바이스는, 상기 제1 기판에 부착된 제2 기판; 및 상기 광원에 의해 방출된 광을 광학 상호접속부로 전파하도록, 상기 제2 기판 내에 매립되며 상기 복수의 광원과 광학적으로 정렬되는 복수의 도파관을 더 포함한다.
12) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 제1 기판 내의 개구 내에 형성되고, 상기 광원에 의해 방출된 광을 상기 매립된 도파관으로 지향시키기 위해 상기 매립된 도파관 및 상기 광원 중 적어도 일부와 광학적으로 정렬되는 복수의 렌즈를 더 포함한다.
13) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 제1 기판 내의 개구 내에 형성되고, 광을 상기 검출기로 지향시키기 위해 상기 매립된 도파관 및 상기 검출기 중 적어도 일부와 광학적으로 정렬되는 복수의 렌즈를 더 포함한다.
14) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 광원 및 상기 검출기는 광원과 검출기의 쌍으로 배열되고, 상기 쌍은 상기 pDie 내의 하나 이상의 클러스터로 배치된다.
15) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 pDie 및 상기 집적 스위치 ASIC는, 상기 pDie의 부분이 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지를 넘어 연장되고 복수의 광학 엘리먼트가 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지를 넘어 연장되는 상기 pDie의 부분에 부착되도록, 다이빙 보드 구조로 배열되고, 상기 광학 엘리먼트 각각은 광원과 광학적으로 정렬되고, 상기 상호접속 패키지 위에 열 확산기가 배치되고, 상기 열 확산기는 상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판 중 하나에 부착되고, 상기 열 확산기는 복수의 커넥터를 포함하고, 상기 커넥터 각각을 통해 광학 상호접속부가 연장되어 각각의 광학 엘리먼트에 접속된다.
16) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 제2 기판 내에 복수의 광원이 배치된다.
17) 본 개시의 다른 실시형태에 따른 디바이스에 있어서, 상기 제1 기판 내의 개구 내에 배치된 복수의 렌즈를 더 포함하고, 각각의 렌즈는 상기 복수의 광원의 광원과 광학적으로 정렬된다.
18) 본 개시의 또 다른 실시형태에 따른 광 통신을 위한 상호접속 디바이스를 생성하기 위한 방법은, 상호접속 패키지를 생성하기 위해 집적 스위치 ASIC에 포토닉 다이(pDie) - 상기 pDie는 검출기를 포함하고, 상기 집적 스위치 ASIC는 하나 이상의 스위치, 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부, 및 제어 회로부를 포함하고, 상기 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부 및 상기 제어 회로부는 상기 pDie에 전기적으로 접속됨 - 를 부착하는 단계; 기판의 개구 내에 렌즈를 배치하는 단계; 및 상기 기판에 상기 상호접속 패키지를 부착하는 단계를 포함하고, 상기 렌즈는 상기 pDie 내의 검출기와 광학적으로 정렬된다.
19) 본 개시의 또 다른 실시형태에 따른 광 통신을 위한 상호접속 디바이스를 생성하기 위한 방법에 있어서, 상기 기판은 제1 기판을 포함하고; 상기 제1 기판 내의 개구는 제1 개구를 포함하고; 상기 렌즈는 제1 렌즈를 포함하고; 상기 pDie는 광원을 포함하고; 상기 방법은, 상기 제1 기판의 제2 개구 내에 제2 렌즈를 배치하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 렌즈는 상기 광원과 광학적으로 정렬된다.
20) 본 개시의 또 다른 실시형태에 따른 광 통신을 위한 상호접속 디바이스를 생성하기 위한 방법에 있어서, 상기 기판은 제1 기판을 포함하고; 상기 방법은 광원을 포함하는 제2 기판에 상기 제1 기판을 부착하는 단계를 더 포함한다.
상기 내용은 당업자가 본 개시의 상세한 내용을 더 잘 이해할 수 있도록 몇가지 실시형태의 특징의 개요를 설명한 것이다. 여기 개시된 실시형태의 동일 목적을 수행하는 것 및/또는 동일 장점을 달성하는 것을 위해 다른 프로세스 및 구조를 설계 또는 수정하기 위한 기초로서 본 개시를 용이하게 사용할 수 있다는 것을 통상의 기술자는 인식해야 한다. 또한, 이러한 동등물은 본 개시의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않는다는 것과 본 개시의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않는 다양한 변경, 대체, 및 개조가 이루어질 수 있다는 것을 통상의 기술자는 인식해야 한다.

Claims (10)

  1. 광학 상호접속 시스템에 있어서,
    하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(photonic die; pDie)와 집적 스위치 ASIC로서,
    상기 pDie는 검출기를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는 상기 pDie에 부착되며, 상기 집적 스위치 ASIC 및 상기 pDie는, 상기 pDie의 부분이 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지(edge)를 넘어 연장되도록, 다이빙 보드(diving-board) 구조로 배열되고,
    상기 집적 스위치 ASIC는,
    하나 이상의 스위치를 포함하는 스위치 ASIC; 및
    전자 다이(electronic die; eDie) - 상기 eDie는 시리얼라이저/디시리얼라이저(serrializer/deserialize) 회로부 또는 제어 회로부 중 하나를 포함함 - 의 하나 이상의 콤포넌트로서, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 상기 pDie에 전기적으로 접속되는 것인, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트
    를 포함하는 것인, 상기 pDie와 집적 스위치 ASIC;
    상기 집적 스위치 ASIC에 부착된 기판; 및
    상기 기판의 개구 내에 배치되고 광원과 광학적으로 정렬된(aligned) 렌즈
    를 포함하는, 광학 상호접속 시스템.
  2. 삭제
  3. 광학 상호접속 시스템에 있어서,
    하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(pDie)와 집적 스위치 ASIC로서,
    상기 pDie는 검출기를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는, 상기 pDie에 부착되며,
    하나 이상의 스위치를 포함하는 스위치 ASIC; 및
    시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부 또는 제어 회로부 중 적어도 하나를 포함하는 전자 다이(eDie)의 하나 이상의 콤포넌트로서, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 상기 pDie에 전기적으로 접속되는 것인, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트
    를 포함하는 것인, 상기 pDie와 집적 스위치 ASIC를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는 제1 기판에 부착되며,
    상기 pDie는 광원을 더 포함하는 것인, 광학 상호접속 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 기판 내의 개구 내에 형성되고 상기 광원과 광학적으로 정렬되는(aligned) 렌즈를 더 포함하는, 광학 상호접속 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 기판은 제2 기판에 부착되고, 상기 제2 기판은 상기 렌즈와 광학적으로 정렬되는 매립된 도파관을 포함하는 것인, 광학 상호접속 시스템.
  6. 광학 상호접속 시스템에 있어서,
    하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(pDie)와 집적 스위치 ASIC로서,
    상기 pDie는 검출기를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는, 상기 pDie에 부착되며,
    하나 이상의 스위치를 포함하는 스위치 ASIC; 및
    시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부 또는 제어 회로부 중 적어도 하나를 포함하는 전자 다이(eDie)의 하나 이상의 콤포넌트로서, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 상기 pDie에 전기적으로 접속되는 것인, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트
    를 포함하는 것인, 상기 pDie와 집적 스위치 ASIC를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는 제1 기판에 부착되며,
    상기 집적 스위치 ASIC 및 상기 pDie는, 상기 pDie의 부분이 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지를 넘어 연장되고 광학 엘리먼트가 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지를 넘어 연장되는 상기 pDie의 부분에 부착되도록, 다이빙 보드 구조로 배열되고, 상기 광학 엘리먼트는 광원과 광학적으로 정렬되는 것인, 광학 상호접속 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광학 상호접속 시스템 위에 열 확산기가 배치되고, 상기 열 확산기는 상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 하나에 부착되고, 상기 열 확산기는 커넥터를 포함하고, 상기 커넥터를 통해 광학 상호접속부가 연장되어 상기 광학 엘리먼트에 접속되는 것인, 광학 상호접속 시스템.
  8. 광학 상호접속 시스템에 있어서,
    하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(pDie)와 집적 스위치 ASIC로서,
    상기 pDie는 검출기를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는, 상기 pDie에 부착되며,
    하나 이상의 스위치를 포함하는 스위치 ASIC; 및
    시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부 또는 제어 회로부 중 적어도 하나를 포함하는 전자 다이(eDie)의 하나 이상의 콤포넌트로서, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트는 상기 pDie에 전기적으로 접속되는 것인, 상기 eDie의 하나 이상의 콤포넌트
    를 포함하는 것인, 상기 pDie와 집적 스위치 ASIC를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는 제1 기판에 부착되며,
    상기 제1 기판은 제2 기판에 부착되고, 상기 제2 기판 내에 광원이 배치되고, 상기 광원은 상기 제2 기판 내의 제1 매립된 도파관과 광학적으로 정렬되는 것인, 광학 상호접속 시스템.
  9. 광 통신을 위한 상호접속 디바이스에 있어서,
    기판;
    상기 기판의 개구들 내에 위치된 복수의 렌즈; 및
    상기 기판에 접속된 상호접속 패키지
    를 포함하고,
    상기 상호접속 패키지는 하나의 패키지로 집적된 포토닉 다이(pDie)와 집적 스위치 ASIC를 포함하고,
    상기 집적 스위치 ASIC는 하나 이상의 스위치를 포함하되, 제어, 시리얼라이저/디시리얼라이저, 및 스위치 기능을 위해 구성되고,
    상기 포토닉 다이(pDie)는 복수의 검출기를 포함하며 상기 집적 스위치 ASIC에 부착 및 전기적으로 접속되고, 상기 pDie는 상기 집적 스위치 ASIC의 일 면에 부착되고, 상기 pDie의 부분이 상기 집적 스위치 ASIC의 엣지를 넘어 연장하도록 배열된 것인, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스.
  10. 광 통신을 위한 상호접속 디바이스를 생성하기 위한 방법에 있어서,
    상호접속 패키지를 생성하기 위해 집적 스위치 ASIC에 포토닉 다이(pDie) - 상기 pDie는 검출기를 포함하고, 상기 집적 스위치 ASIC는 하나 이상의 스위치, 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부, 및 제어 회로부를 포함하고, 상기 시리얼라이저/디시리얼라이저 회로부 및 상기 제어 회로부는 상기 pDie에 전기적으로 접속됨 - 를 부착하는 단계;
    기판의 개구 내에 렌즈를 배치하는 단계; 및
    상기 기판에 상기 상호접속 패키지를 부착하는 단계
    를 포함하고,
    상기 렌즈는 상기 pDie 내의 검출기와 광학적으로 정렬되는 것인, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스를 생성하기 위한 방법.
KR1020190098709A 2018-08-15 2019-08-13 광학 상호접속 시스템, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스 및 이를 생성하기 위한 방법 KR102297454B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862764710P 2018-08-15 2018-08-15
US62/764,710 2018-08-15
US16/282,075 2019-02-21
US16/282,075 US10823921B2 (en) 2018-08-15 2019-02-21 Photonics package integration

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200019831A KR20200019831A (ko) 2020-02-25
KR102297454B1 true KR102297454B1 (ko) 2021-09-06

Family

ID=69523915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190098709A KR102297454B1 (ko) 2018-08-15 2019-08-13 광학 상호접속 시스템, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스 및 이를 생성하기 위한 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10823921B2 (ko)
KR (1) KR102297454B1 (ko)
CN (1) CN110837150B (ko)
TW (1) TWI701776B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10823921B2 (en) * 2018-08-15 2020-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photonics package integration
DE102019117629A1 (de) * 2018-08-15 2020-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photonikpackageintegration
US10983293B1 (en) * 2020-02-28 2021-04-20 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Electro-optical hot-pluggable module with a dual-purpose heat transfer plate
US11307368B2 (en) 2020-04-07 2022-04-19 Cisco Technology, Inc. Integration of power and optics through cold plates for delivery to electronic and photonic integrated circuits
US11320610B2 (en) 2020-04-07 2022-05-03 Cisco Technology, Inc. Integration of power and optics through cold plate for delivery to electronic and photonic integrated circuits
US11109515B1 (en) * 2020-06-05 2021-08-31 Inphi Corporation Heatsink for co-packaged optical switch rack package
US20220155539A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Intel Corporation High bandwidth optical interconnection architectures
US11506843B1 (en) * 2021-05-13 2022-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having photonic and electronic dies and an optical fiber assembly creating an air gap
US20220382005A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and methods for optical interconnects
US11982853B2 (en) * 2021-10-01 2024-05-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optoelectronic package and method of manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030099018A1 (en) * 2001-10-09 2003-05-29 Jagdeep Singh Digital optical network architecture
US20130308898A1 (en) * 2012-04-26 2013-11-21 Acacia Communications Inc. Co-packaging photonic integrated circuits and application specific integrated circuits
US20140029888A1 (en) 2012-07-25 2014-01-30 International Business Machines Corporation Electro-optical assembly for silicon photonic chip and electro-optical carrier

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600853B2 (en) * 2000-09-21 2003-07-29 Corona Optical Systems, Inc. Electro-optic interconnect circuit board
US8831437B2 (en) 2009-09-04 2014-09-09 Luxtera, Inc. Method and system for a photonic interposer
CN101521194B (zh) * 2009-03-31 2011-06-15 武汉电信器件有限公司 高速光电组件
TWI686904B (zh) * 2012-03-16 2020-03-01 美商樂仕特拉公司 光子材料中介層的方法及系統
US9041015B2 (en) * 2013-03-12 2015-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and methods of forming same
US9297971B2 (en) 2013-04-26 2016-03-29 Oracle International Corporation Hybrid-integrated photonic chip package with an interposer
US9678271B2 (en) * 2015-01-26 2017-06-13 Oracle International Corporation Packaged opto-electronic module
US9513447B1 (en) * 2015-05-14 2016-12-06 Huawei Technologies Co.., Ltd. Active photonic integrated circuit (PIC) with embedded coupling efficiency monitoring
US10572416B1 (en) * 2016-03-28 2020-02-25 Aquantia Corporation Efficient signaling scheme for high-speed ultra short reach interfaces
US20180052281A1 (en) 2016-08-16 2018-02-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate, semiconductor device and semiconductor package structure
US10447407B2 (en) * 2017-07-31 2019-10-15 Dust Photonics Ltd. High-frequency optoelectronic module
US10823921B2 (en) * 2018-08-15 2020-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photonics package integration

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030099018A1 (en) * 2001-10-09 2003-05-29 Jagdeep Singh Digital optical network architecture
US20130308898A1 (en) * 2012-04-26 2013-11-21 Acacia Communications Inc. Co-packaging photonic integrated circuits and application specific integrated circuits
US20140029888A1 (en) 2012-07-25 2014-01-30 International Business Machines Corporation Electro-optical assembly for silicon photonic chip and electro-optical carrier

Also Published As

Publication number Publication date
TWI701776B (zh) 2020-08-11
TW202010065A (zh) 2020-03-01
US20210072474A1 (en) 2021-03-11
US11460651B2 (en) 2022-10-04
US10823921B2 (en) 2020-11-03
CN110837150B (zh) 2021-09-10
CN110837150A (zh) 2020-02-25
KR20200019831A (ko) 2020-02-25
US20200057218A1 (en) 2020-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102297454B1 (ko) 광학 상호접속 시스템, 광 통신을 위한 상호접속 디바이스 및 이를 생성하기 위한 방법
US10879648B2 (en) Method and system for large silicon photonic interposers by stitching
JP6294838B2 (ja) 高密度に実装された光インターコネクトを有するチップアセンブリ構成
US9391708B2 (en) Multi-substrate electro-optical interconnection system
US20210392419A1 (en) Assembly of network switch asic with optical transceivers
US8231284B2 (en) Ultra-high bandwidth, multiple-channel full-duplex, single-chip CMOS optical transceiver
US9671572B2 (en) Integrated chip package with optical interface
US20220365299A1 (en) Photonics package integration
US8041230B2 (en) System and method for optoelectrical communication
KR20040047593A (ko) 광학적으로 접속가능한 회로 보드 및 광학 구성 요소 및광 가이드 구조물
US20230091939A1 (en) Chip-scale optical interconnect using microleds
US20240036254A1 (en) High-capacity optical input/output for data processors
US20240241329A1 (en) Heterogeneous packaging integration of photonic and electronic elements
US7693424B1 (en) Integrated proximity-to-optical transceiver chip
US20150205061A1 (en) Optical waveguide
US10120148B2 (en) Devices with optical ports in fan-out configurations
US8041229B2 (en) System and method for optoelectrical communication
US20240201444A1 (en) Chiplet communication using an optical communication substrate
CN113037387B (zh) 一种光通信装置
Taira Integration of optical interconnect for servers: Packaging approach toward near-CPU optics

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right