KR102293301B1 - 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 기판 세정 방법 - Google Patents

기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 기판 세정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 기판 세정 방법에 관한 것이다. 일 실시 예에 의하면, 기판 세정 조성물은 용매와; 셀룰로오즈를 포함한다.

Description

기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 기판 세정 방법{COMPOSITION FOR CLEANING SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING THERE OF AND METHOD FOR CLEAING SUBSTRATE USING THERE OF}
본 발명은 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물의 제조 방법 및 이를 이용한 기판 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 세정 공정은 기판 상에 잔류된 파티클을 제거하는 공정으로, 각각의 공정 전후 단계에서 진행된다.
일반적으로 세정 공정은 기판 상에 잔류된 이물을 제거하는 공정으로, 강산 또는 강염기, 강유기성 화학물질을 사용된다. 이러한 화학물질은 환경과 신체에 유해하고, 폐 화학물질의 처리에 따른 비용 소모가 크다.
본 발명은 환경 및 신체에 무해한 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물 제조 방법 및 기판 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 Ge소재의 반도체 세정시 소재의 손실을 일으키지 않는 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물 제조 방법 및 기판 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 세정하는 세정 조성물을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 세정 조성물은 용매와; 셀룰로오즈를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 셀룰로오즈는 마이크로 셀룰로오즈일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 용매는 80wt% 이상 100wt% 미만을; 상기 셀룰로오즈는 0wt% 초과 20wt%이하를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 세정 조성물은, 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 계면활성제는 0wt% 초과 5wt% 이하일 수 있다.
본 발명은 기판을 세정하는 세정 조성물의 제조 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 세정 조성물의 제조 방법은 용매와; 셀룰로오즈를 포함하는 혼합물을 10분 이상 혼합하는 단계를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 용매는 80wt% 이상 100wt% 미만을; 상기 셀룰로오즈는 0wt% 초과 15wt%이하를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 계면활성제는 0wt% 초과 5wt% 이하일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 혼합물에 계면활성제를 넣는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 셀룰로오즈는 마이크로 셀룰로오즈일 수 있다.
본 발명은 기판을 세정하는 세정 조성물을 이용한 기판 세정 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판을 세정 조성물을 이용한 기판 세정 방법은 피세정 기판을 준비하는 단계와; 제1 항 내지 제5 항 중 어느 하나의 기판 세정 조성물을 공급하여 피세정 기판을 세정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 피세정 기판은 10분 이상 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 피세정 기판은 상온 또는 상압에서 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판 세정 조성물은 섭씨 60도 이상 90도 이하의 온도로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 피처리 기판은 섭씨 60도 이상 90도 이하의 온도에서 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물 제조 방법 및 기판 세정 방법은 순수를 주 성분으로 함에 따라 친환경적이다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물 제조 방법 및 기판 세정 방법은 인체에 무해하다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 조성물, 기판 세정 조성물 제조 방법 및 기판 세정 방법은 Ge소재의 반도체 세정시 소재의 손실을 일으키지 않는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 셀룰로오스의 함량 및 시간에 따른 세정력을 도시한 그래프이다.
도 4는 용매 및 셀룰로오스에 계면활성제를 더 포함시키고 시간에 따른 세정 효과를 SEM으로 관찰한 것이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에는 기판, 이를 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 이를 감싸는 처리 용기를 세정 처리하는 공정을 일 예로 설명한다. 이하, 도 1 내지 도 3를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하며, 제1 방향(12)과 제2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3 방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260)이 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭되도게 위치된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.
선택적으로, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 또는 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다.
인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다.
인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 복수개의 인덱스암(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 복수개의 인덱스암(144c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치된다.
메인 로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)는 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(300)는 기판을 세정 처리하는 공정을 수행한다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다.
처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 외부 회수통(326)을 가진다. 내부 회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 외부 회수통(326) 각각은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다.
내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(324)은 내부 회수통(322)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다.
외부 회수통(326)의 바닥면에는 내측 배기홀(326c)이 형성된다. 내부 회수통(322)의 내측 공간(322a)은 처리액이 유입되는 내측 유입구(322a)로서 기능한다. 중간 회수통(324)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(324a)은 중간 회수통(324)으로 처리액이 유입되는 중간 유입구(324a)로서 기능한다. 중간 회수통(324)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 외측 유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 내측 유입구(322a), 중간 유입구(324a) 그리고 외측 유입구(326a) 각각은 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 측 유입구(322a), 중간 유입구(324a) 그리고 외측 유입구(326a) 각각의 저면 아래에는 제1 회수 라인(322b), 제2 회수 라인(324b), 그리고 제3 회수 라인(326b)이 각각 연결된다. 내부 회수통(322), 중간 회수통(324), 그리고 외부 회수통(326) 각각에 유입된 처리액들은 제1 회수 라인(322b), 제2 회수 라인(324b), 그리고 제3 회수 라인(326b)이 각각을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 기판 지지 유닛(340)는 지지판(342), 지지 핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재(348,349)를 가진다. 지지판(342)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지판을 회전시킨다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(342) 및 구동부(349)를 가진다. 지지축(342)은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 지지축(342)는 구동부(349)에 의해 회전 가능하다.
지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 지지판(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 기판 지지 유닛(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 기판 지지 유닛(340)와 처리 용기(320) 간에 상대 높이를 조절한다. 일 예에 의하면, 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 기판 지지 유닛(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(370)은 기판(W) 상으로 다양한 종류의 액들을 공급한다. 액 공급 유닛(370)은 하나 이상으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 이동 노즐 유닛 및 고정 노즐 유닛을 포함할 수 있다.
액 공급 유닛(370)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(370)은 이동 노즐 유닛 또는 고정 노즐 유닛일 수 있다. 도시된 실시 예에 의하면, 액 공급 유닛(370)은 이동 노즐 유닛이다. 액 공급 유닛(370)은 복수 개로 제공되며, 처리액은 다양한 종류의 액일 수 있다. 예컨대, 각각의 액 공급 유닛(370)은 서로 상이한 종류의 액을 공급할 수 있다. 처리액은 세정 조성물일 수 있다. 액 공급 유닛(370)은 노즐(374) 및 노즐 이동 부재(371)를 포함한다. 노즐(374)은 노즐 이동 부재(371)에 의해 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 노즐(374)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(374)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐(374)이 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다.
노즐 이동 부재(381)는 지지축(386), 지지 아암(382), 그리고 구동 부재(388)를 포함한다. 지지축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다.
지지 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 지지 아암(382)의 끝단에는 이동 노즐이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 이동 노즐은 지지 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 이동 노즐은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 이동 노즐은 공정 위치에서 토출구가 기판(W)의 중심과 일치되도록 위치될 수 있다.
선택적으로, 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 또한 지지 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다.
처리액은 세정 조성물일 수 있다. 일 실시 예에 따른 세정 조성물은 용매와, 셀룰로오즈(cellulose)를 포함한다. 용매는 순수일 수 있다. 일 예에 의하면, 셀룰로오즈는 마이크로 셀룰로오즈(microcellulose)일 수 있다. 일 예에 의하면 셀룰로오즈의 길이는 30um 이상 500um 이하일 수 있다. 더 상세하게는 셀룰로오즈의 길이는 50um이상 150um이하일 수 있다. 일 예에 의하면, 셀룰로오스의 폭은 20um 이상 90um이하일 수 있다.
일 예에 의하면, 용매는 80wt% 이상 100wt% 미만을, 셀룰로오즈는 0wt% 초과 20wt%이하를 포함한다. 셀룰로오즈가 없으면 높은 세정 효과가 발생하지 않는다.
기판 세정 조성물은, 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 계면활성제는 0wt% 초과 5wt% 이하일 수 있다. 계면 활성제는 용매의 표면 장력을 낮출 수 있다.
이하, 기판 세정 조성물의 제조 방법을 설명한다.
기판 세정 조성물은 용매와 셀 룰로오즈를 포함하는 혼합물을 10분 이상 혼합하여 제조될 수 있다. 용매는 80wt% 이상 100wt% 미만을, 셀룰로오즈는 0wt% 초과 20wt%이하를 포함할 수 있다. 셀룰로오즈는 마이크로 셀룰로오즈(microcellulose)일 수 있다. 일 예에 의하면, 용매와 셀룰로오즈의 혼합물에 계면활성제를 넣는 단계를 더 포함할 수 있다. 계면활성제는 0wt% 초과 5wt% 이하일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 세정 방법을 설명한다.
피세정 기판은 기판 지지 유닛(340)에 기판을 준비하는 단계와, 기판 세정 조성물을 공급하여 피세정 기판을 세정하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 피세정 기판은 상온 또는 상압에서 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리될 수 있다. 바람직하게는 기판 세정 조성물은 섭씨 60도 이상 90도 이하의 온도로 공급되어 기판을 세정하거나, 피처리 기판이 섭씨 60도 이상 90도 이하의 온도에서 기판 세정 조성물에 의해 처리될 수 있다. 온도가 높으면 용매가 증발할 수 있고, 온도가 낮으면 세정 처리 효과가 낮아질 수 있다.
피세정 기판은 Ge소재의 반도체로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 피세정 기판은 10분 이상 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리될 수 있다.
도 3은 셀룰로오스의 함량 및 시간에 따른 세정력을 도시한 그래프이다. 도 3을 참조하면, 용매에 셀룰로오즈가 포함되는 경우 높은 세정력이 나타나는 것을 확인할 수 있다. 특히 용매에 셀룰로오즈가 10wt% 포함되는 경우부터 보다 높은 세정력을 얻을 수 있다. 셀룰로오즈가 1wt%가 포함되는 경우는 세정 처리를 시작한 이후 약 10분 이상부터 높은 세정력을 얻을 수 있다. 셀룰로오즈가 1wt%가 포함되는 경우 세정 처리를 시작한 이후 약 30분 이상부터 보다 높은 세정력을 얻을 수 있다. 셀룰로오즈가 10wt% 이상 포함되는 경우 세정 처리를 시작한 이후 10분부터 높은 세정력을 얻을 수 있다.
발명자들은 셀룰로오즈는 인체에 어떠한 유해도 끼치지 않음을 실험을 통해 확인하였고, 용매와 셀룰로오즈 혼합액으로부터 높은 세정력을 얻을 수 있었다.
도 4는 용매 및 셀룰로오스에 계면활성제를 더 포함시키고 시간에 따른 세정 효과를 SEM으로 관찰한 것이다.
조성
제1 실시예 용매 + 셀룰로오즈(90um) 5wt% + CTAB 5wt%
제2 실시예 용매 + 셀룰로오즈(90um) 5wt% + CTAC 5wt%
제1 시간은 10분, 제2 시간은 60분, 제3 시간은 120분이다. 도 4를 참조하면, 계면활성제를 포함할 경우 90% 이상의 높은 파티클 제거 성능을 보이는 것을 확인할 수 있다. 계면활성제는 용매의 표면장력을 낮추기 위하여 포함시키는 것으로 친환경 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따른 용매와 셀룰로오스 혼합액에 의한 세정은 파티클과 셀룰로오스간의 물리력에 의해 세정되는 것일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (19)

  1. 순수로 제공되는 용매와;
    길이가 30um 이상 500um이하인 마이크로 셀룰로오즈를 포함하는 기판 세정 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 셀룰로오즈의 폭은 20um 이상 90um이하인 기판 세정 조성물.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 용매는 80wt% 이상 100wt% 미만을;
    상기 마이크로 셀룰로오즈는 0wt% 초과 20wt%이하를 포함하는 기판 세정 조성물.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 세정 조성물은, 계면활성제를 더 포함하는 기판 세정 조성물.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 계면활성제는 0wt% 초과 5wt% 이하인 기판 세정 조성물.
  8. 순수로 제공되는 용매와;
    길이가 30um 이상 500um이하인 마이크로 셀룰로오즈를 포함하는 혼합물을 10분 이상 혼합하는 단계를 포함하는 기판 세정 조성물 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 용매는 80wt% 이상 100wt% 미만을;
    상기 마이크로 셀룰로오즈는 0wt% 초과 20wt%이하를 포함하는 기판 세정 조성물의 제조 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 혼합물에 계면활성제를 넣는 단계를 더 포함하는 기판 세정 조성물의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 계면활성제는 0wt% 초과 5wt% 이하인 기판 세정 조성물의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제8 항 또는 제11 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 마이크로 셀룰로오즈의 폭은 20um 이상 90um이하인 기판 세정 조성물의 제조 방법.
  15. 피세정 기판을 준비하는 단계와;
    제1 항 및 제4 항 내지 제7 항 중 어느 하나의 기판 세정 조성물을 공급하여 피세정 기판을 세정하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 피세정 기판은 10분 이상 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리되는 기판 세정 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 피세정 기판은 상온 또는 상압에서 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리되는 기판 세정 방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 기판 세정 조성물은 섭씨 60도 이상 90도 이하의 온도로 공급되는 기판 세정 방법.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 피세정 기판은 섭씨 60도 이상 90도 이하의 온도에서 상기 기판 세정 조성물에 의해 처리되는 기판 세정 방법.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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