KR102288807B1 - Internal temperature management system of chamber comprising semiconductor equipment - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 메인 제어기, 반도체 공정이 수행되는 복수의 챔버, 상기 메인 제어기로부터 전달받은 공정 제어명령에 따라 상기 챔버에서 상기 공정 제어명령에 대응하는 반도체 공정이 수행되도록 제어하는 복수의 챔버 제어기, 상기 복수의 챔버 제어기의 제어에 따라 상기 복수의 챔버로 공급되는 기체를 가열 또는 냉각시키는 복수의 열교환 모듈, 상기 복수의 열교환 모듈에 의해 가열 또는 냉각된 공기를 정화시켜 상기 복수의 챔버로 공급하는 복수의 팬 필터 유닛 및 상기 복수의 챔버의 내부 온도를 감지하여 상기 복수의 챔버 제어기로 전달하는 복수의 온도 센서를 포함한다.
본 발명에 따르면, 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 내부의 온도에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있다.The present invention relates to a system for managing the internal temperature of a chamber constituting semiconductor equipment.
The present invention provides a main controller, a plurality of chambers in which a semiconductor process is performed, a plurality of chamber controllers for controlling a semiconductor process corresponding to the process control command to be performed in the chamber according to a process control command received from the main controller, and the plurality of chambers. a plurality of heat exchange modules for heating or cooling the gas supplied to the plurality of chambers under the control of the chamber controller of It includes a filter unit and a plurality of temperature sensors that sense the internal temperature of the plurality of chambers and transmit the to the plurality of chamber controllers.
According to the present invention, the internal temperature of a plurality of chambers constituting the semiconductor equipment can be automatically and precisely and quickly adjusted, and when there is an abnormality in the internal temperature of the chamber, alarm information is transmitted to the manager in real time to prevent process defects and safety The risk of accidents can be avoided.

Description

반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템{Internal temperature management system of chamber comprising semiconductor equipment}BACKGROUND ART A system for managing the internal temperature of a chamber comprising semiconductor equipment

본 발명은 반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 내부의 온도에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 내부 온도 관리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a system for managing the internal temperature of a chamber constituting semiconductor equipment. More specifically, the present invention can automatically and precisely and quickly adjust the internal temperature of a plurality of chambers constituting the semiconductor equipment, and when there is an abnormality in the internal temperature of the chamber, alarm information is propagated in real time to the manager, etc. And it relates to a chamber internal temperature management system that can block the risk of safety accidents.

일반적으로 세정 공정(cleaning process)을 포함하는 반도체 공정이 수행되는 챔버에는 각각의 공정에 필요한 약액, 가스 등이 주입되어 설정된 온도 범위에서 해당 공정이 수행된다.In general, a chemical solution, gas, etc. required for each process is injected into a chamber in which a semiconductor process including a cleaning process is performed, and the process is performed within a set temperature range.

챔버 내부의 온도는 해당 공정의 수행을 위해 정밀하게 조절되어야 하며, 공정 수행 중에 챔버 내부의 온도가 목표로 하는 온도 범위를 벗어나는 경우 공정 중에 발생하는 파티클(particle), 퓸(fume) 등에 의해 웨이퍼가 오염되어 공정 불량이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.The temperature inside the chamber must be precisely controlled to perform the process, and if the temperature inside the chamber is out of the target temperature range during the process, the wafer may be damaged by particles, fumes, etc. generated during the process. There is a problem that contamination may cause process defects.

따라서, 반도체 공정이 수행되는 챔버의 내부 온도를 정밀하게 제어하는 동시에 현재 온도 상태를 실시간 모니터링할 수 있는 기술적 수단이 요구된다.Accordingly, there is a need for a technical means capable of precisely controlling the internal temperature of the chamber in which the semiconductor process is performed and simultaneously monitoring the current temperature state in real time.

대한민국 공개특허공보 제10-2015-0122008호(공개일자: 2015년 10월 30일, 명칭: 기판 처리 장치)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2015-0122008 (published date: October 30, 2015, title: substrate processing apparatus) 대한민국 공개특허공보 제10-2014-0046527호(공개일자: 2014년 04월 21일, 명칭: 기판처리방법)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2014-0046527 (published date: April 21, 2014, name: substrate processing method) 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0059433호(공개일자: 2010년 06월 04일, 명칭: 웨이퍼 건조 장치)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0059433 (published date: June 04, 2010, name: wafer drying apparatus)

본 발명의 기술적 과제는 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 내부의 온도에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 내부 온도 관리 시스템을 제공하는 것이다.The technical problem of the present invention is to be able to automatically and precisely and quickly adjust the internal temperature of a plurality of chambers constituting semiconductor equipment, and when there is an abnormality in the temperature inside the chamber, alarm information is transmitted to the manager in real time to prevent process defects and It is to provide a chamber internal temperature management system that can block the risk of safety accidents.

이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명은 반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템으로서, 메인 제어기, 반도체 공정이 수행되는 복수의 챔버, 상기 메인 제어기로부터 전달받은 공정 제어명령에 따라 상기 챔버에서 상기 공정 제어명령에 대응하는 반도체 공정이 수행되도록 제어하는 복수의 챔버 제어기, 상기 복수의 챔버 제어기의 제어에 따라 상기 복수의 챔버로 공급되는 기체를 가열 또는 냉각시키는 복수의 열교환 모듈, 상기 복수의 열교환 모듈에 의해 가열 또는 냉각된 공기를 정화시켜 상기 복수의 챔버로 공급하는 복수의 팬 필터 유닛 및 상기 복수의 챔버의 내부 온도를 감지하여 상기 복수의 챔버 제어기로 전달하는 복수의 온도 센서를 포함한다.The present invention for solving these technical problems is a system for managing the internal temperature of a chamber constituting semiconductor equipment, wherein a main controller, a plurality of chambers in which a semiconductor process is performed, and the chamber according to a process control command received from the main controller a plurality of chamber controllers for controlling to perform a semiconductor process corresponding to the process control command, a plurality of heat exchange modules for heating or cooling the gas supplied to the plurality of chambers according to the control of the plurality of chamber controllers, the plurality of a plurality of fan filter units for purifying air heated or cooled by a heat exchange module and supplying the air to the plurality of chambers; and a plurality of temperature sensors for detecting internal temperatures of the plurality of chambers and transferring them to the controller .

본 발명에 따른 챔버 내부 온도 관리 시스템에 있어서, 상기 챔버 제어기는, 상기 온도 센서로부터 전달받은 현재 온도값과 상기 공정 제어명령에 포함된 기준 온도값을 비교하여 온도 편차를 계산하고, 계산된 온도 편차가 상쇄되도록 상기 열교환 모듈의 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.In the chamber internal temperature management system according to the present invention, the chamber controller calculates a temperature deviation by comparing the current temperature value received from the temperature sensor with a reference temperature value included in the process control command, and the calculated temperature deviation It is characterized in that the operation of the heat exchange module is controlled to be offset.

본 발명에 따른 챔버 내부 온도 관리 시스템에 있어서, 상기 챔버 제어기는 상기 온도 센서로부터 전달받은 현재 온도값을 상기 메인 제어기로 실시간 전달하고, 상기 메인 제어기는 상기 챔버 제어기로부터 전달받은 현재 온도값을 저장되어 있는 기준 온도값과 비교하여 온도 편차를 계산하고, 상기 복수의 챔버 별로 상기 온도 편차를 시각화한 온도 상태정보를 생성하는 것을 특징으로 한다.In the chamber internal temperature management system according to the present invention, the chamber controller transmits the current temperature value received from the temperature sensor to the main controller in real time, and the main controller stores the current temperature value received from the chamber controller. It is characterized in that the temperature deviation is calculated by comparing it with a reference temperature value, and temperature state information is generated in which the temperature deviation is visualized for each of the plurality of chambers.

본 발명에 따른 챔버 내부 온도 관리 시스템에 있어서, 상기 메인 제어기는, 상기 온도 편차가 미리 설정된 허용범위를 초과하는 지속시간이 미리 설정된 허용시간을 초과하는 경우 비정상 온도상태로 판단하고, 비정상 온도상태로 판단된 챔버를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치로 전송되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.In the chamber internal temperature management system according to the present invention, the main controller determines that the temperature deviation is an abnormal temperature state when the duration exceeding the preset allowable range exceeds the preset allowable time, and returns to the abnormal temperature state. It is characterized in that it controls so that alarm information to which chamber identification information for identifying the determined chamber is mapped is transmitted to a preset manager device.

본 발명에 따르면, 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 내부의 온도에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 내부 온도 관리 시스템이 제공되는 효과가 있다.According to the present invention, the internal temperature of a plurality of chambers constituting the semiconductor equipment can be automatically and precisely and quickly adjusted, and when there is an abnormality in the internal temperature of the chamber, alarm information is transmitted to the manager in real time to prevent process defects and safety There is an effect that a temperature management system inside the chamber is provided to block the risk of accidents.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템의 구체적인 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a view showing a system for managing internal temperatures of a plurality of chambers constituting semiconductor equipment according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a diagram for exemplarily explaining a specific operation of a system for managing internal temperatures of a plurality of chambers constituting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

본 명세서에 개시된 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are only exemplified for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention may take various forms. It can be implemented with the above and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Since the embodiments according to the concept of the present invention may have various changes and may have various forms, the embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail herein. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosed forms, and includes all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다.Terms such as first or second may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one element from another, for example, without departing from the scope of the inventive concept, a first element may be termed a second element and similarly a second element. A component may also be referred to as a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에" 와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it should be understood that other components may exist in between. will be. On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle. Other expressions describing the relationship between elements, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", should be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described herein is present, but one or more other features It is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as commonly used dictionary definitions should be interpreted as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present specification, they are not to be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. .

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a system for managing internal temperatures of a plurality of chambers constituting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템은 메인 제어기(10), 복수의 챔버(20), 복수의 챔버 제어기(30), 복수의 기체 공급부(40), 복수의 열교환 모듈(50), 복수의 팬 필터 유닛(60) 및 복수의 온도 센서(70)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a system for managing internal temperatures of a plurality of chambers constituting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a main controller 10 , a plurality of chambers 20 , and a plurality of chamber controllers 30 . , a plurality of gas supply units 40 , a plurality of heat exchange modules 50 , a plurality of fan filter units 60 , and a plurality of temperature sensors 70 .

메인 제어기(10)는 복수의 챔버(20) 각각의 동작을 제어하는 챔버 제어기(30)로 공정 제어명령을 전달함으로써, 복수의 챔버(20) 각각의 동작을 제어하는 챔버 제어기(30)를 제어하여 복수의 챔버(20)에서 공정 제어명령에 대응하는 반도체 공정이 수행되도록 제어한다. 여기서, 공정 제어명령은 챔버(20)에서 특정 반도체 공정이 수행되는 과정에서 필요한 제반 제어정보를 포함하며, 예를 들어, 공정 제어명령에는 회전 척을 구동하는 스핀들의 회전제어 관련 정보, 약액의 공급시간 관련 정보, 공정 수행 중의 특정 시점 또는 공정 종료 후의 특정 시점에서 챔버(20)로 약액, 특정 기능 수행을 위한 기체를 공급하거나 공정 부산물로 발생하는 액체, 기체 등을 외부로 배출하는 과정을 제어하는 과정에서의 제반 밸브들의 동작 관련 정보, 공정 수행중에 챔버(20) 내부에서 유지되어야 할 기준 온도값에 대한 정보 등이 포함될 수 있다.The main controller 10 transmits a process control command to the chamber controller 30 for controlling the operation of each of the plurality of chambers 20 , thereby controlling the chamber controller 30 for controlling the operation of each of the plurality of chambers 20 . Thus, the semiconductor process corresponding to the process control command is controlled to be performed in the plurality of chambers 20 . Here, the process control command includes various control information necessary for a process in which a specific semiconductor process is performed in the chamber 20 . For example, the process control command includes information related to rotation control of a spindle driving the rotary chuck, and supply of a chemical solution. Time-related information, a process of supplying a chemical liquid or gas for performing a specific function to the chamber 20 at a specific time during process execution or at a specific time after the end of the process, or controlling the process of discharging liquid or gas generated as a process by-product to the outside Operation-related information of all valves in the process, information on a reference temperature value to be maintained inside the chamber 20 during process execution, and the like may be included.

복수의 챔버(20)는 메인 제어기(10)와 복수의 챔버 제어기(30)의 제어에 따른 반도체 공정이 수행되는 구성요소이다.The plurality of chambers 20 is a component in which a semiconductor process is performed under the control of the main controller 10 and the plurality of chamber controllers 30 .

복수의 챔버 제어기(30)는 메인 제어기(10)로부터 전달받은 공정 제어명령에 따라 복수의 챔버(20)에서 공정 제어명령에 대응하는 반도체 공정이 수행되도록 제어한다.The plurality of chamber controllers 30 control the semiconductor process corresponding to the process control command to be performed in the plurality of chambers 20 according to the process control command received from the main controller 10 .

복수의 기체 공급부(40)는 후술하는 복수의 열교환 모듈(50)로 기체를 공급하는 기능을 수행한다. 예를 들어, 기체 공급부(40)에서 열교환 모듈(50)로 공급되는 기체는 가열 또는 냉각되지 않은 기체일 수 있다.The plurality of gas supply units 40 perform a function of supplying gas to a plurality of heat exchange modules 50 to be described later. For example, the gas supplied from the gas supply unit 40 to the heat exchange module 50 may be a gas that is not heated or cooled.

복수의 열교환 모듈(50)은 복수의 챔버 제어기(30)의 제어에 따라 복수의 챔버(20)로 공급되는 기체를 가열 또는 냉각시키는 기능을 수행한다. 이를 위한 구성으로서, 예를 들어, 열교환 모듈(50)은 기체 공급부(40)를 통해 공급되는 기체를 가열하는 가열기, 상기 기체를 냉각하는 냉각기, 챔버 제어기(30)의 제어에 따라 열교환 모듈(50)을 구성하는 가열기와 냉각기 중에서 하나가 동작하도록 제어하는 동작모드 선택기를 포함하여 구성될 수 있다.The plurality of heat exchange modules 50 perform a function of heating or cooling the gas supplied to the plurality of chambers 20 under the control of the plurality of chamber controllers 30 . As a configuration for this, for example, the heat exchange module 50 includes a heater for heating the gas supplied through the gas supply unit 40 , a cooler for cooling the gas, and the heat exchange module 50 under the control of the chamber controller 30 . ) may be configured to include an operation mode selector that controls one of the heaters and the coolers to operate.

복수의 팬 필터 유닛(60)은 복수의 열교환 모듈(50)에 의해 가열 또는 냉각된 공기를 정화시켜 복수의 챔버(20)로 청정 공기를 공급하는 기능을 수행한다. 이를 위한 구성으로서, 예를 들어, 팬 필터 유닛(60)은 기류 발생을 위한 팬 및 팬에 의해 기류화된 기체에 포함되어 있을 수 있는 이물질을 필터링하는 필터를 포함하여 구성될 수 있다.The plurality of fan filter units 60 purify the air heated or cooled by the plurality of heat exchange modules 50 to supply clean air to the plurality of chambers 20 . As a configuration for this, for example, the fan filter unit 60 may include a fan for generating an airflow and a filter for filtering foreign substances that may be included in the gas airflowed by the fan.

복수의 온도 센서(70)는 복수의 챔버(20)의 내부 온도를 감지하여 복수의 챔버 제어기(30)로 실시간 전달하는 기능을 수행한다.The plurality of temperature sensors 70 sense the internal temperature of the plurality of chambers 20 and perform a function of transmitting the sensed temperature to the plurality of chamber controllers 30 in real time.

예를 들어, 챔버 제어기(30)는, 챔버(20) 내부에 설치된 온도 센서(70)로부터 전달받은 챔버(20) 내부의 현재 온도값과 메인 제어기(10)로부터 전달받은 공정 제어명령에 포함된 기준 온도값을 비교하여 온도 편차를 계산하고, 계산된 온도 편차가 상쇄되도록 열교환 모듈(50)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다.For example, the chamber controller 30 includes the current temperature value inside the chamber 20 received from the temperature sensor 70 installed inside the chamber 20 and the process control command received from the main controller 10 . It may be configured to calculate a temperature deviation by comparing the reference temperature values, and to control the operation of the heat exchange module 50 so that the calculated temperature deviation is offset.

구체적인 예로, 챔버(20) 내부의 현재 온도값이 기준 온도값보다 큰 경우, 챔버 제어기(30)는 열교환 모듈(50)을 구성하는 냉각기가 동작하도록 하여 챔버(20)의 내부 온도를 하강시킬 수 있다. 역으로, 챔버(20) 내부의 현재 온도값이 기준 온도값보다 작은 경우, 챔버 제어기(30)는 열교환 모듈(50)을 구성하는 가열기가 동작하도록 하여 챔버(20)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다. As a specific example, when the current temperature value inside the chamber 20 is greater than the reference temperature value, the chamber controller 30 may lower the internal temperature of the chamber 20 by causing the cooler constituting the heat exchange module 50 to operate. there is. Conversely, when the current temperature value inside the chamber 20 is smaller than the reference temperature value, the chamber controller 30 causes the heater constituting the heat exchange module 50 to operate to increase the internal temperature of the chamber 20 . there is.

예를 들어, 챔버 제어기(30)는 온도 센서(70)로부터 전달받은 현재 온도값을 메인 제어기(10)로 실시간 전달하고, 메인 제어기(10)는 챔버 제어기(30)로부터 전달받은 현재 온도값을 저장되어 있는 기준 온도값과 비교하여 온도 편차를 계산하고, 복수의 챔버(20) 별로 온도 편차를 시각화한 온도 상태정보를 생성하여 관리자 등에게 제공할 수 있다.For example, the chamber controller 30 transmits the current temperature value received from the temperature sensor 70 to the main controller 10 in real time, and the main controller 10 receives the current temperature value received from the chamber controller 30 in real time. The temperature deviation may be calculated by comparing it with the stored reference temperature value, and temperature state information that visualizes the temperature deviation for each of the plurality of chambers 20 may be generated and provided to a manager or the like.

또한, 예를 들어, 메인 제어기(10)는, 계산된 온도 편차가 미리 설정된 허용범위를 초과하는 지속시간이 미리 설정된 허용시간을 초과하는 경우 챔버(20) 내부의 상태를 비정상 온도상태로 판단하고, 비정상 온도상태로 판단된 챔버(20)를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치 등으로 실시간 전송되도록 제어할 수 있다.Also, for example, the main controller 10 determines the state inside the chamber 20 as an abnormal temperature state when the duration for which the calculated temperature deviation exceeds the preset allowable range exceeds the preset allowable time, and , it is possible to control so that alarm information to which chamber identification information for identifying the chamber 20 determined as an abnormal temperature state is mapped is transmitted in real time to a preset manager device or the like.

이하에서는 도 2를 추가로 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버(20)의 내부 온도를 관리하는 시스템의 구체적인 동작을 예시적으로 설명한다.Hereinafter, a detailed operation of a system for managing internal temperatures of a plurality of chambers 20 constituting a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be exemplarily described with additional reference to FIG. 2 .

도 2를 추가로 참조하면, 단계 S10에서는, 메인 제어기(10)가 복수의 챔버 제어기(30)로 공정 제어명령을 전달하는 과정이 수행된다. 예를 들어, 메인 제어기(10)가 복수의 챔버 제어기(30)로 전달하는 공정 제어명령은 동일하거나 상이할 수 있으며, 메인 제어기(10)가 복수의 챔버 제어기(30)로 서로 상이한 공정 제어명령을 전달하는 경우, 복수의 챔버(20)에서는 이에 대응하는 상이한 반도체 공정이 수행될 수 있다.Referring further to FIG. 2 , in step S10 , a process of transmitting a process control command from the main controller 10 to the plurality of chamber controllers 30 is performed. For example, the process control commands transmitted by the main controller 10 to the plurality of chamber controllers 30 may be the same or different, and the main controller 10 transmits different process control commands to the plurality of chamber controllers 30 . In the case of transferring , different semiconductor processes corresponding thereto may be performed in the plurality of chambers 20 .

단계 S20에서는, 챔버 제어기(30)가 메인 제어기(10)로부터 전달받은 공정 제어명령에 따른 반도체 공정이 자신이 담당하는 챔버(20)에서 수행되도록 제어하는 과정이 수행된다. 구체적인 예로, 단계 S20에서는, 챔버 제어기(30)가 메인 제어기(10)로부터 전달받은 공정 제어명령에 따라, 회전 척을 구동하는 스핀들의 회전 제어 동작, 공정 수행 중의 특정 시점 또는 공정 종료 후의 특정 시점에서 챔버(20)로 약액, 특정 기능 수행을 위한 기체를 공급하거나 공정 부산물로 발생하는 액체, 기체 등을 외부로 배출하는 제어 동작 등을 포함하는 제반 제어 동작을 수행할 수 있다.In step S20 , a process is performed in which the chamber controller 30 controls the semiconductor process according to the process control command received from the main controller 10 to be performed in the chamber 20 in charge of it. As a specific example, in step S20, the chamber controller 30 according to the process control command received from the main controller 10, the rotation control operation of the spindle for driving the rotary chuck, at a specific time during process execution or at a specific time after the end of the process Various control operations including a control operation of supplying a chemical liquid or a gas for performing a specific function to the chamber 20 or discharging a liquid or gas generated as a process by-product to the outside may be performed.

단계 S30에서는, 챔버(20) 내부에 설치된 온도 센서(70)가 챔버(20) 내부의 온도를 측정하여 챔버 제어기(30)로 실시간 전달하는 과정이 수행된다.In step S30 , the temperature sensor 70 installed inside the chamber 20 measures the temperature inside the chamber 20 and transmits it to the chamber controller 30 in real time.

단계 S40에서는, 챔버 제어기(30)가 온도 센서(70)로부터 전달받은 챔버(20) 내부의 현재 온도값과 메인 제어기(10)로부터 전달받은 공정 제어명령에 포함된 기준 온도값을 비교하여 온도 편차를 계산하는 과정이 수행된다.In step S40 , the chamber controller 30 compares the current temperature value inside the chamber 20 received from the temperature sensor 70 with a reference temperature value included in the process control command received from the main controller 10 to produce a temperature deviation The process of calculating is performed.

단계 S50에서는, 챔버 제어기(30)가 계산된 온도 편차가 상쇄되도록 열교환 모듈(50)의 동작을 제어하는 과정이 수행된다.In step S50, a process of controlling the operation of the heat exchange module 50 so that the calculated temperature deviation is offset by the chamber controller 30 is performed.

예를 들어, 단계 S50에서는, 챔버(20) 내부의 온도가 너무 높은 경우, 즉, 챔버(20) 내부의 현재 온도값이 기준 온도값보다 큰 경우, 챔버 제어기(30)는 열교환 모듈(50)을 구성하는 냉각기가 동작하도록 하여 챔버(20)의 내부 온도를 하강시킬 수 있다. 또한, 챔버(20) 내부의 온도가 너무 낮은 경우, 즉, 챔버(20) 내부의 현재 온도값이 기준 온도값보다 작은 경우, 챔버 제어기(30)는 열교환 모듈(50)을 구성하는 가열기가 동작하도록 하여 챔버(20)의 내부 온도를 상승시킬 수 있다.For example, in step S50, when the temperature inside the chamber 20 is too high, that is, when the current temperature value inside the chamber 20 is greater than the reference temperature value, the chamber controller 30 is It is possible to lower the internal temperature of the chamber 20 by allowing the cooler constituting the . In addition, when the temperature inside the chamber 20 is too low, that is, when the current temperature value inside the chamber 20 is smaller than the reference temperature value, the chamber controller 30 operates the heater constituting the heat exchange module 50 . to increase the internal temperature of the chamber 20 .

단계 S60에서는, 메인 제어기(10)가 챔버 제어기(30)로부터 전달받은 챔버(20) 내부의 현재 온도값을 저장되어 있는 기준 온도값과 비교하여 계산한 온도 편차가 미리 설정된 허용범위를 초과하는지 여부를 판단하는 과정이 수행된다. 단계 S60에서의 판단 결과 온도 편차가 허용범위를 초과하는 경우 단계 S70으로 전환되고, 그렇지 않은 경우 단계 S30으로 전환되어 챔버(20) 내부의 온도 모니터링 및 제어 동작이 지속적으로 수행된다.In step S60, whether the temperature deviation calculated by comparing the current temperature value inside the chamber 20 received from the chamber controller 30 with the stored reference temperature value exceeds the preset allowable range The process of judging is carried out. As a result of the determination in step S60, if the temperature deviation exceeds the allowable range, it is switched to step S70, otherwise, it is switched to step S30 so that the temperature monitoring and control operation inside the chamber 20 is continuously performed.

단계 S70에서는, 메인 제어기(10)가 계산된 온도 편차가 미리 설정된 허용범위를 초과하는 상태가 유지되는 지속시간이 미리 설정된 허용시간을 초과하는지 여부를 판단하는 과정이 수행된다. 단계 S70에서의 판단 결과 온도 편차가 허용범위를 초과하는 상태가 유지되는 지속시간이 허용시간을 초과하는 경우 단계 S80으로 전환되고, 그렇지 않은 경우 단계 S30으로 전환되어 챔버(20) 내부의 온도 모니터링 및 제어 동작이 지속적으로 수행된다.In step S70, a process of determining whether the duration for which the main controller 10 maintains a state in which the calculated temperature deviation exceeds a preset allowable range exceeds a preset allowable time is performed. As a result of the determination in step S70, if the duration for which the temperature deviation exceeds the allowable range exceeds the allowable time, it is switched to step S80, otherwise it is switched to step S30 to monitor the temperature inside the chamber 20 and The control operation is continuously performed.

단계 S80에서는, 메인 제어기(10)가 챔버(20)의 현재 상태를 비정상 온도상태로 판단하고, 비정상 온도상태로 판단된 챔버(20)를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치로 실시간 전송되도록 제어하는 과정이 수행된다.In step S80, the main controller 10 determines the current state of the chamber 20 as an abnormal temperature state, and alarm information to which chamber identification information for identifying the chamber 20 determined as an abnormal temperature state is mapped is preset. A process of controlling to be transmitted in real time to the manager device is performed.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 장비를 구성하는 복수의 챔버의 내부 온도를 자동으로 정밀하고 신속하게 조절할 수 있고, 챔버 내부의 온도에 이상이 있는 경우 해당 관리자 등에게 알람정보를 실시간 전파하여 공정불량 및 안전사고발생 위험을 차단할 수 있도록 하는 챔버 내부 온도 관리 시스템이 제공되는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, the internal temperature of a plurality of chambers constituting the semiconductor equipment can be automatically and precisely and quickly adjusted, and when there is an abnormality in the internal temperature of the chamber, alarm information is provided to the manager in real time. There is an effect that a temperature management system inside the chamber is provided to block the risk of process defects and safety accidents by propagating it.

10: 메인 제어기
20: 챔버
30: 챔버 제어기
40: 기체 공급부
50: 열교환 모듈
60: 팬 필터 유닛
70: 온도 센서10: main controller
20: chamber
30: chamber controller
40: gas supply unit
50: heat exchange module
60: fan filter unit
70: temperature sensor

Claims (4)

메인 제어기;
반도체 공정이 수행되는 복수의 챔버;
상기 메인 제어기로부터 전달받은 공정 제어명령에 따라 상기 챔버에서 상기 공정 제어명령에 대응하는 반도체 공정이 수행되도록 제어하는 복수의 챔버 제어기;
상기 복수의 챔버 제어기의 제어에 따라 상기 복수의 챔버로 공급되는 기체를 가열 또는 냉각시키는 복수의 열교환 모듈;
상기 복수의 열교환 모듈에 의해 가열 또는 냉각된 공기를 정화시켜 상기 복수의 챔버로 공급하는 복수의 팬 필터 유닛; 및
상기 복수의 챔버의 내부 온도를 감지하여 상기 복수의 챔버 제어기로 전달하는 복수의 온도 센서를 포함하고,
상기 챔버 제어기는 상기 온도 센서로부터 전달받은 현재 온도값을 상기 메인 제어기로 실시간 전달하고,
상기 메인 제어기는 상기 챔버 제어기로부터 전달받은 현재 온도값을 저장되어 있는 기준 온도값과 비교하여 온도 편차를 계산하고, 상기 복수의 챔버 별로 상기 온도 편차를 시각화한 온도 상태정보를 생성하되, 상기 온도 편차가 미리 설정된 허용범위를 초과하는 지속시간이 미리 설정된 허용시간을 초과하는 경우 비정상 온도상태로 판단하고, 비정상 온도상태로 판단된 챔버를 식별하기 위한 챔버식별정보가 매핑된 알람정보가 미리 설정된 관리자 장치로 전송되도록 제어하는, 챔버 내부 온도 관리 시스템.
main controller;
a plurality of chambers in which a semiconductor process is performed;
a plurality of chamber controllers controlling the semiconductor process corresponding to the process control command to be performed in the chamber according to the process control command received from the main controller;
a plurality of heat exchange modules for heating or cooling the gas supplied to the plurality of chambers under the control of the plurality of chamber controllers;
a plurality of fan filter units purifying the air heated or cooled by the plurality of heat exchange modules and supplying the air to the plurality of chambers; and
A plurality of temperature sensors for detecting the internal temperature of the plurality of chambers and transferring the to the controller of the plurality of chambers,
The chamber controller transmits the current temperature value received from the temperature sensor to the main controller in real time,
The main controller compares the current temperature value received from the chamber controller with a stored reference temperature value, calculates a temperature deviation, and generates temperature state information that visualizes the temperature deviation for each of the plurality of chambers, but the temperature deviation If the duration exceeding the preset allowable range exceeds the preset allowable time, it is determined as an abnormal temperature state, and an alarm information mapped with chamber identification information for identifying the chamber determined as an abnormal temperature state is set in advance. The temperature control system inside the chamber, which is controlled to be transferred to the
 제1항에 있어서,
상기 챔버 제어기는,
상기 온도 센서로부터 전달받은 현재 온도값과 상기 공정 제어명령에 포함된 기준 온도값을 비교하여 온도 편차를 계산하고, 계산된 온도 편차가 상쇄되도록 상기 열교환 모듈의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는, 챔버 내부 온도 관리 시스템.
According to claim 1,
The chamber controller,
Comparing the current temperature value received from the temperature sensor with a reference temperature value included in the process control command, calculating a temperature deviation, and controlling the operation of the heat exchange module to cancel the calculated temperature deviation. Internal temperature management system.
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