KR102278178B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는, 기판 유지 유닛과, 기판 회전 유닛과, 각 주단(周端) 높이 위치 계측 유닛과, 처리액 노즐과, 처리액 공급 유닛과. 노즐 구동 유닛과. 제어 장치를 포함한다. 상기 제어 장치가, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛에 의해, 상기 각 주단 높이 위치를 계측하는 각 주단 높이 위치 계측 공정과, 상기 회전축선 둘레로 기판을 회전시키면서 상기 기판의 외주부를 향해 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 토출함으로써 당해 주면의 외주부를 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치가, 상기 기판의 주단 중 당해 처리액 노즐이 배치되어 있는 둘레 방향 위치의 주단인 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하기 위해 당해 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 왕복 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동하는 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행한다.The substrate processing apparatus includes a substrate holding unit, a substrate rotation unit, a height position measuring unit of each periphery, a processing liquid nozzle, and a processing liquid supply unit. nozzle drive unit. including control devices. each of the peripheral edge height positions of the control device is measured by the respective peripheral edge height position measuring units; and the processing liquid nozzle toward the outer periphery of the substrate while rotating the substrate around the rotation axis. In parallel with the outer periphery treatment step of treating the outer periphery of the main surface by discharging the treatment liquid from the outer periphery treatment step, the position of the treatment liquid landing from the treatment liquid nozzle on the outer periphery of the substrate is determined at the periphery of the substrate. A liquid landing position in which the processing liquid nozzle is driven to reciprocate in accordance with a change in height position of the peripheral edge of the placement position in order to maintain a constant distance from the peripheral edge of the placement position, which is the peripheral end of the peripheral position in which the processing liquid nozzle is disposed. Execute the reciprocating movement process.

Figure R1020197022571
Figure R1020197022571

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photoelectric substrates. A substrate for a mask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and the like are included.

반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판의 외주부에 대해 처리액을 이용한 처리가 행해진다. 기판을 1장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치는, 예를 들면, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면 외주부를 향해 처리액을 토출하는 처리액 노즐을 구비하고 있다(하기 특허문헌 1 참조). 이러한 기판의 외주부를 처리하는 기판 처리 장치에 이용되는 스핀 척으로서, 기판의 외주부를 지지하는 타입의 것이 아니라, 기판의 중앙부를 지지하는 타입의 것이 이용된다. 기판의 중앙부를 지지하는 타입의 스핀 척은, 기판의 외주부를 지지하지 않으므로, 기판의 유지 상태에서, 기판이 수평 자세에 대해 경사져 있을 우려가 있다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, etc., the process using a processing liquid is performed with respect to the outer peripheral part of board|substrates, such as a semiconductor wafer and the glass substrate for liquid crystal display devices. A single-wafer substrate processing apparatus for processing substrates one by one includes, for example, a spin chuck for rotating the substrate while holding it horizontally, and a processing liquid nozzle for discharging the processing liquid toward the outer periphery of the upper surface of the substrate held by the spin chuck. It is equipped (refer following patent document 1). As a spin chuck used in a substrate processing apparatus that processes the outer periphery of the substrate, a type that supports the central portion of the substrate rather than the type that supports the outer periphery of the substrate is used. Since the spin chuck of the type that supports the central portion of the substrate does not support the outer periphery of the substrate, there is a possibility that the substrate is inclined with respect to the horizontal posture in the holding state of the substrate.

미국 특허 출원 공개 제2011/281376 A1호 공보US Patent Application Publication No. 2011/281376 A1

기판의 외주부에 대한 처리(이하, 「외주부 처리」라고 한다)에서는 회전축선 둘레로 기판을 회전시키기 때문에, 스핀 척에 대해 기판이 경사져 있으면, 기판의 주단(周端) 중 처리액 노즐이 배치되어 있는 회전 방향 위치의 주단(이하, 「배치 위치 주단」이라고 한다)의 높이가 각 회전 방향 위치에 있어서 변화할 우려가 있다(면 흔들림). 배치 위치 주단의 높이가 다르면, 기판의 상면에 있어서의, 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와, 배치 위치 주단의 거리가 다르다. 따라서, 처리액 노즐이 스핀 척에 대해 정지(靜止) 자세에 있는 경우에는, 기판의 회전에 수반되어, 기판의 상면에 있어서의, 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와, 배치 위치 주단의 거리가 변화한다. 이 경우, 외주부 처리에 있어서, 기판의 외주부에 있어서의 처리폭의 균일성을 일정하게 유지할 수 없다.In processing on the outer periphery of the substrate (hereinafter referred to as "outer periphery processing"), since the substrate is rotated around the rotation axis, if the substrate is inclined with respect to the spin chuck, a processing liquid nozzle is arranged at the periphery of the substrate. There is a possibility that the height of the circumferential end (hereinafter, referred to as "arrangement position circumferential end") at the position in the rotation direction changes in each rotation direction position (planar wobble). When the heights of the periphery of the arrangement position are different, the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle on the upper surface of the substrate and the distance between the periphery of the arrangement position are different. Accordingly, when the processing liquid nozzle is in a stationary position with respect to the spin chuck, the rotation of the substrate accompanies the rotation of the substrate, and the landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle on the upper surface of the substrate and the periphery of the arrangement position distance changes. In this case, in the outer peripheral portion processing, the uniformity of the processing width in the outer peripheral portion of the substrate cannot be kept constant.

그 때문에, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상관없이, 기판의 외주부에 있어서의 처리폭의 균일성을 높게 유지하는 것이 요구되고 있다.Therefore, it is calculated|required to maintain the uniformity of the processing width in the outer peripheral part of a board|substrate high, irrespective of the height position change of the periphery of an arrangement position accompanying rotation of a board|substrate.

그래서, 본 발명의 목적은, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상관없이, 기판의 외주부에 있어서의 처리폭의 균일성을 높게 유지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of maintaining high uniformity of processing width in the outer periphery of the substrate regardless of the change in the height of the periphery of the arrangement position accompanying the rotation of the substrate will do

본 발명은, 주단의 적어도 일부가 원호형을 이루는 기판을 유지하는 기판 유지 유닛으로서, 당해 기판의 중앙부를 지지하여 당해 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 지나는 연직인 회전축선 둘레로 회전시키기 위한 기판 회전 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 둘레 방향의 각 주단 위치에 있어서의 높이 위치인 각 주단 높이 위치를 계측하기 위한 각 주단 높이 위치 계측 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판의 외주부를 향해 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 유닛과, 상기 기판에 있어서의 처리액의 착액 위치가 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동하기 위한 노즐 구동 유닛과, 상기 기판 회전 유닛, 상기 처리액 공급 유닛, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛 및 상기 노즐 구동 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하며, 상기 제어 장치가, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛에 의해 상기 각 주단 높이 위치를 계측하는 각 주단 높이 위치 계측 공정과, 상기 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판의 외주부를 향해 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 토출함으로써 상기 기판의 주면의 외주부를 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치가, 상기 기판의 주단 중 당해 처리액 노즐이 배치되어 있는 둘레 방향 위치의 주단인 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하기 위해 당해 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 왕복 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동하는 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행한다.The present invention provides a substrate holding unit for holding a substrate having at least a part of a peripheral end having an arc shape, comprising: a substrate holding unit that supports a central portion of the substrate to hold the substrate; and a substrate held by the substrate holding unit. , a substrate rotation unit for rotating around a vertical rotation axis passing through the central portion of the substrate, and measuring the height position of each peripheral edge height position at each peripheral edge position in the circumferential direction of the substrate held by the substrate holding unit each periphery height position measuring unit for each periphery, a processing liquid nozzle for discharging the processing liquid toward the outer periphery of the substrate held by the substrate holding unit, and a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle; , a nozzle driving unit for driving the processing liquid nozzle so that a liquid landing position of the processing liquid on the substrate is moved, the substrate rotating unit, the processing liquid supply unit, each of the peripheral edge height position measurement units, and the nozzle driving unit and a control device for controlling, wherein the control device includes: each circumferential edge height position measuring step of measuring each circumferential edge height position by the respective circumferential edge height position measuring units; and rotating the substrate around the rotation axis while rotating the substrate. an outer periphery treatment step of treating the outer periphery of the main surface of the substrate by discharging the treatment liquid from the treatment liquid nozzle toward the outer periphery of the substrate; The liquid landing position of the processing liquid reciprocates following the change in height position of the peripheral edge of the substrate in order to keep a constant distance from the peripheral edge of the substrate, which is the peripheral edge of the peripheral edge of the processing liquid nozzle, which is the peripheral edge of the processing liquid nozzle. A liquid landing position reciprocating movement step of driving the processing liquid nozzle to move is performed.

이 구성에 의하면, 처리액의 착액 위치가, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하면서 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 왕복 이동하도록 처리액 노즐이 구동된다. 그 때문에, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 따라, 처리액의 착액 위치를, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하도록 추종시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상관없이, 기판의 외주부에 있어서의 처리폭의 균일성을 높게 유지할 수 있다. According to this configuration, the processing liquid nozzle is driven so that the liquid landing position of the processing liquid moves reciprocally following the change in the height position of the peripheral edge of the placement position while maintaining a constant distance from the peripheral edge of the placement position. Therefore, the liquid landing position of the processing liquid can be tracked so as to maintain a constant distance from the peripheral edge of the arrangement position in accordance with a change in the height of the peripheral edge of the arrangement position accompanying the rotation of the substrate. Thereby, the uniformity of the processing width in the outer peripheral part of a board|substrate can be maintained high irrespective of the height position change of the periphery of an arrangement position accompanying rotation of a board|substrate.

본 발명의 한 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정을, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정 후에 실행한다.In one embodiment of the present invention, the control device executes the liquid landing position reciprocating step after the respective circumferential edge height position measurement step.

이 구성에 의하면, 각 주단 높이 위치 계측 공정의 결과에 의거하여, 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행하는 것이 가능해진다. According to this structure, it becomes possible to perform a liquid landing position reciprocation process based on the result of each peripheral edge height position measurement process.

또, 상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 구동하기 위한 노즐 구동 신호가 입력됨으로써 상기 처리액 노즐을 구동하는 유닛을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정에 있어서의 계측 결과 및 상기 외주부 처리 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도에 의거하여, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화와 동일한 진폭 및 동일한 주기로 상기 착액 위치가 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동시키기 위한 노즐 구동 신호를 작성하는 노즐 구동 신호 작성 공정과, 작성된 상기 노즐 구동 신호를, 당해 노즐 구동 신호의 출력에 대한 상기 처리액 노즐의 구동 지연에 수반되는, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 대한 상기 착액 위치의 위상차를 배제한 배제 타이밍에 상기 노즐 구동 유닛에 출력하는 구동 신호 출력 공정을 실행해도 된다.Further, the nozzle driving unit may include a unit that drives the processing liquid nozzle when a nozzle driving signal for driving the processing liquid nozzle is input. In this case, in the liquid landing position reciprocating step, the control device is configured to, based on the measurement result in each of the circumference end height position measurement steps and the rotation speed of the substrate in the outer peripheral portion processing step, a nozzle drive signal generating step of generating a nozzle drive signal for driving the processing liquid nozzle so that the liquid landing position moves with the same amplitude and the same period as the height position change around the periphery of the arrangement position; A drive signal output step of outputting to the nozzle drive unit at an exclusion timing excluding a phase difference of the liquid landing position with respect to a change in height of the periphery of the arrangement position, which is accompanied by a drive delay of the processing liquid nozzle with respect to the output of the nozzle drive signal; You can run it.

이 구성에 의하면, 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화와 동일한 진폭 및 동일한 주기로 처리액의 착액 위치가 이동하도록 처리액 노즐을 구동시키는 노즐 구동 신호가 작성된다. 그 노즐 구동 신호가, 처리액 노즐의 구동 지연에 수반되는 위상차를 배제한 배제 타이밍에, 노즐 구동 유닛에 대해 출력된다. 즉, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 착액 위치를 왕복 이동시키는 것이 가능한 타이밍에 노즐 구동 신호가 출력된다. 이에 따라, 노즐 구동 신호의 출력에 대한 처리액 노즐의 구동 지연에 상관없이, 처리액의 착액 위치를, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하도록 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종시킬 수 있다.According to this configuration, in the liquid landing position reciprocating step, a nozzle drive signal for driving the processing liquid nozzle is generated so that the liquid landing position of the processing liquid moves with the same amplitude and the same period as the height position change around the periphery of the arrangement position. The nozzle driving signal is output to the nozzle driving unit at the exclusion timing excluding the phase difference accompanying the driving delay of the processing liquid nozzle. That is, a nozzle drive signal is output at the timing which can make a liquid landing position reciprocate following the height position change of the periphery of an arrangement position. Accordingly, regardless of the driving delay of the processing liquid nozzle relative to the output of the nozzle drive signal, the liquid landing position of the processing liquid can be made to follow the change in the height of the peripheral edge of the placement position so as to keep the distance from the peripheral edge of the placement position constant. .

또한, 상기 제어 장치가, 상기 구동 신호 출력 공정에 있어서, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상기 처리액 노즐이 추종하는 최적의 추종 타이밍으로부터 상기 위상차에 상당하는 시간만큼 어긋나게 함으로써, 상기 배제 타이밍을 취득하는 타이밍 취득 공정을 실행해도 된다.In addition, in the drive signal output step, the control device deviates from an optimal tracking timing in which the processing liquid nozzle follows a change in the height of the periphery of the arrangement position by a time corresponding to the phase difference in the driving signal output step, thereby determining the exclusion timing. You may carry out the timing acquisition process to acquire.

이 구성에 의하면, 기판의 외주부에 있어서의 처리액의 착액 위치가 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하는 최적의 추종 타이밍으로부터, 위상차에 상당하는 시간만큼 어긋나게 함으로써, 배제 타이밍을 구할 수 있다. 이 경우, 배제 타이밍을 간단하고 또한 정확하게 취득할 수 있다.According to this configuration, the removal timing can be obtained by shifting the liquid landing position of the processing liquid on the outer periphery of the substrate from the optimal tracking timing following the height position change of the periphery of the arrangement position by a time corresponding to the phase difference. In this case, the exclusion timing can be simply and accurately acquired.

또, 상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 연직 방향으로 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐을 연직 방향으로 이동시키는 공정을 실행해도 된다.Further, the nozzle driving unit may include a nozzle moving unit that moves the processing liquid nozzle in a vertical direction. In this case, in the liquid landing position reciprocating movement step, the control device may perform a step of moving the processing liquid nozzle in the vertical direction in response to a change in the height position of the peripheral edge of the arrangement position.

이 구성에 의하면, 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 처리액 노즐이 연직 방향으로 이동되어진다. 이에 따라, 기판의 외주부에 있어서, 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.According to this configuration, in the liquid landing position reciprocating step, the processing liquid nozzle is moved in the vertical direction in response to the change in the height position of the peripheral edge of the arrangement position. Thereby, in the outer peripheral part of the board|substrate, the space|interval between the liquid landing position of a process liquid and the periphery of an arrangement position can be maintained constant.

또, 상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판의 주면을 따라 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와 상기 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지하도록 상기 처리액 노즐을 상기 기판의 회전 반경 방향으로 이동시키는 공정을 실행해도 된다.Further, the nozzle driving unit may include a nozzle moving unit that moves the processing liquid nozzle along the main surface of the substrate held by the substrate holding unit. In this case, in the liquid landing position reciprocating step, the control device keeps the distance between the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle and the peripheral edge of the placement position constant by following the change in the height position of the periphery of the arrangement position. The process of moving the processing liquid nozzle in the rotational radial direction of the board|substrate may be performed to hold it.

이 구성에 의하면, 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지하도록 처리액 노즐이 회전 반경 방향으로 이동되어진다. 이에 따라, 기판의 외주부에 있어서, 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.According to this configuration, in the liquid landing position reciprocating step, the processing liquid nozzle rotates so as to keep the distance between the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle and the placement position peripheral end constant in response to the change in the height position of the periphery of the arrangement position. moved in the radial direction. Thereby, in the outer peripheral part of the board|substrate, the space|interval between the liquid landing position of a process liquid and the periphery of an arrangement position can be maintained constant.

또, 상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하고 있어도 된다. 상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 처리액 노즐을 이동시키는 공정을 실행해도 된다. 상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 노즐의 이동량을 검출하기 위한 노즐 이동량 검출 유닛을 더 포함해도 된다. 이들의 경우, 상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 앞서, 상기 노즐 이동 유닛에 대해 상기 노즐 구동 신호를 출력하여 상기 처리액 노즐을 이동시키고, 그 때의 상기 처리액 노즐의 이동량을 상기 노즐 이동량 검출 유닛에 의해 검출함으로써, 상기 위상차를 계측하는 위상차 계측 공정을 더 실행해도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 타이밍 취득 공정에 있어서, 상기 위상차 계측 공정에 의해 계측된 상기 위상차에 의거하여 상기 배제 타이밍을 취득하는 공정을 실행해도 된다.Further, the nozzle driving unit may include a nozzle moving unit that moves the processing liquid nozzle. The control device may perform a step of moving the processing liquid nozzle in the liquid landing position reciprocating step. The substrate processing apparatus may further include a nozzle movement amount detection unit for detecting the movement amount of the processing liquid nozzle. In these cases, the control device outputs the nozzle drive signal to the nozzle moving unit to move the treatment liquid nozzle prior to the liquid landing position reciprocating step, and determines the amount of movement of the treatment liquid nozzle at that time. You may further perform the phase difference measuring process of measuring the said phase difference by detecting by the nozzle movement amount detection unit. In the timing acquisition step, the control device may perform a step of acquiring the exclusion timing based on the phase difference measured by the phase difference measuring step.

이 구성에 의하면, 처리액 노즐을 이동시켜, 그 때의 처리액 노즐의 이동량을, 노즐 이동량 검출 유닛을 이용하여 검출함으로써, 위상차를 실제로 계측할 수 있다. 실측된 위상차에 의거하여 처리액 노즐을 이동시키므로, 처리액의 착액 위치의 왕복 이동을, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에, 보다 한층 양호하게 추종시킬 수 있다.According to this configuration, the phase difference can be actually measured by moving the processing liquid nozzle and detecting the movement amount of the processing liquid nozzle at that time using the nozzle movement amount detection unit. Since the processing liquid nozzle is moved based on the actually measured phase difference, the reciprocating movement of the liquid landing position of the processing liquid can be more favorably followed by a change in the height of the periphery of the arrangement position.

또, 상기 노즐 이동 유닛이, 전동 모터를 포함하며, 상기 노즐 이동량 검출 유닛이, 상기 전동 모터에 설치된 인코더를 포함하고 있어도 된다.Moreover, the said nozzle movement unit may contain the electric motor, and the said nozzle movement amount detection unit may contain the encoder provided in the said electric motor.

이 구성에 의하면, 인코더와 같은 간단한 구성으로, 처리액 노즐의 이동량을 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 처리액의 착액 위치의 왕복 이동을, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에, 보다 고정밀도로 추종시킬 수 있다.According to this configuration, it is possible to accurately detect the movement amount of the processing liquid nozzle with a simple configuration similar to that of an encoder. The reciprocating movement of the liquid landing position of the processing liquid can be followed with higher precision to the change in the height of the periphery of the arrangement position.

또, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛이, 상기 기판의 주단 높이 위치 중 둘레 방향의 소정의 주단 높이 위치를 검출하기 위한 위치 센서, 및 상기 기판의 적어도 외주부를 촬상하는 CCD 카메라 중 적어도 하나를 포함하고 있어도 된다. In addition, each of the peripheral edge height position measurement unit includes at least one of a position sensor for detecting a predetermined peripheral edge height position in the circumferential direction among the peripheral edge height positions of the substrate, and a CCD camera for imaging at least an outer peripheral portion of the substrate, there may be

이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 둘레 방향의 각 주단 높이 위치를, 간단한 구성을 이용하여 계측할 수 있다.According to this structure, each peripheral edge height position of the circumferential direction of the board|substrate hold|maintained by the board|substrate holding unit can be measured using a simple structure.

또, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛은, 상기 기판의 주단 높이 위치 중 둘레 방향의 소정의 주단 높이 위치를 검출하기 위한 위치 센서를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 제어 장치는, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정에 있어서, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을 상기 회전축선 둘레로 회동(回動)시키면서, 상기 소정의 주단 높이 위치를, 상기 위치 센서를 이용하여 계측하는 공정을 실행해도 된다. Further, each of the peripheral edge height position measuring units may include a position sensor for detecting a predetermined peripheral edge height position in the circumferential direction among the peripheral edge height positions of the substrate. In this case, in the respective circumferential edge height measurement step, the control device sets the predetermined circumferential edge height position while rotating the substrate held by the substrate holding unit around the rotation axis. You may carry out the process of measuring using a position sensor.

이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을 회동시키면서, 소정의 주단 높이 위치를, 위치 센서를 이용하여 검출함으로써, 기판의 둘레 방향의 각 주단 높이 위치를 계측할 수 있다. 즉, 위치 센서와 같은 간단한 구성을 이용하여, 기판의 둘레 방향의 각 주단 높이 위치를 양호하게 계측할 수 있다.According to this structure, each peripheral edge height position in the circumferential direction of a board|substrate can be measured by detecting a predetermined|prescribed peripheral edge height position using a position sensor while rotating the board|substrate hold|maintained by the board|substrate holding unit. That is, the height position of each periphery in the circumferential direction of the board|substrate can be measured favorably using a simple structure like a position sensor.

또, 상기 처리액 노즐은, 기판의 외측 또한 비스듬한 하향으로 처리액을 토출 해도 된다.In addition, the processing liquid nozzle may discharge the processing liquid to the outside of the substrate and obliquely downward.

이 구성에 의하면, 처리액 노즐이 처리액을 비스듬한 하향을 향해 토출하므로, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 따라, 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단 사이의 거리가 변화할 우려가 있다.According to this configuration, since the processing liquid nozzle discharges the processing liquid obliquely downward, the distance between the landing position of the processing liquid and the peripheral edge of the placement position changes according to the change in the height of the periphery of the arrangement position accompanying the rotation of the substrate. There are concerns.

그러나, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 따라, 처리액의 착액 위치를, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하도록 추종시키므로, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상관없이, 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단 사이의 거리를 일정하게 유지할 수 있으며, 이에 따라, 기판의 외주부에 있어서의 처리폭의 균일성을 높게 유지할 수 있다.However, in accordance with a change in the height of the peripheral edge of the placement position accompanying the rotation of the substrate, the liquid landing position of the processing liquid is tracked so as to maintain a constant distance from the peripheral edge of the placement position, so that the height of the peripheral edge of the placement position accompanying the rotation of the substrate Regardless of the change in position, the distance between the liquid landing position of the processing liquid and the periphery of the arrangement position can be kept constant, and thus, the uniformity of the processing width in the outer periphery of the substrate can be maintained high.

또, 본 발명은, 주단의 적어도 일부가 원호형을 이루는 기판을, 기판의 중앙부를 지지하여 당해 기판을 유지하는 기판 유지 유닛에 의해 유지하는 기판 유지 공정과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 둘레 방향의 각 주단 위치에 있어서의 높이 위치인 각 주단 높이 위치를 계측하는 각 주단 높이 위치 계측 공정과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 지나는 회전축선 둘레로 회전시키면서 상기 기판의 외주부를 향해 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 토출함으로써 상기 기판의 주면의 외주부를 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 기판의 외주부에 있어서의 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치가, 상기 기판의 주단 중 당해 처리액 노즐이 배치되어 있는 둘레 방향 위치의 주단인 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하기 위해 당해 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 왕복 이동하도록 노즐 구동 유닛에 의해 상기 처리액 노즐을 구동시키는 착액 위치 왕복 이동 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.Further, the present invention provides a substrate holding step of holding a substrate having an arc shape at least a part of its peripheral end by a substrate holding unit that supports a central portion of the substrate and holds the substrate, and a substrate held by the substrate holding unit. each circumferential end height position measuring step of measuring each circumferential end height position, which is a height position at each circumferential end position in the circumferential direction, and rotating the substrate held in the substrate holding unit around a rotation axis passing through the central portion of the substrate an outer periphery treatment step of treating the outer periphery of the main surface of the substrate by discharging the treatment liquid from the treatment liquid nozzle toward the outer periphery of the substrate while moving the substrate, and the treatment liquid nozzle on the outer periphery of the substrate in parallel to the outer periphery treatment step The liquid landing position of the processing liquid from the substrate follows the height position change of the peripheral edge of the substrate in order to maintain a constant distance from the peripheral edge of the placement position, which is the peripheral edge of the peripheral edge at which the processing liquid nozzle is disposed. to provide a substrate processing method including a liquid landing position reciprocating movement step of driving the processing liquid nozzle by a nozzle driving unit to reciprocate.

이 방법에 의하면, 처리액의 착액 위치가, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하면서 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 왕복 이동하도록 처리액 노즐이 구동된다. 그 때문에, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 따라, 처리액의 착액 위치를, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하도록 추종시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 회전에 수반되는 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상관없이, 기판의 외주부에 있어서의 처리폭의 균일성을 높게 유지할 수 있다.According to this method, the processing liquid nozzle is driven so that the liquid landing position of the processing liquid moves reciprocally following the change in the height position of the peripheral edge of the placement position while maintaining a constant distance from the peripheral edge of the placement position. Therefore, the liquid landing position of the processing liquid can be tracked so as to maintain a constant distance from the peripheral edge of the arrangement position in accordance with a change in the height of the peripheral edge of the arrangement position accompanying the rotation of the substrate. Thereby, the uniformity of the processing width in the outer peripheral part of a board|substrate can be maintained high irrespective of the height position change of the periphery of an arrangement position accompanying rotation of a board|substrate.

또, 본 발명의 한 실시형태에서는, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정이, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐을 연직 방향으로 이동시키는 공정을 포함한다.Further, in one embodiment of the present invention, the step of reciprocating the liquid landing position includes a step of moving the processing liquid nozzle in a vertical direction in accordance with a change in the height position of the peripheral edge of the arrangement position.

이 방법에 의하면, 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 처리액 노즐이 연직 방향으로 이동되어진다. 이에 따라, 기판의 외주부에 있어서, 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.According to this method, in the liquid landing position reciprocating step, the processing liquid nozzle is moved in the vertical direction in response to the change in the height position of the periphery of the arrangement position. Thereby, in the outer peripheral part of the board|substrate, the space|interval between the liquid landing position of a process liquid and the periphery of an arrangement position can be maintained constant.

또, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정이, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와 상기 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지하도록 상기 처리액 노즐을 상기 기판의 회전 반경 방향으로 이동시키는 공정을 포함하고 있어도 된다.In the liquid landing position reciprocating step, the processing liquid nozzle is configured to keep a constant distance between the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle and the periphery of the placement position in accordance with the change in the height position of the periphery of the arrangement position. You may include the process of moving in the rotational radial direction of the said board|substrate.

이 방법에 의하면, 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지하도록 처리액 노즐이 회전 반경 방향으로 이동되어진다. 이에 따라, 기판의 외주부에 있어서, 처리액의 착액 위치와 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.According to this method, in the liquid landing position reciprocating step, the processing liquid nozzle rotates so as to keep the distance between the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle and the periphery of the placement position constant in response to the change in the height position of the peripheral edge of the arrangement position. moved in the radial direction. Thereby, in the outer peripheral part of the board|substrate, the space|interval between the liquid landing position of a process liquid and the periphery of an arrangement position can be maintained constant.

또, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정을, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정 후에 실행해도 된다.Moreover, you may carry out the said liquid landing position reciprocating movement process after each said peripheral edge height position measurement process.

이 방법에 의하면, 각 주단 높이 위치 계측 공정의 결과에 의거하여, 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행하는 것이 가능해진다.According to this method, it becomes possible to perform a liquid landing position reciprocation process based on the result of each peripheral edge height position measurement process.

또, 상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 구동하기 위한 노즐 구동 신호가 입력됨으로써 상기 처리액 노즐을 구동하는 유닛을 포함하며, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정이, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정에 있어서의 계측 결과 및 상기 외주부 처리 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도에 의거하여, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화와 동일한 진폭 및 동일한 주기로 상기 착액 위치가 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동시키기 위한 노즐 구동 신호를 작성하는 노즐 구동 신호 작성 공정과, 작성된 상기 노즐 구동 신호를, 당해 노즐 구동 신호의 출력에 대한 상기 처리액 노즐의 구동 지연에 수반되는, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 대한 상기 착액 위치의 위상차를 배제한 배제 타이밍에 상기 노즐 구동 유닛에 출력하는 구동 신호 출력 공정을 포함하고 있어도 된다.In addition, the nozzle driving unit includes a unit for driving the treatment liquid nozzle by inputting a nozzle drive signal for driving the treatment liquid nozzle, wherein the liquid landing position reciprocating step is performed in each of the peripheral edge height position measurement steps. Nozzle for driving the processing liquid nozzle so that the liquid landing position moves with the same amplitude and the same period as the height position change of the periphery of the arrangement position based on the measurement result and the rotation speed of the substrate in the outer peripheral portion processing step A nozzle drive signal creation step of creating a drive signal, and the generated nozzle drive signal to the output of the nozzle drive signal, the liquid landing in response to a change in height position of the periphery of the arrangement position accompanying a drive delay of the processing liquid nozzle with respect to the output of the nozzle drive signal A drive signal output step of outputting to the nozzle drive unit at the exclusion timing excluding the phase difference of the position may be included.

이 방법에 의하면, 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화와 동일한 진폭 및 동일한 주기로 처리액의 착액 위치가 이동하도록 처리액 노즐을 구동시키는 노즐 구동 신호가 작성된다. 그 노즐 구동 신호가, 처리액 노즐의 구동 지연에 수반되는 위상차를 배제한 배제 타이밍에, 노즐 구동 유닛에 대해 출력된다. 즉, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여 착액 위치를 왕복 이동시키는 것이 가능한 타이밍에 노즐 구동 신호가 출력된다. 이에 따라, 노즐 구동 신호의 출력에 대한 처리액 노즐의 구동 지연에 상관없이, 처리액의 착액 위치를, 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하도록 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종시킬 수 있다.According to this method, in the liquid landing position reciprocating step, a nozzle drive signal for driving the processing liquid nozzle is created so that the liquid landing position of the processing liquid moves with the same amplitude and the same period as the height position change around the periphery of the arrangement position. The nozzle driving signal is output to the nozzle driving unit at the exclusion timing excluding the phase difference accompanying the driving delay of the processing liquid nozzle. That is, a nozzle drive signal is output at the timing which can make a liquid landing position reciprocate following the height position change of the periphery of an arrangement position. Accordingly, regardless of the driving delay of the processing liquid nozzle relative to the output of the nozzle drive signal, the liquid landing position of the processing liquid can be made to follow the change in the height of the peripheral edge of the placement position so as to keep the distance from the peripheral edge of the placement position constant. .

또, 상기 구동 신호 출력 공정이, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상기 착액 위치가 추종하는 최적의 추종 타이밍으로부터, 상기 위상차에 상당하는 시간만큼 어긋나게 함으로써 상기 배제 타이밍을 취득하는 타이밍 취득 공정을 포함하고 있어도 된다.In addition, the drive signal output step includes a timing acquisition step of acquiring the exclusion timing by shifting the liquid landing position from an optimal tracking timing in which the liquid landing position follows a change in height position around the periphery of the arrangement position by a time corresponding to the phase difference. you may be doing

이 방법에 의하면, 기판의 외주부에 있어서의 처리액의 착액 위치가 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하는 최적의 추종 타이밍으로부터, 위상차에 상당하는 시간만큼 어긋나게 함으로써, 배제 타이밍을 구할 수 있다. 이 경우, 배제 타이밍을 간단하고 또한 정확하게 취득할 수 있다.According to this method, the exclusion timing can be obtained by shifting the liquid landing position of the processing liquid on the outer periphery of the substrate from the optimal tracking timing following the height position change of the periphery of the arrangement position by a time corresponding to the phase difference. In this case, the exclusion timing can be simply and accurately acquired.

상기 기판 처리 방법이, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 앞서, 상기 노즐 구동 유닛에 대해 상기 노즐 구동 신호를 출력하여 상기 착액 위치를 이동시킴으로써, 상기 위상차를 계측하는 위상차 계측 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 타이밍 취득 공정이, 상기 위상차에 의거하여 상기 배제 타이밍을 취득하는 공정을 포함하고 있어도 된다.The substrate processing method may further include a phase difference measuring step of measuring the phase difference by outputting the nozzle drive signal to the nozzle drive unit to move the liquid landing position prior to the liquid landing position reciprocating step. In this case, the timing acquisition step may include a step of acquiring the exclusion timing based on the phase difference.

이 방법에 의하면, 실측된 위상차에 의거하여 처리액 노즐을 이동시키므로, 처리액의 착액 위치의 왕복 이동을, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에, 보다 한층 양호하게 추종시킬 수 있다.According to this method, since the processing liquid nozzle is moved based on the actually measured phase difference, the reciprocating movement of the liquid landing position of the processing liquid can be more favorably followed by a change in the height of the periphery of the arrangement position.

또, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정이, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을 상기 회전축선 둘레로 회동시키면서, 상기 기판의 주단 높이 위치 중 둘레 방향의 소정의 주단 높이 위치를, 위치 센서를 이용하여 계측하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다.Further, in each of the peripheral edge height position measurement step, a predetermined peripheral edge height position in the circumferential direction among the peripheral edge height positions of the substrate while rotating the substrate held by the substrate holding unit around the rotation axis, a position sensor You may further include the process of measuring using it.

이 방법에 의하면, 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을 회동시키면서, 소정의 주단 높이 위치를, 위치 센서를 이용하여 검출함으로써, 기판의 둘레 방향의 각 주단 높이 위치를 계측할 수 있다. 즉, 위치 센서와 같은 간단한 구성을 이용하여, 기판의 둘레 방향의 각 주단 높이 위치를 양호하게 계측할 수 있다.According to this method, each peripheral edge height position in the circumferential direction of a board|substrate can be measured by detecting a predetermined|prescribed peripheral edge height position using a position sensor while rotating the board|substrate hold|maintained by the board|substrate holding unit. That is, the height position of each periphery in the circumferential direction of the board|substrate can be measured favorably using a simple structure like a position sensor.

본 발명에 있어서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 확인되어진다.The above-mentioned or another object, characteristic, and effect in this invention are confirmed by description of embodiment described below with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 한 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 처리 위치에 배치되어 있는 처리액 노즐로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타낸 단면도이다.
도 4는, 기판이 경사 상태로 스핀 척에 유지되어 있는 상태를 나타낸 모식적인 도면이다.
도 5는, 기판이 경사 상태로 스핀 척에 유지되어 있는 상태를 나타낸 모식적인 도면이다.
도 6은, 참고 기판 처리예에 있어서의 기판 상면의 외주 영역의 처리폭을 나타낸 평면도이다.
도 7은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 8은, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파, 및 추종 타이밍에 노즐 구동 신호를 출력한 경우의 착액 위치의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파이다.
도 9a는, 도 7에 나타낸 각 주단 높이 위치 기억부를 설명하기 위한 도면이다.
도 9b는, 도 7에 나타낸 위상차 기억부를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은, 상기 처리 유닛에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11은, 도 10에 나타낸 각 주단 높이 위치 계측 공정의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 12는, 도 10에 나타낸 위상차 계측 공정의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 13은, 도 10에 나타낸 외주부 처리 공정의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 14는, 상기 외주부 처리 공정의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다.
도 15는, 상기 외주부 처리 공정의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다.
도 16은, 배치 위치 주단의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파, 및 배제 타이밍에 노즐 구동 신호를 출력한 경우의 착액 위치의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파이다.
도 17은, 상기 기판 처리예에 있어서의 기판 상면의 외주 영역의 처리폭을 나타낸 평면도이다.1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit included in the substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a processing liquid is discharged from a processing liquid nozzle disposed at a processing position.
4 is a schematic diagram showing a state in which the substrate is held by the spin chuck in an inclined state.
Fig. 5 is a schematic view showing a state in which the substrate is held by the spin chuck in an inclined state.
6 is a plan view showing the processing width of the outer peripheral region of the upper surface of the substrate in the reference substrate processing example.
7 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus.
8 : is a sine wave which showed the height position change of the periphery of an arrangement position, and a sine wave which showed the height position change of the liquid landing position when a nozzle drive signal is output at the tracking timing.
It is a figure for demonstrating each peripheral edge height position storage part shown in FIG.
FIG. 9B is a diagram for explaining the phase difference storage unit shown in FIG. 7 .
10 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit.
11 : is a flowchart for demonstrating the content of each peripheral edge height position measurement process shown in FIG.
12 is a flowchart for explaining the contents of the phase difference measurement step shown in FIG. 10 .
13 is a flowchart for explaining the contents of the outer peripheral portion processing step shown in FIG. 10 .
14 : is a schematic diagram for demonstrating the content of the said outer peripheral part processing process.
15 : is a schematic diagram for demonstrating the content of the said outer peripheral part processing process.
16 : is a sine wave which showed the height position change of the periphery of an arrangement position, and a sine wave which showed the height position change of the liquid landing position at the time of outputting a nozzle drive signal at the exclusion timing.
Fig. 17 is a plan view showing the processing width of the outer peripheral region of the upper surface of the substrate in the above-described substrate processing example.

이하에서는, 본 발명의 실시형태를, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 한 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판형의 기판(W)을, 처리액이나 처리 가스에 의해 1장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 처리액을 이용하여 기판(W)을 처리하는 복수의 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)으로 처리되는 복수장의 기판(W)을 수용하는 캐리어(C1)가 재치(載置)되는 로드 포트(LP)와, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2)의 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(IR 및 CR)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 제어 장치(3)를 포함한다. 반송 로봇(IR)은, 캐리어(C1)와 반송 로봇(CR)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(CR)은, 반송 로봇(IR)과 처리 유닛(2)의 사이에서 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리 유닛(2)은, 예를 들면, 동일한 구성을 갖고 있다.1 is a schematic plan view for explaining the internal layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one with a processing liquid or a processing gas. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 that process a substrate W using a processing liquid, and a carrier C1 accommodating a plurality of substrates W processed by the processing unit 2 . A load port LP to be placed thereon; transfer robots IR and CR for transferring the substrate W between the load port LP and the processing unit 2; and a substrate processing apparatus 1 It includes a control device (3) for controlling the. The transfer robot IR transfers the substrate W between the carrier C1 and the transfer robot CR. The transfer robot CR transfers the substrate W between the transfer robot IR and the processing unit 2 . The plurality of processing units 2 have, for example, the same configuration.

도 2는, 처리 유닛(2)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2 .

처리 유닛(2)은, 기판(W)의 외주부(41)(도 3 등 참조)를, 보다 구체적으로는 기판(W)의 상면(주면)의 외주 영역(42)(도 3 등 참조) 및 기판(W)의 주단면(44)(도 3 등 참조)을, 처리액을 이용하여 처리하는(톱사이드 처리) 유닛이다. 본 실시형태에서는, 기판(W)의 외주부(41)란, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42), 기판(W)의 하면(주면)의 외주 영역(43)(도 3 등 참조), 및 기판(W)의 주단면(44)을 포함하는 부분을 말한다. 또, 외주 영역(42, 43)이란, 예를 들면, 기판(W)의 주단 가장자리로부터 십분의 수밀리~수밀리미터 정도의 폭을 갖는 환상의 영역을 말한다.The processing unit 2 includes an outer peripheral portion 41 (see FIG. 3 and the like) of the substrate W, more specifically, an outer peripheral region 42 of the upper surface (main surface) of the substrate W (see FIG. 3 and the like), and It is a unit which processes the main end surface 44 (refer FIG. 3 etc.) of the board|substrate W using a process liquid (topside process). In the present embodiment, the outer peripheral portion 41 of the substrate W is the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W, and the outer peripheral region 43 of the lower surface (main surface) of the substrate W (refer to FIG. 3 and the like). , and refers to a portion including the main cross-section 44 of the substrate (W). In addition, the outer peripheral regions 42 and 43 mean an annular region having a width of about several tenths to several millimeters from the peripheral edge of the substrate W, for example.

처리 유닛(2)은, 내부 공간을 갖는 박스형의 처리 챔버(4)와, 처리 챔버(4) 내에서 1장의 기판(W)을 수평인 자세로 유지하고, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직인 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(기판 유지 유닛)(5)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 처리액(약액 및 린스액)을 공급하기 위한 처리액 공급 유닛(6)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면 중앙부에, 불활성 가스를 공급하기 위한 제1 불활성 가스 공급 유닛(8)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에, 불활성 가스를 공급하기 위한 제2 불활성 가스 공급 유닛(9)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)에, 불활성 가스를 공급하기 위한 제3 불활성 가스 공급 유닛(10)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)을 가열하기 위한 히터(11)와, 스핀 척(5)을 둘러싸는 통형상의 처리 컵(12)을 포함한다.The processing unit 2 includes a box-shaped processing chamber 4 having an internal space, and a single substrate W in the processing chamber 4 held in a horizontal position and passing through the center of the substrate W. A spin chuck (substrate holding unit) 5 for rotating the substrate W around the vertical rotation axis A1, and an outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 A processing liquid supply unit 6 for supplying a processing liquid (chemical liquid and a rinse liquid), and a first inert gas supply for supplying an inert gas to the upper surface central portion of the substrate W held by the spin chuck 5 . The unit 8, the second inert gas supply unit 9 for supplying an inert gas to the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5, and the spin chuck 5 ) of the third inert gas supply unit 10 for supplying an inert gas to the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W held by the substrate W, and the substrate W held by the spin chuck 5 . It includes a heater 11 for heating the outer peripheral region 43 of the lower surface, and a cylindrical processing cup 12 surrounding the spin chuck 5 .

처리 챔버(4)는, 박스형의 격벽(13)과, 격벽(13)의 상부로부터 격벽(13) 내(처리 챔버(4) 내에 상당)로 청정 공기를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU(팬·필터·유닛)(14)와, 격벽(13)의 하부로부터 처리 챔버(4) 내의 기체를 배출하는 배기 장치(도시 생략)를 포함한다. The processing chamber 4 includes a box-shaped partition 13 and an FFU (fan/filter/fan/filter/fan/air-blowing unit) configured to send clean air from the upper portion of the partition 13 to the inside of the partition 13 (corresponding to the inside of the processing chamber 4). unit) 14 , and an exhaust device (not shown) for discharging gas in the processing chamber 4 from the lower portion of the partition wall 13 .

FFU(14)는 격벽(13)의 위쪽에 배치되어 있으며, 격벽(13)의 천장에 부착되어 있다. FFU(14)는, 격벽(13)의 천장으로부터 처리 챔버(4) 내로 청정 공기를 보낸다. 배기 장치는, 처리 컵(12) 내에 접속된 배기 덕트(15)를 통해 처리 컵(12)의 바닥부에 접속되어 있으며, 처리 컵(12)의 바닥부로부터 처리 컵(12)의 내부를 흡인한다. FFU(14) 및 배기 장치에 의해, 처리 챔버(4) 내에 다운 플로(하강류)가 형성된다. The FFU 14 is disposed above the partition wall 13 and is attached to the ceiling of the partition wall 13 . The FFU 14 sends clean air into the processing chamber 4 from the ceiling of the partition wall 13 . The exhaust device is connected to the bottom of the processing cup 12 through an exhaust duct 15 connected to the inside of the processing cup 12 , and sucks the inside of the processing cup 12 from the bottom of the processing cup 12 . do. A downflow (downflow) is formed in the processing chamber 4 by the FFU 14 and the exhaust device.

스핀 척(5)은, 본 실시형태에서는, 진공 흡착식의 척이다. 스핀 척(5)은, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 지지하고 있다. 스핀 척(5)은, 연직인 방향으로 연장된 스핀축(16)과, 이 스핀축(16)의 상단에 부착되어, 기판(W)을 수평인 자세로 그 하면을 흡착하여 유지하는 스핀 베이스(17)와, 스핀축(16)과 동축에 결합된 회전축을 갖는 스핀 모터(기판 회전 유닛)(18)를 구비하고 있다. 스핀 베이스(17)는, 기판(W)의 외경보다 작은 외경을 갖는 수평인 원형의 상면(17a)을 포함한다. 기판(W)의 이면이 스핀 베이스(17)에 흡착 유지된 상태에서는, 기판(W)의 외주부(41)가, 스핀 베이스(17)의 주단 가장자리보다 외측으로 돌출되어 있다. 스핀 모터(18)가 구동됨으로써, 스핀축(16)의 중심축선 둘레로 기판(W)이 회전된다.The spin chuck 5 is a vacuum suction type chuck in this embodiment. The spin chuck 5 adsorbs and supports the central part of the lower surface of the substrate W. The spin chuck 5 includes a spin shaft 16 extending in a vertical direction, and a spin base attached to the upper end of the spin shaft 16 to suck and hold the lower surface of the substrate W in a horizontal posture. 17 and a spin motor (substrate rotating unit) 18 having a rotating shaft coaxially coupled to the spin shaft 16 . The spin base 17 includes a horizontal circular upper surface 17a having an outer diameter smaller than the outer diameter of the substrate W. As shown in FIG. In a state where the back surface of the substrate W is adsorbed and held by the spin base 17 , the outer periphery 41 of the substrate W protrudes outward from the peripheral edge of the spin base 17 . As the spin motor 18 is driven, the substrate W is rotated around the central axis of the spin shaft 16 .

처리액 공급 유닛(6)은, 처리액 노즐(19)을 포함한다. 처리액 노즐(19)은, 예를 들면, 연속류의 상태로 액을 토출하는 스트레이트 노즐이다. 처리액 노즐(19)은, 기판(W)의 상면에 있어서의 처리액의 공급 위치를 변경할 수 있는 스캔 노즐로서의 기본 형태를 갖고 있는 처리액 노즐(19)은, 스핀 척(5)의 위쪽에서 거의 수평으로 연장된 노즐 아암(20)의 선단부에 부착되어 있다. 노즐 아암(20)은, 스핀 척(5)의 옆쪽에서 거의 연직으로 연장된 아암 지지축(21)에 지지되어 있다.The processing liquid supply unit 6 includes a processing liquid nozzle 19 . The processing liquid nozzle 19 is, for example, a straight nozzle that discharges the liquid in a continuous flow state. The processing liquid nozzle 19 has a basic shape as a scan nozzle capable of changing the supply position of the processing liquid on the upper surface of the substrate W. The processing liquid nozzle 19 is positioned above the spin chuck 5 . It is attached to the distal end of a nozzle arm 20 extending substantially horizontally. The nozzle arm 20 is supported by an arm support shaft 21 extending substantially vertically from the side of the spin chuck 5 .

아암 지지축(21)에는, 아암 요동 모터(22)가 결합되어 있다. 아암 요동 모터(22)는, 예를 들면 서보 모터이다. 아암 요동 모터(22)에 의해, 노즐 아암(20)을 스핀 척(5)의 옆쪽에 설정된 연직인 요동축선(A2)(즉, 아암 지지축(21)의 중심축선)을 중심으로 하여 수평면 내에서 요동시킬 수 있으며, 이에 따라, 요동축선(A2) 둘레로 처리액 노즐(19)을 회동시킬 수 있도록 되어 있다.An arm swing motor 22 is coupled to the arm support shaft 21 . The arm swing motor 22 is, for example, a servo motor. By the arm swing motor 22, the nozzle arm 20 is set on the side of the spin chuck 5 in a horizontal plane with a vertical swing axis A2 (that is, the central axis of the arm support shaft 21) as the center. , and thus, the processing liquid nozzle 19 can be rotated around the swing axis A2.

아암 지지축(21)에는, 아암 승강 모터(122)가, 볼나사 기구 등을 통해 결합되어 있다. 아암 승강 모터(122)는, 예를 들면 서보 모터이다. 아암 승강 모터(122)에 의해, 아암 지지축(21)을 승강시켜 아암 지지축(21)과 일체적으로 노즐 아암(20)을 승강시킬 수 있다. 이에 따라, 처리액 노즐(19)을 승강(즉, 높이 방향(V)(연직 방향)을 따라 이동)시킬 수 있다. 아암 승강 모터(122)에는, 아암 승강 모터(122)의 출력축(122a)의 회전각을 검출하는 인코더(23)가 결합되어 있다. 아암 승강 모터(122)가 출력축(122a)을 회전시키면, 출력축(22a)의 회전각에 따른 이동량으로, 처리액 노즐(19)이 상승 또는 강하한다. 즉, 처리액 노즐(19)이 상승 또는 하강하면, 처리액 노즐(19)의 이동량에 상당하는 회전각으로 아암 요동 모터(22)의 출력축(22a)을 회전시킨다. 따라서, 인코더(23)에 의해 출력축(22a)의 회전각을 검출함으로써, 처리액 노즐(19)의 위치(높이 방향(V)(연직 방향)의 위치)를 검출할 수 있다.An arm raising/lowering motor 122 is coupled to the arm support shaft 21 via a ball screw mechanism or the like. The arm raising/lowering motor 122 is a servo motor, for example. The arm support shaft 21 can be raised and lowered by the arm raising/lowering motor 122 , and the nozzle arm 20 can be raised and lowered integrally with the arm support shaft 21 . Accordingly, the processing liquid nozzle 19 can be moved up and down (that is, moved along the height direction V (vertical direction)). The encoder 23 which detects the rotation angle of the output shaft 122a of the arm raising/lowering motor 122 is couple|bonded with the arm raising/lowering motor 122. As shown in FIG. When the arm raising/lowering motor 122 rotates the output shaft 122a, the processing liquid nozzle 19 rises or falls by the amount of movement corresponding to the rotation angle of the output shaft 22a. That is, when the processing liquid nozzle 19 rises or descends, the output shaft 22a of the arm swing motor 22 is rotated at a rotation angle corresponding to the movement amount of the processing liquid nozzle 19 . Accordingly, by detecting the rotation angle of the output shaft 22a by the encoder 23 , the position of the processing liquid nozzle 19 (the position in the height direction V (vertical direction)) can be detected.

처리액 노즐(19)에는, 약액 공급원으로부터의 약액이 공급되는 약액 배관(24)이 접속되어 있다. 약액 배관(24)의 도중부에는, 약액 배관(24)을 개폐하기 위한 약액 밸브(25)가 개재되어 있다. 또, 처리액 노즐(19)에는, 린스액 공급원으로부터의 린스액이 공급되는 린스액 배관(26A)이 접속되어 있다. 린스액 배관(26A)의 도중부에는, 린스액 배관(26A)을 개폐하기 위한 린스액 밸브(26B)가 개재되어 있다. 린스액 밸브(26B)가 닫혀진 상태로 약액 밸브(25)가 열리면, 약액 배관(24)으로부터 처리액 노즐(19)에 공급된 연속류의 약액이, 처리액 노즐(19)의 하단에 설정된 토출구(19a)(도 3 참조)로부터 토출된다. 또, 약액 밸브(25)가 닫혀진 상태로 린스액 밸브(26B)가 열리면, 린스액 배관(26A)으로부터 처리액 노즐(19)에 공급된 연속류의 린스액이, 처리액 노즐(19)의 하단에 설정된 토출구(19a)(도 3 참조)로부터 토출된다.The processing liquid nozzle 19 is connected to a chemical liquid pipe 24 to which the chemical liquid from the chemical liquid supply source is supplied. A chemical liquid valve 25 for opening and closing the chemical liquid piping 24 is interposed in the middle of the chemical liquid pipe 24 . Also, a rinse solution pipe 26A through which a rinse solution from a rinse solution supply source is supplied is connected to the treatment solution nozzle 19 . A rinsing solution valve 26B for opening and closing the rinsing solution pipe 26A is interposed in the middle of the rinsing solution pipe 26A. When the chemical solution valve 25 is opened with the rinse solution valve 26B closed, a continuous flow of the chemical solution supplied from the chemical solution pipe 24 to the treatment solution nozzle 19 is discharged through a discharge port set at the lower end of the treatment solution nozzle 19 . It is discharged from (19a) (refer to FIG. 3). In addition, when the rinse liquid valve 26B is opened while the chemical liquid valve 25 is closed, the continuous flow of the rinse liquid supplied from the rinse liquid pipe 26A to the treatment liquid nozzle 19 flows into the treatment liquid nozzle 19 . It is discharged from the discharge port 19a (refer FIG. 3) set at the lower end.

약액은, 예를 들면, 기판(W)의 표면을 에칭하거나, 기판(W)의 표면을 세정하거나 하는데 이용되는 액이다. 약액은, 불화수소산, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불화수소산, 버퍼드불화수소산(BHF), 희불화수소산(DHF), 암모니아수, 과산화수소수, 유기산(예를 들면, 구연산, 옥살산 등), 유기 알칼리(예를 들면, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드록사이드 등), 유기용제(예를 들면 IPA(isopropyl alcohol) 등), 계면활성제, 부식 방지제 중 적어도 1개를 포함하는 액이어도 된다. 린스액은, 예를 들면 탈이온수(DIW)이지만, DIW에 한하지 않으며, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도(예를 들면, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수 중 어느 것이어도 된다.The chemical liquid is, for example, a liquid used for etching the surface of the substrate W or cleaning the surface of the substrate W. Chemical solutions include hydrofluoric acid, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid (BHF), dilute hydrofluoric acid (DHF), aqueous ammonia, hydrogen peroxide solution, organic acid (eg, citric acid, oxalic acid, etc.), organic acid A liquid containing at least one of an alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.), an organic solvent (eg, IPA (isopropyl alcohol) etc.), a surfactant, and a corrosion inhibitor may be used. The rinse solution is, for example, deionized water (DIW), but is not limited to DIW, and may be carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, or hydrochloric acid water having a dilution concentration (eg, about 10 ppm to 100 ppm). .

제1 불활성 가스 공급 유닛(8)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면의 중앙부에 불활성 가스를 공급하기 위한 기체 토출 노즐(27)과, 기체 토출 노즐(27)에 불활성 가스를 공급하는 제1 기체 배관(28)과, 제1 기체 배관(28)을 개폐하는 제1 기체 밸브(29)와, 기체 토출 노즐(27)을 이동시키기 위한 제1 노즐 이동 기구(30)를 포함한다. 기판(W)의 상면 중앙부의 위쪽에 설정된 처리 위치에 있어서 제1 기체 밸브(29)가 열리면, 기체 토출 노즐(27)로부터 토출되는 불활성 가스에 의해, 중앙부로부터 외주부(41)를 향해 흐르는 방사상 기류가 기판(W)의 위쪽에 형성된다.The first inert gas supply unit 8 includes a gas discharge nozzle 27 for supplying an inert gas to the central portion of the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 5 , and the gas discharge nozzle 27 . A first gas pipe 28 for supplying an inert gas, a first gas valve 29 for opening and closing the first gas pipe 28 , and a first nozzle moving mechanism 30 for moving the gas discharge nozzle 27 . ) is included. When the first gas valve 29 is opened at the processing position set above the upper central portion of the upper surface of the substrate W, the inert gas discharged from the gas discharge nozzle 27 causes a radial airflow flowing from the central portion toward the outer peripheral portion 41 . is formed above the substrate (W).

제2 불활성 가스 공급 유닛(9)은, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 대해 불활성 가스를 토출하기 위한 상측 외주부 기체 노즐(31)과, 상측 외주부 기체 노즐(31)에 불활성 가스를 공급하는 제2 기체 배관(32)과, 제2 기체 배관(32)을 개폐하는 제2 기체 밸브(33)와, 상측 외주부 기체 노즐(31)을 이동시키기 위한 제2 노즐 이동 기구(34)를 포함한다. 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 대향하는 처리 위치에 있어서 제2 기체 밸브(33)가 열리면, 상측 외주부 기체 노즐(31)은, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 분사 위치에 대해, 기판(W)의 회전 반경 방향(이하, 직경 방향(RD))의 내측으로부터, 외측 또한 비스듬한 하향으로 불활성 가스를 토출한다. 이에 따라, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 처리액의 처리폭을 제어할 수 있다.The second inert gas supply unit 9 includes an upper outer peripheral gas nozzle 31 for discharging an inert gas to the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W, and an inert gas to the upper outer peripheral gas nozzle 31 . A second gas pipe 32 for supplying , a second gas valve 33 for opening and closing the second gas pipe 32 , and a second nozzle moving mechanism 34 for moving the upper outer peripheral gas nozzle 31 . includes When the second gas valve 33 is opened at the processing position opposite to the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W, the upper outer peripheral gas nozzle 31 is disposed in the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W With respect to the injection position of the substrate W, the inert gas is discharged from the inside in the rotational radial direction (hereinafter, the radial direction RD) of the substrate W to the outside and obliquely downward. Accordingly, the processing width of the processing liquid in the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W can be controlled.

제3 불활성 가스 공급 유닛(10)은, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)에 대해 불활성 가스를 토출하기 위한 하측 외주부 기체 노즐(36)과, 하측 외주부 기체 노즐(36)에 불활성 가스를 공급하는 제3 기체 배관(37)과, 제3 기체 배관(37)을 개폐하는 제3 기체 밸브(38)를 포함한다. 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)에 대향하는 처리 위치에 있어서 제3 기체 밸브(38)가 열리면, 하측 외주부 기체 노즐(36)은, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)의 분사 위치에 대해, 직경 방향(RD) 내측으로부터 외측 비스듬한 상향으로(예를 들면 수평면에 대해 45°) 불활성 가스를 토출한다.The third inert gas supply unit 10 includes a lower outer peripheral gas nozzle 36 for discharging an inert gas to the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W, and an inert gas to the lower outer peripheral gas nozzle 36 . It includes a third gas pipe 37 for supplying , and a third gas valve 38 for opening and closing the third gas pipe 37 . When the third gas valve 38 is opened at the processing position opposite to the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W, the lower outer peripheral gas nozzle 36 is disposed in the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W. With respect to the injection position of , the inert gas is discharged from the inside in the radial direction RD obliquely upward (for example, 45° with respect to the horizontal plane).

히터(11)는, 원환상으로 형성되어 있으며, 기판(W)의 외경과 동등한 외경을 갖고 있다. 히터(11)는, 스핀 척(5)에 유지된 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)에 대향하는 상단면을 갖고 있다. 히터(11)는, 세라믹이나 탄화규소(SiC)를 이용하여 형성되어 있으며, 그 내부에 가열원(도시 생략)이 매설되어 있다. 가열원의 가열에 의해 히터(11)가 데워져, 히터(11)가 기판(W)을 가열한다. 히터(11)에 의해 기판(W)의 외주부(41)를 하면측으로부터 가열함으로써, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 처리 레이트를 향상시킬 수 있다.The heater 11 is formed in an annular shape, and has an outer diameter equal to the outer diameter of the substrate W. The heater 11 has an upper end surface opposite to the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 5 . The heater 11 is formed using ceramic or silicon carbide (SiC), and a heating source (not shown) is embedded therein. The heater 11 is heated by the heating of the heating source, and the heater 11 heats the substrate W. By heating the outer peripheral portion 41 of the substrate W from the lower surface side by the heater 11 , the processing rate in the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W can be improved.

처리 컵(12)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)보다 바깥쪽(회전축선(A1)으로부터 떨어진 방향)에 배치되어 있다. 처리 컵(12)은, 스핀 베이스(17)를 둘러싸고 있다. 스핀 척(5)이 기판(W)을 회전시키고 있는 상태로, 처리액이 기판(W)에 공급되면, 기판(W)에 공급된 처리액이 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 처리액이 기판(W)에 공급될 때, 상향으로 열린 처리 컵(12)의 상단부(12a)는, 스핀 베이스(17)보다 위쪽에 배치된다. 따라서, 기판(W)의 주위에 배출된 약액이나 물 등의 처리액은, 처리 컵(12)에 의해 받아내어진다. 그리고, 처리 컵(12)에 받아진 처리액은 배액 처리된다.The processing cup 12 is disposed outside the substrate W held by the spin chuck 5 (in a direction away from the rotation axis A1 ). The processing cup 12 surrounds the spin base 17 . When the processing liquid is supplied to the substrate W while the spin chuck 5 is rotating the substrate W, the processing liquid supplied to the substrate W is shaken off around the substrate W. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the upper end 12a of the processing cup 12 opened upward is disposed above the spin base 17 . Accordingly, the processing liquid such as the chemical liquid or water discharged around the substrate W is received by the processing cup 12 . Then, the processing liquid received by the processing cup 12 is drained.

또, 처리 유닛(2)은, 스핀 척(5)에 의해 유지되어 있는 기판(W)의 주단의 높이(연직 방향)(V) 위치(이하, 간단히 「높이 위치」라고 한다)를 검출하기 위한 높이 위치 센서(위치 센서)(147)를 포함한다. 높이 위치 센서(147)는, 기판(W)의 주단면(44) 중 소정의 계측 대상 위치에 대해, 그 높이 위치를 검출하고 있다. 본 실시형태에서는, 높이 위치 센서(147)와 제어 장치(3)에 의해, 주단 높이 위치 계측 유닛이 구성되어 있다.In addition, the processing unit 2 is configured to detect a height (vertical direction) V position (hereinafter simply referred to as a “height position”) of the peripheral end of the substrate W held by the spin chuck 5 . and a height position sensor (position sensor) 147 . The height position sensor 147 detects the height position with respect to the predetermined measurement target position among the main end face 44 of the board|substrate W. As shown in FIG. In this embodiment, the height position sensor 147 and the control device 3 constitute a peripheral edge height position measurement unit.

도 3은, 처리 위치에 배치되어 있는 처리액 노즐(19)로부터 처리액을 토출하고 있는 상태를 나타낸 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a state in which the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle 19 disposed at the processing position.

처리액 노즐(19)은, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 대향하는 처리 위치에 배치된다. 이 상태로, 약액 밸브(25)(도 2 참조) 및 린스액 밸브(26B)(도 2 참조)가 선택적으로 열리면, 처리액 노즐(19)은, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 착액 위치(이하, 간단히 「착액 위치(45)」라고 한다)에 대해, 직경 방향(RD)의 내측으로부터 외측 비스듬한 하향으로 처리액(약액 또는 린스액)을 토출한다. 직경 방향(RD)의 내측으로부터 착액 위치(45)를 향해 처리액이 토출되므로, 디바이스 형성 영역인, 기판(W)의 상면 중앙부로의 처리액의 튐을 억제 또는 방지할 수 있다. 이 때, 토출구(19a)로부터의 처리액의 토출 방향은, 직경 방향(RD)을 따른 방향이며, 또한 기판의 상면에 대해 소정 각도로 입사하는 방향이다. 입사각(θ)은, 예를 들면 약 30°~ 약 80°이며, 바람직하게는 약 45°이다. 착액 위치(45)에 착액된 처리액은, 착액 위치(45)에 대해, 직경 방향(RD)의 외측을 향해 흐른다. 기판(W)의 상면의 외주 영역(42) 중, 착액 위치(45)보다 외측의 영역만이 처리액에 의해 처리된다. 즉, 착액 위치(45)와 기판(W)의 주단면(44) 사이의 거리에 따라, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 처리폭이 바뀐다.The processing liquid nozzle 19 is disposed at a processing position opposite to the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W . In this state, when the chemical liquid valve 25 (refer to FIG. 2 ) and the rinse liquid valve 26B (refer to FIG. 2 ) are selectively opened, the processing liquid nozzle 19 moves to the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W. ) (hereinafter, simply referred to as "liquid landing position 45"), the treatment liquid (chemical liquid or rinse liquid) is discharged obliquely downward from the inner side in the radial direction RD to the outer side. Since the processing liquid is discharged from the inner side in the radial direction RD toward the liquid landing position 45 , splashing of the processing liquid to the central portion of the upper surface of the substrate W, which is the device formation region, can be suppressed or prevented. At this time, the discharge direction of the processing liquid from the discharge port 19a is a direction along the radial direction RD, and is a direction incident at a predetermined angle with respect to the upper surface of the substrate. The incident angle θ is, for example, about 30° to about 80°, and preferably about 45°. The processing liquid landed at the liquid landing position 45 flows outward in the radial direction RD with respect to the liquid landing position 45 . Of the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W, only the region outside the liquid landing position 45 is treated with the processing liquid. That is, according to the distance between the liquid landing position 45 and the main end surface 44 of the board|substrate W, the processing width in the outer peripheral area|region 42 of the upper surface of the board|substrate W changes.

도 4는, 기판(W)이 경사 상태로 스핀 척(5)에 유지되어 있는 상태를 나타낸 모식적인 도면이다. 도 5는, 기판(W)이 경사 상태로 스핀 척(5)에 유지되어 있는 상태를 나타낸 모식적인 도면이다. 도 6은, 참고 기판 처리예에 있어서의 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 처리폭을 나타낸 평면도이다.4 is a schematic diagram showing a state in which the substrate W is held by the spin chuck 5 in an inclined state. 5 is a schematic diagram showing a state in which the substrate W is held by the spin chuck 5 in an inclined state. 6 is a plan view showing the processing width of the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W in the reference substrate processing example.

스핀 척(5)은, 기판(W)의 중앙부를 지지하는 타입의 것이다. 이러한 타입의 스핀 척은 기판(W)의 외주부(41)를 지지하지 않는다. 그 때문에, 기판(W)의 유지 상태에 있어서, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 스핀 척(5)에 대해 기판(W)이 경사져 있을 우려가 있다.The spin chuck 5 is of a type that supports the central portion of the substrate W. This type of spin chuck does not support the outer periphery 41 of the substrate W. Therefore, in the holding state of the substrate W, as shown in FIGS. 4 and 5 , there is a possibility that the substrate W is inclined with respect to the spin chuck 5 .

기판(W)의 외주부(41)에 대한 처리에서는, 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키므로, 스핀 척(5)에 대해 기판(W)이 경사져 있으면, 기판(W)의 회전 각도 위치에 따라, 기판(W)의 주단 중 처리액 노즐(19)의 처리 위치에 대응하는 둘레 방향 위치의 주단(처리액 노즐(19)이 배치되어 있는 둘레 방향 위치의 주단. 이하, 「배치 위치 주단(46)」이라고 한다)의 높이 위치가 변화할 우려가 있다(면 흔들림). 처리액 노즐(19)이 처리액을 비스듬한 하측 방향을 향해 토출하므로, 처리액 노즐(19)이 스핀 척(5)에 대해 정지 자세에 있는 경우에는, 기판(W)의 회전 각도 위치에 수반되어, 처리액의 착액 위치(45)와 배치 위치 주단(46) 사이의 거리가 변화한다.In the processing of the outer periphery 41 of the substrate W, since the substrate W is rotated around the rotation axis A1, if the substrate W is inclined with respect to the spin chuck 5, the rotation of the substrate W According to the angular position, the circumferential end of the substrate W at a circumferential position corresponding to the treatment position of the treatment liquid nozzle 19 among the circumferential ends of the substrate W (the circumferential end at the circumferential position at which the treatment liquid nozzle 19 is disposed. Hereinafter, “arrangement”) There is a possibility that the height position of the periphery end 46”) may change (plane shake). Since the processing liquid nozzle 19 discharges the processing liquid obliquely downward, when the processing liquid nozzle 19 is in the stationary position with respect to the spin chuck 5, it is accompanied by the rotational angle of the substrate W. , the distance between the liquid landing position 45 of the processing liquid and the peripheral edge 46 of the arrangement position changes.

그 결과, 도 6에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 세정폭이, 둘레 방향의 각 위치에서 편차가 생기게 된다. 세정폭에 큰 편차가 있으면, 그를 예상하여 중앙의 디바이스 영역을 좁게 설정해야 한다. 그 때문에, 세정폭에는 높은 정밀도가 요구된다.As a result, as shown in FIG. 6, the cleaning width of the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W varies at each position in the circumferential direction. If there is a large deviation in the cleaning width, the central device area should be narrowed in anticipation of this. Therefore, high precision is calculated|required for a cleaning width|variety.

도 7은, 기판 처리 장치(1)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.7 is a block diagram for explaining the electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1 .

제어 장치(3)는, 예를 들면 마이크로컴퓨터를 이용하여 구성되어 있다. 제어 장치(3)는 CPU 등의 연산 유닛(51), 고정 메모리 디바이스(도시 생략), 하드디스크드라이브 등의 기억 유닛(52), 출력 유닛(53) 및 입력 유닛(도시 생략)을 갖고 있다. 기억 유닛(52)에는, 연산 유닛(51)이 실행하는 프로그램이 기억되어 있다.The control device 3 is configured using, for example, a microcomputer. The control apparatus 3 has an arithmetic unit 51 such as a CPU, a fixed memory device (not shown), a storage unit 52 such as a hard disk drive, an output unit 53, and an input unit (not shown). In the storage unit 52 , a program to be executed by the operation unit 51 is stored.

기억 유닛(52)은, 전기적으로 데이터를 재기록 가능한 불휘발성 메모리로 이루어진다. 기억 유닛(52)은, 기판(W)에 대한 각 처리의 내용을 규정하는 레시피를 기억하는 레시피 기억부(54)와, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 둘레 방향의 각 주단 위치에 있어서의 높이 방향(연직 방향)(V)의 위치(이하, 「각 주단 높이 위치」라고 한다.)에 관한 위치 정보를 기억하는 각 주단 높이 위치 기억부(59)와, 위상차(ΔP)(도 8 참조)를 기억하는 위상차 기억부(55)를 포함한다.The storage unit 52 is made of a nonvolatile memory in which data can be electrically rewritable. The storage unit 52 includes a recipe storage unit 54 that stores a recipe defining the contents of each process on the substrate W, and a circumferential angle of the substrate W held by the spin chuck 5 . Each circumferential edge height position storage unit 59 for storing positional information regarding the position of the height direction (vertical direction) V at the circumferential edge position (hereinafter referred to as "each circumferential edge height position"), and the phase difference ΔP ) (refer to FIG. 8), and includes a phase difference storage unit 55.

제어 장치(3)에는, 스핀 모터(18), 아암 요동 모터(22), 아암 승강 모터(122), 제1 및 제2 노즐 이동 기구(30, 34), 히터(11)의 가열원, 약액 밸브(25), 린스액 밸브(26B), 제1 기체 밸브(29), 제2 기체 밸브(33), 제3 기체 밸브(38) 등이 제어 대상으로서 접속되어 있다. 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18), 아암 요동 모터(22), 아암 승강 모터(122), 제1 및 제2 노즐 이동 기구(30, 34), 히터(11)의 동작을 제어한다. 또, 제어 장치(3)는, 밸브(25, 26B, 29, 33, 38) 등을 개폐한다.The control device 3 includes a spin motor 18 , an arm swing motor 22 , an arm raising/lowering motor 122 , first and second nozzle moving mechanisms 30 , 34 , a heating source of the heater 11 , and a chemical liquid. The valve 25 , the rinse liquid valve 26B, the first gas valve 29 , the second gas valve 33 , the third gas valve 38 , and the like are connected as control objects. The control device 3 controls the operations of the spin motor 18 , the arm swing motor 22 , the arm raising/lowering motor 122 , the first and second nozzle moving mechanisms 30 , 34 , and the heater 11 . . Moreover, the control device 3 opens and closes the valves 25 , 26B , 29 , 33 , 38 , and the like.

이들 제어 대상의 제어 시에는, 출력 유닛(53)이 각 제어 대상에 대해, 구동 신호를 송출하고, 이 구동 신호가 제어 대상에 입력됨으로써, 제어 대상은, 구동 신호에 따른 구동 동작을 실행한다. 예를 들면, 아암 승강 모터(122)를 제어하여 노즐 아암(20)을 구동시키고 싶은 경우에는, 출력 유닛(53)은, 아암 승강 모터(122)에 대해, 노즐 구동 신호(57)를 송출한다. 그리고, 아암 승강 모터(122)에 노즐 구동 신호(57)가 입력됨으로써, 아암 승강 모터(122)는, 노즐 구동 신호(57)에 따른 구동 동작으로 노즐 아암(20)을 구동한다(즉, 승강 동작시킨다).At the time of controlling these control objects, the output unit 53 sends out a drive signal to each control object, and this drive signal is input to a control object, so that the control object performs a drive operation according to a drive signal. For example, when controlling the arm raising/lowering motor 122 to drive the nozzle arm 20 , the output unit 53 transmits a nozzle drive signal 57 to the arm raising/lowering motor 122 . . Then, when the nozzle drive signal 57 is input to the arm lift motor 122 , the arm lift motor 122 drives the nozzle arm 20 with a drive operation according to the nozzle drive signal 57 (ie, lifts/lowers). operate).

또, 제어 장치(3)에는, 인코더(23)의 검출 출력 및 높이 위치 센서(147)의 검출 출력이 입력되도록 되어 있다.Moreover, the detection output of the encoder 23 and the detection output of the height position sensor 147 are input to the control device 3 .

본 실시형태에 따른 외주부 처리 공정(S6, S7)에 있어서, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)(도 3 참조)에 있어서의 착액 위치(45)가, 배치 위치 주단(46)과의 간격을 일정하게 유지하기 위해 당해 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화(이하, 「높이 위치 변화」라고 한다)에 추종하여 높이 방향(V)으로 왕복 이동하도록, 처리액 노즐(19)을 구동시킨다. 보다 구체적으로는, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 추종하여, 처리액 노즐(19)이, 높이 방향(V)으로 이동되어진다. 이에 따라, 기판(W)의 외주부(41)에 있어서, 착액 위치(45)와 배치 위치 주단(46)의 간격을 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「착액 위치(45)를 왕복 이동」이란, 기판(W)을 기준으로 한 왕복 이동이 아니라, 정지 상태에 있는 물체(예를 들면 처리 챔버(4)의 격벽(13))를 기준으로 한 왕복 이동을 말한다.In the outer peripheral processing steps S6 and S7 according to the present embodiment, the control device 3 determines that the liquid landing position 45 in the outer peripheral region 42 (refer to FIG. 3 ) of the upper surface of the substrate W is, In order to keep the distance from the peripheral end 46 at the arrangement position constant, it follows the change in the height position of the peripheral end 46 at the arrangement position (hereinafter referred to as "height position change") and reciprocates in the height direction V; The processing liquid nozzle 19 is driven. More specifically, the processing liquid nozzle 19 is moved in the height direction V in accordance with the change in the height position of the peripheral end 46 of the arrangement position. Thereby, in the outer peripheral part 41 of the board|substrate W, the space|interval of the liquid landing position 45 and the arrangement|positioning position peripheral edge 46 can be maintained constant. In addition, in this specification, the "reciprocating movement of the liquid landing position 45" is not a reciprocating movement with respect to the substrate W, but an object in a stationary state (for example, the partition 13 of the processing chamber 4 ). )) as a standard for round-trip movement.

그러나, 제어 장치(3)와 아암 승강 모터(122) 사이의 노즐 구동 신호(57)의 송수신이나 그에 따른 데이터의 판독이나 데이터 해석 때문에, 처리액 노즐(19)의 구동 제어에 있어서, 제어 장치(3)로부터의 노즐 구동 신호(57)의 출력에 대해, 처리액 노즐(19)의 구동 동작이 지연되는 경우가 있다.However, due to the transmission/reception of the nozzle drive signal 57 between the control device 3 and the arm raising/lowering motor 122 , and data reading and data analysis accompanying it, in driving control of the processing liquid nozzle 19 , the control device ( With respect to the output of the nozzle driving signal 57 from 3), the driving operation of the processing liquid nozzle 19 may be delayed.

도 8은, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파(SW2), 및 배치 위치 주단(46)의 위치 변화에 착액 위치(45)가 추종하는(즉, 착액 위치(45)와 배치 위치 주단(46)의 간격이 일정하게 유지되는) 최적의 추종 타이밍에 노즐 구동 신호(57)를 출력한 경우의 착액 위치(45)의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파(SW1)이다.Fig. 8 shows a sine wave SW2 showing a change in the height position of the peripheral end 46 at the arrangement position, and the liquid landing position 45 following the position change of the arrangement position peripheral end 46 (that is, the liquid landing position 45 and arrangement). It is a sine wave SW1 showing the change in the height and position of the liquid landing position 45 when the nozzle drive signal 57 is output at the optimum tracking timing (where the interval between the positional peripheral ends 46 is kept constant).

배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 착액 위치(45)가 추종하는 최적의 추종 타이밍에 노즐 구동 신호(57)를 출력한 경우, 도 8에 나타낸 바와 같이, 실제의 처리액 노즐(19)의 높이 위치 변화(착액 위치(45)의 높이 위치 변화)의 정현파(SW1)(도 8에 실선으로 나타낸다)는, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화의 정현파(SW2)(도 8에 파선으로 나타낸다)로부터, 소정의 위상차(ΔP)만큼 지연된다. 이러한 처리액 노즐(19)의 구동 지연에 수반되는, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 대한 착액 위치(45)의 위상차를, 이하, 간단히 「위상차(ΔP)」라고 부른다. When the nozzle drive signal 57 is output at the optimum tracking timing in which the liquid landing position 45 follows the change in the height position of the peripheral edge 46 of the arrangement position, as shown in FIG. 8 , the actual treatment liquid nozzle 19 . The sine wave SW1 (shown by a solid line in Fig. 8) of the change in height position (change in the height position of the liquid landing position 45) is the sine wave SW2 (dashed line in Fig. 8) of the change in height position of the peripheral edge 46 of the arrangement position. ), it is delayed by a predetermined phase difference ΔP. The phase difference of the liquid landing position 45 with respect to the height position change of the peripheral edge 46 of the arrangement position accompanying the driving delay of the processing liquid nozzle 19 is hereinafter simply referred to as “phase difference ΔP”.

그래서, 본 실시형태에서는, 제어 장치(3)로부터 아암 승강 모터(122)로의 노즐 구동 신호(57)의 출력 타이밍을, 상기의 최적의 추종 타이밍으로부터, 위상차(ΔP)에 상당하는 시간만큼 앞당김(어긋나게 함)으로써, 위상차(ΔP)를 배제한 배제 타이밍에, 노즐 구동 신호(57)를 아암 승강 모터(122)에 대해 출력하는 것을 실현하고 있다. 이하, 구체적으로 설명한다.Therefore, in the present embodiment, the output timing of the nozzle drive signal 57 from the control device 3 to the arm raising/lowering motor 122 is advanced by a time corresponding to the phase difference ΔP from the above optimal tracking timing. By (shifting), outputting the nozzle drive signal 57 to the arm raising/lowering motor 122 at the exclusion timing excluding the phase difference ΔP is realized. Hereinafter, it demonstrates concretely.

도 9a는, 도 7에 나타낸 각 주단 높이 위치 기억부(59)를 설명하기 위한 도면이다. 주단 높이 위치 기억부(59)에는, 각 주단 높이 위치에 관한 위치 정보가 기억되어 있다. 구체적으로는, 착액 위치(45)의 왕복 이동의 진폭(A), 착액 위치(45)의 왕복 이동의 주기(PD), 및 착액 위치(45)의 왕복 이동의 위상(P)(검출된 노치의 위치를 기준으로 하는 둘레 방향 위상)을 기억하고 있다. 이들 위치 정보는, 각 주단 높이 위치 계측 공정(도 10의 S4)에 의해 계측된 실측치에 의거한 값이다.FIG. 9A is a diagram for explaining each of the peripheral edge height position storage units 59 shown in FIG. 7 . In the peripheral edge height position storage unit 59, positional information regarding each peripheral edge height position is stored. Specifically, the amplitude (A) of the reciprocating movement of the liquid landing position 45, the period of the reciprocating movement of the liquid landing position 45 (PD), and the phase P of the reciprocating movement of the liquid landing position 45 (detected notch) circumferential phase based on the position of ) is stored. These positional information is a value based on the measured value measured by each peripheral edge height position measurement process (S4 of FIG. 10).

도 9b는, 도 7에 나타낸 위상차 기억부(55)를 설명하기 위한 도면이다. 주단 높이 위치 기억부(59)에는 위상차(ΔP)가 기억되어 있다. 위상차(ΔP)는, 서로 다른 복수의 회전 속도(기판(W)의 회전 속도)에 대응하여 기억되어 있다.FIG. 9B is a diagram for explaining the phase difference storage unit 55 shown in FIG. 7 . The phase difference ΔP is stored in the peripheral edge height position storage unit 59 . The phase difference ΔP is stored corresponding to a plurality of different rotational speeds (rotational speeds of the substrate W).

도 10은, 처리 유닛(2)에 의한 기판 처리예를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 11은, 도 10에 나타낸 각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 12는, 도 10에 나타낸 위상차 계측 공정(S5)의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 13은, 도 10에 나타낸 외주부 처리 공정(S6, S7)의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 14 및 도 15는, 외주부 처리 공정(S6, S7)의 내용을 설명하기 위한 모식적인 도면이다. 도 16은, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파(SW2), 및 배제 타이밍에 노즐 구동 신호(57)를 출력한 경우의 착액 위치(45)의 높이 위치 변화를 나타낸 정현파(SW1)이다. 도 17은, 도 10의 기판 처리예에 있어서의 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 처리폭을 나타낸 평면도이다.10 is a flowchart for explaining an example of substrate processing by the processing unit 2 . 11 : is a flowchart for demonstrating the content of each peripheral edge height position measurement process S4 shown in FIG. FIG. 12 is a flowchart for explaining the contents of the phase difference measuring step S5 shown in FIG. 10 . 13 : is a flowchart for demonstrating the content of outer peripheral part processing process S6, S7 shown in FIG. 14 and 15 are schematic views for explaining the contents of the outer peripheral portion treatment steps S6 and S7. Fig. 16 is a sine wave (SW2) showing a change in the height position of the peripheral edge (46) of the arrangement position, and a sine wave (SW1) showing a change in the height position of the liquid landing position (45) when the nozzle drive signal 57 is output at the time of removal. )to be. FIG. 17 is a plan view showing the processing width of the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W in the substrate processing example of FIG. 10 .

이 기판 처리예에 대해, 도 1, 도 2, 도 3, 도 7, 도 9a, 도 9b 및 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 11~도 17은 적절히 참조한다.This substrate processing example will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3, 7, 9A, 9B, and 10 . 11-17 are referred to as appropriate.

우선, 미처리의 기판(W)이, 처리 챔버(4)의 내부에 반입된다(도 10의 S1). 구체적으로는, 기판(W)을 유지하고 있는 반송 로봇(CR)의 핸드(H)를 처리 챔버(4)의 내부에 진입시킴으로써, 기판(W)이 디바이스 형성면을 위쪽으로 향한 상태로 스핀 척(5)에 수도(受渡)된다.First, an unprocessed substrate W is loaded into the processing chamber 4 ( S1 in FIG. 10 ). Specifically, by moving the hand H of the transfer robot CR holding the substrate W into the processing chamber 4, the substrate W faces upward with the device forming surface of the spin chuck. It is transferred to (5).

그 후, 기판(W)의 하면 중앙부가 흡착 지지되면, 스핀 척(5)에 의해 기판(W)이 유지된다(도 10의 S2). 본 실시형태에서는, 센터링 기구를 이용한, 스핀 척(5)에 대한 기판(W)의 중심 맞춤은 행하지 않는다. Thereafter, when the central portion of the lower surface of the substrate W is supported by suction, the substrate W is held by the spin chuck 5 (S2 in FIG. 10 ). In this embodiment, the centering of the substrate W with respect to the spin chuck 5 using the centering mechanism is not performed.

스핀 척(5)에 기판(W)이 유지된 후, 제어 장치(3)는 스핀 모터(18)를 제어하여, 기판(W)을 회전 개시시킨다(도 10의 S3).After the substrate W is held by the spin chuck 5, the control device 3 controls the spin motor 18 to start rotation of the substrate W (S3 in Fig. 10).

다음에, 제어 장치(3)는, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 각 주단 높이 위치를 계측하는 각 주단 높이 위치 계측 공정(도 10의 S4)을 실행한다. 도 11을 아울러 참조하면서, 각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)에 대해 설명한다.Next, the control device 3 executes each peripheral edge height position measurement step (S4 in FIG. 10 ) of measuring the respective peripheral edge height positions of the substrate W held by the spin chuck 5 . Each circumferential edge height position measurement process S4 is demonstrated, referring FIG. 11 collectively.

각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)에서는, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 회전 속도를, 소정의 계측 회전 속도(다음에 서술하는 액처리 속도보다 느린 속도. 예를 들면 약 50rpm)까지 상승시켜, 그 계측 회전 속도로 유지한다(도 11의 S11).In each main edge height position measurement step S4, the control device 3 sets the rotation speed of the substrate W to a predetermined measurement rotation speed (a speed slower than the liquid processing speed described below; for example, about 50 rpm). up to and hold at the measured rotational speed (S11 in Fig. 11).

기판(W)의 회전이 계측 회전 속도에 도달하면(S11에서 YES), 제어 장치(3)는, 높이 위치 센서(147)를 이용하여 각 주단 높이 위치를 계측 개시한다(도 11의 S12). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어하여 기판(W)을 회전축선(A1) 둘레로 회동시키면서, 높이 위치 센서(147)에 의해, 기판(W)의 주단면(44) 중 소정의 계측 대상 위치의 높이 위치를 검출시킨다. 높이 위치 센서(147)에 의한 검출 개시 후, 기판(W)이 적어도 일주하여(360°) 회동이 끝나면(도 11의 S13에서 YES), 모든 각 주단 높이 위치를 검출한 것으로 하여(YES), 계측이 종료된다(도 11의 S14). 이에 따라, 스핀 척(5)에 대한 기판(W)의 경사 상태를 검출할 수 있다.When rotation of the board|substrate W reaches|attains the measured rotation speed (YES in S11), the control apparatus 3 uses the height position sensor 147 and starts measuring each peripheral edge height position (S12 of FIG. 11). Specifically, the control device 3 controls the spin motor 18 to rotate the substrate W around the rotation axis A1, and uses the height position sensor 147 to control the main cross-section of the substrate W. A height position of a predetermined measurement target position in (44) is detected. After the start of detection by the height position sensor 147, the substrate W travels at least one round (360°) and when the rotation is finished (YES in S13 in FIG. 11), it is assumed that all the peripheral edge height positions have been detected (YES), The measurement is finished (S14 in Fig. 11). Accordingly, the inclination state of the substrate W with respect to the spin chuck 5 can be detected.

제어 장치(3)는, 계측된 각 주단 높이 위치에 의거하여, 착액 위치(45)의 왕복 이동의 진폭(A), 착액 위치(45)의 왕복 이동의 주기(PD), 및 착액 위치(45)의 왕복 이동의 위상(P)(노치의 검출에 의거한 둘레 방향 위상)을 산출한다(도 11의 S15). 산출된 진폭(A), 주기(PD) 및 위상(P)은, 각 주단 높이 위치 기억부(59)에 기억된다(도 11의 S16). 그 후, 각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)은 종료된다. 각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)의 실행 시간은, 예를 들면 약 5초간이다.The control device 3 controls the amplitude A of the reciprocating movement of the liquid landing position 45, the reciprocating period PD of the liquid landing position 45, and the liquid landing position 45 based on the measured height of each circumference. ) (a circumferential phase based on detection of the notch) of the reciprocating movement is calculated (S15 in Fig. 11). The calculated amplitude A, period PD, and phase P are stored in each peripheral edge height position storage unit 59 (S16 in Fig. 11). Then, each peripheral edge height position measurement process S4 is complete|finished. The execution time of each peripheral edge height position measurement process S4 is about 5 second, for example.

다음에, 제어 장치(3)는, 위상차(ΔP)(도 8 참조)를 계측하기 위한 위상차 계측 공정(도 10의 S5)을 실행한다. 도 12를 아울러 참조하면서, 위상차 계측 공정(S5)에 대해 설명한다.Next, the control device 3 executes a phase difference measuring step (S5 in FIG. 10 ) for measuring the phase difference ΔP (see FIG. 8 ). The phase difference measurement process S5 is demonstrated, referring FIG. 12 collectively.

위상차 계측 공정(S5)에서는, 제어 장치(3)는, 다음에 서술하는 외주부 처리 공정(외주부 약액 처리 공정(S6) 및 외주부 린스액 처리 공정(S7))에 있어서의 기판(W)의 회전 속도(처리 회전 속도)에 따른 위상차(ΔP)를 계측한다. 외주부 처리 공정에 있어서 처리 회전 속도가 복수 설정되어 있는 경우에는, 개개의 처리 회전 속도에 대응한 위상차(ΔP)(즉, 복수의 위상차(ΔP))가 계측된다.In the phase difference measuring step S5 , the control device 3 controls the rotation speed of the substrate W in the outer periphery treatment step (the outer periphery chemical treatment step S6 and the outer periphery rinse solution treatment step S7 ) described below. The phase difference ΔP according to (process rotation speed) is measured. In the case where a plurality of processing rotation speeds are set in the outer peripheral processing step, a phase difference ΔP (ie, a plurality of phase differences ΔP) corresponding to each processing rotation speed is measured.

구체적으로는, 제어 장치(3)는, 아암 승강 모터(122)를 제어하여, 처리액 노즐(19)을, 상면의 외주 영역(42)에 대향하는 처리 위치에 배치한다(도 12의 S21). 또, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어하여 기판(W)의 회전 속도를, 소정의 계측 회전 속도(즉, 외주부 처리 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도)까지 상승시켜, 그 계측 회전 속도로 유지한다(도 12의 S22).Specifically, the control device 3 controls the arm raising/lowering motor 122 to dispose the processing liquid nozzle 19 at a processing position opposite to the outer peripheral region 42 of the upper surface (S21 in FIG. 12 ). . Moreover, the control device 3 controls the spin motor 18 to increase the rotation speed of the substrate W to a predetermined measured rotation speed (that is, the rotation speed of the substrate W in the outer peripheral processing step). and maintains at the measured rotational speed (S22 in Fig. 12).

제어 장치(3)는, 각 주단 높이 위치 기억부(59)에 기억되어 있는 진폭(A), 주기(PD) 및 위상(P)(각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)의 계측 결과)에 의거하여, 배치 위치 주단(46)의 위치 변화와 동일한 진폭(A) 및 동일한 주기(PD)로 착액 위치(45)가 이동하도록 처리액 노즐(19)을 구동시키는 노즐 구동 신호(57)를 작성한다(노즐 구동 신호 작성 공정. 도 12의 S23).The control device 3 is based on the amplitude A, the period PD, and the phase P (measured result of each peripheral edge height position measurement step S4) stored in each peripheral edge height position storage unit 59 ). Thus, a nozzle drive signal 57 for driving the treatment liquid nozzle 19 is generated so that the liquid landing position 45 moves with the same amplitude A and the same cycle PD as the position change of the peripheral end 46 of the arrangement position. (Nozzle drive signal creation step. S23 in Fig. 12).

그리고, 기판(W)의 회전이 계측 회전 속도에 도달하면(S22에서 YES), 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)의 출력축의 회전량을 검출하는 인코더(도시 생략)에 의해 검출되는 기판(W)의 회전 각도 위치에 의거하여, 배치 위치 주단(46)의 위치 변화에 착액 위치(45)가 추종하는(즉, 착액 위치(45)와 배치 위치 주단(46)의 간격이 일정하게 유지되는) 최적의 추종 타이밍에 노즐 구동 신호(57)를 출력한다(도 12의 S24). 도 8을 참조하여 전술한 바와 같이, 실제의 착액 위치(45)의 높이 위치 변화의 정현파(SW1)(도 8에 실선으로 나타낸다)는, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화의 정현파(SW2)(도 8에 파선으로 나타낸다)로부터 소정의 위상차(ΔP)만큼 지연된다. 제어 장치(3)는, 인코더(23)의 검출 출력을 참조하여, 처리액 노즐(19)의 실제의 높이 위치 변화(착액 위치(45)의 높이 위치 변화)를 구하고, 이에 의거하여, 위상차(ΔP)를 산출한다(도 12의 S25). 산출된 위상차(ΔP)는, 각 위상차 기억부(55)에 기억된다(도 12의 S26). 이에 따라, 이 회전 속도에 대응하는 위상차(ΔP)의 계측이 종료된다. 다른 회전 속도에 대한 위상차(ΔP)의 계측이 남아 있는 경우에는(S27에서 YES), 도 12의 S21로 되돌아간다. 모든 회전 속도에 대한 위상차(ΔP)의 계측이 종료된 경우에는(S27에서 NO), 위상차 계측 공정(S5)은 종료된다.Then, when the rotation of the substrate W reaches the measured rotation speed (YES in S22), the control device 3 detects the rotation amount of the output shaft of the spin motor 18 by an encoder (not shown). Based on the rotation angle position of the substrate W, the liquid landing position 45 follows a change in the position of the arrangement position peripheral end 46 (that is, the distance between the liquid landing position 45 and the arrangement position peripheral end 46 is constant) The nozzle drive signal 57 is output at the optimum tracking timing (retained) (S24 in Fig. 12). As described above with reference to FIG. 8 , the sine wave SW1 (shown by a solid line in FIG. 8 ) of the change in the height position of the actual liquid landing position 45 is the sine wave SW2 of the change in the height position of the peripheral edge 46 of the arrangement position. ) (indicated by a broken line in FIG. 8) by a predetermined phase difference ?P. The control device 3 refers to the detection output of the encoder 23 to obtain the actual height position change of the processing liquid nozzle 19 (the height position change of the liquid landing position 45), and based on this, the phase difference ( ΔP) is calculated (S25 in FIG. 12). The calculated phase difference ΔP is stored in each phase difference storage unit 55 (S26 in FIG. 12). Thereby, measurement of the phase difference ΔP corresponding to this rotational speed is completed. If the measurement of the phase difference ΔP with respect to the other rotational speeds remains (YES in S27), the process returns to S21 in FIG. When the measurement of the phase difference ΔP for all rotational speeds is finished (NO in S27), the phase difference measurement step S5 is finished.

위상차 계측 공정(S5)의 종료 후, 다음에, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 외주부(41)를, 약액을 이용하여 처리하는 외주부 약액 처리 공정(외주부 처리 공정. 도 10의 S6)을 실행한다. 외주부 약액 처리 공정(S6)은, 기판(W)의 회전이 소정의 회전 속도(약 300rpm~약 1000rpm의 소정의 속도)에 있는 상태로 실행된다. 또, 외주부 약액 처리 공정(S6)에 병행하여, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 약액의 착액 위치(45)를, 배치 위치 주단(46)과의 간격이 일정하게 유지되도록, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 추종하여 높이 방향(V)으로 왕복 이동시키는 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행한다. 도 13을 아울러 참조하면서, 외주부 약액 처리 공정(S6)에 대해 설명한다.After completion of the phase difference measuring step S5, the control device 3 then performs an outer periphery chemical treatment step (outer periphery treatment step. S6 of FIG. 10 ) of treating the outer circumferential portion 41 of the substrate W using a chemical solution. ) is executed. The outer peripheral part chemical|medical solution processing process S6 is performed in the state in which rotation of the board|substrate W is at a predetermined rotation speed (predetermined speed of about 300 rpm - about 1000 rpm). Further, in parallel to the outer peripheral portion chemical liquid treatment step S6 , the control device 3 sets the chemical liquid landing position 45 in the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W to the arrangement position peripheral edge 46 . A liquid landing position reciprocating movement process of following the height position change of the arrangement position peripheral edge 46 and reciprocating in the height direction V is performed so that the space|interval with a fruit may be kept constant. The outer peripheral part chemical|medical solution processing process S6 is demonstrated, collectively referring FIG. 13. FIG.

외주부 약액 처리 공정(S6)에서는, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어하여 기판(W)의 회전 속도를, 소정의 처리 회전 속도(즉, 외주부 약액 처리 공정(S6)에 있어서의 기판(W)의 회전 속도)로 설정한다(도 13의 S30). 또, 처리액 노즐(19)이 퇴피 위치에 있는 경우에는, 제어 장치(3)는, 아암 승강 모터(122)를 제어하여, 처리액 노즐(19)을, 상면의 외주 영역(42)에 대향하는 처리 위치에 배치한다(도 13의 S31). In the outer periphery chemical processing step S6 , the control device 3 controls the spin motor 18 to set the rotation speed of the substrate W to a predetermined processing rotation speed (that is, in the outer periphery chemical processing step S6 ). of the rotation speed of the substrate W) (S30 in FIG. 13). Also, when the processing liquid nozzle 19 is in the retracted position, the control device 3 controls the arm raising/lowering motor 122 so that the processing liquid nozzle 19 faces the outer peripheral region 42 of the upper surface. to the processing position (S31 in Fig. 13).

기판(W)의 회전이 처리 회전 속도에 도달하면, 제어 장치(3)는, 린스액 밸브(26B)를 닫으면서 약액 밸브(25)를 여는 것에 의해, 처리액 노즐(19)의 토출구(19a)로부터 약액을 토출 개시시킨다(도 13의 S32). 또, 제어 장치(3)는, 도 14 및 도 15에 나타낸 바와 같이, 전술한 착액 위치 왕복 이동 공정(도 13의 S33)을 실행 개시한다.When the rotation of the substrate W reaches the processing rotation speed, the control device 3 opens the chemical liquid valve 25 while closing the rinse liquid valve 26B, so that the discharge port 19a of the processing liquid nozzle 19 is ) to start discharging the chemical (S32 in FIG. 13). Moreover, as shown in FIGS. 14 and 15 , the control device 3 starts executing the above-described liquid landing position reciprocating step (S33 in FIG. 13 ).

착액 위치 왕복 이동 공정(S33)은, 다음과 같이 행해진다.The liquid landing position reciprocating step (S33) is performed as follows.

즉, 제어 장치(3)는, 각 주단 높이 위치 기억부(59)에 기억되어 있는 진폭(A), 주기(PD) 및 위상(P)(각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)의 계측 결과)에 의거하여, 배치 위치 주단(46)의 위치 변화와 동일한 진폭(A) 및 동일한 주기(PD)로 착액 위치(45)가 이동하도록 처리액 노즐(19)을 구동시키는 노즐 구동 신호(57)를 작성한다(노즐 구동 신호 작성 공정. 도 13의 S34).That is, the control device 3 stores the amplitude A, the period PD, and the phase P stored in each peripheral edge height position storage unit 59 (measurement result of each peripheral edge height position measurement step S4). Based on , a nozzle drive signal 57 for driving the treatment liquid nozzle 19 so that the liquid landing position 45 moves with the same amplitude A and the same cycle PD as the position change of the peripheral end 46 of the arrangement position created (nozzle drive signal creation step; S34 in Fig. 13).

그리고, 기판(W)의 회전이 처리 회전 속도에 도달하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)의 출력축의 회전량을 검출하기 위한 인코더(도시 생략)에 의해 검출되는 기판(W)의 회전 각도 위치에 의거하여, 상기의 최적의 추종 타이밍(즉, 착액 위치(45)와 배치 위치 주단(46)의 간격이 일정하게 유지되는 타이밍)으로부터 위상차(ΔP)에 상당하는 시간만큼 앞당긴(어긋나게 한) 배제 타이밍에 노즐 구동 신호(57)를 출력한다(도 13의 S35). 이 때, 제어 장치(3)는, 위상차 기억부(55)를 참조하여, 기억되어 있는 위상차(ΔP) 중, 당해 처리 회전 속도에 대응하는 위상차(ΔP)로 배제 타이밍을 얻는다.Then, when the rotation of the substrate W reaches the processing rotation speed, the control device 3 controls the substrate W detected by an encoder (not shown) for detecting the rotation amount of the output shaft of the spin motor 18 . Based on the rotation angle position of the above, the optimal tracking timing (that is, the timing at which the distance between the liquid landing position 45 and the periphery 46 of the placement position is maintained constant) is advanced by a time corresponding to the phase difference ΔP ( The nozzle drive signal 57 is output at the exclusion timing (shifted) (S35 in Fig. 13). At this time, the control device 3 refers to the phase difference storage unit 55 and obtains the exclusion timing from the stored phase difference ΔP with the phase difference ΔP corresponding to the processing rotation speed.

도 16에 나타낸 바와 같이, 배제 타이밍에 노즐 구동 신호를 출력한 경우에는, 실제의 착액 위치(45)의 높이 위치 변화의 정현파(SW1)(도 16에 실선으로 나타낸다)는, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화의 정현파(SW2)(도 16에 파선으로 나타낸다)와 거의 혹은 전혀 위상차가 없다.As shown in FIG. 16 , when the nozzle drive signal is output at the exclusion timing, the sine wave SW1 (shown by a solid line in FIG. 16 ) of the height position change of the actual liquid landing position 45 is the periphery 46 of the arrangement position. ), there is little or no phase difference with the sinusoidal wave SW2 (shown by a broken line in Fig. 16) of the change in height position.

이에 따라, 위상차(ΔP)를 배제한 배제 타이밍에, 노즐 구동 신호(57)를 아암 승강 모터(122)에 대해 출력하는 것을 실현하고 있다. 이에 따라, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 추종하여 착액 위치(45)를 왕복 이동시키는 것이 가능한 타이밍에 노즐 구동 신호(57)를 출력할 수 있다. 이에 따라, 노즐 구동 신호(57)의 출력에 대한 처리액 노즐(19)의 구동 지연에 상관없이, 착액 위치(45)를, 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 양호하게 추종시킬 수 있다. 그러므로, 도 17에 나타낸 바와 같이, 외주부 처리 공정(S6, S7)에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 처리폭의 균일성을 향상시킬 수 있다.Thereby, outputting the nozzle drive signal 57 to the arm raising/lowering motor 122 at the exclusion timing excluding the phase difference ΔP is realized. Thereby, the nozzle drive signal 57 can be output at the timing which can reciprocate the liquid landing position 45 following the height position change of the arrangement|positioning position peripheral edge 46. As shown in FIG. Accordingly, regardless of the delay in driving the processing liquid nozzle 19 with respect to the output of the nozzle drive signal 57 , the liquid landing position 45 can be favorably followed by a change in the height position of the peripheral edge 46 of the arrangement position. . Therefore, as shown in FIG. 17, the uniformity of the process width in the outer peripheral area|region 42 of the upper surface of the board|substrate W can be improved as shown in outer peripheral part processing process S6, S7.

약액의 토출 개시로부터 미리 정한 기간이 경과하면(도 13의 S36에서 YES), 제어 장치(3)는, 약액 밸브(25)를 닫는다. 이에 따라, 처리액 노즐(19)로부터의 약액의 토출이 정지(종료)된다(도 13의 S37).When a predetermined period has elapsed from the start of discharging the chemical (YES in S36 of FIG. 13 ), the control device 3 closes the chemical liquid valve 25 . Accordingly, discharge of the chemical from the processing liquid nozzle 19 is stopped (finished) (S37 in FIG. 13 ).

또, 외주부 약액 처리 공정(S6)에서는, 히터(11)의 열원이 켜져, 히터(11)에 의해, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)이 가열된다. 이에 따라, 외주부 약액 처리의 처리 속도를 높이고 있다. 또, 외주부 약액 처리 공정(S6)에서는, 처리 위치에 위치하는 기체 토출 노즐(27)로부터 토출되는 불활성 가스에 의해, 중앙부로부터 외주부(41)를 향해 흐르는 방사상 기류가 기판(W)의 위쪽에 형성된다. 이 방사상 기류에 의해, 디바이스 형성 영역인 기판(W)의 상면 중앙부가 보호된다. 또, 외주부 약액 처리 공정(S6)에서는, 처리 위치에 위치하는 상측 외주부 기체 노즐(31)로부터 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 분사 위치에 대해 불활성 가스가 분사된다. 이 불활성 가스의 분사에 의해, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 약액의 처리폭을 제어할 수 있다. 또, 외주부 약액 처리 공정(S6)에서는, 처리 위치에 위치하는 하측 외주부 기체 노즐(36)로부터 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)의 분사 위치에 대해 불활성 가스가 분사된다. 이 불활성 가스의 분사에 의해, 기판(W)의 하면으로 약액이 돌아들어가는 것을 방지할 수 있다.Moreover, in the outer peripheral part chemical|medical solution processing process S6, the heat source of the heater 11 is turned on, and the outer peripheral area|region 43 of the lower surface of the board|substrate W is heated by the heater 11. FIG. Accordingly, the processing speed of the outer peripheral part chemical liquid treatment is increased. Further, in the outer periphery chemical treatment step S6, a radial air flow flowing from the central portion toward the outer periphery 41 is formed above the substrate W by the inert gas discharged from the gas discharge nozzle 27 located at the treatment position. do. By this radial airflow, the upper surface central part of the board|substrate W which is a device formation area|region is protected. Moreover, in the outer peripheral part chemical|medical solution processing process S6, an inert gas is injected with respect to the injection position of the outer peripheral area|region 42 of the upper surface of the board|substrate W from the upper outer peripheral gas nozzle 31 located at a processing position. By the injection of the inert gas, the processing width of the chemical in the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W can be controlled. Moreover, in the outer peripheral part chemical|medical solution processing process S6, the inert gas is injected with respect to the injection position of the outer peripheral area|region 43 of the lower surface of the board|substrate W from the lower outer peripheral gas nozzle 36 located at a processing position. By the injection of this inert gas, it is possible to prevent the chemical liquid from returning to the lower surface of the substrate W.

제3 불활성 가스 공급 유닛(10)은, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)에 대해 불활성 가스를 토출하기 위한 하측 외주부 기체 노즐(36)과, 하측 외주부 기체 노즐(36)에 불활성 가스를 공급하는 제3 기체 배관(37)과, 제3 기체 배관(37)을 개폐하는 제3 기체 밸브(38)를 포함한다. 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)에 대향하는 처리 위치에 있어서 제3 기체 밸브(38)가 열리면, 하측 외주부 기체 노즐(36)은, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)의 분사 위치에 대해, 연직 상향으로 불활성 가스를 토출한다.The third inert gas supply unit 10 includes a lower outer peripheral gas nozzle 36 for discharging an inert gas to the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W, and an inert gas to the lower outer peripheral gas nozzle 36 . It includes a third gas pipe 37 for supplying , and a third gas valve 38 for opening and closing the third gas pipe 37 . When the third gas valve 38 is opened at the processing position opposite to the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W, the lower outer peripheral gas nozzle 36 is disposed in the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W. With respect to the injection position of the inert gas is discharged vertically upward.

외주부 약액 처리 공정(S6)의 종료 후, 다음에 제어 장치(3)는, 기판(W)의 외주부(41)를, 린스액을 이용하여 처리하는 외주부 린스액 처리 공정(외주부 처리 공정. 도 10의 S7)을 실행한다. 외주부 린스액 처리 공정(S7)은, 기판(W)의 회전이 소정의 회전 속도(약 300rpm~약 1000rpm의 소정의 속도)에 있는 상태로 실행된다. 또, 외주부 린스액 처리 공정(S7)에 병행하여, 제어 장치(3)는, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)에 있어서의 린스액의 착액 위치(45)를, 배치 위치 주단(46)과의 간격이 일정하게 유지되도록 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 추종하여 높이 방향(V)으로 왕복 이동시키는 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행한다. 도 13을 아울러 참조하면서, 외주부 린스액 처리 공정(S7)에 대해 설명한다. After completion of the outer periphery chemical treatment step S6, the control device 3 next performs an outer periphery rinse liquid treatment step (outer portion treatment step) in which the outer periphery 41 of the substrate W is treated using a rinse solution. S7) is executed. The outer periphery rinse liquid treatment step S7 is performed in a state in which the rotation of the substrate W is at a predetermined rotation speed (a predetermined speed of about 300 rpm to about 1000 rpm). In addition, in parallel with the outer periphery rinse liquid treatment step S7 , the control device 3 sets the liquid landing position 45 of the rinse liquid in the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W, the arrangement position peripheral end ( 46), the liquid landing position reciprocating movement process of following the height position change of the arrangement|positioning position peripheral edge 46 and reciprocating in the height direction V is performed so that the space|interval with it may be kept constant. The outer periphery rinse liquid treatment step ( S7 ) will be described with reference to FIG. 13 as well.

외주부 린스액 처리 공정(S7)에서는, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어하여 기판(W)의 회전 속도를, 소정의 처리 회전 속도(즉, 외주부 린스액 처리 공정(S7)에 있어서의 기판(W)의 회전 속도)로 설정한다(S30). 또, 처리액 노즐(19)이 퇴피 위치에 있는 경우에는, 제어 장치(3)는, 아암 승강 모터(122)를 제어하여, 처리액 노즐(19)을, 상면의 외주 영역(42)에 대향하는 처리 위치에 배치한다(S31).In the outer periphery rinse liquid processing step S7 , the control device 3 controls the spin motor 18 to set the rotation speed of the substrate W to a predetermined processing rotation speed (that is, the outer peripheral portion rinse liquid processing step S7 ). rotation speed of the substrate W) in (S30). Also, when the processing liquid nozzle 19 is in the retracted position, the control device 3 controls the arm raising/lowering motor 122 so that the processing liquid nozzle 19 faces the outer peripheral region 42 of the upper surface. to the processing position (S31).

기판(W)의 회전이 처리 회전 속도에 도달하면, 제어 장치(3)는, 약액 밸브(25)를 닫으면서 린스액 밸브(26B)를 여는 것에 의해, 처리액 노즐(19)의 토출구(19a)로부터 린스액을 토출 개시시킨다(S32). 또, 제어 장치(3)는, 착액 위치 왕복 이동 공정(S33)을 실행 개시한다. 착액 위치 왕복 이동 공정은, 외주부 약액 처리 공정(S6)에서 설명이 끝났으므로, 그 설명을 생략한다(S33). 린스액의 토출 개시로부터 미리 정한 기간이 경과하면(S36에서 YES), 제어 장치(3)는 린스액 밸브(26B)를 닫는다. 이에 따라, 처리액 노즐(19)로부터의 린스액의 토출이 정지(종료)된다(S37).When the rotation of the substrate W reaches the processing rotation speed, the control device 3 opens the rinse liquid valve 26B while closing the chemical liquid valve 25 , so that the discharge port 19a of the processing liquid nozzle 19 is ) to start discharging the rinse liquid (S32). Moreover, the control device 3 starts executing the liquid landing position reciprocating step (S33). Since the description of the liquid landing position reciprocating step has been completed in the outer periphery chemical liquid treatment step (S6), the description thereof is omitted (S33). When a predetermined period elapses from the start of discharging the rinse liquid (YES in S36), the control device 3 closes the rinse liquid valve 26B. Accordingly, discharge of the rinse liquid from the processing liquid nozzle 19 is stopped (finished) (S37).

또, 외주부 린스액 처리 공정(S7)에서는, 처리 위치에 위치하는 기체 토출 노즐(27)로부터 토출되는 불활성 가스에 의해, 중앙부로부터 외주부(41)를 향해 흐르는 방사상 기류가 기판(W)의 위쪽에 형성된다. 또, 외주부 린스액 처리 공정(S7)에서는, 처리 위치에 위치하는 상측 외주부 기체 노즐(31)로부터 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)의 분사 위치에 대해 불활성 가스가 분사된다. 또, 외주부 린스액 처리 공정(S7)에서는, 처리 위치에 위치하는 하측 외주부 기체 노즐(36)로부터 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)의 분사 위치에 대해 불활성 가스가 분사된다. 외주부 린스액 처리 공정(S7)에서는, 히터(11)의 열원이 켜져, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)이, 히터(11)에 의해 가열되어도 되고, 가열되지 않아도 된다.In addition, in the outer periphery rinse liquid treatment step S7 , the radial airflow flowing from the central portion toward the outer periphery 41 is directed above the substrate W by the inert gas discharged from the gas discharge nozzle 27 located at the treatment position. is formed In addition, in the outer peripheral rinse liquid processing step S7 , the inert gas is injected from the upper outer peripheral gas nozzle 31 located at the processing position to the injection position of the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W . In addition, in the outer peripheral rinse liquid processing step S7 , the inert gas is injected from the lower outer peripheral gas nozzle 36 located at the processing position to the injection position of the outer peripheral region 43 on the lower surface of the substrate W . In the outer peripheral rinse liquid treatment step S7 , the heat source of the heater 11 is turned on, and the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W may or may not be heated by the heater 11 .

그 후, 제어 장치(3)는, 아암 승강 모터(122)를 제어하여, 처리액 노즐(19)을 스핀 척(5)의 옆쪽의 퇴피 위치로 되돌린다.Thereafter, the control device 3 controls the arm raising/lowering motor 122 to return the processing liquid nozzle 19 to the retracted position on the side of the spin chuck 5 .

다음에, 기판(W)을 건조시키는 스핀 드라이(도 10의 S8)가 행해진다. 구체적으로는, 제어 장치(3)는 스핀 모터(18)를 제어하여, 각 처리 공정 S2~S8에 있어서의 회전 속도보다 큰 건조 회전 속도(예를 들면 수천 rpm)까지 기판(W)을 가속시키고, 그 건조 회전 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 또, 이에 따라, 큰 원심력이 기판(W) 상의 액체에 가해져, 기판(W)의 외주부(41)에 부착되어 있는 액체가 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 이와 같이 하여, 기판(W)의 외주부(41)로부터 액체가 제거되어, 기판(W)의 외주부(41)가 건조된다.Next, spin drying (S8 in FIG. 10) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control device 3 controls the spin motor 18 to accelerate the substrate W to a drying rotation speed (for example, several thousand rpm) greater than the rotation speed in each processing step S2 to S8, , rotate the substrate W at the drying rotation speed. In addition, a large centrifugal force is thereby applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the outer periphery 41 of the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the outer peripheral portion 41 of the substrate W, and the outer peripheral portion 41 of the substrate W is dried.

기판(W)의 고속 회전의 개시로부터 소정 기간이 경과하면, 제어 장치(3)는, 스핀 모터(18)를 제어함으로써, 스핀 척(5)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다.When a predetermined period has elapsed from the start of the high-speed rotation of the substrate W, the control device 3 controls the spin motor 18 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 .

그 후, 처리 챔버(4) 내로부터 기판(W)이 반출된다(도 10의 S9). 구체적으로는, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드를 처리 챔버(4)의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드에 스핀 척(5) 상의 기판(W)을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치(3)는, 반송 로봇(CR)의 핸드를 처리 챔버(4) 내로부터 퇴피시킨다. 이에 따라, 처리 후의 기판(W)이 처리 챔버(4)로부터 반출된다.Thereafter, the substrate W is unloaded from the processing chamber 4 ( S9 in FIG. 10 ). Specifically, the control device 3 causes the hand of the transfer robot CR to enter the processing chamber 4 . Then, the control device 3 holds the substrate W on the spin chuck 5 in the hand of the transfer robot CR. Then, the control device 3 retracts the hand of the transfer robot CR from the inside of the processing chamber 4 . Accordingly, the processed substrate W is unloaded from the processing chamber 4 .

이상에 의해, 본 실시형태에 의하면, 착액 위치(45)가, 배치 위치 주단(46)과의 간격을 일정하게 유지하면서 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 추종하여 왕복 이동하도록 처리액 노즐(19)이 구동된다. 그 때문에, 기판(W)의 회전에 수반되는 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 따라, 착액 위치(45)를, 배치 위치 주단(46)과의 간격을 일정하게 유지하도록 추종시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 회전에 수반되는 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화에 상관없이, 기판(W)의 외주부(41)에 있어서의 처리폭의 균일성을 높게 유지할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, the processing liquid nozzles so that the liquid landing position 45 reciprocates following the height position change of the arrangement position peripheral end 46 while maintaining a constant distance from the arrangement position peripheral end 46 . (19) is driven. Therefore, in accordance with a change in height and position of the peripheral edge 46 of the placement position accompanying the rotation of the substrate W, the liquid landing position 45 can be tracked so as to maintain a constant distance from the peripheral edge 46 of the placement position. . Thereby, the uniformity of the processing width in the outer peripheral part 41 of the board|substrate W can be maintained high irrespective of the height position change of the peripheral edge 46 of an arrangement position accompanying rotation of the board|substrate W. As shown in FIG.

또, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)을 회전축선(A1) 둘레로 회동시키면서, 기판(W)의 주단면(44)의 계측 대상 위치의 높이 위치를, 높이 위치 센서(147)를 이용하여 검출함으로써, 기판(W)의 둘레 방향의 각 주단 위치를 양호하게 계측할 수 있다. 즉, 위치 센서(높이 위치 센서(147))와 같은 간단한 구성을 이용하여, 기판(W)의 둘레 방향의 각 주단 위치를 양호하게 계측할 수 있다.In addition, while rotating the substrate W held by the spin chuck 5 around the rotation axis A1 , the height position of the measurement target position of the main end surface 44 of the substrate W is measured by the height position sensor 147 . ), each circumferential edge position of the board|substrate W can be measured favorably. That is, each peripheral end position in the circumferential direction of the board|substrate W can be measured favorably using the same simple structure as a position sensor (height position sensor 147).

또, 처리액 노즐(19)을 이동시켜, 그 때의 처리액 노즐(19)의 이동량을, 인코더(23)를 이용하여 검출함으로써, 위상차(ΔP)를 실제로 계측할 수 있다. 실측된 위상차(ΔP)에 의거하여 처리액 노즐(19)을 이동시키므로, 착액 위치(45)의 왕복 이동을, 배치 위치 주단(46)의 위치 변화에, 보다 한층 양호하게 추종시킬 수 있다.In addition, by moving the processing liquid nozzle 19 and detecting the amount of movement of the processing liquid nozzle 19 at that time using the encoder 23 , the phase difference ΔP can be actually measured. Since the processing liquid nozzle 19 is moved based on the actually measured phase difference ΔP, the reciprocating movement of the liquid landing position 45 can be more favorably followed by the position change of the peripheral edge 46 of the arrangement position.

또, 위상차 기억부(55)에는 위상차(ΔP)가 복수 설정되어 있으며, 각 위상차(ΔP)는, 기판(W)의 처리 회전 속도에 대응하여 복수 설정되어 있다. 그리고, 처리 회전 속도에 대응하는 위상차(ΔP)를 배제한 배제 타이밍에 노즐 구동 신호(57)가 출력된다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)에 있어서, 외주부 약액 처리 공정(S6)에 있어서의 기판(W)의 처리 회전 속도가, 레시피의 내용에 따라 다른 경우여도, 각 처리 회전 속도에 대응하는 최적의 타이밍에 노즐 구동 신호를 출력할 수 있다.In addition, a plurality of phase differences ΔP are set in the phase difference storage unit 55 , and a plurality of phase differences ΔP are set corresponding to the processing rotation speed of the substrate W . Then, the nozzle drive signal 57 is output at the exclusion timing excluding the phase difference ΔP corresponding to the processing rotation speed. Therefore, in the substrate processing apparatus 1, even when the processing rotation speed of the substrate W in the outer periphery chemical processing step S6 differs depending on the contents of the recipe, the optimum value corresponding to each processing rotation speed A nozzle drive signal can be output at the timing.

이상, 본 발명의 한 실시형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 다른 형태로 실시할 수도 있다.In the above, one embodiment of the present invention has been described, but the present invention may be embodied in other forms.

예를 들면, 도 7에 파선으로 나타낸 바와 같이, 기억 유닛(52)에, 외주부 처리 공정(S6, S7)에 있어서 착액 위치 왕복 이동 공정(도 13의 S33)을 실행할지 여부를 결정하기 위한 이동 공정 실행 플래그(56)가 설치되어 있어도 된다. 이동 공정 실행 플래그(56)에는, 착액 위치 왕복 이동 공정의 실행에 대응하는 소정의 값(예를 들면 「5A[H]」)과, 착액 위치 왕복 이동 공정의 비실행에 대응하는 소정의 값(「예를 들면 00[H]」)이 선택적으로 저장되어 있다. 그리고, 이동 공정 실행 플래그(56)에 「5A[H]」가 저장되어 있는 경우에는, 제어 장치(3)는, 외주부 처리 공정(S6, S7)에 병행하여 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행하고, 또한 이동 공정 실행 플래그(56)에 「00[H]」가 저장되어 있는 경우에는, 제어 장치(3)는, 외주부 처리 공정(S6, S7)에 병행하여 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행하지 않도록 해도 된다.For example, as shown by the broken line in FIG. 7 , a movement for determining whether or not to perform the liquid landing position reciprocating step (S33 in FIG. 13 ) in the storage unit 52 in the outer periphery processing steps S6 and S7 A process execution flag 56 may be provided. The movement process execution flag 56 includes a predetermined value corresponding to the execution of the liquid landing position reciprocating step (for example, "5A[H]") and a predetermined value corresponding to non-execution of the liquid landing position reciprocating movement step ( "00 [H]") is selectively stored. And when "5A[H]" is stored in the movement process execution flag 56, the control device 3 executes the liquid landing position reciprocation process in parallel with the outer peripheral processing steps S6 and S7, In addition, when "00 [H]" is stored in the movement process execution flag 56, even if the control apparatus 3 does not execute the liquid landing position reciprocating movement process in parallel with the outer peripheral processing steps S6 and S7 do.

또, 위상차 기억부(55)에 기억되는 복수의 위상차(ΔP) 모두를, 위상차 계측 공정(S5)에서 구하는 것으로 설명하였지만, 적어도 하나의 처리 회전 속도에 대응하는 위상차(ΔP)만을 위상차 계측 공정(S5)에서 구하고, 그 위상차(ΔP)에 의거한 연산에 의해, 다른 처리 회전 속도에 대응하는 위상차(ΔP)를 구하도록 해도 된다.In addition, although it has been described that all of the plurality of phase differences ΔP stored in the phase difference storage unit 55 are obtained in the phase difference measurement step S5, only the phase difference ΔP corresponding to at least one processing rotation speed is obtained in the phase difference measurement step ( S5), and by calculation based on the phase difference ΔP, the phase difference ΔP corresponding to another processing rotation speed may be determined.

또, 위상차(ΔP)의 실측치를 이용하여 배제 타이밍을 구하는 것으로 설명하였지만, 위상차 기억부(55)에 기억되어 있는 위상차(ΔP)가 실측치가 아니라, 미리 정해진 규정치여도 된다. 이 경우, 도 10에 나타낸 기판 처리예로부터, 위상차 계측 공정(S5)을 생략할 수도 있다.In addition, although it has been described that the exclusion timing is obtained using the measured value of the phase difference ?P, the phase difference ?P stored in the phase difference storage unit 55 is not an actual measured value, but a predetermined prescribed value may be used. In this case, the phase difference measurement step S5 may be omitted from the substrate processing example shown in FIG. 10 .

또, 착액 위치 왕복 이동 공정(S33)에 있어서, 아암 승강 모터(122)에 대해 노즐 구동 신호(57)를, 배제 타이밍이 아니라 상기의 최적 타이밍에 출력하도록 해도 된다. 이 경우, 각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)을 착액 위치 왕복 이동 공정(S33)과 병행하여 실행해도 된다. 이 경우에는, 각 주단 높이 위치 계측 공정(S4)의 계측 결과에 의거하여 착액 위치(45)의 왕복 동작을 피드백 제어하도록 해도 된다.In addition, in the liquid landing position reciprocating movement process S33, you may make it output the nozzle drive signal 57 to the arm raising/lowering motor 122 not at the exclusion timing but at said optimal timing. In this case, you may perform each main edge height position measurement process (S4) in parallel with the liquid landing position reciprocation process (S33). In this case, you may make it feedback-control the reciprocating operation of the liquid landing position 45 based on the measurement result of each peripheral edge height position measurement process S4.

또, 착액 위치 왕복 이동 공정(S33)에 있어서, 착액 위치(45)를 높이 방향(V)으로 왕복 이동시키기 위한 수법으로서, 처리액 노즐(19)을 높이 방향(V)으로 왕복 이동시키는 수법을 이용하였지만, 이를 대신하여, 처리액 노즐(19)을 직경 방향(RD)으로 왕복 이동시키는 수법을 채용할 수 있다. 이 경우, 전동 모터로서, 아암 요동 모터(22)를 이용할 수 있다. 이 경우, 아암 요동 모터(22)에는, 아암 요동 모터(22)의 출력축(22a)의 회전각을 검출하는 인코더가 결합되어 있으며, 아암 요동 모터(22)가 출력축(22a)을 회전시키면, 출력축(22a)의 회전각에 따른 이동량으로, 처리액 노즐(19)이 아암 지지축(21)의 중심축선 둘레로 회동한다. 즉, 처리액 노즐(19)이 아암 지지축(21)의 중심축선 둘레로 회동하면, 처리액 노즐(19)의 이동량에 상당하는 회전각으로 아암 요동 모터(22)의 출력축(22a)을 회전시킨다. 따라서, 인코더에 의해 출력축(22a)의 회전각을 검출함으로써, 처리액 노즐(19)의 위치를 검출할 수 있다.In addition, in the liquid landing position reciprocating step S33 , as a method for reciprocating the liquid landing position 45 in the height direction V, a method of reciprocating the processing liquid nozzle 19 in the height direction V is selected. However, instead of this, a method of reciprocating the treatment liquid nozzle 19 in the radial direction RD may be employed. In this case, the arm swing motor 22 can be used as the electric motor. In this case, an encoder for detecting the rotation angle of the output shaft 22a of the arm swing motor 22 is coupled to the arm swing motor 22 , and when the arm swing motor 22 rotates the output shaft 22a, the output shaft The processing liquid nozzle 19 rotates around the central axis of the arm support shaft 21 by the amount of movement corresponding to the rotation angle of 22a. That is, when the processing liquid nozzle 19 rotates around the central axis of the arm support shaft 21 , the output shaft 22a of the arm swinging motor 22 is rotated at a rotation angle corresponding to the movement amount of the processing liquid nozzle 19 . make it Accordingly, the position of the processing liquid nozzle 19 can be detected by detecting the rotation angle of the output shaft 22a by the encoder.

그리고, 외주부 처리 공정(S6, S7)에 있어서, 제어 장치(3)는, 당해 배치 위치 주단(46)의 높이 위치 변화(이하, 「높이 위치 변화」라고 한다)에 추종하여, 처리액 노즐(19)을 직경 방향(RD)으로 왕복 이동시킨다. 이에 따라, 외주부 처리 공정(S6, S7)에 있어서, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)(도 3 참조)에 있어서의 착액 위치(45)와, 배치 위치 주단(46)의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.Then, in the outer periphery processing steps S6 and S7, the control device 3 tracks the height position change (hereinafter referred to as "height position change") of the peripheral edge 46 at the arrangement position, and the processing liquid nozzle ( 19) is reciprocated in the radial direction (RD). Accordingly, in the outer peripheral processing steps S6 and S7, the space between the liquid landing position 45 in the outer peripheral region 42 (refer to FIG. 3 ) of the upper surface of the substrate W and the peripheral end 46 of the arrangement position is reduced. can be kept constant.

또, 착액 위치(45)를 왕복 이동시키기 위한 수법으로서, 그 이외에, 높이 방향(V)의 왕복 이동과 직경 방향(RD)의 왕복 이동을 조합하거나, 혹은 처리액 노즐(19)의 토출 방향을 바꾸거나 함으로써, 착액 위치(45)를 직경 방향(RD)으로 왕복 이동시키도록 해도 된다.In addition, as a method for reciprocating the liquid landing position 45 , other than this, a combination of a reciprocating movement in the height direction V and a reciprocating movement in the radial direction RD or changing the discharge direction of the processing liquid nozzle 19 is performed. By changing it, you may make it reciprocate the liquid landing position 45 in the radial direction RD.

또, 각 주단 높이 방향 위치 계측 공정(S4)에서 기판(W)의 외주부(41)의 높이 위치를, 기판(W)의 주단면(44)의 위치를, 높이 위치 센서를 이용하여 계측하는 것으로 설명하였지만, 기판(W)의 상면의 외주 영역(42)을, 높이 위치 센서를 이용하여 계측해도 되고, 기판(W)의 하면의 외주 영역(43)을, 높이 위치 센서를 이용하여 계측해도 된다.In addition, by measuring the height position of the outer peripheral part 41 of the board|substrate W in each main-end height direction position measurement process S4, the position of the main end surface 44 of the board|substrate W is measured using a height position sensor. Although described, the outer peripheral region 42 of the upper surface of the substrate W may be measured using a height position sensor, and the outer peripheral region 43 of the lower surface of the substrate W may be measured using a height position sensor. .

또, 각 주단 위치 계측 유닛으로서 위치 센서(높이 위치 센서(147))를 채용하였지만, 주단 위치 계측 유닛으로서 CCD 카메라를 채용해도 된다.Moreover, although the position sensor (height position sensor 147) was employ|adopted as each peripheral end position measurement unit, you may employ|adopt a CCD camera as a peripheral end position measurement unit.

또, 노즐 이동 유닛으로서, 처리액 노즐(19)을, 원호 궤적을 그리면서 이동시키는 스캔 타입의 것을 예로 들었지만, 처리액 노즐(19)을 직선상으로 이동시키는 직동 타입의 것이 채용되어 있어도 된다.In addition, as the nozzle moving unit, a scan type in which the processing liquid nozzle 19 is moved while drawing an arc trajectory is exemplified, but a linearly moving type in which the processing liquid nozzle 19 is moved linearly may be employed.

또, 처리액 노즐(19)은, 약액 및 린스액의 양쪽을 토출하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 약액을 토출하기 위한 처리액 노즐(약액 노즐)과, 린스액을 토출하기 위한 처리액 노즐(린스액 노즐)이 개별적으로 설치되어 있어도 된다.In addition, although the processing liquid nozzle 19 has been described as an example of discharging both the chemical liquid and the rinse liquid, a processing liquid nozzle (chemical liquid nozzle) for discharging the chemical liquid and a processing liquid nozzle (rinsing liquid) for discharging the rinse liquid liquid nozzle) may be provided separately.

또, 전술한 각 실시형태에서는, 기판 처리 장치가 원판형의 기판(W)을 처리하는 장치인 경우에 대해 설명하였지만, 기판(W)은 주단의 적어도 일부가 원호형을 이루고 있으면 충분하며, 반드시 완전한 원형일 필요는 없다.Moreover, in each of the above-mentioned embodiments, the case where the substrate processing apparatus is an apparatus for processing the disk-shaped substrate W has been described. However, it is sufficient that at least a part of the circumferential edge of the substrate W has an arc shape, and must be It does not have to be a perfect circle.

본 출원은, 2017년 2월 28일에 일본국 특허청에 제출된 특허출원 2017-37562호에 대응하고 있으며, 이 출원의 모든 개시는 여기에 인용에 의해 포함되는 것으로 한다.This application corresponds to Patent Application No. 2017-37562 filed with the Japan Patent Office on February 28, 2017, and all indications of this application are incorporated herein by reference.

1 : 기판 처리 장치
3 : 제어 장치
5 : 스핀 척(기판 유지 유닛)
18 : 스핀 모터(기판 회전 유닛)
19 : 처리액 노즐
23 : 인코더
45 : 착액 위치
46 : 배치 위치 주단
57 : 노즐 구동 신호
122 : 아암 승강 모터(전동 모터)
147 : 높이 위치 센서(위치 센서)
A1 : 회전축선
W : 기판1: Substrate processing device
3: control unit
5: Spin chuck (substrate holding unit)
18: spin motor (substrate rotation unit)
19: treatment liquid nozzle
23 : encoder
45: liquid landing position
46: the periphery of the placement position
57: nozzle drive signal
122: arm lifting motor (electric motor)
147: height position sensor (position sensor)
A1 : axis of rotation
W: substrate

Claims (19)

처리 챔버와,
상기 처리 챔버의 내부에 있어서, 주단(周端)의 적어도 일부가 원호형을 이루는 기판을 유지하는 기판 유지 유닛으로서, 당해 기판의 중앙부를 지지하여 당해 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 지나는 연직인 회전축선 둘레로 회전시키기 위한 기판 회전 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 둘레 방향의 각 주단 위치에 있어서의 높이 위치인 각 주단 높이 위치를 계측하기 위한 각 주단 높이 위치 계측 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판의 주면의 외주부를 향해 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 유닛과,
상기 기판에 있어서의 처리액의 착액 위치가 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동하기 위한 노즐 구동 유닛과,
상기 기판 회전 유닛, 상기 처리액 공급 유닛, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛 및 상기 노즐 구동 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하며,
상기 제어 장치가, 상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛에 의해 상기 각 주단 높이 위치를 계측하는 각 주단 높이 위치 계측 공정과, 상기 회전축선 둘레로 상기 기판을 회전시키면서 상기 외주부를 향해 상기 처리액 노즐로부터 처리액을 토출함으로써 상기 외주부를 처리하는 외주부 처리 공정과, 상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 외주부에 있어서의 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치가, 상기 기판의 주단 중 당해 처리액 노즐이 배치되어 있는 둘레 방향 위치의 주단인 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하기 위해 당해 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리 챔버 내에서 정지하고 있는 소정 위치를 기준으로 하여 소정의 범위 내에서 왕복 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동하는 착액 위치 왕복 이동 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.processing chamber;
a substrate holding unit for holding a substrate having an arc shape at least a part of its peripheral end inside the processing chamber, the substrate holding unit supporting the central portion of the substrate to hold the substrate;
a substrate rotation unit for rotating the substrate held by the substrate holding unit around a vertical rotation axis passing through the central portion of the substrate;
each peripheral edge height position measuring unit for measuring each peripheral edge height position which is a height position at each peripheral edge position in the circumferential direction of the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid nozzle for discharging the processing liquid toward the outer periphery of the main surface of the substrate held by the substrate holding unit;
a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the processing liquid nozzle;
a nozzle driving unit for driving the processing liquid nozzle so that a liquid landing position of the processing liquid on the substrate moves;
a control device for controlling the substrate rotation unit, the processing liquid supply unit, the main edge height position measuring unit, and the nozzle driving unit;
each circumferential end height position measuring step of the control device measuring the respective circumferential end height positions by the respective circumferential end height position measuring units; and processing from the processing liquid nozzle toward the outer periphery while rotating the substrate around the rotation axis In the outer periphery processing step of treating the outer periphery by discharging the liquid, and in parallel with the outer periphery treatment step, the position of the treatment liquid landing from the treatment liquid nozzle in the outer periphery is determined by the treatment liquid nozzle at the periphery of the substrate. In order to keep a constant distance from the circumferential edge of the disposed circumferential location, the circumferential edge of the disposed location, the height of the circumferential edge of the disposed location is tracked, and a predetermined position stopped in the processing chamber is used as a reference. and performing a liquid landing position reciprocating movement step of driving the processing liquid nozzle so as to reciprocate within the substrate processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정을, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정 후에 실행하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus in which the said control apparatus performs the said liquid landing position reciprocating movement process after each said peripheral edge height position measurement process. 청구항 2에 있어서,
상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 구동하기 위한 노즐 구동 신호가 입력됨으로써 상기 처리액 노즐을 구동하는 유닛을 포함하며,
상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 제어 장치는, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정에 있어서의 계측 결과 및 상기 외주부 처리 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도에 의거하여, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화와 동일한 진폭 및 동일한 주기로 상기 착액 위치가 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동시키기 위한 노즐 구동 신호를 작성하는 노즐 구동 신호 작성 공정과, 작성된 상기 노즐 구동 신호를, 당해 노즐 구동 신호의 출력에 대한 상기 처리액 노즐의 구동 지연에 수반되는, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 대한 상기 착액 위치의 위상차를 배제한 배제 타이밍에 상기 노즐 구동 유닛에 출력하는 구동 신호 출력 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 2,
The nozzle driving unit includes a unit for driving the processing liquid nozzle by inputting a nozzle driving signal for driving the processing liquid nozzle,
In the liquid landing position reciprocating movement step, the control device is configured to perform the arrangement, based on the measurement result in the perimeter edge height position measurement step and the rotation speed of the substrate in the outer periphery processing step. a nozzle drive signal generating step of generating a nozzle drive signal for driving the treatment liquid nozzle so that the liquid landing position moves with the same amplitude and the same cycle as the change in the height of the peripheral end of the position; executing a drive signal output step of outputting to the nozzle drive unit at an exclusion timing excluding a phase difference of the liquid landing position with respect to a change in height of the periphery of the arrangement position accompanying a delay in driving of the treatment liquid nozzle with respect to the output of substrate processing equipment. 청구항 3에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 구동 신호 출력 공정에 있어서, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상기 처리액 노즐이 추종하는 최적의 추종 타이밍으로부터 상기 위상차에 상당하는 시간만큼 어긋나게 함으로써, 상기 배제 타이밍을 취득하는 타이밍 취득 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.4. The method according to claim 3,
obtaining the exclusion timing by shifting, in the drive signal output step, from an optimal tracking timing that the processing liquid nozzle follows a change in height around the arrangement position in the drive signal output step by a time corresponding to the phase difference A substrate processing apparatus that performs a timing acquisition process. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 연직 방향으로 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하며,
상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐을 연직 방향으로 이동시키는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The nozzle driving unit includes a nozzle moving unit that moves the treatment liquid nozzle in a vertical direction,
The substrate processing apparatus, wherein the control device performs a step of moving the processing liquid nozzle in a vertical direction in accordance with a change in a height position of the peripheral edge of the arrangement position in the liquid landing position reciprocating step. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판의 주면을 따라 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하며,
상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와 상기 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지하도록 상기 처리액 노즐을 상기 기판의 회전 반경 방향으로 이동시키는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
the nozzle driving unit includes a nozzle moving unit that moves the processing liquid nozzle along a main surface of the substrate held by the substrate holding unit;
the control device, in the liquid landing position reciprocating step, to keep a constant distance between the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle and the periphery of the placement position by following a change in the height position of the periphery of the arrangement position; and performing a step of moving a processing liquid nozzle in a rotational radial direction of the substrate. 청구항 4에 있어서,
상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 포함하며,
상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 있어서, 상기 처리액 노즐을 이동시키는 공정을 실행하고,
상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 노즐의 이동량을 검출하기 위한 노즐 이동량 검출 유닛을 더 포함하며,
상기 제어 장치가, 상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 앞서, 상기 노즐 이동 유닛에 대해 상기 노즐 구동 신호를 출력하여 상기 처리액 노즐을 이동시키고, 그 때의 상기 처리액 노즐의 이동량을 상기 노즐 이동량 검출 유닛에 의해 검출함으로써, 상기 위상차를 계측하는 위상차 계측 공정을 더 실행하고,
상기 제어 장치가, 상기 타이밍 취득 공정에 있어서, 상기 위상차 계측 공정에 의해 계측된 상기 위상차에 의거하여 상기 배제 타이밍을 취득하는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.5. The method according to claim 4,
The nozzle driving unit includes a nozzle moving unit for moving the treatment liquid nozzle,
the control device performs a step of moving the processing liquid nozzle in the liquid landing position reciprocating step;
The substrate processing apparatus further includes a nozzle movement amount detection unit configured to detect a movement amount of the processing liquid nozzle,
the control device outputs the nozzle drive signal to the nozzle moving unit to move the treatment liquid nozzle prior to the liquid landing position reciprocating step, and determines the movement amount of the treatment liquid nozzle at that time by the nozzle movement amount detecting unit By detecting by , the phase difference measurement process of measuring the phase difference is further performed,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein, in the timing acquisition step, the control device performs a step of acquiring the exclusion timing based on the phase difference measured by the phase difference measuring step. 청구항 7에 있어서,
상기 노즐 이동 유닛이, 전동 모터를 포함하며,
상기 노즐 이동량 검출 유닛이, 상기 전동 모터에 설치된 인코더를 포함하는, 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The nozzle moving unit includes an electric motor,
The substrate processing apparatus in which the said nozzle movement amount detection unit contains the encoder provided in the said electric motor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛이, 상기 기판의 주단 높이 위치 중 둘레 방향의 소정의 주단 높이 위치를 검출하기 위한 위치 센서, 및 상기 외주부를 촬상하는 CCD 카메라 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The substrate processing apparatus, wherein each of the peripheral edge height position measuring units includes at least one of a position sensor for detecting a predetermined peripheral edge height position in the circumferential direction among the peripheral edge height positions of the substrate, and a CCD camera for imaging the outer peripheral portion. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각 주단 높이 위치 계측 유닛이, 상기 기판의 주단 높이 위치 중 둘레 방향의 소정의 주단 높이 위치를 검출하기 위한 위치 센서를 포함하며,
상기 제어 장치는, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정에 있어서, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을 상기 회전축선 둘레로 회동(回動)시키면서, 상기 소정의 주단 높이 위치를, 상기 위치 센서를 이용하여 계측하는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
each of the peripheral edge height position measuring units includes a position sensor for detecting a predetermined peripheral edge height position in the circumferential direction among the peripheral edge height positions of the substrate;
In each of the peripheral edge height position measurement steps, the control device sets the predetermined peripheral edge height position by using the position sensor while rotating the substrate held by the substrate holding unit around the rotation axis. A substrate processing apparatus that performs a step of measuring using it. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 노즐이, 기판의 외측 또한 비스듬한 하향으로 처리액을 토출하는, 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid nozzle discharges the processing liquid to the outside and obliquely downward of the substrate. 처리 챔버의 내부에 있어서, 주단의 적어도 일부가 원호형을 이루는 기판을, 기판의 중앙부를 지지하여 당해 기판을 유지하는 기판 유지 유닛에 의해 유지하는 기판 유지 공정과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 둘레 방향의 각 주단 위치에 있어서의 높이 위치인 각 주단 높이 위치를 계측하는 각 주단 높이 위치 계측 공정과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 당해 기판의 중앙부를 지나는 회전축선 둘레로 회전시키면서 상기 기판의 주면의 외주부를 향해 처리액 노즐로부터 처리액을 토출함으로써 상기 기판의 주면의 외주부를 처리하는 외주부 처리 공정과,
상기 외주부 처리 공정에 병행하여, 상기 외주부에 있어서의 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치가, 상기 기판의 주단 중 당해 처리액 노즐이 배치되어 있는 둘레 방향 위치의 주단인 배치 위치 주단과의 간격을 일정하게 유지하기 위해 당해 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리 챔버 내에서 정지하고 있는 소정 위치를 기준으로 하여 소정의 범위 내에서 왕복 이동하도록 노즐 구동 유닛에 의해 상기 처리액 노즐을 구동시키는 착액 위치 왕복 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.a substrate holding step of holding a substrate having an arc shape at least a part of a peripheral end inside the processing chamber by a substrate holding unit that supports the central portion of the substrate and holds the substrate;
each circumferential edge height position measuring step of measuring each circumferential edge height position, which is a height position at each circumferential edge position in the circumferential direction of the substrate held by the substrate holding unit;
An outer periphery for treating the outer periphery of the main surface of the substrate by discharging the treatment liquid from the treatment liquid nozzle toward the outer periphery of the main surface of the substrate while rotating the substrate held in the substrate holding unit around a rotation axis passing through the central portion of the substrate processing process;
In parallel to the outer periphery processing step, the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle in the outer periphery is a peripheral edge of a circumferential position at which the processing liquid nozzle is disposed among the peripheral ends of the substrate. The processing liquid nozzle is driven by the nozzle driving unit to follow the change in the height position of the periphery of the arrangement position to keep the distance constant, and to reciprocate within a predetermined range with respect to the predetermined position still in the processing chamber. A substrate processing method comprising a liquid landing position reciprocating step of driving. 청구항 12에 있어서,
상기 착액 위치 왕복 이동 공정이, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐을 연직 방향으로 이동시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The substrate processing method, wherein the liquid landing position reciprocating step includes a step of moving the processing liquid nozzle in a vertical direction in response to a change in the height position of the peripheral edge of the arrangement position. 청구항 12에 있어서,
상기 착액 위치 왕복 이동 공정이, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 추종하여, 상기 처리액 노즐로부터의 처리액의 착액 위치와 상기 배치 위치 주단의 간격을 일정하게 유지하도록 상기 처리액 노즐을 상기 기판의 회전 반경 방향으로 이동시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The processing liquid nozzle is disposed on the substrate so that the liquid landing position reciprocating step maintains a constant distance between the liquid landing position of the processing liquid from the processing liquid nozzle and the periphery of the placement position in response to a change in the height position of the periphery of the arrangement position. A substrate processing method comprising a step of moving in a rotational radial direction of 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 착액 위치 왕복 이동 공정을, 상기 각 주단 높이 위치 계측 공정 후에 실행하는, 기판 처리 방법.15. The method according to any one of claims 12 to 14,
The substrate processing method, wherein the liquid landing position reciprocating step is performed after each of the peripheral edge height position measurement steps. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐 구동 유닛이, 상기 처리액 노즐을 구동하기 위한 노즐 구동 신호가 입력됨으로써 상기 처리액 노즐을 구동하는 유닛을 포함하며,
상기 착액 위치 왕복 이동 공정이,
상기 각 주단 높이 위치 계측 공정에 있어서의 계측 결과 및 상기 외주부 처리 공정에 있어서의 상기 기판의 회전 속도에 의거하여, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화와 동일한 진폭 및 동일한 주기로 상기 착액 위치가 이동하도록 상기 처리액 노즐을 구동시키기 위한 노즐 구동 신호를 작성하는 노즐 구동 신호 작성 공정과,
작성된 상기 노즐 구동 신호를, 당해 노즐 구동 신호의 출력에 대한 상기 처리액 노즐의 구동 지연에 수반되는, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 대한 상기 착액 위치의 위상차를 배제한 배제 타이밍에 상기 노즐 구동 유닛에 출력하는 구동 신호 출력 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.15. The method according to any one of claims 12 to 14,
The nozzle driving unit includes a unit for driving the processing liquid nozzle by inputting a nozzle driving signal for driving the processing liquid nozzle,
The liquid landing position reciprocating process,
Based on the measurement result in each of the peripheral edge height position measurement step and the rotation speed of the substrate in the outer peripheral portion processing step, the liquid landing position moves with the same amplitude and the same cycle as the height position change of the peripheral edge of the arrangement position. a nozzle drive signal creation step of creating a nozzle drive signal for driving the processing liquid nozzle;
The generated nozzle driving signal is transmitted to the nozzle driving unit at an exclusion timing in which a phase difference of the liquid landing position with respect to a change in height of the periphery of the arrangement position accompanying a driving delay of the processing liquid nozzle with respect to the output of the nozzle driving signal is excluded. A substrate processing method comprising a driving signal output step for outputting to the . 청구항 16에 있어서,
상기 구동 신호 출력 공정이, 상기 배치 위치 주단의 높이 위치 변화에 상기 착액 위치가 추종하는 최적의 추종 타이밍으로부터, 상기 위상차에 상당하는 시간만큼 어긋나게 함으로써 상기 배제 타이밍을 취득하는 타이밍 취득 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
The drive signal output step includes a timing acquisition step of acquiring the exclusion timing by shifting the liquid landing position from an optimal tracking timing in which the liquid landing position follows a change in the height position around the arrangement position by a time corresponding to the phase difference, Substrate processing method. 청구항 17에 있어서,
상기 착액 위치 왕복 이동 공정에 앞서, 상기 노즐 구동 유닛에 대해 상기 노즐 구동 신호를 출력하여 상기 착액 위치를 이동시킴으로써, 상기 위상차를 계측하는 위상차 계측 공정을 더 포함하며,
상기 타이밍 취득 공정이, 상기 위상차에 의거하여 상기 배제 타이밍을 취득하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
Prior to the step of reciprocating the liquid landing position, outputting the nozzle driving signal to the nozzle driving unit to move the liquid landing position, further comprising a phase difference measuring step of measuring the phase difference,
The substrate processing method, wherein the timing acquisition step includes a step of acquiring the exclusion timing based on the phase difference. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각 주단 높이 위치 계측 공정이, 상기 기판 유지 유닛에 의해 유지되어 있는 기판을 상기 회전축선 둘레로 회동시키면서, 상기 기판의 주단 높이 위치 중 둘레 방향의 소정의 주단 높이 위치를, 위치 센서를 이용하여 계측하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.15. The method according to any one of claims 12 to 14,
In each of the peripheral edge height measurement steps, a predetermined peripheral edge height position in the circumferential direction among the peripheral edge height positions of the substrate while rotating the substrate held by the substrate holding unit around the rotation axis is performed using a position sensor. A substrate processing method including the step of measuring.
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