KR102276784B1 - Inverter device and motor vehicle with such an inverter device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 특히 자동차(2)의 전기 기계(6)를 위한 인버터 장치(8)에 관한 것으로서, 공통 플레이트 법선(N)의 방향으로 중첩되어 배치되는 복수의 플레이트형 반도체 모듈(10), 특히 SiC 반도체 모듈을 포함하고, 반도체 모듈(10) 각각은 플레이트 법선(N)의 방향에 대해 양 측에서 냉각을 위해 열 전도 요소(12)와 결합되고, 열 전도 요소(12)는 공기 냉각되는 또는 공기 냉각 가능한 히트 싱크(heat sink)(16)에 연결된다. 또한, 본 발명은 이러한 인버터 장치(8)를 포함하는 자동차(2)에 관한 것이다.The present invention relates in particular to an inverter device (8) for an electric machine (6) of a motor vehicle (2), wherein a plurality of plate-shaped semiconductor modules (10), in particular SiC, arranged overlapping in the direction of a common plate normal (N) a semiconductor module, each semiconductor module 10 coupled with a heat-conducting element 12 for cooling on both sides with respect to the direction of the plate normal N, the heat-conducting element 12 being air cooled or air cooled It is connected to a coolable heat sink (16). The invention also relates to a motor vehicle (2) comprising such an inverter device (8).

Description

인버터 장치 및 이러한 인버터 장치를 포함하는 자동차{INVERTER DEVICE AND MOTOR VEHICLE WITH SUCH AN INVERTER DEVICE}INVERTER DEVICE AND MOTOR VEHICLE WITH SUCH AN INVERTER DEVICE

본 발명은 복수의 반도체 모듈을 포함하고 열 전도 요소를 포함하는, 특히 자동차의 전기 기계를 위한 인버터 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 인버터 장치를 포함하는 자동차에 관한 것이다.The present invention relates to an inverter device comprising a plurality of semiconductor modules and comprising a heat-conducting element, in particular for an electric machine of a motor vehicle. The invention also relates to a motor vehicle comprising such an inverter device.

전기 구동식 자동차는 일반적으로 자동차를 구동하기 위한 전기 기계에 에너지를 공급하는 배터리(트랙션 배터리)를 포함한다. 여기서 전기 구동식 자동차라 함은 특히, 구동에 필요한 에너지를 배터리에만 저장하는 전기 자동차(BEV, battery electric vehicle), 주행거리 연장 전기 자동차(REEV)(range extended electric vehicle), 하이브리드 자동차(HEV)(hybrid electric vehicle) 및/또는 플러그인 하이브리드 전기 자동차(PHEV)(plug-in hybrid electric vehicle)를 의미하는 것으로 이해된다.An electrically powered vehicle generally includes a battery (a traction battery) that supplies energy to an electric machine for driving the vehicle. Herein, the term "electrically driven vehicle" means, in particular, an electric vehicle (BEV) that stores energy required for driving only in a battery, a range extended electric vehicle (REEV), and a hybrid vehicle (HEV) ( hybrid electric vehicle) and/or plug-in hybrid electric vehicle (PHEV).

여기서 전기 기계의 작동을 위해, 배터리에 의해 제공되는 DC 전압을 AC 전압으로 변환하는 인버터가 사용된다. 일반적으로, 이러한 인버터는 (실리콘 반도체) Si 반도체에 의해 형성된다. 인버터 작동 중에 방출되는 열은 이 경우, Si 반도체의 작동 온도 범위의 비교적 낮은 상한 온도[소위, 접합 온도(junction temperature)]를 초과하지 않도록 하기 위해, 제거(소산)되어야 한다. 특히, 이러한 목적을 위해, 액체 냉각, 특히 물-에틸렌글리콜 회로가 사용되는데, 왜냐하면 공기 냉각은 공기의 열전도율이 낮기 때문에 비교적 작은 냉각 용량을 갖기 때문이다. 액체 냉각 시스템은 특히 펌프, 열 교환기, 액체용 호스 및 액체 자체를 포함하므로, 따라서 이러한 냉각은 불리하게도 비교적 큰 중량을 갖고 비교적 많은 설치 공간을 필요로 한다.Here, for the operation of the electric machine, an inverter is used which converts the DC voltage provided by the battery into an AC voltage. In general, such an inverter is formed by a (silicon semiconductor) Si semiconductor. The heat released during inverter operation must in this case be removed (dissipated) so as not to exceed the relatively low upper limit of the operating temperature range of the Si semiconductor (the so-called junction temperature). In particular, for this purpose, liquid cooling, in particular a water-ethylene glycol circuit, is used, since air cooling has a relatively small cooling capacity due to the low thermal conductivity of air. The liquid cooling system comprises in particular a pump, a heat exchanger, a hose for the liquid and the liquid itself, so this cooling disadvantageously has a relatively large weight and requires a relatively large installation space.

예를 들어 IEEE 트랜잭션즈 온 파워 일렉트로닉스(IEEE Transactions on power electronics), 29권, 5호, 2014년 5월 5일, 비. 우르제시온코(B. Wrzecionko) 등의 "55-kW 공냉식 자동차 트랙션 구동 인버터의 설계 및 분석"에는, SiC-JFETs(silicon carbide junction gate field-effect transistors)(실리콘 카바이드 접합 게이트 전계 효과 트랜지스터)에 의해 형성되는 인버터 시스템이 개시되어 있다.See, for example, IEEE Transactions on power electronics, Vol. 29, No. 5, May 5, 2014, B. In "Design and Analysis of 55-kW Air-Cooled Automotive Traction Driven Inverter" by B. Wrzecionko et al., SiC-JFETs (silicon carbide junction gate field-effect transistors) An inverter system formed is disclosed.

이러한 SiC 반도체[실리콘 카바이드(silicon carbide) 반도체]는 유리하게는 Si 반도체보다 더 높은 접합 온도 및 더 낮은 손실 전력을 갖는다. 결과적으로, 그러한 SiC 반도체 또는 SiC 반도체 모듈의 공기 냉각이 가능해진다.Such SiC semiconductors (silicon carbide semiconductors) advantageously have higher junction temperatures and lower power dissipation than Si semiconductors. As a result, air cooling of such a SiC semiconductor or SiC semiconductor module becomes possible.

또한, 예를 들어 DE 10 2012 021 445 A1로부터 전자 부품을 냉각시키기 위한 장치가 알려져 있다. 여기서, 전자 부품은 수용 장치 내에 배치된다. 그들의 하우징에는 자동차 공기 조화 장치의 증발기의 하류에 배치된 공기 라인이 제공된다. 전자 부품을 냉각시키기 위해, 공기 라인에서는, 자동차 공기 조화 장치에 의해 냉각된 공기 흐름이 흐를 수 있다.Also known are devices for cooling electronic components, for example from DE 10 2012 021 445 A1. Here, the electronic component is disposed in the receiving device. Their housing is provided with an air line arranged downstream of the evaporator of the automobile air conditioner. In order to cool the electronic components, in the air line, an air stream cooled by an automobile air conditioner may flow.

본 발명의 목적은 적합한 인버터 장치를 제공하는 것이다. 특히, 여기서 냉각은 가능한 한 구조 공간, 중량 및/또는 비용을 절약하는 방식이어야 한다. 또한, 이러한 인버터 장치를 포함하는 자동차가 제공되어야 한다.It is an object of the present invention to provide a suitable inverter device. In particular, the cooling here should be in a way that saves as much structural space, weight and/or cost as possible. In addition, an automobile including such an inverter device should be provided.

인버터 장치와 관련하여, 이러한 목적은 본 발명에 따르면 본원의 청구범위 제 1 항의 특징에 의해 달성된다. 자동차와 관련하여, 이러한 목적은 본 발명에 따르면 본원의 청구범위 제 8 항의 특징에 의해 달성된다. 유리한 실시예 및 개발예는 종속 청구항의 주제이다. 여기서 인버터 장치와 관련된 설명은 자동차에 대해서도 또한 유사하게 적용되며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다.With regard to an inverter device, this object is achieved according to the invention by the features of claim 1 of the present application. In the context of motor vehicles, this object is achieved according to the invention by the features of claim 8 of the present application. Advantageous embodiments and developments are the subject of the dependent claims. The description here relating to the inverter device applies similarly also to automobiles and vice versa.

인버터 장치는 특히 자동차의 전기 기계를 위해 제공되고 설치된다. 인버터 장치는 복수의 플레이트형 반도체 모듈, 바람직하게는 공통 플레이트 법선의 방향으로 중첩되어 적층된 SiC 반도체 모듈(실리콘 카바이드 반도체 모듈)을 포함한다. 따라서 반도체 모듈은 서로 평행하게 배치된다. 반도체 모듈에 의해 인버터가 형성된다.An inverter device is provided and installed in particular for an electric machine of a motor vehicle. The inverter device includes a plurality of plate-type semiconductor modules, preferably SiC semiconductor modules (silicon carbide semiconductor modules) that are stacked and overlapped in the direction of a common plate normal. Accordingly, the semiconductor modules are arranged parallel to each other. An inverter is formed by the semiconductor module.

여기서, 플레이트형 물체라 함은 일 공간 방향으로의 연장을 포함하고, 이러한 일 공간 방향으로의 연장은 이러한 공간 방향에 수직으로 배향된 평면에서의 연장에 비해 비교적 작은 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이러한 공간 방향은 플레이트형 반도체 모듈에 대해 플레이트 법선의 방향을 형성한다. 이 경우에, 플레이트 법선에 수직으로 배향된 반도체 모듈의 표면은 여기서 그리고 아래에서 넓은 면(broad side)으로 지칭된다. 상기 넓은 면에 인접한 측면은 단부면으로 지칭된다.Here, a plate-like object includes an extension in a space direction, and this extension in a space direction should be understood to mean that it is relatively small compared to an extension in a plane oriented perpendicular to this space direction. This spatial direction forms the direction of the plate normal to the plate-like semiconductor module. In this case, the surface of the semiconductor module oriented perpendicular to the plate normal is referred to here and below as the broad side. The side adjacent to the broad side is referred to as the end face.

각각의 반도체 모듈은 또한 플레이트 법선의 방향에 대해 양 측에서 냉각을 위해 열 전도 요소와 결합된다. 따라서 각각의 반도체 모듈은 그 넓은 면에서 열 전도 요소가 나란하게 배치되고, 이 열 전도 요소와 열 전도성으로 접촉한다.Each semiconductor module is also coupled with a heat-conducting element for cooling on both sides with respect to the direction of the plate normal. Accordingly, each semiconductor module has a heat-conducting element arranged side by side on its wide surface and is in thermally conductive contact with the heat-conducting element.

적합하게는, 2 개의 반도체 모듈 사이에 각각 단일의 열 전도 요소가 배치된다. 요약하면, 이 경우 각각의 반도체 모듈 사이에 그리고 플레이트 법선의 방향에 대해 2 개의 최외측 반도체 모듈의 외부에 각각 열 전도 요소가 배치된다. 따라서, 반도체 모듈은 각각의 열 전도 요소 사이에 배치된다.Suitably, a single heat-conducting element is each arranged between the two semiconductor modules. In summary, in this case a heat-conducting element is respectively arranged between each semiconductor module and outside of the two outermost semiconductor modules with respect to the direction of the plate normal. Accordingly, the semiconductor module is disposed between each heat-conducting element.

또한, 열 전도 요소는 특히 별도의 공기 냉각되는 또는 공기 냉각 가능한 히트 싱크(heat sink)(열적으로 열 전도성)에 연결된다. 대안적으로, 각각의 열 전도 요소는 각각의 히트 싱크에 연결된다. 요약하면, 반도체 모듈에 의해 방출된 열은 열 전도 요소에 의해 히트 싱크로 소산되며, 이 히트 싱크는 다시 공기 또는 공기 흐름에 의해 냉각된다. 히트 싱크는 공기로의 개선된 열 전달을 위해 바람직하게는 가능한 한 큰 표면적을 포함한다. 이를 위해, 히트 싱크는 예를 들어 복수의 라멜라를 포함하고, 이러한 복수의 라멜라는 공기 흐름의 흐름 방향에 대해 평행하게 배향된다.The heat-conducting element is also connected in particular to a separate air-cooled or air-coolable heat sink (thermal thermally conductive). Alternatively, each heat-conducting element is coupled to a respective heat sink. In summary, the heat emitted by the semiconductor module is dissipated by the heat-conducting element to a heat sink, which in turn is cooled by air or air flow. The heat sink preferably comprises as large a surface area as possible for improved heat transfer to the air. To this end, the heat sink for example comprises a plurality of lamellae which are oriented parallel to the flow direction of the air flow.

유리하게는, 각각의 반도체 모듈 상에서 열 전도 요소가 양 측에 배치됨으로 인해, 열 소산을 위해 사용되는 (상부) 표면적이 비교적 크다. 결과적으로, 비교적 양호한 열 확산 및 비교적 양호한 반도체 모듈의 냉각이 구현된다. 반도체 모듈을 SiC 반도체 모듈로서 구현하는 경우, SiC 반도체의 비교적 높은 접합 온도 및 비교적 낮은 전력 손실로 인해, 전기 기계의 비교적 높은 전력 및 이에 수반되는 인버터 장치의 SiC 반도체 모듈의 열 전달의 경우에도, 냉각이 가능하게 된다. 액체 냉각, 특히 수 냉각은 필요하지 않으므로, 비용, 구조 공간 및 중량이 절약된다.Advantageously, the (top) surface area used for heat dissipation is relatively large, due to the fact that the heat-conducting elements are arranged on both sides on each semiconductor module. As a result, relatively good heat diffusion and relatively good cooling of the semiconductor module are realized. When implementing the semiconductor module as a SiC semiconductor module, due to the relatively high junction temperature and relatively low power loss of the SiC semiconductor, even in the case of relatively high power of an electric machine and accompanying heat transfer of the SiC semiconductor module of the inverter device, cooling This becomes possible. Liquid cooling, especially water cooling, is not required, saving cost, structural space and weight.

바람직하게는 SiC 반도체 모듈은 비교적 높은 접합 온도 및 비교적 낮은 전력 손실로 인해 반도체 모듈로서 사용된다. 대안적으로, 인버터 장치의 작동 시 위에서 설명한 공기 냉각에 의해 접합 온도를 초과하지 않도록 높은 접합 온도 및/또는 낮은 손실 전력을 갖는 그러한 반도체 재료가 적합하다.Preferably, SiC semiconductor modules are used as semiconductor modules due to their relatively high junction temperature and relatively low power dissipation. Alternatively, such a semiconductor material having a high junction temperature and/or low power dissipation so as not to exceed the junction temperature by air cooling as described above during operation of the inverter device is suitable.

특히 이를 위해 SiC 반도체의 접합 온도 이상에 대응하는 접합 온도를 갖고 SiC 반도체의 손실 전력 이하에 대응하는 손실 전력을 갖는 반도체 재료가 적합하다. 예를 들어 이를 위해 GaN 반도체 또는 GaN 반도체 모듈(갈륨 질화물 반도체 모듈)이 사용될 수 있다. 바람직하게는 SiC 반도체 모듈이 사용되기 때문에, 이하에서는 SiC 반도체 모듈만을 언급하지만, 그 설명은 대응하는 특성을 갖는 반도체 모듈에 대해서도 또한 적용된다.Particularly suitable for this purpose is a semiconductor material having a junction temperature corresponding to the junction temperature of the SiC semiconductor or higher and a dissipation power corresponding to less than or equal to that of the SiC semiconductor. For this purpose, for example, a GaN semiconductor or a GaN semiconductor module (gallium nitride semiconductor module) may be used. Since SiC semiconductor modules are preferably used, hereinafter only SiC semiconductor modules are mentioned, but the description also applies to semiconductor modules having corresponding characteristics.

바람직하게는 오직 히트 싱크에만 공기 흐름이 작용한다. 따라서, SiC 반도체 모듈은 대응하는 공기 흐름에 의해 냉각되지 않으므로, SiC 반도체 모듈은 공기 흐름에 의해 그리고/또는 경우에 따라 공기 흐름 내에 존재하는 (먼지) 입자에 의해 손상되지 않는다.Preferably only the heat sink acts on the air flow. Thus, since the SiC semiconductor module is not cooled by the corresponding air stream, the SiC semiconductor module is not damaged by the air stream and/or optionally by (dust) particles present in the air stream.

SiC 반도체 모듈은 복수의 반도체 스위치, 예를 들어 인핸스먼트형(enhancement type) JFETs(junction gate field-effect transistors) 또는 MOSFETs(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors)를 포함하고, 이들에 의해 인버터가 형성된다. 적합한 실시예에서, 인버터 장치는 3 개의 SiC 반도체 모듈을 포함하며, 여기서 각각의 SiC 반도체 모듈에 의해 각각의 경우에 인버터의 반 브리지(half bridge)가 형성된다.The SiC semiconductor module includes a plurality of semiconductor switches, for example, enhancement type junction gate field-effect transistors (JFETs) or metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs), whereby an inverter is formed In a suitable embodiment, the inverter device comprises three SiC semiconductor modules, wherein a half bridge of the inverter is formed in each case by each SiC semiconductor module.

적합한 실시예에 따르면, 각각의 열 전도 요소는 열 파이프(heat pipe)에 의해 히트 싱크에 연결된다. 대안적으로, 각각의 열 전도 요소는 복수의 열 파이프에 의해 히트 싱크에 연결된다. 바람직하게는, 열 파이프는 열 전도 요소 내로 적어도 부분적으로 돌출된다. 예를 들어 열 파이프는 열 전도 요소 내에 매립되어 있다.According to a suitable embodiment, each heat-conducting element is connected to the heat sink by means of a heat pipe. Alternatively, each heat-conducting element is connected to the heat sink by a plurality of heat pipes. Preferably, the heat pipe projects at least partially into the heat-conducting element. For example, a heat pipe is embedded in a heat-conducting element.

예를 들어 추가적으로 열 파이프는 각각의 SiC 반도체 모듈과 직접 열적으로 접촉된다. 열 전도 요소는 이 경우 추가적으로 스페이서(spacer)의 목적 및 열 저장소의 목적을 충족시킨다. 열 전도 요소는 바람직하게는 열 전도성이 비교적 양호한 재료, 특히 구리로 형성된다.Additionally, for example, the heat pipe is in direct thermal contact with the respective SiC semiconductor module. The heat-conducting element in this case additionally fulfills the purpose of a spacer and of a heat storage. The heat-conducting element is preferably formed of a material having a relatively good thermal conductivity, in particular copper.

대안적으로, 각각의 열 전도 요소는 열 파이프에 의해 형성되며, 여기서 열 파이프로서 형성된 열 전도 요소는 히트 싱크에 연결된다. 특히, 이러한 방식으로, 열 파이프는 각각의 SiC 반도체 모듈과 직접 열적으로 접촉된다.Alternatively, each heat-conducting element is formed by a heat pipe, wherein the heat-conducting element formed as a heat pipe is connected to a heat sink. In particular, in this way, the heat pipe is in direct thermal contact with the respective SiC semiconductor module.

유리한 개발예에 따르면, 인버터 장치는 (제 1) 인쇄 회로 기판을 갖는 제어 유닛을 포함한다. 제 1 인쇄 회로 기판은 특히 소위 드라이버 보드(driver board)이다. 바람직하게는, 제 1 인쇄 회로 기판은 플레이트 법선에 대해 평행하게 연장되고, SiC 반도체 모듈의 제 1 단부면 상에서, 바람직하게는 이에 대해 평행하게 배치된다. SiC 반도체 모듈은 이 경우 제 1 인쇄 회로 기판에 전기적으로 연결된다. 이 경우, 제 1 인쇄 회로 기판에 대한 SiC 반도체 모듈의 접점은 제 1 단부면 상에 배치된다.According to an advantageous development, the inverter device comprises (first) a control unit with a printed circuit board. The first printed circuit board is in particular a so-called driver board. Preferably, the first printed circuit board extends parallel to the plate normal and is arranged on, preferably parallel to, the first end face of the SiC semiconductor module. The SiC semiconductor module is in this case electrically connected to the first printed circuit board. In this case, the contact point of the SiC semiconductor module to the first printed circuit board is disposed on the first end face.

바람직하게는 이 경우 각각의 SiC 반도체 모듈에 대한 제 1 인쇄 회로 기판의 소위 게이트 드라이버 또는 제어 입력 드라이버는 인덕턴스와 관련하여 동일하게 형성될 수 있고 그리고 바람직하게는 또한 형성된다. 결과적으로, 대응하는 SIC 반도체 모듈의 반도체 스위치의 스위칭 시간은 동일하다. 더욱 유리하게는, 인쇄 회로 기판은 공간 절약 방식으로 배치된다.Preferably in this case the so-called gate driver or control input driver of the first printed circuit board for each SiC semiconductor module can and preferably also be formed in terms of inductance identically. Consequently, the switching times of the semiconductor switches of the corresponding SIC semiconductor modules are the same. More advantageously, the printed circuit board is arranged in a space-saving manner.

바람직하게는, 인버터의 각각의 (AC) 위상 단자는 마찬가지로 대응하는 SiC 반도체 모듈의 제 1 단부면 상에 배치된다. 위상 단자는 이 경우 예를 들어 제 1 인쇄 회로 기판에 대한 접점 사이에 배치된다. 특히 위상 단자는 제 1 인쇄 회로 기판의 대응하는 리세스를 통해 안내된다.Preferably, each (AC) phase terminal of the inverter is likewise disposed on a first end face of a corresponding SiC semiconductor module. The phase terminals are arranged in this case, for example, between the contacts to the first printed circuit board. In particular the phase terminals are guided through corresponding recesses in the first printed circuit board.

바람직하게는, 제 1 인쇄 회로 기판은 SiC 반도체 모듈의 제 1 단부면에 대해 이격되어 배치되므로, SiC 반도체 모듈의 작동 중에 전달되는 열로 인한 제 1 인쇄 회로 기판의 가열이 방지되거나 또는 단지 적은 가열만이 이루어진다.Preferably, the first printed circuit board is spaced apart from the first end face of the SiC semiconductor module, so that heating of the first printed circuit board due to heat transferred during operation of the SiC semiconductor module is prevented or only a small heating this is done

적합한 실시예에 따르면, 제어 유닛은 특히 제어 보드(Controllerboard)를 형성하는 제 2 인쇄 회로 기판을 포함한다. 이것은 플레이트 법선의 방향에 대해 수직으로 공간 절약 방식으로 연장되며, 이 방향으로 최외측 열 전도 요소 중 하나의 옆에 배치된다. 바람직하게는, 제 2 인쇄 회로 기판은 마찬가지로, 최외측 SiC 반도체 모듈로부터의 열 전달을 방지하거나 또는 적어도 감소시키기 위해, 최외측 열 전도 요소에 대해 이격되어 배치된다.According to a suitable embodiment, the control unit comprises in particular a second printed circuit board forming a controllerboard. It extends in a space-saving manner perpendicular to the direction of the plate normal and is arranged next to one of the outermost heat-conducting elements in this direction. Preferably, the second printed circuit board is likewise arranged spaced apart from the outermost heat-conducting element in order to prevent or at least reduce heat transfer from the outermost SiC semiconductor module.

대안적으로, 제 2 인쇄 회로 기판은 제 1 인쇄 회로 기판에 대해 평행하게 배치된다. 적합하게는, 여기서 제 1 인쇄 회로 기판은 제 2 인쇄 회로 기판과 SiC 반도체 모듈 사이에 배치된다. 제 2 인쇄 회로 기판은 이 방향으로 플레이트 법선에 대해 수직으로 제 1 인쇄 회로 기판의 옆에 배치된다.Alternatively, the second printed circuit board is disposed parallel to the first printed circuit board. Suitably, wherein the first printed circuit board is disposed between the second printed circuit board and the SiC semiconductor module. The second printed circuit board is arranged next to the first printed circuit board perpendicular to the plate normal in this direction.

적합한 개발예에 따르면, 인버터 장치는 복수의 DC 링크 커패시터(capacitor)를 포함한다. 이들은 SiC 반도체 모듈에 연결되고, SiC 반도체 모듈의 제 2 단부면 상에 배치된다. 바람직하게는 DC 링크 커패시터는 DC 링크 커패시터에 대한 접점을 포함하는 SiC 반도체 모듈의 (제 2) 단부면 상에 배치된다. 적합하게는, DC 링크 커패시터에 대한 접점은 이 경우 제 1 단부면에 대해 평행한 (대향하는) 단부면 상에 배치된다. 예를 들어 대안적으로 DC 링크 커패시터는 공통 보드 상에 장착된다. 바람직하게는, 보드는 이 경우 SiC 반도체 모듈의 제 2 단부면에 대해 평행하게 공간 절약형으로 배치되고, 따라서 플레이트 법선에 대해 평행하게 배치된다. DC 링크 커패시터로서 바람직하게는 고온에 적합한 세라믹 커패시터가 사용된다.According to a suitable development, the inverter device comprises a plurality of DC link capacitors. They are connected to the SiC semiconductor module and disposed on the second end face of the SiC semiconductor module. Preferably the DC link capacitor is disposed on the (second) end face of the SiC semiconductor module comprising the contact to the DC link capacitor. Suitably, the contact to the DC link capacitor is arranged on an end face parallel (opposite) to the first end face in this case. Alternatively, for example, a DC link capacitor is mounted on a common board. Preferably, the board is space-saving in this case arranged parallel to the second end face of the SiC semiconductor module and thus parallel to the plate normal. As the DC link capacitor, preferably a ceramic capacitor suitable for high temperature is used.

유리한 개발예에 따르면, 인버터 장치는 팬(ventilator)을 포함한다. 이 팬은 히트 싱크를 냉각시키는 공기 흐름을 생성하는 역할을 한다. 팬은 이 경우 히트 싱크 상에 배치되거나 또는 히트 싱크가 수용되는 공기 덕트 내에 배치되도록 제공된다.According to an advantageous development, the inverter device comprises a fan. This fan is responsible for creating an air stream that cools the heat sink. The fan is provided to be arranged in this case on the heat sink or in the air duct in which the heat sink is housed.

유리한 개발예에 따르면, 자동차는 위에서 설명한 변형예들 중 하나의 인버터 장치를 포함한다. 특히 인버터 장치는 공동 플레이트 법선의 방향으로 중첩되어 배치되는 복수의 플레이트형 SiC 반도체 모듈을 포함하며, 여기서 SiC 반도체 모듈 각각은 플레이트 법선의 방향에 대해 양 측에서 냉각을 위해 열 전도 요소와 결합된다.According to an advantageous development, the motor vehicle comprises an inverter device of one of the variants described above. In particular, the inverter device includes a plurality of plate-shaped SiC semiconductor modules arranged overlapping in the direction of the common plate normal, wherein each of the SiC semiconductor modules is coupled with a heat-conducting element for cooling on both sides with respect to the direction of the plate normal.

자동차는 유리한 개발예에 따르면 공기 조화 장치를 포함한다. 이에 의해, 히트 싱크를 냉각시키기 위한 공기 흐름이 사전 컨디셔닝(pre-conditioned)될 수 있는데, 즉 냉각되고, 필터링되고 그리고/또는 제습될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 공기 조화 시스템에는, 히트 싱크에 의해 가열된 공기 흐름이 공급될 수 있다. 이러한 가열된 공기 흐름은 특히 차량 내부 공간을 가열하기 위해 사용된다.The motor vehicle according to an advantageous development comprises an air conditioner. Thereby, the air flow for cooling the heat sink may be pre-conditioned, ie cooled, filtered and/or dehumidified. Alternatively or additionally, the air conditioning system may be supplied with an air stream heated by a heat sink. This heated air stream is used in particular for heating the vehicle interior space.

가열된 공기 흐름이 차량 내부 공간을 가열하는 데 사용되지 않는 경우, 이는 공기 출구를 통해 주변 환경으로 배출된다. 차량 내부 공간을 가열하기 위해 히트 싱크에 의해 가열된 공기 흐름을 사용하는 경우, 이에 따라 공기 조화 장치의 가열 전력이 감소되고, 결과적으로 자동차의 에너지 효율적인 작동이 구현된다.When the heated air stream is not used to heat the interior space of the vehicle, it is discharged to the surrounding environment through an air outlet. When the air flow heated by the heat sink is used to heat the interior space of the vehicle, the heating power of the air conditioner is reduced accordingly, and consequently, energy-efficient operation of the vehicle is realized.

이하에서는 본 발명의 실시예가 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 인버터 장치 및 공기 조화 장치를 포함하는 자동차를 개략적으로 도시하는 도면으로서, 여기서 인버터 장치의 히트 싱크는 공기 조화 장치의 공기 덕트에 수용된다.
도 2는 SiC 반도체 모듈이 각각 그 사이에 배치되어 있는 복수의 열 전도 요소를 포함하는 인버터 장치의 사시도를 도시하는 도면으로서, 여기서 열 전도 요소 각각은 열 파이프에 의해 히트 싱크에 연결된다.
도 3은 SiC 반도체 모듈의 제 1 단부면에 대한 개략적인 정면도로 인버터 장치를 도시한다.
도 4는 제 1 단부면에 인접한 SiC 반도체 모듈의 단부면에 대한 개략적인 측면도로 인버터 장치를 도시한다.
1 schematically shows an automobile including an inverter device and an air conditioner, wherein a heat sink of the inverter device is accommodated in an air duct of the air conditioner.
2 shows a perspective view of an inverter device comprising a plurality of heat-conducting elements each having a SiC semiconductor module disposed therebetween, wherein each heat-conducting element is connected to a heat sink by a heat pipe.
Fig. 3 shows an inverter device in a schematic front view of a first end face of a SiC semiconductor module;
Fig. 4 shows the inverter device in a schematic side view of an end face of the SiC semiconductor module adjacent to the first end face;

서로 대응하는 부품 및 크기에는 항상 모든 도면에서 동일한 참조 번호가 제공된다.Parts and sizes corresponding to each other are always provided with the same reference numbers in all drawings.

도 1에는 전기적으로 구동되는 자동차(2)가 도시되어 있다. 이를 위해, 자동차(2)는 (트랙션) 배터리(4) 및 전기 모터(6)로 설계되는 전기 기계를 포함한다. 배터리(4)와 전기 모터(6) 사이에는 인버터 장치(8)가 연결되고, 이러한 인버터 장치에 의해, 배터리(4)에 의해 제공되는 DC 전압 또는 배터리(4)에 의해 제공되는 DC 전류가 전기 모터(6)의 작동에 적합한 AC 전압 또는 적절한 AC 전류로 변환된다.1 shows an electrically driven motor vehicle 2 . For this purpose, the motor vehicle 2 comprises an electric machine designed as a (traction) battery 4 and an electric motor 6 . An inverter device 8 is connected between the battery 4 and the electric motor 6 , by which the DC voltage provided by the battery 4 or the DC current provided by the battery 4 is electrically It is converted into an AC voltage or AC current suitable for the operation of the motor 6 .

도 2 내지 도 4에서는, 인버터 장치(8)가 보다 상세하게 도시되어 있다. 여기서 알 수 있는 바와 같이, 인버터 장치(8)는 3 개의 SiC 반도체 모듈(10)을 포함하며, 여기서 각각의 SiC 반도체 모듈(10)에 의해 인버터 장치(8)의 반 브리지(half bridge)가 각각 형성된다. SiC 반도체 모듈(10)은 따라서 인버터를 형성한다. SiC 반도체 모듈(10)은 플레이트형이고, 일 평면에서 이 평면에 대해 수직인 방향보다 더 큰 범위를 포함한다. 이 평면에 대한 법선은 플레이트 법선(N)으로서 지칭될 수 있다.2 to 4 the inverter device 8 is shown in more detail. As can be seen here, the inverter device 8 comprises three SiC semiconductor modules 10 , wherein a half bridge of the inverter device 8 is respectively formed by each SiC semiconductor module 10 . is formed The SiC semiconductor module 10 thus forms an inverter. The SiC semiconductor module 10 is plate-shaped and covers a greater extent in one plane than in a direction perpendicular to this plane. The normal to this plane may be referred to as the plate normal (N).

SiC 반도체 모듈(10)들은 서로에 대해 평행하게 배치된다. 따라서 SiC 반도체 모듈들은 공통 플레이트 법선(N)을 포함한다. 플레이트 법선(N)의 방향으로, SiC 반도체 모듈(10)은 중첩되어 적층된다. SiC 반도체 모듈(10)은 이 방향으로 정렬된다.The SiC semiconductor modules 10 are arranged parallel to each other. Therefore, SiC semiconductor modules include a common plate normal (N). In the direction of the plate normal (N), the SiC semiconductor modules 10 are superimposed and stacked. The SiC semiconductor module 10 is aligned in this direction.

또한, 인버터 장치(8)는 복수의 열 전도 요소(12)를 포함한다. 이들은 SiC 반도체 모듈(10)들 사이에 그리고 플레이트 법선(N)에 대해 2 개의 외부 SiC 반도체 모듈(10)의 외부에 배치된다. 이러한 방식으로, 각각의 SiC 반도체 모듈(10)에는 플레이트 법선(N)의 방향에 대해 병렬로 열 전도 요소(12)들 중 하나가 배치된다. SiC 반도체 모듈(10)은 냉각을 위해, 즉 작동 중에 발생된 열의 제거를 위해, 추가로 도시되지 않은 방식으로 각각의 열 전도 요소(12)에 열 전도성으로 결합된다.The inverter device 8 also comprises a plurality of heat-conducting elements 12 . They are arranged between the SiC semiconductor modules 10 and outside of the two external SiC semiconductor modules 10 with respect to the plate normal N. In this way, in each SiC semiconductor module 10 one of the heat-conducting elements 12 is arranged parallel to the direction of the plate normal N. The SiC semiconductor module 10 is thermally conductively coupled to each heat-conducting element 12 in a manner not shown further for cooling, ie for the removal of heat generated during operation.

또한, 각각의 열 전도 요소(12)는 열 파이프(14)에 의해 히트 싱크(16)에 연결된다. 요약하면, SiC 반도체 모듈(10)로부터 열 전도 요소(12) 및 열 파이프(14)를 통해 히트 싱크(16)로 열 전달 또는 열 소산이 이루어진다. 히트 싱크(16)는 라멜라형 구조를 포함하므로, 이에 작용하여 냉각시키는 공기 흐름(LK)으로의 열 전달이 개선된다. 공기 흐름(LK)을 발생시키기 위해, 팬(18)이 히트 싱크(16) 상에 배치된다.Each heat-conducting element 12 is also connected to a heat sink 16 by a heat pipe 14 . In summary, heat transfer or heat dissipation takes place from the SiC semiconductor module 10 through the heat conducting element 12 and the heat pipe 14 to the heat sink 16 . The heat sink 16 includes a lamellar structure, so that heat transfer to the air stream L K acting on it to cool is improved. A fan 18 is disposed on the heat sink 16 to generate an air flow L K .

SiC 반도체 모듈(10) 각각은 플레이트 법선(N)의 방향에 대해 평행하게 배치된 제 1 단부면(20) 상에 복수의 접점(22)을 포함한다. SiC 반도체 모듈(10)의 제 1 단부면(20)은 여기서 공통 평면에 배치된다. 접점(22)은 각각의 SiC 반도체 모듈(10)과 인버터 장치(8)의 제어 유닛(26)의 제 1 인쇄 회로 기판(24)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 제 1 인쇄 회로 기판(24)은 이 경우 도 2에서 보다 양호한 명확성을 위해 투명하게 도시되어 있다. 따라서, SiC 반도체 모듈(10)은 제 1 인쇄 회로 기판(24)에 전기적으로 연결된다. 여기서, 제 1 인쇄 회로 기판(24)은 드라이버 보드(driver board)로서 형성된다. 제 1 인쇄 회로 기판(24)은 여기서 마찬가지로 플레이트 법선(N)에 평행하고, SiC 반도체 모듈(10)의 제 1 단부면(20)에 평행하게 연장된다. 또한, 제 1 인쇄 회로 기판(24)은 제 1 단부면(20)에 대해 이격되어 배치되므로, 10으로 표시된 SiC 반도체 모듈로부터 제 1 인쇄 회로 기판(24)으로의 열 전달이 회피되거나 또는 적어도 감소된다.Each of the SiC semiconductor modules 10 includes a plurality of contact points 22 on a first end face 20 disposed parallel to the direction of the plate normal N. The first end face 20 of the SiC semiconductor module 10 is arranged here in a common plane. The contact 22 serves to electrically connect each SiC semiconductor module 10 and the first printed circuit board 24 of the control unit 26 of the inverter device 8 . The first printed circuit board 24 is shown in this case transparent for better clarity in FIG. 2 . Accordingly, the SiC semiconductor module 10 is electrically connected to the first printed circuit board 24 . Here, the first printed circuit board 24 is formed as a driver board. The first printed circuit board 24 here likewise extends parallel to the plate normal N and parallel to the first end face 20 of the SiC semiconductor module 10 . Further, since the first printed circuit board 24 is disposed spaced apart from the first end face 20 , heat transfer from the SiC semiconductor module denoted 10 to the first printed circuit board 24 is avoided or at least reduced. do.

특히 도 4에서 인식될 수 있는 바와 같이, 제어 유닛(26)은 또한 제어 보드(Controllerboard)로서 설계되는 제 2 인쇄 회로 기판(28)을 포함하며, 이러한 제 2 인쇄 회로 기판은 제 1 인쇄 회로 기판(24)에 전기적으로 연결된다. 제 2 인쇄 회로 기판(28)은 이 경우 플레이트 법선(N)의 방향에 대해 수직인 평면에서 연장되고, 여기서 제 2 인쇄 회로 기판(28)은 이러한 방향으로 최외측 열 전도 요소(12) 중 하나의 옆에 그리고 이로부터 이격되어 공간 절약 방식으로 배치된다.As can be appreciated in particular in FIG. 4 , the control unit 26 also comprises a second printed circuit board 28 , which is designed as a Controllerboard, this second printed circuit board comprising a first printed circuit board. (24) is electrically connected. The second printed circuit board 28 in this case extends in a plane perpendicular to the direction of the plate normal N, wherein the second printed circuit board 28 is in this direction one of the outermost heat-conducting elements 12 . placed next to and at a distance from it in a space-saving manner.

추가로 도시되지 않는 대안예에 따르면, 제 2 인쇄 회로 기판(28)은 제 1 인쇄 회로 기판(24)에 대해 평행하게 배치된다. 이 경우, 제 1 인쇄 회로 기판(24)은 제 2 인쇄 회로 기판(28)과 SiC 반도체 모듈(10) 사이에 배치된다.According to an alternative not further shown, the second printed circuit board 28 is arranged parallel to the first printed circuit board 24 . In this case, the first printed circuit board 24 is disposed between the second printed circuit board 28 and the SiC semiconductor module 10 .

보다 양호한 명확성을 위해, 도 3 및 도 4에는 팬(18)이 도시되어 있지 않고 도 3에는 제 1 인쇄 회로 기판(24)이 도시되어 있지 않다.For better clarity, the fan 18 is not shown in FIGS. 3 and 4 and the first printed circuit board 24 is not shown in FIG. 3 .

인버터 장치(8)는 또한 3 개의 DC 링크 커패시터(30)를 포함한다. 이들은 SiC 반도체 모듈(10)의 접점(22)에 전기적으로 연결되고, 제 2 단부면(32) 상에 배치된다. SiC 반도체 모듈(10)의 제 2 단부면(32)은 여기서 그들의 제 1 단부면(20)에 대해 평행하게 배향되는데, 다른 말로 하면, 제 2 단부면(32)은 제 1 단부면(20)을 등지고 있다. DC 링크 커패시터(30)는 여기서 플레이트 법선(N)에 대해 수직인 평면에서 연장된다.The inverter device 8 also includes three DC link capacitors 30 . They are electrically connected to the contacts 22 of the SiC semiconductor module 10 and are disposed on the second end face 32 . The second end face 32 of the SiC semiconductor module 10 is here oriented parallel to their first end face 20 , in other words the second end face 32 is the first end face 20 . is leaning towards The DC link capacitor 30 here extends in a plane perpendicular to the plate normal N.

추가로 도시되지 않은 대안예에 따르면, DC 링크 커패시터(30)는 공통 보드 상에 장착될 수 있다. 이러한 보드는 여기서 SiC 반도체 모듈(10)의 제 2 단부면(32)에 대해 평행하게 연장되고, 이에 따라 플레이트 법선(N)에 대해 평행하게 연장된다.According to an alternative not further shown, the DC link capacitor 30 may be mounted on a common board. This board here extends parallel to the second end face 32 of the SiC semiconductor module 10 , and thus parallel to the plate normal N .

열 파이프(14)는 열 전도 요소(12) 내로 매립되고, 제 1 단부면(20)에 그리고 제 2 단부면(32)에 인접한 SiC 반도체 모듈(10)의 제 3 단부면(34)에 대해 평행한 각각의 열 전도 요소(12)의 측면으로부터 돌출된다.A heat pipe 14 is embedded into the heat-conducting element 12 , with respect to a third end face 34 of the SiC semiconductor module 10 adjacent to the first end face 20 and adjacent to the second end face 32 . It projects from the side of each parallel heat-conducting element 12 .

추가로 도시되지 않은 대안예에 따르면, 각각의 열 전도 요소(12)는 열 파이프(14)에 의해 형성되고, 여기서 열 파이프(14)는 공기 냉각되는 또는 공기 냉각 가능한 히트 싱크(16)에 연결된다. 따라서, 열 파이프는 각각의 SiC 반도체 모듈과 직접 열적으로 접촉된다.According to an alternative not further shown, each heat-conducting element 12 is formed by a heat pipe 14 , wherein the heat pipe 14 is connected to an air-cooled or air-coolable heat sink 16 . do. Thus, the heat pipe is in direct thermal contact with each SiC semiconductor module.

요약하면, 이러한 방식으로 제어 유닛(26), DC 링크 커패시터(30) 및 열 파이프(14)의 컴팩트한 배치, 즉 공간 절약형 배치가 구현된다.In summary, in this way a compact arrangement, ie a space-saving arrangement, of the control unit 26 , the DC link capacitor 30 and the heat pipe 14 is realized.

도 1에는, 또한 공기 덕트(38)를 갖는 공기 조화 장치(36)가 개략적으로 단순화되어 도시되어 있다. 이 경우, 히트 싱크(16)는 공기 덕트(38)에 수용된다. 이러한 방식으로, 히트 싱크(16)에 공급되는 공기 흐름(LK)은 공기 조화 장치에 의해 사전 컨디셔닝되는데, 즉 사전 냉각될 수 있고, 제습될 수 있고 그리고/또는 필터링될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 히트 싱크(16)에 의해 가열된 공기 흐름(LW)이 공기 조화 장치(36)에 공급될 수 있다. 예를 들어, 가열된 공기 흐름(LW)은 자동차(2)의 차량 내부 공간을 가열하기 위해 공기 조화 장치(36)에 의해 도시되지 않은 방식으로 사용된다.In FIG. 1 also an air conditioner 36 with an air duct 38 is shown schematically and simplified. In this case, the heat sink 16 is housed in the air duct 38 . In this way, the air stream L K supplied to the heat sink 16 may be pre-conditioned by the air conditioner, ie may be pre-cooled, dehumidified and/or filtered. Additionally or alternatively, an air stream L W heated by a heat sink 16 may be supplied to the air conditioner 36 . For example, the heated air stream L W is used in an unillustrated manner by the air conditioner 36 to heat the vehicle interior space of the motor vehicle 2 .

본 발명은 위에서 설명된 실시예들로 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명의 요지를 벗어나지 않고, 본 발명의 다른 변형예들이 당업자에 의해 이로부터 또한 도출될 수 있다. 특히, 예시적인 실시예들과 관련하여 설명된 모든 개별 특징들은 또한, 본 발명의 요지를 벗어나지 않으면서, 다른 방식으로 또한 서로 결합될 수도 있다.The present invention is not limited to the embodiments described above. Rather, other modifications of the invention may also be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the gist of the invention. In particular, all individual features described in connection with the exemplary embodiments may also be combined with each other in other ways and without departing from the gist of the present invention.

2 자동차
4 배터리
6 전기 모터/전기 기계
8 인버터 장치
10 SiC 반도체 모듈
12 열 전도 요소
14 열 파이프
16 히트 싱크
18 팬
20 제 1 단부면
22 접점
24 제 1 인쇄 회로 기판/드라이버 보드
26 제어 유닛
28 제 2 인쇄 회로 기판/제어 보드
30 DC 링크 커패시터
32 제 2 단부면
34 제 3 단부면
36 공기 조화 장치
38 공기 덕트
LK 사전 컨디셔닝된 공기 흐름
LW 가열된 공기 흐름
N 플레이트 법선
2 cars
4 battery
6 electric motor/electric machine
8 inverter unit
10 SiC semiconductor module
12 heat conduction element
14 heat pipe
16 heat sink
18 fans
20 first end face
22 contacts
24 first printed circuit board/driver board
26 control unit
28 2nd printed circuit board/control board
30 DC Link Capacitors
32 second end face
34 third end face
36 air conditioner
38 air duct
L K pre-conditioned airflow
L W Heated air flow
N plate normal

Claims (9)

인버터 장치(8)로서,
- 공통 플레이트 법선(N)의 방향으로 중첩되어 배치되는 복수의 플레이트형 반도체 모듈(10)
을 포함하고,
- 상기 반도체 모듈(10) 각각은 상기 플레이트 법선(N)의 방향에 대해 양 측에서 냉각을 위해 열 전도 요소(12)와 결합되고,
- 상기 열 전도 요소(12)는 공기 냉각되는 또는 공기 냉각 가능한 히트 싱크(heat sink; 16)에 연결되며,
- 상기 인버터 장치(8)는 제어 유닛(26)을 포함하고, 상기 제어 유닛(26)은, 상기 플레이트 법선(N)에 대해 평행하게 연장되고 상기 반도체 모듈(10)의 제 1 단부면(20) 상에 배치되는 제 1 인쇄 회로 기판(24)을 포함하며, 상기 반도체 모듈(10)은 상기 제 1 단부면(20) 상에서, 상기 제 1 인쇄 회로 기판(24)에 연결하기 위한 접점(22)을 포함하고,
- 상기 인버터 장치(8)는 3 개의 반도체 모듈(10)을 포함하고, 상기 반도체 모듈(10) 각각에 의해 반 브리지(half bridge)가 형성되는 것인, 인버터 장치.
An inverter device (8) comprising:
- A plurality of plate-type semiconductor modules 10 overlapping in the direction of the common plate normal (N)
including,
- each of the semiconductor modules 10 is coupled with a heat-conducting element 12 for cooling on both sides with respect to the direction of the plate normal N,
- said heat-conducting element 12 is connected to an air-cooled or air-coolable heat sink 16;
- the inverter device 8 comprises a control unit 26 , which extends parallel to the plate normal N and has a first end face 20 of the semiconductor module 10 . ) disposed on a first printed circuit board (24), the semiconductor module (10) having, on the first end face (20), a contact (22) for connecting to the first printed circuit board (24) ), including
- the inverter device (8) comprises three semiconductor modules (10), wherein a half bridge is formed by each of the semiconductor modules (10).
제 1 항에 있어서,
상기 열 전도 요소(12) 각각은 열 파이프(14)에 의해 상기 히트 싱크(16)에 연결되거나, 또는 상기 열 전도 요소(12) 각각은 상기 히트 싱크(16)에 연결된 열 파이프(14)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
The method of claim 1,
Each of the heat-conducting elements 12 is connected to the heat sink 16 by a heat pipe 14 , or each of the heat-conducting elements 12 is connected to a heat pipe 14 connected to the heat sink 16 . Inverter device, characterized in that formed by.
제 1 항에 있어서,
상기 제어 유닛(26)은 제 2 인쇄 회로 기판(28)을 포함하고, 상기 제 2 인쇄 회로 기판(28)은 상기 플레이트 법선(N)의 방향에 대해 수직으로 연장되면서 이 방향으로 최외측의 열 전도 요소(12) 중 하나의 옆에 배치되거나, 또는 상기 제 2 인쇄 회로 기판(28)은 상기 제 1 인쇄 회로 기판(24)에 대해 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
The method of claim 1,
The control unit 26 includes a second printed circuit board 28 , wherein the second printed circuit board 28 extends perpendicularly to the direction of the plate normal N and is an outermost row in this direction. Inverter arrangement, characterized in that it is arranged next to one of the conductive elements (12), or that the second printed circuit board (28) extends parallel to the first printed circuit board (24).
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 반도체 모듈(10)에 연결되고 상기 반도체 모듈(10)의 제 2 단부면(32) 상에 배치되는 복수의 DC 링크 커패시터(capacitor; 30)
를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
A plurality of DC link capacitors 30 connected to the semiconductor module 10 and disposed on the second end face 32 of the semiconductor module 10 .
Inverter device comprising a.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 히트 싱크(16) 상에 배치되거나, 또는 상기 히트 싱크(16)가 수용되는 공기 덕트(38) 내에 배치되도록 제공되는 팬(fan; 18)
을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
A fan 18 disposed on the heat sink 16 or provided to be disposed within an air duct 38 in which the heat sink 16 is received.
Inverter device comprising a.
제 1 항 또는 제 2 항에 따른 인버터 장치(8)를 포함하는, 자동차.A motor vehicle comprising an inverter device (8) according to claim 1 or 2. 제 6 항에 있어서,
공기 조화 장치(36)를 포함하고,
상기 공기 조화 장치는 상기 공기 조화 장치에 의해 상기 히트 싱크(16)를 냉각시키기 위한 공기 흐름(LK)을 사전 컨디셔닝(pre-condition)하거나, 또는 상기 공기 조화 장치에 상기 히트 싱크(16)에 의해 가열된 공기 흐름(LW)이 공급되는 것을 특징으로 하는 자동차.
7. The method of claim 6,
an air conditioner (36);
The air conditioner pre-conditions the air flow L K for cooling the heat sink 16 by the air conditioner, or provides the air conditioner to the heat sink 16 . A vehicle, characterized in that the heated air flow (L W ) is supplied by the.
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