KR102276588B1 - Igbt driving circuit - Google Patents

Igbt driving circuit Download PDF

Info

Publication number
KR102276588B1
KR102276588B1 KR1020150119552A KR20150119552A KR102276588B1 KR 102276588 B1 KR102276588 B1 KR 102276588B1 KR 1020150119552 A KR1020150119552 A KR 1020150119552A KR 20150119552 A KR20150119552 A KR 20150119552A KR 102276588 B1 KR102276588 B1 KR 102276588B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reference voltage
igbt
driving circuit
circuit
variable
Prior art date
Application number
KR1020150119552A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170024376A (en
Inventor
조삼구
이성철
이유황
Original Assignee
한국전자기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자기술연구원 filed Critical 한국전자기술연구원
Priority to KR1020150119552A priority Critical patent/KR102276588B1/en
Publication of KR20170024376A publication Critical patent/KR20170024376A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102276588B1 publication Critical patent/KR102276588B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/0406—Modifications for accelerating switching in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/08104—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 IGBT 소자의 보호를 위해 설정되는 기준전압을 가변형으로 설계한 기준전압 가변형 IGBT 구동회로에 관한 것으로, IGBT 소자의 스위칭 동작을 제어하는 입력신호를 증폭하는 구동회로와, 상기 IGBT 소자의 컬렉터 전압을 기준전압과 비교하여 상기 입력신호를 선택적으로 차단하는 보호회로와, IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 상기 기준전압을 가변 설정하기 위한 기준전압 가변회로;를 포함함을 특징으로 한다.The present invention relates to a reference voltage variable type IGBT driving circuit in which a reference voltage set for protection of an IGBT device is designed to be variable, a driving circuit for amplifying an input signal for controlling a switching operation of an IGBT device, and a collector of the IGBT device and a protection circuit for selectively blocking the input signal by comparing a voltage with a reference voltage, and a reference voltage variable circuit for variably setting the reference voltage according to a capacity of an IGBT element or a size of a load.

Description

기준전압 가변형 IGBT 구동회로{IGBT DRIVING CIRCUIT}Reference voltage variable type IGBT driving circuit {IGBT DRIVING CIRCUIT}

본 발명은 전력변환 시스템의 스위칭 소자에 관한 것으로, 특히 IGBT 소자의 보호를 위해 설정되는 기준전압을 가변형으로 설계한 기준전압 가변형 IGBT 구동회로에 관한 것이다.The present invention relates to a switching device of a power conversion system, and more particularly, to a reference voltage variable type IGBT driving circuit in which a reference voltage set for protection of an IGBT device is designed as a variable type.

전력변환 시스템에서 스위칭 소자로 사용되는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 게이트에 인가되는 전압에 의해 스위칭 특성이 결정되는 전압 구동형 스위칭 소자이며, 그 내부적으로 여러 개의 스위칭 소자가 병렬적인 접속 구조를 갖는 대용량 전원 스위칭 소자이다.An IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) used as a switching element in a power conversion system is a voltage-driven switching element whose switching characteristics are determined by a voltage applied to the gate, and has a parallel connection structure of several switching elements internally. It is a large-capacity power switching device.

이와 같은 IGBT는 소용량 소자가 병렬로 접속되어 있는 구조이기 때문에 안정적인 스위칭 동작을 위해서는 별도의 구동회로가 필요하게 된다.Since such an IGBT has a structure in which small-capacity elements are connected in parallel, a separate driving circuit is required for a stable switching operation.

전압 구동형 스위칭 소자인 IGBT는 적절한 게이트 전압을 확립하지 못하게 되면 전원 이상(저전압) 등으로 게이트 구동실패가 발생하게 되고, 이와 같이 게이트 구동실패가 발생하게 되면 장치에 안정적인 전원공급이 어렵게 된다. 또한 게이트 구동실패 및 제어전원 이상 등으로 인하여 안정적인 스위칭 동작을 하지 못하게 되면 과전류가 흐르게 되어 IGBT가 파손되는 문제가 발생한다.In the case of an IGBT, which is a voltage-driven switching device, when an appropriate gate voltage cannot be established, a gate driving failure occurs due to a power failure (low voltage), etc., and when the gate driving failure occurs in this way, it is difficult to provide a stable power supply to the device. In addition, if a stable switching operation cannot be performed due to gate driving failure or control power failure, overcurrent flows and the IGBT is damaged.

따라서 IGBT를 안정적으로 구동하기 위해서는 게이트 구동 전압의 결정, 게이트 턴-온, 턴-오프 저항의 적정치 설정, 과전류 보호회로 및 저전압 검지회로의 정확한 설계가 요구된다.Therefore, in order to stably drive the IGBT, it is necessary to determine the gate driving voltage, set the appropriate values of the gate turn-on and turn-off resistance, and accurately design the overcurrent protection circuit and the low voltage detection circuit.

도 1은 일반적인 IGBT 구성을 설명하기 위한 도면이며, 도 2는 공지된 IGBT의 게이트 구동회로의 상세 구성을 예시한 것이다.FIG. 1 is a view for explaining a general IGBT configuration, and FIG. 2 illustrates a detailed configuration of a known IGBT gate driving circuit.

도 1을 참조하면, IGBT는 게이트에 높은 전압과 전류가 공급되면 IGBT는 턴-온되어 컬렉터와 에미터 사이에 큰 전류가 흐르게 된다. IGBT를 구동하기 위해서는 입력단 게이트에 전력을 공급하는 게이트 구동회로를 필요로 하며, 게이트 구동회로는 도 2에 도시한 바와 같이 전력을 증폭하는 구동단(앤드게이트와, 버퍼)을 포함하며, IGBT가 비정상적으로 동작할 경우 보호하기 위한 보호회로(비교기)를 더 포함한다.Referring to FIG. 1 , when a high voltage and current are supplied to the gate of the IGBT, the IGBT is turned on and a large current flows between the collector and the emitter. In order to drive the IGBT, a gate driving circuit for supplying power to the input gate is required, and the gate driving circuit includes a driving stage (and gate and a buffer) for amplifying power as shown in FIG. 2, and the IGBT In case of abnormal operation, it further includes a protection circuit (comparator) for protection.

도 1에 도시한 두 개의 IGBT는 상단의 IGBT가 턴-온되면 하단의 IGBT는 턴-오프되는 방식으로 서로 배타적으로 동작한다. 그러나 하단의 IGBT의 컬렉터 전압이 외부 요인 등의 급격한 변동으로 전류가 게이트로 유입되면, 게이트 전압이 상승하여 2개의 IGBT가 동시에 턴-온된다. 이러한 경우 전원단과 접지 사이에 전류 경로가 형성되는 쇼트 쓰루(short through) 상태를 만들어 중대한 에너지 손실을 초래한다.The two IGBTs shown in FIG. 1 operate exclusively in such a way that when the upper IGBT is turned on, the lower IGBT is turned off. However, when a current flows into the gate due to a sudden change in the collector voltage of the lower IGBT due to an external factor, etc., the gate voltage rises and the two IGBTs are simultaneously turned on. In this case, it creates a short through condition in which a current path is formed between the power stage and the ground, resulting in significant energy loss.

이러한 현상을 방지하기 위하여 도 2에 도시한 바와 같이 하단 IGBT의 컬렉터 전압을 감지하여 일정한 기준전압에 도달하게 되면 앤드게이트에 공급되는 비교기의 출력을 '로우'로 전환시켜 IGBT 게이트 전압을 차단하여 IGBT 소자와 시스템을 보호하게 된다.In order to prevent this phenomenon, as shown in Fig. 2, when the collector voltage of the lower IGBT is sensed and a predetermined reference voltage is reached, the output of the comparator supplied to the AND gate is switched to 'low' to cut off the IGBT gate voltage. It protects devices and systems.

IGBT의 동작을 정지시키기 위해 필요한 기준전압은 IGBT의 용량이나 부하의 크기에 따라 그 값이 가변되어야 하기 때문에, 다양한 IGBT를 구동할 수 있도록 기준전압을 가변시킬 수 있는 회로를 구성한다면 다양한 시스템에 폭넓게 응용 가능할 것이다.Since the value of the reference voltage required to stop the operation of the IGBT must be varied according to the capacity of the IGBT or the size of the load, configuring a circuit that can change the reference voltage to drive various IGBTs can be widely used in various systems. application will be possible.

대한민국 공개특허공보 10-2014-0007951Korean Patent Publication No. 10-2014-0007951 대한민국 공개특허공보 특2000-0060439Republic of Korea Patent Publication No. 2000-0060439

이에 본 발명의 목적은 상술한 필요성에 따라 창안된 발명으로서, IGBT의 동작을 정지시키기 위해 필요한 기준전압을 IGBT의 용량이나 부하의 크기에 따라 가변시킬 수 있도록 설계한 기준전압 가변형 IGBT 구동회로를 제공함을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a reference voltage variable type IGBT driving circuit designed so that the reference voltage required to stop the operation of the IGBT can be varied according to the capacity of the IGBT or the size of the load, as an invention devised according to the above-mentioned necessity. is intended for

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기준전압 가변형 IGBT 구동회로는,A reference voltage variable type IGBT driving circuit according to an embodiment of the present invention for achieving the above object,

IGBT 소자의 스위칭 동작을 제어하는 입력신호를 증폭하는 구동회로와;a driving circuit for amplifying an input signal for controlling a switching operation of the IGBT device;

상기 IGBT 소자의 컬렉터 전압을 기준전압과 비교하여 상기 입력신호를 선택적으로 차단하는 보호회로와;a protection circuit for selectively blocking the input signal by comparing a collector voltage of the IGBT element with a reference voltage;

IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 상기 기준전압을 가변 설정하기 위한 기준전압 가변회로;를 포함함을 특징으로 하며,and a reference voltage variable circuit for variably setting the reference voltage according to the capacity of the IGBT element or the size of the load.

상기 기준전압 가변회로는 입력저항이 비반전 단자에 연결되고 출력단은 상기 보호회로의 기준전압 비교용 비교기에 연결되는 연산 증폭기와;The reference voltage variable circuit includes an operational amplifier having an input resistance connected to a non-inverting terminal and an output terminal connected to a reference voltage comparison comparator of the protection circuit;

기준전압을 가변시키기 위해 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 출력단 사이에 연결되는 가변형 피드백 저항을 포함함을 또 다른 특징으로 하며,Another feature is that it includes a variable feedback resistor connected between the inverting terminal and the output terminal of the operational amplifier to vary the reference voltage,

상기 연산 증폭기와 상기 보호회로는 상기 구동회로 IC 내에 위치하되, 상기 가변형 피드백 저항은 상기 구동회로 IC 외부에서 연결됨을 특징으로 한다.The operational amplifier and the protection circuit are located in the driving circuit IC, and the variable feedback resistor is connected outside the driving circuit IC.

상술한 바와 같은 과제 해결 수단에 따르면, 본 발명의 기준전압 가변형 IGBT 구동회로는 IGBT 소자의 스위칭 동작을 제어하는 입력신호를 증폭하는 구동회로 내에 IGBT 소자의 컬렉터 전압을 기준전압과 비교하여 상기 입력신호를 선택적으로 차단하는 보호회로를 포함하되, IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 상기 기준전압을 가변 설정하기 위한 기준전압 가변회로를 더 포함시킴으로써, IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 맞게 기준전압을 편리하게 변경 설정할 수 있는 효과가 있으며,According to the problem solving means as described above, the reference voltage variable IGBT driving circuit of the present invention compares the collector voltage of the IGBT device with the reference voltage in the driving circuit for amplifying the input signal for controlling the switching operation of the IGBT device, and compares the input signal By further including a protection circuit selectively blocking the IGBT element, and a reference voltage variable circuit for variably setting the reference voltage according to the capacity or load size of the IGBT element, the reference voltage according to the capacity or load size of the IGBT element has the effect of being able to change and set conveniently,

또한 IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 가변될 수 있는 기준전압을 제공하기 때문에 다양한 시스템에 폭넓게 사용될 수 있는 이점이 있다.In addition, since it provides a reference voltage that can be varied according to the capacity of the IGBT device or the size of the load, it has the advantage of being widely used in various systems.

도 1은 일반적인 IGBT 구성을 설명하기 위한 도면.
도 2는 공지된 IGBT의 게이트 구동회로의 상세 구성 예시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기준전압 가변형 IGBT 구동회로의 상세 구성 예시도.1 is a diagram for explaining a general IGBT configuration.
2 is a detailed configuration diagram of a known IGBT gate driving circuit.
3 is a detailed configuration example diagram of a reference voltage variable type IGBT driving circuit according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 혹은 구성이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the present invention, if it is determined that a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기준전압 가변형 IGBT 구동회로의 상세 구성도를 예시한 것이다.3 illustrates a detailed configuration diagram of a reference voltage variable type IGBT driving circuit according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 기준전압 가변형 IGBT 구동회로는 IGBT 소자의 게이트단에 연결되어 IGBT 소자의 스위칭 동작을 제어하는 입력신호를 증폭하는 구동회로(10) IC를 포함한다.As shown in FIG. 3 , the reference voltage variable type IGBT driving circuit according to the embodiment of the present invention includes a driving circuit 10 IC connected to the gate terminal of the IGBT device and amplifying an input signal for controlling the switching operation of the IGBT device. do.

이러한 게이트 구동회로(10)는 도시된 바와 같이 상기 입력신호를 일입력으로 하는 앤드게이트(A1) 소자와 그 앤드게이트(A1) 소자의 출력을 증폭 출력하는 버퍼를 포함한다.As shown in the figure, the gate driving circuit 10 includes an AND gate (A1) element that takes the input signal as one input and a buffer that amplifies and outputs the output of the AND gate (A1) element.

또한 상기 구동회로(10) 내에는 IGBT 소자의 컬렉터 전압을 기준전압과 비교하여 상기 입력신호를 선택적으로 차단하는 보호회로(20)를 더 포함하는데, 이러한 보호회로(20)는 도 3에 도시한 바와 같이 비교기로 구현 가능하다.In addition, the driving circuit 10 further includes a protection circuit 20 for selectively blocking the input signal by comparing the collector voltage of the IGBT element with a reference voltage. It can be implemented as a comparator as shown.

보호회로(20)인 비교기는 인가되는 컬렉터 전압이 후술할 기준전압 가변회로(30)에서 발생되는 기준전압 이상이 되면 출력신호를 '로우'상태로 반전시켜 상기 앤드게이트(A1)에 인가함으로써, 상기 입력신호를 선택적으로 차단시킨다. 이에 보호회로(20)인 비교기에서 출력되는 신호를 입력 차단신호로 명명할 수도 있다.The comparator, which is the protection circuit 20, inverts the output signal to a 'low' state and applies it to the AND gate A1 when the applied collector voltage is greater than or equal to the reference voltage generated in the reference voltage variable circuit 30 to be described later. The input signal is selectively cut off. Accordingly, the signal output from the comparator, which is the protection circuit 20, may be referred to as an input blocking signal.

마지막으로 게이트 구동회로(10)는 IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 기준전압을 가변 설정하기 위한 기준전압 가변회로(30)를 더 포함한다.Finally, the gate driving circuit 10 further includes a reference voltage variable circuit 30 for variably setting the reference voltage according to the capacity of the IGBT element or the size of the load.

기준전압 가변회로(30)는 입력저항(R1)이 비반전 단자(+)에 연결되고 출력단은 상기 보호회로(20)인 비교기에 연결되는 연산 증폭기(OP)와, The reference voltage variable circuit 30 includes an operational amplifier (OP) having an input resistance (R1) connected to a non-inverting terminal (+) and an output terminal connected to a comparator that is the protection circuit (20);

기준전압을 가변시키기 위해 상기 연산 증폭기(OP)의 반전 단자(-)와 출력단 사이에 연결되는 가변형 피드백 저항(Rext)을 포함한다.A variable feedback resistor Rext is connected between the inverting terminal (-) of the operational amplifier OP and the output terminal to vary the reference voltage.

상술한 연산 증폭기(OP)와 보호회로(20)는 게이트 구동회로(10) IC 내에 위치하되, 가변형 피드백 저항(Rext)은 구동회로(10) IC 외부에서 연결되어 기준전압변화 범위를 조정할 수 있도록 한다.The above-described operational amplifier (OP) and the protection circuit 20 are located in the gate driving circuit 10 IC, but the variable feedback resistor (Rext) is connected outside the driving circuit 10 IC so that the reference voltage change range can be adjusted. do.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 기준전압 가변형 IGBT 구동회로는 IGBT 소자의 스위칭 동작을 제어하는 입력신호를 증폭하는 구동회로 내에 IGBT 소자의 컬렉터 전압을 기준전압과 비교하여 상기 입력신호를 선택적으로 차단하는 보호회로(20)를 포함하되, IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 상기 기준전압을 가변 설정하기 위한 기준전압 가변회로(30)를 더 포함시킴으로써, IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 맞게 기준전압을 편리하게 변경 설정할 수 있도록 한다.As described above, the reference voltage variable type IGBT driving circuit according to the embodiment of the present invention compares the collector voltage of the IGBT device with the reference voltage in the driving circuit for amplifying the input signal that controls the switching operation of the IGBT device to obtain the input signal. By including a protection circuit 20 for selectively blocking, and further including a reference voltage variable circuit 30 for variably setting the reference voltage according to the capacity or load size of the IGBT element, the capacity or load of the IGBT element is further included. It allows you to conveniently change the reference voltage according to the size.

아울러 본 발명 역시 IGBT의 컬렉터 전압이 외부 요인에 의해 급격하게 변동되더라도 이를 보호회로(20)가 감지하여 앤드게이트(A1)에 공급되는 비교기(20)의 출력을 '로우'로 반전시켜 구동회로(10)에 인가되는 입력신호를 구동회로(10) 내부에서 차단시킴으로서 IGBT 소자와 시스템을 정상적으로 보호할 수 있게 되는 것이다.In addition, in the present invention, even if the collector voltage of the IGBT is abruptly fluctuated by an external factor, the protection circuit 20 detects it and inverts the output of the comparator 20 supplied to the AND gate A1 to 'low' to 'low' the driving circuit ( By blocking the input signal applied to 10) inside the driving circuit 10, the IGBT device and the system can be normally protected.

따라서 본 발명은 IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 가변될 수 있는 기준전압을 제공하기 때문에 다양한 시스템에 폭넓게 사용될 수 있는 이점이 있다.Therefore, the present invention has the advantage that it can be widely used in various systems because it provides a reference voltage that can be varied according to the capacity of the IGBT device or the size of the load.

이상은 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.The above has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined only by the appended claims.

10: 게이트 구동회로 20: 보호회로
30: 기준전압 가변회로 OP: 연산 증폭기10: gate driving circuit 20: protection circuit
30: reference voltage variable circuit OP: operational amplifier

Claims (3)

IGBT 소자의 스위칭 동작을 제어하는 입력신호를 증폭하는 구동회로와;
상기 IGBT 소자의 컬렉터 전압을 기준전압과 비교하여 상기 입력신호를 선택적으로 차단하는 보호회로와;
IGBT 소자의 용량이나 부하의 크기에 따라 상기 기준전압을 가변 설정하기 위한 기준전압 가변회로;를 포함하고,
상기 기준전압 가변회로는,
입력저항이 비반전 단자에 연결되고 출력단은 상기 보호회로의 기준전압 비교용 비교기에 연결되는 연산 증폭기와;
기준전압을 가변시키기 위해 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 출력단 사이에 연결되는 가변형 피드백 저항;을 포함함을 특징으로 하는 기준전압 가변형 IGBT 구동회로.
a driving circuit for amplifying an input signal for controlling a switching operation of the IGBT device;
a protection circuit for selectively blocking the input signal by comparing a collector voltage of the IGBT element with a reference voltage;
a reference voltage variable circuit for variably setting the reference voltage according to the capacity of the IGBT element or the size of the load;
The reference voltage variable circuit,
an operational amplifier having an input resistance connected to a non-inverting terminal and an output terminal connected to a reference voltage comparator of the protection circuit;
and a variable feedback resistor connected between the inverting terminal and the output terminal of the operational amplifier to vary the reference voltage.
 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 연산 증폭기와 상기 보호회로는 상기 구동회로 내에 위치하되, 상기 가변형 피드백 저항은 상기 구동회로 외부에서 연결됨을 특징으로 하는 기준전압 가변형 IGBT 구동회로.

The reference voltage variable IGBT driving circuit according to claim 1, wherein the operational amplifier and the protection circuit are located in the driving circuit, and the variable feedback resistor is connected outside the driving circuit.
KR1020150119552A 2015-08-25 2015-08-25 Igbt driving circuit KR102276588B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150119552A KR102276588B1 (en) 2015-08-25 2015-08-25 Igbt driving circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150119552A KR102276588B1 (en) 2015-08-25 2015-08-25 Igbt driving circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170024376A KR20170024376A (en) 2017-03-07
KR102276588B1 true KR102276588B1 (en) 2021-07-13

Family

ID=58411619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150119552A KR102276588B1 (en) 2015-08-25 2015-08-25 Igbt driving circuit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102276588B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107835002B (en) 2017-09-20 2024-03-12 同方威视技术股份有限公司 Protection circuit, oscillation compensation circuit and power supply circuit in solid-state pulse modulator

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010273470A (en) 2009-05-22 2010-12-02 Fuji Electric Systems Co Ltd Control circuit of multiplex chopper circuit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100275037B1 (en) * 1997-12-30 2000-12-15 김형벽 A circuit for igbt drive control
KR100274459B1 (en) * 1998-06-12 2000-12-15 구자홍 Over-current detect circuit in inverter
KR100280226B1 (en) 1999-03-16 2001-01-15 차동해 Device for driving high voltage igbt
KR101572747B1 (en) 2011-06-09 2015-11-27 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 Gate drive circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010273470A (en) 2009-05-22 2010-12-02 Fuji Electric Systems Co Ltd Control circuit of multiplex chopper circuit

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170024376A (en) 2017-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9225161B2 (en) Short circuit protection circuit and method for insulated gate bipolar transistor
JP6468150B2 (en) Load drive device
US20180088615A1 (en) Voltage generating circuit and overcurrent detecting circuit
US8717068B2 (en) Drive unit for driving voltage-driven element
US11114838B2 (en) Ideal diode with active reverse voltage protection
US8908341B2 (en) Power clamp for high voltage integrated circuits
KR102091693B1 (en) Protection circuit, oscillation compensation circuit and power supply circuit in solid state pulse modulator
ES2881786T3 (en) IGBT gate drive circuit and procedure
CN107852159B (en) Drive device
JP2016059036A (en) Short-circuit protection circuits, system, and method
CN106134051A (en) Driving means
US10256805B2 (en) Protective circuit with current regulating digital output module
US20140118873A1 (en) Power module and apparatus for preventing malfunction, and method of controlling thereof
KR102276588B1 (en) Igbt driving circuit
JP6048164B2 (en) Overcurrent protection circuit
US20160372914A1 (en) Load driving device, vehicle air-conditioning apparatus, and load short-circuit protection circuit
US9553574B2 (en) Solid state power controller
KR102416595B1 (en) Load adaptive smart actuator driver and operation method thereof
KR102050907B1 (en) Fault current limiter and fault current limiting method
JP2020505901A5 (en)
JP2015162732A (en) Protection circuit of amplifier circuit
US10236874B2 (en) Overvoltage protection circuit for a power semiconductor and method for protecting a power semiconductor from over-voltages
KR101431382B1 (en) Circuit of limiting load rush current in direct current input-part having inductive load
US11031931B2 (en) Method for protecting a semiconductor switch, protective device for a semiconductor switch, and control circuit for a semiconductor switch
JP7163486B2 (en) load driver

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant