KR102276499B1 - Composition for forming silica-based coating film, and method for formation of a silica-based coating film using the same - Google Patents
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Abstract
(과제)
성분끼리의 상용성이 우수하고, 또한, 소성에 의해 투명성, 크랙 내성, 및 평탄성이 양호한 실리카계 피막을 부여하는 실리카계 피막 형성용 조성물 및 이것을 사용한 실리카계 피막의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단)
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 하기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산과, 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카를 함유한다. 식 중, R1 ∼ R3 은 독립적으로 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, 첨자 p, q 및 r 은 상기 폴리실록산 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, 각각 p > 0 몰%, q ≥ 0 몰%, r > 0 몰% 를 만족하고, 단, p, q 및 r 의 합계는 100 몰% 이며, 상기 폴리실록산에 대한 R1 ∼ R3 의 합계의 함유량은 10 ∼ 30 질량% 이다.
(assignment)
Provided are a composition for forming a silica-based film, which is excellent in compatibility between components, and provides a silica-based film having good transparency, crack resistance, and flatness by firing, and a method for producing a silica-based film using the same.
(Solution)
The composition for forming a silica-based film according to the present invention contains polysiloxane represented by the following general formula (1) and silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm. In the formula, R 1 to R 3 independently represent a methyl group or an ethyl group, and the subscripts p, q and r represent the molar percentage of the subscripted structural units relative to the total structural units in the polysiloxane, respectively, p > 0 mol% , q ≥ 0 mol%, r > 0 mol%, provided that the sum of p, q and r is 100 mol%, and the content of the sum of R 1 to R 3 with respect to the polysiloxane is 10 to 30 mass% to be.
Description
본 발명은 실리카계 피막 형성용 조성물 및 이것을 사용한 실리카계 피막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a composition for forming a silica-based film and a method for producing a silica-based film using the same.
종래, 발광 다이오드 (LED) 등의 광반도체 소자의 제조에 있어서, 광반도체 소자 등의 밀봉에 사용되는 투명 밀봉제 조성물이 알려져 있다 (특허문헌 1 참조). 특허문헌 1 에 개시된 조성물은 양 말단에 실란올기를 갖는 폴리실록산과 테트라알콕시실란 부분 축합물을 탈알코올 반응시켜 얻어지는 특정한 알콕시실란 변성 폴리실록산과 경화 촉매를 함유한다.Conventionally, in manufacture of optical-semiconductor elements, such as a light emitting diode (LED), the transparent sealing agent composition used for sealing, such as an optical-semiconductor element, is known (refer patent document 1). The composition disclosed in
일반적으로, 광반도체 소자 등의 광디바이스나 태양 전지는 상기 서술한 특허문헌 1 의 조성물 등으로 형성되는 실리카계 피막에 의해 보호되고 있다. 이 실리카계 피막에는, 보호막으로서 바람직하게 사용할 수 있도록, 높은 내구성 및 평탄성이 요구된다. 또, 상기 실리카계 피막에는 충분한 광이 투과되도록, 높은 투명성도 요구된다.Generally, optical devices, such as an optical semiconductor element, and a solar cell are protected by the silica-type film formed from the composition etc. of
실리카계 피막의 내구성을 향상시키는 방법으로는, 실리카계 피막 형성용 조성물을 고온에서 소성하여 실리카계 피막을 형성하는 방법을 생각할 수 있다. 조성물을 고온에서 소성함으로써, 실리카계 피막의 열화의 원인이 될 수 있는 조성물 중의 불순물을 연소 제거할 수 있기 때문에 실리카계 피막의 내구성을 높일 수 있다. 그러나, 실리카계 피막 형성용 조성물을 고온에서 소성한 경우, 실리카계 피막에 크랙이 생기기 쉽다는 과제가 있다. 특히, 실리카계 피막의 두께를 두껍게 할수록 크랙이 발생하기 쉽다. 그 때문에, 실리카계 피막에는, 크랙 내성의 향상이 요구되고 있다. 또, 소성에 의해 실리카계 피막을 형성하는 실리카계 피막 형성용 조성물에는, 성분끼리의 상용성이 우수할 것이 요구된다.As a method of improving the durability of the silica-based coating film, a method of forming a silica-based coating film by firing a composition for forming a silica-based coating film at a high temperature can be considered. By calcining the composition at a high temperature, impurities in the composition that may cause deterioration of the silica-based film can be removed by burning, so that the durability of the silica-based film can be improved. However, when the composition for forming a silica-based film is fired at a high temperature, there is a problem that cracks are easily generated in the silica-based film. In particular, as the thickness of the silica-based film increases, cracks are more likely to occur. Therefore, the improvement of crack resistance is calculated|required by the silica-type film. In addition, the composition for forming a silica-based film, which forms a silica-based film by firing, is required to have excellent compatibility between components.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 성분끼리의 상용성이 우수하고, 또한, 소성에 의해 투명성, 크랙 내성, 및 평탄성이 양호한 실리카계 피막을 부여하는 실리카계 피막 형성용 조성물 및 이것을 사용한 실리카계 피막의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and a composition for forming a silica-based film, which is excellent in compatibility between components, and imparts a silica-based film having good transparency, crack resistance, and flatness by firing, and silica using the same An object of the present invention is to provide a method for producing a cinnamon film.
본 발명자들은 분기 구조를 갖는 특정한 폴리실록산과 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카를 조합하는 것에 의해, 상기 과제가 해결되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.The present inventors discovered that the said subject was solved by combining the specific polysiloxane which has a branched structure, and the silica whose average particle diameter is 10-50 nm, and came to complete this invention. Specifically, the present invention provides the following.
본 발명의 제 1 양태는 하기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산과, 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카를 함유하는 실리카계 피막 형성용 조성물이다.A first aspect of the present invention is a composition for forming a silica-based film comprising a polysiloxane represented by the following general formula (1) and silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm.
[화학식 1][Formula 1]
(식 중, R1 ∼ R3 은 독립적으로 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, 첨자 p, q 및 r 은 상기 폴리실록산 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, 각각 p > 0 몰%, q ≥ 0 몰%, r > 0 몰% 를 만족하고, 단, p, q 및 r 의 합계는 100 몰% 이며, 상기 폴리실록산에 대한 R1 ∼ R3 의 합계의 함유량은 10 ∼ 30 질량% 이다)(Wherein, R 1 to R 3 independently represent a methyl group or an ethyl group, and the subscripts p, q and r represent the molar percentage of the structural units with the subscripts relative to the total structural units in the polysiloxane, respectively, p > 0 mol %, q≥0 mol%, r>0 mol%, provided that the sum of p, q and r is 100 mol%, and the content of the total of R 1 to R 3 with respect to the polysiloxane is 10 to 30 mass % to be)
본 발명의 제 2 양태는 상기 실리카계 피막 형성용 조성물로 이루어지는 조성물층을 기판 상에 형성하는 조성물층 형성 공정과, 상기 조성물층을 소성하는 소성 공정을 포함하는 실리카계 피막의 제조 방법이다.A second aspect of the present invention is a method for producing a silica-based film, comprising a composition layer forming step of forming a composition layer comprising the composition for forming a silica-based film on a substrate, and a firing step of firing the composition layer.
본 발명에 의하면, 성분끼리의 상용성이 우수하고, 또한, 소성에 의해 투명성, 크랙 내성, 및 평탄성이 양호한 실리카계 피막을 부여하는 실리카계 피막 형성용 조성물 및 이것을 사용한 실리카계 피막의 제조 방법을 제공할 수 있다According to the present invention, there is provided a composition for forming a silica-based film, which provides a silica-based film having excellent compatibility between components and good transparency, crack resistance, and flatness by firing, and a method for producing a silica-based film using the same. can provide
도 1(A) ∼ 도 1(D) 는 본 발명의 실시형태에 관련된 실리카계 피막의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면 모식도이다.1(A) to 1(D) are schematic cross-sectional views for explaining a method for producing a silica-based coating film according to an embodiment of the present invention.
<실리카계 피막 형성용 조성물><Composition for forming a silica-based film>
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산과, 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카를 함유한다. 본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 성분끼리의 상용성이 우수하고, 이 실리카계 피막 형성용 조성물을 소성함으로써, 투명성, 크랙 내성, 및 평탄성이 양호한 실리카계 피막을 얻을 수 있다. 본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 광반도체 소자 등의 광디바이스나 태양 전지의 밀봉에 바람직하게 사용할 수 있다.The composition for forming a silica-based film according to the present invention contains the polysiloxane represented by the general formula (1) and silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm. The composition for forming a silica-based film according to the present invention has excellent compatibility between components, and by firing the composition for forming a silica-based film, a silica-based film having good transparency, crack resistance, and flatness can be obtained. The composition for forming a silica-based film according to the present invention can be suitably used for sealing an optical device such as an optical semiconductor element or a solar cell.
[일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산][Polysiloxane Represented by General Formula (1)]
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산을 함유한다. 상기 폴리실록산은 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The composition for forming a silica-based film according to the present invention contains the polysiloxane represented by the general formula (1). The polysiloxane may be used alone or in combination of two or more.
상기 일반식 (1) 에 있어서, 첨자 p, q 및 r 은 상기 폴리실록산 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, 각각 p > 0 몰%, q ≥ 0 몰%, r > 0 몰% 를 만족하고, 단, p, q 및 r 의 합계는 100 몰% 이다. p 는 40 ∼ 80 몰%, q 는 0 ∼ 50 몰%, r 은 5 ∼ 60 몰% 인 것이 바람직하다. 특히, q > 0 인 경우, p 는 45 ∼ 65 몰%, q 는 10 ∼ 45 몰%, r 은 5 ∼ 35 몰% 인 것이 보다 바람직하고, p 는 50 ∼ 60 몰%, q 는 15 ∼ 40 몰%, r 은 7 ∼ 30 몰% 인 것이 더욱 더 바람직하다. 또, q = 0 인 경우, p 는 40 ∼ 80 몰%, r 은 20 ∼ 60 몰% 인 것이 보다 바람직하고, p 는 45 ∼ 75 몰%, r 은 25 ∼ 55 몰% 인 것이 더욱 더 바람직하다.In the general formula (1), the subscripts p, q and r represent the molar percentage of the structural unit with the subscript relative to the total structural units in the polysiloxane, respectively, p > 0 mol%, q ≥ 0 mol%, and r > 0 mol%, provided that the sum of p, q and r is 100 mol%. It is preferable that p is 40-80 mol%, q is 0-50 mol%, and r is 5-60 mol%. In particular, when q>0, p is 45 to 65 mol%, q is 10 to 45 mol%, and r is more preferably 5 to 35 mol%, p is 50 to 60 mol%, and q is 15 to 40 It is still more preferable that mol% and r are 7-30 mol%. Moreover, when q=0, it is more preferable that p is 40-80 mol%, r is 20-60 mol%, It is still more preferable that p is 45-75 mol%, and r is 25-55 mol%. .
상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산에 대한 R1 ∼ R3 의 합계의 함유량, 즉, 상기 폴리실록산에 대한 상기 폴리실록산 중의 규소 원자에 직접 결합된 메틸기 및 에틸기의 합계의 함유량은 10 ∼ 30 질량% 이다. 일반적으로, 실리카계 피막에서는, 실리카계 피막을 구성하는 폴리실록산 중의 규소 원자에 직접 결합되는 유기기가 폴리실록산의 소성시의 수축에 의한 응력을 완화시키는 기능을 갖는다. 그리고, 이 유기기의 사슬 길이가 길수록, 또는, 부피가 클수록, 큰 응력 완화 기능이 기대된다. 한편, 실리카계 피막은 폴리실록산 중의 탄소-탄소 결합 부분이 고온에 의해 반응함으로써 투명성이 저하된다. 그래서, 본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물에서는, 규소 원자에 결합되는 유기기를 메틸기 및/또는 에틸기로 하고, 그 함유량을 10 ∼ 30 질량% 로 하고 있다. 규소 원자에 직접 결합되는 유기기가 메틸기 및/또는 에틸기이고, 메틸기 및 에틸기의 합계의 함유량이 30 질량% 이하이면, 폴리실록산 중의 탄소-탄소 결합 부분이 지나치게 많아지지 않기 때문에, 실리카계 피막의 투명성의 저하가 억제되기 쉽다. 또, 메틸기 및 에틸기의 합계의 함유량이 10 % 이상이면, 실리카계 피막에 있어서의 크랙의 발생이 억제되기 쉽다. 상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산에 대한 R1 ∼ R3 의 합계의 함유량은 보다 바람직하게는 18 ∼ 28 질량% 이다. The content of the total of R 1 to R 3 with respect to the polysiloxane represented by the general formula (1), that is, the content of the total of the methyl groups and ethyl groups directly bonded to silicon atoms in the polysiloxane with respect to the polysiloxane is 10 to 30 mass% . In general, in a silica-based coating film, an organic group directly bonded to a silicon atom in polysiloxane constituting the silica-based coating film has a function of relieving stress due to shrinkage during firing of the polysiloxane. And the larger the chain length of this organic group or the larger the volume, the greater the stress relaxation function is expected. On the other hand, in the silica-based coating film, the transparency of the carbon-carbon bonding portion in the polysiloxane is lowered by the reaction at high temperature. Then, in the composition for silica-type film formation which concerns on this invention, the organic group couple|bonded with a silicon atom is made into a methyl group and/or an ethyl group, and the content is 10-30 mass %. When the organic group directly bonded to the silicon atom is a methyl group and/or an ethyl group, and the total content of the methyl group and the ethyl group is 30 mass% or less, the carbon-carbon bonding portion in the polysiloxane does not increase too much, so the transparency of the silica-based film is reduced is likely to be suppressed. Moreover, when content of the total of a methyl group and an ethyl group is 10 % or more, generation|occurrence|production of the crack in a silica-type film is easy to be suppressed. The content of the sum of R 1 ~ R 3 to the polysiloxane represented by the general formula (1) is more preferably 18 to 28% by weight.
얻어지는 실리카계 피막의 평탄성의 관점에서, 상기 일반식 (1) 에 있어서, q 가 q > 0 을 만족하는 수이며, R1 ∼ R3 이 메틸기인 것이 바람직하다.In view of the flatness of the silica-based coating film obtained, according to the above general formula (1), q is a number that satisfies q> 0, R 1 ~ R 3 is preferably a methyl group.
상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산의 질량 평균 분자량은 본 발명의 효과가 저해되지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는 500 ∼ 40000, 보다 바람직하게는 1000 ∼ 20000 이다. 상기 질량 평균 분자량이 500 ∼ 40000 이면, 상기 폴리실록산과 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카와의 상용성이 보다 양호해지기 쉽다.The mass average molecular weight of polysiloxane represented by the said General formula (1) is not specifically limited unless the effect of this invention is impaired, Preferably it is 500-40000, More preferably, it is 1000-20000. When the said mass average molecular weight is 500-40000, compatibility with the said polysiloxane and the silica whose average particle diameter is 10-50 nm becomes more favorable more easily.
또한, 본 명세서에 있어서, 질량 평균 분자량이란, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정된 표준 폴리스티렌 환산인 것을 말한다.In addition, in this specification, a mass average molecular weight means that it is standard polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).
상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산은, 예를 들어, 첨자 p, q, 또는 r 이 붙은 각 구조 단위에 대응하는 알콕시실란끼리를, 산 촉매, 물, 및 유기 용제의 존재하에서 가수 분해 및 탈수 축합시키는 방법으로 조제할 수 있다.The polysiloxane represented by the said General formula (1) is hydrolyzed and dehydrated, for example in the presence of an acid catalyst, water, and organic solvent by the alkoxysilanes corresponding to each structural unit to which the subscript p, q, or r is attached. It can be prepared by the method of condensing.
[평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카][Silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm]
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산과 함께, 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카를 함유함으로써, 크랙 내성이 우수한 실리카계 피막을 부여한다. 상기 실리카는 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 평균 입자직경은 레이저 회절 산란식 입도 분포계로 측정할 수 있다.The composition for forming a silica-based film according to the present invention contains silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm together with the polysiloxane represented by the general formula (1), thereby providing a silica-based film excellent in crack resistance. The silica may be used alone or in combination of two or more. In addition, the average particle diameter can be measured with a laser diffraction scattering type particle size distribution meter.
상기 실리카로는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 상기 실리카의 제조 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 물, 유기 용제, 및 촉매의 존재하에서 1 종 또는 2 종 이상의 알콕시실란을 가수 분해 및 탈수 축합시킴으로써, 상기 실리카를 얻을 수 있다.As said silica, a conventionally well-known thing can be used. It does not specifically limit as a manufacturing method of the said silica, A conventionally well-known method is employable. Specifically, for example, the silica can be obtained by hydrolysis and dehydration condensation of one or two or more alkoxysilanes in the presence of water, an organic solvent, and a catalyst.
상기 실리카의 표면은 미처리여도, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 등을 갖는 실란 커플링제 등의 표면 처리제로 처리되어 있어도 된다. 상기 실리카의 표면은 미처리인 경우 수산기를 갖는다. 한편, 상기 실리카의 표면은 표면 처리제로 처리되어 있는 경우, 표면 처리제의 종류에 따라, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 등의 관능기를 갖는다.Even if the surface of the said silica is untreated, it may be processed with surface treatment agents, such as a silane coupling agent which has an acryloyl group, a methacryloyl group, etc. When the surface of the silica is untreated, it has a hydroxyl group. On the other hand, when the surface of the silica is treated with a surface treatment agent, it has a functional group such as an acryloyl group or a methacryloyl group depending on the type of the surface treatment agent.
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물에 있어서, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산과 상기 실리카의 질량비는 80/20 ∼ 35/65 인 것이 바람직하고, 80/20 ∼ 50/50 인 것이 보다 바람직하다. 상기 질량비가 80/20 ∼ 35/65 이면, 얻어지는 실리카계 피막은 투명성 및 크랙 내성이 우수한 것이 되기 쉽다.In the composition for forming a silica-based film according to the present invention, the mass ratio of the polysiloxane represented by the general formula (1) to the silica is preferably 80/20 to 35/65, more preferably 80/20 to 50/50 desirable. When the mass ratio is 80/20 to 35/65, the resulting silica-based coating film tends to be excellent in transparency and crack resistance.
[유기 용제][Organic solvent]
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 유기 용제를 함유해도 된다. 유기 용제를 함유하는 것에 의해, 실리카계 피막 형성용 조성물의 도포성이나, 실리카계 피막 형성용 조성물로부터 제조되는 실리카계 피막의 막 두께를 조정하기 쉬워진다. 유기 용제는 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The composition for forming a silica-based film according to the present invention may contain an organic solvent. By containing an organic solvent, it becomes easy to adjust the applicability|paintability of the composition for silica-type film formation, and the film thickness of the silica-type film manufactured from the composition for silica-type film formation. Organic solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.
유기 용제로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 (IPA), 부탄올 등의 알코올류 ; 아세톤, 디에틸케톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류 ; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르류 ; 프로필렌글리콜, 글리세린, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올 ; 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르류 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올 (솔 피트) 등의 모노에테르계 글리콜류 ; 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 고리형 에테르류 ; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트 (MBA), 에틸디글리콜아세테이트 (EDGAC) 등의 에테르계 에스테르류를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an organic solvent, For example, Alcohol, such as methanol, ethanol, isopropanol (IPA), and a butanol; Ketones, such as acetone, diethyl ketone, and methyl ethyl ketone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, and butyl acetate; polyhydric alcohols such as propylene glycol, glycerin, and dipropylene glycol; ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, and propylene glycol diethyl ether; Monomethyl ether, such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, 3-methoxy-3-methyl-1- butanol (sol pit) ether glycols; Cyclic ethers, such as tetrahydrofuran and a dioxane; and ether-based esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate (MBA), and ethyl diglycol acetate (EDGAC).
유기 용제의 함유량은 실리카계 피막 형성용 조성물의 고형분 농도가 바람직하게는 5 ∼ 40 질량%, 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량% 가 되는 양이다.The content of the organic solvent is such that the solid content concentration of the composition for forming a silica-based film is preferably 5 to 40 mass%, more preferably 10 to 30 mass%.
[계면활성제][Surfactants]
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은 계면활성제를 함유해도 된다. 계면활성제를 함유하는 것에 의해, 실리카계 피막 형성용 조성물의 도포성, 평탄화성, 및 전개성이 향상되기 쉬워져, 도포 후에 형성되는 조성물층의 도포 불균일의 발생이 감소되기 쉬워진다. 계면활성제로는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 실리콘계의 계면활성제가 바람직하다. 또, 계면활성제의 함유량은 실리카계 피막 형성용 조성물 전체에 대해 바람직하게는 10 ∼ 10000 질량ppm, 보다 바람직하게는 100 ∼ 10000 질량ppm, 더욱 더 바람직하게는 500 ∼ 5000 질량ppm 의 범위이다. 계면활성제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The composition for forming a silica-based film according to the present invention may contain a surfactant. By containing a surfactant, the applicability|paintability, planarization property, and developability of the composition for silica-type film formation are improved easily, and generation|occurrence|production of the coating unevenness of the composition layer formed after application|coating becomes easy to reduce. As surfactant, a conventionally well-known thing can be used and a silicone type surfactant is preferable. The content of the surfactant is preferably 10 to 10000 mass ppm, more preferably 100 to 10000 mass ppm, and still more preferably 500 to 5000 mass ppm with respect to the entire composition for forming a silica-based film. Surfactant may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
[그 밖의 성분][Other Ingredients]
본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물은, 상기 실리카계 피막 형성용 조성물의 점도 등의 특성을 조정하기 위해서, 필요에 따라, 공지된 점도 조정제 등의 첨가제를 함유해도 된다.The composition for forming a silica-based film according to the present invention may contain additives such as known viscosity modifiers as necessary in order to adjust properties such as viscosity of the composition for forming a silica-based film.
<실리카계 피막의 제조 방법><Method for producing a silica-based coating film>
본 발명에 관련된 실리카계 피막의 제조 방법은 본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물로 이루어지는 조성물층을 기판 상에 형성하는 조성물층 형성 공정과, 상기 조성물층을 소성하는 소성 공정을 포함한다. 이하, 도 1(A) ∼ 도 1(D) 를 참조하여, 실리카계 피막의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 1(A) ∼ 도 1(D) 는 본 발명의 실시형태에 관련된 실리카계 피막의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면 모식도이다.The method for producing a silica-based film according to the present invention includes a composition layer forming step of forming a composition layer comprising the composition for forming a silica-based film according to the present invention on a substrate, and a firing step of firing the composition layer. Hereinafter, with reference to FIG.1(A) - FIG.1(D), the manufacturing method of a silica-based film is demonstrated. 1(A) to 1(D) are schematic cross-sectional views for explaining a method for producing a silica-based coating film according to an embodiment of the present invention.
먼저, 도 1(A) 에 나타내는 바와 같이, 광디바이스 (1) 가 탑재된 기판 (2) 을 준비한다. 광디바이스 (1) 는, 예를 들어, LED (발광 다이오드) 나 유기 EL 등이다. 기판 (2) 은, 예를 들어, 이면측 보호층 등이다. 또한, 기판 (2) 은 광디바이스 (1) 의 수광면측 또는 발광면측에 적층되는 표면측 보호층 등이어도 된다. 또, 기판 (2) 에는 태양 전지 등이 탑재되어 있어도 된다.First, as shown in Fig. 1A, the
다음으로, 도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 광디바이스 (1) 가 탑재된 측의 기판 (2) 의 표면에, 본 발명에 관련된 실리카계 피막 형성용 조성물을 도포하여, 조성물층 (3) 을 형성한다. 실리카계 피막 형성용 조성물의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 주지된 방법을 채용할 수 있다. 이로써, 광디바이스 (1) 가 조성물층 (3) 에서 피복된다.Next, as shown in FIG. 1(B), the composition for forming a silica-based film according to the present invention is applied to the surface of the
다음으로, 도 1(C) 에 나타내는 바와 같이, 조성물층 (3) 이 적층된 기판 (2) 을 전기로 등의 가열로 (4) 내에 재치 (載置) 하고, 조성물층 (3) 을 소성한다. 그 결과, 도 1(D) 에 나타내는 바와 같이, 실리카계 피막 형성용 조성물이 열경화되어, 기판 (2) 의 표면에 실리카계 피막 (5) 이 형성된다. 광디바이스 (1) 는 실리카계 피막 (5) 에 의해 밀봉된다. 소성 온도로는, 예를 들어, 500 ℃ 이상의 온도를 들 수 있고, 580 ℃ 이상의 온도가 바람직하다. 실리카계 피막 형성용 조성물의 소성 온도를 500 ℃ 이상으로 함으로써, 실리카계 피막 (5) 의 열화 원인이 될 수 있는 불순물을 효과적으로 연소 제거할 수 있기 때문에, 실리카계 피막 (5) 의 내구성이 향상되어, 실리카계 피막 (5) 을 보호막으로서 바람직하게 사용할 수 있다.Next, as shown in FIG.1(C), the board|
이상의 공정에 의해 실리카계 피막을 제조할 수 있다. 이와 같이 하여 제조된 실리카계 피막은 투명성, 크랙 내성, 및 평탄성이 우수하다.The silica-based coating film can be manufactured by the above process. The silica-based film produced in this way is excellent in transparency, crack resistance, and flatness.
실시예Example
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these Examples.
[실시예 1 ∼ 35 및 비교예 1 ∼ 15][Examples 1-35 and Comparative Examples 1-15]
(실리카계 피막 형성용 조성물의 조제)(Preparation of a composition for forming a silica-based film)
표 1 ∼ 5 에 나타내는 바와 같이, 소정 질량비의 폴리머 및 실리카를 용제 중에서 혼합하여, 고형분 농도 18 질량% 의 실리카계 피막 형성용 조성물을 조제하였다.As shown in Tables 1 to 5, a polymer and silica having a predetermined mass ratio were mixed in a solvent to prepare a composition for forming a silica-based film having a solid content concentration of 18 mass%.
표 1 ∼ 5 에 있어서의 각 성분의 상세는 하기와 같다. 또한, 유기기 함유량이란, 폴리머에 대한 메틸기 또는 에틸기의 함유량을 말한다.The detail of each component in Tables 1-5 is as follows. In addition, organic group content means content of the methyl group with respect to a polymer, or an ethyl group.
폴리머 A : 하기 식으로 나타내는 폴리머 (유기기 함유량 = 20.6 질량%)Polymer A: A polymer represented by the following formula (organic group content = 20.6 mass%)
[화학식 2][Formula 2]
(식 중, 첨자 p1, q1, 및 r1 은 폴리머 A 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, p1 = 54.5 몰%, q1 = 18.2 몰%, r1 = 27.3 몰% 이다)(Wherein, the subscripts p1, q1, and r1 represent the molar percentage of the structural unit with the subscript relative to the total structural units in the polymer A, and p1 = 54.5 mol%, q1 = 18.2 mol%, r1 = 27.3 mol% )
폴리머 B : 하기 식으로 나타내는 폴리머 (유기기 함유량 = 16.2 질량%)Polymer B: A polymer represented by the following formula (organic group content = 16.2 mass%)
[화학식 3][Formula 3]
(식 중, 첨자 p2 및 r2 는 폴리머 B 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, p2 = 70 몰%, r2 = 30 몰% 이다)(Wherein, the subscripts p2 and r2 represent the molar percentage of the structural unit with the subscript relative to the total structural units in the polymer B, p2 = 70 mol%, r2 = 30 mol%)
폴리머 C : 하기 식으로 나타내는 폴리머Polymer C: A polymer represented by the following formula
[화학식 4][Formula 4]
(식 중, 첨자 n1 은 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 반복수를 나타낸다)(wherein, the subscript n1 represents the number of repetitions of the structural unit to which the subscript is attached)
폴리머 D : 하기 식으로 나타내는 폴리머Polymer D: A polymer represented by the following formula
[화학식 5][Formula 5]
(식 중, 첨자 n2 는 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 반복수를 나타낸다)(Wherein, the subscript n2 represents the number of repetitions of the structural unit to which the subscript is attached.)
폴리머 E : 하기 식으로 나타내는 폴리머 (유기기 함유량 = 27.7 질량%)Polymer E: Polymer represented by the following formula (organic group content = 27.7 mass%)
[화학식 6][Formula 6]
(식 중, 첨자 p3, q3, 및 r3 은 폴리머 E 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, p3 = 54.5 몰%, q3 = 36.4 몰%, r3 = 9.1 몰% 이다)(Wherein, the subscripts p3, q3, and r3 represent the molar percentage of the structural unit with the subscript relative to the total structural unit in the polymer E, p3 = 54.5 mol%, q3 = 36.4 mol%, r3 = 9.1 mol% )
폴리머 F : 하기 식으로 나타내는 폴리머 (유기기 함유량 = 11.8 질량%)Polymer F: Polymer represented by the following formula (organic group content = 11.8 mass%)
[화학식 7][Formula 7]
(식 중, 첨자 p4 및 r4 는 폴리머 F 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, p4 = 50 몰%, r4 = 50 몰% 이다)(Wherein, the subscripts p4 and r4 represent the molar percentage of the structural unit with the subscript relative to the total structural units in the polymer F, and p4 = 50 mol%, r4 = 50 mol%)
폴리머 G (유기기 함유량 = 22.8 질량%)Polymer G (organic group content = 22.8 mass%)
[화학식 8][Formula 8]
(식 중, 첨자 p5 및 r5 는 폴리머 G 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, p5 = 50 몰%, r5 = 50 몰% 이다)(Wherein, the subscripts p5 and r5 represent the molar percentage of the structural unit with the subscript relative to the total structural units in the polymer G, p5 = 50 mol%, r5 = 50 mol%)
실리카 A : 미처리의 실리카 (말단기 : 수산기, 평균 입자직경 : 12, 25, 또는 45 ㎚)Silica A: Untreated silica (terminal group: hydroxyl group, average particle diameter: 12, 25, or 45 nm)
실리카 B : 표면 처리를 실시한 실리카 (말단기 : 메타크릴로일옥시기, 평균 입자직경 : 10, 50, 또는 100 ㎚)Silica B: surface-treated silica (terminal group: methacryloyloxy group, average particle diameter: 10, 50, or 100 nm)
용제 A : 3-메톡시부틸아세테이트Solvent A: 3-methoxybutyl acetate
용제 B : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트Solvent B: propylene glycol monomethyl ether acetate
용제 C : 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올Solvent C: 3-methoxy-3-methyl-1-butanol
용제 D : 이소프로판올Solvent D: isopropanol
용제 E : 에틸디글리콜아세테이트Solvent E: ethyl diglycol acetate
(상용성 평가)(Compatibility evaluation)
조제된 실리카계 피막 형성용 조성물을 육안으로 관찰하고, 이하의 기준으로 상용성을 평가하였다. 결과를 표 1 ∼ 5 에 나타낸다.The prepared composition for forming a silica-based film was visually observed, and compatibility was evaluated based on the following criteria. A result is shown to Tables 1-5.
양호 (◎) : 실리카계 피막 형성용 조성물은 투명하고, 이 조성물 중에 석출물은 관찰되지 않았다.Good (double-circle): The composition for forming a silica-based film was transparent, and no precipitate was observed in this composition.
약간 양호 (○) : 실리카계 피막 형성용 조성물은 백탁되어 있었지만, 이 조성물 중에 석출물은 관찰되지 않았다.Slightly good (circle): The composition for forming a silica-based film was cloudy, but no precipitate was observed in this composition.
불량 (×) : 실리카계 피막 형성용 조성물 중에 석출물이 관찰되었다.Defect (x): A precipitate was observed in the composition for forming a silica-based film.
(실리카계 피막의 제조)(Manufacture of silica-based film)
조제된 실리카계 피막 형성용 조성물을, 스핀 코터 (상품명 : Opticoat MS-A150, 미카사 주식회사 제조) 를 사용하여 샘플 기판 상에, 최종 막 두께가 0.5 ∼ 5.0 ㎛ 가 되도록 도포하였다. 다음으로, 샘플을 핫 플레이트 상에 재치하고, 80 ℃ 에서 5 분간, 이어서, 130 ℃ 에서 5 분간 프리베이크 처리를 실시하였다. 그 후, 종형 베이크로 (상품명 : TS8000MB, 도쿄 오카 공업 주식회사 제조) 로 N2 중, 500 ℃ 에서 30 분간 소성하는 것에 의하거나, 또는, 머플로 (상품명 : Muffle Furnace FP-41, 야마토 과학 주식회사 제조) 로 N2 중, 580 ℃ 에서 10 분간 소성하는 것에 의해, 열경화시켜 실리카계 피막을 얻었다.The prepared composition for forming a silica-based film was applied onto a sample substrate using a spin coater (trade name: Opticoat MS-A150, manufactured by Mikasa Corporation) so that the final film thickness was 0.5 to 5.0 µm. Next, the sample was mounted on the hotplate, and the prebaking process was performed at 80 degreeC for 5 minute(s), then, at 130 degreeC for 5 minute(s). Thereafter, either by calcining in a vertical bake furnace (trade name: TS8000MB, manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.) in N 2 at 500°C for 30 minutes, or in a muffle furnace (trade name: Muffle Furnace FP-41, manufactured by Yamato Science Co., Ltd.) ) to N 2 of, by firing at 580 ℃ for 10 minutes, and heat cured to obtain a silica-based coating film.
(크랙 내성 평가)(Evaluation of crack resistance)
얻어진 실리카계 피막에 대해, 광학 현미경 관찰로 크랙의 유무를 확인하고, 크랙 한계 막 두께 (즉, 크랙을 발생시키지 않고 실리카계 피막을 막형성할 수 있는 최대 막 두께) 를 표면 형상 측정 장치 (상품명 : Dektak 3ST, 알박사 제조) 로 측정하였다. 결과를 표 1 ∼ 5 에 나타낸다.For the obtained silica-based coating film, the presence or absence of cracks was confirmed by optical microscopy, and the crack limit film thickness (that is, the maximum film thickness at which a silica-based coating film can be formed without generating cracks) was measured with a surface shape measuring device (brand name). : Dektak 3ST, manufactured by ALVAK) was used. A result is shown to Tables 1-5.
(평탄성 평가)(Evaluation of flatness)
크랙 내성 평가에 있어서 크랙 한계 막 두께를 측정함과 동시에, 상기 표면 형상 측정 장치로 실리카계 피막의 표면 조도 (Ra) 를 측정하였다. 결과를 표 1 ∼ 5 에 나타낸다.In the crack resistance evaluation, the crack limit film thickness was measured and the surface roughness (Ra) of the silica-based coating film was measured with the above-mentioned surface shape measuring device. A result is shown to Tables 1-5.
(투명성 평가)(Transparency evaluation)
크랙 한계 막 두께를 갖는 실리카계 피막에 대해, 광 투과율을 측정하였다. 광 투과율의 측정은 분광 광도계 (상품명 : MCPD-3000, 오오츠카 전자 주식회사 제조) 를 사용하여 실시하였다. 400 ∼ 800 ㎚ 의 어느 파장에 있어서도 광 투과율이 95 % 이상인 경우를 양호 (◎) 하다고 하고, 400 ∼ 800 ㎚ 중 어느 것의 파장에 있어서 광 투과율이 95 % 미만인 경우를 불량 (×) 하다고 하였다. 결과를 표 1 ∼ 5 에 나타낸다.For the silica-based coating having a crack limit film thickness, the light transmittance was measured. The light transmittance was measured using a spectrophotometer (trade name: MCPD-3000, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). In any wavelength of 400 to 800 nm, the case where the light transmittance was 95% or more was considered good (double-circle), and the case where the light transmittance was less than 95% at any wavelength of 400 to 800 nm was regarded as poor (x). A result is shown to Tables 1-5.
표 1 ∼ 5 에 나타내는 바와 같이, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리실록산인 폴리머 A, B 또는 E ∼ G 와, 평균 입자직경이 10 ∼ 50 ㎚ 인 실리카를 함유하는 실시예의 실리카계 피막 형성용 조성물은 성분끼리의 상용성이 우수하고, 또한, 소성에 의해 투명성, 크랙 내성, 및 평탄성이 양호한 실리카계 피막을 부여하였다. 이것에 대해, 유기기로서 페닐기를 갖는 폴리머 C 를 사용한 비교예 1 ∼ 4 또는 6 ∼ 9 의 조성물은, 성분끼리의 상용성이 열등하거나, 성분끼리의 상용성이 우수해도, 소성에 의해 투명성이 열등한 실리카계 피막을 부여하였다. 폴리머 D 를 사용한 비교예 5 의 조성물을 소성하여 얻어진 실리카계 피막은, 크랙 한계 막 두께가 0.5 ㎛ 로, 크랙 내성이 열등하였다. 폴리머 (폴리실록산) 와 실리카의 질량비가 100/0 인 비교예 10 의 조성물을 소성하여 얻어진 실리카계 피막은, 크랙 한계 막 두께가 0.5 ㎛ 로, 크랙 내성이 열등하였다. 폴리머 (폴리실록산) 와 실리카의 질량비가 20/80 인 비교예 11 의 조성물은 소성에 의해 투명성이 열등한 실리카계 피막을 부여하였다. 폴리머 (폴리실록산) 와 실리카의 질량비가 0/100 인 비교예 12 의 조성물은 막형성되지 않았다. 평균 입자직경이 100 ㎚ 인 실리카를 사용한 비교예 13 ∼ 15 의 조성물을 소성하여 얻어진 실리카계 피막은 Ra 가 200 Å 를 초과하였고, 평탄성이 열등하였다.As shown in Tables 1 to 5, the composition for forming a silica-based film according to an embodiment containing polymers A, B, or E to G, which are polysiloxanes represented by the general formula (1), and silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm. It was excellent in compatibility with silver components, and also provided the silica-type film with favorable transparency, crack resistance, and flatness by baking. On the other hand, the compositions of Comparative Examples 1 to 4 or 6 to 9 using the polymer C having a phenyl group as an organic group have poor compatibility between components or excellent compatibility between components, but have poor transparency due to firing. An inferior silica-based coating was provided. The silica-based film obtained by calcining the composition of Comparative Example 5 using polymer D had a crack limiting film thickness of 0.5 µm and was inferior in crack resistance. The silica-based film obtained by calcining the composition of Comparative Example 10 in which the mass ratio of the polymer (polysiloxane) to the silica was 100/0 had a crack limiting film thickness of 0.5 µm and was inferior in crack resistance. The composition of Comparative Example 11 in which the mass ratio of polymer (polysiloxane) to silica was 20/80 gave a silica-based coating film having poor transparency by calcination. The composition of Comparative Example 12 in which the mass ratio of polymer (polysiloxane) to silica was 0/100 did not form a film. The silica-based coating films obtained by calcining the compositions of Comparative Examples 13 to 15 using silica having an average particle diameter of 100 nm had an Ra of more than 200 Å and were inferior in flatness.
1 : 광디바이스
2 : 기판
3 : 조성물층
4 : 가열로
5 : 실리카계 피막1: Optical device
2: substrate
3: composition layer
4: heating furnace
5: Silica-based film
Claims (6)
상기 실리카계 투명 봉지 피막 형성용 조성물을 0.5 ~ 5.0 ㎛ 의 최종 막두께가 되도록 기판 상에 도포하고 프리베이크한 후, 하기 소성 조건 1 에 의해 얻어지는 소성 피막 및 하기 소성 조건 2 에 의해 얻어지는 소성 피막의 각각에 대해, 400 ~ 800 ㎚ 의 어느 파장에 있어서도 광 투과율이 95 % 이상인 실리카계 투명 봉지 피막 형성용 조성물.
소성 조건 1 : N2 중에서 500 ℃ 에서 30 분간 소성한다
소성 조건 2 : N2 중에서 580 ℃ 에서 10 분간 소성한다
[화학식 1]
(식 중, R1 ∼ R3 은 독립적으로 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, 첨자 p, q 및 r 은 상기 폴리실록산 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, 각각 p > 0 몰%, q > 0 몰%, r > 0 몰% 를 만족하고, 단, p, q 및 r 의 합계는 100 몰% 이고, 상기 폴리실록산에 대한 R1 ∼ R3 의 합계의 함유량은 10 ∼ 30 질량% 이다)A composition for forming a silica-based transparent encapsulation film comprising a polysiloxane represented by the following general formula (1) and silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm, wherein the polysiloxane is The mass ratio is 35 to 80%,
After applying the silica-based transparent encapsulation film-forming composition to a final film thickness of 0.5 to 5.0 μm on a substrate and pre-baking, the fired film obtained under the firing condition 1 and the fired film obtained under the firing condition 2 For each, the composition for forming a silica-based transparent sealing film having a light transmittance of 95% or more at any wavelength of 400 to 800 nm.
Firing conditions 1: Firing in N 2 at 500°C for 30 minutes
Firing condition 2: Firing in N 2 at 580°C for 10 minutes
[Formula 1]
(Wherein, R 1 to R 3 independently represent a methyl group or an ethyl group, and the subscripts p, q and r represent the molar percentage of the structural units with the subscripts relative to the total structural units in the polysiloxane, respectively, p > 0 mol %, q>0 mol%, r>0 mol%, provided that the sum of p, q and r is 100 mol%, and the content of the total of R 1 to R 3 with respect to the polysiloxane is 10 to 30 mass % to be)
R1 ∼ R3 이 메틸기인 실리카계 투명 봉지 피막 형성용 조성물.The method of claim 1,
A composition for forming a silica-based transparent sealing film, wherein R 1 to R 3 are a methyl group.
[화학식 2]
(식 중, R1 ~ R3 은 독립적으로 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, 첨자 p, q 및 r 은 상기 폴리실록산 중의 전체 구조 단위에 대한 상기 첨자가 붙은 구조 단위의 몰 백분율을 나타내고, 각각 p 는 40 ~ 60 몰% (단 60 몰% 를 제외한다), q 는 10 ~ 50 몰%, r > 0 몰% 를 만족하고, 단, p, q, 및 r 의 합계는 100 몰% 이고, 상기 폴리실록산에 대한 R1 ~ R3 의 합계의 함유량은 10 ~ 30 질량% 이다)A composition for forming a silica-based film comprising a polysiloxane represented by the following general formula (1) and silica having an average particle diameter of 10 to 50 nm, wherein the mass ratio of the polysiloxane to the total of the polysiloxane and the silica is 35 to 80% A composition for forming a silica-based film.
[Formula 2]
(Wherein, R 1 to R 3 independently represent a methyl group or an ethyl group, and the subscripts p, q and r represent the molar percentage of the subscripted structural units relative to the total structural units in the polysiloxane, and each p is 40 to 60 mol% (except for 60 mol%), q satisfies 10-50 mol%, r > 0 mol%, provided that the sum of p, q, and r is 100 mol%, with respect to the polysiloxane The total content of R 1 to R 3 is 10 to 30 mass%)
R1 ∼ R3 이 메틸기인 실리카계 피막 형성용 조성물.4. The method of claim 3,
A composition for forming a silica-based film, wherein R 1 to R 3 are a methyl group.
상기 조성물층을 소성하는 소성 공정을 포함하는, 실리카계 피막의 제조 방법.A composition layer forming step of forming a composition layer comprising the composition for forming a silica-based transparent sealing film according to claim 1 or 2 on a substrate;
A method for producing a silica-based coating film, comprising a firing step of firing the composition layer.
상기 조성물층을 소성하는 소성 공정을 포함하는, 실리카계 피막의 제조 방법.A composition layer forming step of forming a composition layer comprising the composition for forming a silica-based film according to claim 3 or 4 on a substrate;
A method for producing a silica-based coating film, comprising a firing step of firing the composition layer.
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