KR102276001B1 - Substrate treating apparatus and supporting unit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판에 대해 공정을 처리하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 몸체 및 상기 몸체에서 상부로 돌출되어 상기 기판의 측면을 지지하는 척 핀을 갖는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 척 핀은, 상기 기판의 측면을 지지하는 기판 지지부 및 상기 기판 지지부의 상부에 결합되는 헤드부를 포함하되, 상기 헤드부는 상부에서 바라볼 때 그 하단부가 상기 기판 지지부를 포함하도록 하향 경사지게 제공되어, 상기 처리액이 분사된 상기 기판이 회전될 때 상기 처리액의 비산각을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing that provides a space for processing a substrate therein, a body that supports and rotates a substrate in the housing, and a body that protrudes upward from the body to remove the substrate from the substrate. A spin head having a chuck pin supporting a side surface thereof, and an injection unit dispensing a processing solution to a substrate placed on the spin head, wherein the chuck pin includes a substrate support portion supporting a side surface of the substrate and an upper portion of the substrate support portion Including a head unit coupled to the, when viewed from the top, the lower end of the head unit is provided to be inclined downward to include the substrate support part, so as to control the scattering angle of the processing liquid when the substrate on which the processing liquid is sprayed is rotated. can do.

Description

기판 처리 장치 및 지지 유닛{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUPPORTING UNIT}SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUPPORTING UNIT

본 발명은 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit and a substrate processing apparatus having the same.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 때, 각각의 공정에 따라 기판 상에 서로 상이한 처리액들을 공급하여 공정을 처리한다. 기판은 스핀 헤드에 지지되어 회전되며 공정이 진행되고, 스핀 헤드를 감싸는 회수통들로 처리액에 의한 외부 오염을 방지한다. 이 때, 기판이 회전됨에 따라 처리액이 비산되나, 고속 공정이 진행되거나 척핀의 형상에 따라 처리액의 비산각이 증가한다. 이에 따라, 후속 공정에 사용되는 주변 회수통들을 오염시킬 수 있고, 잔류하는 처리액이 파티클로 작용할 수 있다. 이에 따라, 공정 효율이 낮아지게 된다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on a substrate. At this time, the process is processed by supplying different treatment liquids on the substrate according to each process. The substrate is supported and rotated by the spin head, and the process is carried out, and the recovery barrels surrounding the spin head prevent external contamination by the treatment solution. At this time, the processing liquid scatters as the substrate is rotated, but the scattering angle of the processing liquid increases according to a high-speed process or the shape of the chuck pin. Accordingly, the surrounding recovery tanks used in the subsequent process may be contaminated, and the remaining treatment liquid may act as particles. Accordingly, the process efficiency is lowered.

본 발명은 처리액의 비산각을 제어하여 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 공급하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving cleaning efficiency by controlling the scattering angle of a processing liquid.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판에 대해 공정을 처리하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 몸체 및 상기 몸체에서 상부로 돌출되어 상기 기판의 측면을 지지하는 척 핀을 갖는 스핀헤드, 그리고 상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 척 핀은, 상기 기판의 측면을 지지하는 기판 지지부 및 상기 기판 지지부의 상부에 결합되는 헤드부를 포함하되, 상기 헤드부는 상부에서 바라볼 때 그 하단부가 상기 기판 지지부를 포함하도록 하향 경사지게 제공되어, 상기 처리액이 분사된 상기 기판이 회전될 때 상기 처리액의 비산각을 제어할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing that provides a space for processing a substrate therein, a body that supports and rotates a substrate in the housing, and a body that protrudes upward from the body to remove the substrate from the substrate. A spin head having a chuck pin supporting a side surface thereof, and an injection unit dispensing a processing solution to a substrate placed on the spin head, wherein the chuck pin includes a substrate support portion supporting a side surface of the substrate and an upper portion of the substrate support portion Including a head unit coupled to the, when viewed from the top, the lower end of the head unit is provided to be inclined downward to include the substrate support part, so as to control the scattering angle of the processing liquid when the substrate on which the processing liquid is sprayed is rotated. can do.

상기 헤드부는 상부에서 바라볼 때 그 하단부가 상기 기판 지지부를 포함하도록 하향 경사지게 제공되도록 결합되는 헤드 커버를 포함할 수 있다.The head part may include a head cover coupled to be inclined downward so that the lower end thereof includes the substrate support part when viewed from the top.

상기 헤드 커버는 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇아질 수 있다.The thickness of the head cover may decrease from the top to the bottom.

상기 척 핀은, 상기 기판 지지부의 하부에 결합되는 지지부 및 상기 지지부의 하부에 결합되고 상기 몸체 내 삽입되어 상기 척 핀을 고정시키는 고정부를 더 포함할 수 있다.The chuck pin may further include a support portion coupled to a lower portion of the substrate support portion and a fixing portion coupled to a lower portion of the support portion and inserted into the body to fix the chuck pin.

상기 척 핀은 복수 개 제공될 수 있다.A plurality of chuck pins may be provided.

상기 공정은 세정 공정이고, 상기 처리액은 세정액일 수 있다.The process may be a cleaning process, and the treatment liquid may be a cleaning liquid.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리액의 비산각을 제어하여, 공정 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus with improved process efficiency by controlling the scattering angle of the processing liquid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1는 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 종래의 일반적인 척핀에 따른 기판 처리 과정을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 척핀을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 척핀을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 척핀이 몸체에 결합된 것을 보여주는 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 척핀을 보여주는 도면이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 척핀을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 4의 척핀이 공정을 수행하는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
3 is a view showing a substrate processing process according to a conventional general chuck pin.
4 is a view showing a chuck pin according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing the chuck pin of FIG. 4 .
6 is a cross-sectional view illustrating that the chuck pin of FIG. 4 is coupled to the body.
7 is a view illustrating a chuck pin according to another exemplary embodiment.
8 is a view showing a chuck pin according to another embodiment.
9 is a view illustrating a process in which the chuck pin of FIG. 4 performs a process.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9 .

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility 1 includes an index module 10 and a process processing module 20 . The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140 . The load port 120 , the transfer frame 140 , and the process processing module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120 , the transfer frame 140 , and the process treatment module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 , and when viewed from the top, is perpendicular to the first direction 12 . The direction is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to a plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is seated on the load port 140 . A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14 . The number of load ports 120 may increase or decrease according to process efficiency and footprint conditions of the process processing module 20 . A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W in a horizontally arranged state with respect to the ground. As the carrier 130 , a Front Opening Unifed Pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 includes a buffer unit 220 , a transfer chamber 240 , and a process chamber 260 . The transfer chamber 240 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction (12). Process chambers 260 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 240 . At one side and the other side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 . A plurality of process chambers 260 are provided at one side of the transfer chamber 240 . Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240 . In addition, some of the process chambers 260 are disposed to be stacked on each other. That is, at one side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 may be arranged in an A×B arrangement. Here, A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12 , and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16 . When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 , the process chambers 260 may be arranged in an arrangement of 2 X 2 or 3 X 2 . The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240 . In addition, the process chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240 .

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240 . The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 . A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided in the buffer unit 220 . A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16 . The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220 . The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . The index rail 142 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14 . The index robot 144 is installed on the index rail 142 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 142 . The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142 . The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 . Some of the index arms 144c are used when transferring the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 130 , and the other part of the index arms 144c is used for transferring the substrate W from the carrier 130 to the process processing module 20 . ) can be used to return This may prevent particles generated from the substrate W before the process from adhering to the substrate W after the process in the process of the index robot 144 loading and unloading the substrate W.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260 . A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240 . The guide rail 242 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242 . The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242 . The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked apart from each other in the third direction 16 .

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. A substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided in the process chamber 260 . The substrate processing apparatus 300 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses 300 in the process chamber 260 belonging to the same group are identical to each other and the substrate processing apparatuses in the process chambers 260 belonging to different groups. The structure of 300 may be provided differently from each other.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사 유닛(380)을 가진다. 하우징(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 가지며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324, 326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(324a), 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)의 상단부에는 경사벽(322c,324c,326c)이 제공된다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus 300 includes a housing 320 , a spin head 340 , a lifting unit 360 , and a spray unit 380 . The housing 320 has a space in which a substrate processing process is performed, and an upper portion thereof is opened. The housing 320 has an internal recovery container 322 , an intermediate recovery container 324 , and an external recovery container 326 . Each of the recovery tubes 322 , 324 , and 326 recovers different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery container 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 , and the intermediate recovery container 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery container 322 , and the external recovery container 326 . ) is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery container 324 . The inner space 322a of the internal recovery container 322, the space 324a between the internal recovery container 322 and the intermediate recovery container 324, and the space between the intermediate recovery container 324 and the external recovery container 326 ( 326a) functions as an inlet through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 322 , the intermediate recovery container 324 , and the external recovery container 326 , respectively. Recovery lines 322b, 324b, and 326b extending vertically downwards are connected to each of the recovery barrels 322, 324, and 326. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the treatment liquid introduced through the respective recovery tanks 322, 324, and 326. The discharged treatment liquid may be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown). Inclined walls 322c, 324c, and 326c are provided at upper ends of each of the collecting troughs 322, 324, and 326.

스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342 , a support pin 344 , a chuck pin 346 , and a support shaft 348 . Body 342 has a top surface that is provided as a generally circular shape when viewed from above. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342 .

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are disposed to be spaced apart from each other at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342 . The support pins 344 are arranged to have an annular ring shape as a whole by combination with each other. The support pin 344 supports the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a predetermined distance from the upper surface of the body 342 .

척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 복수 개 제공될 수 있다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342 . The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally separated from the original position when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is disposed farther from the center of the body 342 than the support pin 344 . A plurality of chuck pins 346 may be provided. The chuck pin 346 is provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 342 . The standby position is a position farther from the center of the body 342 than the support position. When the substrate W is loaded or unloaded from the spin head 340 , the chuck pin 346 is positioned at a standby position, and when a process is performed on the substrate W, the chuck pin 346 is positioned at a support position. In the supporting position, the chuck pin 346 is in contact with the side of the substrate W.

도 3은 종래의 일반적인 척핀(346)에 따른 기판 처리 과정을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 스핀헤드(340)가 회전되며 공정이 진행될 때, 기판 상의 처리액이 척핀(346)의 상부를 따라 비산된다. 이 때, 척핀(346)의 상부는 원형 또는 다각형 등으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 이와 달리, 척핀(346)의 상부는 경사가 완만하게 제공되는 다른 형상일 수 있다. 스핀헤드(340)가 회전되며 공정을 진행함에 따라, 기판 상의 처리액들이 스핀헤드(340)의 외부로 비산된다. 이 때, 척핀(346)의 상부를 따라, 도 3과 같이, 처리액들의 비산각이 커질 수 있다. 이에 따라, 처리액을 배출하는 회수통의 상부에 배치된 회수통까지 처리액에 의해 오염될 수 있다. 일 예로, 비산되는 처리액들은 중간회수통(324)을 통해 배출될 수 있다. 그러나, 이 때, 비산되는 처리액의 비산각이 커지면, 외부회수통(326)에 영향을 미칠 수 있다. 일 예로, 외부회수통(326)의 경사벽(326c)이 처리액에 의해 오염될 수 있다. 또한, 경사벽(326c)에 잔류하는 처리액이 후속 처리액에 의해 되튈 수 있다. 따라서, 서로 상이한 처리액으로 공정을 진행할 때, 잔류하는 처리액이 기판에 파티클로 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 후속 공정에 영향을 미치고 공정 효율이 감소할 수 있다. 3 is a view showing a substrate processing process according to the conventional general chuck pin (346). Referring to FIG. 3 , when the spin head 340 is rotated and a process is performed, the processing liquid on the substrate is scattered along the upper portion of the chuck pin 346 . In this case, the upper portion of the chuck pin 346 may be provided in a circular shape or a polygonal shape. Alternatively, the upper portion of the chuck pin 346 may be of another shape provided with a gentle slope. As the spin head 340 rotates and the process proceeds, the processing liquid on the substrate scatters to the outside of the spin head 340 . At this time, along the upper portion of the chuck pin 346 , as shown in FIG. 3 , the scattering angle of the processing liquids may be increased. Accordingly, even the recovery container disposed above the recovery container for discharging the treatment liquid may be contaminated by the treatment liquid. As an example, the scattered treatment liquids may be discharged through the intermediate collection container 324 . However, at this time, if the scattering angle of the scattering treatment liquid is increased, it may affect the external collection container 326 . For example, the inclined wall 326c of the external recovery container 326 may be contaminated by the treatment liquid. Also, the treatment liquid remaining on the inclined wall 326c may be rebounded by the subsequent treatment liquid. Therefore, when the process is performed with different treatment liquids, the remaining treatment liquid may affect the substrate as particles. As a result, subsequent processes may be affected and process efficiency may be reduced.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 척핀(346)을 보여주는 도면이다. 도 5는 도 4의 척핀(346)을 보여주는 도면이다. 도 6은 도 4의 척핀(346)이 몸체(342)에 결합된 것을 보여주는 단면도이다. 도 7은 다른 실시예에 따른 척핀(346)을 보여주는 도면이다. 도 8은 또 다른 실시예에 따른 척핀(346)을 보여주는 도면이다. 척핀(346)은 헤드부(346a), 기판 지지부(346b), 지지부(346c), 그리고 고정부(346d)를 가진다. 고정부(346d)는 몸체(342) 내부에 결합된다. 지지부(346c)는 고정부(346d)의 상부에 연결되고, 척핀(346)을 지지한다. 기판 지지부(346b)는 지지부(346c)의 상부에 연결되고, 기판의 측면을 지지한다. 기판 지지부(346b)는 고속 회전에 따른 기판의 이탈을 방지한다. 헤드부(346a)는 기판 지지부(346b)의 상부에 연결된다. 헤드부(346a)는 그 하단부가 기판 지지부(346b)보다 넓은 면적으로 제공된다. 또한, 헤드부(346a)는 하향 경사지게 제공된다. 따라서, 기판 회전 공정시 헤드부(346a)를 통해 처리액이 분사될 때, 처리액의 비산각을 제어할 수 있다. 헤드부(346a)는 헤드 커버(347)를 포함할 수 있다. 헤드 커버(347)는 헤드부(346a)의 상부에 얹혀진 형상으로 제공될 수 있다. 헤드 커버(347)는 상부에서 바라볼 때, 그 하단부가 기판 지지부(346b)를 포함하도록 하향 경사지게 제공된다. 헤드 커버(347)는 소정의 두께를 갖는 플레이트로 제공될 수 있다. 이와 달리, 도 7과 같이, 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇게 제공될 수 있다. 선택적으로, 도 8과 같이, 헤드부(346a)는 단일의 바디로 제공될 수 있다.4 is a view showing a chuck pin 346 according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a view showing the chuck pin 346 of FIG. 4 . 6 is a cross-sectional view illustrating that the chuck pin 346 of FIG. 4 is coupled to the body 342 . 7 is a view showing a chuck pin 346 according to another embodiment. 8 is a view showing a chuck pin 346 according to another embodiment. The chuck pin 346 has a head portion 346a, a substrate support portion 346b, a support portion 346c, and a fixing portion 346d. The fixing part 346d is coupled to the inside of the body 342 . The support part 346c is connected to the upper part of the fixing part 346d and supports the chuck pin 346 . The substrate support 346b is connected to the upper portion of the support 346c and supports a side surface of the substrate. The substrate support 346b prevents the substrate from being separated due to high-speed rotation. The head portion 346a is connected to the upper portion of the substrate support portion 346b. The lower end of the head portion 346a has a larger area than the substrate support portion 346b. Further, the head portion 346a is provided to be inclined downward. Accordingly, when the processing liquid is sprayed through the head part 346a during the substrate rotation process, the scattering angle of the processing liquid may be controlled. The head portion 346a may include a head cover 347 . The head cover 347 may be provided in a shape placed on an upper portion of the head portion 346a. The head cover 347 is provided to be inclined downward so that the lower end thereof includes the substrate support portion 346b when viewed from the top. The head cover 347 may be provided as a plate having a predetermined thickness. Alternatively, as shown in FIG. 7 , the thickness may be reduced from the top to the bottom. Alternatively, as shown in FIG. 8 , the head portion 346a may be provided as a single body.

도 9는 도 4의 척핀(346)이 공정을 수행하는 과정을 보여주는 도면이다. 기판 상으로 처리액이 공급되고 기판 회전 공정이 진행되면, 기판 상의 처리액들은 원심력에 의해 스핀헤드(340) 상부로 비산된다. 이 때, 처리액들은 척핀(346)을 따라 흘러 비산될 수 있다. 이 때, 하향 경사지게 제공된 척핀(346)을 따라 비산되는 처리액들의 비산각이 제한된다. 이로 인해, 처리액은 해당 처리액을 배출하는 회수통 내에 배출될 수 있고, 주변 회수통에 미치는 영향을 최소화할 수 있다. 일 예로, 처리액은 중간 회수통(324)으로 비산되고, 외부 회수통(326)으로의 비산을 억제할 수 있다. 이에 따라, 외부 회수통(326)의 오염을 방지하고, 후속 공정에 미치는 영향을 줄일 수 있다. 처리액의 점도가 높을수록, 비산각의 제어가 효율적으로 이루어질 수 있다. 9 is a view showing a process in which the chuck pin 346 of FIG. 4 performs a process. When the processing liquid is supplied onto the substrate and the substrate rotation process is performed, the processing liquid on the substrate is scattered over the spin head 340 by centrifugal force. At this time, the processing liquid may flow along the chuck pin 346 and scatter. At this time, the scattering angle of the treatment liquids scattered along the chuck pin 346 provided to be inclined downward is limited. Due to this, the treatment liquid may be discharged into the collection container for discharging the treatment liquid, and the influence on the surrounding collection tube may be minimized. As an example, the treatment liquid may be scattered to the intermediate collection container 324 , and scattering to the external collection container 326 may be suppressed. Accordingly, it is possible to prevent contamination of the external recovery container 326 and reduce the influence on subsequent processes. The higher the viscosity of the treatment liquid, the more efficiently the control of the scattering angle can be achieved.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 linearly moves the housing 320 in the vertical direction. As the housing 320 moves up and down, the relative height of the housing 320 with respect to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362 , a moving shaft 364 , and a driver 366 . The bracket 362 is fixedly installed on the outer wall of the housing 320 , and the moving shaft 364 , which is moved in the vertical direction by the actuator 366 , is fixedly coupled to the bracket 362 . When the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340 , the housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes above the housing 320 . In addition, when the process is in progress, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. Optionally, the lifting unit 360 may move the spin head 340 in the vertical direction.

분사 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 분사한다. 분사유닛은 다양한 종류의 처리액을 분사하거나, 동일한 종류의 처리액을 다양한 방식으로 분사하도록 복수 개로 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 지지축(386), 노즐암(382), 제 1 노즐(400), 제 2 노즐(480), 그리고 제어기(500)를 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동 부재(388)에 의해 스윙 및 승강된다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 지지축의 상단에는 노즐암(382)이 고정결합된다. 노즐암(382)은 제 1 노즐(400) 및 제 2 노즐(480)을 지지한다. 제 1 노즐(400) 및 제 2 노즐(480)은 노즐암(382)의 끝단에 위치된다. 예컨대, 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)에 비해 노즐암(382)의 끝단에 가깝게 위치될 수 있다.The spraying unit 380 sprays the processing liquid onto the substrate W. A plurality of spray units may be provided to spray various types of treatment liquids or spray the same type of treatment liquids in various ways. The injection unit 380 includes a support shaft 386 , a nozzle arm 382 , a first nozzle 400 , a second nozzle 480 , and a controller 500 . The support shaft 386 is disposed on one side of the housing 320 . The support shaft 386 has a rod shape in which the longitudinal direction is provided in the vertical direction. The support shaft 386 is swung and lifted by the drive member 388 . On the other hand, the support shaft 386 may be moved and moved in a straight line in the horizontal direction by the driving member 388 and may be lifted. A nozzle arm 382 is fixedly coupled to the upper end of the support shaft. The nozzle arm 382 supports the first nozzle 400 and the second nozzle 480 . The first nozzle 400 and the second nozzle 480 are located at the ends of the nozzle arm 382 . For example, the second nozzle 480 may be located closer to the end of the nozzle arm 382 than the first nozzle 400 .

제 1 노즐(400)은 제 1 처리액을 잉크젯 방식으로 분사한다. 제 1 처리액은 세정액으로 제공된다. 일 예로, 제 1 처리액은 전해이온수일 수 있다. 제 1 처리액은 수소수, 산소수, 그리고 오존수 중 어느 하나이거나 이들을 포함할 수 있다. 선택적으로 제 1 처리액은 순수일 수 있다. The first nozzle 400 jets the first processing liquid in an inkjet manner. The first treatment liquid is provided as a cleaning liquid. For example, the first treatment liquid may be electrolytic ionized water. The first treatment liquid may be any one or include hydrogen water, oxygen water, and ozone water. Optionally, the first treatment liquid may be pure water.

제 2 노즐(480)은 기판 상에 제 2 처리액을 공급한다. 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)이 제 1 처리액을 공급할 때, 이와 동시에 제 2 처리액을 공급한다. 이 때, 제 2 노즐(480)은 제 1 노즐(400)이 제 1 처리액을 공급 시작하기 전에 먼저 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 제 2 노즐(480)은 L자형으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 2 노즐(480)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 처리액은 보호액으로 제공된다. 일 예로, 제 2 처리액은 암모니아와 과산화수소를 포함하는 용액일 수 있다. 제 2 처리액은 기판(W) 상에 수막을 형성하고, 수막은 제 1 처리액이 기판(W)에 미치는 충격량을 완화시킨다. 이로 인해, 제 1 처리액에 의해 기판(W)상의 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있다. 제 2 처리액은 순수일 수 있다. The second nozzle 480 supplies the second processing liquid onto the substrate. When the first nozzle 400 supplies the first processing liquid, the second nozzle 480 simultaneously supplies the second processing liquid. In this case, the second nozzle 480 may supply the second processing liquid before the first nozzle 400 starts supplying the first processing liquid. The second nozzle 480 may be provided in an L-shape. Alternatively, the second nozzle 480 may be provided in various shapes. The second treatment liquid serves as a protective liquid. For example, the second treatment liquid may be a solution containing ammonia and hydrogen peroxide. The second treatment liquid forms a water film on the substrate W, and the water film relieves the amount of impact that the first treatment liquid exerts on the substrate W. For this reason, it is possible to prevent the pattern on the substrate W from collapsing by the first processing liquid. The second treatment liquid may be pure water.

제어기(500)는 분사유닛(380)을 제어한다. 제어기(500)는 기판의 종류 및 공정 또는 진동자(436)의 온오프 여부에 따라 다양한 기판 처리 방법을 선택할 수 있다. 따라서, 별도의 노즐의 추가 공급없이, 기판의 다양한 처리가 가능하다. The controller 500 controls the injection unit 380 . The controller 500 may select various substrate processing methods according to the type and process of the substrate or whether the vibrator 436 is turned on or off. Accordingly, various processing of the substrate is possible without additional supply of a separate nozzle.

이상의 본 실시예에서는, 제 1 노즐(400)과 제 2 노즐(480)이 단일의 노즐암(382)에 제공되는 구조로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 제 1 노즐 (400)과 제 2 노즐(480)은 각각 독립적으로 제공될 수 있다. 또한, 제 2 노즐 (480)은 L자형으로 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 기판에 평행하게 토출할 수 있는 다른 다양한 구조로 제공될 수 있다. 선택적으로, 제 2 노즐(480)은 기판에 수직하게 제 2 처리액을 공급할 수 있다. 또한, 선택적으로, 제 2 노즐(480)은 기판에 경사지게 제 2 처리액을 공급할 수 있다. In the present embodiment, the first nozzle 400 and the second nozzle 480 have been described in a structure in which a single nozzle arm 382 is provided. However, alternatively, the first nozzle 400 and the second nozzle 480 may be independently provided. In addition, although it has been described that the second nozzle 480 is provided in an L-shape, it may be provided in other various structures capable of discharging in parallel to the substrate. Optionally, the second nozzle 480 may supply the second processing liquid perpendicular to the substrate. Also, optionally, the second nozzle 480 may supply the second processing liquid to the substrate at an angle.

또한, 이상의 본 실시예에서는 척핀(346)이 하향 경사지게 씌워진 헤드 커버를 갖는 형상으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 비산되는 처리액의 비산각을 제한할 수 있는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 이상에서 설명한 기판 처리 장치는 3중의 회수통을 갖는 구조를 예를 들어 설명하였으나, 이와 달리 다양한 개수의 회수통을 갖는 구조에도 적용될 수 있다. 또한, 회수통이 아닌 스핀 헤드를 감싸는 구조로 제공되는 다양한 종류의 기판 처리 장치에도 적용될 수 있다.In addition, in the present embodiment described above, the chuck pin 346 has been described as having a head cover covered with an inclination downward. However, unlike this, it may be provided in various shapes capable of limiting the scattering angle of the scattering treatment liquid. In addition, although the substrate processing apparatus described above has been described as an example of a structure having a triple collection container, it may be applied to a structure having a different number of collection containers. In addition, it may be applied to various types of substrate processing apparatuses provided in a structure surrounding the spin head rather than the collection container.

또한, 이상에서 설명한 기판 처리 장치는 기판 세정 공정을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 기판 세정 공정뿐만 아니라 기판이 회전되며 진행되는 다양한 공정에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 식각 공정에도 사용될 수 있다. In addition, the substrate processing apparatus described above has been described by taking the substrate cleaning process as an example. However, it may be used in various processes in which the substrate is rotated as well as the substrate cleaning process. For example, it may be used in a substrate etching process.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The present invention described above can be modified, substituted and modified in various ways within the scope that does not depart from the technical spirit of the present invention for those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It is not limited by the drawing. In addition, the embodiments described in this specification may not be limitedly applied, but all or part of each embodiment may be selectively combined so that various modifications may be made.

320: 하우징
340: 스핀헤드
342: 몸체
344: 지지핀
346: 척핀
346a: 헤드부
346b: 기판 지지부
346c: 지지부
346d: 고정부
347: 헤드 부재
380: 분사유닛320: housing
340: spin head
342: body
344: support pin
346: chuck pin
346a: head
346b: substrate support
346c: support
346d: fixed
347: head member
380: injection unit

Claims (8)

내부에 기판에 대해 공정을 처리하는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징 내에서 기판을 지지 및 회전시키는 몸체 및 상기 몸체에서 상부로 돌출되어 상기 기판의 측면을 지지하는 복수의 척 핀을 갖는 스핀헤드; 그리고
상기 스핀헤드에 놓인 기판으로 처리액을 분사하는 분사유닛을 포함하되,
상기 척 핀은,
상기 기판의 측면을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부의 상부에 결합되는 헤드부를 포함하되,
상기 헤드부는 그 하단부가 상기 기판 지지부보다 넓은 면적으로 제공되고 또한 하향 경사지게 제공되고,
상기 헤드부는 상부에서 바라볼 때 그 하단부가 상기 기판 지지부를 포함하도록 하향 경사지게 제공되도록 결합되는 헤드 커버를 포함하는 기판 처리 장치.a housing providing a space therein for processing a substrate;
a spin head having a body supporting and rotating the substrate in the housing and a plurality of chuck pins protruding upward from the body to support a side surface of the substrate; And
Comprising a spraying unit for spraying the processing liquid to the substrate placed on the spin head,
The chuck pin is
a substrate support for supporting a side surface of the substrate; and
Including a head coupled to the upper portion of the substrate support,
The lower end of the head portion is provided with a larger area than the substrate support portion and is provided inclined downward,
and a head cover coupled so that the lower end of the head portion is inclined downward to include the substrate support portion when viewed from above. 제 1 항에 있어서,
상기 헤드부는 상기 처리액이 분사된 상기 기판이 회전될 때 상기 처리액의 비산각을 제어하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The head unit is provided to control a scattering angle of the processing liquid when the substrate onto which the processing liquid is sprayed is rotated. 제 1 항에 있어서,
상기 헤드 커버는 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇아지는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The head cover is a substrate processing apparatus that becomes thinner from the top to the bottom. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 척 핀은,
상기 기판 지지부의 하부에 결합되는 지지부; 및
상기 지지부의 하부에 결합되고 상기 몸체 내 삽입되어 상기 척 핀을 고정시키는 고정부를 더 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The chuck pin is
a support portion coupled to a lower portion of the substrate support portion; and
and a fixing part coupled to a lower part of the support part and inserted into the body to fix the chuck pin. 기판을 지지 및 회전시키는 지지 유닛에 있어서,
몸체; 및
상기 몸체에서 상부로 돌출되어 상기 기판의 측면을 지지하는 복수의 척 핀을 포함하되,
상기 척 핀은,
상기 기판의 측면을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부의 상부에 결합되는 헤드부를 포함하되,
상기 헤드부는 그 하단부가 상기 기판 지지부보다 넓은 면적으로 제공되고 또한 하향 경사지게 제공되고,
상기 헤드부는 상부에서 바라볼 때 그 하단부가 상기 기판 지지부를 포함하도록 하향 경사지게 제공되도록 결합되는 헤드 커버를 포함하는 지지 유닛.A support unit for supporting and rotating a substrate, the support unit comprising:
body; and
a plurality of chuck pins protruding upward from the body to support a side surface of the substrate;
The chuck pin is
a substrate support for supporting a side surface of the substrate; and
Including a head coupled to the upper portion of the substrate support,
The lower end of the head portion is provided with a larger area than the substrate support portion and is provided inclined downward,
and a head cover coupled so that the lower end of the head portion is inclined downward to include the substrate support portion when viewed from the top. 제 5 항에 있어서,
상기 헤드부는 회전하는 상기 기판으로 분사되는 처리액의 비산각이 제어되도록 제공되는 지지 유닛.6. The method of claim 5,
The head unit is provided to control a scattering angle of the processing liquid sprayed onto the rotating substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 헤드 커버는 상부에서 하부로 갈수록 두께가 얇아지는 지지 유닛.6. The method of claim 5,
The head cover is a support unit that becomes thinner from the top to the bottom. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 척 핀은,
상기 기판 지지부의 하부에 결합되는 지지부; 및
상기 지지부의 하부에 결합되고 상기 몸체 내 삽입되어 상기 척 핀을 고정시키는 고정부를 더 포함하는 지지 유닛.8. The method according to any one of claims 5 to 7,
The chuck pin is
a support portion coupled to a lower portion of the substrate support portion; and
and a fixing part coupled to a lower part of the support part and inserted into the body to fix the chuck pin.
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