KR102273245B1 - Pressure sensor structure and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR102273245B1
KR102273245B1 KR1020200019151A KR20200019151A KR102273245B1 KR 102273245 B1 KR102273245 B1 KR 102273245B1 KR 1020200019151 A KR1020200019151 A KR 1020200019151A KR 20200019151 A KR20200019151 A KR 20200019151A KR 102273245 B1 KR102273245 B1 KR 102273245B1
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pressure
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pressure sensor
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이응안
김성결
김정주
곽영선
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대양전기공업 주식회사
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    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges

Abstract

A pressure sensor structure is disclosed. The pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention comprises: a support structure having a shape of an elongated beam so that both ends thereof are supported on the structure to measure the weight or pressure; a sensor unit provided on the upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure, thereby measuring the weight or pressure; and a circuit unit provided on the upper surface of the support structure to process a signal from the sensor unit, wherein the support structure includes an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor unit.

Description

압력 센서 구조체 및 그 제조방법{PRESSURE SENSOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Pressure sensor structure and manufacturing method thereof

본 발명은 압력 센서 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 특정 영역에서의 압력 또는 특정 물체의 무게를 측정하도록 구조물의 양단에 지지되면서 무게 또는 압력을 측정할 수 있는 양단 지지형 압력 센서 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure sensor structure and a method for manufacturing the same. More specifically, it relates to a pressure sensor structure supported at both ends capable of measuring the weight or pressure while being supported at both ends of the structure to measure the pressure in a specific area or the weight of a specific object, and a method for manufacturing the same.

일반적으로, 압력센서는 자동차, 가전제품, 냉장고, 세탁기, 의료기기 등에 광범위하게 이용되는 센서 부분의 기술분야로 진동이 많이 발생되거나, 급격한 압력의 변화가 있는 환경 등 압력에 대한 측정이 필요한 기기에서 사용된다. 측정의 원리로는 반도체에 가해지는 압력에 비례하여 반도체의 형상이 변화하면, 반도체의 저항값이 변화하는 점을 이용하며, 압력센서의 구성은 반도체가 구비되고 전압이 인가되는 휘트스톤브리지가 포함되어서, 상기 휘트스톤브리지에 외부의 압력이 가해지면 물리적 휘어짐으로 인하여 휘트스톤브리지에 포함된 반도체의 저항값이 변화하여 압력의 정도가 감지된다.In general, the pressure sensor is a technology field of the sensor part that is widely used in automobiles, home appliances, refrigerators, washing machines, medical devices, etc. In devices that require measurement of pressure, such as an environment in which a lot of vibration is generated or there is a sudden change in pressure. used The principle of measurement uses the point that the resistance value of the semiconductor changes when the shape of the semiconductor changes in proportion to the pressure applied to the semiconductor, and the configuration of the pressure sensor includes a Wheatstone bridge equipped with a semiconductor and applied with a voltage. Therefore, when an external pressure is applied to the Wheatstone bridge, the resistance value of the semiconductor included in the Wheatstone bridge is changed due to physical bending, so that the degree of pressure is sensed.

일본 공개특허공보 특개2013-242148호(2013.12.05.)Japanese Patent Laid-Open No. 2013-242148 (2013.12.05.)

본 발명은, 무게 또는 압력을 측정하기 위하여 마련된 지지 구조체에 장착되는 압력 센서에 있어서, 지지 구조체의 변형을 극대화 하여 압력 센서의 감도를 향상시킬 수 있는 구조를 갖는 압력 센서 구조체와 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.The present invention provides a pressure sensor structure having a structure capable of improving the sensitivity of the pressure sensor by maximizing deformation of the support structure in a pressure sensor mounted on a support structure provided to measure weight or pressure, and a method for manufacturing the same want to

본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체는, 무게 또는 압력 측정하도록 구조물에 양단이 지지되도록 기다란 빔 형상의 지지 구조체; 상기 지지 구조체의 상면에 마련되어 상기 지지 구조체의 변형을 측정함으로써, 상기 무게 또는 상기 압력을 측정하는 센서부; 및 상기 센서부로부터의 신호를 프로세싱하도록 상기 지지 구조체의 상기 상면에 마련된 회로부;를 포함하고, 상기 지지 구조체는, 상기 센서부에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부를 포함할 수 있다.A pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention includes a support structure having an elongated beam shape so that both ends are supported by the structure to measure weight or pressure; a sensor unit provided on the upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure, thereby measuring the weight or the pressure; and a circuit unit provided on the upper surface of the support structure to process the signal from the sensor unit, wherein the support structure may include an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor unit.

또한, 상기 개구부는 상기 센서부의 대응하는 위치 아래에, 상기 지지 구조체를 관통하고, 상기 지지 구조체의 하면으로도 개방된 형상일 수 있다.In addition, the opening may have a shape that passes through the support structure under a corresponding position of the sensor unit and is also opened on a lower surface of the support structure.

또한, 상기 개구부는, 상기 지지 구조체의 길이방향으로 연장하는 제1 부분과 상기 제1 부분과 연결되되 상기 지지 구조체의 하면으로 개방되는 제2 부분을 포함할 수 있다.In addition, the opening may include a first portion extending in a longitudinal direction of the support structure and a second portion connected to the first portion and open to a lower surface of the support structure.

또한, 상기 센서부는 상기 지지 구조체의 상기 양단에 서로 대칭되는 위치에 소정의 거리만큼 이격되어 위치하고, 상기 개구부는 상기 센서부의 위치에 대응하도록 한 쌍으로 마련될 수 있다.In addition, the sensor unit may be spaced apart from each other by a predetermined distance at the opposite ends of the support structure, and the opening may be provided as a pair to correspond to the position of the sensor unit.

또한, 상기 지지 구조체의 중심부에는 상기 지지 구조체를 통하여 무게를 측정할 대상물과 물리적으로 연결되는 링크가 걸리도록 하방으로 파인 홈부가 마련될 수 있다.In addition, a downwardly recessed groove portion may be provided in the center of the support structure so that a link physically connected to an object to be weighed through the support structure is engaged.

또한, 상기 개구부는 상기 센서부의 대응하는 위치 아래에, 상기 지지 구조체를 관통하고, 상기 지지 구조체의 하면으로는 폐쇄된 형상일 수 있다.In addition, the opening may pass through the support structure under a corresponding position of the sensor unit, and may have a closed shape with a lower surface of the support structure.

또한, 상기 센서부는 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) 구조일 수 있다.Also, the sensor unit may have a micro-electro-mechanical system (MEMS) structure.

또한, 상기 센서부는, 각각이 전도체 재질의 판 형상을 가지고 서로 이격되게 배열되는, 제1 접속패드, 제2 접속패드, 제3 접속패드, 제4 접속패드, 제5 접속패드; 및 상기 접속패드 중 어느 한 쌍의 접속패드를 서로 연결하고, 압력에 따른 길이의 변화에 비례하여 저항값이 변화하는 4개의 반도체 저항부;를 포함하고, 5개의 상기 접속패드는 2개의 풀 휘트스톤 브리지를 형성할 수 있다.In addition, the sensor unit may include a first connection pad, a second connection pad, a third connection pad, a fourth connection pad, and a fifth connection pad, each having a plate shape of a conductive material and arranged to be spaced apart from each other; and four semiconductor resistor units that connect any one of the connection pads of the connection pads to each other, and whose resistance value changes in proportion to a change in length according to pressure, wherein the five connection pads include two full-wheat units. Can form stone bridges.

또한, 상기 센서부는 상기 지지 구조체의 상기 상면에 고정되고, 상기 회로부는 상기 센서부의 대응하는 위치에 상기 센서부가 노출되도록 관통부를 포함하며, 상기 센서부와 상기 회로부는 와이어를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the sensor unit may be fixed to the upper surface of the support structure, and the circuit unit may include a penetrating unit to expose the sensor unit at a position corresponding to the sensor unit, and the sensor unit and the circuit unit may be electrically connected through a wire. .

본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 제조하는 방법은, 무게 또는 압력 측정하도록 구조물에 양단이 지지되도록 기다란 빔 형상의 지지 구조체를 형성하는 단계; 상기 지지 구조체의 변형을 측정하도록 상기 지지 구조체의 상면에 센서부를 형성하는 단계; 및 상기 센서부로부터의 신호를 프로세싱하도록 상기 지지 구조체의 상기 상면에 회로부를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 지지 구조체를 형성하는 단계는, 상기 센서부에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부를 형성하는 것을 포함할 수 있다..A method of manufacturing a pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention includes: forming a support structure having a long beam shape so that both ends are supported on the structure to measure weight or pressure; forming a sensor unit on an upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure; and forming a circuit part on the upper surface of the support structure to process the signal from the sensor part, wherein the forming of the support structure includes an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor part. may include forming.

본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체는, 지지 구조체의 변형을 극대화 하여 압력 센서의 감도를 향상시킬 수 있다.The pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention can improve the sensitivity of the pressure sensor by maximizing the deformation of the support structure.

또한, 양단 지지 구조체의 양단 모두에 센서부를 장착하고, 각각의 센서부로부터의 출력값을 이용하여 보다 정밀하고 정확한 무게 또는 압력의 측정이 가능하다.In addition, a sensor unit is mounted on both ends of the support structure at both ends, and a more precise and accurate measurement of weight or pressure is possible using an output value from each sensor unit.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 압력 센서 구조체를 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다양한 압력 센서 구조체를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 실시예(d)를 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 4의 실시예에서 하중 작용시 압력 센서 구조체의 압력 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 MEMS타입 반도체 압력 센서를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 3에 도시된 실시예들에 따라 무게의 변화에 따른 압력센서의 출력 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
1 is a view showing a pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view for explaining the pressure sensor structure of FIG. 1 in detail.
3 is a view showing various pressure sensor structures according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view for explaining in detail the embodiment (d) of FIG. 3 .
FIG. 5 is a view for explaining the pressure distribution of the pressure sensor structure when a load is applied in the embodiment of FIG. 4 .
6 is a view for explaining a MEMS type semiconductor pressure sensor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating an output change of a pressure sensor according to a change in weight according to the embodiments illustrated in FIG. 3 .
8 is a view showing a pressure sensor structure according to various embodiments of the present invention.
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예가 상세하게 설명된다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고, 도면에서 본 발명의 실시예를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. And, in order to clearly describe the embodiment of the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted.

본 명세서에서 사용된 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도로 사용된 것이 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression may include the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

본 명세서에서, "포함하다", "가지다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것으로서, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 수 있다.In the present specification, terms such as "comprise", "have" or "include" are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, and one It may be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과가 특정 실시예에 전부 포함되어야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위가 특정 실시예에 의하여 제한되는 것으로 이해되지 않아야 한다. 한편, 본 발명에서 기재되는 기술구성 및 그 기술구성에 의해 발휘되는 기능 중에서 널리 공지되어 적용되는 기술구성 및 기능은 그 자세한 설명을 생략하기로 한다.In addition, it should not be understood that the scope of the present invention is limited by the specific embodiments, as it does not mean that the objects or effects presented in the present invention should be included in all or only such effects. Meanwhile, the detailed description of the technical configuration and functions widely known and applied among the technical configurations described in the present invention and the functions exhibited by the technical configurations will be omitted.

또한, 이하의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 보다 명확하게 설명하기 위해서 제공되는 것으로서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.In addition, the following embodiments are provided to more clearly explain to those of ordinary skill in the art, and the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for more clear description.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment according to the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 압력 센서 구조체를 상세히 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining the pressure sensor structure of FIG. 1 in detail.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체(100)는 소정의 구조물 상에 지지되어, 압력 센서 구조체(100)에 작용하는 무게 또는 압력을 측정하기 위해 마련된 것이다. 압력 센서 구조체(100)는, 지지 구조체(110), 센서부(130), 및 회로부(120)를 포함할 수 있다.1 and 2 , the pressure sensor structure 100 according to an embodiment of the present invention is supported on a predetermined structure and is provided to measure the weight or pressure acting on the pressure sensor structure 100 . . The pressure sensor structure 100 may include a support structure 110 , a sensor unit 130 , and a circuit unit 120 .

지지 구조체(110)는 기다란 빔 형상을 가질 수 있으며, 양 단이 구조물(10)에 의해 지지될 수 있다. 지지 구조체(110)는 일례로 SUS(Stainless steel) 계열의 금속일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The support structure 110 may have an elongated beam shape, and both ends may be supported by the structure 10 . The support structure 110 may be, for example, a stainless steel (SUS)-based metal, but is not limited thereto.

센서부(130)는 지지 구조체(110)의 상측면에 마련되어 지지 구조체(110)의 인장 또는 압축의 변형을 측정함으로써, 지지 구조체(110)에 작용하는 무게 또는 압력을 측정할 수 있다. 일 실시예에서, 센서부(130)는 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) 타입의 반도체 압력센서 일 수 있다. 센서부(130)는 지지 구조체(110)의 양단 중 어느 일단에만 마련될 수도 있고, 양단에 서로 대칭되는 형태로 마련될 수 있다. 센서부(130)는 지지 구조체(110)의 상면에 접착되어 고정될 수 있다.The sensor unit 130 may measure the weight or pressure acting on the support structure 110 by being provided on the upper surface of the support structure 110 and measuring the tensile or compression deformation of the support structure 110 . In one embodiment, the sensor unit 130 may be a MEMS (Micro-Electro-Mechanical System) type semiconductor pressure sensor. The sensor unit 130 may be provided only at one end of both ends of the support structure 110 , or may be provided in a form symmetrical to each other at both ends. The sensor unit 130 may be fixedly attached to the upper surface of the support structure 110 .

회로부(120)는 센서부(130)로부터의 신호를 프로세싱하도록 지지 구조체(110)의 상면에 마련될 수 있다. 회로부(120)는 신호 처리를 위한 다양한 아날로그 또는 디지털 소자가 장착된 PCB(Printed Circuit Board)를 포함할 수 있다. 센서부(130)가 배치되는 위치에 대응하는 회로부(120)에는 센서부(130)가 외부로 노출되도록 관통부(126)가 마련될 수 있다. 관통부(126) 덕분에, 센서부(130)와 회로부(120)에 마련된 복수개의 단자(124)는 와이어를 통하여 연결될 수 있다.The circuit unit 120 may be provided on the upper surface of the support structure 110 to process a signal from the sensor unit 130 . The circuit unit 120 may include a printed circuit board (PCB) on which various analog or digital devices for signal processing are mounted. A through part 126 may be provided in the circuit part 120 corresponding to the position where the sensor part 130 is disposed so that the sensor part 130 is exposed to the outside. Thanks to the through portion 126 , the sensor unit 130 and the plurality of terminals 124 provided in the circuit unit 120 may be connected through wires.

또한, 지지 구조체(110)는 센서부(130)에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부(112a, 112b)가 마련될 수 있다. 본 실시예에서, 센서부(130)는 한 쌍으로 마련되어, 각각 지지 구조체(110)의 양단에 서로 대칭되는 위치에 소정의 거리만큼 이격되어 위치할 수 있고, 한 쌍의 센서부(130)에 각각 대응하는 위치에 개구부(112a, 112b)가 한 쌍으로 마련될 수 있다.In addition, in the support structure 110 , openings 112a and 112b in which portions are cut may be provided at positions corresponding to the sensor unit 130 . In this embodiment, the sensor unit 130 is provided as a pair, each of which may be located at a position symmetrical to each other at both ends of the support structure 110 and spaced apart by a predetermined distance, and the pair of sensor units 130 A pair of openings 112a and 112b may be provided at corresponding positions, respectively.

한편, 본 실시예에서, 지지 구조체(110)의 가운데 부분에는 지지 구조체(110)를 통하여 무게를 측정할 대상물과 물리적으로 연결되는 링크, 예컨대, 스프링 또는 와이어가 걸릴 수 있는 연결부(114)가 마련될 수 있다. 연결부(114)는 본 실시예에서와 같이 개구 형태로 마련될 수도 있고, 하방으로 파인 홈부 형태로 마련될 수도 있다.On the other hand, in the present embodiment, in the middle portion of the support structure 110, a link that is physically connected to an object to be weighed through the support structure 110, for example, a connection part 114 that can be caught by a spring or a wire is provided. can be The connection part 114 may be provided in the form of an opening as in the present embodiment, or may be provided in the form of a groove recessed downward.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다양한 압력 센서 구조체를 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3의 실시예(d)를 상세히 설명하기 위한 도면이다.3 is a view showing various pressure sensor structures according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view for explaining the embodiment (d) of FIG. 3 in detail.

도 3을 참조하면, 실시예(a)는 양단 지지형 지지 구조체(100a)의 형태를 가지되, 지지 구조체(100a)를 관통하는 개구부가 마련되지 않는다. 실시예(b)는 실시예(a)와 비교할 때, 양단에 단면이 원형이 관통하는 개구부가 한 쌍으로 마련되고, 상기 개구부 각각에 대응하는 지지 구조체(100b)의 상측에는 한 쌍의 센서부가 마련된다. 실시예(c)는 실시예(b)에 비하여 개구부의 단면이 둥그런 모서리를 갖는 네모 형상이다. 실시예(b) 및 실시예(c)에서의 개구부는 모두 지지 구조체를 측방향으로 관통하되, 하면으로는 폐쇄된 형상을 가진다.Referring to FIG. 3 , the embodiment (a) has the form of a support structure 100a having both ends, but an opening penetrating the support structure 100a is not provided. In the embodiment (b), as compared with the embodiment (a), a pair of openings having a circular cross section are provided at both ends, and a pair of sensor units are provided on the upper side of the support structure 100b corresponding to each of the openings. will be prepared In Example (c), the cross-section of the opening has a square shape with rounded corners compared to Example (b). The openings in the embodiments (b) and (c) both laterally penetrate the support structure, but have a closed shape on the lower surface.

도 4를 참조하면, 실시예(d)에 도시된 압력 센서 구조체(100d)는 기다란 빔 형상의 지지 구조체(110d), 한 쌍의 센서부(130) 및 회로부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 회로부는 도 2에 도시된 것과 동일한 기능을 수행하며, 본 실시예서는 도시를 생략하였다.Referring to FIG. 4 , the pressure sensor structure 100d shown in the embodiment (d) may include a support structure 110d having an elongated beam shape, a pair of sensor units 130 and a circuit unit (not shown). . The circuit part performs the same function as that shown in FIG. 2, and illustration is omitted in this embodiment.

본 실시예에서, 지지 구조체(110d)에는 한 쌍의 센서부(130)가 배치되는 위치에 대응하는 곳에 한 쌍의 개구부(116a, 116b)가 마련되는데 그 형상이 전술한 실시예들과 상이하다. 각각의 개구부(116a, 116b)는 지지 구조체(110d)를 측방향으로 관통하되, 지지 구조체(110d)의 하면으로는 개방된 형상을 가진다. 더 구체적으로, 본 실시예에서, 개구부(116a, 116b) 각각은 지지 구조체(110d)의 길이방향으로 연장하는 제1 부분과, 상기 제1 부분과 연결되되 지지 구조체의 하면으로 개방하는 제2 부분을 포함하고, 개구부(116a, 116b)는 서로 대칭되는 형상을 가진다.In the present embodiment, a pair of openings 116a and 116b are provided in the support structure 110d at a location corresponding to a position where the pair of sensor units 130 are disposed, and the shape is different from the above-described embodiments. . Each of the openings 116a and 116b passes through the support structure 110d in the lateral direction, but has an open shape on the lower surface of the support structure 110d. More specifically, in the present embodiment, each of the openings 116a and 116b includes a first portion extending in the longitudinal direction of the support structure 110d, and a second portion connected to the first portion and open to the lower surface of the support structure. Including, the openings (116a, 116b) have a shape symmetrical to each other.

도 5는 도 4의 실시예에서 하중 작용시 압력 센서 구조체의 압력 분포를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 MEMS타입 반도체 압력 센서를 설명하기 위한 도면이다. 도 7은 도 3에 도시된 실시예들에 따라 무게의 변화에 따른 압력센서의 출력 변화를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a view for explaining a pressure distribution of the pressure sensor structure when a load is applied in the embodiment of FIG. 4 , and FIG. 6 is a view for explaining a MEMS type semiconductor pressure sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram illustrating an output change of a pressure sensor according to a change in weight according to the embodiments illustrated in FIG. 3 .

먼저, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 센서부(130) 각각은 MEMS 타입 반도체 압력센서로서, 5개의 접속패드가 2개의 휘트스톤 브리지를 구성할 수 있고, 일례로 1개의 공통 전원(P3)와 2개의 접지(P2,P4)와 2개의 출력패드(P1,P5)를 포함하고 있다. 도 5의 좌측 그림은 2개의 휘트스톤 브리지 중에서 1개의 휘트스톤 브리지의 예를 나타내는 것으로서, 상기 휘트스톤 브리지는 1개의 공통 전원(P3)와 2개의 접지(P2, P4)와 2개의 출력(P1, P5)을 포함하고 있다. 센서부(130)는 지지 구조체(110d)의 상면에 개구부(116a, 116b)가 마련된 곳의 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 지지 구조체(110d)에 하중이 걸리게 되면, 개구부(116a, 116b)의 형상에 따른 지지 구조체(110d)는 변형하게 된다. 개구부(116a, 116b)의 형상에 따라 지지 구조체(110d)의 인장이 발생하는 부분과, 압축이 발생하는 부분이 함께 발생할 수 있다. First, referring to FIGS. 4 to 6 , each of the sensor units 130 is a MEMS type semiconductor pressure sensor, and five connection pads may constitute two Wheatstone bridges, for example, one common power source P3 . and two ground (P2, P4) and two output pads (P1, P5). The figure on the left of FIG. 5 shows an example of one Wheatstone bridge among two Wheatstone bridges, wherein the Wheatstone bridge has one common power supply (P3), two grounds (P2, P4), and two outputs (P1). , P5). The sensor unit 130 may be disposed at a position corresponding to where the openings 116a and 116b are provided on the upper surface of the support structure 110d. When a load is applied to the support structure 110d, the support structure 110d according to the shape of the openings 116a and 116b is deformed. Depending on the shape of the openings 116a and 116b, a portion in which tension of the support structure 110d occurs and a portion in which compression occurs may both occur.

도 5의 우측을 참조하면, 도 4의 지지 구조체(110d)가 하중에 의해 변형하는데, 인장이 발생한 부분과 압축이 발생한 부분이 동시에 나타나서, 지지 구조체(110d)의 상면은 변곡이 일어나는 형상을 가질 수 있다. 인장이 발생하는 부분은 저항(R1)이 증가하게 되고, 압축이 발생하는 부분은 저항(R2)가 감소하게 된다. 이에 따라, 출력(P1)는 감소하게 되고 마찬가지로, 저항(R3, R4)의 배치 위치의 구성을 통해, 인장이 발생하는 부분의 저항(R4)는 증가하고, 압축이 발생하는 부분의 저항(R3)는 감소하게 된다. 이에 따라서, 출력(P5)은 증가하게 된다. 출력(P1, P5)의 차이가 커야 센서부(160)의 측정 감도, 즉 분해능이 높아질 수 있고, 보다 정밀한 무게 또는 압력의 측정이 가능할 수 있다.Referring to the right side of FIG. 5 , the support structure 110d of FIG. 4 is deformed by a load, and a portion in which tension occurs and a portion in which compression occurs simultaneously appear, so that the upper surface of the support structure 110d has a shape in which deformation occurs. can The resistance R1 is increased in the portion where tension occurs, and the resistance R2 is decreased in the portion where compression occurs. Accordingly, the output P1 is decreased and similarly, through the configuration of the arrangement positions of the resistors R3 and R4, the resistance R4 of the portion in which the tension occurs increases, and the resistance R3 of the portion in which the compression occurs. ) will decrease. Accordingly, the output P5 is increased. When the difference between the outputs P1 and P5 is large, the measurement sensitivity, that is, the resolution, of the sensor unit 160 may be increased, and a more precise measurement of weight or pressure may be possible.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 MEMS타입 반도체 압력 센서를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a MEMS type semiconductor pressure sensor according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 압력센서는 측정 대상 물체의 압력변형면에 설치되어 측정 대상 물체에 가해지는 외부압력을 측정하기 위해 마련된 것이다. 반도체 압력센서는 5개의 접속패드(P: P1 내지 P5)와 4개의 반도체 저항부(R: R1 내지 R4)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the semiconductor pressure sensor according to an embodiment of the present invention is installed on the pressure deformation surface of the measurement object to measure the external pressure applied to the measurement object. The semiconductor pressure sensor may include five connection pads (P: P1 to P5) and four semiconductor resistance units (R: R1 to R4).

본 명세서에서 접속패드(P)는 제1접속패드(P1), 제2접속패드(P2), 제3접속패드(P3), 제4접속패드(P4), 제5접속패드(P5) 모두를 동시에 지칭한다. 5개의 접속패드(P)는 각각이 전도체 재질로 이루어져 서로 평행하게 배열되는 얇은 두께의 직사각형 형상일 수 있다. 4개의 반도체 저항부(R) 각각은 어느 한 쌍의 접속패드(P)를 서로 연결하고, 상기 외부압력에 따른 길이의 변화에 비례하여 저항값이 변화할 수 있다.In the present specification, the connection pad P includes all of the first connection pad P1 , the second connection pad P2 , the third connection pad P3 , the fourth connection pad P4 , and the fifth connection pad P5 . referred to at the same time Each of the five connection pads P may be made of a conductive material and may have a thin rectangular shape arranged in parallel with each other. Each of the four semiconductor resistors R may connect a pair of connection pads P to each other, and a resistance value may change in proportion to a change in length according to the external pressure.

도 7은 도 3에 도시된 실시예들에 따라 무게의 변화에 따른 압력센서의 출력 변화를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating an output change of a pressure sensor according to a change in weight according to the embodiments illustrated in FIG. 3 .

도 3 및 도 7을 참조하면, 실시예(a)에서와 같이 지지 구조체(100a)가 개방부를 가지지 않는 기다린 빔 형상의 경우, 센서부(160)의 출력(P1, P5)에서의 값이 차이가 없는 것으로 나타나서, 센서부(160)의 민감도가 가장 나쁜 경우에 해당될 수 있다. 실시예(b)의 경우, 지지 구조체(100b)가 원형 단면의 한쌍의 개방부를 갖는 것으로, 센서부(160)의 출력(P1, P5)의 차이가 발생하고 있고, 하중이 증가할수록 그 차이가 커짐을 알 수 있다. 실시예(c)의 경우, 실시예(b)와 비교할 때, 개방부의 단면의 형상이 상이한 것으로, 단명의 형상이 모서리가 둥근 네모난 형상인 경우, 단면이 원형인 경우에 비해 센서부(160)의 출력(P1, P5)의 차이가 더 커지고 있음을 알 수 있다. 그러나, 이 경우에도 출력(P1, P5) 모두 인장을 나타내는 출력값을 보이고 있으므로, 센서부(160)가 위치하는 부근의 지지 구조체(100c)는 인장의 정도가 조금씩 차이가 있을 뿐 전체적으로 인장만이 발생하는 것으로 이해할 수 있다. 3 and 7 , in the case of a long beam shape in which the support structure 100a does not have an opening as in the embodiment (a), the values at the outputs P1 and P5 of the sensor unit 160 are different. appears to be absent, which may correspond to a case in which the sensitivity of the sensor unit 160 is the worst. In the case of the embodiment (b), the support structure 100b has a pair of openings having a circular cross section, and the difference between the outputs P1 and P5 of the sensor unit 160 occurs, and the difference increases as the load increases. can be seen to increase. In the case of embodiment (c), as compared with embodiment (b), the shape of the cross-section of the open part is different, and when the short-lived shape is a square shape with rounded corners, the sensor unit 160 compared to the case where the cross-section is circular. ), it can be seen that the difference between the outputs P1 and P5 is getting larger. However, even in this case, since both the outputs P1 and P5 show output values indicating tension, the support structure 100c near the sensor unit 160 has a slightly different degree of tension and only tension occurs as a whole. can be understood as

실시예(d)의 경우, 개방부가 지지 구조체(100d)의 하면으로도 개방된 구조를 갖는 것으로, 센서부(160)의 출력(P1, P5)의 극성이 서로 반대로 나타나고 있음을 알 수 있다. 즉, 하나의 출력(P1)이 위치하는 부근에서는 지지 구조체(100d)의 인장이 발생하고, 다른 하나의 출력(P5)이 위치하는 부근에서는 지지 구조체(100d)의 압축이 발생하고 있음을 알 수 있다. 상기 2개의 출력(P1, P5)이 서로 다른 극성을 나타내고, 이에 따라 그 차이가 커짐에 따라, 센서부(160)의 감도는 향상될 수 있다. 즉 보다 적은 무게 또는 압력에서도 보다 정밀한 분해능을 나타낼 수 있다.In the case of embodiment (d), it can be seen that the open portion has a structure in which the lower surface of the support structure 100d is also opened, and the polarities of the outputs P1 and P5 of the sensor unit 160 are opposite to each other. That is, it can be seen that the tension of the support structure 100d occurs in the vicinity where the one output P1 is located, and the compression of the support structure 100d occurs in the vicinity where the other output P5 is located. have. The two outputs P1 and P5 have different polarities, and as the difference increases accordingly, the sensitivity of the sensor unit 160 may be improved. That is, it is possible to exhibit more precise resolution even with less weight or pressure.

도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 나타내는 도면이다.8 is a view showing a pressure sensor structure according to various embodiments of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 압력 센서 구조체는, 지지 구조체의 지지 구조체의 측면을 관통하고, 지지 구조체의 하면으로 개방된 구조를 갖는 개방형 구조(개방형 1 내지 개방형 4)와, 지지 구조체의 측면을 관통하되, 지지 구조체의 하면은 밀폐된 밀폐형 구조(밀폐형 1 내지 밀폐형 3)를 가질 수 있다.Referring to FIG. 8 , the pressure sensor structure according to various embodiments of the present disclosure includes an open structure (open type 1 to open type 4) having a structure that penetrates through the side surface of the support structure of the support structure and is opened to the lower surface of the support structure and , But passing through the side of the support structure, the lower surface of the support structure may have a closed closed structure (closed type 1 to closed type 3).

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 센서 구조체를 제조하는 방법(900)은, 무게 또는 압력 측정하도록 구조물에 양단이 지지되도록 기다란 빔 형상의 지지 구조체를 형성하는 단계(S901)를 포함한다. 일례로, 상기 지지 구조체는 SUS계열의 금속으로 제조될 수 있다. 다음으로, 압력 센서 구조체를 제조하는 방법(900)은, 상기 지지 구조체의 변형을 측정하도록 상기 지지 구조체의 상면에 센서부를 형성하는 단계(S902)를 포함한다. 상기 센서부는 MEMS 타입의 반도체 압력센서로서, 상기 지지 구조체의 표면을 처리한 후 접착제 등에 의해 부착될 수 있다. 다음으로, 압력 센서 구조체를 제조하는 방법(900)은, 상기 센서부로부터의 신호를 프로세싱하도록 상기 지지 구조체의 상기 상면에 회로부를 형성하는 단계(S903)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 회로부는 다양한 회로소자가 포함되어 있으며, 상기 센서부와 대응되는 부분에 개방부를 형성하여 상기 센서부가 외부로 노출되도록 형성할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the method 900 for manufacturing a pressure sensor structure according to an embodiment of the present invention includes the step of forming a support structure in the shape of an elongated beam so that both ends are supported by the structure to measure weight or pressure ( S901 ) includes For example, the support structure may be made of a SUS-based metal. Next, the method 900 for manufacturing the pressure sensor structure includes forming a sensor part on the upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure ( S902 ). The sensor unit is a MEMS-type semiconductor pressure sensor, and may be attached by an adhesive or the like after the surface of the support structure is treated. Next, the method 900 of manufacturing the pressure sensor structure may include forming a circuit portion on the upper surface of the support structure to process a signal from the sensor portion ( S903 ). Here, the circuit unit may include various circuit elements, and an opening may be formed in a portion corresponding to the sensor unit to expose the sensor unit to the outside.

지지 구조체를 형성하는 단계(S901)는, 상기 센서부에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부를 형성하는 것을 포함할 수 있다.Forming the support structure ( S901 ) may include forming an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor unit.

상술한 실시예들에 따른 압력 센서 구조체에 따르면, 무게 또는 압력 측정을 위해서 지지 구조체를 사용하는 경우에 있어서, 상기 지지 구조체의 변형을 극대화 하여 압력 센서의 감도를 향상시킬 수 있다.According to the pressure sensor structure according to the above-described embodiments, when the support structure is used for weight or pressure measurement, the deformation of the support structure can be maximized to improve the sensitivity of the pressure sensor.

또한, 양단 지지 구조체의 양단 모두에 센서부를 장착하고, 각각의 센서부로부터의 출력값을 이용하여 보다 정밀하고 정확한 무게 또는 압력의 측정을 할 수 있다.In addition, the sensor units are mounted on both ends of the supporting structures at both ends, and the weight or pressure can be measured more precisely and accurately by using the output values from the respective sensor units.

이상에서 본 발명의 대표적인 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. Although representative embodiments of the present invention have been described in detail above, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that various modifications are possible without departing from the scope of the present invention with respect to the above-described embodiments. .

그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, and should be defined by the claims described below as well as the claims and equivalents.

100: 압력 센서 구조체 110: 지지 구조체
112a, 112b, 116a, 116b: 개구부 114: 연결부
120: 회로부 124: 단자
126: 관통부 130: 센서부
100: pressure sensor structure 110: support structure
112a, 112b, 116a, 116b: opening 114: connection part
120: circuit unit 124: terminal
126: penetrating portion 130: sensor unit

Claims (10)

무게 또는 압력 측정하도록 구조물에 양단이 지지되도록 기다란 빔 형상의 지지 구조체;
상기 지지 구조체의 상면에 마련되어 상기 지지 구조체의 변형을 측정함으로써, 상기 무게 또는 상기 압력을 측정하는 센서부; 및
상기 센서부로부터의 신호를 프로세싱하도록 상기 지지 구조체의 상기 상면에 마련된 회로부;를 포함하고,
상기 지지 구조체는, 상기 센서부에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부를 포함하며,
상기 센서부는 상기 지지 구조체의 상기 양단에 서로 대칭되는 위치에 소정의 거리만큼 이격되어 위치하고,
상기 개구부는 상기 센서부의 위치에 대응하도록 한 쌍으로 마련되며,
상기 지지 구조체의 중심부에는 상기 지지 구조체를 통하여 무게를 측정할 대상물과 물리적으로 연결되는 링크가 걸리도록 하방으로 파인 홈부가 마련되는 것인 압력 센서 구조체.
a support structure in the shape of an elongated beam so that both ends are supported on the structure to measure weight or pressure;
a sensor unit provided on the upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure, thereby measuring the weight or the pressure; and
Including a; circuit unit provided on the upper surface of the support structure to process the signal from the sensor unit,
The support structure includes an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor unit,
The sensor unit is located at the both ends of the support structure symmetrical to each other and spaced apart by a predetermined distance
The opening is provided as a pair to correspond to the position of the sensor unit,
A pressure sensor structure in which a downwardly recessed groove portion is provided in the center of the support structure so that a link physically connected to an object to be measured by weight through the support structure is engaged.
제1항에 있어서,
상기 개구부는 상기 센서부의 대응하는 위치 아래에, 상기 지지 구조체를 관통하고, 상기 지지 구조체의 하면으로도 개방된 형상인 것인 압력 센서 구조체.
According to claim 1,
The opening is below the corresponding position of the sensor unit, penetrating the support structure, the pressure sensor structure of a shape that is also open to the lower surface of the support structure.
제2항에 있어서,
상기 개구부는, 상기 지지 구조체의 길이방향으로 연장하는 제1 부분과 상기 제1 부분과 연결되되 상기 지지 구조체의 하면으로 개방되는 제2 부분을 포함하는 것인 압력 센서 구조체.
3. The method of claim 2,
The opening may include a first portion extending in the longitudinal direction of the support structure and a second portion connected to the first portion and open to a lower surface of the support structure.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 개구부는 상기 센서부의 대응하는 위치 아래에, 상기 지지 구조체를 관통하고, 상기 지지 구조체의 하면으로는 폐쇄된 형상인 것인 압력 센서 구조체.
According to claim 1,
The opening is below the corresponding position of the sensor unit, through the support structure, the pressure sensor structure is a closed shape to the lower surface of the support structure.
삭제delete 압력 센서 구조체로서,
무게 또는 압력 측정하도록 구조물에 양단이 지지되도록 기다란 빔 형상의 지지 구조체;
상기 지지 구조체의 상면에 마련되어 상기 지지 구조체의 변형을 측정함으로써, 상기 무게 또는 상기 압력을 측정하는 센서부; 및
상기 센서부로부터의 신호를 프로세싱하도록 상기 지지 구조체의 상기 상면에 마련된 회로부;를 포함하고,
상기 지지 구조체는, 상기 센서부에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부를 포함하며,
상기 센서부는 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) 구조이고,
상기 센서부는,
각각이 전도체 재질의 판 형상을 가지고 서로 이격되게 배열되는, 제1 접속패드, 제2 접속패드, 제3 접속패드, 제4 접속패드, 제5 접속패드; 및
상기 접속패드 중 어느 한 쌍의 접속패드를 서로 연결하고, 압력에 따른 길이의 변화에 비례하여 저항값이 변화하는 4개의 반도체 저항부;를 포함하고,
5개의 상기 접속패드는 2개의 풀 휘트스톤 브리지를 형성하는 것인 압력 센서 구조체.
A pressure sensor structure comprising:
a support structure in the shape of an elongated beam so that both ends are supported on the structure to measure weight or pressure;
a sensor unit provided on the upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure, thereby measuring the weight or the pressure; and
Including a; circuit unit provided on the upper surface of the support structure to process the signal from the sensor unit,
The support structure includes an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor unit,
The sensor unit is a MEMS (Micro-Electro-Mechanical System) structure,
The sensor unit,
a first connection pad, a second connection pad, a third connection pad, a fourth connection pad, and a fifth connection pad, each having a plate shape of a conductive material and arranged to be spaced apart from each other; and
including; four semiconductor resistor units connecting a pair of connection pads among the connection pads to each other and having a resistance value that changes in proportion to a change in length according to pressure;
and the five connection pads form two full Wheatstone bridges.
제1항에 있어서,
상기 센서부는 상기 지지 구조체의 상기 상면에 고정되고,
상기 회로부는 상기 센서부의 대응하는 위치에 상기 센서부가 노출되도록 관통부를 포함하며,
상기 센서부와 상기 회로부는 와이어를 통하여 전기적으로 연결되는 것인 압력 센서 구조체.
According to claim 1,
The sensor unit is fixed to the upper surface of the support structure,
The circuit unit includes a penetrating portion so that the sensor unit is exposed at a position corresponding to the sensor unit,
The pressure sensor structure in which the sensor unit and the circuit unit are electrically connected through a wire.
압력 센서 구조체를 제조하는 방법으로서,
무게 또는 압력 측정하도록 구조물에 양단이 지지되도록 기다란 빔 형상의 지지 구조체를 형성하는 단계;
상기 지지 구조체의 변형을 측정하도록 상기 지지 구조체의 상면에 센서부를 형성하는 단계; 및
상기 센서부로부터의 신호를 프로세싱하도록 상기 지지 구조체의 상기 상면에 회로부를 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 지지 구조체를 형성하는 단계는, 상기 센서부에 대응하는 위치에 일부가 절삭된 개구부를 형성하는 것을 포함하며,
상기 센서부는 상기 지지 구조체의 상기 양단에 서로 대칭되는 위치에 소정의 거리만큼 이격되어 위치하고,
상기 개구부는 상기 센서부의 위치에 대응하도록 한 쌍으로 마련되며,
상기 지지 구조체의 중심부에는 상기 지지 구조체를 통하여 무게를 측정할 대상물과 물리적으로 연결되는 링크가 걸리도록 하방으로 파인 홈부가 마련되는 것인 압력 센서 구조체를 제조하는 방법.
A method of manufacturing a pressure sensor structure comprising:
forming an elongated beam-shaped support structure so that both ends are supported on the structure to measure weight or pressure;
forming a sensor unit on an upper surface of the support structure to measure the deformation of the support structure; and
Including; forming a circuit portion on the upper surface of the support structure to process the signal from the sensor portion,
The step of forming the support structure includes forming an opening partly cut off at a position corresponding to the sensor unit,
The sensor unit is located at the both ends of the support structure symmetrical to each other and spaced apart by a predetermined distance,
The openings are provided in pairs to correspond to the position of the sensor unit,
A method of manufacturing a pressure sensor structure in which a groove recessed downward so that a link physically connected to an object to be measured is provided through the support structure is provided in the center of the support structure.
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JP2666209B2 (en) * 1986-09-22 1997-10-22 株式会社テック Manufacturing method of load cell
JP2013242148A (en) 2012-04-27 2013-12-05 Showa Denko Kk Load detector
KR20180107734A (en) * 2017-03-22 2018-10-02 아즈빌주식회사 Pressure sensor chip, pressure transmitter, and manufacturing method of pressure sensor chip

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