KR102036536B1 - Semiconductor pressure sensor that forms two independent full-wheatstone bridges with four resistors - Google Patents

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Abstract

본 발명은 4개의 저항체로 2개의 풀휘트스톤브리지가 구비된 반도체 압력센서에 관한 것으로, 전도체 재질의 5개의 접속패드를 포함하고, 상기 접속패드와 연결되고 외부 압력에 따른 길이 변화에 비례하여 저항값이 변화하며, 접속패드와 동일한 가로축상에 배치되는 4개의 저항체를 포함하고, 각 저항체를 전기적으로 연결하는 연결부(전도체)를 포함하고, 4개의 외부고정저항 및 1개 또는 2개의 인가전압과 연결되어서 연결회로의 구조가 2개의 풀휘트스톤브리지를 형성하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor pressure sensor provided with two full Wheatstone bridges with four resistors, including five connection pads made of a conductive material, connected to the connection pads, and having a resistance proportional to a change in length depending on external pressure. A value varies, and includes four resistors arranged on the same horizontal axis as the connection pad, and includes a connecting portion (conductor) for electrically connecting each resistor, and includes four external fixed resistors and one or two applied voltages. A semiconductor pressure sensor connected to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors, wherein the structure of the connection circuit forms two Full Wheatstone bridges.

Description

4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서 { Semiconductor pressure sensor that forms two independent full-wheatstone bridges with four resistors }Semiconductor pressure sensor that forms two independent full-wheatstone bridges with four resistors}

본 발명은 4개의 저항체로 2개의 풀휘트스톤브리지가 구비된 반도체 압력센서에 관한 것으로, 보다 상세히 설명하면, 전도체 재질의 5개의 접속패드를 포함하고, 상기 접속패드와 연결되고 외부 압력에 따른 길이 변화에 비례하여 저항값이 변화하며, 접속패드와 동일한 가로축상에 배치되는 4개의 저항체를 포함하고, 각 저항체를 전기적으로 연결하는 연결부(전도체)를 포함하고, 4개의 외부고정저항 및 1개의 인가전압과 연결되어서 연결회로의 구조가 2개의 풀휘트스톤브리지(Full wheatstone bridge)를 형성하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor pressure sensor provided with two full Wheatstone bridges with four resistors. More specifically, the present invention includes five connection pads made of a conductive material, and is connected to the connection pads and has a length according to external pressure. The resistance value changes in proportion to the change, and includes four resistors arranged on the same horizontal axis as the connection pad, and includes a connecting portion (conductor) for electrically connecting the resistors, and includes four external fixed resistors and one applied part. It relates to a semiconductor pressure sensor which forms two independent full wheatstone bridges with four resistors, in connection with voltage, the structure of the connecting circuit forms two full wheatstone bridges.

일반적으로, 반도체 압력센서는 자동차, 환경설비, 의료기기 등에 광범위하게 이용되는 센서 부분의 기술분야로 진동이 많이 발생되거나, 급격한 압력의 변화가 있는 환경 등 압력에 대한 측정이 필요한 기기에서 사용된다. 측정의 원리로는 반도체에 가해지는 압력에 비례하여 반도체의 형상이 변화하면, 반도체의 저항값이 변화하는 점을 이용한다. 반도체 압력센서의 구성은 반도체가 구비되고 전압이 인가되는 풀휘트스톤브리지가 포함되어서, 상기 풀휘트스톤브리지에 외부의 압력이 가해지면 물리적 휘어짐으로 인하여 휘트스톤브리지에 포함된 반도체의 저항값이 변화하여 압력의 정도가 감지되고, 압력에 따라 길이가 변화하는 측정 대상의 표면에 압력센서를 부착하여 압력을 측정하게 되는 것이다.In general, the semiconductor pressure sensor is a technical field of the sensor part widely used in automobiles, environmental equipment, medical devices, etc., and is used in a device requiring measurement of pressure, such as an environment in which vibration is generated or a sudden change in pressure. As a principle of measurement, the resistance value of the semiconductor changes when the shape of the semiconductor changes in proportion to the pressure applied to the semiconductor. The configuration of the semiconductor pressure sensor includes a full Wheatstone bridge in which a semiconductor is provided and a voltage is applied, and when the external pressure is applied to the full Wheatstone bridge, the resistance value of the semiconductor included in the Wheatstone bridge is changed due to physical bending. The degree of pressure is sensed, and the pressure sensor is attached to the surface of the measuring object whose length is changed according to the pressure to measure the pressure.

한국 공개특허 10-2016-0115830호는 반도체 스트레인 게이지, 즉 반도체 압력센서에 관한 것으로, 압력 환경에 노출되도록 구성되어 있는 감지 요소로서, 적어도 하나의 고농도 도핑 반도체 스트레인 게이지를 구비하고, 상기 고농도 도핑 반도체 스트레인 게이지는 5 패드 싱글 풀휘트스톤브리지를 포함하는 것인 감지요소; 캐리어 상에 배치되어 있고 상기 감지 요소에 전기적으로 결합되어 있는 전자 패키지로서, 상기 캐리어는 상기 감지 요소를 포함하는 포트 상에 배치되어 있는 것인 전자 패키지; 상기 감지 요소와 전자 패키지의 주위에 배치된 하우징; 및 상기 하우징에 연결되어 있고 상기 전자 패키지에 전기 접속되어 있으며 외부 인터페이스를 구비하는 커넥터를 포함하는 장치로 공개된 바 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2016-0115830 relates to a semiconductor strain gauge, i.e., a semiconductor pressure sensor, comprising a sensing element configured to be exposed to a pressure environment, comprising at least one high concentration doped semiconductor strain gauge, and the high concentration doped semiconductor. The sensing element comprising a five pad single full Wheatstone bridge; An electronic package disposed on a carrier and electrically coupled to the sensing element, wherein the carrier is disposed on a port containing the sensing element; A housing disposed around the sensing element and the electronic package; And a connector connected to the housing and electrically connected to the electronic package, the connector having an external interface.

그런데 기존의 반도체 압력센서(=스트레인 게이지)는 싱글 풀휘트스톤브리지만을 포함하여서 압력 측정의 정확도가 낮고, 여분의 풀휘트스톤브리지가 존재하지 않으므로 일부 구성요소의 고장시 전체적인 작동이 불가능해지는 문제점이 있으며, 저항체가 대칭형으로 형성되어서 압력 환경의 반도체 압력센서 부착면의 형상이 평면이 아닌 경우 사용이 어려운 한계점이 있었다.However, the conventional semiconductor pressure sensor (= strain gauge) includes a single full Wheatstone bridge, so the accuracy of pressure measurement is low, and there is no redundant full Wheatstone bridge, so that the entire operation is impossible when some components fail. In addition, since the resistor is formed in a symmetrical shape, the semiconductor pressure sensor attaching surface in a pressure environment is difficult to use when the shape is not flat.

한국 공개특허 10-2016-0115830호Korean Patent Publication No. 10-2016-0115830

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 상기의 목적을 달성하기 위하여 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서를 제공함으로써, 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지로 압력의 변화를 측정하여 2가지 압력측정값의 비교가 가능하게 되므로 압력 측정의 정확도를 높이고, 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 사용하므로 일부 구성요소의 고장시에도 정상 작동하는 여분의 풀휘트스톤브리지로 압력의 측정이 가능하도록 하고, 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 이루는 저항체가 서로 다른 패턴의 형상을 가질 수 있도록 함으로써 서로 비대칭적인 길이 및 저항값을 형성하여 서로 다른 2가지 압력측정값을 얻음으로써 압력 측정의 신뢰도를 높이고, 반도체 압력센서 부착면의 형상이 평면이 아닌 굴곡진 형상인 경우에도 효과적인 압력 측정이 가능하게 되는 저항체 패턴을 갖는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, to achieve the above object by providing a semiconductor pressure sensor to form two independent full Wheatstone bridge with four resistors, to two independent full Wheatstone bridge By measuring the change in pressure, it is possible to compare the two pressure measurement values, which improves the accuracy of the pressure measurement and by using two independent full Wheatstone bridges, the extra full Wheatstone bridge works even in case of failure of some components. Furnace pressure measurement, and two independent full Wheatstone bridge resistors can have different patterns to form asymmetric lengths and resistance values to obtain two different pressure measurements. Increase the reliability of pressure measurement, and the shape of the semiconductor pressure sensor mounting surface is not flat Having a resistor pattern that enables an effective pressure measurement, even if the merchant, to provide a semiconductor pressure sensor to form the two separate full Wheatstone bridge of four resistors.

본 발명의 이러한 목적은, 압력에 따라 길이가 변화하는 측정 대상의 표면에 부착하여 압력을 측정하는 반도체 압력센서에 있어서, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서는 5개의 접속패드와, 5개의 접속패드 중 임의의 2개씩의 접속패드를 4쌍으로 잇는 4개의 저항체와, 각 저항체를 전기적으로 연결하는 연결부와, 4개의 저항체 중 2개의 저항체와 연결되는 외부고정저항 2개 및 인가전압과, 4개의 저항체 중 다른 2개의 저항체와 연결되는 다른 외부고정저항 2개 및 인가전압을 포함하여, 총 2개의 풀휘트스톤브리지를 형성하는 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 의하여 달성된다.This object of the present invention is a semiconductor pressure sensor for measuring pressure by attaching to a surface of a measurement object whose length varies with pressure, wherein the semiconductor pressure sensor for forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors is 5 Resistors connecting four resistor pads, four pairs of connection pads of any two of the five connection pads, a connecting portion for electrically connecting the resistors, and an external fixed resistor connected to two resistors of the four resistors Two independent full watts with four resistors forming two full Wheatstone bridges, including two and applied voltages, two external fixed resistors connected to the other two of the four resistors, and the applied voltage. This is accomplished by a semiconductor pressure sensor forming a stone bridge.

본 발명에 따른 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서는, 첫째, 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지로 압력의 변화를 측정하여 2가지 압력측정값의 비교가 가능하게 되므로 압력 측정의 정확도가 증가하고, 둘째, 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 사용하므로 일부 구성요소의 고장시에도 정상 작동하는 여분의 풀휘트스톤브리지로 압력의 측정이 가능하게 되고, 셋째, 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 이루는 저항체가 서로 다른 패턴의 형상을 가질 수 있도록 함으로써 서로 비대칭적인 길이 및 저항값을 형성하여 서로 다른 2가지 압력측정값을 얻음으로써 압력 측정의 신뢰도가 증가하고, 넷째, 반도체 압력센서 부착면의 형상이 평면이 아닌 굴곡진 형상인 경우에도 효과적인 압력 측정이 가능하게 되는 저항체 패턴을 갖추어서 압력 측정의 정확도가 증가하게 되는 우수한 효과가 있다.In the semiconductor pressure sensor forming two independent full wheatstone bridges with four resistors according to the present invention, first, since two independent full wheatstone bridges measure a change in pressure, two pressure measurement values can be compared. The accuracy of the pressure measurement is increased, and second, the use of two independent full Wheatstone bridges allows the measurement of pressure with an extra full Wheatstone bridge, which works normally even in the event of failure of some components. Fourth, semiconductor pressure can be increased by forming two asymmetric lengths and resistance values by allowing the resistors of the full Wheatstone bridge to have different patterns. Resistor pad that enables effective pressure measurement even when the sensor mounting surface is curved rather than flat Having a turn has the effect of increasing the accuracy of the pressure measurement.

도 1은 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 일 실시예가 적용된 압력측정장치의 일부 단면도 및 외부압력 인가시 작동원리 설명도
도 2a, 2b는 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 일 실시예가 적용된 압력측정장치의 일부 단면도 및 외부압력 인가시 작동원리 설명도
도 3은 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 제1 실시예에 따른 구조도
도 4는 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 제1 실시예에 따른 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지 회로의 작동도
도 5는 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 제2 실시예에 따른 구조도
도 6은 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 제3 실시예에 따른 구조도
도 7은 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 제4 실시예에 따른 구조도
도 8은 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서의 제5 실시예에 따른 구조도1 is a partial cross-sectional view of a pressure measuring device to which an embodiment of a semiconductor pressure sensor is applied to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors and an operating principle when an external pressure is applied;
2A and 2B are partial cross-sectional views of a pressure measuring device to which an embodiment of a semiconductor pressure sensor is applied to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors and an operation principle when an external pressure is applied;
3 is a structural diagram according to a first embodiment of a semiconductor pressure sensor forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors
4 is an operation diagram of two independent full Wheatstone bridge circuits according to the first embodiment of the semiconductor pressure sensor forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors;
5 is a structural diagram according to a second embodiment of a semiconductor pressure sensor forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors
6 is a structural diagram according to a third embodiment of a semiconductor pressure sensor for forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors
7 is a structural diagram according to a fourth embodiment of a semiconductor pressure sensor for forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors
8 is a structural diagram according to a fifth embodiment of a semiconductor pressure sensor for forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태로 제작되거나 부품과 기술의 치환이 가능할 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 하며, 본 발명에서 기재되는 기술구성 및 그 기술구성에 의해 발휘되는 기능 중에서 널리 공지되어 적용되는 기술구성 및 기능은 그 자세한 설명을 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. However, since the description of the present invention is only an embodiment for structural or functional description, the scope of the present invention should not be construed as limited by the embodiments described in the text. That is, since the embodiments may be variously modified and manufactured in various forms, or may be replaced by parts and technology, the scope of the present invention should be understood to include equivalents capable of realizing the technical idea. The technical configuration and functions that are well known and applied among the technical configurations described and the functions exhibited by the technical configurations will be omitted.

본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)의 작동원리는, 도 1, 2a, 2b에 도시된 바와 같이, 금속다이아프램 내부의 압력을 측정함에 있어서, 도 1과 같은 세로방향 또는 도 2a, 2b와 같은 가로방향으로 반도체 압력센서를 금속다이아프램의 특정 면에 부착하여, 압력인가시 반도체 압력센서의 부착면에 변형이 발생하는 것이 반도체 압력센서의 저항체의 길이를 변화시키고, 저항체의 저항값 변화로 압력의 변화를 측정한다. 도 1에서는 압력인가시 반도체 압력센서의 부착면 상부는 축소되고 하부는 팽창하여 반도체 압력센서 상부 저항체의 길이가 감소하여 저항이 감소하고, 하부 저항체의 길이가 증가하여 저항이 증가한다. 도 2a 및 도2b에서는 압력인가시 반도체 압력센서의 부착면 중 금속다이아프램 종축의 중앙부는 팽창되고 가장자리부는 축소되어 반도체 압력센서 가장자리부의 저항체의 저항은 감소하고, 중앙부의 저항은 증가한다.According to a first preferred embodiment of the present invention, the operation principle of the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors, is shown in FIGS. 1, 2A and 2B. In measuring the pressure inside the fram, the semiconductor pressure sensor is attached to a specific surface of the metal diaphragm in the longitudinal direction as shown in FIG. 1 or in the transverse direction as shown in FIGS. 2A and 2B. This occurrence changes the length of the resistor of the semiconductor pressure sensor, and measures the change in pressure as the resistance value of the resistor changes. In FIG. 1, when the pressure is applied, an upper portion of the attaching surface of the semiconductor pressure sensor is reduced and the lower portion is expanded to decrease the length of the upper resistor of the semiconductor pressure sensor, thereby reducing the resistance, and increasing the length of the lower resistor, thereby increasing the resistance. 2A and 2B, when the pressure is applied, the center portion of the vertical axis of the metal diaphragm of the attachment surface of the semiconductor pressure sensor is expanded and the edge portion is reduced so that the resistance of the resistor of the edge portion of the semiconductor pressure sensor decreases, and the resistance of the center portion increases.

이를 더욱 자세히 설명하면, 내부가 빈 원통형에 가깝도록 이루어지고 상부와 좌측부와 우측부는 밀폐되어 있고 하부만이 내부와 외부가 통하도록 개방된 형태이며, 빈 내부를 통해서 공기 등 임의의 매질로 외부의 압력이 전달되어 하부에서 상부를 향하는 방향으로 압력이 가해지는 원통형의 압력측정장치(B)에 있어서, 압력측정장치(B)의 상부 압력변형면(100)은 상기 압력의 크기에 비례하여 물리적 형태의 변형이 일어나도록 제작되어서 외부의 압력이 증가하면 상하 중심축을 기준으로 중심축에 가까운 부분이 위로 볼록해지면서 중심부 표면(101)이 압력 증가 이전보다 늘어나는 형태가 되고, 중심축에서 먼 상부면 중 일부는 외부의 압력이 증가하면 상부판의 하측이 늘어나는 길이보다 상측이 늘어나는 길이가 더 짧아짐으로써 외곽부 표면(102)이 압력 증가 이전보다 줄어드는 형태가 된다. In more detail, the inside is made close to the hollow cylinder, the top, left and right sides are closed and the bottom is open so that the inside and the outside communicate with each other. In the cylindrical pressure measuring device (B) in which pressure is transmitted to apply pressure in a direction from bottom to top, the upper pressure deformation surface (100) of the pressure measuring device (B) has a physical shape in proportion to the magnitude of the pressure. When the external pressure increases, the portion close to the central axis becomes convex upward with respect to the vertical axis, and the central surface 101 becomes longer than before the pressure increase, and the upper surface is far from the central axis. In some cases, as the external pressure increases, the upper surface is shorter than the lower side of the top plate. It is a reduced form than the increase in power before.

본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)의 구조는, 도 3에 도시된 바와 같이, 전도체인 제1접속패드(P1)가 높이가 좁고 폭이 긴 직사각형 모양으로 제1접속패드(P1)의 높이보다 얇은 두께를 가지고 형성되고, 상기 제1접속패드(P1)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 전도체인 제2접속패드(P2)가 제1접속패드(P1)와 유사한 형상으로 형성되며, 위와 동일한 방식으로 전도체인 제3접속패드(P3), 제4접속패드(P4), 제5접속패드(P5)가 동일한 간격으로 하단 방향에 순서대로 이격되어 형성된다.According to the first preferred embodiment of the present invention, the structure of the semiconductor pressure sensor A which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors is, as shown in FIG. P1 is formed in a rectangular shape having a narrow height and a width that is thinner than the height of the first connection pad P1, and is formed at a lower end of the first connection pad P1 than the height of the first connection pad P1. The second connection pads P2, which are conductors spaced apart at short intervals, are formed in a shape similar to the first connection pads P1, and the third connection pads P3 and the fourth connection pads, which are conductors, in the same manner as described above. P4) and the fifth connection pads P5 are spaced apart in order in the lower direction at equal intervals.

제1저항체(R1)가 제5접속패드(P5)의 우측하단부와 제3접속패드(P3)의 우측하단부를 '

Figure 112018026971727-pat00001
' 모양으로 연결하고, 제2저항체(R2)가 제1접속패드(P1)의 좌측상단부와 제3접속패드(P3)의 좌측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00002
' 모양으로 연결하고, 제3저항체(R3)가 제3접속패드(P3)의 우측상단부와 제2접속패드의 우측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00003
' 모양으로 연결하고, 제4저항체(R4)가 제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112018026971727-pat00004
' 모양으로 연결하며 형성된다.The first resistor R1 has a lower right end portion of the fifth connection pad P5 and a lower right end portion of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00001
And the second resistor R2 is connected to the upper left end of the first connection pad P1 and the upper left end of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00002
And the third resistor R3 is connected to the upper right end of the third connection pad P3 and the upper right end of the second connection pad.
Figure 112018026971727-pat00003
And the fourth resistor R4 is connected to the lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4.
Figure 112018026971727-pat00004
'Is formed by connecting in shape.

각 저항체(R)에서 '

Figure 112018026971727-pat00005
' 모양의 좌측 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료와 '
Figure 112018026971727-pat00006
' 모양의 우측 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료는 저항이 0Ω에 가까운 전도체를 재질로 형성되고, '
Figure 112018026971727-pat00007
'과 '
Figure 112018026971727-pat00008
'모양의 중앙 가로부분의 구성요소는 접속패드(P)에 닿지 않는 길이로 반도체 압력센서의 전기적 흐름과는 무관하게 형성된다.On each resistor (R)
Figure 112018026971727-pat00005
'The material of the connecting part (C) constituting the left and right of the shape'
Figure 112018026971727-pat00006
'The material of the connection part (C) constituting the right longitudinal direction of the shape is formed of a conductor whose resistance is close to 0 Ω,
Figure 112018026971727-pat00007
'And'
Figure 112018026971727-pat00008
'The central horizontal component of the shape is a length that does not touch the connection pad (P) is formed irrespective of the electrical flow of the semiconductor pressure sensor.

상기 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)의 회로의 구성 및 작동 원리는 다음과 같다. 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)와 연결되는 외부 회로에 4개의 외부고정저항(200)과 1개 또는 2개의 인가전압이 구비되어 총 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지가 형성된다. 이를 더욱 자세히 설명하면, 도 1, 도 2b, 도 4에 도시된 바와 같이, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)가 압력측정장치(B)의 압력변형면(100)에 압력인가시 저항체의 저항이 증가하는 쪽으로 제1저항체(R1)와 제3저항체(R3)를 위치시키고, 저항체의 저항이 감소하는 쪽으로 제2저항체(R2)와 제4저항체(R4)를 위치시키면서 설치되고, 제1저항체(R1)와 제4저항체(R4)와 외부고정저항(201, 202)에 의하여 제1풀휘트스톤브리지(H1)가 형성되며, 이 경우 각 부의 역할은 제5접속패드(P5)는 제1저항체(R1)의 출력부가 되고, 제4접속패드(P4)는 제4저항체(R4)의 출력부가 되고, 제3접속패드(P3)는 접지가 되고, 제4접속패드(P4)와 제5접속패드(P5)를 잇는 외부회로에는 1개 또는 2개의 인가전압과 2개의 고정저항(201,202)이 형성되고, 압력변형면(100)에 외력이 가해지는 경우에 제1저항체(R1)의 저항값이 증가하고 제5접속패드(P5)의 출력전압이 증가하며, 제4저항체(R4)의 저항값이 감소하고 제4접속패드(P4)의 출력전압이 감소한다. 또한, 제3저항체(R3)와 제2저항체(R2)와 외부고정저항(203, 204)에 의하여 제2풀휘트스톤브리지(H2)가 형성되며, 이 경우 각 부의 역할은 제2접속패드(P2)는 제3저항체(R3)의 출력부가 되고, 제1접속패드(P1)는 제2저항체(R2)의 출력부가 되고, 제3접속패드(P3)는 접지가 되고, 제1접속패드(P1)와 제2접속패드(P2)를 잇는 외부회로에는 1개 또는 2개의 인가전압과 2개의 고정저항(201,202)이 형성되고, 압력변형면(100)에 외력이 가해지는 경우에 제3저항체(R3)의 저항값이 증가하고 제2접속패드(P2)의 출력전압이 증가하며, 제2저항체(R2)의 저항값이 감소하고 제1접속패드(P1)의 출력전압이 감소한다.The configuration and operating principle of the circuit of the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with the four resistors, are as follows. Four external fixed resistors 200 and one or two applied voltages are provided in an external circuit connected to the semiconductor pressure sensor A which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors. Wheatstone bridge is formed. More specifically, as shown in FIGS. 1, 2B, and 4, the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors, is a pressure deformation device of the pressure measuring device B. FIG. When the pressure is applied to the surface 100, the first resistor R1 and the third resistor R3 are positioned to increase the resistance of the resistor, and the second resistor R2 and the fourth resistor ( R4) is installed while the first resistor R1, the fourth resistor R4, and the external fixed resistors 201 and 202 are formed to form the first full Wheatstone bridge H1, in which case each part plays a role. The fifth connection pad P5 is the output of the first resistor R1, the fourth connection pad P4 is the output of the fourth resistor R4, and the third connection pad P3 is grounded. In the external circuit connecting the fourth connection pad P4 and the fifth connection pad P5, one or two applied voltages and two fixed resistors 201 and 202 are formed, and the pressure deformation surface ( When the external force is applied to 100, the resistance value of the first resistor R1 increases, the output voltage of the fifth connection pad P5 increases, the resistance value of the fourth resistor R4 decreases, and the fourth connection. The output voltage of the pad P4 decreases. In addition, a second full Wheatstone bridge (H2) is formed by the third resistor (R3), the second resistor (R2) and the external fixed resistors (203, 204), in which case each part plays a role of the second connection pad ( P2 is an output of the third resistor R3, the first connection pad P1 is an output of the second resistor R2, the third connection pad P3 is grounded, and the first connection pad ( In the external circuit connecting P1) and the second connection pad P2, one or two applied voltages and two fixed resistors 201 and 202 are formed, and a third resistor is applied when an external force is applied to the pressure deformation surface 100. The resistance value of R3 increases, the output voltage of the second connection pad P2 increases, the resistance value of the second resistor R2 decreases, and the output voltage of the first connection pad P1 decreases.

본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 동일하게 5개의 접속패드(P)가 구비되고, According to the second preferred embodiment of the present invention, the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors, is the same as the first embodiment, as shown in FIG. 5. The connection pad P is provided,

제1저항체(R1)가 제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '

Figure 112018026971727-pat00009
' 모양으로 연결하고, 제2저항체(R2)가 제1접속패드(P1)의 우측상단부와 제3접속패드(P3)의 우측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00010
' 모양으로 연결하고, 제3저항체(R3)가 제3접속패드(P3)의 좌측상단부와 제2접속패드의 좌측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00011
' 모양으로 연결하고, 제4저항체(R4)가 제3접속패드(P3)의 우측하단부와 제5접속패드(P5)의 좌측하단부를 '
Figure 112018026971727-pat00012
' 모양으로 연결하며 형성된다. 이와 같은 좌우 비대칭의 형상으로 인하여, 압력변형면(100)이 비대칭인 크기인 경우에도 반도체 압력센서의 접착이 용이하고 비대칭인 압력 변형면에 의한 저항 변화가 우수한 장점이 있다.The first resistor R1 has a lower left end portion of the third connection pad P3 and a lower left end portion of the fourth connection pad P4.
Figure 112018026971727-pat00009
And the second resistor R2 is connected to the upper right end of the first connection pad P1 and the upper right end of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00010
And the third resistor R3 is connected to the upper left end of the third connection pad P3 and the upper left end of the second connection pad
Figure 112018026971727-pat00011
And the fourth resistor R4 is connected to the lower right end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fifth connection pad P5.
Figure 112018026971727-pat00012
'Is formed by connecting in shape. Due to the left and right asymmetrical shape, even when the pressure deformation surface 100 is asymmetric in size, the adhesion of the semiconductor pressure sensor is easy and the resistance change due to the asymmetric pressure deformation surface is excellent.

각 저항체(R)에서 '

Figure 112018026971727-pat00013
' 모양의 좌측 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료와 '
Figure 112018026971727-pat00014
' 모양의 우측 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료는 저항이 0Ω에 가까운 전도체를 재질로 형성되고, '
Figure 112018026971727-pat00015
'과 '
Figure 112018026971727-pat00016
'모양의 중앙 가로부분의 구성요소는 접속패드(P)에 닿지 않는 길이로 반도체 압력센서의 전기적 흐름과는 무관하게 형성된다.On each resistor (R)
Figure 112018026971727-pat00013
'The material of the connecting part (C) constituting the left and right of the shape'
Figure 112018026971727-pat00014
'The material of the connection part (C) constituting the right longitudinal direction of the shape is formed of a conductor whose resistance is close to 0 Ω,
Figure 112018026971727-pat00015
'And'
Figure 112018026971727-pat00016
'The central horizontal component of the shape is a length that does not touch the connection pad (P) is formed irrespective of the electrical flow of the semiconductor pressure sensor.

본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 동일하게 5개의 접속패드(P)가 구비되고, According to a third preferred embodiment of the present invention, the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors, is the same as the first embodiment, as shown in FIG. The connection pad P is provided,

제1저항체(R1)가 제5접속패드(P5)의 우측하단부와 제3접속패드(P3)의 우측하단부를 '

Figure 112018026971727-pat00017
' 모양으로 연결하고, 제2저항체(R2)가 제1접속패드(P1)의 좌측상단부와 제3접속패드(P3)의 좌측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00018
' 모양으로 연결하고, 제3저항체(R3)가 제3접속패드(P3)의 우측상단부와 제2접속패드의 우측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00019
' 모양으로 연결하고, 제4저항체(R4)가 제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112018026971727-pat00020
' 모양으로 연결하며 형성된다. 제3 실시예는 제1 실시예에 대비하여 저항체(R)의 패턴이 변경되어 저항체(R)의 길이가 증가함으로써, 제1 실시예에 대비하여 더욱 높은 저항값을 측정하는 데 유리한 장점이 있다.The first resistor R1 has a lower right end portion of the fifth connection pad P5 and a lower right end portion of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00017
And the second resistor R2 is connected to the upper left end of the first connection pad P1 and the upper left end of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00018
And the third resistor R3 is connected to the upper right end of the third connection pad P3 and the upper right end of the second connection pad.
Figure 112018026971727-pat00019
And the fourth resistor R4 is connected to the lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4.
Figure 112018026971727-pat00020
'Is formed by connecting in shape. Compared to the first embodiment, the third embodiment has an advantage of measuring a higher resistance value than the first embodiment by changing the pattern of the resistor R and increasing the length of the resistor R. .

각 저항체(R)에서 '

Figure 112018026971727-pat00021
' 모양의 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료와 '
Figure 112018026971727-pat00022
' 모양의 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료는 저항이 0Ω에 가까운 전도체를 재질로 형성된다.On each resistor (R)
Figure 112018026971727-pat00021
'The material of the connection part (C) constituting the longitudinal direction of the shape'
Figure 112018026971727-pat00022
The material of the connecting portion C constituting the longitudinal direction of the shape 'is formed of a material of a conductor close to 0Ω.

본 발명의 바람직한 제4 실시예에 따른, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 동일하게 5개의 접속패드(P)가 구비되고, According to the fourth preferred embodiment of the present invention, the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors, is the same as the first embodiment, as shown in FIG. The connection pad P is provided,

제1저항체(R1)가 제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '

Figure 112018026971727-pat00023
' 모양으로 연결하고, 제2저항체(R2)가 제1접속패드(P1)의 우측상단부와 제3접속패드(P3)의 우측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00024
' 모양으로 연결하고, 제3저항체(R3)가 제3접속패드(P3)의 좌측상단부와 제2접속패드(P2)의 좌측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00025
' 모양으로 연결하고, 제4저항체(R4)가 제3접속패드(P3)의 우측하단부와 제5접속패드(P5)의 우측하단부를 '
Figure 112018026971727-pat00026
' 모양으로 연결하며 형성된다. 이와 같은 좌우 비대칭의 형상으로 인하여, 압력변형면(100)이 비대칭인 크기인 경우에도 반도체 압력센서의 접착이 용이하고 비대칭 압력 변형면에 의한 저항 변화가 우수한 장점이 있으며, 제4 실시예는 제2 실시예에 대비하여 저항체(R)의 패턴이 변경되어 저항체(R)의 길이가 증가함으로써, 제2 실시예에 대비하여 더욱 높은 저항값을 측정하는 데 유리한 장점이 있다.The first resistor R1 has a lower left end portion of the third connection pad P3 and a lower left end portion of the fourth connection pad P4.
Figure 112018026971727-pat00023
And the second resistor R2 is connected to the upper right end of the first connection pad P1 and the upper right end of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00024
And the third resistor R3 is connected to the upper left end of the third connection pad P3 and the upper left end of the second connection pad P2.
Figure 112018026971727-pat00025
And the fourth resistor R4 is connected to the lower right end of the third connection pad P3 and the lower right end of the fifth connection pad P5.
Figure 112018026971727-pat00026
'Is formed by connecting in shape. Due to the left and right asymmetrical shapes, even when the pressure deformation surface 100 is asymmetric in size, adhesion of the semiconductor pressure sensor is easy and resistance change due to the asymmetric pressure deformation surface is excellent. Compared to the second embodiment, the pattern of the resistor R is changed to increase the length of the resistor R, which is advantageous in measuring a higher resistance value compared to the second embodiment.

각 저항체(R)에서 '

Figure 112018026971727-pat00027
' 모양의 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료와 '
Figure 112018026971727-pat00028
' 모양의 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료는 저항이 0Ω에 가까운 전도체를 재질로 형성된다.On each resistor (R)
Figure 112018026971727-pat00027
'The material of the connection part (C) constituting the longitudinal direction of the shape'
Figure 112018026971727-pat00028
The material of the connecting portion C constituting the longitudinal direction of the shape 'is formed of a material of a conductor close to 0Ω.

본 발명의 바람직한 제5 실시예에 따른, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 동일하게 5개의 접속패드(P)가 구비되고, According to the fifth preferred embodiment of the present invention, the semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors, is the same as the first embodiment, as shown in FIG. 8. The connection pad P is provided,

제1저항체(R1)가 제5접속패드(P5)의 우측하단부와 제3접속패드(P3)의 우측하단부를 '

Figure 112018026971727-pat00029
' 모양으로 연결하고, 제2저항체(R2)가 제1접속패드(P1)의 좌측상단부와 제3접속패드(P3)의 좌측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00030
' 모양으로 연결하고, 제3저항체(R3)가 제3접속패드(P3)의 우측상단부와 제2접속패드의 우측상단부를 '
Figure 112018026971727-pat00031
' 모양으로 연결하고, 제4저항체(R4)가 제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112018026971727-pat00032
' 모양으로 연결하며 형성된다. 제5 실시예는 제3 실시예에 대비하여 제2저항체(R2)와 제3저항체(R3)의 패턴이 변경되어 저항체(R)의 길이가 제2저항체(R2)와 제3저항체(R3)만 짧아짐으로써, 제3 실시예에 대비하여 2개의 풀휘트스톤브리지의 저항값이 제 5실시예에서는 서로 달라지게 되어 반도체 압력센서가 2가지 측정값을 얻게 되는 장점이 있다.The first resistor R1 has a lower right end portion of the fifth connection pad P5 and a lower right end portion of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00029
And the second resistor R2 is connected to the upper left end of the first connection pad P1 and the upper left end of the third connection pad P3.
Figure 112018026971727-pat00030
And the third resistor R3 is connected to the upper right end of the third connection pad P3 and the upper right end of the second connection pad.
Figure 112018026971727-pat00031
And the fourth resistor R4 is connected to the lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4.
Figure 112018026971727-pat00032
'Is formed by connecting in shape. In the fifth embodiment, the second resistor R2 and the third resistor R3 have a changed pattern compared to the third embodiment so that the resistor R has a length of the second resistor R2 and the third resistor R3. By shortening, the resistance values of the two full Wheatstone bridges are different from each other in the fifth embodiment in comparison with the third embodiment, so that the semiconductor pressure sensor can obtain two measured values.

각 저항체(R)에서 '

Figure 112018026971727-pat00033
' 및 '
Figure 112018026971727-pat00034
' 모양의 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료와 '
Figure 112018026971727-pat00035
' 및 '
Figure 112018026971727-pat00036
' 모양의 세로방향을 구성하는 연결부(C)의 재료는 저항이 0Ω에 가까운 전도체를 재질로 형성되고, '
Figure 112018026971727-pat00037
' 및 '
Figure 112018026971727-pat00038
' 모양의 중앙 가로부분의 구성요소는 접속패드(P)에 닿지 않는 길이로 반도체 압력센서의 전기적 흐름과는 무관하게 형성된다.On each resistor (R)
Figure 112018026971727-pat00033
'And'
Figure 112018026971727-pat00034
'The material of the connection part (C) constituting the longitudinal direction of the shape'
Figure 112018026971727-pat00035
'And'
Figure 112018026971727-pat00036
'The material of the connecting part (C) constituting the longitudinal direction of the shape is formed of a conductor whose resistance is close to 0 kΩ,
Figure 112018026971727-pat00037
'And'
Figure 112018026971727-pat00038
The central horizontal component of the shape is a length that does not touch the connection pad (P) is formed regardless of the electrical flow of the semiconductor pressure sensor.

본 발명에 따른 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서는, 일반적인 반도체 압력센서의 제조산업에서 동일한 제품을 반복적으로 제조하는 것이 가능하다고 할 것이므로 산업상 이용가능성이 있는 발명이라고 할 것이다.The semiconductor pressure sensor, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors according to the present invention, is capable of repeatedly producing the same product in the manufacturing industry of a general semiconductor pressure sensor. Will be called.

A: 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서
B: 압력측정장치 C: 연결부
P: 접속패드
P1: 제1접속패드 P2: 제2접속패드
P3: 제3접속패드 P4: 제4접속패드
P5: 제5접속패드
R: 저항체
R1: 제1저항체 R2: 제2저항체
R3: 제3저항체 R4: 제4저항체
H1: 제1풀휘트스톤브리지 H2 : 제2풀휘트스톤브리지
100 : 압력변형면 101 : 중심부 표면
102 : 외곽부 표면 200 : 외부고정저항A: Semiconductor pressure sensor forming two independent full Wheatstone bridges with four resistors
B: pressure measuring device C: connection
P: Connection pad
P1: first connection pad P2: second connection pad
P3: third connection pad P4: fourth connection pad
P5: fifth connection pad
R: resistor
R1: first resistor R2: second resistor
R3: third resistor R4: fourth resistor
H1: First Full Wheatstone Bridge H2: Second Full Wheatstone Bridge
100: pressure deformation surface 101: central surface
102: outer surface 200: external fixed resistance

Claims (5)

측정 대상 물체의 압력변형면(100)에 설치되어 측정 대상 물체에 가해지는 외부의 압력을 측정하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 있어서,
4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는,
전도체로서 높이가 좁고 폭이 긴 직사각형 모양으로 높이보다 얇은 두께를 가지고 형성되는 제1접속패드(P1);
상기 제1접속패드(P1)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제2접속패드(P2);
상기 제2접속패드(P2)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제3접속패드(P3);
상기 제3접속패드(P3)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제4접속패드(P4);
상기 제4접속패드(P4)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제5접속패드(P5);
제5접속패드(P5)의 우측하단부와 제3접속패드(P3)의 우측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00039
' 모양으로 연결하는 제1저항체(R1);
제1접속패드(P1)의 좌측상단부와 제3접속패드(P3)의 좌측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00040
' 모양으로 연결하는 제2저항체(R2);
제3접속패드(P3)의 우측상단부와 제2접속패드의 우측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00041
' 모양으로 연결하는 제3저항체(R3);
제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00042
' 모양으로 연결하는 제4저항체(R4);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서.In the semiconductor pressure sensor provided on the pressure deformation surface 100 of the object to be measured to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors for measuring the external pressure applied to the object to be measured,
The semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors,
A first connection pad P1 formed as a conductor having a thickness thinner than a height in a rectangular shape having a narrow height and a long width;
A second connection pad (P2) which is a conductor formed at a lower end of the first connection pad (P1) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A third connection pad (P3) which is a conductor formed at a lower end of the second connection pad (P2) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fourth connection pad (P4) which is a conductor formed at a lower end of the third connection pad (P3) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fifth connection pad (P5) which is a conductor formed at a lower end of the fourth connection pad (P4) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
The lower right end portion of the fifth connection pad P5 and the lower right end portion of the third connection pad P3 are '
Figure 112019092429673-pat00039
A first resistor R1 connected in a 'shape;
The upper left end of the first connection pad P1 and the upper left end of the third connection pad P3
Figure 112019092429673-pat00040
A second resistor R2 connected in a 'shape;
The upper right end portion of the third connection pad P3 and the upper right end portion of the second connection pad '
Figure 112019092429673-pat00041
A third resistor R3 connected in a 'shape;
The lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4 are '
Figure 112019092429673-pat00042
And a fourth resistor R4 connected in a shape, wherein the semiconductor pressure sensor forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors. 측정 대상 물체의 압력변형면(100)에 설치되어 측정 대상 물체에 가해지는 외부의 압력을 측정하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 있어서,
4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는,
전도체로서 높이가 좁고 폭이 긴 직사각형 모양으로 높이보다 얇은 두께를 가지고 형성되는 제1접속패드(P1);
상기 제1접속패드(P1)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제2접속패드(P2);
상기 제2접속패드(P2)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제3접속패드(P3);
상기 제3접속패드(P3)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제4접속패드(P4);
상기 제4접속패드(P4)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제5접속패드(P5);
제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00043
' 모양으로 연결하는 제1저항체(R1);
제1접속패드(P1)의 우측상단부와 제3접속패드(P3)의 우측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00044
' 모양으로 연결하는 제2저항체(R2);
제3접속패드(P3)의 좌측상단부와 제2접속패드의 좌측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00045
' 모양으로 연결하는 제3저항체(R3);
제3접속패드(P3)의 우측하단부와 제5접속패드(P5)의 우측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00046
' 모양으로 연결하는 제4저항체(R4);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서.In the semiconductor pressure sensor provided on the pressure deformation surface 100 of the object to be measured to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors for measuring the external pressure applied to the object to be measured,
The semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors,
A first connection pad P1 formed as a conductor having a thickness thinner than a height in a rectangular shape having a narrow height and a long width;
A second connection pad (P2) which is a conductor formed at a lower end of the first connection pad (P1) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A third connection pad (P3) which is a conductor formed at a lower end of the second connection pad (P2) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fourth connection pad (P4) which is a conductor formed at a lower end of the third connection pad (P3) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fifth connection pad (P5) which is a conductor formed at a lower end of the fourth connection pad (P4) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
The lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4 are '
Figure 112019092429673-pat00043
A first resistor R1 connected in a 'shape;
The upper right end of the first connection pad P1 and the upper right end of the third connection pad P3 are defined as'
Figure 112019092429673-pat00044
A second resistor R2 connected in a 'shape;
The upper left end of the third connection pad P3 and the upper left end of the second connection pad '
Figure 112019092429673-pat00045
A third resistor R3 connected in a 'shape;
The lower right end portion of the third connection pad P3 and the lower right end portion of the fifth connection pad P5 are '
Figure 112019092429673-pat00046
And a fourth resistor R4 connected in a shape, wherein the semiconductor pressure sensor forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors. 측정 대상 물체의 압력변형면(100)에 설치되어 측정 대상 물체에 가해지는 외부의 압력을 측정하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 있어서,
4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는,
전도체로서 높이가 좁고 폭이 긴 직사각형 모양으로 높이보다 얇은 두께를 가지고 형성되는 제1접속패드(P1);
상기 제1접속패드(P1)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제2접속패드(P2);
상기 제2접속패드(P2)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제3접속패드(P3);
상기 제3접속패드(P3)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제4접속패드(P4);
상기 제4접속패드(P4)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제5접속패드(P5);
제1저항체(R1)가 제5접속패드(P5)의 우측하단부와 제3접속패드(P3)의 우측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00047
' 모양으로 연결하고, 제2저항체(R2)가 제1접속패드(P1)의 좌측상단부와 제3접속패드(P3)의 좌측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00048
' 모양으로 연결하고, 제3저항체(R3)가 제3접속패드(P3)의 우측상단부와 제2접속패드의 우측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00049
' 모양으로 연결하고, 제4저항체(R4)가 제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00050
' 모양으로 연결
를 포함하는 것을 특징으로 하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서.
In the semiconductor pressure sensor provided on the pressure deformation surface 100 of the object to be measured to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors for measuring the external pressure applied to the object to be measured,
The semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors,
A first connection pad P1 formed as a conductor having a thickness thinner than a height in a rectangular shape having a narrow height and a long width;
A second connection pad (P2) which is a conductor formed at a lower end of the first connection pad (P1) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A third connection pad (P3) which is a conductor formed at a lower end of the second connection pad (P2) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fourth connection pad (P4) which is a conductor formed at a lower end of the third connection pad (P3) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fifth connection pad (P5) which is a conductor formed at a lower end of the fourth connection pad (P4) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
The first resistor R1 has a lower right end portion of the fifth connection pad P5 and a lower right end portion of the third connection pad P3.
Figure 112019092429673-pat00047
And the second resistor R2 is connected to the upper left end of the first connection pad P1 and the upper left end of the third connection pad P3.
Figure 112019092429673-pat00048
And the third resistor R3 is connected to the upper right end of the third connection pad P3 and the upper right end of the second connection pad.
Figure 112019092429673-pat00049
And the fourth resistor R4 is connected to the lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4.
Figure 112019092429673-pat00050
Connect with shapes
A semiconductor pressure sensor, comprising: two independent full Wheatstone bridges with four resistors;
측정 대상 물체의 압력변형면(100)에 설치되어 측정 대상 물체에 가해지는 외부의 압력을 측정하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 있어서,
4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는,
전도체로서 높이가 좁고 폭이 긴 직사각형 모양으로 높이보다 얇은 두께를 가지고 형성되는 제1접속패드(P1);
상기 제1접속패드(P1)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제2접속패드(P2);
상기 제2접속패드(P2)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제3접속패드(P3);
상기 제3접속패드(P3)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제4접속패드(P4);
상기 제4접속패드(P4)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제5접속패드(P5);
제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00051
' 모양으로 연결하는 제1저항체(R1);
제1접속패드(P1)의 우측상단부와 제3접속패드(P3)의 우측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00052
' 모양으로 연결하는 제2저항체(R2);
제3접속패드(P3)의 좌측상단부와 제2접속패드의 좌측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00053
' 모양으로 연결하는 제3저항체(R3);
제3접속패드(P3)의 우측하단부와 제5접속패드(P5)의 우측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00054
' 모양으로 연결하는 제4저항체(R4);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서.In the semiconductor pressure sensor provided on the pressure deformation surface 100 of the object to be measured to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors for measuring the external pressure applied to the object to be measured,
The semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors,
A first connection pad P1 formed as a conductor having a thickness thinner than a height in a rectangular shape having a narrow height and a long width;
A second connection pad (P2) which is a conductor formed at a lower end of the first connection pad (P1) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A third connection pad (P3) which is a conductor formed at a lower end of the second connection pad (P2) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fourth connection pad (P4) which is a conductor formed at a lower end of the third connection pad (P3) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fifth connection pad (P5) which is a conductor formed at a lower end of the fourth connection pad (P4) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
The lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4 are '
Figure 112019092429673-pat00051
A first resistor R1 connected in a 'shape;
The upper right end of the first connection pad P1 and the upper right end of the third connection pad P3 are defined as'
Figure 112019092429673-pat00052
A second resistor R2 connected in a 'shape;
The upper left end of the third connection pad P3 and the upper left end of the second connection pad '
Figure 112019092429673-pat00053
A third resistor R3 connected in a 'shape;
The lower right end portion of the third connection pad P3 and the lower right end portion of the fifth connection pad P5 are '
Figure 112019092429673-pat00054
And a fourth resistor R4 connected in a shape, wherein the semiconductor pressure sensor forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors. 측정 대상 물체의 압력변형면(100)에 설치되어 측정 대상 물체에 가해지는 외부의 압력을 측정하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서에 있어서,
4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서(A)는,
전도체로서 높이가 좁고 폭이 긴 직사각형 모양으로 높이보다 얇은 두께를 가지고 형성되는 제1접속패드(P1);
상기 제1접속패드(P1)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제2접속패드(P2);
상기 제2접속패드(P2)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제3접속패드(P3);
상기 제3접속패드(P3)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제4접속패드(P4);
상기 제4접속패드(P4)의 하단에 제1접속패드(P1)의 높이보다 짧은 길이의 간격으로 이격되어 형성되는 전도체인 제5접속패드(P5);
제5접속패드(P5)의 우측하단부와 제3접속패드(P3)의 우측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00055
' 모양으로 연결하는 제1저항체(R1);
제1접속패드(P1)의 좌측상단부와 제3접속패드(P3)의 좌측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00056
' 모양으로 연결하는 제2저항체(R2);
제3접속패드(P3)의 우측상단부와 제2접속패드의 우측상단부를 '
Figure 112019092429673-pat00057
' 모양으로 연결하는 제3저항체(R3);
제3접속패드(P3)의 좌측하단부와 제4접속패드(P4)의 좌측하단부를 '
Figure 112019092429673-pat00058
' 모양으로 연결하는 제4저항체(R4);를 포함하는 것을 특징으로 하는, 4개의 저항체로 2개의 독립된 풀휘트스톤브리지를 형성하는 반도체 압력센서.In the semiconductor pressure sensor provided on the pressure deformation surface 100 of the object to be measured to form two independent full Wheatstone bridges with four resistors for measuring the external pressure applied to the object to be measured,
The semiconductor pressure sensor A, which forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors,
A first connection pad P1 formed as a conductor having a thickness thinner than a height in a rectangular shape having a narrow height and a long width;
A second connection pad (P2) which is a conductor formed at a lower end of the first connection pad (P1) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A third connection pad (P3) which is a conductor formed at a lower end of the second connection pad (P2) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fourth connection pad (P4) which is a conductor formed at a lower end of the third connection pad (P3) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
A fifth connection pad (P5) which is a conductor formed at a lower end of the fourth connection pad (P4) at intervals shorter than a height of the first connection pad (P1);
The lower right end portion of the fifth connection pad P5 and the lower right end portion of the third connection pad P3 are '
Figure 112019092429673-pat00055
A first resistor R1 connected in a 'shape;
The upper left end of the first connection pad P1 and the upper left end of the third connection pad P3
Figure 112019092429673-pat00056
A second resistor R2 connected in a 'shape;
The upper right end portion of the third connection pad P3 and the upper right end portion of the second connection pad '
Figure 112019092429673-pat00057
A third resistor R3 connected in a 'shape;
The lower left end of the third connection pad P3 and the lower left end of the fourth connection pad P4 are '
Figure 112019092429673-pat00058
And a fourth resistor R4 connected in a shape, wherein the semiconductor pressure sensor forms two independent full Wheatstone bridges with four resistors.
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