KR102262914B1 - Exhaust processing apparatus and method thereof - Google Patents

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KR102262914B1
KR102262914B1 KR1020200008781A KR20200008781A KR102262914B1 KR 102262914 B1 KR102262914 B1 KR 102262914B1 KR 1020200008781 A KR1020200008781 A KR 1020200008781A KR 20200008781 A KR20200008781 A KR 20200008781A KR 102262914 B1 KR102262914 B1 KR 102262914B1
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권현호
박경신
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주식회사 피제이피테크
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    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing

Abstract

The present invention relates to an exhaust gas treatment device and a method thereof. The method for treating an exhaust gas containing nitrogen oxide comprises: a process of discharging the exhaust gas generated in the process to an exhaust line; supplying a reaction gas including external air existing outside the exhaust line to the exhaust line; and a pretreatment process of changing the nitrogen oxide contained in the exhaust gas to a gaseous state by reacting the nitrogen oxide with moisture contained in the reaction gas. The present invention can suppress the phenomenon of nitrogen oxide contained in exhaust gas being phase-changed to form deposits on the exhaust line, and remove the attachments already formed in the exhaust line to improve the service life of the exhaust line by suppressing or preventing blockage of the exhaust line.

Description

배기가스 처리 장치 및 방법{Exhaust processing apparatus and method thereof}Exhaust processing apparatus and method thereof

본 발명은 배기가스 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 배기라인의 막힘 현상을 억제 혹은 방지할 수 있는 배기가스 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus and method, and more particularly, to an exhaust gas treatment apparatus and method capable of suppressing or preventing clogging of an exhaust line.

일반적으로 반도체소자, LCD, OLED 등의 제조공정은 각종 유해물질과 유독물질을 포함하는 배기가스를 발생시킨다. 이러한 배기가스는 배기라인에 설치된 펌프의 진공압에 의해 스크러버로 강제이송된다. 그리고 배기가스는 스크러버 내에서 각종 유해물질 또는 유독물질이 제거된 후, 외부로 배출된다. In general, the manufacturing process of semiconductor devices, LCDs, OLEDs, etc. generates exhaust gases containing various harmful substances and toxic substances. This exhaust gas is forcibly transferred to the scrubber by the vacuum pressure of the pump installed in the exhaust line. And the exhaust gas is discharged to the outside after various harmful or toxic substances are removed in the scrubber.

한편, 반도체소자를 제조하는 공정은 기판을 공정 챔버 내부에 위치시키고, 공정 챔버 내부에 다양한 공정 가스를 공급하여 박막을 증착하거나, 박막을 식각하는 등의 공정을 포함한다. 그 중, 박막의 식각 공정은 삼불화질소(NF3), 산소(O2) 등의 가스를 사용하며, 화학 반응에 의해 불소 계열의 가스와, 질소산화물 등을 함유하는 배기가스를 발생시킨다. 식각 공정이 완료되면, 공정 챔버에 연결되는 배기라인을 통해 배기가스를 배출시키는 공정을 수행할 수 있다. 통상 식각 공정은 고온이고 전기장이 가해진 공정 챔버 내에서 이루어지기 때문에 배기가스는 공정 챔버 내에서 고온의 플라즈마 상태를 유지하지만, 공정 챔버에서 배출된 이후 배기라인을 따라 이송되면서 온도가 저감될 수 있다. 이와 같이 배기가스의 온도가 저감되면, 플라즈마 상태의 배기가스가 액체 상태나 고체 상태로 상변화되고, 배기가스 중 일부 성분은 배기라인에 부착물을 형성하는 현상이 발생하게 된다. 특히, 배기가스에 함유되는 질소산화물은 온도 저감에 따라 쉽게 상변화되어 배기라인에 부착물을 형성하는 원인으로 작용하고 있다. 배기라인에 부착물이 형성되면, 배기가스가 원활하게 이송되지 못하고, 심한 경우에는 배기라인의 막힘 현상이 발생하여 배기가스의 배출이 불가능해지는 문제가 있다. Meanwhile, a process of manufacturing a semiconductor device includes a process of placing a substrate in a process chamber, supplying various process gases into the process chamber to deposit a thin film, or etching the thin film. Among them, the etching process of the thin film uses a gas such as nitrogen trifluoride (NF 3 ) and oxygen (O 2 ), and generates an exhaust gas containing a fluorine-based gas and nitrogen oxide by a chemical reaction. When the etching process is completed, a process of discharging exhaust gas through an exhaust line connected to the process chamber may be performed. Since the etching process is typically performed at a high temperature and in a process chamber to which an electric field is applied, the exhaust gas maintains a high-temperature plasma state in the process chamber, but after being discharged from the process chamber, the temperature may be reduced as it is transported along the exhaust line. As such, when the temperature of the exhaust gas is reduced, the plasma state of the exhaust gas is phase-changed into a liquid state or a solid state, and a phenomenon in which some components of the exhaust gas form deposits in the exhaust line occurs. In particular, the nitrogen oxide contained in the exhaust gas is easily phase-changed as the temperature is reduced, and acts as a cause of forming deposits in the exhaust line. When the deposit is formed on the exhaust line, the exhaust gas cannot be smoothly transferred, and in severe cases, the exhaust line is clogged, thereby making it impossible to discharge the exhaust gas.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 배기라인에 가열수단을 설치하거나, 보조 스크러버를 추가로 설치하는 방법이 사용되고 있는데, 이러한 방법은 설치 비용이 높고, 에너지 사용에 따른 유지 비용이 높은 문제가 있다. 또한, 배기라인에 부착물이 형성되면, 배기라인을 분해하고 물을 사용해서 배기라인에 형성된 부착물을 제거하는 작업을 수행하고 있다. 그런데 부착물을 제거하는 과정에서 다량의 오폐수가 발생하고, 이에 따라 오폐수를 처리하는데 비용이 추가로 요구되는 문제가 있다. In order to solve this problem, a method of installing a heating means in the exhaust line or additionally installing an auxiliary scrubber is used, but this method has a problem of high installation cost and high maintenance cost due to energy use. In addition, when deposits are formed on the exhaust line, the exhaust line is disassembled and an operation of removing the deposits formed on the exhaust line using water is performed. However, there is a problem in that a large amount of wastewater is generated in the process of removing the deposits, and accordingly, additional costs are required to treat the wastewater.

KRUS 10-164039510-1640395 BB

본 발명은 배기라인의 막힘 현상을 억제 혹은 방지할 수 있는 배기가스 처리 장치 및 방법을 제공한다. The present invention provides an exhaust gas treatment apparatus and method capable of suppressing or preventing clogging of an exhaust line.

본 발명은 유지 비용을 절감할 수 있고, 오폐수의 발생을 억제할 수 있는 배기가스 처리 장치 및 방법을 제공한다. The present invention provides an exhaust gas treatment apparatus and method capable of reducing maintenance costs and suppressing the generation of wastewater.

본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 장치는, 공정 챔버에서 배출되는 배기가스를 처리하기 위한 배기가스 처리 장치로서, 배기가스를 처리하기 위한 스크러버; 상기 공정 챔버와 상기 스크러버를 연결하는 배기 라인: 상기 배기 라인에 구비되는 펌프; 및 상기 배기 라인에 수분을 함유하는 외부 공기를 공급하도록 상기 배기 라인에 연결되는 전처리기;를 포함할 수 있다. An exhaust gas processing apparatus according to an embodiment of the present invention is an exhaust gas processing apparatus for processing exhaust gas discharged from a process chamber, comprising: a scrubber for processing the exhaust gas; an exhaust line connecting the process chamber and the scrubber: a pump provided in the exhaust line; and a preprocessor connected to the exhaust line to supply external air containing moisture to the exhaust line.

상기 전처리기는, 압축 가스를 생산하기 위한 압축부; 및 상기 압축부에서 압축 가스를 공급받아 외부 공기를 흡인하고, 상기 압축 가스와 상기 외부 공기가 혼합된 반응가스를 상기 배기라인에 공급하기 위한 주입부;를 포함할 수 있다.The preprocessor, a compression unit for producing a compressed gas; and an injection unit for receiving the compressed gas from the compression unit, sucking outside air, and supplying a reaction gas in which the compressed gas and the outside air are mixed to the exhaust line.

상기 전처리기는 상기 배기라인과 연통되는 반응 챔버를 포함하고, 상기 주입부는 상기 반응 챔버에 연결될 수 있다. The preprocessor may include a reaction chamber communicating with the exhaust line, and the injection unit may be connected to the reaction chamber.

상기 전처리기는 상기 압축부와 상기 주입부 사이에 구비되는 조절부를 포함할 수 있다. The preprocessor may include a control unit provided between the compression unit and the injection unit.

상기 전처리기는 상기 주입부와 상기 배기라인 사이에 구비되는 역류방지부재를 포함할 수 있다. The preprocessor may include a backflow prevention member provided between the injection unit and the exhaust line.

상기 스크러버는 실외에 설치되고, 상기 배기라인의 일부는 실내에 설치되며, 상기 주입부는 상기 실내에 설치되는 배기라인의 외부에 존재하는 외부 공기를 상기 배기라인 내부로 공급하도록 실내에 설치될 수 있다.The scrubber is installed outdoors, a part of the exhaust line is installed indoors, and the injection unit may be installed indoors to supply external air existing outside the exhaust line installed in the room into the exhaust line. .

상기 주입부는 상기 배기라인에서 가장 낮은 위치에 배치되는 부분과 절곡된 부분 중 적어도 어느 하나에 설치될 수 있다.The injection part may be installed in at least one of a portion disposed at the lowest position in the exhaust line and a bent portion.

본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 방법은, 질소산화물을 함유하는 배기가스를 처리하는 방법으로서, 공정에서 발생한 배기가스를 배기라인으로 배출시키는 과정; 상기 배기라인에 상기 배기라인의 외부에 존재하는 외부 공기를 포함하는 반응 가스를 공급하는 과정; 및 상기 배기가스에 함유되는 질소산화물을 상기 반응 가스에 함유되는 수분과 반응시켜 상기 질소산화물을 기체 상태로 변화시키는 전처리 과정;을 포함할 수 있다. An exhaust gas treatment method according to an embodiment of the present invention is a method for treating an exhaust gas containing nitrogen oxide, the process comprising: discharging the exhaust gas generated in the process to an exhaust line; supplying a reaction gas including external air existing outside the exhaust line to the exhaust line; and a pretreatment process of changing the nitrogen oxides contained in the exhaust gas to a gaseous state by reacting the nitrogen oxides with moisture contained in the reaction gas.

상기 배기가스를 배출시키는 과정 이전에 상기 배기라인이 설치되는 실내의 습도를 조절하는 과정을 포함할 수 있다. Before the process of discharging the exhaust gas, it may include the process of adjusting the humidity of the room in which the exhaust line is installed.

상기 습도를 조절하는 과정은 상기 외부 공기의 습도를 40 내지 60%로 조절하는 과정을 포함할 수 있다. The process of adjusting the humidity may include adjusting the humidity of the outside air to 40 to 60%.

상기 반응 가스를 공급하는 과정은, 압축 가스를 생산하는 과정; 상기 압축 가스를 흡인구가 형성된 하우징 내부에 분사하는 과정; 상기 흡인구를 통해 상기 하우징 내부로 습도가 조절된 외부 공기를 흡인시키는 과정; 및 상기 압축 가스와 상기 외부 공기가 혼합된 반응 가스를 상기 배기라인에 공급하는 과정;을 포함할 수 있다. The process of supplying the reaction gas, the process of producing a compressed gas; injecting the compressed gas into the housing in which the suction port is formed; a process of sucking the humidity-controlled external air into the housing through the suction port; and supplying a reaction gas in which the compressed gas and the external air are mixed to the exhaust line.

상기 반응 가스를 공급하는 과정은, 상기 압축 가스의 분사 압력을 제어하여 상기 배기라인에 공급되는 수분의 양을 조절하는 과정을 포함할 수 있다. The process of supplying the reaction gas may include adjusting the amount of moisture supplied to the exhaust line by controlling the injection pressure of the compressed gas.

상기 전처리 과정은 상기 질소산화물과 상기 수분을 반응시켜 아질산(HNO2) 가스 및 질산(HNO3) 가스 중 적어도 하나를 생성하는 과정을 포함할 수 있다. The pretreatment process may include generating at least one of nitrous acid (HNO 2 ) gas and nitric acid (HNO 3 ) gas by reacting the nitrogen oxide with the moisture.

본 발명의 실시 예에 따르면, 배기라인을 따라 이송되는 배기가스에 수분을 함유하는 외부 공기를 접촉시켜 배기가스에 함유되는 질소산화물의 상변화를 억제할 수 있다. 이에 배기가스에 함유되는 질소산화물이 상변화되어 배기라인에 부착물을 형성하는 현상을 억제할 수 있고, 배기라인에 이미 형성되어 있는 부착물을 제거할 수 있다. 따라서 배기라인의 막힘을 억제 혹은 방지하여 배기라인의 사용 수명을 향상시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to suppress a phase change of nitrogen oxides contained in the exhaust gas by contacting the exhaust gas transferred along the exhaust line with external air containing moisture. Accordingly, the phase change of nitrogen oxide contained in the exhaust gas to form deposits on the exhaust line can be suppressed, and the deposits already formed on the exhaust line can be removed. Accordingly, it is possible to improve the service life of the exhaust line by suppressing or preventing clogging of the exhaust line.

또한, 배기라인의 물을 이용하여 배기라인에 형성된 부착물을 제거하는 작업을 배제하거나, 작업 주기를 연장할 수 있기 때문에, 부착물을 제거하는데 사용되는 물을 절약할 수 있고, 오폐수의 발생을 저감시킬 수 있다. In addition, since the operation of removing the deposits formed on the exhaust line by using the water of the exhaust line can be excluded or the work cycle can be extended, the water used to remove the deposits can be saved and the generation of wastewater can be reduced. can

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 장치를 개략적으로 보여주는 블록도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 장치의 전처리기의 구성을 보여주는 블록도.
도 3은 전처리기를 구성하는 주입부의 구조를 개략적으로 보여주는 도면.
도 4는 전처리기의 변형 예를 보여주는 블록도. 1 is a block diagram schematically showing an exhaust gas treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing the configuration of a preprocessor of an exhaust gas treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view schematically showing the structure of the injection unit constituting the preprocessor.
4 is a block diagram showing a modified example of a preprocessor.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시 예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art will be completely It is provided to inform you. During the description, the same reference numerals are assigned to the same components, and the drawings may be partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same reference numerals refer to the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 1 is a block diagram schematically showing an exhaust gas treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 장치(200)는, 공정 챔버(100)와 스크러버(230)를 연결하는 배기라인(240)에 연결되고, 배기라인(240)에 수분을 함유하는 반응가스를 공급하기 위한 전처리기(220)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the exhaust gas treatment apparatus 200 according to an embodiment of the present invention is connected to an exhaust line 240 connecting the process chamber 100 and the scrubber 230 , and to the exhaust line 240 . A preprocessor 220 for supplying a reaction gas containing moisture may be included.

공정 챔버(100)는 피처리물, 예컨대 기판(미도시)을 처리하기 위한 공간을 제공할 수 있다. 이러한 공정 챔버(100)에는 기판을 지지할 수 있는 지지장치(미도시)와, 기판을 처리하는데 사용되는 각종 가스를 공급하기 위한 가스공급장치(미도시)가 구비될 수 있다. 또한, 공정 챔버(100)에는 공정 챔버(100) 내부의 가스를 배출시키기 위한 배기구(미도시)가 형성될 수 있다. 배기구에는 가스의 이송 경로로 사용되는 배기라인(240)이 연결될 수 있고, 배기라인(240)에는 공정 챔버(100) 내부의 가스를 배출시키거나, 공정 챔버(100) 내부의 압력을 제어할 수 있도록 펌프(210)가 구비될 수 있다. The process chamber 100 may provide a space for processing an object to be processed, for example, a substrate (not shown). A support device (not shown) capable of supporting a substrate and a gas supply device (not shown) for supplying various gases used to process the substrate may be provided in the process chamber 100 . In addition, an exhaust port (not shown) for discharging gas inside the process chamber 100 may be formed in the process chamber 100 . An exhaust line 240 used as a gas transport path may be connected to the exhaust port, and the exhaust line 240 may discharge the gas inside the process chamber 100 or control the pressure inside the process chamber 100 . A pump 210 may be provided so that the

펌프(210)는 배기라인(240)에 구비되어, 공정 챔버(100) 내부를 흡인함으로써 공정 챔버(100) 내부의 가스를 스크러버(230) 측으로 강제 이송시킬 수 있다. The pump 210 may be provided in the exhaust line 240 to forcibly transport the gas inside the process chamber 100 toward the scrubber 230 by sucking the inside of the process chamber 100 .

스크러버(230)는 실외, 예컨대 건물 옥상 등에 설치되고, 실내에 설치되는 공정 챔버(100)에서 배출되는 가스, 예컨대 배기가스를 세정 또는 정화시키는 장치이다. 스크러버(230)는 배기가스에 함유되는 유해 물질 또는 유독 물질을 제거하고, 유해 물질 또는 유독 물질이 제거된 가스를 외부로 배출시키거나 별도의 저장수단(미도시)로 이송할 수 있다. 이러한 스크러버(230)는 배기가스를 세정액에 접촉시켜 배기가스를 중화시키거나 흡수처리하는 습식 스크러버와, 반도체소자, LCD, OLED 등의 제조공정에서 발생하는 배기가스에 포함된 유해물질 또는 유독물질을 간접 또는 직접 고온으로 열분해하거나 또는 활성탄이나 이온교환체와 같은 흡착제를 이용하여 흡착 제거하는 건식 스크러버 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The scrubber 230 is installed outdoors, for example, on the roof of a building, and is a device for cleaning or purifying the gas discharged from the process chamber 100 installed indoors, for example, exhaust gas. The scrubber 230 may remove harmful substances or toxic substances contained in the exhaust gas, and may discharge the harmful substances or the toxic substances removed gas to the outside or transfer it to a separate storage means (not shown). The scrubber 230 is a wet scrubber that neutralizes or absorbs the exhaust gas by contacting the exhaust gas with a cleaning liquid, and harmful or toxic substances contained in the exhaust gas generated in the manufacturing process of semiconductor devices, LCDs, OLEDs, etc. It may include at least one of a dry scrubber for indirectly or directly thermally decomposing at a high temperature or adsorbing and removing using an adsorbent such as activated carbon or an ion exchanger.

배기라인(240)은 공정 챔버(100)와 스크러버(230)를 연결하도록 구비될 수 있다. 배기라인(240)은 공정 챔버(100)와 펌프(210)를 연결하는 제1배기라인(242)과, 펌프(210)와 스크러버(230)를 연결하는 제2배기라인(244)을 포함할 수 있다. 여기에서는 제2배기라인(244)이 펌프(210)와 스크러버(230)를 직접 연결하는 것으로 설명하지만, 여러 개의 공정 챔버(100)에서 발생하는 배기가스를 취합하여 스크러버(230)로 이송할 수 있는 메인 배기라인(미도시)을 스크러버(230)에 연결하고, 제2배기라인(244)을 메인 배기라인에 연결할 수도 있다. 이때, 제1배기라인(242)과 제2배기라인(244)의 일부는 실내에 설치될 수 있고, 제2배기라인(244)의 일부는 실외에 설치될 수 있다. The exhaust line 240 may be provided to connect the process chamber 100 and the scrubber 230 . The exhaust line 240 may include a first exhaust line 242 connecting the process chamber 100 and the pump 210 , and a second exhaust line 244 connecting the pump 210 and the scrubber 230 . can Here, the second exhaust line 244 is described as directly connecting the pump 210 and the scrubber 230, but the exhaust gas generated in several process chambers 100 can be collected and transferred to the scrubber 230. A main exhaust line (not shown) may be connected to the scrubber 230 , and the second exhaust line 244 may be connected to the main exhaust line. In this case, a part of the first exhaust line 242 and the second exhaust line 244 may be installed indoors, and a part of the second exhaust line 244 may be installed outdoors.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 배기가스 처리 장치의 전처리기의 구성을 보여주는 블록도이고, 도 3은 전처리기를 구성하는 주입부의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다. 2 is a block diagram showing the configuration of a preprocessor of an exhaust gas treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram schematically showing the structure of an injection unit constituting the preprocessor.

전처리기(220)는 제2배기라인(244)에 연결되어, 제2배기라인(244)에 수분을 함유하는 반응가스를 공급할 수 있다. 전처리기(220)는 압축 가스를 생산하기 위한 압축부(222)와, 압축부(222)에서 압축 가스를 공급받아 외부 공기를 흡인하고, 압축 가스와 외부 공기가 혼합된 반응가스를 제2배기라인(244)에 공급하기 위한 주입부(226)를 포함할 수 있다. 이때, 압축 가스가 주입부(226)에 일정한 압력으로 공급될 수 있도록, 압축부(222)와 주입부(226) 사이에 압축 가스의 공급 압력을 조절하기 위한 조절부(224)를 구비할 수 있다. 조절부(224)는 압축 가스가 미리 설정된 압력으로 주입부(226)로 공급될 수 있도록 압축 가스의 압력을 조절할 수 있고, 반응가스를 제2배기라인(244)에 공급하는 과정에서 수분의 양을 조절할 필요가 있는 경우 압축 가스의 압력을 다시 설정된 압력으로 조절하여 주입부(226)로 공급할 수 있다. The preprocessor 220 may be connected to the second exhaust line 244 to supply a reaction gas containing moisture to the second exhaust line 244 . The pre-processor 220 receives the compressed gas supplied from the compression unit 222 and the compression unit 222 for producing the compressed gas, and sucks external air, and exhausts the reaction gas in which the compressed gas and the external air are mixed. It may include an inlet 226 for supply to line 244 . At this time, a control unit 224 for adjusting the supply pressure of the compressed gas between the compression unit 222 and the injection unit 226 may be provided so that the compressed gas can be supplied to the injection unit 226 at a constant pressure. have. The control unit 224 may adjust the pressure of the compressed gas so that the compressed gas can be supplied to the injection unit 226 at a preset pressure, and the amount of moisture in the process of supplying the reaction gas to the second exhaust line 244 . When it is necessary to adjust the pressure, the pressure of the compressed gas may be adjusted to a set pressure and supplied to the injection unit 226 .

여기에서 외부 공기는 공정 챔버(100), 펌프(210), 제2배기라인(244)의 일부가 설치된 실내의 공기, 즉 제2배기라인(244)의 주변에 존재하는 공기로서, 일정한 습도를 갖도록 제어된 공기를 의미할 수 있다. 예컨대 반도체제조공장에서는 공기의 습도를 40 내지 60% 정도, 또는 45 내지 55% 정도로 제어하고 있다. 이렇게 습도가 제어된 공기는 항상 일정한 수분을 포함하기 때문에 제2배기라인(244)의 막힘 현상을 억제 혹은 방지하는데 안정적으로 사용될 수 있다.Here, the outside air is the air in the room in which the process chamber 100, the pump 210, and a part of the second exhaust line 244 are installed, that is, the air existing around the second exhaust line 244, and has a constant humidity. It may mean controlled air to have. For example, in a semiconductor manufacturing plant, the humidity of the air is controlled to about 40 to 60%, or 45 to 55%. Since the humidity-controlled air always contains constant moisture, it can be stably used to suppress or prevent clogging of the second exhaust line 244 .

압축부(222)는 압축 가스를 생산하여 주입부(226)에 공급할 수 있다. 압축부(222)는 밀폐된 용기 속에 공기, 질소 가스 탄소 가스 등을 동력을 이용하여 압축하는 압축기(compressor) 등이 사용될 수 있다. The compression unit 222 may produce compressed gas and supply it to the injection unit 226 . The compression unit 222 may be a compressor that compresses air, nitrogen gas, carbon gas, and the like in a sealed container using power.

주입부(226)는 압축부(222)로부터 압축 가스를 공급받아 수분을 함유하는 외부 공기와 압축 가스가 혼합된 반응가스를 제2배기라인(244)에 공급할 수 있다. 이때, 주입부(226)는 제2배기라인(244) 중 실내에 설치되는 부분에 설치될 수 있고, 막힘 현상이 주로 발생하는 제2배기라인(244)에서 가장 낮은 위치에 배치되는 부분이나 배기가스의 이송 방향이 변경되는 절곡된 부분에 설치될 수 있다. 이는 배기가스에 함유되는 질소산화물은 액체나 고체 상태를 갖기 때문에 펌프(210)의 압력에 의해 스크러버(230)로 배출되지 못하고 제2배기라인(244) 내 가장 낮은 위치에 축적되거나, 절곡된 부분에 부착되기 쉽기 때문이다. The injection unit 226 may receive the compressed gas from the compression unit 222 and supply a reaction gas in which external air containing moisture and the compressed gas are mixed to the second exhaust line 244 . In this case, the injection unit 226 may be installed in a portion of the second exhaust line 244 that is installed indoors, and is disposed at the lowest position in the second exhaust line 244 where the clogging phenomenon mainly occurs or exhaust. It may be installed in a bent portion in which the gas transport direction is changed. This is because nitrogen oxide contained in the exhaust gas has a liquid or solid state, it cannot be discharged to the scrubber 230 by the pressure of the pump 210 and is accumulated or bent at the lowest position in the second exhaust line 244 . Because it is easy to attach to

도 3을 참조하면, 주입부(226)는 외부 공기를 흡인할 수 있도록 흡인구(226d)가 형성되는 하우징(226a)과, 하우징(226a) 내부로 압축 가스를 분사하기 위한 노즐(226b) 및 외부 공기와 압축 가스가 혼합된 반응 가스를 제2배기라인(244)으로 배출시키기 위한 배출관(226c)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the injection unit 226 includes a housing 226a in which a suction port 226d is formed to suck external air, a nozzle 226b for injecting compressed gas into the housing 226a, and A discharge pipe 226c for discharging a reaction gas in which external air and compressed gas are mixed to the second exhaust line 244 may be included.

하우징(226a)은 노즐(226b)로부터 압축 가스를 공급받아 외부 공기를 유입시키는 구성이다. 하우징(226a)에는 외부 공기를 유입시킬 수 있는 흡인구(226d)가 형성되고, 압축 가스와 외부 공기를 수용할 수 있는 공간을 제공할 수 있다. 이때, 흡인구(226d)는 하우징(226a) 내부로 공급되는 압축 가스의 이동 방향에 대해 교차하는 방향에 형성될 수 있다. 이러한 하우징(226a)은 중공의 다각형, 원통형, 구형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The housing 226a is configured to receive the compressed gas from the nozzle 226b and introduce external air. A suction port 226d capable of introducing external air is formed in the housing 226a, and a space capable of accommodating compressed gas and external air may be provided. In this case, the suction port 226d may be formed in a direction crossing the moving direction of the compressed gas supplied into the housing 226a. The housing 226a may be formed in various shapes such as a hollow polygonal, cylindrical, or spherical shape.

노즐(226b)은 압축부(222)에서 생산된 압축 가스를 하우징(226a) 내부로 분사할 수 있다. 노즐(226b)은 제2배기라인(244)을 향해 압축 가스를 분사할 수 있도록 하우징(226a)에 연결될 수 있다. 이때, 노즐(226b)은 흡인구(226d)와 교차하는 방향에 배치될 수 있다. 예컨대 하우징(226a)이 육면체로 형성되고, 흡인구(226d)가 하우징(226a)의 상부면이나 하부면에 형성되는 경우, 노즐(226b)은 하우징(226a)의 측면에 형성될 수 있다. 노즐(226b)에서 압축 가스가 분사되는 출구 측은 하우징(226a) 내부에 배치되고, 압축 가스가 유입되는 입구 측은 하우징(226a) 외부에 배치될 수 있다. 그리고 노즐(226b)의 출구 측은 흡인구(226d)의 적어도 일부와 중첩되는 위치에 배치하여, 외부 공기가 흡인구(226d)를 통해 흡인되어 배출관(226c)으로 이송되도록 할 수 있다. 이러한 노즐(226b)은 입구 측 내경보다 출구 측 내경이 작게 형성되는 오리피스 형태로 형성되어, 하우징(226a) 내부에 압축 가스를 고압으로 분사할 수 있다. The nozzle 226b may inject the compressed gas produced by the compression unit 222 into the housing 226a. The nozzle 226b may be connected to the housing 226a to inject the compressed gas toward the second exhaust line 244 . In this case, the nozzle 226b may be disposed in a direction crossing the suction port 226d. For example, when the housing 226a is formed as a hexahedron and the suction port 226d is formed on the upper surface or the lower surface of the housing 226a, the nozzle 226b may be formed on the side surface of the housing 226a. An outlet side through which the compressed gas is injected from the nozzle 226b may be disposed inside the housing 226a, and an inlet side through which the compressed gas flows may be disposed outside the housing 226a. And the outlet side of the nozzle 226b may be disposed at a position overlapping with at least a portion of the suction port 226d so that external air is sucked through the suction port 226d and transferred to the discharge pipe 226c. The nozzle 226b is formed in the form of an orifice in which the inner diameter of the outlet is smaller than the inner diameter of the inlet, so that the compressed gas can be injected into the housing 226a at a high pressure.

배출관(226c)은 압축 가스와 외부 공기가 혼합된 반응 가스를 제2배기라인(244)으로 배출시킬 수 있다. 배출관(226c)은 일방향으로 연장되도록 형성될 수 있고, 내부에는 반응 가스를 이동시킬 수 있는 유로가 형성될 수 있다. 이러한 배출관(226c)은 노즐(226b)과 마주보도록 하우징(226a)에 연결될 수 있다. 즉, 배출관(226c)은 노즐(226b)에서 분사된 압축 가스의 이동 방향과 동일한 방향으로 연장되도록 하우징(226a)에 연결될 수 있다. 배출관(226c)에 형성되는 유로의 직경은 하우징(226a)의 내경 또는 하우징(226a) 내면 사이의 거리보다 작게 형성될 수 있다. 그리고 유로에는 배출관(226c)이 연장되는 방향으로 적어도 일부에 직경이 감소하는 구간이 형성될 수 있다. 이에 반응 가스가 하우징(226a)에서 배출관(226c)을 통해 배출되면서, 유로의 직경이 감소하는 구간에서 혼합된 후 제2배기라인(244)으로 배출될 수 있다. The discharge pipe 226c may discharge a reaction gas in which the compressed gas and external air are mixed to the second exhaust line 244 . The discharge pipe 226c may be formed to extend in one direction, and a flow path capable of moving the reaction gas may be formed therein. The discharge pipe 226c may be connected to the housing 226a to face the nozzle 226b. That is, the discharge pipe 226c may be connected to the housing 226a to extend in the same direction as the movement direction of the compressed gas injected from the nozzle 226b. The diameter of the flow path formed in the discharge pipe 226c may be smaller than the inner diameter of the housing 226a or the distance between the inner surfaces of the housing 226a. In addition, a section in which the diameter decreases at least in part in the direction in which the discharge pipe 226c extends may be formed in the flow path. Accordingly, while the reaction gas is discharged from the housing 226a through the discharge pipe 226c, the reaction gas may be mixed in a section in which the diameter of the flow path decreases, and then discharged to the second exhaust line 244 .

이러한 구성을 통해 주입부(226)는 수분을 함유하는 반응가스를 제2배기라인(244)에 공급함으로써 제2배기라인(244)을 따라 이송되는 배기가스와 반응가스를 접촉시킬 수 있다. 이에 배기가스에 함유되는 질소산화물이 반응가스에 함유되는 수분과 반응하여 부착물을 형성하지 않는 질산(HNO3), 아질산(HNO2) 등으로 변화될 수 있다. 이때, 질산(HNO3), 아질산(HNO2)은 제2배기라인(244) 내에서 기체 상태를 유지하며, 배기가스 및 반응가스와 함께 스크러버(230)로 이송될 수 있다. Through this configuration, the injection unit 226 may supply the reaction gas containing moisture to the second exhaust line 244 so that the exhaust gas transferred along the second exhaust line 244 and the reaction gas come into contact with each other. Accordingly, the nitrogen oxides contained in the exhaust gas may be changed into nitric acid (HNO 3 ), nitrous acid (HNO 2 ), etc. that do not form deposits by reacting with moisture contained in the reaction gas. At this time, nitric acid (HNO 3 ) and nitrous acid (HNO 2 ) may maintain a gaseous state in the second exhaust line 244 , and may be transferred to the scrubber 230 together with the exhaust gas and the reaction gas.

한편, 전처리기(220)에서 제2배기라인(244)으로 공급되는 반응가스의 압력이 제2배기라인(244) 내부 압력보다 낮은 경우, 제2배기라인(244)을 따라 이송되는 배기가스가 전처리기(220)쪽으로 유출되거나, 제2배기라인(244) 외부로 유출되는 현상이 발생할 수 있다. 배기가스에는 유해물질이나 유독물질이 다량 함유되어 있기 때문에 제2배기라인(244)에서 유출되는 경우, 조업 중단 등과 같은 사고가 발생할 수 있다. 이에 전처리기(220)와 제2배기라인(244) 사이, 즉 주입부(226)와 제2배기라인(244) 사이에 유출방지부재(미도시)를 설치함으로써 제2배기라인(244)을 따라 이송되는 배기가스가 제2배기라인(244)의 외부나, 전처리기(220) 측으로 유출되는 현상을 방지할 수 있다. 이러한 유출방지부재는 유체를 한쪽 방향으로만 흐르게 하고, 반대 방향으로 흐르지 못하게 하는 체크 밸브 등이 사용될 수 있다. On the other hand, when the pressure of the reaction gas supplied from the preprocessor 220 to the second exhaust line 244 is lower than the internal pressure of the second exhaust line 244 , the exhaust gas transferred along the second exhaust line 244 is A phenomenon may occur that flows toward the preprocessor 220 or flows out of the second exhaust line 244 . Since the exhaust gas contains a large amount of harmful substances or toxic substances, when it flows out from the second exhaust line 244 , accidents such as operation interruption may occur. Accordingly, by installing a leak prevention member (not shown) between the preprocessor 220 and the second exhaust line 244 , that is, between the injection unit 226 and the second exhaust line 244 , the second exhaust line 244 is removed. It is possible to prevent a phenomenon in which the exhaust gas transferred according to the flow out of the second exhaust line 244 or to the preprocessor 220 side. The leakage preventing member may be a check valve that allows the fluid to flow in only one direction and prevents it from flowing in the opposite direction.

도 4는 전처리기의 변형 예를 보여주는 블록도로서, 전처리기(220)는 배기가스와 반응가스를 반응시키기 위한 반응 공간을 제공하는 반응 챔버(228)를 더 포함할 수도 있다. 4 is a block diagram illustrating a modified example of the preprocessor. The preprocessor 220 may further include a reaction chamber 228 that provides a reaction space for reacting the exhaust gas and the reaction gas.

배기가스는 제2배기라인(244)을 따라 빠르게 이송되기 때문에 전처리기(220)의 주입부(226)를 통해 공급되는 반응가스와 충분하게 반응하지 못하고 스크러버(230)로 이송될 수 있다. 따라서 제2배기라인(244)에 반응 챔버(228)를 설치하여, 배기가스와 반응가스를 반응시키기 위한 반응 공간을 제공할 수 있다. 반응 챔버(228)의 내경 또는 내면 사이의 거리는 제2배기라인(244)의 내경보다 크게 형성될 수 있다. Since the exhaust gas is rapidly transferred along the second exhaust line 244 , it may not sufficiently react with the reaction gas supplied through the injection unit 226 of the preprocessor 220 and may be transferred to the scrubber 230 . Accordingly, by installing the reaction chamber 228 in the second exhaust line 244 , it is possible to provide a reaction space for reacting the exhaust gas with the reaction gas. The inner diameter or the distance between the inner surfaces of the reaction chamber 228 may be greater than the inner diameter of the second exhaust line 244 .

이와 같은 구성을 통해 배기가스 중 일부는 반응 챔버(228)에서 반응 가스와 반응하고, 일부는 반응 챔버(228)와 스크러버(230)를 연결하는 제2배기라인(244)을 따라 이송되면서 반응 가스와 반응할 수 있다. 이때, 배기가스와 반응 가스는 반응 챔버(228)와 스크러버(230)를 연결하는 제2배기라인(244)의 후단으로 이송되면서 혼합되어 보다 효과적으로 반응할 수 있다. Through this configuration, some of the exhaust gas reacts with the reaction gas in the reaction chamber 228 , and some of the reaction gas is transferred along the second exhaust line 244 connecting the reaction chamber 228 and the scrubber 230 to the reaction gas. can react with At this time, the exhaust gas and the reaction gas may be mixed while being transferred to the rear end of the second exhaust line 244 connecting the reaction chamber 228 and the scrubber 230 to react more effectively.

이하에서는 본 발명의 실시 예에 따른 가스 처리 방법을 설명한다. Hereinafter, a gas processing method according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 실시 예에 따른 가스 처리 방법은, 공정에서 발생한 배기가스를 배기라인(240)으로 배출시키는 과정과, 배기라인(240)에 외부 공기를 포함하는 반응 가스를 공급하는 과정 및 배기가스에 함유되는 질소산화물을 반응 가스에 함유되는 수분과 반응시켜 질소산화물을 기체 상태로 변화시키는 전처리 과정을 포함할 수 있다. In the gas treatment method according to an embodiment of the present invention, the process of discharging the exhaust gas generated in the process to the exhaust line 240 , the process of supplying a reaction gas including external air to the exhaust line 240 , and the exhaust gas It may include a pretreatment process of changing the nitrogen oxides contained in the reaction gas with moisture contained in the reaction gas to change the nitrogen oxides.

공정 챔버(100)에서 기판 처리가 완료되면, 펌프(210)를 작동시켜 공정 챔버(100) 내부의 배기가스를 배출시켜 배기라인(240)을 통해 스크러버(230)로 이송시킬 수 있다. 이때, 공정 챔버(100)에서는 삼불화질소(NF3)와 산소(O2) 등을 포함하는 공정 가스, 예컨대 식각 가스를 이용한 식각 공정이 수행될 수 있고, 배기가스에는 삼산화이질소(N2O3), 사산화이질소(N2O4) 등의 질소산화물이 함유될 수 있다. When substrate processing is completed in the process chamber 100 , the pump 210 may be operated to discharge the exhaust gas inside the process chamber 100 , and may be transferred to the scrubber 230 through the exhaust line 240 . In this case, in the process chamber 100 , an etching process using a process gas including nitrogen trifluoride (NF 3 ) and oxygen (O 2 ), for example, an etching gas, may be performed, and the exhaust gas includes dinitrogen trioxide (N 2 O). 3 ), nitrogen oxides such as dinitrogen tetraoxide (N 2 O 4 ) may be contained.

배기가스가 배기라인(240), 예컨대 제2배기라인(244)으로 배출되면, 전처리기(220)를 이용하여 제2배기라인(244) 내부에 수분을 함유하는 반응가스를 공급할 수 있다. 여기에서는 배기가스가 배출되면, 배기라인(240)에 반응가스를 공급하는 것으로 설명하지만, 반응가스는 배기가스를 배출시키기 이전부터 배기라인(240)에 공급할 수도 있고, 배기가스의 배출과 동시에 배기라인(240)에 공급할 수도 있다. When the exhaust gas is discharged to the exhaust line 240 , for example, the second exhaust line 244 , the reaction gas containing moisture may be supplied into the second exhaust line 244 using the preprocessor 220 . Here, when exhaust gas is discharged, it is described that the reaction gas is supplied to the exhaust line 240 , but the reaction gas may be supplied to the exhaust line 240 before the exhaust gas is discharged, and exhaust gas is discharged simultaneously with the exhaust gas. Line 240 may also be supplied.

먼저, 압축부(222)에서 공기, 질소 가스, 탄소 가스 등을 압축하여 압축 가스를 생산할 수 있다. 압축부(222)에서 생산된 압축 가스는 압축부(222)와 연결된 주입부(226)의 노즐(226b)을 통해 하우징(226a) 내부로 분사될 수 있다. 이때, 압축 가스는 조절부(224)를 통해 미리 설정된 압력으로 조정되어 주입부(226)로 공급될 수 있다. 하우징(226a) 내부로 압축 가스가 분사되면, 하우징(226a)의 내부의 압력이 낮아지면서 흡인구(226d)를 통해 수분을 함유하고 있는 외부 공기가 흡인될 수 있다. 압축 가스는 하우징(226a)에 연결된 배출관(226c)으로 이동하게 되고, 흡인구(226d)를 통해 하우징(226a)으로 유입된 외부 공기는 압축 가스를 따라 배출관(226c)으로 이동하게 된다. 압축 가스와 외부 공기는 배출관(226c)을 따라 이동하면서 혼합되어 배기라인(240), 예컨대 제2배기라인(244)으로 공급될 수 있다. First, compressed gas may be produced by compressing air, nitrogen gas, carbon gas, or the like in the compression unit 222 . The compressed gas produced by the compression unit 222 may be injected into the housing 226a through the nozzle 226b of the injection unit 226 connected to the compression unit 222 . At this time, the compressed gas may be adjusted to a preset pressure through the adjusting unit 224 and supplied to the injecting unit 226 . When the compressed gas is injected into the housing 226a, external air containing moisture may be sucked through the suction port 226d while the pressure inside the housing 226a is lowered. The compressed gas moves to the discharge pipe 226c connected to the housing 226a, and the external air introduced into the housing 226a through the suction port 226d moves to the discharge pipe 226c along with the compressed gas. Compressed gas and external air may be mixed while moving along the exhaust pipe 226c and supplied to the exhaust line 240 , for example, the second exhaust line 244 .

제2배기라인(244)으로 공급된 압축 가스와 수분을 함유하는 외부 공기, 즉 반응 가스는 제2배기라인(244)을 따라 이동하는 배기가스와 접촉하게 된다. 이때, 외부 공기는 제2배기라인(244)이 설치되는 실내의 공기로서, 습도가 제어된 공기를 의미할 수 있다. 예컨대 외부 공기의 습도는 40 내지 60% 또는 45 내지 55% 정도로 제어될 수 있다. The compressed gas supplied to the second exhaust line 244 and external air containing moisture, that is, the reaction gas, come into contact with the exhaust gas moving along the second exhaust line 244 . In this case, the outside air is the air in the room where the second exhaust line 244 is installed, and may mean air with controlled humidity. For example, the humidity of the outside air may be controlled to about 40 to 60% or 45 to 55%.

제2배기라인(244)에 반응가스가 공급되면, 배기가스에 함유되는 삼산화이질소(N2O3), 사산화이질소(N2O4) 등의 질소산화물은 반응 가스에 함유되는 수분과 하기의 식1 및 2의 반응을 일으켜 아질산(HNO2)과 질산(HNO3) 등으로 변화하게 된다. When the reaction gas is supplied to the second exhaust line 244 , nitrogen oxides such as dinitrogen trioxide (N 2 O 3 ) and dinitrogen tetraoxide (N 2 O 4 ) contained in the exhaust gas are combined with moisture contained in the reaction gas and the following It causes the reaction of formulas 1 and 2 of nitrous acid (HNO 2 ) and nitric acid (HNO 3 ) and the like.

식1)Equation 1)

N2O3 + H2O -> 2HNO2(g)N 2 O 3 + H 2 O -> 2HNO 2 (g)

식2)Equation 2)

N2O4 + H2O -> HNO2(g) + HNO3(g)N 2 O 4 + H 2 O -> HNO 2 (g) + HNO 3 (g)

여기에서 삼산화이질소(N2O3)와 사산화이질소(N2O4)는 액체 상태 및 고체 상태이고, 질소산화물과 수분의 반응에 의해 생성된 아질산(HNO2)과 질산(HNO3)은 기체 상태일 수 있다. 삼산화이질소(N2O3), 사산화이질소(N2O4) 등의 질소산화물은 수분과 반응성이 좋기 때문에 제2배기라인(244)에 반응 가스를 공급하면, 삼산화이질소(N2O3), 사산화이질소(N2O4) 등의 질소산화물이 반응 가스 중 수분과 반응하여 아질산(HNO2)과 질산(HNO3) 등으로 변화된다. 아질산(HNO2)의 끓는 점은 158℃이고, 질산(HNO3)의 끓는 점은 83℃으로, 제2배기라인(244)을 따라 이송되는 배기가스의 온도는 이들 끓는 점보다 높기 때문에 아질산(HNO2)과 질산(HNO3)은 기체 상태를 유지하며 스크러버(230)로 이송될 수 있다. Here, dinitrogen trioxide (N 2 O 3 ) and dinitrogen tetraoxide (N 2 O 4 ) are liquid and solid, and nitrous acid (HNO 2 ) and nitric acid (HNO 3 ) generated by the reaction of nitrogen oxide with water are It may be in a gaseous state. Since nitrogen oxides such as dinitrogen trioxide (N 2 O 3 ) and dinitrogen tetraoxide (N 2 O 4 ) have good reactivity with moisture, when a reactive gas is supplied to the second exhaust line 244 , dinitrogen trioxide (N 2 O 3 ) ), nitrogen oxides such as dinitrogen tetraoxide (N 2 O 4 ) react with moisture in the reaction gas to change into nitrous acid (HNO 2 ) and nitric acid (HNO 3 ). The boiling point of nitrous acid (HNO 2 ) is 158 ° C., and the boiling point of nitric acid (HNO 3 ) is 83 ° C. Since the temperature of the exhaust gas transported along the second exhaust line 244 is higher than these boiling points, nitrous acid ( HNO 2 ) and nitric acid (HNO 3 ) may be transferred to the scrubber 230 while maintaining a gaseous state.

이와 같은 반응을 통해 질소산화물은 기체 상태로 유지하며 제2배기라인(244)을 따라 스크러버(230)로 이송될 수 있다. 따라서 배기가스에 함유되는 질소산화물에 의해 배기라인(240), 예컨대 제2배기라인(244)에 부착물이 형성되어 제2배기라인(244)의 막힘 현상이 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. Through this reaction, the nitrogen oxide may be transferred to the scrubber 230 along the second exhaust line 244 while maintaining the gaseous state. Accordingly, it is possible to suppress or prevent the occurrence of clogging of the second exhaust line 244 due to the formation of deposits on the exhaust line 240 , for example, the second exhaust line 244 by nitrogen oxides contained in the exhaust gas.

이후, 공정 챔버(100) 내부의 배기가스가 모두 배출되면, 제2배기라인(244)으로 반응 가스의 공급을 중지시킬 수 있다. 이때, 배기가스의 배출이 완료되면, 제2배기라인(244)에 일정 시간동안 반응 가스를 추가로 공급할 수 있다. 이는 제2배기라인(244)에 잔류하는 배기가스에 함유되는 질소산화물이 제2배기라인(244)에 부착물을 형성하는 것을 억제하고, 제2배기라인(244)에 형성되어 있을 수 있는 부착물을 제거하기 위함이다. Thereafter, when all of the exhaust gas inside the process chamber 100 is exhausted, the supply of the reaction gas to the second exhaust line 244 may be stopped. In this case, when the exhaust gas is completely discharged, the reaction gas may be additionally supplied to the second exhaust line 244 for a predetermined time. This suppresses the formation of deposits on the second exhaust line 244 by nitrogen oxides contained in the exhaust gas remaining in the second exhaust line 244 , and removes deposits that may be formed on the second exhaust line 244 . is to remove

여기에서는 공정 챔버(100)에서 기판을 처리한 후, 공정 챔버(100) 내에서 배기가스를 배출시키는 과정에서 배기라인(240)에 반응 가스를 공급하는 것으로 설명하였으나, 배기라인(240)을 세정하는 단독 공정에서 배기라인(240)에 반응 가스를 공급하여 배기라인(240)에 부착된 부착물을 제거할 수도 있다. Herein, it has been described that the reaction gas is supplied to the exhaust line 240 in the process of discharging the exhaust gas from the process chamber 100 after processing the substrate in the process chamber 100 , but the exhaust line 240 is cleaned In a single process, the reaction gas may be supplied to the exhaust line 240 to remove the deposits attached to the exhaust line 240 .

이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.Although preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and common knowledge in the field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims Those having the above will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the technical protection scope of the present invention should be defined by the following claims.

100: 공정 챔버 200: 배기가스 처리 장치
210: 펌프 220: 전처리기
230: 스크러버 240: 배기라인100: process chamber 200: exhaust gas treatment device
210: pump 220: preprocessor
230: scrubber 240: exhaust line

Claims (13)

공정 챔버에서 배출되는 배기가스를 처리하기 위한 배기가스 처리 장치로서,
배기가스를 처리하기 위한 스크러버;
상기 공정 챔버와 상기 스크러버를 연결하는 배기라인:
상기 배기라인에 구비되는 펌프; 및
상기 배기라인에 수분을 함유하는 외부 공기를 공급하도록 상기 배기라인에 연결되는 전처리기;를 포함하고,
상기 전처리기는,
압축 가스를 생산하기 위한 압축부; 및
상기 압축부에서 압축 가스를 공급받아 외부 공기를 흡인하고, 상기 압축 가스와 상기 외부 공기가 혼합된 반응가스를 상기 배기라인에 공급하기 위한 주입부;를 포함하는 배기가스 처리 장치. An exhaust gas treatment device for treating exhaust gas discharged from a process chamber, comprising:
a scrubber for treating exhaust gases;
an exhaust line connecting the process chamber and the scrubber:
a pump provided in the exhaust line; and
a preprocessor connected to the exhaust line to supply external air containing moisture to the exhaust line;
The preprocessor is
a compression unit for producing compressed gas; and
and an injection unit for receiving the compressed gas from the compression unit, sucking outside air, and supplying a reaction gas in which the compressed gas and the outside air are mixed to the exhaust line. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 전처리기는 상기 배기라인과 연통되는 반응 챔버를 포함하고,
상기 주입부는 상기 반응 챔버에 연결되는 배기가스 처리 장치. The method according to claim 1,
The preprocessor includes a reaction chamber in communication with the exhaust line,
The injection unit is an exhaust gas treatment device connected to the reaction chamber. 청구항 1 또는 3에 있어서,
상기 전처리기는 상기 압축부와 상기 주입부 사이에 구비되는 조절부를 포함하는 배기가스 처리 장치.4. The method of claim 1 or 3,
The preprocessor is an exhaust gas treatment apparatus including a control unit provided between the compression unit and the injection unit. 청구항 4에 있어서,
상기 전처리기는 상기 주입부와 상기 배기라인 사이에 구비되는 역류방지부재를 포함하는 배기가스 처리 장치.5. The method according to claim 4,
The preprocessor is an exhaust gas treatment device including a backflow prevention member provided between the injection unit and the exhaust line. 청구항 5에 있어서,
상기 스크러버는 실외에 설치되고,
상기 배기라인의 일부는 실내에 설치되며,
상기 주입부는 상기 실내에 설치되는 배기라인의 외부에 존재하는 외부 공기를 상기 배기라인 내부로 공급하도록 실내에 설치되는 배기가스 처리 장치.6. The method of claim 5,
The scrubber is installed outdoors,
A part of the exhaust line is installed indoors,
The injection unit is an exhaust gas treatment device installed in the room to supply the outside air existing outside the exhaust line installed in the room to the inside of the exhaust line. 청구항 6에 있어서,
상기 주입부는 상기 배기라인에서 가장 낮은 위치에 배치되는 부분과 절곡된 부분 중 적어도 어느 하나에 설치되는 배기가스 처리 장치.7. The method of claim 6,
The injection unit is an exhaust gas treatment device installed in at least one of a bent portion and a portion disposed at the lowest position in the exhaust line. 질소산화물을 함유하는 배기가스를 처리하는 방법으로서,
공정에서 발생한 배기가스를 배기라인으로 배출시키는 과정;
상기 배기라인에 상기 배기라인의 외부에 존재하는 외부 공기를 포함하는 반응 가스를 공급하는 과정; 및
상기 배기가스에 함유되는 질소산화물을 상기 반응 가스에 함유되는 수분과 반응시켜 상기 질소산화물을 기체 상태로 변화시키는 전처리 과정;을 포함하고,
상기 배기가스를 배출시키는 과정 이전에 상기 배기라인이 설치되는 실내의 습도를 조절하는 과정을 포함하는 배기가스 처리 방법.A method for treating an exhaust gas containing nitrogen oxides, comprising:
The process of discharging the exhaust gas generated in the process to the exhaust line;
supplying a reaction gas including external air existing outside the exhaust line to the exhaust line; and
a pretreatment process of changing the nitrogen oxides contained in the exhaust gas to a gaseous state by reacting the nitrogen oxides with moisture contained in the reaction gas; and
Exhaust gas treatment method comprising the step of adjusting the humidity of the room in which the exhaust line is installed before the step of discharging the exhaust gas. 삭제delete 청구항 8에 있어서,
상기 습도를 조절하는 과정은 상기 외부 공기의 습도를 40 내지 60%로 조절하는 과정을 포함하는 배기가스 처리 방법.9. The method of claim 8,
The process of controlling the humidity is an exhaust gas treatment method comprising the process of adjusting the humidity of the outside air to 40 to 60%. 청구항 10에 있어서,
상기 반응 가스를 공급하는 과정은,
압축 가스를 생산하는 과정;
상기 압축 가스를 흡인구가 형성된 하우징 내부에 분사하는 과정;
상기 흡인구를 통해 상기 하우징 내부로 습도가 조절된 외부 공기를 흡인시키는 과정; 및
상기 압축 가스와 상기 외부 공기가 혼합된 반응 가스를 상기 배기라인에 공급하는 과정;을 포함하는 배기가스 처리 방법. 11. The method of claim 10,
The process of supplying the reaction gas,
the process of producing compressed gas;
injecting the compressed gas into the housing in which the suction port is formed;
a process of sucking the humidity-controlled external air into the housing through the suction port; and
and supplying a reaction gas in which the compressed gas and the external air are mixed to the exhaust line. 청구항 11에 있어서,
상기 반응 가스를 공급하는 과정은,
상기 압축 가스의 분사 압력을 제어하여 상기 배기라인에 공급되는 수분의 양을 조절하는 과정을 포함하는 배기가스 처리 방법. 12. The method of claim 11,
The process of supplying the reaction gas,
and controlling the injection pressure of the compressed gas to adjust the amount of moisture supplied to the exhaust line. 청구항 12에 있어서,
상기 전처리 과정은 상기 질소산화물과 상기 수분을 반응시켜 아질산(HNO2) 가스 및 질산(HNO3) 가스 중 적어도 하나를 생성하는 과정을 포함하는 배기가스 처리 방법. 13. The method of claim 12,
The pretreatment process may include reacting the nitrogen oxide with the moisture to generate at least one of nitrous acid (HNO 2 ) gas and nitric acid (HNO 3 ) gas.
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