KR102260883B1 - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102260883B1
KR102260883B1 KR1020190085997A KR20190085997A KR102260883B1 KR 102260883 B1 KR102260883 B1 KR 102260883B1 KR 1020190085997 A KR1020190085997 A KR 1020190085997A KR 20190085997 A KR20190085997 A KR 20190085997A KR 102260883 B1 KR102260883 B1 KR 102260883B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
carbon atoms
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020190085997A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200010076A (ko
Inventor
송인범
윤승희
홍상훈
강현빈
류재민
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
머티어리얼사이언스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사, 머티어리얼사이언스 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to US16/515,738 priority Critical patent/US20200028084A1/en
Priority to DE102019119635.3A priority patent/DE102019119635B4/de
Priority to CN201910654314.6A priority patent/CN110739406B/zh
Publication of KR20200010076A publication Critical patent/KR20200010076A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102260883B1 publication Critical patent/KR102260883B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H01L51/008—
    • H01L51/006—
    • H01L51/5012—
    • H01L51/5024—
    • H01L51/504—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Abstract

본 발명은 유기 전계 발광소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 유기 전계 발광소자에 포함되는 하나 이상의 유기층에 2 이상의 도펀트 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전계 발광소자는 보론(borne)계 도펀트와 파이렌(pyrene)계 도펀트를 함께 사용함으로써, 우수하게 개선된 색특성, 효율 및 수명을 제공한다.

Description

유기 전계 발광 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
본 발명은 유기 전계 발광소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 유기 전계 발광소자에 포함되는 하나 이상의 유기층에 2 이상의 도펀트 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자에 관한 것이다.
현재 상업화된 OLED 제품에서는 휘도, 색순도, 수명 개선에 대한 필요성 꾸준히 제기되고 있다. 뿐만 최근에는 가상현실과 증강현실 등을 구현하기 위한 고해상도 및 눈피로감 저하를 위한 필요성들이 더욱 대두되고 있다.
현재 OLED 분야에서 널리 사용되고 있는 청색 도펀트의 경우, 고유 최대 파장이 단파장이라 하더라도 장파장 쪽에 shoulder 형태를 보이며 반치폭이 30nm 이상의 넓은 스펙트럼을 보유하고 있다. 전면발광 소자의 경우 마이크로캐비티(microcavity) 효과에 의해 주요 파장 외 다른 파장 영역대의 빛은 광학적으로 손실되어 효율에 기여하지 못한다. 또한 stack 구조의 백색 소자 내 청색에서도 고색순도를 구현하기 위해서는 컬러필터로 위 영역을 제거시키므로 효율에 기여하지 못하게 된다.
최근 연구개발이 활발하게 진행되고 있는 보론(borone)계 유도체 청색 도펀트의 경우 발광 반치폭이 25nm 이하로 작아, 상기의 광학적 손실을 최소화 할 수 있는 장점을 가지고 있어 원하는 색특성 및 효율을 증대시킬 수 있는 장점을 가지고 있다.
그러나, 보론(borone)계 유도체 도펀트는 종래에 사용중인 도펀트에 비해 수명이 상대적으로 낮아 상용화가 어려운 문제를 보이고 있다. 따라서, 색순도를 개선하는 동시에 수명을 높여 상기 문제를 해결하고자 하는 노력이 필요하다.
본 발명은 유기 전계 발광소자의 발광층에 호스트와 함께 사용되는 도펀트 물질들이 색, 효율, 수명 면에서 가지고 있는 단점들을 보완하여 최종 소자에서 요구하는 색 특성을 구현하면서 효율 및 수명 특성을 모두 유지 개선하고자 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 적어도 한 층 이상의 유기막을 포함하는 유기 전계 발광소자로서, 상기 유기막은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019072936898-pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
*는 결합이 이루어지는 부분이며,
p는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
k, l, m 및 n 은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고,
[화학식 2]
Figure 112019072936898-pat00002
상기 화학식 2에서,
Y는 B, N, P=O 또는 P=S 이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S, Se, CR16R17 및 NR18로 이루어진 군으로부터 선택되며,
R5 내지 R18은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 상기 R1 내지 R18, Ar1 및 Ar2가 치환되는 경우의 치환기는, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
본 발명의 유기 전계 발광소자는 보론(borne)계 도펀트와 파이렌(pyrene)계 도펀트를 함께 사용함으로써, 우수하게 개선된 색특성, 효율 및 수명을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 2개의 발광부를 구비하는 텐덤 구조이고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따른 3개의 발광부를 구비하는 텐덤 구조이고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 유기 전계 발광소자가 적용된 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
일반적으로 OLED 소자에서 발광층은 전하 전도 및 엑시톤을 형성을 하는 호스트 내에 발광효율이 높은 도펀트를 소량 도핑하는 구조를 가지고 있다.
호스트에서 형성된 엑시톤은 Forster 전이나 Dexter 전이에 의해 도펀트로 전이되어 최종적으로 도펀트에서 빛을 발하게 된다.
본 발명에서는 색특성 및 효율이 우수한 borne계 도펀트와, 종래 pyrene계 도펀트를 함께 사용함으로써 최종 소자에서의 색특성과 효율이 우수한 동시에, 우수한 수명을 구현하였다.
색특성은 최종적으로 빛으로 발광하는 제 2 도펀트로의 호스트 및 제 1 도펀트에서의 에너지 전이가 영향을 미치게 된다. 이는 제 2 도펀트로 사용되는 borne계 도펀트의 에너지 흡수 파장대역이 발광 파장대역과 매우 가까워 호스트는 물론 최대 발광파장이 유사한 제1 도펀트의 고유 발광 파장 대역과 겹침이 상당 부분 발생하고 충분한 에너지 전이가 이루어져 제 2 도펀트인 borone계 도펀트에서 최종 발광이 주로 이루어는 것이 가능하다.
발광층 내 정공 트랩으로 작용하는 전하 전도 및 에너지 전이 반복에 따른 도펀트의 수명 저하도 두 도펀트가 역할을 나누어 가짐으로써 개선이 가능하다.
본 발명의 일 구현예에서, 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 적어도 한 층 이상의 유기막을 포함하는 유기 전계 발광소자로서, 상기 유기막은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019072936898-pat00003
상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
Ar1 및 Ar2가 인접하는 기와 서로 결합하는 경우, 보다 구체적으로, 결합되어, 치환 또는 비치환된, 핵 원자수 5 내지 12의 고리를 형성할 수 있다.
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
R1 내지 R4가 인접하는 기와 서로 결합하는 경우, 보다 구체적으로, 결합되어, 치환 또는 비치환되고, 핵 원자수 5 내지 12의 고리를 형성할 수 있다.
*는 결합이 이루어지는 부분으로, 피렌의 모핵 구조에 연결될 수 있다.
p는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
k, l, m 및 n 은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
[화학식 2]
Figure 112019072936898-pat00004
상기 화학식 2에서,
Y는 B, N, P=O 또는 P=S 이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S, Se, CR16R17 및 NR18로 이루어진 군으로부터 선택된다.
R5 내지 R18은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
R5 내지 R18이 인접하는 기와 서로 결합하는 경우, 보다 구체적으로, 결합되어, 치환 또는 비치환되고, 핵 원자수 5 내지 12의 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 상기 R1 내지 R18, Ar1 및 Ar2가 치환되는 경우의 치환기는, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
상기 유기막은 발광층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유기 전계 발광소자는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제1 도펀트로, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제2 도펀트로서 포함하는 발광층을 포함한다. 상기 발광층은 상기 제1 도펀트와 상기 제2 도펀트를 함께 사용하여 상기 제2 도펀트의 발광이 최종적으로 이루어진 색특성과 효율을 확보하며, 수명 특성을 개선한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1에서, p는 2일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112019072936898-pat00005
상기 화학식 3에서,
R1 내지 R4, Ar1, Ar2, k, l, m 및 n 은 화학식 1에서 정의된 바와 같고, Ar3 및 Ar4는 상기 Ar1 및 Ar2에 대하여 정의된 바와 같다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 1 내지 110 중의 어느 하나 일 수 있다.
Figure 112019072936898-pat00006
Figure 112019072936898-pat00007
Figure 112019072936898-pat00008
Figure 112019072936898-pat00009
Figure 112019072936898-pat00010
Figure 112019072936898-pat00011
Figure 112019072936898-pat00012
Figure 112019072936898-pat00013
Figure 112019072936898-pat00014
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112019072936898-pat00015
상기 화학식 4에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O 및 N(R17)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 R5 내지 R15는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
구체적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
Figure 112019072936898-pat00016
Figure 112019072936898-pat00017
Figure 112019072936898-pat00018
Figure 112019072936898-pat00019
Figure 112019072936898-pat00020
Figure 112019072936898-pat00021
Figure 112019072936898-pat00022
유기 발광층 전체에 대한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제1 도펀트 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 제2 도펀트은 각각 0.01 내지 20 wt%인 것이 바람직하고, 0.5 내지 10 wt%로 포함되는 것이 보다 바람직 하다. 20중량%을 넘는 경우, 도펀트의 농도가 지나치게 높고 발광효율이 내려갈 우려가 있다.
제1 도펀트 및 제2 도펀트는 1 : 9 ~ 9 : 1의 중량비로 포함되는 것이 바람직하며, 3 : 7 ~ 7 : 3 의 중량비로 포함되는 것이 보다 바람직하다.
상기 발광층은 상기 제1 도펀트 및 상기 제2 도펀트 이외에 호스트를 더 포함할 수 있다.
발광층은 청색(B)을 발광할 수 있다.
상기 호스트 물질은, 안트라센(anthracene) 및 그 유도체, 파이렌(pyrene) 및 그 유도체 및 페릴렌(perylene) 및 그 유도체 등과 같이, 청색 발광층에 사용될 수 있는 것으로 알려진 호스트 물질이 제한 없이 사용될 수 있다.
상기 유기막은 상기 발광층 이외에도, 정공주입층(HIL, hole injection layer), 정공수송층(HTL, hole transport layer), 전자차단층(EBL, electron blocking layer), 정공차단층(HBL, hole blocking layer), 전자수송층(ETL, electron transport layer) 및 전자주입층(EIL, electron injection layer)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 전계 발광소자는 양극으로부터 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층의 순서로 적층될 수 있고, 발광층의 효율을 높이기 위하여 전자차단층 또는 정공차단층을 각각 발광층의 앞뒤에 추가로 포함할 수 있다.
또한, 텐덤 유기 전계 발광소자의 경우, 단일 발광소자 (EL Unit)가 CGL(Charge Generation Layer)에 의해 2개 이상 연결된 구조로 되어 있다. 상기 유기 전계 발광소자는 기판상에 서로 대항된 제1 전극 및 제2 전극과 상기 제1 및 제2 전극 사이에 적층되어 특정한 빛을 방사하는 발광층을 가지는 두 개 또는 그 이상의 복수의 스택(stack)을 포함한다. N타입 전하 생성층 및 P타입 전하생성층으로 이루어진 전하 생성층(CGL)과 연결된 발광층은 청색 혹은 황녹색 혹은 적색으로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 제1 색의 빛을 생산하는 제1 발광부 및 상기 제1 발광부 상에 적층되고, 제2 색의 빛을 생산하는 제2 발광부를 포함하는 유기 전계 발광소자를 제공하고, 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부 중 적어도 하나가 청색 도펀트 물질을 포함하고, 상기 청색 도펀트 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112019072936898-pat00023
상기 화학식 1에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
*는 결합이 이루어지는 부분이며,
p는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
k, l, m 및 n 은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고,
[화학식 2]
Figure 112019072936898-pat00024
상기 화학식 2에서,
Y는 B, N, P=O 또는 P=S 이며,
X1 및 X2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S, Se, CR16R17 및 NR18로 이루어진 군으로부터 선택되며,
R5 내지 R18은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 상기 R1 내지 R18, Ar1 및 Ar2가 치환되는 경우의 치환기는, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물에 대한 상세한 설명은 전술한 바와 같다.
일 구현예에서, 상기 제1 발광부는 제1 전극, 제1 정공수송층, 제1 발광층 및 제1 전자수송층을 순차적으로 포함하고, 상기 제2 발광부는 제2 정공수송층, 제2 발광층 및 제2 전자수송층을 순차적으로 포함하고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 중 적어도 하나가 상기 청색 도펀트 물질을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 제1 실시형태에 따라 2개의 발광부를 가지는 탠덤 구조의 유기 전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 유기 전계 발광소자(100)는 서로 마주하는 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)과, 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 위치하는 유기발광층(130)을 포함한다. 유기발광층(130)은 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 위치하며 제1 발광층(144)을 포함하는 제1 발광부(ST1, 140)와, 제1 발광부(140)와 제2 전극(120) 사이에 위치하며 제2 발광층(154)를 포함하는 제2 발광부(ST2, 150)와, 제1 및 제2 발광부(140, 150) 사이에 위치하는 전하생성층(CGL, 160)을 포함한다.
제1 전극(120)은 정공을 주입하는 양극(anode)으로, 일함수(workfunction)가 높은 도전성 물질, 예를 들어, 인듐-주석-산화물(Indium-tin-oxide; ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-zinc-oxide; IZO), 아연-산화물(ZnO) 중 어느 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 제2 전극(120)은 전자를 주입하는 음극(cathode)으로, 일함수가 작은 도전성 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
제1 발광부(140)는 제1 전극(110)과 제1 발광층(144) 사이에 위치하는 정공주입층(141)과, 정공주입층(141)과 제1 발광층(144) 사이에 위치하는 제1 정공수송층(142)과, 제1 발광층(144)과 전하생성층(160) 사이에 위치하는 제1 전자수송층(146)을 포함한다.
정공주입층(141)은 무기물인 제1 전극(120)과 유기물인 제1 정공수송층(142) 사이의 계면 특성을 향상시킨다. 정공주입층(141)은 하나의 예시적인 실시형태에서, 정공주입층(141)은 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine; MTDATA), 프탈로시아닌구리(copper phthalocyanine; CuPc), 트리스(4-카바조일-9-일-페닐)아민(Tris(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)amine; TCTA), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-1,1'-바이페닐-4,4"-디아민(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4"-diamine; NPB; NPD), 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌헥사카보니트릴(1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile; HATCN), 1,3,5-트리스[4-(디페닐아미노)페닐]벤젠(1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene; TDAPB), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리스티렌 술포네이트(poly(3,4-ethylenedioxythiphene)polystyrene sulfonate; PEDOT/PSS), 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane; F4-TCNQ), 및/또는 N-(비페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민(N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine) 등에서 선택되는 어느 하나의 물질일 수 있다.
예를 들어, 정공주입층(141)의 두께는 1 내지 150 nm일 수 있다. 정공주입층(141)의 두께가 1 nm 이상이면 정공 주입 특성을 향상시킬 수 있고, 150nm 이하이면 정공주입층(141)의 두께 증가에 의한 구동 전압 상승 문제를 방지할 수 있다. 정공주입층(141)은 유기 전계 발광소자의 구조나 특성에 따라 생략될 수도 있다.
제1 정공수송층(142)은 정공주입층(141)과 제1 발광층(144) 사이에 위치하고, 제1 발광층(144)은 제1 정공수송층(142)와 제1 전자수송층(146) 사이에 위치하며, 제1 전자수송층(146)은 제1 발광층(144)과 전하생성층(160) 사이에 위치한다.
제2 발광부(150)는 제2 정공수송층(152)과, 제2 발광층(154)과, 제2 전자수송층(156)과, 전자주입층(158)을 포함한다. 제2 정공수송층(152)은 전하생성층(160)과 제2 발광층(154) 사이에 위치하고, 제2 발광층(154)은 제2 정공수송층(152)과 제2 전극(120) 사이에 위치한다. 또한, 제2 전자수송층(156)은 제2 발광층(154)과 제2 전극(120) 사이에 위치하며, 전자주입층(158)은 제2 전자수송층(156)과 제2 전극(120) 사이에 위치한다.
제1 및 제2 정공수송층(142, 152)은, 각각, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine; TPD), NPD, MTDATA, 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(1,3-bis(N-carbazolyl)benzene; mCP), CuPC, TCTA, 트리스(트리플루오비닐에테르)-트리스(4-카바조일-9-일-페닐)아민(tris(trifluorovinyl ether)-tris(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)amine; TFV-TCTA), 트리스[4-(디에틸아미노)페닐]아민(tris[4-(diethylamino)phenyl]amine), N-(바이페닐-4-일)-9,9-디메틸-N-(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-9H-플루오렌-2-아민, 트리-p-톨릴아민(tri-ptolylamine), N-[1,1'-바이페닐]-4-일-9,9-디메틸-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-아민(N-[1,1'-biphenyl]-4-yl-9,9-diMethyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-amine), 4,4'-비스(N-카바졸릴)-1,1'-바이페닐(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl; CBP) 및/또는 1,1-비스(4-(N,N'-디(p-톨릴)아미노)페닐)사이클로헥산(1,1-bis(4-(N,N'-di(ptolyl)amino)phenyl)cyclohexane; TAPC) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
제1 정공수송층(142) 및 제2 정공수송층(152) 각각의 두께는 1 내지 150 nm일 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 정공수송층(142, 152)의 두께가 1 nm 이상이면 정공 수송 특성을 향상시킬 수 있고, 150 nm 이하이면 제1 및 제2 정공수송층(142, 152)의 두께 증가에 의한 구동 전압 상승 문제를 방지할 수 있다. 제1 정공수송층(142)과 제2 정공수송층(152)은 동일한 물질로 이루어지거나 상이한 물질로 이루어질 수 있다.
하나의 예시적인 실시형태에서, 제1 및 제2 발광층(144, 154) 각각은 호스트(host)에 도펀트(dopant)가 도핑되어 이루어질 수 있으며, 서로 다른 색을 발광한다. 도펀트 소재는 호스트 소재를 기준으로 대략 1 내지 30 중량%의 비율로 첨가될 수 있다.
일례로, 제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 어느 하나가 청색(B)을 발광할 수 있고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 제1 도펀트와 상기 화학식 2로 표시되는 화합물인 제2 도펀트를 포함할 수 있다.
제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 다른 하나는 청색(B), 적색(R), 녹색(G), 황색(Yellow, Y) 또는 황록색(YG)을 발광할 수 있다. 하나의 예시적인 실시형태에서, 제1 발광층(144)은 청색을 발광하고, 제2 발광층(154)은 청색보다 장파장인 녹색(G), 황록색(YG), 황색(Y) 또는 오렌지색을 발광할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 하나가 청색 광을 발광하는 경우, 안트라센(anthracene) 및 그 유도체, 파이렌(pyrene) 및 그 유도체 및 페릴렌(perylene) 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형광 호스트 물질에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 제1 도펀트와 상기 화학식 2로 표시되는 화합물인 제2 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 청색 형광 호스트 물질은 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)-1,1'-바이페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl; DPVBi), 9,10-디-(2-나프틸)안트라센(9,10-di-(2-naphtyl)anthracene; ADN), 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌(tetra-t-butylperylene; TBADN), 2-터르-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene), 2-메틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(2-methyl-9,10-di(2-naphtyl)anthracene; MADN), 및/또는 2,2',2"-(1,3,5-벤자인트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole; TBPi) 등을 포함한다.
제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 다른 하나가 녹색(G) 발광물질층인 경우, CBP 등의 호스트와 이리듐(iridium) 계열의 도펀트(예를 들어, dp2Ir(acac), op2Ir(acac) 등)를 포함하는 인광 발광물질층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 선택적으로, 상기 녹색(G) 발광물질층은 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum; Alq)을 포함하는 형광 발광물질층일 수도 있다. 이때, 상기 녹색(G) 발광물질층에서의 발광 파장은 510 nm 내지 570 nm 범위일 수 있다.
또한, 제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 상기 다른 하나가 적색(R) 발광물질층인 경우, CBP 등의 호스트와, 비스(1-페닐이소퀴놀린)아세틸아세토네이트이리듐(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium; PIQIr(acac)), 비스(1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트이리듐 ((1-phenylquinoline)acetylacetonateiridium; PQIr(acac)) 및 옥타에틸포피린 백금(octaethylporphyrin platinum; PtOEP)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 도펀트를 포함하는 인광 발광물질층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또는, 상기 적색(R) 발광물질층은 1,3,4-옥사디아졸:트리스(디벤조일메탄)모노(1,10-페난트롤린)유로퓸(Ⅲ)(1,3,4-oxadiazole:Tris(dibenzoylmethane)mono(1,10-phentathroline)europium(Ⅲ); PBD:Eu(DBM)3(Phen)) 또는 페릴렌(Perylene) 및 그 유도체를 포함하는 형광 발광물질층일 수도 있다. 이때, 상기 적색(R) 발광물질층에서의 발광 파장은 600 nm 내지 650 nm 범위일 수 있다.
제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 상기 다른 하나가 황색(Y) 발광물질층인 경우, 황록색(Yellow-Green, YG) 발광물질층의 단일 구조 또는 황록색 발광물질층과 녹색(Green) 발광물질층의 이중층 구조일 수 있다. 일례로, 상기 황색(Y) 발광물질층은 CBP 또는 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-(페닐페놀라토)알루미늄(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; BAlq) 중 선택된 적어도 하나의 호스트와, 황록색을 발광하는 황록색 인광 도펀트를 포함할 수 있다. 이때, 상기 황색(Y) 발광물질층에서의 발광 파장은 510 nm 내지 590 nm 범위일 수 있다.
선택적인 실시형태에서, 탠덤 구조를 가지는 발광다이오드(100)의 적색 효율을 향상시키기 위해서, 제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154)은 2개의 발광물질층, 일례로 황록색 발광물질층과 적색 발괄물질층 또는 청색 발광물질층과 적색 발광물질층으로 이루어질 수 있다.
한편, 제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 상기 다른 하나는 황록색 발광물질층인 경우, 황록색(YG) 발광물질층의 단층 구조 또는 황록색 발광물질층과 녹색(G) 발광물질층의 이중층 구조로 이루어질 수 있다. 상기 황록색 발광물질층의 단층 구조인 경우, CBP 또는 BAlq 에서 선택된 호스트와, 황록색을 발광하는 황록색 인광 도펀트를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 제1 발광층(144) 및 제2 발광층(154) 중 상기 다른 하나가 황색 발광물질층인 경우, CBP 또는 BAlq 에서 선택된 호스트와, 황색을 발광하는 인광 도펀트를 포함할 수 있다.
제1 전자수송층(146)과 제2 전자수송층(156)은 각각 제1 발광부(140)과 제2 발광부(150)에서의 전자 수송을 원활하게 하는 역할을 한다. 제1 및 제2 전자수송층(146, 156) 각각은 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난트롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole), 벤조티아졸(benzothiazole), 벤즈이미다졸, 트리아진 등의 유도체일 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제2 전자수송층(146, 156)은 각각 Alq3, 2-바이페닐-4-일-5-(4-터셔리-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(2-biphenyl-4-yl-5-(4-tbutylphenyl)-1,3,4-oxadiazole; PBD), 스파이로-PBD, 리튬 퀴놀레이트(lithiumquinolate; Liq), 2-[4-(9,10-디-2-나프탈레닐-2-안트라세닐)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(2-[4-(9,10-Di-2-naphthalenyl-2-anthracenyl)phenyl]-1-phenyl-1Hbenzimidazol), 3-(바이페닐-4-일)-5-(4-터르부틸페닐)-4-페닐-4H-1,2,4-트리아졸(3-(biphenyl-4-yl)-5-(4-tertbutylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole; TAZ), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; Bphen), 트리스(페닐퀴녹살린)(tris(phenylquinoxaline; TPQ), 1,3,5-트리[(3-피리딜)-펜-3-일]벤젠(1,3,5-Tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene; TmPyPB) 및/또는 1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimiazole-2-yl)benzene; TPBI)과 같은 전자 수송 물질로 이루어질 수 있다.
선택적으로, 제1 및 제2 전자수송층(146, 156)은 각각 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속 화합물이 도핑되어 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 전자수송층(146, 156)의 도펀트로 사용될 수 있는 금속 성분은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 세슘(Cs)와 같은 알칼리 금속 및/또는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 라듐(Ra)과 같은 알칼리토금속을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속 화합물은 대략 1 내지 20 중량%의 비율로 첨가될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
제1 및 제2 전자수송층(146, 156) 각각의 두께는 1 내지 150 nm일 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 전자수송층(146, 156)의 두께가 1 nm 이상이면 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150 nm 이하이면 제1 및 제2 전자수송층(146, 156)의 두께 증가에 의한 구동 전압 상승 문제를 방지할 수 있다. 제1 및 제2 전자수송층(146, 156)은 동일한 물질로 이루어지거나 상이한 물질로 이루어질 수 있다.
전자주입층(158)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2 등의 알칼리 할라이드계 물질 및/또는 Liq(lithium quinolate), 리튬 벤조에이트(lithium benzoate), 소듐 스테아레이트(sodium stearate), Alq3, BAlq, PBD, 스파이로-PBD, TAZ 등의 유기계 물질이 사용될 수 있다.
전자주입층(158)의 두께는 0.5 내지 50 nm일 수 있다. 전자주입층(158)의 두께가 0.5 nm 이상이면 전자 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50 nm 이하이면 전자주입층(158)의 두께 증가에 의한 구동 전압 상승 문제를 방지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시형태에 따라, 탠덤(tandem) 구조를 가지는 유기 전계 발광소자(100)는 제1 발광부(140)와 제2 발광부(150) 사이에, 각각의 발광층에서 발생하는 전류 효율을 증가시키고, 전하를 원활하게 분배할 수 있도록 전하생성층(Charge generation layer, CGL, 160)이 위치한다. 즉, 전하생성층(160)은 제1 발광부(140)와 제2 발광부(150) 사이에 위치하며, 제1 발광부(140)와 제2 발광부(150)는 전하생성층(160)에 의해 연결된다. 전하생성층(160)은 N형 전하생성층(162)과 P형 전하생성층(164)이 인접하게 위치하면서 접합된 PN-접합 전하생성층일 수 있다.
N형 전하생성층(162)은 제1 전자수송층(146)과 제2 정공수송층(152) 사이에 위치하고, P형 전하생성층(164)은 N형 전하생성층(162)과 제2 정공수송층(152) 사이에 위치한다. 전하생성층(160)은 전하를 생성하거나 정공 및 전자로 분리하여 제1 및 제2 발광부(140, 150)에 전자와 및 전공을 공급한다.
즉, N형 전하생성층(162)은 제1 발광부(140)의 제1 전자수송층(146)으로 전자를 공급하고, 제1 전자수송층(146)은 제1 전극(110)에 인접한 제1 발광층(144)에 전자를 공급한다. 한편, P형 전하생성층(164)은 제2 발광부(150)의 제2 정공수송층(152)으로 정공을 공급하고, 제2 정공수송층(152)은 제2 전극(120)에 인접한 제2 발광층(154)에 정공을 공급한다.
이때, P형 전하생성층(164)은 금속 또는 P형 도펀트가 도핑된 유기 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속은 Al, Cu, Fe, Pb, Zn, Au, Pt, W, In, Mo, Ni 및 Ti로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 P형이 도핑된 유기물질에 사용되는 P형 도펀트와 호스트의 물질은 통상적으로 사용되는 물질을 이용할 수 있다. 예를 들면, 상기 P형 도펀트는 F4-TCNQ, 요오드, FeCl3, FeF3 및 SbCl5으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 또한, 상기 호스트는 NPB, TPD, N,N,N',N'-테트라나프탈레닐-벤지딘(N,N,N',N'-tetranaphthalenyl-benzidine, TNB) 및 HAT-CN으로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질일 수 있다.
선택적으로, N형 전하생성층(162)은 도펀트로서 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속 화합물과 같은 금속 화합물을 포함할 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속은 본 발명에 따른 유기 화합물을 기준으로 대략 1 내지 30 중량%의 비율로 첨가될 수 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다.
알칼리 금속이나 알칼리토 금속 화합물로 N형 전하생성층(162)을 도핑하여, N형 전하생성층(162)으로의 전자 주입 특성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, N형 전하생성층(162)에 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속을 도펀트로 사용하면, 도펀트로 사용된 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속이 본 발명의 유기 화합물과 결합하여 갭 스테이트(gap state)를 형성한다. 이에 따라, N형 전하생성층(162)과 P형 전하생성층(164)의 에너지 레벨 차이가 완화되어, N형 전하생성층(162)에서 제1 전자수송층(146)으로의 전자 주입이 향상된다.
도 2에서, 유기 전계 발광소자(200)는 서로 마주하는 제1 전극(210) 및 제2 전극(220)과, 제1 전극(210)과 제2 전극(220) 사이에 위치하는 유기발광층(230)을 포함한다. 유기발광층(230)은 제1 발광부(ST1, 240), 제2 발광부(ST2, 250), 제3 발광부(ST3, 270)와, 제1 전하생성층(CGL1, 260) 및 제2 전하생성층(CGL2, 280)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 제1 및 제2 전극(210, 220) 사이에는 넷 이상의 발광부와 셋 이상의 전하생성층이 배치될 수도 있다.
전술한 바와 같이, 제1 전극(210)은 정공을 주입하는 양극으로서, 일함수가 높은 도전성 물질, 예를 들어, ITO, IZO, ZnO 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, 제2 전극(220)은 전자를 주입하는 음극으로서, 일함수가 작은 도전성 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
제1 및 제2 전하생성층(260, 280)은 제1 및 제2 발광부(240, 250)와 제2 및 제3 발광부(250, 270) 사이에 각각 위치하며, 제1 발광부(240), 제1 전하생성층(260), 제2 발광부(250), 제2 전하생성층(280), 제3 발광부(270)가 제1 전극(210) 상에 순차 적층된다. 즉, 제1 발광부(240)는 제1 전극(210)과 제1 전하생성층(260) 사이에 위치하며, 제2 발광부(250)는 제1 전하생성층(260)과 제2 전하생성층(280) 사이에 위치하고, 제3 발광부(270)는 제2 전극(220)과 제2 전하생성층(280) 사이에 위치한다.
제1 발광부(240)는 제1 전극(210) 상에 순차 적층되는 정공주입층(241), 제1 정공수송층(242), 제1 발광층(244), 제1 전자수송층(246)을 포함할 수 있다. 이때, 정공주입층(241)과 제1 정공수송층(242)은 제1 전극(210)과 제1 발광층(244) 사이에 위치하는데, 정공주입층(241)은 제1 전극(210)과 제1 정공수송층(242) 사이에 위치한다. 또한, 제1 전자수송층(246)은 제1 발광층(244)과 제1 전하생성층(260) 사이에 위치한다.
정공주입층(241), 제1 정공수송층(242), 제1 발광층(244), 제1 전자수송층(246)은 각각 도 1에 도시한 대응되는 정공주입층(141), 제1 정공수송층(142), 제1 발광층(144) 및 제1 전자수송층(146)과 동일한 특징을 가질 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략한다. 예를 들어, 제1 발광층(244)은 청색(B) 발광물질층일 수 있다. 이때, 제1 발광부(240)에서의 발광 파장은 440 nm 내지 480 nm 범위일 수 있다.
제2 발광부(250)는 제2 정공수송층(252), 제2 발광층(254), 제2 전자수송층(256)을 포함할 수 있다. 제2 정공수송층(252)은 제1 전하생성층(260)과 제2 발광층(254) 사이에 위치하고, 제2 전자수송층(256)은 제2 발광층(254)과 제2 전하생성층(280) 사이에 위치한다.
제2 정공수송층(252), 제2 발광층(254), 제2 전자수송층(256)은 각각 도 1에 도시한 대응되는 제2 정공수송층(152), 제2 발광층(154) 및 제2 전자수송층(156)과 동일한 특징을 가질 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략한다. 예를 들어, 제2 발광층(254)은 황록색(YG) 또는 황색 발광물질층일 수 있다. 이때, 제2 발광부(250)에서의 발광 파장은 510 nm 내지 590 nm 범위 또는 460 nm 내지 510 nm 범위일 수 있다.
제3 발광부(270)는 제3 정공수송층(272), 제3 발광층(274), 제3 전자수송층(276) 및 전자주입층(278)을 포함할 수 있다. 제3 정공수송층(272)은 제2 전하생성층(280)과 제3 발광층(274) 사이에 위치하고, 제3 전자수송층(276)은 제3 발광층(274)과 제2 전극(220) 사이에 위치하며, 전자주입층(278)은 제3 전자수송층(276)과 제2 전극(220) 사이에 위치한다.
제3 정공수송층(272), 제3 전자수송층(276), 전자주입층(278)은 각각 도 1의 제2 정공수송층(152), 제2 전자수송층(156) 및 전자주입층(158)과 유사한 특징을 가질 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략한다. 한편, 제3 발광층(274)은 제1 발광층(144) 또는 제2 발광층(154)과 유사한 특징을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 발광층(274)은 청색(B) 발광물질층일 수 있다. 이때, 제3 발광부(270)에서의 발광 파장은 440 nm 내지 480 nm 범위일 수 있다. 다른 선택적인 실시형태에서, 제3 발광층(274)은 황록색(YG) 또는 황색 발광물질층일 수 있으며, 제3 발광부(270)에서의 발광 파장은 460 nm 내지 590 nm 범위일 수 있다.
본 발명에 따른 일 구현예에서, 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 중 적어도 하나가 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 청색 도펀트 물질을 포함할 수 있다.
제1 전하생성층(260)은 제1 발광부(240)와 제2 발광부(250) 사이에 위치하고, 제2 전하생성층(280)은 제2 발광부(250)와 제3 발광부(270) 사이에 위치한다. 제1 및 제2 전하생성층(260, 280) 각각은 N형 전하생성층(262, 282)과 P형 전하생성층(264, 284)이 접합된 PN-접합 전하생성층일 수 있다.
제1 전하생성층(260)에 있어서, N형 전하생성층(262)은 제1 전자수송층(246)과 제2 정공수송층(252) 사이에 위치하고, P형 전하생성층(264)은 N형 전하생성층(262)과 제2 정공수송층(252) 사이에 위치한다.
또한, 제2 전하생성층(280)에 있어서, N형 전하생성층(282)은 제2 전자수송층(256)과 제3 정공수송층(272) 사이에 위치하고, P형 전하생성층(284)은 N형 전하생성층(282)과 제3 정공수송층(272) 사이에 위치한다.
제1 및 제2 전하생성층(260, 280)은 전하를 생성하거나 전하를 정공 및 전자로 분리하여 제1 내지 제3 발광부(240, 250, 270)에 전자와 및 전공을 공급한다.
즉, 제1 전하생성층(260)에 있어서, N형 전하생성층(262)은 제1 발광부(250)의 제1 전자수송층(246)으로 전자를 공급하고, P형 전하생성층(264)은 제2 발광부(250)의 제2 정공수송층(252)으로 정공을 공급한다.
또한, 제2 전하생성층(280)에 있어서, N형 전하생성층(282)은 제2 발광부(250)의 제2 전자수송층(256)으로 전자를 공급하고, P형 전하생성층(284)은 제3 발광부(270)의 제3 정공수송층(272)으로 정공을 공급한다.
이때, P형 전하생성층(262, 282P)은 금속 또는 P형 도펀트가 도핑된 유기물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속은 Al, Cu, Fe, Pb, Zn, Au, Pt, W, In, Mo, Ni 및 Ti로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 P형이 도핑된 유기물질에 사용되는 P형 도펀트와 호스트의 물질은 통상적으로 사용되는 물질을 이용할 수 있다. 예를 들면, 상기 P형 도펀트는 F4-TCNQ, 요오드, FeCl3, FeF3 및 SbCl5으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 또한, 상기 호스트는 NPB, TPD, TNB 및 HAT-CN으로 구성되는 군에 서 선택된 적어도 하나의 물질일 수 있다.
선택적으로, N형 전하생성층(262, 282)은 도펀트로서 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속을 포함하는 금속 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, N형 전하생성층(262, 282)은 본 발명에 따른 유기 화합물 이외에도 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
금속이나 알칼리토 금속 화합물로 N형 전하생성층(262, 282)을 도핑하여, N형 전하생성층(262, 282)으로의 전자 주입 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광소자는 유기발광 표시장치 및 유기 전계 발광소자를 적용한 조명 장치 등에 활용될 수 있다. 일례로, 도 3은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 유기발광 표시장치(300)는 기판(301)과, 유기 전계 발광소자(400)와, 유기 전계 발광소자(400)를 덮는 인캡슐레이션 필름(390)을 포함할 수 있다. 기판(301) 상에는 구동 소자인 구동 박막트랜지스터(Td)와, 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결되는 유기 전계 발광소자(400)가 위치한다.
도시하지 않았으나, 기판(301) 상에는 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선, 게이트 배선 및 데이터 배선 중 어느 하나와 평행하게 이격되어 연장되는 파워 배선, 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되는 스위칭 박막트랜지스터, 파워 배선 및 스위칭 박막트랜지스터의 일 전극에 연결되는 스토리지 캐패시터가 더 형성된다.
구동 박막트랜지스터(Td)는 스위칭 박막트랜지스터에 연결되며, 반도체층(310)과, 게이트 전극(330)과, 소스 전극(352)과 드레인 전극(354)을 포함한다.
반도체층(310)은 기판(301) 상에 형성되며, 산화물 반도체 물질로 이루어지거나 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 반도체층(310)이 산화물 반도체 물질로 이루어질 경우 반도체층(310) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(310)으로 빛이 입사되는 것을 방지하여 반도체층(301)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(310)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(310)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다.
반도체층(310) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(320)이 기판(301) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(320)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물과 같은 무기절연물질로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(329) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(330)이 반도체층(310)의 중앙에 대응하여 형성된다. 게이트 전극(330)은 스위칭 박막트랜지스터에 연결된다.
게이트 전극(330) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(340)이 기판(301) 전면에 형성된다. 층간 절연막(3402)은 실리콘산화물이나 실리콘질화물과 같은 무기 절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토아크릴(photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(340)은 반도체층(310)의 양측을 노출하는 제1 및 제2 반도체층 콘택홀(342, 344)을 갖는다. 제1 및 제2 반도체층 콘택홀(342, 344)은 게이트 전극(330)의 양측에 게이트 전극(330)과 이격되어 위치한다.
층간 절연막(340) 상에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어지는 소스 전극(352)과 드레인 전극(354)이 형성된다. 소스 전극(352)과 드레인 전극(354)은 게이트 전극(330)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제1 및 제2 반도체층 콘택홀(342, 344)을 통해 반도체층(310)의 양측과 접촉한다. 소스 전극(352)은 파워 배선(미도시)에 연결된다.
반도체층(310)과, 게이트 전극(330), 소스 전극(352), 드레인 전극(354)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 이루며, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층(310)의 상부에 게이트 전극(330), 소스 전극(352) 및 드레인 전극(354)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 구동 박막트랜지스터(Td)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 전극과 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. 한편, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(Td)와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다.
한편, 유기발광 표시장치(300)는 유기 전계 발광소자(400)에서 생성된 빛을 흡수하는 컬러 필터(360)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터(360)는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 광을 흡수할 수 있다. 이 경우, 광을 흡수하는 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터 패턴이 각각의 화소영역 별로 분리되어 형성될 수 있으며, 이들 각각의 컬러 필터 패턴은 흡수하고자 하는 파장 대역의 빛을 방출하는 유기 전계 발광소자(400) 중의 유기발광층(430)과 각각 중첩되게 배치될 수 있다. 컬러 필터(360)를 채택함으로써, 유기발광 표시장치(300)는 풀-컬러를 구현할 수 있다.
예를 들어, 유기발광 표시장치(300)가 하부 발광 타입인 경우, 유기 전계 발광소자(400)에 대응하는 층간 절연막(340) 상부에 광을 흡수하는 컬러 필터(360)가 위치할 수 있다. 선택적인 실시형태에서, 유기발광 표시장치(300)가 상부 발광 타입인 경우, 컬러 필터는 유기 전계 발광소자(400)의 상부, 즉 제2 전극(420) 상부에 위치할 수도 있다. 일례로, 컬러 필터(360)는 2 내지 5 ㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이때, 유기 전계 발광소자(400)는 도 1 내지 도 2에 도시되어 있는 탠덤 구조를 가지는 유기 전계 발광소자일 수 있다.
한편, 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(354)을 노출하는 드레인 콘택홀(372)을 갖는 보호층(370)이 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮으며 형성된다.
보호층(370) 상에는 드레인 콘택홀(372)을 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극(354)에 연결되는 제1 전극(410)이 각 화소 영역 별로 분리되어 형성된다.
제1 전극(410)은 양극(anode)일 수 있으며, 일함수 값이 비교적 큰 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(410)은 ITO. IZO 또는 ZnO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 유기발광 표시장치(300)가 상부 발광 방식(top-emission type)인 경우, 제1 전극(410) 하부에는 반사전극 또는 반사층이 더욱 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사전극 또는 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
보호층(370) 상에는 제1 전극(410)의 가장자리를 덮는 뱅크층(386)이 형성된다. 뱅크층(380)은 화소영역에 대응하여 제1 전극(410)의 중심을 노출시킨다.
제1 전극(410) 상에는 유기발광층(430)이 형성된다. 일례로, 유기발광층(430)은 도 1 및 도 2에 도시된 2개 이상의 발광부를 가질 수 있으며, 이에 따라 유기 전계 발광소자(400)는 탠덤 구조를 가질 수 있다.
유기발광층(430)이 형성된 기판(301) 상부로 제2 전극(420)이 형성된다. 제2 전극(420)은 표시영역의 전면에 위치하며 일함수 값이 비교적 작은 도전성 물질로 이루어져 캐소드(cathode)로 이용될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(420)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
제1 전극(410), 유기발광층(430) 및 제2 전극(420)은 유기 전계 발광소자(400)를 이룬다.
제2 전극(420) 상에는, 외부 수분이 유기 전계 발광소자(400)로 침투하는 것을 방지하기 위해, 인캡슐레이션 필름(encapsulation film, 390)이 형성된다. 도시하지 않았으나, 인캡슐레이션 필름(390)은 제1 무기층과, 유기층과 무기층이 순차 적층된 삼중층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
합성예 1
화합물 1-5의 합성
[반응식 1]
Figure 112019072936898-pat00025
1,7-디브로모-9-이소프로필-5,5-디메틸-4,5-디하이드로-3H-벤조[cd]피렌 4.70g (10.0mmol)과 2,6-디메틸-N-페닐아닐린 8.02g (30mmol)을 톨루엔 100ml에 녹인 후 t-BuONa 5.76g (60.0mmol), Pd2(dba)3 0.46g (0.5mmol), t-Bu3P 0.2g (1.0mmol)을 첨가하여 6시간 동안 가열/환류 상태로 교반하였다. 반응 완결을 확인 후, 물 100ml를 넣고 톨루엔 층을 추출한 후, 물 50ml 첨가하여 다시 톨루엔 층을 추출하였다. 추출한 용액을 MgSO4 처리하여 잔여 수분을 제거하고 농축하였다. 이후, n-헥산/MC로 컬럼 정제하여 상기 화합물 1-5 3.23 g을 46%의 수율로 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 702 [M]+
합성예 2
화합물 1-60의 합성
[반응식 2]
Figure 112019072936898-pat00026
1,6-디브로모-파이렌 3.60 g (10.0mmol)과 2,6-디메틸-N-페닐아닐린 5.92 g (30mmol)을 톨루엔 100ml에 녹인 후 t-BuONa 5.76g (60.0mmol), Pd2(dba)3 0.46g (0.5mmol), t-Bu3P 0.2g (1.0mmol)을 첨가하여 6시간 동안 가열/환류 상태로 교반하였다. 반응 완결을 확인 후, 물 100ml를 넣고 톨루엔 층을 추출한 후, 물 50ml 첨가하여 다시 톨루엔 층을 추출하였다. 추출한 용액을 MgSO4 처리하여 잔여 수분을 제거하고 농축하였다. 이후, n-헵탄/염화메틸렌으로 컬럼 정제하여 상기 화합물 1-60 3.14 g을 53%의 수율로 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 592 [M]+
합성예 3
화합물 1-70의 합성
[반응식 3]
Figure 112019072936898-pat00027
1,6-디브로모-파이렌 3.60 g (10.0mmol)과 N-페닐디벤조[b,d]퓨란-4-아민 7.78g (30mmol)을 톨루엔 100ml에 녹인 후 t-BuONa 5.76g (60.0mmol), Pd2(dba)3 0.46g (0.5mmol), t-Bu3P 0.2g (1.0mmol)을 첨가하여 6시간 동안 가열/환류 상태로 교반하였다. 반응 완결을 확인 후, 물 100ml를 넣고 톨루엔 층을 추출한 후, 물 50ml 첨가하여 다시 톨루엔 층을 추출하였다. 추출한 용액을 MgSO4 처리하여 잔여 수분을 제거하고 농축하였다. 이후, n-헵탄/염화메틸렌으로 컬럼 정제하여 상기 화합물 1-70 3.80 g을 53%의 수율로 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 716 [M]+
합성예 4
화합물 1-44의 합성
[반응식 4]
Figure 112019072936898-pat00028
1,7-디브로모-9-이소프로필-5,5-디메틸-4,5-디하이드로-3H-벤조[cd]피렌 4.70g (10.0mmol)과 N N-(나프탈렌-1-일)디벤조[b,d]퓨란-4-아민 9.28 g (30mmol) 을 톨루엔 100ml에 녹인 후 t-BuONa 5.76g (60.0mmol), Pd2(dba)3 0.46g (0.5mmol), t-Bu3P 0.2g (1.0mmol)을 첨가하여 6시간 동안 가열/환류 상태로 교반하였다. 반응 완결을 확인 후, 물 100ml를 넣고 톨루엔 층을 추출한 후, 물 50ml 첨가하여 다시 톨루엔 층을 추출하였다. 추출한 용액을 MgSO4 처리하여 잔여 수분을 제거하고 농축하였다. 이후, n-헵탄/염화메틸렌으로 컬럼 정제하여 상기 화합물 1-44 4.17 g을 52%의 수율로 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 926 [M]+
합성예 5
화합물 1-99의 합성
[반응식 5]
Figure 112019072936898-pat00029
1,6-디브로모-파이렌 3.60 g (10.0mmol)과 N-(나프탈렌-1-일)디벤조[b,d]퓨란-4-아민 9.28 g (30mmol)을 톨루엔 100ml에 녹인 후 t-BuONa 5.76g (60.0mmol), Pd2(dba)3 0.46g (0.5mmol), t-Bu3P 0.2g (1.0mmol)을 첨가하여 6시간 동안 가열/환류 상태로 교반하였다. 반응 완결을 확인 후, 물 100ml를 넣고 톨루엔 층을 추출한 후, 물 50ml 첨가하여 다시 톨루엔 층을 추출하였다. 추출한 용액을 MgSO4 처리하여 잔여 수분을 제거하고 농축하였다. 이후, n-헵탄/염화메틸렌으로 컬럼 정제하여 상기 화합물 1-99 4.68 g을 52%의 수율로 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 900 [M]+
합성예 6
화합물 2-29의 합성
[반응식 6]
Figure 112019072936898-pat00030
출발물질 2-29을 13.4 g (20 mmol) 을 tert-부틸벤젠 (250 ml)에 녹인 후 0 ℃까지 냉각하였다. 질소 분위기 하에서 1.7 M의 tert-부틸리튬 펜탄용액 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필아민 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고 에틸아세테이트와 정제수를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (염화메틸렌/헵탄) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 염화메틸렌 /메탄올 혼합 용매로 재결정 정제하여, 상기 화합물 2-29을 35 % 수율로 4.51 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 644 [M]+
합성예 7
화합물 2-51의 합성
[반응식 7]
Figure 112019072936898-pat00031
출발물질 2-51을 16.1 g (20 mmol) 을 부틸리튬 펜탄용액 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필아민 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고 에틸아세테이트와 정제수를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (염화메틸렌/헥산) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 염화메틸렌 /아세톤 부틸리튬 펜탄용액 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필아민 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고 에틸아세테이트와 정제수를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (염화메틸렌/헵탄) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 염화메틸렌 /아세톤 혼합 용매로 재결정 정제하여, 상기 화합물 2-51을 20.2 % 수율로 3.50 g 얻었다.
MS (MALDI-TOF) m/z: 778 [M]+
합성예 8
화합물 2-53의 합성
[반응식 8]
Figure 112019072936898-pat00032
출발물질 2-53를 14.6 g (20 mmol) 을 tert-부틸벤젠 (250 ml)에 녹인 후 0 ℃까지 냉각하였다. 질소 분위기 하에서 1.7 M의 tert-부틸리튬 펜탄용액 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필아민 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고 에틸아세테이트와 정제수를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (염화메틸렌/헵탄) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 염화메틸렌 /아세톤 혼합 용매로 재결정 정제하여, 상기 화합물 화합물 2-53을 25 % 수율로 3.50 g 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 700 [M]+
합성예 9
화합물 2-46의 합성
[반응식 9]
Figure 112019072936898-pat00033
출발물질 2-46를 17.2 g (20 mmol) 을 tert-부틸벤젠 (250 ml)에 녹인 후 0 ℃까지 냉각하였다. 질소 분위기 하에서 1.7 M의 tert-부틸리튬 펜탄용액 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필아민 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고 에틸아세테이트와 정제수를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (염화메틸렌/헵탄) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 염화메틸렌/아세톤 혼합 용매로 재결정 정제하여, 상기 화합물 2-46을 12 % 수율로 2.00 g 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 834 [M]+
합성예 10
화합물 2-47의 합성
[반응식 10]
Figure 112019072936898-pat00034
출발물질 2-47를 16.2 g (20 mmol) 을 tert-부틸벤젠 (250 ml)에 녹인 후 0 ℃까지 냉각하였다. 질소 분위기 하에서 1.7 M의 tert-부틸리튬 펜탄용액 24.7 ml (42 mmol)을 첨가하고 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 이 후 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 BBr3 4.0 ml (42 mmol)를 첨가한 후 상온에서 0.5시간 교반하였다. 다시 반응물을 0 ℃까지 냉각하고 N,N-디이소프로필아민 7.3 ml (42 mmol)를 첨가한 후 60 ℃에서 2시간 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각시키고 에틸아세테이트와 정제수를 이용하여 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층의 용매를 제거한 후 실리카겔 컬럼 크로마토그래피 (염화메틸렌/헵탄) 방법을 이용하여 정제하였다. 이 후 염화메틸렌 /아세톤 혼합 용매로 재결정 정제하여, 상기 화합물 2-47을 14 % 수율로 219 g 얻었다.MS (MALDI-TOF) m/z: 782 [M]+
실시예 1: 유기 전계 발광소자의 제조
유기 전계 발광소자의 양극인 ITO(12nm)가 적층된 기판을 노광(Photo-Lithograph)공정을 통해 음극과 양극영역 그리고 절연층으로 구분하여 패터닝(Patterning)하였고, 이후 양극(ITO)의 일함수(work-function) 증대와 세정을 목적으로 UV Ozone 처리와 O2:N2 플라즈마로 표면처리 하였다. 그 위에 정공주입층(HIL)으로 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT-CN)을 100 Å 두께로 형성하였다. 이어 상기 정공주입층 상부에, N4,N4,N4',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 진공 증착하여 1000 Å 두께의 정공수송층을 형성하였다.
상기 정공수송층 (HTL) 상부에 전자차단층(EBL)으로써 N-페닐-N-(4-(스피로[벤조[de]안트라센-7,9'-플루오렌]-2'-일)페닐)디벤조[b,d]푸란-4-아민을 100 Å 두께로 형성하고, 상기 전자차단층(EBL) 상부에 발광층의 호스트를 증착시키면서 동시에 도판트로 화합물 1-5와 화합물 2-29을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성하였다.
그 위에 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸과 LiQ를 1:1의 중량비로 혼합하여 260 Å 두께로 전자수송층(ETL)을 증착하였으며, Liq를 10 Å 증착한 후 음극으로 Al을 1000 Å 두께로 증착시켰다. UV 경화형 접착제로 씰 캡(seal cap)을 합착하여 대기중의 O2나 수분으로부터 유기 전계 발광소자를 보호할 수 있게 하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 2 : 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화합물 1-5와 화합물 2-51 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 3 : 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화합물 1-5와 화합물 2-53을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 4: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화합물 1-5와 화합물 2-46을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 5: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-5와 화합물 2-47을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 6: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-60와 화합물 2-29 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 7: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-60와 화합물 2-51을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 8: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-60와 화합물 2-53을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 9: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-60와 화합물 2-46을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 10: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-60와 화합물 2-47을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 11: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-70와 화합물 2-29을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 12: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-70와 화합물 2-51을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 13: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-70와 화합물 2-53을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
비교예 1: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도판트로 화합물 2-29를 3 wt% 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
비교예 2: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도판트로 화합물 2-53을 1.5 wt% 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 및 비교예에서 제작한 소자를 10mA/cm2로 구동한 소자 특성 및 20mA/cm2의 정전류에서 측정한 초기 수명 대비 95% 수명을 하기 표 1에 나타내었다.
구분 구동전압
Volt		 전류효율
Cd/A		 EQE (%) 색좌표 수명
T95%
(hrs)
CIEx CIEy
비교예 1 3.9 4.2 6.9 0139 0.06 80
비교예 2 3.89 4.0 6.8 0.140 0.058 85
실시예 1 4.02 4.2 6.2 0.139 0.070 120
실시예 2 4.01 4.8 6.3 0.139 0.080 140
실시예 3 3.98 4.8 6.2 0.140 0.079 125
실시예 4 3.9 4.3 6.0 0.140 0.060 115
실시예 5 3.9 4.3 6.0 0.140 0.060 130
실시예 6 4.0 4.2 6.2 0.139 0.070 110
실시예 7 4.15 4.8 6.3 0.139 0.080 130
실시예 8 4.1 4.3 6.0 0.140 0.060 110
실시예 9 4.15 4.3 6.0 0.140 0.060 125
실시예 10 4.2 4.3 6.0 0.140 0.060 120
실시예 11 4.0 4.2 6.2 0.139 0.070 110
실시예 12 3.8 4.9 6.4 0.139 0.080 120
실시예 13 3.85 4.5 6.2 0.140 0.060 110
실시예 14: 유기 전계 발광소자의 제조
광-반사층인 Ag와 유기 전계 발광소자의 양극인 ITO(10nm)가 순차적으로 적층된 기판을 노광(Photo-Lithograph)공정을 통해 음극과 양극영역 그리고 절연층으로 구분하여 패터닝(Patterning)하였고, 이후 양극(ITO)의 일함수(work-function) 증대와 세정을 목적으로 UV Ozone 처리와 O2:N2 플라즈마로 표면처리 하였다. 그 위에 정공주입층(HIL)으로 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT-CN)을 100 Å 두께로 형성하였다. 이어 상기 정공주입층 상부에, N4,N4,N4',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 진공 증착하여 1000 Å 두께의 정공수송층을 형성하였다.
상기 정공수송층 (HTL) 상부에 전자차단층(EBL)으로써 N-페닐-N-(4-(스피로[벤조[de]안트라센-7,9'-플루오렌]-2'-일)페닐)디벤조[b,d]푸란-4-아민을 100 Å 두께로 형성하고, 상기 전자차단층(EBL) 상부에 발광층의 호스트를 증착시키면서 동시에 도판트로 화합물 1-70과 화합물 2-29를 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성하였다.
그 위에 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸과 LiQ를 1:1의 중량비로 혼합하여 360 Å 두께로 전자수송층(ETL)을 증착하였으며, 음극으로 마그네슘(Mg)과 은(Ag)을 9:1 비율로 160 Å 두께로 증착시켰다. 또한, 상기 음극 위에 캡핑층(CPL)으로 N4,N4'-디페닐-N4,N4'-비스(4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민을 63~65nm 두께로 증착시켰다.
캡핑층(CPL) 위에 UV 경화형 접착제로 씰 캡(seal cap)을 합착하여 대기중의 O2나 수분으로부터 유기 전계 발광소자를 보호할 수 있게 하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
.
실시예 15: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화합물 1-70과 화합물 1-47을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 16: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-44와 화합물 2-29를 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 17: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-44와 화합물 2-51을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 18: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-44와 화합물 2-53을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 19: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-44와 화합물 2-46을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 20: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-44와 화합물 2-47을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 21: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-99와 화합물 2-29를 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 22: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-99와 화합물 2-51을 각각 1.5 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 23: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-99와 화합물 2-53을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 24: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-99와 화합물 2-46을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 25: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도펀트로 화학식 1-99와 화합물 2-47을 각각 3 wt% 와 1.5 wt%의 비율로 함께 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
비교예 3: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도판트로 화합물2-29를 3 wt% 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
비교예 4: 유기 전계 발광소자의 제조
발광층의 도판트로 화합물2-51을 2 wt% 도핑하여 200 Å 두께로 발광층(EML)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 14와 동일한 방법을 이용하여 유기 전계 발광소자를 제조하였다.
실시예 및 비교예에서 제작한 소자를 10mA/cm2로 구동한 소자 특성 및 20mA/cm2의 정전류에서 측정한 초기 수명 대비 95% 수명을 아래 표에 정리하여 나타내었다.
구분 구동전압
Volt		 전류효율
Cd/A		 EQE (%) 색좌표 수명
T95%
(hrs)
CIEx CIEy
비교예 3 3.72 5.8 12.8 0.137 0.049 90
비교예 4 3.73 5.1 12.5 0.143 0.045 100
실시예 14 3.71 5.2 12.3 0.144 0.046 130
실시예 15 3.76 5.0 11.7 0.143 0.045 155
실시예 16 3.74 5.4 11.9 0.143 0.047 160
실시예 17 3.74 5.1 12.5 0.143 0.045 165
실시예 18 3.76 5.2 12.0 0.140 0.044 145
실시예 19 3.76 5.0 11.7 0.143 0.045 155
실시예 20 3.8 5.3 12.1 0.143 0.045 170
실시예 21 3.72 5.7 12.6 0.137 0.049 145
실시예 22 3.8 5.4 12.3 0.143 0.045 160
실시예 23 3.76 5.2 12.0 0.140 0.044 140
실시예 24 3.8 5.1 12.5 0.143 0.045 155
실시예 25 3.78 5.3 12.1 0.143 0.045 150
상기 표를 통해, 본 발명에 따른 화학식 1 및 화학식 2에 따른 화합물을 2종 이상 사용한 유기 전계 발광소자는 비교예와 동등이상의 색특성을 보이며, 비교예 1 내지 4에 비해 우수한 수명 증가를 보이는 것을 확인하였다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 통상의 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 따라서, 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 이해할 수 있을 것이다.
100, 200, 400: 유기 전계 발광소자
110, 210, 410: 제1 전극
120, 220, 420: 제2 전극
130, 230, 430: 유기발광층
140, 240: 제1 발광부
150, 250: 제2 발광부
160, 260, 280: 전하생성층
162, 262, 282: N형 전하생성층
164, 264, 284: P형 전하생성층
270: 제3 발광부
300: 유기발광 표시장치

Claims (16)

  1. 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 적어도 한 층 이상의 유기막을 포함하는 유기 전계 발광소자로서,
    상기 유기막은 발광층을 포함하며,
    상기 발광층은 호스트, 제1　도펀트　및 제2　도펀트를 포함하고, 상기 제1　도펀트가 하기 화합물들 중 어느 하나의 화합물이고, 상기 제2　도펀트가 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인　것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자:
    Figure 112021501489600-pat00083

    Figure 112021501489600-pat00084

    Figure 112021501489600-pat00085

    Figure 112021501489600-pat00086

    Figure 112021501489600-pat00087

    Figure 112021501489600-pat00088

    Figure 112021501489600-pat00089

    Figure 112021501489600-pat00090

    Figure 112021501489600-pat00091

    [화학식 4]
    Figure 112021501489600-pat00092

    상기 화학식 4에서,
    X1　및 X2는 각각 독립적으로 O 및 N(R17)로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    R5 내지 R15 및 R17은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
    상기 화학식 4에서, 상기 R5 내지 R15 및 R17이 치환되는 경우의 치환기는, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는
    유기 전계 발광소자.
    Figure 112020101388962-pat00057
    Figure 112020101388962-pat00058
    Figure 112020101388962-pat00059
    Figure 112020101388962-pat00060
    Figure 112020101388962-pat00061
    Figure 112020101388962-pat00062
    Figure 112020101388962-pat00063

  5. 제1항에 있어서,
    상기 호스트는 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)-1,1'-바이페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl; DPVBi), 9,10-디-(2-나프틸)안트라센(9,10-di-(2-naphtyl)anthracene; ADN), 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌(tetra-t-butylperylene; TBADN), 2-터르-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene), 2-메틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(2-methyl-9,10-di(2-naphtyl)anthracene; MADN), 및 2,2',2"-(1,3,5-벤자인트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole; TBPi) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는
    유기 전계 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 제1 도펀트 0.01 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 제2 도펀트 0.01 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광층에서, 상기 제1 도펀트 대 상기 제2 도펀트의 중량비가 1 : 9 내지 9 : 1 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자.
  9. 제1 색의 빛을 생산하는 제1 발광부; 및
    상기 제1 발광부 상에 적층되고, 제2 색의 빛을 생산하는 제2 발광부;
    를 포함하고,
    상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부 중 적어도 하나가 청색 도펀트 물질을 포함하고,
    상기 청색 도펀트 물질은 하기 화합물들 중 어느 하나의 화합물 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는
    유기 전계 발광소자:
    Figure 112021033171518-pat00093

    Figure 112021033171518-pat00094

    Figure 112021033171518-pat00095

    Figure 112021033171518-pat00096

    Figure 112021033171518-pat00097

    Figure 112021033171518-pat00098

    Figure 112021033171518-pat00099

    Figure 112021033171518-pat00100

    Figure 112021033171518-pat00101

    [화학식 4]
    Figure 112021033171518-pat00065

    상기 화학식 4에서,
    X1 및 X2는 각각 독립적으로 O 및 N(R17)로 이루어진 군으로부터 선택되며, R5 내지 R15 및 R17은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
    상기 화학식 4에서, 상기 R5 내지 R15 및 R17이 치환되는 경우의 치환기는, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으며, 상기 치환기가 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 발광부는 제1 발광층을 포함하고,
    상기 제2 발광부는 제2 발광층을 포함하고,
    상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 중 적어도 하나가 상기 청색 도펀트 물질을 포함한
    유기 전계 발광소자.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 발광부는 제1 전극, 제1 정공수송층, 제1 발광층 및 제1 전자수송층을 순차적으로 포함하고,
    상기 제2 발광부는 제2 정공수송층, 제2 발광층 및 제2 전자수송층을 순차적으로 포함하고,
    상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 중 적어도 하나가 상기 청색 도펀트 물질을 포함한
    유기 전계 발광소자.

  14. 삭제
  15. 제9항에 있어서,
    상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는
    유기 전계 발광소자.
    Figure 112020101388962-pat00076
    Figure 112020101388962-pat00077
    Figure 112020101388962-pat00078
    Figure 112020101388962-pat00079
    Figure 112020101388962-pat00080
    Figure 112020101388962-pat00081
    Figure 112020101388962-pat00082

  16. 제9항에 있어서,
    상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부 중 적어도 하나는 호스트를 더 포함하며,
    상기 호스트는 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)-1,1'-바이페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl; DPVBi), 9,10-디-(2-나프틸)안트라센(9,10-di-(2-naphtyl)anthracene; ADN), 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌(tetra-t-butylperylene; TBADN), 2-터르-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene), 2-메틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(2-methyl-9,10-di(2-naphtyl)anthracene; MADN), 및 2,2',2"-(1,3,5-벤자인트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸(2,2',2"-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole; TBPi) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는
    유기 전계 발광소자.


KR1020190085997A 2018-07-19 2019-07-16 유기 전계 발광 소자 KR102260883B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/515,738 US20200028084A1 (en) 2018-07-19 2019-07-18 Organic electroluminescent device
DE102019119635.3A DE102019119635B4 (de) 2018-07-19 2019-07-19 Organische elektrolumineszenzvorrichtung, blaues dotiermittel und dessen verwendung in einer lichtemittierenden schicht
CN201910654314.6A CN110739406B (zh) 2018-07-19 2019-07-19 有机电致发光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180084228 2018-07-19
KR1020180084228 2018-07-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200010076A KR20200010076A (ko) 2020-01-30
KR102260883B1 true KR102260883B1 (ko) 2021-06-07

Family

ID=69322088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190085997A KR102260883B1 (ko) 2018-07-19 2019-07-16 유기 전계 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102260883B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021013993A1 (en) * 2019-07-25 2021-01-28 Cynora Gmbh Organic molecules for optoelectronic devices
KR102439581B1 (ko) * 2020-11-26 2022-09-02 에스에프씨주식회사 신규한 유기 화합물을 발광층내 포함하는 유기발광소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015111592A (ja) * 2006-01-18 2015-06-18 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI636056B (zh) * 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
KR20150132795A (ko) * 2014-05-16 2015-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015111592A (ja) * 2006-01-18 2015-06-18 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200010076A (ko) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102277303B1 (ko) 신규한 유기화합물 및 상기 유기화합물을 포함하는 유기전계 발광소자
EP3301093B1 (en) Organic compound, and organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
CN110739406B (zh) 有机电致发光装置
US11258019B2 (en) Organic compound, organic light emitting diode including the same, and organic light emitting display
CN110317186B (zh) 新的有机化合物和包含其的有机电致发光器件
KR102632079B1 (ko) 유기전계발광소자
KR20190076487A (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR20200122116A (ko) 신규 화합물 및 유기 발광 소자
CN114695801A (zh) 有机发光装置
JP2023068108A (ja) 有機電界発光素子
KR20200016574A (ko) 신규한 화합물 및 유기 발광 소자
KR102260883B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
EP3608987A1 (en) Organic compound, organic light-emitting diode and organic light-emitting device having the compound
KR102079255B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20180032294A (ko) 인광 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치
KR20190076485A (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102121154B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
CN114695761A (zh) 有机发光装置
KR102027518B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
US11802102B2 (en) Organic compound, and organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
KR20190064420A (ko) 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드와 유기발광장치
KR20190072820A (ko) 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기 발광장치
EP4023655A1 (en) Luminescent compound, organic light emitting diode and organic light emitting device having the compound
KR20190076484A (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102332549B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant