KR102257126B1 - A Method for Operating Sensor Measuring Thickness of Film - Google Patents
A Method for Operating Sensor Measuring Thickness of Film Download PDFInfo
- Publication number
- KR102257126B1 KR102257126B1 KR1020130120794A KR20130120794A KR102257126B1 KR 102257126 B1 KR102257126 B1 KR 102257126B1 KR 1020130120794 A KR1020130120794 A KR 1020130120794A KR 20130120794 A KR20130120794 A KR 20130120794A KR 102257126 B1 KR102257126 B1 KR 102257126B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sensor
- deposition rate
- deposition
- operating
- film thickness
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
Abstract
본 발명은 증착장치에서 기판에 증착되는 막의 두께를 모니터링하기 위하여 설치되는 센서를 운영하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 센서 운영방법은 제1 센서로 기판에 증착되는 증착률을 조절하는 제1 단계와, 제2 센서의 셔터를 개방하여 기판에 증착되는 증착률을 측정하는 제2 단계와, 상기 제2 센서가 측정한 증착률과 제1 센서의 증착률을 비교하여 제1 센서의 증착률을 보정하는 제3 단계와, 상기 제1 센서와 제2 센서의 수명환산값이 일정 값에 도달하기까지 센서를 사용한 후 센서를 변환하는 제4 단계와, 상기 제1 센서를 일정 수량 사용 후 상기 제1 센서와 제2 센서의 역할을 변경하는 제5 단계를 포함함으로써, 증착되는 막 두께를 오차없이 정확히 측정하면서도 센서를 장시간 운영하여 센서의 교체 주기를 늘릴 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a method of operating a sensor installed to monitor the thickness of a film deposited on a substrate in a deposition apparatus, and the sensor operating method of the present invention is a first step of controlling a deposition rate deposited on a substrate with a first sensor. And, a second step of measuring the deposition rate deposited on the substrate by opening the shutter of the second sensor, and comparing the deposition rate measured by the second sensor and the deposition rate of the first sensor to determine the deposition rate of the first sensor. A third step of calibrating; a fourth step of converting the sensor after using the sensor until the lifetime conversion value of the first sensor and the second sensor reaches a predetermined value; and a fourth step of converting the sensor after using a predetermined amount of the first sensor and the second sensor. By including the fifth step of changing the roles of the first sensor and the second sensor, it is possible to increase the replacement cycle of the sensor by operating the sensor for a long time while accurately measuring the deposited film thickness without error.
Description
본 발명은 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 증착되는 막의 두께를 실시간으로 모니터링할 수 있는 센서를 장시간 운영하여 센서의 교체 주기를 늘릴 수 있는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, and more particularly, in a deposition apparatus capable of increasing the replacement cycle of the sensor by operating a sensor capable of monitoring the thickness of a film deposited on a substrate in real time for a long time. It relates to the operating method of the film thickness measurement sensor of the.
최근 디스플레이 장치로서, 저전압 구동, 자기 발광, 경량 박형, 넓은 시야각, 그리고 빠른 응답 속도의 장점을 갖는 유기 발광다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode)를 이용한 표시 장치가 각광받고 있다.Recently, as a display device, a display device using an organic light emitting diode (OLED) having advantages of low voltage driving, self-luminescence, light weight, thinness, wide viewing angle, and fast response speed is in the spotlight.
유기 발광다이오드의 구동 전압 특성은 유기 박막의 막 두께에 크게 의존하므로 면내에서의 유기 박막의 막 두께 균일성을 얻는 것이 중요한 과제가 되고 있다. 유기 박막의 성막 중에 막 두께의 불균일이 발생하면 제품으로서의 수율 저하로 이어질 우려가 있기 때문이다. Since the driving voltage characteristic of an organic light-emitting diode largely depends on the film thickness of the organic thin film, obtaining uniformity of the film thickness of the organic thin film in the plane has become an important task. This is because there is a concern that the yield as a product may be lowered if a non-uniformity in the film thickness occurs during the formation of the organic thin film.
따라서, 공정이 진행되는 챔버 내에서 기판에 증착되는 막의 두께를 모니터링하기 위하여 센서가 마련되는데, 이와 관련된 종래의 기술로서, 한국등록특허 제10-0752681호에는 실시간으로 기판에 증착되는 막의 두께를 측정할 수 있는 막두께 모니터링부가 구비된 유기박막 증착장치가 개시되어 있다. 이와 같은 종래의 문헌은 진공 챔버 내부 상측에 설치되어 시험용 기판이 결합되는 막두께 모니터링부와, 상기 시험용 기판에 레이져를 조사하고 반사되는 레이져를 감지하는 레이져부와, 상기 레이져부로부터 얻어지는 정보를 전환하여 실시간으로 보여주는 디스플레이부를 포함하여, 기판에 증착되는 막의 두께를 실제로 측정할 수 있는 것이었다. Therefore, a sensor is provided to monitor the thickness of the film deposited on the substrate in the chamber in which the process is performed. As a related art, Korean Patent No. 10-0752681 measures the thickness of the film deposited on the substrate in real time. Disclosed is an organic thin film deposition apparatus provided with a film thickness monitoring unit capable of. Such a conventional document includes a film thickness monitoring unit installed above the vacuum chamber to which a test substrate is coupled, a laser unit that irradiates a laser to the test substrate and detects the reflected laser, and converts information obtained from the laser unit. Thus, it was possible to actually measure the thickness of the film deposited on the substrate, including the display unit showing in real time.
그러나, 이와 같은 종래의 문헌은 기판홀더에 한 개의 기판을 탑재시키는 증착챔버에 적용되는 것으로서, 증착공정을 수행하면서 증착공정 중의 실시간 체크가 이루어지지 않는 문제점이 있다. However, such a conventional document is applied to a deposition chamber in which one substrate is mounted on a substrate holder, and there is a problem in that a real-time check is not performed during the deposition process while performing the deposition process.
또한, 종래의 막 두께 측정장치의 경우, 장시간 센서를 쓰게 되면 증착률을 잘못 읽기 때문에 일정 시간이 지나면 센서를 교체해야 하는데, 이는 디스플레이 제조 공정의 비용을 증가시키는 요인이 되므로, 최대한 센서의 교체주기를 늘려 장시간 센서를 운영하는 방법이 업계에서 요구되는 것이다. In addition, in the case of a conventional film thickness measuring device, if the sensor is used for a long time, the sensor must be replaced after a certain period of time because the deposition rate is incorrectly read.This increases the cost of the display manufacturing process, so the maximum sensor replacement cycle The method of operating the sensor for a long time by increasing the value is required in the industry.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 증착되는 막 두께를 오차없이 정확히 측정하면서도 센서를 장시간 운영하여 센서의 교체 주기를 늘릴 수 있는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the above problems, and provides a method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus capable of increasing the replacement cycle of the sensor by operating the sensor for a long time while accurately measuring the deposited film thickness without error. It has its purpose.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 제1 센서로 기판에 증착되는 증착률을 조절하는 제1 단계와, 제2 센서의 셔터를 개방하여 기판에 증착되는 증착률을 측정하는 제2 단계와, 상기 제2 센서가 측정한 증착률과 제1 센서의 증착률을 비교하여 제1 센서의 증착률을 보정하는 제3 단계와, 상기 제1 센서와 제2 센서의 수명환산값이 일정 값에 도달하기까지 센서를 사용한 후 센서를 교체하는 제4 단계와, 상기 제1 센서를 구성하는 복수의 센서를 모두 사용 후 상기 제1 센서와 제2 센서의 역할을 변경하는 제5 단계를 포함하여 진행되는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법이 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in the present invention, the first step of controlling the deposition rate deposited on the substrate with the first sensor, and measuring the deposition rate deposited on the substrate by opening the shutter of the second sensor. A second step and a third step of compensating the deposition rate of the first sensor by comparing the deposition rate measured by the second sensor with the deposition rate of the first sensor, and a lifetime conversion value of the first sensor and the second sensor. A fourth step of replacing a sensor after using a sensor until reaching this predetermined value, and a fifth step of changing the roles of the first sensor and the second sensor after using all of the plurality of sensors constituting the first sensor A method of operating a film thickness measurement sensor in a vapor deposition apparatus is provided, including.
본 발명에서, 상기 제1 단계에서는 제1 센서의 T/F 값을 지속적으로 감소하면서 증착률을 조절할 수 있다. In the present invention, in the first step, the deposition rate may be adjusted while continuously decreasing the T/F value of the first sensor.
또한, 상기 제2 단계에서는, 상기 제1 센서의 수명환산값에 변화가 발생할 시 상기 제2 센서의 셔터를 개방할 수 있다. In addition, in the second step, when a change in the lifetime conversion value of the first sensor occurs, the shutter of the second sensor may be opened.
한편, 상기 제3 단계에서는 T/F 값을 두께 컨트롤러에서 조정하여 제1 센서의 증착률을 보정할 수 있다. Meanwhile, in the third step, the deposition rate of the first sensor may be corrected by adjusting the T/F value in the thickness controller.
여기서, 상기 T/F 값의 변경은 하기의 식에 의해 이루어질 수 있다. Here, the T/F value may be changed by the following equation.
T/F = (제2 센서 증착률/제1 센서 증착률)×제1 센서 T/FT/F = (2nd sensor deposition rate/1st sensor deposition rate) x 1st sensor T/F
한편, 상기 제4 단계에서는, 상기 제2 센서의 수명환산값이 제1 센서의 수명환산값의 1/20 내지 1/10까지 센서를 사용할 수 있다. On the other hand, in the fourth step, the sensor can be used in the range of 1/20 to 1/10 of the lifetime converted value of the second sensor.
또한, 제5 단계에서는 상기 제1 센서에서 개별 센서의 수명환산값 관점에서 볼 때, 상기 개별 센서를 70 내지 90% 사용 후 제2 센서와 역할을 변경할 수 있다. In addition, in the fifth step, from the viewpoint of the lifetime conversion value of the individual sensor in the first sensor, the role of the second sensor and the second sensor may be changed after using 70 to 90% of the individual sensor.
본 발명에서, 상기 제1 센서와 제2 센서는 증착원의 양측에 설치될 수 있다. In the present invention, the first sensor and the second sensor may be installed on both sides of the evaporation source.
위에서 상술한 바와 같이 본 발명은 막 두께를 측정하기 위한 센서를 복수개 설치하여 센서의 오차를 보정함으로써, 증착되는 막 두께를 오차없이 정확히 측정하면서도 센서를 장시간 운영하여 센서의 교체 주기를 늘릴 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, by installing a plurality of sensors for measuring the film thickness and correcting the error of the sensor, it is possible to increase the replacement cycle of the sensor by operating the sensor for a long time while accurately measuring the deposited film thickness without error. There is.
나아가, 증착 물질의 일정한 분사량 및 균일도를 확보할 수 있다. 따라서, 증착 공정의 불량률을 낮춤과 동시에, 전체 소자의 균일성을 높일 수 있다. Furthermore, it is possible to ensure a constant injection amount and uniformity of the deposition material. Accordingly, it is possible to reduce the defect rate of the deposition process and increase the uniformity of the entire device.
도 1은 본 발명의 증착장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 막 두께 측정센서 운영방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다. 1 is a block diagram schematically showing the configuration of a deposition apparatus of the present invention.
2 is a flowchart sequentially showing a method of operating a film thickness measurement sensor of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only this embodiment makes the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art It is provided to inform you.
도 1은 본 발명의 증착장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 2는 본 발명의 막 두께 측정센서 운영방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다. 1 is a block diagram schematically showing the configuration of a deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart sequentially showing a method of operating a film thickness measurement sensor according to the present invention.
본 발명은 증착장치에서 기판에 증착되는 막의 두께를 모니터링하기 위하여 설치되는 센서의 운영방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 도 1에서 보는 바와 같이, 증착원(10)의 양측에 2개의 센서(20)(30)를 마련하여 기판(G)에 증착되는 막 두께를 측정 및 조절한다. 여기서, 상기 증착원(10)은 양측이 대칭적으로 형성된 'T'자형 선형 증착원으로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 센서(20)(30)는 상기 증착원(10)의 양측에 설치될 수 있다. The present invention relates to a method of operating a sensor installed to monitor the thickness of a film deposited on a substrate in a deposition apparatus. In the present invention, as shown in FIG. 1, two
물론, 상기 센서들(20)(30)이 증착원(10)의 일측에만 설치될 수도 있겠으나, 동일 조건에서 막 두께를 측정하고 이를 보정하기 위해서, 상기 센서들(20)(30)은 증착원(10)의 양측에, 바람직하게는 동일한 간격으로 두고 설치된다.Of course, the
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 센서들(20)(30)은 증착원(10)으로부터 분사되는 증착 물질의 분사 속도를 조절하여 기판(G) 상에 균일한 두께로 증착이 이루어지도록 한다. 상기 센서들(20)(30)은 하나의 센서 박스에 최대 12개의 개별센서가 수용되는 것으로, 상기 개별센서는 크리스탈 센서로 이루어지며, 크리스탈 센서에 접촉되는 증착 물질의 증발 속도를 측정하고, 센서에 증착된 두께를 환산하여 박막 두께를 간접적으로 측정한다.In an embodiment of the present invention, the
이와 같은 센서(20)(30)는 상기 개별센서를 한 개씩 사용하여 12개의 수량을 다 사용하면 교체해야 한다.
통상, 막 두께를 센싱할 때 센서를 오래 사용하면 증착률을 잘못 읽기 때문에 기판(G)에 증착되는 박막의 균일성을 위해서라도 일정 시간이 지나면 상기 개별센서를 교체하여 사용해야 하고, 12개의 개별 센서를 모두 사용한 후에는 전체 센서를 교체한다. In general, if the sensor is used for a long time when sensing the film thickness, the deposition rate is incorrectly read. Therefore, even for the uniformity of the thin film deposited on the substrate (G), the individual sensor must be replaced after a certain period of time, and 12 individual sensors After using all the sensors, replace the entire sensor.
본 발명은 상기 센서(20)(30)의 오차를 보정하여 막 두께를 정확히 측정하면서도 센서(20)(30)를 장시간 운영하여 센서(20)(30)의 교체 주기를 늘릴 수 있도록 하기 위한 것으로, 이를 위해, 본 발명의 센서 운영방법은 도 2에서 보는 바와 같이, 상기 제1 센서(20)로 기판(G)에 증착되는 증착률(Rate)을 조절하는 제1 단계(S110)와, 제2 센서(30)의 셔터(Shutter)를 개방하여 기판(G)에 증착되는 증착률을 측정하는 제2 단계(S120)와, 상기 제2 센서(30)가 측정한 증착률과 제1 센서(20)의 증착률을 비교하여 제1 센서(20)의 증착률을 보정하는 제3 단계(S130)와, 상기 제1 센서(20)와 제2 센서(30)의 수명환산값이 일정 값에 도달하기까지 센서를 사용한 후 센서를 변환하는 제4 단계(S140)와, 상기 제1 센서(20)를 일정 수량 사용 후 상기 제1 센서(20)와 제2 센서(30)의 역할을 변경하는 제5 단계(S150)를 포함하여 진행된다. The present invention is intended to increase the replacement cycle of the
이를 구체적으로 설명하면, 먼저, 제1 센서(20)만 개방한 상태에서 기판(G)에 증착되는 즉착량을 측정하고 이에 대한 증착률을 조절한다(S110). Specifically, first, an instant deposition amount deposited on the substrate G is measured while only the
증착률 조절은 두께 컨트롤러(도시안함)를 이용하여 증착 물질의 분사 속도를 조절하는 것으로, 이는 일반적으로 사용되는 기술이 적용될 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다. The deposition rate control is to control the spraying speed of the deposition material using a thickness controller (not shown), and since a commonly used technique can be applied, a detailed description thereof will be omitted.
이때, 상기 제1 단계(S110)는 제1 센서(20)의 T/F 값을 지속적으로 감소하면서 증착률을 조절할 수 있다. In this case, in the first step (S110), the deposition rate may be adjusted while continuously decreasing the T/F value of the
상기 T/F(Tooling Factor) 값은 증착원(10)과 센서(20) 사이의 거리(b)에 따른 센서(20)의 측정 량, 그리고 증착원(10)과 기판(G) 사이의 거리(a)에 따른 기판(G)의 증착 량을 비교하여 측정 량과 증착 량의 차이를 보정해주는 값이다. 이와 같은 T/F 값은 프로그램에 의해 자동적으로 계산되는 값으로, T/F 값에 대한 보정은 후술하도록 한다.The T/F (Tooling Factor) value is the measured amount of the
이후, 상기 제1 센서(20)의 수명환산값에 변화가 발생할 시 상기 제2 센서(30)의 셔터를 개방하여 기판(G)에 증착되는 증착률을 측정한다(S120).Thereafter, when a change in the lifetime conversion value of the
여기서, 수명환산값이란 상기 두께 컨트롤러 내 프리퀀시(Frequency) 변화에 따른 환산값으로, 본 발명에서는 상기 제1 센서(20)의 수명환산값에 변화가 생길 때마다 상기 제2 센서(30)를 열어 증착률을 측정하도록 한다. Here, the life conversion value is a conversion value according to a change in frequency in the thickness controller. In the present invention, the
즉, 상기 제2 센서(30)는 센서의 수명을 위해 평상시에는 셔터를 개방하지 않고 닫아 둔 상태에서, 제1 센서(20)의 수명환산값에 변화가 생길 때에만 상기 제2 센서(30)를 열어 증착률을 측정하도록 하는 것이다. That is, the
따라서, 상기 제2 센서(30)는 사용시간 및 빈도가 매우 낮으므로 증착률을 측정할 때 매우 정확하게 측정할 수 있다. Therefore, since the
즉, 상기 제1 센서(20)는 셔터가 개방된 상태에서, 기판에 박막을 증착할 때 연속적으로 증착량을 측정하고 증착 물질의 분사 속도를 조절하므로, 장시간 사용하면 증착략 측정에 오차가 발생할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 센서(20)에서 증착량을 10으로 리딩(reading)하고 있다고 하더라도, 실제 증착원(10)에서 분사되는 증착량이 10을 초과하여 오버되는 일이 발생할 수 있다. 이는 기판(G)에 증착되는 박막의 균일성을 크게 저하시키게 되므로, 이를 보정해야 하는 것이다. That is, the
상기 제1 센서(20)의 증착률 보정을 위해, 상기 제2 센서(30)가 정확한 증착률을 측정한 후 제2 센서가 측정한 증착률과 제1 센서(20)의 증착률을 비교하여 제1 센서(20)의 증착률을 보정한다(S130).To correct the deposition rate of the
여기서, 증착률 보정은 T/F 값을 두께 컨트롤러에서 조정하여 제1 센서(20)의 증착률을 보정할 수 있다. Here, the deposition rate correction may correct the deposition rate of the
여기서, 상기 T/F 값의 변경은 하기의 식에 의해 이루어질 수 있다. Here, the T/F value may be changed by the following equation.
T/F = (제2 센서 증착률/제1 센서 증착률)×제1 센서 T/FT/F = (2nd sensor deposition rate/1st sensor deposition rate) x 1st sensor T/F
이와 같이, 제1 센서(20)의 증착률을 보정하면서 센서를 사용한다. In this way, the sensor is used while correcting the deposition rate of the
이후, 상기 제1 센서(20)와 제2 센서(30)의 수명환산값이 일정 값에 도달하면 사용한 센서 대신 미사용 센서로 교체한다(S140).Thereafter, when the lifetime conversion values of the
여기서, 센서의 교체는 제1 센서(20) 또는 제2 센서(30)를 구성하는 개별 센서를 미사용 개별 센서로 교체한다는 뜻으로, 각각의 제1 센서(20) 또는 제2 센서(30)에서 어느 하나의 개별 센서를 특정의 수명환산값까지 사용하면, 다른 개별센서로 교체하여 사용한다. Here, the replacement of the sensor means that the individual sensors constituting the
본 발명에서, 센서의 사용은 상술한 수명환산값에 도달하는 정도까지만 사용하는 것에 특징이 있다. In the present invention, the use of the sensor is characterized in that it is used only to the extent reaching the above-described life conversion value.
또한, 상기 수명환산값은 각각의 센서(20)(30)가 달리 적용되는데, 상기 제1 센서(20)는 증착률을 조절하는 센서이므로, 보다 많은 수명환산값을 적용하고, 상기 제2 센서(30)는 증착률을 측정하는 센서이므로, 보다 적은 수명환산값을 적용한다. In addition, the life conversion value is applied differently to each of the
본 발명에서, 상기 센서들은 상기 제2 센서(30)의 수명환산값이 제1 센서(20)의 수명환산값의 1/20 내지 1/10이 될 때까지 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 센서(20)는 수명환산값이 20까지 사용하고, 제2 센서(30)는 수명환산값이 2까지 사용하는 것이다. In the present invention, it is preferable to use the sensors until the life converted value of the
한편, 센서를 교체하는 제4 단계(S140)는 센서의 불안정 상황, 예를 들어, 두께 컨트롤러 내 액티비티(Activity) 값 또는 증착률이 심하게 흔들릴 경우에도 교체할 수 있다. On the other hand, the fourth step (S140) of replacing the sensor may be replaced even when the sensor is unstable, for example, the activity value or the deposition rate in the thickness controller is severely shaken.
이와 같이, 제1 센서(20)와 제2 센서(30)의 개별 센서를 교체하면서 사용하다가 상기 제1 센서(20)를 구성하는 복수의 센서를 모두 사용하면 상기 제1 센서(20)와 제2 센서(30)의 역할을 변경한다(S150). In this way, if the individual sensors of the
즉, 제2 센서(30)로 증착률을 조절하고 제1 센서(20)로 증착률을 측정하는 것이다. That is, the deposition rate is controlled by the
여기서, 상기 제2 센서(30)는 수명환산값이 제1 센서(20)의 1/20 내지 1/10 범위정도로 사용하였으므로, 센서의 역할을 변경하여 증착률을 조절하여도 매우 정확한 증착률 조절이 이루어질 수 있다. Here, the
이 경우, 센서들(20)(30)의 역할 변경은 제1 센서(20)에서 개별 센서의 수명환산값 관점에서 볼 때, 개별 센서를 70 내지 90% 사용한 후, 가장 바람직하기로는 80% 사용한 후 제2 센서(30)와 역할을 변경하는 것이 좋다. In this case, the role of the
이후, 역할이 변경된 센서들(20)(30)을 사용하여, 기판에 증착되는 증착 두께를 조절한다.Thereafter, the deposition thickness deposited on the substrate is adjusted using the
이와 같은 본 발명은 막 두께를 측정하기 위한 센서(20)(30)를 복수개 설치하여 센서의 오차를 보정하면서 증착량을 측정함으로써, 증착되는 막 두께를 오차없이 정확히 측정할 수 있고, 센서(20)(30)를 증착률 조절 센서와 증착률 측정 센서로 역할을 구분하여 장시간 센서를 운영할 수 있으므로 센서의 교체 주기를 늘릴 수 있는 효과가 있다. In the present invention, a plurality of
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by what is described in the claims, and that a person having ordinary knowledge in the field of the present invention can make various modifications and adaptations within the scope of the rights described in the claims. It is self-explanatory.
10 : 선형 증착원 20 : 제1 센서
30 : 제2 센서
a : 증착원과 기판 사이의 거리 b : 증착원과 센서 사이의 거리
G : 기판 10: linear evaporation source 20: first sensor
30: second sensor
a: distance between the evaporation source and the substrate b: distance between the evaporation source and the sensor
G: substrate
Claims (8)
제2 센서의 셔터를 개방하여 기판에 증착되는 증착률을 측정하는 제2 단계;
상기 제2 센서가 측정한 증착률과 제1 센서의 증착률을 비교하여 제1 센서의 증착률을 보정하는 제3 단계;
상기 제1 센서와 제2 센서의 수명환산값이 일정 값에 도달하기까지 센서를 사용한 후 센서를 교체하는 제4 단계; 및
상기 제1 센서를 구성하는 복수의 센서를 모두 사용 후 상기 제1 센서와 제2 센서의 역할을 변경하는 제5 단계;
를 포함하여 진행되는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.The first step of controlling the deposition rate deposited on the substrate with the first sensor:
A second step of measuring a deposition rate deposited on the substrate by opening the shutter of the second sensor;
A third step of compensating the deposition rate of the first sensor by comparing the deposition rate measured by the second sensor with the deposition rate of the first sensor;
A fourth step of replacing the sensor after using the sensor until the lifetime conversion value of the first sensor and the second sensor reaches a predetermined value; And
A fifth step of changing roles of the first sensor and the second sensor after using all of the plurality of sensors constituting the first sensor;
A method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, including.
상기 제1 단계에서는 제1 센서의 T/F 값을 지속적으로 감소하면서 증착률을 조절하는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.The method according to claim 1,
In the first step, a method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, wherein the deposition rate is controlled while continuously decreasing the T/F value of the first sensor.
상기 제1 센서의 수명환산값에 변화가 발생할 시 상기 제2 센서의 셔터를 개방하는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.The method according to claim 1, wherein in the second step,
A method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, comprising opening a shutter of the second sensor when a change in the lifetime conversion value of the first sensor occurs.
상기 제3 단계에서는 T/F 값을 두께 컨트롤러에서 조정하여 제1 센서의 증착률을 보정하는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.The method according to claim 1,
In the third step, the T/F value is adjusted in a thickness controller to correct the deposition rate of the first sensor.
상기 T/F 값의 변경은 하기의 식에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.
T/F = (제2 센서 증착률/제1 센서 증착률)×제1 센서 T/FThe method of claim 4,
A method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, characterized in that the change of the T/F value is made by the following equation.
T/F = (2nd sensor deposition rate/1st sensor deposition rate) x 1st sensor T/F
상기 제2 센서의 수명환산값이 제1 센서의 수명환산값의 1/20 내지 1/10까지 센서를 사용하는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.The method of claim 1, wherein in the fourth step,
A method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, characterized in that the sensor is used until the lifetime conversion value of the second sensor is 1/20 to 1/10 of the lifetime conversion value of the first sensor.
제5 단계에서는 상기 제1 센서에서 개별 센서의 수명환산값 관점에서 볼 때, 상기 개별 센서를 70 내지 90% 사용 후 제2 센서와 역할을 변경하는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.The method according to claim 1,
In the fifth step, a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, characterized in that the first sensor changes the role of the second sensor after using 70 to 90% of the individual sensor from the viewpoint of the lifetime conversion value of the individual sensor. How to operate.
상기 제1 센서와 제2 센서는 증착원의 양측에 설치되는 것을 특징으로 하는 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법.
The method according to claim 1,
The method of operating a film thickness measurement sensor in a deposition apparatus, characterized in that the first sensor and the second sensor are installed on both sides of the deposition source.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130120794A KR102257126B1 (en) | 2013-10-10 | 2013-10-10 | A Method for Operating Sensor Measuring Thickness of Film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130120794A KR102257126B1 (en) | 2013-10-10 | 2013-10-10 | A Method for Operating Sensor Measuring Thickness of Film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150042058A KR20150042058A (en) | 2015-04-20 |
KR102257126B1 true KR102257126B1 (en) | 2021-05-27 |
Family
ID=53035312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130120794A KR102257126B1 (en) | 2013-10-10 | 2013-10-10 | A Method for Operating Sensor Measuring Thickness of Film |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102257126B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110306165B (en) * | 2019-08-15 | 2021-01-22 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | Film thickness monitoring device and thin film deposition equipment |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006188753A (en) | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | Deposition system using noise canceller and its control method |
KR100779942B1 (en) | 2005-06-01 | 2007-11-28 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Organic thin-film deposition apparatus having thickness measure sensor and method of using the same |
JP2012012689A (en) | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Canon Inc | Method and apparatus for vacuum evaporation |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070051609A (en) * | 2005-12-15 | 2007-05-18 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Device for measurement thickness on deposition chamber |
JP2012112035A (en) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Canon Inc | Vacuum vapor deposition system |
-
2013
- 2013-10-10 KR KR1020130120794A patent/KR102257126B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006188753A (en) | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | Deposition system using noise canceller and its control method |
KR100779942B1 (en) | 2005-06-01 | 2007-11-28 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Organic thin-film deposition apparatus having thickness measure sensor and method of using the same |
JP2012012689A (en) | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Canon Inc | Method and apparatus for vacuum evaporation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150042058A (en) | 2015-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101781073B1 (en) | Film formation apparatus and film formation method | |
KR101496667B1 (en) | Vacuum vapor deposition system | |
TWI485281B (en) | Film formation apparatus | |
TWI433947B (en) | Vacuum vapor deposition system | |
US9064740B2 (en) | Measurement device and method for vapour deposition applications | |
KR102008046B1 (en) | Method for controlling film thickness by crystal oscillation type film thickness monitor | |
CN110651353B (en) | Feedback system | |
TWI433946B (en) | Film formation apparatus and film formation method | |
US20060147613A1 (en) | Deposition system and method for measuring deposition thickness in the deposition system | |
JP2019065391A (en) | Method for determining life of crystal oscillator, thickness measurement device, film deposition method, film deposition apparatus, and method for manufacturing electronic device | |
KR102257126B1 (en) | A Method for Operating Sensor Measuring Thickness of Film | |
KR100779942B1 (en) | Organic thin-film deposition apparatus having thickness measure sensor and method of using the same | |
KR101155893B1 (en) | Module test method | |
TWI606134B (en) | Film thickness monitoring system and method using the same | |
JP2014065942A (en) | Vacuum evaporation device | |
KR20150114097A (en) | Real Time Deposit Thickness Monitoring System and Monitoring Method Thereof | |
WO2017050355A1 (en) | Diffusion barrier for oscillation crystals, measurement assembly for measuring a deposition rate and method thereof | |
CN204918752U (en) | Thick control system of membrane | |
JP2012216374A (en) | Vacuum vapor-deposition device, vacuum vapor-deposition method, and method for manufacturing organic el display device | |
KR20140038601A (en) | Substrate processing system and controlling method therefor | |
JP2017067702A (en) | Film thickness inspection device and film thickness inspection method | |
Hamer et al. | Problems and Opportunities in OLED Lighting Manufacturing | |
KR101440233B1 (en) | heater block locater |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |