KR102256830B1 - Pressure sensor which uses amorphous alloy - Google Patents
Pressure sensor which uses amorphous alloy Download PDFInfo
- Publication number
- KR102256830B1 KR102256830B1 KR1020180099461A KR20180099461A KR102256830B1 KR 102256830 B1 KR102256830 B1 KR 102256830B1 KR 1020180099461 A KR1020180099461 A KR 1020180099461A KR 20180099461 A KR20180099461 A KR 20180099461A KR 102256830 B1 KR102256830 B1 KR 102256830B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- pressure detection
- detection thin
- substrate
- strain
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/001—Amorphous alloys with Cu as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/005—Amorphous alloys with Mg as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/04—Amorphous alloys with nickel or cobalt as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/08—Amorphous alloys with aluminium as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/10—Amorphous alloys with molybdenum, tungsten, niobium, tantalum, titanium, or zirconium or Hf as the major constituent
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
본 발명은 비정질 합금을 이용한 압력센서에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예를 따르는 비정질 합금을 이용한 압력센서는, 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 기판; 상기 기판 상에 배치된 탄성막; 및 상기 탄성막 상에 배치되고, 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 압력 검출 박막;을 포함하고, 상기 기판 및 상기 탄성막의 한계변형률이 상기 압력 검출 박막의 한계변형률 이상인 비정질 합금을 이용한 압력 센서이다.The present invention relates to a pressure sensor using an amorphous alloy, the pressure sensor using an amorphous alloy according to an embodiment of the present invention, at least a part of the substrate made of amorphous metal; An elastic film disposed on the substrate; And a pressure detection thin film disposed on the elastic film and at least partially made of an amorphous metal, wherein a limit strain of the substrate and the elastic film is greater than or equal to the limit strain of the pressure detection thin film.
Description
본 발명은 비정질 합금을 이용한 압력센서에 관한 것이다. The present invention relates to a pressure sensor using an amorphous alloy.
비정질 합금은 결정질 합금과는 달리 원자들이 불규칙하게 배열함으로써 결정구조가 없는 액상과 유사한 구조를 가진 고체상의 물질이다. 비정질 합금은 결정학적으로 이방성이 없어서 기계적 강도가 우수하고, 구조와 조성이 균일하여 내식성이 우수한 특성이 있다.Unlike a crystalline alloy, an amorphous alloy is a solid material having a structure similar to a liquid phase without a crystal structure due to the irregular arrangement of atoms. The amorphous alloy has excellent mechanical strength because it has no crystallographic anisotropy, and has excellent corrosion resistance due to its uniform structure and composition.
압력센서는 자동차 엔진의 유압 및 일반 산업용 압력계측 등 저압에서 고압에 이르기까지 넓은 영역의 압력, 특히 고정밀도를 요하는 측정을 하는데 사용된다. 압력센서의 일종인 스트레인 게이지를 포함하는 장치에 압력을 가하게 되면 스트레인 게이지의 지지대인 기판이 변형을 일으키게 되면서 스트레인 게이지가 함께 변형하게 된다. 이 스트레인 게이지가 변형될 때 길이 변화가 발생하는데, 이 때 저항 값이 변화하게 되면서 전기적 신호로 바꿔지는 것으로써, 휘트스톤 브릿지(Wheatstone bridge) 원리에 의해 작동하게 된다.
즉, 공개특허공보 제10-2001-0105084호(특허문헌 1)에 개시된 바와 같이, 도 8을 참조로 일반적인 스트레인 게이지의 구조를 설명하면, 일측의 표면이 경면처리된 스테인리스 다이어프램(10)과, 상기 스테인리스 다이어프램(10)의 상면에 증착된 폴리이미드(14)와, 이 폴리이미드(14) 상면에 Cu-Ni의 조성을 갖고 일정형상의 패턴이 형성된 스트레인 게이지(12)와, 이 스트레인 게이지(12)에서 연장되어 일정형상을 갖고 양측으로 형성된 전극 접촉부(18)와, 보호막(20)으로 이루어진다.
이와 같이 구성된 금속 박막 스트레인 게이지의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 스테인리스 다이어프램(10)의 상면에 상기 폴리이미드(14)를 적층하여증착시키고 이어서, Cu-Ni의 조성을 갖고 일정형상의 패턴이 형성되며 일단의 양측에 전극 접촉부(18)가 형성된 스트레인 게이지(12)를 포토 에칭에 의해 형성하고, 보호막(20)을 형성하여 그 조립을 완료하게 된다.The pressure sensor is used to measure the pressure in a wide range from low to high pressure, especially high precision, such as hydraulic pressure of automobile engines and general industrial pressure measurement. When pressure is applied to a device including a strain gauge, which is a type of pressure sensor, the substrate supporting the strain gauge is deformed, causing the strain gauge to deform together. When the strain gauge is deformed, a length change occurs. At this time, as the resistance value changes, it is converted into an electrical signal, which is operated by the Wheatstone bridge principle.
That is, as disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2001-0105084 (Patent Document 1), referring to FIG. 8 to describe the structure of a general strain gauge, a
A method of manufacturing the metal thin film strain gauge configured as described above will be described as follows.
First, the
일반적으로 압력센서의 구성 재료 가운데 기판은 주로 스테인리스 강과 알루미늄, 컨스탄탄(Constantan)이 주로 쓰인다. 하지만 이들 재료는 탄성변형률이 0.2% 정도로 작기 때문에 측정 시에 넓은 범위의 측정이 불가능한 문제점이 있다. 또한, 측정 가능한 범위를 넘어서게 되는 경우에는 소성 변형이 진행되어가며, 이는 곧 센서의 정확도와 민감도를 떨어뜨려 매우 작은 크기의 무게를 측정하기도 어렵다.In general, among the constituent materials of a pressure sensor, stainless steel, aluminum, and Constantan are mainly used for the substrate. However, since these materials have a small elastic strain of about 0.2%, there is a problem that it is impossible to measure a wide range during measurement. In addition, when it exceeds the measurable range, plastic deformation proceeds, which soon reduces the accuracy and sensitivity of the sensor, making it difficult to measure a very small weight.
본 발명의 목적은 한계변형률이 큰 압력센서를 제공하여 측정 범위가 넓은 압력센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a pressure sensor having a large limiting strain to provide a pressure sensor having a wide measurement range.
본 발명은 또한 내구성 및 내식성이 우수한 압력센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a pressure sensor having excellent durability and corrosion resistance.
본 발명의 실시 예를 따르는 압력센서는 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 기판; 상기 기판 상에 배치된 탄성막; 및 상기 탄성막 상에 배치되고, 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 압력 검출 박막;을 포함하고, 상기 기판 및 상기 탄성막의 한계변형률이 상기 압력 검출 박막의 한계변형률 이상인 것이다.A pressure sensor according to an embodiment of the present invention includes a substrate made of at least a part of an amorphous metal; An elastic film disposed on the substrate; And a pressure detection thin film disposed on the elastic film and at least partially made of an amorphous metal, wherein a limit strain of the substrate and the elastic film is greater than or equal to a limit strain of the pressure detection thin film.
상기 압력 검출 박막은 Cu, Co, Zr, Ni 및 Fe 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The pressure detection thin film may include at least one of Cu, Co, Zr, Ni, and Fe.
상기 기판, 상기 탄성막, 상기 압력 검출 박막은, 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서, 탄성변형이 소성변형으로 변하는 변형률이 1.5 내지 2.5% 일 수 있다.The substrate, the elastic film, and the pressure detection thin film may have a strain rate of 1.5 to 2.5% at which elastic strain changes to plastic strain in a stress-strain diagram.
상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Zr 20~70 at%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있고, 상기 압력 검출 박막의 두께가 5μm 이하 일 수 있다.The pressure detection thin film may contain 20 to 70 at% Zr, the balance Cu, and other inevitable impurities with respect to the entire pressure detection thin film, and the thickness of the pressure detection thin film may be 5 μm or less.
상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Si 5~20 at%, B 5~20 at%, 잔부 Co 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있고, 내식성과 비정질형성능을 향상시키기 위해 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Cr, Fe 및 Ni 중 적어도 어느 하나를 5 at% 이하로 포함할 수 있고, 상기 압력 검출 박막의 두께가 10~20 μm 일 수 있다.The pressure detection thin film may contain 5 to 20 at% of Si, 5 to 20 at% of B, the remainder of Co and other inevitable impurities with respect to the entire pressure detection thin film, and to improve corrosion resistance and amorphous formation ability, the pressure detection thin film At least one of Cr, Fe, and Ni may be included in an amount of 5 at% or less with respect to the whole, and the thickness of the pressure detection thin film may be 10 to 20 μm.
상기 기판은 굽힘형(Bending Type) 및 전단형(Shear Type) 중 어느 하나 일 수 있다.The substrate may be any one of a bending type and a shear type.
상기 압력 검출 박막 및 기판은 급속응고법과 스퍼터링(sputtering) 증착법 중에서 어느 하나의 방법으로 제조 될 수 있다.The pressure detection thin film and substrate may be manufactured by any one of a rapid solidification method and a sputtering deposition method.
본 발명의 실시 예를 따르는 압력센서는 탄성변형률, 내구성, 내식성이 뛰어나고, 넓은 영역의 압력을 우수한 정밀도로 측정 가능할 수 있다.The pressure sensor according to an embodiment of the present invention has excellent elastic strain, durability, and corrosion resistance, and can measure pressure in a wide area with excellent precision.
도1은 기판, 탄성막, 및 압력 검출 박막을 포함하는 압력센서에 관한 것이다.
도2는 본 발명의 실시예1에 의한, 스퍼터링 증착법으로 제조된 Cu-Zr계 합금이 비정질 구조임을 보여주는 박막의 X-선 회절시험결이다.
도3은 본 발명의 비교예1에 의한, 스퍼터링 증착법으로 제조된 Cu-Zr계 합금이 결정질 구조임을 보여주는 박막의 X-선 회절시험결이다.
도4는 본 발명의 실시예1에 의한, 스퍼터링 증착법으로 제조된 CU-Zr 박막의 주사전자현미경 EDS분석 사진이다.
도5는 스퍼터링 증착법으로 제조된 비정질 합금 박막을 포토리소그래피(Photolithography) 방법으로 가공한 압력 검출 박막의 사진이다.
도6은 스퍼터링 증착법으로 제조된 비정질 합금 박막을 레이저 가공 방법으로 가공한 압력 검출 박막의 사진이다.
도 7은 압력센서 시편을 인장 시험한 결과로서 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)를 나타낸다.
도 8은 일반적인 스트레인 게이지의 구조를 나타낸 단면도이다.1 relates to a pressure sensor including a substrate, an elastic film, and a pressure detection thin film.
2 is an X-ray diffraction test result of a thin film showing that the Cu-Zr-based alloy prepared by the sputtering deposition method according to Example 1 of the present invention has an amorphous structure.
3 is an X-ray diffraction test result of a thin film showing that the Cu-Zr-based alloy prepared by the sputtering deposition method according to Comparative Example 1 of the present invention has a crystalline structure.
4 is a scanning electron microscope EDS analysis photograph of a CU-Zr thin film prepared by a sputtering deposition method according to Example 1 of the present invention.
5 is a photograph of a pressure detection thin film processed by a photolithography method of an amorphous alloy thin film manufactured by a sputtering deposition method.
6 is a photograph of a pressure detection thin film obtained by processing an amorphous alloy thin film manufactured by a sputtering deposition method by a laser processing method.
7 shows a stress-strain diagram as a result of a tensile test of a pressure sensor specimen.
8 is a cross-sectional view showing the structure of a general strain gauge.
도 1은 기판, 탄성막, 및 압력 검출 박막을 포함하는 압력센서에 관한 것이다.1 relates to a pressure sensor including a substrate, an elastic film, and a pressure detection thin film.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 압력센서는 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 기판; 상기 기판 상에 배치된 탄성막; 및 상기 탄성막 상에 배치되고, 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 압력 검출 박막;을 포함하고, 상기 기판 및 상기 탄성막의 한계변형률이 상기 압력 검출 박막의 한계변형률 이상인 것이다.Referring to Figure 1, the pressure sensor according to an embodiment of the present invention includes a substrate made of at least a part of an amorphous metal; An elastic film disposed on the substrate; And a pressure detection thin film disposed on the elastic film and at least partially made of an amorphous metal, wherein a limit strain of the substrate and the elastic film is greater than or equal to a limit strain of the pressure detection thin film.
상기 압력센서는 자동차 엔진의 유압 및 일반 산업용 압력계측 등 저압에서 고압에 이르기까지 넓은 영역의 압력 특히 고정밀도를 요하는 측정에 사용되는 것일 수 있다. The pressure sensor may be used for measuring pressure in a wide range from low to high pressure, such as hydraulic pressure of an automobile engine and general industrial pressure measurement, which requires particularly high precision.
상기 기판은 급속냉각법으로 제조된 비정질 박대 또는 판재일 수 있다. 두꺼운 비정질 박대 또는 판재는 원심주조법으로 제조할 수도 있다.The substrate may be an amorphous thin strip or plate manufactured by a rapid cooling method. Thick amorphous thin strips or plates can also be produced by centrifugal casting.
상기 원심주조법은 용융금속을 주입 및 응고 시킬 때 주형을 고속으로 회전하여 그 원심력을 이용하는 것으로, 용융금속에 높은 압력 이 걸리게 되므로 주물의 조직이 치밀하고 기공이 없다.The centrifugal casting method uses the centrifugal force by rotating the mold at high speed when the molten metal is injected and solidified. Since high pressure is applied to the molten metal, the structure of the casting is dense and there are no pores.
상기 원심주조법 중에서도 진공 원심주조법으로 두꺼운 비정질 박대 또는 판재를 제조 할 수 있다. 상기 진공 원심주조법은 상부 금형과 하부 금형으로 이루어진 몰드 내에 Cu 캔을 장입하고, 진공 분위기 하에서 몰드를 170℃ 내지 230℃로 가열하고, 70G 내지 100G의 원심력이 가해지도록 몰드를 소정의 rpm으로 회전시키면서 몰드 중심의 주입 공간으로 용해된 재료를 주입하여, 원심력에 의해 주입공간으로 공급되는 용탕이 몰드 내에 장입된 Cu캔 내로 주입시켜 Cu캔 내에서 로드를 원심 주조하고, 냉각이 완료된 다음 Cu 캔을 산으로 녹이고 로드를 취출하는 것 일 수 있다.Among the centrifugal casting methods, a thick amorphous thin strip or plate may be manufactured by vacuum centrifugal casting. In the vacuum centrifugal casting method, a Cu can is charged into a mold consisting of an upper mold and a lower mold, heating the mold at 170°C to 230°C under a vacuum atmosphere, and rotating the mold at a predetermined rpm so that a centrifugal force of 70G to 100G is applied. The molten material is injected into the injection space at the center of the mold, and the molten metal supplied to the injection space by centrifugal force is injected into the Cu can loaded in the mold, and the rod is centrifugally cast in the Cu can, and after cooling is completed, the Cu can is acidified. It may be to melt it and take out the rod.
상기 기판에 포함된 비정질 합금으로는 Fe, Ni, Cu, Zr, Al, Mg 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 베이스로 하는 것이 바람직 할 수 있다.As the amorphous alloy included in the substrate, it may be preferable to use one or more materials selected from Fe, Ni, Cu, Zr, Al, and Mg as a base.
상기 기판은 인장형(Direct Stress Type), 굽힘형(Bending Type) 및 전단형(Shear Type) 중 어느 하나일 수도 있다. The substrate may be any one of a direct stress type, a bending type, and a shear type.
도 7은 압력센서를 인장 시험한 결과로서 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)를 나타낸 것이다. 7 shows a stress-strain diagram as a result of a tensile test of the pressure sensor.
상기 기판을 인장형(Direct Stress Type)이 아닌, 굽힘형(Bending Type)이나 전단형(Shear Type)으로 하면, 도 7의 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서 항복변형률까지는 변형률이 응력에 비례 할 수 있다. If the substrate is not a direct stress type, but a bending type or a shear type, the strain is stress from the stress-strain diagram of FIG. 7 to the yield strain. Can be proportional to
상기 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서 항복변형률이란, 재료에 응력을 점차 증가 시키면 항복점에 도달하고, 상기 항복점에서 재료의 변형률을 의미 할 수 있다. 상기 항복점이란 상기 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서 응력을 받는 재료가 탄성변형 유지하지 못하고 소성변형이 시작될 때의 변형률을 의미할 수 있다. 상기 탄성변형이란 재료에 응력을 가하면 재료에 변형이 일어나지만, 상기 응력을 제거하면 상기 재료의 변형도 제거되어 원래의 재료 상태로 돌아갈 수 있는 변형을 의미할 수 있다. 상기 소성변형이란 재료에 응력을 가하면 재료에 변형이 일어나고, 상기 응력이 제거되어도, 재료의 변형이 제거되지 않아 원래의 재료 상태로 돌아갈 수 없는 변형을 의미할 수 있다.The yield strain in the stress-strain diagram may mean a yield point when a stress is gradually increased in a material, and a strain rate of the material at the yield point. The yield point may mean a strain when a material subjected to stress in the stress-strain diagram does not maintain elastic strain and starts plastic strain. The elastic deformation may mean a deformation in which a material is deformed when a stress is applied to the material, but when the stress is removed, the deformation of the material is also removed, thereby returning to an original material state. The plastic deformation may mean a deformation in which a material is deformed when a stress is applied to the material, and even if the stress is removed, the deformation of the material is not removed and thus the original material state cannot be restored.
상기 기판 상에 배치된 탄성막은, 방향족 주쇄를 기본으로 하는 열적 안정성을 가진 고분자 물질로 이루어진 것일 수 있다. 일 예에서 상기 탄성막은 이미드 고리의 화학적 안정성을 기초로 하여 우수한 기계적 강도, 내화학성, 내후성, 내열성을 갖을 뿐 아니라 절연특성, 낮은 유전율과 같은 뛰어난 전기적 특성을 갖는 폴리이미드(polyimide)일 수 있다. The elastic film disposed on the substrate may be made of a polymer material having thermal stability based on an aromatic main chain. In one example, the elastic film may be a polyimide having excellent mechanical strength, chemical resistance, weather resistance, and heat resistance based on the chemical stability of the imide ring, as well as excellent electrical properties such as insulation properties and low dielectric constant. .
상기 폴리이미드(polyimide)상에 압력 검출 박막과 기판의 배치는 탄성한계가 2% 이상인 CN(Cyanoacrylate adhesive) 본드를 이용하여 부착 할 수 있다.The pressure detection thin film and the substrate may be disposed on the polyimide by using a CN (Cyanoacrylate adhesive) bond having an elastic limit of 2% or more.
상기 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 압력 검출 박막은 금속 또는 반도체의 저항체에 변형이 가해지면 그 저항값이 변화하는 압력 저항 효과를 이용한 것으로 할 수 있다.The pressure detection thin film at least partially made of an amorphous metal may use a pressure resistance effect in which a resistance value changes when a strain is applied to a metal or semiconductor resistor.
상기 압력 검출 박막 및 기판은 급속응고법과 스퍼터링(sputtering) 증착법 중에서 어느 하나의 방법으로 제조될 수 있다. The pressure detection thin film and the substrate may be manufactured by any one of a rapid solidification method and a sputtering deposition method.
상기 스퍼터링 증착법은 진공증착법의 일종으로 진공상태에서 플라스마를 발생시켜 이온화한 아르곤 등의 가스를 가속하여 타깃에 충돌시켜 목적의 원자를 분출하고, 그 근방에 있는 기판상에 막을 만드는 방법일 수 있다. 스퍼터링 장치는 음극 타겟 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형성함으로써 전자들의 움직임을 타켓 주위로 유도하고 이동 경로를 길게 연장시켜 스퍼터 효율을 높일 수 있다.The sputtering deposition method is a kind of vacuum deposition method, and it may be a method of generating a plasma in a vacuum state to accelerate a gas such as ionized argon, colliding with a target, ejecting target atoms, and forming a film on a substrate in the vicinity thereof. The sputtering device attaches a magnet to the rear surface of the cathode target to form a magnetic field perpendicular to the electric field, thereby inducing the movement of electrons around the target and extending the movement path to increase sputtering efficiency.
상기 급속응고법은 합금을 만드는 과정에서 용해한 금속을 1초당 100만℃ 이상의 속도로 급랭하면 비정질합금을 제조할 수 있다. 상기 급속응고법에는 기체분사법(atomization), 수분사법(water atomization), 원심분무법(centrifugal atomization)과 멜트 스피닝(melt spinning)법 일 수 있다. 즉, 급속응고란 말은 고체와 액체 계면의 빠른 성장 속도를 얻기 위하여 높은 냉각 속도나 커다란 과냉을 이용한다는 것으로, 고체와 액체 계면의 성장속도가 빠른 경우에는 원자들이 고체와 액체가 모두 화학 포텐셜(potential)이 같아지도록 원자를 재배열 시킬 만한 시간적 여유를 갖지 못하므로 용질 원자가 고체와 액체 계면에 도달할 때 같은 조성의 고체 속으로 들어가게 되는 용질 포획이 일어날 수 있다. 따라서 고체와 액체 계면에서의 고체는 용질을 방출할 수 없게 되어 고체와 액체의 조성이 같게 되는 것 일 수 있다. In the rapid solidification method, an amorphous alloy can be produced by rapidly cooling the molten metal at a rate of 1 million° C. or more per second in the process of making the alloy. The rapid solidification method may include an atomization method, a water atomization method, a centrifugal atomization method, and a melt spinning method. In other words, rapid coagulation means that a high cooling rate or large subcooling is used to obtain a fast growth rate of the solid-liquid interface.In the case of a fast growth rate of the solid-liquid interface, the atoms have a chemical potential ( Since we do not have the time to rearrange the atoms so that they have the same potential), solute trapping can occur when a solute atom reaches the solid-liquid interface and enters the solid of the same composition. Therefore, the solid at the solid-liquid interface may not be able to release the solute, so that the composition of the solid and liquid may be the same.
상기 압력 검출 박막은, Cu, Co, Zr, Ni 및 Fe 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 기재(base)로 할 수 있다. 바람직하게는 상기 압력 검출 박막은 Zr, Co, Cu 중에서 선택되는 어느 하나의 물질을 기재로 할 수 있다. The pressure detection thin film may be made of at least one of Cu, Co, Zr, Ni, and Fe as a base. Preferably, the pressure detection thin film may be made of any one material selected from Zr, Co, and Cu.
일 예에서, 상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Zr 20~70 at%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있고, 검출 박막의 두께는 5μm 이하 일 수 있다.In one example, the pressure detection thin film may contain 20 to 70 at% Zr, the remainder of Cu, and other unavoidable impurities with respect to the entire pressure detection thin film, and the thickness of the detection thin film may be 5 μm or less.
또한, 상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Si 5~20 at%, B 5~20 at%, 잔부 Co 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있고, 내식성과 비정질형성능을 향상시키기 위해 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Cr, Fe 및 Ni 중 적어도 어느 하나를 5 at% 이하로 포함할 수 있고, 상기 압력 검출 박막의 두께가 10~20 μm 일 수 있다.In addition, the pressure detection thin film may contain 5 to 20 at% of Si, 5 to 20 at% of B, the remainder of Co and other inevitable impurities with respect to the entire pressure detection thin film. At least one of Cr, Fe, and Ni may be included in an amount of 5 at% or less with respect to the entire detection thin film, and the thickness of the pressure detection thin film may be 10 to 20 μm.
또한, 상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Si 5~20 at%, C 5~20 at%, 잔부 Co 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있고, 내식성과 비정질형성능을 향상시키기 위해 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Cr, Fe 및 Ni 중 적어도 어느 하나를 5 at% 이하로 포함할 수 있고, 상기 압력 검출 박막의 두께가 10~20 μm 일 수 있다.In addition, the pressure detection thin film may contain 5 to 20 at% of Si, 5 to 20 at% of C, the remainder of Co and other inevitable impurities with respect to the entire pressure detection thin film. At least one of Cr, Fe, and Ni may be included in an amount of 5 at% or less with respect to the entire detection thin film, and the thickness of the pressure detection thin film may be 10 to 20 μm.
상기 기판 및 탄성막의 한계변형률이 상기 압력 검출 박막의 한계변형률 이상일 수 있다.The limiting strain of the substrate and the elastic film may be greater than or equal to the limiting strain of the pressure detection thin film.
상기 기판, 상기 탄성막, 상기 압력 검출 박막은, 응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서, 한계변형률이 1.5 내지 2.5% 일 수 있다.The substrate, the elastic film, and the pressure detection thin film may have a limit strain of 1.5 to 2.5% in a stress-strain diagram.
실시예 1: Cu-Zr계 비정질합금 압력 검출 박막 포함한 압력센서 제조Example 1: Manufacturing a pressure sensor including a Cu-Zr-based amorphous alloy pressure detection thin film
CN(Cyanoacrylate adhesive) 본드를 이용하여 폴리이미드(polyimide)를 부착시킨 기판을 미리 준비하였다. 챔버 내부의 양극에는 상기 폴리이미드가 부착된 기판을 설치하였고, 상기 챔버 내부의 음극에는 직경 4 inch의 원형 구리(pure copper)타겟과 직경 4 inch의 원형 지르코늄(pure zirconium) 타겟을 설치한 후, 상기 음극타겟 아래에 영구자석을 설치하였다. 이후, 상기 챔버 내부를 고진공 상태로 설정한 후, 챔버 내부에 아르곤 가스를 주입하였다. 이후, 챔버 내부에 고전압을 가하여 플라즈마를 발생시켰다. A substrate to which polyimide was attached was prepared in advance using a CN (Cyanoacrylate adhesive) bond. A substrate to which the polyimide is attached was installed on the anode inside the chamber, and a pure copper target with a diameter of 4 inches and a pure zirconium target with a diameter of 4 inches were installed on the cathode inside the chamber, A permanent magnet was installed under the negative electrode target. Thereafter, after setting the inside of the chamber to a high vacuum state, argon gas was injected into the chamber. Thereafter, plasma was generated by applying a high voltage inside the chamber.
구리 타겟에 0.17 kW, 지르코늄 타겟에 0.70 kW의 출력을 인가하여 폴리이미드가 부착된 기판에 구리와 지르코늄을 증착시켜, Cu-Zr계 비정질합금 압력 검출 박막 포함한 압력센서를 제조하였다.By applying an output of 0.17 kW to the copper target and 0.70 kW to the zirconium target to deposit copper and zirconium on the polyimide-attached substrate, a pressure sensor including a Cu-Zr-based amorphous alloy pressure detection thin film was manufactured.
도2는 실시예 1에 따른, 스퍼터링 증착법으로 제조된 Cu-Zr계 합금이 비정질 구조임을 보여주는 박막의 X-선 회절시험결이다.2 is an X-ray diffraction test result of a thin film showing that the Cu-Zr-based alloy prepared by the sputtering deposition method according to Example 1 has an amorphous structure.
상기 실시예 1에 따른 압력 검출 박막의 결정구조를 분석하기 위하여 X-선 회절시험을 한 결과, 도2와 같이 전형적인 비정질 합금이 지니는 패턴의 모습인 바, 폴리이미드 위에 증착된 박막의 구조가 비정질구조임이 증명되었다.As a result of performing an X-ray diffraction test to analyze the crystal structure of the pressure detection thin film according to Example 1, as shown in FIG. 2, a pattern of a typical amorphous alloy was obtained. The structure of the thin film deposited on the polyimide was amorphous. It has proven to be a structure.
상기 실시예 1에 따른압력 검출 박막을 주사전자현미경(SEM)으로 미세조직을 관찰하였다. The microstructure of the pressure detection thin film according to Example 1 was observed with a scanning electron microscope (SEM).
도4는 상기 실시예 1에 따른 스퍼터링 증착법으로 제조된 CU-Zr 4 is a CU-Zr manufactured by the sputtering deposition method according to Example 1 above.
압력검출 박막의 주사전자현미경 EDS분석한 사진이다.This is a photograph of the EDS analysis of the pressure detection thin film under a scanning electron microscope.
표1은 상기 실시예 1에 따른 스퍼터링 증착법으로 제조된 CU-Zr Table 1 shows CU-Zr prepared by the sputtering deposition method according to Example 1 above.
압력검출 박막의 주사전자현미경 EDS분석한 화학조성결과이다.This is the chemical composition result of EDS analysis of the pressure detection thin film under a scanning electron microscope.
표 1에 따라, Cu 약 63.99at%, Zr 약 36.01at%으로 나타남에 따라 제조된 압력 검출 박막이 비정질박막으로 제조된 것을 확인하였다. According to Table 1, it was confirmed that the pressure-sensing thin film was prepared as an amorphous thin film according to the expression of about 63.99 at% of Cu and about 36.01 at% of Zr.
농도Apparent
density
비교예 1: Cu-Zr계 결정질 합금 압력 검출 박막 포함한 압력센서 제조Comparative Example 1: Preparation of a pressure sensor including a pressure detection thin film of a Cu-Zr-based crystalline alloy
CN(Cyanoacrylate adhesive) 본드를 이용하여 폴리이미드(polyimide)를 부착시킨 기판을 미리 준비하였다. 챔버 내부의 양극에는 상기 폴리이미드가 부착된 기판을 설치하였고, 상기 챔버 내부의 음극에는 직경 4 inch의 원형 구리(pure copper)타겟과 직경 4 inch의 원형 지르코늄(pure zirconium) 타겟을 설치한 후, 상기 음극타겟 아래에 영구자석을 설치하였다. 이후, 상기 챔버 내부를 고진공 상태로 설정한 후, 챔버 내부에 아르곤 가스를 주입하였다. 이후, 챔버 내부에 고전압을 가하여 플라즈마를 발생시켰다. A substrate to which polyimide was attached was prepared in advance using a CN (Cyanoacrylate adhesive) bond. A substrate to which the polyimide is attached was installed on the anode inside the chamber, and a pure copper target with a diameter of 4 inches and a pure zirconium target with a diameter of 4 inches were installed on the cathode inside the chamber, A permanent magnet was installed under the negative electrode target. Thereafter, after setting the inside of the chamber to a high vacuum state, argon gas was injected into the chamber. Thereafter, plasma was generated by applying a high voltage inside the chamber.
구리 타겟에 0.15 kW, 지르코늄 타겟에 0.70 kW의 출력을 인가하여 폴리이미드가 부착된 기판에 구리와 지르코늄을 증착시켜서, Cu-Zr계 결정질 합금 압력 검출 박막 포함한 압력센서를 제조하였다.By applying an output of 0.15 kW to the copper target and 0.70 kW to the zirconium target to deposit copper and zirconium on the polyimide-attached substrate, a pressure sensor including a Cu-Zr-based crystalline alloy pressure detection thin film was manufactured.
도3은 상기 비교예 1에 따른, 스퍼터링 증착법으로 제조된 Cu-Zr계 합금이 결정질 구조임을 보여주는 박막의 X-선 회절시험결이다3 is an X-ray diffraction test result of a thin film showing that the Cu-Zr-based alloy prepared by the sputtering deposition method according to Comparative Example 1 has a crystalline structure.
상기 비교예 1에 따른 압력 검출 박막의 결정구조를 분석하기 위하여 X-선 회절시험을 한 결과, 도3에서 나타난 바와 같이 전형적인 결정질 합금이 지니는 패턴의 모습이다. 따라서 폴리이미드위에 증착된 박막의 구조가 결정질구조임이 증명되었다.As a result of performing an X-ray diffraction test to analyze the crystal structure of the pressure detection thin film according to Comparative Example 1, as shown in FIG. 3, a pattern of a typical crystalline alloy is shown. Therefore, it was proved that the structure of the thin film deposited on the polyimide is a crystalline structure.
실시예 2: Co-Si-B계 비정질 합금 압력 검출 박막 포함한 압렵센서 제조Example 2: Preparation of a pressure sensor including a pressure detection thin film of a Co-Si-B-based amorphous alloy
CN(Cyanoacrylate adhesive) 본드를 이용하여 폴리이미드(polyimide) 필름을 부착시킨 기판에, CN(Cyanoacrylate adhesive) 본드를 이용하여 두께10μm 의 비정질 합금(EDS 분석: Co의 68 at%, Si은 13 at%, Cr을 4at%, Fe를 4at%, B 11at%)을 상기 폴리이미드(polyimide) 필름에 부착 하여 스트레인게이지용 박판을 제조하였다. 이후, 박판을 회전을 시키면서, 액체 포토레지스트(Photoresist)를 균일하게 퍼지도록 도포하였다(Spin Coating). 이후 70℃로 20분 가열하여 용매를 제거하여 PR(Photoresist)필름을 형성하였다. 어레이 패턴을 새긴 투명 필름인 포토마스크를 제조한 후, 상기 포토마스크를 상기 PR필름 상에 고정 하였다. 이후, 상기 포토마스크 위로 UV를 가하는 노광 처리를 하였다. 상기 노광 처리로 인해 포토마스크에 새겨진 어레이 패턴이 PR(Photoresist)필름 위에 전사되었다. 그후, 증류수와 탄산나트륨을 100:1 의 중량비로 혼합한 현상 용액을 사용하여 상기 웨이퍼에서 어레이 패턴을 현상 시켰다. 염산:과산화수소 = 1 : 1 중량비의 식각용액을 만든 후, 상기 Co계 리본을 2분 동안 침지시켜 상기 PR(Photoresist)필름을 제거하여, Co-Si-B계 비정질 합금 압력 검출 박막 포함한 압렵센서 제조를 제조하였다.Amorphous alloy with a thickness of 10 μm using a CN (Cyanoacrylate adhesive) bond (EDS analysis: 68 at% of Co, 13 at% of Si) on a substrate to which a polyimide film is attached using a CN (Cyanoacrylate adhesive) bond , Cr 4at%, Fe 4at%, B 11at%) was attached to the polyimide film to prepare a strain gauge thin plate. Thereafter, while rotating the thin plate, a liquid photoresist was applied to spread evenly (Spin Coating). Thereafter, it was heated at 70° C. for 20 minutes to remove the solvent to form a PR (Photoresist) film. After preparing a photomask, which is a transparent film engraved with an array pattern, the photomask was fixed on the PR film. Thereafter, exposure treatment was performed in which UV was applied onto the photomask. Due to the exposure treatment, the array pattern engraved on the photomask was transferred onto the PR (Photoresist) film. Then, the array pattern was developed on the wafer using a developing solution in which distilled water and sodium carbonate were mixed in a weight ratio of 100:1. Hydrochloric acid: hydrogen peroxide = 1: 1 After making an etching solution in a weight ratio, the Co-based ribbon was immersed for 2 minutes to remove the PR (Photoresist) film, and a pressure sensor including a Co-Si-B-based amorphous alloy pressure detection thin film was prepared. Was prepared.
상기 실시예 2에서 제조된 압력센서는 한계 탄성변형률은 2.0% 이상이며, 내식성이 우수할 수 있다.The pressure sensor manufactured in Example 2 has a limiting elastic strain of 2.0% or more, and may have excellent corrosion resistance.
상기 실시예 1 및 2에서 제조된 비정질 합금을 이용하여 제조된 기판 및 스트레인 게이지를 포함하여 최종적으로 제조된 압력센서의 물성을 평가하고, 그 결과를 하기 표 2 에 나타내었다.The physical properties of the pressure sensor finally manufactured including the substrate and strain gauge manufactured using the amorphous alloy manufactured in Examples 1 and 2 were evaluated, and the results are shown in Table 2 below.
100 : 압력센서
110 : 압력 검출 박막
120 : 탄성체
130 : 기판100: pressure sensor
110: pressure detection thin film
120: elastic body
130: substrate
Claims (7)
상기 기판 상에 배치되고, 폴리이미드로 이루어진 탄성막; 및
상기 탄성막 상에 배치되고, 비정질 금속으로 이루어진 압력 검출 박막;을 포함하고,
상기 기판 및 상기 탄성막의 한계변형률이 상기 압력 검출 박막의 한계변형률 이상이며,
상기 폴리이미드(polyimide)상에 상기 압력 검출 박막과 상기 기판의 배치는 탄성한계가 2% 이상인 CN(Cyanoacrylate adhesive) 본드를 이용하여 부착하고,
상기 기판, 상기 탄성막, 상기 압력 검출 박막은,
응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서, 탄성변형이 소성변형으로 변하는 변형률이 1.5 내지 2.5% 이며,
상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Zr 20~70 at%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 Cu-Zr계 비정질 합금과,
상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Si 5~20 at%, B 5~20 at%, 잔부 Co 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 Co-Si-B계 비정질 합금 중 어느 하나의 비정질 합금을 포함하고,
상기 Cu-Zr계 비정질 합금으로 이루어진 상기 압력 검출 박막의 두께가 5㎛ 이하이며,
상기 Co-Si-B계 비정질 합금으로 이루어진 상기 압력 검출 박막의 두께가 10~20㎛ 이고,
상기 Co-Si-B계 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Cr, Fe 및 Ni 중 적어도 어느 하나를 5 at% 이하로 포함하는,
비정질 합금을 이용한 압력 센서.
A substrate made of an amorphous metal;
An elastic film disposed on the substrate and made of polyimide; And
Includes; a pressure detection thin film disposed on the elastic film and made of an amorphous metal,
The limit strain of the substrate and the elastic film is greater than or equal to the limit strain of the pressure detection thin film,
Arrangement of the pressure detection thin film and the substrate on the polyimide is attached using a CN (Cyanoacrylate adhesive) bond having an elastic limit of 2% or more,
The substrate, the elastic film, and the pressure detection thin film,
In the stress-strain diagram, the strain at which elastic strain changes to plastic strain is 1.5 to 2.5%,
The pressure detection thin film is a Cu-Zr-based amorphous alloy containing 20 to 70 at% Zr, the balance Cu and other inevitable impurities with respect to the entire pressure detection thin film,
Including any one of amorphous alloys of Co-Si-B-based amorphous alloys containing 5 to 20 at% of Si, 5 to 20 at% of B, the remainder of Co and other inevitable impurities with respect to the entire pressure detection thin film,
The thickness of the pressure detection thin film made of the Cu-Zr-based amorphous alloy is 5 μm or less,
The thickness of the pressure detection thin film made of the Co-Si-B-based amorphous alloy is 10 to 20 μm,
The Co-Si-B-based pressure detection thin film contains 5 at% or less of at least one of Cr, Fe, and Ni with respect to the entire pressure detection thin film,
Pressure sensor using amorphous alloy.
상기 기판은 굽힘형(Bending Type) 및 전단형(Shear Type) 중 어느 하나인,
비정질 합금을 이용한 압력 센서.
The method of claim 1,
The substrate is any one of a bending type and a shear type,
Pressure sensor using amorphous alloy.
상기 압력 검출 박막 및 기판은 급속응고법과 스퍼터링(sputtering) 증착법 중에서 어느 하나의 방법으로 제조된,
비정질 합금을 이용한 압력 센서.The method of claim 1,
The pressure detection thin film and substrate are manufactured by any one of a rapid solidification method and a sputtering deposition method,
Pressure sensor using amorphous alloy.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20170107220 | 2017-08-24 | ||
KR1020170107220 | 2017-08-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190022415A KR20190022415A (en) | 2019-03-06 |
KR102256830B1 true KR102256830B1 (en) | 2021-05-28 |
Family
ID=65439137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180099461A KR102256830B1 (en) | 2017-08-24 | 2018-08-24 | Pressure sensor which uses amorphous alloy |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102256830B1 (en) |
WO (1) | WO2019039921A1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102331191B1 (en) * | 2020-06-08 | 2021-11-25 | 인제대학교 산학협력단 | Elastically deformable member made from amorphous alloy and pressure sensor using the member |
KR102398725B1 (en) * | 2020-08-04 | 2022-05-17 | 주식회사 멤스팩 | Semiconductor full bridge strain gauge module and load cell using the same |
KR200495431Y1 (en) * | 2020-10-27 | 2022-05-23 | 인제대학교 산학협력단 | Precision scales utilzing flexible film having amorphous metal layer |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59132327A (en) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Aisin Seiki Co Ltd | Pressure sensor |
JPH06200357A (en) * | 1991-12-18 | 1994-07-19 | Hitachi Metals Ltd | Amorphous alloy |
JPH06248399A (en) * | 1993-02-23 | 1994-09-06 | Kyowa Electron Instr Co Ltd | Amorphous alloy for strain gage and strain gage |
KR20010105084A (en) | 2000-05-19 | 2001-11-28 | 김정희 | A method for fabricting high temperature thin film strain gage for pressure sensor |
KR101811214B1 (en) * | 2015-05-29 | 2017-12-22 | 고려대학교 세종산학협력단 | Flexible pressure sensor using an amorphous metal, and flexible bimodal sensor for simultaneously sensing pressure and temperature |
-
2018
- 2018-08-24 KR KR1020180099461A patent/KR102256830B1/en active IP Right Grant
- 2018-08-24 WO PCT/KR2018/009839 patent/WO2019039921A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190022415A (en) | 2019-03-06 |
WO2019039921A1 (en) | 2019-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102256830B1 (en) | Pressure sensor which uses amorphous alloy | |
Sharma et al. | Nano-fabrication with metallic glass—an exotic material for nano-electromechanical systems | |
KR102614644B1 (en) | Aluminum alloys and products with high uniformity and element content | |
KR101624763B1 (en) | Mechanism of structural formation for metallic glass based composites exhibiting ductility | |
US11851320B2 (en) | Method of depositing nanotwinned nickel-molybdenum-tungsten alloys | |
Cimalla et al. | Nanomechanics of single crystalline tungsten nanowires | |
KR102110462B1 (en) | Method for corrosion resistance alloy thin film with amorphous phase | |
JP2008155333A (en) | Micromachine using metal glass and sensor using same, and manufacturing method thereof | |
Zhou et al. | On the metastable miscibility gap in liquid Cu–Cr alloys | |
Kalpana et al. | Influence of annealing and thickness on the electrical properties of invar36 thin film for strain gauge applications | |
JP3971961B2 (en) | Superelastic alloy foil, strain sensor and manufacturing method thereof | |
CN105043869A (en) | Method for measuring non-residual stress film by using nano indentation method | |
Sakurai et al. | Combinatorial search for Ni–Nb–Ti thin film amorphous alloys with high corrosion resistances | |
Zamponi et al. | Structuring of sputtered superelastic NiTi thin films by photolithography and etching | |
Valentino et al. | Fabrication of freestanding metallic Ni-Mo-W microcantilever beams with high dimensional stability | |
KR200495431Y1 (en) | Precision scales utilzing flexible film having amorphous metal layer | |
JP5213022B2 (en) | Beryllium copper, beryllium copper manufacturing method and beryllium copper manufacturing apparatus for manufacturing the beryllium copper | |
KR102331191B1 (en) | Elastically deformable member made from amorphous alloy and pressure sensor using the member | |
Quandt et al. | Superelastic NiTi thin films for medical applications | |
Gianola et al. | Experimental techniques for uncovering deformation mechanisms in nanocrystalline Al thin films | |
US20220380884A1 (en) | Nickel alloy sputtering target | |
Rumpf et al. | Near net-shape fabrication of superelastic NiTi devices by sputtering and photoetching | |
JP4895481B2 (en) | Resistance thin film and sputtering target for forming the resistance thin film | |
WO2002088408A1 (en) | Nickel-titanium sputter target alloy | |
Gerlach et al. | Highly sensitive in-situ monitoring of mechanical stress during ion-beam-assisted deposition of thin titanium nitride films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |