KR102253452B1 - Transfer method of thin films using van der waals force - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법은 (a) 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계; (b) 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계; (c) 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 단계; (d) 중합체층을 이용하여 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1 기판에 전사하는 단계; 및 (e) 제1 기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하되, 제1 표면에너지 보다 제2 표면에너지가 큰 것이다.A thin film transfer method using Van der Waals force according to an embodiment of the present invention includes the steps of: (a) forming a polymer substrate having a first surface energy; (b) forming a polymer layer having a second surface energy; (c) peeling the thin film material on the polymer substrate; (d) transferring the thin film material exfoliated on the polymer substrate to the first substrate using the polymer layer; And (e) transferring the thin film material transferred to the first substrate to the second substrate, wherein the second surface energy is greater than the first surface energy.

Description

반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법{TRANSFER METHOD OF THIN FILMS USING VAN DER WAALS FORCE}Thin film transfer method using van der Waals force {TRANSFER METHOD OF THIN FILMS USING VAN DER WAALS FORCE}

본 발명은 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transfer method using van der Waals force.

기존 박막 전사 기술은 습식 전사와 건식 전사로 구분된다. 습식 전사의 경우 박막 물질이 박리되어 올려진 PMMA(Polymethyl methacrylate)를 버퍼 산화 식각 용액(Buffered Oxide Echant, BOE), 정제수(DI water) 등에 띄운 뒤 목표 기판으로 옮겨 건조하는 방법이다. 건식 전사의 경우, 물이나 용매 없이 물리적인 접합에너지를 이용하여 박막 물질을 박리가 진행된 기판으로부터 소자를 제작할 기판으로 전사하는 방법이다.Existing thin film transfer technology is divided into wet transfer and dry transfer. In the case of wet transfer, PMMA (polymethyl methacrylate), which has been removed from the thin film material, is floated in a buffered oxide etching solution (BOE) or DI water, and then transferred to a target substrate and dried. In the case of dry transfer, a thin film material is transferred from a peeled substrate to a substrate to be manufactured using physical bonding energy without water or a solvent.

그러나, 기존의 PMMA를 이용한 습식 전사의 경우, PMMA 아래층 제거 시 박막 물질이 물 또는 용매에 노출되며 정교한 전사가 어렵다는 문제가 있다. 기존의 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 이용한 건식 전사의 경우, 기판의 상부가 평평하지 않은 위치에서는 물리적인 접합에너지만으로 전사가 어렵다는 문제가 있다. 또한 PPC(Poly Propylene Carbonate) 또는 PMMA 위에 붙은 hBN(Hexagonal boron nitride)을 이용하여 박막물질을 들어올린 후 목표기판으로 전사하는 기존의 PPC, PMMA를 이용한 픽업(pick up) 기술의 경우, hBN 외에는 물질과 부착력이 좋지 않아 hBN을 먼저 붙이지 않고는 공정이 불가능하고, 특정 온도 조건을 만족해야만 가능하다는 문제가 있다. However, in the case of wet transfer using conventional PMMA, there is a problem that the thin film material is exposed to water or a solvent when removing the lower layer of PMMA, and precise transfer is difficult. In the case of conventional dry transfer using polydimethylsiloxane (PDMS), there is a problem that transfer is difficult only with physical bonding energy at a location where the upper portion of the substrate is not flat. In addition, in the case of pickup technology using PPC or PMMA, which uses polypropylene carbonate (PPC) or hexagonal boron nitride (hBN) attached to PMMA to lift the thin film material and transfer it to the target substrate, materials other than hBN There is a problem that the process is impossible without first attaching hBN due to poor adhesion, and it is possible only when certain temperature conditions are satisfied.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여, PDMS와 같은 탄성중합체 상에서 박리된 박막 물질을 물질의 표면 에너지 차이와 그로 인한 접합에너지 차이만을 이용하여 박막 물질을 전사하는 방법을 제공하고자 한다. In order to solve the above-described problem, the present invention is to provide a method of transferring a thin film material using only a difference in surface energy of the material and a difference in bonding energy resulting therefrom from a thin film material peeled on an elastomer such as PDMS.

다만, 본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 상기된 바와 같은 기술적 과제들로 한정되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들이 더 존재할 수 있다.However, the technical problem to be achieved by the present embodiment is not limited to the technical problems as described above, and other technical problems may further exist.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법은 (a) 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계; (b) 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계; (c) 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 단계; (d) 중합체층을 이용하여 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1 기판에 전사하는 단계; 및 (e) 제1 기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하되, 제1 표면에너지 보다 제2 표면에너지가 큰 것이다.A thin film transfer method using Van der Waals force according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem includes the steps of: (a) forming a polymer substrate having a first surface energy; (b) forming a polymer layer having a second surface energy; (c) peeling the thin film material on the polymer substrate; (d) transferring the thin film material exfoliated on the polymer substrate to the first substrate using the polymer layer; And (e) transferring the thin film material transferred to the first substrate to the second substrate, wherein the second surface energy is greater than the first surface energy.

본 발명의 일 실시예는 반데르발스 힘(van der waals force)만을 이용하여 전사를 진행한다는 장점이 있다. 이에 따라 전사된 물질들 사이에 불필요한 잔여물이 남거나 화학 반응을 일으킬 가능성이 감소되고, 박막 소자의 전기적 특성 감소 및 이상을 방지하는 효과가 있다.An embodiment of the present invention has the advantage of performing transfer using only van der waals force. Accordingly, there is an effect of reducing the possibility that unnecessary residues remain between the transferred materials or cause a chemical reaction, and decreases electrical characteristics of the thin film device and prevents abnormalities.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1의 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 1의 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1의중합체층을 이용하여 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1 기판에 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 1의 박막 물질을 제2기판에 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 중합체층 상에 n개의 박막 물질을 순차적으로 적층하여 제2기판에 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자기재 또는 중합체층을 기존의 기판으로 대체하여 본 발명의 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 이황화몰리브덴(MoS₂)을 이용해 도 8의 건식 전사 방식으로 시험한 광학 현미경 사진이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1기판(PDMS)에 형성된 중합체층(PMMA)을 이용하여 박막 물질(MoS₂)을 제2기판(이산화규소 기판)으로 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 도10의 전사 과정을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 12는 도 7의 n개의 박막 물질을 전사하는 방법에 의해 제작된 소자를 도시한 도면이다.
도 13은 도7의 n개의 박막 물질의 적층 과정을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
1 is a flow chart for explaining a thin film transfer method using van der Waals force according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of forming a polymer substrate having a first surface energy of FIG. 1.
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of forming a polymer layer having a second surface energy of FIG. 1.
FIG. 4 is a diagram illustrating a method of peeling a thin film material on the polymer substrate of FIG. 1.
FIG. 5 is a diagram illustrating a method of transferring a thin film material peeled off a polymer substrate to a first substrate using the polymer layer of FIG. 1.
6 is a diagram illustrating a method of transferring the thin film material of FIG. 1 to a second substrate.
7 is a view for explaining a method of sequentially stacking n thin film materials on a polymer layer and transferring them to a second substrate according to an embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining a thin film transfer method using a van der Waals force of the present invention by replacing a polymer substrate or a polymer layer according to an embodiment of the present invention with an existing substrate.
FIG. 9 is an optical micrograph of a test performed by the dry transfer method of FIG. 8 using molybdenum disulfide (MoS₂).
10 is a view for explaining a method of transferring a thin film material (MoS₂) to a second substrate (silicon dioxide substrate) using a polymer layer (PMMA) formed on a first substrate (PDMS) according to an embodiment of the present invention to be.
11 is an optical microscope photograph of the transfer process of FIG. 10.
12 is a diagram illustrating a device manufactured by the method of transferring n thin-film materials of FIG. 7.
13 is an optical microscope photograph of the process of laminating n thin-film materials of FIG. 7.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미하며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected" with another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element interposed therebetween. . In addition, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, and one or more other features, not excluding other components, unless specifically stated to the contrary. It is to be understood that it does not preclude the presence or addition of any number, step, action, component, part, or combination thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is a flow chart for explaining a thin film transfer method using van der Waals force according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면 본 발명의 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법은 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계(S110), 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계(S120), 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 단계(S130), 중합체층을 이용하여 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1 기판에 전사하는 단계(S140) 및 제1 기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계(S150)를 포함한다. 여기서 제1 표면에너지 보다 제2 표면에너지가 큰 것이다.Referring to FIG. 1, in the method of transferring a thin film using Van der Waals force of the present invention, forming a polymer substrate having a first surface energy (S110), forming a polymer layer having a second surface energy (S120) , The step of peeling the thin film material on the polymer substrate (S130), the step of transferring the thin film material peeled on the polymer substrate to the first substrate using the polymer layer (S140), and the thin film material transferred to the first substrate It includes a step (S150) of transferring to the second substrate. Here, the second surface energy is greater than the first surface energy.

이에 따라 본 발명은 반데르발스 힘 만을 이용하여 건식 전사를 진행할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 박막 물질 간의 접합면의 오염과 전사 과정에서의 화학 반응을 감소시키는 효과가 있다.Accordingly, the present invention has the advantage that dry transfer can be performed using only van der Waals force. In addition, there is an effect of reducing contamination of bonding surfaces between thin film materials and chemical reactions in the transfer process.

이하에서는 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법을 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a thin film transfer method using van der Waals force according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 6.

도 2는 도 1의 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a method of forming a polymer substrate having a first surface energy of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계(S110)에서, 고분자 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane), PBT (Polybutylene terephthalate), CTFE (Chlorotrifluoroethylene), PP (Polypropylene), PU (Polyurethane), PE (Polyethylene), PVF (Polyvinyl fluoride), PVDF (Polyvinylidene fluoride), PDMS (Polydimethylsiloxane), FEP (Fluorinated ethylene propylene) 및 PTFE (Polytetrafluoroethylene) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 나열한 물질들은 표면 에너지가 강한 물질부터 나열한 것이다. 바람직하게, 고분자 기재는 PDMS로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상대적으로 중합체층 보다 표면 에너지가 약한 물질로 이루어질 수 있다.Referring to Figure 2, in the step of forming a polymer substrate having a first surface energy (S110), the polymer substrate is PDMS (polydimethylsiloxane), PBT (Polybutylene terephthalate), CTFE (Chlorotrifluoroethylene), PP (Polypropylene), PU (Polyurethane) ), PE (Polyethylene), PVF (Polyvinyl fluoride), PVDF (Polyvinylidene fluoride), PDMS (Polydimethylsiloxane), FEP (Fluorinated ethylene propylene), and PTFE (Polytetrafluoroethylene). The materials listed above are listed starting with materials with strong surface energy. Preferably, the polymer substrate may be made of PDMS, but is not limited thereto, and may be made of a material having a relatively weaker surface energy than the polymer layer.

S110단계에서, PDMS 탄성중합체 베이스(elastomer base)(200)와 PDMS 경화제(curing agent)(201)를 혼합하는 단계 및 혼합된 PDMS혼합액(203a)에 발생된 기포를 제거한 후 일정한 두께를 갖도록 경화시켜 PDMS를 포함하는 고분자 기재(203)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In step S110, the steps of mixing the PDMS elastomer base 200 and the PDMS curing agent 201 and removing the air bubbles generated in the mixed PDMS mixture 203a are cured to have a certain thickness. It may include forming a polymer substrate 203 including PDMS.

예시적으로, 도 2의 (a)를 참조하면, 먼지가 제거된 용기(100)를 준비하며, 준비된 용기(100)에 PDMS 탄성중합체 베이스(200)와 PDMS 경화제(201)를 무게 비율 10:1로 옮겨 담는다. For example, referring to Figure 2 (a), a container 100 from which dust has been removed is prepared, and a PDMS elastomer base 200 and a PDMS curing agent 201 are added to the prepared container 100 in a weight ratio of 10: Transfer to 1.

이어서 도 2의 (b)를 참조하면, 용기(100)에 담긴 PDMS 탄성중합체 베이스(200)와 PDMS 경화제(201)를 거품이 하얗게 일 때까지 약 5-10분 동안 저어서 섞어준다. 예를 들어 저을 때 쓰는 도구는 먼지가 없는 고체 막대를 이용할 수 있다.Next, referring to FIG. 2B, the PDMS elastomer base 200 and the PDMS curing agent 201 contained in the container 100 are stirred and mixed for about 5-10 minutes until the foam turns white. For example, you can use a solid, dust-free rod as a stirrer.

다음으로, 도 2의 (c)를 참조하면, 충분히 섞인 PDMS 혼합액(203a)을 배양접시(101)에 부을 수 있다. 일 예로, 배양접시(101)를 저울에 올려놓고 무게를 재며, PDMS 혼합액(203a)을 부어줄 수 있다. PDMS혼합액(203a)은 두께에 따라 변형성(deformability)에 큰 차이가 있으므로 PDMS 혼합액(203a)을 붓는 배양접시(101)마다 무게를 일정하게 유지한다. 다른 예로, 평평함을 높이기 위해 배양접시(101) 안에 기판을 넣은 상태로 PDMS 혼합액(203a)을 부을 수 있다. 여기서, 기판은 평평하고 경화된 PDMS혼합액(203a)과 강하게 결합하지 않는 물질로 이루어질 수 있다.Next, referring to (c) of FIG. 2, the sufficiently mixed PDMS mixture 203a may be poured into the culture dish 101. For example, the culture dish 101 may be placed on a scale and weighed, and the PDMS mixture solution 203a may be poured. Since the PDMS mixture 203a has a large difference in deformability according to the thickness, the weight of each culture dish 101 into which the PDMS mixture 203a is poured is kept constant. As another example, in order to increase the flatness, the PDMS mixture solution 203a may be poured while the substrate is placed in the culture dish 101. Here, the substrate may be made of a material that does not strongly bond with the flat and cured PDMS mixture 203a.

이어서, 도 2의 (d)를 참조하면, PDMS 혼합액(203a)을 섞으면서 발생한 기포(거품)를 제거하기 위해 배양접시(101)를 데시케이터(desiccator)에 넣거나 장시간 상온에 보관할 수 있다. 여기서, 기포 제거 과정은 도 2의 (b)의 과정에서 먼저 수행할 수 있다. 이어서, 기포가 제거되면 배양접시(101)를 평형이 어긋나지 않도록 유지하며 오븐을 이용하여 경화시킬 수 있다. 여기서, 가열 온도와 시간은 PDMS의 경화가 진행될 시에 PDMS가 담긴 배양접시(101)가 열로 인해 변형되지 않는 범위 내에서 설정될 수 있다. 다음으로, 경화된 PDMS를 포함하는 고분자 기재(203)를 잘라 블록 모양으로 형성할 수 있다.Next, referring to (d) of FIG. 2, the culture dish 101 may be placed in a desiccator or stored at room temperature for a long time in order to remove air bubbles (bubbles) generated while mixing the PDMS mixture solution 203a. Here, the bubble removal process may be performed first in the process of FIG. 2B. Subsequently, when the air bubbles are removed, the culture dish 101 is maintained so that the equilibrium does not deviate and can be cured using an oven. Here, the heating temperature and time may be set within a range in which the culture dish 101 containing PDMS is not deformed due to heat when curing of the PDMS proceeds. Next, the polymer substrate 203 including the cured PDMS may be cut to form a block shape.

도 3은 도 1의 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a method of forming a polymer layer having a second surface energy of FIG. 1.

도 3을 참조하면, 제2 표면에너지를 갖는 중합체층(302)을 형성하는 단계(S120)에서, 중합체층(302)은 PMMA(polydimethylsiloxane), PES(Polyethersulfone), PPO(Polyphenylene oxide), PC(Polycarbonate), PET(Polyethlene terephthalate), PMMA(Polymethylmethacrylate), SAN(Styrene acrylonitirile), PVCr(Polyvinyl chloride), ABS(Acrylonitrile butadiene styrene), PPS(Polyphenylene sulfide), PVA(Polyvinyl alcohol), PVCp(Polyvinyl chloride with plasticizer) 및 PS(Polystyrene) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 나열한 물질들은 표면에너지가 강한 물질부터 순서대로 나열한 것이다. 중합체층(302)은 상기 나열한 물질 외에도 상대적으로 고분자 기재(203)보다 표면에너지가 큰 물질로 이루어질 수 있다.Referring to Figure 3, in the step of forming the polymer layer 302 having a second surface energy (S120), the polymer layer 302 is PMMA (polydimethylsiloxane), PES (Polyethersulfone), PPO (Polyphenylene oxide), PC ( Polycarbonate), PET (Polyethlene terephthalate), PMMA (Polymethylmethacrylate), SAN (Styrene acrylonitirile), PVCr (Polyvinyl chloride), ABS (Acrylonitrile butadiene styrene), PPS (Polyphenylene sulfide), PVA (Polyvinyl alcohol), PVCp (Polyvinyl chloride with plasticizer) and PS (Polystyrene). The materials listed above are listed in order, starting with the material having strong surface energy. In addition to the materials listed above, the polymer layer 302 may be made of a material having a relatively higher surface energy than the polymer substrate 203.

S120단계는 제1기판(300) 상에 구형의 물질(301)을 형성하는 단계 및 구형의 물질 상에 스핀 코팅을 이용하여 중합체층(302)을 형성하는 단계를 포함하되, 구형의 물질(301)은 제1기판(300)과 동일한 물질이거나 제1기판(300) 및 중합체층(302)과의 접합에너지가 높은 물질로 이루어질 수 있다.Step S120 includes forming a spherical material 301 on the first substrate 300 and forming a polymer layer 302 on the spherical material using spin coating, but the spherical material 301 ) May be made of the same material as the first substrate 300 or a material having high bonding energy between the first substrate 300 and the polymer layer 302.

예시적으로 도 3의 (a)를 참조하면, 제1기판(300)을 전사 공정 중 사용이 가능한 크기 범위 내에서 커팅 및 클리닝을 수행할 수 있다. 이때 제1기판(300)은 투명하고 위에 코팅할 물질과 접합성이 충분히 높은 물질로 이루어질 수 있다.For example, referring to FIG. 3A, the first substrate 300 may be cut and cleaned within a size range that can be used during the transfer process. At this time, the first substrate 300 may be made of a material that is transparent and has sufficiently high adhesion to a material to be coated thereon.

이어서, 도 3의 (b)를 참조하면, 박막 물질을 선택적으로 접착시키기 위해 식각(etching) 또는 추가적인 구형의 물질(301)의 부착을 통해 제1기판(300)의 기하 구조를 바꿔줄 수 있다. 예시적으로, 제1기판(300)에 구형의 물질(301)을 부착하는 경우, 구형의 물질(301)은 제1기판(300)과 동일한 물질이거나 제1기판(300) 및 중합체층(302)과 접착력이 높으며, 투명한 물질로 이루어질 수 있다. Subsequently, referring to FIG. 3B, the geometry of the first substrate 300 may be changed through etching or attaching an additional spherical material 301 to selectively adhere the thin film material. . For example, when attaching the spherical material 301 to the first substrate 300, the spherical material 301 is the same material as the first substrate 300 or the first substrate 300 and the polymer layer 302 ) And high adhesion, and can be made of a transparent material.

다음으로, 도 3의 (c)를 참조하면, 제1기판(300)에 부착된 구형의 물질(301) 위에 중합체층(302)을 스핀 코팅(spin coating) 공정을 이용해 코팅할 수 있다. 이때 중합체층(302)의 코팅 두께는 중합체층(302)의 전사 시에 얼라인(align)을 위한 빛 투과성을 유지할 수 있는 한도 내에서 향상시킬 수 있다. 이후, 코팅된 중합체층(302)을 건조 또는 가열시킬 수 있다. Next, referring to FIG. 3C, the polymer layer 302 may be coated on the spherical material 301 attached to the first substrate 300 using a spin coating process. In this case, the coating thickness of the polymer layer 302 may be improved within a limit capable of maintaining light transmittance for alignment when the polymer layer 302 is transferred. Thereafter, the coated polymer layer 302 may be dried or heated.

도 4는 도 1의 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating a method of peeling a thin film material on the polymer substrate of FIG. 1.

도 4를 참조하면, 고분자 기재(203) 상에 박막 물질(403)을 박리하는 단계(S130)는 테이프(400) 사이에 박막 물질의 결정(401)을 배치한 후 얇고 넓게 퍼지도록 테이프(400)를 탈부착하는 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, in the step of peeling the thin film material 403 on the polymer substrate 203 (S130), after placing the crystal 401 of the thin film material between the tapes 400, the tape 400 ) May include the step of attaching and detaching.

예시적으로, 도 4의 (a)를 참조하면, 전사 대상인 박막 물질의 결정(401)을 박리를 통해 얇게 만들 수 있다. 예를 들어, 적정량의 박막 물질의 결정(401)을 테이프(400)의 점착면에 올리고, 박막 물질의 결정(401)의 양면에 위치한 테이프(400)를 붙였다 떼며 박막 물질의 결정(401)이 얇고 넓게 퍼져 박막 형태로 형성할 수 있다. For example, referring to FIG. 4A, the crystal 401 of the thin film material to be transferred may be made thin through peeling. For example, an appropriate amount of the crystal 401 of the thin film material is put on the adhesive surface of the tape 400, and the crystal 401 of the thin film material is removed by attaching and peeling the tape 400 located on both sides of the crystal 401 of the thin film material. It can be formed in the form of a thin film by spreading thinly and widely.

이어서, 도 4의 (b)를 참조하면, 고분자 기재(203)의 상부에 박막 형태로 충분히 얇아진 박막 물질(403)이 붙은 테이프(400)를 붙였다 떼며 고분자 기재(203) 상에서 박막 물질(403)을 박리할 수 있다. 이때 박막 물질(403)과 테이프(400) 간의 접합에너지는 박막 물질(403)과 고분자 기재(203) 간의 접합에너지보다 매우 큰 것일 수 있다. 즉, 박리속도가 빠를수록 접합에너지 차이로 인한 영향을 덜 받기 때문에 충분한 양의 박막 물질(403)을 고분자 기재(203)에 박리하기 위해 테이프(400)를 짧은 시간 내에 빠른 속도로 떼어낼 수 있다. 한편, 테이프(400)를 고분자 기재(203)에 붙이는 세기, 시간 및 떼어내는 속도는 박막 물질(403)의 종류에 따라 다르게 설정될 수 있다. 여기서, 테이프(400)가 박리를 수행하는 수단으로 한정되는 것은 아니며, 박리 공정에 사용 가능한 모든 물질을 포함할 수 있다.Next, referring to (b) of FIG. 4, the thin film material 403 attached to the thin film material 403 thin enough in the form of a thin film on the polymer substrate 203 is attached and peeled off, while the thin film material 403 on the polymer substrate 203 Can be peeled off. In this case, the bonding energy between the thin film material 403 and the tape 400 may be much greater than the bonding energy between the thin film material 403 and the polymer substrate 203. That is, the faster the peeling speed, the less affected by the difference in bonding energy, so that the tape 400 can be peeled off at a high speed within a short time in order to peel a sufficient amount of the thin film material 403 to the polymer substrate 203. . Meanwhile, the strength, time, and peeling speed of attaching the tape 400 to the polymer substrate 203 may be set differently according to the type of the thin film material 403. Here, the tape 400 is not limited to a means for performing peeling, and may include all materials that can be used in the peeling process.

도 5는 도 1의 중합체층을 이용하여 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1 기판에 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of transferring a thin film material peeled on a polymer substrate to a first substrate by using the polymer layer of FIG. 1.

도 5를 참조하면, 중합체층(302)을 이용하여 고분자 기재(203) 상에 박리된 박막 물질(403)을 제1기판(300)으로 전사하는 단계(S140)는 중합체층(302)이 하측을 향하도록 제1기판(300)을 뒤집어서 전사용 슬릿(500)에 부착하는 단계, 고분자 기재(203)를 스테이지(501) 상부에 고정한 후, 광학 현미경(502)을 이용하여 제1기판(300)의 중합체층(302)이 고분자 기재(203)의 박막 물질(403)과 일치하도록 접합시키는 단계 및 기설정된 속도로 고분자 기재(203)로부터 제1기판(300)의 중합체층(302)을 떼어내되, 제1기판(300)의 중합체층(302)에 박막 물질(403)이 부착되는 단계를 포함할 수 있다.5, the step of transferring the thin film material 403 peeled off on the polymer substrate 203 to the first substrate 300 using the polymer layer 302 (S140), the polymer layer 302 The step of attaching the first substrate 300 to the transfer slit 500 by turning it over to face, after fixing the polymer substrate 203 on the top of the stage 501, the first substrate 300 using an optical microscope 502 A step of bonding the polymer layer 302 of) to match the thin film material 403 of the polymer substrate 203, and peeling the polymer layer 302 of the first substrate 300 from the polymer substrate 203 at a predetermined speed. However, it may include a step of attaching the thin film material 403 to the polymer layer 302 of the first substrate 300.

예시적으로 도 5의 (a)를 참조하면, 중합체층(302)이 코팅된 제1기판(300)을 아래를 향하도록 하여 전사용 슬릿(500)에 붙일 수 있다. 슬릿(500)은 전사 시에 얼라인이 가능하도록 투명한 물질로 이루어질 수 있다. For example, referring to FIG. 5A, the first substrate 300 coated with the polymer layer 302 may be attached to the transfer slit 500 with the first substrate 300 facing downward. The slit 500 may be made of a transparent material to enable alignment during transfer.

이어서, 도 5의 (b)를 참조하면, 박막 물질(403)이 올려진 고분자 기재(203)를 스테이지(501) 위에 고정시키고 광학 현미경(502)을 통해 제1기판(300)의 원하는 위치와 박막 물질(403)의 위치를 일치시켜 중합체층(302)과 박막 물질(403)을 접합시킬 수 있다. 이때 중합체층(302)과 박막 물질(403) 간의 접합에너지가 더 강하고 고분자 기재(203)의 변형성으로 인해 접합에너지가 감소하여 박막 물질(403)은 중합체층(302)으로 더 강하게 붙게 된다. 즉, 고분자 기재(203)와 박막 물질(403)간의 제1 접합에너지보다 중합체층(302)과 박막 물질(403)간의 제2 접합에너지가 크고, 박막 물질(403)의 표면에 추가로 접합되는 박막 물질과의 접합에너지가 제2 접합에너지보다 더 강할 수 있다. 따라서 , 전사하기 이전에 원하는 박막 물질을 추가로 중합체층(302) 또는 이에 접합된 박막 물질(403)의 표면에 접합시킬 수 있다. 이후, 추가로 접합된 복수의 박막 물질을 한번에 전사시킬 수 있다. 이와 같은 복수의 박막 물질을 전사하는 방법에 대한 상세한 설명은 도 7을 참조하여 후술하도록 한다. 이 경우, 접합된 박막 물질의 종류 및 개수는 제한이 없으며 물질의 표면 에너지에 따라 다양하게 선택될 수 있다. Next, referring to (b) of FIG. 5, the polymer substrate 203 on which the thin film material 403 is mounted is fixed on the stage 501, and the desired position of the first substrate 300 through the optical microscope 502 and By matching the positions of the thin film material 403, the polymer layer 302 and the thin film material 403 may be bonded to each other. At this time, the bonding energy between the polymer layer 302 and the thin film material 403 is stronger, and the bonding energy decreases due to the deformability of the polymer substrate 203, so that the thin film material 403 is more strongly adhered to the polymer layer 302. That is, the second bonding energy between the polymer layer 302 and the thin film material 403 is greater than the first bonding energy between the polymer substrate 203 and the thin film material 403, and is further bonded to the surface of the thin film material 403. The bonding energy with the thin film material may be stronger than the second bonding energy. Therefore, before transferring, a desired thin film material may be further bonded to the surface of the polymer layer 302 or the thin film material 403 bonded thereto. Thereafter, a plurality of additionally bonded thin film materials may be transferred at once. A detailed description of a method of transferring such a plurality of thin film materials will be described later with reference to FIG. 7. In this case, the type and number of the bonded thin film materials are not limited and may be variously selected according to the surface energy of the material.

다음으로 도 5의 (c)를 참조하면, 박막 물질(403)의 전사를 수행할 부분이 모두 고분자 기재(203)에 닿을 시에 중합체층(302)을 고분자 기재(203)에서 떼어낼 수 있다. 이때, 적절한 떼어내는 속도 범위는 박막 물질(403) 및 중합체층(302)과 제1기판(300), 고분자 기재(203)의 물성에 따라 다르게 설정될 수 있다.Next, referring to (c) of FIG. 5, the polymer layer 302 may be removed from the polymer substrate 203 when all portions of the thin film material 403 to be transferred touch the polymer substrate 203. . In this case, the appropriate range of the peeling speed may be set differently according to the physical properties of the thin film material 403 and the polymer layer 302, the first substrate 300, and the polymer substrate 203.

도 6은 도 1의 박막 물질을 제2기판에 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a diagram illustrating a method of transferring the thin film material of FIG. 1 to a second substrate.

도 6을 참조하면, 일 예로, 박막 물질(403)을 제2기판(600)에 전사하는 단계(S150)는 제1기판(300)의 중합체층(302)에 부착된 박막 물질(403)을 제2기판(600)에 접합시키는 단계, 제2기판(600)이 고정된 스테이지(501)를 가열한 후 제2기판(600)으로부터 제1기판(300)의 중합체층(302)을 떼어내어 중합체층(302)의 일부를 포함하는 박막 물질(403)을 제2기판(600) 상에 전사하는 단계 및 박막 물질(403)에 포함된 중합체층(302)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 예로, S150단계는 제1기판의 중합체층(302)에 부착된 박막 물질(403)을 제2기판(600)에 접합시키는 단계 및 제2기판(600)으로부터 제1기판(300)의 중합체층(302)을 떼어내어 박막 물질(403)만을 제2기판(600) 상에 전사하는 단계를 포함할 수 있다. 이때 제2기판(600)은 제3 표면에너지를 가지며, 중합체층(302)이 갖는 제2 표면에너지 보다 제3표면에너지가 큰 것일 수 있다. 이에 따라, 박막 물질(403)과 제2기판(600) 간의 접합에너지가 중합체층(302)과 박막 물질(403) 간의 접합에너지 보다 큰 것일 수 있다. 예를 들어, 제2기판(600)은 이산화규소(SiO₂), 산화알루미늄(Al₂O₃), 산화하프늄(HfO₂)과 같은 절연 층이 성장 또는 증착되거나 그렇지 않은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 기판 또는 유리(glass) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, as an example, in the step of transferring the thin film material 403 to the second substrate 600 (S150), the thin film material 403 attached to the polymer layer 302 of the first substrate 300 Bonding to the second substrate 600, after heating the stage 501 to which the second substrate 600 is fixed, and removing the polymer layer 302 of the first substrate 300 from the second substrate 600 Transferring the thin film material 403 including a part of the polymer layer 302 onto the second substrate 600 and removing the polymer layer 302 included in the thin film material 403 may be included. . As another example, step S150 is a step of bonding the thin film material 403 attached to the polymer layer 302 of the first substrate to the second substrate 600 and the polymer of the first substrate 300 from the second substrate 600 The step of removing the layer 302 and transferring only the thin film material 403 onto the second substrate 600 may be included. In this case, the second substrate 600 may have a third surface energy and may have a third surface energy greater than the second surface energy of the polymer layer 302. Accordingly, the bonding energy between the thin film material 403 and the second substrate 600 may be greater than the bonding energy between the polymer layer 302 and the thin film material 403. For example, the second substrate 600 is a silicon (Si) or germanium (Ge) substrate on which an insulating layer such as silicon dioxide (SiO₂), aluminum oxide (Al₂O₃), and hafnium oxide (HfO₂) is grown or deposited. Alternatively, it may include glass or the like.

예시적으로, 도 6의 (a)를 참조하면, 박막 물질(403)이 붙은 중합체층(302)을 광학 현미경(502)을 통해 소자를 제작할 제2기판(600)의 원하는 위치에 부착시킬 수 있다. For example, referring to (a) of FIG. 6, the polymer layer 302 with the thin film material 403 attached thereto can be attached to a desired position on the second substrate 600 on which the device is to be manufactured through the optical microscope 502. have.

다음으로, 일 예로, 도 6의 (b)를 참조하면, 전사를 진행하는 스테이지(501)의 온도를 중합체층(302)의 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg)보다 높게 가열하여 중합체층(302)의 일부도 박막 물질(403)과 함께 소자를 제작할 제2기판(600) 위에 전사시킬 수 있다. 이때 전사된 중합체층(302)은 녹이는 등의 기존의 방식에 따라 제거될 수 있다. Next, as an example, referring to FIG. 6B, by heating the temperature of the stage 501 in which the transfer is performed higher than the glass transition temperature (Tg) of the polymer layer 302, the polymer layer ( A portion of the 302 may also be transferred together with the thin film material 403 onto the second substrate 600 on which the device is to be manufactured. At this time, the transferred polymer layer 302 may be removed according to an existing method such as melting.

다른 예로, 도 6의 (c)를 참조하면, 박막 물질(403)에 따라 중합체층(302)과의 접합에너지보다 제2기판(600)과의 접합에너지가 극명히 클 경우, 접합에너지만을 이용해 박막 물질(403)만 제2기판(600) 위로 전사시키고 중합체층(302)은 떼어낼 수도 있다. 여기서, 소자를 제작할 제2기판(600)과 박막 물질(403) 간의 접합에너지는 중합체층(302)과 박막 물질(403) 간의 접합에너지보다 큰 것일 수 있다. 또한, 중합체층(302)을 떼어내는 속도는 박막 물질(403) 및 제2기판(600), 중합체층(302)의 표면 에너지에 따라 다르게 설정될 수 있다. As another example, referring to (c) of FIG. 6, when the bonding energy with the second substrate 600 is significantly greater than the bonding energy with the polymer layer 302 according to the thin film material 403, the thin film using only the bonding energy Only the material 403 may be transferred onto the second substrate 600 and the polymer layer 302 may be removed. Here, the bonding energy between the second substrate 600 on which the device is to be manufactured and the thin film material 403 may be greater than the bonding energy between the polymer layer 302 and the thin film material 403. In addition, the rate at which the polymer layer 302 is removed may be set differently according to the surface energy of the thin film material 403 and the second substrate 600 and the polymer layer 302.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 중합체층 상에 n개의 박막 물질을 순차적으로 적층하여 제2기판에 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a method of sequentially stacking n thin film materials on a polymer layer and transferring them to a second substrate according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법은 박막 물질을 박리하는 단계(S130) 및 박막 물질을 제1기판으로 전사하는 단계(S140)를 n회 반복하여 제1기판(300)에 형성된 중합체층(302) 상에 n개의 박막 물질(403)을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, in the method of transferring a thin film using the Van der Waals force of the present invention, a first step of peeling a thin film material (S130) and a step of transferring the thin film material to a first substrate (S140) are repeated n times. The step of sequentially laminating n number of thin film materials 403 on the polymer layer 302 formed on the substrate 300 may be further included.

예시적으로, 도 7의 (a)에 도시된 것처럼, 고분자 기재(203) 상에 제1박막 물질(700)이 박리될 수 있다. 이어서, 도 7의 (b)에 도시된 것처럼, 중합체층(302)을 이용하여 제1박막 물질(700)을 제1기판(300)으로 전사시킬 수 있다. 다음으로, 제1기판(300)의 중합체층(302)에 제1박막 물질(700)을 전사하는 방법과 동일한 방법으로, 각 박막 물질(700-703)에 대하여 4회 반복하여 도 7의 (c)에 도시된 것처럼, 중합체층(302) 상에 제1박막 물질(700), 제2박막 물질(701), 제3박막 물질(702) 및 제4 박막 물질(703)이 순차적으로 적층될 수 있다. 이후, 도 7의 (d)에 도시된 것처럼, 각 박막 물질(700-703)과 제2기판(600)간의 접합에너지가 중합체층(302)과 각 박막 물질(700-703) 간의 접합에너지보다 큰 것을 이용하여 제2기판(600)에 각 박막 물질(700-703)을 한번에 전사시킬 수 있다. For example, as shown in (a) of FIG. 7, the first thin film material 700 may be peeled on the polymer substrate 203. Subsequently, as shown in (b) of FIG. 7, the first thin film material 700 may be transferred to the first substrate 300 using the polymer layer 302. Next, in the same method as the method of transferring the first thin film material 700 to the polymer layer 302 of the first substrate 300, 4 times for each thin film material 700-703, the ( As shown in c), a first thin film material 700, a second thin film material 701, a third thin film material 702, and a fourth thin film material 703 are sequentially stacked on the polymer layer 302. I can. Thereafter, as shown in (d) of FIG. 7, the bonding energy between each thin film material 700-703 and the second substrate 600 is greater than the bonding energy between the polymer layer 302 and each thin film material 700-703. Each of the thin film materials 700-703 can be transferred to the second substrate 600 by using a large one.

이하에서는 도 8 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 반데르발스 힘을 이용하여 박막 필름을 전사한 결과를 설명하도록 한다. Hereinafter, the result of transferring the thin film using the van der Waals force of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 13.

먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법과 기존의 건식 전사 방식을 비교 시험하였다.First, a thin film transfer method using van der Waals force according to an embodiment of the present invention and a conventional dry transfer method were compared and tested.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자기재 또는 중합체층을 기존의 기판으로 대체하여 본 발명의 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법을 설명하기 위한 도면이다. ,8 is a view for explaining a thin film transfer method using a van der Waals force of the present invention by replacing a polymer substrate or a polymer layer according to an embodiment of the present invention with an existing substrate. ,

도 8을 참조하면, 상부의 제1기판(300)은 PDMS로 이루어질 수 있으며, 제1기판(300, PDMS)에 구형의 물질(301)이 형성되도록 PDMS를 한 방울을 떨어뜨린 후 경화시켜 제작하였다. 또한, 2차원의 박막 물질(403)은 이황화몰리브덴(MoS₂), 이셀레늄화텅스텐(WSe₂), 이황화레늄(ReS₂), 또는 이황화하프늄(HfS₂)으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 도 8의 (a)에 도시된 것처럼, 본 발명의 중합체층(302)이 코팅된 제1기판(300)을 사용하는 경우, 고분자 기재(PDMS)를 이산화규소 기판(203a)으로 대체하였다. 다른 예로, 도 8의 (b)에 도시된 것처럼, 본 발명의 박막 물질(403)이 박리된 고분자 기재(203)를 사용하는 경우, 중합체층(302)이 코팅되지 않은 제1기판(300)으로 대체하였다. 예를 들어, 이산화규소 기판(203a)은 P++ 실리콘 기판 위에 열산화(thermal oxidation)공정을 이용하여 90 nm 두께로 제작된 제품을 사용하였다. Referring to FIG. 8, the upper first substrate 300 may be made of PDMS, and a drop of PDMS is dropped and cured to form a spherical material 301 on the first substrate 300 (PDMS). I did. In addition, the two-dimensional thin film material 403 may be made of molybdenum disulfide (MoS2), tungsten iselenide (WSe2), rhenium disulfide (ReS2), or hafnium disulfide (HfS2). For example, as shown in (a) of FIG. 8, when the first substrate 300 coated with the polymer layer 302 of the present invention is used, the polymer substrate (PDMS) is replaced with a silicon dioxide substrate 203a. I did. As another example, as shown in (b) of FIG. 8, in the case of using the polymer substrate 203 from which the thin film material 403 of the present invention is peeled off, the first substrate 300 on which the polymer layer 302 is not coated Replaced with. For example, as the silicon dioxide substrate 203a, a product manufactured to a thickness of 90 nm using a thermal oxidation process on a P++ silicon substrate was used.

도 9는 이황화몰리브덴(MoS₂)을 이용해 도 8의 건식 전사 방식으로 시험한 광학 현미경 사진이다. FIG. 9 is an optical microscope photograph tested by the dry transfer method of FIG. 8 using molybdenum disulfide (MoS₂).

도 9의 (a)는 도 8의 (a)에 도시된 중합체층(302)이 코팅된 제1기판(300)을 MoS₂(박막 물질, 403)이 박리된 이산화규소 기판(203a)에 붙였다 떼어낸 전후의 광학 현미경 사진이고, 도 9의 (b)는 도 8의 (b)에 도시된 제1기판(300)을 MoS₂이 박리된 고분자 기재(203)에 붙였다 떼어낸 전후의 광학 현미경 사진이다. 여기서, 이산화규소, PMMA, PDMS의 표면에너지는 각각 115-200mJ/m², 41mJ/m², 23mJ/m²이고 두 물질간의 접합에너지는 두 물질의 표면에너지 곱의 제곱근에 비례하므로 상술한 두 공정에서의 MoS₂(박막 물질)이 전사될 가능성이 낮다. 9A shows the first substrate 300 coated with the polymer layer 302 shown in FIG. 8A on the silicon dioxide substrate 203a from which MoS₂ (thin film material 403) is peeled off. It is an optical micrograph before and after the peeling, and FIG. 9(b) is an optical micrograph before and after the first substrate 300 shown in FIG. 8(b) is attached to the polymer substrate 203 from which MoS₂ has been peeled off. . Here, the surface energies of silicon dioxide, PMMA, and PDMS are 115-200mJ/m², 41mJ/m², and 23mJ/m², respectively, and the bonding energy between the two materials is proportional to the square root of the product of the surface energy of the two materials. MoS₂ (thin film material) is unlikely to be transferred.

도 9의 (a)에 도시된 것처럼, 제1기판(PDMS)과 이산화규소 기판을 붙였다 떼어내도 MoS₂가 떨어져 나오지 않았다. 이는, 이산화규소 기판의 표면에너지가 제1기판(PDMS) 상의 중합체층(PMMA)의 표면에너지 보다 크기 때문인 것으로 예상된다. 뿐만 아니라 도 9의 (b)에 도시된 것처럼, 제1기판(PDMS)과 고분자 기재(PDMS)를 붙였다 떼어내도 MoS₂가 떨어져 나오지 않았다. 이는, 고분자 기재(PDMS) 상에서 박리 후 안정된 상태에서 같은 접합 에너지를 갖는 물질(PMMA를 코팅하지 않은 PDMS)로 붙였다 떼어냈기 때문인 것으로 예상된다.As shown in (a) of FIG. 9, even when the first substrate (PDMS) and the silicon dioxide substrate were attached and removed, MoS2 did not come off. This is expected to be due to the fact that the surface energy of the silicon dioxide substrate is greater than the surface energy of the polymer layer PMMA on the first substrate PDMS. In addition, as shown in (b) of FIG. 9, even when the first substrate (PDMS) and the polymer substrate (PDMS) were attached and removed, MoS₂ did not come off. This is expected to be due to the fact that after peeling on the polymer substrate (PDMS), a material having the same bonding energy (PDMS not coated with PMMA) was attached and removed in a stable state.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1기판(PDMS)에 형성된 중합체층(PMMA)을 이용하여 박막 물질(MoS₂)을 제2기판(이산화규소 기판)으로 전사하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining a method of transferring a thin film material (MoS₂) to a second substrate (silicon dioxide substrate) using a polymer layer (PMMA) formed on a first substrate (PDMS) according to an embodiment of the present invention to be.

도 10의 (a) 및 (b)를 참조하면, 열처리 등 추가 공정 없이 물질들의 표면 에너지 차이만을 이용하여 전사 과정을 진행하기 위해 고분자 기재(203, PDMS) 상의 2차원 박막 물질(403)을 중합체층(302, PMMA)이 코팅된 제1기판(300, PDMS)을 이용하여 제2기판(600, 이산화규소 기판) 상으로 전사하였다. 여기서 박막 물질(403)은 MoS₂를 사용하였다. 10A and 10B, a two-dimensional thin film material 403 on a polymer substrate 203 (PDMS) is used as a polymer in order to perform a transfer process using only the difference in surface energy of the materials without an additional process such as heat treatment. The layer 302 (PMMA) was transferred onto the second substrate 600 (silicon dioxide substrate) using the coated first substrate 300 (PDMS). Here, the thin film material 403 was MoS₂.

도 11은 도10의 전사 과정을 촬영한 광학 현미경 사진이다.11 is an optical microscope photograph of the transfer process of FIG. 10.

도 11의 (a)는 중합체층(302, PMMA)을 MoS₂(박막 물질) 조각에 붙이기 전이고, 도 11의 (b)는 붙였을 때이고, 도 11의 (c)는 중합체층(302)을 들어 올렸을 때의 광학현미경 사진이다. 여기서, 고분자 기재(203)로부터 중합체층(302)을 떼어내는 속도에 관계없이 MoS₂(박막 물질)가 제1기판(300)으로 쉽게 전사되었다. Figure 11 (a) is before attaching the polymer layer 302 (PMMA) to a piece of MoS₂ (thin film material), Figure 11 (b) is when it is attached, and Figure 11 (c) is when the polymer layer 302 is lifted. This is an optical microscope picture of the time. Here, MoS2 (thin film material) was easily transferred to the first substrate 300 regardless of the rate at which the polymer layer 302 is removed from the polymer substrate 203.

도 12는 도 7의 n개의 박막 물질을 전사하는 방법에 의해 제작된 소자를 도시한 도면이다.12 is a diagram illustrating a device manufactured by the method of transferring n thin-film materials of FIG. 7.

도 12는 네 개의 박막 물질(700-703)을 수직, 수평 방향으로 적층하는 구조이다. 구체적으로 여러 박막 물질들(700-703)은 정교한 얼라인을 통해 겹쳐져야 하며, 물질 사이에 이물질이 적어야 한다. 상술한 도 7에 도시된 방법으로 복수의 박막 물질(700-703)을 접합에너지를 이용하여 순차적으로 적층한 후에 제2기판(600)에 한번에 전사시킬 수 있다. 12 is a structure in which four thin film materials 700-703 are stacked in vertical and horizontal directions. Specifically, several thin film materials 700-703 should be overlapped through precise alignment, and there should be few foreign substances between the materials. After sequentially stacking a plurality of thin film materials 700-703 using the bonding energy by the method illustrated in FIG. 7 described above, it may be transferred to the second substrate 600 at one time.

도 13은 도 7의 n개의 박막 물질의 적층 과정을 촬영한 광학 현미경 사진이다. 도 13의 (a)는 제1 및 제2 박막물질(700, 701)이 적층한 상태이고, 도 13의 (b)는 제1 내지 제3박막물질(700-702)이 적층한 상태이고, 도 13의 (c)는 제1 내지 제4박막물질(700-703)이 적층한 상태의 광학 현미경 사진이다.13 is an optical microscope photograph of the process of laminating n thin-film materials of FIG. 7. 13A is a state in which the first and second thin film materials 700 and 701 are stacked, and FIG. 13B is a state in which the first to third thin film materials 700 to 702 are stacked, 13C is an optical micrograph of a state in which the first to fourth thin film materials 700-703 are stacked.

기존의 공정들과 비교 시 본 발명의 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법은 다음과 같은 장점이 있다. 기존의 PMMA를 이용한 전사 방식 적용 시 박막 물질 한 개를 붙일 때마다 PMMA 제거에 2시간씩 소요되며 각 물질 사이에 PMMA잔여물이 존재할 가능성이 있다. PDMS만을 이용한 공정의 경우, PMMA 잔여물 존재할 가능성이 작지만 평평한 PDMS를 사용하기 때문에 원치 않는 다른 박막 물질들도 기판에 전사된다는 문제가 있다. 즉, 도 12에 도시된 것처럼, 기판(600)과 각 박막 물질들(700-703) 사이에 단차가 발생되는 복수의 박막 물질들(700-703)이 중첩한 형태의 경우, PDMS만을 이용한 기존의 건식 공정 방법으로, 전사가 어렵다는 문제가 있다. 또한, 기판과 평행하고 넓은 다중 전사 공정을 진행하기 불편하다는 문제가 있다.Compared with the existing processes, the thin film transfer method using the van der Waals force of the present invention has the following advantages. When applying the conventional transfer method using PMMA, it takes 2 hours to remove PMMA every time one thin film material is attached, and there is a possibility that PMMA residues exist between each material. In the case of a process using only PDMS, the possibility of the presence of PMMA residue is small, but there is a problem that other unwanted thin film materials are transferred to the substrate because the flat PDMS is used. That is, as shown in FIG. 12, in the case of a form in which a plurality of thin film materials 700-703 having a step difference between the substrate 600 and each of the thin film materials 700-703 overlap, the conventional With the dry process method, there is a problem that transfer is difficult. In addition, there is a problem in that it is inconvenient to perform a wide multiple transfer process parallel to the substrate.

그러나, 본 발명은 상술한 문제를 해결하며 전사된 물질들 사이에 불필요한 잔여물이 남거나 화학 반응을 일으킬 가능성이 감소되고, 박막 소자의 전기적 특성 감소 및 이상을 방지하는 효과가 있다.However, the present invention has the effect of solving the above-described problem, reducing the possibility of causing an unnecessary residue or causing a chemical reaction between transferred materials, and reducing electrical properties and preventing abnormalities of the thin film device.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustrative purposes only, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that other specific forms can be easily modified without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative and non-limiting in all respects. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

100: 용기
200: PDMS 탄성중합체 베이스
201:PDMS 경화제
203a: PDMS 혼합액
203: 고분자 기재
300: 제1기판
301: 구형의 물질
302: 중합체층
400: 테이프
401: 박막 물질의 결정
403: 박막 물질
500: 전사용 슬릿
501: 스테이지
502: 광학 현미경
600: 제2기판
700: 제1박막 물질
701: 제2박막 물질
702: 제3박막 물질
704: 제4박막 물질
100: Courage
200: PDMS elastomer base
201: PDMS curing agent
203a: PDMS mixture
203: polymer substrate
300: first substrate
301: spherical matter
302: polymer layer
400: tape
401: Determination of thin film material
403: thin film material
500: transcription slit
501: stage
502: optical microscope
600: second substrate
700: first thin film material
701: second thin film material
702: third thin film material
704: fourth thin film material

Claims (10)

반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법에 있어서,
(a) 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계;
(b) 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계;
(c) 박막 물질 결정의 양면에 테이프의 점착면이 접하도록 테이프 사이에 상기 박막 물질 결정을 배치한 후 상기 테이프를 탈부착하여 상기 테이프의 일면에 박막 물질을 형성하고, 일면에 박막 물질이 형성된 상기 테이프를 상기 고분자 기재의 상부에 탈부착하여 상기 고분자 기재 상에 박막 물질을 형성하는 단계;
(d) 상기 중합체층이 하측을 향하도록 제1기판을 뒤집어서 전사용 슬릿에 부착하여 상기 고분자 기재 상에 형성된 박막 물질을 상기 제1기판에 전사하는 단계; 및
(e) 상기 제1기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하되,
상기 제1 표면에너지 보다 상기 제2 표면에너지가 큰 것을 특징으로 하는,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
In the thin film transfer method using van der Waals force,
(a) forming a polymer substrate having a first surface energy;
(b) forming a polymer layer having a second surface energy;
(c) After placing the thin film material crystal between the tapes so that the adhesive side of the tape is in contact with both sides of the thin film material crystal, the tape is detached to form a thin film material on one side of the tape, and the thin film material is formed on one side of the tape. Attaching and attaching a tape to the upper portion of the polymer substrate to form a thin film material on the polymer substrate;
(d) inverting the first substrate so that the polymer layer faces downward and attaching it to a transfer slit to transfer the thin film material formed on the polymer substrate to the first substrate; And
(e) transferring the thin film material transferred to the first substrate to the second substrate,
Characterized in that the second surface energy is greater than the first surface energy,
Thin film transfer method using van der Waals force.
제1항에 있어서,
상기 (c) 단계 및 상기 (d) 단계를 n회 반복하여 상기 중합체층 상에 n개의 박막 물질을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함하는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 1,
It further comprises the step of sequentially laminating n thin film materials on the polymer layer by repeating the step (c) and step (d) n times,
Thin film transfer method using van der Waals force.
제1항에 있어서,
상기 (a) 단계에서
PDMS 탄성중합체 베이스(elastomer base)와 PDMS 경화제(curing agent)를 혼합하는 단계; 및
상기 혼합된 PDMS혼합액에 발생된 기포를 제거한 후 일정한 두께를 갖도록 경화시켜 PDMS를 포함하는 고분자 기재를 형성하는 단계를 포함하는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 1,
In step (a)
Mixing a PDMS elastomer base and a PDMS curing agent; And
It comprises the step of forming a polymer substrate containing PDMS by curing to have a predetermined thickness after removing the air bubbles generated in the mixed PDMS mixture,
Thin film transfer method using van der Waals force.
제1항에 있어서,
상기 고분자 기재는
PDMS (polydimethylsiloxane), PBT (Polybutylene terephthalate), CTFE (Chlorotrifluoroethylene), PP (Polypropylene), PU (Polyurethane), PE (Polyethylene), PVF (Polyvinyl fluoride), PVDF (Polyvinylidene fluoride), PDMS (Polydimethylsiloxane), FEP (Fluorinated ethylene propylene) 및 PTFE (Polytetrafluoroethylene) 중 적어도 하나로 이루어지는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 1,
The polymer substrate is
PDMS (polydimethylsiloxane), PBT (Polybutylene terephthalate), CTFE (Chlorotrifluoroethylene), PP (Polypropylene), PU (Polyurethane), PE (Polyethylene), PVF (Polyvinyl fluoride), PVDF (Polyvinylidene fluoride), PDMS (Polydimethylsiloxane), FEP ( It is made of at least one of fluorinated ethylene propylene) and PTFE (Polytetrafluoroethylene),
Thin film transfer method using van der Waals force.
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법에 있어서,
(a) 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계;
(b) 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계;
(c) 박막 물질 결정의 양면에 테이프의 점착면이 접하도록 테이프 사이에 상기 박막 물질 결정을 배치한 후 상기 테이프를 탈부착하여 상기 테이프의 일면에 박막 물질을 형성하고, 일면에 박막 물질이 형성된 상기 테이프를 상기 고분자 기재의 상부에 탈부착하여 상기 고분자 기재 상에 박막 물질을 형성하는 단계;
(d) 상기 중합체층이 하측을 향하도록 제1기판을 뒤집어서 전사용 슬릿에 부착하여 상기 고분자 기재 상에 형성된 박막 물질을 상기 제1기판에 전사하는 단계; 및
(e) 상기 제1기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하되,
상기 제1 표면에너지 보다 상기 제2 표면에너지가 크며,
상기 (b) 단계는
상기 제1기판 상에 구형의 물질을 형성하는 단계; 및
상기 구형의 물질 상에 스핀 코팅을 이용하여 상기 중합체층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 구형의 물질은 상기 제1기판과 동일한 물질이거나 상기 제1기판 및 상기 중합체층과의 접합에너지가 높은 물질로 이루어지는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
In the thin film transfer method using van der Waals force,
(a) forming a polymer substrate having a first surface energy;
(b) forming a polymer layer having a second surface energy;
(c) After placing the thin film material crystal between the tapes so that the adhesive side of the tape is in contact with both sides of the thin film material crystal, the tape is detached to form a thin film material on one side of the tape, and the thin film material is formed on one side of the tape. Attaching and attaching a tape to the upper portion of the polymer substrate to form a thin film material on the polymer substrate;
(d) inverting the first substrate so that the polymer layer faces downward and attaching it to a transfer slit to transfer the thin film material formed on the polymer substrate to the first substrate; And
(e) transferring the thin film material transferred to the first substrate to the second substrate,
The second surface energy is greater than the first surface energy,
The step (b) is
Forming a spherical material on the first substrate; And
Including the step of forming the polymer layer using spin coating on the spherical material,
The spherical material is the same material as the first substrate or is made of a material having high bonding energy between the first substrate and the polymer layer,
Thin film transfer method using van der Waals force.
제1항에 있어서,
상기 중합체층은
PMMA (polydimethylsiloxane), PES (Polyethersulfone), PPO (Polyphenylene oxide), PC (Polycarbonate), PET (Polyethlene terephthalate), PMMA (Polymethylmethacrylate), SAN (Styrene acrylonitirile), PVCr (Polyvinyl chloride), ABS (Acrylonitrile butadiene styrene), PPS (Polyphenylene sulfide), PVA (Polyvinyl alcohol), PVCp (Polyvinyl chloride with plasticizer) 및 PS (Polystyrene) 중 적어도 하나로 이루어지는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 1,
The polymer layer
PMMA (polydimethylsiloxane), PES (Polyethersulfone), PPO (Polyphenylene oxide), PC (Polycarbonate), PET (Polyethlene terephthalate), PMMA (Polymethylmethacrylate), SAN (Styrene acrylonitirile), PVCr (Polyvinyl chloride), ABS (Acrylonitrile butadiene styrene) , PPS (Polyphenylene sulfide), PVA (Polyvinyl alcohol), PVCp (Polyvinyl chloride with plasticizer) and PS (Polystyrene),
Thin film transfer method using van der Waals force.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 (d) 단계는
상기 고분자 기재를 스테이지 상부에 고정한 후, 광학 현미경을 이용하여 상기 제1기판의 중합체층이 상기 고분자 기재의 박막 물질과 일치하도록 접합시키는 단계; 및
기설정된 속도로 상기 고분자 기재로부터 상기 제1기판의 중합체층을 떼어내되, 상기 중합체층에 상기 박막 물질이 부착되는 단계를 포함하는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 1,
The step (d) is
Fixing the polymeric substrate to the upper portion of the stage and bonding the polymer layer of the first substrate to match the thin film material of the polymeric substrate using an optical microscope; And
Separating the polymer layer of the first substrate from the polymer substrate at a predetermined rate, and attaching the thin film material to the polymer layer,
Thin film transfer method using van der Waals force.
제8항에 있어서,
상기 (e) 단계는
상기 제1기판의 중합체층에 부착된 박막 물질을 상기 제2기판에 접합시키는 단계; 및
상기 제2기판으로부터 상기 제1기판의 중합체층을 떼어내어 상기 박막 물질만을 상기 제2기판 상에 전사하는 단계를 포함하되,
상기 제2기판은 제3 표면에너지를 가지는 것이고,
상기 제2 표면에너지 보다 상기 제3 표면에너지가 큰 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 8,
The step (e) is
Bonding a thin film material attached to the polymer layer of the first substrate to the second substrate; And
Removing the polymer layer of the first substrate from the second substrate and transferring only the thin film material onto the second substrate,
The second substrate has a third surface energy,
The third surface energy is greater than the second surface energy,
Thin film transfer method using van der Waals force.
제8항에 있어서,
상기 (e) 단계는
상기 제1기판의 중합체층에 부착된 박막 물질을 상기 제2기판에 접합시키는 단계;
상기 제2기판이 고정된 스테이지를 가열한 후 상기 제2기판으로부터 상기 제1기판의 중합체층을 떼어내어 상기 중합체층의 일부를 포함하는 박막 물질을 상기 제2기판 상에 전사하는 단계; 및
상기 박막 물질에 포함된 상기 중합체층을 제거하는 단계를 포함하는 것인,
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법.
The method of claim 8,
The step (e) is
Bonding a thin film material attached to the polymer layer of the first substrate to the second substrate;
Heating the stage on which the second substrate is fixed, removing the polymer layer of the first substrate from the second substrate, and transferring a thin film material including a portion of the polymer layer onto the second substrate; And
Including the step of removing the polymer layer contained in the thin film material,
Thin film transfer method using van der Waals force.
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