KR102251277B1 - Transistor module comprising capacitive touch sensor, piezoelectric sensor and dual-gate transistor - Google Patents

Transistor module comprising capacitive touch sensor, piezoelectric sensor and dual-gate transistor Download PDF

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Abstract

본 발명은 정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하고; 상기 듀얼게이트 트랜지스터는 하부게이트전극; 상기 하부게이트전극 상부에 위치한 하부게이트절연층; 상기 하부게이트절연층 상부에 위치한 반도체층; 상기 반도체층 상부에 위치한 상부게이트절연층; 상기 상부게이트절연층 상부에 위치한 상부게이트전극; 및 서로 이격되어 위치하는 소스전극 및 드레인전극; 을 포함하는 트랜지스터 모듈을 제공한다.The present invention includes a capacitive touch sensor, a piezoelectric sensor, and a dual gate transistor; The dual gate transistor includes a lower gate electrode; A lower gate insulating layer positioned on the lower gate electrode; A semiconductor layer positioned on the lower gate insulating layer; An upper gate insulating layer positioned on the semiconductor layer; An upper gate electrode positioned on the upper gate insulating layer; And a source electrode and a drain electrode positioned to be spaced apart from each other. It provides a transistor module comprising a.

Description

정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 모듈{Transistor module comprising capacitive touch sensor, piezoelectric sensor and dual-gate transistor}Transistor module comprising capacitive touch sensor, piezoelectric sensor and dual-gate transistor

본 발명은 정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a transistor module including a capacitive touch sensor, a piezoelectric sensor, and a dual gate transistor.

최근 첨단기술의 급격한 발달로 인하여 휴대폰, 태블릿컴퓨터, 키오스크, 올인원컴퓨터, 냉장고, 스마트 텔레비젼, 도어락, 카메라등 다양한 디지털 전자 제품들이 상용화됨에 따라 우리 생활은 다방면으로 높은 편의성이 제공되고 있다.Due to the rapid development of recent high-tech technologies, various digital electronic products such as mobile phones, tablet computers, kiosks, all-in-one computers, refrigerators, smart TVs, door locks, and cameras have been commercialized, providing high convenience in many ways.

이러한 디지털 기기들에는 다양한 기능을 사용자가 조작하기 위한 버튼들이 구비되어 있으며, 이를 조작하여 여러 가지 기능들을 동작시키게 된다. These digital devices are provided with buttons for a user to manipulate various functions, and operate various functions by manipulating them.

기존의 버튼 방식과 비교하여, 최근에는, 터치입력방식이 차세대 입력방식으로 각광받으면서 좀 더 다양한 전자기기에 터치입력방식을 도입하려는 시도들이 이루어지고 있으며, 다양한 환경에 적용할 수 있고 정확한 터치인식이 가능한 터치센서에 대한 연구 개발도 활발히 이루어지고 있다.Compared with the existing button method, in recent years, as the touch input method is in the spotlight as the next-generation input method, attempts are being made to introduce the touch input method to a more diverse electronic device, and it can be applied to various environments and accurate touch recognition is possible. Research and development for possible touch sensors are also being actively conducted.

하지만, 종래 터치센서는 터치의 강도에 기반하거나 터치 유무에 기반한 동작 유무를 결정하는 방식이므로, 이러한 1차원적인 강도에 의한 터치센서의 반응 혹은 터치 유무에 따른 동작은 다양한 입력에 기능성 반응을 제어하기 힘들고 기능성 터치에 대한 소프트웨어적인 확장성에 제한이 있었다.However, since the conventional touch sensor is a method of determining the presence or absence of an operation based on the intensity of a touch or the presence or absence of a touch, the response of the touch sensor by this one-dimensional intensity or the operation according to the presence or absence of a touch controls the functional response to various inputs. There was a limitation in software scalability for difficult and functional touch.

본 발명의 일 과제는 정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함한 트랜지스터 모듈을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a transistor module including a capacitive touch sensor, a piezoelectric sensor, and a dual gate transistor.

본 발명의 다른 일 과제는 상기 트랜지스터 모듈을 포함하는 터치센서를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a touch sensor including the transistor module.

본 발명의 일 양태는 정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하고; 상기 듀얼게이트 트랜지스터는 하부게이트전극; 상기 하부게이트전극 상부에 위치한 하부게이트절연층; 상기 하부게이트절연층 상부에 위치한 반도체층; 상기 반도체층 상부에 위치한 상부게이트절연층; 상기 상부게이트절연체층 상부에 위치한 상부게이트전극; 및 서로 이격되어 위치하는 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터 모듈을 제공한다. One aspect of the present invention includes a capacitive touch sensor, a piezoelectric sensor, and a dual gate transistor; The dual gate transistor includes a lower gate electrode; A lower gate insulating layer positioned on the lower gate electrode; A semiconductor layer positioned on the lower gate insulating layer; An upper gate insulating layer positioned on the semiconductor layer; An upper gate electrode positioned on the upper gate insulator layer; And a source electrode and a drain electrode positioned to be spaced apart from each other.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극에 인가되고; 상기 압전센서로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극에 인가될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the voltage sensed by the capacitive touch sensor is applied to the upper gate electrode; The voltage sensed by the piezoelectric sensor may be applied to the lower gate electrode.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극에 인가되고; 상기 압전센서로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극에 인가될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a voltage sensed by the capacitive touch sensor is applied to the lower gate electrode; The voltage sensed by the piezoelectric sensor may be applied to the upper gate electrode.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 상부게이트전극 및 하부게이트전극에 동시에 인가되는 서로 다른 전압의 유형은 4가지 이상 일 수 있다. In an embodiment of the present invention, there may be four or more types of different voltages simultaneously applied to the upper gate electrode and the lower gate electrode.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서 및 압전센서는 적층된 형태일 수 있다. In an embodiment of the present invention, the capacitive touch sensor and the piezoelectric sensor may be stacked.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서는 금속메시 타입, 금속나노와이어 타입, 이황화몰리브덴(MoS2) 필름 타입, 그래핀 필름 타입, ITO필름 타입 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 타입일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the capacitive touch sensor is selected from the group consisting of a metal mesh type, a metal nanowire type, a molybdenum disulfide (MoS 2 ) film type, a graphene film type, an ITO film type, and a combination thereof. It can be any one type.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 압전센서는 PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-실리콘고무, PZT-에폭시, PZT-발포폴리머, PZT-발포 우레탄 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the piezoelectric sensor is PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-silicone rubber, PZT-epoxy, PZT-foaming polymer, PZT-foaming urethane. And it may include any one selected from the group consisting of a combination thereof.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 반도체층은 탄소 물질; 산화물 반도체 물질; 유기반도체 물질; 금속나노와이어(metal nanowire); 갈륨 질화물(GaN) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the semiconductor layer is a carbon material; Oxide semiconductor materials; Organic semiconductor materials; Metal nanowire; It may include one or more selected from the group consisting of gallium nitride (GaN) and combinations thereof.

본 발명의 일 양태는 상기 트랜지스터 모듈을 포함하는 터치센서를 제공한다.An aspect of the present invention provides a touch sensor including the transistor module.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 터치센서는 4가지 이상의 터치 레벨을 감지할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the touch sensor may detect four or more touch levels.

본 발명의 일 양태는 상기 터치센서를 포함하는 전자기기를 제공한다. An aspect of the present invention provides an electronic device including the touch sensor.

본 발명은 정전용량식 터치센서 및 압전센서에서 감지된 독립적인 전압을 상부게이트전극 및 하부게이트전극에 각각 인가할 수 있는 트랜지스터 모듈을 제공할 수 있다. 상기 트랜지스터 모듈을 통하여 트랜지스터에서 구동되는 전압을 조절함으로써, 4가지 이상의 기능을 가지는 터치센서를 제공 할 수 있다.The present invention can provide a transistor module capable of applying an independent voltage sensed by a capacitive touch sensor and a piezoelectric sensor to an upper gate electrode and a lower gate electrode, respectively. By controlling the voltage driven by the transistor through the transistor module, it is possible to provide a touch sensor having four or more functions.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above effects, and should be understood to include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 트랜지스터 모듈의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 제조된 트랜지스터 모듈의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 터치센서의 전류특성 실험 결과에 대한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 터치센서 구동시 전류레벨을 상태에 따라 나타낸 그래프이다.1 is a cross-sectional view of a transistor module manufactured according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a transistor module manufactured according to another embodiment of the present invention.
3 is a graph showing the results of a current characteristic experiment of a touch sensor manufactured according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing a current level according to a state when a touch sensor manufactured according to an embodiment of the present invention is driven.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be implemented in various different forms, and therefore is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts not related to the description are omitted in order to clearly describe the present invention.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a certain part "includes" a certain component, it means that other components may be further provided without excluding other components unless specifically stated to the contrary.

본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the present specification, when a portion such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another portion, this includes not only the case directly above the other portion, but also the case where there is another portion in the middle.

층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.When an element such as a layer, region or substrate is referred to as being “on” another component, it will be understood that it may exist directly on the other element or there may be intermediate elements between them. .

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms used in the present specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 발명의 일 양태는 트랜지스터 모듈을 제공한다. One aspect of the present invention provides a transistor module.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터 모듈의 단면도이다. 1 and 2 are cross-sectional views of a transistor module according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 트랜지스터 모듈(1)은 정전용량식 터치센서(110), 압전센서(120) 및 듀얼게이트 트랜지스터(200)를 포함하고; 상기 듀얼게이트 트랜지스터(200)는 하부게이트전극(210); 상기 하부게이트전극(210) 상부에 위치한 하부게이트절연층(220); 상기 하부게이트절연층(220) 상부에 위치한 반도체층(230); 상기 반도체층(230) 상부에 위치한 상부게이트절연층(260); 상기 상부게이트절연층(260) 상부에 위치한 상부게이트전극(270); 및 서로 이격되어 위치하는 소스전극(240) 및 드레인전극(250)을 포함할 수 있다. 1 and 2, the transistor module 1 includes a capacitive touch sensor 110, a piezoelectric sensor 120, and a dual gate transistor 200; The dual gate transistor 200 includes a lower gate electrode 210; A lower gate insulating layer 220 positioned on the lower gate electrode 210; A semiconductor layer 230 positioned on the lower gate insulating layer 220; An upper gate insulating layer 260 positioned on the semiconductor layer 230; An upper gate electrode 270 positioned on the upper gate insulating layer 260; And a source electrode 240 and a drain electrode 250 positioned to be spaced apart from each other.

본 명세서에서 “정전용량식 터치센서(110)”는, 기판에 전극을 형성하고, 일정량의 전류를 표면에 흐르게 한 후, 신체 또는 전류가 흐르는 특정 물체가 접촉했을 때 발생하는 정전용량의 변화를 감지하여 동작하는 터치센서를 의미한다. In the present specification, the "capacitive touch sensor 110" forms an electrode on a substrate, allows a certain amount of current to flow on the surface, and then detects a change in capacitance that occurs when a body or a specific object through which current flows come into contact. It refers to a touch sensor that senses and operates.

상기 정전용량식 터치센서(110)는 금속메시 타입, 예를 들면, 실버메시 타입 또는 구리메시 타입; 금속나노와이어 타입, 예를 들면, 실버나노와이어 타입; 이황화몰리브덴(MoS2) 필름 타입; 예를 들면, 이황화몰리브덴을 포함하는 2차원 물질이 단독으로 존재하거나 이들이 접합된 타입; 그래핀 필름 타입, 예를 들면, 그래핀이 하나 이상 적층되거나 적층된 사이에 유전체가 채워진 타입; ITO 필름 타입 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 타입일 수 있으며, 예를 들면, 실버메시 타입일 수 있다. The capacitive touch sensor 110 may be a metal mesh type, for example, a silver mesh type or a copper mesh type; Metal nanowire type, for example, silver nanowire type; Molybdenum disulfide (MoS 2 ) film type; For example, a two-dimensional material containing molybdenum disulfide exists alone or a type in which they are bonded; Graphene film type, for example, a type in which one or more graphenes are stacked or a dielectric is filled between stacked layers; It may be any one type selected from the group consisting of an ITO film type and a combination thereof, and may be, for example, a silver mesh type.

본 명세서에서 “압전센서(120)”는, 기계적인 외력이 가해지면 전압이 발생하거나 반대로 전압이 걸리면 기계적인 변형이 발생하는 압전소자(피에조소자)를 이용한 센서이고, 터치 시의 압력을 감지하여 동작하는 터치센서를 의미한다. 압전센서는 물체의 접촉 유무만을 감지하는 정전용량 터치센서와 달리 압력강도를 감지할 수 있다. In the present specification, the “piezoelectric sensor 120” is a sensor using a piezoelectric element (piezo element) that generates a voltage when a mechanical external force is applied, or mechanically deforms when a voltage is applied. It refers to a touch sensor that operates. The piezoelectric sensor can detect the pressure intensity, unlike a capacitive touch sensor that only detects whether or not an object is in contact.

상기 압전센서(120)는 PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-실리콘고무, PZT-에폭시, PZT-발포폴리머, PZT-발포 우레탄 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. The piezoelectric sensor 120 is PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-silicone rubber, PZT-epoxy, PZT-foaming polymer, PZT-foaming urethane, and combinations thereof. It may include any one selected from the group consisting of.

상기 정전용량식 터치센서(110)는 듀얼게이트 트랜지스터(200)의 상부게이트전극(270)과 연결되고, 압전센서(120)은 듀얼게이트 트랜지스터(200)의 하부게이트전극(210)과 연결될 수 있다(도 1). 또는, 상기 정전용량식 터치센서(110)는 듀얼게이트 트랜지스터(200)의 하부게이트전극(210)과 연결되고, 압전센서(120)은 듀얼게이트 트랜지스터(200)의 상부게이트전극(270)과 연결될 수 있다.The capacitive touch sensor 110 may be connected to the upper gate electrode 270 of the dual gate transistor 200, and the piezoelectric sensor 120 may be connected to the lower gate electrode 210 of the dual gate transistor 200. (Fig. 1). Alternatively, the capacitive touch sensor 110 is connected to the lower gate electrode 210 of the dual gate transistor 200, and the piezoelectric sensor 120 is connected to the upper gate electrode 270 of the dual gate transistor 200. I can.

본 명세서에서 “트랜지스터”란 증폭 작용과 스위칭(switching) 역할을 하는 반도체 소자로서 변화하는 저항을 통해 신호를 변환하는 전자소자를 의미하고, 특히 한 소자 내에 상부게이트와 하부게이트의 두가지 게이트전극이 한 반도체층과 두개의 절연층을 사이에 두고 위아래로 존재하는 트랜지스터를 “듀얼게이트 트랜지스터”라고 한다. In this specification, “transistor” refers to an electronic device that converts a signal through a changing resistance as a semiconductor device that plays an amplifying and switching role. In particular, two gate electrodes, an upper gate and a lower gate, are in one device. Transistors that exist above and below a semiconductor layer and two insulating layers are called “dual gate transistors”.

상기 듀얼게이트 트랜지스터(200)는 상부게이트전극과 하부게이트전극에 인가되는 게이트 전압을 조절하여 이동도와 문턱전압, 전류전멸비 등을 조절할 수 있다.The dual gate transistor 200 may control mobility, a threshold voltage, a current annihilation ratio, and the like by adjusting a gate voltage applied to an upper gate electrode and a lower gate electrode.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 듀얼게이트 트랜지스터(200)는 기판상에 형성 될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 전극을 증착시킬 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In an embodiment of the present invention, the dual gate transistor 200 may be formed on a substrate. For example, the gate electrode may be deposited on the substrate through a deposition method such as a sputtering method, but is not limited thereto.

상기 기판은 상기 기술분야에서 사용되는 것이면 한정하지 않고, 예를 들면, 규소 웨이퍼, 유리, 플라스틱 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 이용할 수 있고, 특히, 플라스틱과 같은 플렉서블한 기판을 사용할 경우, 플렉서블한 트랜지스터 모듈을 제조할 수 있으며, 나아가 플렉서블한 전자기기에도 이용이 가능하다. The substrate is not limited as long as it is used in the technical field, and for example, any one selected from the group consisting of silicon wafers, glass, plastics, and combinations thereof may be used. In particular, a flexible substrate such as plastic may be used. When used, a flexible transistor module can be manufactured, and furthermore, it can be used for a flexible electronic device.

또한, 상기 기판은 상기 듀얼게이트 트랜지스터(200)을 형성한 후, 제거하여 듀얼게이트 트랜지스터(200)만을 이용할 수도 있다.In addition, the substrate may be removed after forming the dual gate transistor 200 to use only the dual gate transistor 200.

상기 하부게이트전극(210)은 전류가 흐를 수 있는 금속 물질, 예를 들면, 알루미늄(Al); 알루미늄 합금; 몰리브덴(Mo); 몰리브덴 합금; 실버나노와이어(silver nanowire); 갈륨인듐유태틱(gallium indium eutectic); PEDOT:PSS; 투명전극, 예를 들면, ITO투명전극, IGO투명전극 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나; 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lower gate electrode 210 may include a metal material through which current may flow, for example, aluminum (Al); Aluminum alloy; Molybdenum (Mo); Molybdenum alloy; Silver nanowire; Gallium indium eutectic; PEDOT:PSS; Any one selected from the group consisting of a transparent electrode, for example, an ITO transparent electrode, an IGO transparent electrode, and a combination thereof; And it may include any one selected from the group consisting of a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 하부게이트절연층(220)은 유기 고분자, 예를 들면, 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있고, 산화물, 예를 들면, SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, Y2O3, Ta2O5 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The lower gate insulating layer 220 is an organic polymer, for example, polystyrene (PS, polystyrene), polymethacrylate (PMMA, polymethylmethacrylate), phenolic polymer, acrylic polymer, imide polymer such as polyimide, aryl ether. It may include any one selected from the group consisting of polymers, amide polymers, fluorine polymers, p-xylene polymers, vinyl alcohol polymers, parylene, and combinations thereof, and oxides, for example , SiO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 And may include any one selected from the group consisting of a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 반도체층(230)은 탄소 물질, 예를 들면, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nanotube); IZO(indium zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide); 산화물 반도체 물질, 예를 들면, IGZO(indium gallium zinc oxide); 유기반도체 물질, 예를 들면, 펜타센(pentacene), P3HT(poly-3-hexylthiophene); 금속나노선(metal nanowire); 갈륨 질화물(GaN) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The semiconductor layer 230 may include a carbon material such as graphene, carbon nanotube; Indium zinc oxide (IZO), zinc tin oxide (ZTO); Oxide semiconductor materials such as indium gallium zinc oxide (IGZO); Organic semiconductor materials such as pentacene, poly-3-hexylthiophene (P3HT); Metal nanowire; It may include one or more selected from the group consisting of gallium nitride (GaN) and combinations thereof, but is not limited thereto.

상기 상부게이트절연층(260)은 유기 고분자, 예를 들면, 폴리스타이렌, 폴리메타아크릴레이트, 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있고, 산화물, 예를 들면, SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, Y2O3, Ta2O5 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한 되는 것은 아니다.The upper gate insulating layer 260 is an organic polymer, for example, polystyrene, polymethacrylate, phenolic polymer, acrylic polymer, imide polymer such as polyimide, arylether polymer, amide polymer, fluorine polymer, It may include any one selected from the group consisting of p-xyrylene-based polymer, vinyl alcohol-based polymer, parylene, and combinations thereof, and oxides, for example, SiO 2 , Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , Ta 2 O 5 and may include any one selected from the group consisting of a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 상부게이트절연층(260)은 상기 하부게이트절연층(220)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The upper gate insulating layer 260 may include the same material as the lower gate insulating layer 220.

상기 상부게이트전극(270)은 전류가 흐를 수 있는 금속 물질, 예를 들면, 알루미늄(Al); 알루미늄 합금; 몰리브덴(Mo); 몰리브덴 합금; 실버나노와이어(silver nanowire); 갈륨인듐유태틱(gallium indium eutectic); PEDOT:PSS; 투명전극, 예를 들면, ITO투명전극, IGO투명전극 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나; 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The upper gate electrode 270 may include a metal material through which current may flow, for example, aluminum (Al); Aluminum alloy; Molybdenum (Mo); Molybdenum alloy; Silver nanowire; Gallium indium eutectic; PEDOT:PSS; Any one selected from the group consisting of a transparent electrode, for example, an ITO transparent electrode, an IGO transparent electrode, and a combination thereof; And it may include any one selected from the group consisting of a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 상부게이트전극(270)은 상기 하부게이트전극(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The upper gate electrode 270 may include the same material as the lower gate electrode 210.

상기 서로 이격되어 위치하는 소스전극(240) 및 드레인전극(250)은 동일한 물질을 포함할 수 있고, Au, Al, Ag, Mg, Ca, Yb, Cs-ITO 또는 이들의 합금 중에서 선택되는 단일층으로 형성될 수 있으며, 접착성을 향상시키기 위하여 Ti, Cr 또는 Ni과 같은 접착 금속층을 더욱 포함하여 다중층으로 형성될 수 있다.The source electrode 240 and the drain electrode 250 spaced apart from each other may include the same material, and a single layer selected from Au, Al, Ag, Mg, Ca, Yb, Cs-ITO, or an alloy thereof It may be formed of, and may be formed as a multi-layer, including an adhesive metal layer such as Ti, Cr, or Ni in order to improve the adhesion.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서(110)로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극(270)에 인가되고; 상기 압전센서(120)로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극(210)에 인가될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the voltage sensed by the capacitive touch sensor 110 is applied to the upper gate electrode 270; The voltage sensed by the piezoelectric sensor 120 may be applied to the lower gate electrode 210.

또는, 상기 정전용량식 터치센서(110)로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극(210)에 인가되고; 상기 압전센서(120)로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극(270)에 인가될 수 있다.Alternatively, the voltage sensed by the capacitive touch sensor 110 is applied to the lower gate electrode 210; The voltage sensed by the piezoelectric sensor 120 may be applied to the upper gate electrode 270.

결과적으로, 상부게이트전극(270) 및 하부게이트전극(210)에는 각각 독립적인 전압이 동시에 인가될 수 있다. As a result, independent voltages may be simultaneously applied to the upper gate electrode 270 and the lower gate electrode 210, respectively.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서(110)로부터 감지되는 전압과 압전센서(120)로부터 감지되는 전압은 독립적으로 감지될 수 있다. In an embodiment of the present invention, a voltage sensed from the capacitive touch sensor 110 and a voltage sensed from the piezoelectric sensor 120 may be independently sensed.

상기 정전용량식 터치센서(110)에서 감지되는 전압과 압전센서(120)에서 전압이 독립적으로 감지되므로, 상기 상부게이트전극(270) 및 하부게이트전극(210)에 동시에 인가되는 서로 다른 전압의 유형은 4가지 이상 일 수 있다. Since the voltage sensed by the capacitive touch sensor 110 and the voltage sensed by the piezoelectric sensor 120 are independently sensed, different voltage types applied to the upper gate electrode 270 and the lower gate electrode 210 at the same time Can be four or more.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)은 적층된 형태일 수 있다. 이로 인하여, 한 번의 터치 모션으로, 2 종 이상의 전압이 동시에 감지될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120 may be stacked. Due to this, two or more types of voltage can be sensed at the same time with one touch motion.

반면에, 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)이 적층된 형태임에도 불구하고 하나의 센서에서만 전압이 감지될 수도 있다. On the other hand, although the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120 are stacked, the voltage may be sensed only in one sensor.

예를 들면, 한번의 터치 모션으로, 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)에서 감지되는 전압은 i) 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120) 모두에서 감지되지 않거나, ii) 정전용량식 터치센서(110)에서만 감지되거나, iii) 압전센서(120)에서만 감지되거나, iv) 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)에서 모두 감지될 수 있다.For example, with one touch motion, the voltage detected by the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120 is i) not detected by both the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120 or , ii) the capacitive touch sensor 110, or iii) the piezoelectric sensor 120, or iv) the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120.

구체적으로, i) 터치 모션을 취하지 않는 경우 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)에서 전압이 감지되지 않을 수 있고, ii) 손가락등 전류가 흐르는 물체로 압력을 가하지 않고 터치 모션을 취하는 경우 정전용량식 터치센서(110)에서만 전압을 감지할 수 있다. Specifically, i) if the touch motion is not applied, the voltage may not be detected by the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120, and ii) the touch motion is performed without applying pressure to an object that flows current such as a finger. If taken, the voltage can be sensed only by the capacitive touch sensor 110.

또한, iii) 전류가 흐르지 않는 물체로 압력을 가하여 터치 모션을 취하는 경우 압전센서(120)에서만 전압을 감지할 수 있고, iv) 손가락등 전류가 흐르는 물체로 압력을 가하여 터치 모션을 취하는 경우, 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)에서 전압이 동시에 감지될 수 있다. In addition, iii) when a touch motion is performed by applying pressure to an object that does not flow, voltage can be detected only by the piezoelectric sensor 120, and iv) when a touch motion is performed by applying pressure to an object that flows current such as a finger, a power failure Voltage may be simultaneously sensed by the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120.

나아가, 터치 모션을 취하는 때에 가하는 압력강도에 따라 상기 상부게이트전극(270) 또는 하부게이트전극(210)에 인가되는 전압이 세부적으로 달라 질 수 있다.Further, the voltage applied to the upper gate electrode 270 or the lower gate electrode 210 may be changed in detail according to the pressure applied when the touch motion is applied.

본 발명의 일 양태는 상기 트랜지스터 모듈을 포함하는 터치센서를 제공한다. An aspect of the present invention provides a touch sensor including the transistor module.

상기 트랜지스터 모듈에 대한 설명은 상기 양태에서 설명한 것으로 갈음한다.The description of the transistor module is replaced with that described in the above embodiment.

본 발명의 일 실시예에서 상기 터치센서는 4가지 이상의 터치 레벨을 감지할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the touch sensor may detect four or more touch levels.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 터치센서의 드레인 전류를 측정한 실험 그래프이다. 3 is an experimental graph measuring a drain current of a touch sensor manufactured according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 터치센서의 전기적 특성을 확인하기 위하여, 도 1의 구조를 갖는 트랜지스터 모듈을 사용하여 듀얼게이트에의 전압 인가 양상에 따른 드레인 전류를 측정하였다. In order to check the electrical characteristics of the touch sensor of the present invention, a drain current according to a voltage application pattern to a dual gate was measured using a transistor module having the structure of FIG. 1.

도 3을 참조하면, 하부게이트전극(210)에만 전압이 인가될 경우 전압의 크기 변화에 따라 점선과 같이 특성 그래프가 나타나고, 하부게이트전극(210)과 상부게이트전극(270)에 동시에 전압이 인가될 경우에는 적색 그래프와 같이 왼쪽으로 이동된 특성 그래프가 관찰되었다. 또한, 상부의 정전용량식 터치센서(110)에 손가락 등 인체가 접촉되어 상부게이트전극(270)에 정전용량식 터치센서(110)로부터 감지된 전압(터치전압)이 더해지는 경우에는 청색 그래프와 같은 특성 그래프를 가지게 되는 것을 확인하였다.Referring to FIG. 3, when a voltage is applied only to the lower gate electrode 210, a characteristic graph is displayed as a dotted line according to a change in voltage level, and a voltage is applied to the lower gate electrode 210 and the upper gate electrode 270 at the same time. In the case of, the characteristic graph shifted to the left was observed as in the red graph. In addition, when a human body, such as a finger, is in contact with the upper capacitive touch sensor 110 and the voltage (touch voltage) sensed by the capacitive touch sensor 110 is added to the upper gate electrode 270, as shown in the blue graph. It was confirmed to have a characteristic graph.

압전센서(120)로부터 감지된 전압이 없이(압력 미감지) 하부게이트전극(210)에 기저전압(VgB)만이 공급되는 경우, 하부게이트전극(210)에 인가되는 전압은 “b1”에 해당하고, 압전센서(120)에 압력이 제공되어 하부게이트전극(210)에 압전센서(120)로부터 감지된 전압(압전전압)이 더해지는 경우, 하부게이트전극(210)에 인가되는 전압은 “b2”에 해당한다고 할 수 있다. When only a base voltage (V gB ) is supplied to the lower gate electrode 210 without a voltage sensed from the piezoelectric sensor 120 (no pressure detected), the voltage applied to the lower gate electrode 210 corresponds to “b1”. And, when pressure is applied to the piezoelectric sensor 120 and the voltage (piezoelectric voltage) sensed by the piezoelectric sensor 120 is added to the lower gate electrode 210, the voltage applied to the lower gate electrode 210 is “b2”. It can be said that it corresponds to.

이 경우, 상기 적색 및 청색 그래프에서 x축의 값이 b1 및 b2인 지점을 확인함으로써, 하부게이트전극(210) 및/또는 상부게이트전극(270)에 의해 자극이 감지되는지 여부에 따라 출력되는 드레인 전류 값을 확인할 수 있었다. 즉, (i) 하부게이트전극(210) 및 상부게이트전극(270)에 기저전압(VgB 및 VgT)만이 인가되는 경우에는 a2, (ii) 하부게이트전극(210)에 기저전압(VgB)만이 인가되고 상부게이트전극(270)에는 기저전압(VgT)과 터치전압이 함께 인가되는 경우에는 a4, (iii) 하부게이트전극(210)에 기저전압(VgB) 과 압전전압이 함께 인가되고 상부게이트전극(270)에 기저전압(VgT)과 터치전압이 함께 인가되는 경우에는 a3, 및 (iv) 하부게이트전극(210)에 기저전압(VgB)과 압전전압이 함께 인가되고 상부게이트전극(270)에는 기저전압(VgT)만이 인가되는 경우에는 a1에 해당한다. In this case, by checking the points where the x-axis values are b1 and b2 in the red and blue graphs, the drain current output according to whether stimulation is detected by the lower gate electrode 210 and/or the upper gate electrode 270 I was able to check the value. That is, (i) a lower gate electrode 210 and is impressed only the ground voltage (V gB and V gT) a top gate electrode 270 is a2, (ii) based on the lower gate electrode 210, a low voltage (V gB ) Is applied and a base voltage (V gT ) and a touch voltage are applied to the upper gate electrode 270 together, a4, (iii) a base voltage (V gB ) and a piezoelectric voltage are applied to the lower gate electrode 210 together. When the base voltage (V gT ) and the touch voltage are applied to the upper gate electrode 270 together, a3, and (iv) the base voltage (V gB ) and the piezoelectric voltage are applied to the lower gate electrode 210 together, and the upper When only the ground voltage V gT is applied to the gate electrode 270, it corresponds to a1.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의하여 제조된 터치센서를 손가락으로 터치하는 모션의 유형에 따른 전류를 상대적인 레벨로 표시한 그래프이다.4 is a graph showing a relative level of current according to a type of motion of touching a touch sensor manufactured according to an embodiment of the present invention with a finger.

도 4를 참조하면, (i) 모션을 취하지 않아 정전용량식 터치센서(110) 및 압전센서(120)에 의한 전압이 감지되지 않은 경우(a2)는 레벨2, (ii) 손가락이 터치센서에 단순히 접촉하여 정전용량식 터치센서(110)에 의한 전압만이 감지되는 경우(a4)는 레벨 0, (iii) 손가락으로 터치센서를 눌러 정전용량식 터치센서(110)와 압전센서(120) 모두에 의해 전압이 감지되는 경우(a3)는 레벨 1, 및 (iv) 손가락이 아닌 다른 물체(부도체)로 터치센서를 눌러 압전센서(120)에 의한 전압만이 감지되는 경우(a2)는 레벨 3으로 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 4, (i) when the voltage by the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120 is not detected because (i) motion is not performed (a2), a level 2, (ii) a finger is applied to the touch sensor. When only the voltage by the capacitive touch sensor 110 is detected by simply touching it (a4) is level 0, (iii) both the capacitive touch sensor 110 and the piezoelectric sensor 120 are pressed by pressing the touch sensor with a finger. When the voltage is detected by (a3) is level 1, and (iv) when only the voltage by the piezoelectric sensor 120 is detected by pressing the touch sensor with an object (non-conductor) other than a finger (a2) is level 3 It can be represented by

나아가, 상기 a3 및 a4 상태의 경우, 터치센서를 누르는 압력강도에 따라 압전센서(120)에 의해 감지되는 전압의 크기가 달라지므로, 세부적으로 전류레벨이 달라질 수 있다.Further, in the a3 and a4 states, since the magnitude of the voltage sensed by the piezoelectric sensor 120 is different according to the pressure strength pressing the touch sensor, the current level may be changed in detail.

실험 결과, 터치센서에의 자극 유형에 따라 4가지 이상의 레벨의 전류가 출력됨을 확인하였다(도 3 및 도 4).As a result of the experiment, it was confirmed that four or more levels of current were output according to the type of stimulation to the touch sensor (FIGS. 3 and 4).

본 발명의 일 양태는 상기 터치센서를 포함하는 전자기기를 제공한다. An aspect of the present invention provides an electronic device including the touch sensor.

본 발명의 터치센서는 4가지 이상의 터치 유형을 감지하여 4가지 이상의 레벨의 전류를 출력할 수 있고, 이러한 기능의 다양성을 소프트웨어적으로 적용하는 전자기기를 제공할 수 있다. The touch sensor of the present invention can detect four or more types of touch and output four or more levels of current, and can provide an electronic device that applies the diversity of these functions in software.

상기 전자기기는 예를 들면, i) 모션을 취하지 않는 경우 ii) 손가락이 센서에 닿았으나 누르지 않은 경우 iii) 손가락으로 압력을 가하여 센서를 누르는 경우 iv) 전류가 흐르지 않는 물체로 압력을 가하여 센서를 누르는 경우 등, 적어도 4가지의 모션을 인식하는 터치센서버튼을 포함할 수 있다.For example, if the electronic device does not take motion, ii) if a finger touches the sensor but does not press it iii) presses the sensor by applying pressure with a finger iv) applies pressure to an object that does not flow to the sensor. A touch sensor button for recognizing at least four motions, such as when pressed, may be included.

상기 전자기기는 적어도 4가지 모션을 인식하여 인식한 모션과 대응한 출력을 나타낼 수 있는 전자기기, 예를 들면, 휴대폰, 태블릿컴퓨터, 키오스크, 올인원컴퓨터, 냉장고, 스마트 텔레비젼, 도어락, 카메라 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함할 수 있다. The electronic device recognizes at least four motions and displays an output corresponding to the recognized motion, for example, a mobile phone, a tablet computer, a kiosk, an all-in-one computer, a refrigerator, a smart TV, a door lock, a camera, and their It may include any one selected from the group consisting of a combination.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustrative purposes only, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that other specific forms can be easily modified without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and are not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

Claims (11)

정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하고;
상기 듀얼게이트 트랜지스터는
하부게이트전극;
상기 하부게이트전극 상부에 위치한 하부게이트절연층;
상기 하부게이트절연층 상부에 위치한 반도체층;
상기 반도체층 상부에 위치한 상부게이트절연층;
상기 상부게이트절연층 상부에 위치한 상부게이트전극; 및
서로 이격되어 위치하는 소스전극 및 드레인전극;
을 포함하고,
상기 정전용량식 터치센서 및 압전센서에서 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극 및 하부게이트전극에 각각 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.A capacitive touch sensor, a piezoelectric sensor, and a dual gate transistor;
The dual gate transistor is
A lower gate electrode;
A lower gate insulating layer positioned on the lower gate electrode;
A semiconductor layer positioned on the lower gate insulating layer;
An upper gate insulating layer positioned on the semiconductor layer;
An upper gate electrode positioned on the upper gate insulating layer; And
A source electrode and a drain electrode positioned to be spaced apart from each other;
Including,
A transistor module, characterized in that voltages sensed by the capacitive touch sensor and the piezoelectric sensor are applied to the upper gate electrode and the lower gate electrode, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 정전용량식 터치센서로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극에 인가되고;
상기 압전센서로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.The method of claim 1,
A voltage sensed by the capacitive touch sensor is applied to the upper gate electrode;
A transistor module, characterized in that the voltage sensed by the piezoelectric sensor is applied to the lower gate electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 정전용량식 터치센서로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극에 인가되고;
상기 압전센서로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.The method of claim 1,
A voltage sensed by the capacitive touch sensor is applied to the lower gate electrode;
A transistor module, characterized in that the voltage sensed by the piezoelectric sensor is applied to the upper gate electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 상부게이트전극 및 하부게이트전극에 동시에 인가되는 서로 다른 전압의 유형은 4가지 이상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈. The method of claim 1,
Transistor module, characterized in that four or more types of different voltages simultaneously applied to the upper gate electrode and the lower gate electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 정전용량식 터치센서 및 압전센서는 적층된 형태인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.The method of claim 1,
The transistor module, wherein the capacitive touch sensor and the piezoelectric sensor are stacked. 제 1 항에 있어서,
상기 정전용량식 터치센서는 금속메시 타입, 금속나노와이어 타입, 이황화몰리브덴(MoS2) 필름 타입, 그래핀 필름 타입, ITO 필름 타입 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 타입인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.The method of claim 1,
The capacitive touch sensor is any one type selected from the group consisting of a metal mesh type, a metal nanowire type, a molybdenum disulfide (MoS 2 ) film type, a graphene film type, an ITO film type, and a combination thereof. Transistor module. 제 1 항에 있어서,
상기 압전센서는 PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-실리콘고무, PZT-에폭시, PZT-발포폴리머, PZT-발포 우레탄 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.The method of claim 1,
The piezoelectric sensor is in the group consisting of PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-silicone rubber, PZT-epoxy, PZT-foaming polymer, PZT-foaming urethane, and combinations thereof. Transistor module comprising any one selected. 제 1 항에 있어서,
상기 반도체층은 탄소 물질; 산화물 반도체 물질; 유기반도체 물질; 금속나노와이어(metal nanowire); 갈륨 질화물(GaN) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈.The method of claim 1,
The semiconductor layer is a carbon material; Oxide semiconductor materials; Organic semiconductor materials; Metal nanowire; A transistor module comprising at least one selected from the group consisting of gallium nitride (GaN) and combinations thereof. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 트랜지스터 모듈을 포함하는 터치센서. A touch sensor comprising the transistor module of any one of claims 1 to 8. 제 9 항에 있어서,
상기 터치센서는 4가지 이상의 터치 레벨을 감지하는 것을 특징으로 하는 터치센서.The method of claim 9,
The touch sensor, characterized in that for detecting four or more touch levels. 제 9 항의 터치센서를 포함하는 전자기기.An electronic device comprising the touch sensor of claim 9.
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