KR102248686B1 - Outside memory access system - Google Patents

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KR102248686B1
KR102248686B1 KR1020200018501A KR20200018501A KR102248686B1 KR 102248686 B1 KR102248686 B1 KR 102248686B1 KR 1020200018501 A KR1020200018501 A KR 1020200018501A KR 20200018501 A KR20200018501 A KR 20200018501A KR 102248686 B1 KR102248686 B1 KR 102248686B1
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조정흠
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엘에스일렉트릭(주)
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Abstract

A system for accessing an external memory according to one embodiment of the present invention comprises: a signal generation unit that generates and provides a low level signal or a high level signal according to whether or not an operating voltage is applied; an external memory that operates at an operating voltage lower than an operating voltage of the signal generation unit and stores the data; and a microcontroller unit that determines whether or not the external memory is normal according to a signal type and loads the data from the external memory when receiving the low level signal or the high level signal from the signal generation unit. Therefore, the present invention is capable of having an advantage of being able to prevent malfunctions that occur in advance.

Description

외부 메모리 접근 시스템{OUTSIDE MEMORY ACCESS SYSTEM}External memory access system {OUTSIDE MEMORY ACCESS SYSTEM}

본 발명은 외부 메모리 접근 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마이크로 컨트롤러 유닛에서 외부 메모리 접근 시 외부 메모리의 전압 불안정으로 인하여 발생하는 오동작을 사전에 방지할 수 있도록 하는 외부 메모리 접근 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an external memory access system, and more particularly, to an external memory access system capable of preventing a malfunction caused by voltage instability of an external memory when a microcontroller unit accesses the external memory.

일반적으로 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU: Micro Controller Unit)는 장치 등의 조작이나 프로세스를 제어하는 역할을 수행하는 집적 회로(IC)를 나타낸다. 일상생활에서 사용되는 TV나 모니터 등 가전제품이나 전자기기, 산업용 장비에 기능을 프로그램으로 구현하고 사용하기 위해 상기의 마이크로 컨트롤러 유닛 IC를 사용한다. In general, a microcontroller unit (MCU) refers to an integrated circuit (IC) that plays a role of controlling an operation or process of a device or the like. The above microcontroller unit IC is used to implement and use functions in home appliances, electronic devices, and industrial equipment such as TVs and monitors used in daily life as a program.

이러한 마이크로 컨트롤러 유닛은 설정된 값을 저장할 수 있도록 쓰고, 읽기 위해서 내부 메모리를 포함하며, 마이크로 컨트롤러 유닛은 내부 메모리를 포함하고 있지 않은 경우 외부 메모리를 사용하여 필요에 따라 외부 메모리에 접근하여 외부 메모리에 저장된 데이터를 로딩하여 사용한다. These microcontroller units include internal memory for writing and reading to store the set values, and if the microcontroller unit does not contain internal memory, it uses external memory to access external memory and stores it in external memory. Load and use data.

이를 위해, 마이크로 컨트롤러 유닛은 동작 전압이 인가되면 외부 메모리의 데이터의 정상 여부에 따라 외부 메모리의 데이터를 로딩하거나 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅한다. To this end, when an operating voltage is applied, the microcontroller unit loads data from an external memory or loads initial data defined as defaults to boot according to whether the data of the external memory is normal.

즉, 마이크로 컨트롤러 유닛은 동작 전압이 인가된 후 외부 메모리에 저장된 데이터가 정상이면 외부 메모리의 데이터를 로딩하여 부팅을 완료하고, 외부 메모리에 저장된 데이터가 정상이 아니면 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다. In other words, if the data stored in the external memory is normal after the operation voltage is applied, the microcontroller unit loads the data from the external memory to complete the boot. It loads and completes booting.

상기와 같이, 마이크로 컨트롤러 유닛은 동작 전압이 인가되면 부팅을 시작한 후 외부 메모리에 저장된 데이터 또는 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩한 후, 부팅을 완료한다. As described above, when the operating voltage is applied, the microcontroller unit starts booting, loads data stored in an external memory or initial data defined as an internal default, and then completes booting.

하지만, 마이크로 컨트롤러 유닛 및 외부 메모리에 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 전압보다 크고 외부 메모리의 동작 전압보다 작은 값의 전압이 인가되면, 외부 메모리의 전압이 정상이 아니기 때문에 마이크로 컨트롤러 유닛은 외부 메모리에 저장된 데이터의 정상 여부와 상관없이 외부 메모리의 에러 알림 메시지를 제공하거나 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하게 되는 오작동을 야기시킨다. However, if a voltage of a value greater than the operating voltage of the microcontroller unit and less than the operating voltage of the external memory is applied to the microcontroller unit and the external memory, the voltage of the external memory is not normal, and the microcontroller unit is Regardless of whether it is normal or not, an error notification message from an external memory is provided or a malfunction occurs in which initial data defined as an internal default is loaded.

본 발명은 마이크로 컨트롤러 유닛에서 외부 메모리 접근 시 외부 메모리의 전압 불안정으로 인하여 발생하는 오동작을 사전에 방지할 수 있도록 하는 외부 메모리 접근 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an external memory access system capable of preventing a malfunction caused by voltage instability of an external memory when a microcontroller unit accesses an external memory.

또한, 본 발명은 외부 메모리의 동작 전압보다 높은 동작 전압을 가지는 신호 생성부가 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 출력할 때에 외부 메모리의 전압이 정상 이라고 판단하여 외부 메모리의 데이터를 로딩할 수 있도록 하는 외부 메모리 접근 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention determines that the voltage of the external memory is normal when the signal generator having an operating voltage higher than the operating voltage of the external memory outputs a high level signal, so that data from the external memory can be loaded. It aims to provide an external memory access system.

또한, 본 발명은 외부 메모리의 동작 전압보다 높은 동작 전압을 가지는 신호 생성부가 로우 레벨 신호(Low level signal)를 출력할 때에는 외부 메모리의 전압이 정상이 아니라고 판단하여 아무런 동작을 실행하지 않기 때문에 외부 메모리의 접근 자체를 사전에 방지할 수 있도록 하는 외부 메모리 접근 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, in the present invention, when a signal generator having an operating voltage higher than the operating voltage of the external memory outputs a low level signal, the external memory determines that the voltage of the external memory is not normal and does not perform any operation. The purpose of this is to provide an external memory access system that enables users to prevent access to themselves in advance.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects and advantages of the present invention that are not mentioned can be understood by the following description, and will be more clearly understood by examples of the present invention. In addition, it will be easily understood that the objects and advantages of the present invention can be realized by the means shown in the claims and combinations thereof.

이러한 목적을 달성하기 위한 외부 메모리 접근 시스템은 동작 전압이 인가되었는지 여부에 따라 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 생성하여 제공하는 신호 생성부, 상기 신호 생성부보다 낮은 동작 전압에서 동작하며 데이터가 저장되어 있는 외부 메모리 및 상기 신호 생성부로부터 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신하면 신호의 종류에 따라 상기 외부 메모리의 정상 여부를 판단하여 상기 외부 메모리에서 데이터를 로딩하는 마이크로 컨트롤러 유닛를 포함한다.The external memory access system for achieving this purpose is a signal generator that generates and provides a low level signal or a high level signal according to whether an operating voltage is applied, and the signal generator. When a low level signal or a high level signal is received from an external memory that operates at a low operating voltage and stores data and the signal generator, whether the external memory is normal according to the type of signal. And a microcontroller unit that determines and loads data from the external memory.

상기의 신호 생성부는 상기 동작 전압이 인가되기 전에 상기 로우 레벨 신호(Low level signal)를 생성하여 상기 마이크로 컨트롤러 유닛에 제공하고, 상기 동작 전압이 인가되면 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 생성하여 상기 마이크로 컨트롤러 유닛에 제공한다.The signal generator generates the low level signal before the operating voltage is applied and provides it to the microcontroller unit, and when the operating voltage is applied, generates a high level signal to the microcontroller unit. Provided to the microcontroller unit.

상기의 마이크로 컨트롤러 유닛은 상기 신호 생성부로부터 상기 로우 레벨 신호(Low level signal)를 수신하면 상기 외부 메모리의 전압이 정상 전압이 아니라고 판단하여 상기 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신될 때까지 대기한다.When the microcontroller unit receives the low level signal from the signal generator, it determines that the voltage of the external memory is not a normal voltage and waits until the high level signal is received. do.

상기의 마이크로 컨트롤러 유닛은 상기 신호 생성부로부터 상기 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신하면 상기 외부 메모리의 전압이 정상 전압이라고 판단하고, 상기 외부 메모리에서 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다.When receiving the high level signal from the signal generator, the microcontroller unit determines that the voltage of the external memory is a normal voltage, and loads data from the external memory to complete booting.

상기의 마이크로 컨트롤러 유닛은 상기 외부 메모리의 데이터가 정상이 아니면 에러 알림 메시지를 제공한 후 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다. If the data in the external memory is not normal, the microcontroller unit provides an error notification message and then loads initial data defined as defaults to complete booting.

전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 마이크로 컨트롤러 유닛에서 외부 메모리 접근 시 외부 메모리의 전압 불안정으로 인하여 발생하는 오동작을 사전에 방지할 수 있다는 장점이 있다. According to the present invention as described above, when the microcontroller unit accesses the external memory, there is an advantage in that a malfunction caused by voltage instability of the external memory can be prevented in advance.

또한 본 발명에 의하면, 외부 메모리의 동작 전압보다 높은 동작 전압을 가지는 신호 생성부가 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 출력할 때에 외부 메모리의 전압이 정상 이라고 판단하여 외부 메모리의 데이터를 로딩할 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to the present invention, when the signal generator having an operating voltage higher than the operating voltage of the external memory outputs a high level signal, it is possible to load data from the external memory by determining that the voltage of the external memory is normal. There is an advantage.

또한 본 발명에 의하면, 외부 메모리의 동작 전압보다 높은 동작 전압을 가지는 신호 생성부가 로우 레벨 신호(Low level signal)를 출력할 때에는 외부 메모리의 전압이 정상이 아니라고 판단하여 아무런 동작을 실행하지 않기 때문에 외부 메모리의 접근 자체를 사전에 방지할 수 있다는 장점이 있다.In addition, according to the present invention, when a signal generator having an operating voltage higher than the operating voltage of the external memory outputs a low level signal, it determines that the voltage of the external memory is not normal and does not perform any operation. There is an advantage in that access to the memory itself can be prevented in advance.

도 1은 종래의 외부 메모리 접근 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 종래의 외부 메모리 접근 시스템에서 오류 발생 시점의 인가 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 종래의 외부 메모리 접근 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 메모리 접근 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 메모리 접근 시스템의 내부 구성 요소의 동작 전압을 설명하기 위한 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 외부 메모리 접근 방법의 일 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a block diagram illustrating a conventional external memory access system.
2 is a diagram for explaining an applied voltage at a time when an error occurs in a conventional external memory access system.
3 is a flowchart illustrating a conventional external memory access method.
4 is a block diagram illustrating an external memory access system according to an embodiment of the present invention.
5 is a graph for explaining operating voltages of internal components of an external memory access system according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating an embodiment of a method for accessing an external memory according to the present invention.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.The above-described objects, features, and advantages will be described later in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, one of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar elements.

도 1은 종래의 외부 메모리 접근 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a conventional external memory access system.

도 1을 참조하면, 외부 메모리 접근 시스템은 마이크로 컨트롤러 유닛(10) 및 외부 메모리(20)를 포함한다. Referring to FIG. 1, an external memory access system includes a microcontroller unit 10 and an external memory 20.

마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가되면 외부 메모리(20)의 데이터의 정상 여부에 따라 외부 메모리(20)의 데이터를 로딩하거나 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅한다. When an operating voltage is applied, the microcontroller unit 10 loads data of the external memory 20 or loads initial data defined as defaults and boots according to whether the data of the external memory 20 is normal.

즉, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가된 후 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이면 외부 메모리(20)의 데이터를 로딩하여 부팅을 완료하고, 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이 아니면 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다.That is, if the data stored in the external memory 20 is normal after the operation voltage is applied, the microcontroller unit 10 loads the data in the external memory 20 to complete booting, and the data stored in the external memory 20 is If it is not normal, it loads the initial data defined as internal default and completes booting.

상기와 같이, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가되면 부팅을 시작한 후 외부 메모리(20)에 저장된 데이터 또는 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩한 후, 부팅을 완료한다. As described above, when the operating voltage is applied, the microcontroller unit 10 starts booting, loads data stored in the external memory 20 or initial data defined as an internal default, and then completes booting.

하지만, 마이크로 컨트롤러 유닛(10) 및 외부 메모리(20)에 마이크로 컨트롤러 유닛(10)의 동작 전압보다 크고 외부 메모리(20)의 동작 전압보다 작은 값은 전압이 인가되면, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터의 정상 여부와 상관없이 외부 메모리(20)의 에러 알림 메시지를 제공하거나 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하게 되는 오작동을 야기시킨다. However, when a voltage is applied to the microcontroller unit 10 and the external memory 20 to a value greater than the operating voltage of the microcontroller unit 10 and less than the operating voltage of the external memory 20, the microcontroller unit 10 Irrespective of whether the data stored in the external memory 20 is normal or not, an error notification message of the external memory 20 is provided or a malfunction is caused in which initial data defined as an internal default is loaded.

도 2는 종래의 외부 메모리 접근 시스템에서 오류 발생 시점의 인가 전압을 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram for explaining an applied voltage at a time when an error occurs in a conventional external memory access system.

도 2를 참조하면, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가되면 부팅을 시작한 후, 외부 메모리(20)의 데이터가 정상인지 여부에 따라 외부 메모리(20)에 저장된 데이터 또는 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩한 후, 부팅을 완료한다. Referring to FIG. 2, the microcontroller unit 10 starts booting when an operating voltage is applied, and is defined as data stored in the external memory 20 or internal default according to whether the data in the external memory 20 is normal. After loading the initial data, booting is completed.

하지만, 마이크로 컨트롤러 유닛(10) 및 외부 메모리(20)에 참조번호(23)과 같이 마이크로 컨트롤러 유닛(10)의 동작 전압(23)보다 크고 (20)의 동작 전압(21)보다 작은 값의 전압(22)이 실제 인가되면, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터의 정상 여부와 상관없이 외부 메모리(20)의 에러 알림 메시지를 제공하거나 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하게 되는 오작동을 야기시킨다. However, in the microcontroller unit 10 and the external memory 20, a voltage of a value that is greater than the operating voltage 23 of the microcontroller unit 10 and less than the operating voltage 21 of the microcontroller unit 10, as shown by reference numeral 23 When (22) is actually applied, the microcontroller unit 10 provides an error notification message of the external memory 20, regardless of whether the data stored in the external memory 20 is normal, or the initial data defined as an internal default. Causes a malfunction that leads to loading.

도 3은 종래의 외부 메모리 접근 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a conventional external memory access method.

도 3을 참조하면, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가되면 부팅을 시작하고(단계 S30), 외부 메모리(20)의 데이터의 정상 여부에 따라(단계 S31) 외부 메모리(20)의 데이터를 로딩하거나(단계 S32) 외부 메모리(20)의 에러 알림 메시지를 제공한 후(단계 S33), 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여(단계 S34) 부팅을 완료한다(단계 S35). 3, the microcontroller unit 10 starts booting when an operating voltage is applied to the microcontroller unit 10 (step S30), depending on whether the data in the external memory 20 is normal (step S31). After loading the data of the external memory 20 (step S32) or providing an error notification message of the external memory 20 (step S33), the initial data defined as the internal default is loaded (step S34) to complete booting. (Step S35).

즉, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가되면 부팅을 시작하고, 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이면(단계 S31) 외부 메모리(20)의 데이터를 로딩하여 부팅을 완료하고(단계 S33), 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이 아니면(단계 S31) 외부 메모리(20)의 에러 알림 메시지를 제공한 후(단계 S33), 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다(단계 S34). That is, the microcontroller unit 10 starts booting when the operating voltage is applied, and if the data stored in the external memory 20 is normal (step S31), the booting is completed by loading the data of the external memory 20 (step S31). S33), if the data stored in the external memory 20 is not normal (step S31), after providing an error notification message of the external memory 20 (step S33), booting is performed by loading initial data defined as internal defaults. It is completed (step S34).

상기와 같이, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 동작 전압이 인가되면 부팅을 시작한 후 외부 메모리(20)에 저장된 데이터 또는 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩한 후, 부팅을 완료한다. As described above, when the operating voltage is applied, the microcontroller unit 10 starts booting, loads data stored in the external memory 20 or initial data defined as an internal default, and then completes booting.

하지만, 마이크로 컨트롤러 유닛(10) 및 외부 메모리(20)에 마이크로 컨트롤러 유닛(10)의 동작 전압보다 크고 외부 메모리(20)의 동작 전압보다 작은 값은 전압이 인가되면, 마이크로 컨트롤러 유닛(10)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터의 정상 여부와 상관없이 외부 메모리(20)의 에러 알림 메시지를 제공하거나 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하게 되는 오작동을 야기시킨다. However, when a voltage is applied to the microcontroller unit 10 and the external memory 20 to a value greater than the operating voltage of the microcontroller unit 10 and less than the operating voltage of the external memory 20, the microcontroller unit 10 Irrespective of whether the data stored in the external memory 20 is normal or not, an error notification message of the external memory 20 is provided or a malfunction is caused in which initial data defined as an internal default is loaded.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 메모리 접근 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.4 is a block diagram illustrating an external memory access system according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 외부 메모리 접근 시스템(400)은 전원 공급 장치(410), 레귤레이터(420), 마이크로 컨트롤러 유닛(430), 외부 메모리(440) 및 신호 생성부(450)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the external memory access system 400 includes a power supply device 410, a regulator 420, a microcontroller unit 430, an external memory 440, and a signal generator 450.

전원 공급 장치(410)는 특정 전압의 전원을 레귤레이터(420)에 공급하여 레귤레이터(420)로 하여금 특정 전압을 마이크로 컨트롤러 유닛(430), 외부 메모리(440) 및 신호 생성부(450) 각각의 구동을 위한 전압으로 변환하도록 한다. The power supply device 410 supplies power of a specific voltage to the regulator 420 to cause the regulator 420 to apply a specific voltage to the microcontroller unit 430, the external memory 440, and the signal generator 450, respectively. Convert it to a voltage for.

예를 들어, 전원 공급 장치(410)는 5V의 전원을 레귤레이터(420)에 제공한다. For example, the power supply device 410 provides 5V of power to the regulator 420.

레귤레이터(420)는 전원 공급 장치(410)로부터 공급된 특정 전압의 전원을 마이크로 컨트롤러 유닛(430), 외부 메모리(440) 및 신호 생성부(450) 각각을 구동하기 위한 전압으로 변환한다. The regulator 420 converts power of a specific voltage supplied from the power supply device 410 into a voltage for driving each of the microcontroller unit 430, the external memory 440, and the signal generator 450.

예를 들어, 레귤레이터(420)는 전원 공급 장치(410)로부터 5V의 전원을 공급받으면, 마이크로 컨트롤러 유닛(430), 외부 메모리(440) 및 신호 생성부(450) 각각을 구동하기 위한 3.3V로 변환한다.For example, when the regulator 420 receives 5V of power from the power supply device 410, the regulator 420 becomes 3.3V for driving each of the microcontroller unit 430, the external memory 440, and the signal generator 450. Convert.

마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 프로그래밍을 통해 다양한 알고리즘 및 해당 동작의 명령을 담당한다. The microcontroller unit 430 is responsible for various algorithms and commands for corresponding operations through programming.

먼저, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 부팅을 시작한 후에 신호 생성부(450)로부터 신호를 수신하면, 신호의 종류에 따라 외부 메모리(440)의 전압이 정상적인지 여부를 판단한다. 이때, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 신호 생성부(450)로부터 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신한다. First, when the microcontroller unit 430 starts booting and receives a signal from the signal generator 450, it determines whether the voltage of the external memory 440 is normal according to the type of the signal. In this case, the microcontroller unit 430 receives a low level signal or a high level signal from the signal generator 450.

일 실시예에서, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 신호 생성부(450)로부터 로우 레벨 신호(Low level signal)를 수신한 경우, 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아니라고 판단하여 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않는다. In an embodiment, when receiving a low level signal from the signal generator 450, the microcontroller unit 430 determines that the voltage of the external memory 440 is not a normal voltage, and thus the high level signal ( No operation is performed until High Level Signal) is received.

상기와 같이, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않기 때문에 외부 메모리(440)의 접근 자체를 사전에 방지할 수 있다.As described above, since the microcontroller unit 430 does not perform any operation until a high level signal is received, access to the external memory 440 itself can be prevented in advance.

다른 일 실시예에서, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 신호 생성부(450)로부터 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신한 경우, 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이라고 판단하여 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다. In another embodiment, when receiving a high level signal from the signal generator 450, the microcontroller unit 430 determines that the voltage of the external memory 440 is a normal voltage, and the external memory 440 ) To complete booting.

이때, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상인지 여부를 확인한 후 확인 결과에 따라 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩하여 부팅을 완료하거나, 에러 알림 메시지를 제공한 후 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다. At this time, the microcontroller unit 430 checks whether the data stored in the external memory 20 is normal, and loads data from the external memory 440 according to the check result to complete booting or provides an error notification message. Booting is completed by loading initial data defined as internal defaults.

일 실시예에서, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이면, 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다.In one embodiment, if the data stored in the external memory 20 is normal, the microcontroller unit 430 loads data from the external memory 440 and completes booting.

다른 일 실시예에서, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이 아니면, 에러 알림 메시지를 제공한 후 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다. In another embodiment, if the data stored in the external memory 20 is not normal, the microcontroller unit 430 provides an error notification message and then loads initial data defined as defaults to complete booting.

신호 생성부(450)는 외부 메모리(440)의 동작 전압보다 높은 전압에서 동작하며, 동작 전압이 인가되는지 여부에 따라 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공한다. The signal generator 450 operates at a voltage higher than the operating voltage of the external memory 440, and converts a low level signal or a high level signal to a microcontroller according to whether an operating voltage is applied. It is provided to the unit 430.

일 실시예에서, 신호 생성부(450)는 동작 전압이 인가되지 않으면 로우 레벨 신호(Low level signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공한다. In an embodiment, the signal generator 450 provides a low level signal to the microcontroller unit 430 when an operating voltage is not applied.

상기와 같이, 신호 생성부(450)가 동작하지 않는다는 것은 신호 생성부(450) 보다 동작 전압이 낮은 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아니라는 것을 의미한다. 이러한 이유로, 신호 생성부(450)가 출력하는 로우 레벨 신호(Low level signal)는 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아님을 확인하는데 활용될 수 있는 것이다. As described above, that the signal generator 450 does not operate means that the voltage of the external memory 440, which has an operating voltage lower than that of the signal generator 450, is not a normal voltage. For this reason, the low level signal output from the signal generator 450 can be used to confirm that the voltage of the external memory 440 is not a normal voltage.

따라서, 신호 생성부(450)는 동작 전압이 인가되기 전에 로우 레벨 신호(Low level signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공함으로써 마이크로 컨트롤러 유닛(430)로 하여금 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아님임을 확인하여 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 동작을 멈추도록 하여 외부 메모리(440)의 접근 자체를 사전에 방지할 수 있다.Therefore, the signal generator 450 provides a low level signal to the microcontroller unit 430 before the operating voltage is applied, thereby causing the microcontroller unit 430 to have a normal voltage of the external memory 440. By checking that it is not a voltage and stopping the operation until a high level signal is received, access to the external memory 440 itself can be prevented in advance.

다른 일 실시예에서, 신호 생성부(450)는 동작 전압이 인가되면 하이 레벨 신호(High level signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공한다. In another embodiment, the signal generator 450 provides a high level signal to the microcontroller unit 430 when an operating voltage is applied.

상기와 같이, 신호 생성부(450)가 정상적으로 동작한다는 것은 신호 생성부(450) 보다 동작 전압이 낮은 외부 메모리(440)는 정상적으로 동작하는 것을 의미한다. 이러한 이유로, 신호 생성부(450)가 출력하는 하이 레벨 신호(High level signal)는 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압임을 확인하는데 활용될 수 있는 것이다. As described above, that the signal generator 450 operates normally means that the external memory 440 having an operating voltage lower than that of the signal generator 450 operates normally. For this reason, the high level signal output from the signal generator 450 can be used to confirm that the voltage of the external memory 440 is a normal voltage.

따라서, 신호 생성부(450)는 동작 전압이 인가됨에 따라 하이 레벨 신호(High level signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공함으로써 마이크로 컨트롤러 유닛(430)로 하여금 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압임을 확인하여 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩할 수 있도록 한다. Accordingly, the signal generator 450 provides a high level signal to the microcontroller unit 430 as the operating voltage is applied, causing the microcontroller unit 430 to cause the voltage of the external memory 440 to be normal. The voltage is checked so that data can be loaded from the external memory 440.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 메모리 접근 시스템의 내부 구성 요소의 동작 전압을 설명하기 위한 그래프이다. 5 is a graph for explaining operating voltages of internal components of an external memory access system according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 참조번호(51)과 같이 신호 생성부(450)는 외부 메모리(440)의 동작 전압보다 높은 전압에서 동작하며, 동작 전압이 인가되는지 여부에 따라 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공한다. Referring to FIG. 5, the signal generator 450 operates at a voltage higher than the operating voltage of the external memory 440, as indicated by reference numeral 51, and a low level signal is applied depending on whether the operating voltage is applied. ) Or a high level signal to the microcontroller unit 430.

즉, 신호 생성부(450)는 동작 전압이 인가되지 않으면 동작하지 않아 로우 레벨 신호(Low level signal)를 마이크로 컨트롤러 유닛(430)에 제공하며, 상기와 같이, 신호 생성부(450)가 동작하지 않는다는 것은 신호 생성부(450) 보다 동작 전압이 낮은 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아니라는 것을 의미한다. That is, the signal generation unit 450 does not operate when an operating voltage is not applied, and thus provides a low level signal to the microcontroller unit 430, and as described above, the signal generation unit 450 does not operate. "No" means that the voltage of the external memory 440 whose operating voltage is lower than that of the signal generator 450 is not a normal voltage.

상기와 같이, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 신호 생성부(450)로부터 로우 레벨 신호(Low level signal)를 수신한 경우, 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아니라고 판단하여 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않는다. As described above, when receiving a low level signal from the signal generator 450, the microcontroller unit 430 determines that the voltage of the external memory 440 is not a normal voltage, Level Signal) is received.

만일, 마이크로 컨트롤러 유닛(10) 및 외부 메모리(20)에 참조번호(54)과 같이 마이크로 컨트롤러 유닛(10)의 동작 전압보다 크고 참조번호(52)와 같이 외부 메모리(20)의 동작 전압보다 작은 값은 참조번호(53)와 같은 전압이 인가되더라도 신호 생성부(450)로부터 로우 레벨 신호(Low level signal)를 수신하면 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아니라고 판단하여 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않는다. If the operating voltage of the microcontroller unit 10 and the external memory 20 is greater than the operating voltage of the microcontroller unit 10 as shown by reference numeral 54 and smaller than the operating voltage of the external memory 20 as shown in reference numeral 52 Even if the same voltage as reference numeral 53 is applied, when a low level signal is received from the signal generator 450, it is determined that the voltage of the external memory 440 is not a normal voltage, Level Signal) is received.

결론적으로, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않기 때문에 외부 메모리(440)의 접근 자체를 사전에 방지할 수 있다.In conclusion, since the microcontroller unit 430 does not perform any operation until a high level signal is received, access to the external memory 440 itself can be prevented in advance.

도 6은 본 발명에 따른 외부 메모리 접근 방법의 일 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.6 is a flowchart illustrating an embodiment of an external memory access method according to the present invention.

도 6을 참조하면, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 부팅을 시작한 후(단계 S610), 신호 생성부(450)로부터 수신된 신호가 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)인지 확인한다. Referring to FIG. 6, after the microcontroller unit 430 starts booting (step S610), a signal received from the signal generator 450 is a low level signal or a high level signal. Make sure it is.

마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 신호 생성부(450)로부터 수신된 신호가 로우 레벨 신호(Low level signal)이면 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이 아니라고 판단하여 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않는다.If the signal received from the signal generator 450 is a low level signal, the microcontroller unit 430 determines that the voltage of the external memory 440 is not a normal voltage, and thus a high level signal is generated. No action is performed until received.

상기와 같이, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 하이 레벨 신호(High Level Signal)가 수신될 때까지 아무런 동작을 실행하지 않기 때문에 외부 메모리(440)의 접근 자체를 사전에 방지할 수 있다.As described above, since the microcontroller unit 430 does not perform any operation until a high level signal is received, access to the external memory 440 itself can be prevented in advance.

한편, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 신호 생성부(450)로부터 수신된 신호가 하이 레벨 신호(High Level Signal)이면(단계 S620) 외부 메모리(440)의 전압이 정상 전압이라고 판단하여 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다(단계 S640). Meanwhile, if the signal received from the signal generator 450 is a high level signal (step S620), the microcontroller unit 430 determines that the voltage of the external memory 440 is a normal voltage, and the external memory 440 ) To complete booting (step S640).

이를 위해, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상인지 여부를 확인한 후(단계 S630) 확인 결과에 따라 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩하거나(단계 S640) 에러 알림 메시지를 제공한 후(단계 S650) 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료한다(단계 S660). To this end, the microcontroller unit 430 checks whether the data stored in the external memory 20 is normal (step S630), and then loads the data from the external memory 440 according to the check result (step S640), or an error notification message After providing (step S650), the initial data defined as the default inside is loaded to complete the booting (step S660).

일 실시예에서, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이면(단계 S630), 외부 메모리(440)에서 데이터를 로딩하여(단계 S640) 부팅을 완료한다(단계 S670).In one embodiment, if the data stored in the external memory 20 is normal (step S630), the microcontroller unit 430 loads data from the external memory 440 (step S640) and completes booting (step S670). .

다른 일 실시예에서, 마이크로 컨트롤러 유닛(430)은 외부 메모리(20)에 저장된 데이터가 정상이 아니면, 에러 알림 메시지를 제공한 후(단계 S650) 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여(단계 S660) 부팅을 완료한다(단계 S670). In another embodiment, if the data stored in the external memory 20 is not normal, the microcontroller unit 430 provides an error notification message (step S650) and then loads initial data defined as defaults inside (step S650). S660) Booting is completed (step S670).

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, although the present invention has been described by the limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, which is, if one of ordinary skill in the field to which the present invention belongs, various modifications and Transformation is possible. Therefore, the idea of the present invention should be grasped only by the claims set forth below, and all equivalent or equivalent modifications thereof will be said to belong to the scope of the idea of the present invention.

Claims (5)

동작 전압이 인가되었는지 여부에 따라 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 생성하여 제공하는 신호 생성부;
상기 신호 생성부보다 낮은 동작 전압에서 동작하며 데이터가 저장되어 있는 외부 메모리; 및
상기 신호 생성부로부터 로우 레벨 신호(Low level signal) 또는 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신하면 신호의 종류에 따라 상기 외부 메모리의 정상 여부를 판단하여 상기 외부 메모리에서 데이터를 로딩하는 마이크로 컨트롤러 유닛를 포함하고,
상기 신호 생성부는
상기 동작 전압이 인가되기 전에 상기 로우 레벨 신호(Low level signal)를 생성하여 상기 마이크로 컨트롤러 유닛에 제공하고, 상기 동작 전압이 인가되면 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 생성하여 상기 마이크로 컨트롤러 유닛에 제공하고,
상기 마이크로 컨트롤러 유닛은
상기 신호 생성부로부터 상기 로우 레벨 신호(Low level signal)를 수신하면 상기 외부 메모리의 전압이 정상 전압이 아니라고 판단하여 상기 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신할 때까지 대기하는
외부 메모리 접근 시스템.
A signal generator for generating and providing a low level signal or a high level signal according to whether an operating voltage is applied;
An external memory that operates at an operating voltage lower than that of the signal generator and stores data; And
When receiving a low level signal or a high level signal from the signal generator, a microcontroller unit that loads data from the external memory by determining whether the external memory is normal according to the type of signal Including,
The signal generator
Before the operating voltage is applied, the low level signal is generated and provided to the microcontroller unit, and when the operating voltage is applied, a high level signal is generated and provided to the microcontroller unit. and,
The microcontroller unit
When the low level signal is received from the signal generator, it is determined that the voltage of the external memory is not a normal voltage and waits until the high level signal is received.
External memory access system.
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 마이크로 컨트롤러 유닛은
상기 신호 생성부로부터 상기 하이 레벨 신호(High Level Signal)를 수신하면 상기 외부 메모리의 전압이 정상 전압이라고 판단하고, 상기 외부 메모리에서 데이터를 로딩하여 부팅을 완료하는
외부 메모리 접근 시스템.
The method of claim 1,
The microcontroller unit
Upon receiving the high level signal from the signal generator, it is determined that the voltage of the external memory is a normal voltage, and the booting is completed by loading data from the external memory.
External memory access system.
 제1항에 있어서,
상기 마이크로 컨트롤러 유닛은
상기 외부 메모리의 데이터가 정상이 아니면 에러 알림 메시지를 제공한 후 내부의 디폴트로 정의된 초기 데이터를 로딩하여 부팅을 완료하는
외부 메모리 접근 시스템.The method of claim 1,
The microcontroller unit
If the data in the external memory is not normal, an error notification message is provided, and the initial data defined as an internal default is loaded to complete booting
External memory access system.
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