KR102233886B1 - Solar cell module - Google Patents

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KR102233886B1 KR1020140003049A KR20140003049A KR102233886B1 KR 102233886 B1 KR102233886 B1 KR 102233886B1 KR 1020140003049 A KR1020140003049 A KR 1020140003049A KR 20140003049 A KR20140003049 A KR 20140003049A KR 102233886 B1 KR102233886 B1 KR 102233886B1
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

태양전지 모듈은 복수의 태양전지들; 태양전지들의 전면에 위치하는 광 투과성 전면 기판; 태양전지들의 후면에 위치하는 후면 기판; 광 투과성 전면 기판과 후면 기판 사이에 위치하며, 태양전지들을 밀봉하는 밀봉 부재; 및 밀봉 부재와 마주하는 광 투과성 전면 기판의 후면에 형성되는 박막을 포함하며, 박막은 광 투과성 전면 기판의 후면 전체에 형성되지 않고, 후면 중 일부 영역에만 국부적으로 형성된다.The solar cell module includes a plurality of solar cells; A light-transmitting front substrate positioned in front of the solar cells; A rear substrate positioned on the rear surface of the solar cells; A sealing member positioned between the light transmitting front substrate and the rear substrate and sealing solar cells; And a thin film formed on a rear surface of the light-transmitting front substrate facing the sealing member, wherein the thin film is not formed on the entire rear surface of the light-transmitting front substrate, but is formed locally only in a portion of the rear surface.

Description

태양전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 PID(Potential Induced Degradation) 현상이 감소된 태양전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module with reduced PID (Potential Induced Degradation) phenomenon.

광전 변환 효과를 이용하여 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전은 무공해 에너지를 얻는 수단으로서 널리 이용되고 있다. 그리고 태양전지의 광전 변환 효율의 향상에 수반하여, 개인 주택에서도 다수의 태양전지 모듈을 이용하는 태양광 발전 시스템이 설치되고 있다.Photovoltaic power generation, which converts light energy into electrical energy using a photoelectric conversion effect, is widely used as a means of obtaining pollution-free energy. In addition, with the improvement of photoelectric conversion efficiency of solar cells, solar power generation systems using a plurality of solar cell modules have been installed even in private houses.

그런데, 일반적으로 태양광 발전소에 설치되어 가동되는 모듈은 PID 현상으로 인해 출력 특성이 저하되는데, 이러한 출력 특성 저하를 발생하는 PID 현상은 유리 성분인 광 투과성 전면 기판의 칼륨 이온(K+) 및 나트륨 이온(Na+)이 태양전지 표면으로 이동하여 태양전지의 내부 전자와 이온이 재결합됨으로 인해 태양전지 내부의 정공이 소멸되고, 이에 따라 태양전지 내부의 전자가 이동되지 않음으로 인해 발전이 되지 않아서 발생되는 것으로 알려져 있다.However, in general, modules installed and operated in solar power plants deteriorate their output characteristics due to the PID phenomenon, and the PID phenomenon that causes this decrease in output characteristics is potassium ions (K+) and sodium ions on the light-transmitting front substrate, which are glass components. (Na+) moves to the surface of the solar cell and recombines the internal electrons and ions of the solar cell, so that the holes inside the solar cell disappear, and the electrons inside the solar cell do not move. Is known.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 PID 현상이 감소된 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a solar cell module in which the PID phenomenon is reduced.

본 발명의 한 측면에 따른 태양전지 모듈은, 복수의 태양전지들; 태양전지들의 전면에 위치하는 광 투과성 전면 기판; 태양전지들의 후면에 위치하는 후면 기판; 광 투과성 전면 기판과 후면 기판 사이에 위치하며, 태양전지들을 밀봉하는 밀봉 부재; 및 밀봉 부재와 마주하는 광 투과성 전면 기판의 후면에 형성되는 박막을 포함하며, 박막은 광 투과성 전면 기판의 후면 전체에 형성되지 않고, 후면 중 일부 영역에만 국부적으로 형성된다.A solar cell module according to an aspect of the present invention includes a plurality of solar cells; A light-transmitting front substrate positioned in front of the solar cells; A rear substrate positioned on the rear surface of the solar cells; A sealing member positioned between the light transmitting front substrate and the rear substrate and sealing solar cells; And a thin film formed on a rear surface of the light-transmitting front substrate facing the sealing member, wherein the thin film is not formed on the entire rear surface of the light-transmitting front substrate, but is formed locally only in a portion of the rear surface.

한 예로, 박막은 제1 간격으로 서로 이격된 복수의 절연층을 포함할 수 있으며, 절연층은 복수의 태양전지와 동일한 개수로 형성될 수 있다.As an example, the thin film may include a plurality of insulating layers spaced apart from each other at a first interval, and the insulating layers may be formed in the same number as the plurality of solar cells.

그리고 절연층은 태양전지와 동일한 위치에 각각 형성될 수 있고, 절연층의 크기는 태양전지의 크기 이하로 형성될 수 있다.In addition, the insulating layer may be formed at the same position as the solar cell, and the size of the insulating layer may be formed to be less than the size of the solar cell.

그리고 절연층 사이의 제1 간격은 서로 이웃한 태양전지 사이의 간격 이상으로 형성될 수 있으며, 서로 이웃한 절연층의 사이에서, 밀봉 부재의 전면(front surface)은 광 투과성 전면 기판과 직접 접촉할 수 있다.In addition, the first gap between the insulating layers may be formed more than the gap between adjacent solar cells, and between the adjacent insulating layers, the front surface of the sealing member is in direct contact with the light-transmitting front substrate. I can.

이러한 구성의 절연층을 포함하는 박막은 광 투과성 전면 기판의 테두리 부분에서 서로 이웃한 절연층을 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.The thin film including the insulating layer having such a configuration may further include a connection portion connecting the insulating layers adjacent to each other at the edge portion of the light-transmitting front substrate.

다른 예로, 박막은 메쉬 타입(mesh type)으로 형성되는 절연층을 포함할 수 있으며, 메쉬 타입의 절연층은 복수의 개구를 포함할 수 있다.As another example, the thin film may include an insulating layer formed in a mesh type, and the mesh type insulating layer may include a plurality of openings.

절연층은 광 투과성 물질, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx), 이산화티탄계 복합 금속 화합물(titanium oxide-based composite metal compound), 및 플루오로카본계 폴리머(fluorocarbon-based polymer) 중에서 선택된 물질로 형성될 수 있다.The insulating layer is formed of a light-transmitting material, for example, a material selected from silicon oxide (SiOx), titanium oxide-based composite metal compound, and fluorocarbon-based polymer. I can.

밀봉 부재는 광 투과성 전면 기판과 태양전지 사이에 위치하는 전면 밀봉재, 및 후면 기판과 태양전지들의 사이에 위치하는 후면 밀봉재를 포함할 수 있으며, 전면 밀봉재 및 후면 밀봉재는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA), 폴리올레핀(polyolefin), 이노머(inomer), 실리콘 수지(silicone resin) 및 폴리 비닐 부티랄(PVB) 중에서 선택된 동종(同種) 또는 이종(異種) 재질로 각각 형성될 수 있다.The sealing member may include a front sealing material positioned between the light-transmitting front substrate and the solar cell, and a rear sealing material positioned between the rear substrate and the solar cells, and the front sealing material and the rear sealing material are ethylene vinyl acetate (EVA), polyolefin. (polyolefin), inomer (inomer), silicone resin (silicone resin), and polyvinyl butyral (PVB) selected from the same or different materials may be formed, respectively.

이러한 특징을 갖는 본 실시예에 따른 태양전지 모듈은 PID 현상을 개선하기 위한 박막이 제1 간격으로 이격된 복수의 아일랜드(island)형 절연층, 또는 메쉬 타입의 절연층으로 형성된다.In the solar cell module according to the present embodiment having such characteristics, a thin film for improving the PID phenomenon is formed of a plurality of island-type insulating layers or mesh-type insulating layers spaced at first intervals.

그리고 아일랜드형 절연층의 경우에는 절연층의 사이 공간을 통해 빛이 직접 입사되며, 메쉬 타입의 절연층의 경우에는 개구를 통해 빛이 직접 입사된다. 여기에서, 빛이 직접 입사된다는 것은 빛이 PID 현상을 개선하기 위한 박막을 투과하지 않는 것을 의미한다.In the case of the island-type insulating layer, light is directly incident through the space between the insulating layers, and in the case of the mesh-type insulating layer, light is directly incident through the opening. Here, that the light is directly incident means that the light does not pass through the thin film for improving the PID phenomenon.

그런데, 광 투과성 전면 기판을 통해 입사되는 빛의 투과율은 PID 현상을 개선하기 위한 박막으로 인해 낮아지게 된다.However, the transmittance of light incident through the light-transmitting front substrate decreases due to the thin film for improving the PID phenomenon.

따라서, PID 현상을 개선하기 위한 박막이 제1 간격으로 이격된 복수의 아일랜드(island)형 절연층, 또는 메쉬 타입의 절연층으로 형성되는 본 실시예의 태양전지 모듈에서는 상기 박막이 태양전지 모듈의 전체 영역, 예를 들어 광 투과성 전면 기판의 후면 전체에 형성된 경우에 비해 태양전지 모듈의 출력이 상승한다.Therefore, in the solar cell module of the present embodiment in which the thin film for improving the PID phenomenon is formed of a plurality of island-type insulating layers or mesh-type insulating layers spaced at first intervals, the thin film is the entire solar cell module. The output of the solar cell module is increased compared to the case where it is formed in the entire area, for example, the rear surface of the light transmitting front substrate.

도 1은 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 개략적인 구성을 나타내는 개념도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 광 투과성 전면 기판의 후면을 나타내는 평면도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 태양전지의 한 예를 나타내는 주요부 사시도이다.
도 4는 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 태양전지의 다른 예를 나타내는 주요부 사시도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 개략적인 구성을 나타내는 개념도이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 광 투과성 전면 기판의 후면을 나타내는 평면도이다.
도 7은 제3 실시예에 따른 태양전지 모듈의 개략적인 구성을 나타내는 개념도이다.
도 8은 제3 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 광 투과성 전면 기판의 후면을 나타내는 평면도이다.
1 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a solar cell module according to a first embodiment.
2 is a plan view showing the rear surface of the light-transmitting front substrate used in the solar cell module according to the first embodiment.
3 is a perspective view of a main part showing an example of a solar cell used in the solar cell module according to the first embodiment.
4 is a perspective view of a main part showing another example of a solar cell used in the solar cell module according to the first embodiment.
5 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a solar cell module according to a second embodiment.
6 is a plan view showing a rear surface of a light-transmitting front substrate used in a solar cell module according to a second embodiment.
7 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a solar cell module according to a third embodiment.
8 is a plan view showing a rear surface of a light-transmitting front substrate used in a solar cell module according to a third embodiment.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.In the present invention, various modifications may be made and various embodiments may be provided, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. This is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it can be understood to include all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않을 수 있다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. In describing the present invention, terms such as first and second may be used to describe various elements, but the elements may not be limited by the terms. The terms may be used only for the purpose of distinguishing one component from another component.

예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element.

"및/또는" 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함할 수 있다.The term “and/or” may include a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "결합되어" 있다고 언급되는 경우는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 결합되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해될 수 있다.When a component is referred to as being "connected" or "coupled" to another component, it may be directly connected or coupled to the other component, but other components may exist in the middle. Can be understood.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 결합되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다.On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly coupled" to another component, it may be understood that the other component does not exist in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions may include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것으로서, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 수 있다.In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, and one or more other features It may be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof, does not preclude in advance.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thicknesses are enlarged in order to clearly express various layers and regions. When a part such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the case where the other part is "directly above", but also the case where there is another part in the middle. Conversely, when one part is "directly above" another part, it means that there is no other part in the middle.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다. Unless otherwise defined, all terms used herein including technical or scientific terms may have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석될 수 있으며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않을 수 있다.Terms such as those defined in a commonly used dictionary may be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in this application, interpreted as an ideal or excessively formal meaning. It may not be.

아울러, 이하의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것으로서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.In addition, the following embodiments are provided to more completely describe to those with average knowledge in the art, and the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈에 대하여 설명한다.Then, a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 개략적인 구성을 나타내는 개념도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 광 투과성 전면 기판의 후면을 나타내는 평면도이다.1 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a solar cell module according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a rear surface of a light-transmitting front substrate used in the solar cell module according to the first embodiment.

그리고 도 3은 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 태양전지의 한 예를 나타내는 주요부 사시도이고, 도 4는 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 태양전지의 다른 예를 나타내는 주요부 사시도이다.And FIG. 3 is a perspective view of a main part showing an example of a solar cell used in the solar cell module according to the first embodiment, and FIG. 4 is a main part showing another example of a solar cell used in the solar cell module according to the first embodiment. It is a perspective view.

본 실시예에 따른 태양전지 모듈은 복수의 태양전지(10), 복수의 태양전지(10)를 전기적으로 연결하는 인터커넥터(도시하지 않음), 복수의 태양전지(10)를 밀봉하는 밀봉 부재(20), 태양전지(10)의 전면(front surface) 쪽에 위치하는 광 투과성 전면 기판(30), 광 투과성 전면 기판(30)의 후면, 즉 밀봉 부재(20)와 마주하는 면에 형성된 박막(40) 및 태양전지(10)의 후면(back surface) 쪽에 위치하는 후면 기판(50)을 포함한다.The solar cell module according to the present embodiment includes a plurality of solar cells 10, an interconnector (not shown) that electrically connects the plurality of solar cells 10, and a sealing member that seals the plurality of solar cells 10 ( 20), a light-transmitting front substrate 30 positioned on the front surface side of the solar cell 10, a thin film 40 formed on the rear surface of the light-transmitting front substrate 30, that is, a surface facing the sealing member 20 ) And a rear substrate 50 positioned on a back surface side of the solar cell 10.

이하에 있어서, "전면"은 각 도면에서 "Z" 방향의 표면을 말하고, "후면"은 각 도면에서 "Z'"을 향하는 표면을 말한다.In the following, "front" refers to a surface in the "Z" direction in each drawing, and "rear surface" refers to a surface facing "Z'" in each drawing.

광 투과성 전면 기판(30)은 투과율이 높은 강화 유리로 이루어질 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 광 투과성 전면 기판(30)은 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 후면(back surface), 즉 밀봉 부재(20)과 마주하는 면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.The light-transmitting front substrate 30 may be made of tempered glass having a high transmittance. In this case, the tempered glass may be a low iron tempered glass having a low iron content. In order to increase the light scattering effect of the light-transmitting front substrate 30, a back surface, that is, a surface facing the sealing member 20 may be embossed.

그리고 후면 기판(50)은 태양전지 모듈의 내부에 배열된 태양전지의 종류 또는 구조에 따라 투광성 재질로 형성되거나 불투광성 재질로 형성될 수 있다.In addition, the rear substrate 50 may be formed of a light-transmitting material or a non-transmitting material according to the type or structure of solar cells arranged inside the solar cell module.

한 예로, 태양전지(10)가 도 3에 도시한 한면 수광형 태양전지(10A)인 경우, 후면 기판(50)은 티피티(TPT; Tedlar/PET/Tedlar), 티피이(TPE; Tedlar/PET/EVA), 티에이티(TAT; Tedlar/Al foil/Tedlar), 티피에이티(TPAT; Tedlar/PET/Al foil/Tedalr), 티피오티(TPOT; Tedlar/PET/Oxide/Tedlar), 페이에피(PAP; PEN/Al foil/PET) 또는 피이티(Polyester) 중 하나로 형성될 수 있다.As an example, when the solar cell 10 is the one-sided light-receiving solar cell 10A shown in FIG. 3, the rear substrate 50 is TPT (Tedlar/PET/Tedlar), TPE (Tedlar/PET). /EVA), TAT (Tedlar/Al foil/Tedlar), TPAT (Tedlar/PET/Al foil/Tedalr), TPOT (Tedlar/PET/Oxide/Tedlar), PA ( It may be formed of either PAP; PEN/Al foil/PET) or polyester.

여기에서, '한면 수광형'은 태양전지를 구성하는 반도체 기판의 한쪽 면, 예컨대 전면(front surface)에는 외부의 빛이 입사하지만, 반도체 기판의 후면에는 외부의 빛이 입사하지 않는 구조를 말한다.Here, the'one-sided light-receiving type' refers to a structure in which external light is incident on one side of a semiconductor substrate constituting a solar cell, such as a front surface, but no external light is incident on the rear surface of the semiconductor substrate.

이와는 달리, 태양전지(10)가 도 4에 도시한 양면 수광형 태양전지(10B)인 경우, 후면 기판(50)은 전면 기판(30)과 마찬가지로 광 투과성의 저철분 강화 유리 또는 수지로 형성될 수 있다.In contrast, when the solar cell 10 is the double-sided light-receiving solar cell 10B shown in FIG. 4, the rear substrate 50 may be formed of light-transmitting low-iron tempered glass or resin, like the front substrate 30. I can.

여기에서, '양면 수광형'은 태양전지를 구성하는 반도체 기판의 양쪽 면, 예컨대 전면(front surface)과 후면(back surface)을 통해 외부의 빛이 각각 입사하는 구조를 말한다.Here, the'double-sided light-receiving type' refers to a structure in which external light is incident through both surfaces of a semiconductor substrate constituting a solar cell, for example, a front surface and a back surface.

이러한 구성의 후면 기판(50)은 태양전지 모듈의 후면으로 침투하는 수분을 억제하는 작용을 한다.The rear substrate 50 of this configuration serves to suppress moisture penetrating into the rear surface of the solar cell module.

밀봉 부재(20)는 태양전지(10)와 광 투과성 전면 기판(30)의 사이에 위치하는 전면 밀봉재(20A)와, 태양전지(10)와 후면 기판(50)의 사이에 위치하는 후면 밀봉재(20B)로 구성될 수 있다.The sealing member 20 includes a front sealing material 20A positioned between the solar cell 10 and the light-transmitting front substrate 30, and a rear sealing material positioned between the solar cell 10 and the rear substrate 50 ( 20B).

이와는 달리, 밀봉 부재(20)는 단층 구조로 구성될 수도 있다.Alternatively, the sealing member 20 may have a single-layer structure.

전면 밀봉재(20A)와 후면 밀봉재(20B)는 습기 및 수분 침투로 인한 금속의 부식 등을 방지하고 태양전지(10)를 충격으로부터 보호한다. The front sealing material 20A and the rear sealing material 20B prevent corrosion of metal due to moisture and moisture penetration, and protect the solar cell 10 from impact.

전면 밀봉재(20A)와 후면 밀봉재(20B)는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA), 폴리올레핀(polyolefin), 이노머(inomer), 실리콘 수지(silicone resin) 및 폴리 비닐 부티랄(PVB) 중에서 선택된 동종(同種) 또는 이종(異種) 재질로 각각 형성될 수 있다.The front sealant 20A and the rear sealant 20B are the same type selected from ethylene vinyl acetate (EVA), polyolefin, inomer, silicone resin, and polyvinyl butyral (PVB). Alternatively, they may be formed of different materials, respectively.

광 투과성 전면 기판(10)의 후면에 형성되는 박막(40)은 PID 현상을 억제하기 위한 것으로, 전하가 태양전지(10)들의 전면으로부터 광 투과성 전면 기판(30)을 경유하여 태양전지 모듈의 프레임(도시하지 않음) 또는 태양전지 모듈의 다른 부분들로 누설되는 것을 방지함으로써 태양전지의 분극(polarize)을 방지한다.The thin film 40 formed on the rear surface of the light-transmitting front substrate 10 is for suppressing the PID phenomenon, and charges are transferred from the front surface of the solar cells 10 through the light-transmitting front substrate 30 to the frame of the solar cell module. (Not shown) or by preventing leakage to other parts of the solar cell module to prevent polarization of the solar cell.

본 실시예에서, 박막(40)은 제1 간격(D1)으로 서로 이격된 복수의 절연층(40A)을 포함하며, 바람직하게, 절연층(40A)은 태양전지(10)와 동일한 개수로 형성된다.In this embodiment, the thin film 40 includes a plurality of insulating layers 40A spaced apart from each other by a first interval D1, and preferably, the insulating layers 40A are formed in the same number as the solar cell 10. do.

그리고 절연층(40A)은 태양전지(10)와 동일한 위치에 각각 형성된다. 여기에서, '동일한 위치'는 태양전지 모듈의 제1 방향(X-X')과 제1 방향(X-X')에 직교하는 제2 방향(Y-Y')에 있어서, 제1 방향으로의 중심 위치와 제2 방향으로의 중심 위치가 각각 동일한 것을 의미한다.In addition, the insulating layer 40A is formed at the same position as the solar cell 10, respectively. Here, the'same position' is in the first direction (Y-Y') orthogonal to the first direction (X-X') and the first direction (X-X') of the solar cell module. It means that the center position of and the center position in the second direction are the same, respectively.

절연층(40A)의 크기(S1)는 태양전지(10)의 크기(S2)와 동일하게 형성되거나, 태양전지(10)의 크기(S2)보다 작게 형성될 수 있다.The size S1 of the insulating layer 40A may be the same as the size S2 of the solar cell 10 or may be formed smaller than the size S2 of the solar cell 10.

그리고 절연층(40A) 사이의 제1 간격(D1)은 서로 이웃한 태양전지(10) 사이의 간격(D2)와 동일하게 형성되거나, 태양전지(10) 사이의 간격(D2)보다 크게 형성될 수 있다.In addition, the first distance D1 between the insulating layers 40A is formed equal to the distance D2 between the solar cells 10 adjacent to each other, or may be formed larger than the distance D2 between the solar cells 10. I can.

하지만, 절연층(40A)의 크기(S1)는 태양전지(10)의 크기(S2)보다 크게 형성될 수도 있고, 절연층(40A) 사이의 제1 간격(D1)은 태양전지(10) 사이의 간격(D2)보다 작게 형성될 수도 있다.However, the size (S1) of the insulating layer (40A) may be formed larger than the size (S2) of the solar cell 10, and the first gap (D1) between the insulating layers (40A) is between the solar cells (10). It may be formed smaller than the interval D2 of.

그러나, 절연층(40A)의 크기(S1)를 태양전지(10)의 크기(S2) 이하로 형성함과 아울러, 절연층(40A) 사이의 제1 간격(D1)을 태양전지(10) 사이의 간격(D2) 이상으로 형성하면, 절연층(40A)의 크기(S1)를 태양전지(10)의 크기(S2) 이상으로 형성함과 아울러, 절연층(40A) 사이의 제1 간격(D1)을 태양전지(10) 사이의 간격(D2) 이하로 형성하는 경우에 비해 광 투과성 전면 기판(30)의 후면 중 절연층(40A)이 형성되지 않은 영역이 증가한다.However, the size (S1) of the insulating layer (40A) is formed to be less than the size (S2) of the solar cell (10), and the first gap (D1) between the insulating layers (40A) is formed between the solar cells (10). When formed to be equal to or larger than the interval D2 of the insulating layer 40A, the size S1 of the insulating layer 40A is formed to be equal to or greater than the size S2 of the solar cell 10, and the first interval D1 between the insulating layers 40A. Compared to the case where) is formed to be equal to or less than the interval D2 between the solar cells 10, the area in which the insulating layer 40A is not formed increases among the rear surfaces of the light-transmitting front substrate 30.

그리고 절연층(40A)이 형성되지 않은 영역에서는 전면 밀봉재(20A)의 전면(front surface)이 광 투과성 전면 기판(30)과 직접 접촉하므로, 절연층(40A)이 형성되지 않은 영역, 즉 서로 이웃한 절연층(40A)의 사이 영역을 통해 입사되는 외부의 빛은 절연층(40A)으로 인한 투과율 저하 현상이 발생되지 않는다.In addition, in the region where the insulating layer 40A is not formed, since the front surface of the front sealing material 20A directly contacts the light-transmitting front substrate 30, the region where the insulating layer 40A is not formed, that is, adjacent to each other. External light incident through regions between one insulating layer 40A does not cause a decrease in transmittance due to the insulating layer 40A.

따라서, 절연층(40A)으로 인한 빛의 투과율 저하 현상을 최소화하기 위해서는 절연층(40A)의 크기(S1)를 태양전지(10)의 크기(S2) 이하로 형성함과 아울러, 절연층(40A) 사이의 제1 간격(D1)을 태양전지(10) 사이의 간격(D2) 이상으로 형성하는 것이 바람직하다.Therefore, in order to minimize the decrease in light transmittance due to the insulating layer 40A, the size S1 of the insulating layer 40A is formed to be less than the size S2 of the solar cell 10, and the insulating layer 40A It is preferable to form the first interval D1 between) to be equal to or greater than the interval D2 between the solar cells 10.

절연층(40A)은 광 투과성 물질, 예를 들어 실리콘 산화물(SiOx), 이산화티탄계 복합 금속 화합물(titanium oxide-based composite metal compound), 및 플루오로카본계 폴리머(fluorocarbon-based polymer) 중에서 선택된 물질로 형성할 수 있다.The insulating layer 40A is a light-transmitting material, for example, a material selected from silicon oxide (SiOx), titanium oxide-based composite metal compound, and fluorocarbon-based polymer. It can be formed with.

실리콘 산화물로 형성되는 절연층은 스퍼터링 또는 PECVD 방법을 이용하여 광 투과성 전면 기판의 후면에 실리콘 산화물을 일정한 두께로 증착하는 것에 따라 형성할 수 있다.The insulating layer formed of silicon oxide may be formed by depositing silicon oxide to a predetermined thickness on the rear surface of the light-transmitting front substrate using a sputtering or PECVD method.

그리고 이산화티탄계 복합 금속 화합물로 형성되는 절연층은 닥터 블레이드법(doctor blade process)으로 광 투과성 전면 기판의 후면에 전구체(precursor) 용액을 코팅한 다음 열처리하는 것에 따라 형성할 수 있다.In addition, the insulating layer formed of the titanium dioxide-based composite metal compound may be formed by coating a precursor solution on the rear surface of the light-transmitting front substrate by a doctor blade process and then performing heat treatment.

이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용이 가능한 태양전지의 예를 설명한다.Hereinafter, an example of a solar cell usable for the solar cell module according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

먼저, 도 3에 도시한 태양전지(10A)는 위에서 설명한 바와 같이 한면 수광형 태양전지로서, 반도체 기판(110A), 기판(110A)의 한쪽 면, 예를 들면 전면(front surface)에 위치하는 에미터부(120A), 에미터부(120A)의 위에 위치하는 유전층(140A), 유전층(140A)이 위치하지 않는 영역의 에미터부(120A) 위에 위치한 제1 전극부(130A), 기판(110A)의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전계(back surface field, BSF)부(160A), 및 후면 전계부(160A)의 후면에 위치하는 제2 전극부(150A)를 포함한다.First, the solar cell 10A shown in FIG. 3 is a one-sided light-receiving solar cell, as described above, and is located on one side of the semiconductor substrate 110A and the substrate 110A, for example, the front surface. The first electrode part 130A located on the emitter part 120A in a region where the emitter part 120A, the dielectric layer 140A located above the emitter part 120A, the dielectric layer 140A is not located, and the rear surface of the substrate 110A and a back surface field (BSF) unit 160A positioned on the (back surface), and a second electrode unit 150A positioned on the rear surface of the rear electric field unit 160A.

기판(110A)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘 웨이퍼로 이루어진다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 기판 또는 비정질 실리콘일 수 있다.The substrate 110A is made of a silicon wafer of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. In this case, the silicon may be a single crystal silicon, a polycrystalline silicon substrate, or amorphous silicon.

기판(110A)이 n형의 도전성 타입을 가지므로, 기판(110A)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유한다.Since the substrate 110A has an n-type conductivity type, the substrate 110A contains impurities of a pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb).

하지만, 이와는 달리, 기판(110A)은 p형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.However, unlike this, the substrate 110A may be of a p-type conductivity type, and may be made of a semiconductor material other than silicon.

기판(110A)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(110)은 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.When the substrate 110A has a p-type conductivity type, the substrate 110 may contain impurities of a trivalent element such as boron (B), gallium, and indium.

이러한 기판(110A)은 전면(front surface)이 복수의 미세 요철을 포함하는 텍스처링 표면(texturing surface)으로 형성될 수 있다.The front surface of the substrate 110A may be formed as a texturing surface including a plurality of fine irregularities.

기판(110A)의 전면(front surface)에 위치하는 에미터부(120A)는 기판(110A)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 도전성 타입을 갖는 불순물부로서, 기판(110A)과 p-n 접합을 이룬다. The emitter part 120A located on the front surface of the substrate 110A is an impurity part having a second conductivity type opposite to the conductivity type of the substrate 110A, for example, a p-type conductivity type. It forms a pn junction with (110A).

이러한 p-n 접합으로 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해, 기판(110A)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다. Due to the built-in potential difference due to the pn junction, the electron-hole pair, which is the charge generated by the light incident on the substrate 110A, is separated into electrons and holes, so that the electrons move toward the n-type and holes. Moves toward the p-type.

따라서, 기판(110A)이 n형이고 에미터부(120A)가 p형일 경우, 분리된 전자는 기판(110A) 쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120A) 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(110A)에서는 전자가 다수 캐리어가 되며, 에미터부(120A)에서는 정공이 다수 캐리어가 된다.Accordingly, when the substrate 110A is n-type and the emitter portion 120A is p-type, the separated electrons move toward the substrate 110A and the separated holes move toward the emitter unit 120A. Accordingly, in the substrate 110A, electrons become a majority carrier, and in the emitter portion 120A, holes become a number of carriers.

에미터부(120A)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120A)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(110A)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter part 120A has a p-type conductivity type, the emitter part 120A is doped with an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), and indium (In) to the substrate 110A. Can be formed.

이와는 달리, 기판(110A)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120A)는 n형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 정공은 기판(110A) 쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120A) 쪽으로 이동한다.In contrast, when the substrate 110A has a p-type conductivity type, the emitter portion 120A has an n-type conductivity type. In this case, the separated holes move toward the substrate 110A and the separated electrons move toward the emitter unit 120A.

에미터부(120A)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(110A)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter part 120A has an n-type conductivity type, it may be formed by doping the substrate 110A with impurities of a pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb).

도 3은 에미터부(120A)의 불순물 도핑 농도가 기판 전면의 전체 영역에 걸쳐 균일한 구조를 도시하고 있지만, 에미터부(120A)는 제1 전극부(130A)가 위치하는 영역과 나머지 영역의 불순물 도핑 농도가 서로 다른 선택적 구조로 형성될 수도 있다. 이 경우, 제1 전극부(130A)가 위치하는 영역에는 상대적으로 불순물 도핑 농도가 높은 고농도 불순물부가 위치할 수 있다.3 shows a structure in which the impurity doping concentration of the emitter part 120A is uniform over the entire area of the substrate, but the emitter part 120A has a region in which the first electrode part 130A is located and impurities in the remaining regions. It may be formed in an optional structure having different doping concentrations. In this case, a high-concentration impurity portion having a relatively high impurity doping concentration may be positioned in a region where the first electrode portion 130A is positioned.

에미터부(120A) 위에 형성된 유전층(140A)은 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2) 등으로 이루어지며, 태양전지(10A)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지(10A)의 효율을 높이는 반사 방지막으로 작용할 수 있다. 하지만, 유전층(140A)을 복층 구조로 형성하여 상기 유전층(140A)이 반사 방지막 기능에 더하여 패시베이션(passivation) 기능을 수행하도록 할 수도 있다.The dielectric layer 140A formed on the emitter part 120A is made of a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiO 2 ), and reduces the reflectivity of light incident on the solar cell 10A and increases the selectivity of a specific wavelength region. It may act as an anti-reflection film to increase the efficiency of the solar cell 10A. However, the dielectric layer 140A may be formed in a multilayer structure so that the dielectric layer 140A performs a passivation function in addition to the anti-reflection film function.

유전층(140A)은 에미터부(120A)의 일부를 노출하는 개구부를 구비하며, 개구부를 통해 노출된 에미터부(120A)에는 제1 전극부(130A)가 에미터부(120A)와 전기적 및 물리적으로 연결된다.The dielectric layer 140A has an opening exposing a part of the emitter part 120A, and the first electrode part 130A is electrically and physically connected to the emitter part 120A in the emitter part 120A exposed through the opening. do.

제1 전극부(130A)는 제1 방향으로 연장된 복수의 핑거 전극(131A)과, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 버스바 전극(133A)을 포함한다. 따라서, 제1 전극부(130A)는 그리드 패턴(grid pattern)으로 형성된다.The first electrode unit 130A includes a plurality of finger electrodes 131A extending in a first direction and a plurality of bus bar electrodes 133A extending in a second direction crossing the first direction. Accordingly, the first electrode portion 130A is formed in a grid pattern.

이러한 제1 전극부(130A)는 에미터부(120A) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 정공을 수집한다. The first electrode unit 130A collects electric charges, for example, holes, which have moved toward the emitter unit 120A.

제1 전극부(130A)는 은(Ag)/알루미늄(Al)을 포함하는 도전성 페이스트를 도 3에 도시한 그리드 패턴으로 유전층(140A) 위에 도포한 후, 이를 소성하는 과정에서 에미터부(120A)와 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. In the first electrode part 130A, after applying a conductive paste containing silver (Ag)/aluminum (Al) on the dielectric layer 140A in the grid pattern shown in FIG. 3, the emitter part 120A in the process of firing it. And can be connected electrically and physically.

상기한 소성 과정에서 제1 전극부(130A)가 에미터부(120A)와 전기적 및 물리적으로 연결되도록 하기 위해, 제1 전극부(130A)를 형성하는 도전성 페이스트는 산화납(PbO)을 구비한 글라스 프릿(glass frit)을 포함할 수 있다.In order to electrically and physically connect the first electrode portion 130A to the emitter portion 120A during the firing process, the conductive paste forming the first electrode portion 130A is a glass containing lead oxide (PbO). It may include a glass frit.

이와는 달리, 제1 전극부(130A)는 도금 공정에 의해 형성될 수도 있다. 도금 공정에 의해 형성된 제1 전극부(130A)는 에미터부(120A) 위에 순차적으로 형성되는 금속 시드층, 확산 방지층 및 도전층을 포함할 수 있다.Alternatively, the first electrode portion 130A may be formed by a plating process. The first electrode portion 130A formed by the plating process may include a metal seed layer, a diffusion barrier layer, and a conductive layer sequentially formed on the emitter portion 120A.

이때, 금속 시드층은 니켈을 포함하는 물질, 예컨대 니켈 실리사이드(Ni2Si, NiSi, NiSi2 등을 포함)로 형성될 수 있다.In this case, the metal seed layer may be formed of a material containing nickel, for example, nickel silicide (including Ni 2 Si, NiSi, NiSi 2, etc.).

그리고 금속 시드층 위에 형성되는 확산방지층은 도전층을 형성하는 물질이 금속 시드층을 통해 실리콘 계면으로 확산됨으로 인해 정션 디그라데이션(junction degradation)이 발생하는 것을 방지하기 위한 것으로, 니켈을 포함할 수 있다.In addition, the diffusion barrier layer formed on the metal seed layer is to prevent the occurrence of junction degradation due to diffusion of the material forming the conductive layer to the silicon interface through the metal seed layer, and may include nickel. .

그리고 확산방지층 위에 형성되는 도전층은 적어도 하나의 도전성 금속 물질을 포함할 수 있으며, 이들 도전성 금속 물질로는 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다.In addition, the conductive layer formed on the diffusion barrier layer may include at least one conductive metal material, and these conductive metal materials include nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), and tin (Sn). ), zinc (Zn), indium (In), titanium (Ti), gold (Au), and at least one material selected from the group consisting of a combination thereof may be used.

기판(110A)의 후면에 위치하는 제2 전극부(150A)는 기판(110A) 쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 전자를 수집하여 외부 장치로 출력한다. The second electrode unit 150A located on the rear surface of the substrate 110A collects electric charges, for example, electrons moving toward the substrate 110A, and outputs them to an external device.

본 실시예에서, 제2 전극부(150A)는 제1 전극부(130A)의 버스바 전극(133A)과 마주하는 위치에 형성된 버스바 전극(153A)과, 버스바 전극(153A)이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역의 기판 후면 전체를 덮는 시트 전극(151A, sheet electrode)으로 구성된다.In this embodiment, the second electrode unit 150A includes a bus bar electrode 153A formed at a position facing the bus bar electrode 133A of the first electrode unit 130A, and a region in which the bus bar electrode 153A is formed. It is composed of a sheet electrode (151A) covering the entire rear surface of the substrate in the remaining area except for.

이와 같이, 시트 전극(151A)이 버스바 전극(153A)이 형성된 영역을 제외한 나머지 영역의 기판 후면 전체를 덮으므로, 반도체 기판(110A)의 후면(back surface)를 통해서는 외부의 빛이 입사하지 않는다.In this way, since the sheet electrode 151A covers the entire rear surface of the substrate except for the area where the bus bar electrode 153A is formed, external light does not enter through the back surface of the semiconductor substrate 110A. Does not.

제2 전극부(150A)의 버스바 전극(153A)은 은(Ag)을 포함하는 도전성 페이스트에 의해 형성될 수 있고, 제2 전극부(150A)의 시트 전극(151A)은 알루미늄(Al)을 포함하는 도전성 페이스트에 의해 형성될 수 있다.The bus bar electrode 153A of the second electrode unit 150A may be formed of a conductive paste containing silver (Ag), and the sheet electrode 151A of the second electrode unit 150A is made of aluminum (Al). It may be formed by a conductive paste containing.

이 경우, 버스바 전극(153A)을 형성하기 위한 도전성 페이스트와 시트 전극(151A)을 형성하기 위한 도전성 페이스트는 제1 전극부(130A)를 형성하기 위한 도전성 페이스트와는 달리 글라스 프릿을 포함하지 않을 수 있다.In this case, the conductive paste for forming the busbar electrode 153A and the conductive paste for forming the sheet electrode 151A do not contain glass frit, unlike the conductive paste for forming the first electrode portion 130A. I can.

제2 전극부(150A)가 전기적 및 물리적으로 연결되는 후면 전계부(160A)는 기판(110A)의 후면 전체에 위치하며, 기판(110A)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(110A)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, n+ 영역으로 형성된다.The rear electric field unit 160A, to which the second electrode unit 150A is electrically and physically connected, is located on the entire rear surface of the substrate 110A, and impurities of the same conductivity type as the substrate 110A are at a higher concentration than the substrate 110A. It is formed as a doped region, for example, an n+ region.

후면 전계부(160A)는 기판(110A)의 후면 전체에 형성되는 대신에 제2 전극부(150A)가 형성된 영역에만 국부적으로(locally) 형성될 수도 있으며, 선택적 에미터부와 유사하게 불순물 농도가 서로 다른 고농도 전계부와 저농도 전계부를 포함하는 선택적 구조로 형성될 수도 있다.Instead of being formed on the entire rear surface of the substrate 110A, the rear electric field unit 160A may be formed locally only in the region where the second electrode unit 150A is formed. It may be formed in a selective structure including other high-concentration electric field parts and low-concentration electric field parts.

후면 전계부(160A)가 선택적 구조로 형성된 경우, 고농도 전계부는 제2 전극부(150A)가 형성된 영역에 위치하고, 저농도 전계부는 나머지 영역에 위치할 수 있다.When the rear electric field part 160A is formed in a selective structure, the high-concentration electric field part may be located in the region where the second electrode part 150A is formed, and the low-concentration electric field part may be located in the remaining region.

후면 전계부(160A)는 기판(110A)과의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽을 형성함으로써 기판(110A)의 후면 쪽으로 정공이 이동하는 것을 방해한다. 따라서 기판(110A)의 표면 근처에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소된다.The rear electric field unit 160A prevents holes from moving toward the rear surface of the substrate 110A by forming a potential barrier due to a difference in impurity concentration from the substrate 110A. Accordingly, it is reduced that electrons and holes recombine and disappear near the surface of the substrate 110A.

이러한 구성의 태양전지에서, 태양전지로 조사된 빛이 에미터부(120A)를 통해 기판(110A)의 전면(front surface)으로 입사되면, 기판(110A)으로 입사된 빛 에너지에 의해 전자-정공 쌍이 발생한다.In the solar cell of this configuration, when light irradiated by the solar cell is incident on the front surface of the substrate 110A through the emitter unit 120A, the electron-hole pair is formed by the light energy incident on the substrate 110A. Occurs.

이때, 기판(110A)의 전면(front surface)이 텍스처링 표면으로 형성된 경우, 기판(110A)의 전면(front surface)에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 행해져 태양전지 내부에 빛이 갇히게 되므로, 빛의 흡수율이 증가되어 태양전지의 효율이 향상된다.At this time, when the front surface of the substrate 110A is formed as a texturing surface, the light reflectivity on the front surface of the substrate 110A decreases, and incident and reflection operations are performed on the texturing surface, so that the inside of the solar cell Since light is trapped, the absorption rate of light is increased and the efficiency of the solar cell is improved.

이에 더하여, 유전층(140A)에 의해 기판(110A)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(110A)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다. In addition, since the reflection loss of light incident on the substrate 110A by the dielectric layer 140A is reduced, the amount of light incident on the substrate 110A is further increased.

이들 전자-정공 쌍은 기판(110A)과 에미터부(120A)의 p-n접합에 의해 서로 분리되며, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 기판(110A) 쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(120A) 쪽으로 이동한다. These electron-hole pairs are separated from each other by the pn junction of the substrate 110A and the emitter portion 120A, and electrons move toward the substrate 110A having an n-type conductivity type, and the holes have a p-type conductivity type. It moves toward the emitter part 120A.

이처럼, 기판(110A) 쪽으로 이동한 전자는 후면 전계부(160A)를 통해 제2 전극부(150A)로 이동하고, 에미터부(120A) 쪽으로 이동한 정공은 제1 전극부(130A)로 이동한다. In this way, electrons moving toward the substrate 110A move to the second electrode unit 150A through the rear electric field unit 160A, and holes moved toward the emitter unit 120A move to the first electrode unit 130A. .

따라서, 서로 이웃한 2개의 태양전지(10A) 중 어느 한 태양전지의 제1 전극부(130A)와 다른 한 태양전지의 제2 전극부(150A)를 인터커넥터(도시하지 않음) 등의 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.Accordingly, the first electrode part 130A of one solar cell and the second electrode part 150A of the other solar cell among the two adjacent solar cells 10A are connected to each other by a conductor such as an interconnector (not shown). When connected, current flows, which is used as power from the outside.

도 4에 도시한 태양전지(10B)는 반도체 기판(110B)의 전면(front surface)과 후면(back surface)을 통해 각각 외부의 빛이 입사하는 양면 수광형 태양전지로서, 반도체 기판(110B)의 전면(front surface)에 위치하는 에미터부(120B), 에미터부(120B) 위에 위치하는 유전층(140B), 유전층(140B)이 위치하지 않는 영역의 에미터부(120B) 위에 위치한 제1 전극(131B) 및 버스바 전극(133B), 기판(110B)의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전계(back surface field, BSF)부(160B), 기판(110B)의 후면에 위치하는 유전층(180B), 유전층(180B)이 위치하지 않는 영역의 후면 전계부의 후면에 위치하는 제2 전극(151B) 및 버스바 전극(153B)을 포함한다.The solar cell 10B shown in FIG. 4 is a double-sided light-receiving solar cell in which external light is incident through the front and back surfaces of the semiconductor substrate 110B, respectively. The emitter part 120B located on the front surface, the dielectric layer 140B located on the emitter part 120B, the first electrode 131B located on the emitter part 120B in the region where the dielectric layer 140B is not located And a busbar electrode 133B, a back surface field (BSF) portion 160B positioned on the back surface of the substrate 110B, a dielectric layer 180B positioned on the rear surface of the substrate 110B, and a dielectric layer. And a second electrode 151B and a bus bar electrode 153B positioned on the rear surface of the rear electric field in the region where 180B is not located.

이러한 구성의 양면 수광형 태양전지(10B)는 기판(110B)의 전면 및 후면을 통해서 각각 외부의 빛이 입사한다.In the double-sided light-receiving solar cell 10B having this configuration, external light is incident through the front and rear surfaces of the substrate 110B, respectively.

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다.Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

본 실시예를 설명함에 있어서, 전술한 제1 실시예에서 설명한 구성 요소와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.In describing the present embodiment, the same reference numerals are assigned to the same components as those described in the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted.

본 실시예의 태양전지 모듈에 있어서, 박막(40)의 구조를 제외한 나머지 구성은 전술한 제1 실시예와 동일 내지 유사하게 구성된다.In the solar cell module of this embodiment, the rest of the configuration except for the structure of the thin film 40 is configured to be the same or similar to the first embodiment described above.

다만, 태양전지 모듈에 구비되는 태양전지가 도 4에 도시한 양면 수광형 태양전지인 경우에는 후면 기판(50)이 전면 기판(30)과 마찬가지로 광 투과성의 저철분 강화 유리 또는 수지로 형성될 수 있다.However, when the solar cell provided in the solar cell module is the double-sided light-receiving solar cell shown in FIG. 4, the rear substrate 50 may be formed of light-transmitting low iron tempered glass or resin, like the front substrate 30. have.

본 실시예에서, 박막(40)은 메쉬 타입(mesh type)으로 형성되는 절연층(40B)을 포함하며, 메쉬 타입의 절연층(40B)은 광 투과성 전면 기판(30)을 통해 입사된 빛의 투과율이 절연층(40B)에 의해 감소하는 것을 억제하기 위해 복수의 개구(40B')를 포함한다.In this embodiment, the thin film 40 includes an insulating layer 40B formed in a mesh type, and the mesh type insulating layer 40B is It includes a plurality of openings 40B' to suppress the transmittance from decreasing by the insulating layer 40B.

절연층(40B)이 형성되지 않은 영역, 즉 개구(40B')에서는 전면 밀봉재(20A)의 전면(front surface)이 광 투과성 전면 기판(30)과 직접 접촉한다. 따라서, 개구(40B')를 통해 입사되는 외부의 빛은 절연층(40B)으로 인한 투과율 저하 현상이 발생되지 않는다.In a region where the insulating layer 40B is not formed, that is, the opening 40B', the front surface of the front sealing material 20A directly contacts the light-transmitting front substrate 30. Accordingly, external light incident through the opening 40B' does not cause a decrease in transmittance due to the insulating layer 40B.

개구(40B')의 크기는 PID 현상 억제 및 빛 투과율 감소를 감안하여 적절한 범위 내에서 다양하게 조절할 수 있다.The size of the opening 40B' can be variously adjusted within an appropriate range in consideration of PID phenomenon suppression and light transmittance reduction.

절연층(40B)은 절연층(40A)과 마찬가지로 절연층(40A)은 실리콘 산화물(SiOx), 이산화티탄계 복합 금속 화합물(titanium oxide-based composite metal compound), 및 플루오로카본계 폴리머(fluorocarbon-based polymer) 중에서 선택된 물질로 형성할 수 있다.Like the insulating layer 40A, the insulating layer 40B is a silicon oxide (SiOx), a titanium oxide-based composite metal compound, and a fluorocarbon-based polymer. based polymer).

그리고 태양전지가 양면 수광형 태양전지인 경우에는 후면 기판(50)을 통해서도 전류가 누설될 수 있다.In addition, when the solar cell is a double-sided light-receiving solar cell, current may leak through the rear substrate 50 as well.

따라서, 전하가 태양전지(10B)들의 후면으로부터 후면 기판(50)을 경유하여 태양전지 모듈의 프레임(도시하지 않음) 또는 태양전지 모듈의 다른 부분들로 누설되는 것을 방지하기 위한 박막(40), 예컨대 아일랜드형 절연층(40A) 또는 메쉬 타입의 절연층(40B)이 후면 기판(50)의 전면(front surface)에도 형성될 수 있다.Accordingly, a thin film 40 for preventing electric charges from leaking from the rear surface of the solar cells 10B to the frame (not shown) of the solar cell module or other parts of the solar cell module via the rear substrate 50, For example, the island-type insulating layer 40A or the mesh-type insulating layer 40B may be formed on the front surface of the rear substrate 50.

이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 제3 실시예를 설명한다.Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

본 실시예에서, 박막(40)은 전술한 제1 실시예의 아일랜드형 절연층(40A)과, 광 투과성 전면 기판(30)의 테두리 부분에 형성되는 연결부(40C)를 포함한다.In this embodiment, the thin film 40 includes the island-like insulating layer 40A of the above-described first embodiment, and a connection portion 40C formed on an edge portion of the light-transmitting front substrate 30.

도 7 및 도 8에서, 연결부(40C)는 빗금 친 영역에 위치하는 절연층을 의미한다.In FIGS. 7 and 8, the connection portion 40C refers to an insulating layer positioned in a hatched region.

연결부(40C)는 태양전지가 배치되지 않은 외곽 영역, 즉 전면 기판(30)의 테두리 부분에서 서로 이웃한 절연층(40A)을 연결한다.The connection part 40C connects the insulating layers 40A adjacent to each other in the outer region where the solar cell is not disposed, that is, at the edge of the front substrate 30.

따라서, 전면 기판(30)의 테두리 부분에 연결부(40C)가 위치하고, 태양전지 모듈의 프레임(도시하지 않음)이 연결부(40C)와 일정한 크기만큼 중첩하여 위치하므로, 본 실시예의 태양전지 모듈은 도 1 및 도 2의 실시예의 태양전지 모듈에 비해 PID 현상으로 인한 출력 저하를 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.Therefore, since the connection part 40C is located at the edge of the front substrate 30, and the frame (not shown) of the solar cell module overlaps the connection part 40C by a certain size, the solar cell module of this embodiment is illustrated in FIG. Compared to the solar cell module of the embodiments of 1 and 2, it is possible to more effectively suppress a decrease in output due to the PID phenomenon.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

10: 태양전지 20: 밀봉 부재
30: 광 투과성 전면 기판 40: 박막
50: 후면 기판
10: solar cell 20: sealing member
30: light-transmitting front substrate 40: thin film
50: rear substrate

Claims (19)

복수의 태양전지들;
상기 태양전지들의 전면에 위치하는 광 투과성 전면 기판;
상기 태양전지들의 후면에 위치하는 후면 기판;
상기 광 투과성 전면 기판과 상기 후면 기판 사이에 위치하며, 상기 태양전지들을 밀봉하는 밀봉 부재; 및
상기 밀봉 부재와 마주하는 상기 광 투과성 전면 기판의 후면에 형성되며, 태양전지의 분극(polarize)을 방지하는 박막
을 포함하며,
상기 박막은 상기 광 투과성 전면 기판의 후면 전체에 형성되지 않고, 상기 후면 중 일부 영역에만 국부적으로 형성되고,
상기 박막은 제1 간격으로 서로 이격된 복수의 절연층을 포함하며,
상기 복수의 절연층은 태양전지 모듈의 제1 방향과 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에서 상기 제1 방향으로의 중심 위치와 상기 제2 방향으로의 중심 위치가 상기 태양전지와 각각 동일한 위치에 형성되는 태양전지 모듈.
A plurality of solar cells;
A light-transmitting front substrate positioned on the front surface of the solar cells;
A rear substrate positioned on the rear surfaces of the solar cells;
A sealing member positioned between the light-transmitting front substrate and the rear substrate and sealing the solar cells; And
A thin film formed on the rear surface of the light-transmitting front substrate facing the sealing member and preventing polarization of the solar cell
Including,
The thin film is not formed on the entire rear surface of the light-transmitting front substrate, but is formed locally only in a portion of the rear surface,
The thin film includes a plurality of insulating layers spaced apart from each other at a first interval,
The plurality of insulating layers have a center position in the first direction and a center position in the second direction in a first direction of the solar cell module and a second direction orthogonal to the first direction, respectively, at the same position as the solar cell Solar cell module formed in the.
삭제delete 제1항에서,
상기 복수의 절연층은 상기 복수의 태양전지와 동일한 개수로 형성되는 태양전지 모듈.
In claim 1,
A solar cell module in which the plurality of insulating layers are formed in the same number as the plurality of solar cells.
삭제delete 제1항에서,
상기 절연층의 크기는 상기 태양전지의 크기 이하로 형성되는 태양전지 모듈.
In claim 1,
A solar cell module in which the size of the insulating layer is less than the size of the solar cell.
제1항에서,
상기 제1 간격은 서로 이웃한 태양전지 사이의 간격 이상으로 형성되는 태양전지 모듈.
In claim 1,
The first interval is a solar cell module formed to be greater than the interval between adjacent solar cells.
제1항에서,
서로 이웃한 절연층의 사이에서, 상기 밀봉 부재의 전면(front surface)은 상기 광 투과성 전면 기판과 직접 접촉하는 태양전지 모듈.
In claim 1,
A solar cell module in which a front surface of the sealing member directly contacts the light-transmitting front substrate between adjacent insulating layers.
제1항, 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
상기 박막은 상기 광 투과성 전면 기판의 테두리 부분에서 서로 이웃한 절연층을 연결하는 연결부를 더 포함하는 태양전지 모듈.
In any one of claims 1, 3 and 5 to 7,
The thin film further comprises a connection part connecting insulating layers adjacent to each other at an edge portion of the light-transmitting front substrate.
삭제delete 삭제delete 제1항, 제3항 및 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
상기 절연층은 실리콘 산화물(SiOx), 이산화티탄계 복합 금속 화합물(titanium oxide-based composite metal compound), 플루오로카본계 폴리며(fluorocarbon-based polymer) 중에서 선택된 물질로 형성되는 태양전지 모듈.
In any one of claims 1, 3 and 5 to 7,
The insulating layer is a solar cell module formed of a material selected from silicon oxide (SiOx), titanium oxide-based composite metal compound, and fluorocarbon-based polymer.
제11항에서,
상기 밀봉 부재는 상기 광 투과성 전면 기판과 상기 태양전지의 사이에 위치하는 전면 밀봉재와, 상기 후면 기판과 상기 태양전지의 사이에 위치하는 후면 밀봉재를 포함하는 태양전지 모듈.
In clause 11,
The sealing member includes a front sealing material positioned between the light-transmitting front substrate and the solar cell, and a rear sealing material positioned between the rear substrate and the solar cell.
제12항에서,
상기 전면 밀봉재 및 상기 후면 밀봉재는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA), 폴리올레핀(polyolefin), 이노머(inomer), 실리콘 수지(silicone resin) 및 폴리 비닐 부티랄(PVB) 중에서 선택된 동종(同種) 또는 이종(異種) 재질로 각각 형성되는 태양전지 모듈.
In claim 12,
The front sealing material and the rear sealing material are the same or different types selected from ethylene vinyl acetate (EVA), polyolefin, inomer, silicone resin, and polyvinyl butyral (PVB). ) Solar cell modules each formed of a material.
제8항에서,
상기 절연층은 실리콘 산화물(SiOx), 이산화티탄계 복합 금속 화합물(titanium oxide-based composite metal compound), 플루오로카본계 폴리며(fluorocarbon-based polymer) 중에서 선택된 물질로 형성되는 태양전지 모듈.
In clause 8,
The insulating layer is a solar cell module formed of a material selected from silicon oxide (SiOx), titanium oxide-based composite metal compound, and fluorocarbon-based polymer.
제14항에서,
상기 밀봉 부재는 상기 광 투과성 전면 기판과 상기 태양전지의 사이에 위치하는 전면 밀봉재와, 상기 후면 기판과 상기 태양전지의 사이에 위치하는 후면 밀봉재를 포함하는 태양전지 모듈.
In clause 14,
The sealing member includes a front sealing material positioned between the light-transmitting front substrate and the solar cell, and a rear sealing material positioned between the rear substrate and the solar cell.
제15항에서,
상기 전면 밀봉재 및 상기 후면 밀봉재는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA), 폴리올레핀(polyolefin), 이노머(inomer), 실리콘 수지(silicone resin) 및 폴리 비닐 부티랄(PVB) 중에서 선택된 동종(同種) 또는 이종(異種) 재질로 각각 형성되는 태양전지 모듈.
In paragraph 15,
The front sealing material and the rear sealing material are the same or different types selected from ethylene vinyl acetate (EVA), polyolefin, inomer, silicone resin, and polyvinyl butyral (PVB). ) Solar cell modules each formed of a material.
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