KR102226726B1

KR102226726B1 - Organic light emitting display

Info

Publication number: KR102226726B1
Application number: KR1020140132076A
Authority: KR
Inventors: 최대정; 이재기; 양기섭; 전홍명
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-09-30
Filing date: 2014-09-30
Publication date: 2021-03-12
Also published as: KR20160039105A

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 둘 이상의 서브 화소부를 포함하는 단위 화소를 포함한다. 서브 화소부는 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 상에 위치하는 반사층, 반사층 상에 위치하는 제1 전극, 제1 전극의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 노출된 제1 전극 상에 위치하는 발광층 및 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 서브 화소부 중 적어도 어느 하나 이상은 반사층과 제1 전극 사이에 패시베이션층을 포함하며, 패시베이션층은 각 서브 화소부 별로 서로 다른 두께인 것을 특징으로 한다.An organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a unit pixel including two or more sub-pixel units. The sub-pixel unit is a thin film transistor positioned on the substrate, a reflective layer positioned on the thin film transistor, a first electrode positioned on the reflective layer, a bank layer exposing a partial region of the first electrode, and a light emitting layer positioned on the exposed first electrode And a second electrode positioned on the emission layer. At least one of the sub-pixel units includes a passivation layer between the reflective layer and the first electrode, and the passivation layer has a different thickness for each sub-pixel unit.

Description

Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 발광효율을 향상시키고 외부 광 반사에 의한 표시품질 저하를 방지할 수 있는 유기발광표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light-emitting display device, and more particularly, to an organic light-emitting display device capable of improving luminous efficiency and preventing display quality from deteriorating due to external light reflection.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기계발광표시장치(Organic Light Emitting Display) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.Recently, flat panel displays (FPDs) are increasing in importance with the development of multimedia. In response to this, various types of products such as Liquid Crystal Display (LCD), Plasma Display Panel (PDP), Field Emission Display (FED), Organic Light Emitting Display, etc. Flat-panel displays are being put into practical use.

이 중, 유기발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Among them, the organic light emitting display device has a response speed of less than 1 ms, has a high response speed, has low power consumption, and is self-luminous. In addition, since there is no problem with the viewing angle, there is an advantage as a moving image display medium regardless of the size of the device. In addition, since low-temperature fabrication is possible and the fabrication process is simple based on the existing semiconductor process technology, it is drawing attention as a next-generation flat panel display device in the future.

유기발광표시장치는 적색, 녹색 및 청색의 서브 화소들이 모여 하나의 단위화소를 구성하여 풀 컬러를 구현한다. 하나의 서브 화소는 정공을 주입하는 애노드인 제1 전극, 전자를 주입하는 캐소드인 제2 전극, 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하여 전극들로부터 주입된 전자와 정공들이 재결합하여 여기자를 형성함으로써 빛을 발광하는 발광층을 포함한다. In the organic light emitting display device, red, green, and blue sub-pixels are gathered to form one unit pixel to implement full color. One sub-pixel is positioned between the first electrode as an anode for injecting holes, the second electrode as the cathode for injecting electrons, and the first electrode and the second electrode, whereby electrons and holes injected from the electrodes recombine to excitate. It includes a light-emitting layer emitting light by forming.

종래 유기발광표시장치는 각 적색, 녹색 및 청색의 발광효율을 향상시키고, 외광을 제거하기 위해 각 서브 화소 별로 광 경로를 다르게 하는 마이크로 캐비티(Micro Cavity) 구조를 형성하였다. In the conventional organic light emitting display device, in order to improve the luminous efficiency of each red, green, and blue color, and to remove external light, a micro-cavity structure is formed in which light paths are different for each sub-pixel.

도 1은 종래 유기발광표시장치를 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 각 서브 화소 별로 반사층(15)과 투명도전층(20)을 포함하는 제1 전극(22)이 위치하고, 제1 전극(22) 상에 백색을 발광하는 발광층(25)이 위치하며, 발광층(25) 상에 제2 전극(30)이 위치한다. 그 위에 발광층(25)에서 방출된 백색의 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 컬러필터들(40R, 40G, 40B)이 상부기판(50)에 위치하고, 컬러필터들(40R, 40G, 40B)의 사이마다 블랙 매트릭스(45)가 위치한다. 종래에는 마이크로 캐비티 구조를 형성하기 위해 제1 전극(22)의 투명도전층(20)의 두께를 각 서브 화소 별로 다르게 형성한다. 1 is a diagram showing a conventional organic light emitting display device. Referring to FIG. 1, a first electrode 22 including a reflective layer 15 and a transparent conductive layer 20 is positioned on a substrate 10 for each sub-pixel, and emits white light on the first electrode 22. The light emitting layer 25 is positioned, and the second electrode 30 is positioned on the light emitting layer 25. Color filters 40R, 40G, and 40B for converting white light emitted from the emission layer 25 into red, green, and blue are located on the upper substrate 50, and the color filters 40R, 40G, and 40B A black matrix 45 is positioned between each of the two. Conventionally, in order to form a micro-cavity structure, the thickness of the transparent conductive layer 20 of the first electrode 22 is formed differently for each sub-pixel.

그러나, 종래 유기발광표시장치는 기본적으로 컬러필터들이 상부기판에 인캡하는 형태로 합착해야 하기 때문에, 페이스 실(face seal adhesive)를 형성하기 위한 갭이 발생한다. 이로 인해, 발광층에서 방출된 광이 옆 화소로 새어 나가기 때문에 컬러필터의 블랙 매트릭스의 마진(margin)이 커지게 된다. 따라서, 블랙 매트릭스의 증가된 마진으로 인해 화소의 개구율이 낮아지고 결과적으로는 표시장치의 개구율이 낮은 문제가 있다.
However, in the conventional organic light emitting display device, since the color filters must be bonded to the upper substrate in a form of encapsulation, a gap for forming a face seal adhesive occurs. As a result, since light emitted from the light emitting layer leaks to the adjacent pixels, the margin of the black matrix of the color filter increases. Accordingly, there is a problem that the aperture ratio of the pixel is lowered due to the increased margin of the black matrix, and as a result, the aperture ratio of the display device is low.

본 발명은 발광효율을 향상시키고 외부 광 반사에 의한 표시품질 저하를 방지할 수 있는 유기발광표시장치를 제공한다.
The present invention provides an organic light-emitting display device capable of improving luminous efficiency and preventing display quality from deteriorating due to external light reflection.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 둘 이상의 서브 화소부를 포함하는 단위 화소를 포함한다. 서브 화소부는 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 상에 위치하는 반사층, 반사층 상에 위치하는 제1 전극, 제1 전극의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 노출된 제1 전극 상에 위치하는 발광층 및 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 서브 화소부 중 적어도 어느 하나 이상은 반사층과 제1 전극 사이에 패시베이션층을 포함하며, 패시베이션층은 각 서브 화소부 별로 서로 다른 두께인 것을 특징으로 한다.
In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a unit pixel including two or more sub-pixel units. The sub-pixel unit is a thin film transistor positioned on the substrate, a reflective layer positioned on the thin film transistor, a first electrode positioned on the reflective layer, a bank layer exposing a partial region of the first electrode, and a light emitting layer positioned on the exposed first electrode And a second electrode positioned on the emission layer. At least one of the sub-pixel units includes a passivation layer between the reflective layer and the first electrode, and the passivation layer has a different thickness for each sub-pixel unit.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 반사층, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 마이크로 캐비티 구조를 구현하여 발광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상부기판을 통해 내부로 입사된 외부 광이 내부의 반사층, 제1 전극 및 제2 전극에서 반사된 광에 의해 소멸되어, 외부 광 반사에 의한 표시품질 저하를 방지할 수 있는 이점이 있다.
The organic light emitting display device according to the exemplary embodiments of the present invention may improve luminous efficiency by implementing a micro-cavity structure between the reflective layer, the first electrode, and the second electrode. In addition, external light incident to the interior through the upper substrate is extinguished by light reflected from the internal reflective layer, the first electrode, and the second electrode, thereby preventing display quality from deteriorating due to external light reflection.

도 1은 종래 유기발광표시장치를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 반사층의 위치를 나타낸 평면도.
도 4는 외부 광이 반사되는 것을 모식화한 도면.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 단면도.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.1 is a view showing a conventional organic light emitting display device.
2 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing the location of the reflective layer of the present invention.
Fig. 4 is a schematic diagram of reflection of external light.
5 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
6A to 6D are views showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention for each process.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 반사층의 위치를 나타낸 평면도이며, 도 4는 외부 광이 반사되는 것을 모식화한 도면이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a plan view showing a position of a reflective layer of the present invention, and FIG. 4 is a diagram schematically showing reflection of external light, 5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기발광표시장치(100)는 적색, 녹색 및 청색 파장의 광을 발광하는 유기전계발광소자를 포함한다. 본 발명의 실시예에서는 세 개의 서브 화소부가 하나의 단위 화소부를 구성하며, 서브 화소부들은 적색을 방출하는 적색 화소부(60R), 녹색을 방출하는 녹색 화소부(60G) 및 청색을 방출하는 청색 화소부(60B)로 구성되어 풀 컬러를 구현한다.Referring to FIG. 2, an organic light-emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention includes an organic light-emitting device that emits light of red, green, and blue wavelengths. In an exemplary embodiment of the present invention, three sub-pixel portions constitute one unit pixel portion, and the sub-pixel portions include a red pixel portion 60R that emits red, a green pixel portion 60G that emits green, and a blue color emitting blue. It is composed of a pixel portion 60B to realize full color.

본 발명의 제1 실시예에 따른 유기계발광표시장치(100)는 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)가 구비된 기판(110) 상에 각각 박막트랜지스터(TFT)와 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.The organic light emitting display device 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor on a substrate 110 including a red pixel portion 60R, a green pixel portion 60G, and a blue pixel portion 60B. TFT) and organic light emitting diodes (OLEDs).

보다 자세하게, 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)가 구비된 기판(110) 상에 각각 반도체층(115)이 위치한다. 반도체층(115)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘으로 이루어진다. 여기서 도시하지는 않았지만, 반도체층(115)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 기판(110)과 반도체층(115) 사이에 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 버퍼층은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 이루어진다.In more detail, the semiconductor layers 115 are respectively positioned on the substrate 110 including the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B. The semiconductor layer 115 is made of an oxide semiconductor, amorphous silicon, or polycrystalline silicon obtained by crystallizing the same. Although not shown here, the semiconductor layer 115 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities. Further, although not shown, a buffer layer may be further included between the substrate 110 and the semiconductor layer 115. The buffer layer is formed to protect the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions flowing out of the substrate 110 and is selectively formed using silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or the like.

반도체층(115) 상에 게이트 절연막(120)이 위치한다. 게이트 절연막(120)은 반도체층(115)을 절연시키는 역할을 하며, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나로 이루어진다. 게이트 절연막(120) 상에 게이트 전극(125)이 위치한다. 게이트 전극(125)은 반도체층(115)의 일정 영역, 즉 채널 영역에 대응되는 게이트 절연막(120) 상에 위치한다. 게이트 전극(125)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi₂) 중 어느 하나 이상으로 이루어진다.A gate insulating layer 120 is positioned on the semiconductor layer 115. The gate insulating layer 120 serves to insulate the semiconductor layer 115 and is made of at least one of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). A gate electrode 125 is positioned on the gate insulating layer 120. The gate electrode 125 is positioned on the gate insulating layer 120 corresponding to a predetermined region of the semiconductor layer 115, that is, a channel region. The gate electrode 125 is aluminum (Al), aluminum alloy, titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten silicide (WSi _2). ) Consists of any one or more.

게이트 전극(125) 상에 층간 절연막(130)이 위치한다. 층간 절연막(130)은 하부의 게이트 전극(125), 반도체층(115) 등의 소자를 절연시키고 보호하는 것으로, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나로 이루어진다. 층간 절연막(130) 상에 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)이 위치한다. 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)은 층간 절연막(130)에 구비된 콘택홀들(132a, 132b)을 통해 반도체층(115)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결된다. 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질로 이루어지며, 예를 들어, 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어진 다층막일 수 있다. 다층막으로는 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 또는 몰리 텅스텐/알루미늄/몰리 텅스텐(MoW/Al/MoW)의 적층구조가 사용될 수 있다. An interlayer insulating layer 130 is positioned on the gate electrode 125. The interlayer insulating layer 130 insulates and protects devices such as the lower gate electrode 125 and the semiconductor layer 115, and is made of at least one of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). A source electrode 135a and a drain electrode 135b are positioned on the interlayer insulating layer 130. The source electrode 135a and the drain electrode 135b are respectively connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 115 through contact holes 132a and 132b provided in the interlayer insulating layer 130. The source electrode 135a and the drain electrode 135b are made of a low-resistance material to lower wiring resistance, for example, molybdenum tungsten (MoW), titanium (Ti), aluminum (Al), or aluminum alloy. It may be a multilayer film made of. As the multilayer film, a stacked structure of titanium/aluminum/titanium (Ti/Al/Ti) or moly tungsten/aluminum/moly tungsten (MoW/Al/MoW) may be used.

따라서, 기판(110) 상에 반도체층(115), 게이트 전극(125), 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 구성된다. 이와 같은 박막 트랜지스터(TFT)는 각 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)에 위치한다. 본 실시예에서는 반도체층 상부에 게이트 전극이 위치하는 탑(Top) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)를 개시하였지만, 이와는 달리 게이트 전극이 반도체층 하부에 위치하는 바텀(Bottom) 게이트형 박막 트랜지스터(TFT)를 사용할 수도 있다.Accordingly, a thin film transistor TFT including the semiconductor layer 115, the gate electrode 125, the source electrode 135a and the drain electrode 135b is formed on the substrate 110. The thin film transistor TFT is located in each of the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B. In this embodiment, a top gate type thin film transistor (TFT) in which a gate electrode is located on a semiconductor layer is disclosed, but unlike this, a bottom gate type thin film transistor (TFT) in which a gate electrode is located under a semiconductor layer. You can also use

한편, 박막 트랜지스터(TFT)가 위치한 층간 절연막(130) 상에 반사층(138)이 위치한다. 반사층(138)은 상부의 발광층에서 발광된 광을 상부로 다시 반사하는 것으로, 반사율이 높은 금속으로 이루어진다. 반사층(138)은 전술한 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)과 동일한 재료로 이루어지며, 예를 들어, 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어질 수 있다. 또한, 반사층(138)은 전술한 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)과 동일한 두께로 이루어진다.Meanwhile, the reflective layer 138 is positioned on the interlayer insulating layer 130 on which the thin film transistor TFT is located. The reflective layer 138 reflects light emitted from the upper emission layer back upward, and is made of a metal having a high reflectivity. The reflective layer 138 is made of the same material as the source electrode 135a and the drain electrode 135b described above, and, for example, tungsten (MoW), titanium (Ti), aluminum (Al), or aluminum alloy Can be made. Further, the reflective layer 138 has the same thickness as the source electrode 135a and the drain electrode 135b described above.

반사층(138)은 기판(110) 상의 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)에 각각 위치한다. 보다 자세하게, 도 3을 참조하면, 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)는 각각 박막 트랜지스터(TFT) 등의 회로가 위치하는 회로부(TP)와 광을 발광하는 발광부(EP)를 포함한다. 본 발명의 반사층(138)은 발광부(EP)의 광을 반사하는 역할을 하기 위해, 각 발광부(EP)에 대응되는 영역에 위치한다. 구체적으로, 반사층(138)은 후술되는 제1 전극에 대응되는 하부에 위치하며, 제1 전극과 적어도 같은 크기로 이루어진다. 반사층(138)은 제1 전극과 최소 합동이 되도록 위치하면서 동일한 크기로 이루어지거나, 제1 전극보다 큰 크기로 이루어질 수 있다. 따라서, 반사층(138)은 발광층에서 발광된 광이 제1 전극을 투과하여 반사층(138)에 도달하면, 그 광을 반사하여 다시 제1 전극으로 방출시켜 마이크로 캐비티를 구현한다.The reflective layer 138 is positioned on the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B on the substrate 110, respectively. In more detail, referring to FIG. 3, the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B emit light and a circuit portion TP in which circuits such as a thin film transistor (TFT) are located, respectively. It includes a light emitting unit (EP). The reflective layer 138 of the present invention is positioned in a region corresponding to each light-emitting part EP to serve to reflect light of the light-emitting part EP. Specifically, the reflective layer 138 is positioned below the first electrode to be described later, and has at least the same size as the first electrode. The reflective layer 138 may have the same size while being positioned to be minimally congruent with the first electrode, or may have a size larger than that of the first electrode. Accordingly, when the light emitted from the light emitting layer passes through the first electrode and reaches the reflective layer 138, the reflective layer 138 reflects the light and emits the light back to the first electrode, thereby implementing a microcavity.

한편, 반사층(138)을 포함하는 기판(110) 상에 패시베이션층(140)이 위치한다. 패시베이션층(140)은 하부의 박막 트랜지스터(TFT) 등의 소자를 보호하면서 마이크로 캐비티를 위해 각 화소부 별로 두께 차이를 부여하는 역할을 한다. 패시베이션층(140)은 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B) 별로 다른 두께로 이루어진다. 패시베이션층(140)은 적색 화소부(60R)에서 제1 두께(T1)를 이루고, 녹색 화소부(60G)에서 제2 두께(T2)를 이루며, 청색 화소부(60B)에서 제3 두께(T3)를 이룬다. 예를 들어, 본 실시예에서 패시베이션층(140)은 적색 화소부(60R)에서 제1 두께(T1)가 제2 두께(T2) 및 제3 두께(T3)보다 두껍고, 녹색 화소부(60G)에서 제2 두께(T2)가 제3 두께(T3)보다 두꺼우며, 청색 화소부(60B)에서 제3 두께(T3)가 제1 두께(T1) 및 제2 두께(T2)보다 얇게 이루어진다.Meanwhile, the passivation layer 140 is positioned on the substrate 110 including the reflective layer 138. The passivation layer 140 serves to provide a thickness difference for each pixel portion for a micro-cavity while protecting a device such as a thin film transistor (TFT) underneath. The passivation layer 140 has a different thickness for each of the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B. The passivation layer 140 has a first thickness T1 in the red pixel portion 60R, a second thickness T2 in the green pixel portion 60G, and a third thickness T3 in the blue pixel portion 60B. ). For example, in the present embodiment, the passivation layer 140 has a first thickness T1 thicker than the second thickness T2 and the third thickness T3 in the red pixel portion 60R, and the green pixel portion 60G In, the second thickness T2 is thicker than the third thickness T3, and the third thickness T3 in the blue pixel portion 60B is thinner than the first thickness T1 and the second thickness T2.

상기 패시베이션층(140)은 각 화소부 별로 두께 차이를 가지도록, 유기막, 무기막 또는 이들의 복합막으로 이루어진다. 패시베이션층(140)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 복합막으로 이루어질 수 있고, 패시베이션층(140)이 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지 등으로 이루어질 수 있다.The passivation layer 140 is formed of an organic layer, an inorganic layer, or a composite layer thereof so as to have a thickness difference for each pixel portion. When the passivation layer 140 is an inorganic layer, it may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a composite layer thereof. When the passivation layer 140 is an organic layer, acrylic resin, polyimide resin, or benzo It may be made of a cyclobutene (benzocyclobutene, BCB)-based resin or the like.

한편, 패시베이션층(140) 상에 각 화소부 별로 제1 전극(150)이 위치한다. 제1 전극(150)은 패시베이션층(140)에 구비된 비어홀(145)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(135b)에 연결된다. 제1 전극(150)은 마이크로 캐비티를 위해 발광층의 광 중 절반 정도는 투과를 하고 절반 정도는 반사가 되는 반투과 전극이다. 이를 위해, 제1 전극(150)은 하부 투명도전막(151), 반투과막(152) 및 상부 투명도전막(153)으로 이루어진다. 하부 투명도전막(151)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(135b)에 연결되는 것으로, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명하면서 도전성을 가지는 투명도전막으로 이루어진다. 하부 투명도전막(151) 상에 반투과막(152)이 위치한다. 반투과막(152)은 발광층의 광 중 절반 정도는 투과를 하고 절반 정도는 반사가 되는 것으로, 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디움(Al-Nd), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy) 등과 같은 고반사율의 특성을 갖는 재료로 이루어진다. 이때, 반투과막(152)은 두께를 조절하여 투과와 반사를 동시에 할 수 있도록 한다. 반투과막(152) 상에 상부 투명도전막(153)이 위치한다. 상부 투명도전막(153)은 발광층에 정공을 주입하는 애노드로 일함수가 높은 투명도전막으로 이루어진다. 예를 들어, 상부 투명도전막(153)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, the first electrode 150 is positioned on the passivation layer 140 for each pixel portion. The first electrode 150 is connected to the drain electrode 135b of the thin film transistor TFT through the via hole 145 provided in the passivation layer 140. The first electrode 150 is a semi-transmissive electrode in which about half of the light of the light emitting layer is transmitted and about half of the light of the light emitting layer is reflected for the micro-cavity. To this end, the first electrode 150 includes a lower transparent conductive film 151, a semi-transparent film 152 and an upper transparent conductive film 153. The lower transparent conductive film 151 is connected to the drain electrode 135b of the thin film transistor TFT, and is made of a transparent and conductive transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). A semi-transmissive layer 152 is positioned on the lower transparent conductive layer 151. The semi-transmissive layer 152 transmits about half of the light of the emission layer and reflects about half of the light. Aluminum (Al), aluminum-neodymium (Al-Nd), silver (Ag), and silver alloy It is made of a material having high reflectivity properties such as ). At this time, the semi-transmissive layer 152 can transmit and reflect at the same time by adjusting the thickness. An upper transparent conductive layer 153 is positioned on the semi-transmissive layer 152. The upper transparent conductive film 153 is an anode for injecting holes into the light emitting layer, and is made of a transparent conductive film having a high work function. For example, the upper transparent conductive layer 153 may be made of Indium Tin Oxide (ITO) or Indium Zinc Oxide (IZO).

제1 전극(150)들이 형성된 기판(110) 상에 뱅크층(160)이 위치한다. 뱅크층(160)은 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)를 분리 및 구획하면서 발광부(EP)를 정의한다. 뱅크층(160)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 뱅크층(160)은 제1 전극(150)을 노출하는 개구부(165)가 구비된다.The bank layer 160 is positioned on the substrate 110 on which the first electrodes 150 are formed. The bank layer 160 separates and partitions the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B to define the light emitting portion EP. The bank layer 160 is made of an organic material such as polyimide, benzocyclobutene series resin, and acrylate. The bank layer 160 includes an opening 165 exposing the first electrode 150.

제1 전극(150) 및 뱅크층(160)의 개구부(165)에 발광층(170)이 위치한다. 본 발명의 제1 실시예에서 발광층(170)은 백색을 발광한다. 즉, 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B) 전체에 걸쳐 백색을 발광하는 발광층(170)이 위치한다. 발광층(170)은 광을 발광하는 층 외에 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다. 그리고, 발광층(170)을 포함한 기판(110) 상에 제2 전극(180)이 위치한다. 제2 전극(180)은 발광층(170)에 전자를 공급하는 캐소드로서, 일함수가 낮은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금으로 이루어진다. 특히, 제2 전극(180)은 발광층(170)에서 방출된 광이 투과할 수 있도록 투과 전극으로 이루어진다. 이를 위해, 제2 전극(180)은 광이 투과될 정도로 매우 얇은 두께로 이루어진다. 따라서, 제1 전극(150), 발광층(170) 및 제2 전극(180)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 구성된다. The emission layer 170 is positioned in the opening 165 of the first electrode 150 and the bank layer 160. In the first embodiment of the present invention, the light emitting layer 170 emits white light. That is, the light emitting layer 170 emitting white light is positioned over the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B. The light emitting layer 170 may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or an electron injection layer in addition to a layer emitting light. In addition, the second electrode 180 is positioned on the substrate 110 including the emission layer 170. The second electrode 180 is a cathode that supplies electrons to the light emitting layer 170 and is made of aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), or an alloy thereof having a low work function. In particular, the second electrode 180 is formed of a transmissive electrode so that the light emitted from the light emitting layer 170 can be transmitted. To this end, the second electrode 180 has a very thin thickness so that light is transmitted. Accordingly, an organic light emitting diode (OLED) including the first electrode 150, the emission layer 170, and the second electrode 180 is formed.

한편, 유기발광 다이오드(OLED)가 구비된 기판(110)과 대향하는 상부기판(190)이 위치한다. 상부기판(190)은 백색의 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 컬러필터들(195R, 195G, 195B) 및 이들 사이에 위치한 블랙 매트릭스(192)를 포함한다. 여기서, 컬러필터들(195R, 195G, 195B)은 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)에 대응되도록 형성된다. 예를 들어, 적색 화소부(60R)에 적색 컬러필터(195R)가 대응되고 녹색 화소부(60G)에 녹색 컬러필터(195G)가 대응되고 청색 화소부(60B)에 청색 컬러필터(195B)가 대응된다. Meanwhile, an upper substrate 190 facing the substrate 110 on which the organic light emitting diode (OLED) is provided is positioned. The upper substrate 190 includes color filters 195R, 195G, and 195B for converting white light into red, green, and blue, and a black matrix 192 positioned therebetween. Here, the color filters 195R, 195G, and 195B are formed to correspond to the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B. For example, the red color filter 195R corresponds to the red pixel portion 60R, the green color filter 195G corresponds to the green pixel portion 60G, and the blue color filter 195B corresponds to the blue pixel portion 60B. Corresponds.

전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G), 청색 화소부(60B)가 정의된 기판(110) 상에 각각 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광 다이오드(OLED)가 구비된다. 유기발광 다이오드(OLED)에서 발광된 백색 광은 상부기판(190)에 구비된 컬러필터들을 통해 적색, 녹색 및 청색으로 변환되어 풀 컬러를 구현한다. 특히, 본 발명에서는 적색, 녹색 및 청색 광의 효율을 향상시키고 외부 광을 소멸간섭시키기 위해, 각 화소부마다 반사층(138)을 구비하고 각 화소부의 패시베이션층(140)의 두께를 달리하여 마이크로 캐비티 구조로 이루어진다. The organic light emitting display device 100 according to the first embodiment of the present invention described above includes a thin film on the substrate 110 on which the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B are defined. A transistor (TFT) and an organic light emitting diode (OLED) are provided. The white light emitted from the organic light emitting diode (OLED) is converted into red, green, and blue through color filters provided on the upper substrate 190 to realize full color. In particular, in the present invention, in order to improve the efficiency of red, green, and blue light and to extinct external light, a reflective layer 138 is provided for each pixel portion, and the thickness of the passivation layer 140 of each pixel portion is changed to have a micro-cavity structure. Consists of

또한, 화소부마다 제1 전극(150) 하부에 구비된 반사층(138)에 의해 발광층(170)에서 발광된 광이 반사층(138)에서 반사되어 상부기판(190)으로 방출된다. 따라서, 발광층(170)에서 발광된 백색의 광이 상부에 위치한 컬러필터를 통해 적색, 녹색 및 청색의 풀 컬러를 구현하는 전면 발광형 유기발광표시장치를 제공한다. In addition, light emitted from the light emitting layer 170 by the reflective layer 138 provided under the first electrode 150 for each pixel portion is reflected from the reflective layer 138 and is emitted to the upper substrate 190. Accordingly, a top emission type organic light emitting display device is provided in which white light emitted from the emission layer 170 implements full colors of red, green, and blue through a color filter positioned thereon.

본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치는 마이크로 캐비티 구조를 구현하여 발광효율을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G), 청색 화소부(60B)에서의 반사층(138)과 제2 전극(180) 사이의 마이크로 캐비티를 위한 광학적 거리(L)에 대해서 설명한다. The organic light emitting display device according to the first exemplary embodiment of the present invention may improve luminous efficiency by implementing a micro-cavity structure. The optical distance L for the microcavity between the reflective layer 138 and the second electrode 180 in the red pixel portion 60R, green pixel portion 60G, and blue pixel portion 60B of the present invention is described. do.

각 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G), 청색 화소부(60B)에서, 반사층(138)과 제2 전극(180) 사이의 광학적 거리(L)는 각각의 화소부들에서 원하는 파장 영역의 광이 반사층(138)과 제2 전극(180) 양단에서 공진하는 값으로 각각 설정되어 있다. 이 때문에, 발광층(170)에서 발생한 발광색이 반사할 때에 생기는 위상 시프트를 ψ라디안, 광학적 거리를 L, 발광층(170)에서 발광한 발광색 중의 취출하고 싶은 광의 스펙트럼의 피크 파장을 λ로 한 경우, 하기 수학식 1을 만족시키도록 광학적 거리(L)가 형성된다. In each of the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B, the optical distance L between the reflective layer 138 and the second electrode 180 is a desired wavelength region in each of the pixel portions. The light of is set to a value that resonates at both ends of the reflective layer 138 and the second electrode 180, respectively. For this reason, when the phase shift generated when the luminous color generated from the light-emitting layer 170 is reflected is psi radians, the optical distance is L, and the peak wavelength of the spectrum of the light to be extracted among the luminous colors emitted from the light-emitting layer 170 is λ, the following The optical distance L is formed to satisfy Equation 1.

[수학식 1][Equation 1]

2L/λ + ψ/2π = m, (m은 정수)2L/λ + ψ/2π = m, (m is an integer)

예를 들어, 청색 화소부(60B)에 대해서는 취출하고 싶은 광의 스펙트럼의 피크 파장(λ)으로서 청색의 영역 내에 피크 파장(λ)=460㎚를 설정하고, 광학적 거리(L)를 산출한다. 또한, 녹색 화소부(60G)에 대해서는 취출하고 싶은 광의 스펙트럼의 피크 파장(λ)으로서 녹색의 영역 내에 피크 파장(λ)=530㎚를 설정하고, 광학적 거리(L)를 산출한다. 또한, 적색 화소부(60R)에 대해서는 취출하고 싶은 광의 스펙트럼의 피크 파장(λ)으로서 적색의 영역 내에 피크 파장(λ)=630㎚를 설정하고, 광학적 거리(L)를 산출한다.For example, for the blue pixel portion 60B, the peak wavelength (λ) = 460 nm in the blue region is set as the peak wavelength (λ) of the spectrum of light to be extracted, and the optical distance (L) is calculated. In addition, for the green pixel portion 60G, the peak wavelength (λ) = 530 nm in the green region is set as the peak wavelength (λ) of the spectrum of light to be extracted, and the optical distance (L) is calculated. In addition, for the red pixel portion 60R, the peak wavelength (λ) = 630 nm in the red region is set as the peak wavelength (λ) of the spectrum of light to be extracted, and the optical distance (L) is calculated.

위와 같이, 본 발명에서는 반사층(138)과 제2 전극(180) 사이의 광학적 거리(L)를 산출하여, 그 광학적 거리(L)를 패시베이션층(140)의 두께를 조절하여 마이크로 캐비티 구조를 구현한다.As above, in the present invention, the optical distance L between the reflective layer 138 and the second electrode 180 is calculated, and the optical distance L is adjusted to the thickness of the passivation layer 140 to implement a micro-cavity structure. do.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치는 외부 광에 의한 반사를 저감할 수 있다. 도 4를 참조하면, 투명한 상부기판을 통과하여 내부로 입사된 외부 광은 컬러필터들을 통해 적색, 녹색 및 청색 광으로 입사된다. 적색, 녹색 및 청색 중 녹색 화소부에서 녹색 외부광을 상쇄시키는 것을 예로 설명한다. In addition, the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention can reduce reflection by external light. Referring to FIG. 4, external light that passes through the transparent upper substrate and is incident inside is incident as red, green, and blue light through color filters. An example of canceling green external light in a green pixel portion among red, green, and blue will be described.

입사된 녹색 외부광은 제2 전극(180), 제1 전극(150) 및 반사층(138)에서 반사 또는 투과된다. 제2 전극(180)에서 반사된 광(①)은 상부로 나아가고, 나머지 광은 제2 전극(180)을 투과한다. 제2 전극(180)을 투과한 광은 발광층(170)을 통해 제1 전극(150)에서 반사 및 투과된다. 제1 전극(150)에서 반사된 광(②)은 제2 전극(180)으로 나아가고 나머지 광은 제1 전극(150)을 투과한다. 제1 전극(150)을 투과한 광은 패시베이션층(140)을 통해 반사층(138)에서 반사된다. 반사층(138)에서 반사된 광(③)은 제1 전극(150)으로 나아간다. The incident green external light is reflected or transmitted from the second electrode 180, the first electrode 150, and the reflective layer 138. The light (①) reflected from the second electrode 180 goes upward, and the remaining light passes through the second electrode 180. Light transmitted through the second electrode 180 is reflected and transmitted from the first electrode 150 through the emission layer 170. The light (②) reflected from the first electrode 150 proceeds to the second electrode 180 and the remaining light passes through the first electrode 150. Light transmitted through the first electrode 150 is reflected from the reflective layer 138 through the passivation layer 140. The light (③) reflected by the reflective layer 138 proceeds to the first electrode 150.

앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 공진되는 광학적 거리(L)를 계산하여 패시베이션층(140)의 두께를 조절함으로써, 공진되는 광의 파장대를 원하는대로 조절할 수 있다. 따라서, 제2 전극(180)에서 반사된 광(①), 제1 전극(150)에서 반사된 광(②) 및 반사층(138)에서 반사된 광(③)의 파장대를 조절하여 표시장치 내부로 입사되는 외부 광의 파장대를 소멸간섭으로 상쇄시킨다. 예를 들어, 입사된 녹색 외부 광의 500nm 파장대를 상쇄시키도록 패시베이션층(140)의 두께를 조절하여 제2 전극(180), 제1 전극(150) 및 반사층(138)에서 반사되는 광의 파장대를 조절한다. 따라서, 입사되는 외부 광이 제2 전극(180)에서 반사된 광(①)에 의해 일부 상쇄되고, 제2 전극(180)을 투과한 외부 광이 제1 전극(150)에서 반사된 광(②)에 의해 일부 상쇄되고, 제1 전극(150)을 투과한 외부 광이 반사층(138)에서 반사된 광(③)에 의해 상쇄된다. As described above, in the present invention, by adjusting the thickness of the passivation layer 140 by calculating the resonant optical distance L, the wavelength band of the resonant light can be adjusted as desired. Accordingly, the wavelength band of the light reflected from the second electrode 180 (①), the light reflected from the first electrode 150 (②), and the light reflected from the reflective layer 138 (③) is adjusted to The wavelength band of incident external light is canceled by extinction interference. For example, by adjusting the thickness of the passivation layer 140 to cancel the 500 nm wavelength band of incident green external light, the wavelength band of the light reflected from the second electrode 180, the first electrode 150, and the reflective layer 138 is adjusted. do. Therefore, the incident external light is partially canceled by the light (①) reflected from the second electrode 180, and the external light transmitted through the second electrode 180 is reflected from the first electrode 150 (②). ), and the external light transmitted through the first electrode 150 is canceled by the light (③) reflected from the reflective layer 138.

그러므로, 본 발명에서는 외부 광의 상쇄시켜 외부 광의 반사에 의한 표시품질 저하를 방지할 수 있는 이점이 있다. 따라서, 종래 외부 광의 반사를 저감하기 위해 1/4파장 편광판 등의 부가적인 요소들을 제거하여 제조비용을 절감할 수 있다.Therefore, in the present invention, there is an advantage in that the display quality can be prevented from deteriorating due to reflection of the external light by canceling the external light. Therefore, in order to reduce reflection of external light in the related art, additional elements such as a quarter-wavelength polarizing plate may be removed, thereby reducing manufacturing cost.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치(200)는 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)가 구비된 기판(110) 상에 각각 박막트랜지스터(TFT)와 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.Referring to FIG. 5, an organic light emitting display device 200 according to a second embodiment of the present invention includes a substrate 110 including a red pixel portion 60R, a green pixel portion 60G, and a blue pixel portion 60B. Each phase includes a thin film transistor (TFT) and an organic light emitting diode (OLED).

보다 자세하게, 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)가 구비된 기판(110) 상에 각각 반도체층(115)이 위치하고, 반도체층(115) 상에 게이트 절연막(120)이 위치한다. 게이트 절연막(120) 상에 게이트 전극(125)이 위치하고, 게이트 전극(125) 상에 층간 절연막(130)이 위치한다. 층간 절연막(130) 상에 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)이 위치하고, 콘택홀들(132a, 132b)을 통해 반도체층(115)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결되어, 기판(110) 상에 반도체층(115), 게이트 전극(125), 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 구성된다. In more detail, a semiconductor layer 115 is positioned on the substrate 110 provided with the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B, respectively, and a gate insulating layer on the semiconductor layer 115 120 is located. A gate electrode 125 is positioned on the gate insulating layer 120, and an interlayer insulating layer 130 is positioned on the gate electrode 125. The source electrode 135a and the drain electrode 135b are positioned on the interlayer insulating layer 130 and are connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 115 through contact holes 132a and 132b, respectively, and the substrate 110 ), a thin film transistor TFT including a semiconductor layer 115, a gate electrode 125, a source electrode 135a, and a drain electrode 135b is formed.

박막 트랜지스터(TFT)가 위치한 층간 절연막(130) 상에 반사층(138)이 위치한다. 반사층(138)은 상부의 발광층에서 발광된 광을 상부로 다시 반사하는 것으로, 반사율이 높은 금속으로 이루어진다. 또한, 반사층(138)은 전술한 소스 전극(135a)과 드레인 전극(135b)과 동일한 두께로 이루어진다. 반사층(138)은 기판(110) 상의 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)에 각각 위치한다. 반사층(138)은 제1 전극(150)에 대응되는 하부에 위치하며, 제1 전극(150)과 적어도 같은 크기로 이루어진다. 따라서, 반사층(138)은 발광층(170)에서 발광된 광이 제1 전극(150)을 투과하여 반사층(138)에 도달하면, 그 광을 반사하여 다시 제1 전극(150)으로 방출시켜 마이크로 캐비티를 구현한다.A reflective layer 138 is positioned on the interlayer insulating layer 130 on which the thin film transistor TFT is located. The reflective layer 138 reflects light emitted from the upper emission layer back upward, and is made of a metal having a high reflectivity. Further, the reflective layer 138 has the same thickness as the source electrode 135a and the drain electrode 135b described above. The reflective layer 138 is positioned on the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B on the substrate 110, respectively. The reflective layer 138 is positioned below the first electrode 150 and has at least the same size as the first electrode 150. Therefore, when the light emitted from the light-emitting layer 170 passes through the first electrode 150 and reaches the reflective layer 138, the reflective layer 138 reflects the light and emits the light back to the first electrode 150 to form a microcavity. Implement

반사층(138)을 포함하는 기판(110) 상에 패시베이션층(140)이 위치한다. 패시베이션층(140)은 하부의 박막 트랜지스터(TFT) 등의 소자를 보호하면서 마이크로 캐비티를 위해 각 화소부 별로 두께 차이를 부여하는 역할을 한다. 패시베이션층(140)은 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B) 별로 다른 두께로 이루어진다. 패시베이션층(140)은 적색 화소부(60R)에서 제1 두께(T1)를 이루고, 녹색 화소부(60G)에서 제2 두께(T2)를 이루며, 청색 화소부(60B)에서 제3 두께(T3)를 이룬다. 예를 들어, 본 실시예에서 패시베이션층(140)은 적색 화소부(60R)에서 제1 두께(T1)가 제2 두께(T2) 및 제3 두께(T3)보다 두껍고, 녹색 화소부(60G)에서 제2 두께(T2)가 제3 두께(T3)보다 두꺼우며, 청색 화소부(60B)에서 제3 두께(T3)가 제1 두께(T1) 및 제2 두께(T2)보다 얇게 이루어진다.The passivation layer 140 is positioned on the substrate 110 including the reflective layer 138. The passivation layer 140 serves to provide a thickness difference for each pixel portion for a micro-cavity while protecting a device such as a thin film transistor (TFT) underneath. The passivation layer 140 has a different thickness for each of the red pixel portion 60R, the green pixel portion 60G, and the blue pixel portion 60B. The passivation layer 140 has a first thickness T1 in the red pixel portion 60R, a second thickness T2 in the green pixel portion 60G, and a third thickness T3 in the blue pixel portion 60B. ). For example, in the present embodiment, the passivation layer 140 has a first thickness T1 thicker than the second thickness T2 and the third thickness T3 in the red pixel portion 60R, and the green pixel portion 60G In, the second thickness T2 is thicker than the third thickness T3, and the third thickness T3 in the blue pixel portion 60B is thinner than the first thickness T1 and the second thickness T2.

패시베이션층(140) 상에 각 화소부 별로 제1 전극(150)이 위치한다. 제1 전극(150)은 패시베이션층(140)에 구비된 비어홀(145)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(135b)에 연결된다. 제1 전극(150)은 마이크로 캐비티를 위해 하부 투명도전막(151), 반투과막(152) 및 상부 투명도전막(153)으로 이루어진다. 제1 전극(150)들이 형성된 기판(110) 상에 뱅크층(160)이 위치하고, 제1 전극(150)을 노출하는 개구부(165)가 구비된다.A first electrode 150 is positioned on the passivation layer 140 for each pixel portion. The first electrode 150 is connected to the drain electrode 135b of the thin film transistor TFT through the via hole 145 provided in the passivation layer 140. The first electrode 150 includes a lower transparent conductive film 151, a semi-transmissive film 152, and an upper transparent conductive film 153 for a micro-cavity. The bank layer 160 is positioned on the substrate 110 on which the first electrodes 150 are formed, and an opening 165 exposing the first electrode 150 is provided.

제1 전극(150) 및 뱅크층(160)의 개구부(165)에 발광층(170)이 위치한다. 본 발명의 제2 실시예에서 발광층(170)은 적색, 녹색 및 청색을 발광한다. 즉, 적색 화소부(60R)에 적색을 발광하는 발광층이 위치하고, 녹색 화소부(60G)에 녹색을 발광하는 발광층이 위치하며, 청색 화소부(60B)에 청색을 발광하는 발광층이 위치한다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에서는 컬러필터를 구비하지 않고 발광층에서 적색, 녹색 및 청색을 각각 발광하여 풀 컬러를 구현한다. 한편, 발광층(170)을 포함한 기판(110) 상에 제2 전극(180)이 위치하여, 제1 전극(150), 발광층(170) 및 제2 전극(180)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 구성된다. The emission layer 170 is positioned in the opening 165 of the first electrode 150 and the bank layer 160. In the second embodiment of the present invention, the light emitting layer 170 emits red, green, and blue light. That is, a light emitting layer emitting red is positioned in the red pixel portion 60R, a light emitting layer emitting green light is positioned in the green pixel portion 60G, and a light emitting layer emitting blue light is positioned in the blue pixel portion 60B. Accordingly, in the second embodiment of the present invention, a color filter is not provided, and red, green, and blue are respectively emitted from the emission layer to realize full color. On the other hand, the second electrode 180 is positioned on the substrate 110 including the light emitting layer 170, the organic light emitting diode (OLED) including the first electrode 150, the light emitting layer 170, and the second electrode 180 ) Is composed.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 제2 실시예와 동일한 도면부호를 붙여 중복되는 설명은 생략하기로 한다.6A to 6D are views showing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention for each process. Hereinafter, the same reference numerals as those of the second embodiment described above will be used, and redundant descriptions will be omitted.

도 6a를 참조하면, 적색 화소부(60R), 녹색 화소부(60G) 및 청색 화소부(60B)가 정의된 기판(110) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(sputtering) 증착 방법으로 반도체 물질을 적층하고 패터닝하여 반도체층(115)을 형성한다. 반도체층(115) 상에 CVD, PECVD 또는 스퍼터링 증착 방법으로 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(120)을 형성한다. 게이트 절연막(120) 상에 스퍼터링(sputtering) 증착 방법으로 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(125)을 형성한다. 6A, chemical vapor deposition (CVD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on a substrate 110 on which a red pixel portion 60R, a green pixel portion 60G, and a blue pixel portion 60B are defined. , The semiconductor layer 115 is formed by laminating and patterning a semiconductor material by a sputtering deposition method. A gate insulating layer 120 is formed by depositing silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) on the semiconductor layer 115 by a CVD, PECVD, or sputtering deposition method. The gate electrode 125 is formed by depositing and patterning a metal on the gate insulating layer 120 by a sputtering deposition method.

이어, 게이트 전극(125)이 형성된 기판(110) 상에 CVD, PECVD 또는 스퍼터링 증착 방법으로 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 증착하여 층간 절연막(130)을 형성한다. 다음, 층간 절연막(130)을 식각하여 반도체층(115)의 양측 일부를 노출하는 콘택홀(132a, 132b)을 형성한다. 다음, 기판(110) 상에 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금을 적층하고 패터닝하여 소스 전극(135a), 드레인 전극(135b) 및 반사층(138)을 형성한다. 반사층(138)은 추후 형성되는 제1 전극의 하부에 적어도 동일한 크기 이상으로 형성된다. 따라서, 반도체층(115), 게이트 전극(125), 소스 전극(132a) 및 드레인 전극(132b)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다. Then, the interlayer insulating layer 130 is formed by depositing silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) on the substrate 110 on which the gate electrode 125 is formed by CVD, PECVD, or sputtering deposition. Next, the interlayer insulating layer 130 is etched to form contact holes 132a and 132b exposing portions of both sides of the semiconductor layer 115. Next, on the substrate 110, any one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and copper (Cu) or These alloys are stacked and patterned to form a source electrode 135a, a drain electrode 135b, and a reflective layer 138. The reflective layer 138 is formed at least the same size or larger under the first electrode to be formed later. Accordingly, a thin film transistor TFT including the semiconductor layer 115, the gate electrode 125, the source electrode 132a, and the drain electrode 132b is formed.

다음, 도 6b를 참조하면, 박막트랜지스터(TFT)가 형성된 기판(110) 상에 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지 등의 유기물을 스핀 코팅(spin coating) 등의 용액 공정으로 코팅한 다음 하프톤 마스크(half-tone mask)를 이용하여 적색 화소부(60R)에 제1 두께(T1), 녹색 화소부(60G)에 제2 두께(T2) 및 청색 화소부(60B)에 제3 두께(T3)를 가지는 패시베이션층(140)을 형성한다. 그리고, 패시베이션층(140)을 식각하여 드레인 전극(135b)을 각각 노출시키는 비어홀(145)을 형성한다.Next, referring to FIG. 6B, an organic material such as an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin is spin coated on the substrate 110 on which the thin film transistor (TFT) is formed. After coating by a solution process of, a first thickness T1 on the red pixel portion 60R, a second thickness T2 on the green pixel portion 60G, and a blue pixel portion using a half-tone mask. A passivation layer 140 having a third thickness T3 is formed at 60B. Then, the passivation layer 140 is etched to form via holes 145 each exposing the drain electrodes 135b.

이어, 도 6c를 참조하면, 기판(110) 상에 투명도전물질, 금속물질 및 투명도전물일을 순차적으로 적층한 후, 한번에 패터닝하여 각 화소부 별로 제1 전극(150)을 형성한다. 제1 전극(150)은 투명도전막(151), 반투과막(152) 및 상부 투명도전막(153)을 포함하여 형성된다.Next, referring to FIG. 6C, a transparent conductive material, a metal material, and a transparent conductive material are sequentially stacked on the substrate 110 and then patterned at a time to form the first electrode 150 for each pixel portion. The first electrode 150 is formed including a transparent conductive film 151, a semi-transmissive film 152, and an upper transparent conductive film 153.

다음, 도 6d를 참조하면, 제1 전극(150)이 형성된 기판(110) 상에 유기물을 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 용액 공정으로 도포하여 뱅크층(160)을 형성한다. 뱅크층(160)은 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지 등으로 형성될 수 있다. 또한, 뱅크층(160)을 패터닝하여 제1 전극(150)을 노출시키는 개구부(165)를 형성한다. 이어, 제1 전극(150) 상에 발광층(170)을 형성한다. 발광층(170)은 각 적색, 녹색 및 청색 화소부 별로 상기 색을 발광할 수 있는 물질을 열증착법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 발광층(170)과 제 1 전극(150) 사이에는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 형성할 수 있으며, 발광층(170) 상에는 전자주입층 또는 전자수송층을 더 형성할 수 있다. 다음, 발광층(170)이 형성된 기판(110) 상에 금속 물질을 증착하여 제2 전극(180)을 형성한다. 여기서, 제2 전극(180)은 전자를 제공하는 캐소드일 수 있으며, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 보다 바람직하게는 제2 전극(180)은 마그네슘-은 합금(MgAg)일 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치가 제조된다. Next, referring to FIG. 6D, the bank layer 160 is formed by applying an organic material on the substrate 110 on which the first electrode 150 is formed by a solution process such as spin coating or slit coating. The bank layer 160 may be formed of an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin. In addition, the bank layer 160 is patterned to form an opening 165 exposing the first electrode 150. Subsequently, a light emitting layer 170 is formed on the first electrode 150. The light-emitting layer 170 may be formed of a material capable of emitting the color for each of the red, green, and blue pixel portions using a thermal evaporation method or the like. In addition, a hole injection layer or a hole transport layer may be further formed between the emission layer 170 and the first electrode 150, and an electron injection layer or an electron transport layer may be further formed on the emission layer 170. Next, the second electrode 180 is formed by depositing a metal material on the substrate 110 on which the emission layer 170 is formed. Here, the second electrode 180 may be a cathode that provides electrons, and magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), or an alloy thereof may be used. More preferably, the second electrode 180 may be a magnesium-silver alloy (MgAg). Accordingly, the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention is manufactured.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 반사층, 제1 전극 및 제2 전극 사이에 마이크로 캐비티 구조를 구현하여 발광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상부기판을 통해 내부로 입사된 외부 광이 내부의 반사층, 제1 전극 및 제2 전극에서 반사된 광에 의해 소멸되어, 외부 광 반사에 의한 표시품질 저하를 방지할 수 있는 이점이 있다.As described above, the organic light emitting display device according to embodiments of the present invention may improve luminous efficiency by implementing a micro-cavity structure between the reflective layer, the first electrode, and the second electrode. In addition, there is an advantage in that external light incident to the interior through the upper substrate is extinguished by light reflected from the internal reflective layer, the first electrode, and the second electrode, so that display quality deterioration due to external light reflection can be prevented.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above is in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention by those skilled in the art. It will be appreciated that it can be implemented. Therefore, the embodiments described above are illustrative in all respects and should be understood as non-limiting. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description. In addition, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110 : 기판 115 : 반도체층
125 : 게이트 전극 135a : 소스 전극
135b : 드레인 전극 138 : 반사층
140 : 패시베이션층 150 : 제1 전극
170 : 발광층 180 : 제2 전극110: substrate 115: semiconductor layer
125: gate electrode 135a: source electrode
135b: drain electrode 138: reflective layer
140: passivation layer 150: first electrode
170: light emitting layer 180: second electrode

Claims

In the organic light emitting display device comprising a unit pixel portion including two or more sub-pixel portions,
The sub-pixel part is a thin film transistor disposed on a substrate, a reflective layer disposed on the same layer as a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor, and spaced apart from the source electrode and the drain electrode, and a reflective layer disposed on the reflective layer. A first electrode, a bank layer exposing a partial region of the first electrode, a light emitting layer positioned on the exposed first electrode, and a second electrode positioned on the light emitting layer,
At least one of the sub-pixel units includes a passivation layer between the reflective layer and the first electrode, and the passivation layer has a different thickness for each sub-pixel unit.

The method of claim 1,
The first electrode comprises a transparent conductive film/semi-transmissive film/transparent conductive film.

The method of claim 1,
The reflective layer is positioned to correspond to the lower portion of the first electrode.

The method of claim 3,
The size of the reflective layer is greater than or equal to the size of the first electrode.

The method of claim 1,
The reflective layer is made of the same material as the source electrode of the thin film transistor.

The method of claim 1,
The sub-pixel parts include red, green, and blue pixel parts,
The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the passivation layer has a thickness of red, green, and blue in that order.

The method of claim 1,
Further comprising an upper substrate corresponding to the substrate,
An organic light-emitting display device, further comprising red, green, and blue color filters on the upper substrate.

The method of claim 7,
The light emitting layer is an organic light emitting display device, wherein all of the sub-pixels emit white light.

The method of claim 1,
Wherein the emission layer emits red, green, and blue light for each of the sub-pixels.

The method of claim 1,
The reflective layer is made of the same material as the source electrode and the drain electrode, and has the same thickness as the source electrode and the drain electrode.