KR102226404B1 - Isolation circuit in gate driver - Google Patents

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정세진
최유수
김형욱
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주식회사 실리콘핸즈
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Abstract

A gate driver includes: a pulse signal generating circuit for generating a control pulse signal for turning on/off a power semiconductor; a gate driving circuit for turning on/off the power semiconductor according to the control pulse signal; and an insulating circuit for transferring the control pulse signal from the pulse signal generating circuit to the gate driving circuit while maintaining an insulating state between the pulse signal generating circuit and the gate driving circuit, wherein the insulation circuit may transmit the control pulse signal by using an optical signal having constant brightness regardless of a temperature change.

Description

게이트 드라이버{Isolation circuit in gate driver}Gate driver {Isolation circuit in gate driver}

본 발명은 게이트 드라이버에 관한 것이다.The present invention relates to a gate driver.

게이트 드라이버는, SiC MOSFET이나 IGBT와 같은 파워 반도체를 구동하기 위한 회로이다. 파워 반도체는, 전기자동차, 전력 설비 등과 같은 고전압 어플리케이션에 주로 사용된다. 따라서 게이트 드라이버와 이를 제어하는 컨트롤러 간에 절연 상태가 유지되어야 한다. 게이트 드라이버와 컨트롤러간 절연을 유지하는 대표적인 절연 회로로는, 트랜스포머를 이용한 절연 회로와 옵토 커플러를 이용한 절연 회로가 있다. 절연 회로는, 양단에 각각 연결된 두 회로 사이에 절연 상태를 유지하면서, 신호를 전달하는 회로이다. 펄스 형태로 제어 신호는, 절연 회로를 통해 게이트 드라이버로 전달될 수 있다. The gate driver is a circuit for driving a power semiconductor such as a SiC MOSFET or an IGBT. Power semiconductors are mainly used in high voltage applications such as electric vehicles and power equipment. Therefore, an isolation state must be maintained between the gate driver and the controller controlling it. Representative insulation circuits that maintain insulation between a gate driver and a controller include an insulation circuit using a transformer and an insulation circuit using an optocoupler. The insulating circuit is a circuit that transmits signals while maintaining an insulating state between two circuits respectively connected to both ends. The control signal in the form of a pulse may be transmitted to the gate driver through an insulating circuit.

옵토 커플러를 이용한 절연 회로는, 컨트롤러의 제어에 의해 생성된 펄스 신호를 광 신호로 변환하여 게이트 드라이버측으로 전달한다. 펄스 신호는, LED와 같은 발광부에 의해 광 신호로 변환되며, 광 신호는, 포토 다이오드와 같은 수광부에 의해 다시 펄스 신호로 변환된다. 파워 반도체가 주로 사용되는 고전압 내지 초고전압 환경은, 주변뿐 아니라 게이트 드라이버 자체의 온도를 상승시킨다. 이러한 환경은, 옵토 커플러, 특히, 발광부의 열화를 촉진하는 요인이다. 발광부의 열화로 인해, 옵토 커플러가 정상적으로 동작하지 않으면, 게이트 드라이버 전체를 교체해야 한다.An insulating circuit using an optocoupler converts a pulse signal generated under control of a controller into an optical signal and transmits it to the gate driver side. The pulse signal is converted into an optical signal by a light emitting unit such as an LED, and the optical signal is converted into a pulse signal again by a light receiving unit such as a photodiode. A high-voltage or ultra-high voltage environment in which power semiconductors are mainly used raises the temperature of the gate driver itself as well as the surroundings. Such an environment is a factor that promotes deterioration of the optocoupler, in particular, the light emitting portion. If the optocoupler does not operate normally due to deterioration of the light emitting unit, the entire gate driver must be replaced.

파워 반도체용 게이트 드라이버에서, 옵토 커플러의 열화를 최소화할 수 있는 방안을 제공하고자 한다.In the gate driver for power semiconductor, it is intended to provide a method for minimizing deterioration of the optocoupler.

본 발명의 일 실시예는, 게이트 드라이버를 제공한다. 게이트 드라이버는, 파워 반도체를 턴온 또는 턴 오프하는 제어 펄스 신호를 생성하는 펄스 신호 발생 회로, 상기 제어 펄스 신호에 따라 상기 파워 반도체를 턴온 또는 턴 오프하는 게이트 구동 회로, 상기 펄스 신호 발생 회로와 상기 게이트 구동 회로 사이의 절연 상태를 유지하면서, 상기 제어 펄스 신호를 상기 펄스 신호 발생 회로로부터 상기 게이트 구동 회로로 전달하는 절연 회로를 포함하되, 상기 절연 회로는, 온도 변화에 무관하게 일정한 밝기를 갖는 광 신호를 이용하여 상기 제어 펄스 신호를 전달할 수 있다.An embodiment of the present invention provides a gate driver. The gate driver includes: a pulse signal generating circuit for generating a control pulse signal for turning on or off a power semiconductor, a gate driving circuit for turning on or off the power semiconductor according to the control pulse signal, the pulse signal generating circuit and the gate An insulating circuit for transferring the control pulse signal from the pulse signal generating circuit to the gate driving circuit while maintaining an insulating state between driving circuits, wherein the insulating circuit is an optical signal having a constant brightness regardless of a temperature change The control pulse signal may be transmitted by using.

일 실시예로, 상기 절연 회로는, 기준 전류를 출력하는 기준전류 발생부, 상기 기준 전류로, 온도에 따라 가변하는 온도 보상 전압을 생성하는 열 보상 전압 발생부, 상기 온도 보상 전압을 증폭하여 온도 보상 기준 전압을 출력하는 제1 증폭부, 상기 온도 보상 기준 전압을 증폭하여 전류 조절 신호를 출력하는 제2 증폭부, 상기 전류 조절 신호에 의해 LED를 흐르는 LED 전류의 크기를 조절하는 전류 제어 트랜지스터, 및 상기 LED를 턴온 또는 턴 오프하여 상기 광 신호를 출력하도록 하는 광 신호 트랜지스터를 포함하되, 상기 제2 증폭부는, 피드백에 의해 상기 LED 전류를 최소 전류 범위로 유지할 수 있다.In an embodiment, the insulation circuit comprises: a reference current generation unit that outputs a reference current, a thermal compensation voltage generation unit that generates a temperature compensation voltage that varies according to a temperature with the reference current, and amplifies the temperature compensation voltage to obtain a temperature A first amplification unit for outputting a compensation reference voltage, a second amplification unit for amplifying the temperature compensation reference voltage to output a current control signal, a current control transistor for adjusting the magnitude of the LED current flowing through the LED by the current control signal, And an optical signal transistor configured to output the optical signal by turning on or off the LED, wherein the second amplifying unit may maintain the LED current in a minimum current range by feedback.

일 실시예로, 상기 온도 보상 전압은, 온도가 증가할수록 감소하며, 상기 전류 제어 트랜지스터는, P형 트랜지스터일 수 있다.In one embodiment, the temperature compensation voltage decreases as the temperature increases, and the current control transistor may be a P-type transistor.

일 실시예로, 상기 온도 보상 전압은, 온도가 증가할수록 증가하며, 상기 전류 제어 트랜지스터는, N형 트랜지스터일 수 있다.In an embodiment, the temperature compensation voltage increases as the temperature increases, and the current control transistor may be an N-type transistor.

본 발명의 실시예에 따른 게이트 드라이버의 절연 회로는, 온도 변화에도 불구하고 LED가 일정한 밝기를 유지할 수 있어서, LED의 열화를 방지할 수 있다.In the insulating circuit of the gate driver according to an embodiment of the present invention, the LED can maintain a constant brightness despite a temperature change, so that deterioration of the LED can be prevented.

이하에서, 본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참조하여 설명된다. 이해를 돕기 위해, 첨부된 전체 도면에 걸쳐, 동일한 구성 요소에는 동일한 도면 부호가 할당되었다. 첨부된 도면에 도시된 구성은 본 발명을 설명하기 위해 예시적으로 구현된 실시예에 불과하며, 본 발명의 범위를 이에 한정하기 위한 것은 아니다. 특히, 첨부된 도면들은, 발명의 이해를 돕기 위해서, 일부 구성 요소를 다소 과장하여 표현하고 있다. 도면은 발명을 이해하기 위한 수단이므로, 도면에 표현된 구성 요소의 폭이나 두께 등은 실제 구현시 달라질 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은, 게이트 드라이버의 구성 및 게이트 드라이버 IC의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는, 게이트 드라이버의 옵토 커플러 중 광 전송 회로의 일 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은, 온도 보상 기능을 가진 광 전송 회로의 각 노드에서 검출된 신호를 예시적으로 도시한 도면이다.
도 4는, 게이트 드라이버의 옵토 커플러 중 광 전송 회로의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는, 게이트 구동 회로를 개략적으로 도시한 도면이다. In the following, the present invention will be described with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings. For ease of understanding, throughout the accompanying drawings, like reference numerals have been assigned to like elements. The configurations shown in the accompanying drawings are merely exemplary embodiments to describe the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention thereto. In particular, in the accompanying drawings, some constituent elements are slightly exaggerated to help understand the invention. Since the drawings are a means for understanding the invention, it should be understood that the width or thickness of the constituent elements represented in the drawings may vary in actual implementation.
1 is a diagram schematically showing a configuration of a gate driver and a configuration of a gate driver IC.
2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of an optical transmission circuit among optocouplers of a gate driver.
3 is a diagram illustrating a signal detected by each node of an optical transmission circuit having a temperature compensation function by way of example.
4 is a diagram schematically showing another embodiment of an optical transmission circuit among optocouplers of a gate driver.
5 is a diagram schematically showing a gate driving circuit.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 이를 상세한 설명을 통해 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 특히, 이하에서 첨부된 도면을 참조하여 설명될 기능, 특징, 실시예들은, 단독으로 또는 다른 실시예와 결합하여 구현될 수 있다. 따라서 본 발명의 범위가 첨부된 도면에 도시된 형태에만 한정되는 것이 아님을 유의하여야 한다.In the present invention, various modifications may be made and various embodiments may be provided, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail through detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In particular, functions, features, and embodiments to be described below with reference to the accompanying drawings may be implemented alone or in combination with other embodiments. Therefore, it should be noted that the scope of the present invention is not limited only to the form shown in the accompanying drawings.

도 1은, 게이트 드라이버의 구성 및 게이트 드라이버 IC의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically showing a configuration of a gate driver and a configuration of a gate driver IC.

게이트 드라이버(10)는, 펄스 발생 회로(11), 절연 회로(12), 및 게이트 구동 회로(13)를 포함한다. 게이트 드라이버(10)의 구동 신호는 파워 반도체(14)의 게이트에 인가되어 파워 반도체(14)를 턴온 또는 턴 오프한다.The gate driver 10 includes a pulse generating circuit 11, an insulating circuit 12, and a gate driving circuit 13. The driving signal of the gate driver 10 is applied to the gate of the power semiconductor 14 to turn the power semiconductor 14 on or off.

펄스 발생 회로(11)는, 파워 반도체(14)를 턴온 또는 턴 오프하는 제어 펄스 신호를 생성한다. 제어 펄스 신호는 일련의 펄스로 구성된, 예를 들어, PWM(Pulse width modulation) 신호일 수 있다. 펄스 발생 회로(11)는, 외부에 위치한 컨트롤러(미도시)에 의해 입력된 제어 명령에 따라 동작할 수 있다.The pulse generation circuit 11 generates a control pulse signal for turning on or off the power semiconductor 14. The control pulse signal may be a pulse width modulation (PWM) signal composed of a series of pulses. The pulse generating circuit 11 may operate according to a control command input by an externally located controller (not shown).

절연 회로(12)는, 펄스 발생 회로(11)와 게이트 구동 회로(13)가 절연 상태를 유지하면서 제어 펄스 신호를 게이트 구동 회로(13)로 전달한다. 절연 회로(12)는, 옵토 커플러이며, 광 전송 회로(12a; 도 2 참조)와 광 수신 회로(12b; 도 5 참조)로 구성된다. 광 전송 회로(12a)는, 제어 펄스 신호의 펄스 폭에 비례하는 시간 동안 광 신호를 출력한다. 이를 위해서, 광 전송 회로(12a)는, 전기 신호에 의해 빛을 생성하는 LED(23)를 포함한다. 광 수신 회로(12b)는, 광 신호를 수신하여 제어 펄스 신호로 변환하여 출력한다. 이를 위해서, 광 수신 회로(12b)는, 수신한 빛에 의해 전기 신호를 생성하는 포토 다이오드(24)를 포함한다.The insulating circuit 12 transmits a control pulse signal to the gate driving circuit 13 while the pulse generating circuit 11 and the gate driving circuit 13 are kept in an insulated state. The insulating circuit 12 is an optocoupler, and is composed of an optical transmission circuit 12a (see Fig. 2) and an optical receiving circuit 12b (see Fig. 5). The optical transmission circuit 12a outputs an optical signal for a time proportional to the pulse width of the control pulse signal. To this end, the optical transmission circuit 12a includes an LED 23 that generates light by an electric signal. The optical receiving circuit 12b receives an optical signal, converts it into a control pulse signal, and outputs it. To this end, the light receiving circuit 12b includes a photodiode 24 that generates an electric signal by the received light.

패키징된 게이트 드라이버(10; 이하 게이트 드라이버 IC라 함)에서, 절연 회로(12)는 입력측 리드 프레임(21)과 출력측 리드 프레임(22) 사이에 배치된다. 입력측 리드 프레임(21)과 출력측 리드 프레임(22)은, 전기적으로 연결되지 않는다. 광 전송 회로(12a)의 LED(23)는, 입력측 리드 프레임(21)에 배치되며, 광 수신 회로(12b)의 포토 다이오드(24)는, 출력측 리드 프레임(22)에 배치된다. LED(23)와 포토 다이오드(24)는 서로 대향하도록 배치되며, 둘 사이에 광학적으로 투명한 절연막(25)이 개재될 수 있다. 절연막(25)은, 출력측 리드 프레임(22)으로부터 입력측 리드 프레임(21)으로 고전압/고전류가 전달되지 않도록 한다. 게이트 드라이버 IC는 광 차단 물질로 몰딩(20)될 수 있다. In the packaged gate driver 10 (hereinafter referred to as a gate driver IC), an insulating circuit 12 is disposed between the input side lead frame 21 and the output side lead frame 22. The input-side lead frame 21 and the output-side lead frame 22 are not electrically connected. The LED 23 of the optical transmission circuit 12a is arranged on the input-side lead frame 21, and the photodiode 24 of the optical reception circuit 12b is arranged on the output-side lead frame 22. The LED 23 and the photodiode 24 are disposed to face each other, and an optically transparent insulating film 25 may be interposed between the two. The insulating film 25 prevents high voltage/high current from being transmitted from the output-side lead frame 22 to the input-side lead frame 21. The gate driver IC may be molded 20 with a light blocking material.

게이트 드라이버(13)는, 광 수신 회로(12b)로부터 출력된 제어 신호를 게이트 구동 신호로 변환한다. 게이트 구동 신호는 파워 반도체(14)에 인가되어, 파워 반도체(14)를 턴온 또는 턴 오프한다.The gate driver 13 converts the control signal output from the light receiving circuit 12b into a gate driving signal. The gate driving signal is applied to the power semiconductor 14 to turn on or off the power semiconductor 14.

도 2는, 게이트 드라이버의 옵토 커플러 중 광 전송 회로의 일 실시예를 개략적으로 도시한 도면으로, (a)는 온도 보상 기능을 구비한 광 전송 회로이며, (b)는 온도 보상 기능이 없는 광 전송 회로를 각각 나타낸다. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of an optical transmission circuit among optocouplers of a gate driver, (a) is an optical transmission circuit having a temperature compensation function, and (b) is an optical transmission circuit without a temperature compensation function. Each of the transmission circuits is shown.

기준전류 발생부(100)는 기준 전류 Iref를 출력한다. 기준전류 발생부(100)는, 컨트롤러로부터 입력된 기준 전류 발생 신호 OPT_IREFT에 따라 기준 전류 Iref의 레벨을 변경할 수 있다. 열화로 인해, LED(160)가 생성하는 빛의 밝기는, 광 수신 회로(12b)가 수신할 수 있는 최소 밝기 이하가 될 수 있다. 기준 전류 Iref 레벨을 증가시키면, 열화된 LED에 흐르는 전류가 증가되어, LED(160)가 생성하는 빛의 밝기가 최소 밝기 이상이 될 수 있다.The reference current generator 100 outputs a reference current Iref. The reference current generator 100 may change the level of the reference current Iref according to the reference current generation signal OPT_IREFT input from the controller. Due to deterioration, the brightness of light generated by the LED 160 may be less than the minimum brightness that can be received by the light receiving circuit 12b. When the reference current Iref level is increased, the current flowing through the deteriorated LED is increased, so that the brightness of light generated by the LED 160 may be greater than or equal to the minimum brightness.

열 보상 전압 발생부(110)는 온도 보상 전압 VCTAT를 생성한다. 열 보상 전압 발생부(110)는 기준 전류 Iref를 입력받아 동작하는 밴드갭 레퍼런스 회로이다. 열 보상 전압 발생부(110)는 BJT 또는 CMOS로 구성될 수 있다. 열 보상 전압 발생부(110)는, 온도가 증가함에 따라 감소하는 온도 보상 전압 VCTAT를 생성한다. The thermal compensation voltage generator 110 generates a temperature compensation voltage V CTAT . The thermal compensation voltage generator 110 is a band gap reference circuit that operates by receiving the reference current Iref. The thermal compensation voltage generator 110 may be formed of BJT or CMOS. The thermal compensation voltage generator 110 generates a temperature compensation voltage V CTAT that decreases as the temperature increases.

제1 증폭부(120)는 온도 보상 전압 VCTAT을 증폭하여 온도 보상 기준 전압 Vref_temp을 출력한다. 온도 보상 전압 VCTAT는, 제2 증폭부(130)의 입력 신호인 Vref_temp에 비해 상대적으로 작은 값이다. 따라서 제1 증폭부(120)는, 온도 보상 전압 VCTAT을, 제2 증폭부(130)의 입력값으로 충분한 크기로 증폭하여 출력한다. 증폭 비율은, 전압 분배 저항 R0 및 R1에 의해 결정될 수 있다. 제1 증폭부(120)의 제1 입력단은 열 보상 전압 발생부(110)의 출력단에 연결되고, 제2 입력단은 노드 B에 연결된다. 제1 증폭부(120)의 출력단은 제2 증폭부(130)의 제1 입력단에 연결되며, 제1 증폭부(120)의 출력단과 접지 사이에 전압 분배 저항 R0 및 R1이 직렬로 연결된다. 전압 분배 저항 R0 및 R1이 연결된 노드 B의 전압 VF_TEMP는 제1 증폭부(120)로 피드백된다.The first amplifier 120 amplifies the temperature compensation voltage V CTAT and outputs the temperature compensation reference voltage Vref_temp. The temperature compensation voltage V CTAT is a relatively small value compared to the input signal Vref_temp of the second amplifier 130. Accordingly, the first amplifier 120 amplifies and outputs the temperature compensation voltage V CTAT to a sufficient size as an input value of the second amplifier 130. The amplification ratio can be determined by the voltage dividing resistors R0 and R1. The first input terminal of the first amplifier 120 is connected to the output terminal of the thermal compensation voltage generator 110, and the second input terminal is connected to the node B. The output terminal of the first amplifier 120 is connected to the first input terminal of the second amplifier 130, and voltage dividing resistors R0 and R1 are connected in series between the output terminal of the first amplifier 120 and the ground. The voltage VF_TEMP of the node B to which the voltage dividing resistors R0 and R1 are connected is fed back to the first amplifier 120.

제2 증폭부(130)는 온도 보상 기준 전압 Vref_temp을 입력받아 전류 제어 트랜지스터(140)를 제어하는 전류 조절 신호 DRV를 출력한다. 제2 증폭부(130)의 제1 입력단은 제1 증폭부(120)의 출력단에 연결되고, 제2 입력단은 노드 A에 연결된다. 제2 증폭부(130)는, 온도 보상 기준 전압 Vref_temp와 노드 A의 전압 VF_LED을 비교하여, 전류 조절 신호 DRV의 크기를 조절한다. 제2 증폭부(130)의 출력단은 전류 제어 트랜지스터(140)의 제어단에 연결된다.The second amplifier 130 receives the temperature compensation reference voltage Vref_temp and outputs a current control signal DRV that controls the current control transistor 140. The first input terminal of the second amplifier 130 is connected to the output terminal of the first amplifier 120, and the second input terminal is connected to the node A. The second amplifying unit 130 compares the temperature compensation reference voltage Vref_temp and the voltage VF_LED of the node A to adjust the magnitude of the current control signal DRV. The output terminal of the second amplifier 130 is connected to the control terminal of the current control transistor 140.

전류 제어 트랜지스터(140)는 LED(160)를 흐르는 LED 전류 ILED의 크기를 조절한다. 전류 제어 트랜지스터(140)의 제어단은, 제2 증폭부(130)의 출력단에 연결되어 전류 조절 신호 DRV를 입력받는다. 전류 제어 트랜지스터(140)의 입력단은 광 신호 트랜지스터(150)의 출력단에 연결되며, 전류 제어 트랜지스터(140)의 출력단은 LED(160)의 제1 단자에 연결된다. 여기서, 전류 제어 트랜지스터(140)는 P형 트랜지스터일 수 있다.The current control transistor 140 controls the size of the LED current I LED flowing through the LED 160. The control terminal of the current control transistor 140 is connected to the output terminal of the second amplifier 130 to receive the current control signal DRV. The input terminal of the current control transistor 140 is connected to the output terminal of the optical signal transistor 150, and the output terminal of the current control transistor 140 is connected to the first terminal of the LED 160. Here, the current control transistor 140 may be a P-type transistor.

광 신호 트랜지스터(150)는, 제어 펄스 신호에 의해 턴온 또는 턴 오프하여 LED(160)가 광 신호를 생성하도록 한다. 광 신호 트랜지스터(150)의 제어단에는, 제어 펄스 신호의 엣지를 검출하고, 검출된 에지에 따라 광 신호 트랜지스터(150)를 턴온 또는 턴 오프하는 신호를 생성하는 엣지 검출 회로가 연결될 수 있다. The optical signal transistor 150 is turned on or off by a control pulse signal so that the LED 160 generates an optical signal. The control terminal of the optical signal transistor 150 may be connected to an edge detection circuit that detects an edge of a control pulse signal and generates a signal for turning on or off the optical signal transistor 150 according to the detected edge.

LED(160) 및 감지 저항 Rsense는 전류 제어 트랜지스터(140)의 출력단과 접지 사이에 직렬로 연결된다. LED(160)는, 전류 제어 트랜지스터(140)에 의해 조절된 LED 전류 ILED로 동작하며, 광 신호 트랜지스터(150)의 턴온 또는 턴 오프에 의해 광 신호를 생성한다. 감지 저항 Rsense는, 노드 A의 전압을 측정하기 위한 것이다.The LED 160 and the sense resistor Rsense are connected in series between the output terminal of the current control transistor 140 and ground. The LED 160 operates as an LED current I LED controlled by the current control transistor 140, and generates an optical signal by turning on or off the optical signal transistor 150. The sense resistor Rsense is for measuring the voltage at node A.

한편, 온도 보상 기능이 없는 광 전송 회로는, 기준전압 발생부(101), 증폭부(131), 전류 제어 트랜지스터(140), 광 신호 트랜지스터(150), LED(160) 및 감지 저항 Rsense를 포함한다. 기준전압 발생부(100)는 기준 전압 Vref를 출력한다. 증폭부(131)는, 기준 전압 Vref와 노드 A의 전압 VF_LED을 비교하여, 전류 조절 신호 DRV의 크기를 조절한다. Meanwhile, the optical transmission circuit without a temperature compensation function includes a reference voltage generator 101, an amplification unit 131, a current control transistor 140, an optical signal transistor 150, an LED 160, and a sense resistor Rsense. do. The reference voltage generator 100 outputs a reference voltage Vref. The amplification unit 131 compares the reference voltage Vref and the voltage VF_LED of the node A to adjust the magnitude of the current control signal DRV.

이하에서는 도 3을 참조하여 상술한 광 전송 회로의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the optical transmission circuit described above will be described with reference to FIG. 3.

도 3은, 온도 보상 기능을 가진 광 전송 회로의 각 노드에서 검출된 신호를 예시적으로 도시한 도면으로, (a)는 온도 보상 기능이 없는 경우를 나타내며, (b)는 온도 보상 기능이 있는 경우를 각각 나타낸 그래프이다. 3 is a diagram illustrating a signal detected by each node of an optical transmission circuit having a temperature compensation function as an example, (a) shows a case in which there is no temperature compensation function, and (b) is a diagram with a temperature compensation function It is a graph showing each case.

옵토 커플러를 이용한 절연 회로는, 상술한 바와 같이, 열화로 인해 LED-포토 다이오드간 신호 전송이 불가능해질 수 있다. LED는, 인가된 전류의 크기에 따라 밝기가 달라진다. 특히, 과도한 전류가 지속적으로 흐르면, 열화가 촉진된다. As described above, the insulating circuit using the optocoupler may not be able to transmit signals between the LED and the photodiode due to deterioration. The brightness of the LED varies according to the magnitude of the applied current. In particular, when excessive current continuously flows, deterioration is promoted.

도 3의 (a)를 참조하면, 기준 전압 Vref(200)가 온도 변화에 대해 일정하게 유지될 때, 전류 조절 신호 DRV(210)는 온도 증가에 따라 증가하는 반면, LED 전류 ILED(220)는 온도 증가에 따라 감소하는 특성을 나타낸다. 상세하게, 온도가 낮을 때에는, 전류 제어 트랜지스터(140)가 상대적으로 많은 전류를 흐르도록 한다. 즉, 온도가 낮아지면, LED 전류 ILED(220)가 증가하게 되어, 상대적으로 많은 전류가 LED(160)를 통해 흐르며, 이로 인해 LED(160)가 빨리 열화될 수 있다. 반대로, 온도가 높아지면, 전류 제어 트랜지스터(140)가 상대적으로 적은 전류를 흐르도록 한다. 온도 증가로 인해, 전류 조절 신호 DRV가 증가하면, LED 전류 ILED(220)가 작아지게 되어, LED(150)의 밝기가 감소하게 된다.Referring to (a) of FIG. 3, when the reference voltage Vref 200 is kept constant with a temperature change, the current control signal DRV 210 increases with increasing temperature, whereas the LED current I LED 220 Represents a property that decreases with increasing temperature. Specifically, when the temperature is low, the current control transistor 140 allows a relatively large amount of current to flow. That is, when the temperature is lowered, the LED current I LED 220 increases, so that a relatively large amount of current flows through the LED 160, and thus, the LED 160 may quickly deteriorate. Conversely, when the temperature increases, the current control transistor 140 flows a relatively small current. Due to the increase in temperature, when the current control signal DRV increases, the LED current I LED 220 decreases, so that the brightness of the LED 150 decreases.

온도 증가가 정상 범위를 넘어서 증가하면, LED 전류 ILED가 감소하여, 정상 범위의 밝기 이하의 밝기를 갖는 빛을 발생한다. 특히, 열화된 LED는, 정상 범위의 전류가 인가되어도 빛을 발생하지 않거나, 정상 범위의 밝기 이하의 밝기를 갖는 빛을 발생한다. 이로 인해, 광 수신 회로(12b)의 포토 다이오드는, 광 신호를 검출할 수 없게 된다. LED의 열화를 방지하기 위해서는, 온도가 변화되더라도, LED 전류 ILED가 일정하게 유지되어야 한다. 이 때, LED 전류 ILED는, LED(160)가 정상 범위의 밝기 중 최소 밝기 범위에 속하도록 하는 최소 전류 범위(230)에 속하는 것이 바람직하다.When the temperature increase increases beyond the normal range, the LED current I LED decreases, generating light having a brightness less than the normal range. In particular, the deteriorated LED does not generate light even when a current in the normal range is applied, or generates light having a brightness less than the brightness in the normal range. For this reason, the photodiode of the light receiving circuit 12b cannot detect the optical signal. In order to prevent deterioration of the LED, even when the temperature changes, the LED current I LED must be kept constant. At this time, it is preferable that the LED current I LED belong to the minimum current range 230 so that the LED 160 belongs to the minimum brightness range among the brightness of the normal range.

도 3의 (b)를 참조하면, 온도 보상 전압 VCTAT(205)는 온도 증가시 감소하는 특성을 가진다. 여기서, 온도 보상 전압 VCTAT(205) 및/또는 전류 조절 신호 DRV(215)는, LED 전류 ILED(225)가 최소 전류 범위(230)에 속하면서 일정하게 유지되도록, 감소율 또는 최대값/최소값을 결정할 수 있다. 최소 전류 범위는, LED(160)의 열화를 늦출 수 있을 뿐 아니라, 광 수신 회로(12b)가 수신할 수 있는 최소 밝기의 광 신호를 보장할 수 있다. Referring to FIG. 3B , the temperature compensation voltage V CTAT 205 decreases when the temperature increases. Here, the temperature compensation voltage V CTAT (205) and / or the current control signal DRV (215), so that the LED current I LED 225 remains constant while falling within the minimum current range 230, the reduction rate or the maximum value / minimum value You can decide. The minimum current range not only slows deterioration of the LED 160, but also guarantees an optical signal of minimum brightness that can be received by the light receiving circuit 12b.

온도가 감소하면, 온도 보상 전압 VCTAT(205)가 증가하며, 그로 인해 전류 조절 신호 DRV(215)도 증가한다. 전류 조절 신호 DRV(215)가 증가하면, LED 전류 ILED(225)는 최소 전류 범위(230)가 될 때까지 감소하게 되며, 그에 따라 LED(160)의 밝기는 최소 밝기 범위로 유지된다. 반대로, 온도가 증가하면, 온도 보상 전압 VCTAT(205)이 감소하며, 그로 인해 전류 조절 신호 DRV(215)도 감소한다. 전류 조절 신호 DRV(215)가 감소하면, LED 전류 ILED(225)는 최소 전류 범위(230)가 될 때까지 증가하게 되며, 그에 따라 LED(160)의 밝기는 최소 밝기 범위로 유지된다.When the temperature decreases, the temperature compensation voltage V CTAT 205 increases, and thus the current control signal DRV 215 also increases. When the current control signal DRV 215 increases, the LED current I LED 225 decreases until the minimum current range 230 is reached, and accordingly, the brightness of the LED 160 is maintained in the minimum brightness range. Conversely, when the temperature increases, the temperature compensation voltage V CTAT 205 decreases, and thus the current control signal DRV 215 also decreases. When the current control signal DRV 215 decreases, the LED current I LED 225 increases until the minimum current range 230 is reached, and accordingly, the brightness of the LED 160 is maintained in the minimum brightness range.

도 4는, 게이트 드라이버의 옵토 커플러 중 광 전송 회로의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면으로, (a)는 온도 보상 기능을 구비한 광 전송 회로이며, (b)는 온도 보상 기능을 가진 광 전송 회로의 각 노드에서 검출된 신호를 나타낸다. 4 is a diagram schematically showing another embodiment of an optical transmission circuit among optocouplers of a gate driver, (a) is an optical transmission circuit having a temperature compensation function, and (b) is an optical transmission circuit having a temperature compensation function. Represents the signal detected at each node of the transmission circuit.

기준전류 발생부(100)는 컨트롤러로부터 입력된 기준 전류 발생 신호 OPT_IREFT에 의해 기준 전류 Iref를 출력한다. The reference current generation unit 100 outputs the reference current Iref by the reference current generation signal OPT_IREFT input from the controller.

열 보상 전압 발생부(111)는 온도 보상 전압 VPTAT를 생성한다. 열 보상 전압 발생부(111)는 기준 전류 Iref를 입력받아 동작하는 밴드갭 레퍼런스 회로이다. 열 보상 전압 발생부(111)는 BJT 또는 CMOS로 구성될 수 있다. 열 보상 전압 발생부(111)는, 온도가 증가함에 따라 증가하는 온도 보상 전압 VPTAT를 생성한다. The thermal compensation voltage generator 111 generates a temperature compensation voltage V PTAT . The thermal compensation voltage generator 111 is a bandgap reference circuit that operates by receiving the reference current Iref. The thermal compensation voltage generator 111 may be formed of BJT or CMOS. The thermal compensation voltage generator 111 generates a temperature compensation voltage V PTAT that increases as the temperature increases.

제1 증폭부(120)는 온도 보상 전압 VPTAT를 증폭하여 온도 보상 기준 전압 Vref_temp을 출력한다. 온도 보상 전압 VPTAT는, 제2 증폭부(130)의 입력 신호인 Vref_temp에 비해 상대적으로 작은 값이다. 따라서 제1 증폭부(120)는, 온도 보상 전압 VPTAT를, 제2 증폭부(130)의 입력값으로 충분한 크기로 증폭하여 출력한다. 증폭 비율은, 전압 분배 저항 R0 및 R1에 의해 결정될 수 있다. 제1 증폭부(120)의 제1 입력단은 열 보상 전압 발생부(111)의 출력단에 연결되고, 제2 입력단은 노드 B에 연결된다. 제1 증폭부(120)의 출력단은 제2 증폭부(130)의 제1 입력단에 연결되며, 제1 증폭부(120)의 출력단과 접지 사이에 전압 분배 저항 R0 및 R1이 직렬로 연결된다. 전압 분배 저항 R0 및 R1이 연결된 노드 B의 전압 VF_TEMP는 제1 증폭부(120)로 피드백된다. The first amplifier 120 amplifies the temperature compensation voltage V PTAT and outputs the temperature compensation reference voltage Vref_temp. The temperature compensation voltage V PTAT is a relatively small value compared to the input signal Vref_temp of the second amplifier 130. Accordingly, the first amplifier 120 amplifies and outputs the temperature compensation voltage V PTAT to a sufficient size as an input value of the second amplifier 130. The amplification ratio can be determined by the voltage dividing resistors R0 and R1. The first input terminal of the first amplifier 120 is connected to the output terminal of the thermal compensation voltage generator 111, and the second input terminal is connected to the node B. The output terminal of the first amplifier 120 is connected to the first input terminal of the second amplifier 130, and voltage dividing resistors R0 and R1 are connected in series between the output terminal of the first amplifier 120 and the ground. The voltage VF_TEMP of the node B to which the voltage dividing resistors R0 and R1 are connected is fed back to the first amplifier 120.

제2 증폭부(130)는 온도 보상 기준 전압 Vref_temp을 입력받아 전류 제어 트랜지스터(141)를 제어하는 전류 조절 신호 DRV를 출력한다. 제2 증폭부(130)의 제1 입력단은 제1 증폭부(120)의 출력단에 연결되고, 제2 입력단은 노드 A에 연결된다. 제2 증폭부(130)는, 온도 보상 기준 전압 Vref_temp와 노드 A의 전압 VF_LED을 비교하여, 전류 조절 신호 DRV의 크기를 조절한다. 제2 증폭부(130)의 출력단은 전류 제어 트랜지스터(141)의 제어단에 연결된다. The second amplifier 130 receives the temperature compensation reference voltage Vref_temp and outputs a current control signal DRV that controls the current control transistor 141. The first input terminal of the second amplifier 130 is connected to the output terminal of the first amplifier 120, and the second input terminal is connected to the node A. The second amplifying unit 130 compares the temperature compensation reference voltage Vref_temp and the voltage VF_LED of the node A to adjust the magnitude of the current control signal DRV. The output terminal of the second amplifier 130 is connected to the control terminal of the current control transistor 141.

전류 제어 트랜지스터(141)는 LED(160)를 흐르는 LED 전류 ILED의 크기를 조절한다. 전류 제어 트랜지스터(141)의 제어단은, 제2 증폭부(130)의 출력단에 연결되어 전류 조절 신호 DRV를 입력받는다. 전류 제어 트랜지스터(141)의 입력단은 광 신호 트랜지스터(150)의 출력단에 연결되며, 전류 제어 트랜지스터(141)의 출력단은 LED(160)의 제1 단자에 연결된다. 여기서, 전류 제어 트랜지스터(141)는 N형 트랜지스터일 수 있다.The current control transistor 141 controls the size of the LED current I LED flowing through the LED 160. The control terminal of the current control transistor 141 is connected to the output terminal of the second amplifier 130 to receive the current control signal DRV. The input terminal of the current control transistor 141 is connected to the output terminal of the optical signal transistor 150, and the output terminal of the current control transistor 141 is connected to the first terminal of the LED 160. Here, the current control transistor 141 may be an N-type transistor.

광 신호 트랜지스터(150)는, 제어 펄스 신호에 의해 턴온 또는 턴 오프하여 LED(160)가 광 신호를 생성하도록 한다. 광 신호 트랜지스터(150)의 제어단에는, 제어 펄스 신호의 엣지를 검출하고, 검출된 에지에 따라 광 신호 트랜지스터(150)를 턴온 또는 턴 오프하는 신호를 생성하는 엣지 검출 회로가 연결될 수 있다. The optical signal transistor 150 is turned on or off by a control pulse signal so that the LED 160 generates an optical signal. The control terminal of the optical signal transistor 150 may be connected to an edge detection circuit that detects an edge of a control pulse signal and generates a signal for turning on or off the optical signal transistor 150 according to the detected edge.

LED(160) 및 감지 저항 Rsense는 전류 제어 트랜지스터(141)의 출력단과 접지 사이에 직렬로 연결된다. LED(160)는, 전류 제어 트랜지스터(141)에 의해 조절된 LED 전류 ILED로 동작하며, 광 신호 트랜지스터(150)의 턴온 또는 턴 오프에 의해 광 신호를 생성한다. 감지 저항 Rsense는, 노드 A의 전압을 측정하기 위한 것이다.The LED 160 and the sense resistor Rsense are connected in series between the output terminal of the current control transistor 141 and ground. The LED 160 operates as an LED current I LED controlled by the current control transistor 141, and generates an optical signal by turning on or off the optical signal transistor 150. The sense resistor Rsense is for measuring the voltage at node A.

이하에서는 도 4의 (b)를 참조하여 상술한 광 전송 회로의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the optical transmission circuit described above will be described with reference to FIG. 4B.

온도 보상 전압 VPTAT(207)는 온도 증가시 증가하는 특성을 가진다. 여기서, 온도 보상 전압 VPTAT(207) 및/또는 전류 조절 신호 DRV(217)는, LED 전류 ILED(227)가 최소 전류 범위(230)에 속하면서 일정하게 유지되도록, 증가율 또는 최대값/최소값을 결정할 수 있다. 최소 전류 범위는, LED(160)의 열화를 늦출 수 있을 뿐 아니라, 광 수신 회로(12b)가 수신할 수 있는 최소 밝기의 광 신호를 보장할 수 있다. The temperature compensation voltage V PTAT 207 has a characteristic that increases when the temperature increases. Here, the temperature compensation voltage V PTAT 207 and/or the current control signal DRV 217 is an increase rate or a maximum value/minimum value so that the LED current I LED 227 remains constant while falling within the minimum current range 230. You can decide. The minimum current range not only slows deterioration of the LED 160, but also guarantees an optical signal of minimum brightness that can be received by the light receiving circuit 12b.

온도가 감소하면, 온도 보상 전압 VPTAT(207)가 감소하며, 그로 인해 전류 조절 신호 DRV(217)도 감소한다. 전류 조절 신호 DRV(217)가 감소하면, LED 전류 ILED(227)는 최소 전류 범위(230)가 될 때까지 감소하게 되며, 그에 따라 LED(160)의 밝기는 최소 밝기 범위로 유지된다. 반대로, 온도가 증가하면, 온도 보상 전압 VPTAT(207)이 증가하며, 그로 인해 전류 조절 신호 DRV(215)도 증가한다. 전류 조절 신호 DRV(217)가 증가하면, ILED(227)는 최소 전류 범위(230)가 될 때까지 증가하게 되며, 그에 따라 LED(160)의 밝기는 최소 밝기 범위로 유지된다.When the temperature decreases, the temperature compensation voltage V PTAT 207 decreases, and thus the current control signal DRV 217 also decreases. When the current control signal DRV 217 decreases, the LED current I LED 227 decreases until the minimum current range 230 is reached, so that the brightness of the LED 160 is maintained in the minimum brightness range. Conversely, when the temperature increases, the temperature compensation voltage V PTAT 207 increases, and thus the current control signal DRV 215 also increases. When the current control signal DRV 217 increases, the I LED 227 increases until the minimum current range 230 is reached, and accordingly, the brightness of the LED 160 is maintained in the minimum brightness range.

도 5는, 게이트 구동 회로를 개략적으로 도시한 도면이다. 5 is a diagram schematically showing a gate driving circuit.

광 수신 회로(12b)는, 포토 다이오드를 포함한다. 포토 다이오드는, 광 신호를 전기 신호로 변환한다. 변환된 전기 신호의 엣지를 검출하여 제어 펄스 신호가 복원된다. 복원된 제어 펄스 신호는 게이트 구동 회로(13)로 출력된다.The light receiving circuit 12b includes a photodiode. The photodiode converts an optical signal into an electric signal. The control pulse signal is restored by detecting the edge of the converted electrical signal. The restored control pulse signal is output to the gate driving circuit 13.

게이트 구동 회로(13)는, 하이 사이드 드라이버(200) 및 로우 사이드 드라이버(210)를 포함한다. 하이/로우 사이드 드라이버(200, 210)는, 제어 신호에 따라 턴온 또는 턴 오프하는 트랜지스터를 포함한다. 하이 사이드 드라이버(200)는, 파워 반도체(14)를 턴온하는 신호를 출력하며, 로우 사이드 드라이버(210)는, 파워 반도체(14)를 턴 오프하는 신호를 출력한다.The gate driving circuit 13 includes a high side driver 200 and a low side driver 210. The high/low side drivers 200 and 210 include transistors that turn on or off according to a control signal. The high side driver 200 outputs a signal for turning on the power semiconductor 14, and the low side driver 210 outputs a signal for turning off the power semiconductor 14.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 특히, 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 특징은, 특정 도면에 도시된 구조에 한정되는 것이 아니며, 독립적으로 또는 다른 특징에 결합되어 구현될 수 있다.The above description of the present invention is for illustrative purposes only, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that other specific forms can be easily modified without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative and non-limiting in all respects. In particular, the features of the present invention described with reference to the drawings are not limited to the structures shown in the specific drawings, and may be implemented independently or in combination with other features.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타나며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. .

Claims (4)

파워 반도체를 턴온 또는 턴 오프하는 제어 펄스 신호를 생성하는 펄스 신호 발생 회로;
상기 제어 펄스 신호에 따라 상기 파워 반도체를 턴온 또는 턴 오프하는 게이트 구동 회로;
상기 펄스 신호 발생 회로와 상기 게이트 구동 회로 사이의 절연 상태를 유지하면서, 상기 제어 펄스 신호를 상기 펄스 신호 발생 회로로부터 상기 게이트 구동 회로로 전달하는 절연 회로를 포함하되,
온도 변화에 무관하게 일정한 밝기를 갖는 광 신호를 이용하여 상기 제어 펄스 신호를 전달하는 상기 절연 회로는,
기준 전류를 출력하는 기준전류 발생부;
상기 기준 전류로, 온도에 따라 가변하는 온도 보상 전압을 생성하는 열 보상 전압 발생부;
상기 온도 보상 전압을 증폭하여 온도 보상 기준 전압을 출력하는 제1 증폭부;
상기 온도 보상 기준 전압을 증폭하여 전류 조절 신호를 출력하는 제2 증폭부;
상기 전류 조절 신호에 의해 LED를 흐르는 LED 전류의 크기를 조절하는 전류 제어 트랜지스터; 및
상기 LED를 턴온 또는 턴 오프하여 상기 광 신호를 출력하도록 하는 광 신호 트랜지스터를 포함하되,
상기 제2 증폭부는, 피드백에 의해 상기 LED 전류를 최소 전류 범위로 유지하는, 게이트 드라이버.A pulse signal generation circuit for generating a control pulse signal for turning on or off the power semiconductor;
A gate driving circuit that turns on or off the power semiconductor according to the control pulse signal;
An insulation circuit for transferring the control pulse signal from the pulse signal generation circuit to the gate driving circuit while maintaining an insulation state between the pulse signal generation circuit and the gate driving circuit,
The insulation circuit for transmitting the control pulse signal using an optical signal having a constant brightness regardless of temperature change,
A reference current generator for outputting a reference current;
A thermal compensation voltage generator for generating a temperature compensation voltage that varies according to a temperature from the reference current;
A first amplifier configured to amplify the temperature compensation voltage and output a temperature compensation reference voltage;
A second amplifying unit amplifying the temperature compensation reference voltage and outputting a current control signal;
A current control transistor for controlling a magnitude of an LED current flowing through the LED by the current control signal; And
Including an optical signal transistor to turn on or off the LED to output the optical signal,
The second amplifying unit maintains the LED current in a minimum current range by feedback. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 온도 보상 전압은, 온도가 증가할수록 감소하며,
상기 전류 제어 트랜지스터는, P형 트랜지스터인, 게이트 드라이버.The method according to claim 1,
The temperature compensation voltage decreases as the temperature increases,
The current control transistor is a P-type transistor. 청구항 1에 있어서,
상기 온도 보상 전압은, 온도가 증가할수록 증가하며,
상기 전류 제어 트랜지스터는, N형 트랜지스터인, 게이트 드라이버.
The method according to claim 1,
The temperature compensation voltage increases as the temperature increases,
The current control transistor is an N-type transistor.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006109686A (en) * 2004-09-07 2006-04-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd Signal transmitting system to gate drive circuit
JP2017034070A (en) * 2015-07-31 2017-02-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Optical coupling device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006109686A (en) * 2004-09-07 2006-04-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd Signal transmitting system to gate drive circuit
JP2017034070A (en) * 2015-07-31 2017-02-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Optical coupling device

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