KR102224058B1 - Method for fabricating flexible electronic device through physical separation using phase change of thin film - Google Patents
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Abstract
본 발명인 박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법은 모기판 상에 상변화물질 및 버퍼층을 순차적으로 증착하는 단계; 외력에 의해 상기 상변화물질 상으로 응력이 인가되고, 상기 상변화물질의 상이 변화되는 단계; 상기 버퍼층 상부에 무기물 기반의 고성능 전자소자를 제작하는 단계; 상기 전자소자에 캐리어 기판을 부착하여 물리적으로 소자를 박리하는 단계; 및 상기의 박리된 전자소자를 타겟 기판에 부착한 뒤, 상기 캐리어 기판을 제거하여 유연 전자소자를 제작하는 단계;를 포함한다.The method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film according to the present invention comprises the steps of sequentially depositing a phase change material and a buffer layer on a mother substrate; Applying a stress to the phase change material by an external force, and changing a phase of the phase change material; Fabricating an inorganic material-based high-performance electronic device on the buffer layer; Physically peeling the device by attaching a carrier substrate to the electronic device; And attaching the peeled electronic device to a target substrate and then removing the carrier substrate to manufacture a flexible electronic device.
Description
본 발명은 모기판 상에 증착된 상변화 물질 상에 응력을 인가하는 방식을 통해 상기 상변화 물질의 상부에 배열된 고성능 전자소자 어레이를 간단하게 박리하여 유연 전자소자 어레이를 구현하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technology for implementing a flexible electronic device array by simply peeling off an array of high-performance electronic devices arranged on top of the phase change material through a method of applying stress on a phase change material deposited on a mother substrate. .
현재 정보통신의 발달에 따라 새로운 형태의 고성능 유연 전자소자의 필요성이 대두되고 있다. 이러한 전자 소자를 작동시키기 위해서는 고성능 반도체 소자와 더불어 에너지원을 공급하고 저장할 수 있는 유연 에너지 소자 기술이 필요한데 현재까지는 고온 공정이 불가능한 플라스틱 기판의 한계에 의하여 고성능 에너지 저장 기술을 구현하는 것이 불가능하였다. With the development of information and communication, the need for a new type of high-performance flexible electronic device is emerging. In order to operate such an electronic device, a flexible energy device technology capable of supplying and storing an energy source in addition to a high-performance semiconductor device is required. Until now, it has been impossible to implement a high-performance energy storage technology due to the limitation of a plastic substrate that cannot be processed at a high temperature.
종래의 전자 소자는 딱딱한 실리콘 기판 에서 제조된 후 그 형태로 응용되고 있는데, 그 이유는 바로 이러한 소자들의 제조공정이 고온의 반도체 공정을 통하여 제조되기 때문이다. Conventional electronic devices are manufactured on a hard silicon substrate and then applied in the form, because the manufacturing process of these devices is manufactured through a high-temperature semiconductor process.
하지만, 이러한 소자 기판의 한계는 압전 소자, 이차 전지 등의 응용 범위를 제한하는 문제가 있다. 특히, 에너지 저장 소자 중 하나가 전지인데, 전지는 에너지 저장 소자로서, 외부의 전기 에너지를 화학 에너지의 형태로 바꾸어 저장해 두었다가 필요할 때에 전기를 만들어 내는데, 이러한 충전이 불가능한 일차전지와 충전가능한 이차전지로 구분된다. 이중 이차전지는 캐소드(양극), 애노드(음극) 및 상기 양극 및 음극 사이에 구비되는 전해질층으로 이루어진 구조이며, 현재 하이브리드 자동차, 소형 가전 제품 등에서 널리 사용되고 있으나, 상술한 바와 같이 플라스틱 기판상에 구현시킨 이차전지는 상술한 문제, 즉, 고온의 공정을 견딜 수 없다는 문제 등으로 인하여 현재 개시되지 못하는 상황이다.However, the limitation of the device substrate has a problem of limiting the application range of piezoelectric devices and secondary batteries. In particular, one of the energy storage devices is a battery, and the battery is an energy storage device, which converts external electrical energy into chemical energy and stores it to generate electricity when needed. It is used as a rechargeable primary battery and a rechargeable secondary battery. It is distinguished. Dual secondary battery has a structure consisting of a cathode (anode), an anode (cathode), and an electrolyte layer provided between the anode and the cathode, and is widely used in hybrid vehicles and small home appliances, but is implemented on a plastic substrate as described above. The secondary battery is currently not disclosed due to the above-described problem, that is, a problem in that it cannot withstand a high-temperature process.
더 나아가, 희생 기판으로부터 제조된 이차 전지는 화학적인 습식 방식으로 분리되는 경우에 물리적인 위치 변경이 일어나는데, 특히 미세한 크기로 플렉서블 이차전지를 제조하는 경우에 이러한 전사 공정 시 발생하는 이차전지의 물리적 뒤틀림 또는 이동은 문제가 된다.Furthermore, when the secondary battery manufactured from the sacrificial substrate is separated by a chemical wet method, the physical location changes, especially in the case of manufacturing the flexible secondary battery with a fine size, the physical distortion of the secondary battery that occurs during the transfer process. Or the movement becomes a problem.
한편, 고온의 공정을 통하여 완성되는 미세 발전기인 나노제너레이터는 희생기판로부터 분리가 매우 중요한 데, 현재 일반적인 소자 분리는 화학용액에 의한 식각 방식으로 진행되었는바, 이 경우엔 식각액에 의한 소자 손상, 위험한 작업 환경으로의 작업자 노출, 식각액에 의한 소자 변형 등의 문제가 발생한다.On the other hand, the nanogenerator, which is a microgenerator completed through a high-temperature process, is very important to separate from the sacrificial substrate. Currently, general device separation has been performed by an etching method with a chemical solution. In this case, damage to the device due to the etching solution and dangerous Problems such as exposure of workers to the work environment and device deformation due to the etchant occur.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 모기판 상에 적층된 상변화 물질 상에 버퍼층을 통해 응력을 인가하여, 상기 버퍼층 상부에 배열된 고성능 전자소자 어레이를 간단히 박리함으로써 용이하게 유연 전자소자 어레이를 구현하는 방안을 제공하는 것이다.Therefore, the problem to be solved by the present invention is to apply a stress through the buffer layer on the phase change material stacked on the mother substrate, and then simply peel off the high-performance electronic device array arranged on the buffer layer, thereby easily removing the flexible electronic device array. It is to provide a way to implement it.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명인 박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법은 모기판 상에 상변화물질 및 버퍼층을 순차적으로 증착하는 단계; 외력에 의해 상기 상변화물질 상으로 응력이 인가되고, 상기 상변화물질의 상이 변화되는 단계; 상기 버퍼층 상부에 제작된 전자소자 상에 캐리어 기판을 부착하여 물리적으로 소자를 박리하는 단계; 및 상기의 박리된 전자소자를 타겟 기판에 부착한 뒤, 상기 캐리어 기판을 제거하여 유연 전자소자를 제작하는 단계;를 포함한다.In order to solve the above problem, a method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film according to the present invention includes the steps of sequentially depositing a phase change material and a buffer layer on a mother substrate; Applying a stress to the phase change material by an external force, and changing a phase of the phase change material; Physically peeling the device by attaching a carrier substrate on the electronic device fabricated on the buffer layer; And attaching the peeled electronic device to a target substrate and then removing the carrier substrate to manufacture a flexible electronic device.
상기 상변화 물질은 몰리브덴(Mo)이다.The phase change material is molybdenum (Mo).
상기 버퍼층은 옥사이드, 나이트라이드 및 옥사이드와 나이트라이드의 조합물을 포함한 그룹 중 어느 하나이다.The buffer layer is any one of the group comprising oxides, nitrides, and combinations of oxides and nitrides.
상기 외력은 플라즈마, 열, 초음파, 자기장, 기계적 힘을 포함한 그룹 중 어느 하나이다.The external force is any one of a group including plasma, heat, ultrasound, magnetic field, and mechanical force.
상기 버퍼층 상부 상에 전자소자의 제작은, 응력 인가 전 또는 상기 상변화물질의 상 변화 후에 이루어진다.The electronic device is fabricated on the upper portion of the buffer layer before applying a stress or after a phase change of the phase change material.
본 발명은 모기판 상에 적층된 상변화 물질 및 버퍼층 상에 전자 소자를 제작한 이후에 단순히 응력 만을 가한 상태에서 추가적인 공정 없이 전자소자를 모기판으로부터 박리하여 얇고 유연하게 제작 가능하게 한다.According to the present invention, after fabricating an electronic device on a phase change material and a buffer layer stacked on a mother substrate, an electronic device is peeled from the mother substrate without an additional process in a state where only stress is applied, thereby making it possible to manufacture thin and flexible.
종래에 니켈 박리법이나 레이저 리프트오프 방법을 이용하여 전자소자를 모기판으로부터 박리하는 방식은 전자소자에 좋지 않은 영향을 끼치며 생산성이 낮다는 문제가 있었는바, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 극복하게 한다.Conventionally, the method of peeling the electronic device from the mother substrate using the nickel peeling method or the laser lift-off method had a problem that it adversely affects the electronic device and the productivity is low, and the present invention overcomes the above-described conventional problems. Let's do it.
도 1은 본 발명에 따라 박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조공정 중 모기판 상에 상변화물질이 증착된 상태를 보이는 도면이다.
도 2는 도 1의 상변화물질 상에 버퍼층이 증착된 상태를 보이는 도면이다.
도 3은 도 2의 버퍼층을 통해 상변화물질 상에 응력이 인가되는 상태를 보이는 도면이다.
도 4는 도 3의 버퍼층 상에 전자소자를 제작한 상태를 보이는 도면이다.
도 5는 도 4의 전자소자 상에 캐리어 기판을 부착하여 기계적 힘으로 전자소자를 박리해내는 과정을 보이는 도면이다.
도 6은 박리 전후에 상변화 물질인 Mo film의 잔류 응력을 보인다.
도 7은 박리 전 후 Mo film의 격자상수를 보인다.
도 8은 박리 전후 Mo film의 XRD 분석을 보인다.
도 9는 BCC/FCC Mo film이 residual stress를 받는 상태를 보인다.
도 10은 모기판인 유리기판에서 박리된 유연 상변화 메모리를 보인다.1 is a view showing a state in which a phase change material is deposited on a mother substrate during a manufacturing process of a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which a buffer layer is deposited on the phase change material of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a state in which a stress is applied to a phase change material through the buffer layer of FIG. 2.
4 is a diagram illustrating a state in which an electronic device is manufactured on the buffer layer of FIG. 3.
5 is a view showing a process of peeling off the electronic device by mechanical force by attaching a carrier substrate on the electronic device of FIG. 4.
6 shows the residual stress of the Mo film, which is a phase change material, before and after peeling.
7 shows the lattice constant of the Mo film before and after peeling.
Figure 8 shows the XRD analysis of the Mo film before and after peeling.
9 shows a state in which the BCC/FCC Mo film is subjected to residual stress.
10 shows a flexible phase change memory peeled off from a glass substrate, which is a mother substrate.
이하 바람직한 실시예 및 도면을 이용하여 본 발명을 상세히 설명한다. 하지만, 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments and drawings. However, the following embodiments are provided as examples for sufficiently conveying the spirit of the present invention to those skilled in the art. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In addition, in the drawings, the width, length, and thickness of the component may be exaggerated for convenience. The same reference numbers throughout the specification indicate the same elements.
도 1은 본 발명에 따라 박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조공정 중 모기판 상에 상변화물질이 증착된 상태를 보이는 도면이다. 도 2는 도 1의 상변화물질 상에 버퍼층이 증착된 상태를 보이는 도면이다. 도 3은 도 2의 버퍼층을 통해 상변화물질 상에 응력이 인가되는 상태를 보이는 도면이다. 도 4는 도 3의 버퍼층 상에 전자소자를 제작한 상태를 보이는 도면이다. 도 5는 도 4의 전자소자 상에 캐리어 기판을 부착하여 기계적 힘으로 전자소자를 박리해내는 과정을 보이는 도면이다.1 is a view showing a state in which a phase change material is deposited on a mother substrate during a manufacturing process of a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film according to the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which a buffer layer is deposited on the phase change material of FIG. 1. 3 is a diagram illustrating a state in which a stress is applied to a phase change material through the buffer layer of FIG. 2. 4 is a diagram illustrating a state in which an electronic device is manufactured on the buffer layer of FIG. 3. FIG. 5 is a diagram illustrating a process of peeling off the electronic device by mechanical force by attaching a carrier substrate to the electronic device of FIG. 4.
도 1을 참조하면, 모기판(10)은 예를 들어 딱딱한 유리 기판, 사파이어, 쿼츠, 실리콘 기판 등을 채용할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
모기판(10) 상에 증착되는 상변화 물질(20)은 응력 등 외력에 의해 상변화가 일어날 수 있는 물질이며, 본 발명에서는 몰리브덴(Mo)을 사용한다.The
도 2를 참조하면 상변화 물질(20) 위에 버퍼층(30)을 증착한다.Referring to FIG. 2, a
버퍼층(30)은 예를 들어 옥사이드, 나이트라이드, 및 그들의 조합 등을 포함한다.The
버퍼층(30)은 상변화물질(20)에 응력을 가하는 역할을 하며, 이를 통해 상변화물질(20) 층의 일부가 응력에 의해 상변화되는 과정을 거친다. The
상변화물질(20)은 이를 구성하는 이종층 사이의 결합력이 약하여 전자소자를 제작 후 모기판으로부터 쉽게 분리할 수 있다. 버퍼층(30)은 또한 물리적 박리 시에 얇은 무기 소자막이 깨어지지 않도록 완충해주는 역할도 한다.The
도 3을 참조하면, 상변화 물질(20) 위에 버퍼층(30)을 증착된 상태에서, 버퍼층(30)에 의해 상변화물질(20)에 응력이 인가되고, 상변화물질(20)의 상이 변화된다.3, in a state in which the
구체적으로, 박막인 상변화물질층의 상부에 버퍼층을 형성해준 상태에서, 상기 버퍼층(30)을 이용하여 응력을 인가해주면 상변화물질(20)의 표면 상이 변화하게 된다.Specifically, in a state in which a buffer layer is formed on an upper portion of the phase change material layer, which is a thin film, when stress is applied using the
상변화의 예를 보면, FCC에서 BCC로 변동하거나 또는 BCC에서 FCC로 변동하는 과정 등을 포함하는 격자(lattice)의 변화를 들 수 있다.An example of a phase change is a change in a lattice including a process of changing from FCC to BCC or from BCC to FCC.
응력은 버퍼층(30)의 종류에 따라 다음과 같은 원인으로 응력이 발생할 수 있다.The stress may be caused by the following causes depending on the type of the
버퍼층(30)의 격자상수(lattice constant)가 상변화물질에 비해 매우 높아, 버퍼층의 증착과 동시에 응력이 발생하는 경우이거나, 버퍼층 증착 후에 외력이 가해짐으로써 응력이 발생하는 경우 등을 들 수 있다.The lattice constant of the
여기에서, 외력은 플라즈마, 열, 초음파, 자기장, 기계적 힘 등을 들 수 있다. Here, the external force may include plasma, heat, ultrasonic waves, magnetic field, and mechanical force.
도 4를 참조하면, 버퍼층(30) 위에 전자 소자(40)를 제작한다. 즉, 버퍼층(30) 상부에 무기물 기반의 고성능 전자소자를 제작한다.Referring to FIG. 4, an
한편, 다른 실시예로서 무기물 기반의 고성능 전자소자의 경우는 상변화물질(20) 상에 응력이 인가되기 전 단계에서 제작되는 것일 수 있다. 즉, 모기판(10) 상에 상변화 물질(20) 및 버퍼층(30)이 증착된 이후에 응력이 인가되는 것도 가능하다.Meanwhile, as another embodiment, in the case of an inorganic material-based high-performance electronic device, it may be manufactured in a step before stress is applied to the
도 5를 참조하면, 전자 소자(40)에 캐리어 기판(미도시)을 부착하여 기계적 힘을 가하여 물리적으로 전자 소자를 박리해 낸다. Referring to FIG. 5, by attaching a carrier substrate (not shown) to the
다음으로, 박리된 전자 소자를 타겟 기판에 부착한 뒤, 캐리어 기판을 제거하여 유연 전자소자를 제작하게 된다.Next, after attaching the peeled electronic device to the target substrate, the carrier substrate is removed to manufacture a flexible electronic device.
캐리어 기판은 형상기억고분자 물질, 열변화 물질, UV 변화 물질 및 PDMS 등 접착력을 자유롭게 변화시킬 수 있는 물질을 이용할 수 있다. As the carrier substrate, a material capable of freely changing adhesion, such as a shape memory polymer material, a heat change material, a UV change material, and a PDMS, may be used.
이를 통해서, 전자 소자를 제작한 이후에 추가적인 공정 없이 전자 소자를 모기판으로부터 박리하여 얇고 유연하게 제작 가능할 수 있다.Through this, it is possible to manufacture the electronic device thin and flexible by peeling the electronic device from the mother substrate without an additional process after the electronic device is manufactured.
기존에는 전자 소자를 제작 후에 니켈 박리법이나 레이저 리프트오프 방법을 이용하여 떼어내는 방식을 사용하였지만, 전자 소자 상에 좋지 않은 영향을 끼치며 생산성이 낮다는 문제점이 있었다.In the past, a method of removing an electronic device using a nickel peeling method or a laser lift-off method after fabrication was used, but there was a problem that it had a bad effect on the electronic device and the productivity was low.
한편, 본 발명은 전자 소자 제작 후에 바로 기판으로부터 박리할 수 있기 때문에 전자 소자 상에 영향 없이 높은 생산성을 가지고 떼어낼 수 있다는 장점이 있다.On the other hand, the present invention has the advantage of being able to peel off the electronic device with high productivity without affecting on the electronic device because it can be peeled from the substrate immediately after fabrication.
도 6을 참조하면, 박리 전후에 상변화 물질인 Mo film의 잔류 응력(residual stress)을 보인다.Referring to FIG. 6, residual stress of the Mo film as a phase change material before and after peeling is shown.
구체적으로는, 도 6의 그래프 중 상부에 표시된 바와 같이 깨끗한(pristine) Mo film과 비교할 때 박리된 Mo film은 1.752GPa 의 응력을 받게 되어 큰 stress를 받았음을 의미한다.Specifically, as shown in the upper part of the graph of FIG. 6, compared with the pristine Mo film, the peeled Mo film was subjected to a stress of 1.752 GPa, which means that it received a large stress.
도 7을 참조하면, 박리 전 후 Mo film의 격자상수를 보인다.Referring to FIG. 7, the lattice constant of the Mo film before and after peeling is shown.
구체적으로는, 깨끗한(pristine) Mo film과 비교할 때 박리된 Mo film이 격자상수 변화를 보였음을 의미한다.Specifically, it means that the exfoliated Mo film showed a lattice constant change compared to the pristine Mo film.
도 8을 참조하면, 박리 전후 Mo film의 XRD 분석을 보인다.Referring to FIG. 8, XRD analysis of the Mo film before and after peeling is shown.
구체적으로는, 박리전 Mo film은 BCC 상, 박리후 Mo film은 FCC 상을 가지고, 박리 후에 모기판 상에는 FCC Mo의 residue가 남아 두 상이 혼재되어 있다는 것을 알 수 있다.Specifically, it can be seen that the Mo film before peeling has a BCC phase, and the Mo film after peeling has an FCC phase, and the residue of FCC Mo remains on the mother substrate after peeling, and the two phases are mixed.
도 9를 참조하면, BCC/FCC Mo film이 residual stress를 받는 상태를 보인다.Referring to FIG. 9, the BCC/FCC Mo film is subjected to residual stress.
도 10을 참조하면, 모기판인 유리기판에서 박리된 유연 상변화 메모리(flexible phase change random access memory; f-PRAM)를 보인다.Referring to FIG. 10, a flexible phase change random access memory (f-PRAM) peeled off from a glass substrate, which is a mother substrate, is shown.
Claims (5)
외력에 의해 상기 상변화물질 상으로 응력이 인가되고, 상기 상변화물질의 상이 변화되는 단계;
상기 버퍼층 상부에 제작된 전자소자 상에 캐리어 기판을 부착하여 물리적으로 소자를 박리하는 단계; 및
상기의 박리된 전자소자를 타겟 기판에 부착한 뒤, 상기 캐리어 기판을 제거하여 유연 전자소자를 제작하는 단계;를 포함하고,
상기 버퍼층을 이용한 상기 상변화물질 상으로의 응력 인가 과정에서, 상기 상변화물질의 상부 표면 상에 변화가 발생하고, 이를 통해 상기 상변화물질 중 변화가 발생한 상부층이 하부층으로부터 분리되어 상기 버퍼층 및 전자소자를 분리하는 것을 특징으로 하는,
박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.
Sequentially depositing a phase change material and a buffer layer on the mother substrate;
Applying a stress to the phase change material by an external force, and changing a phase of the phase change material;
Physically peeling the device by attaching a carrier substrate on the electronic device fabricated on the buffer layer; And
After attaching the peeled electronic device to a target substrate, removing the carrier substrate to manufacture a flexible electronic device; Including,
In the process of applying stress to the phase change material using the buffer layer, a change occurs on the upper surface of the phase change material, and through this, the upper layer in which the change occurs in the phase change material is separated from the lower layer, and the buffer layer and the electrons Characterized in that the device is separated,
A method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film.
상기 상변화 물질은 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)을 포함하는 물질인,
박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
The phase change material is a material containing molybdenum (Mo) or tungsten (W),
A method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film.
상기 버퍼층은 옥사이드, 나이트라이드 및 옥사이드와 나이트라이드의 조합물을 포함한 그룹 중 어느 하나인,
박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
The buffer layer is any one of the group including oxide, nitride, and a combination of oxide and nitride,
A method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film.
상기 외력은 플라즈마, 열, 초음파, 자기장, 기계적 힘을 포함한 그룹 중 어느 하나인,
박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
The external force is any one of the group including plasma, heat, ultrasound, magnetic field, and mechanical force,
A method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film.
상기 버퍼층 상부 상에 전자소자의 제작은,
응력 인가 전 또는 상기 상변화물질의 상 변화 후에 이루어지는,
박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.The method of claim 1,
Fabrication of the electronic device on the upper portion of the buffer layer,
Made before applying stress or after a phase change of the phase change material,
A method of manufacturing a flexible electronic device through physical peeling using a phase change of a thin film.
Applications Claiming Priority (2)
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| KR1020180134130 | 2018-11-05 | ||
| KR20180134130 | 2018-11-05 |
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005311295A (en) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
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- 2018-12-24 KR KR1020180168498A patent/KR102224058B1/en active IP Right Grant
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