KR102222682B1 - A touch input IC and device with reduced circuit volume and power consumption at a stand-by mode - Google Patents

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Abstract

터치입력 동작모드와 터치입력 대기모드를 제공하는 터치입력 감지장치가 공개된다. 상기 터치입력 감지장치는 복수 개의 전극들 및 AFE부를 포함한다. 상기 AFE부는, 복수 개의 연산증폭기들로서, 상기 터치입력 동작모드에서 상기 복수 개의 전극들 각각이 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나에 연결되는, 상기 복수 개의 연산증폭기들을 포함하는 동작모드 감지회로부, 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제1 대기모드용 연산증폭기를 포함하는 대기모드 감지회로부, 복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부, 및 모드변환 스위치부를 포함한다. 상기 모드변환 스위치부는, 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상의 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를 상기 각각의 피드백 커패시터에 대응하는 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있다.A touch input sensing device that provides a touch input operation mode and a touch input standby mode is disclosed. The touch input sensing device includes a plurality of electrodes and an AFE unit. The AFE unit includes a plurality of operational amplifiers, wherein each of the plurality of electrodes is connected to any one of the plurality of operational amplifiers in the touch input operation mode, the operation mode detection circuit unit including the plurality of operational amplifiers, the In the touch input standby mode, a standby mode detection circuit unit including a first standby mode operational amplifier to which two or more electrodes are electrically connected to each other and connected to each other, and a shared capacitor including a plurality of feedback capacitors And a mode conversion switch unit. In the touch input standby mode, the mode conversion switch unit includes both terminals of each of at least two or more of the plurality of feedback capacitors or all of the feedback capacitors, and an inverting input terminal and an output of the operational amplifier for the first standby mode. It is configured to connect to a terminal, and in the touch input operation mode, it is configured to connect both terminals of each of the plurality of feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the operational amplifier corresponding to the respective feedback capacitors. have.

Figure R1020180127942
Figure R1020180127942

Description

대기모드에서의 소비전력 및 회로의 크기를 감소시킨 터치입력 감지IC 및 터치입력 감지장치{A touch input IC and device with reduced circuit volume and power consumption at a stand-by mode}{A touch input IC and device with reduced circuit volume and power consumption at a stand-by mode}

본 발명은 전자장치에 관한 것으로서, 특히 사용자 기기의 사용자 입력 수단인 터치입력 감지장치에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 사용자가 사용자 기기를 사용하고 있지 않은 대기모드에서 칩의 크기를 증가시키지 않고도 상기 터치입력 감지장치의 소비전력을 감소시키는 방법 및 그 터치입력 감지장치에 관한 것이다. The present invention relates to an electronic device, and more particularly, to a touch input sensing device that is a user input means of a user device. In particular, the present invention relates to a method of reducing power consumption of the touch input sensing device without increasing the size of a chip in a standby mode in which a user is not using a user device, and a touch input sensing device thereof.

휴대용 사용자 기기에는 사용자를 위한 사용자 입력장치로서 터치입력 감지장치가 연결되어 있을 수 있다. 또는 상기 사용자 기기에 상기 터치입력 감지장치가 설치되어 있을 수 있다. 상기 터치입력 감지장치는 손가락 끝의 면적보다 넓은 평면 형태의 입력영역을 제공할 수 있다. 상기 터치입력 감지장치는 단순히 사용자 입력이 이루어졌는지 여부를 감지하거나 또는/그리고 상기 입력영역에서 사용자 입력이 이루어진 좌표를 결정할 수 있도록 되어 있다.A touch input sensing device may be connected to the portable user device as a user input device for a user. Alternatively, the touch input sensing device may be installed in the user device. The touch input sensing device may provide an input area having a planar shape that is wider than an area of a fingertip. The touch input sensing device is configured to simply detect whether a user input has been made or/and determine a coordinate at which a user input has been made in the input area.

상기 터치입력 감지장치의 작동원리로서 다양한 방식이 채택될 수 있는데, 상기 터치입력 감지장치는 잘 알려진 용량식 감지방식으로 구현할 수도 있다. 용량식 감지방식을 위하여, 터치입력 감지장치는 투명 또는 불투명의 복수 개의 감지전극들이 포함되어 있을 수 있다. 상기 입력영역 중 터치입력이 발생한 지점의 좌표를 검출하기 위해서는, 상기 감지전극들에 의해 그 값이 변화될 수 있는 복수 개의 커패시턴스들을 계속하여 측정하고 있어야 한다. 상기 복수 개의 커패시턴스들의 측정을 위하여 상기 복수 개의 감지전극들에는 복수 개의 감지회로모듈들이 연결되어 있을 수 있다. 이때, 상기 복수 개의 커패시턴스들을 계속하여 측정하기 위해서 상기 복수 개의 감지회로모듈들이 계속해서 동작해야 하며, 그 결과 상기 감지회로모듈들의 개수에 비례하여 전력 소모량이 증가할 수 있다. Various methods may be adopted as the operating principle of the touch input sensing device, and the touch input sensing device may be implemented by a well-known capacitive sensing method. For the capacitive sensing method, the touch input sensing device may include a plurality of transparent or opaque sensing electrodes. In order to detect the coordinates of the point where the touch input occurs in the input area, a plurality of capacitances whose values can be changed by the sensing electrodes must be continuously measured. In order to measure the plurality of capacitances, a plurality of sensing circuit modules may be connected to the plurality of sensing electrodes. In this case, in order to continuously measure the plurality of capacitances, the plurality of sensing circuit modules must continue to operate, and as a result, the amount of power consumption may increase in proportion to the number of the sensing circuit modules.

한편, 본 명세서에서 사용자 입력이 존재하지 않는 상태라고 판단하여 작동하는 모드를 상기 사용자 기기 또는 상기 터치입력 감지장치의 터치입력 대기모드라고 지칭할 수 있다. 그리고 사용자 입력이 존재하거나 또는 가까운 미래에 발생한 것으로 가정하여, 상기 감지영역 중 사용자 입력이 발생한 좌표를 결정하도록 작동하는 모드는 상기 사용자 기기 또는 상기 터치입력 감지장치의 터치입력 동작모드라고 지칭할 수 있다. Meanwhile, in the present specification, a mode in which it is determined that a user input does not exist and operates may be referred to as a touch input standby mode of the user device or the touch input sensing device. In addition, assuming that a user input exists or occurs in the near future, a mode operating to determine the coordinates in which the user input occurs among the sensing regions may be referred to as a touch input operation mode of the user device or the touch input sensing device. .

많은 경우에 있어서, 사용자 기기가 턴 온 된 상태에서, 상기 터치입력 대기모드로 존재하는 시간이 상기 터치입력 동작모드로 동작하는 시간보다 더 길 수 있다. 만일 상기 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 대기모드에서 동작하는 방식이 상기 터치입력 동작모드에서 동작하는 방식과 동일하다면, 상기 터치입력 대기모드에서의 전력 소모율은 상기 터치입력 동작모드에서의 전력 소모율과 동일하거나 유사할 것이다. 이 경우, 사용자 입력의 좌표의 계산이 필요하지 않은 터치입력 대기모드에서 발생하는 전력 사용량은 감소시켜야 할 필요가 있다.In many cases, when the user device is turned on, a time period in which the user device is in the touch input standby mode may be longer than a time in which the user device operates in the touch input operation mode. If the method of operating the touch input sensing device in the touch input standby mode is the same as the method of operating in the touch input operation mode, the power consumption rate in the touch input standby mode is equal to the power consumption rate in the touch input operation mode. It will be the same or similar. In this case, it is necessary to reduce the amount of power used in the touch input standby mode in which coordinates of the user input are not calculated.

본 발명에서는 터치입력 감지장치의 터치입력 대기모드에서의 전력 사용량을 감소시키기 위한 회로에 관한 기술로서 상기 회로를 채용한 칩의 크기의 증가를 최소화할 수 있는 기술을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a technology for minimizing an increase in the size of a chip employing the circuit as a technology for reducing power consumption in a touch input standby mode of a touch input sensing device.

본 발명의 일 관점에 따라 제공되는 터치입력 동작모드와 터치입력 대기모드를 제공하는 터치입력 감지장치는 복수 개의 전극들; 및 AFE부(40)를 포함한다. 이때, 상기 AFE부는, ① 복수 개의 연산증폭기들로서, 상기 터치입력 동작모드에서 상기 복수 개의 전극들 각각이 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나에 연결되는, 상기 복수 개의 연산증폭기들을 포함하는 동작모드 감지회로부(1402); ② 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제1 대기모드용 연산증폭기를 포함하는 대기모드 감지회로부(1401); ③ 복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부(1403); 및 ④ 모드변환 스위치부(500);를 포함한다. 그리고 상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상의 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를 상기 각각의 피드백 커패시터에 대응하는 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있다. A touch input sensing device providing a touch input operation mode and a touch input standby mode provided according to an aspect of the present invention includes a plurality of electrodes; And an AFE unit 40. In this case, the AFE unit may: ① detect an operation mode including the plurality of operational amplifiers, each of the plurality of electrodes being connected to any one of the plurality of operational amplifiers in the touch input operation mode as a plurality of operational amplifiers. Circuit portion 1402; ② in the touch input standby mode, a standby mode detection circuit unit 1401 including a first operational amplifier for standby mode to which two or more electrodes are electrically connected to each other, and an electrode formed by being electrically connected to each other; ③ a shared capacitor unit 1403 including a plurality of feedback capacitors; And ④ mode conversion switch unit 500; And the mode conversion switch unit, ① In the touch input standby mode, both terminals of each of at least two or more of the plurality of feedback capacitors, or all of the feedback capacitors, are inverted input terminals of the operational amplifier for the first standby mode. And an output terminal, and ② in the touch input operation mode, both terminals of each of the plurality of feedback capacitors are connected to an inverted input terminal and an output terminal of the operational amplifier corresponding to each of the feedback capacitors. It is structured to be.

이때, 상기 복수 개의 전극들과 상기 AFE부 간에 연결된 제2스위치부(20); 및 연산처리 및 구동제어부(50)를 더 포함하며, 상기 연산처리 및 구동제어부는, 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들을 서로 연결하여 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자에 연결하도록 상기 제2스위치부를 제어하도록 되어 있고, 상기 연산처리 및 구동제어부는 상기 모드변환 스위치부의 동작을 제어하도록 되어 있을 수 있다.In this case, a second switch unit 20 connected between the plurality of electrodes and the AFE unit; And an operation processing and driving control unit 50, wherein the operation processing and driving control unit connects the plurality of electrodes to each other in the touch input standby mode to connect to an inverted input terminal of the operational amplifier for the first standby mode. The second switch unit may be controlled so that the operation processing and driving control unit may be configured to control the operation of the mode conversion switch unit.

이때, 상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 동작모드 감지회로부로부터 분리하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 연산증폭기에 연결된 상기 피드백 커패시터를 상기 대기모드 감지회로부터 분리하도록 구성되어 있을 수 있다.In this case, the mode conversion switch unit, ① in the touch input standby mode, is configured to separate both terminals of each of at least two or more of the plurality of feedback capacitors or of all of the feedback capacitors from the operation mode detection circuit unit, and And ② in the touch input operation mode, it may be configured to separate the feedback capacitor connected to the operational amplifier from the standby mode detection circuit.

이때, 상기 복수 개의 연산증폭기들 및 상기 제1 대기모드용 연산증폭기 중 하나 이상의 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에 언제나 연결되어 있는 커패시터를 더 포함할 수 있다.In this case, it may further include a capacitor that is always connected between the inverting input terminal and the output terminal of at least one of the plurality of operational amplifiers and the first standby mode operational amplifier.

이때, 상기 대기모드 감지회로부는 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 다른 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제2 대기모드용 연산증폭기를 더 포함할 수 있다. 그리고 상기 모드변환 스위치부는, 상기 터치입력 대기모드에서, ① 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 일부의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 다른 일부의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제2 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있을 수 있다.In this case, the standby mode detection circuit unit may further include a second operational amplifier for standby mode to which an electrode formed by electrically connecting two or more of the plurality of electrodes to each other in the touch input standby mode is connected. And the mode conversion switch unit, in the touch input standby mode, ① both terminals of each of at least some of the plurality of feedback capacitors, to the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier for the first standby mode. And ② may be configured to connect both terminals of each of the other feedback capacitors among the plurality of feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the second operational amplifier for standby mode. .

이때, 상기 복수 개의 연산증폭기들, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기, 및 상기 제2 대기모드용 연산증폭기 중 하나 이상의 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에 언제나 연결되어 있는 커패시터를 더 포함할 수 있다.In this case, a capacitor that is always connected between the inverting input terminal and the output terminal of at least one of the plurality of operational amplifiers, the first standby mode operational amplifier, and the second standby mode operational amplifier may further include a capacitor. I can.

이때, 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제1그룹의 피드백 커패시터들이 병렬로 연결되며, 상기 복수 개의 전극들 중 상기 터치입력 동작모드에서 상기 제1그룹의 피드백 커패시터들이 각각 연결되는 제1그룹의 연산증폭기들의 반전 입력단자에 연결되도록 되어 있는 제1그룹의 전극들이 모두 전기적으로 연결되어 형성된 제1 부분 통합전극은, 상기 터치입력 대기모드에서 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자에 연결될 수 있다.At this time, in the touch input standby mode, feedback capacitors of a first group among the plurality of feedback capacitors are connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal of the first standby mode operational amplifier, and the plurality of electrodes In the touch input operation mode, a first partial integrated electrode formed by electrically connecting all of the electrodes of the first group to be connected to the inverting input terminals of the operational amplifiers of the first group to which the feedback capacitors of the first group are respectively connected. May be connected to an inverting input terminal of the operation amplifier for the first standby mode in the touch input standby mode.

본 발명의 일 관점에 따라, 복수 개의 전극들에 연결되도록 되어 있으며, 터치입력 동작모드와 터치입력 대기모드를 제공하는 터치입력 감지IC가 제공될 수 있다. 상기 터치입력 감지IC는, 복수 개의 연산증폭기들로서, 상기 터치입력 동작모드에서 상기 복수 개의 전극들 각각이 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나에 연결되는, 상기 복수 개의 연산증폭기들을 포함하는 동작모드 감지회로부(1402); 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제1 대기모드용 연산증폭기를 포함하는 대기모드 감지회로부(1401); 복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부(1403); 및 모드변환 스위치부(500);를 포함한다. 이때, 상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를 상기 각각의 피드백 커패시터에 대응하는 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있다. According to an aspect of the present invention, a touch input sensing IC that is connected to a plurality of electrodes and provides a touch input operation mode and a touch input standby mode may be provided. The touch input sensing IC is a plurality of operational amplifiers, wherein each of the plurality of electrodes is connected to any one of the plurality of operational amplifiers in the touch input operation mode. Circuit portion 1402; A standby mode detection circuit unit 1401 including a first standby mode operational amplifier to which two or more of the plurality of electrodes are electrically connected to each other in the touch input standby mode; A shared capacitor unit 1403 including a plurality of feedback capacitors; And a mode conversion switch unit 500; In this case, the mode conversion switch unit includes: ① In the touch input standby mode, at least two or more of the plurality of feedback capacitors or both terminals of each of the feedback capacitors are inverted input of the operational amplifier for the first standby mode. It is configured to be connected to a terminal and an output terminal, and ② in the touch input operation mode, both terminals of each of the plurality of feedback capacitors are connected to the inverting input terminal and output terminal of the operational amplifier corresponding to the respective feedback capacitors. It is configured to connect.

본 발명의 다른 관점에 따라 제공되는 터치입력 감지IC는, 복수 개의 연산증폭기들; 제1 대기모드용 연산증폭기; 복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부; ① 터치입력 동작모드에서 복수 개의 전극들 각각을 대응하는 상기 연산증폭기에게 연결하도록 되어 있고, 그리고 ② 터치입력 대기모드에서 복수 개의 전극들 중 적어도 일부의 전극들을 서로 연결하여 통합전극을 형성하고 상기 형성된 통합전극을 상기 제1 대기모드용 연산증폭기에게 연결하도록 되어 있는 제2스위치부; 및 ① 상기 터치입력 동작모드에서 각각의 상기 피드백 커패시터의 양 단부를 이에 대응하는 각각의 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 되어 있고, ② 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상의 피드백 커패시터들 각각의 양 단부를 상기 제1 대기모드용 연산증폭기에 연결하도록 되어 있는, 모드변환 스위치부;를 포함한다.A touch input sensing IC provided according to another aspect of the present invention includes: a plurality of operational amplifiers; A first operational amplifier for standby mode; A shared capacitor unit including a plurality of feedback capacitors; ① In the touch input operation mode, each of the plurality of electrodes is connected to the corresponding operational amplifier, and ② in the touch input standby mode, at least some of the plurality of electrodes are connected to each other to form an integrated electrode. A second switch unit configured to connect the integrated electrode to the first standby mode operational amplifier; And ① both ends of each of the feedback capacitors in the touch input operation mode are connected to an inverting input terminal and an output terminal of each of the operational amplifiers corresponding thereto, and ② the plurality of feedback capacitors in the touch input standby mode. And a mode conversion switch unit configured to connect both ends of each of at least two or more of the feedback capacitors to the first standby mode operational amplifier.

본 발명에 따르면 터치입력 감지장치의 터치입력 대기모드에서의 전력 사용량을 감소시키기 위한 회로에 관한 기술로서 상기 회로를 채용한 칩의 크기의 증가를 최소화할 수 있는 기술을 제공할 수 있다.According to the present invention, as a technology for reducing power consumption in a touch input standby mode of a touch input sensing device, a technology capable of minimizing an increase in the size of a chip employing the circuit can be provided.

도 1은 비교 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성을 나타낸 것이다.
도 3은 도 2에 제시한 터치입력 감지장치가 상호용량방식으로 동작하는 경우에 있어서, 터치입력 대기모드에서의 동작원리를 설명하기 위한 것이다.
도 4는 도 2에 제시한 터치입력 감지장치로부터 변형된 터치입력 감지장치가 자기용량방식으로 동작하는 경우에 있어서, 터치입력 대기모드에서의 동작원리를 설명하기 위한 것이다.
도 5는 도 2에 제시한 터치입력 감지장치로부터 변형된 터치입력 감지장치가 자기용량방식으로 동작하는 경우에 있어서, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 실시예를 설명하기 위한 것이다.
도 6은 도 5에 나타낸 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 동작 방식을 나타내는 타이밍도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 보상회로로서, 대기모드 감지회로모듈의 입력단에서 바라본 통합전극의 커패시턴스의 값을 감소시키기 위한 보상회로를 설명하기 위한 것이다.
도 8은 도 7에 나타낸 부유용량 보상회로의 시간에 따른 동작 특성을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램이다.
도 9는 도 7에 나타낸 충전전류원 및 방전전류원의 내부 구성의 예를 자세히 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 보상회로로서, 대기모드 감지회로모듈의 입력단에서 바라본 통합전극의 커패시턴스의 값을 감소시키기 위한 보상회로의 예를 나타낸 것이다.
도 11은 도 10에 나타낸 부유용량 보상회로의 시간에 따른 동작 특성을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성의 예로서, 대기모드 감지회로모듈이 1개만 제공되며 대기모드 감지회로모듈이 감지회로모듈들과는 서로 구분되는 예를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성의 예로서, 대기모드 감지회로모듈이 2개 이상 제공되며, 각 대기모드 감지회로모듈이 감지회로모듈들과는 서로 구분되는 예를 나타낸다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성의 예로서, 대기모드 감지회로모듈이 1개만 제공되며, 특정 감지회로모듈이 상기 대기모드 감지회로모듈의 역할을 함께 하는 예를 나타낸다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성의 예로서, 대기모드 감지회로모듈이 2개 이상 제공되며, 이 중 제1 대기모드 감지회로모듈은 감지회로모듈들과는 서로 구분되지만, 제2 대기모드 감지회로모듈은 특정 감지회로모듈의 역할을 함께 수행하는 예를 나타낸다.
도 16은 도 5에 제시한 통합전극과 터치스크린패널에 포함된 N개의 행전극들 및 M개의 열전극들과의 관계를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 제1실시예에 따른 터치입력 대기모드를 위한 연산증폭기와 터치입력 동작모드를 위한 감지회로모듈들(30_1~30_N) 간의 연결관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 제1실시예의 변형 실시예인 제2실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 19는 제1실시예의 변형된 제3실시예를 나타낸 것이다.
도 20은 제3실시예의 변형된 실시예인 제4실시예를 설명하기 위한 도면이다.
1 shows a configuration of a touch input sensing device according to a comparative embodiment.
2 shows the configuration of a touch input sensing device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is for explaining the principle of operation in a touch input standby mode when the touch input sensing device shown in FIG. 2 operates in a mutual capacitive method.
FIG. 4 is for explaining the principle of operation in a touch input standby mode when the touch input sensing device modified from the touch input sensing device shown in FIG. 2 operates in a self-capacitive manner.
FIG. 5 is for explaining an embodiment of the standby mode detection circuit module 30_T when the touch input detection device modified from the touch input detection device shown in FIG. 2 operates in a self-capacitive manner.
6 is a timing diagram illustrating an operation method of the standby mode detection circuit module 30_T shown in FIG. 5.
7 is a compensation circuit according to an embodiment of the present invention, for explaining a compensation circuit for reducing a capacitance value of an integrated electrode viewed from an input terminal of a standby mode detection circuit module.
8 is a timing diagram for explaining the operating characteristics of the stray capacitance compensation circuit shown in FIG. 7 over time.
9 shows an example of the internal configuration of the charging current source and the discharge current source shown in FIG. 7 in detail.
10 is a compensation circuit according to another embodiment of the present invention, and shows an example of a compensation circuit for reducing a capacitance value of an integrated electrode viewed from an input terminal of a standby mode detection circuit module.
11 is a timing diagram for explaining the operating characteristics of the stray capacitance compensation circuit shown in FIG. 10 over time.
12 is an example of the configuration of a touch input sensing device according to an embodiment of the present invention, and shows an example in which only one standby mode sensing circuit module is provided and the standby mode sensing circuit module is distinguished from the sensing circuit modules.
13 is an example of a configuration of a touch input sensing device according to another embodiment of the present invention, in which two or more standby mode sensing circuit modules are provided, and each standby mode sensing circuit module is distinguished from the sensing circuit modules. .
14 is an example of a configuration of a touch input sensing device according to another embodiment of the present invention, in which only one standby mode detection circuit module is provided, and an example in which a specific detection circuit module serves as the standby mode detection circuit module Represents.
15 is an example of a configuration of a touch input sensing device according to another embodiment of the present invention, in which two or more standby mode sensing circuit modules are provided, of which the first standby mode sensing circuit module is distinguished from the sensing circuit modules. However, the second standby mode detection circuit module shows an example in which a specific detection circuit module is performed together.
16 is a diagram illustrating a relationship between the integrated electrode shown in FIG. 5 and N row electrodes and M column electrodes included in the touch screen panel.
17 is a diagram illustrating a connection relationship between an operational amplifier for a touch input standby mode and sensing circuit modules 30_1 to 30_N for a touch input operation mode according to the first embodiment of the present invention.
18 is a view for explaining a second embodiment, which is a modified embodiment of the first embodiment.
Fig. 19 shows a third modified embodiment of the first embodiment.
20 is a view for explaining a fourth embodiment, which is a modified embodiment of the third embodiment.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 설명한다. 그러나 본 발명은 본 명세서에서 설명하는 실시예에 한정되지 않으며 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어는 실시예의 이해를 돕기 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 의도된 것이 아니다. 또한, 이하에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described in the present specification, and may be implemented in various different forms. The terms used in the present specification are intended to aid understanding of the embodiments, and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition, the singular forms used below also include plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite meaning.

도 1은 비교 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성을 나타낸 것이다.1 shows a configuration of a touch input sensing device according to a comparative embodiment.

터치입력 감지장치(101)는 터치스크린패널(10), 제1스위치부(120), 제1AFE부(130), 제1TX 구동부(140), 및 제1연산처리 및 구동제어부(150)를 포함할 수 있다.The touch input sensing device 101 includes a touch screen panel 10, a first switch unit 120, a first AFE unit 130, a first TX driving unit 140, and a first calculation processing and driving control unit 150. can do.

터치스크린패널(10)은 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM)을 포함할 수 있다. 임의의 행전극과 임의의 열전극은 서로 다른 층에 배치되어 있을 수 있으며, 서로 절연되어 있고 일 지점에서 서로 교차할 수 있다. 임의의 제1행전극과 임의의 다른 제2행전극은 각각 행방향으로 연장되어 있으며, 서로에 대하여 이격되어 평행하게 배치되어 있을 수 있다. The touch screen panel 10 may include N row electrodes Y1 to YN and M column electrodes X1 to XM. Arbitrary row electrodes and arbitrary column electrodes may be disposed on different layers, are insulated from each other, and may cross each other at one point. Any first row electrode and any other second row electrode extend in a row direction, respectively, and may be spaced apart from each other and disposed in parallel.

제1TX 구동부(140)는 각각의 열전극들에게 미리 결정된 패턴을 갖는 구동펄스를 인가할 수 있다. 이를 위해 각각의 열전극들은 제1TX 구동부(140)에 연결되어 있을 수 있다.The first TX driver 140 may apply a driving pulse having a predetermined pattern to each of the column electrodes. To this end, each of the column electrodes may be connected to the first TX driver 140.

제1AFE부(130)는 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L)을 포함할 수 있다. 여기서, 예컨대 L은 1 내지 M+N의 자연수일 수 있다. 각 감지회로모듈은 연산증폭기(OA1~OAL), 및 피드백 커패시터(CS1~CSL)를 포함할 수 있다. 각 감지회로모듈의 구성은 종래기술에 의해 다양한 방식으로 제공될 수 있다. 상기 M개의 열전극들 및/또는 상기 N개의 행전극들은 상기 감지회로모듈 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 각 감지회로모듈에 대하여 한 개의 연산증폭기만을 도시하였으나, 이는 편의를 위한 것이며, 실시예에 따라서는 각 감지회로모듈에 두 개 이상의 연산증폭기가 포함될 수 있다.The first AFE unit 130 may include L sensing circuit modules 30_1 to 30_L. Here, for example, L may be a natural number of 1 to M+N. Each sensing circuit module may include operational amplifiers OA1 to OAL and feedback capacitors CS1 to CSL. The configuration of each sensing circuit module can be provided in various ways by the prior art. The M column electrodes and/or the N row electrodes may be connected to any one of the sensing circuit modules. Although only one operational amplifier is shown for each sensing circuit module, this is for convenience, and in some embodiments, two or more operational amplifiers may be included in each sensing circuit module.

감지회로모듈을 칩으로 구현하는 경우 일정 수준 이상의 면적을 차지할 수 있기 때문에, 감지회로모듈의 개수가 많아질수록 칩의 크기가 증가하는 문제가 있다. 따라서 감지회로모듈의 개수를 줄이는 대신, 한 개의 감지회로모듈이 여러 개의 감지전극에 시분할 방식으로 연결되어 시공유되는 방식을 사용할 수도 있다. When the sensing circuit module is implemented as a chip, since it can occupy an area of a certain level or more, there is a problem that the size of the chip increases as the number of sensing circuit modules increases. Therefore, instead of reducing the number of sensing circuit modules, a method in which one sensing circuit module is connected to several sensing electrodes in a time-division manner and time-sharing may be used.

제1스위치부(120)는 상기 행전극들 및/또는 상기 열전극들 각각을 상기 L개의 감지회로모듈들 중 어느 하나에 상시적로 또는 선택적으로 연결되도록 구성되어 있을 수 있다.The first switch unit 120 may be configured to constantly or selectively connect each of the row electrodes and/or the column electrodes to any one of the L sensing circuit modules.

상기 제1스위치부(120)는 예컨대, 상기 각각의 열전극을 상기 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L) 중 어느 하나에 선택적으로 연결하도록 하는 제1세트(set X)의 스위치들(SX1~SXM)을 포함할 수 있다. The first switch unit 120 includes, for example, a first set of switches SX1 for selectively connecting each of the column electrodes to any one of the L sensing circuit modules 30_1 to 30_L. ~SXM).

그리고 상기 제1스위치부(120)는 예컨대, 상기 각각의 행전극을 상기 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L) 중 어느 하나에 선택적으로 연결하도록 하는 제2세트(set Y)의 스위치들(SY1~SYN)을 포함할 수 있다.In addition, the first switch unit 120 includes, for example, a second set of switches (set Y) configured to selectively connect each of the row electrodes to any one of the L sensing circuit modules 30_1 to 30_L. SY1~SYN).

제1연산처리 및 구동제어부(150)는 제1스위치부(120), 제1AFE부(130), 및 제1TX 구동부(140)를 제어할 수 있다.The first operation processing and driving control unit 150 may control the first switch unit 120, the first AFE unit 130, and the first TX driving unit 140.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치입력 감지장치의 구성을 나타낸 것이다.2 shows the configuration of a touch input sensing device according to an embodiment of the present invention.

터치입력 감지장치(1)는 터치스크린패널(10), 스위치부(20), AFE부(30), TX 구동부(4), 및 연산처리 및 구동제어부(50)를 포함할 수 있다.The touch input sensing device 1 may include a touch screen panel 10, a switch unit 20, an AFE unit 30, a TX driving unit 4, and an operation processing and driving control unit 50.

도 2에 도시한 터치입력 감지장치(1)의 터치스크린패널(10), 스위치부(20), AFE부(30), TX 구동부(4), 및 연산처리 및 구동제어부(50)는 각각, 도 1에 나타낸 터치입력 감지장치(101)의 터치스크린패널(10), 제1스위치부(120), 제1AFE부(130), 제1TX 구동부(140), 및 제1연산처리 및 구동제어부(150)에 대응할 수 있다.The touch screen panel 10, the switch unit 20, the AFE unit 30, the TX driving unit 4, and the arithmetic processing and driving control unit 50 of the touch input sensing device 1 shown in FIG. 2, respectively, The touch screen panel 10 of the touch input sensing device 101 shown in FIG. 1, the first switch unit 120, the first AFE unit 130, the 1TX driving unit 140, and the first operation processing and driving control unit ( 150).

터치스크린패널(10)은 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM)을 포함할 수 있다. 임의의 행전극과 임의의 열전극은 서로 다른 층에 배치되어 있을 수 있으며, 서로 절연되어 있고 일 지점에서 서로 교차할 수 있다. 임의의 제1행전극과 임의의 다른 제2행전극은 각각 행방향으로 연장되어 있으며, 서로에 대하여 이격되어 평행하게 배치되어 있을 수 있다. The touch screen panel 10 may include N row electrodes Y1 to YN and M column electrodes X1 to XM. Arbitrary row electrodes and arbitrary column electrodes may be disposed on different layers, are insulated from each other, and may cross each other at one point. Any first row electrode and any other second row electrode extend in a row direction, respectively, and may be spaced apart from each other and disposed in parallel.

TX 구동부(4)는 각각의 열전극들에게 미리 결정된 패턴을 갖는 구동펄스를 인가할 수 있다. 이를 위해 각각의 열전극들은 TX 구동부(4)에 연결되어 있을 수 있다.The TX driver 4 may apply a driving pulse having a predetermined pattern to each of the column electrodes. To this end, each of the column electrodes may be connected to the TX driver 4.

AFE부(30)는 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L)을 포함할 수 있다. 여기서 예컨대 L은 1 내지 M+N의 자연수일 수 있다. 각 감지회로모듈은 연산증폭기(OA1~OAL), 및 피드백 커패시터(CS1~CSL)를 포함할 수 있다. 각 감지회로모듈의 구성은 종래기술에 의해 다양한 방식으로 제공될 수 있다. 상기 M개의 열전극들 및/또는 상기 N개의 행전극들은 상기 감지회로모듈 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 각 감지회로모듈에 대하여 한 개의 연산증폭기만을 도시하였으나, 이는 편의를 위한 것이며, 실시예에 따라서는 각 감지회로모듈에 두 개 이상의 연산증폭기가 포함될 수 있다.The AFE unit 30 may include L sensing circuit modules 30_1 to 30_L. Here, for example, L may be a natural number of 1 to M+N. Each sensing circuit module may include operational amplifiers OA1 to OAL and feedback capacitors CS1 to CSL. The configuration of each sensing circuit module can be provided in various ways by the prior art. The M column electrodes and/or the N row electrodes may be connected to any one of the sensing circuit modules. Although only one operational amplifier is shown for each sensing circuit module, this is for convenience, and in some embodiments, two or more operational amplifiers may be included in each sensing circuit module.

또한, AFE부(30)는 대기모드 감지회로모듈(30_T)을 포함할 수 있다. 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)은 대기모드용 연산증폭기(OAT), 및 피드백 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 구성은 종래기술에 의해 다양한 방식으로 제공될 수 있다. 상기 M개의 열전극들 및/또는 상기 N개의 행전극들의 일부 또는 전부는 함께 연결되어 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자에 연결될 수 있다.In addition, the AFE unit 30 may include a standby mode detection circuit module 30_T. The standby mode detection circuit module 30_T may include a standby mode operational amplifier (OAT) and a feedback capacitor (CST). The configuration of the standby mode detection circuit module 30_T may be provided in various ways according to the prior art. Some or all of the M column electrodes and/or the N row electrodes may be connected together to be connected to an input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T.

상기 감지회로모듈들(30_1~30_L) 및 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)을 칩으로 구현하는 경우 일정 수준 이상의 면적을 차지할 수 있기 때문에, 감지회로모듈의 개수가 많아질수록 칩의 크기가 증가하는 문제가 있다. 따라서 감지회로모듈의 개수를 줄이는 대신, 한 개의 감지회로모듈이 여러 개의 감지전극에 시분할 방식으로 연결되어 시공유되는 방식을 사용할 수도 있다. When the sensing circuit modules 30_1 to 30_L and the standby mode sensing circuit module 30_T are implemented as chips, the size of the chip increases as the number of sensing circuit modules increases. There is a problem. Therefore, instead of reducing the number of sensing circuit modules, a method in which one sensing circuit module is connected to several sensing electrodes in a time-division manner and time-sharing may be used.

스위치부(20)는 제1스위치부(120) 및 제2스위치부(220)를 포함할 수 있다. 제1스위치부(120)는 도 2의 스위치부(20) 내에서 참조부호 SX1, ..., SXM, SXM, 그리고 SY1, ..., SYM, SYM으로 지시된 스위치들의 집합일 수 있다. 제2스위치부(220)는 도 2의 스위치부(20) 내에서 참조부호 STX1, ..., STXM, STXM, 그리고 STY1, ..., STYM, STYM으로 지시된 스위치들의 집합일 수 있다. 참고로, 도 12 내지 도 15에는 스위치부(20)에 포함된 구체적인 구성을 간략화한 다이어그램이 제시되어 있다. The switch unit 20 may include a first switch unit 120 and a second switch unit 220. The first switch unit 120 may be a set of switches indicated by reference numerals SX1, ..., SXM, SXM, and SY1, ..., SYM, and SYM in the switch unit 20 of FIG. 2. The second switch unit 220 may be a set of switches indicated by reference numerals STX1, ..., STXM, STXM, and STY1, ..., STYM, STYM in the switch unit 20 of FIG. 2. For reference, a simplified diagram of a specific configuration included in the switch unit 20 is presented in FIGS. 12 to 15.

상기 제1스위치부(120)는, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 동작모드인 상태에서는, 상기 행전극들 및/또는 상기 열전극들 각각을 상기 L개의 감지회로모듈들 중 어느 하나에 선택적으로 연결되도록 구성되어 있을 수 있다.In a state in which the user device or the touch input sensing device is in the touch input operation mode, the first switch unit 120 may connect each of the row electrodes and/or the column electrodes to one of the L sensing circuit modules. It may be configured to be selectively connected to one.

이때, 바람직한 실시예에서, 상기 제1스위치부(120)는, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 행전극들 및 상기 열전극들 모두가 상기 L개의 감지회로모듈(30_1~30_L) 중 어느 것에도 연결되지 않도록 구성되어 있을 수 있다.At this time, in a preferred embodiment, when the user device or the touch input sensing device is in the touch input standby mode, all of the row electrodes and the column electrodes sense the L It may be configured not to be connected to any of the circuit modules 30_1 to 30_L.

이를 위하여, 상기 제1스위치부(120)는, 예컨대, 상기 각각의 열전극을 상기 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L) 중 어느 하나에 선택적으로 연결하도록 하는 제1세트(set X)의 스위치들(SX1~SXM)을 포함할 수 있다. To this end, the first switch unit 120 is, for example, of a first set (set X) for selectively connecting each of the column electrodes to any one of the L sensing circuit modules 30_1 to 30_L. It may include switches SX1 to SXM.

그리고 상기 제1스위치부(120)는 예컨대, 상기 각각의 행전극을 상기 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L) 중 어느 하나에 선택적으로 연결하도록 하는 제2세트(set Y)의 스위치들(SY1~SYN)을 포함할 수 있다.In addition, the first switch unit 120 includes, for example, a second set of switches (set Y) configured to selectively connect each of the row electrodes to any one of the L sensing circuit modules 30_1 to 30_L. SY1~SYN).

상기 제2스위치부(220)는, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 행전극들 및/또는 상기 열전극들의 일부 또는 전부를 서로 연결하여 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자에 연결하도록 구성되어 있을 수 있다.The second switch unit 220 detects the standby mode by connecting some or all of the row electrodes and/or the column electrodes to each other when the user device or the touch input sensing device is in the touch input standby mode. It may be configured to be connected to the input terminal of the circuit module 30_T.

이때, 바람직한 실시예에서, 상기 제2스위치부(220)는, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 동작모드인 상태에서는, 상기 행전극들 및 상기 열전극들 모두가 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자에 연결되지 않도록 구성되어 있을 수 있다.In this case, in a preferred embodiment, when the user device or the touch input sensing device is in the touch input operation mode, both the row electrodes and the column electrodes detect the standby mode. It may be configured not to be connected to the input terminal of the circuit module 30_T.

이를 위하여, 상기 제2스위치부(220)는 예컨대, 상기 각각의 열전극을 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결하도록 하는 제3세트(set TX)의 스위치들(STX1~STXM)을 포함할 수 있다. To this end, the second switch unit 220 includes, for example, switches STX1 to STXM of a third set (set TX) to connect each of the column electrodes to the standby mode detection circuit module 30_T. can do.

그리고 상기 제2스위치부(220)는 예컨대, 상기 각각의 행전극을 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결하도록 하는 제4세트(set TY)의 스위치들(STY1~STYN)을 포함할 수 있다.In addition, the second switch unit 220 may include, for example, a fourth set of switches STY1 to STYN to connect each of the row electrodes to the standby mode detection circuit module 30_T. have.

연산처리 및 구동제어부(50)는 스위치부(20), AFE부(30), 및 TX 구동부(4)를 제어할 수 있다.The operation processing and driving control unit 50 may control the switch unit 20, the AFE unit 30, and the TX driving unit 4.

연산처리 및 구동제어부(50)는, 상기 스위치부(20)가 상술한 동작을 수행할 수 있도록, 상기 제1세트의 스위치들, 제2세트의 스위치들, 제3세트의 스위치들, 및 상기 제4세트의 스위치들의 동작을 제어할 수 있다.The operation processing and driving control unit 50 includes the first set of switches, the second set of switches, the third set of switches, and the switch unit 20 to perform the above-described operation. It is possible to control the operation of the fourth set of switches.

또한, 바람직한 실시예에서, 연산처리 및 구동제어부(50)는, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 동작모드인 상태에서는 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)은 동작하지 않도록 제어하고, 상기 L개의 감지회로모듈들은 동작하도록 제어할 수 있다. 그리고 바람직한 실시예에서, 연산처리 및 구동제어부(50)는, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)은 동작하도록 제어하고, 상기 L개의 감지회로모듈들은 동작하지 않도록 제어할 수 있다.In addition, in a preferred embodiment, the operation processing and driving control unit 50 controls the standby mode detection circuit module 30_T to not operate in a state in which the user device or the touch input detection device is in the touch input operation mode, The L sensing circuit modules may be controlled to operate. And in a preferred embodiment, the operation processing and driving control unit 50 controls the standby mode detection circuit module 30_T to operate when the user device or the touch input detection device is in the touch input standby mode, and the L The four sensing circuit modules can be controlled so as not to operate.

이하, 도 3 및 도 4에서 설명하는 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르는 터치입력 감지장치는 상호용량방식으로 동작할 수도 있고 자기용량방식으로 동작할 수 있다. 상호용량방식으로 동작하는 경우, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T) 및 상기 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L)의 구성은, 예컨대 대한민국 등록특허 제10-1544115에 공개된 것과 같은 구성을 가질 수 있으며, 그 동작원리도 상기 대한민국 등록특허 제10-1544115에 공개된 것을 따를 수 있다. 이와 달리 자기용량방식으로 동작하는 경우, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T) 및 상기 L개의 감지회로모듈들(30_1~30_L)의 구성은 예컨대 대한민국 등록특허 제10-1591293에 공개된 것과 같은 구성을 가질 수 있으며, 그 동작원리도 상기 대한민국 등록특허 제10-1591293에 공개된 것을 따를 수 있다.Hereinafter, as described in FIGS. 3 and 4, the touch input sensing device according to embodiments of the present invention may operate in a mutual capacitive method or a self capacitive method. When operating in a mutual capacitance method, the configuration of the standby mode detection circuit module 30_T and the L detection circuit modules 30_1 to 30_L has the same configuration as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1544115, for example. In addition, the principle of operation may follow those disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1544115. In contrast, when operating in the self-capacitance method, the configuration of the standby mode detection circuit module 30_T and the L detection circuit modules 30_1 to 30_L is the same as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1591293, for example. It may have, and its operation principle may also follow those disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1591293.

도 3은 도 2에 제시한 터치입력 감지장치가 상호용량방식으로 동작하는 경우에 있어서, 터치입력 대기모드에서의 동작원리를 설명하기 위한 것이다.FIG. 3 is for explaining the principle of operation in a touch input standby mode when the touch input sensing device shown in FIG. 2 operates in a mutual capacitive method.

상호용량방식으로 동작하는 경우에, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 동작모드인 상태에서는, 상기 N개의 행전극들(Y1~YN)과 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 중 미리 결정된 방식에 따라 선택된 하나 이상이 전극은 상기 L개의 감지회로모듈들에 각각 연결될 수 있다. 이때, 상기 제3세트의 스위치들, 및 상기 제4세트의 스위치들은 모두 오프상태로 되어, 상기 M개의 열전극들과 상기 N개의 행전극들이 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결되지 않도록 할 수 있다.In the case of operating in a mutual capacitance method, in a state in which the user device or the touch input sensing device is in the touch input operation mode, the N row electrodes Y1 to YN and the M column electrodes X1 to XM At least one electrode selected according to a predetermined method may be connected to each of the L sensing circuit modules. At this time, the third set of switches and the fourth set of switches are all turned off, so that the M column electrodes and the N row electrodes are not connected to the standby mode detection circuit module 30_T. can do.

이때, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 제4세트(set TY)의 스위치들(STY1~STYN)이 상기 N개의 행전극들(Y1~YN)을 서로 연결하여 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결할 수 있다(도 3에 나타낸 스위치부(20)는 이 경우를 나타낸 것이다). 그리고 이때, 상기 제1세트의 스위치들, 상기 제2세트의 스위치들, 및 상기 제3세트의 스위치들은 모두 오프상태로 될 수 있다. 또한, 상기 TX구동부(4)는, 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 중 어느 하나에만 펄스트레인을 인가할 수도 있고, 또는 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 중 복수 개 또는 전체에 대하여 펄스트레인을 인가할 수도 있다.At this time, in a state in which the user device or the touch input sensing device is in the touch input standby mode, switches STY1 to STYN of the fourth set (set TY) connect the N row electrodes Y1 to YN to each other. It can be connected to the standby mode detection circuit module 30_T (the switch unit 20 shown in FIG. 3 shows this case). In this case, the first set of switches, the second set of switches, and the third set of switches may all be turned off. In addition, the TX driver 4 may apply a pulse train only to any one of the M column electrodes X1 to XM, or a plurality or all of the M column electrodes X1 to XM. It is also possible to apply a pulse train to

이때, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T) 및 상기 L개의 감지회로모듈들의 구성은 예컨대 대한민국 등록특허 제10-1544115에 공개된 것과 같은 구성을 가질 수 있다.In this case, the configuration of the standby mode detection circuit module 30_T and the L detection circuit modules may have the same configuration as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1544115, for example.

변형된 실시예에서, 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 제3세트의 스위치들은 모두 온 상태를 유지하고, 상기 제1세트의 스위치들, 상기 제2세트의 스위치들, 및 상기 제4세트의 스위치들은 모두 오프상태를 유지할 수도 있다. 또 다른 변형된 실시예에서, 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 제3세트의 스위치들 및 상기 제4세트의 스위치들 모두 온 상태를 유지하고, 상기 제1세트의 스위치들 및 상기 제2세트의 스위치들은 모두 오프상태를 유지할 수도 있다.In a modified embodiment, in the touch input standby mode, all of the switches of the third set are kept on, and the switches of the first set, the switches of the second set, and the fourth set All of the switches of may be kept off. In another modified embodiment, in the touch input standby mode, all of the third set of switches and the fourth set of switches are maintained in an on state, and the first set of switches and the second All of the switches in the set may remain off.

도 4는 도 2에 제시한 터치입력 감지장치로부터 변형된 터치입력 감지장치가 자기용량방식으로 동작하는 경우에 있어서, 터치입력 대기모드에서의 동작원리를 설명하기 위한 것이다.FIG. 4 is for explaining the principle of operation in a touch input standby mode when the touch input sensing device modified from the touch input sensing device shown in FIG. 2 operates in a self-capacitive manner.

상기 변형된 터치입력 감지장치(1')는, 상기 터치입력 감지장치(1)에서 상기 TX구동부(4)의 기능이 제거된 것일 수 있다.The modified touch input sensing device 1 ′ may be one in which the function of the TX driver 4 is removed from the touch input sensing device 1.

자기용량방식으로 동작하는 경우에, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 동작모드인 상태에서는, 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 및 상기 N개의 행전극들(Y1~YN) 중 선택된 하나 이상의 전극들이 상기 L개의 감지회로모듈들에 각각 연결될 수 있다. 이때, 상기 제3세트의 스위치들, 및 상기 제4세트의 스위치들은 모두 오프상태로 될 수 있다.When operating in a self-capacitance method, in a state in which the user device or the touch input sensing device is in the touch input operation mode, the M column electrodes X1 to XM and the N row electrodes Y1 to YN One or more selected electrodes may be connected to each of the L sensing circuit modules. In this case, the third set of switches and the fourth set of switches may all be turned off.

이때, 상기 사용자 기기 또는 터치입력 감지장치가 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 제3세트(set TX)의 스위치들(STX1~STXM)과 상기 제4세트(set TY)의 스위치들(STY1~STYN)이, 상기 M개의 열전극들(X1~XM)과 상기 N개의 행전극들(Y1~YN)을 서로 연결하여 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결할 수 있다(도 4에 나타낸 스위치부(20)는 이 경우를 나타낸 것이다). 그리고 이때, 상기 제1세트의 스위치들, 및 상기 제2세트의 스위치들은 모두 오프상태로 될 수 있다.In this case, in a state in which the user device or the touch input sensing device is in the touch input standby mode, switches STX1 to STXM of the third set (set TX) and switches STY1 of the fourth set (set TY) ~STYN) may be connected to the standby mode detection circuit module 30_T by connecting the M column electrodes X1 to XM and the N row electrodes Y1 to YN (shown in FIG. 4 ). The switch unit 20 shows this case). In this case, the first set of switches and the second set of switches may all be turned off.

변형된 실시예에서, 상기 터치입력 대기모드인 상태에서는, 상기 제3세트의 스위치들과 상기 제4세트의 스위치들 중 어느 한 세트의 스위치들만 온 상태를 유지하고 다른 한 세트의 스위치들은 오프 상태를 유지할 수도 있다. 이때, 상기 제1세트의 스위치들 및 상기 제2세트의 스위치들은 모두 오프 상태를 유지할 수 있다.In a modified embodiment, in the touch input standby mode, only one set of switches among the third set of switches and the fourth set of switches is maintained in an on state, and the other set of switches is in an off state. You can also keep it. In this case, both the first set of switches and the second set of switches may maintain an off state.

이때, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T) 및 상기 L개의 감지회로모듈들의 구성은 예컨대 대한민국 등록특허 제10-1591293에 공개된 것과 같은 구성을 가질 수 있다.In this case, the configuration of the standby mode detection circuit module 30_T and the L detection circuit modules may have the same configuration as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1591293, for example.

도 5는 도 2에 제시한 터치입력 감지장치로부터 변형된 터치입력 감지장치가 자기용량방식으로 동작하는 경우에 있어서, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 실시예를 설명하기 위한 것이다.FIG. 5 is for explaining an embodiment of the standby mode detection circuit module 30_T when the touch input detection device modified from the touch input detection device shown in FIG. 2 operates in a self-capacitive manner.

대기모드 감지회로모듈(30_T)은 입력단자로서 입력단자(IN)를 포함하며, 출력단자로서 출력단자a(VOUTa) 및 출력단자b(VOUTb)를 포함할 수 있다. 도 2에 제시된 출력단자(OUTT)는, 상기 출력단자a(VOUTa)가 출력하는 신호와 상기 출력단자b(VOUTb)가 출력하는 신호의 차이값을 출력할 수 있다. 그리고 도 5에 나타낸 입력단자(IN)는, 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 및 상기 N개의 행전극들(Y1~YN)이 모두 연결되어 형성된 통합전극(11)에 연결될 수 있다. The standby mode detection circuit module 30_T includes an input terminal IN as an input terminal, and may include an output terminal a (VOUTa) and an output terminal b (VOUTb) as output terminals. The output terminal OUTT shown in FIG. 2 may output a difference value between a signal output from the output terminal a (VOUTa) and a signal output from the output terminal b (VOUTb). In addition, the input terminal IN shown in FIG. 5 may be connected to an integrated electrode 11 formed by connecting all of the M column electrodes X1 to XM and the N row electrodes Y1 to YN.

본 발명의 다른 실시예에서는 상기 통합전극(11)을 형성하기 위하여 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 및 상기 N개의 행전극들(Y1~YN)을 반드시 서로 모두 연결해야 하는 것은 아니다. 이에 대해서는 도 12 내지 도 15에서 후술한다.In another embodiment of the present invention, it is not necessary to connect all of the M column electrodes X1 to XM and the N row electrodes Y1 to YN to form the integrated electrode 11. This will be described later in FIGS. 12 to 15.

대기모드 감지회로모듈(30_T)은, 연산증폭기a(OAa) 및 연산증폭기b(OAb)를 포함할 수 있다. The standby mode detection circuit module 30_T may include an operational amplifier a (OAa) and an operational amplifier b (OAb).

연산증폭기(OAa)의 비반전 입력단자에는 제1기준전압(VREF_H)이 인가될 수 있고, 연산증폭기(OAb)의 비반전 입력단자에는 제2기준전압(VREF_L)이 인가될 수 있다. The first reference voltage VREF_H may be applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OAa, and the second reference voltage VREF_L may be applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier OAb.

연산증폭기(OAa)의 반전 입력단자는, 스위치(61)를 통해 입력단자(IN)에 연결되고, 스위치(71)를 통해 제1기준전압(VREF_H)에 연결될 수 있다. 연산증폭기b(OAb)의 반전 입력단자는, 스위치(62)를 통해 입력단자(IN)에 연결되고, 스위치(73)를 통해 제2기준전압(VREF_L)에 연결될 수 있다.The inverting input terminal of the operational amplifier OAa may be connected to the input terminal IN through the switch 61 and connected to the first reference voltage VREF_H through the switch 71. The inverting input terminal of the operational amplifier b (OAb) may be connected to the input terminal IN through the switch 62 and connected to the second reference voltage VREF_L through the switch 73.

연산증폭기a(OAa)의 출력단자는, 상기 출력단자a(VOUTa)로서 제공될 수 있으며, 스위치(72)를 통해 제2기준전압(VREF_L)에 연결될 수 있다. 연산증폭기b(OAb)의 출력단자는, 출력단자b(VOUTb)로서 제공될 수 있으며, 스위치(74)를 통해 제1기준전압(VREF_H)에 연결될 수 있다. The output terminal of the operational amplifier a (OAa) may be provided as the output terminal a (VOUTa), and may be connected to the second reference voltage VREF_L through the switch 72. The output terminal of the operational amplifier b (OAb) may be provided as an output terminal b (VOUTb), and may be connected to the first reference voltage VREF_H through the switch 74.

연산증폭기a(OAa)의 출력단자와 반전 입력단자는 제1적분 커패시터(CS1)에 의해 서로 연결될 수 있다. 연산증폭기b(OAb)의 출력단자와 반전 입력단자는 제2적분 커패시터(CS2)에 의해 서로 연결될 수 있다. The output terminal and the inverting input terminal of the operational amplifier a (OAa) may be connected to each other by a first integrating capacitor C S1. The output terminal and the inverting input terminal of the operational amplifier b (OAb) may be connected to each other by a second integrating capacitor C S2.

커패시턴스(CSELF)는 통합전극(11)과 사람의 손가락 사이에 형성된 '감지 커패시턴스'와 통합전극(11)과 사용자 기기의 임의의 부분 사이에 형성된 부유 커패시턴스의 합을 모델링하여 나타낸 것이다. 만일 통합전극(11) 근처에 사람의 손가락이 존재하지 않는다면 상기 '감지 커패시턴스'의 값은 0에 가까운 값을 가질 수 있으며, 커패시턴스(CSELF)의 값은 상기 부유 커패시턴스에 가까운 값을 가질 수 있다.Capacitance (C SELF ) is the sum of the'sensing capacitance' formed between the integrated electrode 11 and the human finger and the sum of the floating capacitance formed between the integrated electrode 11 and an arbitrary part of the user's device. If there is no human finger near the integrated electrode 11, the value of the'sensing capacitance' may have a value close to 0, and the value of the capacitance C SELF may have a value close to the stray capacitance. .

도 6은 도 5에 나타낸 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 동작 방식을 나타내는 타이밍도이다. 도 6에서 가로축은 시간을 나타낸다.6 is a timing diagram illustrating an operation method of the standby mode detection circuit module 30_T shown in FIG. 5. In FIG. 6, the horizontal axis represents time.

리셋신호(ΦR)는 스위치(71, 72, 73, 74)의 온/오프 상태를 제어하는 신호로서 일종의 리셋신호이다.The reset signal ?R is a signal that controls the on/off state of the switches 71, 72, 73, 74, and is a kind of reset signal.

제1제어신호(Φ1)는 스위치(61)의 온/오프 상태를 제어하는 신호이다. The first control signal Φ 1 is a signal for controlling the on/off state of the switch 61.

제2제어신호(Φ2)는 스위치(62)의 온/오프 상태를 제어하는 신호이다. The second control signal Φ 2 is a signal for controlling the on/off state of the switch 62.

제1제어신호(Φ1), 제2제어신호(Φ2), 및 리셋신호(ΦR)가 하이(high) 값을 가질 때에는 대응하는 스위치가 온 상태로 되고, 로우(low) 값을 가질 때에는 대응하는 스위치가 오프 상태로 된다.When the first control signal (Φ 1 ), the second control signal (Φ 2 ), and the reset signal (Φ R ) have a high value, the corresponding switch is turned on and has a low value. At this time, the corresponding switch is turned off.

두 개의 스위치(61, 62)로 이루어지는 회로부를, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단를 통해 흐르는 전류의 방향성을 조절하는 감지회로 스위치부(410)로 정의할 수 있다. 감지회로 스위치부(410)의 동작에 따라 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단를 통해 전류가 흘러 들어오거나 흘러 나갈 수 있다.A circuit unit including two switches 61 and 62 may be defined as a sensing circuit switch unit 410 that adjusts the direction of the current flowing through the input terminal of the standby mode sensing circuit module 30_T. Current may flow in or out through the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T according to the operation of the detection circuit switch unit 410.

도 6에서 신호(VIN)는 입력단자(IN)의 시간에 따른 전압을 나타낸 것으로서, 제1제어신호(Φ1)가 하이(high) 값을 가질 때의 신호(VIN)의 크기(ex: VREF_H)는 제2제어신호(Φ2)가 하이(high) 값을 가질 때의 신호(VIN)의 크기(ex: VREF_L)보다 크게 된다는 점을 도 5의 회로의 구성에 의해 이해할 수 있다. In FIG. 6, the signal V IN represents the voltage of the input terminal IN over time, and the magnitude of the signal V IN when the first control signal Φ 1 has a high value (ex It can be understood by the circuit configuration of FIG. 5 that VREF_H is greater than the magnitude of the signal V IN when the second control signal Φ 2 has a high value (ex: VREF_L). .

출력단자a(VOUTa)에서의 전위의 크기는, 스위치(71, 72, 73, 74)에 의해 리셋되었을 때에 제2기준전압(VREF_L)으로 된다. 그 후 제1제어신호(Φ1)의 상승 에지일 때마다 일정 수준 상승하게 된다. 이때 상승하는 수준은 이상적으로는 커패시터(CSELF)의 크기와 제1적분 커패시터(CS1)의 크기의 상대적인 비율에 의해 결정될 수 있다. 그 이유는 도 5의 회로구조 상 제1제어신호(Φ1)의 상승 에지에 따른 천이구간에서 커패시터(CSELF)를 통해 흐르는 전류(ICSELF)는 모두 제1적분 커패시터(CS1)를 통해 흐르기 때문이다. The magnitude of the potential at the output terminal a (VOUTa) becomes the second reference voltage VREF_L when it is reset by the switches 71, 72, 73, 74. After that, each time the rising edge of the first control signal Φ 1 is raised by a certain level. In this case, the rising level may ideally be determined by a relative ratio between the size of the capacitor C SELF and the size of the first integrating capacitor C S1. The reason is that the current I CSELF flowing through the capacitor C SELF in the transition section according to the rising edge of the first control signal Φ 1 in the circuit structure of FIG. 5 is all through the first integrating capacitor C S1 . Because it flows.

출력단자b(VOUTb)에서의 전위의 크기는, 스위치(71, 72, 73, 74)에 의해 리셋되었을 때에 제1기준전압(VREF_H)으로 된다. 그 후 제2제어신호(Φ2)의 상승 에지일 때마다 일정 수준 하강하게 된다. 이때 하강하는 수준은 이상적으로는 커패시터(CSELF)의 크기와 제2적분 커패시터(CS2)의 크기의 상대적인 비율에 의해 결정될 수 있다. 그 이유는 도 5의 회로구조 상 제2제어신호(Φ2)의 상승 에지에 따른 천이구간에서 커패시터(CSELF)를 통해 흐르는 전류(ICSELF)는 모두 제2적분 커패시터(CS2)를 통해 흐르기 때문이다. The magnitude of the potential at the output terminal b (VOUTb) becomes the first reference voltage VREF_H when it is reset by the switches 71, 72, 73, 74. After that, each time the rising edge of the second control signal Φ 2 falls to a certain level. At this time, the falling level may ideally be determined by a relative ratio between the size of the capacitor C SELF and the size of the second integrating capacitor C S2. The reason is that the current I CSELF flowing through the capacitor C SELF in the transition section according to the rising edge of the second control signal Φ 2 in the circuit structure of FIG. 5 is all through the second integrating capacitor C S2 . Because it flows.

상기 통합전극(11)은 상기 M개의 열전극들(X1~XM) 및 상기 N개의 행전극들(Y1~YN) 중 적어도 2개 이상이 서로 병렬로 연결되어 형성되는 전극이다. 따라서 상기 통합전극(11)에 의해 형성되는 자기용량 및 상호용량은 상기 각각의 열전극 또는 행전극에 의해 형성되는 자기용량 및 상호용량보다 큰 값을 갖는다. 그 결과 상기 통합전극(11)에 연결되어 상기 통합전극(11)을 통해 이동하는 전하들을 충전하는 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 피드백 커패시터(CST)의 용량은, 한 개의 상기 열전극 또는 행전극에 연결되는 임의의 감지회로모듈(30_1, ..., 또는 30_L)의 피드백 커패시터(CS1, ..., 또는 CSL) 보다 크게 설계하는 것이 바람직하다. 그러나 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 피드백 커패시터(CST)의 용량을 증가시키는 경우, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)을 포함하는 칩이 크기가 증가하는 문제가 발생한다. 따라서 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 피드백 커패시터(CST)의 용량을 증가량을 제한한 상태에서도 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 원하는 동작을 할 수 있도록 하기 위하여, 후술하는 보상회로를 제공할 수 있다.The integrated electrode 11 is an electrode formed by connecting at least two or more of the M column electrodes X1 to XM and the N row electrodes Y1 to YN in parallel with each other. Accordingly, the self-capacitance and the mutual capacity formed by the integrated electrode 11 have a value greater than the self-capacitance and the mutual capacity formed by each of the column or row electrodes. As a result, the capacity of the feedback capacitor CST of the standby mode detection circuit module 30_T that is connected to the integrated electrode 11 to charge the charges moving through the integrated electrode 11 is one of the column electrodes or It is preferable to design it larger than the feedback capacitors CS1, ..., or CSL of any sensing circuit modules 30_1, ..., or 30_L connected to the row electrodes. However, when the capacity of the feedback capacitor CST of the standby mode detection circuit module 30_T is increased, a problem arises that the size of a chip including the standby mode detection circuit module 30_T increases. Therefore, in an embodiment of the present invention, the standby mode detection circuit module 30_T can perform a desired operation even in a state in which the capacity of the feedback capacitor CST of the standby mode detection circuit module 30_T is limited. To this end, a compensation circuit to be described later can be provided.

대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자(IN)에서 바라본 통합전극(11)의 커패시턴스의 값은, 부유 용량 및 감지 커패시턴스(CTOUCH)로 이루어질 수 있다. 이때, 감지 커패시턴스(CTOUCH)는 사용자의 터치입력 여부에 따라 달라지는 값일 수 있다. 그리고 상기 부유 용량은 일정한 값을 가질 수 있는데, 만일 사용자 기기에 포함된 다른 기구들의 전기적인 성질이 시간에 변하는 경우에는 상기 부유 용량의 값도 시간에 따라 주기적 또는 비주기적으로 변할 수 있다.The value of the capacitance of the integrated electrode 11 viewed from the input terminal IN of the standby mode detection circuit module 30_T may be composed of a stray capacitance and a sensing capacitance C TOUCH. In this case, the sensing capacitance C TOUCH may be a value that varies depending on whether a user inputs a touch. In addition, the floating capacity may have a constant value. If the electrical properties of other devices included in the user equipment change over time, the value of the floating capacity may also change periodically or aperiodically according to time.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따르는 보상회로로서, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단에서 바라본 통합전극(11)의 커패시턴스의 값을 감소시키기 위한 보상회로를 설명하기 위한 것이다.7 is a compensation circuit according to an embodiment of the present invention, for explaining a compensation circuit for reducing a value of the capacitance of the integrated electrode 11 viewed from the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T.

대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자(IN)에 연결된 통합전극(11)의 커패시턴스의 값을 감소시키기 위하여 통합전극(11) 및 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자(IN)에 부유용량 보상회로(60)가 연결된다. 본 명세서에서 '부유용량 보상회로'는 간단히 '보상회로'라고 지칭할 수 있다. In order to reduce the capacitance value of the integrated electrode 11 connected to the input terminal IN of the standby mode detection circuit module 30_T, the integrated electrode 11 and the input terminal IN of the standby mode detection circuit module 30_T are connected. The floating capacity compensation circuit 60 is connected. In the present specification, the'floating capacity compensation circuit' may be simply referred to as a'compensation circuit'.

도 7에서 통합전극(11)으로부터 대기모드 감지회로모듈(30_T)로 전류(II)가 들어가고, 통합전극(11)으로부터 부유용량 보상회로(60)로 전류(ICQ)가 들어갈 수 있다.In FIG. 7, the current I I may enter the standby mode detection circuit module 30_T from the integrated electrode 11, and the current I CQ may enter the floating capacitance compensation circuit 60 from the integrated electrode 11.

본 발명의 일 실시예에 따른 부유용량 보상회로(60)는, 전류(II)와 전류(ICQ)가 서로 동일한 부호를 갖도록 만들어 주기 위해서, 도 7에 도시한 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 부유용량 보상회로(60)는, 충전전류원(ICHG)(121), 방전전류원(IDCHG)(122), 및 충전전류원(121)과 방전전류원(122)의 통합전극(11)에 대한 연결상태를 제어하는 보상회로 스위치부(400)를 포함할 수 있다. 보상회로 스위치부(400)는 제4 스위치(SWL) 및 제3 스위치(SWH)를 포함할 수 있다. 제4 스위치(SWL) 및 제3 스위치(SWH)는 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자(IN)에서 통합전극(11) 및 대기모드 감지회로모듈(30_T)과 연결될 수 있다.The stray capacitance compensation circuit 60 according to an embodiment of the present invention may have a structure as shown in FIG. 7 in order to make the current I I and the current I CQ have the same sign. . The floating capacity compensation circuit 60 is a charging current source (I CHG ) 121, a discharge current source (I DCHG ) 122, and a connection to the integrated electrode 11 of the charging current source 121 and the discharge current source 122 It may include a compensation circuit switch unit 400 for controlling the state. The compensation circuit switch unit 400 may include a fourth switch SWL and a third switch SWH. The fourth switch SWL and the third switch SWH may be connected to the integrated electrode 11 and the standby mode detection circuit module 30_T at the input terminal IN of the standby mode detection circuit module 30_T.

상기 충전전류원은 이하 제4 전류원으로 지칭할 수도 있고, 상기 방전전류원은 이하 제3 전류원으로 지칭할 수도 있다.The charging current source may be referred to as a fourth current source hereinafter, and the discharge current source may be referred to as a third current source hereinafter.

제4 스위치(SWL)는 충전전류원(121)의 출력단자를 제4제어신호(Φ4)에 따라 입력단자(IN)에 연결할 수 있다. 제3 스위치(SWH)는 방전전류원(122)의 출력단자를 제3제어신호(Φ3)에 따라 입력단자(IN)에 연결할 수 있다. The fourth switch SWL may connect the output terminal of the charging current source 121 to the input terminal IN according to the fourth control signal Φ 4. The third switch SWH may connect the output terminal of the discharge current source 122 to the input terminal IN according to the third control signal Φ 3.

충전전류원(121)에 의해 제공되는 전류 ICHG는 충전보상전류로서 DC 전류 또는 미리 결정된 파형을 갖는 전류일 수 있다. 방전전류원(122)에 의해 제공되는 전류 IDCHG는 방전보상전류로서 DC 전류 또는 미리 결정된 파형을 갖는 전류일 수 있다. The current I CHG provided by the charging current source 121 may be a DC current or a current having a predetermined waveform as a charging compensation current. The current I DCHG provided by the discharge current source 122 may be a DC current or a current having a predetermined waveform as a discharge compensation current.

제4 스위치(SWL)가 온 상태를 유지하는 동안에 전류 ICHG가 부유용량 보상회로(60)로부터 입력단자(IN)에게 제공될 수 있으며, 이때 제공되는 전하량은 아래와 같이 QCOMP_CHG로 주어질 수 있다.While the fourth switch SWL is kept on, the current I CHG may be provided from the floating capacity compensation circuit 60 to the input terminal IN, and the amount of charge provided at this time may be given as Q COMP_CHG as follows.

제3 스위치(SWH)가 온 상태를 유지하는 동안에 전류 IDCHG가 입력단자(IN)로부터 부유용량 보상회로(60)로 들어갈 수 있으며, 이때 제공되는 전하량은 아래 수학식 1과 같이 QCOMP_DCHG로 주어질 수 있다.While the third switch (SWH) remains on, the current I DCHG can enter the floating capacity compensation circuit 60 from the input terminal (IN), and the amount of charge provided at this time will be given as Q COMP_DCHG as shown in Equation 1 below. I can.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112018105409574-pat00001
Figure 112018105409574-pat00001

부유용량 보상회로(60)는, 전류(II)와 전류(ICQ)가 서로 동일한 부호를 갖도록 만들어주는 회로이다. 따라서 전류(II)와 전류(ICQ)는 모두 양의 값을 갖거나 또는 모두 음의 값을 가질 수 있다. 즉, 부유용량 보상회로(60)가 없었다면 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 모두 입출력되어야 할 전류의 일부가, 부유용량 보상회로(60)가 제공됨으로 인하여 부유용량 보상회로(60)에 입출력 될 수 있다. 그 결과 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 입출력되는 전류의 양이 감소하게 되고, 따라서 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자(IN)에서 바라본 통합전극(11)의 커패시턴스의 값이 CCOMP_CHG 또는 CCOMP_DCHG만큼 감소하게 된다. 위와 같은 회로구조를 갖는 경우, 통합전극(11)에 대한 터치입력이 이루어져서 감지 커패시턴스(CTOUCH)의 값이 0이 아닌 값으로 되는 경우, 감지 커패시턴스(CTOUCH)의 변화를 더 민감하게 감지할 수 있다.The floating capacitance compensation circuit 60 is a circuit that makes the current I I and the current I CQ have the same sign. Therefore, both the current I I and the current I CQ may have a positive value or both may have a negative value. That is, if there is no floating capacity compensation circuit 60, some of the current to be input and output to the standby mode detection circuit module 30_T will be input and output to the floating capacity compensation circuit 60 because the floating capacity compensation circuit 60 is provided. I can. As a result, the amount of current input/output to the standby mode detection circuit module 30_T decreases, and thus the value of the capacitance of the integrated electrode 11 viewed from the input terminal IN of the standby mode detection circuit module 30_T is C COMP_CHG Or it decreases by C COMP_DCHG. In the case of the above circuit structure, when a touch input to the integrated electrode 11 is made and the value of the sensing capacitance (C TOUCH ) becomes a non-zero value, the change in the sensing capacitance (C TOUCH ) can be more sensitively detected. I can.

도 7에 나타낸 회로에서는, 상술한 감지회로 스위치부(410)와 보상회로 스위치부(400)가 서로 동기화되어 동작함으로써, 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 입력되는 전류(II)와 부유용량 보상회로(60)에 입력되는 전류(ICQ)의 방향성(즉, 부호)이 서로 동일하게 되도록 동기화될 수 있다.In the circuit shown in FIG. 7, the above-described sensing circuit switch unit 410 and the compensation circuit switch unit 400 operate in synchronization with each other, so that the current I I input to the standby mode sensing circuit module 30_T and the stray capacitance The directions (ie, signs) of the current I CQ input to the compensation circuit 60 may be synchronized so that they are equal to each other.

바람직하게는, 보상회로 스위치부(400)에서 제3스위치(SWH)와 제4스위치(SWL)가 동시에 온 상태에 있지는 않는다. 예컨대 제3스위치(SWH)의 온/오프를 제어하는 제3제어신호(Φ3)는 도 6의 제2제어신호(Φ2)와 동일한 패턴을 가질 수 있고, 제4스위치(SWL)의 온/오프를 제어하는 제4제어신호(Φ4)는 도 6의 제1제어신호(Φ1)와 동일한 패턴을 가질 수 있다. 즉, 제3제어신호(Φ3)의 상승에지는 제2제어신호(Φ2)의 상승에지와 동기화될 수 있고, 제4제어신호(Φ4)의 상승에지는 제1제어신호(Φ1)의 상승에지와 동기화될 수 있다.Preferably, in the compensation circuit switch unit 400, the third switch SWH and the fourth switch SWL are not in an ON state at the same time. For example, the third control signal Φ 3 for controlling the on/off of the third switch SWH may have the same pattern as the second control signal Φ 2 of FIG. 6, and the fourth switch SWL is turned on. The fourth control signal Φ 4 for controlling /off may have the same pattern as the first control signal Φ 1 of FIG. 6. That is, the rising edge of the third control signal Φ 3 can be synchronized with the rising edge of the second control signal Φ 2 , and the rising edge of the fourth control signal Φ 4 is the first control signal Φ 1 It can be synchronized with the rising edge of ).

도 7을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치입력 감지장치는 대기모드 감지회로모듈(30_T) 및 부유용량 보상회로(60) 및 통합전극(11)을 포함하여 구성될 수 있다. 대기모드 감지회로모듈(30_T) 입력단자와 부유용량 보상회로(60)의 출력단자는 통합전극(11)에 함께 연결되어 있을 수 있다. 이때, 대기모드 감지회로모듈(30_T)에는 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자에 입력되는 전류(II)의 부호를 조절하는 감지회로 스위치부(410)가 포함되어 있을 수 있다. 그리고 부유용량 보상회로(60)에는 상기 감지회로 스위치부(410)와 동기화되어 동작하는 보상회로 스위치부(400)가 포함되어 있을 수 있다. 보상회로 스위치부(400)는 감지회로 스위치부(410)와 동기화됨으로써, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자에 입력되는 전류(II)의 부호와 부유용량 보상회로(60)의 출력단자에 입력되는 전류(ICQ)의 부호가 시간에 따라 동기화되도록 조절할 수 있다. 여기서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호가 시간에 따라 동기화된다는 것은, 전류(II)의 부호가 바뀌는 순간에 전류(ICQ)의 부호도 바뀐다는 것을 의미할 수 있다. Referring to FIG. 7, the touch input sensing device according to an embodiment of the present invention may include a standby mode sensing circuit module 30_T, a floating capacity compensation circuit 60, and an integrated electrode 11. . The input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T and the output terminal of the floating capacity compensation circuit 60 may be connected to the integrated electrode 11 together. At this time, the standby mode detection circuit module 30_T may include a detection circuit switch unit 410 that adjusts the sign of the current I I input to the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T. In addition, the floating capacity compensation circuit 60 may include a compensation circuit switch unit 400 operating in synchronization with the sensing circuit switch unit 410. The compensation circuit switch unit 400 is synchronized with the detection circuit switch unit 410, so that the sign of the current I I input to the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T and the output of the floating capacity compensation circuit 60 The sign of the current I CQ input to the terminal can be adjusted to be synchronized over time. Here can mean that the sign of the current (I I) and the current (I CQ) To be synchronized with time, changes also the sign of the current (I CQ) at the moment the sign of the current (I I) changes.

이때, 본 발명에 따른 제1실시예에서는 특정 시점에 있어서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호가 동일하도록 할 수 있다. In this case, in the first embodiment according to the present invention, the signs of the current I I and the current I CQ may be the same at a specific point in time.

도 8은 본 발명의 상기 제1실시예에 따라 제공되는 부유용량 보상회로의 시간에 따른 동작 특성을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램이다.8 is a timing diagram for explaining the operating characteristics of the floating capacity compensation circuit provided according to the first embodiment of the present invention over time.

도 7과 도 8을 함께 참조하여 설명하면, 스위치(71, 72, 73, 74)의 온/오프 상태를 제어하는 리셋신호(ΦR)가 온상태에서 오프상태로 변한 이후에, 제3제어신호(Φ3)와 제4제어신호(Φ4)는 다음과 같은 특징을 갖는다. Referring to FIGS. 7 and 8 together, after the reset signal Φ R for controlling the ON/OFF state of the switches 71, 72, 73, 74 changes from the ON state to the OFF state, the third control The signal Φ 3 and the fourth control signal Φ 4 have the following characteristics.

즉, 제3제어신호(Φ3)의 상승에지는 제2제어신호(Φ2)의 상승에지에 동기화되고, 제4제어신호(Φ4)의 상승에지는 제1제어신호(Φ1)의 상승에지에 동기화된다. That is, the rising edge of the third control signal (Φ 3 ) is synchronized with the rising edge of the second control signal (Φ 2 ), and the rising edge of the fourth control signal (Φ 4 ) is of the first control signal (Φ 1 ). Synchronized to the rising edge.

이때, 제3제어신호(Φ3)의 온상태 지속시간은 제2제어신호(Φ2)의 온상태 지속시간보다 짧을 수 있고, 제4제어신호(Φ4)의 온상태 지속시간은 제1제어신호(Φ1)의 온상태 지속시간보다 짧을 수 있다. At this time, the on-state duration of the third control signal (Φ 3 ) may be shorter than the on-state duration of the second control signal (Φ 2 ), and the on-state duration of the fourth control signal (Φ 4 ) is the first It may be shorter than the on-state duration of the control signal Φ 1.

입력단자(IN)에서의 전압(VIN)의 변화는 제1제어신호(Φ1) 및 제2제어신호(Φ2)에 동기화될 수 있다. The change of the voltage V IN at the input terminal IN may be synchronized with the first control signal Φ 1 and the second control signal Φ 2.

도 8에서 실선으로 제시한 VOUTa 및 VOUTb는 도 7에 제시한 본 발명의 일 실시예에 따른 부유용량 보상회로(60)를 이용한 경우의 출력을 나타내고, 도 8에서 점선으로 제시한 VOUTa' 및 VOUTb'는 도 7에 제시한 본 발명의 일 실시예에 따른 부유용량 보상회로(60)를 이용하지 않은 경우의 출력을 나타낸다. 도 8에 제시한 것과 달리, 본 발명에 따른 제2실시예에서는, 제3제어신호(Φ3)의 상승에지는 제1제어신호(Φ1)의 상승에지에 동기화되고, 제4제어신호(Φ4)의 상승에지는 제2제어신호(Φ2)의 상승에지에 동기화되도록 할 수 있다. VOUTa and VOUTb shown by solid lines in FIG. 8 represent outputs when the floating capacity compensation circuit 60 according to an embodiment of the present invention is used as shown in FIG. 7, and VOUTa' and VOUTb shown by dotted lines in FIG. 'Represents the output when the floating capacity compensation circuit 60 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 7 is not used. Unlike shown in FIG. 8, in the second embodiment according to the present invention, the rising edge of the third control signal Φ 3 is synchronized with the rising edge of the first control signal Φ 1, and the fourth control signal ( The rising edge of Φ 4 ) may be synchronized with the rising edge of the second control signal Φ 2.

상술한 제1실시예는 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단에서 바라본 통합전극의 커패시턴스의 값을 감소시키는 효과가 있는 반면, 상술한 제2실시예는 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단에서 바라본 통합전극의 커패시턴스의 값을 증가시키는 효과가 있다. 따라서 상술한 제1실시예는 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 감도를 증가시키고, 상술한 제2실시예는 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 감도를 감소시키는 효과가 있다. The first embodiment described above has an effect of reducing the capacitance value of the integrated electrode viewed from the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T, whereas the second embodiment described above has an effect of reducing the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T. There is an effect of increasing the value of the capacitance of the integrated electrode as viewed from. Accordingly, the first embodiment described above increases the sensitivity of the standby mode detection circuit module 30_T, and the second embodiment described above has an effect of reducing the sensitivity of the standby mode detection circuit module 30_T.

도 9는 도 7에 나타낸 충전전류원 및 방전전류원의 내부 구성의 예를 자세히 나타낸 것이다.9 shows an example of the internal configuration of the charging current source and the discharge current source shown in FIG. 7 in detail.

충전전류원(121) 및 방전전류원(122)은 서로 대응되는 구성을 가질 수 있다. 이하, 충전전류원과 방전전류원을 전류원(121, 122)으로 통칭하여 설명할 수 있다.The charging current source 121 and the discharge current source 122 may have configurations corresponding to each other. Hereinafter, the charging current source and the discharging current source may be collectively referred to as current sources 121 and 122.

충전전류원(121)(=제4전류원)은, 소스가 제1전위(구동전위(VDD))에 연결된 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 제3트랜지스터(M3), 및 제4트랜지스터(M4)를 포함할 수 있다. 그리고 제1트랜지스터(M1)의 드레인에 연결된 전류원(IREF1)을 포함할 수 있다.The charging current source 121 (= a fourth current source) includes a first transistor M1, a second transistor M2, a third transistor M3, and a source connected to a first potential (driving potential VDD). It may include 4 transistors (M4). In addition, a current source IREF1 connected to the drain of the first transistor M1 may be included.

제1트랜지스터(M1)의 드레인은, 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 제3트랜지스터(M3), 및 제4트랜지스터(M4)의 게이트들에 연결되어 있을 수 있다. The drain of the first transistor M1 may be connected to gates of the first transistor M1, the second transistor M2, the third transistor M3, and the fourth transistor M4.

제2트랜지스터(M2), 제3트랜지스터(M3), 및 제4트랜지스터(M4)의 드레인을 통해 흐르는 전류들은 상기 충전전류원(121)의 출력전류(ICHG)의 적어도 일부 또는 전부를 구성할 수 있다,Currents flowing through the drains of the second transistor M2, the third transistor M3, and the fourth transistor M4 may constitute at least a part or all of the output current I CHG of the charging current source 121. have,

이때, 충전전류원(121)은, 소스가 제2트랜지스터(M2)의 드레인에 연결된 제5트랜지스터(M5), 소스가 제3트랜지스터(M3)의 드레인에 연결된 제6트랜지스터(M6), 및 소스가 제4트랜지스터(M4)의 드레인에 연결된 제7트랜지스터(M7)를 포함할 수 있다.At this time, the charging current source 121 includes a fifth transistor M5 whose source is connected to the drain of the second transistor M2, a sixth transistor M6 whose source is connected to the drain of the third transistor M3, and the source is A seventh transistor M7 connected to the drain of the fourth transistor M4 may be included.

이때, 상기 충전전류원(121)의 출력전류의 크기 및 모양은 제5트랜지스터(M5), 제6트랜지스터(M6), 및 제7트랜지스터(M7)의 온오프 상태에 의해 결정될 수 있다.In this case, the size and shape of the output current of the charging current source 121 may be determined by the on-off state of the fifth transistor M5, the sixth transistor M6, and the seventh transistor M7.

제5트랜지스터(M5), 제6트랜지스터(M6), 및 제7트랜지스터(M7)의 온/오프 상태는 제어신호부(125)에서 제어할 수 있다.On/off states of the fifth transistor M5, the sixth transistor M6, and the seventh transistor M7 may be controlled by the control signal unit 125.

방전전류원(122)(=제3전류원)은, 소스가 제2전위(기준전위(VEE))에 연결된 제16트랜지스터(M16), 제15트랜지스터(M15), 제14트랜지스터(M14), 및 제13트랜지스터(M13)를 포함할 수 있다. 그리고 제16트랜지스터(M16)의 드레인에 연결된 전류원(IREF2)을 포함할 수 있다.The discharge current source 122 (= a third current source) includes a 16th transistor M16, a 15th transistor M15, a 14th transistor M14, and a source connected to a second potential (reference potential VEE). It may include 13 transistors (M13). In addition, a current source IRF2 connected to the drain of the 16th transistor M16 may be included.

제16트랜지스터(M16)의 드레인은, 제16트랜지스터(M16), 제15트랜지스터(M15), 제14트랜지스터(M14), 및 제13트랜지스터(M13)의 게이트들에 연결되어 있을 수 있다. The drain of the 16th transistor M16 may be connected to the gates of the 16th transistor M16, the 15th transistor M15, the 14th transistor M14, and the 13th transistor M13.

제15트랜지스터(M15), 제14트랜지스터(M14), 및 제13트랜지스터(M13)의 드레인을 통해 흐르는 전류들은 상기 방전전류원(122)의 출력전류(IDCHG)의 적어도 일부 또는 전부를 구성할 수 있다,Currents flowing through the drains of the fifteenth transistor M15, the fourteenth transistor M14, and the thirteenth transistor M13 may constitute at least some or all of the output current I DCHG of the discharge current source 122. have,

이때, 방전전류원(122)은, 소스가 제15트랜지스터(M15)의 드레인에 연결된 제12트랜지스터(M12), 소스가 제14트랜지스터(M14)의 드레인에 연결된 제11트랜지스터(M11), 및 소스가 제13트랜지스터(M13)의 드레인에 연결된 제10트랜지스터(M10)를 포함할 수 있다.At this time, in the discharge current source 122, a 12th transistor M12 whose source is connected to the drain of the 15th transistor M15, an 11th transistor M11 whose source is connected to the drain of the 14th transistor M14, and the source are A tenth transistor M10 connected to the drain of the thirteenth transistor M13 may be included.

이때, 상기 방전전류원(122)의 출력전류의 크기 및 모양은 제12트랜지스터(M12), 제11트랜지스터(M11), 및 제10트랜지스터(M10)의 온오프 상태에 의해 결정될 수 있다.In this case, the size and shape of the output current of the discharge current source 122 may be determined by the on-off state of the twelfth transistor M12, the eleventh transistor M11, and the tenth transistor M10.

제12트랜지스터(M12), 제11트랜지스터(M11), 및 제10트랜지스터(M10)의 온/오프 상태는 제어신호부(125)에서 제어할 수 있다. The on/off states of the twelfth transistor M12, the eleventh transistor M11, and the tenth transistor M10 may be controlled by the control signal unit 125.

제어신호부(125)는 제1제어신호(Φ1) 및 제2제어신호(Φ2)를 단자(TE1, TE2)를 통해 입력받을 수 있다. 제어신호부(125)는 제1제어신호(Φ1) 및 제2제어신호(Φ2)를 기초로, 도 8에 예시한 제3제어신호(Φ3) 및 제4제어신호(Φ4)를 생성하여 단자(TE3, TE4)를 통해 출력할 수 있다.The control signal unit 125 may receive the first control signal Φ 1 and the second control signal Φ 2 through terminals TE1 and TE2. The control signal unit 125 includes a third control signal Φ 3 and a fourth control signal Φ 4 illustrated in FIG. 8 based on the first control signal Φ 1 and the second control signal Φ 2. Can be generated and output through terminals TE3 and TE4.

도 9에서 트랜지스터 M8, M9는 각각 도 8의 스위치 SWL. SWH를 나타낸다.In FIG. 9, transistors M8 and M9 are respectively the switches SWL of FIG. Represents SWH.

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 터치입력 감지장치를 도 7 내지 도 8을 참조하여 설명한다. 이 터치 칩은, 대기모드 감지회로모듈(30_T) 및 보상회로(60)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자(IN) 및 상기 보상회로의 출력단자는 통합전극(11)에 함께 연결되어 있고, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자를 통해 흐르는 제1전류(II)의 방향전환과 상기 보상회로의 출력단자를 통해 흐르는 제2전류(ICQ)의 방향전환은 서로 동기화되어 이루어질 수 있다. Hereinafter, a touch input sensing device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 8. This touch chip may include a standby mode detection circuit module 30_T and a compensation circuit 60. At this time, the input terminal IN of the standby mode detection circuit module 30_T and the output terminal of the compensation circuit are connected together to the integrated electrode 11, and flow through the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T. The direction change of the first current I I and the direction change of the second current I CQ flowing through the output terminal of the compensation circuit may be performed in synchronization with each other.

이때, 상기 제1전류의 부호와 상기 제2전류의 부호는 서로 동일할 수 있다. 또는, 상기 제1전류의 부호와 상기 제2전류의 부호는 서로 다를 수 있다.In this case, the sign of the first current and the sign of the second current may be the same. Alternatively, a sign of the first current and a sign of the second current may be different from each other.

이때, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)은 연산증폭기a(OAa) 및 연산증폭기b(OAb)를 포함하며, 상기연산증폭기a(OAa)의 비반전 입력단자에는 미리 결정된 제1기준전압(VREF_H)이 인가되고, 상기 연산증폭기b(OAb)의 비반전 입력단자에는 미리 결정된 제2기준전압(VREF_L)이 인가되며, 상기 통합전극(11)은 상기 제1연산증폭기의 반전 입력단자 및 상기 제2연산증폭기의 반전 입력단자에 감지회로 스위치부(410)를 통해 선택적으로 연결되도록 되어 있을 수 있다. At this time, the standby mode detection circuit module 30_T includes an operational amplifier a (OAa) and an operational amplifier b (OAb), and the non-inverting input terminal of the operational amplifier a (OAa) has a predetermined first reference voltage (VREF_H). ) Is applied, a second predetermined reference voltage (VREF_L) is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier b(OAb), and the integrated electrode 11 is It may be selectively connected to the inverting input terminal of the 2-operation amplifier through the sensing circuit switch unit 410.

이때, 상기 연산증폭기a(OAa)와 상기 연산증폭기b(OAb)는 각각 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자를 통해 흐르는 전류를 적분하는 적분 커패시터(CS1, CS2)를 포함하며, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 출력신호는 상기 연산증폭기a(OAa)의 출력단자a(VOUTa)와 상기 연산증폭기b(OAb)의 출력단자b(VOUTb) 간의 전위차로서 제공될 수 있다. At this time, the operational amplifier a (OAa) and the operational amplifier b (OAb) each include an integrating capacitor (C S1 , C S2 ) for integrating the current flowing through the input terminal of the standby mode detection circuit module (30_T), , The output signal of the standby mode detection circuit module 30_T may be provided as a potential difference between the output terminal a (VOUTa) of the operational amplifier a (OAa) and the output terminal b (VOUTb) of the operational amplifier b (OAb). .

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 부유용량 보상회로(60)의 예를 나타낸 것이다.10 shows an example of a floating capacity compensation circuit 60 according to another embodiment of the present invention.

부유용량 보상회로(60)에는 상기 감지회로 스위치부(410)와 동기화되어 동작하는 제2보상회로 스위치부(401)가 포함되어 있을 수 있다. 제2보상회로 스위치부(401)는 감지회로 스위치부(410)와 동기화됨으로써, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 입력단자에 입력되는 전류(II)의 부호와 부유용량 보상회로(60)의 출력단자에 입력되는 전류(ICQ)의 부호가 시간에 따라 동기화되도록 조절할 수 있다. 여기서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호가 시간에 따라 동기화된다는 것은, 전류(II)의 부호가 바뀌는 순간에 전류(ICQ)의 부호도 바뀐다는 것을 의미할 수 있다. The floating capacity compensation circuit 60 may include a second compensation circuit switch unit 401 operating in synchronization with the sensing circuit switch unit 410. The second compensation circuit switch unit 401 is synchronized with the detection circuit switch unit 410, so that the sign of the current I I input to the input terminal of the standby mode detection circuit module 30_T and the floating capacity compensation circuit 60 It can be adjusted so that the sign of the current I CQ input to the output terminal of is synchronized with time. Here can mean that the sign of the current (I I) and the current (I CQ) To be synchronized with time, changes also the sign of the current (I CQ) at the moment the sign of the current (I I) changes.

이때, 본 발명에 따른 일 실시예에서는 특정 시점에 있어서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호가 동일하도록 할 수 있다. In this case, in an embodiment according to the present invention, the signs of the current I I and the current I CQ may be the same at a specific time point.

도 11은 도 10에 나타낸 부유용량 보상회로의 시간에 따른 동작 특성을 설명하기 위한 타이밍 다이어그램이다.11 is a timing diagram for explaining the operating characteristics of the stray capacitance compensation circuit shown in FIG. 10 over time.

도 11에서 연산증폭기(300)의 출력단자에서의 전압(VS)은 신호(VIN)의 시간에 따른 변화 패턴을 추종하도록 설계할 수 있다. 그리고 도 11에 나타낸 실시예에서, 보상 커패시터(Ccomp)에 축적되는 전하(Qcomp)의 양 및 부호의 패턴은 전압(VS)이 나타내는 패턴을 따를 수 있다. In FIG. 11, the voltage VS at the output terminal of the operational amplifier 300 may be designed to follow a pattern of change over time of the signal V IN. In addition, in the embodiment illustrated in FIG. 11, the pattern of the amount and sign of the charge Q comp accumulated in the compensation capacitor C comp may follow the pattern indicated by the voltage VS.

도 10 및 도 11을 함께 참조하여 설명하면, 제1보상전위(VRH)는 제1기준전압(VREF_H)보다 큰 전압(VREF_H')을 갖고, 제2보상전위(VRL)는 제2기준전압(VREF_L)보다 작은 전압(VREF_L')을 가질 수 있다(단, VREF_H>VREF_L).Referring to FIGS. 10 and 11 together, the first compensation potential VRH has a voltage VREF_H' that is greater than the first reference voltage VREF_H, and the second compensation potential VRL is the second reference voltage ( It may have a voltage (VREF_L') smaller than VREF_L) (however, VREF_H>VREF_L).

이와 달리, 본 발명에 따른 또 다른 실시예에서는 특정 시점에 있어서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호를 서로 다르게 할 수도 있다. 상기 또 다른 실시예를 구현하기 위하여, 도 11에 나타낸 제1보상전위(VRH)는 제1기준전압(VREF_H)보다 작은 전압(VREF_H″)을 갖도록 변경하고, 제2보상전위(VRL)는 제2기준전압(VREF_L)보다 큰 전압(VREF_L″)을 갖도록 변경할 수 있다(단, VREF_H>VREF_L).Alternatively, in another embodiment according to the present invention, the signs of the current I I and the current I CQ may be different from each other at a specific point in time. In order to implement the another embodiment, the first compensation potential VRH shown in FIG. 11 is changed to have a voltage VREF_H″ smaller than the first reference voltage VREF_H, and the second compensation potential VRL is 2 It can be changed to have a voltage (VREF_L″) greater than the reference voltage (VREF_L) (however, VREF_H>VREF_L).

특정 시점에 있어서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호가 동일하도록 하는 상술한 일 실시예는 터치입력 검출회로의 입력단에서 바라본 터치입력 검출전극의 커패시턴스의 값을 감소시키는 효과가 있다. 반면, 특정 시점에 있어서 전류(II)와 전류(ICQ)의 부호가 서로 다르도록 하는 상술한 또 다른 실시예는 터치입력 검출회로의 입력단에서 바라본 터치입력 검출전극의 커패시턴스의 값을 증가시키는 효과가 있다. 따라서 상술한 일 실시예는 터치입력 검출회로의 감도를 증가시키고, 상술한 또 다른 실시예는 터치입력 검출회로의 감도를 감소시키는 효과가 있다. The above-described embodiment in which the signs of the current I I and the current I CQ are the same at a specific point in time has an effect of reducing the capacitance value of the touch input detection electrode viewed from the input terminal of the touch input detection circuit. On the other hand, the above-described another embodiment in which the signs of the current I I and the current I CQ are different from each other at a specific time point is to increase the capacitance value of the touch input detection electrode viewed from the input terminal of the touch input detection circuit. It works. Accordingly, the above-described embodiment increases the sensitivity of the touch input detection circuit, and the above-described another embodiment has the effect of reducing the sensitivity of the touch input detection circuit.

도 12 내지 도 15는 는 본 발명에 의해 제공되는 터치입력 감지장치의 다양한 변형예를 설명하기 위한 것으로서, 특히 대기모드 감지회로모듈과 대기모드 감지회로모듈에 의한 구성의 변형예를 설명하기 위한 것이다.12 to 15 are for explaining various modified examples of the touch input sensing device provided by the present invention, and in particular, are for explaining a modified example of the configuration of the standby mode detection circuit module and the standby mode detection circuit module. .

도 12에 나타낸 터치입력 감지장치에서는, 도 2에 나타낸 것과 마찬가지로, 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 1개만 제공되며, 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 감지회로모듈들(30_1~30_L)과는 서로 구분되는 예를 나타낸다. 이때, 상기 제2스위치부(220)는 터치스크린패널(10)에 포함된 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM)을 모두 서로 연결하여 상기 1개만 제공되어 있는 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결할 수 있다.In the touch input sensing device shown in FIG. 12, as shown in FIG. 2, only one standby mode detection circuit module 30_T is provided, and the standby mode detection circuit module 30_T includes the detection circuit modules 30_1 to 30_L. Represents an example that is distinguished from each other. At this time, the second switch unit 220 connects all of the N row electrodes Y1 to YN and the M column electrodes X1 to XM included in the touch screen panel 10 to each other to provide only the one It can be connected to the standby mode detection circuit module 30_T.

도 13에 나타낸 터치입력 감지장치에서는, 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 2개 이상 제공되며, 각 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 감지회로모듈들(30_1~30_L)과는 서로 구분되는 예를 나타낸다. 이때, 상기 제2스위치부(220)는 터치스크린패널(10)에 포함된 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM) 중 일부를 서로 연결하여 상기 2개 이상의 대기모드 감지회로모듈(30_T) 중 제1 대기모드 감지회로모듈(30_T,311)에 연결하고, 상기 일부를 제외한 다른 일부 또는 전부를 상기 2개 이상의 대기모드 감지회로모듈(30_T) 중 제2 대기모드 감지회로모듈(30_T,312)에 연결할 수 있다.In the touch input sensing device shown in FIG. 13, two or more standby mode sensing circuit modules 30_T are provided, and each standby mode sensing circuit module 30_T is distinguished from the sensing circuit modules 30_1 to 30_L. Represents. In this case, the second switch unit 220 connects some of the N row electrodes Y1 to YN and the M column electrodes X1 to XM included in the touch screen panel 10 to each other to connect the two Connect to the first standby mode detection circuit modules 30_T and 311 among the above standby mode detection circuit modules 30_T, and a second of the two or more standby mode detection circuit modules 30_T. It can be connected to the standby mode detection circuit module (30_T, 312).

도 14에 나타낸 터치입력 감지장치에서는, 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 1개만 제공되며, 특정 감지회로모듈들(ex: 30_1)이 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 역할을 함께 하는 예를 나타낸다. 도 14에서 제1감지회로모듈(313)은, 상기 터치입력 대기모드에서는 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 기능을 수행하며, 상기 터치입력 동작모드에서는 상기 감지회로모듈(30_1)의 기능을 수행할 수 있다.In the touch input sensing device shown in FIG. 14, only one standby mode detection circuit module 30_T is provided, and specific detection circuit modules (ex: 30_1) serve as the standby mode detection circuit module 30_T. Represents. In FIG. 14, the first detection circuit module 313 performs the function of the standby mode detection circuit module 30_T in the touch input standby mode, and performs the function of the detection circuit module 30_1 in the touch input operation mode. You can do it.

도 15에 나타낸 터치입력 감지장치에서는, 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 2개 이상 제공되며, 이 중 제1 대기모드 감지회로모듈(311)은 감지회로모듈들(30_1~30_L)과는 서로 구분되지만, 제2 대기모드 감지회로모듈(313)은 특정 감지회로모듈들(ex: 30_1)의 역할을 함께 수행하는 예를 나타낸다. 도 15에서 제1감지회로모듈(313)은, 상기 터치입력 대기모드에서는 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 기능을 수행하며, 상기 터치입력 동작모드에서는 상기 감지회로모듈(30_1)의 기능을 수행할 수 있다. 이때, 상기 제2스위치부(220)는 터치스크린패널(10)에 포함된 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM) 중 일부를 서로 연결하여 상기 2개 이상의 대기모드 감지회로모듈(30_T) 중 제1 대기모드 감지회로모듈(30_T,311)에 연결하고, 상기 일부를 제외한 다른 일부 또는 전부를 상기 2개 이상의 대기모드 감지회로모듈(30_T) 중 제2 대기모드 감지회로모듈(30_T,313)에 연결할 수 있다.In the touch input sensing device shown in FIG. 15, two or more standby mode sensing circuit modules 30_T are provided, of which the first standby mode sensing circuit module 311 is mutually formed with the sensing circuit modules 30_1 to 30_L. Although classified, the second standby mode detection circuit module 313 represents an example in which the functions of specific detection circuit modules (ex: 30_1) are performed together. In FIG. 15, the first detection circuit module 313 performs the function of the standby mode detection circuit module 30_T in the touch input standby mode, and performs the function of the detection circuit module 30_1 in the touch input operation mode. You can do it. In this case, the second switch unit 220 connects some of the N row electrodes Y1 to YN and the M column electrodes X1 to XM included in the touch screen panel 10 to each other to connect the two Connect to the first standby mode detection circuit modules 30_T and 311 among the above standby mode detection circuit modules 30_T, and a second of the two or more standby mode detection circuit modules 30_T. It can be connected to the standby mode detection circuit module (30_T, 313).

도 12 내지 도 15를 통해 설명한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 터치입력 감지장치에서, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 개수는 언제나 상기 감지회로모듈(30_1 ~ 30_L)의 개수 L보다 작을 수 있다.In the touch input sensing device according to the preferred embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 12 to 15, the number of the standby mode sensing circuit modules 30_T may always be smaller than the number L of the sensing circuit modules 30_1 to 30_L. have.

도 16은 도 5에 제시한 통합전극(11)과 터치스크린패널(10)에 포함된 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM)과의 관계를 나타내는 도면이다. FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the integrated electrode 11 shown in FIG. 5 and the N row electrodes Y1 to YN and M column electrodes X1 to XM included in the touch screen panel 10 to be.

스위치부(20)에 의해 N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM)이 모두 서로 연결되어 형성되는 등가전극을 상기 통합전극(11)으로 지칭할 수 있다. An equivalent electrode formed by connecting all of the N row electrodes Y1 to YN and the M column electrodes X1 to XM to each other by the switch unit 20 may be referred to as the integrated electrode 11.

또는 도 13 및 도 15에서 설명한 바와 같이, 대기모드 감지회로모듈(30_T)이 복수 개 존재하는 경우, 각각의 대기모드 감지회로모듈(30_T)에 연결되는 통합전극(11)은, 도 16에 도시한 것과는 달리, N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM) 중 일부만이 서로 연결되어 형성되는 등가전극일 수 있다.Alternatively, as described in FIGS. 13 and 15, when there are a plurality of standby mode detection circuit modules 30_T, the integrated electrode 11 connected to each standby mode detection circuit module 30_T is shown in FIG. Unlike one, only some of the N row electrodes Y1 to YN and the M column electrodes X1 to XM may be an equivalent electrode formed by being connected to each other.

도 2 내지 도 6을 다시 참조하면, 대기모드 감지회로모듈(30_T)의 피드백 커패시터(CST)의 용량을 증가시키는 경우, 상기 대기모드 감지회로모듈(30_T)을 포함하는 칩이 크기가 증가하는 문제가 발생한다. 이하, 이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 구조를 설명한다. 2 to 6, when the capacity of the feedback capacitor CST of the standby mode detection circuit module 30_T is increased, the size of the chip including the standby mode detection circuit module 30_T increases. Occurs. Hereinafter, a structure according to various embodiments of the present invention for solving this problem will be described.

<제1실시예><First Example>

도 17은 본 발명의 제1실시예에 따른 제1AFE부(40, 41)의 구조를 나타낸 것이다. 17 shows the structure of the first AFE units 40 and 41 according to the first embodiment of the present invention.

제1AFE부(40, 41)는 도 2에 나타낸 AFE부(30)의 기능을 대체할 수 있다. 도 2에 도시한 AFE부(30)를 제1AFE부(40, 41)로 대체함으로써 도 2에 도시한 터치입력 감지장치(1)를 제공할 수 있다.The first AFE units 40 and 41 may replace the functions of the AFE unit 30 shown in FIG. 2. By replacing the AFE unit 30 shown in FIG. 2 with the first AFE units 40 and 41, the touch input sensing device 1 shown in FIG. 2 may be provided.

제1AFE부(40, 41)는 제1대기모드 감지회로부(1401, 411), 제1동작모드 감지회로부(1402, 412), 제1공유 커패시터부(1403, 413), 및 모드변환 스위치부(500)를 포함할 수 있다.The first AFE units 40 and 41 include first standby mode detection circuit units 1401 and 411, first operation mode detection circuit units 1402 and 412, first shared capacitor units 1403 and 413, and a mode conversion switch unit ( 500).

제1대기모드 감지회로부(1401, 411)는 도 2에 나타낸 대기모드용 연산증폭기(OAT)를 포함하지만, 대기모드용 연산증폭기(OAT)에 전용으로 연결된 피드백 커패시터(CST)는 존재하지 않는다.The first standby mode detection circuit units 1401 and 411 include the standby mode operational amplifier OAT shown in FIG. 2, but there is no feedback capacitor CST dedicated to the standby mode operational amplifier OAT.

제1동작모드 감지회로부(1402, 412)는 도 2에 나타낸 연산증폭기들(OA1~OAL) 및 그 주변 구성들을 포함하지만, 도 2에 나타낸 피드백 커패시터들(CS1~CSL)을 포함하지는 않는다. 도 17에 도시된 제1공유 커패시터부(1403, 413)에 포함된 피드백 커패시터들(CS1~CSL)은 각각 도 2의 피드백 커패시터들(CS1~CSL)에 대응될 수 있다.The first operation mode detection circuit units 1402 and 412 include the operational amplifiers OA1 to OAL shown in FIG. 2 and peripheral components thereof, but do not include the feedback capacitors CS1 to CSL shown in FIG. 2. The feedback capacitors CS1 to CSL included in the first shared capacitor units 1403 and 413 illustrated in FIG. 17 may correspond to the feedback capacitors CS1 to CSL of FIG. 2, respectively.

모드변환 스위치부(500)는, 대기모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(ST1~STL) 및 동작모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(S1~SL)을 포함할 수 있다. The mode conversion switch unit 500 may include switches ST1 to STL belonging to the standby mode switch group and switches S1 to SL belonging to the operation mode switch group.

대기모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(ST1~STL)은, 상기 터치입력 대기모드에서 피드백 커패시터들(CS1~CSL)을 모두 대기모드용 연산증폭기(OAT)에 연결하고, 상기 터치입력 동작모드에서 피드백 커패시터들(CS1~CSL)을 모두 대기모드용 연산증폭기(OAT)로부터 분리하도록 동작할 수 있다. 상기 터치입력 대기모드에서 피드백 커패시터들(CS1~CSL)은 대기모드용 연산증폭기(OAT)의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에 병렬로 연결될 수 있다.Switches (ST1 to STL) belonging to the standby mode switch group connect all of the feedback capacitors CS1 to CSL to the standby mode operational amplifier (OAT) in the touch input standby mode, and provide feedback in the touch input operation mode. It is possible to operate to separate all of the capacitors CS1 to CSL from the standby mode operational amplifier OAT. In the touch input standby mode, the feedback capacitors CS1 to CSL may be connected in parallel between an inverting input terminal and an output terminal of an operational amplifier OAT for standby mode.

동작모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(S1~SL)은, 상기 터치입력 대기모드에서 피드백 커패시터들(CS1~CSL)을 각각 대응하는 연산증폭기들(OA1~OAL)로부터 분리하고, 상기 터치입력 동작모드에서 피드백 커패시터들(CS1~CSL)을 각각 대응하는 연산증폭기들(OA1~OAL)에 연결하도록 동작할 수 있다. 예컨대, 상기 터치입력 동작모드에서 제k피드백 커패시터(CSk)의 양 단자는 제k연산증폭기(OAk)의 반전 입력단자와 출력단자에 연결될 수 있다(k=1, 2, 3, ..., L).The switches S1 to SL belonging to the operation mode switch group separate the feedback capacitors CS1 to CSL from the corresponding operational amplifiers OA1 to OAL, respectively, in the touch input standby mode, and the touch input operation mode The feedback capacitors CS1 to CSL may be connected to the corresponding operational amplifiers OA1 to OAL, respectively. For example, in the touch input operation mode, both terminals of the kth feedback capacitor CSk may be connected to the inverting input terminal and the output terminal of the kth operational amplifier OAk (k=1, 2, 3, ..., L).

대기모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(ST1~STL)이 온 상태를 유지하는 동안 동작모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(S1~SL)은 오프상태를 유지할 수 있으며, 반대로 동작모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(S1~SL)이 온 상태를 유지하는 동안 대기모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(ST1~STL)은 오프상태를 유지할 수 있다.Switches belonging to the operation mode switch group (S1 to SL) can remain off while the switches (ST1 to STL) belonging to the standby mode switch group remain on, and conversely, switches belonging to the operation mode switch group While the (S1 to SL) is maintained in the on state, the switches (ST1 to STL) belonging to the standby mode switch group may maintain the off state.

한 개의 연산증폭기와 한 개의 피드백 커패시터에 의해 한 개의 출력전압이 제공된다고 가정하고, 이때, 제1AFE부(40, 41)에 연산증폭기들(OA1~OAL)이 L개 포함되어 있고 및 그리고 피드백 커패시터들(CS1~CSL)이 L개 포함되어 있는 경우, 대기모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(ST1~STL)은 총 2*L개 존재하고, 동작모드 스위치 그룹에 속한 스위치들(S1~SL)은 총 2*L개 존재할 수 있다.Assuming that one output voltage is provided by one operational amplifier and one feedback capacitor, at this time, L operational amplifiers OA1 to OAL are included in the first AFE units 40 and 41, and the feedback capacitor When L are included (CS1 to CSL), there are a total of 2*L switches (ST1 to STL) belonging to the standby mode switch group, and switches (S1 to SL) belonging to the operation mode switch group are There can be a total of 2*L.

도 17에 제시한 회로를 이용함으로써, 대기모드용 연산증폭기(OAT)의 반전 입력단자와 출력단자 간의 피드백 경로 상에 전용의 피드백 커패시터(CST)를 제공하지 않더라도, 피드백 커패시터들(CS1~CSL)을 시분할하여 대기모드용 연산증폭기(OAT)의 상기 피드백 경로 상에 연결함으로써 초기 터치입력신호를 검출할 수 있다.By using the circuit shown in FIG. 17, even if a dedicated feedback capacitor CST is not provided on the feedback path between the inverting input terminal and the output terminal of the standby mode operational amplifier (OAT), the feedback capacitors CS1 to CSL The initial touch input signal can be detected by time-dividing and connecting it on the feedback path of the operational amplifier for standby mode (OAT).

이때, 도 2에 나타낸 실시예와 같이, 대기모드용 연산증폭기(OAT)의 반전 입력단자 및 연산증폭기들(OA1~OAL)의 반전 입력단자들은 도 2에 나타낸 스위치부(20)의 동작에 따라 행전극들 및/또는 열전극들에 연결될 수 있다. 그리고 대기모드용 연산증폭기(OAT)의 비반전 입력단자에는 기준전압(VRT)이 제공될 수 있고, 연산증폭기들(OA1~OAL)의 비반전 입력단자들에는 각각 기준전압(VR)이 제공될 수 있다. 이때, 기준전압(VRT)는 기준전압(VR)과 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. 대기모드용 연산증폭기(OAT) 및 연산증폭기들(OA1~OAL)의 출력단자들은 도 2에 나타낸 대기모드용 연산증폭기(OAT) 및 연산증폭기들(OA1~OAL)의 출력단자들에 각각 대응될 수 있다.In this case, as in the embodiment shown in FIG. 2, the inverting input terminal of the operational amplifier OAT for standby mode and the inverting input terminals of the operational amplifiers OA1 to OAL are according to the operation of the switch unit 20 shown in FIG. It may be connected to row electrodes and/or column electrodes. In addition, a reference voltage (VRT) may be provided to the non-inverting input terminal of the operational amplifier (OAT) for standby mode, and a reference voltage (VR) may be provided to the non-inverting input terminals of the operational amplifiers (OA1 to OAL). I can. In this case, the reference voltage VRT may be the same as or different from the reference voltage VR. The output terminals of the standby mode operational amplifier (OAT) and operational amplifiers (OA1 to OAL) are respectively corresponding to the output terminals of the standby mode operational amplifier (OAT) and operational amplifiers (OA1 to OAL) shown in FIG. I can.

상술한 제1실시예에 따르면, 대기모드용 연산증폭기(OAT)를 위한 전용의 피드백 커패시터(CST)를 제공하지 않더라도 도 2에 나타낸 터치입력 감지장치(1)와 동일한 효과를 제공하면서도, 제1AFE부(40, 41)를 포함하는 칩의 크기를 일정 수준 이하로 제한할 수 있다.According to the first embodiment described above, even if a dedicated feedback capacitor (CST) for the standby mode operational amplifier (OAT) is not provided, while providing the same effect as the touch input sensing device 1 shown in FIG. 2, the first AFE The size of the chip including the parts 40 and 41 may be limited to a certain level or less.

<제2실시예><Second Example>

도 18은 상기 제1실시예의 변형 실시예인 제2실시예를 설명하기 위한 도면이다. 18 is a view for explaining a second embodiment, which is a modified embodiment of the first embodiment.

도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 제2AFE부(40, 42)의 구조를 나타낸 것이다. 18 shows the structure of the second AFE units 40 and 42 according to the second embodiment of the present invention.

제2AFE부(40, 42)는 도 2에 나타낸 AFE부(30)의 기능 또는 도 17에 나타낸 제1AFE부(40, 41)의 기능을 대체할 수 있다. The second AFE units 40 and 42 may replace the functions of the AFE unit 30 shown in FIG. 2 or the functions of the first AFE units 40 and 41 shown in FIG. 17.

제2AFE부(40, 42)는 제2대기모드 감지회로부(1401, 421), 제2동작모드 감지회로부(1402, 422), 제2공유 커패시터부(1403, 423), 및 모드변환 스위치부(500)를 포함할 수 있다.The second AFE units 40 and 42 include second standby mode detection circuit units 1401 and 421, second operation mode detection circuit units 1402 and 422, second shared capacitor units 1403 and 423, and a mode conversion switch unit ( 500).

제2대기모드 감지회로부(1401, 421), 제2동작모드 감지회로부(1402, 422), 및 제2공유 커패시터부(1403, 423)은 각각, 제1AFE부(40, 41)의 제1대기모드 감지회로부(1401, 411), 제1동작모드 감지회로부(1402, 412), 및 제1공유 커패시터부(1403, 413)에 대응한다.The second standby mode detection circuit units 1401 and 421, the second operation mode detection circuit units 1402 and 422, and the second shared capacitor units 1403 and 423 are respectively It corresponds to the mode detection circuit units 1401 and 411, the first operation mode detection circuit units 1402 and 412, and the first shared capacitor units 1403 and 413.

제2AFE부(40, 42)의 구조는, 대기모드용 연산증폭기(OAT)의 반전 입력단자와 출력단자 사이에 상시 연결되는 전용 피드백 커패시터(CST0), 및 제k연산증폭기(OAk)의 반전 입력단자와 출력단자 사이에 상시 연결되는 전용 피드백 커패시터(CSk0)가 더 포함되어 있다는 점 이외에는, 제1AFE부(40, 41)의 구조와 동일하다(k=1, 2, 3, ..., L).The structure of the second AFE unit (40, 42) is a dedicated feedback capacitor (CST0) that is always connected between the inverting input terminal and the output terminal of the standby mode operational amplifier (OAT), and the inverting input of the k-th operational amplifier (OAk). It is the same as the structure of the first AFE unit 40, 41, except that a dedicated feedback capacitor CSk0, which is always connected between the terminal and the output terminal, is further included (k=1, 2, 3, ..., L ).

이때, 도 18에 나타낸 대기모드용 연산증폭기(OAT)에 연결되는 피드백 커패시터(CST0)의 값은, 도 2에 나타낸 피드백 커패시터(CST)의 값보다 작을 수 있다.In this case, the value of the feedback capacitor CST0 connected to the standby mode operational amplifier OAT shown in FIG. 18 may be smaller than the value of the feedback capacitor CST shown in FIG. 2.

<제3실시예><Third Example>

도 19는 상기 제1실시예의 변형 실시예인 제3실시예를 설명하기 위한 도면이다. 19 is a view for explaining a third embodiment, which is a modified embodiment of the first embodiment.

도 19는 본 발명의 제3실시예에 따른 제3AFE부(40, 43)의 구조를 나타낸 것이다. 19 shows the structure of the third AFE unit 40 and 43 according to the third embodiment of the present invention.

제3AFE부(40, 43)는 도 2에 나타낸 AFE부(30)의 기능, 또는 도 17에 나타낸 제1AFE부(40, 41)의 기능, 또는 도 18에 나타낸 제2AFE부(40, 42)의 기능을 대체할 수 있다. The third AFE units 40 and 43 are the functions of the AFE unit 30 shown in Fig. 2, or the functions of the first AFE units 40 and 41 shown in Fig. 17, or the second AFE units 40 and 42 shown in Fig. 18. Can replace the function of.

제3AFE부(40, 43)는 제3대기모드 감지회로부(1401, 431), 제3동작모드 감지회로부(1402, 432), 제3공유 커패시터부(1403, 433), 및 모드변환 스위치부(500)를 포함할 수 있다.The third AFE units 40 and 43 include third standby mode detection circuit units 1401 and 431, third operation mode detection circuit units 1402 and 432, third shared capacitor units 1403 and 433, and a mode conversion switch unit ( 500).

제3대기모드 감지회로부(1401, 431), 제3동작모드 감지회로부(1402, 432), 및 제3공유 커패시터부(1403, 433)는 각각, 제1AFE부(40, 41)의 제1대기모드 감지회로부(1401, 411), 제1동작모드 감지회로부(1402, 412), 및 제1공유 커패시터부(1403, 413)에 대응한다.The third standby mode detection circuit units 1401 and 431, the third operation mode detection circuit units 1402 and 432, and the third shared capacitor units 1403 and 433 are respectively It corresponds to the mode detection circuit units 1401 and 411, the first operation mode detection circuit units 1402 and 412, and the first shared capacitor units 1403 and 413.

상술한 제1실시예에서는 터치입력 감지장치에 터치입력 대기모드를 위한 대기모드용 연산증폭기(OAT)가 1개만 제공되었다. In the first embodiment described above, only one operational amplifier (OAT) for standby mode for the touch input standby mode is provided to the touch input sensing device.

제3AFE부(40, 43)의 구조는, 제3대기모드 감지회로부(1401, 431)가 2개 이상의 대기모드용 연산증폭기들(OAT1~OATK)이 제공된다는 점 이외에는, 제1AFE부(40, 41)의 구조와 동일하다(K는 2 이상의 자연수).The structure of the third AFE unit 40, 43 is the first AFE unit 40, except that the third standby mode detection circuit units 1401 and 431 are provided with two or more operational amplifiers OAT1 to OATK for standby mode. 41) is the same as the structure (K is a natural number of 2 or more).

이하, 상기 복수 개의 대기모드용 연산증폭기들과 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 포함된 복수 개의 피드백 커패시터들 간의 연결 관계를 설명한다. Hereinafter, a connection relationship between the plurality of operational amplifiers for standby mode and the plurality of feedback capacitors included in the third shared capacitor units 1403 and 433 will be described.

상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 대기모드용 연산증폭기들(OAT1~OATK) 중 임의의 제m 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 포함된 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제m그룹의 피드백 커패시터들이 병렬로 연결될 수 있다. 그리고 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 대기모드용 연산증폭기들 중 임의의 제n 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 포함된 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제n그룹의 피드백 커패시터들이 병렬로 연결될 수 있다. 이때, n과 m은 서로 다른 자연수이고, m 및 n은 각각 K이하의 값을 가질 수 있다. 그리고 상기 제m그룹의 피드백 커패시터들 중 어느 하나도 상기 제n그룹에 속하지 않는다.In the touch input standby mode, a third shared capacitor part 1403, 433 between the inverting input terminal and the output terminal of any m-th operational amplifier for standby mode among the plurality of standby mode operational amplifiers OAT1 to OATK Feedback capacitors of the m-th group among the plurality of feedback capacitors included in may be connected in parallel. And in the touch input standby mode, a plurality of third shared capacitor units 1403 and 433 are included between the inverting input terminal and the output terminal of any of the plurality of standby mode operational amplifiers. Feedback capacitors of the n-th group of the feedback capacitors may be connected in parallel. In this case, n and m are different natural numbers, and m and n may each have a value of K or less. And none of the feedback capacitors of the m-th group belong to the n-th group.

도 19에 나타낸 예에서는, 제1 대기모드용 연산증폭기(OAT1)의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 포함된 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제1그룹의 피드백 커패시터들(CS1, ..., CSM)이 병렬로 연결된다. 그리고 제K 대기모드용 연산증폭기(OATK)의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 포함된 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제K그룹의 피드백 커패시터들(CSL, ..., CSN)이 병렬로 연결된다.In the example shown in FIG. 19, the feedback of the first group among the plurality of feedback capacitors included in the third shared capacitor units 1403 and 433 between the inverting input terminal and the output terminal of the first standby mode operational amplifier OAT1 Capacitors CS1, ..., CSM are connected in parallel. In addition, between the inverting input terminal and the output terminal of the K-th operational amplifier OATK, among the plurality of feedback capacitors included in the third shared capacitor units 1403 and 433, the feedback capacitors CSL,. .., CSN) are connected in parallel.

상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 대기모드용 연산증폭기들(OAT1~OATK) 중 제k 대기모드용 연산증폭기(OATk)의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 포함된 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제k그룹의 피드백 커패시터들이 병렬로 연결될 수 있다. 이때, 제3동작모드 감지회로부(1402, 432)에 포함된 연산증폭기들 중에서 상기 터치입력 동작모드에서 상기 제k그룹의 피드백 커패시터들이 각각 연결되는 연산증폭기들로 이루어지는 제k그룹의 연산증폭기들을 정의할 수 있다. 그리고 상기 터치입력 동작모드에서 상기 제k그룹의 연산증폭기들 각각의 반전 입력단자에 연결되는 열전극들 및/또는 행전극들로 이루어지는 제k그룹의 전극들을 정의할 수 있다. 이때 상기 터치입력 대기모드에서, 제k 대기모드용 연산증폭기(OATk)의 반전 입력단자에는 상기 제k그룹의 전극들이 모두 연결되어 형성된 제k 부분 통합전극(11_k)이 연결될 수 있다. 각 열전극 및/또는 행전극을 특정한 상기 연산증폭기 또는 특정한 상기 대기모드용 연산증폭기에 연결하는 것은 스위치부(20)에 의해 수행될 수 있다. In the touch input standby mode, a third shared capacitor unit 1403, 433 between the inverting input terminal and the output terminal of the kth operational amplifier OATk of the plurality of standby mode operational amplifiers OAT1 to OATK Feedback capacitors of the kth group among the plurality of feedback capacitors included in) may be connected in parallel. At this time, among the operational amplifiers included in the third operation mode detection circuit unit 1402 and 432, the kth group of operational amplifiers comprising operational amplifiers to which the feedback capacitors of the kth group are respectively connected in the touch input operation mode are defined. can do. In the touch input operation mode, electrodes of a kth group including column electrodes and/or row electrodes connected to inverting input terminals of each of the kth group of operational amplifiers may be defined. In this case, in the touch input standby mode, a k-th integrated electrode 11_k formed by connecting all of the k-th group electrodes may be connected to an inverting input terminal of the k-th operational amplifier OATk for standby mode. Connecting each column electrode and/or row electrode to the specific operational amplifier or the specific operational amplifier for standby mode may be performed by the switch unit 20.

스위치부(20)는, 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 제k 부분 통합전극(11_k)를 형성하고, 상기 형성된 상기 제k 부분 통합전극(11_k)을 제k 대기모드용 연산증폭기(OATk)의 반전 입력단자에 연결하도록 제어될 수 있다. 이때, 상기 제k 부분 통합전극(11_k)은, N개의 행전극들(Y1~YN) 및 M개의 열전극들(X1~XM) 중 상기 터치입력 동작모드에서 상기 제k그룹의 연산증폭기들 각각의 반전 입력단자에 연결되는 전극들로 구성될 수 있다.In the touch input standby mode, the switch unit 20 forms the k-th partial integrated electrode 11_k, and connects the formed k-th partial integrated electrode 11_k to the k-th operational amplifier OATk for standby mode. It can be controlled to connect to an inverting input terminal. In this case, the k-th partial integrated electrode 11_k is each of the k-th operational amplifiers in the touch input operation mode among N row electrodes Y1 to YN and M column electrodes X1 to XM. It may be composed of electrodes connected to the inverting input terminal of.

예컨대, 도 19에 나타낸 예에서는, 상기 터치입력 동작모드에서, 제1그룹의 연산증폭기들에 포함되어 있는 제1 연산증폭기(OA1)의 반전 입력단자에 제1열전극(X1)이 연결되고, 마찬가지로 상기 제1그룹의 연산증폭기들에 포함되어 있는 제M 연산증폭기(OAM)의 반전 입력단자에 제1행전극(Y1)이 연결된다. 이때, 상기 터치입력 대기모드에서, 제1그룹의 피드백 커패시터들(CS1, ..., CSM)을 상기 제1그룹의 연산증폭기들과 시분할하여 공유하는 제1 대기모드용 연산증폭기(OAT1)의 반전 입력단자에는, 상기 제1열전극(X1) 및 상기 제1행전극(Y1)을 포함하는 제1그룹의 전극들이 모두 연결되어 형성되는 제1 부분 통합전극(11_1)이 연결될 수 있다.For example, in the example shown in FIG. 19, in the touch input operation mode, the first column electrode X1 is connected to the inverting input terminal of the first operational amplifier OA1 included in the first group of operational amplifiers, Similarly, the first row electrode Y1 is connected to the inverting input terminal of the Mth operational amplifier OAM included in the first group of operational amplifiers. In this case, in the touch input standby mode, the feedback capacitors CS1, ..., CSM of the first group are time-divided and shared with the operational amplifiers of the first group. A first partially integrated electrode 11_1 formed by connecting all of the electrodes of the first group including the first column electrode X1 and the first row electrode Y1 to the inverting input terminal may be connected.

마찬가지로, 도 19에 나타낸 예에서는, 상기 터치입력 동작모드에서, 제K그룹의 연산증폭기들에 포함되어 있는 제L 연산증폭기(OAL)의 반전 입력단자에 제2열전극(X2)이 연결되고, 마찬가지로 상기 제K그룹의 연산증폭기들에 포함되어 있는 제N 연산증폭기(OAN)의 반전 입력단자에 제2행전극(Y2)이 연결된다. 이때, 상기 터치입력 대기모드에서, 제K그룹의 피드백 커패시터들(CSL, ..., CSN)을 상기 제K그룹의 연산증폭기들과 시분할하여 공유하는 제K 대기모드용 연산증폭기(OATK)의 반전 입력단자에는, 상기 제2열전극(X2) 및 상기 제2행전극(Y2)을 포함하는 제K그룹의 전극들이 모두 연결되어 형성되는 제K 부분 통합전극(11_K)이 연결될 수 있다.Similarly, in the example shown in FIG. 19, in the touch input operation mode, the second column electrode X2 is connected to the inverting input terminal of the Lth operational amplifier OAL included in the Kth group operational amplifiers, Similarly, the second row electrode Y2 is connected to the inverting input terminal of the Nth operational amplifier OAN included in the Kth operational amplifiers. In this case, in the touch input standby mode, feedback capacitors CSL, ..., CSN of the Kth group are time-divided and shared with the operational amplifiers of the Kth group. A K-th integrated electrode 11_K formed by connecting all of the K-th group electrodes including the second column electrode X2 and the second row electrode Y2 to the inverting input terminal may be connected.

<제4실시예><Fourth Example>

도 20은 상기 제2실시예 및 상기 제3실시예의 변형 실시예인 제4실시예를 설명하기 위한 도면이다. 20 is a view for explaining a fourth embodiment, which is a modified embodiment of the second embodiment and the third embodiment.

도 20은 본 발명의 제4실시예에 따른 제4AFE부(40, 44)의 구조를 나타낸 것이다. 20 shows the structure of the fourthAFE units 40 and 44 according to the fourth embodiment of the present invention.

제4AFE부(40, 44)는 도 2에 나타낸 AFE부(30)의 기능, 또는 도 17에 나타낸 제1AFE부(40, 41)의 기능, 또는 도 18에 나타낸 제2AFE부(40, 42)의 기능, 또는 도 19에 나타낸 제3AFE부(40, 43)의 기능을 대체할 수 있다. The fourth AFE units 40 and 44 are the functions of the AFE unit 30 shown in Fig. 2, or the functions of the first AFE units 40 and 41 shown in Fig. 17, or the second AFE units 40 and 42 shown in Fig. 18. The function of or the function of the 3AFE units 40 and 43 shown in FIG. 19 may be substituted.

제4AFE부(40, 44)는 제4대기모드 감지회로부(1401, 441), 제4동작모드 감지회로부(1402, 442), 제4공유 커패시터부(1403, 443), 및 모드변환 스위치부(500)를 포함할 수 있다.The fourth AFE units 40 and 44 include fourth standby mode detection circuit units 1401 and 441, fourth operation mode detection circuit units 1402 and 442, fourth shared capacitor units 1403 and 443, and a mode conversion switch unit ( 500).

제4대기모드 감지회로부(1401, 441), 제4동작모드 감지회로부(1402, 442), 및 제4공유 커패시터부(1403, 443)는, 각각 제3대기모드 감지회로부(1401, 431), 제3동작모드 감지회로부(1402, 432), 및 제3공유 커패시터부(1403, 433)에 대응한다.The fourth standby mode detection circuit units 1401 and 441, the fourth operation mode detection circuit units 1402 and 442, and the fourth shared capacitor units 1403 and 443 include third standby mode detection circuit units 1401 and 431, respectively, It corresponds to the third operation mode detection circuit units 1402 and 432 and the third shared capacitor units 1403 and 433.

제4AFE부(40, 44)의 구조는, 제k 대기모드용 연산증폭기(OATk)의 반전 입력단자와 출력단자 사이에 상시 연결되는 전용 피드백 커패시터(CSTk)(k=1, 2, 3, ..., K), 및 제k연산증폭기(OAk)의 반전 입력단자와 출력단자 사이에 상시 연결되는 전용 피드백 커패시터(CSk0)가 더 포함되어 있다는 점 이외에는, 제3AFE부(40, 43)의 구조와 동일하다.The structure of the 4AFE units 40 and 44 is a dedicated feedback capacitor CSTk (k=1, 2, 3,. .., K), and the structure of the 3AFE unit (40, 43), except that a dedicated feedback capacitor (CSk0), which is always connected between the inverting input terminal and the output terminal of the k-th operational amplifier (OAk), is further included. Is the same as

도 17 내지 도 20의 모드변환 스위치부(500)는 도 2에서 설명한 연산처리 및 구동제어부에 의해 제어될 수 있다.The mode conversion switch unit 500 of FIGS. 17 to 20 may be controlled by the operation processing and driving control unit described in FIG. 2.

상술한 제1AFE부, 제2AFE부, 제3AFE부, 및 제4AFE부를 통칭 AFE부라고 지칭할 수 있다. The above-described first AFE unit, second AFE unit, third AFE unit, and fourth AFE unit may be collectively referred to as an AFE unit.

상술한 본 발명의 실시예들을 이용하여, 본 발명의 기술 분야에 속하는 자들은 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에 다양한 변경 및 수정을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 특허청구범위의 각 청구항의 내용은 본 명세서를 통해 이해할 수 있는 범위 내에서 인용관계가 없는 다른 청구항에 결합될 수 있다.Using the above-described embodiments of the present invention, those belonging to the technical field of the present invention will be able to easily implement various changes and modifications within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. The content of each claim in the claims may be combined with other claims that do not have a citation relationship within the range that can be understood through the present specification.

X1~XM, Y1~YN: 복수 개의 전극들 10: 터치스크린패널
11: 통합전극 30_1~30_L: 복수 개의 감지회로모듈
30_T: 대기모드 감지회로모듈 4: TX구동부
50: 연산처리 및 구동제어부 120: 제1스위치부
220: 제2스위치부 410: 감지회로 스위치부
40: AFE부
500: 모드변환 스위치부
1401: 대기모드 감지회로부
1402: 동작모드 감지회로부
1403: 공유 커패시터부
X1 to XM, Y1 to YN: a plurality of electrodes 10: touch screen panel
11: Integrated electrode 30_1~30_L: Multiple sensing circuit modules
30_T: Standby mode detection circuit module 4: TX driver
50: arithmetic processing and driving control unit 120: first switch unit
220: second switch unit 410: sensing circuit switch unit
40: AFE department
500: mode conversion switch unit
1401: standby mode detection circuit unit
1402: operation mode detection circuit unit
1403: shared capacitor part

Claims (10)

터치입력 동작모드와 터치입력 대기모드를 제공하는 터치입력 감지장치로서,
복수 개의 전극들; 및 AFE부(40)를 포함하며,
상기 AFE부는, ① 복수 개의 연산증폭기들로서, 상기 터치입력 동작모드에서 상기 복수 개의 전극들 각각이 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나에 연결되는, 상기 복수 개의 연산증폭기들을 포함하는 동작모드 감지회로부(1402); ② 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제1 대기모드용 연산증폭기를 포함하는 대기모드 감지회로부(1401); ③ 복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부(1403); 및 ④ 모드변환 스위치부(500);를 포함하며,
상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상의 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를 상기 각각의 피드백 커패시터에 대응하는 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있으며,
상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 어느 하나는 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나 및 상기 제1 대기모드용 연산증폭기에 시분할되어 연결되는 것을 특징으로 하는,
터치입력 감지장치.
As a touch input sensing device that provides a touch input operation mode and a touch input standby mode,
A plurality of electrodes; And an AFE unit 40,
The AFE unit includes: ① an operation mode detection circuit unit including a plurality of operational amplifiers, wherein each of the plurality of electrodes is connected to any one of the plurality of operational amplifiers in the touch input operation mode ( 1402); ② in the touch input standby mode, a standby mode detection circuit unit 1401 including a first operational amplifier for standby mode to which two or more electrodes are electrically connected to each other, and an electrode formed by being electrically connected to each other; ③ a shared capacitor unit 1403 including a plurality of feedback capacitors; And ④ mode conversion switch unit 500; includes,
The mode conversion switch unit includes: ① In the touch input standby mode, both terminals of each of at least two or more of the plurality of feedback capacitors or all of the feedback capacitors are connected to an inverting input terminal of the operational amplifier for the first standby mode, and It is configured to connect to an output terminal, and ② in the touch input operation mode, connect both terminals of each of the plurality of feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the operational amplifier corresponding to each of the feedback capacitors. Is composed,
At least one of the plurality of feedback capacitors is time-divided and connected to any one of the plurality of operational amplifiers and the first operational amplifier for standby mode,
Touch input sensing device.
제1항에 있어서,
상기 복수 개의 전극들과 상기 AFE부 간에 연결된 제2스위치부(20); 및 연산처리 및 구동제어부(50)를 더 포함하며,
상기 연산처리 및 구동제어부는, 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들을 서로 연결하여 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자에 연결하도록 상기 제2스위치부를 제어하도록 되어 있고,
상기 연산처리 및 구동제어부는 상기 모드변환 스위치부의 동작을 제어하도록 되어 있는,
터치입력 감지장치.
The method of claim 1,
A second switch unit 20 connected between the plurality of electrodes and the AFE unit; And an operation processing and driving control unit 50,
The operation processing and driving control unit is configured to control the second switch unit to connect the plurality of electrodes to each other in the touch input standby mode to connect to an inverting input terminal of the operational amplifier for the first standby mode,
The operation processing and driving control unit is configured to control the operation of the mode conversion switch unit,
Touch input sensing device.
제1항에 있어서, 상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 동작모드 감지회로부로부터 분리하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 연산증폭기에 연결된 상기 피드백 커패시터를 상기 대기모드 감지회로부터 분리하도록 구성되어 있는, 터치입력 감지장치.The method of claim 1, wherein the mode conversion switch unit comprises: ① In the touch input standby mode, at least two or more of the plurality of feedback capacitors or both terminals of each of all of the feedback capacitors are separated from the operation mode detection circuit unit. And ② in the touch input operation mode, configured to separate the feedback capacitor connected to the operational amplifier from the standby mode detection circuit. 제1항에 있어서, 상기 복수 개의 연산증폭기들 및 상기 제1 대기모드용 연산증폭기 중 하나 이상의 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에 언제나 연결되어 있는 커패시터를 더 포함하는, 터치입력 감지장치. The apparatus of claim 1, further comprising a capacitor connected at any time between an inverting input terminal and an output terminal of at least one of the plurality of operational amplifiers and the first standby mode operational amplifier. 제1항에 있어서,
상기 대기모드 감지회로부는 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 다른 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제2 대기모드용 연산증폭기를 더 포함하며,
상기 모드변환 스위치부는, 상기 터치입력 대기모드에서, ① 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 일부의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 다른 일부의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제2 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있는,
터치입력 감지장치.
The method of claim 1,
The standby mode sensing circuit unit further includes a second operational amplifier for standby mode to which an electrode formed by electrically connecting at least two other electrodes among the plurality of electrodes in the touch input standby mode is connected,
The mode conversion switch unit, in the touch input standby mode, ① connects both terminals of each of at least some of the feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the operational amplifier for the first standby mode. And ② configured to connect both terminals of each of the other feedback capacitors among the plurality of feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the second operational amplifier for standby mode,
Touch input sensing device.
제5항에 있어서, 상기 복수 개의 연산증폭기들, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기, 및 상기 제2 대기모드용 연산증폭기 중 하나 이상의 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에 언제나 연결되어 있는 커패시터를 더 포함하는, 터치입력 감지장치. The capacitor of claim 5, wherein the capacitor is always connected between an inverting input terminal and an output terminal of at least one of the plurality of operational amplifiers, the first standby mode operational amplifier, and the second standby mode operational amplifier. Further comprising a touch input sensing device. 제5항에 있어서,
상기 터치입력 대기모드에서, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자 사이에는 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 제1그룹의 피드백 커패시터들이 병렬로 연결되며,
상기 복수 개의 전극들 중 상기 터치입력 동작모드에서 상기 제1그룹의 피드백 커패시터들이 각각 연결되는 제1그룹의 연산증폭기들의 반전 입력단자에 연결되도록 되어 있는 제1그룹의 전극들이 모두 전기적으로 연결되어 형성된 제1 부분 통합전극은, 상기 터치입력 대기모드에서 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자에 연결되는 것을 특징으로 하는,
터치입력 감지장치.
The method of claim 5,
In the touch input standby mode, feedback capacitors of a first group of the plurality of feedback capacitors are connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal of the first standby mode operational amplifier,
Among the plurality of electrodes, in the touch input operation mode, all of the electrodes of the first group, which are connected to the inverting input terminals of the operational amplifiers of the first group to which the feedback capacitors of the first group are respectively connected, are electrically connected. The first partially integrated electrode is connected to an inverting input terminal of the operational amplifier for the first standby mode in the touch input standby mode,
Touch input sensing device.
복수 개의 전극들에 연결되도록 되어 있으며, 터치입력 동작모드와 터치입력 대기모드를 제공하는 터치입력 감지IC로서,
복수 개의 연산증폭기들로서, 상기 터치입력 동작모드에서 상기 복수 개의 전극들 각각이 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나에 연결되는, 상기 복수 개의 연산증폭기들을 포함하는 동작모드 감지회로부(1402);
상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제1 대기모드용 연산증폭기를 포함하는 대기모드 감지회로부(1401);
복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부(1403); 및
모드변환 스위치부(500);
를 포함하며,
상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를 상기 각각의 피드백 커패시터에 대응하는 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있는,
터치입력 감지IC.
As a touch input sensing IC that is connected to a plurality of electrodes and provides a touch input operation mode and a touch input standby mode,
An operation mode detection circuit unit 1402 including the plurality of operational amplifiers, wherein each of the plurality of electrodes is connected to any one of the plurality of operational amplifiers in the touch input operation mode;
A standby mode detection circuit unit 1401 including a first standby mode operational amplifier to which two or more of the plurality of electrodes are electrically connected to each other in the touch input standby mode;
A shared capacitor unit 1403 including a plurality of feedback capacitors; And
A mode conversion switch unit 500;
Including,
The mode conversion switch unit may include: ① In the touch input standby mode, at least two or more of the plurality of feedback capacitors or both terminals of each of all of the feedback capacitors may be connected to an inverting input terminal of the operational amplifier for the first standby mode, and It is configured to connect to an output terminal, and ② in the touch input operation mode, connect both terminals of each of the plurality of feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the operational amplifier corresponding to each of the feedback capacitors. be composed of,
Touch input detection IC.
복수 개의 연산증폭기들;
제1 대기모드용 연산증폭기;
복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부;
① 터치입력 동작모드에서 복수 개의 전극들 각각을 대응하는 상기 연산증폭기에게 연결하도록 되어 있고, 그리고 ② 터치입력 대기모드에서 복수 개의 전극들 중 적어도 일부의 전극들을 서로 연결하여 통합전극을 형성하고 상기 형성된 통합전극을 상기 제1 대기모드용 연산증폭기에게 연결하도록 되어 있는 제2스위치부; 및
① 상기 터치입력 동작모드에서 각각의 상기 피드백 커패시터의 양 단부를 이에 대응하는 각각의 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 되어 있고, ② 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상의 피드백 커패시터들 각각의 양 단부를 상기 제1 대기모드용 연산증폭기에 연결하도록 되어 있는, 모드변환 스위치부;
를 포함하는,
터치입력 감지IC.
A plurality of operational amplifiers;
A first operational amplifier for standby mode;
A shared capacitor unit including a plurality of feedback capacitors;
① In the touch input operation mode, each of the plurality of electrodes is connected to the corresponding operational amplifier, and ② in the touch input standby mode, at least some of the plurality of electrodes are connected to each other to form an integrated electrode. A second switch unit configured to connect the integrated electrode to the first standby mode operational amplifier; And
① In the touch input operation mode, both ends of each of the feedback capacitors are connected to an inverting input terminal and an output terminal of each of the operational amplifiers corresponding thereto, and ② the plurality of feedback capacitors in the touch input standby mode A mode conversion switch unit configured to connect both ends of each of the at least two or more feedback capacitors to the first operational amplifier for standby mode;
Containing,
Touch input detection IC.
터치입력 동작모드와 터치입력 대기모드를 제공하는 터치입력 감지장치로서,
복수 개의 전극들; 및 AFE부(40)를 포함하며,
상기 AFE부는, ① 복수 개의 연산증폭기들로서, 상기 터치입력 동작모드에서 상기 복수 개의 전극들 각각이 상기 복수 개의 연산증폭기들 중 어느 하나에 연결되는, 상기 복수 개의 연산증폭기들을 포함하는 동작모드 감지회로부(1402); ② 상기 터치입력 대기모드에서 상기 복수 개의 전극들 중 두 개 이상의 전극들이 서로 전기적으로 연결되어 형성된 전극이 연결되는 제1 대기모드용 연산증폭기를 포함하는 대기모드 감지회로부(1401); ③ 복수 개의 피드백 커패시터들을 포함하는 공유 커패시터부(1403); 및 ④ 모드변환 스위치부(500);를 포함하며,
상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상의 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 제1 대기모드용 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를 상기 각각의 피드백 커패시터에 대응하는 상기 연산증폭기의 반전 입력단자 및 출력단자에 연결하도록 구성되어 있거나,
상기 모드변환 스위치부는, ① 상기 터치입력 대기모드에서, 상기 복수 개의 피드백 커패시터들 중 적어도 두 개 이상 또는 전체의 피드백 커패시터들 각각의 양 단자를, 상기 동작모드 감지회로부로부터 분리하도록 구성되어 있고, 그리고 ② 상기 터치입력 동작모드에서, 상기 연산증폭기에 연결된 상기 피드백 커패시터를 상기 대기모드 감지회로부터 분리하도록 구성되어 있는,
터치입력 감지장치.
As a touch input sensing device that provides a touch input operation mode and a touch input standby mode,
A plurality of electrodes; And an AFE unit 40,
The AFE unit includes: ① an operation mode detection circuit unit including a plurality of operational amplifiers, wherein each of the plurality of electrodes is connected to any one of the plurality of operational amplifiers in the touch input operation mode ( 1402); ② in the touch input standby mode, a standby mode detection circuit unit 1401 including a first operational amplifier for standby mode to which two or more electrodes are electrically connected to each other, and an electrode formed by being electrically connected to each other; ③ a shared capacitor unit 1403 including a plurality of feedback capacitors; And ④ mode conversion switch unit 500; includes,
The mode conversion switch unit includes: ① In the touch input standby mode, both terminals of each of at least two or more of the plurality of feedback capacitors or all of the feedback capacitors are connected to an inverting input terminal of the operational amplifier for the first standby mode, and It is configured to connect to an output terminal, and ② in the touch input operation mode, connect both terminals of each of the plurality of feedback capacitors to an inverting input terminal and an output terminal of the operational amplifier corresponding to each of the feedback capacitors. Is configured, or
The mode conversion switch unit, ① in the touch input standby mode, is configured to separate both terminals of each of at least two or more of the plurality of feedback capacitors or of all of the feedback capacitors from the operation mode detection circuit unit, and ② In the touch input operation mode, configured to separate the feedback capacitor connected to the operational amplifier from the standby mode detection circuit,
Touch input sensing device.
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