KR102220056B1 - Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus - Google Patents

Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102220056B1
KR102220056B1 KR1020190055277A KR20190055277A KR102220056B1 KR 102220056 B1 KR102220056 B1 KR 102220056B1 KR 1020190055277 A KR1020190055277 A KR 1020190055277A KR 20190055277 A KR20190055277 A KR 20190055277A KR 102220056 B1 KR102220056 B1 KR 102220056B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
powder
chamber
rotating member
pressure
supply device
Prior art date
Application number
KR1020190055277A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200130012A (en
Inventor
윤현
이재후
성진일
이건의
송철호
김성래
전영표
Original Assignee
세메스 주식회사
케이엠텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사, 케이엠텍 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190055277A priority Critical patent/KR102220056B1/en
Publication of KR20200130012A publication Critical patent/KR20200130012A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102220056B1 publication Critical patent/KR102220056B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

파우더 피더를 밀폐된 챔버의 내부에 배치하고, 챔버의 내부를 가압하여, 미세 크기의 파우더를 균일하게 공급할 수 있는 파우더 공급 장치, 및 이 파우더 공급 장치를 이용하여 식각 공정이 수행되는 챔버의 내부를 코팅하는 설비 코팅 시스템이 제공된다. 상기 파우더 공급 장치는, 밀폐 구조를 가지는 챔버; 및 챔버의 내부에 구비되며, 챔버의 내부로 유입되는 파우더를 챔버의 외부로 토출시키는 파우더 공급기를 포함하며, 파우더가 챔버의 내부로 유입될 때, 챔버의 내부 압력을 높이기 위한 가스가 챔버의 내부로 유입되어 파우더 공급기를 가압한다.A powder supply device capable of uniformly supplying fine-sized powder by placing the powder feeder inside the sealed chamber and pressing the inside of the chamber, and the interior of the chamber where the etching process is performed using the powder supply device. Coating Equipment A coating system is provided. The powder supply device includes: a chamber having a closed structure; And a powder feeder provided inside the chamber and discharging the powder flowing into the chamber to the outside of the chamber, and when the powder is introduced into the chamber, gas for increasing the internal pressure of the chamber is And pressurizes the powder feeder.

Figure R1020190055277
Figure R1020190055277

Description

파우더 공급 장치 및 이를 구비하는 설비 코팅 시스템 {Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus}Powder supplying device and equipment coating system having the same TECHNICAL FIELD [Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus]

본 발명은 파우더를 공급하는 장치와 이 장치를 이용하여 반도체 제조 공정이 수행되는 설비의 내부를 코팅하는 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for supplying powder and a system for coating the interior of a facility in which a semiconductor manufacturing process is performed using the apparatus.

반도체 제조 공정에서 식각 공정(etching process)은 웨이퍼(wafer) 상에서 포토 공정(photolithography process)에 의해 형성된 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 물리적 방법 또는 화학적 방법으로 제거하는 공정을 말한다. 이러한 식각 공정은 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 건식 식각(dry etching)과 습식 식각(wet etching)으로 구분된다.In a semiconductor manufacturing process, the etching process refers to a process of removing the rest of the wafer except for a circuit pattern formed by a photolithography process by a physical method or a chemical method. The etching process is classified into dry etching and wet etching according to the state of the material causing the etching reaction.

건식 식각은 습식 식각에 비해 비용이 비싸고 방법이 까다롭다는 단점이 있으나, 최근 들어 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 미세한 패터닝과 수율을 높이기 위한 방법으로 건식 식각이 확대되고 있다.Dry etching has a disadvantage in that it is expensive and difficult to use compared to wet etching, but in recent years, dry etching has been expanded as a method to increase microscopic patterning and yield according to changes in semiconductor technology that is highly integrated in nano units.

한국공개특허 제10-2018-0129156호 (공개일: 2018.12.05.)Korean Patent Publication No. 10-2018-0129156 (Publication date: 2018.12.05.)

건식 식각 공정에서는 챔버(chamber)의 내부에서 플라즈마(plasma)를 이용하여 정전척(ESC; Electro-Static Chuck) 상에 안착되는 웨이퍼를 식각한다. 그런데 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 식각할 때에 플라즈마에 의해 챔버의 내벽이 손상될 수 있으므로, 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 식각하기 전에 챔버의 내벽에 코팅층을 형성해야 한다.In the dry etching process, a wafer mounted on an electro-static chuck (ESC) is etched using a plasma inside a chamber. However, when the wafer is etched using plasma, the inner wall of the chamber may be damaged by the plasma. Therefore, a coating layer must be formed on the inner wall of the chamber before etching the wafer using plasma.

챔버의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법에는 APS(Atmospheric Plasma Spray) 코팅 방법, SPS(Suspension Plasma Spray) 코팅 방법, AD(Aerosol Deposition) 코팅 방법 등이 있다. 그런데 AD 코팅 방법은 양산성이 매우 떨어지는 단점이 있다. 그리고 SPS 코팅 방법은 파우더에 물, 에탄올 등이 혼합된 슬러리(slurry)를 이용하기 때문에, 부수적인 오염물이 발생하는 단점이 있다.Methods of forming a coating layer on the inner wall of the chamber include APS (Atmospheric Plasma Spray) coating method, SPS (Suspension Plasma Spray) coating method, AD (Aerosol Deposition) coating method, and the like. However, the AD coating method has a disadvantage that mass productivity is very poor. In addition, since the SPS coating method uses a slurry in which water, ethanol, etc. are mixed with the powder, there is a disadvantage in that incidental contaminants are generated.

반면 APS 코팅 방법은 양산성이 매우 우수하며, 파우더만을 이용하기 때문에 부수적인 오염물이 발생하지 않는다. 그러나 파우더의 크기를 작게 할 경우 파우더가 토출되지 않을 수 있으며, 파우더의 상호 뭉침 현상으로 코팅 품질이 저하될 수 있다.On the other hand, the APS coating method has excellent mass production and does not generate incidental contaminants because only powder is used. However, when the size of the powder is reduced, the powder may not be discharged, and the coating quality may be deteriorated due to the agglomeration of the powder.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 파우더 피더(powder feeder)를 밀폐된 챔버의 내부에 배치하고, 챔버의 내부를 가압하여, 미세 크기의 파우더를 균일하게 공급할 수 있는 파우더 공급 장치, 및 이 파우더 공급 장치를 이용하여 식각 공정이 수행되는 챔버의 내부를 코팅하는 설비 코팅 시스템을 제공하는 것이다.The problem to be solved in the present invention is a powder supply device capable of uniformly supplying fine-sized powder by placing a powder feeder inside a sealed chamber and pressing the inside of the chamber, and supplying the powder It is to provide an equipment coating system for coating the interior of a chamber in which an etching process is performed using an apparatus.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 파우더 공급 장치의 일 면(aspect)은, 밀폐 구조를 가지는 챔버; 및 상기 챔버의 내부에 구비되며, 상기 챔버의 내부로 유입되는 파우더를 상기 챔버의 외부로 토출시키는 파우더 공급기를 포함하며, 상기 파우더가 상기 챔버의 내부로 유입될 때, 상기 챔버의 내부 압력을 높이기 위한 가스가 상기 챔버의 내부로 유입되어 상기 파우더 공급기를 가압한다.One side (aspect) of the powder supply device of the present invention for achieving the above object, a chamber having a sealed structure; And a powder feeder provided inside the chamber and discharging the powder flowing into the chamber to the outside of the chamber, and when the powder is introduced into the chamber, increasing the internal pressure of the chamber. For gas is introduced into the chamber to pressurize the powder supply.

상기 파우더 공급 장치는, 상기 챔버의 표면에 설치되어 상기 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정 센서를 더 포함하며, 상기 파우더 공급기는 상기 챔버의 내부 압력이 기준 압력 이상일 때 작동할 수 있다.The powder supply device further includes a pressure measurement sensor installed on a surface of the chamber to measure an internal pressure of the chamber, and the powder supply may operate when the internal pressure of the chamber is greater than or equal to a reference pressure.

상기 파우더 공급 장치는, 상기 챔버의 표면에 설치되어 상기 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정 센서를 더 포함하며, 상기 챔버의 내부 압력이 기준 압력 이상이거나, 상기 챔버의 내부 압력이 외부 압력 이하일 때 상기 가스가 상기 챔버의 내부로 유입되는 것이 차단될 수 있다.The powder supply device further includes a pressure measurement sensor installed on the surface of the chamber to measure the internal pressure of the chamber, and when the internal pressure of the chamber is greater than or equal to the reference pressure, or the internal pressure of the chamber is less than the external pressure The gas may be blocked from flowing into the chamber.

상기 파우더 공급기는, 상기 파우더를 흡입하는 흡입부; 상기 파우더를 토출하는 토출부; 및 일방향으로 회전하며 측면에 복수개의 돌기가 형성되어 있는 제1 회전 부재, 및 상기 제1 회전 부재의 아래에 배치되며 일방향으로 회전하여 상기 복수개의 돌기 사이를 통과하여 상면에 안착되는 상기 파우더를 상기 토출부가 위치한 방향으로 이동시키는 제3 회전 부재를 구비하며, 상기 흡입부를 통해 상기 파우더가 흡입되면 상기 제1 회전 부재 및 상기 제3 회전 부재를 이용하여 상기 토출부를 통해 정량의 파우더를 토출시키는 정량 공급부를 포함할 수 있다.The powder supply unit, a suction unit for inhaling the powder; A discharge part for discharging the powder; And a first rotating member rotating in one direction and having a plurality of protrusions formed on the side thereof, and the powder disposed under the first rotating member and rotated in one direction to pass between the plurality of protrusions and seated on the upper surface. Provides a third rotating member that moves in a direction in which the discharge unit is located, and when the powder is sucked through the suction unit, a quantitative supply of discharging a quantity of powder through the discharge unit using the first rotating member and the third rotating member May contain wealth.

상기 정량 공급부는, 상기 제1 회전 부재와 상기 제3 회전 부재 사이에 배치되며, 측면에 복수개의 돌기가 형성되어 있고, 일방향으로 회전하는 제2 회전 부재를 더 포함하며, 상기 제2 회전 부재는 상기 제1 회전 부재보다 돌기 개수가 더 많을 수 있다.The fixed quantity supply unit further includes a second rotation member disposed between the first rotation member and the third rotation member, having a plurality of protrusions formed on a side surface thereof, and rotating in one direction, the second rotation member The number of protrusions may be greater than that of the first rotating member.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 설비 코팅 시스템의 일 면(aspect)은, 파우더를 공급하는 파우더 공급 장치; 상기 파우더를 분사하여 반도체 제조 설비를 코팅하는 파우더 분사 장치; 상기 파우더 공급 장치와 상기 파우더 분사 장치를 연결하며, 상기 파우더의 이송을 제어하는 밸브를 구비하는 연결 부재; 및 상기 밸브를 제어하는 제어 장치를 포함하며, 상기 파우더 공급 장치는, 밀폐 구조를 가지는 챔버; 및 상기 챔버의 내부에 구비되며, 상기 챔버의 내부로 유입되는 파우더를 상기 챔버의 외부로 토출시키는 파우더 공급기를 포함하며, 상기 파우더가 상기 챔버의 내부로 유입될 때, 상기 챔버의 내부 압력을 높이기 위한 가스가 상기 챔버의 내부로 유입되어 상기 파우더 공급기를 가압한다.One aspect (aspect) of the equipment coating system of the present invention for achieving the above object, a powder supply device for supplying the powder; A powder spraying device for spraying the powder to coat semiconductor manufacturing equipment; A connection member that connects the powder supply device and the powder spray device and includes a valve for controlling the transfer of the powder; And a control device for controlling the valve, wherein the powder supply device includes: a chamber having a closed structure; And a powder feeder provided inside the chamber and discharging the powder flowing into the chamber to the outside of the chamber, and when the powder is introduced into the chamber, increasing the internal pressure of the chamber. For gas is introduced into the chamber to pressurize the powder supply.

상기 파우더 공급 장치는, 상기 챔버의 표면에 설치되어 상기 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정 센서를 더 포함하며, 상기 제어 장치는 상기 챔버의 내부 압력과 기준 압력을 비교하여 얻은 결과를 기초로 상기 밸브를 제어할 수 있다.The powder supply device further includes a pressure measurement sensor installed on the surface of the chamber to measure the internal pressure of the chamber, and the control device is based on a result obtained by comparing the internal pressure of the chamber with a reference pressure. The valve can be controlled.

상기 제어 장치는 상기 챔버의 내부에 상기 가스가 유입되는지 여부를 기초로 상기 밸브를 제어할 수 있다.The control device may control the valve based on whether the gas flows into the chamber.

상기 설비 코팅 시스템은 상기 반도체 제조 설비에서 식각 공정이 수행되는 공정 챔버의 내벽을 코팅하는 데에 이용될 수 있다.The equipment coating system may be used to coat an inner wall of a process chamber in which an etching process is performed in the semiconductor manufacturing facility.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 설비 코팅 시스템을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치의 내부 구조를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치에 구비되는 정량 공급부의 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치에 구비되는 정량 공급부의 작동 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치에 구비되는 파우더 공급기의 작동 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.1 is a conceptual diagram schematically showing a equipment coating system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the internal structure of a powder supply device according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of a quantitative supply unit provided in the powder supply device according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart sequentially showing a method of operating a quantitative supply unit provided in the powder supply device according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart sequentially showing a method of operating a powder supply device provided in the powder supply device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments to be posted below, but may be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments make the posting of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have it, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as “on” or “on” of another element or layer, it is possible to interpose another layer or other element in the middle as well as directly above the other element or layer. All inclusive. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on", it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc., as shown in the figure It may be used to easily describe the correlation between the device or components and other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device during use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if an element shown in the figure is turned over, an element described as “below” or “beneath” of another element may be placed “above” another element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may be oriented in other directions, and thus spatially relative terms may be interpreted according to the orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, of course, these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be a second element, a second element, or a second section within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, actions and/or elements, and/or elements, steps, actions and/or elements mentioned. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings that can be commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not interpreted ideally or excessively unless explicitly defined specifically.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components are assigned the same reference numerals and duplicated Description will be omitted.

본 발명은 식각 공정이 수행되는 챔버의 내부를 코팅하기 위해 미세 크기(예를 들어, 3㎛ ~ 8㎛)의 파우더(powder)를 균일하게 공급하는 파우더 공급 장치에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기의 파우더 공급 장치를 이용하여 식각 공정이 수행되는 챔버의 내부를 코팅하는 설비 코팅 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a powder supply device for uniformly supplying powder having a fine size (eg, 3 μm to 8 μm) to coat the interior of a chamber in which an etching process is performed. In addition, the present invention relates to an equipment coating system for coating the interior of a chamber in which an etching process is performed using the powder supply device.

본 발명에 따른 파우더 공급 장치는 미세 크기의 파우더를 균일하게 공급하기 위해, 밀폐된 챔버의 내부에 파우더를 공급하는 수단을 배치하며, 챔버의 내부를 가압하는 것을 특징으로 한다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명에 따른 파우더 공급 장치에 대하여 설명한다.The powder supply device according to the present invention is characterized in that a means for supplying powder is disposed inside a sealed chamber and pressurizes the inside of the chamber in order to uniformly supply fine powder. Hereinafter, a powder supply apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 설비 코팅 시스템을 개략적으로 도시한 개념도이다.1 is a conceptual diagram schematically showing a equipment coating system according to an embodiment of the present invention.

도 1에 따르면, 설비 코팅 시스템(100)은 파우더 공급 장치(110), 연결 부재(120) 및 파우더 분사 장치(130)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the equipment coating system 100 may include a powder supply device 110, a connection member 120, and a powder spray device 130.

파우더 공급 장치(110)는 연결 부재(120)를 통해 파우더 분사 장치(130)로 파우더를 공급하는 것이다. 이러한 파우더 공급 장치(110)는 파우더 피더(powder feeder)로 구현될 수 있다.The powder supply device 110 supplies powder to the powder spray device 130 through the connection member 120. The powder supply device 110 may be implemented as a powder feeder.

파우더 공급 장치(110)는 기존(30㎛)보다 미세해진 크기의 파우더를 파우더 분사 장치(130)로 균일하게 공급할 수 있다. 일례로 파우더 공급 장치(110)는 3㎛ ~ 8㎛ 크기의 파우더를 파우더 분사 장치(130)로 균일하게 공급할 수 있다. 파우더 공급 장치(110)는 이를 위해 밀폐된 챔버(111)의 내부에 파우더 공급기(112)를 배치하며, 챔버(111)의 내부를 가압한다.The powder supply device 110 may uniformly supply powder having a smaller size than the existing (30 μm) to the powder spray device 130. For example, the powder supply device 110 may uniformly supply powder having a size of 3 μm to 8 μm to the powder spraying device 130. The powder supply device 110 arranges the powder supply unit 112 inside the sealed chamber 111 for this purpose and pressurizes the inside of the chamber 111.

파우더 공급 장치(110)의 내부 구조에 대해서는 도면 등을 참조하여 후술한다.The internal structure of the powder supply device 110 will be described later with reference to drawings and the like.

연결 부재(120)는 파우더 공급 장치(110)로부터 파우더 분사 장치(130)로 파우더가 공급될 수 있도록 파우더 공급 장치(110)와 파우더 분사 장치(130)를 연결하는 것이다. 이러한 연결 부재(120)는 파우더가 이송될 수 있는 튜브(powder moving tube)로 구현될 수 있다.The connection member 120 connects the powder supply device 110 and the powder spray device 130 so that powder can be supplied from the powder supply device 110 to the powder spray device 130. The connection member 120 may be implemented as a powder moving tube.

연결 부재(120) 상에는 적어도 하나의 밸브(valve; 140)가 형성될 수 있다. 밸브(140)는 연결 부재(120) 상에서 파우더의 흐름을 제어하는 것이다. 즉, 밸브(140)가 개방(open)되면 연결 부재(120)를 통해 파우더 공급 장치(110)로부터 파우더 분사 장치(130)로 파우더가 공급되며, 밸브(140)가 폐쇄(closed)되면 파우더의 공급이 차단된다.At least one valve 140 may be formed on the connection member 120. The valve 140 controls the flow of powder on the connection member 120. That is, when the valve 140 is opened, powder is supplied from the powder supply device 110 to the powder spray device 130 through the connection member 120, and when the valve 140 is closed, the powder is The supply is cut off.

밸브(140)는 파우더 분사 장치(130)보다 파우더 공급 장치(110)에 가까운 위치(예를 들어, 파우더 공급 장치(110) 부근)에 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 밸브(140)는 파우더 공급 장치(110)보다 파우더 분사 장치(130)에 가까운 위치에 형성되거나, 파우더 공급 장치(110)와 파우더 분사 장치(130)의 중간 지점에 형성되는 것도 가능하다.The valve 140 may be formed at a position closer to the powder supply device 110 than the powder spray device 130 (eg, near the powder supply device 110). However, this embodiment is not limited thereto. The valve 140 may be formed at a position closer to the powder injection device 130 than the powder supply device 110, or may be formed at an intermediate point between the powder supply device 110 and the powder spray device 130.

파우더 분사 장치(130)는 파우더 공급 장치(110)로부터 공급되는 파우더를 외부로 분사하는 것이다. 이러한 파우더 분사 장치(130)는 스프레이 건(spray gun)으로 구현될 수 있다.The powder spraying device 130 sprays powder supplied from the powder supply device 110 to the outside. The powder spraying device 130 may be implemented as a spray gun.

파우더 분사 장치(130)는 파우더를 식각 공정이 수행되는 챔버의 내벽(150)에 분사하여, 챔버의 내벽(150)에 코팅층(160)을 형성할 수 있다. 이때 파우더 분사 장치(130)는 플라즈마 스프레이 건(plasma spray gun)으로 구현되어, APS(Atmospheric Plasma Spray) 코팅 방법으로 식각 공정이 수행되는 챔버의 내벽을 코팅할 수 있다.The powder spraying device 130 may spray the powder onto the inner wall 150 of the chamber where the etching process is performed to form the coating layer 160 on the inner wall 150 of the chamber. In this case, the powder spraying device 130 may be implemented with a plasma spray gun, and may coat the inner wall of the chamber in which the etching process is performed using an APS (Atmospheric Plasma Spray) coating method.

한편 파우더 공급 장치(110)는 챔버(111)의 외측 표면에 압력 측정 센서(113)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the powder supply device 110 may include a pressure measurement sensor 113 on the outer surface of the chamber 111.

압력 측정 센서(113)는 챔버(111)의 내부 압력을 측정하는 것이다. 이러한 압력 측정 센서(113)는 챔버(111)의 외측 표면에 적어도 하나 구비될 수 있다. 한편 압력 측정 센서(113)는 챔버(111)의 내측에 구비되는 것도 가능하다.The pressure measurement sensor 113 measures the internal pressure of the chamber 111. At least one pressure measurement sensor 113 may be provided on an outer surface of the chamber 111. Meanwhile, the pressure measurement sensor 113 may be provided inside the chamber 111.

파우더 공급 장치(110)가 압력 측정 센서(113)를 구비하는 경우, 설비 코팅 시스템(100)은 제어 장치(170)를 더 포함할 수 있다.When the powder supply device 110 includes the pressure measurement sensor 113, the equipment coating system 100 may further include a control device 170.

제어 장치(170)는 압력 측정 센서(113)에 의해 측정된 값을 기초로 밸브(140)를 제어하는 것이다. 이러한 제어 장치(170)는 연산 기능이 있는 프로세서를 갖춘 컴퓨터 형태로 구현될 수 있다.The control device 170 controls the valve 140 based on the value measured by the pressure measurement sensor 113. The control device 170 may be implemented in the form of a computer equipped with a processor having an operation function.

제어 장치(170)는 압력 측정 센서(113)로부터 획득된 챔버(111)의 내부 압력과 제1 기준 압력(예를 들어, 1 bar ~ 2 bar)을 비교하여 밸브(140)를 제어할 수 있다. 일례로 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부 압력이 제1 기준 압력 이상이면 밸브(140)가 개방되도록 제어하며, 챔버(111)의 내부 압력이 제1 기준 압력 미만이면 밸브(140)가 폐쇄되도록 제어할 수 있다. 제어 장치(170)는 이와 같은 과정을 통해 챔버(111)의 내부 압력이 원하는 수준이 되면 밸브(140)가 개방되도록 제어할 수 있다.The control device 170 may control the valve 140 by comparing the internal pressure of the chamber 111 obtained from the pressure measurement sensor 113 with a first reference pressure (eg, 1 bar to 2 bar). . For example, the control device 170 controls the valve 140 to open when the internal pressure of the chamber 111 is greater than or equal to the first reference pressure, and when the internal pressure of the chamber 111 is less than the first reference pressure, the valve 140 Can be controlled to be closed. The control device 170 may control the valve 140 to open when the internal pressure of the chamber 111 reaches a desired level through such a process.

제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부가 가압되는지 여부를 기초로 밸브(140)를 제어하는 것도 가능하다. 일례로 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부에 가스(gas)가 공급되면 챔버(111)의 내부가 가압되는 것으로 인식하고, 밸브(140)가 개방되도록 제어할 수 있다. 반면 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부에 가스가 공급되지 않으면 챔버(111)의 내부가 가압되지 않는 것으로 인식하고, 밸브(140)가 폐쇄되도록 제어할 수 있다.The control device 170 may control the valve 140 based on whether the inside of the chamber 111 is pressurized. For example, when gas is supplied into the chamber 111, the control device 170 recognizes that the inside of the chamber 111 is pressurized, and controls the valve 140 to open. On the other hand, the control device 170 recognizes that the inside of the chamber 111 is not pressurized when gas is not supplied to the inside of the chamber 111 and controls the valve 140 to be closed.

한편 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부 압력과 제2 기준 압력을 비교하여 챔버(111)의 내부 압력이 원하는 수준이 되면 파우더 공급기(112)가 작동하도록 제어하는 것도 가능하다. 이때 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부에 양압(positive pressure)이 걸려 있는 것으로 판단되면 파우더 공급기(112)가 작동하도록 제어할 수 있다.Meanwhile, the control device 170 may compare the internal pressure of the chamber 111 with the second reference pressure and control the powder supply unit 112 to operate when the internal pressure of the chamber 111 reaches a desired level. At this time, the control device 170 may control the powder supply unit 112 to operate when it is determined that a positive pressure is applied to the inside of the chamber 111.

제어 장치(170)는 동일한 값을 제1 기준 압력과 제2 기준 압력에 적용하여, 밸브(140)를 개방시킬 때에 파우더 공급기(112)를 작동시키는 것도 가능하다.The control device 170 may apply the same value to the first reference pressure and the second reference pressure to operate the powder feeder 112 when opening the valve 140.

한편 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부 압력이 제3 기준 압력 이상인 것으로 판단되면 챔버(111)의 내부로 가스가 유입되는 것을 차단시키는 것도 가능하다. 파우더 공급기(112)의 파우더 토출이 용이하지 않은 경우, 챔버(111)에 인가되는 압력에 의해 파우더 공급기(112)가 파손될 수 있으므로, 본 실시예에서는 일정 수준의 압력이 감지되면 챔버(111)의 내부로 가스가 유입되는 것을 차단시킬 수 있다.Meanwhile, when it is determined that the internal pressure of the chamber 111 is equal to or greater than the third reference pressure, the control device 170 may block gas from flowing into the chamber 111. When the powder supply unit 112 is not easily discharged, the powder supply unit 112 may be damaged by the pressure applied to the chamber 111. In this embodiment, when a certain level of pressure is detected, the chamber 111 is It can block gas from flowing into the interior.

한편 제어 장치(170)는 파우더가 파우더 분사 장치(130)로부터 파우더 공급 장치(110)로 역류하면 파우더 공급기(112)의 작동을 중지시킬 수 있다. 제어 장치(170)는 챔버(111)의 내부에 음압(예를 들어, 진공 상태)이 걸려 있거나, 파우더 분사 장치(130)의 내부 압력이 파우더 공급 장치(110)의 내부 압력보다 크면, 상기의 기능을 수행할 수 있다.Meanwhile, the control device 170 may stop the operation of the powder feeder 112 when the powder flows back from the powder spraying device 130 to the powder supply device 110. When the control device 170 has a negative pressure (for example, in a vacuum state) inside the chamber 111, or the internal pressure of the powder spraying device 130 is greater than the internal pressure of the powder supply device 110, the above Function can be performed.

종래의 설비 코팅 시스템은 30㎛ 사이즈의 파우더를 이용하여 수십 마이크로 단위의 코팅 구조를 가지는 코팅막을 형성하였다. 그러나 이 코팅막은 다공성의 특성을 가지기 때문에 코팅 품질이 저하되는 단점이 있었다.In the conventional equipment coating system, a coating film having a coating structure of tens of microns was formed by using a powder having a size of 30 μm. However, since this coating film has a characteristic of porosity, there is a disadvantage in that the coating quality is deteriorated.

반면 본 실시예에 따른 설비 코팅 시스템(100)은 3㎛ ~ 8㎛ 사이즈의 파우더를 이용하여 식각 공정이 수행되는 챔버의 내벽(150)에 수 마이크로 단위의 미세 코팅 구조를 가지는 코팅층(160)을 형성한다. 설비 코팅 시스템(100)은 이를 통해 보다 치밀하고 물리적 특성 및 기계적 특성이 개선된 코팅층(160)을 형성할 수 있으며, 코팅 품질을 향상시킬 수 있다.On the other hand, in the equipment coating system 100 according to the present embodiment, a coating layer 160 having a fine coating structure of several microns is formed on the inner wall 150 of the chamber in which the etching process is performed using a powder having a size of 3 μm to 8 μm. To form. The equipment coating system 100 may form the coating layer 160 with improved physical properties and mechanical properties through this, and improve coating quality.

또한 종래의 설비 코팅 시스템은 30㎛보다 작은 사이즈의 파우더를 이용하기 위해, 물, 에탄올, 파우더 등이 혼합된 슬러리(slurry)로 코팅막을 형성하기도 하였다. 그러나 이 코팅막은 부수적인 오염물이 발생하는 단점이 있었다.In addition, in the conventional equipment coating system, in order to use a powder having a size smaller than 30 μm, a coating film was formed with a slurry in which water, ethanol, and powder were mixed. However, this coating film had the disadvantage of generating incidental contaminants.

반면 본 실시예에 따른 설비 코팅 시스템(100)은 파우더만을 이용하여 코팅층(160)을 형성하기 때문에, 부수적인 오염물을 발생시키지 않는다.On the other hand, since the equipment coating system 100 according to the present embodiment forms the coating layer 160 using only powder, no incidental contaminants are generated.

본 실시예에 따른 설비 코팅 시스템(100)은 이상 설명한 바와 같이 부수적인 오염물을 발생시키지 않으면서, 파우더의 사이즈를 줄여 코팅 품질이 향상된 코팅층(160)을 형성함으로써, 반도체 식각 공정과 같이 극미량의 불순물과 나노 사이즈의 파티클에 영향을 받는 크리티컬한 공정에 적용되기에 적합하다.As described above, the equipment coating system 100 according to the present embodiment forms the coating layer 160 with improved coating quality by reducing the size of the powder without generating incidental contaminants, as described above, thereby forming a very small amount of impurities such as a semiconductor etching process. It is suitable for application in critical processes that are affected by and nano-sized particles.

파우더 공급 장치(110)는 앞서 설명한 바와 같이 미세 크기의 파우더를 파우더 분사 장치(130)로 균일하게 공급하기 위해, 밀폐된 챔버(111)의 내부에 파우더 공급기(112)를 배치하며, 챔버(111)의 내부를 가압하는 것을 특징으로 한다.The powder supply device 110 arranges the powder supply unit 112 inside the sealed chamber 111 in order to uniformly supply the fine-sized powder to the powder spray device 130 as described above, and the chamber 111 ) Characterized in that it pressurizes the inside of.

파우더 공급 장치(110)는 이를 위해 도 2에 도시된 구조로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예에서 파우더 공급 장치(110)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다. 파우더 공급 장치(110)는 밀폐된 챔버(111)의 내부에 파우더 공급기(112)를 배치하며, 챔버(111)의 내부를 가압할 수 있다면, 어떠한 구조로 형성되어도 무방하다.The powder supply device 110 may be formed in the structure shown in FIG. 2 for this purpose. However, the structure of the powder supply device 110 in this embodiment is not limited thereto. The powder supply device 110 arranges the powder supply unit 112 inside the sealed chamber 111 and may be formed in any structure as long as the inside of the chamber 111 can be pressurized.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치의 내부 구조를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the internal structure of a powder supply device according to an embodiment of the present invention.

도 2에 따르면, 파우더 공급 장치(110)는 챔버(111) 및 파우더 공급기(112)를 포함하여 구성될 수 있다.According to FIG. 2, the powder supply device 110 may include a chamber 111 and a powder supply unit 112.

챔버(111)는 내부에 파우더 공급기(112)를 구비하는 것으로서, 몸체부(210), 입구부(220) 및 출구부(230)를 포함하여 구성될 수 있다.The chamber 111 is provided with a powder supply unit 112 therein, and may be configured to include a body portion 210, an inlet portion 220, and an outlet portion 230.

몸체부(210)는 사방이 밀폐되도록 형성되며, 파우더 공급기(112)를 내부에 구비하기 위해 내부가 비어 있는 형태로 형성된다. 이러한 몸체부(210)는 파우더 공급기(112)에 파우더를 공급하기 위해 일측에 입구부(220)를 구비하며, 파우더 공급기(112)를 통해 파우더를 외부로 토출하기 위해 타측에 출구부(230)를 구비한다.The body part 210 is formed to be sealed in all directions, and is formed in a form in which the inside is empty to provide the powder supply unit 112 therein. This body part 210 has an inlet part 220 on one side to supply powder to the powder feeder 112, and an outlet part 230 on the other side to discharge the powder to the outside through the powder feeder 112 It is equipped with.

입구부(220)와 출구부(230)는 몸체부(210)의 표면에 각각 적어도 하나 형성될 수 있다. 이러한 입구부(220)와 출구부(230)는 도 2에 도시된 바와 같이 서로 다른 측에 형성될 수 있으나, 같은 측에 형성되는 것도 가능하다.At least one inlet portion 220 and outlet portion 230 may be formed on the surface of the body portion 210, respectively. The inlet portion 220 and the outlet portion 230 may be formed on different sides as shown in FIG. 2, but may be formed on the same side.

파우더 공급기(120)는 챔버(111)의 입구부(220)를 통해 공급된 파우더를 흡입하여 챔버(111)의 출구부(230)를 통해 파우더 분사 장치(130)로 토출하는 기능을 수행한다. 이러한 파우더 공급기(120)는 앞서 설명한 바와 같이 파우더 피더로 구현될 수 있으며, 특히 써클 피더(circle feeder) 형태로 구현될 수 있다.The powder supplier 120 performs a function of sucking the powder supplied through the inlet 220 of the chamber 111 and discharging it to the powder spraying device 130 through the outlet 230 of the chamber 111. As described above, the powder feeder 120 may be implemented as a powder feeder, and in particular, may be implemented in the form of a circle feeder.

이하에서는 파우더 공급기(120)가 써클 피더 형태로 구현되는 경우를 예시로 하여 설명할 것이나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a case where the powder feeder 120 is implemented in the form of a circle feeder will be described as an example, but the present embodiment is not limited thereto.

파우더 공급기(120)는 흡입부(310), 정량 공급부(320), 토출부(330) 및 제어부(340)를 포함하여 구성될 수 있다.The powder supplier 120 may include a suction unit 310, a quantitative supply unit 320, a discharge unit 330, and a control unit 340.

흡입부(310)는 챔버(111)의 입구부(220)를 통해 공급되는 파우더를 흡입하는 것이다. 파우더는 가스와 혼합된 상태로 챔버(111)의 입구부(220)를 통해 챔버(111)의 내부로 유입될 수 있다. 이때 흡입부(310)는 중력에 의해 자유 낙하하는 파우더를 흡입할 수 있다.The suction part 310 sucks powder supplied through the inlet part 220 of the chamber 111. The powder may be introduced into the chamber 111 through the inlet 220 of the chamber 111 while being mixed with the gas. At this time, the suction unit 310 may suck the powder falling freely by gravity.

한편 본 실시예에서는 파우더와 가스를 혼합하여 동시에 공급하는 데에 한정되지 않고, 파우더와 가스를 분리하여 서로 다른 시간에 공급하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the present embodiment, the powder and gas are not limited to being mixed and supplied at the same time, and the powder and gas may be separated and supplied at different times.

정량 공급부(320)는 파우더의 토출량이 균일해지도록 정량의 파우더를 토출부(330)로 공급하는 것이다. 정량 공급부(320)는 이를 위해 도 3에 도시된 바와 같이 제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322), 제3 회전 부재(323) 및 회전축(324)을 포함하여 구성될 수 있다.The quantitative supply unit 320 supplies a quantity of powder to the discharge unit 330 so that the discharge amount of the powder is uniform. For this purpose, the quantitative supply unit 320 may be configured to include a first rotating member 321, a second rotating member 322, a third rotating member 323, and a rotating shaft 324 as shown in FIG. 3. .

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치에 구비되는 정량 공급부의 분해 사시도이다. 이하 설명은 도 2 및 도 3을 참조한다.3 is an exploded perspective view of a quantitative supply unit provided in the powder supply device according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIGS. 2 and 3.

제1 회전 부재(321)는 기어 형태의 회전체이다. 이러한 제1 회전 부재(321)는 측면에 소정 개수의 돌기(예를 들어, 8개의 돌기)를 포함할 수 있다.The first rotating member 321 is a gear-shaped rotating body. The first rotation member 321 may include a predetermined number of protrusions (eg, eight protrusions) on the side surface.

제2 회전 부재(322)는 제1 회전 부재(321)와 마찬가지로 기어 형태의 회전체이다. 이러한 제2 회전 부재(322)도 측면에 소정 개수의 돌기(예를 들어, 16개의 돌기)를 포함할 수 있다.Like the first rotating member 321, the second rotating member 322 is a rotating body in the form of a gear. The second rotation member 322 may also include a predetermined number of protrusions (eg, 16 protrusions) on the side surface.

제2 회전 부재(322)는 제1 회전 부재(321)와 소정 간격 떨어진 상태로 제1 회전 부재(321) 아래에 형성될 수 있다. 또한 제2 회전 부재(322)는 제3 회전 부재(323)와 소정 간격 떨어진 상태로 제3 회전 부재(323) 위에 형성될 수 있다.The second rotation member 322 may be formed under the first rotation member 321 with a predetermined distance from the first rotation member 321. In addition, the second rotation member 322 may be formed on the third rotation member 323 in a state spaced apart from the third rotation member 323 by a predetermined distance.

제2 회전 부재(322)는 측면에 제1 회전 부재(321)보다 더 많은 개수의 돌기를 포함할 수 있다. 제2 회전 부재(322)가 이와 같이 형성되면, 한번에 제1 회전 부재(321)보다 더 적은 양의 파우더를 제3 회전 부재(323)로 전달할 수 있다. 제2 회전 부재(322)의 이러한 역할은 파우더가 미세 크기를 가지더라도 쉽게 토출될 수 있도록 하는 데에 기여할 수 있다.The second rotation member 322 may include a larger number of protrusions on the side surface than the first rotation member 321. When the second rotation member 322 is formed in this way, a smaller amount of powder than the first rotation member 321 may be transferred to the third rotation member 323 at a time. This role of the second rotating member 322 may contribute to allowing the powder to be easily discharged even if it has a fine size.

제3 회전 부재(323)는 원판 형태의 회전체이다. 이러한 제3 회전 부재(323)는 제1 회전 부재(321) 및 제2 회전 부재(322)를 거쳐 상면에 떨어진 파우더를 측 방향에 위치하는 토출부(330)로 전달하는 기능을 한다.The third rotating member 323 is a disk-shaped rotating body. The third rotation member 323 functions to transfer the powder that has fallen on the upper surface through the first rotation member 321 and the second rotation member 322 to the discharge unit 330 positioned in the lateral direction.

제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322) 및 제3 회전 부재(323)는 회전축(324)를 통해 동일 방향으로 회전할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322) 및 제3 회전 부재(323) 중 몇몇은 서로 다른 방향으로 회전하는 것도 가능하다.The first rotation member 321, the second rotation member 322, and the third rotation member 323 may rotate in the same direction through the rotation shaft 324. However, this embodiment is not limited thereto. Some of the first rotation member 321, the second rotation member 322, and the third rotation member 323 may rotate in different directions.

제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322) 및 제3 회전 부재(323)는 동일 속도로 회전할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322) 및 제3 회전 부재(323) 중 몇몇은 서로 다른 속도로 회전하는 것도 가능하다.The first rotation member 321, the second rotation member 322, and the third rotation member 323 may rotate at the same speed. However, this embodiment is not limited thereto. Some of the first rotation member 321, the second rotation member 322, and the third rotation member 323 may rotate at different speeds.

한편 정량 공급부(320)는 제1 회전 부재(321)와 제2 회전 부재(322) 중 어느 하나와 제3 회전 부재(323)를 구비하여 작동하는 것도 가능하다.Meanwhile, the quantitative supply unit 320 may be operated by having any one of the first rotating member 321 and the second rotating member 322 and a third rotating member 323.

다음으로 정량 공급부(320)의 작동 방법에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치에 구비되는 정량 공급부의 작동 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 4를 참조한다.Next, a method of operating the quantitative supply unit 320 will be described. 4 is a flowchart sequentially showing a method of operating a quantitative supply unit provided in the powder supply device according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 4.

파우더(180)가 챔버(111)의 입구부(220)를 통해 챔버(111)의 내부로 유입되면, 제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322) 및 제3 회전 부재(323)는 회전 운동을 시작한다.When the powder 180 flows into the chamber 111 through the inlet 220 of the chamber 111, the first rotating member 321, the second rotating member 322, and the third rotating member 323 Starts the rotational movement.

챔버(111)의 내부로 유입된 파우더(180)는 파우더 공급기(112)의 흡입부(310)를 통해 파우더 공급기(112)의 내부로 유입된다. 이때 파우더(180)는 제1 회전 부재(321)의 복수개의 돌기 사이에 형성된 공간 및 제2 회전 부재(322)의 복수개의 돌기 사이에 형성된 공간을 차례대로 거쳐 제3 회전 부재(323) 상에 안착된다(S410, S420).The powder 180 introduced into the chamber 111 is introduced into the powder supply unit 112 through the suction unit 310 of the powder supply unit 112. At this time, the powder 180 sequentially passes through a space formed between the plurality of protrusions of the first rotating member 321 and a space formed between the plurality of protrusions of the second rotating member 322 on the third rotating member 323 It is settled (S410, S420).

이후 파우더(180)는 제3 회전 부재(323)의 회전력에 의해 토출부(330) 방향으로 이동하며, 토출부(330)를 거쳐 외부로 토출된다(S430).Thereafter, the powder 180 moves in the direction of the discharge part 330 by the rotational force of the third rotation member 323 and is discharged to the outside through the discharge part 330 (S430).

다시 도 2를 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 2.

토출부(330)는 파우더 공급기(112)로 유입된 파우더를 챔버(111)의 출구부(230)를 통해 외부로 토출하는 것이다. 이러한 토출부(330)는 파우더의 토출이 가능하게 내부가 비어 있는 형태로 파우더 공급기(112)의 측면에 형성될 수 있다.The discharge unit 330 discharges the powder introduced into the powder supply unit 112 to the outside through the outlet unit 230 of the chamber 111. The discharge part 330 may be formed on the side of the powder supply unit 112 in a form in which the inside is empty so that the powder can be discharged.

토출부(330)는 챔버(111)의 출구부(230)를 통해 연결 부재(120)와 연결될 수 있다. 그러면 파우더는 토출부(330)를 통해 토출된 후 연결 부재(120)를 거쳐 파우더 분사 장치(130)로 유입되는 것이 가능해진다.The discharge part 330 may be connected to the connection member 120 through the outlet part 230 of the chamber 111. Then, the powder can be discharged through the discharge unit 330 and then introduced into the powder spraying device 130 through the connection member 120.

제어부(340)는 파우더 공급기(112)의 작동을 제어하는 것이다. 이러한 제어부(340)는 회전축(324)을 회전시켜 제1 회전 부재(321), 제2 회전 부재(322) 및 제3 회전 부재(323)가 회전하도록 제어할 수 있다.The control unit 340 is to control the operation of the powder supply unit 112. The control unit 340 may control the first rotation member 321, the second rotation member 322, and the third rotation member 323 to rotate by rotating the rotation shaft 324.

다음으로 파우더 공급기(112)의 작동 방법에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 파우더 공급 장치에 구비되는 파우더 공급기의 작동 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 5를 참조한다.Next, a method of operating the powder supply unit 112 will be described. 5 is a flowchart sequentially showing a method of operating a powder supply device provided in the powder supply device according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 5.

파우더와 가스의 혼합물이 입구부(220)를 통해 챔버(111)의 내부로 유입되면(S510), 밸브(140)가 개방되며, 챔버(111)의 내부에 구비되어 있는 파우더 공급기(112)가 작동하기 시작한다.When a mixture of powder and gas flows into the interior of the chamber 111 through the inlet 220 (S510), the valve 140 is opened, and the powder supply unit 112 provided in the chamber 111 is It starts to work.

본 실시예에서 가스의 챔버(111) 내 유입과 밸브(140)의 개방은 동시에 수행될 수 있으나, 시간차를 두고 어느 하나가 먼저 수행되는 것도 가능하다.In the present embodiment, the inflow of gas into the chamber 111 and opening of the valve 140 may be performed simultaneously, but any one may be performed first with a time difference.

파우더는 산화이트륨(Y2O3), 산화알루미늄(Al2O3) 및 이산화규소(SiO2) 중에서 적어도 하나를 포함하는 코팅 물질로 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예에서 파우더의 성분이 이에 한정되는 것은 아니다.The powder may be formed of a coating material including at least one of yttrium oxide (Y 2 O 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and silicon dioxide (SiO 2 ). However, the component of the powder in this embodiment is not limited thereto.

가스는 비활성 가스로서, 헬륨(He), 아르곤(Ar), 질소(N2) 및 수소(H2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예에서 가스의 성분이 이에 한정되는 것은 아니다.The gas is an inert gas and may include at least one of helium (He), argon (Ar), nitrogen (N 2 ), and hydrogen (H 2 ). However, the gas component in this embodiment is not limited thereto.

한편 파우더는 가스와 혼합되지 않고 단독으로 입구부(220)를 통해 챔버(111)의 내부로 유입되는 것도 가능하다.On the other hand, the powder may not be mixed with gas and may be introduced into the chamber 111 through the inlet 220 alone.

이후 파우더 공급기(112)는 파우더를 흡입한 후 정량 공급부(320) 및 토출부(330)를 거쳐 파우더를 토출한다.Thereafter, the powder supply unit 112 inhales the powder and then discharges the powder through the quantitative supply unit 320 and the discharge unit 330.

그런데 파우더의 크기가 미세 크기(예를 들어, 30㎛ 미만의 크기)일 경우, 파우더 공급기(112)가 파우더를 피딩시, 파우더가 토출부(330)를 통해 균일하게 토출되지 않을 수 있다.However, when the size of the powder is a fine size (eg, a size of less than 30 μm), when the powder supply unit 112 feeds the powder, the powder may not be uniformly discharged through the discharge unit 330.

본 실시예에서는 챔버(111)의 내부로 유입된 가스가 파우더 공급기(112)를 가압하는 역할을 함으로써, 파우더가 토출부(330)를 통해 균일하게 토출되도록 할 수 있다(S520). 파우더 공급기(112)의 가압은 파우더가 투입되는 부분의 압력과 파우더가 토출되는 부분의 압력을 동일하게 유지시켜, 파우더가 미세 크기를 갖더라도 토출부(330)에서 막히거나 뭉쳐지지 않게 파우더를 강제로 토출시키려는 물리적 힘으로 작용하기 때문이다.In this embodiment, the gas introduced into the chamber 111 serves to pressurize the powder supply unit 112, so that the powder can be uniformly discharged through the discharge unit 330 (S520). Pressurization of the powder supply unit 112 maintains the same pressure at the portion into which the powder is injected and the pressure at the portion where the powder is discharged, and forces the powder to prevent clogging or clumping in the discharge unit 330 even if the powder has a fine size. This is because it acts as a physical force to be discharged.

파우더가 토출부(330)를 통해 균일하게 토출된다면, 연결 부재(120)를 거쳐 파우더 분사 장치(130)까지 이송되는 데에는 아무런 문제가 발생하지 않는다.If the powder is uniformly discharged through the discharge unit 330, no problem occurs in being transferred to the powder spraying device 130 through the connection member 120.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting.

100: 설비 코팅 시스템 110: 파우더 공급 장치
111: 챔버 112: 파우더 공급기
113: 압력 측정 센서 120: 연결 부재
130: 파우더 분사 장치 140: 밸브
160: 코팅층 170: 제어 장치
210: 몸체부 220: 입구부
230: 출구부 310: 흡입부
320: 정량 공급부 321: 제1 회전 부재
322: 제2 회전 부재 323: 제3 회전 부재
324: 회전축 330: 토출부
340: 제어부100: equipment coating system 110: powder supply device
111: chamber 112: powder feeder
113: pressure measuring sensor 120: connection member
130: powder spraying device 140: valve
160: coating layer 170: control device
210: body 220: inlet
230: outlet 310: suction
320: fixed amount supply unit 321: first rotating member
322: second rotation member 323: third rotation member
324: rotation shaft 330: discharge unit
340: control unit

Claims (9)

밀폐 구조를 가지는 챔버; 및
상기 챔버의 내부에 구비되고, 상기 챔버의 내부로 유입되는 파우더를 상기 챔버의 외부로 토출시키며, 기어 형상의 회전체인 제1 회전 부재 및 제2 회전 부재, 및 원판 형상의 회전체인 제3 회전 부재를 포함하는 파우더 공급기를 포함하며,
상기 챔버의 내부 압력을 높이기 위한 가스를 상기 챔버의 내부로 유입시켜 상기 파우더 공급기를 가압하되, 상기 챔버에서 상기 파우더가 투입되는 부분의 압력과 상기 파우더가 토출되는 부분의 압력이 동일해지도록 상기 파우더 공급기를 가압하고,
상기 제2 회전 부재는 상기 제1 회전 부재보다 크기가 작고 더 많은 개수의 돌기를 포함하며,
상기 파우더는 상기 제1 회전 부재의 돌기 사이에 형성되는 공간 및 상기 제2 회전 부재의 돌기 사이에 형성되는 공간을 차례대로 거쳐 상기 제3 회전 부재 상에 낙하되어 상기 챔버의 외부로 정량 토출되는 파우더 공급 장치.A chamber having a closed structure; And
It is provided inside the chamber, and discharges the powder flowing into the chamber to the outside of the chamber, a first rotating member and a second rotating member of a gear-shaped rotating body, and a third rotating member of a disk shape It includes a powder feeder comprising a rotating member,
The powder supply is pressurized by introducing a gas for increasing the internal pressure of the chamber into the interior of the chamber, and the powder so that the pressure of the portion into which the powder is injected and the pressure of the portion into which the powder is discharged are the same in the chamber. Pressurize the feeder,
The second rotation member is smaller in size than the first rotation member and includes a larger number of protrusions,
The powder is dropped onto the third rotating member through the space formed between the protrusions of the first rotating member and the space formed between the protrusions of the second rotating member in turn, and is quantitatively discharged to the outside of the chamber. Feeding device. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버의 표면에 설치되어 상기 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정 센서를 더 포함하며,
상기 파우더 공급기는 상기 챔버의 내부 압력이 기준 압력 이상일 때 작동하는 파우더 공급 장치.The method of claim 1,
Further comprising a pressure measurement sensor installed on the surface of the chamber to measure the internal pressure of the chamber,
The powder supply device is a powder supply device that operates when the internal pressure of the chamber is higher than the reference pressure. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버의 표면에 설치되어 상기 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정 센서를 더 포함하며,
상기 챔버의 내부 압력이 기준 압력 이상이거나, 상기 챔버의 내부 압력이 외부 압력 이하일 때 상기 가스가 상기 챔버의 내부로 유입되는 것이 차단되는 파우더 공급 장치.The method of claim 1,
Further comprising a pressure measurement sensor installed on the surface of the chamber to measure the internal pressure of the chamber,
A powder supply device in which the gas is blocked from flowing into the chamber when the internal pressure of the chamber is equal to or higher than the reference pressure or the internal pressure of the chamber is equal to or lower than the external pressure. 제 1 항에 있어서,
상기 파우더 공급기는,
상기 파우더를 흡입하는 흡입부; 및
상기 파우더를 토출하는 토출부를 더 포함하는 파우더 공급 장치.The method of claim 1,
The powder feeder,
A suction unit for sucking the powder; And
Powder supply device further comprising a discharge unit for discharging the powder. 삭제delete 파우더를 공급하는 파우더 공급 장치;
상기 파우더를 분사하여 반도체 제조 설비를 코팅하는 파우더 분사 장치;
상기 파우더 공급 장치와 상기 파우더 분사 장치를 연결하며, 상기 파우더의 이송을 제어하는 밸브를 구비하는 연결 부재; 및
상기 밸브를 제어하는 제어 장치를 포함하며,
상기 파우더 공급 장치는,
밀폐 구조를 가지는 챔버; 및
상기 챔버의 내부에 구비되고, 상기 챔버의 내부로 유입되는 파우더를 상기 챔버의 외부로 토출시키며, 기어 형상의 회전체인 제1 회전 부재 및 제2 회전 부재, 및 원판 형상의 회전체인 제3 회전 부재를 포함하는 파우더 공급기를 포함하며,
상기 챔버의 내부 압력을 높이기 위한 가스를 상기 챔버의 내부로 유입시켜 상기 파우더 공급기를 가압하되, 상기 챔버에서 상기 파우더가 투입되는 부분의 압력과 상기 파우더가 토출되는 부분의 압력이 동일해지도록 상기 파우더 공급기를 가압하고,
상기 제2 회전 부재는 상기 제1 회전 부재보다 크기가 작고 더 많은 개수의 돌기를 포함하며,
상기 파우더는 상기 제1 회전 부재의 돌기 사이에 형성되는 공간 및 상기 제2 회전 부재의 돌기 사이에 형성되는 공간을 차례대로 거쳐 상기 제3 회전 부재 상에 낙하되어 상기 챔버의 외부로 정량 토출되는 설비 코팅 시스템.A powder supply device for supplying powder;
A powder spraying device for spraying the powder to coat semiconductor manufacturing equipment;
A connection member that connects the powder supply device and the powder spray device and includes a valve for controlling the transfer of the powder; And
And a control device for controlling the valve,
The powder supply device,
A chamber having a closed structure; And
It is provided inside the chamber, and discharges the powder flowing into the chamber to the outside of the chamber, a first rotating member and a second rotating member of a gear-shaped rotating body, and a third rotating member of a disk shape It includes a powder feeder comprising a rotating member,
The powder supply is pressurized by introducing a gas for increasing the internal pressure of the chamber into the interior of the chamber, and the powder so that the pressure of the portion into which the powder is injected and the pressure of the portion into which the powder is discharged are the same in the chamber. Pressurize the feeder,
The second rotation member is smaller in size than the first rotation member and includes a larger number of protrusions,
The powder is dropped onto the third rotating member through the space formed between the protrusions of the first rotating member and the space formed between the protrusions of the second rotating member in sequence, and is quantitatively discharged to the outside of the chamber. Coating system. 제 6 항에 있어서,
상기 파우더 공급 장치는,
상기 챔버의 표면에 설치되어 상기 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정 센서를 더 포함하며,
상기 제어 장치는 상기 챔버의 내부 압력과 기준 압력을 비교하여 얻은 결과를 기초로 상기 밸브를 제어하는 설비 코팅 시스템.The method of claim 6,
The powder supply device,
Further comprising a pressure measurement sensor installed on the surface of the chamber to measure the internal pressure of the chamber,
The control device is an equipment coating system for controlling the valve based on a result obtained by comparing the internal pressure of the chamber with a reference pressure. 제 6 항에 있어서,
상기 제어 장치는 상기 챔버의 내부에 상기 가스가 유입되는지 여부를 기초로 상기 밸브를 제어하는 설비 코팅 시스템.The method of claim 6,
The control device is a equipment coating system that controls the valve based on whether the gas flows into the chamber. 제 6 항에 있어서,
상기 설비 코팅 시스템은 상기 반도체 제조 설비에서 식각 공정이 수행되는 공정 챔버의 내벽을 코팅하는 데에 이용되는 설비 코팅 시스템.The method of claim 6,
The equipment coating system is a equipment coating system used to coat an inner wall of a process chamber in which an etching process is performed in the semiconductor manufacturing equipment.
KR1020190055277A 2019-05-10 2019-05-10 Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus KR102220056B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190055277A KR102220056B1 (en) 2019-05-10 2019-05-10 Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190055277A KR102220056B1 (en) 2019-05-10 2019-05-10 Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200130012A KR20200130012A (en) 2020-11-18
KR102220056B1 true KR102220056B1 (en) 2021-02-25

Family

ID=73698131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190055277A KR102220056B1 (en) 2019-05-10 2019-05-10 Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102220056B1 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010039473B4 (en) * 2010-08-18 2014-11-20 Gema Switzerland Gmbh Powder supply device for a powder coating system
KR20160045310A (en) * 2014-10-17 2016-04-27 고등기술연구원연구조합 High pressure powder sample supplying apparatus having function for preventing briging
KR20170039830A (en) * 2015-10-02 2017-04-12 박보현 Supply Apparatus and Method for Quantitative Distribution
KR20170075217A (en) * 2015-12-23 2017-07-03 주식회사 연합축산 Provender provision construct for domestic animals
KR20180129156A (en) 2017-05-25 2018-12-05 (주)코미코 Method of Aerosol Deposition Coating for Plasma Resistant Coating

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200130012A (en) 2020-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9976216B2 (en) Atomic-layer deposition apparatus
CN104704606B (en) For the chemical compatibility coating material of particle properties on the wafer of advanced device
KR100229557B1 (en) Deposition and etching process method
TWI681820B (en) Showerhead for use in a semiconductor processing apparatus, semiconductor processing station and semiconductor processing tool
US20160240419A1 (en) Atomic-layer deposition substrate
US9499906B2 (en) Coating substrate using bernoulli atomic-layer deposition
CN108472676B (en) Droplet coating and film forming apparatus and droplet coating and film forming method
US7275749B2 (en) Substrate supporting apparatus
US6302960B1 (en) Photoresist coater
CN110769941B (en) Coating head of mist coating film forming apparatus and maintenance method thereof
TW200843901A (en) System and methods for polishing a wafer
JP2012209299A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US9506147B2 (en) Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet
CN101026085A (en) Semiconductor device manufacturing equipment with vacuum system
KR102220056B1 (en) Apparatus for supplying powder and system for coating equipment with the apparatus
US20180151394A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2004349501A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20030217762A1 (en) Water supply apparatus and method thereof
JP4602699B2 (en) Spray coating apparatus and spray coating method
US9528184B2 (en) Atomic-layer deposition method using compound gas jet
JP2008088451A (en) Film deposition method and film deposition system
EP2878703A1 (en) Metal oxide-polymer laminate and production method thereof
TWI593827B (en) Composite structure
JP2000015147A (en) Electrostatic coating application and electrostatic coating applicator
CN109891566A (en) The customizable wet processing system of intelligence

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)