KR102218984B1 - 공중 부유형 나노와이어 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어는, 기판 상에 배치된 제1 전극과, 기판 상에 배치되고 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 기판 상에 공중 부유되는 나노와이어로, 공중 부유형 나노와이어의 길이방향과 직교하는 방향의 단면은 하나 이상의 굴곡부를 포함하고, 굴곡부는 기준면; 및 기준면으로부터 하측으로 연장 형성된 하나 이상의 측면;을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 공중 부유형 나노와이어 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
나노 기술의 발전에 따라 전기적, 기계적 특성이 뛰어난 나노와이어의 연구가 다양한 분야에서 진행되고 있다.
이러한 나노와이어는 물리적 크기가 매우 작아서 나노와이어를 정확한 위치에 배치하고 특정한 방향으로 정렬시키기 어려운 문제점을 갖는다.
특히, 열전 에너지 수확 소자, 나노와이어 히터, 나노와이어 기반 트랜지스터, 화학센서(독성가스 등 특정 분자 감지), 압전 에너지 수확 소자 등에 적용되는 나노와이어의 경우, 기판으로의 열 빠짐, 기판과 나노와이어 사이의 스트레스, 나노와이어 표면의 가려짐 등의 문제로 인해 나노와이어의 우수한 재료적 특성을 발현할 수 없다.
따라서, 나노와이어의 우수한 재료적 특성을 발현할 수 있도록 기판 위에 안정적으로 공중 부유할 수 있는 나노와이어의 개발이 필요한 실정이다.
그러나 종래 기술들은, 나노와이어의 다양한 제조 방법에 대해 기재하고 있으나, 나노와이어의 구조적인 안정성을 향상시킬 수 있는 제조 방법에 대해서는 기재하고 있지 않다.
따라서, 공중 부유된 나노와이어의 길이가 길어짐에 따라 더욱 부각되는 인접한 나노와이어 간의 stiction(도 1의 (a) 참조), 잔류 응력 또는 질량 로드에 의한 끊어짐(도 1의 (b) 참조) 등의 문제점을 해결할 수 있는 휘어짐에 강하고, 나노와이어 간의 이격거리가 가까워도 안정적으로 공중 부유할 수 있는 구조적인 안정성이 향상된 나노와이어의 개발이 필요한 실정이다.
논문 Nanotechnology 2014 25, 345501.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는, 나노와이어의 길이와 상관없이 서로 인접한 나노와이어 간의 stiction, 잔류 응력에 의한 휘어짐 또는 끊어짐, 전극 등의 질량 로드에 의한 끊어짐 등의 문제점을 해결할 수 있는 휘어짐에 강하고 안정적인 공중 부유가 가능하도록 구조적 안정성이 향상된 나노와이어의 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어는, 기판 상에 배치된 제1 전극과, 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 상기 기판 상에 공중 부유되는 공중 부유형 나노와이어로, 상기 공중 부유형 나노와이어의 길이방향과 직교하는 방향의 단면은 하나 이상의 굴곡부를 포함하고, 상기 굴곡부는 상기 기판과 평행한 방향으로 연장 형성되는 제1영역과, 상기 기판과 직교하는 방향으로 연장 형성되는 제2영역을 포함하고, 상기 제1영역의 최대 두께는 상기 제2영역의 최대 두께보다 클 수 있다.
또한, 상기 굴곡부는 상기 기판과 평행한 기준면; 및 상기 기준면으로부터 하측 또는 상측으로 연장 형성된 하나 이상의 측면;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 굴곡부는 상기 기판과 평행한 기준면; 및 상기 기준면으로부터 하측 또는 상측으로 연장 형성된 하나 이상의 측면;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 측면은 일단이 상기 기준면의 일단과 접하고, 타단이 상기 기준면으로부터 하측으로 연장 형성될 수 있다.
또한, 상기 단면은 상기 기준면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제1영역; 및 상기 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제2영역;을 포함하는 기역(ㄱ)자 또는 니은(ㄴ)자 형상일 수 있다.
또 다른 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어의 상기 측면은 일단이 상기 기준면의 일단과 접하고, 타단이 상기 기준면으로부터 하측으로 연장 형성된 제1 측면; 및 일단이 상기 기준면의 타단과 접하고 타단이 상기 기준면으로부터 하측으로 연장 형성된 제2 측면;을 포함할 수 있다.
삭제
또한, 상기 단면은 상기 기준면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제1영역; 상기 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제2영역;을 포함하고, 상기 제2영역은 상기 제1 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 제3영역; 및 상기 제2 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 제4영역;을 포함하고, 상기 단면은 디귿(ㄷ)자 형상일 수 있다.
또한, 상기 제3영역의 최대 두께는 상기 제4영역의 최대 두께와 같거나 다르고, 상기 제1영역의 최대 두께는 상기 제3영역의 최대 두께와 상기 제4영역의 최대 두께 중 더 큰 값보다 클 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 열전 소자, 압전 소자, 나노와이어 히터, 트랜지스터, 화학 센서, 적외선 발광기 중 어느 하나의 구성일 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판 상에 배치된 제1 전극과, 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 상기 기판 상에 공중 부유되는 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법은, 돌출부를 하나 이상 포함하는 상기 기판을 제공하는 기판 제공 단계; 상기 돌출부의 일 측 또는 타 측, 중 어느 하나 이상의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 증착물질을 분사하여 증착하는 증착 단계; 및 상기 증착 단계에 의해 단면이 하나 이상의 굴곡부를 포함하여 형성되는 공중 부유형 나노와이어를 상기 기판으로부터 분리하는 분리 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 측면은 일단이 상기 상면의 일단과 접하고, 타단이 상기 상면으로부터 하측으로 연장 형성될 수 있다.
또한, 상기 증착 단계는 상기 돌출부의 일 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 상기 증착물질을 분사하여 상기 돌출부의 상면과 상기 돌출부의 일 측면에 상기 증착물질을 성장하는 단계일 수 있다.
또한, 상기 돌출부의 상면에 성장된 상기 증착물질의 최대 높이는 상기 돌출부의 일 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 높이보다 높거나 같을 수 있다.
또 다른 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법에 있어서 상기 측면은 일단이 상기 상면의 일단과 접하고, 타단이 상기 상면으로부터 하측으로 연장 형성된 제1 측면; 및 일단이 상기 상면의 타단과 접하고 타단이 상기 상면으로부터 하측으로 연장 형성된 제2 측면;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 증착 단계는 상기 돌출부의 일 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 상기 증착물질을 분사하여 증착하는 제1 증착단계; 및 상기 돌출부의 타 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 상기 증착물질을 분사하여 증착하는 제2 증착단계;를 포함하고, 상기 제1 증착단계와 상기 제2증착단계의 경사 각도는 서로 같거나 다를 수 있다.
또한, 상기 돌출부의 일 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께와 상기 돌출부의 타 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께는 같거나 다르고, 상기 돌출부의 상면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께는 상기 돌출부의 일 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께와 상기 돌출부의 타 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께 중 더 큰 값보다 클 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 나노와이어 및 이의 제조 방법를 사용하면, 나노와이어의 우수한 재료적 특성을 기판의 영향 없이 활용할 수 있어 다양한 응용분야의 우수한 소자를 개발할 수 있는 이점이 있다.
또한, 기계적인 안정성이 높아 나노와이어의 길이가 길어져도 잔류 응력 또는 전극의 질량 로드 등에 의한 휘어짐이나 끊어짐이 없이 사용할 수 있는 이점이 있다.
또한, 나노와이어와 기판 간 stiction이 발생하지 않고 안정적으로 공중 부유할 수 있는 이점이 있다.
또한, Top-down 방식의 반도체 공정 기반의 제작 과정을 사용하여 대면적에 균일하고 높은 재현성을 갖는 나노와이어를 제작할 수 있다.
또한, 나노와이어를 형성함에 있어서 PVD 방법을 적용하여 다양한 물질로 나노와이어를 형성할 수 있으며, 기판의 종류 또한 나노와이어와 선택적 식각 가능한 물질로 자유로이 적용할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래의 공중 부유형 나노와이어의 문제점을 보여주는 사진으로, (a)는 공중 부유형 나노와이어의 제작 과정에서 기판과 나노와이어 간 stiction이 발생한 사진(비특허문헌 1)이고, (b)는 공중 부유 공정을 마친 나노와이어가 응력을 이기지 못해 절단된 상태의 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어의 설치 예시를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A단면도로, 실시 형태 1의 도면이다.
도 4는 도 2의 A-A단면도로, 실시 형태 2의 도면이다.
도 5의 (a)는 증착물질의 두께를 동일하게 유지하면서 공정 조건(증착물질의 분사 방향 및 분사 각도)을 조절하여 나노와이어의 단면을 변형한 경우를 도시하고, (b)는 공정 조건에 따른 Z방향의 관성 모멘트를, (c)는 공정 조건에 따른 Y방향의 관성 모멘트를 나타내는 그래프이다.
도 6은 SnO2로 형성된 공중 부유형 나노와이어의 정렬 상태를 나타내는 사진으로, (a)는 실시 형태 1의 정렬 상태를, (b)는 실시 형태 2의 정렬 상태를 나타낸다.
도 7은 Pd로 형성된 공중 부유형 나노와이어의 정렬 상태를 나타내는 사진으로, (a)는 실시 형태 1의 정렬 상태를, (b)는 실시 형태 2의 정렬 상태를 나타낸다.
도 8은 공중 부유형 나노와이어의 적용 사례로, (a)는 유해가스 감지 소자, (b)는 발광 소자, (c)는 IR 감지 소자, (d)는 열전 소자에 적용된 경우의 이미지이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 1에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법의 순서도이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어의 설치 예시를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A단면도로, 실시 형태 1의 도면이다.
도 4는 도 2의 A-A단면도로, 실시 형태 2의 도면이다.
도 5의 (a)는 증착물질의 두께를 동일하게 유지하면서 공정 조건(증착물질의 분사 방향 및 분사 각도)을 조절하여 나노와이어의 단면을 변형한 경우를 도시하고, (b)는 공정 조건에 따른 Z방향의 관성 모멘트를, (c)는 공정 조건에 따른 Y방향의 관성 모멘트를 나타내는 그래프이다.
도 6은 SnO2로 형성된 공중 부유형 나노와이어의 정렬 상태를 나타내는 사진으로, (a)는 실시 형태 1의 정렬 상태를, (b)는 실시 형태 2의 정렬 상태를 나타낸다.
도 7은 Pd로 형성된 공중 부유형 나노와이어의 정렬 상태를 나타내는 사진으로, (a)는 실시 형태 1의 정렬 상태를, (b)는 실시 형태 2의 정렬 상태를 나타낸다.
도 8은 공중 부유형 나노와이어의 적용 사례로, (a)는 유해가스 감지 소자, (b)는 발광 소자, (c)는 IR 감지 소자, (d)는 열전 소자에 적용된 경우의 이미지이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 1에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법의 순서도이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태 2에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법의 순서도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시 형태를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시 형태는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시 형태는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시 형태에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시 형태로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시 형태 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어의 설치 예시를 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 A-A단면도로 실시 형태 1의 도면이며, 도 4는 도 2의 A-A단면도로 실시 형태 2의 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명은 기판 상에 배치된 제1 전극과, 기판 상에 배치되고 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 기판 상에 공중 부유되는 공중 부유형 나노와이어에 관한 것이다.
이때 제1 전극과 제2 전극은 열전 소자, 압전 소자, 나노와이어 히터, 트랜지스터, 화학 센서, 적외선 발광기 중 어느 하나의 구성일 수 있으며, 도 8은 공중 부유형 나노와이어의 적용 사례로, (a)는 유해가스 감지 소자, (b)는 발광 소자, (c)는 IR 감지 소자, (d)는 열전 소자에 적용된 경우의 이미지이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 공중 부유용 나노와이어는 길이방향과 직교하는 방향의 단면에 하나 이상의 굴곡부를 포함할 수 있으며, 굴곡부는 기준면(11) 및 기준면(11)으로부터 하측으로 연장 형성된 하나 이상의 측면(21)을 포함할 수 있다.
이때 굴곡부의 기판의 기준면(11)은 상면과 평행할 수 있다.
본 발명에 따른 공중 부유형 나노와이어의 실시 형태 1(이하, 실시 형태 1로 기재)은 도 3에 도시된 바와 같이, 측면(21)의 일단이 기준면(11)의 일단과 접하고, 타단이 기준면(11)으로부터 하측으로 연장되어 형성될 수 있다.
실시 형태 1의 단면은 기준면(11)을 기준으로 외측으로 연장되는 제1영역과 측면(21)을 기준으로 외측으로 연장되는 제2영역을 포함하는 기역(ㄱ)자 형상일 수 있다.
실시 형태 1에서는 타단이 기준면(11)으로부터 하측으로 연장되어 있으나, 이는 일 실시 형태로 본 발명은 공중 부유형 나노와이어의 타단의 연장방향을 한정하지 않는다. 즉, 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법에 따라 타단은 기준면(11)으로부터 상측 또는 하측으로 연장될 수 있으며, 단면은 니은(ㄴ) 또는 기억(ㄱ)자 형상일 수 있다.
실시 형태 1의 제1영역의 최대 높이(H11)와 제2영역의 최대 높이(H21)는 같거나 다를 수 있는데 제1영역의 최대 높이(H11)가 제2영역의 최대 높이(H21)보다 높거나 같은 것이 바람직할 수 있다.
이는, 공중 부유된 상태에서 중력에 의해 가장 큰 스트레스를 받는 부분이 기준면(11) 방향 즉, 제1영역이기 때문에 제1영역의 높이 및 면적을 확대함으로써 제1영역의 단면 이차 모멘트를 향상시켜 공중 부유형 나노와이어의 기계적 성질(탄성 한계, 항복점, 인장 강도, 굽힘, 파단 강도, 연신률, 단면 수축률, 피로 한계 등)을 높이기 위함이다.
본 발명에 따른 공중 부유형 나노와이어의 실시 형태 2(이하, 실시 형태 2로 기재)는 도 4에 도시된 바와 같이, 측면(23)은, 일단이 기준면(12)의 일단과 접하고 타단이 기준면(12)으로부터 하측으로 연장되어 형성된 제1 측면(22)과, 일단이 기준면(12)의 타단과 접하고 타단이 기준면(12)으로부터 하측으로 연장되어 형성된 제2 측면(32)을 포함할 수 있다.
실시 형태 2의 공중 부유형 나노와이어의 단면은 기준면(12)을 기준으로 외측으로 연장되는 제1영역, 제1 측면(22)을 기준으로 외측으로 연장되는 제2영역, 제3 측면(32)을 기준으로 외측으로 연장되는 제3영역을 포함하는 디귿(ㄷ)자 형상일 수 있다.
실시 형태 2에서는 제1 측면(22)과 제2 측면(32)이 기준면(12)으로부터 하측으로 연장되어 있으나, 이는 일 실시 형태로 본 발명은 공중 부유형 나노와이어의 측면(23)의 연장방향을 한정하지 않는다. 즉, 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법에 따라 측면(23)이 기준면(12)으로부터 상측 또는 하측으로 연장될 수 있으며, 단면은 관통부가 아래를 향하는 디귿(ㄷ)자(교집합 기호) 또는 관통부가 위를 향하는 디귿(ㄷ)자(합집합 기호) 형상일 수 있다.
실시 형태 2의 제2영역의 최대 높이(H22)는 제3영역의 최대 높이(H32)와 같거나 다르고, 제1영역의 최대 높이(H12)는 제2영역의 최대 높이(H22) 또는 제3영역의 최대 높이(H32)와 같거나 다를 수 있는데, 제1영역의 최대 높이(H12)는 제2영역과 제3영역의 최대 높이(H22,H32) 중 더 높은 값보다 높거나 같은 것이 바람직할 수 있다. 이는 실시 형태 1과 동일한 이유이므로 생략한다.
도 3 및 도 4는 측면(21,23)이 기준면(11,12)과 직교를 이루는 경우를 도시하고 있으나, 이는 일 실시 형태로 본 발명은 기준면(11,12)과 측면(21,23) 간의 각도를 한정하지 않는다.
또한, 도 3 및 도 4에서는 공중 부유형 나노와이어의 단면을 직선 형태로 도시하였으나, 실제 증착물질의 표면은 울퉁불퉁하거나, 특정 위치가 확연히 높거나 낮은 형태일 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법의 실시 형태 1(이하, 실시 형태 1로 기재)은 도 3에 도시된 공중 부유형 나노와이어의 실시 형태 1을 제조하기 위한 방법이고, 본 발명에 따른 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법의 실시 형태 2(이하, 실시 형태 2로 기재)는 도 4에 도시된 공중 부유형 나노와이어의 실시 형태 2를 제조하기 위한 방법이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 1의 순서도이고, 도 10은 본 발명의 실시 형태 2의 순서도이다.
본 발명은 기판 상에 배치된 제1 전극과, 기판 상에 배치되고 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 기판 상에 공중 부유되는 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법에 관한 것으로, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 기판을 제공하는 기판 제공 단계, 증착물질을 분사하여 증착하는 증착 단계, 소정 두께로 증착이 완료된 증착물질, 즉 나노와이어를 기판에서 분리하여 기판의 표면에서 부유시키는 분리 단계가 순서대로 진행될 수 있다.
도 9 및 도 10에는 미도시 되었으나, 기판을 제공하는 단계 이전에 기판의 상면에서 하면 방향으로 소정 두께만큼 식각하여 돌출부를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
기판 제공 단계는 상면(51,52)과, 상면(51,52)으로부터 하측으로 연장 형성된 하나 이상의 측면(61,63)을 포함하는 돌출부를 하나 이상 포함하는 기판을 제공하는 단계일 수 있다.
이때 제조 기판은 Si 또는 SiO2 나노 그레이팅 기판일 수 있으나, 본 발명은 기판의 재질을 한정하지 않는다.
실시 형태 1의 돌출부의 측면(61)은 일단이 돌출부의 상면(51)의 일단과 접하고, 타단이 돌출부의 상면(51)으로부터 하측으로 연장되어 형성될 수 있다.
실시 형태 2의 돌출부의 측면(63)은 일단이 돌출부의 상면(52)의 일단과 접하고, 타단이 돌출부의 상면(52)으로부터 하측으로 연장되어 형성된 제1 측면(62)과, 일단이 돌출부의 상면(52)의 타단과 접하고 타단이 돌출부의 상면(52)으로부터 하측으로 연장되어 형성된 제2 측면(72)을 포함할 수 있다.
도 9 및 도 10에서는 돌출부에 증착물질을 분사하여 공중 부유형 나노와이어의 측면(21,23)이 하향 연장된 경우를 도시하고 있으나 이는 일 실시 형태로, 본원 발명은 증착물질의 분사 위치를 한정하지 않는다. 즉, 증착물질의 분사 위치에 따라 공중 부유형 나노와이어의 측면(21,23)은 상향 또는 하향 연장될 수 있다.
도 9 및 도 10에서는 돌출부의 측면(61,63)이 직각인 경우가 도시되어 있으나, 이는 일 실시 형태로 본 발명에서는 돌출부의 상면(51,52)에 대한 돌출부의 측면(61,63)의 각도를 한정하지 않는다. 다만, 실시 형태 2의 분리 단계는 기판에서 나노와이어의 분리를 용이하게 하기 위해 돌출부의 상면(51,52)에 대한 돌출부의 측면(61,63)의 각도가 직각 내지 둔각인 것이 바람직하다.
증착 단계는 돌출부의 일 측 또는 타 측, 중 어느 하나 이상의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 증착물질을 분사하여 증착하는 단계로, 실시 형태 1의 경우에는 도 9에 도시된 바와 같이 일 방향으로 한차례 분사를 진행할 수 있고, 실시 형태 2의 경우에는 도 10에 도시된 바와 같이 각각 다른 방향으로 2차례 분사를 진행할 수 있다.
증착 단계에서 증착물질 즉, 나노와이어의 소재는 SnO2 또는 Pd일 수 있다.
그러나 이는 단지 일 실시 예로, 나노와이어의 소재는 PVD(Physical Vapor Deposition; 물리적 기상 증착)방법으로 형성할 수 있는 모든 물질일 수 있다.
PVD(Physical Vapor Deposition; 물리적 기상 증착)방법은 원하는 물질에 가해진 에너지가 운동에너지로 변하여 물질이 이동 가능하게 되어 기판으로 쌓이도록 하는 증착법으로, 이때 증기를 어떻게 만드느냐에 따라 크게 열증발 진공 증착(Thermal evaporation Deposition), 스퍼터링(Sputtering) 증착, 전자빔 증착으로 나눌 수 있다.
본 발명의 증착 단계는 열증발 진공 증착(Thermal evaporation Deposition)을 통해 진행될 수 있으나, 스퍼터링 증착 또는 전자빔 증착을 통해 진행될 수도 있다.
참고로, 열증발 진공 증착은 진공 상태에서 물질원에 높은 열을 가해 기화시킴으로써 비교적 낮은 온도의 기판에 박막을 형성하는 방법이다.
전자빔 증착은 필라멘트에 전류를 공급하여 나오는 전자빔을 마그넷에 의한 자기장으로 유도하여 증착재료에 전자 충돌을 집중시키고 전자 충돌에 의한 가열로 증착재료가 증발되면 기판에 박막을 형성하는 방법이다.
스퍼터링 증착이란 이온화된 원자가 가속화 되어 물질에 충돌할 때 물질 표면의 결합 에너지보다 충돌 에너지가 클 경우 표면으로부터 원자가 나오는 스퍼터링 현상을 이용하여 진공상태에서 이온화된 입자를 물질원에 충돌시켜 튀어나온 원자를 기판에 증착시켜 박막을 형성하는 방법이다.
실시 형태 1의 증착 단계는, 돌출부의 상면(51)의 일단 즉, 돌출부의 일 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 증착물질을 분사하여 돌출부의 상면(51)과 돌출부의 측면(61)에 증착물질을 성장하는 단계일 수 있다.
실시 형태 2의 증착 단계는, 돌출부의 상면(52)의 일단 즉, 돌출부의 일 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 증착물질을 분사하여 돌출부의 상면(52)과 돌출부의 제1 측면(62)에 증착물질을 성장하는 제1 증착단계 및 돌출부의 상면(52)의 타단 즉, 돌출부의 타 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 증착물질을 분사하여 돌출부의 상면(52)과 돌출부의 제2 측면(72)에 증착물질을 성장하는 제2 증착단계를 포함하고, 제1 증착단계와 제2증착단계의 경사 각도는 서로 같거나 다를 수 있다.
도 9 및 도 10의 순서도는 일 실시 형태로 일 방향으로 1회 분사되는 경우와 양 방향으로 2회 분사되는 경우를 각각 도시하고 있으나, 이는 일 실시 형태로 본 발명의 증착 단계에서 증착물질의 분사 방향이 반드시 분사 횟수와 동일하지 않을 수도 있다.
또한, 동일한 방향에서 분사되되 분사 각도를 다르거나, 동일 한 각도로 분사되되 반대되는 방향에서 분사될 수 있다.
증착 단계는 공정 조건(증착 방법 및 증착물질의 종류), 돌출부의 형태(돌출부의 길이, 상면(51,52)의 폭, 측면(61,63)의 각도 등), 증착물질의 종류 등에 따라서 다양하게 변형 진행될 수 있다.
분리 단계는 증착 단계에 의해 단면이 하나 이상의 굴곡부를 포함하여 형성되는 공중 부유형 나노와이어를 기판에서 분리하여 기판의 표면에서 부유시키는 단계일 수 있다.
분리 단계는 기판이 Si 나노 그레이팅 기판일 경우, XeF2(Xenon diFlouride), CF4 plasma, RIE(Reactive Ion Etch) 중 어느 하나를 선택하여 이용하거나, 기판이 SiO2 나노 그레이팅 기판일 경우, vapor HF를 이용하여 기판과 공중 부유형 나노와이어를 분리하는 단계일 수 있다.
덧붙여, 기판과 공중 부유형 나노와이어 사이에 다른 물질(희생층)이 있다면 희생층을 선택적으로 식각하는 방법도 가능할 수 있으나, 이는 공중 부유형 나노와이어가 공정과정에서 손상되지 않도록 건식 식각(Dry etching) 방법으로 진행될 경우로 한정할 수 있다.
이하, 나노와이어의 단면 형상에 따른 단면 이차 모멘트, 공중 부유 시 안정성 및 열/광학적 현상에 대해 도면과 그래프를 이용하여 설명한다.
도 5(a)는 증착물질의 두께를 동일하게 유지하면서 공정 조건(증착물질의 분사 방향 및 분사 각도)을 조절하여 나노와이어의 단면을 변형한 경우를 도시(왼쪽부터 종래, 실시 형태 1, 실시 형태 2)하고 있고, 도 5(b)는 공정 조건에 따른 Z방향의 관성 모멘트를, 도 5(c)는 공정 조건에 따른 Y방향의 관성 모멘트를 나타내는 그래프이다.
도 5 (a)를 참조하면, 증착물질의 분사 방향과 각도 조절을 통해 동일한 두께를 갖지만 전혀 다른 단면을 갖는 나노와이어를 제작할 수 있음을 알 수 있다.
도 5(b) 및 도 5(c)를 참조하면, 나노와이어는 단면의 형상에 따라 전혀 다른 단면 이차 모멘트를 가지며, 종래의 수직 증착보다 실시 형태 1의 일 방향 증착이 큰 단면 이차 모멘트를 가지고, 실시 형태 1의 일 방향 증착보다 실시 형태 2의 양방향 증착의 경우 확연히 큰 단면 이차 모멘트을 가짐을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면 증착물질의 분사 방향 및 각도를 조절하여 나노와이어의 단면을 변형시킴으로써 현격히 증가한 단면 이차 모멘트를 갖는 즉, 휘어짐에 강한 공중 부유용 나노와이어를 제공할 수 있다.
도 6은 SnO2로 형성된 공중 부유형 나노와이어의 정렬 상태를 나타내는 사진으로, 도 6(a)는 실시 형태 1의 정렬 상태를, 도 6(b)는 실시 형태 2의 정렬 상태를 나타낸다. 도 7은 Pd로 형성된 공중 부유형 나노와이어의 정렬 상태를 나타내는 사진으로, 도 7(a)는 실시 형태 1의 정렬 상태를, 도 7(b)는 실시 형태 2의 정렬 상태를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 실시 형태 1은 나노와이어와 기판 간 stiction의 발생으로 불 균일한 정렬 상태를 보이나, 실시 형태 2는 나노와이어와 기판 간 stiction이 발생하지 않아 안정적인 정렬 상태를 보임을 확인할 수 있다.
또한 도 7에서도, 실시 형태 1의 경우 나노와이어와 기판 간 stiction의 발생으로 불 균일한 정렬 상태를 보이는 반면, 실시 형태 2의 경우 나노와이어와 기판 간 stiction이 발생하지 않아 안정적인 정렬 상태를 보임을 확인할 수 있다.
즉, 도 5 를 통해, 종래의 수직 증착으로 제조된 나노와이어보다 본 발명에 따른 경사 증착으로 제조된 나노와이어가 현격히 증가된 단면 이차 모멘트를 가지며, 특히 일 방향 증착으로 제조된 실시 형태 1의 나노와이어보다 양방향 증착으로 제조된 실시 형태 2의 나노와이어가 확연히 큰 단면 이차 모멘트를 가짐을 확인 할 수 있으며, 도 6 및 도 7을 통해, 실시 형태 2의 경우 기판과 나노와이어 간의 stiction이 발생하지 않아 실시 형태 1 보다 안정적인 정열 상태를 유지할 수 있음을 확인할 수 있다.
이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
11, 12: 기준면
21, 23: 측면
22: 제1 측면
32: 제2 측면
51, 52: 돌출부의 상면
61, 63: 돌출부의 측면
62: 돌출부의 제1 측면
72: 돌출부의 제2 측면
H11, H12: 돌출부의 상면에 성장된 증착물질의 최대 높이
H21: 돌출부의 측면에 성장된 증착물질의 최대 높이
H22: 돌출부의 제1 측면에 성장된 증착물질의 최대 높이
H32: 돌출부의 제2 측면에 성장된 증착물질의 최대 높이
21, 23: 측면
22: 제1 측면
32: 제2 측면
51, 52: 돌출부의 상면
61, 63: 돌출부의 측면
62: 돌출부의 제1 측면
72: 돌출부의 제2 측면
H11, H12: 돌출부의 상면에 성장된 증착물질의 최대 높이
H21: 돌출부의 측면에 성장된 증착물질의 최대 높이
H22: 돌출부의 제1 측면에 성장된 증착물질의 최대 높이
H32: 돌출부의 제2 측면에 성장된 증착물질의 최대 높이
Claims (14)
- 기판 상에 배치된 제1 전극과, 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 상기 기판 상에 공중 부유되는 공중 부유형 나노와이어에 있어서,
상기 공중 부유형 나노와이어의 길이방향과 직교하는 방향의 단면은 하나 이상의 굴곡부를 포함하고,
상기 굴곡부는,
상기 기판과 평행한 방향으로 연장 형성되는 제1영역과, 상기 기판과 직교하는 방향으로 연장 형성되는 제2영역을 포함하고,
상기 제1영역의 최대 두께는 상기 제2영역의 최대 두께보다 큰, 공중 부유형 나노와이어. - 제 1 항에 있어서,
상기 굴곡부는
상기 기판과 평행한 기준면; 및 상기 기준면으로부터 하측 또는 상측으로 연장 형성된 하나 이상의 측면;을 포함하는, 공중 부유형 나노와이어. - 제 2 항에 있어서,
상기 측면은
일단이 상기 기준면의 일단과 접하고, 타단이 상기 기준면으로부터 하측으로 연장 형성된, 공중 부유형 나노와이어. - 제 2 항에 있어서,
상기 단면은
상기 기준면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제1영역; 및
상기 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제2영역;을 포함하는 기역(ㄱ)자 또는 니은(ㄴ)자 형상인, 공중 부유형 나노와이어. - 삭제
- 제 2 항에 있어서,
상기 측면은
일단이 상기 기준면의 일단과 접하고, 타단이 상기 기준면으로부터 하측으로 연장 형성된 제1 측면; 및
일단이 상기 기준면의 타단과 접하고 타단이 상기 기준면으로부터 하측으로 연장 형성된 제2 측면;을 포함하는, 공중 부유형 나노와이어. - 제 6 항에 있어서,
상기 단면은
상기 기준면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제1영역; 및
상기 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 상기 제2영역;을 포함하고,
상기 제2영역은
상기 제1 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 제3영역; 및
상기 제2 측면을 기준으로 외측으로 연장되는 제4영역;을 포함하고,
상기 단면은 디귿(ㄷ)자 형상인, 공중 부유형 나노와이어. - 제 7 항에 있어서,
상기 제3영역의 최대 두께는 상기 제4영역의 최대 두께와 같거나 다르고,
상기 제1영역의 최대 두께는 상기 제3영역의 최대 두께와 상기 제4영역의 최대 두께 중 더 큰 값보다 큰, 공중 부유형 나노와이어. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 열전 소자, 압전 소자, 나노와이어 히터, 트랜지스터, 화학 센서, 적외선 발광기 중 어느 하나의 구성인, 공중 부유형 나노와이어. - 기판 상에 배치된 제1 전극과, 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 전극과 이격되어 배치된 제2 전극에 각각 고정되어 전기적으로 연결되며, 상기 기판 상에 공중 부유되는 공중 부유형 나노와이어의 제조 방법에 있어서,
돌출부를 하나 이상 포함하는 상기 기판을 제공하는 기판 제공 단계;
상기 돌출부의 일 측 또는 타 측, 중 어느 하나 이상의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 증착물질을 분사하여 증착하는 증착 단계; 및
상기 증착 단계에 의해 단면이 하나 이상의 굴곡부를 포함하여 형성되는 공중 부유형 나노와이어를 상기 기판으로부터 분리하는 분리 단계;를 포함하고,
상기 증착 단계는
상기 돌출부의 일 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 상기 증착물질을 분사하여 상기 돌출부의 상면과 상기 돌출부의 측면에 상기 증착물질을 성장하는 단계이고,
상기 돌출부의 상면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께는 상기 돌출부의 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께보다 큰, 공중 부유형 나노와이어의 제작방법. - 삭제
- 삭제
- 제 10 항에 있어서,
상기 증착 단계는
상기 돌출부의 일 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 상기 증착물질을 분사하여 증착하는 제1 증착단계; 및
상기 돌출부의 타 측의 입사 방향으로 소정 각도 경사지게 상기 증착물질을 분사하여 증착하는 제2 증착단계; 를 포함하고,
상기 제1 증착단계와 상기 제2 증착단계의 경사 각도는 서로 같거나 다른, 공중 부유형 나노와이어의 제작방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 돌출부의 일 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께와 상기 돌출부의 타 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께는 같거나 다르고,
상기 돌출부의 상면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께는
상기 돌출부의 일 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께와 상기 돌출부의 타 측면에 성장된 상기 증착물질의 최대 두께 중 더 큰 값보다 큰, 공중 부유형 나노와이어의 제작방법.
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| KR101772071B1 (ko) * | 2015-06-23 | 2017-08-28 | 한국과학기술원 | 공중부유형 나노와이어 어레이 및 이의 제조 방법 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220170611A (ko) | 2021-06-23 | 2022-12-30 | 한국과학기술원 | 이종접합 공중부유 나노와이어 구조체 및 이의 제조 방법 |
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| GRNT | Written decision to grant |