KR102213887B1 - Apparatus and method for transferring wafer using roller - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들로 이루어진 전사 대상물을 전사시키는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치로서, 전사 대상물, 상부에 접착제가 도포된 제1기판 및 표면에 접착층을 구비한 롤러를 각각 롤링 위치 또는 타 위치로 이송시키는 이송부; 및 전사 대상물을 롤링 위치에서 롤링하여 전사 대상물을 접착층에 부착시키는 부착 공정과, 접착층에 전사 대상물을 부착한 상태에서 제1기판의 상부를 롤링하여 전사 대상물을 제1기판의 상부에 전사시키는 전사 공정을 각각 수행하는 롤러;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A wafer transfer device using a roller according to an embodiment of the present invention is a wafer transfer device using a roller that transfers a transfer object composed of integrated circuit elements of a sawed wafer, and an adhesive is applied to the transfer object and the upper part. A transfer unit for transferring the first substrate and the roller having an adhesive layer on the surface thereof to a rolling position or another position, respectively; And an attachment process in which the transfer object is attached to the adhesive layer by rolling the transfer object at the rolling position, and the transfer process in which the transfer object is transferred to the upper part of the first substrate by rolling the upper part of the first substrate while the transfer object is attached to the adhesive layer. It characterized in that it includes; rollers for performing each.
Description
본 발명은 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자를 롤러를 이용하여 기판으로 전사하는 웨이퍼 전사 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer transfer apparatus and method using a roller, and more particularly, to a wafer transfer apparatus and method for transferring each integrated circuit element of a sawed wafer to a substrate using a roller.
반도체 제조 공정은 웨이퍼(Wafer; W) 위에 집적회로를 형성시키는 전 공정(Front-End)과, 반도체 패키징(Packaging) 공정을 수행하는 후 공정(Back-End)으로 구분된다.The semiconductor manufacturing process is divided into a front-end process of forming an integrated circuit on a wafer W and a back-end process of performing a semiconductor packaging process.
이때, 반도체 패키징 공정이란 전 공정을 통해 형성된 집적회로를 각각 잘라낸 집적회로 소자(IC)와 메인 PCB간의 신호 연결하며, 외부의 습기나 불순물로부터 보호될 수 있도록 집적회로 소자를 포장하는 공정을 의미한다.At this time, the semiconductor packaging process refers to a process of connecting signals between the integrated circuit device (IC) cut out of the integrated circuit formed through the entire process and the main PCB, and packaging the integrated circuit device so that it can be protected from external moisture or impurities. .
이러한 반도체 패키징 공정은, (1) 전 공정에서 가공된 웨이퍼의 후면을 얇게 갈아내는 후면 가공(Back Grinding) 공정, (2) 웨이퍼를 개별 단위(net die)(이하, 이를 “집적회로 소자(IC)”라고 지칭함)로 잘라내는 쏘잉(Sawing) 공정, (3) 잘라낸 집적회로 소자를 기판(Substrate; S)에 붙여 고정하는 접착(Attaching) 공정, (4) 집적회로 소자에 와이어(Wire)를 전기적으로 연결하는 본딩(Bonding) 공정, (5) 집적회로 소자를 실장한 기판을 EMC 물질 등으로 감싸는 몰딩(Moding) 공정, (6) 모듈/보드/카드에 실장될 수 있도록 개별 반도체 패키지로 잘라내는 패키지 쏘잉(Package Sawing) 공정 등을 각각 포함한다.These semiconductor packaging processes include (1) a back grinding process that thinly grinds the rear surface of the wafer processed in the previous process, and (2) a net die of the wafer (hereinafter referred to as “Integrated Circuit Device (IC )”), (3) attaching the cut integrated circuit device to a substrate (S), and (4) attaching a wire to the integrated circuit device. Bonding process that connects electrically, (5) Molding process that wraps the substrate on which the integrated circuit device is mounted with EMC material, and (6) cuts into individual semiconductor packages so that they can be mounted on modules/boards/cards. Each includes a package sawing process.
특히, 종래의 접착 공정에서는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자 별로 기판에 붙이는 공정을 수행하였다. 즉, 종래의 접착 공정에서는 로봇 팔 등을 이용하여 집적회로 소자를 개별적으로 제1기판(S1)(예를 들어, PCB 등)으로 이동, 즉 전사(transferring)시켰다.In particular, in the conventional bonding process, a process of attaching each integrated circuit device of a sawed wafer to a substrate was performed. That is, in the conventional bonding process, the integrated circuit device is individually moved to the first substrate S1 (eg, PCB, etc.) using a robot arm or the like, that is, transferred.
이에 따라, 종래의 접착 공정에서는 많은 시간이 소요될 수 밖에 없을 뿐 아니라, 전사를 위한 로봇 팔 등의 정밀한 제어를 위한 복잡한 장치를 구비해야 함에 따라 제조 비용이 상승할 수 밖에 없는 문제점이 있었다.Accordingly, in the conventional bonding process, not only it takes a lot of time, but also there is a problem that the manufacturing cost is inevitably increased as a complex device for precise control such as a robot arm for transfer must be provided.
상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자를 롤러를 이용하여 단번에 기판으로 전사시킬 수 있는 웨이퍼 전사 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention provides a wafer transfer device and method capable of transferring each integrated circuit element of a sawed wafer to a substrate at once using a roller. There is this.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들로 이루어진 전사 대상물을 전사시키는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치로서, (1) 전사 대상물, 상부에 접착제가 도포된 제1기판 및 표면에 접착층을 구비한 롤러를 각각 롤링 위치 또는 타 위치로 이송시키는 이송부, (2) 전사 대상물을 롤링 위치에서 롤링하여 전사 대상물을 접착층에 부착시키는 부착 공정과, 접착층에 전사 대상물을 부착한 상태에서 제1기판의 상부를 롤링하여 전사 대상물을 제1기판의 상부에 전사시키는 전사 공정을 각각 수행하는 롤러를 포함한다.A wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is a wafer transfer apparatus using a roller for transferring a transfer object made of integrated circuit elements of a sawed wafer. , (1) a transfer unit that transfers the transfer object, the first substrate coated with the adhesive on the top, and the roller with the adhesive layer on the surface to a rolling position or another position, and (2) the transfer object by rolling the transfer object at the rolling position. And a roller for performing an attaching step of attaching to the adhesive layer and a transfer step of rolling an upper portion of the first substrate to transfer the transfer object to the upper portion of the first substrate while the object to be transferred is attached to the adhesive layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 상기 접착층에 전사 대상물을 부착한 롤러를 향해 광을 조사하는 광 조사부나, 상기 접착층에 전사 대상물을 부착한 롤러를 가열하는 열 처리부를 더 포함할 수 있다.The wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention further includes a light irradiation unit for irradiating light toward a roller having a transfer object attached to the adhesive layer, or a heat treatment unit for heating a roller having a transfer object attached to the adhesive layer. Can include.
상기 롤러는 부착 공정을 수행할 때에 집적회로 소자들 중 일부 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링할 수 있다.The roller may selectively roll some of the integrated circuit devices when performing the attaching process.
상기 롤러는 부착 공정을 수행할 때에 어느 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링한 다음, 일정 각도만큼 회전한 후, 다른 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링할 수 있다.When performing the attaching process, the roller may selectively roll the integrated circuit elements in one row and then rotate by a predetermined angle, and then selectively roll the integrated circuit elements in another row.
상기 이송부는 제2기판을 롤링 위치 또는 타 위치로 이송시키고 롤러의 제1 전사 공정 후에 수직 축을 기준으로 제2기판 또는 롤러를 90° 만큼 회전시키며, The transfer unit transfers the second substrate to a rolling position or another position and rotates the second substrate or roller by 90° with respect to the vertical axis after the first transfer process of the roller,
상기 롤러는, (1) 롤링 위치에서 특정 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하여 집적회로 소자들을 열 별로 접착층에 부착시키되, 열 별로 이격 배치되게 집적회로 소자들을 부착시키는 제1 부착 공정과, (2) 열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 부착한 상태에서 롤링 위치에서 제2기판의 상부를 롤링하여 열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제2기판의 상부에 전사시키는 제1 전사 공정과, (3) 롤링 위치에서 특정 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하여 제2기판 상부의 집적회로 소자들을 행 별로 접착층에 부착시키되, 행 별로 이격 배치되도록 집적회로 소자들을 부착시키는 제2 부착 공정과, (4) 열 및 행 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 부착한 상태에서 제1기판의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 열 및 행 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제1기판의 상부에 전사시키는 제2 전사 공정을 각각 수행할 수 있으며, 제1 부착 공정 및 제2 부착 공정 중에 어느 한 열 또는 어느 한 행의 집적회로 소자들이 접착층에 부착되면 일정 각도만큼 회전할 수 있다.The roller includes (1) a first attaching process of selectively rolling the integrated circuit elements of a specific row at the rolling position to attach the integrated circuit elements to the adhesive layer for each column, and attaching the integrated circuit elements to be spaced apart from each other by columns, and (2) ) A first transfer process of rolling the upper portion of the second substrate in a rolling position with the integrated circuit elements spaced apart by column attached to the upper portion of the second substrate by rolling the upper portion of the second substrate, and (3) ) A second attaching process of selectively rolling the integrated circuit elements of a specific row in the rolling position to attach the integrated circuit elements on the second substrate to the adhesive layer by row, and attaching the integrated circuit elements so that they are spaced apart from each other, (4 ) A second transfer process of rolling the upper part of the first substrate in a rolling position with the integrated circuit elements spaced apart by column and row attached to transfer the integrated circuit elements spaced apart by column and row to the upper part of the first substrate. Each of these can be performed, and when integrated circuit elements in any one row or one row are attached to the adhesive layer during the first attachment process and the second attachment process, they can be rotated by a predetermined angle.
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은, 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 집적회로 소자들로 이루어진 전사 대상물을 전사시키는 웨이퍼 전사 방법으로서, (a) 이송부가 전사 대상물을 롤링 위치에 위치시키며, 표면에 접착층을 구비한 롤러가 전사 대상물을 롤링하여 전사 대상물을 접착층에 부착시키는 단계, (b) 이송부가 상부에 접착제가 도포된 제1기판을 롤링 위치에 위치시키며, 롤러가 제1기판의 상부를 롤링하여 접착층에 부착된 전사 대상물을 제1기판의 상부로 전사시키는 단계를 포함한다.A wafer transfer method using a roller according to an embodiment of the present invention is a wafer transfer method for transferring a transfer object consisting of integrated circuit elements of a sawed wafer, wherein (a) a transfer unit rolls the transfer object And a roller having an adhesive layer on its surface rolls the transfer object to attach the transfer object to the adhesive layer, (b) the transfer unit places the first substrate coated with the adhesive on the top at the rolling position, and the roller is removed. Rolling an upper portion of the first substrate to transfer the transfer object attached to the adhesive layer to the upper portion of the first substrate.
상기 (b) 단계는 롤러가 집적회로 소자들 중 일부 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (b) may further include a step of selectively rolling some of the integrated circuit elements by the roller.
상기 (b) 단계는, (b1) 롤러가 어느 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하는 단계, (b2) 롤러가 일정 각도만큼 회전하는 단계, (b3) 롤러가 다른 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하는 단계를 더 포함할 수 있다.The step (b) includes: (b1) selectively rolling the integrated circuit elements in one row by a roller, (b2) rotating the roller by a certain angle, and (b3) selecting the integrated circuit elements in another row by the roller. It may further include the step of rolling.
상기 (b) 단계는, (b1) 롤러가 롤링 위치에서 특정 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하여 집적회로 소자들을 열 별로 접착층에 부착시키되, 어느 한 열의 집적회로 소자들을 접착층에 부착시킨 다음에 일정 각도를 회전한 후 다른 한 열의 집적회로 소자들을 접착층에 부착시키는 단계, (b2) 이송부가 제2기판을 롤링 위치에 위치시키는 단계, (b3) 롤러가 제2기판의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 접착층에 부착된 열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제2기판의 상부에 전사시키는 단계, (b4) 이송부가 수직 축을 기준으로 제2기판 또는 롤러를 90° 만큼 회전시키는 단계, (b5) 롤러가 롤링 위치에서 특정 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하여 제2기판 상부의 집적회로 소자들을 행 별로 접착층에 부착시키되, 어느 한 행의 집적회로 소자들을 접착층에 부착시킨 다음에 일정 각도를 회전한 후 다른 한 행의 집적회로 소자들을 접착층에 부착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In the step (b), (b1) the roller selectively rolls the integrated circuit elements of a specific row at the rolling position to attach the integrated circuit elements to the adhesive layer for each row, but after attaching the integrated circuit elements of one row to the adhesive layer, Attaching the other row of integrated circuit elements to the adhesive layer after rotating the angle, (b2) positioning the second substrate at the rolling position by the transfer unit, (b3) rolling the upper portion of the second substrate at the rolling position, Transferring the integrated circuit elements spaced apart for each row attached to the adhesive layer to the top of the second substrate, (b4) rotating the second substrate or roller by 90° with respect to the vertical axis of the transfer unit, (b5) the roller In the rolling position, the integrated circuit elements of a specific row are selectively rolled to attach the integrated circuit elements on the second substrate to the adhesive layer by row, but after attaching the integrated circuit elements of one row to the adhesive layer, rotating a certain angle It may further include attaching the other row of integrated circuit devices to the adhesive layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 상기 (b3) 단계 이전 및 상기 (b5) 단계 이후에, 롤러를 향해 광을 조사하거나 롤러를 가열하는 단계를 각각 더 포함할 수 있다.The wafer transfer method using a roller according to an embodiment of the present invention may further include irradiating light toward the roller or heating the roller before step (b3) and after step (b5), respectively.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치 및 방법은 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼의 각 집적회로 소자를 롤러를 이용하여 단번에 기판으로 전사시킬 수 있으며, 이에 따라 접착 공정의 시간 및 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.The wafer transfer apparatus and method using a roller according to an embodiment of the present invention configured as described above can transfer each integrated circuit element of a sawing-treated wafer to a substrate at once using a roller, and accordingly There is an advantage that can reduce the time and cost of the process.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 1차 공정이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 6은 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 2차 공정이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 수행 결과로서, 제1기판에 전사된 집적회로 소자들을 나타낸 도면이다1 is a view showing a wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a wafer transfer method using a roller according to the first embodiment of the present invention.
3 is a view showing a process of performing a wafer transfer method using a roller according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing a wafer transfer method using a roller according to a second embodiment of the present invention.
5 is a view showing a process in which the first process of the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention is performed.
6 is a view showing a process of performing a secondary process of the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment.
7 is a view showing integrated circuit elements transferred to a first substrate as a result of performing a wafer transfer method using a roller according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 상기 목적과 수단 및 그에 따른 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.The above objects and means of the present invention, and effects thereof, will become more apparent through the following detailed description in connection with the accompanying drawings, and accordingly, a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs can facilitate the technical idea of the present invention. It will be possible to do it. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of known technologies related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.
또한, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 경우에 따라 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하다", “구비하다”, “마련하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 언급된 구성요소 외의 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.In addition, terms used in the present specification are for describing embodiments, and are not intended to limit the present invention. In the present specification, the singular form also includes the plural form in some cases, unless specifically stated in the phrase. Terms such as "to include", "to have", "to prepare" or "have" used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements other than the mentioned elements.
본 명세서에서, “또는”, “적어도 하나” 등의 표현은 함께 나열된 단어들 중 하나를 나타내거나, 또는 둘 이상의 조합을 나타낼 수 있다. 예를 들어, “또는 B”“및 B 중 적어도 하나”는 A 또는 B 중 하나만을 포함할 수 있고, A와 B를 모두 포함할 수도 있다.In the present specification, expressions such as “or” and “at least one” may represent one of words listed together, or a combination of two or more. For example, “or B” “at least one of “and B” may include only one of A or B, and may include both A and B.
본 명세서에서, “예를 들어”와 같은 표현에 따라는 설명은 인용된 특성, 변수, 또는 값과 같이 제시한 정보들이 정확하게 일치하지 않을 수 있고, 허용 오차, 측정 오차, 측정 정확도의 한계와 통상적으로 알려진 기타 요인을 비롯한 변형과 같은 효과로 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 발명의 실시 형태를 한정하지 않아야 할 것이다.In this specification, according to expressions such as "for example," the description may not exactly match the information presented, such as a recited characteristic, variable, or value, and may not be consistent with tolerances, measurement errors, and limits of measurement accuracy. The embodiments of the invention according to various embodiments of the present invention should not be limited to effects such as modifications including other factors known as.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결되어’ 있다거나 '접속되어' 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성 요소에 '직접 연결되어' 있다거나 '직접 접속되어' 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있어야 할 것이다.In the present specification, when a component is referred to as being'connected' or'connected' to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but the other component is It should be understood that it may exist. On the other hand, when a component is referred to as being'directly connected' or'directly connected' to another component, it should be understood that there is no other component in the middle.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms used in the present specification may be used as meanings that can be commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not interpreted ideally or excessively unless clearly defined specifically.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 반도체 패키징(Pakaging) 공정에 사용될 수 있으며, 특히 쏘잉(Sawing) 공정 또는 접착(Attaching) 공정에 사용될 수 있다. 이때, 반도체 패키징(Pakaging) 공정, 쏘잉(Sawing) 공정 및 접착(Attaching) 공정은 [발명의 배경이 되는 기술]에서 상술하였으므로, 이하 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.The wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention may be used in a semiconductor packaging process, and in particular, may be used in a sawing process or an attaching process. At this time, the semiconductor packaging (Pakaging) process, sawing (Sawing) process, and bonding (Attaching) process has been described above in the [Technology Background of the Invention], so a detailed description thereof will be omitted below.
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 전사 대상물을 제1기판(S1)에 전사(transferring)시키는 장치로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 이송부(100), 롤러(200) 및 광 조사부(300) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 전사 대상물은 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들이다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 쏘잉(sawing) 처리된 웨이퍼(W)의 전체 집적회로 소자(IC)들을 단번에 제1기판(S1)으로 전사시킬 수 있다.The wafer transfer device using a roller according to an embodiment of the present invention is a device for transferring a transfer object to the first substrate S1, and as shown in FIG. 1, the transfer unit 100, the
이송부(100)는 전사 대상물, 제1기판(S1), 제2기판(S2) 및 롤러(200)를 각각 이송시키는 구성이다. 이송부(100)는 각 대상물을 상하좌우의 어디 위치든 이송시킬 수 있으며 회전 시킬 수도 있다. 예를 들어, 이송부(100)는 전사 대상물, 제1기판(S1), 제2기판(S2) 및 롤러(200)를 타 위치에서 롤링 위치로 또는 롤링 위치에서 타 위치로 각각 이송시킬 수 있다. The transfer unit 100 is configured to transfer the transfer object, the first substrate S1, the second substrate S2, and the
이때, 롤링 위치는 롤러(200)가 특정 대상의 상부로 롤링(rolling)하게 되는 위치를 의미한다. 즉, 롤링 위치는 특별히 고정된 위치일 필요는 없으며, 상황에 따라서 그 위치가 달라질 수도 있다.In this case, the rolling position means a position at which the
예를 들어, 이송부(100)는 제1이송장치(110), 제2이송장치(130) 및 제3이송장치(150) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 제1이송장치(110)는 전사 대상물을 이송시킬 수 있다. 제2이송장치(120)는 제1기판(S1) 또는 제2기판(S2)을 이송시킬 수 있다. 제3이송장치(150)는 롤러(200)를 이송시킬 수 있다. 또한, 이송부(100)는 제1지지대(120) 또는 제2지지대(140)를 더 포함할 수 있다. 이때, 제1지지대(120)는 제1이송장치(110)에 의해 이송되며 전사 대상물 또는 웨이퍼 받침대(P)를 상부에 수용하여 지지할 수 있다. 또한, 제2지지대(140)는 제2이송장치(130)에 의해 이송되며 제1기판(S1) 또는 제2기판(S2)을 상부에 수용하여 지지할 수 있다. 한편, 웨이퍼 받침대(P)는 전사 대상물을 상부에 안착하여 지지하는 구성으로서, 안착된 전사 대상물이 미끄러지지 않도록 마찰력이 높은 재질 또는 구조(예를 들어, 요철 구조) 등으로 구성된 층을 상부 면에 더 포함할 수 있다.For example, the transfer unit 100 may include at least one of the
또한, 도 1에 도시되지 않았지만, 이송부(100)는 제4이송장치(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 제4이송장치는 광 조사부(300)를 이송시킬 수 있다.In addition, although not shown in FIG. 1, the transfer unit 100 may further include a fourth transfer device (not shown). At this time, the fourth transfer device may transfer the
롤러(200)는 롤링 위치에서 롤링하는 구성이다. 특히, 롤러(200)는 그 표면에 접착층(A)을 포함한다. 즉, 롤러(200)는 전사 대상물의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 전사 대상물을 접착층(A)에 부착시킬 수 있다. The
또한, 롤러(200)는 접착층(A)에 전사 대상물을 부착한 후, 접착제(A')가 도포된 제1기판(S1)의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 전사 대상물을 제1기판(S1)의 상부로 전사(transferring)시킬 수 있다. 이때, 제1기판(S1)의 접착제(A')가 가지는 접착력은 접착층(A)이 가지는 접착력과 동일하거나 큰 것일 수 있다. 이는 후술할 분리 에러의 발생을 줄이기 위함이다. In addition, after attaching the transfer object to the adhesive layer (A), the
또한, 롤러(200)는 접착층(A)에 전사 대상물을 부착한 후, 제2기판(S2)의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 전사 대상물을 제2기판(S2)의 상부에 전사(transferring)시킬 수도 있다. 이때, 제2기판(S2)는 그 상부에도 접착제를 포함할 수도 있다. In addition, after attaching the transfer object to the adhesive layer (A), the
다만, 롤러(200)에 의한 전사(transferring) 공정에 대한 상세한 설명은 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에서 후술하기로 한다.However, a detailed description of the transfer process by the
광 조사부(300)는 접착층(A)에 전사 대상물을 부착한 롤러(200)를 향해 광을 조사하는 구성으로서, 롤러(200)와 근접한 위치에 구비될 수 있다. 즉, 광 조사부(300)는 광을 조사함으로써 전사 대상물을 부착한 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 또한, 제2기판(S2)이 상부에 접착제를 포함한 경우, 광 조사부(300)는 광을 조사함으로써 제2기판(S2)의 접착제의 접착력을 약화시킬 수 있다.The
예를 들어, 광 조사부(300)에서 조사되는 광은 자외선 광(UV)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 자외선 광 외에도 다양한 파장 대역의 광(전자빔 또는 레이저빔 포함)일 수 있다. 또한, 광 조사부(300)에서 조사되는 광은 모든 종류의 전자기파를 포함할 수 있으며, 가우시안 빔(gaussian beam), 라이트 빔(light beam), 레이저 빔(laser beam), 또는 입자빔(particle beam) 등과 같이 입자(전자 또는 양성자 등)가 한 방향으로 집중하여 흐르는 빔(beam)을 포함할 수 있다.For example, the light irradiated by the
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 접착층(A)에 전사 대상물을 부착한 롤러(200)를 가열하는 열 처리부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 즉, 열 처리부는 롤러(200)를 가열함으로써 전사 대상물을 부착한 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 또한, 제2기판(S2)이 상부에 접착제를 포함한 경우, 열 처리부는 제2기판(S2)을 가열함으로써 제2기판(S2)의 접착제의 접착력을 약화시킬 수 있다.The wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention may further include a heat treatment unit (not shown) that heats the
예를 들어, 열 처리부는 내부에 열선을 구비한 형태로 판 또는 별도의 롤러 등을 대상 물체에 접촉시킴으로써 대상 물체를 가열하거나 가열된 유체를 대상 물체에 배출시킴으로써 대상 물체를 가열할 수 있다. For example, the heat treatment unit may heat the target object by contacting the target object with a plate or a separate roller in a form having a heating wire therein, or heat the target object by discharging the heated fluid to the target object.
본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치의 구성, 즉, 이송부(100), 공급부(200), 롤러(200) 및 광 조사부(300)의 더욱 상세한 기능에 대해서는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에서 후술하도록 한다.For more detailed functions of the configuration of the wafer transfer device using a roller according to an embodiment of the present invention, that is, the transfer unit 100, the
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치는 제어부(미도시) 또는 저장부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 제어부는 후술할 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에 관한 프로그램에 따라 웨이퍼 전사를 수행하도록 각 구성을 제어할 수 있다. 또한, 저장부는 후술할 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에 관한 프로그램을 저장할 수 있다.Meanwhile, the wafer transfer apparatus using a roller according to an embodiment of the present invention may further include a control unit (not shown) or a storage unit (not shown). In this case, the control unit may control each configuration to perform wafer transfer according to a program related to a wafer transfer method using a roller to be described later. In addition, the storage unit may store a program related to a wafer transfer method using a roller to be described later.
예를 들어, 저장부는 하드디스크 타입(hard disk type), 마그네틱 매체 타입(magnetic media type), CD-ROM(compact disc read only memory), 광기록 매체 타입(Optical Media type), 자기-광 매체 타입(magneto-optical media type), 멀티미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예를 들어 SD 또는 XD 메모리 등), 플래시 메모리 타입(flash memory type), 롬(read only memory; ROM), 램(random access memory; RAM), 또는 이들의 조합으로 구성된 메모리로 이루어지는 버퍼, 주기억장치, 또는 보조기억장치일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the storage unit is a hard disk type, magnetic media type, compact disc read only memory (CD-ROM), optical media type, magnetic-optical medium type. (Magneto-optical media type), multimedia card micro type, card type memory (eg SD or XD memory, etc.), flash memory type, read only memory (ROM) ), RAM (random access memory; RAM), or a buffer made of a memory formed of a combination thereof, a main memory, or an auxiliary memory, but is not limited thereto.
또한, 웨이퍼 전사 방법에 관한 프로그램은, 입력장치에 인터넷(Internet), 인트라넷(Intranet), LAN(Local Area Network), WLAN(Wide LAN), 또는 SAN(Storage Area Network)과 같은 통신 네트워크, 또는 이들의 조합으로 구성된 통신 네트워크를 통하여 접근(access)할 수 있는 부착 가능한(attachable) 저장 장치(storage device)에 저장될 수 있다.In addition, a program related to the wafer transfer method is a communication network such as the Internet, an intranet, a local area network (LAN), a wide LAN (WLAN), or a storage area network (SAN), or these It may be stored in an attachable storage device that can be accessed through a communication network composed of a combination of
이하, 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, a wafer transfer method using a roller according to the first and second embodiments of the present invention will be described.
본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 반도체 패키징(Pakaging) 공정에 포함될 수 있으며, 특히 쏘잉(Sawing) 공정 또는 접착(Attaching) 공정에 포함될 수 있다. 이때, 반도체 패키징(Pakaging) 공정, 쏘잉(Sawing) 공정 및 접착(Attaching) 공정은 [발명의 배경이 되는 기술]에서 상술하였으므로, 이하 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.The wafer transfer method using a roller according to the first and second embodiments of the present invention may be included in a semiconductor packaging process, and in particular, may be included in a sawing process or an attaching process. At this time, the semiconductor packaging (Pakaging) process, sawing (Sawing) process, and bonding (Attaching) process has been described above in the [Technology Background of the Invention], so a detailed description thereof will be omitted below.
본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 도 1에 따라 상술한 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치를 이용하여 수행된다. 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 각각 S1 단계 단계 및 S10 단계 이전에, 전사 대상물을 제1지지대(120) 또는 웨이퍼 받침대(P)에 안착시키는 전처리 단계를 더 포함할 수 있다.The wafer transfer method using rollers according to the first and second embodiments of the present invention is performed using the wafer transfer apparatus using the rollers described above according to FIG. 1. The wafer transfer method using a roller according to the first and second embodiments of the present invention is a pre-treatment of mounting the transfer object on the
전처리 단계에서는 수동으로 또는 별도의 이송 장치(미도시)를 이용하여, 전사 대상물을 제1지지대(120) 또는 웨이퍼 받침대(P)에 안착시킬 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 전처리 단계에서는 쏘잉(sawing) 처리 전의 웨이퍼(W)를 제1지지대(120) 또는 웨이퍼 받침대(P)의 정확한 위치에 안착시킨 후, 집적회로가 형성된 웨이퍼(W)의 각 영역을 쏘잉(sawing) 처리할 수 있다.In the pre-processing step, the transfer object may be mounted on the
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법을 나타낸 도면이고, 도 3(a) 내지 도 3(g)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다. 다만, 도 3은 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들 중 일부 집적회로 소자(IC)들만 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.2 is a diagram showing a wafer transfer method using a roller according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 3(a) to 3(g) are a wafer transfer method using a roller according to the first embodiment of the present invention. It is a diagram showing the process in which this is performed. However, FIG. 3 illustrates only some of the integrated circuit devices IC of the wafer W, but is not limited thereto.
본 발명의 제1 실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은, 도 2에 도시된 바와 같이, S1 단계 내지 S4 단계를 포함한다.The wafer transfer method using a roller according to the first embodiment of the present invention includes steps S1 to S4 as shown in FIG. 2.
S1 단계는 웨이퍼 이송 단계로서, 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 위치시키는 단계이다. 이때, S1 단계에서는 제1이송장치(110)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S1 단계에서는 제3이송장치(150)를 이용하여, 롤러(200)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.Step S1 is a wafer transfer step, as shown in FIGS. 3(a) and 3(b), placing the integrated circuit elements (ICs) of the wafer W in the rolling position. In this case, in step S1, the integrated circuit elements IC of the wafer W may be transferred to the rolling position by using the
S2 단계는 부착 단계로서, 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(200)가 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들의 상부를 롤링하여 접착층(A)에 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 부착시키는 단계이다. 이때, S2 단계에서는 제1지지대(120)를 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S2 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제1이송장치(110)를 이용하여 제1지지대(120)를 타단에서 일단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S2 단계에서는 제1이송장치(110)를 이용하여 제1지지대(120)를 타단에서 일단으로 이송시키는 동시에, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다.Step S2 is an attaching step, and as shown in FIG. 3(c), the
또한, S2 단계는 롤러(200)가 집적회로 소자(IC)들 중 일부 집적회로 소자들의 상부를 선택적으로 롤링하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, S2 단계는 제1 롤링 단계, 각도 회전 단계 및 제2 롤링 단계를 차례로 포함할 수 있다. 또한, S2 단계는 제1 롤링 단계, 각도 회전 단계 및 제2 롤링 단계를 반복 수행하는 단계를 포함할 수 있다. In addition, step S2 may further include a step of selectively rolling the upper portions of some of the integrated circuit devices (ICs) by the
제1 롤링 단계는 롤러(200)가 어느 한 열(또는 행)의 집적회로 소자(IC)들의 상부를 선택적으로 롤링하는 단계이다. 각도 회전 단계는 이송부(100)가 롤러(200)를 일정 각도 회전시키는 단계이다. 이때, 롤러(200)는 다른 집적회로 소자(IC)들의 상부를 롤링하지 않고 혼자서 일정 각도를 회전한다 제2 롤링 단계는 롤러(200)가 다른 한 열(또는 행)의 집적회로 소자들의 상부를 선택적으로 롤링하는 단계이다. 제1 롤링 단계, 각도 회전 단계 및 제2 롤링 단계가 차례로 수행됨에 따라, 집적회로 소자(IC)들은 열(또는 행) 별로 서로 이격된 상태로 접착층(A)에 부착될 수 있다. 다만, 제1 롤링 단계, 각도 회전 단계 및 제2 롤링 단계에 대한 보다 상세한 과정은 후술할 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 과정과 같으므로, 이하 이에 대한 설명은 생략하도록 한다.The first rolling step is a step in which the
S3 단계는 제1기판 이송 단계로서, 도 3(e)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에 접착제(A')가 상부에 도포된 제1기판(S1)을 위치시키는 단계이다. 이때, 롤링 위치의 상측에는 집적회로 소자(IC)들을 접착층(A)에 부착한 롤러(200)가 위치해 있다. S3 단계에서는 제2이송장치(130)를 이용하여, 제1기판(S1)을 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S3 단계에서는 제3이송장치(150)를 이용하여, 롤러(200)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.Step S3 is a first substrate transfer step, as shown in Fig. 3(e), a step of positioning the first substrate S1 on which the adhesive A'is applied on the rolling position. At this time, a
S4 단계는 전사 단계로서, 도 3(f)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(200)가 제1기판(S1)의 상부를 롤링하여, 접착층(A)에 부착된 집적회로 소자(IC)들을, 접착제(A')가 도포된 제1기판(S1)의 상부로 전사시키는 단계이다. 이때, S4 단계에서는 제1기판(S1)을 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S4 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제2이송장치(130)를 이용하여 제1기판(S1)을 타단에서 일단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S4 단계에서는 제2이송장치(130)를 이용하여 제1기판(S1)을 타단에서 일단으로 이송시키는 동시에, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다.Step S4 is a transfer step. As shown in FIG. 3(f), the
한편, S4 단계에서 분리 에러가 발생할 수 있다. 여기서, 분리 에러란 집적회로 소자(IC)들이 접착층(A)에서 분리되어 접착제(A')로 전사되지 않고 접착층(A)에 계속 붙어 있는 현상을 의미한다. 이러한 분리 에러의 발생을 줄이기 위해, 본 발명의 제1실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 S4 단계 이전이나 S4 단계와 함께 수행되는 광 조사 단계 또는 열 처리 단계를 더 포함할 수 있다. Meanwhile, a separation error may occur in step S4. Here, the separation error refers to a phenomenon in which the integrated circuit devices (ICs) are separated from the adhesive layer (A) and are not transferred to the adhesive (A') but continue to adhere to the adhesive layer (A). To reduce the occurrence of such separation errors, the wafer transfer method using a roller according to the first embodiment of the present invention may further include a light irradiation step or a heat treatment step performed before step S4 or together with step S4.
광 조사 단계는 광 조사부(300)가 접착층(A)에 집적회로 소자(IC)들을 부착한 롤러(200)를 향해 광을 조사하는 단계로서, 광 조사에 따라 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 광 조사 단계에서는 광 조사부(300)가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 롤러(200)에 광을 조사하거나, 롤러(200)가 회전할 때 롤러(200)에 광을 조사할 수 있다.The light irradiation step is a step in which the
특히, 광 조사 단계는 광 조사부(400)가 접착층(A)에 부착된 집적회로 소자(IC)들 중에 일부 집적회로 소자(IC)에 대응하는 롤러(200)의 영역을 선택적으로 광 조사하는 부분 조사 단계를 포함할 수 있다. 이후, 전사 단계가 수행되되, 선택적으로 광 조사된 롤러(200)의 영역에 대응하는 일부 집적회로 소자(IC)에 대해서만 제1기판(S1)으로 전사하는 부분 전사 단계가 수행될 수 있다. 부분 조사 단계 및 부분 전사 단계는 반복 수행될 수 있으며, 이에 따라, 접착층(A)에 부착된 모든 집적회로 소자(IC)들이 제1기판(S1)으로 전사될 수 있다.In particular, the light irradiation step is a portion in which the light irradiation unit 400 selectively irradiates an area of the
열 처리 단계는 열 처리부(미도시)가 접착층(A)에 집적회로 소자(IC)들을 부착한 롤러(200)를 가열하는 단계로서, 가열에 의해 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 열 처리 단계에서는 열 처리부가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 롤러(200)를 가열하거나, 롤러(200)가 회전할 때 롤러(200)를 가열할 수 있다.The heat treatment step is a step in which the heat treatment unit (not shown) heats the
특히, 열 처리 단계는 열 처리부가 접착층(A)에 부착된 집적회로 소자(IC)들 중에 일부 집적회로 소자(IC)에 대응하는 롤러(200)의 영역을 선택적으로 열 처리하는 부분 가열 단계를 포함할 수 있다. 이후, 전사 단계가 수행되되, 선택적으로 광 조사된 롤러(200)의 영역 대응하는 일부 집적회로 소자(IC)에 대해서만 제1기판(S1)으로 전사하는 부분 전사 단계가 수행될 수 있다. 부분 가열 단계 및 부분 전사 단계는 반복 수행될 수 있으며, 이에 따라, 접착층(A)에 부착된 모든 집적회로 소자(IC)들이 제1기판(S1)으로 전사될 수 있다.In particular, the heat treatment step includes a partial heating step in which the heat treatment unit selectively heats a region of the
다음으로, 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에 대하여 설명하도록 한다.Next, a wafer transfer method using a roller according to a second embodiment of the present invention will be described.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법을 나타낸 도면이다. 또한, 도 5(a) 내지 도 5(j)는 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 1차 공정이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다. 또한, 도 6(a) 및 도 6(k)는 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 2차 공정이 수행되는 과정을 나타낸 도면이다. 다만, 도 5 및 도 6은 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들 중 일부 집적회로 소자(IC)들만 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.4 is a view showing a wafer transfer method using a roller according to a second embodiment of the present invention. In addition, FIGS. 5(a) to 5(j) are views showing a process in which the first process of the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention is performed. 6(a) and 6(k) are views showing a process in which a secondary process of the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment is performed. However, FIGS. 5 and 6 illustrate only some of the integrated circuit devices IC of the wafer W, but are not limited thereto.
본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은, 도 4에 도시된 바와 같이, S10 단계 내지 S80 단계를 포함한다. 이때, S10 단계 내지 S40 단계를 “1차 공정”이라 지칭하며, S50 단계 내지 S80 단계를 “2차 공정”이라 지칭한다. 1차 공정은 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 열 별로 이격시키는 공정을 포함하며, 2차 공정은 이미 열 별로 이격된 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 행 별로 이격시키는 공정을 포함한다.The wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention includes steps S10 to S80 as shown in FIG. 4. In this case, steps S10 to S40 are referred to as “first process”, and steps S50 to S80 are referred to as “second process”. The first process includes a process of separating the integrated circuit elements (ICs) of the wafer (W) by column, and the second process is to separate the integrated circuit elements (ICs) of the wafer (W) already separated by columns by row. Including the process.
S10 단계는 웨이퍼 이송 단계로서, 도 5(a) 및 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 위치시키는 단계이다. 이때, S10 단계에서는 제1이송장치(110)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S10 단계에서는 제3이송장치(150)를 이용하여, 롤러(200)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.Step S10 is a wafer transfer step, as shown in FIGS. 5(a) and 5(b), positioning the integrated circuit elements (ICs) of the wafer W in the rolling position. In this case, in step S10, the integrated circuit elements IC of the wafer W may be transferred to the rolling position by using the
S20 단계는 1차 부착 단계로서, 도 5(c) 내지 도 5(g)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(200)가 어느 한 열(column)의 집적회로 소자들(IC1 내지 IC6 중 어느 하나)의 상부면(L1 내지 L6 중 어느 하나)을 선택적으로 롤링하는 단계이다. 이에 따라, 집적회로 소자(IC)들 중의 어느 한 열의 집적회로 소자들은 접착층(A)에 부착된다. 이때, 롤러(200)의 선택적 롤링에 의해 어느 한 열의 집적회로 소자들(IC1 내지 IC6 중 어느 하나)이 접착층(A)의 어느 영역에 부착되면, 롤러(200)는 일정 각도를 회전한다. 이후, 롤러(200)는 다른 한 열의 집적회로 소자들(IC1 내지 IC6 중 다른 하나)의 상부면(L1 내지 L6 중 다른 하나)을 선택적으로 롤링한다. 이에 따라, 집적회로 소자(IC)들 중의 다른 한 열의 집적회로 소자들은 이미 부착된 어느 한 열의 집적회로 소자들과 이격된 상태로 접착층(A)에 부착된다. 이와 같은 과정이 반복되면, 결과적으로, S20 단계에서는 집적회로 소자(IC)들이, 도 5(g)에 도시된 바와 같이, 열(IC1 내지 IC6) 별로 서로 이격 배치되어 접착층(A)에 부착된다.Step S20 is a primary attachment step, as shown in Figs. 5(c) to 5(g), in the rolling position, the
예를 들어, 롤러(200)는, 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 제1열인 IC1의 상부면(L1)을 선택적으로 롤링하여, IC1을 접착층(A)의 한 영역에 부착시킨다. 이어서, 롤러(200)는, 도 5(d)에 도시된 바와 같이, 일정 각도로 회전한다. 이어서, 롤러(200)는, 도 5(e)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 제2열인 IC2의 상부면(L2)을 선택적으로 롤링하여, IC2를 접착층(A)의 다른 영역에 부착시킨다. 이어서, 롤러(200)는, 도 5(f)에 도시된 바와 같이, 일정 각도로 회전한다. 이와 같은 과정을 반복하면, IC1 내지 IC6는, 도 5(g)에 도시된 바와 같이, 열 별로 서로 이격 배치되어 접착층(A)에 부착될 수 있게 된다. For example, the
S20 단계에서는 제1지지대(120)를 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S20 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제1이송장치(110)를 이용하여 제1지지대(120)를 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S20 단계에서는 제1이송장치(110)를 이용하여 제1지지대(120)를 이송시키는 동시에, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다.In step S20, the
S30 단계는 제2기판 이송 단계로서, 도 5(h)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에 제2기판(S2)을 위치시키는 단계이다. 이때, 롤링 위치의 상측에는 집적회로 소자(IC)들을 접착층(A)에 열 별로 이격되게 부착한 롤러(200)가 위치해 있다. S30 단계에서는 제2이송장치(130)를 이용하여, 제2기판(S2)을 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S30 단계에서는 제3이송장치(150)를 이용하여, 롤러(200)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.Step S30 is a second substrate transfer step, and is a step of positioning the second substrate S2 in the rolling position, as shown in FIG. 5(h). At this time, a
S40 단계는 1차 전사 단계로서, 도 5(i)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(200)가 제2기판(S2)의 상부를 롤링하여, 접착층(A)에 열 별로 이격되게 부착된 집적회로 소자(IC)들을, 제2기판(S2)의 상부로 전사시키는 단계이다. 이때, S40 단계에서는 제2기판(S2)을 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S40 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제2이송장치(130)를 이용하여 제2기판(S2)을 타단에서 일단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S40 단계에서는 제2이송장치(130)를 이용하여 제2기판(S2)을 타단에서 일단으로 이송시키는 동시에, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다.Step S40 is the first transfer step, as shown in Fig. 5(i), by rolling the upper part of the second substrate S2 by the
한편, S40 단계에서 1차 분리 에러가 발생할 수 있다. 여기서, 1차 분리 에러란 집적회로 소자(IC)들이 접착층(A)에서 분리되어 제2기판(S2)으로 전사되지 않고 접착층(A)에 계속 붙어 있는 현상을 의미한다. 이러한 1차 분리 에러의 발생을 줄이기 위해, 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 S40 단계 이전이나 S40 단계와 함께 수행되는 1차 광 조사 단계 또는 1차 열 처리 단계를 더 포함할 수 있으며, 제2기판(S2)의 상부에 접착제(미도시)가 구비될 수 있다.Meanwhile, a first separation error may occur in step S40. Here, the primary separation error refers to a phenomenon in which the integrated circuit devices (ICs) are separated from the adhesive layer (A) and are not transferred to the second substrate (S2) but continue to adhere to the adhesive layer (A). In order to reduce the occurrence of such a primary separation error, the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention further includes a primary light irradiation step or a primary heat treatment step performed before or in conjunction with step S40. It may include, and an adhesive (not shown) may be provided on the second substrate S2.
1차 광 조사 단계는 광 조사부(300)가 접착층(A)에 열 별로 이격된 집적회로 소자(IC)들을 부착한 롤러(200)를 향해 광을 조사하는 단계로서, 광 조사에 따라 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 1차 광 조사 단계에서는 광 조사부(300)가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 롤러(200)에 광을 조사하거나, 롤러(200)가 회전할 때 롤러(200)에 광을 조사할 수 있다.The first light irradiation step is a step in which the
특히, 1차 광 조사 단계는 광 조사부(400)가 접착층(A)에 열 별로 이격되게 부착된 집적회로 소자(IC)들 중에 일부 열의 집적회로 소자(IC)에 대응하는 롤러(200)의 영역을 선택적으로 광 조사하는 1차 부분 조사 단계를 포함할 수 있다. 이후, 1차 전사 단계가 수행되되, 선택적으로 광 조사된 롤러(200)의 영역에 대응하는 일부 열의 집적회로 소자(IC)에 대해서만 제2기판(S2)으로 전사하는 1차 부분 전사 단계가 수행될 수 있다. 1차 부분 조사 단계 및 1차 부분 전사 단계는 반복 수행될 수 있으며, 이에 따라, 접착층(A)에 부착된 모든 집적회로 소자(IC)들이 제2기판(S2)으로 전사될 수 있다.In particular, in the first light irradiation step, the area of the
1차 열 처리 단계는 열 처리부(미도시)가 접착층(A)에 열 별로 집적회로 소자(IC)들을 부착한 롤러(200)를 가열하는 단계로서, 가열에 의해 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 1차 열 처리 단계에서는 열 처리부가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 롤러(200)를 가열하거나, 롤러(200)가 회전할 때 롤러(200)를 가열할 수 있다.The first heat treatment step is a step in which the heat treatment unit (not shown) heats the
특히, 1차 열 처리 단계는 열 처리부가 접착층(A)에 열 별로 이격되게 부착된 집적회로 소자(IC)들 중에 일부 열의 집적회로 소자(IC)에 대응하는 롤러(200)의 영역을 선택적으로 열 처리하는 1차 부분 가열 단계를 포함할 수 있다. 이후, 1차 전사 단계가 수행되되, 선택적으로 광 조사된 롤러(200)의 영역 대응하는 일부 열의 집적회로 소자(IC)에 대해서만 제2기판(S2)으로 전사하는 1차 부분 전사 단계가 수행될 수 있다. 1차 부분 가열 단계 및 1차 부분 전사 단계는 반복 수행될 수 있으며, 이에 따라, 접착층(A)에 부착된 모든 집적회로 소자(IC)들이 제2기판(S2)으로 전사될 수 있다.In particular, in the first heat treatment step, the heat treatment unit selectively selects a region of the
S50 단계는 회전 단계로서, 도 6(a) 및 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 수직 축을 기준으로 제2기판(S2) 또는 롤러(200)를 90° 만큼 회전시키는 단계이다. S50 단계가 수행됨에 따라, 1차 공정에 의해 열 별로 이격된 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 2차 공정에 의해 행 별로 이격시킬 수 있다. 다만, 도 6(a) 및 도 6(b)는 제2기판(S2)이 90° 만큼 회전되는 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, S50 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제2이송장치(130)를 이용하여 제2기판(S2)을 90° 만큼 회전시킬 수 있다. 또한, S50 단계에서는 제2기판(S2)을 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 90° 만큼 회전시킬 수 있다. Step S50 is a rotation step, as shown in FIGS. 6(a) and 6(b), a step of rotating the second substrate S2 or the
S60 단계는 2차 부착 단계로서, 도 6(d) 내지 도 6(h)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(200)가 어느 한 행(row)의 집적회로 소자들(IC7 내지 IC10 중 어느 하나)의 상부면(L7 내지 L10 중 어느 하나)을 선택적으로 롤링하는 단계이다. 이에 따라, 집적회로 소자(IC)들 중의 어느 한 행의 집적회로 소자들은 접착층(A)에 부착된다. 이때, 롤러(200)의 선택적 롤링에 의해 어느 한 행의 집적회로 소자들(IC7 내지 IC10 중 어느 하나)이 접착층(A)의 어느 영역에 부착되면, 롤러(200)는 일정 각도를 회전한다. 이후, 롤러(200)는 다른 한 행의 집적회로 소자들(IC7 내지 IC10 중 다른 하나)의 상부면(L7 내지 L10 중 다른 하나)을 선택적으로 롤링한다. 이에 따라, 집적회로 소자(IC)들 중의 다른 한 행의 집적회로 소자들은 이미 부착된 어느 한 행의 집적회로 소자들과 이격된 상태로 접착층(A)에 부착된다. 이와 같은 과정을 반복하면, 결과적으로, S50 단계에서는 집적회로 소자(IC)들이, 도 6(h)에 도시된 바와 같이, 행(IC7 내지 IC10) 별로 서로 이격 배치되어 접착층(A)에 부착된다. 물론, 한 행 안에 있는 집적회로 소자(IC)들은 각 열 별로 이미 이격된 상태로 접착층(A)에 부착된다.Step S60 is a secondary attachment step, as shown in Figs. 6(d) to 6(h), in the rolling position, the
예를 들어, 롤러(200)는, 도 6(d)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 제1행인 IC7의 상부면(L7)을 선택적으로 롤링하여, IC7을 접착층(A)의 한 영역에 부착시킨다. 이어서, 롤러(200)는, 도 6(e)에 도시된 바와 같이, 일정 각도 회전한다. 이어서, 롤러(200)는, 도 6(f)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 제2행인 IC8의 상부면(L8)을 선택적으로 롤링하여, IC8을 접착층(A)의 다른 영역에 부착시킨다. 이어서, 롤러(200)는, 도 6(g)에 도시된 바와 같이, 일정 각도 회전한다. 이와 같은 과정을 반복하면, IC7 내지 IC10는, 도 6(h)에 도시된 바와 같이, 행 별로 서로 이격 배치되어 접착층(A)에 부착될 수 있게 된다. For example, the
S60 단계에서는 제1지지대(120)를 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S60 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제1이송장치(110)를 이용하여 제1지지대(120)를 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S60 단계에서는 제1이송장치(110)를 이용하여 제1지지대(120)를 이송시키는 동시에, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다.In step S60, while the
한편, 제2기판(S2)이 상부에 접착제를 포함한 경우, S60 단계에서 접착 에러가 발생할 수 있다. 여기서, 접착 에러란 집적회로 소자(IC)들이 제2기판(S2)의 접착제에서 분리되어 접착층(A)에 접착되지 않고 제2기판(S2)의 접착제에 계속 붙어 있는 현상을 의미한다. 이러한 접착 에러의 발생을 줄이기 위해, 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 S60 단계 이전이나 S60 단계와 함께 수행되는 2차 광 조사 단계 또는 2차 열 처리 단계를 더 포함할 수 있다.On the other hand, when the second substrate S2 includes an adhesive thereon, an adhesion error may occur in step S60. Here, the adhesion error refers to a phenomenon in which the integrated circuit devices (ICs) are separated from the adhesive of the second substrate S2 and are not adhered to the adhesive layer A but continue to adhere to the adhesive of the second substrate S2. In order to reduce the occurrence of such adhesion errors, the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention further includes a second light irradiation step or a second heat treatment step performed before step S60 or in conjunction with step S60. I can.
2차 광 조사 단계는 광 조사부(300)가 제2기판(S2)을 향해 광을 조사하는 단계로서, 광 조사에 따라 제2기판(S2)의 접착제의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 2차 광 조사 단계에서는 광 조사부(300)가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 제2기판(S2)에에 광을 조사할 수 있다.The secondary light irradiation step is a step in which the
2차 열 처리 단계는 열 처리부(미도시)가 제2기판(S2)을 가열하는 단계로서, 가열에 의해 제2기판(S2)의 접착제의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 2차 열 처리 단계에서는 열 처리부가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 제2기판(S2)을 가열할 수 있다.The second heat treatment step is a step in which a heat treatment unit (not shown) heats the second substrate S2, and the adhesive strength of the adhesive of the second substrate S2 may be weakened by heating. In this case, in the second heat treatment step, the heat treatment unit may be transferred from the other end to one end by the transfer unit 100 to heat the second substrate S2.
S70 단계는 제1기판 이송 단계로서, 도 6(i)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에 제1기판(S1)을 위치시키는 단계이다. 이때, 롤링 위치의 상측에는 집적회로 소자(IC)들을 접착층(A)에 열 및 행 별로 이격되게 부착한 롤러(200)가 위치해 있다. 또한, 제1기판(S1)의 상부에는 접착제(A')가 도포되어 있다. S70 단계에서는 제2이송장치(130)를 이용하여, 제2기판(S2)을 롤링 위치로 이송시킬 수 있다. 또한, S30 단계에서는 제3이송장치(150)를 이용하여, 롤러(200)를 롤링 위치로 이송시킬 수 있다.Step S70 is a first substrate transfer step, as shown in Fig. 6(i), a step of positioning the first substrate S1 in a rolling position. At this time, a
S80 단계는 2차 전사 단계로서, 도 6(j)에 도시된 바와 같이, 롤링 위치에서 롤러(200)가 제2기판(S2)의 상부를 롤링하여, 접착층(A)에 열 및 행 별로 이격되게 부착된 집적회로 소자(IC)들을, 제1기판(S1)의 상부로 전사시키는 단계이다. 이때, S80 단계에서는 제1기판(S1)을 제자리에 고정시킨 채, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S80 단계에서는 롤러(200)를 제자리에 고정시킨 채, 제2이송장치(130)를 이용하여 제1기판(S1)을 타단에서 일단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다. 또한, S80 단계에서는 제2이송장치(130)를 이용하여 제1기판(S1)을 타단에서 일단으로 이송시키는 동시에, 제3이송장치(150)를 이용하여 롤러(200)를 일단에서 타단으로 이송시키면서, 롤러(200)를 롤링시킬 수 있다.Step S80 is a secondary transfer step, as shown in FIG. 6(j), by rolling the upper part of the second substrate S2 by the
한편, S80 단계에서 2차 분리 에러가 발생할 수 있다. 여기서, 2차 분리 에러란 집적회로 소자(IC)들이 접착층(A)에서 분리되어 제1기판(S2)으로 전사되지 않고 접착층(A)에 계속 붙어 있는 현상을 의미한다. 이러한 1차 분리 에러의 발생을 줄이기 위해, 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법은 S80 단계 이전이나 S80 단계와 함께 수행되는 3차 광 조사 단계 또는 3차 열 처리 단계를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, a secondary separation error may occur in step S80. Here, the secondary separation error refers to a phenomenon in which the integrated circuit devices (ICs) are separated from the adhesive layer (A) and are not transferred to the first substrate (S2) but continue to adhere to the adhesive layer (A). In order to reduce the occurrence of such a primary separation error, the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention further includes a third light irradiation step or a third heat treatment step performed before step S80 or in conjunction with step S80. Can include.
3차 광 조사 단계는 광 조사부(300)가 접착층(A)에 열 및 행 별로 이격된 집적회로 소자(IC)들을 부착한 롤러(200)를 향해 광을 조사하는 단계로서, 광 조사에 따라 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 3차 광 조사 단계에서는 광 조사부(300)가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 롤러(200)에 광을 조사하거나, 롤러(200)가 회전할 때 롤러(200)에 광을 조사할 수 있다.The third light irradiation step is a step in which the
특히, 3차 광 조사 단계는 광 조사부(400)가 접착층(A)에 열 및 행 별로 이격되게 부착된 집적회로 소자(IC)들 중에 일부 행의 집적회로 소자(IC)에 대응하는 롤러(200)의 영역을 선택적으로 광 조사하는 3차 부분 조사 단계를 포함할 수 있다. 이후, 3차 전사 단계가 수행되되, 선택적으로 광 조사된 롤러(200)의 영역에 대응하는 일부 행의 집적회로 소자(IC)에 대해서만 제1기판(S1)으로 전사하는 3차 부분 전사 단계가 수행될 수 있다. 3차 부분 조사 단계 및 3차 부분 전사 단계는 반복 수행될 수 있으며, 이에 따라, 접착층(A)에 부착된 모든 집적회로 소자(IC)들이 제1기판(S1)으로 전사될 수 있다.In particular, in the third light irradiation step, the light irradiation unit 400 is a
3차 열 처리 단계는 열 처리부(미도시)가 접착층(A)에 열 및 행 별로 집적회로 소자(IC)들을 부착한 롤러(200)를 가열하는 단계로서, 가열에 의해 접착층(A)의 접착력을 약화시킬 수 있다. 이때, 3차 열 처리 단계에서는 열 처리부가 이송부(100)에 의해 타단에서 일단으로 이송되면서 롤러(200)를 가열하거나, 롤러(200)가 회전할 때 롤러(200)를 가열할 수 있다.The third heat treatment step is a step in which the heat treatment unit (not shown) heats the
특히, 3차 열 처리 단계는 열 처리부가 접착층(A)에 열 및 행 별로 이격되게 부착된 집적회로 소자(IC)들 중에 일부 행의 집적회로 소자(IC)에 대응하는 롤러(200)의 영역을 선택적으로 열 처리하는 2차 부분 가열 단계를 포함할 수 있다. 이후, 3차 전사 단계가 수행되되, 선택적으로 광 조사된 롤러(200)의 영역 대응하는 일부 행의 집적회로 소자(IC)에 대해서만 제1기판(S1)으로 전사하는 3차 부분 전사 단계가 수행될 수 있다. 3차 부분 가열 단계 및 3차 부분 전사 단계는 반복 수행될 수 있으며, 이에 따라, 접착층(A)에 부착된 모든 집적회로 소자(IC)들이 제1기판(S1)으로 전사될 수 있다.In particular, in the third heat treatment step, the area of the
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법의 수행 결과로서, 제1기판에 전사된 집적회로 소자들을 나타낸 도면이다7 is a view showing integrated circuit elements transferred to a first substrate as a result of performing a wafer transfer method using a roller according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제2실시예에 따른 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법에 따라 S10 단계 내지 S80 단계를 수행하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 열 및 행 별로 이격된 웨이퍼(W)의 집적회로 소자(IC)들을 단번에 제1기판(S1)에 전사시킬 수 있다.If steps S10 to S80 are performed according to the wafer transfer method using a roller according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, an integrated circuit device (IC) of the wafers W spaced apart by columns and rows. ) Can be transferred to the first substrate S1 at once.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위 및 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, and should be determined by the scope of the claims to be described later and those equivalents to the scope of the claims.
A : 접착층 A' : 접착제
IC : 집적회로 소자 P : 웨이퍼 받침대
S : 기판 W : 웨이퍼
100 : 이송부 110 : 제1이송장치
120 : 제1지지대 130 : 제2이송장치
140 : 제2지지대 150 : 제3이송장치
200 : 롤러 300 : 광 조사부A: Adhesive layer A': Adhesive
IC: Integrated circuit device P: Wafer stand
S: Substrate W: Wafer
100: transfer unit 110: first transfer device
120: first support 130: second transfer device
140: second support 150: third transfer device
200: roller 300: light irradiation unit
Claims (10)
전사 대상물, 상부에 접착제가 도포된 제1기판과, 제2기판과, 롤러를 각각 롤링 위치 또는 타 위치로 이송시키며, 롤러의 제1 전사 공정 후에 수직 축을 기준으로 제2기판 또는 롤러를 90° 만큼 회전시키는 이송부; 및
표면에 접착층을 구비하며, 전사 대상물을 롤링 위치에서 롤링하여 전사 대상물을 접착층에 부착시키는 부착 공정과, 접착층에 전사 대상물을 부착한 상태에서 제1기판 또는 제2기판의 상부를 롤링하여 전사 대상물을 제1기판 또는 제2기판의 상부에 전사시키는 전사 공정을 각각 수행하고, 부착 공정 수행 시 집적회로 소자들 중 일부 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하는 롤러;를 포함하며,
상기 롤러는,
롤링 위치에서 전사 대상물에 대해 특정 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하되, 어느 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링한 다음에 일정 각도만큼 회전한 후 다른 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링함으로써, 집적회로 소자들을 롤러의 접착층에 열 별로 이격 배치되게 부착시키는 제1 부착 공정과,
열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 부착한 상태에서 롤링 위치에서 제2기판의 상부를 롤링하여 열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제2기판의 상부에 전사시키는 제1 전사 공정과,
롤링 위치에서 제2기판의 상부에 전사된 집적회로 소자들 중에 특정 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하되, 어느 한 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링한 다음에 일정 각도만큼 회전한 후 다른 한 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링함으로써, 집적회로 소자들을 롤러의 접착층에 행 별로 이격 배치되게 부착시키는 제2 부착 공정과,
열 및 행 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 부착한 상태에서 제1기판의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 열 및 행 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제1기판의 상부에 전사시키는 제2 전사 공정을 각각 수행하는 것을 특징으로 하는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치.It is used in the sawing process in which the wafer is cut into individual integrated circuit devices, or in the adhesion process in which the cut integrated circuit devices are attached to a substrate and fixed, and the integrated circuit of the wafer processed by sawing As a wafer transfer device that transfers a transfer object composed of elements separated by columns and rows using a roller,
Transfer the object to be transferred, the first substrate, the second substrate, and the roller to which the adhesive is applied to the upper part, respectively, to a rolling position or another position, and after the first transfer process of the roller, the second substrate or roller is 90° with respect to the vertical axis. A transfer unit that rotates as much as; And
An adhesive layer is provided on the surface, and the transfer object is rolled at a rolling position to attach the transfer object to the adhesive layer, and the transfer object is rolled over the first substrate or the second substrate while the transfer object is attached to the adhesive layer. Including; a roller that performs a transfer process for transferring to an upper portion of the first substrate or the second substrate, and selectively rolls some of the integrated circuit elements during the attaching process,
The roller,
In the rolling position, the integrated circuit elements in a specific row are selectively rolled with respect to the transfer object, but the integrated circuit elements in one row are selectively rolled and then rotated by a certain angle, and then the integrated circuit elements in the other row are selectively rolled. A first attaching process of attaching circuit elements to the adhesive layer of the roller so as to be spaced apart by row,
A first transfer process of rolling the upper portion of the second substrate in a rolling position while the integrated circuit elements spaced apart by column are attached to the upper portion of the second substrate by rolling the upper portion of the second substrate to transfer the integrated circuit elements spaced apart by row to the upper portion of the second substrate;
In the rolling position, among the integrated circuit elements transferred to the top of the second substrate, the integrated circuit elements of a specific row are selectively rolled, but the integrated circuit elements of one row are selectively rolled and rotated by a certain angle, and then the other A second attaching process of selectively rolling the integrated circuit elements in a row to attach the integrated circuit elements to the adhesive layer of the roller so as to be spaced apart from each other by row,
A second transfer process of rolling the top of the first substrate at the rolling position while attaching the integrated circuit devices spaced apart by columns and rows to transfer the integrated circuit devices spaced apart by columns and rows to the top of the first substrate. Wafer transfer device using a roller, characterized in that performing each.
상기 접착층에 전사 대상물을 부착한 롤러를 향해 광을 조사하는 광 조사부나, 상기 접착층에 전사 대상물을 부착한 롤러를 가열하는 열 처리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 장치.The method of claim 1,
A wafer transfer apparatus using a roller, further comprising: a light irradiation unit for irradiating light toward a roller having a transfer object attached to the adhesive layer or a heat treatment unit for heating a roller having a transfer object attached to the adhesive layer.
(a) 표면에 접착층을 구비한 롤러가 롤링 위치에서 전사 대상물에 대해 특정 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하되, 어느 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링한 다음에 일정 각도만큼 회전한 후 다른 한 열의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링함으로써, 열 별로 이격 배치되게 집적회로 소자들을 접착층에 부착시키는 단계;
(b) 열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 부착한 상태의 롤러가 롤링 위치에서 제2기판의 상부를 롤링하여 열 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제2기판의 상부에 전사시키는 단계;
(c) 이송부가 수직 축을 기준으로 제2기판 또는 롤러를 90° 만큼 회전시키는 단계; 및
(d) 롤러가 롤링 위치에서 제2기판의 상부에 전사된 집적회로 소자들 중에 특정 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링하되, 어느 한 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링한 다음에 일정 각도만큼 회전한 후 다른 한 행의 집적회로 소자들을 선택적으로 롤링함으로써, 집적회로 소자들을 롤러의 접착층에 행 별로 이격 배치되게 부착시키는 단계; 및
(e) 열 및 행 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 부착한 상태의 롤러가 제1기판의 상부를 롤링 위치에서 롤링하여 열 및 행 별로 이격 배치된 집적회로 소자들을 제1기판의 상부에 전사시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법.It is used in the sawing process in which the wafer is cut into individual integrated circuit devices, or in the adhesion process in which the cut integrated circuit devices are attached to a substrate and fixed, and the integrated circuit of the wafer processed by sawing As a wafer transfer method in which a transfer object composed of elements is transferred by spaced apart by column and row using a roller,
(a) A roller with an adhesive layer on its surface selectively rolls the integrated circuit elements in a specific row with respect to the transfer object at the rolling position, but selectively rolls the integrated circuit elements in one row and then rotates it by a certain angle and then the other. Attaching the integrated circuit elements to the adhesive layer so as to be spaced apart from each other by selectively rolling the integrated circuit elements in a row;
(b) rolling an upper portion of the second substrate at a rolling position by a roller in a state in which the integrated circuit elements spaced apart by columns are attached, and transferring the integrated circuit elements spaced apart by columns to the upper portion of the second substrate;
(c) rotating the second substrate or roller by 90° about the vertical axis by the transfer unit; And
(d) The roller selectively rolls the integrated circuit elements of a specific row among the integrated circuit elements transferred to the top of the second substrate at the rolling position, and selectively rolls the integrated circuit elements of any one row by a certain angle. Attaching the integrated circuit elements to the adhesive layer of the roller so as to be spaced apart by row by selectively rolling the other row of integrated circuit elements after rotation; And
(e) A roller in a state in which integrated circuit elements spaced apart by column and row are attached rolls the upper part of the first substrate at the rolling position to transfer the integrated circuit elements spaced apart by column and row to the upper part of the first substrate. Step; Wafer transfer method using a roller comprising a.
상기 (b) 단계 이전 및 상기 (d) 단계 이후에, 롤러를 향해 광을 조사하거나 롤러를 가열하는 단계를 각각 더 포함하는 것을 특징으로 하는 롤러를 이용한 웨이퍼 전사 방법.The method of claim 6,
Before the step (b) and after the step (d), the wafer transfer method using a roller further comprising the steps of irradiating light toward the roller or heating the roller, respectively.
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