KR102196481B1 - Plasma processing apparatus for powder using horizontal transfer - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 파우더를 플라즈마 반응기를 통해 플라즈마 처리하는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 있어서, 내부가 중공인 챔버부; 상기 챔버부의 내부에 배치되고, 전원장치로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 반응부; 상기 플라즈마 반응부로 파우더가 이동되도록 하는 파우더 공급부; 및 상기 챔버부 내부의 압력을 변동시키고 이로부터 상기 플라즈마 반응부에 파우더를 흡착 및 플라즈마 처리하도록 하는 흡착수단;을 포함하고, 상기 플라즈마 반응부는, 내부가 중공이고, 중심축을 공유하며 상기 중심축으로부터 내벽까지의 거리가 서로 다른 복수 개의 처리부;를 포함하는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a horizontally movable powder plasma processing apparatus for plasma processing of powder through a plasma reactor, comprising: a chamber unit having a hollow interior; A plasma reaction unit disposed inside the chamber unit and receiving power from a power supply to generate plasma; A powder supply unit for moving the powder to the plasma reaction unit; And an adsorption means for varying the pressure inside the chamber part and adsorbing and plasma-processing powder to the plasma reaction part therefrom, wherein the plasma reaction part is hollow inside, shares a central axis, and from the central axis It provides a horizontally movable powder plasma processing apparatus including; a plurality of processing units having different distances to the inner wall.

Description

수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus for powder using horizontal transfer}Plasma processing apparatus for powder using horizontal transfer

본 발명의 실시예들은 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a horizontally movable powder plasma processing apparatus.

일반적으로 미세분말 소재는 정보, 전자산업, 화학의 촉매나 경량나노, 친환경 소재, 에너지 분야 등 첨단 고부가가치 산업의 광범위한 분야에 널리 사용되고 있으며, 다양한 나노 분말을 대량 생산할 수 있는 기술, 나아가 나노 기능화 및 복합 재료 등 이를 응용한 기술 및 상업화 연구가 활발하게 진행되고 있다.In general, fine powder materials are widely used in a wide range of high-tech high value-added industries such as information, electronics industry, chemical catalysts, lightweight nano, eco-friendly materials, and energy fields, and technologies that can mass-produce various nano powders, furthermore, nano functionalization and The technology and commercialization research that applied it, such as composite materials, is being actively conducted.

미세입자는 입자간 거리가 매우 가까워서 입자간 반데르발스 힘(van der waals force)이 입자 자신의 중력보다 매우 크고, 높은 표면에너지를 낮추기 위하여 상호 응집이 일어나기 쉬운데, 이것은 미세입자의 고유 특성을 저하시킬 뿐만 아니라 미세입자의 혼합, 분산, 코팅, 복합재료화 등 모든 분야에 걸쳐 실제 상업화에 장애가 되고 있다.Fine particles have a very close distance between particles, so the van der waals force between particles is much greater than the gravity of the particles themselves, and mutual aggregation is likely to occur in order to lower the high surface energy, which degrades the intrinsic properties of the fine particles. In addition, it is becoming an obstacle to actual commercialization in all fields such as mixing, dispersion, coating, and composite materialization of fine particles.

특히, 탄소 계열의 미세입자들인 그래핀, 나노튜브, 나노섬유, 흑연, 카본블랙 등의 경우, 분자 간 인력이 큰 물질로서 그 자체가 매우 안정된 화학적 구조를 가지고 있어 다른 물질에 분산시켜 활용하기가 어려운 것으로 알려져 있다.In particular, in the case of carbon-based microparticles such as graphene, nanotubes, nanofibers, graphite, carbon black, etc., it is a material that has a very stable chemical structure as a material with a large attraction between molecules, so it is difficult to use it by dispersing it in other materials. It is known to be difficult.

따라서, 미세입자의 표면에 기능화기를 도입하여 분산성을 향상시켜야 하는데, 현재 주로 사용되고 있는 기계적 방식(ball milling, calendering 등)과 화학반응에 의존하는 습식방식은 복잡한 공정과 낮은 생산성, 비환경적인 문제 등에 의하여 상용화에 어려움을 겪고 있다(Ma PC, Siddiqui NA, Marom G and Kim JK, composites: part A 41, pp1345, 2010 참조).Therefore, it is necessary to improve the dispersibility by introducing a functionalizer on the surface of the fine particles. Currently, the mechanical method (ball milling, calendering, etc.) and the wet method relying on chemical reactions are complex processes, low productivity, and non-environmental problems. It is having difficulty in commercialization due to such problems (see Ma PC, Siddiqui NA, Marom G and Kim JK, composites: part A 41, pp1345, 2010).

반면에, 양산성, 환경친화성 등을 고려해볼 때, 플라즈마를 이용한 건식 처리방법이 선호되고 있는데, 이는 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 운반가스(carrier gas)를 이용하여 미세분말을 이송시키는 유동층 반응기(fluidized-bed reactor)를 이용하거나 이를 응용한 플라즈마 반응기는 균일한 기능화 처리와 공정조건의 조절이 어렵고 양산화에 한계가 있으며, 기계적인 교반(mechanical agitation)을 이용하는 플라즈마 반응기는 반응시간을 충분하게 해줄 수 있고 대량생산이 가능하여 일부 상업화가 이루어졌으나, 미세입자의 균일한 기능화 처리가 어렵다(Arpagus C et al., Chem. Eng. Technol. 2005, V28, p87 and Kooshki S et al., Vacuum, 2018, V156, p224 참조).On the other hand, in consideration of mass production and environmental friendliness, a dry treatment method using plasma is preferred, which can be largely divided into two. A plasma reactor using or applying a fluidized-bed reactor that transfers fine powders using a carrier gas has difficulty in uniform functionalization treatment and control of process conditions, and has limitations in mass production. A plasma reactor using agitation (mechanical agitation) can provide sufficient reaction time and can be mass-produced, so that some commercialization has been achieved, but it is difficult to perform uniform functionalization of fine particles (Arpagus C et al., Chem. Eng. Technol). 2005, V28, p87 and Kooshki S et al., Vacuum, 2018, V156, p224).

이처럼 입자의 크기가 작아질수록 3차원 미세분말의 균일한 표면처리가 기술적으로 어렵고, 처리 효과에서도 균일한 처리와 양산성을 기대하기 어려운 문제 때문에 이를 충족하기 위한 건식 처리장치는 아직 연구 단계에 머물러 있는 실정이다.As the size of the particles decreases, it is technically difficult to treat the uniform surface of the three-dimensional fine powder, and it is difficult to expect uniform treatment and mass production even in the treatment effect, so the dry treatment device to meet this problem is still in the research stage. There is a situation.

종래 플라즈마를 이용한 건식 처리방법에서 전극 필터 부분에 비하여 챔버의 전체 공간이 6배 이상 되며 파우더 처리 효율성이 저하되고, 파우더의 기능화와 균일도를 증가시키는데 필수적인 반복 처리에 따라 파우더가 손실되는 문제점이 있었다.In the conventional dry treatment method using plasma, the total space of the chamber is 6 times or more compared to the electrode filter part, the powder treatment efficiency is lowered, and powder is lost due to repeated treatment essential to increase the functionalization and uniformity of the powder.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로, 파우더가 처리부에 형성되는 흡착 표면에 대하여 나란하게 수평 이동되어 파우더의 흡착 표면적을 증가시키고, 파우더가 처리부의 연장 방향과 수직 방향으로 이동하는 것에 비하여 처리부에 형성되는 홀부를 통과하여 손실되는 것을 방지함으로써 파우더의 처리량 및 처리 효율을 증가시킬 수 있는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치를 제공하고자 한다.The present invention was devised to improve the above problems, in which the powder is horizontally moved parallel to the adsorption surface formed in the treatment unit to increase the adsorption surface area of the powder, and the powder moves in a direction perpendicular to the extension direction of the treatment unit. Compared to that, it is intended to provide a horizontally movable powder plasma processing apparatus capable of increasing the throughput and processing efficiency of the powder by preventing loss through the hole formed in the processing unit.

그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 파우더를 플라즈마 반응기를 통해 플라즈마 처리하는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 있어서, 내부가 중공인 챔버부; 상기 챔버부의 내부에 배치되고, 전원장치로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 반응부; 상기 플라즈마 반응부로 파우더가 이동되도록 하는 파우더 공급부; 및 상기 챔버부 내부의 압력을 변동시키고 이로부터 상기 플라즈마 반응부에 파우더를 흡착 및 플라즈마 처리하도록 하는 흡착수단;을 포함하고, 상기 플라즈마 반응부는, 내부가 중공이고, 중심축을 공유하며 상기 중심축으로부터의 거리가 서로 다른 복수 개의 처리부;를 포함하는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a horizontally movable powder plasma processing apparatus for plasma processing of powder through a plasma reactor, comprising: a chamber unit having a hollow interior; A plasma reaction unit disposed inside the chamber unit and receiving power from a power supply to generate plasma; A powder supply unit for moving the powder to the plasma reaction unit; And an adsorption means for varying the pressure inside the chamber part and adsorbing and plasma-processing powder to the plasma reaction part therefrom, wherein the plasma reaction part is hollow inside, shares a central axis, and from the central axis It provides a horizontally movable powder plasma processing apparatus including; a plurality of processing units having different distances.

본 발명에 있어서, 상기 처리부는 길이 방향 양단부에 개구부가 형성될 수 있다.In the present invention, the processing unit may have openings formed at both ends in the longitudinal direction.

본 발명에 있어서, 상기 처리부는 원통 형상으로 형성될 수 있다.In the present invention, the processing unit may be formed in a cylindrical shape.

본 발명에 있어서, 상기 처리부는 내벽부와 외벽부가 형성되고, 상기 내벽부 및 상기 외벽부에서 파우더가 흡착 및 플라즈마 처리될 수 있다.In the present invention, the processing unit may include an inner wall portion and an outer wall portion, and powder may be adsorbed and plasma-treated from the inner wall portion and the outer wall portion.

본 발명에 있어서, 상기 챔버부의 내벽에 결합되며, 상기 처리부와 전기적으로 연결되고, 상기 챔버부의 내부에서 상기 처리부의 위치를 고정시키는 플레이트부;를 더 포함할 수 있다.In the present invention, a plate portion coupled to the inner wall of the chamber portion, electrically connected to the processing portion, and fixing a position of the processing portion within the chamber portion may further include.

본 발명에 있어서, 상기 플레이트부는, 상기 챔버부의 내부에서 파우더의 이동 경로 상에 관통홀부가 형성되고, 상기 챔버부의 내벽에 결합되는, 플레이트본체; 및 상기 관통홀부를 커버하도록 상기 플레이트본체에 결합되고, 나노 또는 마이크로 사이즈의 홀부가 구비되는 다공성 필터;를 포함할 수 있다.In the present invention, the plate portion, the through-hole portion is formed on the movement path of the powder inside the chamber portion, the plate body coupled to the inner wall of the chamber portion; And a porous filter coupled to the plate body to cover the through hole and provided with a nano- or micro-sized hole.

본 발명에 있어서, 상기 파우더 공급부는, 상기 챔버부의 내부에 설치되고, 상기 파우더가 배치되는 배치부; 및 상기 챔버부와 연통되며, 상기 배치부 측으로 가스를 공급하는 가스 공급부;를 더 포함할 수 있다.In the present invention, the powder supply unit, a placement unit installed inside the chamber unit, the powder is disposed; And a gas supply unit communicating with the chamber unit and supplying gas to the placement unit.

본 발명에 있어서, 상기 배치부 및 상기 가스 공급부는 상기 처리부의 하측에 배치될 수 있다.In the present invention, the placement unit and the gas supply unit may be disposed below the processing unit.

본 발명에 있어서, 플라즈마 중합을 이용한 박막코팅에서 액상 모노모를 주입하는 버블러(bubbler)가 장착된 구성을 더 포함하고, O2, N2, NH3, CF4, 전구체(precusors) 중 하나 이상을 주입하여 파우더 표면의 작용기나 박막의 물성을 제어하여 파우더 표면에 플라즈마-CVD(plasma-chemical vapor deposition)를 수행할 수 있다.In the present invention, the thin film coating using plasma polymerization further includes a configuration equipped with a bubbler for injecting a liquid monomole, and powder by injecting at least one of O2, N2, NH3, CF4, and precursors Plasma-chemical vapor deposition (CVD) can be performed on the powder surface by controlling the functional groups on the surface or the physical properties of the thin film.

본 발명에 있어서, 상기 챔버부는, 상기 전원장치로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성하고, 내측면에 나노 또는 마이크로 사이즈의 복수 개의 홀부가 구비되는 챔버필터가 형성될 수 있다.In the present invention, the chamber unit may be provided with a chamber filter that generates plasma by receiving power from the power supply device, and includes a plurality of nano- or micro-sized holes on an inner surface thereof.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치는, 파우더가 일측 방향을 따라 처리부에 형성되는 흡착 표면에 대해 수평 이동됨으로써 파우더가 흡착 또는 분리되는 처리부의 표면적을 증가시키고, 파우더가 처리부의 연장 방향과 수직 방향으로 이동하는 것에 비하여 처리부에 형성되는 홀부를 통과하여 손실되는 것을 방지함으로써 파우더의 처리량 및 처리 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.In the horizontally movable powder plasma treatment apparatus according to the present invention, the powder is horizontally moved with respect to the adsorption surface formed in the treatment unit along one direction, thereby increasing the surface area of the treatment unit on which the powder is adsorbed or separated, and the powder is perpendicular to the extension direction of the treatment unit. Compared to moving in the direction, it is possible to increase the processing amount and processing efficiency of the powder by preventing loss through the hole formed in the processing unit.

또한, 서로 다른 복수 개의 처리부의 내벽부와 외벽부 사이를 통과하며 이동됨으로 인하여 처리부의 흡착 표면에 대해 파우더가 수직으로 이동되는 것에 비하여 흡착 구간 및 흡착 표면적을 증가시켜 파우더의 처리량 및 처리 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, as the powder moves vertically with respect to the adsorption surface of the treatment unit by passing through and moving between the inner and outer wall parts of a plurality of different treatment units, the adsorption section and the adsorption surface area are increased to increase the throughput and treatment efficiency of the powder. There is an effect that can be made.

또한, 처리부의 표면에 미세입자인 파우더가 균일하게 흡착된 상태에서 플라즈마 표면처리를 수행할 수 있으므로 사이즈가 작은 나노 및 마이크로 입자의 경우도 기능화가 가능하고, 플라즈마 반응 시간을 최적의 조건으로 조절할 수 있는 동시에 안정된 플라즈마 분위기에서 균일하고 효과적인 파우더 표면처리가 가능한 효과가 있다.In addition, since the plasma surface treatment can be performed in a state in which the powder, which is fine particles, is uniformly adsorbed on the surface of the treatment unit, it is possible to functionalize even the small nano and micro particles, and the plasma reaction time can be adjusted to the optimum conditions. At the same time, uniform and effective powder surface treatment is possible in a stable plasma atmosphere.

또한, 처리부가 복수 개가 구비될수록 파우더 등 미세입자가 흡착될 수 있는 표면적이 비례하여 증가하므로 미세입자의 기능화를 균일하게 이룰 수 있고 경제적인 양산화가 가능한 효과가 있다.In addition, as a plurality of treatment units are provided, the surface area on which fine particles such as powder can be adsorbed increases in proportion, so that functionalization of fine particles can be uniformly achieved, and economical mass production is possible.

물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 A-A'단면을 도시한 평단면도이다.
도 3은 도 1의 B-B'단면을 도시한 평단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 의해 파우더가 플라즈마 처리되는 상태를 도시한 평단면도이다.
도 5는 도 1에서 파우더가 이동되는 수평으로 이동하는 상태를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 설치되는 가열부를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다공성 필터를 포함하는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
1 is a diagram schematically showing the configuration of a horizontally movable powder plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a top cross-sectional view showing a cross-section A-A' of FIG. 1.
3 is a plan cross-sectional view showing a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 1.
4 is a plan cross-sectional view showing a state in which powder is plasma-treated by the horizontally movable powder plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a state in which the powder moves horizontally in FIG. 1.
6 and 7 are views showing a heating unit installed in the horizontally movable powder plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram schematically showing the configuration of a horizontally movable powder plasma processing apparatus including a porous filter according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding constituent elements are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first and second are not used in a limiting meaning, but are used for the purpose of distinguishing one component from another component.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly indicates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or elements described in the specification are present, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or elements in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part such as a film, a region, or a component is on or on another part, not only the case directly above the other part, but also another film, region, component, etc. are interposed therebetween. This includes cases where there is.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of description. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to what is shown.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. When a certain embodiment can be implemented differently, a specific process order may be performed differently from the described order. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the described order.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.In the following embodiments, when a film, a region, a component, etc. are connected, not only the film, the region, and the components are directly connected, but other films, regions, and components are interposed between the film, the region, and the components. It includes cases that are connected indirectly. For example, in this specification, when a film, region, component, etc. are electrically connected, not only the film, region, component, etc. are directly electrically connected, but also other films, regions, components, etc. are interposed therebetween. This includes indirect electrical connections.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2는 도 1의 A-A'단면을 도시한 평단면도이다. 도 3은 도 1의 B-B'단면을 도시한 평단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 의해 파우더가 플라즈마 처리되는 상태를 도시한 평단면도이다. 도 5는 도 1에서 파우더가 이동되는 수평으로 이동하는 상태를 도시한 도면이다. 도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 설치되는 가열부를 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically showing the configuration of a horizontally movable powder plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a top cross-sectional view showing a cross-section A-A' of FIG. 1. 3 is a top cross-sectional view showing a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 1. 4 is a cross-sectional plan view showing a state in which powder is plasma-treated by a horizontally movable powder plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 5 is a diagram illustrating a state in which the powder moves horizontally in FIG. 1. 6 and 7 are views showing a heating unit installed in the horizontally movable powder plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)는, 챔버부(100), 플라즈마 반응부(200), 플레이트부(300), 파우더 공급부(400), 파우더 흡착수단(500), 파우더 수집부(600)를 포함할 수 있다.1 to 7, a horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, a plasma reaction 200, a plate 300, and a powder supply. 400), may include a powder adsorption means 500, a powder collection unit 600.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부(100)는 내부가 중공으로 형성되는 것으로, 챔버부(100)의 내부 공간에는 플라즈마 반응부(200)가 설치될 수 있다.1, 2, and 5, the chamber unit 100 according to an embodiment of the present invention has a hollow interior, and a plasma reaction unit 200 is disposed in the interior space of the chamber unit 100. Can be installed.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부(100)의 내측면에는 챔버필터(105)가 형성될 수 있다. 1, 2, and 5, a chamber filter 105 may be formed on an inner surface of the chamber unit 100 according to an embodiment of the present invention.

챔버필터(105)는 전원장치(120)로부터 전원을 인가받아 플라즈마(PL)를 생성하고, 나노 또는 마이크로 사이즈의 복수 개의 홀부(도면부호 미설정)가 구비될 수 있다.The chamber filter 105 generates plasma PL by receiving power from the power supply device 120, and may be provided with a plurality of nano- or micro-sized holes (no reference numerals).

본 발명의 일 실시예에 따른 챔버필터(105)는 전극으로 형성될 수 있다. 챔버필터(105)가 나노 또는 마이크로 사이즈 단위의 복수 개의 홀부가 구비되는 필터로 형성됨으로 인하여 작업 가스는 통과하여 배기되고, 작업 가스의 파우더(P) 이송에 의해 파우더(P)가 챔버필터(105)에 흡착될 수 있다.The chamber filter 105 according to the embodiment of the present invention may be formed as an electrode. Since the chamber filter 105 is formed of a filter having a plurality of holes in nano or micro size units, the working gas is passed through and exhausted, and the powder P is transferred to the chamber filter 105 by transferring the powder P of the working gas. ) Can be adsorbed.

도면에 도시하지는 않았으나, 챔버필터(105)의 외측에는 챔버필터(105) 측 방향, 즉 챔버부(100)의 중심 방향으로 가스를 주입하여 가압하는 챔버가압부(도면부호 미설정)가 형성될 수 있으며, 챔버가압부로부터 가스를 공급받아 챔버부(100)의 내측면에 흡착되어 손실되는 파우더(P)의 양을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Although not shown in the drawing, a chamber pressurizing unit (drawing number not set) is formed on the outside of the chamber filter 105 to pressurize by injecting gas in the direction toward the chamber filter 105, that is, in the center direction of the chamber unit 100. In addition, gas is supplied from the chamber pressurizing unit, and the amount of powder P is absorbed by the inner surface of the chamber unit 100 to be reduced.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)는 챔버부(100)의 내부에 배치되는 것으로, 전원장치(120)로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성할 수 있다. 1 to 7, the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention is disposed inside the chamber unit 100, and generates plasma by receiving power from the power supply unit 120. I can.

도 1, 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하면, 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)는 처리부(210), 가열부(220)를 포함할 수 있다. 1, 2, 4, and 5, the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention may include a processing unit 210 and a heating unit 220.

처리부(210)는 플라즈마 반응부(200)의 외관을 형성하는 것으로 챔버부(100)와 중심축(C)을 공유하며, 상기 중심축(C)을 향하는 일면에는 내벽부(211)가 형성되고, 내벽부(211)와 대향되는 타면에는 외벽부(215)가 형성될 수 있다.The processing unit 210 forms the exterior of the plasma reaction unit 200, and shares a central axis C with the chamber unit 100, and an inner wall portion 211 is formed on one surface facing the central axis C. , An outer wall portion 215 may be formed on the other surface facing the inner wall portion 211.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 전극으로 형성될 수 있고, 처리부(210)는 챔버필터(105)와 마찬가지로 전원장치(120)로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성할 수 있다. Referring to FIG. 1, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention may be formed as an electrode, and the processing unit 210 receives power from the power supply 120 and generates plasma. Can be generated.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 뒤에 설명할 플레이트부(300), 구체적으로 플레이트본체(310)에 결합되며, 플레이트본체(310)에 형성되는 복수 개의 관통홀부(311) 사이에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 5, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention is coupled to a plate unit 300 to be described later, specifically a plate body 310, and a plurality of penetrations formed in the plate body 310 It may be disposed between the hole portions 311.

이로 인하여 뒤에 설명할 배치부(450)에 배치되는 파우더(P)가 가스 공급부(460)로부터 가스(G)를 공급받아 하측에서 상측(도 1 기준) 방향으로 관통홀부(311)를 향해 이동 시 파우더(P)가 처리부(210)의 연장 방향(도 1 기준 상하 방향)과 나란하게 처리부(210)의 내벽부(211)와 외벽부(215)에 대하여 수평 방향으로 이동될 수 있다.For this reason, when the powder P disposed in the placement unit 450 to be described later is supplied with the gas G from the gas supply unit 460 and moves from the lower side toward the through-hole part 311 in the upper side (see FIG. 1) The powder P may be moved in a horizontal direction with respect to the inner wall part 211 and the outer wall part 215 of the treatment part 210 in parallel with the extending direction of the treatment part 210 (up and down direction based on FIG. 1 ).

이에 더하여 파우더(P)가 처리부(210)의 연장 방향(도 5 기준 상하 방향)과 수직 방향(도 5 기준 좌우 방향)으로 이동되어 처리부(210)에 흡착되는 것에 비하여, 수직 방향으로 이동 시 파우더(P)가 처리부(210)에 형성되는 홀부를 통과하여 손실되는 것을 방지할 수 있고, 수평 이동 시 처리부(210)에 대한 파우더(P)의 흡착 표면적이 증가되는 효과가 있다.In addition, powder (P) is moved in the extending direction of the processing unit 210 (up and down directions based on Fig. 5) and in a vertical direction (left and right directions based on Fig. 5) and is adsorbed by the processing unit 210, when moving in the vertical direction It is possible to prevent the loss of (P) passing through the hole formed in the processing unit 210, and there is an effect of increasing the adsorption surface area of the powder P to the processing unit 210 during horizontal movement.

본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 내열성 다공질체 또는 다공성 메쉬로 형성될 수 있다. The processing unit 210 according to an embodiment of the present invention may be formed of a heat-resistant porous body or a porous mesh.

본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)가 나노 또는 마이크로 단위 사이즈로 가공되는 내열성 다공질체 또는 다공성 메쉬로 형성됨으로 인하여 파우더(P)를 처리부(210) 표면에 흡착 포집한 상태가 유지되는 효과가 있다. 처리부(210)는 열 변형이 적은 재료를 선택하여 제작하는 것이 바람직하다.The effect of maintaining the state in which the powder P is adsorbed and collected on the surface of the processing unit 210 because the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention is formed of a heat-resistant porous body or a porous mesh processed in nano or micro unit size There is. It is preferable to manufacture the processing unit 210 by selecting a material with less thermal deformation.

도 1, 도 2, 도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 챔버부(100)와 중심축(C)을 공유하며, 챔버부(100)의 내부에 설치되고, 상기 중심축(C)을 따라 상하 방향(도 1 기준)으로 연장 형성될 수 있다.1, 2, 5 to 7, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention shares the central axis (C) with the chamber unit 100, the interior of the chamber unit 100 It is installed in, and may be formed to extend along the central axis (C) in the vertical direction (see FIG. 1).

도 1, 도 2, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 내부가 중공으로 형성되며, 중심축(C)을 공유하며, 상기 중심축(C)으로부터 내벽부(211) 또는 외벽부(215)까지의 거리가 서로 다르도록 복수 개가 구비될 수 있다.1, 2, and 5, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention has a hollow interior, shares a central axis (C), and an inner wall portion from the central axis (C). A plurality of pieces may be provided so that the distances 211 or the outer wall portion 215 are different from each other.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 길이 방향 양단부(도 1 기준 상하단부)에 개구부가 형성되며, 뒤에 설명할 배치부(450)에 배치되는 파우더(P)가 하측에서 상측(도 5 기준) 방향을 따라 처리부(210)의 내벽부(211) 또는 외벽부(215)와 나란하게 수평 이동될 수 있다. 1, 2, and 5, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention has openings formed at both ends in the longitudinal direction (upper and lower ends of Fig. 1), and in the arrangement unit 450 to be described later. The disposed powder P may be horizontally moved in parallel with the inner wall portion 211 or the outer wall portion 215 of the processing unit 210 in a direction from the lower side to the upper side (refer to FIG. 5 ).

파우더(P)가 처리부(210)의 내벽부(211) 또는 외벽부(215)와 나란하게 수평 이동됨으로 인하여 파우더(P)가 처리부(210)의 연장 방향(도 5 기준 상하 방향)과 수직 방향(도 5 기준 좌우 방향)으로 이동되어 처리부(210)에 흡착되는 것에 비하여, 파우더(P)가 처리부(210)에 형성되는 홀부를 통과하여 손실되는 것을 방지할 수 있고, 수평 이동 시 처리부(210)에 대한 파우더(P)의 흡착 표면적이 증가되는 효과가 있다.Since the powder P is horizontally moved in parallel with the inner wall portion 211 or the outer wall portion 215 of the processing unit 210, the powder P is in a vertical direction to the extending direction of the processing unit 210 (up and down directions based on FIG. 5) Compared to being moved in the left and right direction (as shown in FIG. 5) and adsorbed to the processing unit 210, the powder P can be prevented from being lost through the hole formed in the processing unit 210, and when horizontally moving, the processing unit 210 ) There is an effect of increasing the adsorption surface area of the powder (P).

도 1, 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 내부가 중공으로 형성되고, 내주면이 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 내벽부(211)와 외벽부(215)가 형성될 수 있다. 처리부(210)에 형성되는 내벽부(211) 및 외벽부(215)에서 파우더(P)가 흡착 및 플라즈마 처리될 수 있다.1, 2, 4, and 5, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention has a hollow interior, an inner circumferential surface may be formed in a cylindrical shape, and an inner wall portion 211 And the outer wall portion 215 may be formed. The powder P may be adsorbed and plasma-treated from the inner wall portion 211 and the outer wall portion 215 formed in the processing unit 210.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수 개의 처리부(210)는 중심축(C)을 공유하며, 중심축(C)으로부터 내벽부(211) 또는 외벽부(215)까지의 거리가 각각 다르게 형성되어 방사형으로 배치될 수 있다. 2, a plurality of processing units 210 according to an embodiment of the present invention share a central axis (C), and the distance from the central axis (C) to the inner wall portion 211 or the outer wall portion 215 May be formed differently and arranged radially.

이로 인하여 인접한 복수 개의 처리부(210)에서 어느 하나의 처리부(210)의 내벽부(211)와 다른 하나의 처리부(210)의 외벽부(215) 사이로 파우더(P)가 이동되고, 각각의 내벽부(211), 외벽부(215)에 파우더(P)가 흡착 및 플라즈마 처리될 수 있다. Accordingly, the powder P is moved between the inner wall part 211 of one treatment part 210 and the outer wall part 215 of the other treatment part 210 in a plurality of adjacent treatment parts 210, and each inner wall part The powder P may be adsorbed and plasma-treated on the outer wall portion 211 and 215.

본 발명에서는 원통 형상의 처리부(210)가 내경 또는 외경을 달리하며 4개가 방사형으로 배치되나, 이에 한정하는 것은 아니고 2개, 3개, 5개 이상이 구비되는 등 다양한 변형실시가 가능하다.In the present invention, the cylindrical processing unit 210 has a different inner diameter or outer diameter and four are arranged radially, but the present invention is not limited thereto, and various modifications such as two, three, five or more are possible.

파우더(P)가 처리부(210)의 연장 방향과 나란하게 내벽부(211)와 외벽부(215) 사이를 수평 이동됨으로 인하여 처리부(210) 상 파우더(P)의 흡착 표면적이 증가되고 플라즈마 처리되는 파우더(P)의 처리량 및 처리 효율을 증가시킬 수 있다. Since the powder P is horizontally moved between the inner wall part 211 and the outer wall part 215 in parallel with the extending direction of the treatment part 210, the adsorption surface area of the powder P on the treatment part 210 is increased, and plasma treatment is performed. It is possible to increase the throughput and processing efficiency of the powder (P).

이에 더하여 미세입자인 파우더(P)의 기능화를 균일하게 이룰 수 있고 경제적인 양산화가 가능한 효과가 있다.In addition, there is an effect that the functionalization of the powder P, which is a fine particle, can be uniformly achieved and economical mass production is possible.

이에 더하여 파우더(P)에 대한 표면처리와 코팅이 완료된 후 고압 가스를 가압 시 처리부(210)의 내주면 둘레를 따라 균일하게 가압하여 흡착된 파우더(P)를 처리부(210)로부터 털어낼 수 있도록 한다.In addition, when the high-pressure gas is pressurized after the surface treatment and coating of the powder P is completed, it is uniformly pressurized along the inner circumference of the treatment unit 210 to remove the adsorbed powder P from the treatment unit 210. .

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)의 내부에 흡입 압력(V)이 작용되는 조건에서 전극으로 형성되는 처리부(210)의 표면에 파우더(P)가 흡착되어 적층될 수 있다.Referring to FIG. 4, the powder P is adsorbed on the surface of the processing unit 210 formed as an electrode under the condition that the suction pressure V is applied to the inside of the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention. And can be stacked.

구체적으로 뒤에 설명할 플레이트본체(310)에 형성되는 관통홀부(311)를 통하여 흡입 압력(V)이 작용되며, 가스 공급부(460)로부터 공급되는 가스(G)에 의해 파우더(P)가 하측에서 상측(도 5 기준)으로 이동 시 처리부(210)에 형성되는 흡착 표면의 연장 방향(도 5 기준 상하 방향) 과 나란하게 수평 이동되고, 처리부(210)에 흡착될 수 있다.Specifically, the suction pressure V is applied through the through hole 311 formed in the plate body 310 to be described later, and the powder P is transferred from the lower side by the gas G supplied from the gas supply unit 460. When moving upward (refer to FIG. 5 ), it is horizontally moved in parallel with the extension direction of the adsorption surface formed on the processing unit 210 (up and down direction of FIG. 5 ), and may be adsorbed to the processing unit 210.

그러나 이에 한정하는 것은 아니고 처리부(210)에는 나노 또는 마이크로 사이즈의 복수 개의 홀부가 형성될 수 있으며, 흡입 압력(V)이 작용되어 처리부(210)의 표면에 파우더(P)가 흡착될 수 있는 등 변형실시가 가능하다.However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of nano- or micro-sized holes may be formed in the treatment unit 210, and the powder P may be adsorbed on the surface of the treatment unit 210 by applying a suction pressure V. Modification can be implemented.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)의 처리부(210)는 표면적 전부를 흡착 영역으로 포함하나, 이에 한정하는 것은 아니고, 적어도 어느 한 부분, 또는 그 이상의 부분을 비 흡착 영역으로 포함할 수 있다. 4 and 5, the processing unit 210 of the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention includes all of the surface area as an adsorption area, but is not limited thereto, and at least one portion, or More than that portion may be included as a non-adsorption area.

도 6, 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)는 가열부(220)(heater)가 내장되거나 일체화된 것 중 어느 하나이거나 이들이 복합된 것을 모두 포함할 수 있다. 6 and 7, the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention, specifically, the processing unit 210 is any one of a built-in or integrated heating unit 220, or It can contain any combination.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)의 두께 상에 가열부(220)가 내장형으로 분산 배열될 수 있다.Referring to FIG. 6, the heating unit 220 may be distributedly arranged in a built-in type on the thickness of the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention.

플라즈마 반응부(200) 내부에 흡입 압력(V)이 작용되는 조건에서 처리부(210) 표면에 파우더(P)가 흡착 적층된 상태이고, 플라즈마 반응부(200)의 처리부(210) 표면적 전부가 흡착 영역으로 포함될 수 있다.The powder (P) is adsorbed and laminated on the surface of the processing unit 210 under the condition that the suction pressure (V) is applied inside the plasma reaction unit 200, and the entire surface area of the processing unit 210 of the plasma reaction unit 200 is adsorbed. Can be included as a domain.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)에 내장형으로 설치되는 가열부(220)로 인하여 미세입자인 파우더(P)를 직접 가열할 수 있는 효과가 있다.Referring to FIG. 6, there is an effect of directly heating the powder P, which is fine particles, due to the heating unit 220 installed in the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가열부(220)는 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)와 챔버부(100) 사이에 배치될 수 있다. 가열부(220)는 전극으로 형성되는 처리부(210)의 외부로 일정한 간격을 두고 떨어져 챔버부(100) 사이에 가열부(220)가 배열될 수 있다. Referring to FIG. 7, the heating unit 220 according to an embodiment of the present invention may be disposed between the plasma reaction unit 200, specifically, the processing unit 210 and the chamber unit 100. The heating unit 220 may be spaced apart from the processing unit 210 formed as an electrode at regular intervals, and the heating unit 220 may be arranged between the chamber units 100.

도 7을 참조하면 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)의 내부에 흡입 압력(V)이 작용되는 조건에서 처리부(210) 표면에 파우더(P)가 흡착 적층된 상태이고, 플라즈마 반응부(200)의 처리부(210) 표면적 전부가 흡착 영역으로 포함될 수 있다. Referring to FIG. 7, powder P is adsorbed and laminated on the surface of the processing unit 210 under the condition that the suction pressure V is applied to the plasma reaction unit 200, specifically, the plasma reaction unit 210. All of the surface area of the processing unit 210 of the unit 200 may be included as an adsorption area.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버부(100)와 처리부(210) 사이에 설치되는 가열부(220)에 의해 미세입자인 파우더(P)를 직접 가열할 수 있다.Referring to FIG. 7, the powder P, which is fine particles, may be directly heated by the heating unit 220 installed between the chamber unit 100 and the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 전극이 형성되는 처리부(210)는 가열부(220)의 배열, 흡착 영역 배열에 따른 구조적 차이가 있을 수 있다. 1 to 7, the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention, specifically, the processing unit 210 on which the electrode is formed, is structurally different according to the arrangement of the heating unit 220 and the arrangement of the adsorption region. There may be.

도 1 내지 도 7에 도시되는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)는 공통적으로 수 나노에서 수백 마이크로 사이즈 또는 미세입자인 파우더(P)를 흡착하기 위한 적절한 사이즈의 홀부가 구비되는 필터로 형성될 수 있다.The plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 7, specifically, the processing unit 210 is for adsorbing powder P having a size of several nanometers to several hundred microparticles or fine particles in common. It may be formed of a filter provided with a hole portion of an appropriate size.

이에 더하여 진공펌프(510)에 의해 발생되는 흡입 압력(V)에 의하여 파우더(P)를 처리부(210)에 흡착할 수는 있으나 통과되는 것을 방지하고, 다공성 처리부(210)에 파우더(P)를 균일하게 흡착 적층 시키면서 흡착되는 파우더(P) 등 미세입자에 대한 플라즈마 표면처리 및 코팅을 동시에 수행할 수 있다.In addition, the powder (P) may be adsorbed to the processing unit 210 by the suction pressure V generated by the vacuum pump 510, but it is prevented from passing, and the powder P is added to the porous processing unit 210. Plasma surface treatment and coating on fine particles such as powder (P) adsorbed while uniformly adsorbing and laminating can be performed simultaneously.

이후 플라즈마(PL)에 의해 표면처리 또는 코팅이 완료된 파우더(P)를, 가스로 가압하여 미세분말인 파우더(P)를 다공성 처리부(210)로부터 털어내고 파우더 수집부(600)를 통해 포집할 수 있다. After that, the powder (P), which has been surface-treated or coated by plasma (PL), is pressurized with gas to shake off the fine powder (P) from the porous treatment unit 210 and collect it through the powder collection unit 600. have.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트부(300)는 챔버부(100)의 내벽에 결합되는 것으로, 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)와 전기적으로 연결되며, 챔버부(100)의 내부에서 처리부(210)의 위치를 고정시킬 수 있다.1 to 7, the plate unit 300 according to an embodiment of the present invention is coupled to the inner wall of the chamber unit 100, and is electrically connected to the plasma reaction unit 200, specifically, the processing unit 210. It is connected to, and the position of the processing unit 210 inside the chamber unit 100 may be fixed.

본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트부(300)는 플레이트본체(310), 다공성 필터(320)를 포함할 수 있다. 플레이트본체(310)는 챔버부의 내부에서 파우더(P)의 이동 경로 상에 관통홀부(311)가 형성되는 것으로, 챔버부(100)의 내벽에 결합될 수 있다.The plate part 300 according to an embodiment of the present invention may include a plate body 310 and a porous filter 320. The plate body 310 has a through-hole part 311 formed on the moving path of the powder P inside the chamber part, and may be coupled to the inner wall of the chamber part 100.

구체적으로 관통홀부(311)는 플레이트본체(310)에서 처리부(210)가 결합되는 영역, 즉 복수 개의 처리부(210)의 내벽부(211)와 외벽부(215) 사이에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. Specifically, the through-hole part 311 is formed in a region in the plate body 310 to which the treatment part 210 is coupled, that is, a position corresponding between the inner wall part 211 and the outer wall part 215 of the plurality of treatment parts 210. I can.

도 1, 도 2, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다공성 필터(320)는 관통홀부(311)를 커버하도록 플레이트본체(310)에 결합되는 것으로, 나노 또는 마이크로 사이즈의 홀부가 형성될 수 있다.1, 2, and 5, the porous filter 320 according to an embodiment of the present invention is coupled to the plate body 310 so as to cover the through hole 311, and is a nano or micro-sized hole. Additional can be formed.

다공성 필터(320)가 나노 또는 마이크로 사이즈 단위의 복수 개의 홀부가 형성됨으로 인하여 작업 가스는 통과하여 배기되고, 작업 가스의 파우더(P) 이송에 의해 파우더(P)가 서로 다른 복수 개의 처리부(210)의 내벽부(211)와 외벽부(215) 사이로 이동되며, 처리부(210)에 흡착될 수 있도록 하는 효과가 있다.As the porous filter 320 is formed with a plurality of holes in the nano- or micro-sized unit, the working gas is passed through and exhausted, and a plurality of processing units 210 having different powders P by transferring the powder P of the working gas It is moved between the inner wall portion 211 and the outer wall portion 215 of, and has an effect of being adsorbed to the processing portion 210.

도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다공성 필터(320)는 관통홀부(311)의 내측에 배치되도록 플레이트본체(310)에 결합될 수 있다.1, 2, and 5, the porous filter 320 according to an embodiment of the present invention may be coupled to the plate body 310 so as to be disposed inside the through hole 311.

그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다공성 필터를 포함하는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면으로, 도 8과 같이 플레이트본체(310)의 상측(도 8 기준)에 배치 결합되어 관통홀부(311)가 형성되는 플레이트본체(310)을 커버하는 등 다양한 변형실시가 가능함은 물론이다.However, the present invention is not limited thereto, and FIG. 8 is a view schematically showing the configuration of a horizontally movable powder plasma processing apparatus including a porous filter according to another embodiment of the present invention, and the upper side of the plate body 310 as shown in FIG. It goes without saying that various modifications, such as covering the plate body 310 in which the through hole 311 is formed by being disposed and coupled to (based on FIG. 8) are possible.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 공급부(400)는 플라즈마 반응부(200)로 파우더(P)를 공급하는 것으로, 파우더(P)를 플라즈마(PL) 반응 처리할 수 있도록 플라즈마 반응부(200)에 효과적으로 공급할 수 있는 효과가 있다.1 and 5, the powder supply unit 400 according to an embodiment of the present invention supplies the powder P to the plasma reaction unit 200, and processes the powder P by plasma (PL) reaction. There is an effect that can be effectively supplied to the plasma reaction unit 200 to be able to do so.

본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 공급부(400)는 파우더 공급장치(110)로부터 파우더(P)를 플라즈마 반응부(200)로 보내도록 챔버부(100)와 연통되고 피더 밸브(410)가 설치되는 런너(420)와, 상기 런너(420)에 설치되는 가열부(430), 충돌플레이트(440), 배치부(450), 가스 공급부(460)를 포함할 수 있다.The powder supply unit 400 according to an embodiment of the present invention communicates with the chamber unit 100 to send the powder P from the powder supply device 110 to the plasma reaction unit 200, and a feeder valve 410 is installed. It may include a runner 420 to be used, a heating unit 430 installed on the runner 420, a collision plate 440, a placement unit 450, and a gas supply unit 460.

이렇게 런너(420)에 설치되는 가열부(430)는 플라즈마 반응부(200)로 주입되는 파우더(P)에 열을 가해 수분 등에 의해 뭉쳐지는 분말을 먼저 건조시켜 분쇄 작용이 쉽게 일어나도록 하고, 이를 통해 플라즈마 반응부(200) 안에서 분산과 확산을 유도하여 전극으로 형성되는 처리부(210)의 고른 영역에 흡착되도록 하는 효과가 있다.In this way, the heating unit 430 installed on the runner 420 applies heat to the powder P injected into the plasma reaction unit 200 to first dry the powder agglomerated by moisture, etc. so that the pulverization action can easily occur. Through this, there is an effect of inducing dispersion and diffusion in the plasma reaction unit 200 to be adsorbed to an even area of the processing unit 210 formed as an electrode.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 공급부(400)는 파우더 공급장치(110)로부터 공급되는 파우더(P)가 플라즈마 반응부(200)에 도달하기 전에 파우더(P)의 이동 경로 상에 배치되어, 파우더(P)와 충돌되는 충돌플레이트(440)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the powder supply unit 400 according to an embodiment of the present invention moves the powder P before the powder P supplied from the powder supply device 110 reaches the plasma reaction unit 200. It is disposed on the path and may include a collision plate 440 colliding with the powder (P).

도 1을 참조하면, 본 발명에서는 파우더 공급부(400)가 파우더(P)를 가스로 운반하여 플라즈마 반응부(200)로 주입할 수 있다.Referring to FIG. 1, in the present invention, the powder supply unit 400 may transport the powder P as a gas and inject it into the plasma reaction unit 200.

본 발명의 일 실시예에 따른 충돌플레이트(440)는 런너(420)를 통하여 플라즈마 반응부(200)로 이동하는 파우더(P)의 충돌을 유도하여 파우더(P)를 분쇄하고, 이로 인하여 파우더(P)들이 분산되어 균일하게 전극이 형성되는 다공성 처리부(210)에 흡착될 수 있도록 한다.The collision plate 440 according to an embodiment of the present invention induces a collision of the powder P moving to the plasma reaction unit 200 through the runner 420 to crush the powder P, thereby pulverizing the powder ( The P) is dispersed so that the electrode is uniformly adsorbed to the porous treatment unit 210.

본 발명의 일 실시예에 따른 가열부(430)에 의하여 건조된 파우더(P)는 그렇지 않은 것에 비하여 분산성이 향상되는 효과가 있다.The powder P dried by the heating unit 430 according to an embodiment of the present invention has an effect of improving dispersibility as compared to that of not.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 충돌플레이트(440)는 런너(420)의 종단부 근처에 설치되나, 이에 한정하는 것은 아니고 챔버부(100)의 내부, 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)의 외측부, 파우더(P)를 공급하는 런너(420)의 출구 부분에 설치될 수 있고, 이로 인하여 파우더(P)가 플라즈마 반응부(200)에 도달하기 전에 항상 충돌을 일으킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the collision plate 440 according to an embodiment of the present invention is installed near the end of the runner 420, but is not limited thereto, and the inside of the chamber unit 100, the plasma reaction unit 200 ), specifically the outer portion of the processing unit 210, may be installed at the outlet portion of the runner 420 supplying the powder (P), thereby always colliding before the powder (P) reaches the plasma reaction unit (200) Can cause.

본 발명의 일 실시예에 따른 충돌플레이트(440)는 충돌 후 파우더(P)의 분산이 신속하게 일어나도록 상부(도 1 기준)을 향하여 비스듬하게 각도가 벌어져 기울어진 형상으로 설치될 수 있다.The collision plate 440 according to an exemplary embodiment of the present invention may be installed in an inclined shape with an angle open toward the top (based on FIG. 1) so that dispersion of the powder P occurs quickly after collision.

본 발명의 일 실시예에 따른 배치부(450)는 챔버부(100)의 내부에 배치되는 플라즈마 반응부(200) 측으로 주입되는 파우더(P)가 배치되는 영역으로 처리부(210)의 하측(도 1 기준)에 형성될 수 있다.The placement unit 450 according to an embodiment of the present invention is a region in which the powder P injected toward the plasma reaction unit 200 disposed inside the chamber unit 100 is disposed, and the lower side of the processing unit 210 (Fig. 1 standard).

도 1을 참조하면, 진공펌프(510)가 작동하지 않는 대기압 정도의 상태에서 파우더(P)는 배치부(450)의 표면에 가라앉는다. Referring to FIG. 1, in a state of atmospheric pressure in which the vacuum pump 510 does not operate, the powder P sinks on the surface of the placement unit 450.

구체적으로 플라즈마 반응부(200)에 의한 파우더(P)의 플라즈마 기능화 처리 전 대기 모드에서는 진공 펌프(510)의 구동을 중지시키고 대부분의 파우더(P)가 배치부(450)의 표면에 쌓이도록 운전 모드를 선택할 수 있다.Specifically, in the standby mode before the plasma functionalization treatment of the powder P by the plasma reaction unit 200, the operation of the vacuum pump 510 is stopped and most of the powder P is operated to accumulate on the surface of the placement unit 450 You can choose the mode.

도 1은 파우더(P)가 배치부(450)에 쌓인 상태를 나타내며, 파우더 플라즈마 기능화 처리 모드에서는 진공 펌프(510)를 구동시켜 발생되는 흡입력과 가스 공급부(460)로부터 공급되는 가스(G)로 인하여 배치부(450)에 쌓여 있던 파우더(P)가 상측 방향(도 5 기준)으로 이동되며, 복수 개의 처리부(210)의 각 내벽부(211)와 외벽부(215) 사이를 통과할 수 있다.1 shows a state in which the powder P is accumulated on the placement unit 450, and in the powder plasma functionalization processing mode, the suction force generated by driving the vacuum pump 510 and the gas G supplied from the gas supply unit 460 are used. Due to this, the powder P accumulated in the placement unit 450 is moved upward (based on FIG. 5 ), and may pass between the inner wall portions 211 and the outer wall portions 215 of the plurality of processing units 210. .

파우더(P)가 처리부(210)의 흡착 표면과 나란하게 하측에서 상측 방향(도 5 기준)으로 수평 이동됨으로 인하여 파우더(P)가 처리부(210)의 흡착 표면적에 대하여 수직 방향으로 이동되는 것에 비하여 파우더(P)의 처리부(210)에 대한 흡착 표면적이 증가되는 효과가 있다.Compared to the powder (P) is moved in a vertical direction with respect to the adsorption surface area of the processing unit 210 because the powder (P) is horizontally moved from the lower side to the upper direction (see Fig. 5) parallel to the adsorption surface of the processing unit 210 There is an effect of increasing the adsorption surface area of the powder P with respect to the processing unit 210.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(460)는 챔버부(100)와 연통되는 것으로, 챔버부(100)의 내부에 배치되는 배치부(450)에 위치하는 파우더(P) 측을 향해 가스(G)를 분사 공급할 수 있다.1 and 5, the gas supply unit 460 according to an embodiment of the present invention is in communication with the chamber unit 100 and is located in the placement unit 450 disposed inside the chamber unit 100 Gas (G) can be injected and supplied toward the powder (P) side.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(460)로 인하여 파우더(P)의 유동을 활성화시켜 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)의 흡착 표면에 대한 유동 흡착을 균일하면서도 안정적으로 유도할 수 있는 효과가 있다. By activating the flow of the powder P due to the gas supply unit 460 according to an embodiment of the present invention, flow adsorption to the adsorption surface of the plasma reaction unit 200, specifically, the processing unit 210 is uniformly and stably induced There is an effect that can be done.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(460)는 가스 유도관(461)을 포함할 수 있다. 1 and 5, the gas supply unit 460 according to an embodiment of the present invention may include a gas guide tube 461.

가스 유도관(461)은 챔버부의 내부로 유입되는 가스(G)의 유동 경로를 제공하는 것으로, 배치부(450)의 중심으로 집중되도록 소정 각도로 기울어지도록 경사지게 형성될 수 있다.The gas guide pipe 461 provides a flow path of the gas G flowing into the chamber unit, and may be formed to be inclined to be inclined at a predetermined angle so as to be concentrated at the center of the placement unit 450.

이로 인하여 배치부(450)에 모여있는 파우더(P)를 띄워서 상측(도 5 기준) 방향으로 이동되도록 하고, 구체적으로 중심축(C)을 공유하며 방사형으로 배치되는 복수 개의 처리부(210) 각각의 외벽부(215)와 내벽부(211) 사이로 파우더(P)가 처리부(210)의 흡착 표면에 나란하게 수평 이동되도록 하여 흡착 표면적이 증가되는 효과가 있다.Accordingly, the powder (P) collected in the placement unit (450) is floated so that it is moved in the upward direction (as shown in FIG. 5), and specifically, each of the plurality of processing units (210) that share the central axis (C) and are radially disposed The powder P is horizontally moved parallel to the adsorption surface of the treatment unit 210 between the outer wall part 215 and the inner wall part 211, thereby increasing the adsorption surface area.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 흡착수단(500)은 챔버부(100) 또는 플라즈마 반응부(200)와 연결되는 것으로, 플라즈마 반응부(200) 또는 챔버부(100) 내부의 압력을 변동시키고, 이로부터 처리부(210) 상에 파우더(P)를 흡착, 플라즈마 처리될 수 있는 효과가 있다.1 and 5, the powder adsorption means 500 according to an embodiment of the present invention is connected to the chamber unit 100 or the plasma reaction unit 200, and the plasma reaction unit 200 or the chamber unit (100) There is an effect of varying the internal pressure, from which the powder (P) is adsorbed onto the processing unit 210 and subjected to plasma treatment.

도 1 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 흡착수단(500)은 플라즈마 반응부(200)의 내부 압력을 변동시켜 처리부(210)에 흡입 압력(V)이 작용되도록 압력을 전달하는 진공펌프(510), 상기 진공펌프(510)의 펌핑(pumping) 압력을 플라즈마 반응부(200)로 인가하거나 제어할 수 있는 진공펌프 밸브(530), 그리고 챔버부(100) 또는 플라즈마 반응부(200)와 진공펌프(510)를 연결하는 유로(550)를 포함할 수 있다.1 and 5, the powder adsorption means 500 according to an embodiment of the present invention is a pressure so that the suction pressure V is applied to the processing unit 210 by varying the internal pressure of the plasma reaction unit 200. A vacuum pump 510 that transmits energy, a vacuum pump valve 530 capable of applying or controlling the pumping pressure of the vacuum pump 510 to the plasma reaction unit 200, and the chamber unit 100 or plasma It may include a flow path 550 connecting the reaction unit 200 and the vacuum pump 510.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 진공펌프(510)의 펌핑 압력은 챔버부(100) 또는 플라즈마 반응부(200) 내부에 흡입 압력(V)을 발생시킬 수 있다. 1 to 4, the pumping pressure of the vacuum pump 510 according to an embodiment of the present invention may generate a suction pressure V in the chamber unit 100 or the plasma reaction unit 200. .

파우더(P)가 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 처리부(210)에 흡착되는 메커니즘은 흡입 압력(V)에 의한 압력 차이로 흡착되는 원리와, 플라즈마(PL) 내에서 포텐셜(potential) 차이가 발생하고 파우더(P)가 플라즈마(PL)에 의해 하전을 띄면 정전기 현상에 의해 정전기적 흡착 메커니즘이 존재하는 것에 따른다.The mechanism by which the powder P is adsorbed to the plasma reaction unit 200, specifically the processing unit 210, is the principle that the powder P is adsorbed by a pressure difference due to the suction pressure V, and the potential difference in the plasma PL is When generated and the powder (P) is charged by the plasma (PL), it is due to the existence of an electrostatic adsorption mechanism by the electrostatic phenomenon.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유로(550)는 전극과 접지 사이에 절연을 유지하기 위하여 절연 성능을 갖는 절연관으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a flow path 550 according to an exemplary embodiment of the present invention may be formed of an insulating tube having insulation performance in order to maintain insulation between an electrode and a ground.

유로(550)가 연결되는 전극관(130)은 금속관 유로(550)로 전기를 통하며 가스가 유동할 수 있는 관으로 형성되며, 전극관(130)과 챔버부(100)의 절연을 위하여 전극관(130) 주위를 절연체(140)로 처리하여 전기 절연을 확보할 수 있다. The electrode tube 130 to which the flow path 550 is connected is formed as a tube through which electricity is passed through the metal tube flow path 550 and through which gas can flow, and an electrode is used to insulate the electrode tube 130 and the chamber unit 100. Electrical insulation can be secured by treating the tube 130 with an insulator 140.

이에 더하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전극관(130)과 처리부(210)는 전기적으로 연결되어 있고, 전극관(130)에 전원장치(120)의 전기선이 전원장치(120)의 전기선이 연결될 수 있다. In addition, the electrode tube 130 and the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention are electrically connected, and the electric line of the power supply device 120 is connected to the electrode tube 130. I can.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극관(130)에는 역 압력을 가하여 플라즈마 반응부(200) 내부 진공, 즉 흡입 압력(V)을 유지하거나 해제하기 위하여 역 압력 유입을 통제하는 역 압력 밸브(570)가 설치될 수 있다.1 and 5, a reverse pressure is applied to the electrode tube 130 according to an embodiment of the present invention to maintain or release the vacuum inside the plasma reaction unit 200, that is, the suction pressure V. A reverse pressure valve 570 for controlling the inflow may be installed.

역 압력 밸브(570)는 유로(550)로부터 연장되는 역 압력 유입구를 두어 설치될 수 있다. 도 1을 참조하면, 화살표 방향 표시 'c'는 배기이고, 'd'는 역 압력 인입을 의미한다.The reverse pressure valve 570 may be installed by providing a reverse pressure inlet extending from the flow path 550. Referring to FIG. 1, the arrow direction'c' denotes exhaust, and'd' denotes reverse pressure inlet.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)에는 파우더 수집부(600)가 개폐 밸브(610)를 통해 일체화되어 연결될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 5, a powder collecting unit 600 may be integrated and connected to the plasma reaction unit 200 according to an exemplary embodiment of the present invention through an opening/closing valve 610.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)와 파우더 수집부(600) 일체화 구조를 통하여 플라즈마(PL)를 통한 표면처리 및 코팅이 완료된 파우더(P) 미세분말을 개폐 밸브(610)를 개방하여 플라즈마 반응부(200)의 처리부(210)에서 털어낸 후 바로 파우더 수집부(600)에서 회수할 수 있다.Through the integrated structure of the plasma reaction unit 200 and the powder collection unit 600 according to an embodiment of the present invention, the powder P fine powder, which has been surface-treated and coated through the plasma PL, is opened and closed with the valve 610. After opening and shaking off from the processing unit 210 of the plasma reaction unit 200, it can be collected from the powder collection unit 600 immediately.

도 1, 도 5를 참조하면, 파우더 수집부(600)에는 벤트 가스 'e'가 유입되는 벤트 가스 유로(620)가 연결되고, 상기 벤트 가스 유로(620)에는 벤트 밸브(630)가 설치될 수 있으며, 상기 벤트 가스 유로(620)에는 진공펌프(510)의 펌핑 압력을 전달하는 유로(550)와 수집부 진공 밸브(640)가 설치되는 분기 유로(650)를 통해 연결될 수 있다.1 and 5, a vent gas flow path 620 into which a vent gas'e' is introduced is connected to the powder collection unit 600, and a vent valve 630 is installed in the vent gas flow path 620. The vent gas flow path 620 may be connected through a flow path 550 for transmitting the pumping pressure of the vacuum pump 510 and a branch flow path 650 in which the collection part vacuum valve 640 is installed.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200) 주위로 외부 가스를 유입하여 공급하는 가스 유도로(240)가 설치될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 5, a gas induction path 240 for supplying and supplying an external gas to the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention may be installed.

도 1, 도 5를 참조하면, 화살표 방향 표시 'b'는 외부로부터 공급되는 신선한 가스로서 가스 유도로(240)를 통해 절연체(140) 주위로 신선한 가스를 공급하여 전도성 미세분말이 절연체(140) 주변부로 흡착되는 현상을 억제, 전기 절연이 유지될 수 있도록 하는 효과가 있다.1 and 5, the arrow direction mark'b' is a fresh gas supplied from the outside, and a fresh gas is supplied around the insulator 140 through the gas induction path 240 so that the conductive fine powder is converted into It has the effect of suppressing the phenomenon of being adsorbed to the periphery and maintaining electrical insulation.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)는, 도면에 구체적으로 도시하지는 않았으나 플라즈마 중합을 이용한 박막코팅에서 액상 모노모를 주입하는 버블러(bubbler)가 장착되는 구성을 더 포함할 수 있다. 1 to 7, the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is a bubbler for injecting a liquid monomole in a thin film coating using plasma polymerization, although not specifically shown in the drawings. bubbler) may be further included.

이에 더하여 O2, N2, NH3, CF4, 전구체(precusors) 중 하나 이상을 주입하여 파우더(P)의 표면의 작용기나 박막의 물성을 제어하여 파우더(P)의 표면에 플라즈마-CVD(plasma-chemical vapor deposition)를 수행하는 구성을 선택적으로 포함할 수 있다.In addition, by injecting one or more of O2, N2, NH3, CF4, and precursors to control the functional groups on the surface of the powder P or the physical properties of the thin film, plasma-CVD (plasma-chemical vapor) is applied to the surface of the powder P. Deposition) may be selectively included.

상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)의 작동원리 및 효과에 관하여 설명한다.The operating principle and effect of the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention as described above will be described.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)로, 플라즈마 처리를 위한 파우더 인입, 파우더의 플라즈마 처리, 파우더의 플라즈마 처리 완료 후 회수 처리가 이루어지며, 이하에서는 플라즈마 처리를 위한 파우더 인입, 파우더의 플라즈마 처리에 관하여 자세히 설명하도록 한다.1 to 7, with the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, powder injection for plasma treatment, plasma treatment of the powder, and recovery treatment after completion of the plasma treatment of the powder are performed. Hereinafter, the introduction of powder for plasma treatment and plasma treatment of the powder will be described in detail.

파우더 공급장치(110)에 저장되는 파우더(P)는 도 1의 'a'방향으로 런너(420)를 통해 고속으로 플라즈마 반응부(200)로 이송된다. The powder P stored in the powder supply device 110 is transferred to the plasma reaction unit 200 at high speed through the runner 420 in the direction'a' of FIG. 1.

진공펌프(510)가 작동하면 플라즈마 반응부(200)의 내부에는 흡입 압력(V)이 형성되고, 그 압력으로 파우더(P)가 플라즈마 반응부(200) 안으로 빨려들어가거나 아니면 파우더 공급장치(110) 자체적으로 파우더(P)를 가압하여 이동시킬 수 있다.When the vacuum pump 510 is operated, a suction pressure (V) is formed in the plasma reaction unit 200, and the powder P is sucked into the plasma reaction unit 200 or the powder supply device 110 ) You can move the powder (P) by pressing itself.

파우더 공급부(400)의 런너(420)에 설치되는 가열부(430)는 파우더(P)를 건조시켜 플라즈마 반응부(200)로 보내는데, 가열부(430)가 설치되는 런너(420)를 통과하면 수분 등에 의해 뭉쳐져 있는 파우더(P)를 건조시켜 뭉쳐진 파우더(P)가 잘 분쇄될 수 있도록 한다.The heating unit 430 installed on the runner 420 of the powder supply unit 400 dries the powder P and sends it to the plasma reaction unit 200. When passing through the runner 420 where the heating unit 430 is installed, Dry the lumped powder (P) by moisture, etc. so that the lumped powder (P) can be crushed well.

도 1, 도 5를 참조하면, 런너(420)를 빠져나가는 파우더(P)는 바로 플라즈마 반응부(200)에 이르지 못하고, 다시 충돌플레이트(440)에 부딪힌다. Referring to FIGS. 1 and 5, the powder P exiting the runner 420 does not immediately reach the plasma reaction unit 200 and hits the collision plate 440 again.

뭉쳐진 파우더(P)는 고속으로 충돌플레이트(440)와 충돌하면서 뭉쳐진 파우더(P)를 원래의 입자 상태로 잘게 쪼개 뜨려 분산되면서 플라즈마 반응부(200), 구체적으로 전극이 형성되는 처리부(210)의 원주면 표면적에 고른 분포로 흡착될 수 있다.The agglomerated powder (P) collides with the collision plate 440 at high speed, and the lumped powder (P) is divided into its original particle state and dispersed, and the plasma reaction unit 200, specifically the processing unit 210 in which the electrode is formed. It can be adsorbed evenly on the circumferential surface area.

충돌플레이트(440)에 충돌하여 분쇄되는 파우더(P)는 챔버부(100), 구체적으로 챔버부(100)의 내부에 배치되는 처리부(210)의 하측(도 1 기준)에 형성되는 배치부(450)로 이동될 수 있다.The powder P that is pulverized by colliding with the collision plate 440 is disposed under the chamber unit 100, specifically, the processing unit 210 disposed inside the chamber unit 100 (see FIG. 1). 450).

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급부(460), 구체적으로 가스 유도관(461)에서 가스가 분사 공급되며, 배치부(450)에 쌓인 파우더(P)의 중심을 향해 분사됨으로 인하여 파우더(P)가 안정적으로 처리부(210)로 이동되도록 하는 효과가 있다.1 and 5, gas is injected and supplied from a gas supply unit 460, specifically a gas guide tube 461 according to an embodiment of the present invention, and the powder P accumulated in the placement unit 450 Since it is sprayed toward the center, there is an effect of stably moving the powder P to the processing unit 210.

진공 펌프(510)의 흡입 압력(V)과 가스 공급부(460)에서 분사되는 가스에 의해 파우더(P)는 서로 다른 크기의 처리부(210)의 각각의 내벽부(211) 또는 외벽부(215) 사이를 통과하며 상측 방향(도 5 기준)으로 이동되고, 처리부(210)의 흡착 표면과 나란하게 수평 이동되어 흡착, 플라즈마 처리될 수 있다.Powder (P) by the suction pressure (V) of the vacuum pump 510 and the gas injected from the gas supply unit 460 is each inner wall portion 211 or outer wall portion 215 of the processing unit 210 of different sizes It passes through and moves in an upward direction (refer to FIG. 5 ), and horizontally moves parallel to the adsorption surface of the processing unit 210 to be adsorbed and plasma treated.

이로 인하여 파우더(P)가 처리부(210)의 흡착 표면에 대하여 수직 방향으로 이동되어 흡착되는 것에 비하여 이동으로 인한 흡착 구간이 증가되고, 파우더(P)가 처리부(210)에 형성되는 홀부를 통과함으로써 발생되는 손실을 상대적으로 저감시킬 수 있는 효과가 있다.As a result, the powder P is moved in a vertical direction with respect to the adsorption surface of the treatment unit 210 to increase the adsorption section due to the movement, and the powder P passes through the hole formed in the treatment unit 210. There is an effect of relatively reducing the generated loss.

파우더(P)를 플라즈마 처리하기 위하여 플라즈마 반응부(200)로 보내는 과정에서 신선한 외부 가스 'b'를 가스 유도로(240)를 통해 주입하여 전극관(130)을 둘러싸는 절연체(140)에 전도성 파우더(P)가 달라붙지 않도록 함으로써 전기 절연이 유지되도록 하고 안정적인 플라즈마(PL)가 유지되는 효과가 있다.In the process of sending the powder P to the plasma reaction unit 200 for plasma treatment, fresh external gas'b' is injected through the gas induction furnace 240 to conduct the insulator 140 surrounding the electrode tube 130. By preventing the powder P from sticking, there is an effect of maintaining electrical insulation and maintaining a stable plasma PL.

본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)에서 파우더 공급장치(110), 가열부(430), 가스 공급부(460), 진공펌프(510), 전원장치(120)가 각각 작동하여 파우더(P)의 플라즈마 처리가 수행될 수 있다.In the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the powder supply device 110, the heating unit 430, the gas supply unit 460, the vacuum pump 510, and the power supply unit 120 are respectively By operating, plasma treatment of the powder P may be performed.

이때 열리는 밸브들은 파우더(P)를 플라즈마 반응부(200) 안으로 주입하는 런너(420)에 설치되는 피더 밸브(410), 진공펌프(510)의 흡입력이 플라즈마 반응부(200)의 흡입 압력(V)을 형성하도록 유로(550)에 설치되는 진공펌프 밸브(530), 플라즈마 반응부(200)와 파우더 수집부(600)를 연결하는 개폐 밸브(610)이고, 나머지 밸브들은 닫힘 상태가 유지된다.At this time, the valves opened are feeder valves 410 installed on the runner 420 that injects powder P into the plasma reaction unit 200, and the suction force of the vacuum pump 510 is the suction pressure of the plasma reaction unit 200 (V ) To form a vacuum pump valve 530 installed in the flow path 550, an opening/closing valve 610 connecting the plasma reaction unit 200 and the powder collecting unit 600, and the remaining valves are maintained in a closed state.

본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)에 의하여 파우더 플라즈마 처리 과정에서 연속적으로 가열부(430)가 설치되는 런너(420) 그리고 충돌판을 거치면서 유입되는 파우더(P)는 진공펌프(510)의 흡입 압력(V)에 의해 처리부(210)의 표면에 흡착되면서 연속적으로 플라즈마 처리되고 어느 정도 파우더(P)가 처리부(210)에 적층되면 플라즈마 처리를 중단하고, 파우더(P) 수거 운전으로 전환될 수 있다. In the powder plasma treatment process by the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, the runner 420 to which the heating unit 430 is continuously installed and the powder P flowing through the collision plate The plasma treatment is continuously plasma-treated while being adsorbed to the surface of the processing unit 210 by the suction pressure V of the vacuum pump 510, and when the powder P is deposited on the processing unit 210 to some extent, the plasma processing is stopped, and the powder ( P) It can be converted to collection operation.

플라즈마(PL) 반응시간은 플라즈마 처리하는 파우더(P)의 성분과 처리 목적 등에 따라 자유롭게 정하여 조절할 수 있음은 물론이다.It goes without saying that the plasma (PL) reaction time can be freely determined and adjusted according to the components of the powder P to be plasma treated and the purpose of treatment.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)는 진공펌프(510)에 의한 흡입 압력(V)의 작용으로 흡착형의 특성을 나타낼 수 있다. Plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention may exhibit the characteristics of the adsorption type by the action of the suction pressure (V) by the vacuum pump 510.

다공성 필터(320)와 별개로, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 수 나노에서 수백 마이크로 사이즈의 홀부를 가지는 필터로 형성될 수 있다. 표면적의 부피를 사양과 처리 용량에 따라 자유롭게 설계하는 것도 가능하며, 메쉬형 부재를 처리부(210)로 선택하여 적용할 수 있다. Apart from the porous filter 320, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention may be formed as a filter having a hole portion having a size of several nanometers to several hundreds of microns. It is also possible to freely design the volume of the surface area according to specifications and treatment capacity, and a mesh-like member may be selected and applied as the treatment unit 210.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)는 챔버부(100)와 중심축(C)을 공유하며, 상기 중심축(C)으로부터의 거리가 서로 다른 복수 개의 처리부(210)가 방사형으로 배치될 수 있다.1 to 7, the processing unit 210 according to an embodiment of the present invention shares a central axis (C) with the chamber unit 100, and a plurality of different distances from the central axis (C). The four processing units 210 may be radially arranged.

이로 인하여 서로 다른 복수 개의 처리부(210)의 각각의 내벽부(211)와 외벽부(215) 사이를 파우더(P)가 통과하며 처리부(210)의 흡착 표면과 나란하게 수평 이동되며, 처리부(210)의 흡착 표면에 대하여 수직 방향으로 파우더(P)가 이동되는 것에 비하여 흡착 구간 및 흡착 표면적이 증가되고, 파우더(P) 처리량이 증가되는 효과가 있다.Due to this, the powder P passes between the inner wall portion 211 and the outer wall portion 215 of each of the plurality of different processing units 210 and is horizontally moved in parallel with the adsorption surface of the processing unit 210, and the processing unit 210 Compared to the movement of the powder (P) in the vertical direction with respect to the adsorption surface of ), the adsorption section and the adsorption surface area are increased, and the powder (P) throughput is increased.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)는 진공펌프(510)에 의해 발생되는 흡입 압력(V)에 의하여 파우더(P) 미세입자를 처리부(210)의 외주면 또는 외주면 즉 내벽부(211), 외벽부(215)에 흡착하지만 통과시키지 않으며, 잘게 분쇄되는 파우더(P)는 처리부(210)에 균일하게 적층이 이루어지는 동시에 플라즈마(PL)에 의하여 전극으로 형성되는 처리부(210)의 표면에 흡착된 파우더(P) 미세입자의 표면처리 또는 코팅을 선택적으로 처리할 수 있다.Plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention by the suction pressure (V) generated by the vacuum pump 510 powder (P) fine particles of the outer circumferential surface or outer circumferential surface of the processing unit 210, that is, the inner wall ( 211), the powder P that is adsorbed on the outer wall part 215 but does not pass through it is uniformly laminated on the treatment part 210 and at the same time is formed as an electrode by the plasma PL on the surface of the treatment part 210 The surface treatment or coating of the powder (P) microparticles adsorbed on may be selectively treated.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 반응부(200)는 내부에 가열부(220)를 매입한 내장형으로 설치될 수 있고, 도 7에 도시된 바와 같이 처리부(210)와 챔버부(100) 사이에 가열부(220)를 배치하여 처리부(210) 또는 그 주변부에 열을 공급할 수 있도록 함으로써 파우더(P) 미세입자에 대한 표면처리 및 코팅 과정에서 파우더(P) 미세입자를 가열할 수 있다.Referring to FIG. 6, the plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention may be installed in a built-in type having a heating unit 220 embedded therein. As shown in FIG. 7, the plasma reaction unit 200 and the processing unit 210 By arranging the heating unit 220 between the chamber units 100 to supply heat to the processing unit 210 or its periphery, the powder (P) fine particles are removed during the surface treatment and coating process for the powder (P) fine particles. Can be heated.

이로 인하여 파우더(P) 미세입자에 대한 표면처리와 코팅처리에 대한 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.Accordingly, there is an effect of increasing the efficiency of the surface treatment and coating treatment for the powder (P) fine particles.

표면처리 및 코팅이 완료된 후에는 고압 가스로 가압하여 미세분말을 처리부(210)에서 털어내고 별도의 회수장비 없이 바로 파우더 수집부(600)를 통해 회수할 수 있으므로 플라즈마 처리된 파우더(P)를 쉽고 신속하게 경제적으로 회수할 수 있다.After the surface treatment and coating are completed, it is pressurized with high-pressure gas to shake off the fine powder from the processing unit 210 and can be recovered directly through the powder collection unit 600 without a separate recovery equipment, so that plasma-treated powder (P) can be easily recovered. It can be quickly and economically recovered.

본 발명의 일 실시에에 따른 흡착형 플라즈마 반응부(200)는 플라즈마 중합을 이용한 파우더(P) 미세분말의 박막코팅 시 액상 모노모를 주입시킬 수 있는 버블러(미도시)를 장착하고, 다양한 반응성 가스(O2, N2, NH3, CF4, 다양한 전구체 등)를 주입하여 표면의 작용기나 박막의 물성을 제어할 수 있으므로, 파우더(P)의 표면에 대한 플라즈마(PL)-CVD를 자유롭게 수행할 수도 있다.The adsorption type plasma reaction unit 200 according to an embodiment of the present invention is equipped with a bubbler (not shown) capable of injecting a liquid monomole during thin film coating of the powder (P) fine powder using plasma polymerization, Since gas (O2, N2, NH3, CF4, various precursors, etc.) can be injected to control the functional groups on the surface or physical properties of the thin film, plasma (PL)-CVD can be freely performed on the surface of the powder (P). .

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)는 파우더 플라즈마 처리 완료 후 파우더(P)의 회수 처리를 다음과 같이 수행할 수 있다.Meanwhile, the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may perform a recovery treatment of the powder P after completion of the powder plasma treatment as follows.

파우더 공급장치(110)와 전원 장치의 작동을 멈추면 플라즈마 처리도 중단된다. 이때 닫히는 밸브들은 런너(420) 측 피더 밸브(410), 플라즈마 반응부(200)와 파우더 수집부(600) 사이에 설치되는 개폐 밸브(610), 분기 유로(650)에 설치되는 수집부 진공 밸브(640), 유로(550)에 설치되는 역 압력 밸브(570)이다. When the operation of the powder supply device 110 and the power supply device is stopped, plasma processing is also stopped. At this time, the valves that are closed are the feeder valve 410 on the runner 420 side, the on/off valve 610 installed between the plasma reaction unit 200 and the powder collection unit 600, and a collection unit vacuum valve installed in the branch flow path 650 It is a reverse pressure valve 570 installed in the flow path 550 and 640.

개방되는 밸브들은 진공펌프 밸브(530), 벤트 밸브(630)로서 파우더 수집부(600)의 내부를 대기압 상태로 만든다. 이때 파우더 수집부(600)에 모인 파우더(P)는 플라즈마 처리를 제대로 거치지 않은 파우더(P)들이다. The valves that are open are vacuum pump valves 530 and vent valves 630 that make the inside of the powder collection unit 600 at atmospheric pressure. At this time, the powder P collected in the powder collecting part 600 is the powder P that has not properly undergone plasma treatment.

즉 처리부(210)에 붙지 않아 플라즈마 처리가 불확실한 상태로 떨어진 파우더(P)들로서 분리 수거하여 버린 후 다시 파우더 수집부(600)를 플라즈마 반응부(200)에 부착할 수 있다. That is, as powders P that have not adhered to the processing unit 210 and thus have fallen into a state in which plasma treatment is uncertain, the powder collection unit 600 may be attached to the plasma reaction unit 200 again after being separated and collected.

그 다음 벤트 밸브(630)와 진공펌프 밸브(530)를 닫고, 수집부 진공 밸브(640)를 열어 파우더 수집부(600) 내부를 진공으로 만들어 챔버부(100)의 내부 압력이 같아지면, 개폐 밸브(610)를 열고, 수집부 진공 밸브(640)를 닫는다. Then, the vent valve 630 and the vacuum pump valve 530 are closed, and the inside of the powder collecting unit 600 is vacuumed by opening the vacuum valve 640 of the collection unit, and when the internal pressure of the chamber unit 100 is the same, it is opened and closed. The valve 610 is opened, and the collection part vacuum valve 640 is closed.

그 다음에 역 압력 밸브(570)를 열어 순각 역 압력 가스 'd'가 유로(550)를 따라 처리부(210) 안쪽으로 유입되어 상대적으로 높은 압력으로 플라즈마 반응부(200)의 처리부(210)에 붙어있는 파우더(P)를 챔버부(100) 쪽으로 털어낸다. Then, by opening the reverse pressure valve 570, the forward reverse pressure gas'd' flows into the processing unit 210 along the flow path 550 and enters the processing unit 210 of the plasma reaction unit 200 at a relatively high pressure. Shake off the attached powder (P) toward the chamber part (100).

털려지는 파우더(P)는 파우더 수집부(600) 안으로 떨어지고, 떨어진 파우더(P)를 수거함으로써 플라즈마 처리가 완료되는 파우더(P)를 선별적으로 수득할 수 있다.The powder P to be shaken falls into the powder collection unit 600, and the powder P for which plasma treatment is completed can be selectively obtained by collecting the dropped powder P.

도 1, 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 반응부(200)에 의하면 처리부(210)의 표면에 파우더(P) 미세입자들을 균일하게 흡착한 상태에서 플라즈마 표면처리를 수행하도록 함으로써 사이즈가 작은 나노입자 또는 마이크로 사이즈 미세입자 파우더(P)의 경우도 기능화가 가능한 효과가 있다.Referring to FIGS. 1 and 5, according to the plasma reaction unit 200 according to the present invention, the size of the plasma surface treatment is performed while uniformly adsorbing the fine particles of the powder P on the surface of the processing unit 210. In the case of small nanoparticles or micro-sized fine particle powder (P), there is an effect that can be functionalized.

이에 더하여 파우더(P)의 흡착 상태를 지속시킬 수 있으므로 최적의 조건으로 플라즈마(PL) 반응 시간을 자유롭게 조절하여 균일하고 효과적인 미세입자의 표면처리가 가능하다. In addition, since the adsorption state of the powder (P) can be maintained, the reaction time of the plasma (PL) can be freely controlled under optimal conditions, thereby enabling uniform and effective surface treatment of fine particles.

이에 더하여 기상상태의 모노모를 파우더(P) 미세입자와 동시에 플라즈마 반응부(200)에 주입하거나 나중에 주입하여 미세입자의 표면에 플라즈마 중합을 이용한 박막 코팅 처리도 가능하다.In addition, it is also possible to inject the monomole in the gaseous state into the plasma reaction unit 200 at the same time as the powder (P) fine particles, or to inject it later to coat the surface of the fine particles using plasma polymerization.

이에 더하여 챔버부(100)의 내주면에 형성되는 챔버필터(105)로 인하여, 챔버부(100)의 내주면에 흡착되어 손실되는 파우더(P)량을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, due to the chamber filter 105 formed on the inner circumferential surface of the chamber unit 100, there is an effect of reducing the amount of powder P that is adsorbed on the inner circumferential surface of the chamber unit 100 and is lost.

본 발명의 일 실시예에 따른 처리부(210)가 중심축(C)으로부터 거리를 달리하여 복수 개가 구비되어 방사형으로 배치됨으로 인하여 파우더(P) 등 미세입자가 하측에서 상측(도 5 기준) 방향으로 이동되며, 서로 다른 처리부(210)의 내벽부(211)와 외벽부(215) 사이를 통과하며 흡착 구간 및 흡착 표면적이 증가하는 효과가 있다.The processing unit 210 according to an embodiment of the present invention is provided with a plurality of different distances from the central axis C and arranged in a radial manner, so that fine particles such as powder P are moved from the lower side to the upper side (see FIG. 5). It is moved, passes between the inner wall portion 211 and the outer wall portion 215 of the different treatment units 210, and has an effect of increasing the adsorption section and the adsorption surface area.

처리부(210)가 복수 개 구비됨에 따라 표면적을 비례적으로 증가시킬 수 있으므로 미세입자의 기능화를 균일하게 이룰 수 있고 플라즈마 표면처리 또는 코팅 처리된 고품질 파우더(P)의 양산화가 가능한 효과가 있다. 이에 더하여 경제적으로 파우더(P)를 처리하고 회수할 수 있다.As the plurality of processing units 210 are provided, the surface area can be proportionally increased, so that the functionalization of fine particles can be uniformly achieved, and the mass production of the plasma surface-treated or coated high-quality powder P is possible. In addition to this, it is possible to economically treat and recover the powder (P).

본 발명의 실시예들에 따른 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치(1)에 의하면, 정보, 전자산업, 화학의 촉매나 경량 나노·친환경 소재, 에너지 분야 등 광범위한 산업 분야에 사용되는 다양한 나노 분말을 대량 생산할 수 있으며, 나노 기능화 및 복합재료를 다양한 형태로 양산하여 상업화할 수 있다. According to the horizontally movable powder plasma processing apparatus 1 according to the embodiments of the present invention, it is possible to mass-produce various nano powders used in a wide range of industrial fields such as information, electronics industry, chemical catalysts, lightweight nano-environmental materials, and energy fields. It can be commercialized by mass-producing nano functionalization and composite materials in various forms.

특히, 분자간 인력이 큰 물질로 분류되는 탄소계열의 미세입자들인 그래핀, 나노튜브, 나노섬유, 흑연, 카본블랙 등을 다른 물질에 분산시켜 활용할 수 있는 기능화기로 처리 가능하고 간단화된 공정과 높은 생산성, 환경친화적인 기능화 처리가 가능하다.In particular, graphene, nanotubes, nanofibers, graphite, carbon black, etc., which are carbon-based microparticles classified as materials with high intermolecular attraction, can be treated with a functionalizer that can be used by dispersing in other materials. Productivity and environmentally friendly functionalization treatment is possible.

본 발명에서 설명하는 특정 실행들은 일 실시 예들로서, 어떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 명세서의 간결함을 위하여, 종래 전자적인 구성들, 제어 시스템들, 소프트웨어, 상기 시스템들의 다른 기능적인 측면들의 기재는 생략될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다. 또한, "필수적인", "중요하게" 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다.The specific implementations described in the present invention are examples and do not limit the scope of the present invention in any way. For brevity of the specification, descriptions of conventional electronic configurations, control systems, software, and other functional aspects of the systems may be omitted. In addition, the connection or connection members of the lines between the components shown in the drawings exemplarily represent functional connections and/or physical or circuit connections, and in an actual device, various functional connections or additional physical Connections, or circuit connections, may be represented. In addition, if there is no specific mention such as "essential", "important", etc., it may not be an essential component for the application of the present invention.

본 발명의 명세서(특히 특허청구범위에서)에서 "상기"의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 또한, 본 발명에서 범위(range)를 기재한 경우 상기 범위에 속하는 개별적인 값을 적용한 발명을 포함하는 것으로서(이에 반하는 기재가 없다면), 발명의 상세한 설명에 상기 범위를 구성하는 각 개별적인 값을 기재한 것과 같다. 마지막으로, 본 발명에 따른 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 상기 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있다. 반드시 상기 단계들의 기재 순서에 따라 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 모든 예들 또는 예시적인 용어(예들 들어, 등등)의 사용은 단순히 본 발명을 상세히 설명하기 위한 것으로서 특허청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 또한, 당업자는 다양한 수정, 조합 및 변경이 부가된 특허청구범위 또는 그 균등물의 범주 내에서 설계 조건 및 팩터에 따라 구성될 수 있음을 알 수 있다.In the specification of the present invention (especially in the claims), the use of the term "above" and a similar reference term may correspond to both the singular and the plural. In addition, when a range is described in the present invention, the invention to which an individual value falling within the range is applied (unless otherwise stated), and each individual value constituting the range is described in the detailed description of the invention. Same as Finally, if there is no explicit order or contrary to the steps constituting the method according to the present invention, the steps may be performed in a suitable order. The present invention is not necessarily limited according to the order of description of the steps. The use of all examples or illustrative terms (for example, etc.) in the present invention is merely for describing the present invention in detail, and the scope of the present invention is limited by the above examples or illustrative terms unless limited by the claims. It does not become. In addition, those skilled in the art can recognize that various modifications, combinations, and changes may be configured according to design conditions and factors within the scope of the appended claims or their equivalents.

이상 설명된 본 발명에 따른 실시예는 컴퓨터 상에서 다양한 구성요소를 통하여 실행될 수 있는 컴퓨터 프로그램의 형태로 구현될 수 있으며, 이와 같은 컴퓨터 프로그램은 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 기록될 수 있다. 이때, 매체는 컴퓨터로 실행 가능한 프로그램을 계속 저장하거나, 실행 또는 다운로드를 위해 저장하는 것일 수도 있다. 또한, 매체는 단일 또는 수개 하드웨어가 결합된 형태의 다양한 기록수단 또는 저장수단일 수 있는데, 어떤 컴퓨터 시스템에 직접 접속되는 매체에 한정되지 않고, 네트워크 상에 분산 존재하는 것일 수도 있다. 매체의 예시로는, 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체, CD-ROM 및 DVD와 같은 광기록 매체, 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical medium), 및 ROM, RAM, 플래시 메모리 등을 포함하여 프로그램 명령어가 저장되도록 구성된 것이 있을 수 있다. 또한, 다른 매체의 예시로, 애플리케이션을 유통하는 앱 스토어나 기타 다양한 소프트웨어를 공급 내지 유통하는 사이트, 서버 등에서 관리하는 기록매체 내지 저장매체도 들 수 있다.The embodiment according to the present invention described above may be implemented in the form of a computer program that can be executed through various components on a computer, and such a computer program may be recorded in a computer-readable medium. In this case, the medium may continue to store a program executable by a computer, or may be stored for execution or download. In addition, the medium may be a variety of recording means or storage means in a form in which a single piece of hardware or several pieces of hardware are combined, but is not limited to a medium directly connected to a computer system, and may be distributed on a network. Examples of media include magnetic media such as hard disks, floppy disks, and magnetic tapes, optical recording media such as CD-ROMs and DVDs, magnetic-optical media such as floptical disks, and And a ROM, RAM, flash memory, and the like, and may be configured to store program instructions. In addition, examples of other media include an app store that distributes applications, a site that supplies or distributes various software, and a recording medium or storage medium managed by a server.

이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항과 한정된 실시예 및 도면에 의하여 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위하여 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정과 변경을 꾀할 수 있다.In the above, the present invention has been described by specific matters such as specific elements and limited embodiments and drawings, but this is provided only to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments. Anyone with ordinary knowledge in the technical field to which the invention belongs can make various modifications and changes from these descriptions.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위는 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Accordingly, the spirit of the present invention is limited to the above-described embodiments and should not be defined, and all ranges equivalent to or equivalently changed from the claims to be described later as well as the claims to be described later are the scope of the spirit of the present invention. It will be said to belong to.

1: 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치 C: 중심축
G: 가스 PL: 플라즈마
P: 파우더 V: 흡입 압력
100: 챔버부 105: 챔버필터
110: 파우더 공급장치 120: 전원장치
130: 전극관 140: 절연체
200: 플라즈마 반응부 210: 처리부
211: 내벽부 215: 외벽부
220, 430: 가열부 240: 가스 유도로
300: 플레이트부 310: 플레이트본체
311: 관통홀부 320: 다공성 필터
400: 파우더 공급부 410: 피더 밸브
420: 런너 440: 충돌플레이트
450: 배치부 460: 가스 공급부
461: 가스 유도관 500: 파우더 흡착수단
510: 진공펌프 530: 진공펌프 밸브
550: 유로 570: 역 압력 밸브
600: 파우더 수집부 610: 개폐 밸브
620: 벤트 가스 유로 630: 벤트 밸브
640: 수집부 진공 밸브 650: 분기 유로
1: Horizontally movable powder plasma processing device C: Central axis
G: gas PL: plasma
P: powder V: suction pressure
100: chamber part 105: chamber filter
110: powder supply device 120: power supply
130: electrode tube 140: insulator
200: plasma reaction unit 210: processing unit
211: inner wall portion 215: outer wall portion
220, 430: heating unit 240: gas induction furnace
300: plate portion 310: plate body
311: through hole 320: porous filter
400: powder supply unit 410: feeder valve
420: runner 440: collision plate
450: placement unit 460: gas supply unit
461: gas guide tube 500: powder adsorption means
510: vacuum pump 530: vacuum pump valve
550: Euro 570: reverse pressure valve
600: powder collection unit 610: opening and closing valve
620: vent gas flow path 630: vent valve
640: collection part vacuum valve 650: branch flow path

Claims (10)

파우더를 플라즈마 반응기를 통해 플라즈마 처리하는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치에 있어서,
내부가 중공인 챔버부;
상기 챔버부의 내부에 배치되고, 전원장치로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 반응부;
상기 플라즈마 반응부로 파우더가 이동되도록 하는 파우더 공급부; 및
상기 챔버부 내부의 압력을 변동시키고 이로부터 상기 플라즈마 반응부에 파우더를 흡착 및 플라즈마 처리하도록 하는 흡착수단;을 포함하고,
상기 플라즈마 반응부는, 내부가 중공이고, 중심축을 공유하며 상기 중심축으로부터의 거리가 서로 다른 복수 개의 처리부;를 포함하고,
상기 챔버부의 내벽에 결합되며, 상기 처리부와 전기적으로 연결되고, 상기 챔버부의 내부에서 상기 처리부의 위치를 고정시키는 플레이트부;를 더 포함하는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
In the horizontally movable powder plasma processing apparatus for plasma processing the powder through a plasma reactor,
A chamber part having a hollow inside;
A plasma reaction unit disposed inside the chamber unit and receiving power from a power supply to generate plasma;
A powder supply unit for moving the powder to the plasma reaction unit; And
Adsorption means for varying the pressure inside the chamber unit and adsorbing and plasma-processing powder to the plasma reaction unit therefrom; and
The plasma reaction unit includes a plurality of processing units having a hollow interior, sharing a central axis, and having different distances from the central axis.
A plate portion coupled to an inner wall of the chamber portion, electrically connected to the processing portion, and fixing a position of the processing portion within the chamber portion; and a horizontally movable powder plasma processing apparatus.
제1항에 있어서,
상기 처리부는 길이 방향 양단부에 개구부가 형성되는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The processing unit, the horizontally movable powder plasma processing apparatus having openings formed at both ends in the longitudinal direction.
제1항에 있어서,
상기 처리부는 원통 형상으로 형성되는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The processing unit is formed in a cylindrical shape, horizontally movable powder plasma processing apparatus.
제1항에 있어서,
상기 처리부는 내벽부와 외벽부가 형성되고, 상기 내벽부 및 상기 외벽부에서 파우더가 흡착 및 플라즈마 처리되는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The processing unit includes an inner wall portion and an outer wall portion, and the powder is adsorbed and plasma-treated from the inner wall portion and the outer wall portion.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 플레이트부는,
상기 챔버부의 내부에서 파우더의 이동 경로 상에 관통홀부가 형성되고, 상기 챔버부의 내벽에 결합되는, 플레이트본체; 및
상기 관통홀부를 커버하도록 상기 플레이트본체에 결합되고, 나노 또는 마이크로 사이즈의 홀부가 구비되는 다공성 필터;를 포함하는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The plate part,
A plate body having a through-hole formed on the moving path of the powder in the chamber part and coupled to the inner wall of the chamber part; And
Containing, a horizontally movable powder plasma processing apparatus that is coupled to the plate body to cover the through hole and has a nano- or micro-sized hole part.
제1항에 있어서,
상기 파우더 공급부는,
상기 챔버부의 내부에 설치되고, 상기 파우더가 배치되는 배치부; 및
상기 챔버부와 연통되며, 상기 배치부 측으로 가스를 공급하는 가스 공급부;를 더 포함하는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The powder supply unit,
A placement unit installed inside the chamber unit and in which the powder is disposed; And
A gas supply unit communicating with the chamber unit and supplying gas to the placement unit side; further comprising, a horizontally movable powder plasma processing apparatus.
제7항에 있어서,
상기 배치부 및 상기 가스 공급부는 상기 처리부의 하측에 배치되는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 7,
The arrangement unit and the gas supply unit are disposed below the processing unit, a horizontally movable powder plasma processing apparatus.
제1항에 있어서,
플라즈마 중합을 이용한 박막코팅에서 액상 모노모를 주입하는 버블러(bubbler)가 장착된 구성을 더 포함하고,
O2, N2, NH3, CF4, 전구체(precusors) 중 하나 이상을 주입하여 파우더 표면의 작용기나 박막의 물성을 제어하여 파우더 표면에 플라즈마-CVD(plasma-chemical vapor deposition)를 수행하는 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
In the thin film coating using plasma polymerization, it further includes a configuration equipped with a bubbler for injecting a liquid monomole,
Horizontally movable powder plasma treatment that performs plasma-chemical vapor deposition (CVD) on the powder surface by injecting one or more of O2, N2, NH3, CF4, and precursors to control functional groups on the powder surface or physical properties of the thin film Device.
제1항에 있어서,
상기 챔버부는,
상기 전원장치로부터 전원을 인가받아 플라즈마를 생성하고, 내측면에 나노 또는 마이크로 사이즈의 복수 개의 홀부가 구비되는 챔버필터가 형성되는, 수평이동식 파우더 플라즈마 처리장치.
The method of claim 1,
The chamber part,
A horizontal movable powder plasma processing apparatus, wherein a plasma is generated by receiving power from the power supply device, and a chamber filter having a plurality of nano- or micro-sized holes is formed on an inner surface thereof.
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