KR102188778B1 - Substrate processing system and substrate processing method - Google Patents

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KR102188778B1
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구세훈
김보승
이윤열
이주영
하민정
임영재
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세메스 주식회사
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Abstract

A substrate processing system of the application includes: a substrate processing apparatus comprising a substrate thickness measuring member for measuring a thickness of a substrate made of a metal material, and treating a surface of the substrate; a chemical coating apparatus including a nozzle for coating a chemical solution on the substrate and a foreign material detection member for detecting a foreign material on the substrate; a control unit for adjusting the distance of the nozzle with respect to the substrate based on the thickness of the substrate measured by the substrate thickness measuring member; and a heating device for heating a substrate coated with a chemical solution by the chemical solution coating device, wherein each of the substrate processing apparatus, the chemical coating apparatus, and the heating apparatus includes a vacuum chuck for fixing the substrate by a vacuum adsorption method. The present invention provides the substrate processing system and the substrate processing method, which are capable of stably processing a copper plate.

Description

기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법{Substrate processing system and substrate processing method}Substrate processing system and substrate processing method

본 발명은 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인쇄회로기판의 인쇄회로로 사용될 수 있는 금속 기판을 가공하는데 사용될 수 있는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing system and a substrate processing method that can be used to process a metal substrate that can be used as a printed circuit of a printed circuit board.

인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB)은 다양한 전자부품이 전기적으로 연결되어 회로를 구성하도록 고정하는 수단으로서, 절연성 기재 위에 전도성 패턴이 형성되고, 부품들을 고정하고 전기적으로 연결하기 위한 다수의 관통홀이 형성된 것이 일반적이다.A printed circuit board (PCB) is a means for fixing various electronic components to form a circuit by electrically connecting them, and a conductive pattern is formed on an insulating substrate, and a plurality of through holes for fixing and electrically connecting the components It is common that this is formed.

인쇄회로기판은 에폭시 수지에 유리 섬유 등의 보강재를 첨가한 코어 재료에 동박을 접착시킨 경성인쇄회로기판(Rigid Printed Circuit Board, Rigid PCB), 폴리이미드 상에 동박을 접착시킨 연성인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board, FPCB) 및 경성인쇄회로기판과 연성인쇄회로기판의 장점을 결합시킨 경성-연성인쇄회로기판(Rigid- Flexible Printed Circuit Board, R-F PCB)으로 나누어질 수 있으며, 각 인쇄회로기판은 그 특성에 맞게 사용되고 있다. 또한, 최근 전자기기의 경박단소화 추세에 따라 인쇄회로기판이 차지하는 공간도 함께 축소될 것이 요구되고 있으며, 인쇄회로기판을 소형화하기 위해서는 회로패턴을 다층화하거나 회로의 배선 간격이 좁아져야 한다.The printed circuit board is a rigid printed circuit board (Rigid Printed Circuit Board, Rigid PCB) in which copper foil is bonded to a core material in which reinforcing materials such as glass fiber are added to an epoxy resin, and a flexible printed circuit board in which copper foil is bonded on polyimide. Printed Circuit Board (FPCB) and rigid-flexible printed circuit board (RF PCB), which combines the advantages of rigid printed circuit boards and flexible printed circuit boards, and each printed circuit board It is used according to its characteristics. In addition, the space occupied by the printed circuit board is also required to be reduced according to the recent trend of light and thinner electronic devices, and in order to miniaturize the printed circuit board, the circuit pattern must be multi-layered or the wiring spacing of the circuit must be narrowed.

인쇄회로기판에서 회로 패턴을 형성하는 전통적인 방법은 동박 위에 드라이 필름 등으로 마스킹 패턴을 형성하고, 동박을 에칭하여 회로를 형성하는 방법인데, 이러한 방식에 의해서는 회로의 배선 간격을 60마이크로미터 이하로 제어하는데 한계를 가지고 있다. 상기의 방식에 의한 미세 회로패턴 형성의 한계를 극복하기 위한 방법으로 최근에는 세미애디티브공법(Semi Additive Process, SAP) 등의 새로운 기술이 시도되고 있는데, 세미애디티브공법은 전통적인 에칭 방법과 반대되는 개념으로 회로 형성 부위를 제외한 영역을 드라이 필름 등으로 마스킹하고, 회로 형성이 필요한 영역에 직접 도금을 이용하여 전도성 패턴을 형성시키는 방식이다.The traditional method of forming a circuit pattern on a printed circuit board is a method of forming a circuit by forming a masking pattern on the copper foil with a dry film, etc., and etching the copper foil to form a circuit. There is a limit to control. As a method for overcoming the limitation of forming a fine circuit pattern by the above method, new technologies such as semi-additive process (SAP) have been recently attempted, but the semi-additive method is the opposite of the traditional etching method. As a concept, the area excluding the circuit formation area is masked with a dry film, etc., and a conductive pattern is formed by using direct plating on the area where circuit formation is required.

세미애디티브공법을 적용하는 경우에도 미세패턴을 형성하기 위해서는 직접 도금의 전극 역할을 하는 기저층이 되는 동박의 두께가 얇아야 한다. 그러나 얇은 동박은 제조하기가 까다로워 공급 업체가 적고 매우 고가이므로 업체에서는 두꺼운 동박을 값싸게 구입하여 원하는 두께를 갖도록 에칭해서 사용하고 있으나, 이러한 방법은 에칭공정의 추가로 제조비용의 상승이나 환경오염의 문제를 안고 있다.Even when the semi-additive method is applied, in order to form a fine pattern, the thickness of the copper foil, which serves as a base layer that directly serves as an electrode for plating, must be thin. However, since thin copper foil is difficult to manufacture, there are few suppliers and it is very expensive, so manufacturers purchase thick copper foil cheaply and use it by etching to have the desired thickness.However, this method increases manufacturing cost or environmental pollution due to the addition of the etching process. I have a problem.

이와 같이 인쇄회로기판을 구성하는 동박(동판)은 두께가 얇으므로, 디스플레이 패널이나 반도체 제조에 사용되는 유리 기판과 비교하여 두께의 편차가 크고, 동박 상의 이물질이나 돌기 및 반도체 패키지의 변형인 Warpage의 영향으로 박막 코팅을 적용하기 어려울 수 있다.Since the copper foil (copper plate) constituting the printed circuit board is thin, the thickness is wider than that of the glass substrate used for display panel or semiconductor manufacturing, and foreign substances or protrusions on the copper foil and warpage, which are deformation of the semiconductor package. As a result, it can be difficult to apply a thin film coating.

한국공개특허 제2012-0084441호Korean Patent Publication No. 2012-0084441

본 발명의 목적은 동판의 안정적인 처리가 가능한 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing system and a substrate processing method capable of stably processing a copper plate.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 시스템은 금속 소재로 이루어진 기판의 두께를 측정하는 기판 두께 측정 부재를 포함하고, 기판의 표면을 처리하는 기판 처리 장치; 기판에 약액을 코팅하는 노즐과, 기판 상의 이물질을 감지하는 이물질 감지 부재를 포함하는 약액 코팅 장치; 상기 기판 두께 측정 부재에서 측정된 기판의 두께를 기초로하여 기판에 대한 상기 노즐의 간격을 조절하는 제어부; 및 상기 약액 코팅 장치에 의하여 약액이 코팅된 기판을 가열하는 가열 장치;를 포함하고, 상기 기판 처리 장치, 상기 약액 코팅 장치 및 상기 가열 장치 각각은 기판을 진공 흡착 방식으로 고정하는 진공척을 포함한다.A substrate processing system according to an aspect of the present invention includes a substrate thickness measurement member for measuring a thickness of a substrate made of a metal material, and includes a substrate processing apparatus for treating a surface of the substrate; A chemical coating apparatus including a nozzle for coating a chemical solution on a substrate and a foreign material detection member for detecting a foreign material on the substrate; A control unit for adjusting the distance of the nozzle with respect to the substrate based on the thickness of the substrate measured by the substrate thickness measuring member; And a heating device for heating a substrate coated with a chemical solution by the chemical coating device, wherein each of the substrate processing device, the chemical solution coating device, and the heating device includes a vacuum chuck for fixing the substrate in a vacuum adsorption method. .

한편, 상기 가열 장치는 진공척의 내부에 설치되어 기판을 가열하는 발열 코일을 포함할 수 있다.Meanwhile, the heating device may include a heating coil installed inside the vacuum chuck to heat the substrate.

한편, 상기 가열 장치에 포함된 진공척은 복수개이고, 상기 복수의 진공척은 상하 방향으로 이격되게 위치되어 기판을 서로 상이한 온도로 가열할 수 있다.Meanwhile, there are a plurality of vacuum chucks included in the heating device, and the plurality of vacuum chucks are positioned to be spaced apart from each other in the vertical direction to heat the substrate at different temperatures.

한편, 상기 제어부는, 상기 측정된 기판의 두께의 평균값이 허용수치 이상인 경우, 기판을 배출할 수 있다.Meanwhile, the control unit may discharge the substrate when the average value of the measured thickness of the substrate is greater than or equal to an allowable value.

한편, 상기 약액 코팅 장치는, 상기 이물질 감지 부재가 기판 상의 이물질을 감지하는 경우, 기판에 약액을 코팅하지 않고 배출할 수 있다.Meanwhile, when the foreign material detecting member detects a foreign material on a substrate, the chemical coating apparatus may discharge the chemical solution without coating the substrate.

한편, 상기 약액 코팅 장치는, 상기 이물질 감지 부재가 기판 상의 이물질을 감지하지 않은 경우, 기판에 약액을 코팅할 수 있다.Meanwhile, the chemical coating device may coat the substrate with the chemical when the foreign material detecting member does not detect the foreign material on the substrate.

한편, 상기 기판은 동판(copper plate)일 수 있다.Meanwhile, the substrate may be a copper plate.

한편, 상기 기판 처리 장치, 약액 코팅 장치 및 가열 장치 사이에 설치되어 기판을 이송하는 하나 이상의 기판 이송 장치를 포함할 수 있다.Meanwhile, it may include one or more substrate transfer devices installed between the substrate processing device, the chemical coating device, and the heating device to transfer the substrate.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 방법은 기판 처리 시스템으로 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판의 표면을 처리하는 표면 처리 단계; 기판의 두께를 측정하는 기판 두께 측정 단계; 기판 상의 이물질을 검사하는 이물질 검사 단계; 측정된 기판의 두께를 기초로하여 기판에 대한 상기 노즐의 간격을 조절하는 노즐 간격 조절 단계; 기판에 약액을 코팅하는 약액 코팅 단계; 및 약액이 코팅된 기판을 건조하는 기판 건조 단계;을 포함한다.A substrate processing method according to an aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate with a substrate processing system, comprising: a surface treatment step of treating a surface of a substrate; A substrate thickness measurement step of measuring the thickness of the substrate; Foreign matter inspection step of inspecting foreign matter on the substrate; A nozzle spacing adjusting step of adjusting the spacing of the nozzles with respect to the substrate based on the measured thickness of the substrate; A chemical solution coating step of coating a chemical solution on a substrate; And a substrate drying step of drying the substrate coated with the chemical solution.

한편, 상기 표면 처리 단계, 약액 코팅 단계 및 기판 건조 단계에서는 진공 흡착 방식으로 기판을 흡착할 수 있다.Meanwhile, in the surface treatment step, the chemical solution coating step, and the substrate drying step, the substrate may be adsorbed using a vacuum adsorption method.

한편, 상기 노즐 간격 조절 단계에서는 상기 측정된 기판의 두께의 평균값과 목표 코팅 간격을 더한 값으로 기판이 안착되는 진공척으로부터 노즐까지의 거리를 설정할 수 있다.Meanwhile, in the nozzle spacing adjustment step, a distance from the vacuum chuck on which the substrate is mounted to the nozzle may be set as a value obtained by adding the average value of the measured thickness of the substrate and the target coating spacing.

한편, 상기 측정된 기판의 두께의 평균값이 허용수치 이상인 경우, 기판을 배출할 수 있다.On the other hand, when the average value of the measured thickness of the substrate is greater than or equal to an allowable value, the substrate may be discharged.

한편, 상기 기판 상에 이물질이 발견되는 경우, 기판을 배출할 수 있다.On the other hand, when a foreign material is found on the substrate, the substrate may be discharged.

한편, 상기 기판은 동판(copper plate)일 수 있다.Meanwhile, the substrate may be a copper plate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 코팅 장치는 측정된 기판의 두께를 기초로하여 기판에 대한 상기 노즐의 간격을 조절하는 제어부와 기판을 진공 흡착 방식으로 고정하는 진공척을 포함한다. 이에 따라, 기판이 될 수 있는 동판이 진공척 상에 주름이 발생되거나 휘어지지않고 안정적으로 고정된 상태에서 약액의 코팅이 실시될 수 있다.A substrate coating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a control unit for adjusting the distance between the nozzles with respect to the substrate based on the measured thickness of the substrate, and a vacuum chuck for fixing the substrate in a vacuum adsorption method. Accordingly, the coating of the chemical solution can be performed while the copper plate, which can be a substrate, is stably fixed without wrinkles or bending on the vacuum chuck.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 평면도이다.
도 2는, 도 1의 기판 처리 시스템의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다.1 is a plan view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of the substrate processing system of FIG. 1.
3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in a representative embodiment by using the same reference numerals, and in other embodiments, only configurations different from the representative embodiment will be described.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected" with another part, this includes not only the case of being "directly connected", but also being "indirectly connected" with another member therebetween. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 기판 처리 장치(100), 약액 코팅 장치(200), 제어부(500) 및 가열 장치(300)를 포함한다.1 and 2, a substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention includes a substrate processing apparatus 100, a chemical coating apparatus 200, a controller 500, and a heating apparatus 300. do.

기판 처리 장치(100)는 금속 소재로 이루어진 기판(S)의 표면을 처리한다. 기판 처리 장치(100)는 기판(S)의 두께를 측정하는 기판 두께 측정 부재(110)를 포함한다. 여기서, 상기 기판(S)은 동판(copper plate)일 수 있다.The substrate processing apparatus 100 processes the surface of the substrate S made of a metal material. The substrate processing apparatus 100 includes a substrate thickness measuring member 110 for measuring the thickness of the substrate S. Here, the substrate S may be a copper plate.

기판 처리 장치(100)는 플라즈마 발생기(120)를 포함할 수 있다. 플라즈마 발생기(120)에는 박막증착을 위한 플라즈마 화학 기상 증착 장치(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition), 증착된 박막을 식각하여 패터닝하는 식각장치, 스퍼터(Sputter), 애싱(Ashing) 장치 등이 있을 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may include a plasma generator 120. The plasma generator 120 may include a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device for thin film deposition, an etching device for etching and patterning a deposited thin film, a sputter, an ashing device, etc. have.

플라즈마 발생기(120)는 주파수에 따라 마이크로파 방식과 RF 방식으로 구분된다. 마이크로파 방식은 주파수대역 300 MHz 내지 300 GHz 사이에서 발진하는 전력원을 이용하여 플라즈마를 발생시켜 RF 방식에 비해 높은 플라즈마 밀도를 가지나 낮은 전자온도를 가지는 방식이다.The plasma generator 120 is divided into a microwave method and an RF method according to frequency. The microwave method generates plasma using a power source oscillating between a frequency band of 300 MHz to 300 GHz, and thus has a higher plasma density but a lower electron temperature than the RF method.

이와 같은 플라즈마 발생기(120)의 동작과정을 설명한다. 마이크로파 방식인 경우로 한정하여 설명하면, 마이크로파 생성기(미도시)에서 마이크로파가 생성되고, 마이크로파는 공진부(미도시)을 통하여 기판(S) 처리 공간으로 도입된다. 아르곤 가스와 같은 공정 가스가 마이크로파에 의해 여기(excitation)되면서 플라즈마화하고, 플라즈마가 확산되어 처리 가스를 활성화하여 활성종을 만든다. 활성종의 작용으로 웨이퍼의 표면에 소정의 플라즈마 처리가 실시될 수 있다.The operation of the plasma generator 120 will be described. In the case of a microwave method, a microwave is generated in a microwave generator (not shown), and the microwave is introduced into the processing space of the substrate S through a resonator (not shown). A process gas such as argon gas is excited by microwaves to become plasma, and the plasma is diffused to activate the process gas to produce active species. A predetermined plasma treatment can be applied to the surface of the wafer by the action of the active species.

이러한 플라즈마 발생기(120)는 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 것일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the plasma generator 120 may be included in a general substrate processing apparatus, a detailed description thereof will be omitted.

약액 코팅 장치(200)는 기판(S)에 약액을 코팅한다. 약액 코팅 장치(200)는 일례로 노즐(210)과 이물질 감지 부재(220)를 포함할 수 있다.The chemical solution coating apparatus 200 coats the chemical solution on the substrate S. The chemical coating device 200 may include, for example, a nozzle 210 and a foreign material detecting member 220.

노즐(210)은 기판(S)에 약액을 코팅한다. 노즐(210)은 슬릿 형상으로 이루어져서 기판(S)의 폭 방향과 나란하게 설치될 수 있다. 노즐(210)을 약액을 기판(S)에 균일하게 코팅할 수 있다.The nozzle 210 coats a chemical solution on the substrate S. The nozzle 210 has a slit shape and may be installed in parallel with the width direction of the substrate S. The nozzle 210 may be uniformly coated with the chemical solution on the substrate S.

약액이 기판(S)에 코팅되는 과정에서, 노즐(210)과 기판(S)은 서로 상대 이동될 수 있다. 예를 들어, 기판(S)은 고정된 상태에서, 노즐(210)이 이동될 수 있다. 이와 다르게, 노즐(210)이 고정된 상태에서, 기판(S)이 이동될 수도 있다. 또한, 노즐(210)과 기판(S)이 동시에 이동되는 것도 가능할 수 있다.In the process of coating the chemical solution on the substrate S, the nozzle 210 and the substrate S may move relative to each other. For example, while the substrate S is fixed, the nozzle 210 may be moved. Alternatively, while the nozzle 210 is fixed, the substrate S may be moved. In addition, it may be possible to move the nozzle 210 and the substrate S at the same time.

이와 같은 약액 코팅 장치(200)는 노즐(210) 이외에 도면에 도시하지는 않았으나 저장 탱크(미도시), 버퍼(미도시) 및 펌프(미도시)를 포함할 수 있다.In addition to the nozzle 210, the chemical coating apparatus 200 may include a storage tank (not shown), a buffer (not shown), and a pump (not shown), although not shown in the drawings.

저장 탱크(미도시)는 약액을 저장할 수 있다. 버퍼(미도시)는 저장 탱크와 펌프 사이에 설치되어 저장 탱크의 약액(PR)이 일정량 충전되는 부분일 수 있다. 펌프(미도시)는 버퍼로부터 펌프 내부에 1회의 기판(S) 코팅 공정에 사용될 양의 약액을 내부에 채운 후, 노즐(210)로 약액을 공급할 수 있다.A storage tank (not shown) can store a chemical solution. The buffer (not shown) may be installed between the storage tank and the pump to fill a predetermined amount of the chemical solution PR of the storage tank. The pump (not shown) may supply the chemical solution to the nozzle 210 after filling the inside of the pump with an amount of a chemical solution to be used for one substrate (S) coating process from the buffer.

이물질 감지 부재(220)는 기판(S) 상의 이물질(P)을 감지한다. 이물질 감지 부재(220)는 노즐(210)과 인접하게 위치될 수 있고, 기판(S)의 폭 방향과 나란하게 설치될 수 있다. 이러한 이물질 감지 부재(220)는 일례로 카메라를 이용한 광학식, 레이저를 이용한 방식 등 다양한 방식으로 이물질(P)을 감지하는 것일 수 있다.The foreign matter detection member 220 detects the foreign matter P on the substrate S. The foreign matter detecting member 220 may be positioned adjacent to the nozzle 210 and may be installed parallel to the width direction of the substrate S. The foreign matter detecting member 220 may be one that detects the foreign matter P in various ways, such as an optical method using a camera or a method using a laser.

한편, 약액 코팅 장치(200)는 상기 이물질 감지 부재(220)가 기판(S) 상의 이물질(P)을 감지하지 않은 경우, 기판(S)에 약액을 코팅할 수 있다. 이와 다르게, 상기 약액 코팅 장치(200)는 상기 이물질 감지 부재(220)가 기판(S) 상의 이물질(P)을 감지하는 경우, 기판(S)에 약액을 코팅하지 않고 배출할 수 있다.Meanwhile, when the foreign material detection member 220 does not detect the foreign material P on the substrate S, the chemical coating apparatus 200 may coat the chemical solution on the substrate S. Alternatively, when the foreign material detection member 220 detects the foreign material P on the substrate S, the chemical solution coating apparatus 200 may discharge the chemical solution without coating the substrate S.

제어부(500)는 상기 기판 두께 측정 부재(110)에서 측정된 기판(S)의 두께를 기초로하여 기판(S)에 대한 상기 노즐(210)의 간격을 조절한다.The control unit 500 adjusts the spacing of the nozzle 210 with respect to the substrate S based on the thickness of the substrate S measured by the substrate thickness measuring member 110.

더욱 상세하게 설명하면, 제어부(500)는 상기 측정된 기판(S)의 두께의 평균값과 목표 코팅 간격을 더한 값으로 기판(S)이 안착되는 후술할 진공척(C2)으로부터 노즐(210)까지의 거리를 설정할 수 있다. 예를 들어, 목표 코팅 간격이 X로 기설정된 상태에서 기판(S)의 두께의 평균값이 Y이면, 진공척(C2)의 표면으로부터 노즐(210)까지의 거리는 X와 Y를 합친 값일 수 있다. 이에 따라, 노즐(210)이 기판(S)에 대하여 적정 거리만큼 이격된 상태에서 약액의 토출이 실시될 수 있으므로, 노즐(210)에서 토출된 약액이 기판(S)에 안정적으로 코팅될 수 있다.In more detail, the control unit 500 is a value obtained by adding the average thickness of the measured substrate S and the target coating interval from the vacuum chuck C2 to the nozzle 210 on which the substrate S is mounted. You can set the distance. For example, if the average value of the thickness of the substrate S is Y in a state in which the target coating interval is preset as X, the distance from the surface of the vacuum chuck C2 to the nozzle 210 may be a sum of X and Y. Accordingly, since the chemical solution can be discharged while the nozzle 210 is spaced apart from the substrate S by an appropriate distance, the chemical solution discharged from the nozzle 210 can be stably coated on the substrate S. .

그리고, 제어부(500)는 기판(S)의 두께의 평균값이 허용수치 이상인 경우, 기판(S)을 배출할 수 있다. 배출된 기판(S)은 가공하여 재사용될 수 있다.In addition, the control unit 500 may discharge the substrate S when the average thickness of the substrate S is greater than or equal to the allowable value. The discharged substrate S can be processed and reused.

이와 같은 제어부(500)는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)의 동작 과정을 전반적으로 제어하는 것일 수 있다.Such a control unit 500 may be an overall control of the operation process of the substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 상기 기판 처리 장치(100), 상기 약액 코팅 장치(200) 및 상기 가열 장치(300) 각각은 기판(S)을 진공 흡착 방식으로 고정하는 진공척(C1,C2,C3,C4)을 포함할 수 있다.On the other hand, the substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention includes the substrate processing apparatus 100, the chemical coating apparatus 200, and the heating apparatus 300, respectively, by vacuum adsorption of the substrate S. It may include a vacuum chuck (C1, C2, C3, C4) to fix.

진공척(C1,C2,C3,C4)은 기판(S)과 대응되는 크기로 이루어지고, 기판(S)의 안정된 지지를 위하여 일부 소재가 중량이 무거운 돌 소재나 금속으로 이루어질 수 있다. 진공척(C1,C2,C3,C4)은 기판(S)을 흡착하기 위한 진공홀(미도시)를 포함할 수 있다.The vacuum chuck C1, C2, C3, C4 has a size corresponding to the substrate S, and some materials may be made of a heavy stone material or metal for stable support of the substrate S. The vacuum chuck C1, C2, C3, and C4 may include a vacuum hole (not shown) for adsorbing the substrate S.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 기판(S)을 지지하는 수단으로 진공척(C1,C2,C3,C4)인 것이 바람직할 수 있다. 이와 다르게, 기판 처리 시스템(1000)이 정전척을 사용하여 기판(S)을 지지하는 경우, 유리 기판(S)과 다르게 잘 휘어지는 동판이 정전척에 의해 평평하게 펴지기 어려워질 수 있다. 따라서, 동판에 약액을 코팅하는 과정에서 노즐(210)이 동판과 부딪힐 수 있다.The substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention may preferably be a vacuum chuck C1, C2, C3, C4 as a means for supporting the substrate S. On the contrary, when the substrate processing system 1000 supports the substrate S using an electrostatic chuck, a copper plate that bends well unlike the glass substrate S may be difficult to flatten by the electrostatic chuck. Therefore, the nozzle 210 may collide with the copper plate in the process of coating the chemical solution on the copper plate.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 기판(S)을 고정하는 수단으로 진공척(C1,C2,C3,C4)을 사용함으로써, 동판이 진공척(C1,C2,C3,C4)의 흡착력에 의하여 평평하게 펴질 수 있다. 따라서, 약액이 동판에 코팅되는 과정에서 노즐(210)이 동판과 부딪히는 것을 방지할 수 있다.However, the substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention uses vacuum chuck C1, C2, C3, C4 as a means for fixing the substrate S, so that the copper plate is vacuum chuck C1, C2, It can be flattened by the adsorption power of C3, C4). Therefore, it is possible to prevent the nozzle 210 from colliding with the copper plate while the chemical solution is coated on the copper plate.

가열 장치(300)는 상기 약액 코팅 장치(200)에 의하여 약액이 코팅된 기판(S)을 가열한다. 가열 장치(300)는 기판(S)에 열을 가하여 기판(S)을 특정 온도까지 가열할 수 있다.The heating device 300 heats the substrate S coated with the chemical solution by the chemical solution coating device 200. The heating device 300 may heat the substrate S to a specific temperature by applying heat to the substrate S.

가열 장치(300)는 발열 코일을 포함할 수 있다. 발열 코일은 상기 진공척(C3,C4)의 내부에 설치되어 기판(S)을 가열할 수 있다. 발열 코일에서 열이 발생되면, 진공척(C3,C4) 전체가 가열되고, 기판(S)은 진공척(C3,C4)에 의해 가열될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)이 균일하게 가열될 수 있다.The heating device 300 may include a heating coil. The heating coil may be installed inside the vacuum chuck C3 and C4 to heat the substrate S. When heat is generated from the heating coil, the entire vacuum chuck C3 and C4 is heated, and the substrate S may be heated by the vacuum chuck C3 and C4. Accordingly, the substrate S can be uniformly heated.

상기 가열 장치(300)에 포함된 진공척(C3,C4)은 복수개일 수 있다.The number of vacuum chucks C3 and C4 included in the heating device 300 may be plural.

복수의 진공척(C3,C4)은 일례로 상하 방향으로 이격되게 위치되어 기판(S)을 서로 상이한 온도로 가열할 수 있다. 예를 들어, 진공척(C3,C4)은 두 개일 수 있다. 어느 하나의 진공척(C4)은 상대적으로 고온으로 기판(S)을 가열할 수 있고, 나머지 진공척(C3)은 상대적으로 저온으로 기판(S)을 가열할 수 있다. 기판(S)을 가열하는 온도는 공정에 따라 다양하게 설정될 수 있으므로, 특정 온도로 한정하지는 않는다.The plurality of vacuum chucks C3 and C4 may be spaced apart from each other in the vertical direction, for example, to heat the substrate S at different temperatures. For example, there may be two vacuum chucks C3 and C4. One vacuum chuck C4 may heat the substrate S at a relatively high temperature, and the other vacuum chuck C3 may heat the substrate S at a relatively low temperature. The temperature for heating the substrate S may be set in various ways depending on the process, so it is not limited to a specific temperature.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 하나 이상의 기판 이송 장치(400A, 400B)를 포함할 수 있다. 기판 이송 장치(400A, 400B)는 상기 기판 처리 장치(100), 약액 코팅 장치(200) 및 가열 장치(300) 사이에 설치되어 기판(S)을 이송한다. 기판 이송 장치(400A, 400B)는 일례로 기판(S)을 흡착할 수 있고, 360도로 회전할 수 있는 로봇을 포함하는 장치일 수 있다.Meanwhile, the substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention may include one or more substrate transfer devices 400A and 400B. The substrate transfer apparatuses 400A and 400B are installed between the substrate processing apparatus 100, the chemical coating apparatus 200, and the heating apparatus 300 to transfer the substrate S. The substrate transfer apparatuses 400A and 400B may be, for example, a device including a robot capable of adsorbing the substrate S and rotating 360 degrees.

이러한 기판 이송 장치(400A, 400B)는 일반적인 기판 처리 시스템에 설치되어 기판(S)을 이송하기 위해 사용되는 것일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the substrate transfer apparatuses 400A and 400B may be installed in a general substrate processing system and used to transfer the substrate S, a detailed description thereof will be omitted.

전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은 측정된 기판(S)의 두께를 기초로하여 기판(S)에 대한 상기 노즐(210)의 간격을 조절하는 제어부(500)와 기판(S)을 진공 흡착 방식으로 고정하는 진공척(C1,C2,C3,C4)을 포함한다. 이에 따라, 기판(S)이 될 수 있는 동판(copper plate)이 주름이 발생되거나 휘어지지않고 진공척(C1,C2,C3,C4)에 안정적으로 고정된 상태에서 약액의 코팅이 실시될 수 있다.As described above, the substrate processing system 1000 according to an embodiment of the present invention includes a control unit 500 that adjusts the distance of the nozzle 210 with respect to the substrate S based on the measured thickness of the substrate S. ) And a vacuum chuck (C1, C2, C3, C4) for fixing the substrate (S) by a vacuum adsorption method. Accordingly, the coating of the chemical solution can be performed while the copper plate, which can be the substrate S, is stably fixed to the vacuum chuck C1, C2, C3, C4 without wrinkles or bending. .

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)은 전술한 기판 처리 시스템(1000, 도 1 참조)으로 기판을 처리하는 기판 처리 방법(S100)이다. Referring to FIG. 3, a substrate processing method S100 according to an exemplary embodiment of the present invention is a substrate processing method S100 of processing a substrate with the above-described substrate processing system 1000 (see FIG. 1 ).

기판 처리 방법(S100)은 표면 처리 단계(S110), 기판 두께 측정 단계(S120), 이물질 검사 단계(S140), 노즐 간격 조절 단계(S130), 약액 코팅 단계(S150) 및 기판 건조 단계(S160)를 포함한다.The substrate treatment method (S100) includes a surface treatment step (S110), a substrate thickness measurement step (S120), a foreign material inspection step (S140), a nozzle gap adjustment step (S130), a chemical solution coating step (S150), and a substrate drying step (S160). Includes.

표면 처리 단계(S110)는 기판의 표면을 처리한다. 표면 처리 단계(S110)는 전술한 기판 처리 장치에서 실시될 수 있다.In the surface treatment step S110, the surface of the substrate is treated. The surface treatment step S110 may be performed in the above-described substrate treatment apparatus.

기판 두께 측정 단계(S120)는 기판의 두께를 측정한다. 기판 두께 측정 단계(S120)에서는 상기 측정된 기판의 두께의 평균값이 허용수치 이상인 경우, 기판을 배출(S181)할 수 있다. 기판 두께 측정 단계(S120)가 완료되면, 기판은 약액 코팅 장치로 이송하는 단계(S171)가 실시될 수 있다.In the substrate thickness measurement step S120, the thickness of the substrate is measured. In the substrate thickness measurement step (S120), when the average value of the measured thickness of the substrate is greater than or equal to an allowable value, the substrate may be discharged (S181). When the substrate thickness measurement step (S120) is completed, the step (S171) of transferring the substrate to the chemical coating apparatus may be performed.

이물질 검사 단계(S140)는 기판 상의 이물질을 검사한다. 이물질 검사 단계(S140)에서는 상기 기판 상에 이물질이 발견되는 경우, 기판을 배출(S182)할 수 있다.In the foreign matter inspection step S140, foreign matter on the substrate is inspected. In the foreign matter inspection step S140, when a foreign matter is found on the substrate, the substrate may be discharged (S182).

노즐 간격 조절 단계(S130)는 측정된 기판의 두께를 기초로하여 기판에 대한 상기 노즐의 간격을 조절한다. 상기 노즐 간격 조절 단계(S130)에서는 상기 측정된 기판의 두께의 평균값과 목표 코팅 간격을 더한 값으로 기판이 안착되는 진공척으로부터 노즐까지의 거리를 설정할 수 있다. 이에 대하여 앞서 상세하게 설명하였으므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.In step S130 of adjusting the nozzle spacing, the spacing of the nozzles with respect to the substrate is adjusted based on the measured thickness of the substrate. In the nozzle spacing adjustment step S130, a distance from the vacuum chuck on which the substrate is mounted to the nozzle may be set as a value obtained by adding the average value of the measured thickness of the substrate and the target coating distance. Since this has been described in detail above, a detailed description will be omitted.

약액 코팅 단계(S150)는 기판에 약액을 코팅한다. 약액 코팅 단계(S150)는 약액 코팅 장치에서 실시될 수 있다. 약액 코팅 단계(S150)가 완료되면, 기판은 가열 장치로 이송하는 단계(S172)가 실시될 수 있다.In the chemical coating step (S150), a chemical solution is coated on a substrate. The chemical coating step (S150) may be performed in a chemical coating device. When the chemical coating step (S150) is completed, the step (S172) of transferring the substrate to the heating device may be performed.

기판 건조 단계(S160)는 약액이 코팅된 기판을 건조한다. 기판 건조 단계(S160)는 가열 장치에서 실시될 수 있다.In the substrate drying step S160, a substrate coated with a chemical solution is dried. The substrate drying step S160 may be performed in a heating device.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S100)에서, 상기 표면 처리 단계(S110), 약액 코팅 단계(S150) 및 기판 건조 단계(S160)에서는 진공 흡착 방식으로 기판을 흡착할 수 있다. 이에 따라, 기판이 될 수 있는 동판이 주름이 발생되거나 휘어지지않고 진공척에 안정적으로 고정된 상태에서 약액의 코팅이 실시될 수 있다.In the substrate processing method S100 according to an exemplary embodiment of the present invention, in the surface treatment step S110, the chemical coating step S150, and the substrate drying step S160, the substrate may be adsorbed using a vacuum adsorption method. Accordingly, the coating of the chemical solution can be performed while the copper plate, which can be a substrate, is stably fixed to the vacuum chuck without wrinkles or bending.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 전술한 기판 처리 시스템을 설명하면서 설명하였으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the substrate processing method according to the exemplary embodiment of the present invention has been described while describing the above-described substrate processing system, a detailed description thereof will be omitted.

이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the drawings referenced so far and the detailed description of the described invention are merely illustrative of the present invention, which are used only for the purpose of describing the present invention, and are limited in meaning or claims. It is not used to limit the scope of the invention described in the range. Therefore, those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1000: 기판 처리 시스템
100: 기판 처리 장치
110: 기판 두께 측정 부재
120: 플라즈마 발생기
200: 약액 코팅 장치
210: 노즐
220: 이물질 감지 부재
300: 가열 장치
400A, 400B: 기판 이송 장치
500: 제어부
C1, C2, C3, C4: 진공척1000: substrate processing system
100: substrate processing apparatus
110: substrate thickness measurement member
120: plasma generator
200: chemical liquid coating device
210: nozzle
220: foreign matter detection member
300: heating device
400A, 400B: Substrate transfer device
500: control unit
C1, C2, C3, C4: vacuum chuck

Claims (14)

금속 소재로 이루어진 기판의 두께를 측정하는 기판 두께 측정 부재를 포함하고, 기판의 표면을 처리하는 기판 처리 장치;
기판에 약액을 코팅하는 노즐과, 기판 상의 이물질을 감지하는 이물질 감지 부재를 포함하는 약액 코팅 장치;
상기 기판 두께 측정 부재에서 측정된 기판의 두께를 기초로하여 기판에 대한 상기 노즐의 간격을 조절하는 제어부; 및
상기 약액 코팅 장치에 의하여 약액이 코팅된 기판을 가열하는 가열 장치;를 포함하고,
상기 기판 처리 장치, 상기 약액 코팅 장치 및 상기 가열 장치 각각은 기판을 진공 흡착 방식으로 고정하는 진공척을 포함하고,
상기 가열 장치에 포함된 진공척은 복수개이고,
상기 복수의 진공척은 상하 방향으로 이격되게 위치되어 기판을 서로 상이한 온도로 가열하는 기판 처리 시스템.A substrate processing apparatus comprising a substrate thickness measuring member for measuring a thickness of a substrate made of a metal material, and treating a surface of the substrate;
A chemical coating device including a nozzle for coating a chemical solution on a substrate and a foreign material detection member for detecting a foreign material on the substrate;
A control unit for adjusting a spacing of the nozzle with respect to the substrate based on the thickness of the substrate measured by the substrate thickness measuring member; And
Including; a heating device for heating the substrate coated with the chemical solution by the chemical coating device
Each of the substrate processing device, the chemical solution coating device, and the heating device includes a vacuum chuck for fixing the substrate by a vacuum adsorption method,
There are a plurality of vacuum chucks included in the heating device,
The plurality of vacuum chucks are spaced apart from each other in a vertical direction to heat the substrates to different temperatures. 제1항에 있어서,
상기 가열 장치는 진공척의 내부에 설치되어 기판을 가열하는 발열 코일을 포함하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The heating device is a substrate processing system including a heating coil installed inside the vacuum chuck to heat the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 측정된 기판의 두께의 평균값이 허용수치 이상인 경우, 기판을 배출하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The control unit,
A substrate processing system for discharging a substrate when the average value of the measured thickness of the substrate is greater than or equal to an allowable value. 제1항에 있어서,
상기 약액 코팅 장치는,
상기 이물질 감지 부재가 기판 상의 이물질을 감지하는 경우, 기판에 약액을 코팅하지 않고 배출하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The chemical coating device,
When the foreign matter detection member detects foreign matter on the substrate, the substrate processing system discharges the substrate without coating a chemical liquid. 제1항에 있어서,
상기 약액 코팅 장치는,
상기 이물질 감지 부재가 기판 상의 이물질을 감지하지 않은 경우, 기판에 약액을 코팅하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The chemical coating device,
When the foreign material detection member does not detect the foreign material on the substrate, a substrate processing system for coating a chemical solution on the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판은 동판(copper plate)인 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The substrate processing system is a copper plate (copper plate). 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 장치, 약액 코팅 장치 및 가열 장치 사이에 설치되어 기판을 이송하는 하나 이상의 기판 이송 장치를 포함하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
A substrate processing system comprising at least one substrate transfer device installed between the substrate processing device, a chemical coating device, and a heating device to transfer a substrate. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 시스템으로 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
기판의 표면을 처리하는 표면 처리 단계;
기판의 두께를 측정하는 기판 두께 측정 단계;
기판 상의 이물질을 검사하는 이물질 검사 단계
측정된 기판의 두께를 기초로하여 기판에 대한 상기 노즐의 간격을 조절하는 노즐 간격 조절 단계;
기판에 약액을 코팅하는 약액 코팅 단계; 및
약액이 코팅된 기판을 건조하는 기판 건조 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing a substrate with the substrate processing system according to any one of claims 1, 2, 4 to 8,
A surface treatment step of treating the surface of the substrate;
A substrate thickness measurement step of measuring the thickness of the substrate;
Foreign matter inspection step of inspecting foreign matter on the substrate
A nozzle spacing adjusting step of adjusting the spacing of the nozzles with respect to the substrate based on the measured thickness of the substrate;
A chemical solution coating step of coating a chemical solution on a substrate; And
Substrate processing method comprising a; substrate drying step of drying the substrate coated with the chemical. 제9항에 있어서,
상기 표면 처리 단계, 약액 코팅 단계 및 기판 건조 단계에서는 진공 흡착 방식으로 기판을 흡착하는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
In the surface treatment step, the chemical coating step, and the substrate drying step, a substrate treatment method of adsorbing a substrate using a vacuum adsorption method. 제9항에 있어서,
상기 노즐 간격 조절 단계에서는 상기 측정된 기판의 두께의 평균값과 목표 코팅 간격을 더한 값으로 기판이 안착되는 진공척으로부터 노즐까지의 거리를 설정하는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
In the nozzle spacing adjustment step, a distance from the vacuum chuck on which the substrate is mounted to the nozzle is set as a value obtained by adding the average value of the measured thickness of the substrate and the target coating distance. 제9항에 있어서,
상기 측정된 기판의 두께의 평균값이 허용수치 이상인 경우, 기판을 배출하는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
The substrate processing method of discharging the substrate when the average value of the measured thickness of the substrate is greater than or equal to an allowable value. 제9항에 있어서,
상기 기판 상에 이물질이 발견되는 경우, 기판을 배출하는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
When a foreign matter is found on the substrate, the substrate processing method of discharging the substrate. 제9항에 있어서,
상기 기판은 동판(copper plate)인 기판 처리 방법.The method of claim 9,
The substrate processing method of the substrate is a copper plate (copper plate).
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