KR102178010B1 - 세척이 용이한 은 분말의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 은 이온, 암모니아, 유기산 및 인 화합물을 포함하는 제1 수용액 및 환원제를 포함하는 제2 수용액을 제조하는 수용액제조단계(S21) 및 제1 수용액 및 제2 수용액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하고, 상기 인 화합물의 함량 및 상기 석출단계의 반응 온도를 조절하여 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절하는 은 분말 제조방법에 관한 것으로, 제조되는 은 분말의 비표면적을 조절하여 세척단계에서 유기물 제거 특성을 향상하고 표면처리 단계에서는 균일하고 안정적으로 표면처리 된 은 분말을 제조함으로써, 레올로지 및 전기적 특성, 저장안정성이 우수하고, 점/탄성 개선 및 스크린 인쇄 시 미세패턴 형성에 유리한 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.

Description

세척이 용이한 은 분말의 제조방법{The manufacturing method of silver for easy washing}
본 발명은 태양전지용 전극이나 적층 콘덴서의 내부전극, 회로기판의 도체 패턴 등 전자부품의 전극을 형성시키기 위한 도전성 페이스트용 은 분말의 제조방법에 관한 것이다.
도전성 금속 페이스트는 도막 형성이 가능한 도포 적성을 갖고 건조 또는 소성된 도막에 전기가 흐르는 페이스트로서, 수지계 바인더와 용매로 이루어지는 비히클 중에 도전성 필러(금속 필러) 단독 또는 글라스 프릿과 함께 분산시킨 유동성 조성물이며, 전기 회로의 형성이나 세라믹 콘덴서의 외부 전극의 형성 등에 널리 사용되고 있다.
특히, 은 페이스트(Silver Paste)는 복합계 도전성 페이스트 중에서 가장 화학적으로 안정하고 도전성이 우수하여 전도성 접착 및 코팅용 그리고 미세회로 형성 등 여러 분야에 있어서 상당히 그 응용범위가 넓다. PCB(Printed Circuit Board)등과 같은 신뢰성을 특별히 중요시하는 전자부품에 있어서 은 페이스트의 용도는 STH(Silver Through Hole)용 접착 또는 코팅재 등으로 사용되며, 적층 콘덴서에서는 내부전극용으로, 최근에는 실리콘계 태양전지에서 전극 재료로 널리 사용되고 있다.
일반적으로, 습식법에 따른 은 분말의 제조 방법에서는 석출한 은 분말이 분산된 슬러리(slurry)를 얻을 수 있다. 습식법에 따른 은 분말의 제조 방법으로서는 예를 들면, 질산은 용액(silver nitrate solution)에 유기 환원제를 첨가해, 은 분말을 환원 석출시켜, 은 분말이 분산된 슬러리를 얻고, 이 은 분말 슬러리를 탈수 건조하여 은 분말 회수한다.
한편 은 분말의 표면처리는 분말 간의 응집을 감소시키고, 바인더와의 상용성을 개선시켜 페이스트의 저장 안정성 및 전기적 특성 그리고 레올로지 특성을 향상시킨다.
은 분말의 표면처리 방법은 일본공개특허 JP2007270334A(2007.10.18) 와 같이 반응 직후에 코팅제를 투입하여 코팅하는 방식과 일본공개특허 JP2013023722A(2013.02.04) 와 같이 반응 및 세척이 완료된 후 별도의 코팅 공정을 거쳐 진행하는 방식이 일반적이다.
그러나 후자 공정의 경우, 세척 단계에서 분말 표면에 반응 후 부수물인 유기물이 제거되지 않고 잔존하게 되면 표면처리 단계에서 코팅제의 표면 흡착력이 약화되어 불안정한 코팅이 형성되고 이로 인해 은 분말 및 페이스트의 특성이 저해될 수 있다.
따라서 종래 기술에서는 표면처리 전 분말 표면의 유기물 제거를 위해 수회의 세척 단계를 거치거나, 알카리 수용액이나 유기용제와 같은 세척재의 농도 및 세척액의 온도를 증가시키는 등 세척 공정을 변경하여 세척 특성을 개선하였지만, 이는 제조 공정 및 재료비의 증가, 환경/안전의 문제를 야기시킬 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 동일한 세척 공정을 수행하되, 은 분말 제조방법의 반응 공정을 조절하여 은 분말의 표면 상태를 세척에 유리한 상태로 제조하는 것으로서, 세척이 용이한 은 분말의 제조방법을 제공하는 것이다.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 은 이온, 암모니아, 유기산 및 인 화합물을 포함하는 제1 수용액 및 환원제를 포함하는 제2 수용액을 제조하는 수용액제조단계(S21) 및 제1 수용액 및 제2 수용액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하고, 상기 인 화합물의 함량 및 상기 석출단계의 반응 온도를 조절하여 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절하는 은 분말 제조방법을 제공한다.
또한 상기 인 화합물은 피로인산나트륨(Sodium Pyrophosphate)을 포함하는 피로인산염, 인산나트륨(sodium phosphate), 인산칼륨(Potassium phosphate)을 포함하는 인산염 및 메타인산염(metaphosphate)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 수용액제조단계(S21)는 상기 인 화합물을 상기 제1 수용액에 포함되는 은 이온(Ag+)의 중량에 대하여 0.02 내지 0.06 wt% 비율로 첨가하여 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 상기 석출단계(S22)는 반응 온도를 25℃ 내지 35℃ 범위에서 조절하여 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절(비표면적을 0.4 내지 0.6 m2/g 로 조절)하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 은 이온, 암모니아 및 유기산을 포함하는 제1 수용액 및 환원제를 포함하는 제2 수용액을 제조하는 수용액제조단계(S21) 및 제1 수용액 및 제2 수용액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하고, 이 때 석출단계의 반응 온도를 15 내지 25℃ 범위에서 조절하여 제조되는 은 분말의 비표면적을 조절함으로써 유기물 세척이 용이한 은 분말을 제조하는 은 분말 제조방법을 제공한다.
또한 상기 은 염 환원단계(S2) 이후에 상기 제조된 은 분말을 알칼리 수용액을 이용하여 세척하는 세척단계(S3)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 제7항에 따라 제조되고, 세척된 은 분말로서, 상기 은 분말을 NaOH 용액에 용해시킨 상등액의 색도가 200PCU 이하인 은 분말을 제공한다.
또한 상기 제조방법에 따라 제조되고, 세척된 은 분말을 포함하는 금속 분말; 및 용제 및 유기 바인더를 포함하는 유리 비히클; 을 포함하는 도전성 페이스트를 제공한다.
본 발명은 은 분말의 제조 공정 중 반응단계에서 반응 온도 및 인 화합물 첨가량을 조절하여 제조되는 은 분말의 표면 상태를 제어함으로써 세척단계에서 유기물 제거 특성을 향상하고 표면처리 단계에서는 균일하고 안정적으로 표면처리 된 은 분말을 제조함으로써, 레올로지 및 전기적 특성, 저장안정성이 우수하고, 점/탄성 개선 및 스크린 인쇄 시 미세패턴 형성에 유리한 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 세척된 은 분말의 발수성 평가 기준을 나타낸 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 분말의 제조방법에서는 은 분말의 반응단계에서 반응온도 조절 및 인 화합물의 첨가량을 조절함으로써 동일한 세척 및 표면처리 단계를 거치더라도 세척 효율이 더욱 우수한 표면상태를 갖는 은 분말을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 은 분말의 제조방법은 은 염 제조단계(S1); 은 염 환원단계(S2); 여과 및 세척 등 정제단계(S3); 및 표면처리단계(S4);를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 따른 은 분말의 제조방법은 은 염 환원단계(S2) 및 정제단계(S3)를 반드시 포함하고, 이외의 단계는 생략 가능하다.
1. 은 염 제조단계(S1)
본 발명의 일실시예에 따른 은 염 제조단계(S1)는 잉곳, 립, 그래뉼 형태의 은(silver, Ag)을 산처리하여 은 이온(Ag+)을 포함하는 은 염(silver salt) 용액을 제조하는 단계로서, 본 단계를 거쳐 은 염 용액을 직접 제조하여 은 분말을 제조할 수 있으나, 시중에서 구입한 질산은(AgNO3), 은 염 착체 또는 은 중간체 용액을 이용하여 이 후 단계를 진행할 수 있다.
2. 은 염 환원단계(S2)
본 발명의 일실시예에 따른 은 염 환원단계(S2)는 은 염 용액에 환원제 및 암모니아를 첨가하여 은 이온을 환원시켜 은 입자(silver particle)를 석출하는 단계로서, 은 이온, 암모니아, 유기산 및 인 화합물을 포함하는 제1 수용액 및 환원제를 포함하는 제2 수용액을 제조하는 수용액제조단계(S21) 및 제1 수용액 및 제2 수용액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함한다.
본 발명의 일실시예에 따른 수용액제조단계(S21)는 은 이온을 포함하는 은 염 용액에 암모니아, 유기산 및 인 화합물을 첨가하고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 제조하는 단계로서, 암모니아로 pH를 조절하고, 유기산을 첨가하여 결정성을 조절하며, 인 화합물을 첨가하여 표면 특성을 조절한다.
상기 은 이온은 은 양이온의 형태로 포함되는 물질이라면 제한되지 않는다. 일례로 질산은(AgNO3), 은 염 착체 또는 은 중간체일 수 있다. 바람직하게는 질산은(AgNO3)을 사용하는 것이 좋다. 이하 질산은(AgNO3) 120g을 기준으로 기타 다른 성분의 함량 등을 설명한다.
상기 암모니아(NH3)는 수용액 형태로 사용될 수 있으며, 25% 암모니아 수용액을 사용하는 경우 질산은(AgNO3) 1kg에 대하여 1 내지 2L 첨가한다. 암모니아 수용액이 1L 미만으로 첨가되는 경우 반응 pH가 낮아서 은 이온이 모두 환원되지 않거나, 균일한 입자 분포를 형성시키는데 문제가 있으며, 2L를 초과하여 첨가되는 경우 제조된 은 분말 중 유기물 함량이 지나치게 높아지는 문제점이 있다. 바람직하게는 질산은(AgNO3) 1kg에 대하여 25% 암모니아 수용액을 1.4 내지 1.8L 첨가하는 것이 좋다. 상기 암모니아는 그 유도체를 포함한다. 암모니아를 사용함으로써 후술할 석출단계(S22)에서 환원이 일어나는 pH 조건을 8 내지 11로 조절한다.
상기 유기산은 분말의 수축율 및 결정화도를 증가시켜 주며, 분말입도를 미세화하고 유기물 함량 및 반응속도를 감소시키는 역할을 하며, 상기 질산은(AgNO3) 1kg에 대하여 150 내지 200g 첨가되고, 초산(CH3COOH), 포름산(CH2O2), 옥살산(C2H2O4), 젖산(C3H6O3), 시트르산(C6H8O7), 푸마르산(C4H4O4), 구연산(C6H8O7), 뷰티르산(C4H8O2), 프로피온산(CH3CH2COOH) 및 요산(C5H4N4O3) 으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상의 유기산(단쇄지방산)을 포함한다. 바람직하게는 초산(CH3COOH)), 포름산(HCOOH) 및 옥살산(C2H2O4)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 사용하는 것이 좋다.
본 발명은 상기 제1 수용액 내의 인 화합물의 함량을 조절하고, 제1 수용액과 후술할 제2 수용액의 반응 시 반응 온도를 조절하여 세척이 용이한 표면상태를 갖는 은 분말을 제조할 수 있는 것을 일 특징으로 한다.
상기 인 화합물은 피로인산나트륨(Sodium Pyrophosphate)을 포함하는 피로인산염, 인산나트륨(sodium phosphate), 인산칼륨(Potassium phosphate)을 포함하는 인산염 및 메타인산염(metaphosphate)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함한다. 바람직하게는 피로인산나트륨 또는 인산나트륨을 첨가하여 표면 특성을 조절하는 것이 좋다.
상기 인 화합물은 제1 수용액에 포함되는 은 이온(Ag+)의 중량에 대하여 0.02 내지 0.06 wt% 비율로 첨가되어 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절할 수 있다. 인 화합물을 0.02 wt% 미만으로 첨가하는 경우 제조되는 은 분말의 비표면적이 0.7 m2/g 이상으로 증가하여 세척 시 유기물 제거가 잘 되지 않는 문제점이 있고, 인 화합물을 0.06 wt% 초과하여 첨가하는 경우 은 분말의 비표면적이 0.4 m2/g 미만으로 감소하여 페이스트의 점/탄성을 낮춰 인쇄 특성이 떨어지는 문제점이 있다. 더욱 구체적인 표면 특성 조절 방법은 후술할 석출단계(S22)에서 반응 온도 조절과 함께 설명한다.
은 이온, 암모니아, 유기산 및 인 화합물을 포함하는 제1 수용액은 물 등의 용제에 은 이온, 암모니아 수용액, 유기산 및 인 화합물 수용액을 첨가하고 교반하여 용해시켜 수용액 상태로 제조될 수 있으며, 또한 슬러리 형태로 제조될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 수용액제조단계(S21)는 또한 환원제를 포함하는 제2 수용액을 제조한다.
상기 환원제는 아스코르브산, 알칸올아민, 하이드로퀴논, 히드라진 및 포르말린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 이 중에서 하이드로퀴논을 바람직하게 선택할 수 있다. 환원제의 함량은 제1 수용액에 포함되는 질산은(AgNO3) 1kg에 대하여 200 내지 300g 로 포함되는 것이 바람직하다. 200g 미만을 사용하는 경우, 은 이온이 모두 환원되지 않을 수 있고, 300g을 초과하여 사용하는 경우 유기물 함량이 증가하는 문제가 있다.
환원제를 포함하는 제2 수용액은 물 등의 용매에 환원제를 첨가하고 교반하여 용해시켜 수용액 상태로 제조될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 석출단계(S22)는 제1 수용액 및 제2 수용액을 반응시켜 은 분말을 얻는 단계로서, 수용액제조단계(S21)에 의해 제조된 제1 수용액을 교반하는 상태에서 제2 수용액을 천천히 적가하거나, 일괄 첨가하여 반응시킬 수 있다. 바람직하기로는 일괄 첨가한 후 5분 내지 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시키는 것이 빠른 시간 내에 환원 반응이 일괄 종료되어 입자끼리의 응집을 방지하고 분산성을 높일 수 있어 좋다.
본 발명에 따른 석출단계(S22)는 반응 온도를 15 내지 35℃ 범위에서 조절하여 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절할 수 있다. 더욱 구체적으로 제조되는 은 분말의 세척 및 표면처리 전 bare powder 상태의 비표면적을 0.4 내지 0.6 m2/g 로 조절이 가능하다. 비표면적을 상기 범위로 조절하는 경우에 세척 시 유기물 제거 특성이 우수하기 때문에 코팅 균일성 또한 우수하며, 또한 이 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 점/탄성이 우수하며 이로 인하여 인쇄특성이 우수한 효과를 제공한다. 제조되는 은 분말의 비표면적이 0.4m2/g 미만인 경우 도전성 페이스트에 포함되었을 때 점/탄성이 저하되는 문제점이 있고, 0.6m2/g 초과하는 경우 세척에 매우 불리하며, 잔여 유기물로 인한 코팅 균일성이 현저히 저하되는 문제점이 있다.
상기 석출단계(S22)는 인 화합물을 포함하지 않은 제1 수용액을 이용하여 반응시킬 때에는 반응 온도를 15 내지 25℃로 조절하여 제1 수용액과 제2 수용액을 반응시켜 상기 표면 특성을 갖는 은 분말을 제조할 수 있다. 반응 온도를 15 내지 25℃ 로 조절함으로써 은 분말의 비표면적을 조절할 수 있다. 예를 들어 반응온도가 낮은 15도 반응의 경우 느린 반응속도에 의해 은 분말 입자가 형성될 때 핵생성보다 성장이 위주로 일어나 은 분말의 일차입자 수는 감소하게 되고 이로 인해 분말의 비표면적은 작아지며, 반대로 반응온도가 높으면 반응속도가 빨라져 핵생성이 많이 일어나게 되고 은 분말의 일차입자 수가 증가하여 형성된 은 분말 입자는 높은 비표면적을 갖게 된다.
또한 상기 석출단계(S22)는 인 화합물을 상기 함량으로 포함하는 제1 수용액을 이용하여 반응 시킬 때에는 반응 온도를 25 내지 35℃ 로 조절하여 제1 수용액과 제2 수용액을 반응시켜 상기 표면 특성을 갖는 은 분말을 제조할 수 있다. 반응온도가 높은 조건이더라도 인 화합물이 들어가게 되면 반응속도를 감소시켜 상기 반응온도가 낮을 때와 유사한 결과를 가져온다. 즉, 반응 공정에서 인 화합물을 첨가하게 되면 반응속도가 감소하여 핵생성보다는 핵성장이 많이 일어나게 되고 이는 은 분말의 일차입자 수를 감소시켜 비표면적이 낮은 은 분말을 제조할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 은 입자의 분산성 향상 및 응집 방지를 위해 상기 분산제가 더 첨가되어 반응시키는 것을 권리범위에서 제외하지 않는다. 그러나, 상기 분산제가 첨가되는 경우, 잔존 유기물 함량이 증가하여 문제될 수 있으므로, 분산제의 첨가 없이 은 분말의 입경, 잔존 유기물 함량 및 결정자 지름을 제어하는 것이 바람직하다.
3. 세척단계(S3)
본 발명의 일실시예에 따른 세척단계(S3)는 은 염 환원단계(S2)를 통해 은 입자 석출 반응을 완료한 후 수용액 또는 슬러리 내에 분산되어 있는 은 분말을 여과 등을 이용하여 분리하고 세척하는 단계이다. 더욱 구체적으로는 먼저 온도가 40 내지 60℃으로 유지되는 순수 1L에 은 분말 대비 5 내지 15wt%의 NaOH를 녹인 후 호모믹서(K&S company, Lab용)를 사용하여 2500 내지 3500RPM으로 5 내지 15분간 교반하여 알칼리 수용액을 조제한다. 조제한 알칼리 수용액에 제조된 은 분말 500g을 투입하여 25 내지 35분간 2500 내지 3500rpm으로 교반한 뒤, 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 상등액의 전기전도도가 50㎲ 이하가 되게 하여 세척된 은 분말을 얻는다.
4. 표면처리단계(S4)
본 발명의 일실시예에 따른 표면처리단계(S4)는 은 분말의 친수 표면을 소수화하는 단계로서, 선택적으로 이루어질 수 있다. 더욱 구체적으로 순수 1L에 세척된 은 분말 500g을 투입하여 2500 내지 3500rpm으로 15 내지 25분간 교반한 뒤, 0.1 내지 0.5중량%의 표면처리제를 투입하여 10 내지 20분간 더 교반하여 표면처리를 완료하고, 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 상등액의 전기전도도가 50㎲ 이하가 되게 하여 표면처리된 은 분말을 얻는다.
상기 표면처리제로서는 지방산 또는 지방산염을 포함하는 알코올 용액을 사용한다. 알코올은 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 벤질알코올, 테르피네올(Terpineol) 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 에탄올을 사용한다.
상기 지방산은 라우르산(lauric acid), 미리스틴산(myristic acid), 팔미틴산(palmitic acid), 스테아린산(Stearic Acid), 베헨산(behenic acid), 올레인산(oleic acid), 리놀산(linolic acid) 및 아라키돈산(arachidonic acid)으로 구성되는 군에서 선택되는 적어도 1종 이상을 포함한다. 바람직하게는 스테아린산(Stearic Acid)을 사용하는 것이 좋다.
상기 지방산염은 상기 지방산이 수산화칼슘(calcium hydroxide), 수산화나트륨(sodium hydroxide), 암모니아(ammonia), 메틸아민(methylamine), 디에틸아민(dimethylamine), 트리메틸아민(trimethylamine), 에틸아민(ethylamine), 디에틸아민(diethylamine), 트리에틸아민(triethylamine), 에탄올아민(ethanolamine), 디에탄올아민(diethanolamine) 또는 트리에탄올아민(triethanolamine)과 염을 형성한 지방산염을 포함한다. 바람직하게는 스테아린산이 암모니아수와 염을 형성한 암모늄스테아레이트(ammonium stearate)를 사용하는 것이 좋다.
이 후 70 내지 90℃에서 10 내지 15시간 건조한 후, 제트 밀(Jet mill)을 이용하여 해쇄 과정을 거쳐 은 분말을 얻을 수 있다. 은 분말을 표면처리할 때 분말의 분산이 잘 되어야 표면처리가 충분히 이루어지고, 함수율이 낮으면 분산 효율이 떨어지기 때문에 일정량의 함수율을 가지고 표면처리를 하는 것이 좋다.
본 발명은 또한 본 발명의 일실시예에 따라 제조되는 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 제공한다. 도전성 페이스트는 금속 분말 및 유기 비히클을 포함한다.
상기 금속 분말로는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 은 분말을 사용한다. 금속 분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 85 내지 95 중량% 포함되는 것이 바람직하다.
상기 유기 비히클은 용제에 유기 바인더가 5 내지 15 중량%로 혼합된 것으로서, 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 5 내지 15 중량% 포함되는 것이 바람직하다.
상기 유기 바인더는 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트 그리고 폴리비닐 알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 유기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
조성물의 희석을 위해 사용되는 용제로서는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 벤질알코올, 테르피네올(Terpineol) 등 의 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론, 아세틸아세톤 등의 케톤류; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 테트라히드로푸란, 디옥산, 메틸셀로솔브, 디글림, 부틸카르비톨 등의 에테르류; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 탄산 디에틸, TXIB(1-이소프로필-2,2-디메틸트리메틸렌디이소부티레이트), 아세트산 카르비톨, 아세트산 부틸카르비톨 등의 에스테르류; 디메틸술폭시드, 술포란 등의 술폭시드 및 술폰류; 염화메틸렌, 클로로포름, 사염화탄소, 1,1,2-트리클로로에탄 등의 지방족 할로겐화 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, o-크실렌, p-크실렌, m-크실렌, 모노클로로벤젠, 디클로로벤젠 등의 방향족류 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용되는 것이 좋다.
또한 태양전지 전극 형성용으로 사용되는 경우 본 발명에 따른 도전성 페이스트는 금속 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하여 이루어진다.
상기 금속 분말로는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 은 분말을 사용한다. 금속 분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 85 내지 95 중량% 포함하는 것이 바람직하다.
상기 유리 프릿의 조성이나 입경, 형상에 있어서 특별히 제한을 두지 않는다. 유연 유리 프릿뿐만 아니라 무연 유리 프릿도 사용 가능하다. 바람직하기로는 유리 프릿의 성분 및 함량으로서, 산화물 환산 기준으로 PbO는 5 내지 29 mol%, TeO2는 20 내지 34 mol%, Bi2O3는 3 내지 20 mol%, SiO2 20 mol% 이하, B2O3 10 mol% 이하, 알칼리 금속(Li, Na, K 등) 및 알칼리 토금속(Ca, Mg 등)은 10 내지 20 mol%를 함유하는 것이 좋다. 상기 각 성분의 유기적 함량 조합에 의해 전극 선폭 증가를 막고 고면저항에서 접촉저항을 우수하게 할 수 있으며, 단략전류 특성을 우수하게 할 수 있다.
유리 프릿의 평균 입경은 제한되지 않으나 0.5 내지 10㎛ 범위 내의 입경을 가질 수 있으며, 평균 입경이 다른 다종이 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하기로는 적어도 1종의 유리 프릿은 평균 입경(D50)이 2㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이를 통해 소 성시 반응성이 우수해지고, 특히 고온에서 n층의 데미지를 최소화할 수 있으며 부착력이 개선되고 개방전압(Voc)을 우수하게 할 수 있다. 또한, 소성시 전극의 선폭이 증가하는 것을 감소시킬 수 있다.
유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 1 내지 5 중량%가 바람직한데, 1 중량% 미만이면 불완전 소성이 이루어져 전기 비저항이 높아질 우려가 있고, 5 중량% 초과하면 은 분말의 소성체 내에 유리 성분이 너무 많아져 전기 비저항이 역시 높아질 우려가 있다.
상기 유기 비히클로는 제한되지 않으나 유기 바인더와 용제 등이 포함될 수 있다. 때로는 용제가 생략될 수 있다. 유기 비히클은 제한되지 않으나 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 1 내지 10 중량%가 바람직하다.
유기 비히클은 금속 분말과 유리 프릿 등이 균일하게 혼합된 상태를 유지하는 특성이 요구되며, 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트가 기재에 도포될 때에, 도전성 페이스트를 균질하게 하여, 인쇄 패턴의 흐려짐 및 흐름을 억제하고, 또한 스크린판으로부터의 도전성 페이스트의 토출성 및 판분리성을 향상시키는 특성이 요구된다.
유기 비히클에 포함되는 유기 바인더는 제한되지 않으나 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트 그리고 폴리비닐 알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 유기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
조성물의 희석을 위해 사용되는 용제로서는 알파-터피네올, 텍사놀, 디옥틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 디옥산, 디에틸렌글리콜, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용되는 것이 좋다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물은 필요에 따라 통상적으로 알려져 있는 첨가제, 예를 들면, 분산제, 가소제, 점도 조정제, 계면활성제, 산화제, 금속 산화물, 금속 유기 화합물 등을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 상기 도전성 페이스트를 기재 위에 도포하고, 건조 및 소성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된 태양전지 전극을 제공한다. 본 발명의 태양전지 전극 형성방법에서 상기 특성의 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하는 것을 제외하고, 기재, 인쇄, 건조 및 소성은 통상적으로 태양전지의 제조에 사용되는 방법들이 사용될 수 있음은 물론이다. 일예로 상기 기재는 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
은 분말의 제조 - 실시예 및 비교예
(1) 실시예 1
상온의 순수 6L에 질산은 1kg, 암모니아(농도 25%) 1.58L, 옥살산 183g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 8.3L에 하이드로퀴논 250g 첨가하여 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이에 반응 온도를 15℃로 맞춘 후, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 은 분말을 얻었다.
(2) 실시예 2
상온의 순수 6L에 질산은 1kg, 암모니아(농도 25%) 1.58L, 옥살산 183g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 8.3L에 하이드로퀴논 250g 첨가하여 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이에 반응 온도를 25℃로 맞춘 후, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 은 분말을 얻었다.
(3) 실시예 3
상온의 순수 6L에 질산은 1kg, 암모니아(농도 25%) 1.58L, 옥살산 183g을 넣고, 추가로 피로인산나트륨을 0.04wt% 첨가하고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 8.3L에 하이드로퀴논 250g 첨가하여 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이에 반응 온도를 35℃로 맞춘 후, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 은 분말을 얻었다.
(4) 실시예 4
상온의 순수 6L에 질산은 1kg, 암모니아(농도 25%) 1.58L, 옥살산 183g을 넣고, 추가로 피로인산나트륨을 0.06wt% 첨가하고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 8.3L에 하이드로퀴논 250g 첨가하여 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이에 반응 온도를 35℃로 맞춘 후, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 은 분말을 얻었다.
(5) 비교예 1
상온의 순수 6L에 질산은 1kg, 암모니아(농도 25%) 1.58L, 옥살산 183g을 넣고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 8.3L에 하이드로퀴논 250g 첨가하여 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이에 반응 온도를 35℃로 맞춘 후, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 은 분말을 얻었다.
(6) 비교예 2
상온의 순수 6L에 질산은 1kg, 암모니아(농도 25%) 1.58L, 옥살산 183g을 넣고, 추가로 피로인산나트륨을 0.01wt% 첨가하고 교반하여 용해시켜 제1 수용액을 조제하였다. 한편 상온의 순수 8.3L에 하이드로퀴논 250g 첨가하여 교반하여 용해시켜 제2 수용액을 조제하였다. 이에 반응 온도를 35℃로 맞춘 후, 제1 수용액을 교반한 상태로 하고, 이 제1 수용액에 제2 수용액을 일괄 첨가하여, 첨가 종료 후부터 10분간 더 교반하여 혼합액 중에서 입자를 성장시켰다. 그 후 교반을 멈추고, 혼합액 중의 입자를 침강시킨 후, 혼합액의 상등액을 버리고 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 은 분말을 얻었다.
반응온도(℃) P.Na 함량
(Ag 대비 wt%)
실시예1 15 -
실시예2 25 -
실시예3 35 0.04
실시예4 35 0.06
비교예 1 35 -
비교예 2 35 0.01
은 분말의 세척 및 표면처리
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 은 분말에 대하여, 하기와 같은 공통된 세척공정 및 표면처리공정을 진행하였다.
2L의 이중자켓에 1L의 순수를 투입하고 온도를 50℃로 유지하여 준다. 준비된 순수에 은 분말 대비 10wt%의 NaOH를 녹인 후 호모믹서(K&S company, Lab용)를 사용하여 3000RPM으로 10분간 교반하여 알칼리 수용액을 조제한다. 조제한 알칼리 수용액에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 은 분말 500g을 투입하여 30분간 3000rpm으로 교반한 뒤, 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 상등액의 전기전도도가 50㎲ 이하가 되는 세척된 은 분말을 얻었다.
2L의 이중자켓에 1L의 순수를 투입하고, 세척된 은 분말 500g을 투입하여 3000rpm으로 20분간 교반한 뒤, 0.1 내지 0.5%의 Ammonium stearate를 투입하여 15분간 더 교반하여 표면처리를 완료하고, 혼합액을 원심분리기를 이용하여 여과하고, 여재를 순수로 세정하여 상등액의 전기전도도가 50㎲ 이하가 되게 하여 은 분말을 건조기에서 overnight으로 건조하여 표면처리된 은 분말을 얻었다.
실험예 1
(1) SEM 이미지 및 비표면적 측정
도 1에 실시예 1에 따라 제조된 은 분말로서 세척 및 표면처리 공정이 진행되기 이전의 은 분말의 SEM 이미지를 나타내었고, 도 2에 실시예 3에 따라 제조된 은 분말로서 세척 및 표면처리 공정이 진행되기 이전의 은 분말의 SEM 이미지를 나타내었으며, 도 3에 비교예 1에 따라 제조된 은 분말로서 세척 및 표면처리 공정이 진행되기 이전의 은 분말의 SEM 이미지를 나타내었다.
또한 실시예 및 비교예에 의해 제조된 은 분말로서 세척 및 표면처리 공정이 진행되기 이전의 은 분말을 BET 측정 방법을 통해 비표면적을 측정하여 표 2에 나타내었다.
(2) 세척 효율 측정
세척 후 은 분말 표면에 잔존하는 유기물의 양을 Hot-NaOH 수용액 평가를 통해 분석하여 세척 효율을 측정하였다. 즉, Hot-NaOH 수용액을 이용하여 은 분말 표면에 잔존하는 유기물을 용해시킨 후, 상등액의 색도를 측정하여 잔존 유기물의 농도를 수치화하였다. 상등액의 색도가 진할수록 잔존 유기물의 농도가 높다는 것을 의미, 즉 세척이 잘 안되었다는 것을 의미한다. Hot-NaOH 수용액 평가 방법은 하기와 같다.
세척 공정이 완료된 은 분말 10g(수분의 무게를 제외한 은 분말의 중량) 과 NaOH 5mol/L 수용액 30g을 50ml vial에 각각 계량한 뒤 80℃의 water bath에 20분간 Dipping(5분마다 hand shaking) 하고 30분 상온에 방치하였다. 그 후, 상등액의 색도를 측정하기 위해 상등액을 따로 따라내어 2:1 비율로 혼합 한 뒤, 유체 색도계를 사용하여 혼합액의 색도값(PCU, Platinum Cobalt Units)을 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.
(3) 발수성 평가
50ml vial에 상기 표면처리된 은 분말 1g(수분의 무게를 제외한 은 분말의 중량), DMW 20g을 계량하여 투입하였다. Vial을 vortex mixer(Vortex-Genie 2 Mixer, scientific industries)를 사용하여 1분간 분산시켰다. 30초 간 방치 후, 물에 대한 은 분말의 분산 상태를 판단하였다. 도 2에 나타나는 것과 같이 발수성 정도를 1 내지 5로 평가하였다. 은 분말이 분산된 물 부분의 농도가 높으면 발수성이 떨어지는 것을 의미한다.
세척이 잘된 경우 은 분말 표면에 잔존하는 유기물 함량이 감소하기 때문에 세척 후 표면처리 공정에서 표면처리제가 은 분말 표면에 잘 흡착하게 된다. 은 분말의 물에 대한 반발력(발수성) 측정을 통해 표면처리 균일성을 판단하였고 이를 통해 세척의 효과가 우수함을 간접적으로 알 수 있다.
비표면적
(m2/g)		 상등액
색도(PCU)		 발수성
(1 내지 5)
실시예1 0.55 130 ~ 180 4
실시예2 0.50 150 ~ 200 4
실시예3 0.45 140 ~ 200 4
실시예4 0.4 80 ~ 120 5
비교예 1 0.85 >500 1
비교예 2 0.7 400 ~ 450 2
상기 표 2에 나타나는 것과 같이 실시예에 따라 제조된 은 분말은 제1 수용액에 인 화합물을 첨가하지 않은 경우에는 반응 온도를 15 내지 25℃로 제어하고, 인 화합물을 0.02 내지 0.06 wt% 첨가한 경우에는 반응 온도를 35℃로 제어함으로써 비표면적이 0.4 내지 0.6 m2/g 이며, 상등액의 색도가 200PCU 이하로 세척 시 유기물 제거 특성이 우수하고, 발수성이 4 이상으로 코팅 균일성 또한 우수한 것을 알 수 있다.
비교예 1의 경우 제1 수용액에 인 화합물을 첨가하지 않은 경우에 반응 온도를 35℃로 제어하더라도 비표면적이 0.85m2/g 으로 크고, 상등액의 색도가 500PCU 이상으로 세척 시 유기물 제거 특성이 현저히 떨어지며 발수성 또한 1로 측정되어 코팅 균일성 또한 현저히 떨어지는 것을 알 수 있다.
비교예 2의 경우 인 화합물을 첨가하고 반응 온도를 35℃로 제어하였으나, 인 화합물의 함량을 0.02 wt% 미만인 0.01 wt% 첨가하여 비교예 1과 유사하게 비표면적이 0.7m2/g 으로 크고, 상등액의 색도가 400 내지 450PCU 로 세척 시 유기물 제거 특성이 현저히 떨어지며 발수성 또한 2로 측정되어 코팅 균일성 또한 현저히 떨어지는 것을 알 수 있다.
도전성 페이스트의 제조 - 제조예 및 비교제조예
상기 실시예 및 비교예에 따라 세척된 은 분말 89.5 중량%, 유리 프릿 1.92 중량%, 유기 비히클 5.20 중량%, 첨가제 3.38 중량%를 자전공전식 진공 교반 탈포 장치로 혼합한 후 삼본롤을 사용함으로써, 도전성 페이스트를 얻었다.
실험예 2
(1) 점도 측정
Brookfield 점도계(HBDVⅡ+Pro)를 이용하여 전단속도 10 RPM, 온도 25℃조건에서 상기 제조예 및 비교제조예에 따라 제조된 도전성 페이스트의 점도를 측정하여 하기 표 3에 나타내었다.
(2) 저장탄성율 측정
Rotational rheometer인 HAAKE RheoStress1에 의해 25℃에 있어서 amplitude sweep을 통해 저장탄성율을 측정하여 하기 표 3에 나타내었다. 이 때, 측정센서는 PP35Ti이며, Gap size는 0.4mm, 전단응력은 1 내지 1000 Pa, 각주파수는 1 rad/s였고, 저장탄성율을 읽는 기준은 100Pa일 때의 G'(저장탄성율)로 하였다.
(3) 인쇄 선폭 측정
상기 제조예 및 비교제조예에 따라 제조된 도전성 페이스트를 알루미나 기판 상에 ASYS 회사제 스크린 인쇄기를 이용하여 이격거리 1.5mm, 스퀴지 압력 75N, 인쇄 속도 300mm/s로 하여 무라가미 회사제 360mesh 스크린 제판을 이용하여 40μm 선폭의 패턴을 스크린 인쇄하고, 100℃에서 30분간 건조시켰다. 건조된 전극 패턴의 선폭 및 종횡비를 광학현미경을 이용하여 측정하여 하기 표 3에 나타내었다.
점도
(Pas)		 저장탄성율 (kPa) 인쇄 선폭(μm) 선고
(μm)		 종횡비
제조예1 355 824 46 15 0.33
제조예2 345 761 47 14 0.30
제조예3 337 644.9 43 16 0.37
제조예4 325 1135 40 16 0.40
비교제조예 1 296 451.1 53 14 0.26
비교제조예 2 304 524.3 48 14 0.29
상기 표 3에 나타나는 것과 같이 실시예에 따라 제조된 은 분말을 포함하는 도전성 페이스트로 형성한 전극의 인쇄선폭이 40 내지 46 μm이고, 종횡비(전극 선고/선폭)가 0.33 내지 0.40 으로써 도전성 페이스트의 점/탄성에 의해 인쇄 특성이 우수한 것을 알 수 있으며, 비교예의 경우 도전성 페이스트의 점/탄성이 낮아 이로 인하여 인쇄 특성이 저하되므로 전기적 특성이 저하될 것을 알 수 있다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 은 이온, 암모니아, 유기산 및 인 화합물을 포함하는 제1 수용액 및 환원제를 포함하는 제2 수용액을 제조하는 수용액제조단계(S21) 및
    제1 수용액 및 제2 수용액을 반응시켜 은 분말을 얻는 석출단계(S22)를 포함하는 은 염 환원단계(S2);를 포함하고,
    상기 인 화합물의 함량 및 상기 석출단계의 반응 온도를 조절하여 제조되는 은 분말의 표면 특성을 조절하되,
    상기 인 화합물의 함량은 제1 수용액에 포함되는 은 이온(Ag+)의 중량에 대하여 0.02 내지 0.06 wt%로 조절되며,
    상기 석출단계의 반응 온도는 25℃ 내지 35℃로 조절되고,
    제조된 은 분말의 비표면적은 0.4 내지 0.6 ㎡/g로 조절되는 것을 특징으로 하는 은 분말 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인 화합물은 피로인산나트륨(Sodium Pyrophosphate)을 포함하는 피로인산염, 인산나트륨(sodium phosphate), 인산칼륨(Potassium phosphate)을 포함하는 인산염 및 메타인산염(metaphosphate)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 분말 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 석출단계(S22)는 은 분말의 비표면적을 조절함으로써 유기물 세척이 용이한 은 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 은 분말 제조방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 은 염 환원단계(S2) 이후에 상기 제조된 은 분말을 알칼리 수용액을 이용하여 세척하는 세척단계(S3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은 분말 제조방법.
  9. 제1항에 따라 제조되고, 세척된 은 분말로서,
    상기 은 분말을 NaOH 용액에 용해시킨 상등액의 색도가 200PCU 이하인 은 분말.
  10. 제1항에 따라 제조되고, 세척된 은 분말을 포함하는 금속 분말; 및
    용제 및 유기 바인더를 포함하는 유리 비히클; 을 포함하는 도전성 페이스트.
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