KR102175554B1 - Exposure apparatus, exposure method and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

반도체 칩과 해당 반도체 칩의 주위에 배치되는 몰드재를 갖는 기판의 노광 영역을 노광하는 노광 장치가 제공된다. 해당 노광 장치는 상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 스테이지와, 상기 스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 상기 노광 영역의 복수의 계측점에 있어서 해당 기판의 높이를 계측하는 계측부와, 제어부를 갖는다. 상기 제어부는 상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 배치에 관한 설계 데이터에 기초하여, 상기 복수의 계측점에 있어서의 각각의 계측 결과에 가중치 부여를 행하고, 해당 가중치 부여가 된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 어느 것을 제어한다.An exposure apparatus for exposing a semiconductor chip and an exposed region of a substrate having a mold material disposed around the semiconductor chip is provided. The exposure apparatus includes a stage for holding and moving the substrate, a measurement unit for measuring the height of the substrate at a plurality of measurement points in the exposure area of the substrate held on the stage, and a control unit. The control unit weights each measurement result at the plurality of measurement points based on design data relating to the arrangement of the semiconductor chips on the substrate, and based on the measurement result to which the weight is assigned, the Controls at least any of the height and slope of the stage.

Description

노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법 {EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method {EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and an article manufacturing method.

최근, FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging)라고 불리는 반도체 디바이스의 패키징 방법이, 반도체 디바이스 제조 공정에 도입되고 있다. FOWLP에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같은, 전공정 처리가 종료되어 다이싱된 복수의 반도체 칩(101)을 배열하여 몰드재(102)로 굳힌 기판(100)이 구성된다. 이와 같은 기판(100)은 재구성 기판이라고도 불린다. 그리고, 이 기판(100)에 대해, 노광 장치 등에 의한 마이크로리소그래피 기술을 사용하여, 도 2에 도시한 바와 같은 배선층(103), 전극 패드(104) 등이 형성된다. FOWLP에 있어서는, 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 배선층(103), 전극 패드(104)는 반도체 칩(101) 위뿐만 아니라, 몰드재(102) 위에도 형성된다.In recent years, a semiconductor device packaging method called FOWLP (Fan Out Wafer Level Packaging) has been introduced into the semiconductor device manufacturing process. In the FOWLP, as shown in Fig. 1, the substrate 100 is formed by arranging a plurality of diced semiconductor chips 101 after the pre-processing process is completed and solidified with a mold material 102. Such a substrate 100 is also referred to as a reconstructed substrate. Then, on this substrate 100, a wiring layer 103, an electrode pad 104 and the like as shown in Fig. 2 are formed using a microlithography technique using an exposure apparatus or the like. In the FOWLP, as can be seen from FIG. 2, the wiring layer 103 and the electrode pad 104 are formed not only on the semiconductor chip 101 but also on the mold material 102.

패키징의 고밀도화로 인해, 특히 배선층(103)은 미세한 것이 많고, 선 폭은 수㎛ 정도가 된다. 이로 인해, 노광 장치를 사용하여 이들의 패터닝을 행하는 경우, 기판의 높이 방향의 위치 정렬이 중요해진다. 이 높이 방향의 위치 정렬에 있어서는, 기판의 높이를 미리 계측하고, 기판을 보유 지지하는 스테이지의 높이를 조정하는 것이 일반적이다.Due to the high-density packaging, in particular, the wiring layer 103 is often fine, and the line width is about several μm. For this reason, when performing these patterning using the exposure apparatus, the positional alignment of the substrate in the height direction becomes important. In this alignment in the height direction, it is common to measure the height of the substrate in advance and adjust the height of the stage holding the substrate.

그러나, 몰드재(102)의 평탄화는 어렵고, 도 3에 도시한 바와 같이, 몰드재(102)에는 표면의 거칠기(3a), 오목부(3b), 혹은 볼록부(3c) 등이 존재하기 때문에, 고정밀도의 기판의 높이 계측이 어렵다. 이와 같은 과제에 대해서는, 종래, 기판의 높이 계측에 의해 얻어진 계측값이 이상이라고 판단되는 경우, 기판의 높이 방향의 위치 정렬 제어에 있어서는 그 계측값을 제외하는 등의 대책이 행해진다. 예를 들어, 특허문헌 1은 기판의 높이를 계측하기 위한 복수의 센서로 노광 영역 내의 단차 형상을 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여, 복수의 센서 중 기판의 높이 방향의 위치 정렬 제어에 사용하는 센서를 선택하는 기술을 개시하고 있다.However, it is difficult to flatten the mold material 102, and as shown in Fig. 3, the mold material 102 has surface roughness 3a, concave portion 3b, or convex portion 3c. , It is difficult to measure the height of the substrate with high accuracy. For such a problem, when it is determined that the measured value obtained by measuring the height of the substrate is abnormal, countermeasures such as excluding the measured value are taken in the positional alignment control in the height direction of the substrate. For example, Patent Document 1 uses a plurality of sensors for measuring the height of a substrate to measure the shape of a step in an exposure area, and based on the measurement result, it is used for positional alignment control in the height direction of a substrate among a plurality of sensors. A technology for selecting a sensor is disclosed.

일본 특허 공개 제2002-100552호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2002-100552

그러나, 종래 기술에 의하면, 기판의 상태에 따라서는, 기판의 높이 계측의 결과의 정상, 이상의 판단이 정확하게 행해지지 않아, 부적절한 기판의 높이 위치 정렬이 행해지고, 미세한 패터닝을 할 수 없는 경우가 있었다.However, according to the prior art, depending on the state of the substrate, the normal or abnormal determination of the result of measuring the height of the substrate is not accurately performed, so that the height position alignment of the substrate is improperly performed, and fine patterning may not be performed.

본 발명은 반도체 칩과 몰드재를 포함하는 기판에 형성되는 배선층의 고정밀도화에 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a technology advantageous for high precision of a wiring layer formed on a substrate including a semiconductor chip and a mold material.

본 발명의 일측면에 의하면, 반도체 칩과 해당 반도체 칩의 주위에 배치되는 몰드재를 갖는 기판의 노광 영역을 노광하는 노광 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 스테이지와, 상기 스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 상기 노광 영역의 복수의 계측점에 있어서 해당 기판의 높이를 계측하는 계측부와, 제어부를 갖고, 상기 제어부는 상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 배치에 관한 설계 데이터에 기초하여, 상기 복수의 계측점에 있어서의 각각의 계측 결과에 가중치 부여를 행하고, 해당 가중치 부여가 된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 어느 것을 제어하는 노광 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a semiconductor chip and an exposed area of a substrate having a mold material disposed around the semiconductor chip, a stage holding and moving the substrate, and holding the substrate A measurement unit for measuring the height of the substrate at a plurality of measurement points in the exposed area of the substrate, and a control unit, wherein the control unit is based on design data relating to the arrangement of the semiconductor chips on the substrate, the plurality of There is provided an exposure apparatus that weights each measurement result at a measurement point of, and controls at least any of the height and inclination of the stage based on the weighted measurement result.

본 발명에 따르면, 반도체 칩과 몰드재를 포함하는 기판에 형성되는 배선층의 고정밀도화에 유리한 기술을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a technique advantageous for increasing the precision of a wiring layer formed on a substrate including a semiconductor chip and a mold material.

본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조로 한 이하의 설명에 의해 명백해질 것이다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일하거나 혹은 마찬가지의 구성에는 동일한 참조 번호를 부여한다.Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following description with reference to the accompanying drawings. In addition, in the accompanying drawings, the same reference numerals are assigned to the same or similar configurations.

첨부 도면은 명세서에 포함되고, 그 일부를 구성하고, 본 발명의 실시 형태를 나타내고, 그 기술과 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된다.
도 1은 재구성 기판을 설명하는 도면.
도 2는 재구성 기판을 설명하는 도면.
도 3은 재구성 기판에 있어서의 몰드재의 표면의 거칠기, 요철의 예를 도시하는 도면.
도 4는 실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 5는 노광 영역 내의 포커스 계측점의 예를 도시하는 도면.
도 6은 반도체 칩과 포커스 계측점의 배치예를 도시하는 도면.
도 7은 반도체 칩과 포커스 계측점의 배치예를 도시하는 도면.The accompanying drawings are included in the specification, constitute a part thereof, show embodiments of the present invention, and are used to explain the principles of the present invention together with the technology.
1 is a diagram for describing a reconstructed substrate.
Fig. 2 is a diagram explaining a reconstructed substrate.
3 is a diagram showing an example of roughness and unevenness of the surface of a mold material in a reconstruction substrate.
Fig. 4 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus in an embodiment.
5 is a diagram showing an example of a focus measurement point in an exposure area.
6 is a diagram showing an arrangement example of a semiconductor chip and a focus measurement point.
7 is a diagram showing an arrangement example of a semiconductor chip and a focus measurement point.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 실시에 유리한 구체예를 도시하는 것에 지나지 않는다. 또한, 이하의 실시 형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합의 전부가 본 발명의 과제 해결을 위해 필수인 것이라고는 할 수 없다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the present invention is not limited to the following embodiments, but merely shows specific examples advantageous for the implementation of the present invention. Further, it cannot be said that all of the combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.

도 4는 실시 형태에 있어서의 노광 방법을 실시하는 노광 장치의 구성을 도시하는 도면이다. 노광 장치는 광원(401)을 갖는다. 광원(401)은 i선 수은 램프나 엑시머 레이저 등으로 구성될 수 있다. 조명 광학계(402)는 광원(401)으로부터의 광을 도광하여 마스크(403)를 조명한다. 마스크(403)에는 투영되어야 할 패턴이 그려져 있다. 마스크(403)를 통과한 광은 투영 광학계(404)를 통해, 기판(100)에 도달한다. 본 실시 형태에 있어서, 기판(100)은 FOWLP에 의해 얻어진, 소위 재구성 기판이다. 이 재구성 기판은 도 1에 도시된 바와 같이, 전공정 처리가 종료되어 다이싱된 하나 이상의 반도체 칩(101)을 배치하고, 반도체 칩(101)의 주위에 몰드재(102)(예를 들어, 에폭시 수지)를 배치함으로써 구성된다. 그리고, 이 기판(100)에 대해, 노광 장치를 사용하여, 도 2에 도시한 바와 같은 배선층(103), 전극 패드(104) 등이 형성된다. FOWLP에 있어서는, 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이 배선층(103), 전극 패드(104)는 반도체 칩(101) 위뿐만 아니라, 몰드재(102) 위에도 형성된다. 도 1에서는 반도체 칩(101) 사이는 배선층(103)으로 접속되어 있지 않지만, 경우에 따라서는, 다른 특성의 복수의 반도체 칩이 배선층에 의해 접속되는 것도 있다.4 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus that performs an exposure method in an embodiment. The exposure apparatus has a light source 401. The light source 401 may be composed of an i-line mercury lamp or an excimer laser. The illumination optical system 402 illuminates the mask 403 by guiding light from the light source 401. A pattern to be projected is drawn on the mask 403. The light that has passed through the mask 403 passes through the projection optical system 404 and reaches the substrate 100. In this embodiment, the substrate 100 is a so-called reconstructed substrate obtained by FOWLP. As shown in FIG. 1, the reconstituted substrate includes at least one diced semiconductor chip 101 after the pre-processing is completed, and a mold material 102 (for example, Epoxy resin). Then, on this substrate 100, a wiring layer 103, an electrode pad 104 and the like as shown in Fig. 2 are formed using an exposure apparatus. In the FOWLP, as can be seen from FIG. 2, the wiring layer 103 and the electrode pad 104 are formed not only on the semiconductor chip 101 but also on the mold material 102. In Fig. 1, the semiconductor chips 101 are not connected by the wiring layer 103, but in some cases, a plurality of semiconductor chips having different characteristics are connected by the wiring layer.

마스크(403)에 그려진 패턴이 투영 광학계(404)를 통해 기판(100)의 표면에 투영된다. 투영된 마스크 패턴의 상(像)은, 미리 기판(100)의 표면에 도포되어 있던 레지스트나 폴리이미드 등의 감광성의 재료를 반응시킨다. 그것을 현상함으로써, 기판(100)의 표면에 패턴이 형성된다.The pattern drawn on the mask 403 is projected onto the surface of the substrate 100 through the projection optical system 404. The projected image of the mask pattern reacts with a photosensitive material such as a resist or polyimide previously applied to the surface of the substrate 100. By developing it, a pattern is formed on the surface of the substrate 100.

기판(100)은 기판을 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지(405)에 보유 지지되어 있고, 기판 스테이지(405)를 스텝 이동시켜 소정의 노광 영역을 노광하는 것을 반복하여 기판(100)의 표면 전체에 걸쳐 노광을 행할 수 있다. 기판 스테이지(405)는 도시하지 않은 간섭계나 인코더 등의 위치 계측 장치를 통해, 그 위치나 자세가 고정밀도로 관리되고 있고, 그것에 의해 고정밀도의 중첩 노광을 실현하고 있다.The substrate 100 is held by a substrate stage 405 that holds and moves the substrate, and repeats exposing a predetermined exposure area by stepping the substrate stage 405 to cover the entire surface of the substrate 100. Exposure can be performed over. The substrate stage 405 is managed with high accuracy in its position and posture through a position measuring device such as an interferometer or encoder (not shown), thereby realizing high-precision superimposed exposure.

노광 시에는, 마스크 패턴의 상(像)의 위치에 기판의 높이 및 기울기를 맞추기 위해, 계측부(406)(예를 들어, 포커스 센서)에서 기판의 높이를 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여, 기판 스테이지(405)의 높이 및 기울기 중 적어도 어느 것이 제어된다. 또한, 이하에서는, 기판 스테이지(405)의 높이 및 기울기 중 적어도 어느 것을 제어하는 것을, 단순히 「기판의 높이 위치 정렬」이라고 하는 경우도 있다.During exposure, in order to match the height and inclination of the substrate to the position of the image of the mask pattern, the height of the substrate is measured by the measurement unit 406 (for example, a focus sensor), and based on the measurement result, At least any of the height and inclination of the substrate stage 405 is controlled. In addition, hereinafter, controlling at least any of the height and inclination of the substrate stage 405 may be simply referred to as "alignment of the height of the substrate".

또한, 도 4에 있어서, 계측부(406)는 광학적인 검출을 행하는 포커스 센서로서 그려져 있지만, 이에 한정되지 않고, 정전 용량 센서나 압력 센서 등을 사용한 다른 검출 방식이어도 된다. 기판의 높이 및 기울기를 계측하기 위해, 도 5에 도시한 바와 같이, 노광 영역(501) 내에는 계측부(406)에 의해 포커스 상태가 계측되는 복수의 계측점(502)이 포함된다. 도 5에서는 9개의 계측점(502)이 격자상으로 배치되어 있지만, 배치수, 배치 위치는 이에 한정되지 않는다.In addition, in Fig. 4, the measurement unit 406 is depicted as a focus sensor that performs optical detection, but is not limited thereto, and other detection methods using a capacitive sensor, a pressure sensor, or the like may be used. In order to measure the height and inclination of the substrate, as shown in FIG. 5, a plurality of measurement points 502 for which the focus state is measured by the measurement unit 406 are included in the exposure area 501. In FIG. 5, nine measurement points 502 are arranged in a grid, but the number of arrangements and arrangement positions are not limited thereto.

또한, 계측부(406), 기판 스테이지(405), 투영 광학계(404) 등은 제어부(407)에 접속되어 있다. 제어부(407)는 도시하지 않은 기억부를 포함하고, 계측부(406)에서 계측된 기판의 높이나 기울기의 정보 등 다양한 정보를 기억함과 함께, 기판 스테이지(405) 등에 구동 명령을 내어 제어한다. 제어부(407)는, 예를 들어 기판 스테이지(405)를 스텝 이동시켜 노광 영역(501)을 노광하는 것을 반복하여 기판 전체를 노광하는, 소위 스텝 앤드 리피트 방식으로 노광을 행하도록 제어할 수 있다.In addition, the measurement unit 406, the substrate stage 405, the projection optical system 404, and the like are connected to the control unit 407. The control unit 407 includes a storage unit (not shown), stores various information such as information on the height and inclination of the substrate measured by the measurement unit 406, and controls by issuing a drive command to the substrate stage 405 or the like. The control unit 407 can control to perform exposure in a so-called step-and-repeat method in which, for example, the substrate stage 405 is moved stepwise to expose the exposure region 501 and the entire substrate is exposed.

본 실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성은 대략 이상과 같다. 이하, 이 노광 장치에 의한 노광 방법을 설명한다.The configuration of the exposure apparatus in this embodiment is substantially as described above. Hereinafter, an exposure method using this exposure apparatus will be described.

제어부(407)는 노광 영역(501)의 크기 및 위치의 정보 및 노광 영역(501)에 있어서의 계측점(502)의 위치의 정보를, 미리 보유 지지하고 있다. 통상, 도 6에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(101)에 대해 노광 영역(501)의 쪽이 크고, 하나의 노광 영역(501)에 반도체 칩(101)이 복수 포함된다. 즉, 이 경우에는 1회의 노광으로 복수의 반도체 칩이 동시에 노광될 수 있다.The control unit 407 holds information on the size and position of the exposure area 501 and information on the position of the measurement point 502 in the exposure area 501 in advance. In general, as shown in FIG. 6, the exposure region 501 is larger than the semiconductor chip 101, and a plurality of semiconductor chips 101 are included in one exposure region 501. That is, in this case, a plurality of semiconductor chips may be exposed simultaneously with one exposure.

제어부(407)에는 기판(100)에 있어서의 반도체 칩(101)의 배치에 관한 설계 데이터가 입력된다. 설계 데이터는, 예를 들어 도시하지 않은 조작 화면을 통해 유저에 의해 입력되어, 제어부(407)의 기억부에 기억된다. 설계 데이터는, 예를 들어 개개의 반도체 칩(101)의 사이즈 및 기판(100)에 있어서의 배치 위치의 정보, 또는 반도체 칩(101)의 외형 형상의 정보를 포함한다. 제어부(407)는 복수의 계측점의 각각이, 반도체 칩(101) 위에 위치하는지 몰드재(102) 위에 위치하는지를 판정한다. 이것은, 예를 들어 노광 영역(501)의 크기 및 위치, 노광 영역(501)에 있어서의 계측점(502)의 위치 등의 기지의 정보와, 입력된 설계 데이터에 포함되는 반도체 칩(101)의 사이즈 및 배치 위치의 정보에 기초하여 판정된다. 도 6에 있어서는, 반도체 칩(101) 위에 위치하는 계측점이 601로, 몰드재(102) 위에 위치하는 계측점이 602로 나타나 있다. 예를 들어, 9개의 계측점(502)이 도 5에 도시된 바와 같이 배치되어 있는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 그들 중 4개의 계측점(601)이 반도체 칩(101) 위에 위치하고, 5개의 계측점(602)이 몰드재(102) 위에 위치한다.Design data relating to the arrangement of the semiconductor chips 101 on the substrate 100 is input to the control unit 407. The design data is inputted by the user through an operation screen not shown, for example, and stored in the storage unit of the control unit 407. The design data includes, for example, information on the size of the individual semiconductor chip 101 and the arrangement position on the substrate 100, or information on the external shape of the semiconductor chip 101. The control unit 407 determines whether each of the plurality of measurement points is located on the semiconductor chip 101 or on the mold material 102. This includes known information such as the size and position of the exposure area 501 and the position of the measurement point 502 in the exposure area 501, and the size of the semiconductor chip 101 included in the input design data. And it is determined based on the information of the arrangement position. In FIG. 6, a measurement point positioned on the semiconductor chip 101 is indicated as 601, and a measurement point placed on the mold material 102 is indicated as 602. For example, when nine measurement points 502 are arranged as shown in FIG. 5, as shown in FIG. 6, four measurement points 601 of them are located on the semiconductor chip 101, and five The measuring point 602 is located on the mold material 102.

전술한 바와 같이, 몰드재(102)의 평탄화는 어렵고, 반도체 칩(101)에 비해, 표면이 거칠며, 요철이 있기 때문에, 고정밀도의 기판의 높이 계측이 어렵다는 과제가 있다. 그래서 본 실시 형태의 노광 방법에 있어서는, 제어부(407)가 반도체 칩(101) 위에 위치하는 계측점에서의 계측 결과에만 기초하여, 노광 시의 기판의 높이 위치 정렬을 실시한다. 반도체 칩(101)에 비해 평탄하지 않은 몰드재(102) 위의 계측점(602)의 계측 결과를 노광 시의 기판의 높이 위치 정렬에 사용하지 않음으로써, 고정밀도의 포커스 제어가 가능하고, 미세한 배선층의 형성을 실현할 수 있다.As described above, flattening of the mold material 102 is difficult, and since the surface is rough and uneven compared to the semiconductor chip 101, there is a problem that it is difficult to measure the height of the substrate with high accuracy. Therefore, in the exposure method of the present embodiment, the control unit 407 performs alignment of the height of the substrate at the time of exposure based only on the measurement result at the measurement point located on the semiconductor chip 101. By not using the measurement result of the measurement point 602 on the mold material 102, which is not flat compared to the semiconductor chip 101, for alignment of the height of the substrate during exposure, high-precision focus control is possible and a fine wiring layer The formation of can be realized.

도 6에서는 하나의 노광 영역(501)에 반도체 칩(101)이 복수 포함되는 예를 도시했지만, 도 7과 같이, 하나의 노광 영역(501)에 포함되는 반도체 칩(101)이 하나뿐인 경우라도, 상기와 동일한 방법을 적용할 수 있다. 도 7의 예에 있어서도, 제어부(407)는 복수의 계측점의 각각에 대해, 반도체 칩(101) 위에 위치하는지 몰드재(102) 위에 위치하는지를 판정한다.6 illustrates an example in which a plurality of semiconductor chips 101 are included in one exposure region 501, even if there is only one semiconductor chip 101 included in one exposure region 501 as shown in FIG. 7 , The same method as above can be applied. Also in the example of FIG. 7, for each of the plurality of measurement points, the control unit 407 determines whether it is positioned on the semiconductor chip 101 or the mold material 102.

상술한 설명에서는, 제어부(407)가 반도체 칩(101) 위에 위치하는 계측점의 계측 결과에만 기초하여, 노광 시의 기판의 높이 위치 정렬을 실시하도록 했다. 그러나, 몰드재(102) 위에 위치하는 계측점의 계측 결과를 완전히 무효로는 하지 않고, 복수의 계측점에 있어서의 각각의 계측 결과에 가중치 부여를 행하고, 해당 가중치 부여가 된 계측 결과에 기초하여, 상기 기판의 높이 및 기울기 중 적어도 어느 것을 제어하도록 해도 된다. 예를 들어, 반도체 칩(101) 위에 위치하는 계측점보다도, 몰드재(102) 위에 위치하는 계측점의 계측 결과에 대한 가중치를 작게 한다. 이와 같이 함으로써, 예를 들어 반도체 칩(101) 위에 위치하는 계측점의 수를 충분히 확보할 수 없는 경우에, 몰드재(102) 위에 위치하는 계측점이 가중치를 작게 한 후에 이용되고, 기판의 높이 위치 정렬의 정밀도를 유지할 수 있다. 또한, 상술한 설명과 같이 몰드재(102) 위에 위치하는 계측점의 계측 결과를 완전히 무효로 하는 경우에는, 몰드재(102) 위에 위치하는 계측점의 계측 결과에 대한 가중치를 0으로 하면 된다. 이에 의해, 해당 계측점의 계측 결과가 제외된다. 또한, 반도체 칩(101)의 배치에 관한 설계 데이터에 기초하여, 계측부(406)에 의한 복수의 계측점(502)이 반도체 칩(101) 위에만 배치되도록 계측부(406)를 조정해도 된다. 또한, 반도체 칩(101)의 배치에 관한 설계 데이터에 기초하여, 반도체 칩(101) 위의 계측점(502)을 추가하고, 계측점의 수를 증가시켜, 계측해도 된다.In the above description, the control unit 407 performs alignment of the height of the substrate during exposure based only on the measurement result of the measurement point positioned on the semiconductor chip 101. However, without completely invalidating the measurement result of the measurement point located on the mold material 102, weighting is applied to each measurement result at a plurality of measurement points, and based on the measurement result given the weight, the above At least any of the height and inclination of the substrate may be controlled. For example, the weight for the measurement result of the measurement point located on the mold material 102 is made smaller than the measurement point located on the semiconductor chip 101. In this way, for example, when the number of measurement points located on the semiconductor chip 101 cannot be sufficiently secured, the measurement points located on the mold material 102 are used after reducing the weight, and the height position of the substrate is aligned. The precision of can be maintained. In addition, in the case of completely invalidating the measurement result of the measurement point positioned on the mold material 102 as described above, the weight of the measurement result of the measurement point positioned on the mold material 102 may be zero. Thereby, the measurement result of the measurement point is excluded. In addition, the measurement unit 406 may be adjusted so that the plurality of measurement points 502 by the measurement unit 406 are disposed only on the semiconductor chip 101 based on design data relating to the arrangement of the semiconductor chip 101. Further, based on the design data relating to the arrangement of the semiconductor chip 101, the measurement points 502 on the semiconductor chip 101 may be added, and the number of measurement points may be increased to measure.

<물품 제조 방법의 실시 형태><Embodiment of an article manufacturing method>

본 발명의 실시 형태에 관한 물품 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는 데 적합하다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은 기판에 도포된 감광제에 상기의 노광 장치를 사용하여 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은 현상된 기판을 가공하는 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비해, 물품의 성능ㆍ품질ㆍ생산성ㆍ생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.The article manufacturing method according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a micro device such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The article manufacturing method of this embodiment includes a step of forming a latent image pattern on a photosensitive agent applied to a substrate using the above exposure apparatus (a step of exposing the substrate), and a step of developing a substrate on which the latent image pattern is formed in this step. do. In addition, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film formation, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.) of processing the developed substrate. The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article, compared to the conventional method.

본 발명은 상기 실시 형태로 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 공표하기 위해, 이하의 청구항을 첨부한다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, in order to disclose the scope of the present invention, the following claims are appended.

Claims (14)

절단되어 기판 위에 배치된 반도체 칩과, 해당 반도체 칩의 주위에 배치되고, 상기 기판에 대한 상기 반도체 칩의 위치를 고정하는 고정재를 갖는 상기 기판의 노광 영역을 노광하는 노광 장치이며,
상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 스테이지와,
상기 스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 상기 노광 영역의 복수의 계측점이며, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점과 상기 고정재 위에 위치하는 계측점을 포함하는 복수의 계측점에 있어서 해당 기판의 높이를 계측하는 계측부와,
제어부를 갖고,
상기 제어부는,
상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 배치에 기초하여, 상기 복수의 계측점 중 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점의 가중치보다, 상기 고정재 위에 위치하는 계측점의 가중치가 작아지도록, 상기 복수의 계측점에 있어서의 각각의 계측 결과에 가중치 부여를 행하고, 해당 가중치 부여가 된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하고,
상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나가 제어된 상태에서 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성하기 위해서 상기 기판의 상기 노광 영역을 노광하는, 노광 장치.An exposure apparatus for exposing an exposed region of the substrate having a semiconductor chip cut and disposed on the substrate, and a fixing member disposed around the semiconductor chip and fixing the position of the semiconductor chip with respect to the substrate,
A stage for holding and moving the substrate,
A measurement unit that measures the height of the substrate at a plurality of measurement points that are a plurality of measurement points of the exposure area of the substrate held on the stage, and include measurement points located on the semiconductor chip and measurement points located on the fixing member;
Have a control unit,
The control unit,
Based on the arrangement of the semiconductor chips on the substrate, each of the plurality of measurement points so that the weight of the measurement points located on the fixing member is smaller than the weight of the measurement points located on the semiconductor chip among the plurality of measurement points. Weighting is applied to the measurement result of, and based on the weighted measurement result, at least one of the height and slope of the stage is controlled,
An exposure apparatus for exposing the exposed region of the substrate to form a wiring from the semiconductor chip while at least one of a height and an inclination of the stage is controlled. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 반도체 칩의 사이즈 및 상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 위치 중 적어도 한쪽을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 가중치 부여를 행하는, 노광 장치.The method of claim 1,
The exposure apparatus, wherein the control unit performs the weighting based on information indicating at least one of a size of the semiconductor chip and a position of the semiconductor chip on the substrate. 제2항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 노광 영역에 있어서의 상기 복수의 계측점의 위치와, 상기 반도체 칩의 사이즈 및 상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 위치 중 적어도 한쪽을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 복수의 계측점의 각각이, 상기 반도체 칩 위에 위치하는지 상기 고정재 위에 위치하는지를 판정하는, 노광 장치.The method of claim 2,
The control unit,
Based on information indicating at least one of the positions of the plurality of measurement points in the exposure region, the size of the semiconductor chip, and the position of the semiconductor chip on the substrate, each of the plurality of measurement points is the semiconductor An exposure apparatus that determines whether it is located on a chip or on the fixing member. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 고정재 위에 위치하는 계측점의 계측 결과에 대한 가중치를 0으로 함으로써 해당 계측점의 계측 결과를 제외하고 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하는, 노광 장치.The method of claim 1,
The control unit controls at least one of a height and an inclination of the stage excluding a measurement result of the measurement point by making a weight of a measurement result of a measurement point positioned on the fixing material 0. 제1항에 있어서,
상기 노광 영역에 상기 반도체 칩이 복수 포함되는, 노광 장치.The method of claim 1,
An exposure apparatus comprising a plurality of the semiconductor chips in the exposure region. 제1항에 있어서,
상기 노광 영역에 포함되는 상기 반도체 칩은 1개인, 노광 장치.The method of claim 1,
The exposure apparatus, wherein the semiconductor chip included in the exposure region is one. 제1항에 있어서,
상기 고정재는 몰드재인, 노광 장치.The method of claim 1,
The fixing material is a mold material, exposure apparatus. 절단되어 기판 위에 배치된 반도체 칩과, 해당 반도체 칩의 주위에 배치되고, 상기 기판에 대한 상기 반도체 칩의 위치를 고정하는 고정재를 갖는 상기 기판의 노광 영역을 노광하는 노광 장치이며,
상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 스테이지와,
상기 스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 상기 노광 영역의 복수의 계측점이며, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점과 상기 고정재 위에 위치하는 계측점을 포함하는 복수의 계측점에 있어서 상기 기판의 높이를 계측 가능한 계측부와,
제어부를 갖고,
상기 계측부는, 상기 복수의 계측점 중, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점에 있어서만 상기 기판의 높이를 계측하고,
상기 제어부는,
상기 계측부에 의해 계측된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하고,
상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나가 제어된 상태에서 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성하기 위해서 상기 기판의 상기 노광 영역을 노광하는, 노광 장치.An exposure apparatus for exposing an exposed region of the substrate having a semiconductor chip cut and disposed on the substrate, and a fixing member disposed around the semiconductor chip and fixing the position of the semiconductor chip with respect to the substrate,
A stage for holding and moving the substrate,
A measurement unit capable of measuring the height of the substrate at a plurality of measurement points, which are a plurality of measurement points of the exposure area of the substrate held on the stage, and include measurement points located on the semiconductor chip and measurement points located on the fixing member,
Have a control unit,
The measurement unit measures the height of the substrate only at a measurement point located on the semiconductor chip among the plurality of measurement points,
The control unit,
Based on the measurement result measured by the measuring unit, controlling at least one of the height and inclination of the stage,
An exposure apparatus for exposing the exposed region of the substrate to form a wiring from the semiconductor chip while at least one of a height and an inclination of the stage is controlled. 제8항에 있어서,
상기 제어부는 상기 반도체 칩의 사이즈 및 상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 위치 중 적어도 한쪽을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 복수의 계측점 중 착안하는 계측점이 상기 반도체 칩 위에 위치하는지 여부를 판정하는, 노광 장치.The method of claim 8,
The control unit determines whether or not a measurement point of interest among the plurality of measurement points is located on the semiconductor chip, based on information indicating at least one of the size of the semiconductor chip and the position of the semiconductor chip on the substrate. Device. 제8항에 있어서,
상기 고정재는 몰드재인, 노광 장치.The method of claim 8,
The fixing material is a mold material, exposure apparatus. 절단되어 기판 위에 배치된 반도체 칩과, 해당 반도체 칩의 주위에 배치되고, 상기 기판에 대한 상기 반도체 칩의 위치를 고정하는 고정재를 갖는 상기 기판의 노광 영역을 노광하는 노광 방법이며,
스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 상기 노광 영역의 복수의 계측점이며, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점과 상기 고정재 위에 위치하는 계측점을 포함하는 복수의 계측점에 있어서 상기 기판의 높이를 계측하는 공정과,
상기 기판에 있어서의 상기 반도체 칩의 배치에 기초하여, 상기 복수의 계측점 중 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점에 있어서의 계측 결과의 가중치보다, 상기 고정재 위에 위치하는 계측점에 있어서의 계측 결과의 가중치가 작아지도록, 상기 복수의 계측점에 있어서의 각각의 계측 결과에 가중치 부여를 행하는 공정과,
상기 가중치 부여가 된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하는 공정과,
상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나가 제어된 상태에서 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성하기 위해서 상기 기판의 상기 노광 영역을 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 노광 방법.An exposure method of exposing an exposed region of the substrate having a semiconductor chip cut and disposed on the substrate, and a fixing material disposed around the semiconductor chip and fixing the position of the semiconductor chip with respect to the substrate,
A step of measuring the height of the substrate at a plurality of measurement points that are a plurality of measurement points of the exposure area of the substrate held on a stage, and include a measurement point positioned on the semiconductor chip and a measurement point positioned on the fixing member;
Based on the arrangement of the semiconductor chip on the substrate, the weight of the measurement result at the measurement point located on the fixing material is smaller than the weight of the measurement result at the measurement point located on the semiconductor chip among the plurality of measurement points. A step of weighting each measurement result at the plurality of measurement points so as to be determined, and
A step of controlling at least one of the height and inclination of the stage based on the weighted measurement result, and
And a step of exposing the exposed region of the substrate to form a wiring from the semiconductor chip while at least one of the height and the slope of the stage is controlled. 절단되어 기판 위에 배치된 반도체 칩과, 해당 반도체 칩의 주위에 배치되고, 상기 기판에 대한 상기 반도체 칩의 위치를 고정하는 고정재를 갖는 상기 기판의 노광 영역을 노광하는 노광 방법이며,
스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 상기 노광 영역의 복수의 계측점 중, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점에 있어서만 상기 기판의 높이를 계측하는 공정과,
계측된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하는 공정과,
상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나가 제어된 상태에서 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성하기 위해서 상기 기판의 상기 노광 영역을 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 노광 방법.An exposure method of exposing an exposed region of the substrate having a semiconductor chip cut and disposed on the substrate, and a fixing material disposed around the semiconductor chip and fixing the position of the semiconductor chip with respect to the substrate,
A step of measuring the height of the substrate only at a measurement point positioned on the semiconductor chip among a plurality of measurement points of the exposure region of the substrate held on a stage;
A step of controlling at least one of the height and inclination of the stage based on the measured measurement result, and
And a step of exposing the exposed region of the substrate to form a wiring from the semiconductor chip while at least one of the height and the slope of the stage is controlled. 절단되어 기판 위에 배치된 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 주위에 배치되고, 상기 기판에 대한 상기 반도체 칩의 위치를 고정하는 고정재를 갖는 상기 기판에 대하여, 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성함으로써 반도체 패키지를 제조하는 방법이며,
스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 노광 영역의 복수의 계측점이며, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점과 상기 고정재 위에 위치하는 계측점을 포함하는 복수의 계측점에 있어서 상기 기판의 높이를 계측하는 공정과,
상기 기판에 있어서의 반도체 칩의 배치에 기초하여, 상기 복수의 계측점 중 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점에 있어서의 계측 결과의 가중치보다, 상기 고정재 위에 위치하는 계측점에 있어서의 계측 결과의 가중치가 작아지도록, 상기 복수의 계측점에 있어서의 각각의 계측 결과에 가중치 부여를 행하는 공정과,
상기 가중치 부여가 된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하는 공정과,
상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나가 제어된 상태에서 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성하기 위해서 상기 기판의 상기 노광 영역을 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지의 제조 방법.A semiconductor package by constructing wiring from the semiconductor chip with respect to the substrate having a semiconductor chip cut and disposed on the substrate, and a fixing member disposed around the semiconductor chip and fixing the position of the semiconductor chip with respect to the substrate Is a method of manufacturing,
A step of measuring the height of the substrate at a plurality of measurement points, which are a plurality of measurement points of an exposure area of the substrate held on a stage, and include a measurement point positioned on the semiconductor chip and a measurement point positioned on the fixing member;
Based on the arrangement of the semiconductor chips on the substrate, the weight of the measurement result at the measurement point located on the stationary material is smaller than the weight of the measurement result at the measurement point located on the semiconductor chip among the plurality of measurement points. , A step of weighting each measurement result at the plurality of measurement points; and
A step of controlling at least one of the height and inclination of the stage based on the weighted measurement result, and
And a step of exposing the exposed region of the substrate to form a wiring from the semiconductor chip while at least one of the height and the slope of the stage is controlled. 절단되어 기판 위에 배치된 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 주위에 배치되고, 상기 기판에 대한 상기 반도체 칩의 위치를 고정하는 고정재를 갖는 상기 기판에 대하여, 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성함으로써 반도체 패키지를 제조하는 방법이며,
스테이지에 보유 지지된 상기 기판의 노광 영역의 복수의 계측점 중, 상기 반도체 칩 위에 위치하는 계측점에 있어서만 상기 기판의 높이를 계측하는 공정과,
계측된 계측 결과에 기초하여, 상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나를 제어하는 공정과,
상기 스테이지의 높이 및 기울기 중 적어도 하나가 제어된 상태에서 상기 반도체 칩으로부터의 배선을 구성하기 위해서 상기 기판의 상기 노광 영역을 노광하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지의 제조 방법.A semiconductor package by constructing wiring from the semiconductor chip with respect to the substrate having a semiconductor chip cut and disposed on the substrate, and a fixing member disposed around the semiconductor chip and fixing the position of the semiconductor chip with respect to the substrate Is a method of manufacturing,
A step of measuring the height of the substrate only at a measurement point located on the semiconductor chip among a plurality of measurement points of the exposed area of the substrate held on the stage;
A step of controlling at least one of the height and inclination of the stage based on the measured measurement result, and
And a step of exposing the exposed region of the substrate to form a wiring from the semiconductor chip while at least one of the height and the slope of the stage is controlled.
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