KR102172214B1 - Fabricating method of metal nano-pattern - Google Patents
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Abstract
금속 미세패턴의 제조방법이 제공된다. 상기 금속 미세패턴의 제조방법은 기판 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여, 코팅막을 형성하는 단계, 상기 코팅막을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판 상의 상기 복수의 가이드 패턴 사이에, 상기 금속을 포함하는 타겟 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 타겟 패턴을 잔존시키는 단계를 포함할 수 있다. A method of manufacturing a metal micropattern is provided. The method of manufacturing the metal micropattern includes providing a source solution containing a block copolymer on a substrate, and heat treatment of the substrate provided with the source solution to self-assemble blocks of the block copolymer on the substrate. -forming a plurality of assembled guide patterns, forming a coating film by providing a base material including a metal on the substrate and the guide pattern, dewetting the coating film, on the substrate The method may include forming a target pattern including the metal between the plurality of guide patterns, and selectively removing the guide pattern so that the target pattern remains on the substrate.
Description
본 발명은 금속 미세패턴의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 블록공중합체의 자기조립(self-assembly)을 이용한 금속 미세패턴의 제조방법에 관련된 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a metal micropattern, and more particularly, to a method of producing a metal micropattern using self-assembly of a block copolymer.
두 가지 이상의 화학적으로 구별되는 고분자 사슬들이 공유결합에 의해 연결된 블록공중합체(block copolymer)는 그들의 자기조립특성(selfassembly) 때문에 규칙적인 미세상(microphase)으로 분리된다. 이러한 블록공중합체의 미세상 분리 현상은 일반적으로 구성 성분간의 부피분율(f), 분자량(N), 그리고 상호인력계수(Flory-Huggins interaction parameter) 등에 따라 설명되며, 약 10~ 100 nm의 크기를 갖는 구(sphere), 실린더(cylinder), 자이로이드(gyroid), 그리고 라멜라(lamellae) 등의 다양한 나노 구조체(혹은 도메인)들을 형성 한다.Block copolymers in which two or more chemically distinct polymer chains are linked by covalent bonds are separated into regular microphases due to their self-assembly properties. The microphase separation phenomenon of such a block copolymer is generally explained according to the volume fraction (f), molecular weight (N), and the Flory-Huggins interaction parameter between constituents, and the size of about 10 to 100 nm Various nanostructures (or domains) such as spheres, cylinders, gyroids, and lamellae are formed.
특히, 추가적인 복잡한 제조 공정이 필요 없이 자발적으로 균일한 나노 구조체를 형성하는 블록공중합체의 미세상 분리 현상은 벌크 및 용액 상태 혹은 박막 상태 등에서 현재까지 실험과 이론적으로 많은 연구가 진행되었다.In particular, microphase separation of block copolymers that spontaneously form uniform nanostructures without the need for an additional complex manufacturing process has been studied in bulk, solution, or thin film state.
이에 따라, 블록공중합체의 자기조립특성을 이용한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허 공개 번호 10-2009-0087353(출원번호: 10-2008-0012745, 출원인: 포항공과대학교 산학협력단)에는, (a) 기판에 금속 박막을 형성하는 단계; (b) 상기 금속 박막의 표면을 산소 플라스마를 이용하여 표면처리하는 단계; (c) 표면처리된 금속 박막의 표면을 중성화 처리하는 단계; (d) 중성화 처리된 표면에 블록 공중합체를 도포하는 단계; (e) 도포된 블록 공중합체를 어닐링 및 노광하여 자기 조립 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 공중합체를 이용하여 금속 박막 상에 자기조립 나노 구조물을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 밖에도, 블록 공중합체의 자기조립특성을 이용한 다양한 기술들이 지속적으로 연구 및 개발되고 있다.Accordingly, various technologies are being developed using the self-assembly characteristics of block copolymers. For example, Korean Patent Publication No. 10-2009-0087353 (Application No.: 10-2008-0012745, Applicant: Pohang University of Science and Technology Cooperation Foundation) includes (a) forming a metal thin film on a substrate; (b) surface-treating the surface of the metal thin film using oxygen plasma; (c) neutralizing the surface of the surface-treated metal thin film; (d) applying a block copolymer to the neutralized surface; (e) A method for forming a self-assembled nanostructure on a metal thin film using a block copolymer, comprising the step of forming a self-assembled nanostructure by annealing and exposing the applied block copolymer is disclosed. . In addition, various technologies using the self-assembly characteristics of block copolymers are continuously researched and developed.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 금속 미세패턴을 용이하게 제조할 수 있는 금속 미세패턴의 제조방법을 제공하는 데 있다. One technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a metal micro pattern that can easily manufacture a metal micro pattern.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 금속 미세패턴의 형상을 용이하게 제어할 수 있는 금속 미세패턴의 제조방법을 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a metal micro pattern that can easily control the shape of the metal micro pattern.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다. The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 금속 미세패턴의 제조방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a method of manufacturing a metal fine pattern.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 미세패턴의 제조방법은 기판 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여, 코팅막을 형성하는 단계, 상기 코팅막을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판 상의 상기 복수의 가이드 패턴 사이에, 상기 금속을 포함하는 타겟 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 타겟 패턴을 잔존시키는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the method of manufacturing the metal micropattern includes providing a source solution containing a block copolymer on a substrate, and heat treatment of the substrate provided with the source solution, thereby forming the block copolymer on the substrate. Forming a plurality of guide patterns in which blocks are self-assembled, forming a coating layer by providing a base material including a metal on the substrate and the guide pattern, and dewetting the coating layer. ), forming a target pattern including the metal between the plurality of guide patterns on the substrate, and selectively removing the guide pattern to leave the target pattern on the substrate. I can.
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴은, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the target pattern may include a set pattern in which a plurality of dots are spaced apart from each other.
일 실시 예에 따르면, 상기 코팅막을 형성하는 단계는, 상기 가이드 패턴 상에 제1 금속을 포함하는 제1 베이스 물질을 제공하여 제1 코팅막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 코팅막 상에 제2 금속을 포함하는 제2 베이스 물질을 제공하여 제2 코팅막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 타겟 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 및 제2 코팅막을 디웨팅 시키는 단계를 포함하되, 상기 타겟 패턴은, 상기 제1 및 제2 금속이 혼재된 복수의 하이브리드 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the forming of the coating layer includes forming a first coating layer by providing a first base material including a first metal on the guide pattern, and forming a second metal on the first coating layer. Including the step of forming a second coating film by providing a second base material comprising, the step of forming the target pattern includes the step of dewetting the first and second coating films, wherein the target pattern is , A plurality of hybrid dots in which the first and second metals are mixed may be spaced apart from each other to include a set pattern.
일 실시 예에 따르면, 상기 하이브리드 닷은, 상기 제1 금속의 비율이 상기 제2 금속의 비율보다 높은 제1 금속 영역, 및 상기 제2 금속의 비율이 상기 제1 금속의 비율보다 높은 제2 금속 영역을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the hybrid dot includes a first metal region in which a ratio of the first metal is higher than that of the second metal, and a second metal in which a ratio of the second metal is higher than that of the first metal. It can include areas.
일 실시 예에 따르면, 상기 코팅막은, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴을 콘포말하게(conformally) 덮는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the coating layer may include covering the substrate and the guide pattern conformally.
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴을 형성하는 단계는, 디웨팅된 상기 코팅막이 상기 가이드 패턴의 상부면으로부터 측면으로 이동되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the forming of the target pattern may include moving the dewetted coating layer from an upper surface to a side surface of the guide pattern.
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴을 형성하는 단계는, 디웨팅된 상기 코팅막이 상기 복수의 가이드 패턴 사이의 빈 공간(empty space)을 채우는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the forming of the target pattern may include filling an empty space between the wetted coating layer and the plurality of guide patterns.
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴의 형상은, 상기 가이드 패턴의 형상에 따라 제어되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the shape of the target pattern may include being controlled according to the shape of the guide pattern.
일 실시 예에 따르면, 상기 블록공중합체의 종류에 따라, 상기 가이드 패턴의 형상이 제어되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, it may include controlling the shape of the guide pattern according to the type of the block copolymer.
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴의 형상은 Line 형상, Hole 형상 등을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the shape of the target pattern may include a line shape, a hole shape, and the like.
일 실시 예에 따르면, 상기 가이드 패턴을 형성하는 단계는, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하는 단계, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립된 복수의 가이드 패턴, 및 상기 블록공중합체의 블록을 제외한 물질들이 열처리된 고분자막을 형성하는 단계, 및 상기 고분자막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the forming of the guide pattern may include heat-treating the substrate provided with the source solution, a plurality of guide patterns in which blocks of the block copolymer are self-assembled on the substrate, and the block air It may include forming a polymer film in which materials other than the coalescence block are heat-treated, and removing the polymer film.
일 실시 예에 따르면, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판은 solvent를 포함하는 챔버 내에서 열처리되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the substrate provided with the source solution may include heat treatment in a chamber containing a solvent.
일 실시 예에 따르면, 상기 solvent는 톨루엔(toluene), 아세톤(acetone) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the solvent may contain any one of toluene and acetone.
일 실시 예에 따르면, 상기 블록공중합체는 PS-b-PDMS, 및 PS-P2VP 중 어느 하나를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the block copolymer may include any one of PS-b-PDMS and PS-P2VP.
본 발명의 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은, 기판 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여 코팅막을 형성하는 단계, 상기 코팅막을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판 상의 상기 복수의 가이드 패턴 사이에, 상기 금속을 포함하는 타겟 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 타겟 패턴을 잔존시키는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 다양한 형상을 갖는 금속 미세패턴을 용이하게 제조할 수 있는 방법이 제공될 수 있다. The method of manufacturing a metal micropattern according to an embodiment of the present invention includes providing a source solution containing a block copolymer on a substrate, and heat treatment of the substrate provided with the source solution to provide the block copolymer on the substrate. Forming a plurality of guide patterns in which blocks of are self-assembled, forming a coating film by providing a base material including a metal on the substrate and the guide pattern, dewetting the coating film ), forming a target pattern including the metal between the plurality of guide patterns on the substrate, and selectively removing the guide pattern to leave the target pattern on the substrate. I can. Accordingly, a method for easily manufacturing metal micropatterns having various shapes may be provided.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법을 설명하는 순서도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 소스 용액 제공 단계를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 가이드 패턴 형성 단계를 구체적으로 설명하는 순서도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 가이드 패턴의 제조공정을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 가이드 패턴이 포함하는 다양한 패턴 형태를 나타내는 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 코팅막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예에 따른 미세패턴의 제조방법 중 코팅막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 타겟 패턴을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 제1 및 제2 코팅막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 타겟 패턴을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 따라 형성된 타겟 패턴을 나타내는 도면이다.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 따라 제조된 타겟 패턴의 다양한 형상을 나타내는 도면이다.
도 23 내지 도 25는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 사용되는 가이드 패턴을 촬영한 사진이다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a metal fine pattern according to a first embodiment of the present invention.
2 and 3 are diagrams illustrating a step of providing a source solution in a method of manufacturing a metal fine pattern according to a first embodiment of the present invention.
4 is a flow chart specifically illustrating a step of forming a guide pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
5 and 6 are diagrams illustrating a manufacturing process of a guide pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating various pattern shapes included in a guide pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to a first embodiment of the present invention.
8 and 9 are diagrams illustrating a step of forming a coating film in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
10 is a view showing a step of forming a coating film in a method of manufacturing a fine pattern according to a modified example of the first embodiment of the present invention.
11 to 13 are views showing a step of forming a target pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
14 and 15 are diagrams illustrating steps of forming first and second coating films in a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention.
16 and 17 are views showing a step of forming a target pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second embodiment of the present invention.
18 is a diagram illustrating a target pattern formed according to a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention.
19 to 21 are views showing a method of manufacturing a metal fine pattern according to a third embodiment of the present invention.
22 is a diagram illustrating various shapes of a target pattern manufactured according to a method of manufacturing a metal fine pattern according to a third exemplary embodiment of the present invention.
23 to 25 are views showing a method of manufacturing a metal fine pattern according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
26 is a photograph of a guide pattern used in a method of manufacturing a fine metal pattern according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In the present specification, when a component is referred to as being on another component, it means that it may be formed directly on the other component or that a third component may be interposed between them. In addition, in the drawings, thicknesses of films and regions are exaggerated for effective description of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. In addition, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. In addition, in the present specification,'and/or' is used to mean including at least one of the elements listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. In the specification, expressions in the singular include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, elements, or a combination of the features described in the specification, and one or more other features, numbers, steps, and configurations It is not to be understood as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.Further, in the following description of the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법을 설명하는 순서도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 소스 용액 제공 단계를 나타내는 도면이다. 1 is a flow chart illustrating a method of manufacturing a metal fine pattern according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are a step of providing a source solution in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention. It is a figure showing.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판(100)이 준비될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 기판(100)은 hard 기판, flexible 기판, 투명 기판 등일 수 있다. 예를 들어, 상기 hard 기판은 Si, Si/SiO2, wafer, metal plate, quartz, glass, ceramic 기판 등일 수 있다. 예를 들어, 상기 flexible 기판은 PI(polyimide) film, Teflon, Metal foil, Oxidized metal moil 등일 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 기판은 ITO(Indium Tin Oxide), Poly(ethylene terephthalate) film, Polyethylene naphthalate(PEN) film 등일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 기판(100)은 오목부(100a) 및 볼록부(100b)를 포함할 수 있다. 1 to 3, a
상기 기판(100) 상에 소스 용액(10)이 제공될 수 있다(S100). 구체적으로, 상기 소스 용액(10)은 상기 기판의 오목부(100a)에 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 소스 용액(10)은 블록공중합체(block copolymer)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블록공중합체는 PS-b-PDMS, 및 PS-P2VP 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 용액(10)은 상기 기판(100) 상에 spin-coating 방법으로 제공될 수 있다. 상기 블록공중합체의 종류 및 상기 소스 용액(10)의 제공방법은 제한되지 않는다. A
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 가이드 패턴 형성 단계를 구체적으로 설명하는 순서도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 가이드 패턴의 제조공정을 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 가이드 패턴이 포함하는 다양한 패턴 형태를 나타내는 도면이다. 4 is a flow chart illustrating in detail a step of forming a guide pattern in a method of manufacturing a fine metal pattern according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are diagrams of a fine metal pattern according to the first embodiment of the present invention. A diagram showing a manufacturing process of a guide pattern among manufacturing methods, and FIG. 7 is a diagram illustrating various pattern shapes included in a guide pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first exemplary embodiment of the present invention.
도 1, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)이 열처리되어 복수의 가이드 패턴(200)이 형성될 수 있다(S200). 일 실시 예에 따르면, 상기 가이드 패턴(200)을 형성단계는 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)을 열처리하는 단계(S210), 상기 기판(100) 상에 복수의 상기 가이드 패턴(200) 및 고분자막(220)을 형성하는 단계(S220), 및 상기 고분자막(220)을 제거하는 단계(S230)을 포함할 수 있다. 이하, 각 단계들이 구체적으로 상술된다. 1 and 4 to 6, the
일 실시 예에 따르면, 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)을 열처리하는 단계(S210)는 solvent annealing 방법으로 수행될 수 있다. 즉, 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)은 solvent를 포함하는 챔버 내에서 열처리될 수 있다. 예를 들어, 상기 solvent는 톨루엔(toluene), 아세톤(acetone) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. According to an embodiment, the heat treatment of the
일 실시 예에 따르면, 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 고분자막(220)이 형성되는 단계(S220)에서, 상기 가이드 패턴(200)은 상기 소스 용액(10)이 포함하는 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 고분자막(220)은 상기 소스 용액(200)이 포함하는 상기 블록공중합체의 블록을 제외한 물질들이 열처리되어 형성될 수 있다. According to an embodiment, in the step (S220) of forming the
예를 들어, 상기 블록공중합체가 PS-b-PDMS(polystyrene-block-poly(dimethylsiloxane))인 경우, 상기 가이드 패턴(200)은 PDMS 블록이 자기조립되어 형성될 수 있다. 반면, 상기 고분자막(220)은 PS 블록이 열처리되어 형성될 수 있다. For example, when the block copolymer is PS-b-PDMS (polystyrene-block-poly(dimethylsiloxane)), the
또한, 상술된 바와 같이, 상기 소스 용액(10)은 상기 기판(100)의 오목부(100a)에 제공됨에 따라, 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 고분자막(220) 역시 상기 기판(100)의 오목부(100a)에 형성될 수 있다. In addition, as described above, as the
일 실시 예에 따르면, 상기 고분자막(220)을 제거하는 단계(S230)에서, 상기 고분자막(220)은 reactive ion etching, plasma etching 등의 방법으로 제거될 수 있다. According to an embodiment, in the step of removing the polymer layer 220 (S230), the
도 7을 참조하면, 상기 블록공중합체의 종류에 따라, 상기 가이드 패턴(200)의 형상이 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 가이드 패턴(200)의 형상은 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 line 형상, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이 vertical cylinder 형상, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이 ring 형상, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이 dot in hole 형상, 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이 hole 형상, 도 7의 (f)에 도시된 바와 같이 dot 형상 등일 수 있다. 또한, 상기 가이드 패턴(200)의 선폭, 및 형태 등은 상기 블록공중합체의 분자량, 비율 등에 따라 제어될 수 있다. Referring to FIG. 7, the shape of the
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 코팅막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다. 도 10은 본 발명의 제1 실시 예의 변형 예에 따른 미세패턴의 제조방법 중 코팅막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다. 8 and 9 are diagrams illustrating a step of forming a coating film in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention. 10 is a view showing a step of forming a coating film in a method of manufacturing a fine pattern according to a modified example of the first embodiment of the present invention.
도 1, 및 도 8 내지 도 10을 참조하면, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200) 상에 베이스 물질이 제공되어, 코팅막(300)이 형성될 수 있다(S300). 일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 물질은 금속을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 8 to 10, a base material is provided on the
일 실시 예에 따르면, 상기 코팅막(300)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200)을 콘포말하게(conformally) 덮을 수 있다. 변형 예에 따르면, 상기 코팅막(300)은 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200)을 전체적으로 덮을 수 있다. According to an embodiment, the
도 11 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 타겟 패턴을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다.11 to 13 are views showing a step of forming a target pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention.
도 1, 도 11 내지 도 13을 참조하면, 상기 코팅막(300)을 디웨팅(dewetting)시켜, 타겟 패턴(400)을 형성할 수 있다(S400). 일 실시 예에 따르면, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 상기 코팅막(300)은 열처리되어 용융될 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 패턴(400)은 상기 기판(100) 상의 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이에 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴(400)은 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴 형태일 수 있다. 1 and 11 to 13, a
보다 구체적으로, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 디웨팅된 상기 코팅막(300)이 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 가이드 패턴(200)의 상부면으로부터 측면으로 이동될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이의 빈 공간(empty space, EP)이 디웨팅된 상기 코팅막(300)으로 채워질 수 있다. 이후, 디웨팅된 상기 코팅막(300)이 경화되어 상기 타겟 패턴(400)이 형성될 수 있다. 또한, 디웨팅된 상기 코팅막(300)이 경화되는 과정에서, 불안정 상태를 해소하기 위해 표면적이 넓은 닷 형태로 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 패턴(400)은 복수의 닷 들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴 형태를 포함할 수 있다. More specifically, when the
즉, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 상기 코팅막(300)이 포함하는 금속들이 용융되면서, 상기 가이드 패턴(200)의 경사를 따라 흘러내릴 수 있다. 이후, 흘러내린 금속들은 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이의 빈 공간(EP)을 채우게 되고, 흘러내린 금속들이 경화됨에 따라 상기 타겟 패턴(400)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 타겟 패턴(400)의 형태는 복수의 닷 들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴 형태일 수 있다. That is, when the
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴(400)을 형성하는 단계는, 상기 디웨팅된 코팅막(300)에 초음파를 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 패턴(400)이 용이하게 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 디웨팅된 코팅막(300)에 초음파가 인가되는 경우, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200) 상에 미세한 진동이 인가되어, 상기 디웨팅된 코팅막(300)이 상기 가이드 패턴(200)의 상부면에서 측면으로 용이하게 흘러내릴 수 있다. 이에 따라, 상기 디웨팅된 코팅막(300)이 상기 빈 공간(EP)을 용이하게 채우게 되어, 결과적으로 상기 타겟 패턴(400)이 용이하게 형성될 수 있다. According to an embodiment, the forming of the
다른 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴(400)을 형성하는 단계는, 상기 디웨팅된 코팅막(300)에 자기장을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 자기장은, 상기 기판(100)의 하부면에서 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 디웨팅된 코팅막(300)은, 상기 기판(100)의 하부면 방향으로 인력이 형성되어, 상기 가이드 패턴(200)의 상부면에서 측면으로 용이하게 흘러내릴 수 있다. 결과적으로, 상기 디웨팅된 코팅막(300)이 상기 빈 공간(EP)을 용이하게 채우게 되어, 상기 타겟 패턴(400)이 용이하게 형성될 수 있다.According to another embodiment, the forming of the
상기 가이드 패턴(200)을 선택적으로 제거하여, 상기 기판(100) 상에 상기 타겟 패턴(400)을 잔존시킬 수 있다(S500). 즉, 상기 기판(100) 상에 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 타겟 패턴(400)이 혼재되어 있는 경우, 상기 가이드 패턴(200)만을 제거할 수 있다. By selectively removing the
본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은 상기 기판(100) 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액(10)을 제공하는 단계, 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)을 열처리하여, 상기 기판(100) 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴(200)을 형성하는 단계, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200) 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여, 상기 코팅막(300)을 형성하는 단계, 상기 코팅막(300)을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판(100) 상의 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이에, 상기 금속을 포함하는 상기 타겟 패턴(400)을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴(200)을 선택적으로 제거하여, 상기 기판(100) 상에 상기 타겟 패턴(400)을 잔존시키는 단계를 포함하되, 상기 타겟 패턴(400)은, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴을 포함할 수 있다. 이에 따라, 닷 형상의 금속 미세패턴을 용이하게 제조할 수 있는 방법이 제공될 수 있다. The method of manufacturing a metal micropattern according to the first embodiment of the present invention includes the steps of providing a
이상, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법이 설명되었다. 이하, 타겟 패턴이 서로 다른 금속이 혼재된 하이브리드 닷이 집합된 집합 패턴 형태를 갖는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법이 도 14 내지 도 18을 참조하여 설명된다. In the above, a method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention having a set pattern in which hybrid dots in which metals having different target patterns are mixed will be described with reference to FIGS. 14 to 18.
상기 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은, 기판 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 가이드 패턴 상에 제1 금속을 포함하는 제1 베이스 물질을 제공하여 제1 코팅막을 형성하는 단계, 상기 제1 코팅막 상에 제2 금속을 포함하는 제2 베이스 물질을 제공하여 제2 코팅막을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 코팅막을 디웨팅시켜, 상기 기판 상의 상기 복수의 가이드 패턴 사이에, 상기 제1 및 제2 금속을 포함하는 타겟 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이하, 각 단계에 대해 보다 구체적으로 설명된다. The method of manufacturing a metal micropattern according to the second embodiment includes the steps of providing a source solution including a block copolymer on a substrate, heat treatment of the substrate provided with the source solution, and the block copolymer on the substrate. Forming a plurality of guide patterns in which blocks of are self-assembled, forming a first coating layer by providing a first base material including a first metal on the guide pattern, the first coating layer Forming a second coating layer by providing a second base material including a second metal on the substrate, by dewetting the first and second coating layers, between the plurality of guide patterns on the substrate, the first and It may include forming a target pattern including a second metal. Hereinafter, each step will be described in more detail.
상기 기판 상에 소스 용액을 제공하는 단계, 및 상기 가이드 패턴을 형성하는 단계는, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법과 같을 수 있다. 이에 따라, 구체적인 설명은 생략된다. Providing a source solution on the substrate and forming the guide pattern may be the same as the method of manufacturing the metal micropattern according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 7. Accordingly, detailed descriptions are omitted.
도 14 및 도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 제1 및 제2 코팅막을 형성하는 단계를 나타내는 도면이다. 14 and 15 are diagrams illustrating steps of forming first and second coating films in a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200) 상에 제1 베이스 물질이 제공되어, 제1 코팅막(310)이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 베이스 물질은 제1 금속을 포함할 수 있다. 이후, 상기 제1 코팅막(310) 상에 제2 베이스 물질이 제공되어, 제2 코팅막(320)이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 베이스 물질은 제2 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 금속은 서로 다를 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)은 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200)을 콘포말하게(conformally) 덮을 수 있다. 14 and 15, a first base material is provided on the
도 16 및 도 17은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법 중 타겟 패턴을 형성하는 단계를 나타내는 도면이고, 도 18은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 따라 형성된 타겟 패턴을 나타내는 도면이다. 16 and 17 are views showing a step of forming a target pattern in a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a manufacturing method of a metal fine pattern according to the second exemplary embodiment of the present invention. It is a diagram showing a target pattern formed according to the method.
도 16 및 도 17을 참조하면, 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)을 디웨팅(dewetting)시켜, 타겟 패턴(400)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 및 제2 코팅막(300)이 디웨팅되는 경우, 상기 제1 및 제2 코팅막(300)은 열처리되어 용융될 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 패턴(400)은 상기 기판(100) 상의 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이에 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴(400)은 도 16에 도시된 바와 같이, 복수의 하이브리드 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴 형태일 수 있다. Referring to FIGS. 16 and 17, a
보다 구체적으로, 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)이 디웨팅 되는 경우, 디웨팅된 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)이 상기 가이드 패턴(200)의 상부면으로부터 측면으로 이동될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이의 빈 공간이 디웨팅된 상기 코팅막(300)으로 채워질 수 있다. 이후, 디웨팅된 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)이 경화되어 상기 타겟 패턴(400)이 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디웨팅된 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)이 경화되는 과정에서, 불안정 상태를 해소하기 위해 표면적이 넓은 닷 형태로 변형될 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 패턴(400)은 상기 제1 및 제2 금속이 혼재된 복수의 하이브리드 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴 형태를 포함할 수 있다. More specifically, when the first and
즉, 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)이 디웨팅 되는 경우, 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)이 포함하는 상기 제1 및 제2 금속들이 용융되면서, 상기 가이드 패턴(200)의 경사를 따라 흘러내릴 수 있다. 이후, 흘러내린 상기 제1 및 제2 금속들은 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이의 빈 공간(EP)을 채우게 되고, 흘러내린 상기 제1 및 제2 금속들이 경화됨에 따라 상기 타겟 패턴(400)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 타겟 패턴(400)의 형태는 상기 제1 및 제2 금속이 혼재된 복수의 하이브리드 닷 들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴 형태일 수 있다. That is, when the first and second coating layers 310 and 320 are dewetting, the first and second metals included in the first and second coating layers 310 and 320 are melted, and the guide pattern ( It can flow down along the slope of 200). Thereafter, the flowed first and second metals fill the empty space EP between the plurality of
이후, 상기 가이드 패턴(200)을 선택적으로 제거하여, 상기 기판(100) 상에 상기 타겟 패턴(400)을 잔존시킬 수 있다(S500). 즉, 상기 기판(100) 상에 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 타겟 패턴(400)이 혼재되어 있는 경우, 상기 가이드 패턴(200)만을 제거할 수 있다. 이하, 도 18을 참조하여, 상기 타겟 패턴(400)이 포함하는 하이브리드 닷이 보다 구체적으로 설명된다. Thereafter, by selectively removing the
도 18을 참조하면, 상기 하이브리드 닷은, 상기 제1 금속 영역(400a) 및 제2 금속 영역(400b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속 영역(400a)은 상기 제1 금속(M1)의 비율이 상기 제2 금속(M2)의 비율보다 높을 수 있다. 반면, 상기 제2 금속 영역(400b)은 상기 제2 금속(M2)의 비율이 상기 제1 금속(M1)의 비율보다 높을 수 있다. 예를 들어, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 제1 금속 영역(400a)에는 상기 제1 금속(M1)이 배치되고, 상기 제2 금속 영역(400b)에는 상기 제2 금속(M2)이 배치될리 수 있다. 이에 따라, 상기 하이브리드 닷은 상기 제1 금속(M1), 및 상기 제2 금속(M2)이 구분되어 혼재된 상태를 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 18, the hybrid dot may include the
본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은 상기 기판(100) 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액(10)을 제공하는 단계, 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)을 열처리하여, 상기 기판(100) 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴(200)을 형성하는 단계, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200) 상에 제1 금속을 포함하는 제1 베이스 물질을 제공하여 상기 제1 코팅막(310)을 형성하는 단계, 상기 제1 코팅막(310) 상에 상기 제2 금속을 포함하는 제2 베이스 물질을 제공하여 상기 제2 코팅막(320)을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 코팅막(310, 320)을 디웨팅시켜, 상기 기판(100) 상의 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이에, 상기 제1 및 제2 금속을 포함하는 상기 타겟 패턴(400)을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴(200)을 선택적으로 제거하여, 상기 기판(100) 상에 상기 타겟 패턴(400)을 잔존시키는 단계를 포함하되, 상기 타겟 패턴(400)은 상기 제1 및 제2 금속이 혼재된 복수의 하이브리드 닷 들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴을 포함할 수 있다. 이에 따라, 간단한 공정으로 서로 다른 금속을 구분되도록 포함하는 복수의 하이브리드 금속 닷을 제조하는 방법이 제공될 수 있다. The method for manufacturing a metal micropattern according to the second embodiment of the present invention includes the steps of providing a
이상, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법이 설명되었다. 이하, 타겟 패턴이 라인 형상을 갖는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법이 도 19 내지 도 22를 참조하여 설명된다. In the above, a method of manufacturing a metal fine pattern according to a second embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, a method of manufacturing a metal fine pattern according to a third exemplary embodiment in which the target pattern has a line shape will be described with reference to FIGS. 19 to 22.
상기 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은, 기판 상에 블록공중합체를 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여, 코팅막을 형성하는 단계, 상기 코팅막을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판 상의 상기 복수의 가이드 패턴 사이에, 상기 금속을 포함하는 타겟 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 타겟 패턴을 잔존시키는 단계를 포함할 수 있다. 이하, 각 단계에 대해 보다 구체적으로 설명된다. The method of manufacturing a metal micropattern according to the third embodiment includes the steps of: providing a source solution including a block copolymer on a substrate, and heat treatment of the substrate provided with the source solution to provide the block copolymer on the substrate. Forming a plurality of guide patterns in which blocks of are self-assembled, forming a coating film by providing a base material including a metal on the substrate and the guide pattern, dewetting the coating film ( dewetting) to form a target pattern including the metal between the plurality of guide patterns on the substrate, and selectively removing the guide pattern to leave the target pattern on the substrate. can do. Hereinafter, each step will be described in more detail.
상기 기판 상에 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 가이드 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 코팅막을 형성하는 단계는 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 상기 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법과 같을 수 있다. 이에 따라, 구체적인 설명은 생략된다. 다만, 상기 가이드 패턴 상에 형성되는 상기 코팅막의 두께는, 상기 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 따라 형성되는 코팅막의 두께, 및 상기 제2 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 따라 형성되는 제 및 제2 코팅막의 두께 보다 두꺼울 수 있다. Providing a source solution on the substrate, forming the guide pattern, and forming the coating film are the method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 Can be the same as Accordingly, detailed descriptions are omitted. However, the thickness of the coating film formed on the guide pattern is the thickness of the coating film formed according to the method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment, and the method of manufacturing a metal fine pattern according to the second embodiment. It may be thicker than the thickness of the first and second coating layers formed according to the.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법을 나타내는 도면이고, 도 22는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 따라 제조된 타겟 패턴의 다양한 형상을 나타내는 도면이다. 19 to 21 are views showing a method of manufacturing a metal fine pattern according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 22 is a target pattern manufactured according to the method of manufacturing a metal fine pattern according to the third exemplary embodiment of the present invention. It is a diagram showing various shapes of.
도 19 내지 도 21을 참조하면, 상기 코팅막(300)을 디웨팅(dewetting)시켜, 타겟 패턴(400)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 상기 코팅막(300)은 열처리되어 용융될 수 있다. 이에 따라, 상기 타겟 패턴(400)은 상기 기판(100) 상의 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이에 형성될 수 있다. 19 to 21, a
보다 구체적으로, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 디웨팅된 상기 코팅막(300)이 상기 가이드 패턴(200)의 상부면으로부터 측면으로 이동될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이의 빈 공간(empty space, EP)이 디웨팅된 상기 코팅막(300)으로 채워질 수 있다. 이후, 디웨팅된 상기 코팅막(300)이 경화되어 상기 타겟 패턴(400)이 형성될 수 있다. More specifically, when the
즉, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 상기 코팅막(300)이 포함하는 금속들이 용융되면서, 상기 가이드 패턴(200)의 경사를 따라 흘러내릴 수 있다. 이후, 흘러내린 금속들은 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이의 빈 공간(EP)을 채우게 되고, 흘러내린 금속들이 경화됨에 따라 상기 타겟 패턴(400)이 형성될 수 있다. That is, when the
상기 가이드 패턴(200)을 선택적으로 제거하여, 상기 기판(100) 상에 상기 타겟 패턴(400)을 잔존시킬 수 있다(S500). 즉, 상기 기판(100) 상에 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 타겟 패턴(400)이 혼재되어 있는 경우, 상기 가이드 패턴(200)만을 제거할 수 있다. By selectively removing the
일 실시 예에 따르면, 상기 타겟 패턴(400)의 형상은, 상기 가이드 패턴(200)의 형상에 따라 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 타겟 패턴(400)의 형상은 도 21에 도시된 바와 같이 Line 형상, 도 22의 (a)에 도시된 바와 같이 Hole 형상, 도 22의 (b)에 도시된 바와 같이 Cylinder 형상 등일 수 있다. 즉, 상술된 바와 같이, 상기 타겟 패턴(400)은 상기 빈 공간(EP)을 채우는 상기 디웨팅된 코팅막(300)이 경화되어 형성되므로, 상기 빈 공간(EP)의 형상에 따라 상기 타겟 패턴(400)의 형상이 제어될 수 있다. 이 경우, 상기 빈 공간(EP)의 형상은 상기 가이드 패턴(200)의 형상에 따라 제어되므로, 결과적으로 상기 가이드 패턴(200)의 형상에 따라 상기 타겟 패턴(400)의 형상이 제어될 수 있다. According to an embodiment, the shape of the
본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은, 상기 기판(100) 상에 블록공중합체를 포함하는 상기 소스 용액(10)을 제공하는 단계, 상기 소스 용액(10)이 제공된 상기 기판(100)을 열처리하여, 상기 기판(100) 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 상기 가이드 패턴(200)을 형성하는 단계, 상기 기판(100) 및 상기 가이드 패턴(200) 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여 상기 코팅막(300)을 형성하는 단계, 상기 코팅막(300)을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판(100) 상의 상기 복수의 가이드 패턴(200) 사이에, 상기 금속을 포함하는 상기 타겟 패턴(400)을 형성하는 단계, 및 상기 가이드 패턴(200)을 선택적으로 제거하여, 상기 기판(100) 상에 상기 타겟 패턴(400)을 잔존시키는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 다양한 형상을 갖는 금속 미세패턴을 용이하게 제조할 수 있는 방법이 제공될 수 있다. The method of manufacturing a metal micropattern according to a third embodiment of the present invention includes providing the
이상, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법이 설명되었다. 이하, 가이드 패턴의 제거 순서가 변경된 본 발명의 제4 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법이 설명된다. In the above, a method of manufacturing a metal fine pattern according to a third embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, a method of manufacturing a metal fine pattern according to a fourth exemplary embodiment of the present invention in which the removal order of the guide pattern is changed will be described.
상기 제4 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법은, 기판 상에 블록 공중합체를 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여, 코팅막을 형성하는 단계, 상기 코팅막이 형성된 상기 가이드 패턴 상에, 상기 코팅막 및 상기 가이드 패턴을 서로 다른 비율로 식각하는 식각 가스를 제공하여, 상기 가이드 패턴을 선택적으로 제거하는 단계, 상기 코팅막을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판 상에 타겟 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이하, 각 단계에 대해 보다 구체적으로 설명된다. The method of manufacturing a metal micropattern according to the fourth embodiment includes the steps of providing a source solution including a block copolymer on a substrate, heat treatment of the substrate provided with the source solution, and the block copolymer on the substrate. Forming a plurality of guide patterns in which blocks of are self-assembled, forming a coating film by providing a base material including a metal on the substrate and the guide pattern, the guide on which the coating film is formed Providing an etching gas for etching the coating layer and the guide pattern at different ratios on the pattern to selectively remove the guide pattern, dewetting the coating layer to form a target pattern on the substrate It may include forming. Hereinafter, each step will be described in more detail.
상기 기판 상에 소스 용액을 제공하는 단계, 상기 가이드 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 코팅막을 형성하는 단계는 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 상기 제1 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법과 같을 수 있다. 이에 따라, 구체적인 설명은 생략된다. Providing a source solution on the substrate, forming the guide pattern, and forming the coating film are the method of manufacturing a metal fine pattern according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 Can be the same as Accordingly, detailed descriptions are omitted.
도 23 내지 도 25는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법을 나타내는 도면이다. 23 to 25 are views showing a method of manufacturing a metal fine pattern according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
도 23 및 도 24를 참조하면, 상기 코팅막(300)이 형성된 상기 가이드 패턴(200) 상에 식각 가스(EG)가 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 식각 가스(EG)는 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 코팅막(300)을 식각할 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 가스(EG)는 CF4 가스일 수 있다. 23 and 24, an etching gas EG may be provided on the
일 실시 예에 따르면, 상기 식각 가스(EG)에 의하여 상기 가이드 패턴(200) 및 상기 코팅막(300)이 식각되는 식각률은 서로 다를 수 있다. 구체적으로, 상기 식각 가스(EG)에 의한 상기 가이드 패턴(200)의 식각률은 상기 식각 가스(EG)에 의한 상기 코팅막(300)의 식각률 보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 코팅막(300)이 형성된 상기 가이드 패턴(200) 상에 상기 식각 가스(EG)가 제공되는 경우, 상기 코팅막(300)은 잔존하고, 상기 가이드 패턴(200)은 선택적으로 제거될 수 있다. 다만, 잔존된 상기 코팅막(300) 또한 상기 식각 가스(EG)에 의하여 식각됨에 따라, 내부에 복수의 기공이 형성될 수 있다. 결과적으로, 잔존된 상기 코팅막(300)은 다공성 구조를 가질 수 있다. According to an embodiment, etching rates at which the
상기 가이드 패턴(200)이 제거된 이후, 상기 코팅막(300)을 디웨팅시켜, 타겟 패턴(400)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 코팅막(300)이 디웨팅 되는 경우, 상기 코팅막(300)이 열처리되어 용융될 수 있다. 또한, 디웨팅된 상기 코팅막(300)이 경화되는 과정에서, 불안정 상태를 해소하기 위해 표면적이 넓은 닷 형태로 변형될 수 있다. 이 경우, 잔존된 상기 코팅막(300)이 상술된 바와 같이 다공성 구조를 가짐에 따라, 닷 형태로 보다 용이하게 변형될 수 있다. After the
도 26은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 미세패턴의 제조방법에 사용되는 가이드 패턴을 촬영한 사진이다. 26 is a photograph of a guide pattern used in a method of manufacturing a fine metal pattern according to an embodiment of the present invention.
도 26의 (a) 내지 (d)를 참조하면, 기판 상에 서로 다른 블록공중합체를 각각 제공한 후, 이를 열처리하여 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 가이드 패턴을 제조하고, 이를 SEM(scanning electron microscope) 촬영하였다. 도 26의 (a) 내지 (d)에서 확인할 수 있듯이, 상기 가이드 패턴은, 블록공중합체의 종류에 따라 서로 다른 형상으로 제조되는 것을 확인할 수 있었다. Referring to FIGS. 26A to 26D, after providing different block copolymers on a substrate, respectively, by heat treatment, a guide pattern in which blocks of the block copolymer are self-assembled is prepared. And, this was taken with a scanning electron microscope (SEM). As can be seen in (a) to (d) of FIG. 26, it was confirmed that the guide pattern was manufactured in different shapes depending on the type of the block copolymer.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted by the appended claims. In addition, those who have acquired ordinary knowledge in this technical field should understand that many modifications and variations can be made without departing from the scope of the present invention.
10: 소스 용액
100: 기판
200: 가이드 패턴
300: 코팅막
400: 타겟 패턴10: source solution
100: substrate
200: guide pattern
300: coating film
400: target pattern
Claims (14)
상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립(self-assembly)된 복수의 가이드 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 및 상기 가이드 패턴 상에 금속을 포함하는 베이스 물질을 제공하여, 코팅막을 형성하는 단계;
상기 코팅막을 디웨팅(dewetting)시켜, 상기 기판 상의 상기 복수의 가이드 패턴 사이에, 상기 금속을 포함하는 타겟 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 가이드 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 타겟 패턴을 잔존시키는 단계를 포함하되,
상기 코팅막을 형성하는 단계는,
상기 가이드 패턴 상에 제1 금속을 포함하는 제1 베이스 물질을 제공하여 제1 코팅막을 형성하는 단계, 및
상기 제1 코팅막 상에 제2 금속을 포함하는 제2 베이스 물질을 제공하여 제2 코팅막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 타겟 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 및 제2 코팅막을 디웨팅 시키는 단계를 포함하되,
상기 타겟 패턴은, 상기 제1 및 제2 금속이 혼재된 복수의 하이브리드 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
Providing a source solution including a block copolymer on a substrate;
Heat-treating the substrate provided with the source solution to form a plurality of guide patterns in which blocks of the block copolymer are self-assembled on the substrate;
Forming a coating film by providing a base material including a metal on the substrate and the guide pattern;
Forming a target pattern including the metal between the plurality of guide patterns on the substrate by dewetting the coating film; And
Including the step of selectively removing the guide pattern and remaining the target pattern on the substrate,
The step of forming the coating film,
Forming a first coating film by providing a first base material including a first metal on the guide pattern, and
Including the step of forming a second coating film by providing a second base material including a second metal on the first coating film,
The step of forming the target pattern includes the step of dewetting the first and second coating films,
The target pattern is a method of manufacturing a metal fine pattern including a set pattern in which a plurality of hybrid dots in which the first and second metals are mixed are spaced apart from each other.
상기 타겟 패턴은, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The target pattern is a method of manufacturing a metal fine pattern including a set pattern in which a plurality of dots are spaced apart from each other.
상기 하이브리드 닷은, 상기 제1 금속의 비율이 상기 제2 금속의 비율보다 높은 제1 금속 영역, 및 상기 제2 금속의 비율이 상기 제1 금속의 비율보다 높은 제2 금속 영역을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The hybrid dot includes a first metal region in which the ratio of the first metal is higher than that of the second metal, and a second metal region in which the ratio of the second metal is higher than the ratio of the first metal Method of making a pattern.
상기 코팅막은, 상기 기판 및 상기 가이드 패턴을 콘포말하게(conformally) 덮는 것을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The coating film is a method of manufacturing a metal micropattern comprising conformally covering the substrate and the guide pattern.
상기 타겟 패턴을 형성하는 단계는,
디웨팅된 상기 코팅막이 상기 가이드 패턴의 상부면으로부터 측면으로 이동되는 것을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 5,
The step of forming the target pattern,
The method of manufacturing a fine metal pattern, comprising moving the dewetted coating layer from an upper surface to a side surface of the guide pattern.
상기 타겟 패턴을 형성하는 단계는,
디웨팅된 상기 코팅막이 상기 복수의 가이드 패턴 사이의 빈 공간(empty space)을 채우는 것을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 5,
The step of forming the target pattern,
A method of manufacturing a metal micropattern, comprising: the dewetted coating layer fills an empty space between the plurality of guide patterns.
상기 타겟 패턴의 형상은, 상기 가이드 패턴의 형상에 따라 제어되는 것을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The shape of the target pattern is controlled according to the shape of the guide pattern.
상기 블록공중합체의 종류에 따라, 상기 가이드 패턴의 형상이 제어되는 것을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
A method of manufacturing a metal micropattern comprising controlling the shape of the guide pattern according to the type of the block copolymer.
상기 타겟 패턴의 형상은 Line 형상, 또는 Hole 형상을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The shape of the target pattern is a method of manufacturing a fine metal pattern including a line shape or a hole shape.
상기 가이드 패턴을 형성하는 단계는,
상기 소스 용액이 제공된 상기 기판을 열처리하는 단계;
상기 기판 상에 상기 블록공중합체의 블록들이 자기조립된 복수의 가이드 패턴, 및 상기 블록공중합체의 블록을 제외한 물질들이 열처리된 고분자막을 형성하는 단계; 및
상기 고분자막을 제거하는 단계를 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The step of forming the guide pattern,
Heat-treating the substrate provided with the source solution;
Forming a plurality of guide patterns in which blocks of the block copolymer are self-assembled on the substrate, and a polymer layer in which materials other than the block copolymer block are heat-treated; And
A method of manufacturing a metal micropattern comprising the step of removing the polymer film.
상기 소스 용액이 제공된 상기 기판은 solvent를 포함하는 챔버 내에서 열처리되는 것을 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 1,
The method of manufacturing a metal fine pattern, wherein the substrate provided with the source solution is heat-treated in a chamber containing a solvent.
상기 solvent는 톨루엔(toluene), 아세톤(acetone) 중 어느 하나를 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 12,
The solvent is toluene (toluene), a method for producing a metal micropattern containing any one of acetone (acetone).
상기 블록공중합체는 PS-b-PDMS, 및 PS-P2VP 중 어느 하나를 포함하는 금속 미세패턴의 제조방법.
The method of claim 13,
The block copolymer is a method of manufacturing a metal micropattern comprising any one of PS-b-PDMS, and PS-P2VP.
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101202506B1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-11-16 | 한국과학기술원 | phase-change memory device, flexible phase-change memory device using insulating nano-dot and manufacturing method for the same |
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