KR102170385B1 - Pellicle Structure for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating of the same - Google Patents

Pellicle Structure for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating of the same Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체는 펠리클 및 펠리클 프레임이 상호 접착되며, 상기 펠리클은 제1자성체 패턴을 포함하고, 상기 펠리클 프레임은 상기 제1자성체 패턴과 대응하는 위치에 배치되는 제2자성체 패턴을 포함하며, 상기 펠리클 및 펠리클 프레임은 상기 제1자성체및 제2자성체의 자기력으로 상호 접착된다.
본 발명의 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체는 펠리클과 펠리클 프레임을 자기력 또는 전자기력으로 접착시킴에 따라, 이들의 탈착 및 부착이 용이하고, 접착을 위한 접착제의 사용이 필요 없어 노광 시 아웃 개싱에 따른 오염을 방지할 수 있으며, 이들 상호간의 접착 변형을 방지할 수 있다.
또한, 펠리클과 펠리클 프레임에 각각 구비된 자성체 들이 상호 대응하는 위치에 배치됨에 따라 이들을 상호 자가정렬(Self-align)할 수 있으며, 이들의 정렬을 위한 추가적인 장치 및 공정이 필요하지 않아 공정을 간소화할 수 있으며, 펠리클 프레임 등의 재활용성을 극대화 할 수 있다.In the pellicle structure for extreme ultraviolet lithography according to the present invention, a pellicle and a pellicle frame are adhered to each other, the pellicle includes a first magnetic material pattern, and the pellicle frame is a second magnetic material disposed at a position corresponding to the first magnetic material pattern And a pattern, and the pellicle and the pellicle frame are adhered to each other by magnetic force of the first magnetic body and the second magnetic body.
As the pellicle structure for extreme ultraviolet lithography of the present invention adheres the pellicle and the pellicle frame by magnetic force or electromagnetic force, it is easy to detach and attach them, and because there is no need to use an adhesive for adhesion, contamination due to outgassing during exposure is prevented. Can be prevented, and adhesion deformation between them can be prevented.
In addition, as the magnetic bodies provided in the pellicle and the pellicle frame are arranged at corresponding positions, they can be self-aligned, and additional devices and processes for their alignment are not required, thus simplifying the process. It is possible to maximize the recyclability of the pellicle frame, etc.

Description

극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체 및 그의 제조 방법 {Pellicle Structure for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating of the same}Pellicle Structure for an Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography and method for fabricating of the same}

본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 펠리클과 펠리클 프레임의 탈착 및 부착이 용이하며, 이들의 자가정렬(Self―align)을 유도할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an extreme ultraviolet ray capable of inducing self-alignment of the pellicle and the pellicle frame, which are easy to attach and detach. It relates to a pellicle structure for lithography and a method of manufacturing the same.

종래 ArF 파장(193㎚)의 노광광을 이용하는 노광 기술은 32㎚ 이하의 미세화 회로 패턴의 선폭을 구현하는데 있어 복잡하고 고비용의 공정을 동반한다. 이를 극복하기 위하여 13.5㎚ 파장을 주 노광광으로 사용하는 극자외선(Extreme Ultra Violet, 이하, EUV라고 함)을 이용한 EUV 포토리소그래피 기술이 차세대 노광 공정기술로 주목 받고 있다. The conventional exposure technology using exposure light having an ArF wavelength (193 nm) is accompanied by a complex and expensive process in realizing the line width of a fine circuit pattern of 32 nm or less. To overcome this, EUV photolithography technology using Extreme Ultra Violet (hereinafter referred to as EUV) using a 13.5 nm wavelength as the main exposure light is attracting attention as a next-generation exposure process technology.

한편, 포토리소그래피 공정은 포토마스크(Photomask)에 형성된 패턴들을 노광 장비를 이용하여 웨이퍼(Wafer)에 전사시키는 것으로 이루어진다. 이때, 포토마스크에 파티클(Particle)을 포함한 이물질 등의 불순물이 부착되어 있다면, 노광 공정 중에 광이 불순물에 흡수 또는 반사되어 전사된 패턴이 손상됨에 따라 반도체 장치의 성능(Performance)이나 수율(Yield)의 저하를 초래한다. Meanwhile, the photolithography process consists of transferring patterns formed on a photomask to a wafer using an exposure equipment. At this time, if impurities such as foreign substances including particles are attached to the photomask, the transferred pattern is damaged by absorbing or reflecting light during the exposure process, and thus the performance or yield of the semiconductor device. Causes the deterioration of

이에, 포토마스크의 표면 상부에 펠리클(Pellicle)을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 상기 펠리클은 포토마스크의 표면에 불순물이 부착하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 만약, 펠리클 상에 불순물이 부착되더라도 포토리소그래피 공정 시, 초점은 포토마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지 또는 이물질은 초점이 맞지 않게 되어 패턴에 전사되지 않게 된다. Accordingly, a method of attaching a pellicle on the upper surface of a photomask is being carried out. The pellicle is to prevent impurities from adhering to the surface of the photomask, and even if impurities are attached to the pellicle, during the photolithography process, the focus is aligned on the pattern of the photomask. This does not match and it is not transferred to the pattern.

최근에는, 회로 선폭의 미세화에 따라 패턴 손상에 영향을 미칠 수 있는 불순물의 크기 또한 줄어들어 포토마스크 보호를 위한 펠리클의 역할이 더욱 중요해 지고 있으며, 포토리소그래피 기술에서 필수적인 요소로 자리잡고 있다.In recent years, the size of impurities that may affect pattern damage is also reduced as the circuit line width is miniaturized, and the role of the pellicle for photomask protection is becoming more important, and it is becoming an essential element in photolithography technology.

상기 펠리클은 EUV 노광광의 원활하고 우수한 투과를 위해 기본적으로 100㎚ 이하 두께의 극박막 형태로 구성되어야 하며, 진공 환경과 스테이지의 이동 가속도에 대한 기계적 신뢰성, 장기간의 노광 공정에도 견딜 수 있는 열적 신뢰성을 만족해야 하고, 이러한 요소들을 고려하여 구성물질 및 구조가 결정된다. The pellicle should be basically constructed in the form of an ultra-thin film with a thickness of 100 nm or less for smooth and excellent transmission of EUV exposure light, and has mechanical reliability for vacuum environment and stage movement acceleration, and thermal reliability that can withstand long-term exposure processes. Must be satisfied, and the material and structure of the composition are determined taking these factors into account.

상기 펠리클은 펠리클 프레임에 접착되어 포토마스크 상에 부착되며, 종래 펠리클은 펠리클 프레임과 주로 접착제를 이용하여 부착되었다. 그러나, 상기 접착제는 노광시 약 92eV 이상의 높은 에너지를 갖는 EUV광에 지속적으로 노출됨에 따라, 높은 열에 의해 분해되어 오염원으로 작용하는 아웃 개싱(Out gassing)을 발생시키며, 펠리클 및 펠리클 프레임의 접착에 변형을 야기할 수 있다. 이에 따라, 상기 문제를 방지하기 위한 접착제 물질의 선택이 어렵다. The pellicle is attached to the pellicle frame and attached to the photomask, and the conventional pellicle is attached to the pellicle frame and mainly using an adhesive. However, as the adhesive is continuously exposed to EUV light having a high energy of about 92 eV or more during exposure, it is decomposed by high heat to generate out gassing acting as a pollutant, and it is deformed in the adhesion of the pellicle and the pellicle frame. Can cause. Accordingly, it is difficult to select an adhesive material to prevent the above problem.

또한, 펠리클과 펠리클 프레임이 상호 쉽게 탈착 및 부착되어야 취급과 재활용이 용이하지만 상호간의 부착을 위하여 접착제를 사용할 경우, 상기 접착제가 펠리클 프레임 등에 잔류되어 재활용이 어렵다. In addition, handling and recycling are easy when the pellicle and the pellicle frame are easily detached and attached to each other, but when an adhesive is used for mutual attachment, the adhesive remains in the pellicle frame, and thus recycling is difficult.

이에 따라, 종래 접착제로 인하여 발생하는 오염을 방지하고, 펠리클 프레임의 재활용이 가능하도록 새로운 구조의 펠리클 및 펠리클 프레임과 그들의 부착방법이 필요하게 되었다. Accordingly, there is a need for a pellicle and a pellicle frame having a new structure and a method of attaching them to prevent contamination caused by conventional adhesives and to enable recycling of the pellicle frame.

본 발명은 펠리클 및 펠리클 프레임 상호 간의 탈착 및 부착이 용이하고, 노광 시 아웃 개싱에 따른 오염을 막을 수 있을 뿐만 아니라 변형을 방지할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체 및 그의 제조방법을 제공한다. The present invention provides a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography and a method of manufacturing the same, which is easy to detach and attach between a pellicle and a pellicle frame, and that not only can prevent contamination due to outgassing during exposure, but also prevent deformation.

또한, 본 발명은 펠리클과 펠리클 프레임의 정렬 과정을 단순화시킬 수 있고, 편의성과 재활용성을 극대화할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체 및 그의 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography that can simplify the alignment process of a pellicle and a pellicle frame, and maximize convenience and recyclability, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체는 펠리클 및 펠리클 프레임이 상호 접착되며, 상기 펠리클은 제1자성체 패턴을 포함하고, 상기 펠리클 프레임은 상기 제1자성체 패턴과 대응하는 위치에 배치되는 제2자성체 패턴을 포함하며, 상기 펠리클 및 펠리클 프레임은 상기 제1자성체및 제2자성체의 자기력으로 상호 접착된다. In the pellicle structure for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention, a pellicle and a pellicle frame are adhered to each other, the pellicle includes a first magnetic material pattern, and the pellicle frame is disposed at a position corresponding to the first magnetic material pattern. And a second magnetic material pattern, wherein the pellicle and the pellicle frame are adhered to each other by magnetic force of the first magnetic material and the second magnetic material.

상기 제1자성체 패턴 및 제2자성체 패턴은 철(Iron), 니켈(Nickel), 코발트(Cobalt) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는, 이들의 합금으로 형성된 강자성체로 이루어지거나, 백금(Pt), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는, 이들의 합금으로 형성된 초상자성체로 이루어진다. The first magnetic pattern and the second magnetic pattern are made of at least one of iron, nickel, and cobalt, or a ferromagnetic material formed of an alloy thereof, or platinum (Pt), aluminum ( Al), tin (Sn) at least one material, or a superparamagnetic material formed of an alloy thereof.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 펠리클 및 펠리클 프레임이 상호 접착된 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 펠리클은 (a) 지지층의 상면에 펠리클층을, 하면에 시드층을 형성하고, (b) 상기 시드층 상에 상기 시드층을 노출시키는 적어도 하나 이상의 홈을 갖는 몰드층 패턴을 형성하고, (c) 상기 홈 내에 적어도 상기 홈이 채워지도록 제1자성부를 형성하고, (d) 상기 몰드층 패턴 및 제1자성부를 화학적 기계적 연마하여 제1자성체를 형성하고, (e) 상기 펠리클층(104)의 하면이 노출되도록 상기 몰드층 패턴, 시드층 패턴 및 지지층 패턴을 식각하는 것을 포함한다. In addition, in the manufacturing method of a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography in which a pellicle and a pellicle frame are adhered to each other according to an embodiment of the present invention, the pellicle includes (a) a pellicle layer on the upper surface of the support layer and a seed layer on the lower surface thereof, , (b) forming a mold layer pattern having at least one or more grooves exposing the seed layer on the seed layer, (c) forming a first magnetic portion such that at least the groove is filled in the groove, and (d) Chemical and mechanical polishing of the mold layer pattern and the first magnetic portion to form a first magnetic material, and (e) etching the mold layer pattern, the seed layer pattern, and the support layer pattern so that the lower surface of the pellicle layer 104 is exposed. do.

상기 제1자성부는 상기 시드층을 기초로한 전기도금법으로 형성한다. The first magnetic portion is formed by an electroplating method based on the seed layer.

본 발명은 하부에 강자성체 물질(Ferromagnetic material) 또는 초상자성체 물질(Superparamagnetic material)로 이루어진 제1자성체 패턴을 포함하는 펠리클을 형성하고, 상면에 자기막대 또는 전자기막대로 이루어진 제2자성체 패턴을 포함하는 펠리클 프레임을 형성하며, 상기 자성체들을 이용하여 자기력 또는 전자기력으로 펠리클 및 펠리클 프레임을 상호 접착할 수 있는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체 및 그의 제조방법을 제공한다. In the present invention, a pellicle including a first magnetic material pattern made of a ferromagnetic material or a superparamagnetic material is formed at the bottom, and a pellicle including a second magnetic material pattern made of a magnetic rod or an electromagnetic rod on the upper surface. A pellicle structure for extreme ultraviolet lithography and a method of manufacturing the same, which forms a frame and can bond a pellicle and a pellicle frame to each other by magnetic force or electromagnetic force using the magnetic bodies.

이에 따라, 본 발명은 펠리클 및 펠리클 프레임 상호 간의 탈착 및 부착이 용이하고, 접착제를 이용하지 않음에 따라 펠리클 프레임 등의 재활용이 가능하며, 노광 시 아웃 개싱에 따른 오염을 방지할 수 있으며, 이들의 접착 변형을 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, the pellicle and the pellicle frame can be easily detached and attached to each other, and as no adhesive is used, the pellicle frame can be recycled, and contamination due to outgassing during exposure can be prevented. It can prevent adhesive deformation.

또한, 본 발명은 펠리클과 펠리클 프레임의 정렬을 위한 추가적인 장치 및 공정 없이 전자기력 또는 자기력을 이용하여 자가정렬(Self―align)을 진행할 수 있음에 따라 정렬 공정을 간소화 시킬 수 있다. In addition, the present invention can simplify the alignment process as self-alignment can be performed using electromagnetic force or magnetic force without an additional device and process for aligning a pellicle and a pellicle frame.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클을 도시한 사시도.
도 2는 도 1의 A―A'로 절단한 단면도.
도 3은 도 1의 B―B'로 절단한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 프레임을 도시한 사시도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체를 도시한 사시도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도. 1 is a perspective view showing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 1;
3 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 1;
4 is a perspective view showing a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view showing a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples of the present invention with reference to the drawings, but the examples are used only for the purpose of illustrating and explaining the present invention, and the present invention described in the claims It was not used to limit the scope of. Therefore, those of ordinary skill in the technical field of the present invention will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from the embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical matters of the claims.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 펠리클을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 A―A'로 절단한 단면도이며, 도 3은 도 1의 B―B'로 절단한 단면도이다. 1 is a perspective view showing a pellicle according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클(100)은 극자외선용 포토마스크(미도시) 상에 부착되어 파티클 또는 외부의 오염원들부터 포토마스크를 보호하는 역할을 한다. 1 to 3, the pellicle 100 for extreme ultraviolet lithography according to the present invention is attached on a photomask (not shown) for extreme ultraviolet rays to protect the photomask from particles or external contamination sources. .

극자외선 리소그래피용 펠리클(100)은 지지층 패턴(102a), 펠리클층(104), 시드층 패턴(106a), 몰드층 패턴(108b) 및 제1자성체 패턴(110a)을 포함한다. 여기서, 지지층 패턴(102a), 시드층 패턴(106a) 및 몰드층 패턴(108b)은 내부가 비어있는 사각틀의 형상을 가지며, 그들의 상부에 배치되는 펠리클층(104)은 평판의 형상을 갖는다.The pellicle 100 for extreme ultraviolet lithography includes a support layer pattern 102a, a pellicle layer 104, a seed layer pattern 106a, a mold layer pattern 108b, and a first magnetic material pattern 110a. Here, the support layer pattern 102a, the seed layer pattern 106a, and the mold layer pattern 108b have a shape of a square frame with an empty inside, and the pellicle layer 104 disposed on them has a shape of a flat plate.

지지층 패턴(102)은 상면(F)에 배치되는 펠리클층(104)의 하부 가장자리에 구비되며, 펠리클층(104)을 지지해주는 프레임으로서 역할하고, 바람직하게, 50㎛ ∼ 700㎛ 의 두께를 갖는다. The support layer pattern 102 is provided at the lower edge of the pellicle layer 104 disposed on the upper surface F, serves as a frame supporting the pellicle layer 104, and preferably has a thickness of 50 μm to 700 μm. .

지지층 패턴(102)은, 바람직하게, [100]의 결정 방향성을 가지며, 도핑 밀도가 1020 ions/cm2 이하인 6인치, 8인치 등의 다양한 크기를 갖는 실리콘(Si) 웨이퍼를 이용하여 형성한다. The support layer pattern 102 preferably has a crystal orientation of [100] and a doping density of 10 20 ions/cm 2 It is formed using silicon (Si) wafers having various sizes such as 6 inches and 8 inches below.

펠리클층(104)은 EUV 포토리소그래피 공정에 사용 가능하도록 13.5㎚ 파장의 EUV 노광광에 대하여 80% 이상의 높은 투과율을 가져야 하며, 반복되는 노광 공정으로 발생되는 높은 열에너지에 대해 일정시간 동안 변형이 없는 상태가 유지되는 열적 신뢰성이 요구된다. 또한, 펠리클층(106)은 펠레클 제조를 위한 공정 과정 중 스테이지의 이동 가속도, 진공 환경 내 압력 변화 등의 외부 환경에 대하여 기계적 강도 역시 우수해야 한다.The pellicle layer 104 must have a high transmittance of 80% or more for EUV exposure light having a wavelength of 13.5 nm to be used in the EUV photolithography process, and there is no deformation for a certain period of time against high thermal energy generated by repeated exposure processes. The thermal reliability that is maintained is required. In addition, the pellicle layer 106 must also have excellent mechanical strength against external environments such as acceleration of movement of the stage during the process of manufacturing a pellicle and a pressure change in a vacuum environment.

이를 위해, 펠리클층(106)은 낮은 소광계수로 인해 EUV 노광광에 대하여 투과율이 상대적으로 다른 물질에 비하여 우수한 단결정 실리콘(c―Si), 다결정 실리콘(p―Si), 상기 실리콘(Si)들에 탄소(C), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 실리콘(Si) 화합물 또는 그래핀(Graphene)으로 이루어진다.To this end, the pellicle layer 106 has a relatively superior transmittance to EUV exposure light due to a low extinction coefficient compared to other materials, such as monocrystalline silicon (c-Si), polycrystalline silicon (p-Si), and the silicon (Si). It consists of a silicon (Si) compound or graphene containing at least one of carbon (C) and nitrogen (N).

펠리클층(104)은 20㎚ ∼ 60㎚의 두께를 갖는다. 펠리클층(104)은 20㎚ 이하의 두께를 갖는 경우, 강도가 저하될 수 있으며, 60㎚ 이상의 두께를 갖는 경우, EUV 노광광에 대한 투과율이 현저하게 낮아져 적용이 불가능하다.The pellicle layer 104 has a thickness of 20 nm to 60 nm. When the pellicle layer 104 has a thickness of 20 nm or less, the strength may be lowered, and when the pellicle layer 104 has a thickness of 60 nm or more, the transmittance to the EUV exposure light is significantly lowered, making it impossible to apply.

아울러, 도시하지는 않았지만, 펠리클층(104)의 상면 및 하면 중 일면 이상에 구비된 보강막을 더 포함할 수 있다. 상기 보강막은 펠리클의 제조 공정 과정 및 주위환경으로부터 펠리클층(104)을 보호하기 위하여 형성한다. 이를 위해, 상기 보강막은 기계적, 열적 및 광학적 특성이 우수한 물질로 구성되며, 바람직하게, 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 탄화붕소(B4C), 몰리브덴(Mo), 루세늄(Ru), 지르코늄(Zr) 중 1 이상의 물질을 포함하여 이루어진다.In addition, although not shown, a reinforcing film provided on at least one of the upper and lower surfaces of the pellicle layer 104 may be further included. The reinforcing film is formed to protect the pellicle layer 104 from the pellicle manufacturing process and the surrounding environment. To this end, the reinforcing film is composed of a material having excellent mechanical, thermal and optical properties, and preferably, silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), boron carbide (B 4 C), molybdenum (Mo), rucenium (Ru ) And zirconium (Zr).

상기 보강막은 펠리클층(104)의 투과율에 미치는 영향을 최소화하기 위해서, 펠리클층(106)보다 얇은 두께와 높은 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기 보강막은, 바람직하게, 2㎚ ∼ 10㎚의 두께를 가지며, 13.5㎚ 파장의 EUV 노광광에 대하여 80% 이상의 투과율을 갖는다.In order to minimize the effect on the transmittance of the pellicle layer 104, the reinforcing film preferably has a thinner thickness and higher transmittance than the pellicle layer 106. That is, the reinforcing film preferably has a thickness of 2 nm to 10 nm, and has a transmittance of 80% or more with respect to EUV exposure light having a wavelength of 13.5 nm.

시드층 패턴(150a)은 지지층 패턴(102)의 하면(B)에 배치되며, 전기도금법으로 형성되는 제1자성체 패턴(110a)의 시드(Seed)로 역할한다. 시드층 패턴(150a)은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Co), 금(Au) 중 1 이상의 물질을 포함하여 이루어지며, 10㎚ ∼ 50㎚의 두께를 갖는다. The seed layer pattern 150a is disposed on the lower surface B of the support layer pattern 102 and serves as a seed of the first magnetic material pattern 110a formed by an electroplating method. The seed layer pattern 150a is made of at least one of chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Co), and gold (Au), and has a thickness of 10 nm to 50 nm. .

몰드층 패턴(108b)은 제1자성체 패턴(110a)를 형성하기 위한 틀(Mold)로서 역할하며, 이를 위해, 제1자성체 패턴(110)이 형성되는 영역에 지지층 패턴(102)을 노출시키는 다수의 홈이 구비된 구조를 갖는다. 몰드층 패턴(108b)은 제1자성체 패턴(110a)를 형성하기 위한 전기도금법의 진행 시, 제1자성체 패턴(110a)의 형성에 영향을 미치지 않는 물질로 구성되며, 상기 홈, 즉, 몰드층 패턴(108b)은 50㎛ ∼ 200㎛의 두께를 갖는다. 몰드층 패턴(108a)은 SU―8, KMPR 계열의 포토레지스트 물질로 이루어진다.The mold layer pattern 108b serves as a mold for forming the first magnetic material pattern 110a, and for this purpose, a plurality of the support layer pattern 102 is exposed in the region where the first magnetic material pattern 110 is formed. It has a structure with grooves. The mold layer pattern 108b is made of a material that does not affect the formation of the first magnetic material pattern 110a when the electroplating method for forming the first magnetic material pattern 110a is performed, and the groove, that is, the mold layer The pattern 108b has a thickness of 50 µm to 200 µm. The mold layer pattern 108a is made of a photoresist material of SU-8 and KMPR series.

제1자성체 패턴(110a)은 몰드층 패턴(108b)의 상기 홈들 내에 배치되며, 후술되는 펠리클 프레임의 제2자성체 패턴과 결합하여 펠리클(100) 및 상기 펠리클 프레임을 자기력 또는 전자기력으로 접착시키는 역할을 한다. The first magnetic pattern 110a is disposed in the grooves of the mold layer pattern 108b, and is combined with the second magnetic pattern of the pellicle frame to be described later to bond the pellicle 100 and the pellicle frame by magnetic force or electromagnetic force. do.

제1자성체 패턴(110a)은 상기 제2자성체 패턴과의 충분한 접착력을 확보하기 위해 자성 특성이 우수한 물질로 형성한다. 제1자성체 패턴(110a)은 강자성체 또는 초상자성체로 형성되며, 강자성체 물질의 경우, 철(Iron), 니켈(Nickel), 코발트(Cobalt) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는 이들의 합금으로 이루어지며, 초상자성체의 경우, 백금(Pt), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상의 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진다.The first magnetic pattern 110a is formed of a material having excellent magnetic properties in order to secure sufficient adhesion with the second magnetic pattern. The first magnetic pattern 110a is formed of a ferromagnetic material or a superparamagnetic material, and in the case of a ferromagnetic material, it is made of at least one material of iron, nickel, and cobalt, or an alloy thereof. In the case of a paramagnetic material, it is made of at least one material of platinum (Pt), aluminum (Al), and tin (Sn), or an alloy thereof.

제1자성체 패턴(110a)은, 아래 수학식 1을 참조하면, 부피가 클수록 큰 자기력을 지니고, 바람직하게, 1㎜(Width) × 50㎜(Length) × 50㎛ ∼ 200㎛(Height)의 범위를 갖는다.Referring to Equation 1 below, the first magnetic material pattern 110a has a larger magnetic force as the volume increases, and preferably, the range of 1 mm (Width) × 50 mm (Length) × 50 μm to 200 μm (Height) Has.

Figure 112016057020768-pat00001
Figure 112016057020768-pat00001

ν : 강자성체 또는 초상자성체의 부피 (Volume)ν: Volume of ferromagnetic or superparamagnetic material (Volume)

χ: 자화율 (Magnetic susceptibility)χ: Magnetic susceptibility

μ: 투자율 (Permeability)μ: Permeability

B: 자기장 (Magnetic field)B: Magnetic field

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 프레임을 도시한 사시도이다. 4 is a perspective view showing a pellicle frame for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 극자외선 리소그래피용 펠리클 프레임(200)은 상술한 펠리클과 결합되어 펠리클 구조체를 형성한다. 4, the pellicle frame 200 for extreme ultraviolet lithography of the present invention is combined with the pellicle described above to form a pellicle structure.

펠리클 프레임(200)은 프레임(212), 제2자성체 패턴(214) 및 벤트홀(216)을 포함한다. The pellicle frame 200 includes a frame 212, a second magnetic pattern 214 and a vent hole 216.

프레임(212)은 상술한 펠리클(100)의 지지층 패턴(102a), 시드층 패턴(106a) 및 몰드층 패턴(108b)과 동일하게 내부가 비어있는 사각틀의 형상을 갖는다. 프레임(212)은 펠리클(100)을 지지하는 기초로 역할하며, 높이가 최대 2㎜를 넘지 않는 것이 바람직하다. The frame 212 has a shape of a square frame with an empty inside, similar to the support layer pattern 102a, the seed layer pattern 106a, and the mold layer pattern 108b of the pellicle 100 described above. The frame 212 serves as a basis for supporting the pellicle 100, and it is preferable that the height does not exceed 2 mm at the maximum.

프레임(212)은 노광 시 발생하는 높은 열에 대응하기 위하여 열방출이 우수하고, 기계적 강도가 우수한 물질로 이루어지며, 바람직하게, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al) 합금으로 형성한다. The frame 212 is made of a material having excellent heat dissipation and excellent mechanical strength in order to cope with high heat generated during exposure, and is preferably formed of aluminum (Al) or aluminum (Al) alloy.

프레임(212)은 펠리클(100)과 대향하는 일면에 제2자성체 패턴(214)가 배치되도록 소정의 깊이를 갖는 다수의 홈을 구비하며, 상기 홈은 펠리클(100)의 제1자성체 패턴(110a)과 대응하는 위치에 배치된다. The frame 212 has a plurality of grooves having a predetermined depth so that the second magnetic material pattern 214 is disposed on one surface facing the pellicle 100, the grooves being the first magnetic material pattern 110a of the pellicle 100 ) Is placed in the corresponding position.

제2자성체 패턴(214)은 프레임(212)에 구비된 홈들에 배치되며, 상술한 펠리클(100)의 제1자성체 패턴(110a)과 결합하여 펠리클(100) 및 상기 펠리클 프레임을 자기력 또는 전자기력을 이용하여 접착시키는 역할을 한다. The second magnetic material pattern 214 is disposed in the grooves provided in the frame 212, and is combined with the first magnetic material pattern 110a of the pellicle 100 to allow the pellicle 100 and the pellicle frame to generate magnetic or electromagnetic force. It plays a role of bonding by using.

제2자성체 패턴(214)은 강자성체 또는 초상자성체 물질로 이루어진 제1자성체 패턴(110a)과 충분한 접착력을 확보를 위하여 자기막대 또는 전자기막대(Magnetic bar or Electromagnetic bar)의 형태로 형성된다. 제2자성체 패턴(214)은 제1자성체 패턴(110a)의 표면과 강한 접착이 가능하도록 하는 표면적을 가지며, 금형, 정밀가공 또는 3D 프린팅 등의 방법으로 형성한다. The second magnetic pattern 214 is formed in the form of a magnetic bar or electromagnetic bar in order to secure sufficient adhesion to the first magnetic pattern 110a made of a ferromagnetic material or a superparamagnetic material. The second magnetic pattern 214 has a surface area that enables strong adhesion to the surface of the first magnetic pattern 110a, and is formed by a method such as mold, precision processing, or 3D printing.

제2자성체 패턴(214)은, 바람직하게, 철(Iron), 니켈(Nickel), 코발트(Cobalt) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는 이들의 합금으로 이루어진 강자성체 물질로 형성할 수 있다. 이때, 제2자성체 패턴(214)은 영구 자석의 성질을 갖기 때문에 강력한 자기력을 발생시킬 수 있다. The second magnetic pattern 214 may be formed of a ferromagnetic material made of at least one or more of iron, nickel, and cobalt, or an alloy thereof. At this time, since the second magnetic material pattern 214 has a property of a permanent magnet, a strong magnetic force may be generated.

또한, 제2자성체 패턴(214)은, 백금(Pt), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상의 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진 초상자성체로 형성할 수 있다. 이때, 제2자성체 패턴(214)은 외부의 전원과 연결되어 전자석으로 사용되며, 인가되는 전압의 크기를 조절하여 제1자성체 패턴(110a)과의 접착력을 조절할 수 있다. 즉, 제1자성체 패턴(110a)과 강력한 접착이 필요한 경우, 제2자성체 패턴(214)에 인가하는 전압을 조절하여 전자기력의 힘을 조절할 수 있다. 제2자성체 패턴(214)에 인가된 전압으로 인하여 발생하는 열 에너지는 프레임(212)이 우수한 열방출 특성을 가짐에 따라 해결 가능하다. In addition, the second magnetic material pattern 214 may be formed of a superparamagnetic material made of at least one material of platinum (Pt), aluminum (Al), and tin (Sn), or an alloy thereof. In this case, the second magnetic pattern 214 is connected to an external power source and used as an electromagnet, and the adhesive force with the first magnetic pattern 110a may be adjusted by adjusting the magnitude of the applied voltage. That is, when strong adhesion to the first magnetic pattern 110a is required, the force of the electromagnetic force may be adjusted by adjusting the voltage applied to the second magnetic pattern 214. Thermal energy generated due to the voltage applied to the second magnetic material pattern 214 can be solved as the frame 212 has excellent heat dissipation characteristics.

아울러, 도시하지는 않았지만, 펠리클과 대응하는 프레임(212)의 표면에는 보호막이 더 구비될 수 있다. 제1자성체 패턴 및 제2자성체 패턴(214)을 전자기력으로 접착하는 경우, 전기에너지에 의한 열에너지가 상술한 펠리클의 지지층에 직접적으로 전달되어 펠리클막에도 영향을 줄 수 있다. 상기 보호막은 이를 방지하기 위한 것으로서, 열전도성 우수하고, 유도 자기장(Induced magnetic field)을 발생할 수 있는 물질로 이루어져 프레임(212)의 열방출 특성을 보강하여 열적인 문제뿐만 아니라, 표면의 평탄도 문제도 해결하는 역할을 한다. In addition, although not shown, a protective film may be further provided on the surface of the frame 212 corresponding to the pellicle. When the first magnetic material pattern and the second magnetic material pattern 214 are adhered with electromagnetic force, thermal energy due to electric energy may be directly transferred to the support layer of the pellicle, thereby affecting the pellicle film. The protective layer is to prevent this, and is made of a material that has excellent thermal conductivity and can generate an induced magnetic field, and reinforces the heat dissipation characteristics of the frame 212 to reinforce the heat dissipation characteristics of the frame 212 to prevent not only thermal problems but also surface flatness problems. Also plays a role in solving.

벤트홀(216)은 펠리클 구조체의 이송 중이나, 공정 중 발생할 수 있는 압력 차이를 제거하는 역할을 하며, 그 직경이이 1㎜ ∼ 2㎜로 적어도 1개 이상 존재한다. 아울러, 벤트홀(216)에는 외부로부터의 이물질 유입을 방지하기 위하여 별도의 필터(Filter)를 부착할 수 있다. The vent hole 216 serves to remove a pressure difference that may occur during the transfer or process of the pellicle structure, and at least one of the vent holes 216 has a diameter of 1 mm to 2 mm. In addition, a separate filter may be attached to the vent hole 216 to prevent the inflow of foreign substances from the outside.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체를 도시한 사시도이다.5 is a perspective view showing a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체(300)는 상술한 도 1 및 도 4의 펠리클(100) 및 펠리클 프레임(200)이 접착되어 구성된다. Referring to FIG. 5, the pellicle structure 300 for extreme ultraviolet lithography is constructed by bonding the pellicle 100 and the pellicle frame 200 of FIGS. 1 and 4 described above.

자세하게, 펠리클 구조체(300)는 내부가 비어있는 사각틀 형상의 프레임(214), 몰드층 패턴(108b), 시드층 패턴(106a) 및 지지층 패턴(102a)이 적층되고, 지지층 패턴(102a) 상에 평판 형상의 펠리클층(104)이 배치되어 구성된다. In detail, in the pellicle structure 300, a frame 214 of a rectangular frame shape with an empty inside, a mold layer pattern 108b, a seed layer pattern 106a, and a support layer pattern 102a are stacked, and on the support layer pattern 102a A flat pellicle layer 104 is disposed and configured.

펠리클(100)과 펠리클 프레임(200)은 상호 대응하는 위치에 구비된 제1자성체 패턴(110a)과 제2자성체 패턴(214)의 자기력 또는 전자기력에 의해 접착된다. The pellicle 100 and the pellicle frame 200 are adhered by magnetic force or electromagnetic force of the first magnetic pattern 110a and the second magnetic pattern 214 provided at positions corresponding to each other.

이상에서와 같이, 본 발명의 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체는 펠리클과 펠리클 프레임을 자기력 또는 전자기력으로 접착시킴에 따라, 이들의 탈착 및 부착이 용이하고, 접착을 위한 접착제의 사용이 필요 없어 노광 시 아웃 개싱에 따른 오염을 방지할 수 있으며, 이들 상호간의 접착 변형을 방지할 수 있다. As described above, as the pellicle structure for extreme ultraviolet lithography of the present invention adheres the pellicle and the pellicle frame by magnetic force or electromagnetic force, it is easy to detach and attach them, and because there is no need for an adhesive for adhesion, it is out during exposure. Contamination due to gassing can be prevented, and adhesion deformation between them can be prevented.

또한, 펠리클과 펠리클 프레임에 각각 구비된 자성체 들이 상호 대응하는 위치에 배치됨에 따라 이들을 상호 자가정렬(Self―align)할 수 있으며, 이들의 정렬을 위한 추가적인 장치 및 공정이 필요하지 않아 공정을 간소화할 수 있으며, 펠리클 프레임 등의 재활용성을 극대화 할 수 있다.In addition, as the magnetic bodies provided in the pellicle and the pellicle frame are arranged at corresponding positions, they can be self-aligned, and additional devices and processes for their alignment are not required, thus simplifying the process. It is possible to maximize the recyclability of the pellicle frame, etc.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다. 이하, 본 발명의 펠리클 제조 방법은 도 1의 B―B' 절단면을 기준으로 설명하도록 한다. 6 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the method for manufacturing a pellicle of the present invention will be described based on the cut plane B-B' of FIG. 1.

도 6(a)를 참조하면, 본 발명에 따른 극자외선 포토마스크용 펠리클의 제조를 위한 기초로 사용되며, 펠리클층(106)을 지지하도록 역할하는 지지층(102)을 준비한다. 지지층(102)은 [100]의 결정 방향성을 가지고, 도핑 밀도가 1020 ions/cm2 이하인 6인치, 8인치 등의 다양한 크기와 100㎛ ∼ 2㎜의 두께를 갖는 실리콘(Si) 웨이퍼를 이용한다.Referring to Figure 6 (a), it is used as a basis for manufacturing a pellicle for an extreme ultraviolet photomask according to the present invention, a support layer 102 serving to support the pellicle layer 106 is prepared. The support layer 102 has a crystal orientation of [100] and a doping density of 10 20 ions/cm 2 Silicon (Si) wafers having various sizes such as 6 inches and 8 inches below and a thickness of 100 μm to 2 mm are used.

이후, 지지층(102)의 상면(F)에 펠리클층(104)을 형성한다. 펠리클층(104)은 EUV 포토리소그래피 공정에 사용 가능하도록 13.5㎚ 파장의 EUV 노광광에 대하여 80% 이상의 높은 투과율을 가져야 하며, 반복되는 노광 공정으로 발생되는 높은 열에너지에 대해 일정시간 동안 변형이 없는 상태가 유지되는 열적 신뢰성이 요구된다. 또한, 펠리클층(106)은 펠레클 제조를 위한 공정 과정 중 스테이지의 이동 가속도, 진공 환경 내 압력 변화 등의 외부 환경에 대하여 기계적 강도 역시 우수해야 한다.Thereafter, a pellicle layer 104 is formed on the upper surface F of the support layer 102. The pellicle layer 104 must have a high transmittance of 80% or more for EUV exposure light having a wavelength of 13.5 nm to be used in the EUV photolithography process, and there is no deformation for a certain period of time against high thermal energy generated by repeated exposure processes. The thermal reliability that is maintained is required. In addition, the pellicle layer 106 must also have excellent mechanical strength against external environments such as acceleration of movement of the stage during the process of manufacturing a pellicle and a pressure change in a vacuum environment.

이를 위해, 펠리클층(104)은 투과율이 상대적으로 우수한 단결정 실리콘(c―Si), 다결정 실리콘(p―Si), 상기 실리콘(Si)들에 탄소(C), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 실리콘(Si) 화합물 또는 그래핀으로 이루어진다. To this end, the pellicle layer 104 contains one or more of single crystal silicon (c-Si), polycrystalline silicon (p-Si) having relatively excellent transmittance, and carbon (C) and nitrogen (N) in the silicon (Si). It consists of a silicon (Si) compound or graphene containing.

펠리클층(104)은 20㎚ ∼ 60㎚의 두께를 가지며, 에피탁시 성장(Epitaxy growth), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(Automic Layer Deposition), 이온빔 증착(Ion Beam Deposition), 전기도금(Electro plating) 등의 방법으로 형성한다. 도시하지는 않았지만, 상기 펠리클층(106)은 제조하는 방법에 따라 지지층(102) 상면(F)에 형성 시, 하면(B)에도 형성될 수 있다. The pellicle layer 104 has a thickness of 20 ㎚ ~ 60 ㎚, epitaxy growth (Epitaxy growth), chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition), sputtering (Sputtering), atomic layer deposition (Automic Layer Deposition), ion beam deposition It is formed by methods such as (Ion Beam Deposition) and electro plating. Although not shown, when the pellicle layer 106 is formed on the upper surface (F) of the support layer 102 according to the manufacturing method, it may also be formed on the lower surface (B).

도 6(b)를 참조하면, 지지층(102)의 하면(B)에 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Co), 금(Au) 중 1 이상의 물질을 포함하는 시드층(106)를 형성한다. 시드층(106)은 후술되는 제1자성체 패턴을 형성하기 위한 전기도금법 공정 시, 시드(Seed) 로 역할한다. 6(b), the lower surface (B) of the support layer 102 contains at least one of chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Co), and gold (Au). A seed layer 106 is formed. The seed layer 106 serves as a seed during an electroplating process for forming a first magnetic material pattern to be described later.

시드층(106)은 화학 기상 증착, 스퍼터링법, 원자층증착 등의 방법을 이용하여 형성하며, 10nm ∼ 50nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. The seed layer 106 is formed using a method such as chemical vapor deposition, sputtering, atomic layer deposition, etc., and is preferably formed to a thickness of 10 nm to 50 nm.

이후, 시드층(106) 상에 몰드층 패턴(108a)을 형성한다. 몰드층 패턴(108a)은 제1자성체 패턴(110a)를 형성하기 위한 틀로서 역할하며, 제1자성체 패턴(110)이 형성되는 영역에 적어도 하나 이상의 홈이 구비되도록 형성한다. Thereafter, a mold layer pattern 108a is formed on the seed layer 106. The mold layer pattern 108a serves as a frame for forming the first magnetic material pattern 110a, and is formed such that at least one or more grooves are provided in a region where the first magnetic material pattern 110 is formed.

몰드층 패턴(108a)은 포토리소그래피 방법을 통하여 형성하며, SU―8, KMP 등의 포토레지스트 물질로 형성한다.The mold layer pattern 108a is formed through a photolithography method, and is formed of a photoresist material such as SU-8 or KMP.

몰드층 패턴(108a)이 형성된 지지층(102) 하면(B)의 노출된 시드층(106) 상부, 즉, 상기 홈들에 강자성체 또는 초상자성체로 이루어진 제1자성체부(110)를 형성한다. 제1자성체부(110)는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는, 이들의 합금으로 이루어진 강자성체 물질로 형성하거나, 백금(Pt), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는, 이들의 합금으로 이루어진 초상자성체 물질로 형성한다. A first magnetic body portion 110 made of a ferromagnetic material or a superparamagnetic material is formed on the exposed seed layer 106 on the lower surface B of the support layer 102 on which the mold layer pattern 108a is formed, that is, in the grooves. The first magnetic body 110 is formed of at least one of iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co), or a ferromagnetic material made of an alloy thereof, or platinum (Pt), aluminum (Al) , Tin (Sn) at least one or more materials, or a superparamagnetic material made of an alloy thereof.

제1자성체부(110)는 전기도금법으로 형성하며, 자세하게, 몰드층 패턴(108a)까지 형성된 구조물을 합금 용액에 넣고, 전압을 인가하여 시드층(106) 상에 적어도 몰드층 패턴(108a)이 채워지도록 제1자성체부(110)를 형성한다. The first magnetic body portion 110 is formed by an electroplating method, and in detail, the structure formed up to the mold layer pattern 108a is put into an alloy solution, and a voltage is applied to make at least the mold layer pattern 108a on the seed layer 106. The first magnetic body portion 110 is formed to be filled.

도 6(c)를 참조하면, 몰드층 패턴(108a) 및 제1자성체부(110)에 화학적 기계적 연마(Chemcial Mechanical Polishing, CMP) 공정을 진행하여 몰드층 패턴(108b) 및 제1자성체 패턴(110a)를 형성한다. 여기서, 상기 몰드층 패턴(108b) 및 제1자성체 패턴(110a)은 화학적 기계적 연마 후, 50㎛ ∼ 200㎛의 두께를 갖는다. Referring to FIG. 6(c), a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed on the mold layer pattern 108a and the first magnetic body part 110, and the mold layer pattern 108b and the first magnetic material pattern ( 110a) is formed. Here, the mold layer pattern 108b and the first magnetic material pattern 110a have a thickness of 50 µm to 200 µm after chemical mechanical polishing.

상기 화학적 기계적 연마는 몰드층 패턴(108b) 및 제1자성체 패턴(110a)이 동일한 높이를 가짐과 아울러 우수한 평탄도를 갖도록 하기 위하여 수행한다. 자세하게, 전기도금법으로 형성되는 상기 제1자성체부(110)는 몰드층 패턴(108a)과 동일한 높이를 갖도록 형성하는 것이 불가능하다. 이에 따라, 화학적 기계적 연마 공정 없이 펠리클을 펠리클 프레임에 접착시키는 경우, 접착되는 상기 제1자성체부(110) 이외의 상기 펠리클을 펠리클 프레임 부분에서는 이격이 발생하고, 상기 이격을 통한 불순물 등의 유입으로 인해 포토마스크에 오염이 발생하게 된다. 이에, 본 발명에서는 몰드층 패턴(108a)을 소정의 높이로 두껍게 형성하고 제1자성체부(110)를 형성한 후, 화학적 기계적 연마를 진행함으로써 상기 펠리클을 펠리클 프레임의 접착 시, 상기 이격 발생을 방지하여 포토마스크의 오염을 방지한다. The chemical mechanical polishing is performed so that the mold layer pattern 108b and the first magnetic material pattern 110a have the same height and have excellent flatness. In detail, it is impossible to form the first magnetic body portion 110 formed by the electroplating method to have the same height as the mold layer pattern 108a. Accordingly, when the pellicle is adhered to the pellicle frame without a chemical mechanical polishing process, the pellicle other than the first magnetic body portion 110 to be bonded is separated from the pellicle frame portion, and impurities are introduced through the separation. As a result, contamination occurs on the photomask. Accordingly, in the present invention, when the mold layer pattern 108a is thickened to a predetermined height and the first magnetic body portion 110 is formed, chemical mechanical polishing is performed to prevent the separation when the pellicle is adhered to the pellicle frame. To prevent contamination of the photomask.

도 6(d)를 참조하면, 상기 구조물의 하부에 펠리클층(104)의 가장자리 부분으로 프레임(214), 몰드층 패턴(108b), 시드층 패턴(106a) 및 지지층 패턴(102a)이 잔류함과 아울러 펠리클층(104)의 하면이 노출되도록 식각 공정을 진행하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클의 제조를 완료한다. 6(d), a frame 214, a mold layer pattern 108b, a seed layer pattern 106a, and a support layer pattern 102a remain at the edge of the pellicle layer 104 under the structure. In addition, an etching process is performed so that the lower surface of the pellicle layer 104 is exposed to complete the manufacture of the pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.

상기 식각 공정은 습식 식각 및 건식 식각 모두를 이용할 수 있으나, 강자성체 또는 초상자성체 물질을 감싸는 몰드층 패턴(108b)이 습식 식각 용액에 취약할 수 있음에 따라 건식 식각 공정으로 수행하는 것이 바람직하다. 여기서, 취약이라 함은 습식 식각 공정으로 몰드층 패턴(108b)이 식각되는 것을 의미하는 것이 아니라, 습식 식각 공정으로 몰드층 패턴(108b)과 상부막의 접착력이 줄어 들 수 있음을 의미한다. The etching process may use both wet etching and dry etching, but it is preferable to perform dry etching as the mold layer pattern 108b surrounding the ferromagnetic material or superparamagnetic material may be vulnerable to the wet etching solution. Here, the term “fragile” does not mean that the mold layer pattern 108b is etched by a wet etching process, but means that the adhesion between the mold layer pattern 108b and the upper layer may be reduced by the wet etching process.

이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 해당 기술분야의 일반적인 기술자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.In the above, although the present invention has been described using the most preferred embodiment, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiment. It will be readily apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be made to the above embodiment. It is clear from the description of the claims that the form to which such changes or improvements have been added can also be included in the technical scope of the present invention.

100 : 극자외선 리소그래피용 펠리클 102a : 지지층 패턴
104 : 펠리클층 106a : 시드층 패턴
108b : 몰드층 패턴 110a : 제1자성체 패턴
200 : 극자외선 리소그래피용 펠리클 프레임 212 : 프레임
214 : 제2자성체 패턴 216 : 벤트 홀100: extreme ultraviolet lithography pellicle 102a: support layer pattern
104: pellicle layer 106a: seed layer pattern
108b: mold layer pattern 110a: first magnetic material pattern
200: pellicle frame for extreme ultraviolet lithography 212: frame
214: second magnetic material pattern 216: vent hole

Claims (20)

펠리클 및 펠리클 프레임이 상호 접착된 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체에 있어서,
상기 펠리클은
펠리클층,
상기 펠리클층의 하부에 배치된 지지층 패턴,
상기 지지층 패턴의 하부에 배치되며, 적어도 하나 이상의 홈이 구비된 몰드층 패턴, 및
상기 홈 내에 배치된 제1자성체 패턴을 포함하고,
상기 펠리클 프레임은 상기 제1자성체 패턴과 대응하는 위치에 배치되는 제2자성체 패턴을 포함하며,
상기 펠리클 및 펠리클 프레임은 상기 제1자성체및 제2자성체의 자기력으로 상호 접착된 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
In the pellicle structure for extreme ultraviolet lithography in which a pellicle and a pellicle frame are adhered to each other,
The pellicle is
Pellicle layer,
A support layer pattern disposed under the pellicle layer,
A mold layer pattern disposed under the support layer pattern and having at least one groove, and
Including a first magnetic material pattern disposed in the groove,
The pellicle frame includes a second magnetic material pattern disposed at a position corresponding to the first magnetic material pattern,
The pellicle structure and the pellicle frame are bonded to each other by the magnetic force of the first magnetic body and the second magnetic body for extreme ultraviolet lithography.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1자성체 패턴 및 제2자성체 패턴은 철(Iron), 니켈(Nickel), 코발트(Cobalt) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는, 이들의 합금으로 형성된 강자성체로 이루어지거나,
백금(Pt), 알루미늄(Al), 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상의 물질, 또는, 이들의 합금으로 형성된 초상자성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
The first magnetic pattern and the second magnetic pattern are made of at least one material of iron, nickel, and cobalt, or a ferromagnetic material formed of an alloy thereof,
A pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it is made of a superparamagnetic material formed of at least one of platinum (Pt), aluminum (Al), and tin (Sn), or an alloy thereof.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1자성체 패턴 및 제2자성체 패턴은 1㎜(Width) × 50㎜(Length) × 50㎛ ∼ 200㎛(Height)의 부피를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
The first magnetic material pattern and the second magnetic material pattern has a volume of 1 mm (Width) × 50 mm (Length) × 50 µm to 200 µm (Height). A pellicle structure for extreme ultraviolet lithography.
 제 1 항에 있어서,
상기 지지층 패턴과 몰드층 패턴 사이에 구비된 시드층 패턴을 더 포함하며, 상기 패턴들은 내부가 비어있는 사각틀의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
A pellicle structure for extreme ultraviolet light lithography, further comprising a seed layer pattern provided between the support layer pattern and the mold layer pattern, wherein the patterns have a shape of a square frame with an empty inside.
 제 1 항에 있어서,
상기 지지층 패턴은 50㎛ ∼ 700㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
The support layer pattern is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that having a thickness of 50㎛ to 700㎛.
 제 1 항에 있어서,
상기 펠리클층은 단결정 실리콘(c―Si), 다결정 실리콘(p―Si), 상기 실리콘(Si)들에 탄소(C), 질소(N) 중 하나 이상을 포함하는 실리콘(Si) 화합물, 또는, 그래핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
The pellicle layer is a silicon (Si) compound including one or more of single crystal silicon (c-Si), polycrystalline silicon (p-Si), carbon (C) and nitrogen (N) in the silicon (Si), or, A pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that made of graphene.
 제 1 항에 있어서,
상기 펠리클층은 20㎚ ∼ 60㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체
The method of claim 1,
The pellicle layer is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it has a thickness of 20 ㎚ to 60 ㎚
 제 1 항에 있어서,
상기 펠리클층의 상면 및 하면 중 일면 이상에 구비되며, 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 탄화붕소(B4C), 몰리브덴(Mo), 루세늄(Ru), 지르코늄(Zr) 중 1 이상의 물질을 포함하여 이루어진 보강막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
It is provided on one or more of the upper and lower surfaces of the pellicle layer, and one of silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), boron carbide (B 4 C), molybdenum (Mo), rucenium (Ru), and zirconium (Zr) A pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it further comprises a reinforcing film made of the above materials.
 제 5 항에 있어서,
상기 시드층 패턴은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Co), 금(Au) 중 1 이상의 물질을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 5,
The seed layer pattern is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it comprises at least one of chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), copper (Co), and gold (Au).
 제 5 항에 있어서,
상기 시드층 패턴은 10㎚ ∼ 50㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 5,
The seed layer pattern is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that having a thickness of 10 ㎚ to 50 ㎚.
 제 1 항에 있어서,
상기 몰드층 패턴은 50㎛ ∼ 200㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
The mold layer pattern is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that having a thickness of 50㎛ to 200㎛.
 제 1 항에 있어서,
상기 펠리클 프레임은,
적어도 하나 이상의 홈이 구비된 프레임,
상기 홈 내에 배치된 제2자성체 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1,
The pellicle frame,
A frame provided with at least one groove,
A pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, comprising a second magnetic material pattern disposed in the groove.
 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al) 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 13,
The frame is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that made of aluminum (Al) or aluminum (Al) alloy.
 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 내부가 비어있는 사각틀의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 13,
The frame is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it has the shape of a square frame with an empty inside.
 제 13 항에 있어서,
상기 프레임은 2㎜ 이하의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 13,
The frame is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that having a height of 2 mm or less.
 제 1 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제2자성체 패턴은 전자석으로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체.
The method of claim 1 or 13,
The second magnetic material pattern is a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that made of an electromagnet.
 펠리클 및 펠리클 프레임이 상호 접착된 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체의 제조 방법에 있어서,
상기 펠리클은
(a) 지지층의 상면에 펠리클층을, 하면에 시드층을 형성하고,
(b) 상기 시드층 상에 상기 시드층을 노출시키는 적어도 하나 이상의 홈을 갖는 몰드층 패턴을 형성하고,
(c) 상기 홈 내에 적어도 상기 홈이 채워지도록 제1자성부를 형성하고,
(d) 상기 몰드층 패턴 및 제1자성부를 화학적 기계적 연마하여 제1자성체를 형성하고,
(e) 상기 펠리클층(104)의 하면이 노출되도록 상기 몰드층 패턴, 시드층 패턴 및 지지층 패턴을 식각하는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체의 제조 방법.
In the method of manufacturing a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography in which a pellicle and a pellicle frame are bonded to each other,
The pellicle is
(a) forming a pellicle layer on the upper surface of the support layer and a seed layer on the lower surface,
(b) forming a mold layer pattern having at least one or more grooves exposing the seed layer on the seed layer,
(c) forming a first magnetic portion so that at least the groove is filled in the groove,
(d) chemical and mechanical polishing of the mold layer pattern and the first magnetic portion to form a first magnetic body,
(e) A method of manufacturing a pellicle structure for extreme ultraviolet light lithography, comprising etching the mold layer pattern, the seed layer pattern, and the support layer pattern so that the lower surface of the pellicle layer 104 is exposed.
 제 18 항에 있어서,
상기 제1자성부는 상기 시드층을 기초로한 전기도금법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체의 제조 방법.
The method of claim 18,
The method of manufacturing a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that the first magnetic portion is formed by an electroplating method based on the seed layer.
 제 18 항에 있어서,
상기 펠리클층은 에피탁시 성장(Epitaxy growth), 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(Automic Layer Deposition), 이온빔 증착(Ion Beam Deposition), 전기도금(Electro plating) 중 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 구조체의 제조 방법.The method of claim 18,
The pellicle layer is epitaxy growth, chemical vapor deposition, sputtering, atomic layer deposition, ion beam deposition, electro plating Method for producing a pellicle structure for extreme ultraviolet lithography, characterized in that formed in one of.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102273266B1 (en) * 2019-10-23 2021-07-06 주식회사 에프에스티 Manufacturing method for a Pellicle including integrated frame and membrane

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004220025A (en) * 2003-01-09 2004-08-05 Asml Holding Nv Removable reticle window using magnetic force and its support frame
JP2005221741A (en) * 2004-02-05 2005-08-18 Seiko Epson Corp Photomask unit and method for manufacturing photomask unit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1144947A (en) * 1997-07-29 1999-02-16 Asahi Kasei Denshi Kk Pellicle housing structure
JPH11295880A (en) * 1998-04-07 1999-10-29 Seiko Epson Corp Pellicle frame

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004220025A (en) * 2003-01-09 2004-08-05 Asml Holding Nv Removable reticle window using magnetic force and its support frame
JP2005221741A (en) * 2004-02-05 2005-08-18 Seiko Epson Corp Photomask unit and method for manufacturing photomask unit

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