KR102168973B1 - Display polishing slurry composition - Google Patents

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KR102168973B1 KR1020180174008A KR20180174008A KR102168973B1 KR 102168973 B1 KR102168973 B1 KR 102168973B1 KR 1020180174008 A KR1020180174008 A KR 1020180174008A KR 20180174008 A KR20180174008 A KR 20180174008A KR 102168973 B1 KR102168973 B1 KR 102168973B1
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Abstract

본 발명은 디스플레이 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는, 연마입자; 아민 화합물; 유기산; 및 pH 조절제; 를 포함하고, pH는 2 내지 5인 것인, 디스플레이 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a display polishing slurry composition, more specifically, abrasive particles; Amine compounds; Organic acids; And a pH adjusting agent; Including, and the pH is 2 to 5, it relates to a display polishing slurry composition.

Description

디스플레이용 대면적 기판 연마 슬러리 조성물 {DISPLAY POLISHING SLURRY COMPOSITION}Large-area substrate polishing slurry composition for display {DISPLAY POLISHING SLURRY COMPOSITION}

본 발명은 디스플레이 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a display polishing slurry composition.

디스플레이 공정에서 어닐링 기술은 비정질 실리콘(a-Si)을 폴리실리콘(p-Si)로 재결정화 하는데 쓰이며, 이를 통해 전자의 이동속도와 응답 속도를 높일 수 있다.In the display process, annealing technology is used to recrystallize amorphous silicon (a-Si) into polysilicon (p-Si), and through this, the movement speed and response speed of electrons can be increased.

현재 반도체 어닐링 기술은 퍼니스(furnace)·급속열처리(RTP, Rapid Thermal Process) 방식이 주류이다. 하지만, 14나노 핀펫·20나노 D램·48단 3D 낸드 등으로 반도체 웨이퍼 두께가 점점 얇아지면서 기존의 RTP 방식의 어닐링을 수행할 경우, 웨이퍼 전체에 열이 퍼져 주변 소자 및 회로에 손상을 주는 문제점이 발생한다. Currently, the semiconductor annealing technology is a furnace and rapid thermal process (RTP) method. However, as the thickness of the semiconductor wafer becomes thinner with 14-nano Finpet, 20-nano DRAM, 48-layer 3D NAND, etc., when performing the annealing of the conventional RTP method, heat spreads over the entire wafer and damages peripheral devices and circuits. This happens.

이에 웨이퍼 전체를 가열하지 않고 특정 부분만 선택적으로 처리할 수 있는 엑시머레이저어닐링(ELA)이 차세대 반도체·디스플레이 상업화를 위한 핵심 기술로 급부상하였다. 하지만, 엑시머레이저어닐링을 통해 디스플레이 기판의 실리콘을 어닐링할 경우, 다수의 힐락(hillock defects)이 발생하는 문제점이 있다.Accordingly, excimer laser annealing (ELA), which can selectively process only a specific part without heating the entire wafer, has rapidly emerged as a key technology for commercialization of next-generation semiconductors and displays. However, when annealing the silicon of the display substrate through excimer laser annealing, there is a problem that a number of hilllock defects occur.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 비정질 실리콘(a-Si)을 엑시머레이저어닐링(ELA) 하여 형성된 폴리실리콘(p-Si)의 토포그래피를 개선할 수 있는 디스플레이 연마 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-described problems, and an object of the present invention is a display capable of improving the topography of polysilicon (p-Si) formed by excimer laser annealing (ELA) of amorphous silicon (a-Si) It is to provide a polishing slurry composition.

그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 분야 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 연마 슬러리 조성물은, 연마입자; 아민 화합물; 유기산; 및 pH 조절제;를 포함하고, pH는 2 내지 5인 것이다.Display polishing slurry composition according to an embodiment of the present invention, abrasive particles; Amine compounds; Organic acids; And a pH adjusting agent; and the pH is 2 to 5.

일 측면에 따르면, 상기 연마 슬러리 조성물은 비정질 실리콘(a-Si)을 엑시머레이저어닐링(ELA) 하여 형성된 폴리실리콘(p-Si)의 토포그래피를 개선하는 것일 수 있다.According to an aspect, the polishing slurry composition may improve topography of polysilicon (p-Si) formed by excimer laser annealing (ELA) of amorphous silicon (a-Si).

일 측면에 따르면, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물을 이용한 상기 폴리실리콘(p-Si)의 연마 후, 상기 연마된 폴리실리콘(p-Si)의 표면은 표면거칠기(roughness, Rq) 값이 1.0 nm 이하인 것일 수 있다.According to one aspect, after polishing the polysilicon (p-Si) using the display polishing slurry composition, the surface of the polished polysilicon (p-Si) has a surface roughness (Rq) of 1.0 nm or less. I can.

일 측면에 따르면, 상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to an aspect, the abrasive particles may include at least one selected from the group consisting of a metal oxide, a metal oxide coated with an organic material or an inorganic material, and the metal oxide in a colloidal state.

일 측면에 따르면, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨 티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the metal oxide may include at least one selected from the group consisting of silica, ceria, zirconia, alumina, titania, barium titania, germania, mangania, and magnesia.

일 측면에 따르면, 상기 연마입자의 크기는, 20 nm 내지 200 nm인 것일 수 있다.According to one aspect, the size of the abrasive particles may be in the range of 20 nm to 200 nm.

일 측면에 따르면, 상기 연마입자는, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.According to one aspect, the abrasive particles may be 0.1% to 10% by weight of the display polishing slurry composition.

일 측면에 따르면, 상기 아민 화합물은, 프로필아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 부틸아민, 에탄올아민, 이소프로필아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디프로필아민, 트리에틸렌 테트라아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP), 2,2-디메틸-1,3-디아미노프로판, 헥사메틸렌 디아민, 3-메틸 아미노프로필아민, 3-(디메틸 아미노)프로필아민, 3-(디에틸 아미노)프로필아민, 4-디메틸 아미노부틸아민, 2-디에틸 아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸 아미노-2-프로판올, 3-디메틸 아미노-1-프로판올, 2-디메틸 아미노-1-에탄올, 2-에틸 아미노-1-에탄올, 1-(디메틸 아미노)2-프로판올, N-메틸 디에탄올아민, N-프로필 디에탄올아민, N-이소프로필 디에탄올아민, N-(2-메틸 프로필)디에탄올아민, N-n-부틸 디에탄올아민, N-t-부틸 에탄올아민, N-사이클로헥실 디에탄올아민, 2-(디메틸 아미노)에탄올, 2-디에틸 아미노에탄올, 2-디프로필 아미노에탄올, 2-부틸 아미노에틴올, 2-t-부틸 아미노에탄올, 2-사이클로 아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시 에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시 에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시 프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시 메틸)아미노메탄, 트리아이소프로판올아민 및 5-디메틸 아미노펜틸아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the amine compound is, propylamine, dibutylamine, tributylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, butylamine, ethanolamine, isopropylamine, diethanol Amine, triethanolamine, dipropylamine, triethylene tetraamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol (AMP), 2,2-dimethyl-1,3-diaminopropane, hexamethylene diamine, 3-methyl Aminopropylamine, 3-(dimethyl amino)propylamine, 3-(diethyl amino)propylamine, 4-dimethyl aminobutylamine, 2-diethyl amino-2-methyl-1-propanol, 1-amino-2- Propanol, 1-dimethyl amino-2-propanol, 3-dimethyl amino-1-propanol, 2-dimethyl amino-1-ethanol, 2-ethyl amino-1-ethanol, 1-(dimethyl amino) 2-propanol, N- Methyl diethanolamine, N-propyl diethanolamine, N-isopropyl diethanolamine, N-(2-methyl propyl) diethanolamine, Nn-butyl diethanolamine, Nt-butyl ethanolamine, N-cyclohexyl di Ethanolamine, 2-(dimethyl amino)ethanol, 2-diethyl aminoethanol, 2-dipropyl aminoethanol, 2-butyl aminoethanol, 2-t-butyl aminoethanol, 2-cyclo aminoethanol, 2-amino- 2-pentanol, 2-[bis(2-hydroxy ethyl)amino]-2-methyl-1-propanol, 2-[bis(2-hydroxy ethyl)amino]-2-propanol, N,N-bis At least any one selected from the group consisting of (2-hydroxypropyl)ethanolamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol, tris(hydroxymethyl)aminomethane, triisopropanolamine, and 5-dimethyl aminopentylamine It may be to include.

일 측면에 따르면, 상기 아민 화합물은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.According to one aspect, the amine compound may be 0.1% to 10% by weight of the display polishing slurry composition.

일 측면에 따르면, 상기 유기산은, 아세트산, 시트르산, 젖산, 말산, 말레산, 말론산, 글리콜산, 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 니트릴로트리아세트산, 피콜리닉산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퓨자릭산, 디니코틴산, 디피코니릭산, 루티디닉산, 퀴노릭산, 글루탐산, 알라닌, 글리신, 시스틴, 아스파라긴, 구아니딘 히드라진, 포름산, 아세트산, 벤조산, 옥살산, 숙신산, 시트르산, 트리카발산, 타르타르산, 아스파트산, 글루타르산, 아디프산, 수베르산, 푸마르산, 프탈산 및 피리딘카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the organic acid is, acetic acid, citric acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, malonic acid, glycolic acid, propionic acid, butyric acid, hydroxybutyric acid, nitrilotriacetic acid, picolinic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, fusaric acid, Dinicotinic acid, dipiconic acid, rutidinic acid, quinoric acid, glutamic acid, alanine, glycine, cystine, asparagine, guanidine hydrazine, formic acid, acetic acid, benzoic acid, oxalic acid, succinic acid, citric acid, tricabalic acid, tartaric acid, aspartic acid, glucose It may include at least one selected from the group consisting of taric acid, adipic acid, suberic acid, fumaric acid, phthalic acid, and pyridinecarboxylic acid.

일 측면에 따르면, 상기 유기산은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 3 중량%인 것일 수 있다.According to one aspect, the organic acid may be 0.1% to 3% by weight of the display polishing slurry composition.

일 측면에 따르면, 상기 pH 조절제는, 암모니아, AMP(ammonium methyl propanol), TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide), 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 트리에탄올아민, 트로메타민, 나이아신아마이드, 질산, 황산, 인산, 염산, 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the pH adjusting agent, ammonia, AMP (ammonium methyl propanol), TMAH (tetra methyl ammonium hydroxide), potassium hydroxide, sodium hydroxide, magnesium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, sodium carbonate, triethanolamine , Tromethamine, niacinamide, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, acetic acid, citric acid, glutaric acid, gluconic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, and combinations thereof It may include at least one selected from the group consisting of.

일 측면에 따르면, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합을 더 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, an anionic surfactant, a nonionic surfactant, or a combination of both may be further included.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 계면활성제는, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염, 폴리아크릴 말레익산, 술폰산, 술폰산염, 술폰산 에스테르, 술폰산 에스테르염, 인산, 인산염, 인산 에스테르, 인산 에스테르염, 아크릴/스티렌 공중합체, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체, 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체, 폴리아크릴산/술폰산 공중합체 및 폴리아크릴산/말레익산 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the anionic surfactant is polyacrylic acid, polyacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polyacrylic maleic acid, sulfonic acid, sulfonic acid salt, sulfonic acid ester, sulfonic acid ester salt, phosphoric acid, phosphate , Phosphoric acid ester, phosphoric acid ester salt, acrylic / styrene copolymer, polyacrylic acid / styrene copolymer, polyacrylamide / acrylic acid copolymer, polyacrylic acid / sulfonic acid copolymer, and at least selected from the group consisting of polyacrylic acid / maleic acid copolymer It may include any one.

일 측면에 따르면, 상기 비이온성 계면활성제는, 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide), 폴리프로필렌옥사이드(polypropylene oxide), 폴리알킬옥사이드(polyalkyl oxide), 폴리옥시에틸렌옥사이드(polyoxyethylene oxide) 및 폴리에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the nonionic surfactant is polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethylene oxide. ), polypropylene oxide, polyalkyl oxide, polyoxyethylene oxide, and polyethylene oxide-propylene oxide may include at least one selected from the group consisting of a copolymer.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 내지 10000 ppm 인 것일 수 있다.According to one aspect, the anionic surfactant, the nonionic surfactant, or a combination of the two may be 1 ppm to 10000 ppm in the display polishing slurry composition.

일 측면에 따르면, 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합을 더 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, an anionic polymer, a nonionic polymer, or a combination of both may be further included.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 폴리머는, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리아크릴산 암모늄염(polyacrylic acid ammonium salt), 폴리메타크릴산(polymethacrylic acid), 폴리메타크릴산 암모늄염(polymethacrylic acid ammonium salt), 폴리아크릴 말레익산(polyacryl maleic acid), 폴리술폰산(polysulfonic acid), 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체(polyacrylamide/acrylic acid copolymer), 폴리아크릴산/술폰산 공중합체(polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), 폴리술폰산/아크릴아마이드 공중합체(polysulfonic acid/acrylamide copolymer) 및 폴리아크릴산/말론산 공중합체(polyacrylic acid/malonic acid copolymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the anionic polymer, polyacrylic acid, polyacrylic acid ammonium salt (polyacrylic acid ammonium salt), polymethacrylic acid (polymethacrylic acid), polymethacrylic acid ammonium salt (polymethacrylic acid ammonium salt), poly Acrylic maleic acid (polyacryl maleic acid), polysulfonic acid (polysulfonic acid), polyacrylamide/acrylic acid copolymer, polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer (polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), polysulfonic acid/acrylic acid It may include at least one selected from the group consisting of amide copolymers (polysulfonic acid/acrylamide copolymer) and polyacrylic acid/malonic acid copolymers.

일 측면에 따르면, 상기 비이온성 폴리머는, 폴리알킬 옥사이드(polyalkyl oxide), 폴리옥시에틸렌 옥사이드(polyoxyethylene oxide; PEO), 폴리에틸렌 옥사이드(polyethylene oxide) 및 폴리프로필렌 옥사이드(polypropylene oxide) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the nonionic polymer is selected from the group consisting of polyalkyl oxide, polyoxyethylene oxide (PEO), polyethylene oxide, and polypropylene oxide. It may include at least any one.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 내지 10000 ppm인 것일 수 있다.According to one aspect, the anionic polymer, the nonionic polymer, or a combination of the two may be 1 ppm to 10000 ppm in the display polishing slurry composition.

본 발명에 따른 디스플레이 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이 기판 상의 폴리실리콘(p-Si)을 연마 할 경우, ELA를 통하여 폴리 실리콘 성장 시 생성된 표면의 힐락 제거율을 높일 수 있고 표면거칠기(roughness, Rq) 값이 1.0 nm 이하인 디스플레이용 기판을 구현할 수 있다.When polishing polysilicon (p-Si) on a display substrate using the display polishing slurry composition according to the present invention, the healac removal rate of the surface generated during polysilicon growth through ELA can be increased and surface roughness (Rq) A display substrate having a value of 1.0 nm or less can be implemented.

도 1은, 본 발명에 따른 실시예 및 비교예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이를 연마한 후 연마된 디스플레이 표면의 이미지이다.
도 2는 본 발명의 실시예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이를 연마한 후 연마된 디스플레이의 토포그래피 및 거칠기(roughness)에 관한 사진이다.
1 is an image of a display surface polished after polishing a display using a polishing slurry composition prepared through Examples and Comparative Examples according to the present invention.
2 is a photograph of a topography and roughness of a polished display after polishing a display using a polishing slurry composition prepared according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In addition, terms used in the present specification are terms used to properly express a preferred embodiment of the present invention, which may vary depending on the intention of users or operators, or customs in the field to which the present invention belongs. Accordingly, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the present specification. The same reference numerals in each drawing indicate the same members.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is said to be positioned "on" another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components.

이하, 본 발명의 디스플레이 연마 슬러리 조성물에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, a display polishing slurry composition of the present invention will be described in detail with reference to Examples and drawings. However, the present invention is not limited to these examples and drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 연마 슬러리 조성물은, 연마입자; 아민 화합물; 유기산; 및 pH 조절제;를 포함하고, pH는 2 내지 5인 것이다.Display polishing slurry composition according to an embodiment of the present invention, abrasive particles; Amine compounds; Organic acids; And a pH adjusting agent; and the pH is 2 to 5.

일 측면에 따르면, 상기 연마 슬러리 조성물은 비정질 실리콘(a-Si)을 엑시머레이저어닐링(ELA) 하여 형성된 폴리실리콘(p-Si)의 토포그래피를 개선하는 것일 수 있다.According to an aspect, the polishing slurry composition may improve topography of polysilicon (p-Si) formed by excimer laser annealing (ELA) of amorphous silicon (a-Si).

일 측면에 따르면, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물을 이용한 상기 폴리실리콘(p-Si)의 연마 후, 상기 연마된 폴리실리콘(p-Si)의 표면은 표면거칠기(roughness, Rq) 값이 1.0 nm 이하인 것일 수 있다.According to one aspect, after polishing the polysilicon (p-Si) using the display polishing slurry composition, the surface of the polished polysilicon (p-Si) has a surface roughness (Rq) of 1.0 nm or less. I can.

엑시머레이저어닐링(ELA)을 통해 디스플레이 기판의 비정질 실리콘(a-Si)을 어닐링하여 폴리실리콘(p-Si)을 형성할 경우, 다수의 힐락(hillock defects)이 발생하는 문제점이 있다. 본 발명에 따른 디스플레이 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이 기판 상의 폴리실리콘(p-Si)을 연마 할 경우, 표면거칠기(roughness, Rq) 값이 1.0 nm 이하인 디스플레이를 구현할 수 있다.When amorphous silicon (a-Si) of a display substrate is annealed through excimer laser annealing (ELA) to form polysilicon (p-Si), there is a problem that a number of hillock defects occur. When the polysilicon (p-Si) on the display substrate is polished using the display polishing slurry composition according to the present invention, a display having a surface roughness (Rq) of 1.0 nm or less can be implemented.

일 측면에 따르면, 상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to an aspect, the abrasive particles may include at least one selected from the group consisting of a metal oxide, a metal oxide coated with an organic material or an inorganic material, and the metal oxide in a colloidal state.

일 측면에 따르면, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨 티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 바람직하게, 본 발명의 일 실시예에 따른 연마입자는 콜로이달 세리아 일 수 있다.According to one aspect, the metal oxide may include at least one selected from the group consisting of silica, ceria, zirconia, alumina, titania, barium titania, germania, mangania, and magnesia. Preferably, the abrasive particles according to an embodiment of the present invention may be colloidal ceria.

일 측면에 따르면, 상기 연마입자의 크기는, 20 nm 내지 200 nm인 것일 수 있다. 상기 연마입자의 크기가 20 nm 미만일 경우 연마율이 저하될 수 있고, 200 nm를 초과할 경우 과잉 연마가 이루어져 디싱, 침식 및 표면 결함이 발생할 가능성이 있다.According to one aspect, the size of the abrasive particles may be in the range of 20 nm to 200 nm. If the size of the abrasive particles is less than 20 nm, the polishing rate may be reduced, and if the size of the abrasive particles exceeds 200 nm, excessive polishing may occur, resulting in dishing, erosion and surface defects.

일 측면에 따르면, 상기 연마입자는, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 연마입자가 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 미만일 경우 연마 속도가 감소되는 문제가 있고, 10 중량% 초과인 경우 연마속도가 너무 높고, 연마입자 수의 증가로 인하여 표면의 잔류하게 되는 입자 흡착성에 의하여 표면 결함을 발생시킬 수 있다.According to one aspect, the abrasive particles may be 0.1% to 10% by weight of the display polishing slurry composition. When the abrasive particles are less than 0.1% by weight of the display polishing slurry composition, there is a problem that the polishing rate decreases, and when the amount exceeds 10% by weight, the polishing rate is too high, and the particle adsorption property that remains on the surface due to an increase in the number of abrasive particles This may cause surface defects.

일 측면에 따르면, 상기 아민 화합물은, 프로필아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 부틸아민, 에탄올아민, 이소프로필아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디프로필아민, 트리에틸렌 테트라아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP), 2,2-디메틸-1,3-디아미노프로판, 헥사메틸렌 디아민, 3-메틸 아미노프로필아민, 3-(디메틸 아미노)프로필아민, 3-(디에틸 아미노)프로필아민, 4-디메틸 아미노부틸아민, 2-디에틸 아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸 아미노-2-프로판올, 3-디메틸 아미노-1-프로판올, 2-디메틸 아미노-1-에탄올, 2-에틸 아미노-1-에탄올, 1-(디메틸 아미노)2-프로판올, N-메틸 디에탄올아민, N-프로필 디에탄올아민, N-이소프로필 디에탄올아민, N-(2-메틸 프로필)디에탄올아민, N-n-부틸 디에탄올아민, N-t-부틸 에탄올아민, N-사이클로헥실 디에탄올아민, 2-(디메틸 아미노)에탄올, 2-디에틸 아미노에탄올, 2-디프로필 아미노에탄올, 2-부틸 아미노에틴올, 2-t-부틸 아미노에탄올, 2-사이클로 아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시 에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시 에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시 프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시 메틸)아미노메탄, 트리아이소프로판올아민 및 5-디메틸 아미노펜틸아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the amine compound is, propylamine, dibutylamine, tributylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, butylamine, ethanolamine, isopropylamine, diethanol Amine, triethanolamine, dipropylamine, triethylene tetraamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol (AMP), 2,2-dimethyl-1,3-diaminopropane, hexamethylene diamine, 3-methyl Aminopropylamine, 3-(dimethyl amino)propylamine, 3-(diethyl amino)propylamine, 4-dimethyl aminobutylamine, 2-diethyl amino-2-methyl-1-propanol, 1-amino-2- Propanol, 1-dimethyl amino-2-propanol, 3-dimethyl amino-1-propanol, 2-dimethyl amino-1-ethanol, 2-ethyl amino-1-ethanol, 1-(dimethyl amino) 2-propanol, N- Methyl diethanolamine, N-propyl diethanolamine, N-isopropyl diethanolamine, N-(2-methyl propyl) diethanolamine, Nn-butyl diethanolamine, Nt-butyl ethanolamine, N-cyclohexyl di Ethanolamine, 2-(dimethyl amino)ethanol, 2-diethyl aminoethanol, 2-dipropyl aminoethanol, 2-butyl aminoethanol, 2-t-butyl aminoethanol, 2-cyclo aminoethanol, 2-amino- 2-pentanol, 2-[bis(2-hydroxy ethyl)amino]-2-methyl-1-propanol, 2-[bis(2-hydroxy ethyl)amino]-2-propanol, N,N-bis At least any one selected from the group consisting of (2-hydroxypropyl)ethanolamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol, tris(hydroxymethyl)aminomethane, triisopropanolamine, and 5-dimethyl aminopentylamine It may be to include.

일 측면에 따르면, 상기 아민 화합물은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 아민 화합물이 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 미만일 경우 실리콘 막질에 대하여 원하는 연마량을 충족시키지 못하는 문제점이 발생할 수 있고, 10 중량%를 초과할 경우 표면 결함이 증가하는 문제점이 발생할 수 있다.According to one aspect, the amine compound may be 0.1% to 10% by weight of the display polishing slurry composition. If the amine compound is less than 0.1% by weight of the display polishing slurry composition, there may be a problem that the desired polishing amount is not satisfied with respect to the silicon film quality, and if it exceeds 10% by weight, surface defects may increase.

일 측면에 따르면, 상기 유기산은, 아세트산, 시트르산, 젖산, 말산, 말레산, 말론산, 글리콜산, 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 니트릴로트리아세트산, 피콜리닉산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퓨자릭산, 디니코틴산, 디피코니릭산, 루티디닉산, 퀴노릭산, 글루탐산, 알라닌, 글리신, 시스틴, 아스파라긴, 구아니딘 히드라진, 포름산, 아세트산, 벤조산, 옥살산, 숙신산, 시트르산, 트리카발산, 타르타르산, 아스파트산, 글루타르산, 아디프산, 수베르산, 푸마르산, 프탈산 및 피리딘카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the organic acid is, acetic acid, citric acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, malonic acid, glycolic acid, propionic acid, butyric acid, hydroxybutyric acid, nitrilotriacetic acid, picolinic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, fusaric acid, Dinicotinic acid, dipiconic acid, rutidinic acid, quinoric acid, glutamic acid, alanine, glycine, cystine, asparagine, guanidine hydrazine, formic acid, acetic acid, benzoic acid, oxalic acid, succinic acid, citric acid, tricabalic acid, tartaric acid, aspartic acid, glucose It may include at least one selected from the group consisting of taric acid, adipic acid, suberic acid, fumaric acid, phthalic acid, and pyridinecarboxylic acid.

일 측면에 따르면, 상기 유기산은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 3 중량%인 것일 수 있다. 상기 유기산이 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.01 중량% 미만인 경우 낮은 연마 특성을 보일 수 있고, 3 중량% 초과인 경우 표면 결함이 증가될 수 있다.According to one aspect, the organic acid may be 0.1% to 3% by weight of the display polishing slurry composition. When the organic acid is less than 0.01% by weight of the display polishing slurry composition, low polishing characteristics may be exhibited, and when it is more than 3% by weight, surface defects may increase.

일 측면에 따르면, 상기 pH 조절제는, 암모니아, AMP(ammonium methyl propanol), TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide), 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 트리에탄올아민, 트로메타민, 나이아신아마이드, 질산, 황산, 인산, 염산, 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the pH adjusting agent, ammonia, AMP (ammonium methyl propanol), TMAH (tetra methyl ammonium hydroxide), potassium hydroxide, sodium hydroxide, magnesium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, sodium carbonate, triethanolamine , Tromethamine, niacinamide, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, acetic acid, citric acid, glutaric acid, gluconic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid, and combinations thereof It may include at least one selected from the group consisting of.

일 측면에 따르면, 상기 pH 조절제는, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 의 pH를 2 내지 5로 조절할 수 있는 양만큼 포함되는 것일 수 있다.According to one aspect, the pH adjuster may be included in an amount capable of adjusting the pH of the display polishing slurry composition to 2 to 5.

일 측면에 따르면, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합을 더 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, an anionic surfactant, a nonionic surfactant, or a combination of both may be further included.

상기 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합을 더 포함함으로써, 표면의 결함 및 표면거칠기(roughness, Rq)가 더욱 효과적으로 개선될 수 있다.By further including the anionic surfactant, the nonionic surfactant, or a combination of both, defects and surface roughness (Rq) of the surface can be more effectively improved.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 계면활성제는, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염, 폴리아크릴 말레익산, 술폰산, 술폰산염, 술폰산 에스테르, 술폰산 에스테르염, 인산, 인산염, 인산 에스테르, 인산 에스테르염, 아크릴/스티렌 공중합체, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체, 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체, 폴리아크릴산/술폰산 공중합체 및 폴리아크릴산/말레익산 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the anionic surfactant is polyacrylic acid, polyacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polyacrylic maleic acid, sulfonic acid, sulfonic acid salt, sulfonic acid ester, sulfonic acid ester salt, phosphoric acid, phosphate , Phosphoric acid ester, phosphoric acid ester salt, acrylic / styrene copolymer, polyacrylic acid / styrene copolymer, polyacrylamide / acrylic acid copolymer, polyacrylic acid / sulfonic acid copolymer, and at least selected from the group consisting of polyacrylic acid / maleic acid copolymer It may include any one.

일 측면에 따르면, 상기 비이온성 계면활성제는, 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide), 폴리프로필렌옥사이드(polypropylene oxide), 폴리알킬옥사이드(polyalkyl oxide), 폴리옥시에틸렌옥사이드(polyoxyethylene oxide) 및 폴리에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the nonionic surfactant is polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethylene oxide. ), polypropylene oxide, polyalkyl oxide, polyoxyethylene oxide, and polyethylene oxide-propylene oxide may include at least one selected from the group consisting of a copolymer.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 내지 10000 ppm 인 것일 수 있다. 상기 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합이 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 미만일 경우, 표면의 결함 및 표면거칠기(roughness, Rq)가 효과적으로 개선되지 않고, 10000 ppm을 초과할 경우, 입자의 응집 또는 기판 표면 결함이 증가되는 문제점이 있다.According to one aspect, the anionic surfactant, the nonionic surfactant, or a combination of the two may be 1 ppm to 10000 ppm in the display polishing slurry composition. When the anionic surfactant, nonionic surfactant, or a combination of both is less than 1 ppm in the display polishing slurry composition, defects and roughness (Rq) of the surface are not effectively improved, and exceed 10000 ppm , There is a problem in that the aggregation of particles or defects on the surface of the substrate are increased.

일 측면에 따르면, 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합을 더 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, an anionic polymer, a nonionic polymer, or a combination of both may be further included.

상기 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합을 더 포함함으로써, 표면의 결함 및 표면거칠기(roughness, Rq)가 더욱 효과적으로 개선될 수 있다.By further including the anionic polymer, the nonionic polymer, or a combination of both, defects and surface roughness (Rq) of the surface may be more effectively improved.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 폴리머는, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리아크릴산 암모늄염(polyacrylic acid ammonium salt), 폴리메타크릴산(polymethacrylic acid), 폴리메타크릴산 암모늄염(polymethacrylic acid ammonium salt), 폴리아크릴 말레익산(polyacryl maleic acid), 폴리술폰산(polysulfonic acid), 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체(polyacrylamide/acrylic acid copolymer), 폴리아크릴산/술폰산 공중합체(polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), 폴리술폰산/아크릴아마이드 공중합체(polysulfonic acid/acrylamide copolymer) 및 폴리아크릴산/말론산 공중합체(polyacrylic acid/malonic acid copolymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the anionic polymer, polyacrylic acid, polyacrylic acid ammonium salt (polyacrylic acid ammonium salt), polymethacrylic acid (polymethacrylic acid), polymethacrylic acid ammonium salt (polymethacrylic acid ammonium salt), poly Acrylic maleic acid (polyacryl maleic acid), polysulfonic acid (polysulfonic acid), polyacrylamide/acrylic acid copolymer, polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer (polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), polysulfonic acid/acrylic acid It may include at least one selected from the group consisting of amide copolymers (polysulfonic acid/acrylamide copolymer) and polyacrylic acid/malonic acid copolymers.

일 측면에 따르면, 상기 비이온성 폴리머는, 폴리알킬 옥사이드(polyalkyl oxide), 폴리옥시에틸렌 옥사이드(polyoxyethylene oxide; PEO), 폴리에틸렌 옥사이드(polyethylene oxide) 및 폴리프로필렌 옥사이드(polypropylene oxide) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.According to one aspect, the nonionic polymer is selected from the group consisting of polyalkyl oxide, polyoxyethylene oxide (PEO), polyethylene oxide, and polypropylene oxide. It may include at least any one.

일 측면에 따르면, 상기 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 내지 10000 ppm인 것일 수 있다. 상기 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합이 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 미만일 경우, 표면의 결함 및 표면거칠기(roughness, Rq)가 효과적으로 개선되지 않고, 10000 ppm을 초과할 경우, 입자의 응집 또는 기판 표면 결함이 증가되는 문제점이 있다.According to one aspect, the anionic polymer, the nonionic polymer, or a combination of the two may be 1 ppm to 10000 ppm in the display polishing slurry composition. When the anionic polymer, nonionic polymer, or a combination of both is less than 1 ppm in the display polishing slurry composition, defects and surface roughness (Rq) of the surface are not effectively improved, and when it exceeds 10000 ppm, particles There is a problem in that agglomeration or defects on the surface of the substrate are increased.

이하, 실시예 및 비교예에 의하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples and comparative examples.

단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.However, the following examples are for illustrative purposes only, and the contents of the present invention are not limited to the following examples.

<연마조건><Polishing conditions>

평가 장비 : Allied Metprep 3 (Coupon CMP 평가 장비)Evaluation equipment: Allied Metprep 3 (Coupon CMP evaluation equipment)

평가 조건 : Platen 40rpm Header 80rpm Pressure 1lbfEvaluation condition: Platen 40rpm Header 80rpm Pressure 1lbf

Slurry Flow : 250ml/min Slurry Flow: 250ml/min

Coupon Size : 1.5 * 1.5 cmCoupon Size: 1.5*1.5 cm

[실시예 및 비교예][Examples and Comparative Examples]

하기의 표 1은 실시예 및 비교예의 조건 및 표면거칠기, 연마율 특성 평가 결과를 나타낸 것이다.Table 1 below shows the evaluation results of the conditions, surface roughness, and polishing rate characteristics of Examples and Comparative Examples.

  연마입자Abrasive grain 유기산
(wt%)
Organic acid
(wt%)
아민화합물
(wt%)
Amine compounds
(wt%)
pHpH RoughnessRoughness  
Ra (nm)Ra (nm) Rq (nm)Rq (nm) RR (Å)RR (Å) 비교예1Comparative Example 1 콜로이달 실리카 2.0 wt%Colloidal silica 2.0 wt% -- -- 88 0.9780.978 1.0031.003 1.0 1.0 실시예1Example 1 숙신산 0.3Succinic acid 0.3 TEA 0.1TEA 0.1 44 0.5010.501 0.7860.786 0.5 0.5 실시예2Example 2 숙신산 0.5Succinic acid 0.5 TEA 0.3TEA 0.3 55 0.5490.549 0.7510.751 0.5 0.5 실시예3Example 3 숙신산 0.3Succinic acid 0.3 TEA 0.1TEA 0.1 33 0.5030.503 0.7930.793 0.5 0.5 실시예4Example 4 숙신산 0.3Succinic acid 0.3 TEA 0.1TEA 0.1 22 0.4990.499 0.7590.759 0.5 0.5 실시예5Example 5 숙신산 0.3Succinic acid 0.3 TEA 0.1TEA 0.1 44 0.5110.511 0.7660.766 0.5 0.5

도 1은, 본 발명에 따른 실시예 및 비교예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이를 연마한 후 연마된 디스플레이 표면의 이미지이다.1 is an image of a display surface polished after polishing a display using a polishing slurry composition prepared through Examples and Comparative Examples according to the present invention.

더욱 자세하게는, 도 1 (a) 및 (d)는 연마 전 초기 디스플레이 표면의 이미지이고, 도 1 (b) 및 (e)는 비교예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이를 연마한 후 연마된 디스플레이 표면의 이미지이며, 도 1 (c) 및 (f)는 실시예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이를 연마한 후 연마된 디스플레이 표면의 이미지이다.In more detail, Figures 1 (a) and (d) are images of the initial display surface before polishing, and Figures 1 (b) and (e) are after polishing the display using the polishing slurry composition prepared through the comparative example. It is an image of the polished display surface, and FIGS. 1 (c) and (f) are images of the polished display surface after polishing the display using the polishing slurry composition prepared in the Example.

도 1 (a) 및 (f)를 참조하면, 실시예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이 연마할 경우, 디스플레이 표면의 토포그래피가 개선되는 것을 알 수 있다.Referring to FIGS. 1 (a) and (f), it can be seen that when display polishing is performed using the polishing slurry composition prepared through the examples, the topography of the display surface is improved.

도 2는 본 발명의 실시예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이를 연마한 후 연마된 디스플레이의 토포그래피 및 거칠기(roughness)에 관한 사진이다.2 is a photograph of a topography and roughness of a polished display after polishing a display using a polishing slurry composition prepared according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 실시예를 통해 제조된 연마 슬러리 조성물을 이용하여 디스플레이 연마할 경우, 디스플레이의 표면거칠기(roughness, Rq) 값이 1.0 nm 이하로 구현되는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that when the display is polished using the polishing slurry composition prepared in the embodiment, the display has a surface roughness (Rq) value of 1.0 nm or less.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Although the embodiments have been described by the limited embodiments and drawings as described above, various modifications and variations can be made from the above description to those of ordinary skill in the art. For example, even if the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or the described components are combined or combined in a form different from the described method, or are replaced or substituted by other components or equivalents. Appropriate results can be achieved. Therefore, other implementations, other embodiments, and claims and equivalents fall within the scope of the claims to be described later.

Claims (20)

연마입자;
아민 화합물;
유기산; 및
pH 조절제;
를 포함하고,
pH는 2 내지 5인 것이고,
폴리실리콘(p-Si)의 연마 후, 상기 연마된 폴리실리콘(p-Si)의 표면은 표면거칠기(roughness, Rq) 값이 1.0 nm 이하인 것이며,
상기 아민 화합물은, 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
Abrasive particles;
Amine compounds;
Organic acids; And
pH adjuster;
Including,
pH is from 2 to 5,
After polishing the polysilicon (p-Si), the surface of the polished polysilicon (p-Si) has a surface roughness (Rq) of 1.0 nm or less,
The amine compound is 0.1% to 10% by weight,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
상기 연마 슬러리 조성물은 비정질 실리콘(a-Si)을 엑시머레이저어닐링(ELA) 하여 형성된 폴리실리콘(p-Si)의 토포그래피를 개선하는 것인, 디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The polishing slurry composition is to improve the topography of polysilicon (p-Si) formed by excimer laser annealing (ELA) of amorphous silicon (a-Si).
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The abrasive particles include at least one selected from the group consisting of a metal oxide, a metal oxide coated with an organic material or an inorganic material, and the metal oxide in a colloidal state,
Display polishing slurry composition.
제4항에 있어서,
상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨 티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 4,
The metal oxide comprises at least one selected from the group consisting of silica, ceria, zirconia, alumina, titania, barium titania, germania, mangania, and magnesia,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
상기 연마입자의 크기는, 20 nm 내지 200 nm인 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The size of the abrasive particles is from 20 nm to 200 nm,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
상기 연마입자는, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The abrasive particles are 0.1% to 10% by weight of the display polishing slurry composition,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
상기 아민 화합물은, 프로필아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 부틸아민, 에탄올아민, 이소프로필아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디프로필아민, 트리에틸렌 테트라아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP), 2,2-디메틸-1,3-디아미노프로판, 헥사메틸렌 디아민, 3-메틸 아미노프로필아민, 3-(디메틸 아미노)프로필아민, 3-(디에틸 아미노)프로필아민, 4-디메틸 아미노부틸아민, 2-디에틸 아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-디메틸 아미노-2-프로판올, 3-디메틸 아미노-1-프로판올, 2-디메틸 아미노-1-에탄올, 2-에틸 아미노-1-에탄올, 1-(디메틸 아미노)2-프로판올, N-메틸 디에탄올아민, N-프로필 디에탄올아민, N-이소프로필 디에탄올아민, N-(2-메틸 프로필)디에탄올아민, N-n-부틸 디에탄올아민, N-t-부틸 에탄올아민, N-사이클로헥실 디에탄올아민, 2-(디메틸 아미노)에탄올, 2-디에틸 아미노에탄올, 2-디프로필 아미노에탄올, 2-부틸 아미노에틴올, 2-t-부틸 아미노에탄올, 2-사이클로 아미노에탄올, 2-아미노-2-펜타놀, 2-[비스(2-하이드록시 에틸)아미노]-2-메틸-1-프로판올, 2-[비스(2-하이드록시 에틸)아미노]-2-프로판올, N,N-비스(2-하이드록시 프로필)에탄올아민, 2-아미노-2-메틸-1-프로판올, 트리스(하이드록시 메틸)아미노메탄, 트리아이소프로판올아민 및 5-디메틸 아미노펜틸아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The amine compound is propylamine, dibutylamine, tributylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, butylamine, ethanolamine, isopropylamine, diethanolamine, triethanolamine, Dipropylamine, triethylene tetraamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol (AMP), 2,2-dimethyl-1,3-diaminopropane, hexamethylene diamine, 3-methyl aminopropylamine, 3 -(Dimethyl amino)propylamine, 3-(diethyl amino)propylamine, 4-dimethyl aminobutylamine, 2-diethyl amino-2-methyl-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 1-dimethyl Amino-2-propanol, 3-dimethyl amino-1-propanol, 2-dimethyl amino-1-ethanol, 2-ethyl amino-1-ethanol, 1-(dimethyl amino)2-propanol, N-methyl diethanolamine, N-propyl diethanolamine, N-isopropyl diethanolamine, N-(2-methyl propyl) diethanolamine, Nn-butyl diethanolamine, Nt-butyl ethanolamine, N-cyclohexyl diethanolamine, 2- (Dimethyl amino) ethanol, 2-diethyl aminoethanol, 2-dipropyl aminoethanol, 2-butyl aminoethanol, 2-t-butyl aminoethanol, 2-cyclo aminoethanol, 2-amino-2-pentanol, 2-[bis(2-hydroxy ethyl)amino]-2-methyl-1-propanol, 2-[bis(2-hydroxy ethyl)amino]-2-propanol, N,N-bis(2-hydroxy Propyl) ethanolamine, 2-amino-2-methyl-1-propanol, tris (hydroxy methyl) aminomethane, triisopropanolamine, and 5-dimethyl aminopentylamine containing at least any one selected from the group consisting of ,
Display polishing slurry composition.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 유기산은, 아세트산, 시트르산, 젖산, 말산, 말레산, 말론산, 글리콜산, 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 니트릴로트리아세트산, 피콜리닉산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퓨자릭산, 디니코틴산, 디피코니릭산, 루티디닉산, 퀴노릭산, 글루탐산, 알라닌, 글리신, 시스틴, 아스파라긴, 구아니딘 히드라진, 포름산, 벤조산, 옥살산, 숙신산, 시트르산, 트리카발산, 타르타르산, 아스파트산, 글루타르산, 아디프산, 수베르산, 푸마르산, 프탈산 및 피리딘카르복실산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The organic acids are acetic acid, citric acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, malonic acid, glycolic acid, propionic acid, butyric acid, hydroxybutyric acid, nitrilotriacetic acid, picolinic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, fuzaric acid, dinicotinic acid, dipiconi Lyric acid, rutidinic acid, quinoric acid, glutamic acid, alanine, glycine, cystine, asparagine, guanidine hydrazine, formic acid, benzoic acid, oxalic acid, succinic acid, citric acid, tricabalic acid, tartaric acid, aspartic acid, glutaric acid, adipic acid, It comprises at least any one selected from the group consisting of suberic acid, fumaric acid, phthalic acid and pyridinecarboxylic acid,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
상기 유기산은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 3 중량%인 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The organic acid is 0.1% to 3% by weight of the display polishing slurry composition,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
상기 pH 조절제는, 암모니아, AMP(ammonium methyl propanol), TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide), 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 트리에탄올아민, 트로메타민, 나이아신아마이드, 질산, 황산, 인산, 염산, 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
The pH adjusting agent is ammonia, AMP (ammonium methyl propanol), TMAH (tetra methyl ammonium hydroxide), potassium hydroxide, sodium hydroxide, magnesium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, sodium carbonate, triethanolamine, tromethamine, From the group consisting of niacinamide, nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, acetic acid, citric acid, glutaric acid, glucholic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, malonic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, tartaric acid and combinations thereof Including at least any one selected,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합을 더 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
Which further comprises an anionic surfactant, a nonionic surfactant, or a combination of both,
Display polishing slurry composition.
제13항에 있어서,
상기 음이온성 계면활성제는, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염, 폴리아크릴 말레익산, 술폰산, 술폰산염, 술폰산 에스테르, 술폰산 에스테르염, 인산, 인산염, 인산 에스테르, 인산 에스테르염, 아크릴/스티렌 공중합체, 폴리아크릴산/스티렌 공중합체, 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체, 폴리아크릴산/술폰산 공중합체 및 폴리아크릴산/말레익산 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 13,
The anionic surfactant is polyacrylic acid, polyacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polyacrylic maleic acid, sulfonic acid, sulfonic acid salt, sulfonic acid ester, sulfonic acid ester salt, phosphoric acid, phosphate, phosphate ester, phosphoric acid Ester salt, acrylic/styrene copolymer, polyacrylic acid/styrene copolymer, polyacrylamide/acrylic acid copolymer, polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer, and polyacrylic acid/maleic acid copolymer comprising at least one selected from the group consisting of That,
Display polishing slurry composition.
제13항에 있어서,
상기 비이온성 계면활성제는, 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide), 폴리프로필렌옥사이드(polypropylene oxide), 폴리알킬옥사이드(polyalkyl oxide), 폴리옥시에틸렌옥사이드(polyoxyethylene oxide) 및 폴리에틸렌옥사이드-프로필렌옥사이드 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 13,
The nonionic surfactant is polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethylene oxide, and polypropylene oxide. (polypropylene oxide), polyalkyl oxide (polyalkyl oxide), polyoxyethylene oxide (polyoxyethylene oxide), and polyethylene oxide-containing at least one selected from the group consisting of propylene oxide copolymer,
Display polishing slurry composition.
제13항에 있어서,
상기 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제 또는 이 둘의 조합은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 내지 10000 ppm 인 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 13,
The anionic surfactant, a nonionic surfactant, or a combination of both, is 1 ppm to 10000 ppm in the display polishing slurry composition,
Display polishing slurry composition.
제1항에 있어서,
음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합을 더 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 1,
It further comprises anionic polymer, nonionic polymer or a combination of both,
Display polishing slurry composition.
제17항에 있어서,
상기 음이온성 폴리머는, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리아크릴산 암모늄염(polyacrylic acid ammonium salt), 폴리메타크릴산(polymethacrylic acid), 폴리메타크릴산 암모늄염(polymethacrylic acid ammonium salt), 폴리아크릴 말레익산(polyacryl maleic acid), 폴리술폰산(polysulfonic acid), 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체(polyacrylamide/acrylic acid copolymer), 폴리아크릴산/술폰산 공중합체(polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), 폴리술폰산/아크릴아마이드 공중합체(polysulfonic acid/acrylamide copolymer) 및 폴리아크릴산/말론산 공중합체(polyacrylic acid/malonic acid copolymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 17,
The anionic polymers include polyacrylic acid, polyacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polyacrylic maleic acid. maleic acid), polysulfonic acid, polyacrylamide/acrylic acid copolymer, polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer, polysulfonic acid/acrylic acid copolymer acid / acrylamide copolymer) and polyacrylic acid / malonic acid copolymer (polyacrylic acid / malonic acid copolymer) containing at least one selected from the group consisting of,
Display polishing slurry composition.
제17항에 있어서,
상기 비이온성 폴리머는, 폴리알킬 옥사이드(polyalkyl oxide), 폴리옥시에틸렌 옥사이드(polyoxyethylene oxide; PEO), 폴리에틸렌 옥사이드(polyethylene oxide) 및 폴리프로필렌 옥사이드(polypropylene oxide) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 17,
The nonionic polymer includes at least one selected from the group consisting of polyalkyl oxide, polyoxyethylene oxide (PEO), polyethylene oxide, and polypropylene oxide. To do,
Display polishing slurry composition.
제17항에 있어서,
상기 음이온성 폴리머, 비이온성 폴리머 또는 이 둘의 조합은, 상기 디스플레이 연마 슬러리 조성물 중 1 ppm 내지 10000 ppm인 것인,
디스플레이 연마 슬러리 조성물.
The method of claim 17,
The anionic polymer, nonionic polymer, or a combination of both, is 1 ppm to 10000 ppm in the display polishing slurry composition,
Display polishing slurry composition.
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