KR102165392B1 - Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state - Google Patents

Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state Download PDF

Info

Publication number
KR102165392B1
KR102165392B1 KR1020190056918A KR20190056918A KR102165392B1 KR 102165392 B1 KR102165392 B1 KR 102165392B1 KR 1020190056918 A KR1020190056918 A KR 1020190056918A KR 20190056918 A KR20190056918 A KR 20190056918A KR 102165392 B1 KR102165392 B1 KR 102165392B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
blind bore
plug member
consumption state
air layer
Prior art date
Application number
KR1020190056918A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
진윤
전근익
Original Assignee
와이엠씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 와이엠씨 주식회사 filed Critical 와이엠씨 주식회사
Priority to KR1020190056918A priority Critical patent/KR102165392B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102165392B1 publication Critical patent/KR102165392B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3476Testing and control
    • H01J37/3479Detecting exhaustion of target material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention relates to a target (10) for a sputtering device, which can detect a critical consumption state, disposed on a backing plate (24) disposed in a vacuum chamber of a sputtering device and performing a deposition process. A blind bore (12) is formed on a bottom surface of the target (10) at an expected deepest unit (16) expected inside the target (10) where an upper closed surface (14) reaches a critical consumption state. In the blind bore (12), a plug member (20) having an upper surface forming an air layer (18) together with a closing surface (14) of the blind bore (12) is inserted.

Description

임계소모상태의 검출이 가능한 스퍼터링장치용 타겟 {TARGET FOR SPUTTERING DEVICE CAPABLE OF DETECTING CRITICAL CONSUMPTION STATE}Target for sputtering device capable of detecting critical consumption conditions {TARGET FOR SPUTTERING DEVICE CAPABLE OF DETECTING CRITICAL CONSUMPTION STATE}

본 발명은 스퍼터링장치용 타겟에 관한 것으로, 특히 스퍼터링 과정에서 소모상태가 한계에 도달한 타킷의 상태를 검출할 수 있는 임계소모상태의 검출이 가능한 스퍼터링장치용 타겟에 관한 것이다. The present invention relates to a target for a sputtering device, and in particular, to a target for a sputtering device capable of detecting a critical consumption state capable of detecting a state of a target whose consumption state has reached a limit in a sputtering process.

일반적으로 화학기상증착(CVD) 또는 물리증착(PVD)의 스퍼터링용 타겟은 진공챔버내에 배치된 기판에 일정 두께의 금속막을 증착시키면서 소모된다. 진공챔버내의 고진공하에서 이루어지는 이러한 증착과정에서 타겟은 플라즈마 가스의 이온과의 충돌에 의한 타겟 에로죤(target errosion)이 발생되면서 타겟입자가 방출되어 웨이퍼 또는 글라스에 증착된다. In general, chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD) sputtering targets are consumed while depositing a metal film having a predetermined thickness on a substrate disposed in a vacuum chamber. In this deposition process performed under high vacuum in a vacuum chamber, target errosion is generated in the target due to collision with ions of plasma gas, and target particles are released and deposited on a wafer or glass.

스퍼터링 공정에서 위와 같은 타겟입자의 방출은 타겟의 소모를 의미한다. 예컨대, 글라스 상에 전극 패턴을 형성하기위한 투명 도전성 산화물로서 주로 사용되는 인듐주석 산화물(ITO)은 스퍼터링에 의해 글라스상에 성막되며, 만일 스퍼터링 증착시 인듐 타겟이 소모되어 홀(hole)이 발생하는 경우 인듐이 용출되어버려 글라스의 불량을 야기한다. 이렇게 공정중에 타겟의 소모상태가 한계에 도달하여 비정상적인 타킷입자의 방출이 일어나는 경우에는 증착의 품질은 떨어질 수밖에 없다. 따라서, 타겟 소모량의 모니터링이 필요하다.In the sputtering process, the release of the target particles as described above means consumption of the target. For example, indium tin oxide (ITO), which is mainly used as a transparent conductive oxide for forming an electrode pattern on the glass, is deposited on the glass by sputtering, and if the indium target is consumed during sputter deposition, a hole is generated. In this case, indium is eluted, causing a defect in the glass. In this way, when the consumption state of the target reaches the limit during the process and abnormal target particles are released, the quality of the deposition is inevitably deteriorated. Therefore, it is necessary to monitor the target consumption amount.

종래 이러한 타겟의 소모량을 실측하기위한 방법으로서 타겟의 소모량을 전원의 인가에 의한 전력량과 사용시간을 이용하여 측정하거나 또는 별도의 센서에 의하여 측정하는 방안들이 제시된 바 있다. 그러나, 이들 방법은 그 검출방법 및 장치가 복잡하고 고가의 비용이 소요된다.Conventionally, as a method for measuring the consumption amount of such a target, there have been proposed methods of measuring the consumption amount of the target using the amount of power and usage time by applying power or by a separate sensor. However, these methods require a complex detection method and apparatus and high cost.

1. 공개특허공보 공개번호 제10-2001-0081391호 (2001.08.29 공개)1. Unexamined Patent Publication Publication No. 10-2001-0081391 (published on August 29, 2001) 2. 공개특허공보 공개번호 제10-2004-0005378호 (2004.01.16 공개)2. Unexamined Patent Publication Publication No. 10-2004-0005378 (published on January 16, 2004)

본 발명에 있어서는 종래의 이와 같은 점을 감안하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 간단한 구조와 방법으로 타겟의 임계소모상태의 검출이 가능한 스퍼터링장치용 타겟을 제공하기위한 것이다.In the present invention, a target for a sputtering apparatus capable of detecting a critical consumption state of a target with a simple structure and method is provided in consideration of such a point in the prior art.

위 과제를 해결하기 위한 본 발명은 스퍼터링 장치의 진공챔버내에 배치되는 타겟으로서, 상기 타겟의 저면에 상부 폐쇄면이 상기 타겟의 내부에서 상기 타겟의 사전 결정된 높이에 위치되도록 형성된 블라인드 보어와, 상기 블라인드 보어 내에 삽입되어 상기 블라인드 보어의 상기 폐쇄면과 함께 상측에 공기층을 형성하도록 된 플러그부재를 포함하고, 상기 공기층은 소모된 상기 타겟의 상면이 상기 높이에 이르면 개방되어 상기 진공챔버내의 압력에 변화를 발생시킨다.The present invention for solving the above problem is a target disposed in a vacuum chamber of a sputtering device, wherein a blind bore formed such that an upper closing surface is located at a predetermined height of the target inside the target at the bottom of the target, and the blind It includes a plug member inserted into the bore to form an air layer on the upper side together with the closed surface of the blind bore, and the air layer is opened when the upper surface of the consumed target reaches the height to change the pressure in the vacuum chamber. Occurs.

또한 선택적으로, 상기 높이는 상기 타겟의 임계소모상태에 이르는 높이로 조절될 수 있다.Also optionally, the height may be adjusted to a height reaching a critical consumption state of the target.

또한 선택적으로, 상기 플러그부재는 상부에 상기 공기층을 에워싸도록 형성된 요입면을 가질 수 있다.Also optionally, the plug member may have a concave surface formed thereon to surround the air layer.

또한 선택적으로, 상기 플러그부재는 상기 블라인드 보어의 상기 폐쇄면을 제외한 나머지 상기 블라인드 보어의 측면과 밀폐상태를 유지하도록 됨이 바람직하다. 또한, 일 예로서, 상기 플러그부재는 상기 블라인드 보어 내에서 클로우즈-핏 상태일 수 있다.Also optionally, it is preferable that the plug member maintains a closed state with the side surfaces of the blind bore except for the closed surface of the blind bore. In addition, as an example, the plug member may be in a closed-fit state within the blind bore.

또한 선택적으로, 상기 플러그부재는 원통체 또는 다면체로 될 수 있다. 또한, 일 예로서, 상기 플러그부재는 육면체이고, 상기 공기층의 용적은 50×120×1㎣ 내지 500×120×1㎣의 범위로 될 수 있다.Also optionally, the plug member may be a cylindrical body or a polyhedron. In addition, as an example, the plug member is a hexahedron, and the volume of the air layer may be in the range of 50×120×1 mm 3 to 500×120×1 mm 3.

또한 선택적으로, 상기 플러그부재의 재질은 알루미늄, 티타늄, 그리고 상기 타겟과 동일한 물질 중의 하나 이상을 포함할 수 있다.Also optionally, the material of the plug member may include at least one of aluminum, titanium, and the same material as the target.

또한 선택적으로, 상기 플러그부재는 상기 블라인드 보어로부터 분리될 수 있다. 또한, 상기 플러그부재는 상기 블라인드 보어로부터 분리되고 다른 타겟의 블라인드 보어 내에 삽입되어 재사용될 수 있다.Also optionally, the plug member may be separated from the blind bore. In addition, the plug member may be separated from the blind bore and inserted into the blind bore of another target to be reused.

또한 선택적으로, 상기 블라인드 보어 및 상기 플러그부재는 상기 타겟의 중심과 에지간의 상기 타겟의 영역내에 위치될 수 있다.Also optionally, the blind bore and the plug member may be located within a region of the target between the center and the edge of the target.

본 발명은 타겟의 임계소모상태에 이르는 타겟의 내부에 예상되는 예상최심부의 위치나 또는 임의로 사전결정된 위치에 공기층이 형성되어 타겟의 소모가 진행되는 과정에서 이러한 공기층의 개방으로 진공챔버내의 진공도가 일시적으로 변화하는 것을 검출하여 타겟의 임계소모상태를 효과적이면서도 간단하고 쉽게 검출할 수 있다.In the present invention, an air layer is formed at an expected deepest position or at an arbitrary predetermined position inside the target reaching the critical consumption state of the target, and the degree of vacuum in the vacuum chamber is opened by the opening of the air layer in the process of consumption of the target. By detecting a temporary change, the critical consumption state of the target can be effectively, simply and easily detected.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따라 타겟에 공기층을 형성하기 위한 수단이 결합되는 것을 보인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따라 타겟의 공기층형성수단인 플러그부재를 보인 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 타겟에 형성된 블라인드 보어(blind bore)에 플러그부재가 삽입되는 것을 보인 단면도이다.
도 4는 도 3에서 도시하듯이 타겟에 형성된 블라인드 보어에 플러그부재가 삽입됨으로써 블라인드 보어의 폐쇄면과 플러그부재의 상부면 사이에 공기층이 형성되는 것을 보인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따라 타겟이 스퍼터링 장치의 진공챔버내 배치된 백킹플레이트상에 배치된 것을 보인 단면도이다.
도 6은 도 5의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 구현예에 따라 직육면체 형상의 플러그부재가 삽입된 타겟이 도 6과 마찬가지로 스퍼터링 장치의 진공챔버내 배치된 백킹플레이트상에 배치된 것을 보인 평면도이다.
1 is a perspective view showing that a means for forming an air layer on a target is coupled according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a plug member as an air layer forming means of a target according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating that a plug member is inserted into a blind bore formed in a target according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating that an air layer is formed between a closed surface of a blind bore and an upper surface of the plug member by inserting a plug member into a blind bore formed in a target as shown in FIG. 3.
5 is a cross-sectional view showing that a target is disposed on a backing plate disposed in a vacuum chamber of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan view of FIG. 5.
7 is a plan view showing that a target into which a plug member having a rectangular parallelepiped shape is inserted is disposed on a backing plate disposed in a vacuum chamber of a sputtering apparatus, as in FIG. 6 according to another embodiment of the present invention.

이하 본 발명을 도 1~7을 참조하며 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

다만, 본 명세서에서 기재하는 용어인 타겟의 "임계소모상태(critical consumption state)"는 통상적으로 스퍼터링 장치에 사용되는 타겟이 스퍼터링 공정에 의해 소모되어 더 이상 정상적인 스퍼터링에 의한 증착이 이루어질 수 없는 정도의 잔존량이 남은 타겟의 상태를 가리킨다.However, the term "critical consumption state" of the target, which is the term described in the present specification, is a level in which the target used in the sputtering device is consumed by the sputtering process and thus deposition by normal sputtering cannot be performed. The remaining amount indicates the state of the remaining target.

일반적으로 스퍼터링 장치에서 타겟(10)은 그의 진공챔버(도시되지 않음) 내에 배치된다. 그리고, 본 발명에 있어서, 상기 타겟(10)의 저면에는 블라인드 보어(12)가 형성된다. 이러한 블라인드 보어(12)는 타겟(10)의 저면을 향하여 개방되며 블라인드 보어(12)의 폐쇄면(14)은 상측으로 향하여 배치되고, 상기 폐쇄면(14)의 레벨은 타겟(10)의 내부에서 타겟(10)의 임계소모상태에 이르는 것으로 예상되는 높이의 예상최심부(16)에 해당하도록 조정된다.In general, in a sputtering apparatus, the target 10 is placed in its vacuum chamber (not shown). Further, in the present invention, a blind bore 12 is formed on the bottom surface of the target 10. This blind bore 12 is opened toward the bottom of the target 10, and the closed surface 14 of the blind bore 12 is disposed upward, and the level of the closed surface 14 is inside the target 10. It is adjusted to correspond to the expected deepest part 16 of the height expected to reach the critical consumption state of the target 10 at.

상기 타겟(10)의 블라인드 보어(12)에는 블라인드 보어(12)의 폐쇄면(14)과 함께 상부에 공기층(18)을 형성하도록 된 플러그부재(20)가 삽입된다. 본 발명의 일 예로서, 상기 형성되는 공기층(18)의 내부압력은 대략 통상 1기압 정도의 압력을 유지한다. 그리고, 본 발명의 일 예로서, 상기 플러그부재(20)는 타겟(10)의 블라인드 보어(12)에 억지끼워맞춤의 한 형식인 클로우즈-핏(close-fit)의 상태로 삽입될 수 있다. A plug member 20 is inserted into the blind bore 12 of the target 10 to form an air layer 18 thereon together with the closing surface 14 of the blind bore 12. As an example of the present invention, the internal pressure of the formed air layer 18 is maintained at a pressure of about 1 atmosphere. In addition, as an example of the present invention, the plug member 20 may be inserted into the blind bore 12 of the target 10 in a closed-fit state.

또한, 상기 플러그부재(20)와 블라인드 보어(12)의 폐쇄면(14) 사이에 상기 공기층(18)을 형성하기 위하여, 플러그부재(20)의 상면에는 반구형 또는 반구형에 가까운 형태의 요입면(22)이 형성되나, 본 발명은 상기 요입면(22)의 형태에 한정되지 않고 기타 공기층(18)을 형성하는 용적을 이룰 수 있는 모든 형상으로 될 수 있다. In addition, in order to form the air layer 18 between the plug member 20 and the closing surface 14 of the blind bore 12, the upper surface of the plug member 20 has a hemispherical shape or a concave inlet surface ( 22) is formed, but the present invention is not limited to the shape of the concave surface 22 and may be any shape capable of forming a volume for forming the air layer 18.

그리고, 도 1~6에서는 편의상 상기 플러그부재(20)가 원통상으로 도시되나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 예컨대 도 7에 도시하는 육면체를 포함한 다면체의 형상으로도 될 수 있다. 또한, 상기 플러그부재(20)는 타겟(10)의 블라인드 보어(12) 내로 밀폐되도록 삽입되므로, 이러한 블라인드 보어(12) 역시 상기 플러그부재(20)의 측면과 밀폐를 유지하도록 상기 플러그부재(20)와 동일하거나 유사한 형상을 가지며, 예컨대 만일 상기 플러그부재(20)가 원통상이면, 상기 블라인드 보어(12) 역시 원통상으로 됨이 바람직하며(도 1, 도 3~4), 만일 상기 플러그부재(20)가 직육면체 형상이면, 상기 블라인드 보어(12) 역시 직육면체 형상으로 됨이 바람직하다(도 7). 본 발명의 일 실시예에서, 상기 플러그부재(20)가 직육면체인 경우 형성되는 상기 공기층(18)의 용적은 통상적인 타겟(10) 크기를 고려하여 50×120×1㎣ 내지 500×120×1㎣의 크기로 될 수 있다. 특히, 도 7은 대략 500×120×1㎣ 크기의 직육면체 형상인 플러그부재(20)가 스퍼터링 장치의 진공챔버내 배치된 백킹플레이트(24) 상에서 타겟(10)의 블라인드 보어(12) 내로 삽입되어 자신의 상측에 공기층(18)을 형성한 구조의 평면도를 보인다.In addition, in Figs. 1 to 6, for convenience, the plug member 20 is shown in a cylindrical shape, but the present invention is not limited thereto and may be, for example, a polyhedron including a hexahedron shown in FIG. 7. In addition, since the plug member 20 is inserted to be sealed into the blind bore 12 of the target 10, the blind bore 12 is also the plug member 20 so as to maintain the sealing with the side surface of the plug member 20. ) Has the same or similar shape as, for example, if the plug member 20 is cylindrical, the blind bore 12 is also preferably in a cylindrical shape (Figs. 1, 3 to 4), and if the plug member If (20) is a rectangular parallelepiped shape, the blind bore 12 is also preferably a rectangular parallelepiped shape (Fig. 7). In an embodiment of the present invention, when the plug member 20 is a rectangular parallelepiped, the volume of the air layer 18 formed is 50×120×1mm3 to 500×120×1 in consideration of the size of the typical target 10 It can be in the size of mm3. In particular, FIG. 7 shows that a plug member 20 having a rectangular parallelepiped shape of approximately 500×120×1 mm 3 is inserted into the blind bore 12 of the target 10 on the backing plate 24 disposed in the vacuum chamber of the sputtering device. It shows a plan view of a structure in which an air layer 18 is formed on its upper side.

또한, 상기 플러그부재(20)는 스퍼터링에 내구성이 있는 강성(rigid) 재질로 됨이 바람직하며, 예컨대 알루미늄, 티타늄, 그리고 타겟(10)과 동일한 물질 중의 하나 이상을 포함하는 재질로 구성될 수 있다. In addition, the plug member 20 is preferably made of a rigid material that is durable against sputtering, and may be made of, for example, a material containing at least one of aluminum, titanium, and the same material as the target 10. .

또한, 본 발명의 다른 일 예에서, 상기 플러그부재(20)는 상기 블라인드 보어(12)로부터 분리가능하며, 상기 타겟(10)이 교체될 때 상기 타겟(10)의 블라인드 보어(12)로부터 분리되어 다른 타겟(10)의 블라인드 보어(12)에 삽입됨으로써 재사용될 수 있다. In addition, in another example of the present invention, the plug member 20 is detachable from the blind bore 12, and when the target 10 is replaced, it is separated from the blind bore 12 of the target 10 It can be reused by being inserted into the blind bore 12 of another target 10.

위와 같이, 내부의 예상최심부(16)에 공기층(18)이 형성된 타킷(10)은 스퍼터링장치(도시하지 않았음)내의 백킹 플레이트(24)상에 배치되어 증착공정을 수행하는데 사용된다. 공기층(18)의 위치는 타겟(10)의 한 모서리 부분 또는 각 모서리 부분에 놓이는 것이 바람직하나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 타겟(10)의 임의의 위치에 놓일 수 있다.As above, the target 10 in which the air layer 18 is formed in the expected deepest part 16 inside is disposed on the backing plate 24 in the sputtering device (not shown) and used to perform the deposition process. The location of the air layer 18 is preferably placed at one edge portion or each edge portion of the target 10, but the present invention is not limited thereto and may be placed at any location of the target 10.

본 발명의 타겟(10)은 증착공정을 수행할 때 타겟입자의 방출에 의한 타겟(10)의 소모가 진행된다. 증착공정 동안 진행되는 타겟(10)의 소모가 임계소모상태에 이르러 예상최심부(16)에 이르면 타겟(10) 내의 상대적으로 압력이 낮은 공기층(18)이 개방되면서 고진공이었던 진공챔버내의 압력에 변화가 발생한다. 그리고, 이러한 진공챔버내의 압력 변화의 검출시, 타겟(10)이 임계소모상태임을 효율적이고 간편하게 인지할 수가 있고, 예컨대 증착공정이 중단되고 임계소모상태인 타겟(10)의 교환이 이루어질 수 있다.When the target 10 of the present invention performs a deposition process, the target 10 is consumed due to emission of target particles. When the consumption of the target 10 during the deposition process reaches the critical consumption state and reaches the expected deepest part 16, the air layer 18 with a relatively low pressure in the target 10 is opened and the pressure in the vacuum chamber, which was high vacuum, changes Occurs. In addition, upon detection of such a change in pressure in the vacuum chamber, it is possible to efficiently and conveniently recognize that the target 10 is in a critical consumption state. For example, the deposition process is stopped and the target 10 in the critical consumption state can be exchanged.

위와 같이, 본 발명에 의한 스퍼터링장치용 타겟은 상기 타겟(10)의 저면에 상부 폐쇄면(14)이 타겟(10)의 내부에서 타겟(10)의 임계소모상태에 이르는 것으로 예상되는 높이의 예상최심부(16)에 형성된 블라인드 보어(12)와, 상기 블라인드 보어(12) 내에 삽입되어 상기 블라인드 보어(12)의 상기 폐쇄면(14)과 함께 상부에 공기층(18)을 형성하도록 된 플러그부재(20)를 포함한다.As above, the target for the sputtering device according to the present invention is expected to have a height expected to reach a critical consumption state of the target 10 from the inside of the target 10 with the upper closed surface 14 on the bottom surface of the target 10 A blind bore 12 formed in the deepest part 16, and a plug member inserted into the blind bore 12 to form an air layer 18 on the upper side together with the closing surface 14 of the blind bore 12 It includes (20).

그리고, 상기 공기층(18)은 증착공정 동안 진행되는 타겟(10)의 소모가 임계소모상태에 이르러 예상최심부(16)에 이르면 개방되면서 진공챔버내의 압력에 변화를 발생시킴으로써 타겟(10)이 임계소모상태임을 나타낸다.In addition, the air layer 18 is opened when the consumption of the target 10 proceeding during the deposition process reaches the critical consumption state and reaches the expected deepest part 16, thereby generating a change in the pressure in the vacuum chamber, thereby making the target 10 critical. Indicates that it is in a consumption state.

따라서, 이러한 본 발명에 의하면, 간단한 구조와 방법으로 타겟의 임계소모상태의 검출이 가능한 스퍼터링장치용 타겟을 제공한다.Accordingly, according to the present invention, a target for a sputtering apparatus capable of detecting a critical consumption state of a target with a simple structure and method is provided.

전술한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구 범위에 속하는 것으로 보아야 한다. The above-described preferred embodiments of the present invention are disclosed for the purpose of illustration, and anyone of ordinary skill in the relevant field will be able to make various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention. , Additions, etc. should be regarded as belonging to the scope of the claims.

이러한 본 발명의 일 예로서, 본 발명에서 상기 블라인드 보어(12)의 상부 폐쇄면(14)은 타겟(10)의 내부에서 타겟(10)의 임계소모상태에 이르는 것으로 예상되는 높이의 예상최심부(16)에 형성되지아니하고, 상기 높이를 사용자가 임의로 조절하여(예컨대, 상기 임계소모상태에 이르기 이전의 높이 또는 이후의 높이로, 바람직하게는 상기 임계소모상태에 이르기 이전의 높이로) 상기 블라인드 보어(12)의 상부 폐쇄면(14)은 상기 예상최심부(16)가 아닌 타겟(10)의 사전 결정된 높이에 형성되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 블라인드 보어(12)의 상부 폐쇄면(14)이 상기 임계소모상태에 이르기 이전의 높이(즉, 상기 예상최심부(16)의 상측에 위치하는 높이)로 형성되는 경우, 더욱 안전하게 타겟(10)의 임계소모를 예방할 수가 있다.As an example of the present invention, in the present invention, the upper closed surface 14 of the blind bore 12 is the expected deepest part of the height expected to reach the critical consumption state of the target 10 from the inside of the target 10 The blind is not formed in (16), and the height is arbitrarily adjusted by the user (e.g., to a height before or after reaching the critical consumption state, preferably to a height before reaching the critical consumption state). The upper closing surface 14 of the bore 12 may be formed at a predetermined height of the target 10 rather than the expected deepest part 16. For example, when the upper closed surface 14 of the blind bore 12 is formed to a height before reaching the critical consumption state (that is, a height located above the expected deepest part 16), the target is more secure Critical consumption of (10) can be prevented.

10: 타겟, 12: 블라인드 보어, 14: 폐쇄면, 16: 예상최심부, 18: 공기층, 20: 플러그부재, 22: 요입면, 24: 백킹 플레이트10: target, 12: blind bore, 14: closed surface, 16: expected deepest portion, 18: air layer, 20: plug member, 22: concave surface, 24: backing plate

Claims (12)

스퍼터링 장치의 진공챔버 내에 배치되는 스퍼터링용 타겟(10)에 있어서,
상기 타겟(10)의 내부에서 상기 타겟(10)의 저면을 향하여 개방되고 상측이 상기 타겟(10)의 임계소모상태에 이르는 높이에 위치된 폐쇄면(14)으로 구성된 블라인드 보어(12)와;
상기 블라인드 보어(12) 내에 삽입되어 상기 블라인드 보어(12)를 밀폐하고, 상기 삽입시 상기 블라인드 보어(12)의 상기 폐쇄면(14)과 함께 공기층(18)을 수용하는 폐쇄 공간을 형성하게되는 요입면(22)을 상면에 포함하고, 재사용을 위하여 상기 블라인드 보어(12)로부터 분리가능한 플러그부재(20)를 포함하고,
상기 폐쇄 공간은 소모된 상기 타겟(10)의 상면이 상기 폐쇄면(14)에 이르면 개방됨으로써 내부의 공기층(18)이 상기 진공챔버 내로 방출되어 상기 진공챔버내의 압력을 변화시키는 것을 특징으로 하는 타겟.
In the sputtering target 10 disposed in a vacuum chamber of a sputtering device,
A blind bore (12) consisting of a closed surface (14) open from the inside of the target (10) toward the bottom surface of the target (10) and the upper side is located at a height reaching the critical consumption state of the target (10);
The blind bore 12 is inserted into the blind bore 12 to seal the blind bore 12, and when the blind bore 12 is inserted, a closed space for accommodating the air layer 18 together with the closed surface 14 of the blind bore 12 is formed. Including a concave surface 22 on the upper surface, including a plug member 20 detachable from the blind bore 12 for reuse,
The closed space is opened when the exhausted upper surface of the target 10 reaches the closed surface 14, thereby discharging the inner air layer 18 into the vacuum chamber to change the pressure in the vacuum chamber. .
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 플러그부재(20)는 상기 블라인드 보어(12) 내에서 클로우즈-핏된 것을 특징으로 하는 타겟.
The method of claim 1,
The target, characterized in that the plug member (20) is closed-fit within the blind bore (12).
제1항에 있어서,
상기 플러그부재(20)는 원통체 또는 다면체로 된 것을 특징으로 하는 타겟.
The method of claim 1,
The plug member 20 is a target, characterized in that the cylindrical body or a polyhedron.
제6항에 있어서,
상기 플러그부재(20)는 육면체 형상인 것을 특징으로 하는 타겟.
The method of claim 6,
The plug member 20 is a target, characterized in that the shape of a hexahedron.
제1항에 있어서,
상기 공기층(18)의 용적은 50×120×1㎣ 내지 500×120×1㎣의 범위인 것을 특징으로 하는 타겟.
The method of claim 1,
Target, characterized in that the volume of the air layer 18 is in the range of 50 × 120 × 1 mm 3 to 500 × 120 × 1 mm 3.
제1항에 있어서,
상기 플러그부재(20)의 재질은 알루미늄, 티타늄, 및 상기 타겟(10)과 동일한 물질 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 타겟.
The method of claim 1,
The material of the plug member (20) is a target, characterized in that it comprises at least one of aluminum, titanium, and the same material as the target (10).
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 블라인드 보어(12) 및 상기 플러그부재(20)는 상기 타겟(10)의 중심과 에지간의 상기 타겟(10)의 영역내에 위치되는 것을 특징으로 하는 타겟.
The method of claim 1,
The blind bore (12) and the plug member (20) are located within a region of the target (10) between the center and the edge of the target (10).
KR1020190056918A 2019-05-15 2019-05-15 Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state KR102165392B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190056918A KR102165392B1 (en) 2019-05-15 2019-05-15 Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190056918A KR102165392B1 (en) 2019-05-15 2019-05-15 Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102165392B1 true KR102165392B1 (en) 2020-10-16

Family

ID=73035241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190056918A KR102165392B1 (en) 2019-05-15 2019-05-15 Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102165392B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07292472A (en) * 1994-04-21 1995-11-07 Sharp Corp Method for detecting amount of target to be reduced in sputtering device and its device
KR20010081391A (en) 2000-02-14 2001-08-29 윤종용 Sputtering apparatus
KR20040005378A (en) 2002-07-10 2004-01-16 삼성전자주식회사 Method to determinate measure used of target of sputtering
KR20170012274A (en) * 2014-05-30 2017-02-02 토소우 에스엠디, 인크 Radio frequency identification in-metal installation and isolation for sputtering target

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07292472A (en) * 1994-04-21 1995-11-07 Sharp Corp Method for detecting amount of target to be reduced in sputtering device and its device
KR20010081391A (en) 2000-02-14 2001-08-29 윤종용 Sputtering apparatus
KR20040005378A (en) 2002-07-10 2004-01-16 삼성전자주식회사 Method to determinate measure used of target of sputtering
KR20170012274A (en) * 2014-05-30 2017-02-02 토소우 에스엠디, 인크 Radio frequency identification in-metal installation and isolation for sputtering target

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110165057A1 (en) Plasma cvd device, dlc film, and method for depositing thin film
JP5743266B2 (en) Film forming apparatus and calibration method
US6669829B2 (en) Shutter disk and blade alignment sensor
TWI501311B (en) Focusing ring and plasma processing device
US20150348823A1 (en) Lift pin assembly
US10720313B2 (en) Measuring device, measurement method, and plasma processing device
JP2002151471A (en) Plasma processing system
JP2007258417A (en) Plasma treatment method
KR20120126018A (en) Electrode for generating plasma and plasma processing apparatus
TW201522677A (en) Deposition mask, deposition apparatus, thin-film forming method and touch panel substrate
TWI641711B (en) Film forming device and film forming method
KR102165392B1 (en) Target for sputtering device capable of detecting critical consumption state
US10060023B2 (en) Backing plate for a sputter target, sputter target, and sputter device
US9897526B2 (en) Vacuum apparatus and method of monitoring particles
WO2014122700A1 (en) Film-forming apparatus
TWI442502B (en) Plasma processing containers and plasma processing devices
KR102613181B1 (en) Measuring apparatus, measuring method and plasma processing apparatus
TW201522676A (en) Sputtering film formation device and sputtering film formation method
TWI632246B (en) Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material
TW201720942A (en) Evaporation apparatus and evaporation method
KR101457081B1 (en) The linear type high-capacity evaporator that using a inner plate
JP2011168825A (en) Substrate treatment device and method for manufacturing semiconductor device
TWI759470B (en) Gate valve device and substrate processing system
EP0615273A1 (en) Method and apparatus for detection of sputtering target erosion
CN105755437A (en) Target assembly structure and magnetron sputtering system

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant