KR102158106B1 - A laser working system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기설정된 출력으로 반도체 레이저를 발생시키는 반도체 레이저 출력부와, 상기 반도체 레이저 출력부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 레이저 컨트롤러와, 상기 반도체 레이저 출력부에서 출력된 레이저를 수광하여 반도체 레이저를 서로 다른 회절각을 가지도록 회절시키는 광변조부와, 상기 광변조부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 광변조 컨트롤러와, 상기 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 도달하기까지의 시간을 감소시키도록 상기 레이저 컨트롤러와 광변조 컨트롤러를 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진 레이저 장치를 이용하여 가공대상물을 가공하는 레이저 가공 방법에 있어서, a, 상기 제어부를 통해 상기 레이저 컨트롤러와 광변조 컨트롤러의 작동을 동기화시키는 단계와, b, 상기 레이저 컨트롤러의 ON 시그널에 의해 상기 반도체 레이저 출력부에서 기설정된 출력으로 일정시간 반도체 레이저를 발생시켜 상기 광변조부에 인가하는 단계와, c, 상기 광변조 컨트롤러의 ON 시그널에 의해 작동되어 상기 광변조부를 통해 기설정된 출력값에 만족하는 레이저를 소정각도로 회절시키는 단계와, d, 상기 광변조부에서 회절된 1차 회절빔을 미리 설정된 조사시간 만큼 상기 가공대상물에 조사하여 레이저 가공하는 단계를 포함하여 이루어진다. The present invention includes a semiconductor laser output unit that generates a semiconductor laser with a preset output, a laser controller that generates a control signal for controlling ON/OFF of the semiconductor laser output unit, and receives the laser output from the semiconductor laser output unit. An optical modulator that diffracts the semiconductor laser to have different diffraction angles, an optical modulation controller that generates a control signal that controls ON/OFF of the optical modulator, and time until the semiconductor laser reaches a preset output value In the laser processing method for processing an object to be processed using a laser device comprising a control unit for controlling the laser controller and the optical modulation controller to reduce the a, the operation of the laser controller and the optical modulation controller through the control unit Synchronizing, b, generating a semiconductor laser at a preset output from the semiconductor laser output unit by an ON signal of the laser controller for a predetermined period of time and applying it to the optical modulator; c, of the optical modulation controller Diffracting a laser that satisfies a preset output value through the optical modulator at a predetermined angle by being operated by an ON signal, and d, the first-order diffracted beam diffracted by the optical modulator is applied to the object for a preset irradiation time. It comprises the step of irradiating and laser processing.

Description

레이저 가공 방법{A laser working system}Laser processing method {A laser working system}

본 발명은 반도체 마스크 공정에서 반도체 레이저를 조사하여 가공대상물을 가공하는 레이저 가공 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 음향광학장치(AOM)를 이용하여 레이저 조사 시간을 제어함으로써 레이저 가공 시 열에 의한 반도체 마스크의 박막면의 손상을 감소시키고, 가공면의 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 레이저 가공 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a laser processing system for processing an object to be processed by irradiating a semiconductor laser in a semiconductor mask process, and more particularly, a semiconductor mask caused by heat during laser processing by controlling the laser irradiation time using an acoustic optical device (AOM). It relates to a semiconductor laser processing method capable of reducing the damage to the thin film surface of the surface and improving the quality of the processed surface.

레이저를 이용한 가공장치는 가공 대상물에 대해 비접촉 방식으로 매우 국부적인 곳에 레이저 빔을 조사함으로써 주변 손상 없이 원하는 목표물을 제거하거나 마킹 표면처리 등을 수행하게 된다. A processing apparatus using a laser irradiates a laser beam to a very local area in a non-contact manner with respect to the object to be processed, thereby removing a desired object without damaging the surroundings or performing a marking surface treatment.

이와 같은 레이저 가공장치는 반도체 마스크 공정에서도 사용되며, 반도체 마스크의 제조 공정 중 박막의 물질에 레이저빔을 조사하여 박막의 형질을 변화 시키는 역할로 레이저빔이 사용되고 있다. Such a laser processing apparatus is also used in a semiconductor mask process, and a laser beam is used to change the characteristics of the thin film by irradiating a laser beam onto the material of the thin film during the manufacturing process of the semiconductor mask.

이때, 레이저빔의 출력 및 조사 시간에 따라서 반도체 마스크 박막 물질의 변화가 다르게 나타나게 되며, 레이저빔의 조사시간이 길어질수록 박막에 손상이 발생되는 것으로 특정 출력에서 레이저빔의 조사시간을 짧게 조절할수록 레이저 가공 품질은 개선된다. At this time, the change of the semiconductor mask thin film material appears differently depending on the output and irradiation time of the laser beam, and as the irradiation time of the laser beam increases, damage to the thin film occurs. The processing quality is improved.

즉, 반도체 레이저를 사용하여 가공할 때에는 연속발진을 기본으로 하고, 입력된 제어신호에 의하여 출력을 조절할 수 있으며, 레이저 조사시간의 조절은 반도체 레이저의 조사 시간을 제어하는 장치에 제어신호 입력을 ON/OFF 함으로써 가능하다.In other words, when processing using a semiconductor laser, continuous oscillation is the basis, and the output can be controlled by the input control signal, and the laser irradiation time is controlled by turning on the control signal input to the device that controls the irradiation time of the semiconductor laser. It is possible by turning /OFF.

상기와 같이 제어신호 처리에 의하여 반도체 레이저의 ON/OFF 동작에 의해 반도체 레이저를 사용하여 가공할 때에는 반도체 레이저를 방출하는 레이저 발생부에 제어신호가 인가(ON)되면 레이저에 설정된 출력값에 도달하기까지 수십 마이크로초(ㅅs)의 딜레이(delay) 시간이 걸려 레이저의 최대 효율의 에너지를 사용하여 공정을 수행하는데 어려움이 있었다. When processing using a semiconductor laser by the ON/OFF operation of the semiconductor laser by the control signal processing as described above, when a control signal is applied (ON) to the laser generator that emits the semiconductor laser, the output value set for the laser is reached. It was difficult to perform the process using the energy of the maximum efficiency of the laser due to the delay time of several tens of microseconds.

또한, 이러한 딜레이(delay) 시간에 의해 레이저가 가공대상물에 조사되지 않거나 아주 낮은 출력의 레이저만 발진되어 공정에 필요한 충분한 에너지를 얻지 못해 레이저 가공 품질에 악영향을 줄 수 있는 문제가 있다. In addition, due to such a delay time, there is a problem that the laser is not irradiated to the object to be processed, or only lasers with very low power are oscillated, so that sufficient energy required for the process cannot be obtained, thereby adversely affecting the laser processing quality.

따라서 상기 딜레이(delay) 되는 수십 마이크로초(ㅅs)의 시간을 단축시키기 위하여 전기적 회로의 개발이 많이 되었음에도 불구하고 수십 마이크로초(ㅅs)의 시간을 단축하기에는 어려움이 있었다. Therefore, in order to shorten the delay time of several tens of microseconds, it is difficult to shorten the time of several tens of microseconds (ㅅs) despite the development of a lot of electrical circuits.

대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1189537호Korean Registered Patent Publication No. 10-1189537 대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1233422호Korean Registered Patent Publication No. 10-1233422 대한민국 공개특허공보 공개번호 제10-2010-0044774호Republic of Korea Patent Application Publication No. 10-2010-0044774

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 가공할 때에 반도체 레이저의 최대 효율의 에너지를 사용함으로써 반도체 레이저의 조사시간을 종래보다 단축시킬 수 있는 반도체 레이저 가공 방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a semiconductor laser processing method capable of shortening the irradiation time of a semiconductor laser compared to the prior art by using energy of the maximum efficiency of the semiconductor laser during processing.

그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned object, and another object that is not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기설정된 출력으로 반도체 레이저를 발생시키는 반도체 레이저 출력부와, 상기 반도체 레이저 출력부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 레이저 컨트롤러와, 상기 반도체 레이저 출력부에서 출력된 레이저를 수광하여 반도체 레이저를 서로 다른 회절각을 가지도록 회절시키는 광변조부와, 상기 광변조부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 광변조 컨트롤러와, 상기 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 도달하기까지의 시간을 감소시키도록 상기 레이저 컨트롤러와 광변조 컨트롤러를 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진 레이저 장치를 이용하여 가공대상물을 가공하는 레이저 가공 방법에 있어서, a, 상기 제어부를 통해 상기 레이저 컨트롤러와 광변조 컨트롤러의 작동을 동기화시키는 단계와, b, 상기 레이저 컨트롤러의 ON 시그널에 의해 상기 반도체 레이저 출력부에서 기설정된 출력으로 일정시간 반도체 레이저를 발생시켜 상기 광변조부에 인가하는 단계와, c, 상기 광변조 컨트롤러의 ON 시그널에 의해 작동되어 상기 광변조부를 통해 기설정된 출력값에 만족하는 레이저를 소정각도로 회절시키는 단계와, d, 상기 광변조부에서 회절된 1차 회절빔을 미리 설정된 조사시간 만큼 상기 가공대상물에 조사하여 레이저 가공하는 단계를 포함하여 이루어진다. In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor laser output unit that generates a semiconductor laser with a preset output, a laser controller that generates a control signal for controlling ON/OFF of the semiconductor laser output unit, and the semiconductor laser output unit. An optical modulation unit that receives the laser output from and diffracts the semiconductor laser to have different diffraction angles, an optical modulation controller that generates a control signal for controlling ON/OFF of the optical modulation unit, and the semiconductor laser is preset In the laser processing method of processing an object to be processed using a laser device comprising a control unit for controlling the laser controller and the optical modulation controller to reduce the time until reaching the output value, a, the laser through the control unit Synchronizing the operation of the controller and the optical modulation controller, b, generating a semiconductor laser at a predetermined time at a predetermined output from the semiconductor laser output unit by an ON signal of the laser controller and applying it to the optical modulation unit, c, diffracting a laser that satisfies a preset output value through the optical modulator at a predetermined angle, operated by the ON signal of the optical modulation controller, and d, the first-order diffracted beam diffracted by the optical modulator is preset It includes the step of laser processing by irradiating the object for the duration of the irradiation.

또한, 상기 d 단계 이후에, e, 상기 조사시간 동안 레이저 가공이 이루어진 후, 상기 광변조 컨트롤러의 OFF 시그널에 의해 상기 광변조부의 작동이 정지되는 단계와, f, 상기 광변조 컨트롤러가 작동이 정지되고 상기 레이저 컨트롤러의 OFF 시그널에 의해 상기 레이저 발생부의 작동이 정지되는 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, after step d, e, after laser processing is performed during the irradiation time, the operation of the optical modulation unit is stopped by an OFF signal of the optical modulation controller, and f, the operation of the optical modulation controller is stopped. And it may further include the step of stopping the operation of the laser generator by the OFF signal of the laser controller.

또한, 상기 a 단계는, a-1, 상기 기설정된 출력값으로 출력되는 반도체 레이저의 시간에 따른 출력값을 측정하는 단계와, a-2. 상기 측정된 반도체 레이저의 시간에 따른 출력값을 통해 데이터를 획득하는 단계와, a-3, 상기 데이터를 통해 상기 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 만족할 때, 상기 광변조부가 작동되도록 설정하는 단계를 포함한다. In addition, the step a includes: a-1, measuring an output value of the semiconductor laser output as the preset output value over time, and a-2. Acquiring data through the measured output value of the semiconductor laser over time, and a-3, setting the optical modulator to operate when the semiconductor laser satisfies a preset output value through the data. .

또한, 상기 a-2 단계는, a-2-1, 상기 레이저 컨트롤러의 ON 신호에 의해 상기 레이저 발생부가 작동되어 상기 반도체 레이저의 출력값이 0에서 기설정된 출력값에 도달하는 시점 Ta까지의 제1상승시간을 획득하는 단계와, a-2-2, 상기 레이저 컨트롤러의 OFF 신호가 작동되는 시점 Tb에서 반도체 레이저의 출력값이 기설정된 출력값에서 출력값 0에 도달하기까지의 제1하강시간을 획득하는 단계를 포함한다. In addition, in step a-2, a-2-1, the laser generator is operated by the ON signal of the laser controller, so that the first rise from 0 to the point Ta at which the output value of the semiconductor laser reaches a preset output value. Acquiring a time, a-2-2, acquiring a first fall time from a predetermined output value to an output value of 0 at a time Tb at which the OFF signal of the laser controller is operated. Include.

또한, 상기 a-3 단계는, a-3-1, 상기 시점 Ta와 시점 Tb 사이에서 상기 광변조 컨트롤러의 ON/OFF가 상기 조사 시간만큼 작동되도록 설정한다. Further, in step a-3, a-3-1, between the time point Ta and the time point Tb, the ON/OFF of the optical modulation controller is set to operate for the irradiation time.

또한, 상기 광변조부의 OFF 작동 시 상기 반도체 레이저 출력부로부터 출력된 반도체 레이저가 입사하는 방향과 동일한 방향을 갖으면서 투과되는 0차 회절빔이 형성되되, 상기 1차 회절빔은 상기 반도체 레이저 출력부로부터 출력된 반도체 레이저가 입사하는 방향과 동일한 방향으로 출사되면서 상기 0차 회절빔을 기준으로 소정각도 θ1 만큼 편향되어 출사된다. In addition, when the optical modulator is turned off, a zero-order diffracted beam is formed while having the same direction as the incident direction of the semiconductor laser output from the semiconductor laser output unit, and the first-order diffracted beam is the semiconductor laser output unit. The semiconductor laser output from is emitted in the same direction as the incident direction, and is deflected by a predetermined angle θ1 based on the 0-th diffraction beam.

또한, 상기 광변조부로부터 회절된 1차 회절빔은, 상기 제2컨트롤러의 ON 신호에 의해 상기 광변조부가 작동되어 상기 반도체 레이저의 출력값이 0에서 기설정된 출력값에 도달하는 시점 Tc까지의 제2상승시간과, 상기 제2컨트롤러의 OFF 신호가 작동되는 시점 Td에서 반도체 레이저의 출력값이 기설정된 출력값에서 출력값 0에 도달하기까지의 제2하강시간이 형성될 때, 상기 제2 상승 및 하강시간은 상기 제1 상승 및 하강시간의 1/10배 내지 1/1000배로 형성된다.In addition, the first-order diffracted beam diffracted from the optical modulator is operated by the ON signal of the second controller, so that the second output value of the semiconductor laser reaches a preset output value from 0 to a point Tc. When a rise time and a second fall time from the point when the OFF signal of the second controller is operated Td until the output value of the semiconductor laser reaches the output value 0 from the preset output value are formed, the second rise and fall times are It is formed in 1/10 to 1/1000 times of the first rising and falling time.

또한, 상기 광변조부로부터 회절되어 출사된 1차 회절빔을 수광하여 가공 대상물의 목표 위치에 조사되도록 하는 광학부가 더 구비된다. In addition, an optical unit for receiving the first-order diffracted beam diffracted and emitted from the light modulator is further provided to irradiate the target position of the object to be processed.

또한, 상기 광변조부는 음향광학장치(AOM; Acoustic Optic Modulator)를 포함한다. In addition, the optical modulator includes an acoustic optic modulator (AOM).

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.Features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Prior to this, terms or words used in the present specification and claims should not be interpreted in a conventional and dictionary meaning, and the inventor may appropriately define the concept of the term in order to describe his or her invention in the best way. It should be interpreted as a meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that there is.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 레이저를 조사하여 가공할 때에 레이저의 최대 효율의 에너지를 사용하면서 레이저의 조사시간을 종래보다 단축시킬 수 있어 반도체 마스크 표면의 열 손상을 감소시키고, 가공면 품질을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, when the semiconductor laser is irradiated and processed, the laser irradiation time can be shorter than before while using the energy of the maximum efficiency of the laser, thereby reducing thermal damage to the surface of the semiconductor mask, and There is an effect that can improve the quality.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 레이저 가공 방법을 나타낸 순서도,
도 4는 반도체 레이저의 출력상태를 설명하기 위한 도,
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 레이저 장치의 작동상태에 따른 레이저의 출력상태를 개략적으로 나타내기 위한 도,
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 레이저 장치의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 블록도,
도 7은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 가공 시 레이저 장치의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 블록도,
도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 비가공시 레이저 장치의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 블록도이다. 1 to 3 are flow charts showing a laser processing method according to the present invention,
4 is a diagram for explaining an output state of a semiconductor laser;
5 is a diagram schematically showing an output state of a laser according to an operating state of a laser device according to a preferred embodiment of the present invention.
6 is a block diagram schematically showing an operating state of a laser device according to an embodiment of the present invention;
7 is a block diagram schematically showing an operating state of a laser device during processing according to a preferred embodiment of the present invention;
8 is a block diagram schematically showing an operating state of a laser device during non-processing according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of the lines or the size of components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention and may vary according to the intention or custom of users or operators. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the present specification.

아울러, 아래의 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적인 사항에 불과하며, 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술사항에 포함되고 청구범위의 구성요소에서 균등물로서 치환 가능한 구성요소를 포함하는 실시예는 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있다.In addition, the following examples are not intended to limit the scope of the present invention, but are merely illustrative of the elements presented in the claims of the present invention, and are included in the technical matters throughout the specification of the present invention, and the composition of the claims. Embodiments including elements that can be substituted as equivalents in elements may be included in the scope of the present invention.

첨부된 도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 레이저 가공 방법을 나타낸 순서도, 도 4는 반도체 레이저의 출력상태를 설명하기 위한 도, 도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 레이저 장치의 작동상태에 따른 레이저의 출력상태를 개략적으로 나타내기 위한 도, 도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 레이저 장치의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 블록도, 도 7은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 가공 시 레이저 장치의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 블록도, 도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 비가공시 레이저 장치의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 블록도이다. 1 to 3 are a flow chart showing a laser processing method according to the present invention, FIG. 4 is a diagram for explaining an output state of a semiconductor laser, and FIG. 5 is an operating state of a laser device according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a block diagram schematically showing an output state of a laser according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 6 is a block diagram schematically showing an operating state of a laser device according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. A block diagram schematically showing an operating state of the laser device during processing, and FIG. 8 is a block diagram schematically illustrating an operating state of the laser device during non-processing according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 이하에 도시된 바와 같이, 본 발명은 반도체 마스크 공정에서 반도체 레이저를 조사하여 가공대상물을 가공하는 레이저 가공 시스템에 관한 것으로, 가공대상물에 조사되는 레이저 조사 시간을 제어할 수 있는 레이저 가공 방법에 관한 것이다. 1, the present invention relates to a laser processing system for processing an object to be processed by irradiating a semiconductor laser in a semiconductor mask process, and to a laser processing method capable of controlling the laser irradiation time irradiated to the object to be processed. About.

또한, 기설정된 출력으로 반도체 레이저를 발생시키는 반도체 레이저 출력부(11)와, 상기 반도체 레이저 출력부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 레이저 컨트롤러와(12)와, 상기 반도체 레이저 출력부(11)에서 출력된 레이저를 수광하여 레이저를 서로 다른 회절각을 가지도록 회절시키는 광변조부(21)와, 상기 광변조부(21)의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 광변조 컨트롤러(22)와, 상기 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 도달하기까지의 시간을 감소시키도록 상기 레이저 컨트롤러(12)와 광변조 컨트롤러(22)를 제어하는 제어부(30)를 포함하여 이루어진 레이저 장치를 이용하여 가공대상물을 가공하는 레이저 가공 방법에 관한 것이다. In addition, a semiconductor laser output unit 11 for generating a semiconductor laser with a preset output, a laser controller 12 for generating a control signal for controlling ON/OFF of the semiconductor laser output unit, and the semiconductor laser output unit ( An optical modulator 21 that receives the laser output from 11) and diffracts the laser to have different diffraction angles, and an optical modulation controller that generates a control signal for controlling ON/OFF of the optical modulator 21 (22) and a laser device comprising a control unit 30 for controlling the laser controller 12 and the optical modulation controller 22 to reduce the time until the semiconductor laser reaches a preset output value. It relates to a laser processing method for processing the object to be processed.

본 발명에 따른 상기 레이저 방법은, a, 상기 제어부(30)를 통해 상기 레이저 컨트롤러(12)와 광변조 컨트롤러(22)의 작동을 동기화시키는 단계(S110)와, b, 상기 레이저 컨트롤러(12)의 ON 시그널에 의해 상기 반도체 레이저 출력부(11)에서 기설정된 출력으로 일정시간 레이저를 발생시켜 상기 광변조부(30)에 인가하는 단계(S120)와, c, 상기 광변조 컨트롤러(22)의 ON 시그널에 의해 작동되어 상기 광변조부(30)를 통해 기설정된 출력값에 만족하는 반도체 레이저를 소정각도로 회절시키는 단계(S130)와, d, 상기 광변조부(30)에서 회절된 1차 회절빔을 미리 설정된 조사시간 만큼 상기 가공대상물에 조사하여 레이저 가공하는 단계(S140)를 포함한다.The laser method according to the present invention comprises: a, synchronizing the operation of the laser controller 12 and the optical modulation controller 22 through the control unit 30 (S110), and b, the laser controller 12 A step (S120) of generating a laser at a preset output from the semiconductor laser output unit 11 and applying it to the optical modulation unit 30 by the ON signal of (S120), and c, of the optical modulation controller 22 Step of diffracting a semiconductor laser that is operated by an ON signal and satisfies a preset output value through the optical modulator 30 at a predetermined angle (S130), and d, the first diffraction diffracted by the optical modulator 30 And a step (S140) of laser processing by irradiating a beam to the object for a predetermined irradiation time.

즉, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 도달하기까지의 시간을 제어하여 가공대상물에 레이저빔의 조사시간을 줄임으로써 레이저 가공 시 열에 의한 가공대상물의 손상을 줄일 수 있는 것을 특징으로 한다.That is, the laser processing method according to the present invention is capable of reducing damage to the object to be processed due to heat during laser processing by reducing the irradiation time of the laser beam to the object to be processed by controlling the time until the semiconductor laser reaches a preset output value. It is characterized.

또한, 상기 d 단계(S140) 이후에, e, 상기 조사시간 동안 레이저 가공이 이루어진 후, 상기 광변조 컨트롤러(22)의 OFF 시그널에 의해 상기 광변조부(30)의 작동이 정지되는 단계(S150)와, f, 상기 광변조 컨트롤러(22)가 작동이 정지되고 상기 레이저 컨트롤러(12)의 OFF 시그널에 의해 상기 반도체 레이저 출력부(11)의 작동이 정지되는 단계(S160)를 더 포함한다.In addition, after step d (S140), e, after laser processing is performed during the irradiation time, the operation of the optical modulator 30 is stopped by the OFF signal of the optical modulation controller 22 (S150). ) And f, the operation of the optical modulation controller 22 is stopped and the operation of the semiconductor laser output unit 11 is stopped by an OFF signal of the laser controller 12 (S160).

또한, 상기 a 단계(S110)는, a-1, 상기 기설정된 출력값으로 출력되는 반도체 레이저의 시간에 따른 출력값을 측정하는 단계(S111)와, a-2. 상기 측정된 반도체 레이저의 시간에 따른 출력값을 통해 데이터를 획득하는 단계(S112)와, a-3, 상기 데이터를 통해 상기 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 만족할 때, 상기 광변조부(30)가 작동되도록 설정하는 단계(S113)를 포함한다. In addition, the step a (S110) includes a-1, measuring an output value of the semiconductor laser output as the preset output value over time (S111), and a-2. Acquiring data through the measured output value of the semiconductor laser over time (S112), and a-3, when the semiconductor laser satisfies a preset output value through the data, the optical modulator 30 is operated It includes a step (S113) of setting to be.

또한, 상기 a-2 단계(S112)는, a-2-1, 상기 레이저 컨트롤러(12)의 ON 신호에 의해 상기 반도체 레이저 출력부(11)가 작동되어 상기 반도체 레이저의 출력값이 0에서 기설정된 출력값에 도달하는 시점 Ta까지의 제1상승시간을 획득하는 단계(S122a)와, a-2-2, 상기 레이저 컨트롤러(12)의 OFF 신호가 작동되는 시점 Tb에서 반도체 레이저의 출력값이 기설정된 출력값에서 출력값 0에 도달하기까지의 제1하강시간을 획득하는 단계(S122b)를 포함한다. In addition, the step a-2 (S112), a-2-1, the semiconductor laser output unit 11 is operated by the ON signal of the laser controller 12, the output value of the semiconductor laser is preset at 0 The step of acquiring the first rising time to the point Ta at which the output value is reached (S122a), and a-2-2, the output value of the semiconductor laser at the point Tb when the OFF signal of the laser controller 12 is operated is a preset output value And acquiring the first fall time from reaching the output value 0 (S122b).

또한, 상기 a-3 단계(S113)는, a-3-1, 상기 시점 Ta와 시점 Tb 사이에서 상기 광변조 컨트롤러(22)의 ON/OFF가 상기 조사시간 만큼 작동되도록 설정하는 단계를 포함한다. In addition, the step a-3 (S113) includes a-3-1, setting the ON/OFF of the optical modulation controller 22 to be operated for the irradiation time between the time point Ta and the time point Tb. .

즉, 상기 시점 Ta와 시점 Tb 사이에서 출력되는 반도체 레이저를 상기 가공대상물에 조사되도록 회절시켜 레이저 가공이 이루어지도록 한다. That is, the semiconductor laser output between the time point Ta and the time point Tb is diffracted to irradiate the object to be processed so that laser processing is performed.

따라서 반도체 레이저를 조사하여 가공할 때에 반도체 레이저의 최대 효율의 에너지를 사용하면서 가공대상물에 반도체 레이저가 조사되는 조사시간을 단축시켜 반도체 마스크 표면의 열 손상을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, when the semiconductor laser is irradiated and processed, it is possible to reduce thermal damage on the surface of the semiconductor mask by shortening the irradiation time of the semiconductor laser irradiating the object to be processed while using the energy of the maximum efficiency of the semiconductor laser.

또한, 상기 광변조 컨트롤러(22)의 ON 작동은 상기 레이저 컨트롤러(12)의 ON 작동 후 일정한 간격을 두고 작동되면서 상기 레이저 컨트롤러(12)의 OFF 작동은 상기 광변조 컨트롤러(22)의 OFF 작동 후 일정한 간격을 두고 작동되도록 상기 제1 및 제2컨트롤러(20,40)는 동기화되어 작동된다. In addition, the ON operation of the optical modulation controller 22 is operated at regular intervals after the ON operation of the laser controller 12, and the OFF operation of the laser controller 12 is performed after the OFF operation of the optical modulation controller 22. The first and second controllers 20 and 40 are operated in synchronization so that they are operated at regular intervals.

또한, 레이저 가공 시 상기 광변조 컨트롤러(22)의 ON 신호에 의해 상기 광변조부(30)가 작동되고, 상기 작동된 광변조부(30)는 상기 반도체 레이저 출력부(11)로부터 출력된 반도체 레이저를 수광한 후, 상기 광변조부(30)로 수광된 레이저 빔은 제1회절각도(1st order)를 갖는 1차 회절빔(1st order)으로 출사시키고, 상기 광변조 컨트롤러(22)의 OFF 신호에 의해 상기 광변조부(30)의 작동이 정지되어 반도체 레이저를 0차 회절빔(0th order)으로 투과시킨다.In addition, during laser processing, the optical modulation unit 30 is operated by the ON signal of the optical modulation controller 22, and the operated optical modulation unit 30 is a semiconductor output from the semiconductor laser output unit 11 After receiving the laser, the laser beam received by the optical modulator 30 is emitted as a first diffracted beam having a first diffraction angle (1st order), and the optical modulation controller 22 is turned off. The operation of the optical modulator 30 is stopped by a signal to transmit the semiconductor laser through a 0th order diffraction beam.

즉, 상기 0차 회절빔(0th order)은 상기 반도체 레이저 출력부(11)로부터 출력된 반도체 레이저가 입사는 방향과 동일한 방향으로 출사되고, 상기 1차 회절빔(1st order)은 상기 반도체 레이저 출력부(11)로부터 출력된 반도체 레이저가 입사하는 방향과 동일한 방향으로 출사되면서 상기 0차 회절빔(0th order)을 기준으로 소정각도 θ1 만큼 편향되어 출사된다. That is, the 0th order diffracted beam is emitted in the same direction as the incident direction of the semiconductor laser output from the semiconductor laser output unit 11, and the first order diffracted beam is output to the semiconductor laser. The semiconductor laser output from the unit 11 is emitted in the same direction as the incident direction, and is deflected by a predetermined angle θ1 based on the 0th order.

또한, 상기 광변조부(30)는 음향광학장치(AOM; Acoustic Optic Modulator)로 구비되는 것이 바람직하다.In addition, the optical modulator 30 is preferably provided as an acoustic optical device (AOM).

즉, 상기 음향광학장치(AOM; Acoustic Optic Modulator)는 일반적으로 음향광학 매질에 부착된 전극, 및 전극을 통해 구동회로로부터 인가되는 전기적 신호에 다라 음향 탄성파를 발생시키는 전기-음향 변조기로 이루어져 있다.That is, the acoustic optical device (AOM) is generally composed of an electrode attached to an acoustic optical medium, and an electro-acoustic modulator that generates acoustic acoustic waves in response to an electrical signal applied from a driving circuit through the electrode.

또한, 구동회로로부터 반도체 레이저에 의한 신호가 전기-음향 변조기에 인가되면, 전기-음향 변조기는 음향광학 매질 내에 음향파면을 발생시키고, 음향광학 매질의 입사면으로 입사되는 소정 파장의 반도체 레이저가 음향파면에서 브래그(bragg) 반사되어 1차(1st order) 회절광으로 출사되고, 입사된 반도체 레이저의 일부는 음향파면에서 회절되지 않고 0차(0th order) 회절광으로 출사된다. In addition, when a signal by the semiconductor laser from the driving circuit is applied to the electro-acoustic modulator, the electro-acoustic modulator generates an acoustic wavefront in the acoustic-optical medium, and the semiconductor laser of a predetermined wavelength incident on the incident surface of the acoustic-optical medium is sound. Bragg is reflected from the wavefront and is emitted as 1st order diffracted light, and a part of the incident semiconductor laser is not diffracted at the acoustic wavefront and is emitted as 0th order diffracted light.

또한, 상기 음향광학장치(AOM; Acoustic Optic Modulator)의 회절율은 85% 내지 95%로 형성된다.In addition, the diffraction rate of the acoustic optical device (AOM) is 85% to 95%.

또한, 상기 레이저 조사시간 제어부는 상기 광변조부(30)로부터 회절되어 출사된 1차 회절빔(1st order)을 수광하여 가공 대상물의 목표 위치에 조사되도록 하는 광학부(50)를 포함하여 이루어질 수 있다. In addition, the laser irradiation time control unit may include an optical unit 50 that receives the first order diffracted beam (1st order) diffracted and emitted from the optical modulator 30 and irradiates it to a target position of the object to be processed. have.

또한, 상기 레이저 조사시간 제어부는 상기 광변조부(30)로부터 투과되어 출사된 0차 회절빔을 수광하여 상기 목표 위에 0차 회절빔(0th order)이 조사되는 것을 차단하는 셔터를 더 포함하여 이루어질 수 있다. In addition, the laser irradiation time control unit further comprises a shutter for blocking the irradiation of the 0th order diffraction beam on the target by receiving the 0th order diffraction beam transmitted from the light modulator 30 and emitted. I can.

또한, 상기 광변조부(30)로부터 회절된 1차 회절빔(1st order)은 상기 광변조 컨트롤러(22)의 ON 신호에 의해 상기 광변조부(30)가 작동되어 상기 반도체 레이저의 출력값이 0에서 기설정된 출력값에 도달하는 시점 Tc까지의 제2상승시간과, 상기 광변조 컨트롤러(22)의 OFF 신호가 작동되는 시점 Td에서 반도체 레이저의 출력값이 기설정된 출력값에서 출력값 0에 도달하기까지의 제2하강시간이 형성될 때, 상기 제2 상승 및 하강시간은 상기 제1 상승 및 하강시간의 1/10배 내지 1/1000배로 형성되기도 하나, 이는 반도체 레이저의 출력값, 광변조 컨트롤러의 설계 등에 에 따라 바뀔 수 있어 그 구간은 1/10배 내지 1/수천배로 형성될 수 있음은 당연하다.In addition, in the first order diffracted beam (1st order) diffracted from the optical modulator 30, the optical modulator 30 is operated by the ON signal of the optical modulator 22 so that the output value of the semiconductor laser is zero. The second rise time from Tc to reaching the preset output value and the second rise time from the time Td at which the OFF signal of the optical modulation controller 22 is operated to reach the output value 0 from the preset output value. 2 When the fall time is formed, the second rise and fall times are 1/10 times to 1/1000 times the first rise and fall times, but this is due to the output value of the semiconductor laser and the design of the optical modulation controller. It can be changed accordingly, so it is natural that the section can be formed from 1/10 times to 1/thousands.

즉, 일실시예로 상기 제1 상승시간은 수십 마이크로초(ㅅs)가 걸리는데 비해 상기 제2상승시간은 수 마이크로초(ㅅs)가 걸린다고 가정했을 때, 제1 상승시간보다 기설정된 출력값에 도달하는 시간이 짧기 때문에 원하는 출력에 설정된 시간만큼만 가공대상물에 레이저를 조사할 수 있다. That is, as an example, when the first rise time is assumed to take several tens of microseconds (ㅅs) while the second rise time takes several microseconds (ㅅs), the first rise time is more than a preset output value Since the reaching time is short, the laser can be irradiated on the object to be processed only for the time set for the desired output.

따라서 상기 광변조부(30)로부터 회전된 반도체 레이저를 사용하여 상기 가공대상물에 조사시킴으로써 기설정된 출력값에 빠르게 도달하여 설정된 시간만큼 최대 효율의 에너지를 사용하여 레이저 가공을 할 수 있어 반도체 마스크 표면의 열 손상 감소시키고, 가공면 품질을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다. Therefore, by irradiating the object to be processed by using the semiconductor laser rotated from the optical modulator 30, it is possible to quickly reach a preset output value and perform laser processing using energy of maximum efficiency for a set time. It has the effect of reducing damage and improving the quality of the processed surface.

또한, 상기 반도체 레이저 출력부(11)에서 출력된 레이저를 조사하여 50W 파워를 200us 동안 주사하였다면, 상기 광변조부(21)에서 회절된 1차 회절빔은 기설정된 출력값에 도달하는 시간이 줄어들어 50W를 150us만 주사하여도 같은 양의 에너지가 주사되면서 열 노출 시간이 감소되어 열이 전달되는 경계면에서의 열 손상을 방지할 수 있다.In addition, if the laser output from the semiconductor laser output unit 11 is irradiated and the 50W power is scanned for 200us, the first-order diffracted beam diffracted by the optical modulator 21 decreases the time to reach a preset output value and thus 50W Even if only 150us is scanned, the same amount of energy is scanned and the heat exposure time is reduced, thereby preventing thermal damage at the interface through which heat is transferred.

또한, 레이저 빔이 주사되는 경계면에서 레이저 빔이 주사되지 않는 방향으로 전달되는 열의 양도 줄어들기 때문에 경계면에서의 edge sharpness가 가파르게 형성되어 기존보다 좀더 Sharp한 면을 얻을 수 있다.In addition, since the amount of heat transferred from the interface where the laser beam is scanned to the direction in which the laser beam is not scanned is also reduced, edge sharpness at the interface is formed sharply, thereby obtaining a sharper surface than before.

즉, 상대적으로 열전달 시간이 더 오래된 가공대상물의 경계면을 TEM 등을 통해 보면 경사도가 크게 되어 있고 상대적으로 열전달 시간이 작으면 작을수록 경사면의 기울기는 작아지기 때문에 경계면이 명확하고, 가공면 품질이 향상된다.In other words, if you look at the interface of the object with a relatively longer heat transfer time through TEM, etc., the slope is larger, and the smaller the heat transfer time is, the smaller the slope of the slope, so the boundary is clear and the quality of the processed surface is improved. do.

따라서 상기 광변조부(21)로부터 회절된 레이저빔을 사용하여 상기 가공대상물에 조사시킴으로써 기설정된 출력값에 빠르게 도달하여 설정된 시간만큼 최대 효율의 에너지를 사용하여 레이저 가공을 할 수 있어 반도체 마스크 표면의 열 손상을 감소시키고, 가공면 품질을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다. Therefore, by using the laser beam diffracted from the optical modulator 21 to irradiate the object to be processed, a preset output value can be quickly reached and laser processing can be performed using energy of maximum efficiency for a set time. It has the effect of reducing damage and improving the quality of the processed surface.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific examples, this is for explaining the present invention in detail, and the present invention is not limited thereto, and those of ordinary skill in the art within the spirit of the present invention It is clear that the transformation or improvement is possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 범주에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 명확해질 것이다.All simple modifications to changes of the present invention belong to the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be made clear by the appended claims.

10 : 레이저 발생부 20 : 제1컨트롤러
30 : 광변조부 40 : 제2컨트롤러 10: laser generator 20: first controller
30: optical modulator 40: second controller

Claims (8)

기설정된 출력으로 반도체 레이저를 발생시키는 반도체 레이저 출력부와, 상기 반도체 레이저 출력부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 레이저 컨트롤러와, 상기 반도체 레이저 출력부에서 출력된 레이저를 수광하여 반도체 레이저를 서로 다른 회절각을 가지도록 회절시키는 광변조부와, 상기 광변조부의 ON/OFF를 제어하는 제어신호를 발생시키는 광변조 컨트롤러와, 상기 반도체 레이저가 기설정된 출력값에 도달하기까지의 시간을 감소시키도록 상기 레이저 컨트롤러와 광변조 컨트롤러를 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진 레이저 장치를 이용하여 가공대상물을 가공하는 레이저 가공 방법에 있어서,
a, 상기 제어부를 통해 상기 레이저 컨트롤러와 광변조 컨트롤러의 작동을 동기화시키는 단계와,
b, 상기 레이저 컨트롤러의 ON 시그널에 의해 상기 반도체 레이저 출력부에서 기설정된 출력으로 일정시간 반도체 레이저를 발생시켜 상기 광변조부에 인가하는 단계와,
c, 상기 광변조 컨트롤러의 ON 시그널에 의해 작동되어 상기 광변조부를 통해 기설정된 출력값에 만족하는 레이저를 소정각도로 회절시키는 단계와,
d, 상기 광변조부에서 회절된 1차 회절빔을 미리 설정된 조사시간 만큼 상기 가공대상물에 조사하여 레이저 가공하는 단계를 포함하며
상기 a 단계는,
a-1, 상기 기설정된 출력값으로 출력되는 반도체 레이저의 시간에 따른 출력값을 측정하는 단계와,
a-2. 상기 측정된 반도체 레이저의 시간에 따른 출력값을 통해 데이터를 획득하는 단계와,
a-3, 상기 데이터를 통해 상기 반도체 레이저의 기설정된 출력값에 만족할 때, 상기 광변조부가 작동되도록 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법.A semiconductor laser output unit that generates a semiconductor laser with a preset output, a laser controller that generates a control signal for controlling ON/OFF of the semiconductor laser output unit, and a semiconductor laser by receiving the laser output from the semiconductor laser output unit. An optical modulator that diffracts to have different diffraction angles, an optical modulation controller that generates a control signal that controls ON/OFF of the optical modulator, and reduces the time until the semiconductor laser reaches a preset output value. In the laser processing method for processing an object to be processed using a laser device comprising a control unit for controlling the laser controller and the optical modulation controller so that,
a, synchronizing the operation of the laser controller and the optical modulation controller through the control unit,
b, generating a semiconductor laser for a predetermined period of time at a preset output from the semiconductor laser output unit by the ON signal of the laser controller and applying it to the optical modulator;
c, diffracting a laser that is operated by an ON signal of the optical modulation controller and satisfies a preset output value through the optical modulation unit at a predetermined angle,
d, laser processing by irradiating the first-order diffracted beam diffracted by the optical modulator to the object for a preset irradiation time,
In step a,
a-1, measuring an output value over time of the semiconductor laser output as the preset output value,
a-2. Acquiring data through the measured output value of the semiconductor laser over time,
a-3, when a predetermined output value of the semiconductor laser is satisfied through the data, setting the optical modulator to operate. 제1항에 있어서, 상기 d 단계 이후에,
e, 상기 조사시간 동안 레이저 가공이 이루어진 후, 상기 광변조 컨트롤러의 OFF 시그널에 의해 상기 광변조부의 작동이 정지되는 단계와,
f, 상기 광변조 컨트롤러가 작동이 정지되고 상기 레이저 컨트롤러의 OFF 시그널에 의해 상기 반도체 레이저 출력부의 작동이 정지되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법.
The method of claim 1, wherein after step d,
e, after laser processing is performed during the irradiation time, stopping the operation of the optical modulator by an OFF signal of the optical modulation controller; and
f, the operation of the optical modulation controller is stopped and the operation of the semiconductor laser output unit is stopped by an OFF signal of the laser controller.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 a-2 단계는,
a-2-1, 상기 레이저 컨트롤러의 ON 신호에 의해 상기 반도체 레이저 출력부가 작동되어 상기 반도체 레이저의 출력값이 0에서 기설정된 출력값에 도달하는 시점 Ta까지의 제1상승시간을 획득하는 단계와,
a-2-2, 상기 레이저 컨트롤러의 OFF 신호가 작동되는 시점 Tb에서 반도체 레이저의 출력값이 기설정된 출력값에서 출력값 0에 도달하기까지의 제1하강시간을 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법.The method of claim 1, wherein step a-2,
a-2-1, acquiring a first rising time from the point where the semiconductor laser output unit is operated by the ON signal of the laser controller to a point Ta at which the output value of the semiconductor laser reaches a preset output value from 0; and
a-2-2, acquiring the first fall time from the time Tb when the OFF signal of the laser controller is operated until the output value of the semiconductor laser reaches the output value 0 from the preset output value. Laser processing method. 제4항에 있어서, 상기 a-3 단계는,
a-3-1, 상기 시점 Ta와 시점 Tb 사이에서 상기 광변조 컨트롤러의 ON/OFF가 상기 조사시간만큼 작동되도록 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법.
The method of claim 4, wherein step a-3,
a-3-1, setting the ON/OFF of the optical modulation controller to be operated for the irradiation time between the time point Ta and the time point Tb.
제2항에 있어서,
상기 광변조부의 OFF 작동 시 상기 반도체 레이저 출력부로부터 출력된 반도체 레이저가 입사하는 방향과 동일한 방향을 갖으면서 투과되는 0차 회절빔이 형성되되,
상기 1차 회절빔은 상기 반도체 레이저 출력부로부터 출력된 반도체 레이저가 입사하는 방향과 동일한 방향으로 출사되면서 상기 0차 회절빔을 기준으로 소정각도 θ1 만큼 편향되어 출사되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법.
The method of claim 2,
When the optical modulator is turned off, a 0-th order diffracted beam is formed while having the same direction as the incident direction of the semiconductor laser output from the semiconductor laser output unit,
The first-order diffraction beam is emitted in the same direction as the direction in which the semiconductor laser output from the semiconductor laser output unit is incident, and is deflected by a predetermined angle θ1 based on the 0-order diffraction beam. .
제1항에 있어서,
상기 광변조부로부터 회절되어 출사된 1차 회절빔을 수광하여 가공 대상물의 목표 위치에 조사되도록 하는 광학부가 더 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법.
The method of claim 1,
And an optical unit configured to receive the first diffracted beam diffracted and emitted from the optical modulator and irradiated to a target position of the object to be processed.
제1항에 있어서,
상기 광변조부는 음향광학장치(AOM; Acoustic Optic Modulator)인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 가공 방법. The method of claim 1,
The semiconductor laser processing method, characterized in that the optical modulator is an acoustic optical device (AOM).
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